KR20170139609A - A temporary fixing adhesive, an adhesive film, an adhesive support, a laminate and a kit - Google Patents

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Abstract

상온에서의 박리성이 우수하고, 또한 접착성이 우수한 가고정 접착제와, 상기 가고정 접착제를 이용한, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트를 제공한다.
25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물과, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 가고정 접착제이다.
An adhesive film, an adhesive support, a laminate, and a kit using the temporary fixing adhesive excellent in peeling property at room temperature and excellent in adhesion and the temporary fixing adhesive are provided.
Is a temporarily fixed adhesive comprising a elastomer X which is liquid at 25 占 폚 and contains a silicon atom-containing compound and a repeating unit derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units.

Description

가고정 접착제, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트A temporary fixing adhesive, an adhesive film, an adhesive support, a laminate and a kit

본 발명은 가고정 접착제, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 장치 등의 제조에 바람직하게 이용할 수 있는, 가고정 접착제, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트에 관한 것이다.The present invention relates to a temporary fixing adhesive, an adhesive film, an adhesive support, a laminate and a kit. More particularly, the present invention relates to a temporary fixing adhesive, an adhesive film, an adhesive support, a laminate, and a kit which can be suitably used for manufacturing semiconductor devices and the like.

IC(집적 회로)나 LSI(대규모 집적 회로) 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 디바이스 웨이퍼 상에 다수의 IC칩이 형성되어, 다이싱에 의하여 개편화된다.BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC (integrated circuit) or an LSI (large-scale integrated circuit), a plurality of IC chips are formed on a device wafer and are separated by dicing.

전자 기기의 추가적인 소형화 및 고성능화의 요구에 따라, 전자 기기에 탑재되는 IC칩에 대해서도 추가적인 소형화 및 고집적화가 요구되고 있지만, 디바이스 웨이퍼의 면방향에 있어서의 집적 회로의 고집적화는 한계에 가까워지고 있다.Further miniaturization and high integration of IC chips mounted on electronic devices are required due to the demand for further miniaturization and high performance of electronic devices, but the integration of integrated circuits in the plane direction of device wafers is approaching the limit.

IC칩 내의 집적 회로로부터, IC칩의 외부 단자에 대한 전기적인 접속 방법으로서는, 종래부터, 와이어 본딩법이 널리 알려져 있는데, IC칩의 소형화를 도모하기 위하여, 최근, 디바이스 웨이퍼에 관통 구멍을 마련하여, 외부 단자로서의 금속 플러그를 관통 구멍 내를 관통하도록 집적 회로에 접속하는 방법(이른바, 실리콘 관통 전극(TSV)을 형성하는 방법)이 알려져 있다. 그러나, 실리콘 관통 전극을 형성하는 방법만으로는, 상기한 최근의 IC칩에 대한 추가적인 고집적화의 요구에 충분히 응할 수 있는 것은 아니다.Conventionally, a wire bonding method has been widely known as an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of the IC chip. In order to miniaturize the IC chip, a device wafer has recently been provided with a through hole (A method of forming a so-called silicon through electrode (TSV)) is known in which a metal plug as an external terminal is connected to an integrated circuit so as to pass through the through hole. However, the method of forming the silicon through electrode alone can not sufficiently meet the recent demand for higher integration of the IC chip.

이상을 감안하여, IC칩 내의 집적 회로를 다층화함으로써, 디바이스 웨이퍼의 단위 면적당 집적도를 향상시키는 기술이 알려져 있다. 그러나, 집적 회로의 다층화는, IC칩의 두께를 증대시키기 때문에, IC칩을 구성하는 부재의 박형화가 필요하다. 이와 같은 부재의 박형화로서는, 예를 들면 디바이스 웨이퍼의 박형화가 검토되고 있어, IC칩의 소형화로 이어질 뿐만 아니라, 실리콘 관통 전극의 제조에 있어서의 디바이스 웨이퍼의 관통 구멍 제조 공정을 생력화(省力化)할 수 있는 점에서, 유망시되고 있다. 또, 파워 디바이스·이미지 센서 등의 반도체 디바이스에 있어서도, 상기 집적도의 향상이나 디바이스 구조의 자유도 향상의 관점에서, 박형화가 시도되고 있다.In view of the above, there is known a technique for improving the degree of integration per unit area of a device wafer by making the integrated circuit in the IC chip multilayered. However, since the thickness of the IC chip is increased in the multilayered structure of the integrated circuit, it is necessary to reduce the thickness of the member constituting the IC chip. As for thinning of such a member, for example, the thinning of the device wafer is studied, leading to miniaturization of the IC chip, and the manufacturing process of the through-hole of the device wafer in the production of the silicon through- In terms of being able, it is becoming promising. In addition, in semiconductor devices such as power devices and image sensors, thinning has been attempted from the viewpoints of improvement of the degree of integration and freedom of device structure.

디바이스 웨이퍼로서는, 약 700~900μm의 두께를 갖는 것이 널리 알려져 있는데, 최근, IC칩의 소형화 등을 목적으로, 디바이스 웨이퍼의 두께를 200μm 이하가 될 때까지 얇게 하는 것이 시도되고 있다.As device wafers, those having a thickness of about 700 to 900 mu m are widely known. In recent years, attempts have been made to thin device wafer thicknesses to 200 mu m or less for the purpose of miniaturization of IC chips and the like.

그러나, 두께 200μm 이하의 디바이스 웨이퍼는 매우 얇고, 이것을 기재로 하는 반도체 디바이스 제조용 부재도 매우 얇기 때문에, 이와 같은 부재에 대하여 추가적인 처리를 실시하거나, 혹은 이와 같은 부재를 간단히 이동시키거나 하는 경우 등에 있어서, 부재를 안정적으로, 또한 손상을 주지 않고 지지하는 것은 곤란하다.However, a device wafer having a thickness of 200 占 퐉 or less is very thin, and a semiconductor device manufacturing member made of such a substrate is extremely thin. Therefore, when such a member is subjected to additional processing, or when such a member is simply moved, It is difficult to stably support the member without damaging it.

상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 표면에 디바이스가 마련된 박형화 전의 디바이스 웨이퍼와 지지체를 가고정 접착제에 의하여 가접착하고, 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화한 후에, 지지체를 박리하는 기술이 알려져 있다.In order to solve the above problems, there is known a technique of peeling a back surface of a device wafer after thinning the back surface of a device wafer by adhering a device wafer and a supporting member, which are provided with a device on a surface thereof, with a temporary fixing adhesive.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 폴리스타이렌계 엘라스토머와 표면 개질제를 갖는 접착제 조성물이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses an adhesive composition comprising a polystyrene-based elastomer and a surface modifier.

또, 특허문헌 2에는, 사이클로올레핀계 중합체와, 다이알킬실리콘 구조 및 폴리옥시알킬렌 구조 등의 구조를 갖는 화합물을 함유하는 가고정재가 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a waxy composition containing a cycloolefin-based polymer and a compound having a structure such as a dialkyl silicone structure and a polyoxyalkylene structure.

또한, 특허문헌 3에는, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판의 가접착 시에, 박리층과 보호층을 이용하여, 박리층에 불소 원자 및/또는 규소 원자를 포함하는 재료를 이용하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 3 discloses that a material containing fluorine atoms and / or silicon atoms is used for the release layer by using a release layer and a protective layer when the device wafer and the support substrate are adhered.

특허문헌 1: 미국 특허공보 2014/0178701A1호Patent Document 1: U.S. Patent Publication No. 2014 / 0178701A1 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2013-241568호Patent Document 2: JP-A-2013-241568 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2015-065401호Patent Document 3: JP-A-2015-065401

그러나, 본 발명자가 검토한바, 특허문헌 1에 기재된 접착제 조성물 및 특허문헌 2에 기재된 가고정재로는, 디바이스 웨이퍼를 박형화한 후, 실온에서 디바이스 웨이퍼와 지지체를 박리하는 것이 어려운 것을 알 수 있었다. 또, 통상, 박리성을 향상시키려고 하면, 접착성이 뒤떨어지는 경향이 있다.However, the inventors of the present invention have found that it is difficult to peel off the device wafer and the support at room temperature after the adhesive composition disclosed in Patent Document 1 and the temporary fixing furnace described in Patent Document 2 are made thinner. In general, if it is attempted to improve the peelability, the adhesive property tends to be poor.

본 발명은 이러한 과제를 해결하는 것을 목적으로 한 것이며, 상온에서의 박리성이 우수하고, 또한 접착성이 우수한 가고정 접착제와, 상기 가고정 접착제를 이용한, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to solve these problems, and an object of the present invention is to provide a temporary fixing adhesive excellent in releasability at room temperature and excellent in adhesion, and an adhesive film, an adhesive support, And to provide a kit.

상기 과제하에서, 본 발명자가 예의 검토한 결과, 스타이렌에서 유래한 반복 단위의 비율이 많은 스타이렌계 엘라스토머에, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물을 배합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Under the above-mentioned problems, the present inventors have intensively studied and, as a result, have found that a styrene-based elastomer having a large proportion of repeating units derived from styrene can be compounded with a compound containing a silicon atom, The present invention has been accomplished on the basis of these findings.

구체적으로는, 하기 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는, 하기 수단 <2> 내지 <25>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.More specifically, the above-mentioned problem is solved by the following means <1>, preferably by the following means <2> to <25>.

<1> 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물과, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 가고정 접착제.&Lt; 1 > A pressure-sensitive adhesive comprising a elastomer X containing a silicone-containing compound and a repeating unit derived from styrene at a ratio of 50 mass% to 95 mass% .

<2> 상기 실리콘 원자를 함유하는 화합물의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인, <1>에 기재된 가고정 접착제.&Lt; 2 > The temporary fixing adhesive according to < 1 >, wherein the 10% thermal mass reduction temperature of the compound containing silicon atoms is raised from 25 DEG C to 20 DEG C / min.

<3> 상기 엘라스토머 X의 JIS K6253의 방법에 따라 타입 A 듀로미터로 측정한 경도가 80 이상인, <1> 또는 <2>에 기재된 가고정 접착제.<3> The temporary fixing adhesive according to <1> or <2>, wherein the hardness of the elastomer X measured by a Type A durometer according to the method of JIS K6253 is 80 or more.

<4> 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 더 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<4> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <3>, further comprising an elastomer Y containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% .

<5> 상기 엘라스토머 X와, 상기 엘라스토머 Y의 질량비가, 5:95~95:5인, <4>에 기재된 가고정 접착제.<5> The temporary fixing adhesive according to <4>, wherein the mass ratio of the elastomer X and the elastomer Y is 5: 95 to 95: 5.

<6> 상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<6> The thermoplastic resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the 5% thermal mass reduction temperature of at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is increased from 25 ° C. to 20 ° C./min, And the like.

<7> 상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종의, 불포화 이중 결합량이, 7mmol/g 이하인, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<7> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <6>, wherein the amount of the unsaturated double bond of at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is 7 mmol / g or less.

<8> 상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 수소 첨가물인, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<8> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <7>, wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a hydrogenation product.

<9> 상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 블록 공중합체인, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<9> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <8>, wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a block copolymer.

<10> 상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 편 말단 또는 양 말단이 스타이렌에서 유래하는 블록 공중합체인, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<10> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <9>, wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a block copolymer derived from styrene at one terminal or both terminals.

<11> 상기 가고정 접착제 중의 엘라스토머의 합계량에 대한, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량이 0.01질량% 이상 2.5질량% 미만인, <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<11> The temporary fixed adhesive according to any one of <1> to <10>, wherein the content of the silicon-containing compound relative to the total amount of the elastomers in the temporary fixing adhesive is less than 0.01% by mass and less than 2.5% by mass.

<12> 상기 실리콘 원자를 함유하는 화합물이, 다이메틸폴리실록세인, 메틸페닐폴리실록세인, 다이페닐폴리실록세인 및 폴리에터 변성 폴리실록세인으로부터 선택되는, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<12> The temporary fixing film according to any one of <1> to <11>, wherein the silicon atom-containing compound is selected from dimethyl polysiloxane, methylphenyl polysiloxane, diphenyl polysiloxane and polyether modified polysiloxane. glue.

<13> 산화 방지제 및 용제 중 적어도 한쪽을 더 포함하는, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<13> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <12>, further comprising at least one of an antioxidant and a solvent.

<14> 상기 가고정 접착제는, 반도체 장치 제조용 가고정 접착제인, <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제.<14> The temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <13>, wherein the temporary fixing adhesive is a temporarily fixing adhesive for manufacturing semiconductor devices.

<15> <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층을 갖는, 접착 필름.<15> An adhesive film having an adhesive layer made of the temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <14>.

<16> <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과, 지지체를 갖는 접착성 지지체.<16> An adhesive backing having an adhesive layer made of the temporary fixing adhesive according to any one of <1> to <14> and a support.

<17> 지지체와, <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과, 기재를 갖는 적층체.<17> A laminate having a support and an adhesive layer made of the temporary fixation adhesive according to any one of <1> to <14> and a substrate.

<18> 상기 접착층이 상기 지지체의 표면에 위치하고, 상기 기재가 상기 접착층의 상기 지지체와는 반대측의 표면에 위치하는, <17>에 기재된 적층체.<18> The laminate according to <17>, wherein the adhesive layer is located on a surface of the support, and the substrate is located on a surface of the adhesive layer opposite to the support.

<19> 상기 지지체와, 상기 접착층과, 상기 기재가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 상기 지지체와 상기 접착층의 사이에, 상기 접착층과는 조성이 다른 제2 접착층을 갖는, <17>에 기재된 적층체.<19> The liquid crystal display device according to <17>, wherein the support, the adhesive layer, and the substrate are stacked in this order, and a second adhesive layer is formed between the support and the adhesive layer, Laminates.

<20> 상기 지지체와, 상기 접착층과, 상기 기재가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 상기 접착층과 상기 기재의 사이에 상기 접착층과는 조성이 다른 제2 접착층을 갖는, <17>에 기재된 적층체.<20> The laminate according to <17>, wherein the support, the adhesive layer and the substrate are laminated in this order, and a second adhesive layer having a composition different from that of the adhesive layer is provided between the adhesive layer and the substrate sieve.

<21> 상기 제2 접착층이, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는, <19> 또는 <20>에 기재된 적층체.<21> The laminate according to <19> or <20>, wherein the second adhesive layer comprises an elastomer X containing repeating units derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% sieve.

<22> 상기 제2 접착층이, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 포함하는, <19> 내지 <21> 중 어느 하나에 기재된 적층체.<22> The method according to any one of <19> to <21>, wherein the second adhesive layer comprises an elastomer Y containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% &Lt; / RTI &gt;

<23> 상기 제2 접착층에 있어서의, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량은, 상기 접착층에 포함되고, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량의 10질량% 이하인, <19> 내지 <22> 중 어느 하나에 기재된 적층체.The content of the compound having a silicon atom in the liquid phase at 25 ° C. in the second adhesive layer is preferably 10 mass% or less of the content of the compound containing silicon atoms % Or less, based on the total weight of the layered product.

<24> 상기 기재가 디바이스 웨이퍼인 <17> 내지 <23> 중 어느 하나에 기재된 적층체.<24> The laminate according to any one of <17> to <23>, wherein the substrate is a device wafer.

<25> <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 가고정 접착제와, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하고, 또한 상기 가고정 접착제와는 조성이 다른 제2 접착제를 갖는 키트.<25> A tackifier as described in any one of <1> to <14>, and an elastomer X containing 50% by mass or more and 95% by mass or less of styrene- And a second adhesive different in composition from the temporary fixing adhesive.

본 발명에 의하여, 상온에서의 박리성이 우수하고, 또한 접착성이 우수한 가고정 접착제와, 상기 가고정 접착제를 이용한, 접착 필름, 접착성 지지체, 적층체 및 키트를 제공 가능하게 되었다.According to the present invention, it is made possible to provide a temporarily fixed adhesive excellent in peeling property at room temperature and excellent in adhesiveness, and an adhesive film, an adhesive support, a laminate and a kit using the temporary fixing adhesive.

도 1은 본 발명의 적층체의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 적층체의 다른 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 제1 실시형태의 개략도이다.
도 4는 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 제2 실시형태의 개략도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 제3 실시형태의 개략도이다.
도 6은 종래의 접착성 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착 상태의 해제를 설명하는 개략 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view showing one embodiment of the laminate of the present invention. Fig.
2 is a schematic view showing another embodiment of the laminate of the present invention.
3 is a schematic view of a first embodiment showing a manufacturing method of a semiconductor device.
4 is a schematic view of a second embodiment showing a manufacturing method of a semiconductor device.
5 is a schematic view of a third embodiment showing a manufacturing method of a semiconductor device.
6 is a schematic cross-sectional view illustrating the release of the adhesion state between the conventional adhesive support and the device wafer.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, "~" is used to mean that the numerical values described before and after the numerical value are included as the lower limit value and the upper limit value.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서 중에 있어서의 "활성광선" 또는 "방사선"은, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것을 의미한다.The term "active ray" or "radiation" in this specification includes, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray and the like.

본 명세서에 있어서, "광"이란, 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.In the present specification, the term "light" means an actinic ray or radiation.

본 명세서에 있어서, "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 자외선, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광(Extreme Ultra-Violet) 등을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 포함한다.In the present specification, the term "exposure" means not only exposure using deep ultraviolet rays, X-rays, EUV light (extreme ultra-violet) typified by mercury lamps, ultraviolet rays and excimer lasers, And the drawing using the particle lines of FIG.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타아크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acryl and methacryl, "(meth) acryloyl" And methacryloyl.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에서의 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mm(내경)×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.In the present specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are defined as polystyrene reduced values in Gel Permeation Chromatography (GPC) measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION) and TSKgel Super AWM-H , 6.0 mm (inner diameter) × 15.0 cm) can be obtained by using a 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.

본 명세서에 있어서, "친유기"란, 친수성기를 포함하지 않는 관능기를 의미한다. 또, "친수성기"란, 물과의 사이에 친화성을 나타내는 관능기를 의미한다.In the present specification, the term "hydrophilic group" means a functional group not containing a hydrophilic group. The term "hydrophilic group" means a functional group exhibiting affinity with water.

또한, 이하에 설명하는 실시형태에 있어서, 이미 참조한 도면에 있어서 설명한 부재 등에 대해서는, 도면 중에 동일 부호 혹은 상당 부호를 붙임으로써 설명을 간략화 혹은 생략화한다.In the embodiments described below, the members described in the drawings already referred to are denoted by the same reference numerals or signs in the drawings, thereby simplifying or omitting the description.

<가고정 접착제><Fixed adhesive>

본 발명의 가고정 접착제는, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물(이하, "규소계 액체상 화합물"이라고 하는 경우가 있음)과, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 것을 특징으로 한다.The temporary fixing adhesive of the present invention has a structure in which the compound having a liquid phase at 25 占 폚 and containing a silicon atom (hereinafter sometimes referred to as a "silicon-based liquid phase compound") and a repeating unit derived from styrene, By mass to 95% by mass or less of the elastomer X.

본 발명의 가고정 접착제에 의하면, 디바이스 웨이퍼 등의 기재에 대하여 기계적 또는 화학적인 처리 등을 실시할 때에, 기재를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 기재에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있는 접착층을 형성할 수 있다.According to the temporary fixing adhesive of the present invention, when a substrate such as a device wafer is mechanically or chemically treated, it is possible to stably adhere the substrate and to easily adhere the substrate to the substrate An adhesive layer can be formed.

본 발명의 가고정 접착제는, 상술한 규소계 액체상 화합물을 포함하므로, 접착층의 표층에 규소계 액체상 화합물이 편재되기 쉬워, 접착층 표층에 있어서의 규소계 액체상 화합물의 농도를 높일 수 있다. 따라서, 규소계 액체상 화합물의 양이 가고정 접착제의 고형분에 대하여 비교적 적어도, 기재나 지지체에 대한 박리성이 우수한 접착층을 형성할 수 있다.Since the temporary fixing adhesive of the present invention includes the silicon-based liquid phase compound described above, the silicon-based liquid phase compound tends to be unevenly distributed in the surface layer of the adhesive layer, and the concentration of the silicon-based liquid phase compound in the surface layer of the adhesive layer can be increased. Accordingly, the adhesive layer having an excellent releasability to the substrate or the support can be formed at least relative to the solid content of the silicon-based liquid phase compound in the solid component of the fixed adhesive.

또, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하므로, 가고정 접착제로 이루어지는 접착층의 일부 또는 전부에 엘라스토머 X에서 유래한 단단한 영역이 형성되어, 박리성을 향상시킨다.Further, since the elastomer X containing the repeating unit derived from styrene in a proportion of not less than 50% by mass and not more than 95% by mass in the total repeating units is included, a part or all of the adhesive layer made of the temporary fixing adhesive contains a rigid Regions are formed, and the peelability is improved.

본 발명의 가고정 접착제는, 반도체 장치 제조용 가고정 접착제로서 특히 바람직하게 이용할 수 있다.The temporary fixing adhesive of the present invention can be particularly preferably used as a temporary fixing adhesive for semiconductor device production.

이하, 본 발명의 가고정 접착제에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the temporary fixing adhesive of the present invention will be described in detail.

<<규소계 액체상 화합물>><< Silicon-based liquid phase compound >>

본 발명의 가고정 접착제는, 규소계 액체상 화합물을 함유한다.The temporary fixing adhesive of the present invention contains a silicon-based liquid phase compound.

본 발명에 있어서, 액체상이란, 25℃에서 유동성을 갖는 화합물이며, 예를 들면 25℃에서의 점도가, 1~100,000mPa·s인 화합물을 의미한다. 규소계 액체상 화합물의 25℃에서의 점도는, 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하고, 100~15,000mPa·s가 보다 더 바람직하다. 규소계 액체상 화합물의 점도가 상기 범위이면, 접착층의 표층에 규소계 액체상 화합물이 보다 편재되기 쉬워져 바람직하다.In the present invention, the liquid phase means a compound having fluidity at 25 ° C, for example, a compound having a viscosity at 25 ° C of 1 to 100,000 mPa · s. The viscosity of the silicon-based liquid phase compound at 25 占 폚 is more preferably from 10 to 20,000 mPa 占 퐏, and still more preferably from 100 to 15,000 mPa 占 퐏. When the viscosity of the silicon-based liquid phase compound is within the above range, it is preferable that the silicon-based liquid phase compound is more likely to be localized on the surface layer of the adhesive layer.

본 발명에 있어서, 규소계 액체상 화합물은, 올리고머, 폴리머 중 어느 형태의 화합물이어도 바람직하게 이용할 수 있다. 또, 올리고머와 폴리머의 혼합물이어도 된다. 이러한 혼합물에는, 모노머를 더 포함하고 있어도 된다. 또, 규소계 액체상 화합물은 모노머여도 된다.In the present invention, the silicon-based liquid phase compound may be any of oligomer and polymer compounds. It may also be a mixture of an oligomer and a polymer. Such a mixture may further contain a monomer. The silicon-based liquid phase compound may be a monomer.

규소계 액체상 화합물은, 내열성 등의 관점에서, 올리고머, 폴리머 및 이들의 혼합물이 바람직하다.The silicon-based liquid phase compound is preferably an oligomer, a polymer and a mixture thereof from the viewpoint of heat resistance and the like.

올리고머, 폴리머로서는, 예를 들면 부가 중합물, 중축합물, 부가 축합물 등, 특별히 한정없이 사용할 수 있지만, 중축합물이 특히 바람직하다.As the oligomer and polymer, for example, an addition polymer, a polycondensation product, an addition condensation product and the like can be used without particular limitation, but polycondensation is particularly preferable.

규소계 액체상 화합물의 중량 평균 분자량은, 500~100000이 바람직하고, 1000~50000이 보다 바람직하며, 2000~20000이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the silicon-based liquid phase compound is preferably from 500 to 100,000, more preferably from 1,000 to 50,000, and still more preferably from 2,000 to 20,000.

본 발명에 있어서, 규소계 액체상 화합물은, 가접착에 이용하는 기재의 처리 시에 변성되지 않는 화합물이 바람직하다. 예를 들면, 250℃ 이상에서의 가열이나, 다양한 약액으로 기재를 처리한 후에도 액체상으로서 존재할 수 있는 화합물이 바람직하다. 구체적인 일례로서는, 25℃ 상태로부터 10℃/분의 승온 조건에서 250℃까지 가열한 후, 25℃로 냉각한 후의 25℃에서의 점도가 1~100,000mPa·s인 것이 바람직하고, 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하며, 100~15,000mPa·s가 보다 더 바람직하다.In the present invention, the silicon-based liquid phase compound is preferably a compound which is not denatured during the treatment of a base material used for adhesion. For example, a compound which can be present as a liquid phase even after heating at 250 DEG C or higher or after treating the substrate with various chemical solutions is preferable. As a specific example, the viscosity at 25 ° C after heating from 250 ° C to 25 ° C at a temperature elevation rate of 10 ° C / min from 25 ° C is preferably from 1 to 100,000 mPa · s, more preferably from 10 to 20,000 mPa · s · S is more preferable, and 100 to 15,000 mPa · s is even more preferable.

이와 같은 특성을 갖는 규소계 액체상 화합물로서는, 반응성기를 갖지 않는, 비열경화성 화합물인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 반응성기란, 250℃의 가열로 반응하는 기 전반을 가리키고, 중합성기, 가수분해성기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 (메트)아크릴기, 에폭시기, 아이소사이아네이토기 등을 들 수 있다.The silicon-based liquid phase compound having such characteristics is preferably a non-thermosetting compound having no reactive group. The term reactive group as used herein refers to the whole period of the reaction in the heating at 250 ° C, and includes a polymerizable group and a hydrolyzable group. Specific examples thereof include (meth) acrylic groups, epoxy groups, and isocyanato groups.

또, 규소계 액체상 화합물은, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 280℃ 이상이 보다 바람직하다. 또, 상한값은, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 접착층을 형성하기 쉽다. 또한, 질량 감소 온도란, 열중량 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건에서 측정한 값이다.The silicon-based liquid-phase compound preferably has a 10% thermal mass reduction temperature at 25 ° C or higher and 20 ° C / minute at 250 ° C or higher, more preferably 280 ° C or higher. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance. The mass reduction temperature is a value measured under the temperature elevation condition under a nitrogen stream by a thermogravimetric analyzer (TGA).

본 발명에서 이용하는 규소계 액체상 화합물은, 친유기를 함유하는 것이 바람직하다. 친유기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 사이클로알킬기, 방향족기 등을 들 수 있다.The silicon-based liquid phase compound used in the present invention preferably contains a mineral oil. Examples of the lipophilic group include a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, and an aromatic group.

알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 10, and still more preferably from 1 to 3. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tetradecyl group, , Isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 1-ethylpentyl group and 2-ethylhexyl group.

알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 할로젠 원자, 알콕시기, 방향족기 등을 들 수 있다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and an aromatic group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

알콕시기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알콕시기는, 직쇄 또는 분기가 바람직하다.The carbon number of the alkoxy group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkoxy group is preferably straight-chain or branched.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and particularly preferably from 6 to 10.

사이클로알킬기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 사이클로알킬기의 탄소수는, 3~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 6~20이 특히 바람직하다. 단환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다.The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and particularly preferably from 6 to 20. Examples of the monocyclic cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic cycloalkyl group include an adamantyl group, a norbornyl group, a vinyl group, a camphanyl group, a decahydronaphthyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoryl group, a dicyclohexyl group, .

사이클로알킬기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다.The cycloalkyl group may have the substituent described above.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다. 방향족기는, 환을 구성하는 원소에, 헤테로 원자(예를 들면, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등)를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 방향족기의 구체예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인데센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환, 및 페나진환을 들 수 있고, 벤젠환이 바람직하다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and particularly preferably from 6 to 10. It is preferable that the aromatic group does not contain a hetero atom (for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc.) in the element constituting the ring. Specific examples of the aromatic group include a benzene ring, a naphthalene ring, a pentane ring, an indene ring, an azole ring, a heptylene ring, an indene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, A thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazin ring, an indolizine ring, A benzofuran ring, an isobenzofuran ring, a quinoline ring, a quinoline ring, a phthalazine ring, a naphthyridine ring, a quinoxaline ring, a quinoxazoline ring, an isoquinoline ring, a carbazole ring, a phenanthrene ring, A phenanthroline ring, a phenanthroline ring, a thianthrene ring, a chroman ring, a zenthene ring, a phenoxathiine ring, a phenothiazine ring, and a phenanthrene ring, and a benzene ring is preferable.

방향족기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 직쇄 알킬기가 바람직하다.The aromatic group may have the substituent described above. As the substituent, a straight-chain alkyl group is preferable.

규소계 액체상 화합물은, 하기 일반식으로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.The silicon-based liquid phase compound is preferably a compound represented by the following general formula.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 일반식 중의 R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기이며, R1 및 R2 중 한쪽은, 폴리에터쇄를 포함하는 유기기여도 된다.R 1 and R 2 in the above general formula are each independently a straight chain or branched alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group, and one of R 1 and R 2 may be an organic group containing a polyether chain.

또, L1은, -O-, 또는 폴리에터쇄를 포함하는 연결기를 나타낸다.L 1 represents -O- or a linking group containing a polyether chain.

상기 일반식 중의 R1 및 R2로서의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기의 바람직한 범위는, 상기 친유기의 항목에서 설명한, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기와 동의이며 바람직한 범위도 동일하다.The preferable range of the straight-chain or branched alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group as R 1 and R 2 in the above general formula is the same as the straight-chain or branched alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group described in the item of the above- same.

또, 상기 일반식에 있어서, R1 및 R2 중 한쪽은, 폴리에터쇄를 포함하는 유기기인 것도 바람직한 형태로서 들 수 있다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 폴리에터 구조로서는, 에터 결합을 복수 갖는 구조이면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌글라이콜 구조(폴리에틸렌옥사이드 구조), 폴리프로필렌글라이콜 구조(폴리프로필렌옥사이드 구조), 폴리뷰틸렌글라이콜(폴리테트라메틸렌글라이콜) 구조, 복수 종의 알킬렌글라이콜(또는 알킬렌옥사이드)에서 유래하는 폴리에터 구조(예를 들면, 폴리(프로필렌글라이콜/에틸렌글라이콜) 구조 등) 등의 폴리옥시알킬렌 구조를 들 수 있다. 또한, 복수 종의 알킬렌글라이콜에서 유래하는 폴리에터 구조에 있어서의, 각각의 알킬렌글라이콜의 부가 형태는, 블록형(블록 공중합형)이어도 되고, 랜덤형(랜덤 공중합형)이어도 된다.In the above general formulas, one of R 1 and R 2 is preferably an organic group containing a polyether chain. The polyether structure in the organic group including the polyether chain may be any structure having a plurality of ether bonds and is not particularly limited. Examples of the polyether structure include a polyethylene glycol structure (polyethylene oxide structure), polypropylene glycol (Polypropylene oxide) structure, a polytetylene glycol (polytetramethylene glycol) structure, a polyether structure derived from a plurality of alkylene glycol (or alkylene oxide) (for example, poly (Propylene glycol / ethylene glycol) structure) and the like. The addition form of each alkylene glycol in the polyether structure derived from plural kinds of alkylene glycol may be a block type (block copolymerization type) or a random type (random copolymerization type) .

상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기는, 상기 폴리에터 구조만으로 이루어지는 유기기여도 되고, 상기 폴리에터 구조의 1 또는 2 이상과, 1 또는 2 이상의 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)가 연결된 구조를 갖는 유기기여도 된다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 연결기로서는, 예를 들면 2가의 탄화 수소기(특히, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬렌기), 싸이오에터기(-S-), 에스터기(-COO-), 아마이드기(-CONH-), 카보닐기(-CO-), 카보네이트기(-OCOO-), 이들이 2 이상 결합한 기 등을 들 수 있다.The organic group containing the polyether chain may be an organic group composed of only the polyether structure, and one or more of the polyether structure and one or more linking groups (a bivalent group having one or more atoms) are connected Organic &lt; / RTI &gt; Examples of the linking group in the organic group containing a polyether chain include a divalent hydrocarbon group (particularly, a linear or branched alkylene group), a thioether group (-S-), an ester group (-COO-) , An amide group (-CONH-), a carbonyl group (-CO-), a carbonate group (-OCOO-), and groups in which two or more thereof are bonded.

또, 상기 일반식 중의 L1의 폴리에터쇄로서는, 상술한 에터 결합을 복수 갖는 구조를 가지면 되고, 특별히 한정은 없지만, 상술한 에터 결합을 복수 갖는 구조를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 폴리에터쇄는, 폴리에터 구조만으로 이루어지는 유기기여도 되고, 상기 폴리에터 구조의 1 또는 2 이상과, 1 또는 2 이상의 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)가 연결된 구조를 갖는 유기기여도 된다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 연결기로서는, 예를 들면 2가의 탄화 수소기(특히, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬렌기), 싸이오에터기(-S-), 에스터기(-COO-), 아마이드기(-CONH-), 카보닐기(-CO-), 카보네이트기(-OCOO-), 이들이 2 이상 결합한 기 등을 들 수 있다.The polyether chain of L &lt; 1 &gt; in the above general formula is not particularly limited as long as it has a structure having a plurality of the above-described ether bonds, but a structure having a plurality of the above-described ether bonds can be preferably used. The polyether chain may be an organic group composed of only a polyether structure, an organic group having a structure in which one or more of the polyether structures and one or more linking groups (a bivalent group having at least one atom) Contributing. Examples of the linking group in the organic group containing a polyether chain include a divalent hydrocarbon group (particularly, a linear or branched alkylene group), a thioether group (-S-), an ester group (-COO-) , An amide group (-CONH-), a carbonyl group (-CO-), a carbonate group (-OCOO-), and groups in which two or more thereof are bonded.

본 발명에 있어서의 규소계 액체상 화합물은, 다이메틸폴리실록세인, 메틸페닐폴리실록세인, 다이페닐폴리실록세인 및 폴리에터 변성 폴리실록세인으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다.The silicon-based liquid phase compound in the present invention is more preferably at least one selected from dimethyl polysiloxane, methylphenyl polysiloxane, diphenyl polysiloxane and polyether modified polysiloxane.

규소계 액체상 화합물은, 예를 들면 일본 공개특허공보 소62-36663호, 일본 공개특허공보 소61-226746호, 일본 공개특허공보 소61-226745호, 일본 공개특허공보 소62-170950호, 일본 공개특허공보 소63-34540호, 일본 공개특허공보 평7-230165호, 일본 공개특허공보 평8-62834호, 일본 공개특허공보 평9-54432호, 일본 공개특허공보 평9-5988호, 일본 공개특허공보 2001-330953호 각 공보에 기재된 계면활성제 중, 25℃에서 액체상인 것을 들 수 있다.The silicon-based liquid-phase compounds are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-34540, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988, Among the surfactants described in each of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953, those having a liquid phase at 25 占 폚 may be mentioned.

시판품으로서는, 상품명 "BYK-300", "BYK-301/302", "BYK-306", "BYK-307", "BYK-310", "BYK-315", "BYK-313", "BYK-320", "BYK-322", "BYK-323", "BYK-325", "BYK-330", "BYK-331", "BYK-333", "BYK-337", "BYK-341", "BYK-344", "BYK-345/346", "BYK-347", "BYK-348", "BYK-349", "BYK-370", "BYK-375", "BYK-377", "BYK-378", "BYK-UV3500", "BYK-UV3510", "BYK-UV3570", "BYK-3550", "BYK-SILCLEAN3700", "BYK-SILCLEAN3720"(이상, 빅케미·재팬(주)제), 상품명 "AC FS 180", "AC FS 360", "AC S 20"(이상, Algin Chemie제), 상품명 "폴리플로 KL-400X", "폴리플로 KL-400HF", "폴리플로 KL-401", "폴리플로 KL-402", "폴리플로 KL-403", "폴리플로 KL-404", "폴리플로 KL-700"(이상, 교에이샤 가가쿠(주)제), 상품명 "KP-301", "KP-306", "KP-109", "KP-310", "KP-310B", "KP-323", "KP-326", "KP-341", "KP-104", "KP-110", "KP-112", "KP-360A", "KP-361", "KP-354", "KP-355", "KP-356", "KP-357", "KP-358", "KP-359", "KP-362", "KP-365", "KP-366", "KP-368", "KP-369", "KP-330", "KP-650", "KP-651", "KP-390", "KP-391", "KP-392"(이상, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제), 상품명 "LP-7001", "LP-7002", "SH28PA", "8032 ADDITIVE", "57 ADDITIVE", "L-7604", "FZ-2110", "FZ-2105", "67 ADDITIVE", "8618 ADDITIVE", "3 ADDITIVE", "56 ADDITIVE"(이상, 도레이·다우코닝(주)제), "TEGO WET 270"(에보닉·데구사·재팬(주)제), "NBX-15"(네오스(주)제) 등의 시판품을 사용할 수 있다.BYK-315, BYK-313, BYK-313, BYK-307, BYK-310, BYK- BYK-331 "," BYK-332 "," BYK-323 "," BYK-325 "," BYK- 377 "," BYK-377 "," BYK-347 "," BYK-344 "," BYK- BYK-SILCLEAN 3720 " (" BYK-SILCLEAN 3720 "or more), " BYK-UV3500 "," BYK-UV3510 ", "BYK- (Manufactured by Algin Chemie), trade names "POLYFLOW KL-400X", "POLYFLOW KL-400HF", and "ACF FS 400" (Manufactured by Kyoeisha Kagaku K.K.), "Polyflow KL-401", "Polyflow KL-402", "Polyflow KL-403" KP-310 "," KP-323 "," KP-326 "," KP-341 "," KP- KP-355 "," KP-356 "," KP-351 "," KP- 368, KP-369, KP-359, KP-359, KP-362, KP-365, KP- 330 ", "KP-650 LP-7001 ", "LP-7002 " (trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical), " KP-391 "," KP- FZ-2105 "," 67 ADDITIVE "," 8618 ADDITIVE "," 3 ADDITIVE "," 56 ADDITIVE "(manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)," TEGO WET 270 "(manufactured by Evonik Degussa Japan Co., Ltd.) and" NBX-15 " Can be used.

본 발명의 가고정 접착제에 있어서의, 규소계 액체상 화합물의 함유량은, 가고정 접착제 중에 포함되는 엘라스토머의 합계량에 대하여, 0.009질량% 이상이 바람직하고, 0.01질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.05질량% 이상이 더 바람직하고, 0.1질량% 이상인 것이 특히 바람직하며, 0.2질량% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또, 상한값으로서는, 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 더 바람직하며, 2.5질량% 미만인 것이 보다 바람직하고, 1질량% 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 0.6질량% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.The content of the silicon-based liquid phase compound in the temporary fixing adhesive of the present invention is preferably 0.009% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, and still more preferably 0.05% by mass or more based on the total amount of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive. More preferably 0.1% by mass or more, and still more preferably 0.2% by mass or more. The upper limit value is preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, more preferably less than 2.5 mass%, even more preferably 1 mass% or less, still more preferably 0.6 mass% or less .

규소계 액체상 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 접착성 및 박리성이 보다 우수하다. 특히 본 발명에서는, 가고정 접착제의 양이 적어도, 본 발명의 효과를 달성할 수 있는 점에서 가치가 높다.When the content of the silicon-based liquid phase compound is within the above range, the adhesive property and the peeling property are more excellent. In particular, in the present invention, the amount of the temporary fixing adhesive is at least high in that the effect of the present invention can be achieved.

규소계 액체상 화합물은, 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우는, 합계의 함유량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The silicon-based liquid-phase compound may be used singly or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, it is preferable that the total content is in the above range.

<<엘라스토머>><< Elastomers >>

본 발명의 가고정 접착제는 엘라스토머를 함유한다. 엘라스토머를 사용함으로써, 지지체나 기재의 미세한 요철에도 추종하고 적당한 앵커 효과에 의하여, 접착성이 우수한 접착층을 형성할 수 있다. 또, 기재로부터 지지체를 박리할 때에, 기재 등에 응력을 주지 않고, 지지체를 기재로부터 박리할 수 있어, 기재 상의 디바이스 등의 파손이나 박리를 방지할 수 있다.The temporary fixing adhesive of the present invention contains an elastomer. By using an elastomer, it is possible to form an adhesive layer having excellent adhesiveness by following the fine irregularities of the support and the substrate and by an appropriate anchoring effect. Further, when the support is peeled from the substrate, the support can be peeled from the substrate without giving stress to the substrate or the like, so that breakage or peeling of the device on the substrate can be prevented.

또한, 본 명세서에 있어서, 엘라스토머란, 탄성 변형을 나타내는 고분자 화합물을 나타낸다. 즉 외력을 가했을 때에, 그 외력에 따라 순간적으로 변형되고, 또한 외력을 제거했을 때에는, 단시간에 원래의 형상을 회복하는 성질을 갖는 고분자 화합물이라고 정의한다.In the present specification, the elastomer refers to a polymer compound exhibiting elastic deformation. That is, when an external force is applied, the polymer is instantaneously deformed according to the external force, and when the external force is removed, it is defined as a polymer compound having a property of restoring the original shape in a short time.

본 발명에서 필수 성분으로서 포함되는 엘라스토머는, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X이고, 또한 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y도 포함하는 것이 바람직하다.The elastomer contained as an essential component in the present invention is an elastomer X containing repeating units derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units, and the total of repeating units derived from styrene It is preferable to include the elastomer Y containing 10% by mass or more and less than 50% by mass of the repeating units.

엘라스토머 X와 엘라스토머 Y를 병용함으로써, 우수한 박리성을 가지면서, 기재의 연마면의 평탄성(이하, 평탄 연마성이라고도 함)이 양호하여, 연마 후의 기재의 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 이와 같은 효과가 얻어지는 메커니즘은, 이하에 의한 것이라고 추측할 수 있다.When the elastomer X and the elastomer Y are used in combination, the flatness of the polished surface of the base material (hereinafter also referred to as flat polishability) is good and the occurrence of warpage of the base material after polishing can be effectively suppressed while having excellent releasability. The mechanism by which such an effect can be obtained is presumed to be as follows.

즉, 상기 엘라스토머 X는, 비교적 단단한 재료이기 때문에, 엘라스토머 X를 포함함으로써, 박리성이 우수한 접착층을 제조할 수 있다. 또, 엘라스토머 Y는, 비교적 부드러운 재료이기 때문에, 탄성을 갖는 접착층을 형성하기 쉽다. 이로 인하여, 본 발명의 가고정 접착제를 이용하여 기재와 지지체의 적층체를 제조하고, 기재를 연마하여 박막화할 때에, 연마 시의 압력이 국소적으로 가해져도, 접착층이 탄성 변형되어 원래의 형상으로 돌아가기 쉽게 할 수 있다. 그 결과, 우수한 평탄 연마성이 얻어진다. 또, 연마 후의 적층체를 가열 처리하고, 그 후 냉각해도, 접착층에 의하여, 냉각 시에 발생하는 내부 응력을 완화시킬 수 있어, 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.That is, since the elastomer X is a relatively hard material, an adhesive layer having excellent releasability can be produced by including the elastomer X. Further, since the elastomer Y is a relatively soft material, it is easy to form an adhesive layer having elasticity. Thus, when a laminate of a base material and a support is produced by using the temporary fixing adhesive of the present invention and the base material is polished to form a thin film, even if the pressure at the time of polishing is locally applied, the adhesive layer is elastically deformed, It is easy to go back. As a result, excellent flat polishing performance can be obtained. Also, even if the laminate after polishing is subjected to heat treatment and then cooled, the internal stress generated during cooling can be reduced by the adhesive layer, and the occurrence of warpage can be effectively suppressed.

또, 엘라스토머 X에 엘라스토머 Y를 배합해도, 엘라스토머 X가 상분리하는 영역이 존재하는 것 등에 의하여, 엘라스토머 X에 의한 우수한 박리성은 충분히 달성된다.Further, even when the elastomer Y is blended with the elastomer X, the region where the elastomer X is phase-separated exists, and the like, and the excellent releasability by the elastomer X is sufficiently achieved.

이하, 엘라스토머 X와 엘라스토머 Y(이들을 아울러, "폴리스타이렌계 엘라스토머"라고 함)에 공통되는 바람직한 조건에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferable conditions common to the elastomer X and the elastomer Y (also referred to as "polystyrene elastomer") will be described.

폴리스타이렌계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 스타이렌-뷰타다이엔-스타이렌 블록 공중합체(SBS), 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-뷰타다이엔-뷰틸렌-스타이렌 공중합체(SBBS) 및 이들의 수소 첨가물, 스타이렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 스타이렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다.The polystyrene-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer ), Styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer (SBBS) and hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEPS), styrene- Styrene block copolymer and the like.

폴리스타이렌계 엘라스토머의 중량 평균 분자량은, 2,000~200,000이 바람직하고, 10,000~200,000이 보다 바람직하며, 50,000~100,000이 더 바람직하다. 이 범위이면, 용제에 대한 가고정 접착제의 용해성이 우수해져, 도포성이 향상된다. 또, 기재를 지지체로부터 박리 후, 잔존하는 접착층을 제거할 때에도, 용제에 대한 용해성이 우수하기 때문에, 기재나 지지체에 잔사가 남지 않는 이점이 있다.The weight average molecular weight of the polystyrene-based elastomer is preferably 2,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 200,000, and still more preferably 50,000 to 100,000. Within this range, the solubility of the temporary fixing adhesive in the solvent is improved, and the coating property is improved. Also, when the substrate is peeled off from the support and the remaining adhesive layer is removed, since the solubility in a solvent is excellent, there is an advantage that no residue remains on the substrate or the support.

본 발명에 있어서, 폴리스타이렌계 엘라스토머로서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체를 들 수 있고, 블록 공중합체가 바람직하며, 편 말단 또는 양 말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 보다 바람직하고, 양 말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 특히 바람직하다. 폴리스타이렌계 엘라스토머의 양단을 스타이렌의 블록 공중합체(스타이렌에서 유래한 반복 단위)로 하면, 열안정성이 보다 향상되는 경향이 있다. 이것은, 내열성이 높은 스타이렌에서 유래한 반복 단위가 말단에 존재하게 되기 때문이다. 특히, 스타이렌에서 유래한 반복 단위의 블록 부위가 반응성의 폴리스타이렌계 하드 블록이면, 내열성, 내약품성이 보다 우수한 경향이 있어 바람직하다. 또, 이들을 블록 공중합체로 하면, 200℃ 이상에 있어서 하드 블록과 소프트 블록에서의 상분리를 행한다고 생각된다. 그 상분리의 형상은 디바이스 웨이퍼의 기재 표면의 요철의 발생의 억제에 기여한다고 생각된다. 또한, 이와 같은 수지는, 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.In the present invention, examples of the polystyrene-based elastomer include block copolymers, random copolymers and graft copolymers. Block copolymers are preferred. More preferred are block copolymers of styrene at one terminal or both terminals, It is particularly preferred that both ends are block copolymers of styrene. When the both ends of the polystyrene-based elastomer are made into a block copolymer of styrene (a repeating unit derived from styrene), the thermal stability tends to be further improved. This is because the repeating unit derived from styrene having high heat resistance is present at the terminal. Particularly, when the block portion of the repeating unit derived from styrene is a reactive polystyrene-based hard block, heat resistance and chemical resistance tends to be more excellent, which is preferable. When these are used as a block copolymer, it is considered that phase separation is performed between the hard block and the soft block at 200 캜 or higher. It is believed that the shape of the phase separation contributes to suppressing the occurrence of irregularities on the substrate surface of the device wafer. Such a resin is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.

본 발명에 있어서, 폴리스타이렌계 엘라스토머는, 수소 첨가물인 것이 바람직하다. 폴리스타이렌계 엘라스토머가 수소 첨가물이면, 열안정성이나 보존 안정성이 향상된다. 나아가서는, 박리성 및 박리 후의 접착층의 세정 제거성이 향상된다. 또한, 수소 첨가물이란, 엘라스토머가 수첨(수소 첨가)된 구조의 중합체를 의미한다.In the present invention, the polystyrene-based elastomer is preferably a hydrogenated product. When the polystyrene-based elastomer is a hydrogenated product, thermal stability and storage stability are improved. Further, the peelability and the removability of the adhesive layer after peeling are improved. The hydrogenated substance means a polymer having a structure in which an elastomer is hydrogenated (hydrogenated).

폴리스타이렌계 엘라스토머는, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 접착층을 형성하기 쉽다.The polystyrenic elastomer preferably has a 5% thermal mass reduction temperature from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min of 250 占 폚 or higher, more preferably 300 占 폚 or higher, still more preferably 350 占 폚 or higher, Is particularly preferable. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance.

폴리스타이렌계 엘라스토머는, 원래의 크기를 100%로 했을 때에, 실온(20℃)에 있어서 작은 외력으로 200%까지 변형시킬 수 있고, 또한 외력을 제거했을 때에, 단시간에 130% 이하로 되돌아가는 성질을 갖는 것이 바람직하다.When the original size is 100%, the polystyrene elastomer can be deformed to 200% at a room temperature (20 ° C) with a small external force. Further, when the external force is removed, the polystyrene elastomer returns to 130% or less in a short time .

폴리스타이렌계 엘라스토머의 불포화 이중 결합량으로서는, 가열 공정 후의 박리성의 관점에서, 15mmol/g 미만인 것이 바람직하고, 7mmol/g 이하인 것이 보다 바람직하며, 5mmol/g 미만인 것이 더 바람직하고, 0.5mmol/g 미만인 것이 보다 더 바람직하다. 하한값에 대해서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 0.001mmol/g 이상으로 할 수 있다.The amount of the unsaturated double bond of the polystyrene type elastomer is preferably less than 15 mmol / g, more preferably 7 mmol / g or less, still more preferably less than 5 mmol / g, and less than 0.5 mmol / g in view of releasability after the heating step . The lower limit value is not specifically defined, but may be 0.001 mmol / g or more, for example.

또한, 여기에서 말하는 불포화 이중 결합량은, 스타이렌에서 유래한 벤젠환 내의 불포화 이중 결합을 포함하지 않는다. 불포화 이중 결합량은, 핵자기 공명(NMR) 측정에 의하여 산출할 수 있다.The amount of the unsaturated double bond referred to herein does not include an unsaturated double bond in the benzene ring derived from styrene. The amount of unsaturated double bond can be calculated by nuclear magnetic resonance (NMR) measurement.

또한, 본 명세서에 있어서 "스타이렌에서 유래한 반복 단위"란, 스타이렌 또는 스타이렌 유도체를 중합했을 때에 중합체에 포함되는 스타이렌에서 유래한 구성 단위이며, 치환기를 갖고 있어도 된다. 스타이렌 유도체로서는, 예를 들면 α-메틸스타이렌, 3-메틸스타이렌, 4-프로필스타이렌, 4-사이클로헥실스타이렌 등을 들 수 있다. 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~5의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카복실기 등을 들 수 있다.In the present specification, the "repeating unit derived from styrene" is a structural unit derived from styrene contained in the polymer when the styrene or styrene derivative is polymerized, and may have a substituent. Examples of the styrene derivative include? -Methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene and 4-cyclohexylstyrene. Examples of the substituent include an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group.

폴리스타이렌계 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들면 터프프렌 A, 터프프렌 125, 터프프렌 126S, 솔프렌 T, 아사프렌 T-411, 아사프렌 T-432, 아사프렌 T-437, 아사프렌 T-438, 아사프렌 T-439, 터프텍 H1272, 터프텍 P1500, 터프텍 H1052, 터프텍 H1062, 터프텍 M1943, 터프텍 M1911, 터프텍 H1041, 터프텍 MP10, 터프텍 M1913, 터프텍 H1051, 터프텍 H1053, 터프텍 P2000, 터프텍 H1043(이상, 상품명, 아사히 가세이(주)제), 엘라스토머 AR-850C, 엘라스토머 AR-815C, 엘라스토머 AR-840C, 엘라스토머 AR-830C, 엘라스토머 AR-860C, 엘라스토머 AR-875C, 엘라스토머 AR-885C, 엘라스토머 AR-SC-15, 엘라스토머 AR-SC-0, 엘라스토머 AR-SC-5, 엘라스토머 AR-710, 엘라스토머 AR-SC-65, 엘라스토머 AR-SC-30, 엘라스토머 AR-SC-75, 엘라스토머 AR-SC-45, 엘라스토머 AR-720, 엘라스토머 AR-741, 엘라스토머 AR-731, 엘라스토머 AR-750, 엘라스토머 AR-760, 엘라스토머 AR-770, 엘라스토머 AR-781, 엘라스토머 AR-791, 엘라스토머 AR-FL-75N, 엘라스토머 AR-FL-85N, 엘라스토머 AR-FL-60N, 엘라스토머 AR-1050, 엘라스토머 AR-1060, 엘라스토머 AR-1040(이상, 상품명, 알론 가세이제), 크레이튼D1111, 크레이튼D1113, 크레이튼D1114, 크레이튼D1117, 크레이튼D1119, 크레이튼D1124, 크레이튼D1126, 크레이튼D1161, 크레이튼D1162, 크레이튼D1163, 크레이튼D1164, 크레이튼D1165, 크레이튼D1183, 크레이튼D1193, 크레이튼DX406, 크레이튼D4141, 크레이튼D4150, 크레이튼D4153, 크레이튼D4158, 크레이튼D4270, 크레이튼D4271, 크레이튼D4433, 크레이튼D1170, 크레이튼D1171, 크레이튼D1173, 카리플렉스 IR 0307, 카리플렉스 IR 0310, 카리플렉스 IR 0401, 크레이튼D0242, 크레이튼D1101, 크레이튼D1102, 크레이튼D1116, 크레이튼D1118, 크레이튼D1133, 크레이튼D1152,Examples of commercially available polystyrene elastomers include toughprene A, toughprene 125, toughprene 126S, solfrene T, asaprene T-411, asaprene T-432, asaprene T-437, Toughtech H1052, Tuftec H1052, Tuftec M1943, Tuftec M1911, Tuftec H1041, Tuftec MP10, Tuftec M1913, Tuftec H1051, Tuftec H1053, Tuftec H1052, Elastomer AR-815C, elastomer AR-840C, elastomer AR-830C, elastomer AR-860C, elastomer AR-875C, elastomer AR- Elastomer AR-SC-0, Elastomer AR-SC-5, Elastomer AR-710, Elastomer AR-SC-65, Elastomer AR-SC-30, Elastomer AR- 75, Elastomer AR-SC-45, Elastomer AR-720, Elastomer AR-741, Elastomer AR-731, FL-85N, elastomer AR-FL-60N, elastomer AR-1050, elastomer AR-1060, elastomer AR-760, elastomer AR-770, elastomer AR-781, elastomer AR- Elastomer AR-1040 (trade name, available from Alon Gassel), Kraton D1111, Kraton D1113, Kraton D1114, Kraton D1117, Kraton D1119, Kraton D1124, Kraton D1126, Kraton D1161, Kraton D1162, Kraton D1163, Kraton D1164, Kraton D1165, Kraton D1183, Kraton D1193, Kraton DX406, Kraton D4141, Kraton D4150, Kraton D4153, Kraton D4158, Kraton D4270, Kraton D4271, Kraton Kleiton D1170, Kreaton D1171, Kreaton D1173, Kreighton D1118, Kreiflex IR 0310, Kreiflex IR 0401, Kreighton D0242, Layton D1133, Creighton D1152,

크레이튼D1153, 크레이튼D1155, 크레이튼D1184, 크레이튼D1186, 크레이튼D1189, 크레이튼D1191, 크레이튼D1192, 크레이튼DX405, 크레이튼DX408, 크레이튼DX410, 크레이튼DX414, 크레이튼DX415, 크레이튼A1535, 크레이튼A1536, 크레이튼FG1901, 크레이튼FG1924, 크레이튼G1640, 크레이튼G1641, 크레이튼G1642, 크레이튼G1643, 크레이튼G1645, 크레이튼G1633, 크레이튼G1650, 크레이튼G1651, 크레이튼G1652, 크레이튼G1654, 크레이튼G1657, 크레이튼G1660, 크레이튼G1726, 크레이튼G1701, 크레이튼G1702, 크레이튼G1730, 크레이튼G1750, 크레이튼G1765, 크레이튼G4609, 크레이튼G4610(이상, 상품명, Kraton사제), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, 다이나론 6100P, 다이나론 4600P, 다이나론 6200P, 다이나론 4630P, 다이나론 8601P, 다이나론 8630P, 다이나론 8600P, 다이나론 8903P, 다이나론 6201B, 다이나론 1321P, 다이나론 1320P, 다이나론 2324P, 다이나론 9901P(이상, 상품명, JSR(주)제), 덴카 STR 시리즈(상품명, 덴키 가가쿠 고교(주)제), 퀸택 3520, 퀸택 3433N, 퀸택 3421, 퀸택 3620, 퀸택 3450, 퀸택 3460(이상, 상품명, 닛폰 제온제), TPE-SB 시리즈(이상, 상품명, 스미토모 가가쿠(주)제), 라발론 시리즈(상품명, 미쓰비시 가가쿠(주)제), 셉톤 1001, 셉톤, 8004, 셉톤 4033, 셉톤 2104, 셉톤 8007, 셉톤 2007, 셉톤 2004, 셉톤 2063, 셉톤 HG252, 셉톤 8076, 셉톤 2002, 셉톤 1020, 셉톤 8104, 셉톤 2005, 셉톤 2006, 셉톤 4055, 셉톤 4044, 셉톤 4077, 셉톤 4099, 셉톤 8006, 셉톤 V9461, 셉톤 V9475, 셉톤 V9827, 하이브라 7311, 하이브라 7125, 하이브라 5127, 하이브라 5125(이상, 상품명, 구라레제), 스미플렉스(상품명, 스미토모 베이클라이트(주)제), 레오스토머, 액티머(이상, 상품명, 리켄 바이닐 고교제) 등을 들 수 있다.Kraton D1153, Kraton D1155, Kraton D1184, Kraton D1186, Kraton D1189, Kraton D1191, Kraton D1192, Kraton DX405, Kraton DX408, Kraton DX410, Kraton DX414, Kraton DX415, Kraton Kleiton G1650, Craton G1651, Craton G1652, Craton G1643, Craton G1643, Craton G1645, Craton G1633, Craton G1650, Craton G1651, Craton G1652, Craton G1641, Craton G1510, Craton A1536, Craton FG1901, Craton FG1924, Kraton G1654, Kraton G1657, Kraton G1660, Kraton G1726, Kraton G1701, Kraton G1702, Kraton G1730, Kraton G1750, Kraton G1765, Kraton G4609, Kraton G4610 ), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, Dynalon 6100P, Dynalon 4600P, Dynalon 6200P, Dynalon 4630P, DYNARON 8601P, DYNARON 8630P, DYNARON 8600P, (Trade names, manufactured by JSR Corporation), Denka STR Series (trade name, manufactured by Denki Kagaku Kogyo K.K.), and DENARON 9901P (trade names, manufactured by JSR Corporation), DENARON 6201B, DINARON 1321P, DINARON 1320P, DINARON 2324P, (Trade names, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Lavalon series (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Quintex 3520, Quintex 3433N, Quintax 3421, Quintax 3620, Quintax 3450, Quintax 3460 (Manufactured by Mitsubishi Kagaku), Septon 1001, Septon, 8004, Septon 4033, Septon 2104, Septon 8007, Septon 2007, Septon 2004, Septon 2063, Septon HG 252, Septon 8076, Septon 2002, Septon 1020, Septon 8104, (Trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, (Trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), rheostomer (trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) Manufactured by Nihon Kohyo Co., Ltd.).

다음으로, "엘라스토머 X" 특유의 바람직한 범위에 대하여 설명한다.Next, a preferable range specific to "elastomer X" will be described.

엘라스토머 X는, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머이며, 스타이렌에서 유래한 반복 단위의 함유량은, 50질량% 초과 95질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 초과 90질량% 이하가 보다 바람직하며, 50질량% 초과 80질량% 이하가 더 바람직하고, 55~75질량%가 특히 바람직하며, 56~70질량%가 보다 더 바람직하다.The elastomer X is an elastomer containing repeating units derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units, and the content of the repeating units derived from styrene is more than 50% by mass and 95% More preferably 50% by mass or more and 90% by mass or less, still more preferably 50% by mass or more but 80% by mass or less, still more preferably 55% by mass to 75% by mass, still more preferably 56% Do.

엘라스토머 X의 경도는, 83 이상이 바람직하고, 85 이상이 보다 바람직하며, 90 이상이 더 바람직하다. 상한값은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 99 이하이다. 또한, 경도는, JIS(일본 공업 규격) K6253의 방법에 따라, 타입 A 듀로미터로 측정한 값이다.The hardness of the elastomer X is preferably 83 or more, more preferably 85 or more, and even more preferably 90 or more. The upper limit value is not particularly limited, but is, for example, 99 or less. The hardness is a value measured by a Type A durometer according to the method of JIS (Japanese Industrial Standard) K6253.

다음으로, "엘라스토머 Y" 특유의 바람직한 범위에 대하여 설명한다.Next, a preferable range specific to "elastomer Y" will be described.

엘라스토머 Y는, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머이며, 스타이렌에서 유래한 반복 단위의 함유량은, 10~45질량%가 바람직하고, 10~40질량%가 보다 바람직하며, 12~35질량%가 더 바람직하고, 13~33질량%가 특히 바람직하다.The elastomer Y is an elastomer containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units, and the content of the repeating units derived from styrene is preferably 10 to 45% by mass , More preferably 10 to 40 mass%, even more preferably 12 to 35 mass%, and particularly preferably 13 to 33 mass%.

엘라스토머 Y의 경도는, 82 이하인 것이 바람직하고, 80 이하인 것이 보다 바람직하며, 78 이하인 것이 더 바람직하다. 하한값은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 1 이상이다.The hardness of the elastomer Y is preferably 82 or less, more preferably 80 or less, and even more preferably 78 or less. The lower limit value is not particularly limited but is 1 or more.

또, 엘라스토머 X의 경도와, 엘라스토머 Y의 경도의 차는, 5~40인 것이 바람직하고, 10~35인 것이 보다 바람직하며, 15~33인 것이 더 바람직하고, 17~29인 것이 보다 더 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다.The difference between the hardness of the elastomer X and the hardness of the elastomer Y is preferably 5 to 40, more preferably 10 to 35, even more preferably 15 to 33, even more preferably 17 to 29 . By setting this range, the effect of the present invention can be exerted more effectively.

본 발명에서는, 엘라스토머 X 및 엘라스토머 Y 이외의 다른 엘라스토머를 배합해도 된다. 다른 엘라스토머로서는, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 고무 변성한 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.In the present invention, elastomers other than the elastomer X and the elastomer Y may be blended. As the other elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacrylic elastomer, a silicone elastomer, a polyimide elastomer, a rubber-modified epoxy resin and the like can be used.

본 발명의 가고정 접착제에 있어서의, 엘라스토머 X, 엘라스토머 Y 및 다른 엘라스토머의 합계량은, 용제를 제외한 가고정 접착제의 질량에 대하여, 50.00~99.99질량%가 바람직하고, 70.00~99.99질량%가 보다 바람직하며, 88.00~99.99질량%가 특히 바람직하다. 엘라스토머의 함유량이 상기 범위이면, 접착성 및 박리성이 보다 우수하다.The total amount of the elastomer X, the elastomer Y and the other elastomer in the temporary fixing adhesive of the present invention is preferably 50.00 to 99.99 mass%, more preferably 70.00 to 99.99 mass% with respect to the mass of the temporary fixing agent excluding the solvent , And particularly preferably from 88.00 to 99.99 mass%. When the content of the elastomer is within the above range, the adhesive property and the peeling property are more excellent.

또, 본 발명의 가고정 접착제에 있어서의, 엘라스토머 X, 엘라스토머 Y 및 다른 엘라스토머는, 각각 복수 종류를 조합해도 된다.The elastomer X, the elastomer Y and the other elastomer in the temporary fixing adhesive of the present invention may be combined in plural kinds.

본 발명의 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머의 함유량 중, 엘라스토머 X와 엘라스토머 Y의 합계량이 전체의 90질량% 이상을 차지하는 것이 바람직하고, 95질량% 이상을 차지하는 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이상을 차지하는 것이 특히 바람직하다.The total amount of the elastomer X and the elastomer Y in the total amount of the elastomer contained in the temporary fixing adhesive of the present invention preferably accounts for 90 mass% or more, more preferably 95 mass% or more, and more preferably 98 mass% Is particularly preferable.

엘라스토머 Y를 배합하는 경우, 상기 엘라스토머 X와 상기 엘라스토머 Y의 질량비는, 엘라스토머 X:엘라스토머 Y=5:95~95:5가 바람직하고, 20:80~90:10이 보다 바람직하며, 40:60~85:15가 특히 바람직하다. 상기 범위이면, 휨 억제와 박리성이 보다 효과적으로 얻어진다.In a case where the elastomer Y is blended, the mass ratio of the elastomer X and the elastomer Y is preferably 5:95 to 95: 5, more preferably 20:80 to 90:10, To 85:15 are particularly preferred. Within the above range, warpage suppression and peelability are more effectively obtained.

<<산화 방지제>><< Antioxidants >>

본 발명의 가고정 접착제는, 가열 시의 산화에 기인하는 엘라스토머의 저분자화나 젤화를 방지하는 관점에서, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 퀴논계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다.The temporary fixing adhesive of the present invention may contain an antioxidant from the viewpoint of preventing low molecular weight or gelation of the elastomer due to oxidation at the time of heating. As the antioxidant, phenol antioxidants, sulfur antioxidants, phosphorus antioxidants, quinone antioxidants, amine antioxidants and the like can be used.

페놀계 산화 방지제로서는 예를 들면, 파라-메톡시페놀, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, BASF(주)제 "Irganox1010", "Irganox1330", "Irganox3114", "Irganox 1035", 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer MDP-S", "Sumilizer GA-80" 등을 들 수 있다.Examples of the phenol antioxidant include para-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Irganox1010, Irganox1330, Irganox3114, Irganox 1035 Sumilizer MDP-S "and" Sumilizer GA-80 "manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and the like.

황계 산화 방지제로서는 예를 들면, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer TPM", "Sumilizer TPS", "Sumilizer TP-D" 등을 들 수 있다.Examples of the sulfur-based antioxidant include 3,3'-thiodipropionate di-stearyl, Sumilizer TPM, Sumilizer TPS, Sumilizer TP-D and the like available from Sumitomo Chemical Co., .

인계 산화 방지제로서는 예를 들면, 트리스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트, 폴리(다이프로필렌글라이콜)페닐포스파이트, 다이페닐아이소데실포스파이트, 2-에틸헥실다이페닐포스파이트, 트라이페닐포스파이트, BASF(주)제 "Irgafos168", "Irgafos38" 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus antioxidant include tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, poly Dialkyldiphenylphosphite, triphenylphosphite, "Irgafos 168", "Irgafos 38" manufactured by BASF Co., Ltd., and the like.

퀴논계 산화 방지제로서는 예를 들면, 파라-벤조퀴논, 2-tert-뷰틸-1,4-벤조퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the quinone antioxidant include para-benzoquinone, 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone, and the like.

아민계 산화 방지제로서는 예를 들면, 다이메틸아닐린이나 페노싸이아진 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based antioxidant include dimethyl aniline and phenothiazine.

상기의 산화 방지제 중에서, Irganox1010, Irganox1330, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, Sumilizer TP-D가 바람직하고, Irganox1010, Irganox1330이 보다 바람직하며, Irganox1010이 특히 바람직하다.Of the above antioxidants, Irganox 1010, Irganox 1330, 3,3'-thiodipropionate distearyl, and Sumilizer TP-D are preferable, Irganox 1010 and Irganox 1330 are more preferable, and Irganox 1010 is particularly preferable.

또, 상기 산화 방지제 중, 페놀계 산화 방지제와, 황계 산화 방지제 또는 인계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하고, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 특히 바람직하다. 특히, 엘라스토머로서, 폴리스타이렌계 엘라스토머를 사용한 경우에 있어서, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 조합으로 함으로써, 산화 반응에 기인하는 엘라스토머의 열화를, 효율적으로 억제할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 경우, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제의 질량비는, 페놀계 산화 방지제:황계 산화 방지제=95:5~5:95가 바람직하고, 25:75~75:25가 보다 바람직하다.Among the above-mentioned antioxidants, it is preferable to use a phenolic antioxidant in combination with a sulfur-based antioxidant or a phosphorus-based antioxidant, and it is particularly preferable to use a phenolic antioxidant in combination with a sulfur-based antioxidant. Particularly when a polystyrene-based elastomer is used as the elastomer, it is preferable to use a phenolic antioxidant and a sulfur-based antioxidant in combination. By using such a combination, it is expected that the deterioration of the elastomer due to the oxidation reaction can be effectively suppressed. When the phenolic antioxidant and the sulfur antioxidant are used in combination, the mass ratio of the phenol antioxidant to the sulfur antioxidant is preferably 95: 5 to 5:95, : 25 is more preferable.

산화 방지제의 조합으로서는, Irganox1010과 Sumilizer TP-D, Irganox1330과 Sumilizer TP-D, 및 Sumilizer GA-80과 Sumilizer TP-D가 바람직하고, Irganox1010과 Sumilizer TP-D, Irganox1330과 Sumilizer TP-D가 보다 바람직하며, Irganox1010과 Sumilizer TP-D가 특히 바람직하다.As the combination of the antioxidants, Irganox 1010, Sumilizer TP-D, Irganox 1330 and Sumilizer TP-D, Sumilizer GA-80 and Sumilizer TP-D are preferable, Irganox 1010 and Sumilizer TP-D, Irganox 1330 and Sumilizer TP- Irganox 1010 and Sumilizer TP-D are particularly preferred.

산화 방지제의 분자량은, 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 400 이상이 바람직하고, 600 이상이 더 바람직하며, 750 이상이 특히 바람직하다.From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more.

가고정 접착제가 산화 방지제를 갖는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 가고정 접착제의 전체 고형분에 대하여, 0.001~20.0질량%가 바람직하고, 0.005~10.0질량%가 보다 바람직하다.When the temporary fixing adhesive has an antioxidant, the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 20.0% by mass, more preferably 0.005 to 10.0% by mass, based on the total solid content of the temporary fixing adhesive.

산화 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 산화 방지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The antioxidant may be one kind or two or more kinds. When the amount of the antioxidant is two or more, the total amount is preferably in the above range.

<<용제>><< Solvent >>

본 발명의 가고정 접착제는, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 본 발명의 가고정 접착제를 도포함으로써 접착층을 형성하는 경우에 있어서는, 용제를 배합하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있고, 유기 용제가 바람직하다.The temporary fixing adhesive of the present invention preferably contains a solvent. Particularly, in the case of forming the adhesive layer by applying the temporary fixing adhesive of the present invention, it is preferable to add a solvent. As the solvent, any known solvent can be used without limitation, and an organic solvent is preferable.

유기 용제로서는, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸, 1-메톡시-2-프로필아세테이트 등의 에스터류;Examples of the organic solvent include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, butyl butyrate, butyl lactate, (For example, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), 3-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 3-oxypropionate and ethyl 3-oxypropionate (for example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl ethoxypropionate, etc.)), 2-oxypropionic acid alkyl esters (e.g., methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, Propyl methoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate), 2-oxy-2- (2-methoxypropionate, Methyl propionate and ethyl 2-oxy-2-methylpropionate (for example, methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate and the like), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, , Esters such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, and 1-methoxy-2-propyl acetate;

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류;Diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol mono Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, Ethers such as acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate;

메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤 등의 케톤류;Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone and? -Butyrolactone;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 에틸벤젠, 프로필벤젠, 큐멘, n-뷰틸벤젠, sec-뷰틸벤젠, 아이소뷰틸벤젠, tert-뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 아이소아밀벤젠, (2,2-다이메틸프로필)벤젠, 1-페닐헥세인, 1-페닐헵테인, 1-페닐옥테인, 1-페닐노네인, 1-페닐데케인, 사이클로프로필벤젠, 사이클로헥실벤젠, 2-에틸톨루엔, 1,2-다이에틸벤젠, o-사이멘, 인데인, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 3-에틸톨루엔, m-사이멘, 1,3-다이아이소프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, 1,4-다이에틸벤젠, p-사이멘, 1,4-다이아이소프로필벤젠, 4-tert-뷰틸톨루엔, 1,4-다이-tert-뷰틸벤젠, 1,3-다이에틸벤젠, 1,2,3-트라이메틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, 4-tert-뷰틸-o-자일렌, 1,2,4-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이아이소프로필벤젠, 5-tert-뷰틸-m-자일렌, 3,5-다이-tert-뷰틸톨루엔, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 펜타메틸벤젠 등의 방향족 탄화 수소류;Butylbenzene, isobutylbenzene, tert-butylbenzene, amylbenzene, isoamylbenzene, (2,2-dimethylbenzyl) benzene, toluene, xylene, anisole, mesitylene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, 1-phenyloctane, 1-phenylnonane, 1-phenyldecane, cyclopropylbenzene, cyclohexylbenzene, 2-ethyltoluene, 1 , 2-diethylbenzene, o-cymene, indene, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 3-ethyltoluene, m-cymene, 1,3-diisopropylbenzene, , 1,4-diethylbenzene, p-cymene, 1,4-diisopropylbenzene, 4-tert-butyltoluene, 1,4-di-tert-butylbenzene, , 2,3-trimethylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, 4-tert-butyl-ozylene, 1,2,4-triethylbenzene, 1,3,5- 1,3,5-triisopropylbenzene, 5-tert-butyl-m-xylene, 3,5-di-tert-butyltoluene, 1,2,3,5-tetramethyl Zhen, 1,2,4,5-tetramethyl benzene, be an aromatic hydrocarbon such as benzene pentamethyl soryu;

리모넨, p-멘테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 데칼린 등의 탄화 수소류 등을 적합하게 들 수 있다.And hydrocarbons such as limonene, p-mentine, nonene, decane, dodecane and decalin, and the like.

이들 중에서도, 메시틸렌, tert-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트가 바람직하고, 메시틸렌이 보다 바람직하다.Of these, methylethylene, tert-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-menthane,? -Butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl But are not limited to, cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethylcarbitol acetate, butylcarbitol acetate, propylene glycol And propylene glycol methyl ether acetate are preferable, and mesitylene is more preferable.

이들 용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다. 이 경우, 특히 바람직하게는, 메시틸렌, tert-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이다.These solvents are preferably mixed with two or more kinds of them from the viewpoints of improvement of coating surface properties and the like. In this case, particularly preferable examples include mesitylene, tert-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-mentine, y-butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl propionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethylcarbitol acetate, butyl carbitol Acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate.

가고정 접착제가 용제를 함유하는 경우, 가고정 접착제의 용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 가고정 접착제의 전체 고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양이 바람직하고, 10~50질량%가 더 바람직하며, 15~40질량%가 특히 바람직하다.When the temporary fixing adhesive contains a solvent, the content of the solvent in the temporary fixing adhesive is preferably such that the total solid content concentration of the temporary fixing adhesive is 5 to 80% by mass and 10 to 50% by mass , And particularly preferably from 15 to 40 mass%.

용제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 용제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of solvents are used, the total amount is preferably in the above range.

또, 후술하는 바와 같이, 본 발명의 가고정 접착제를 접착 필름이나 접착성 지지체의 접착층에 이용하는 경우는, 용제 함유율이 1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.When the temporary fixing adhesive of the present invention is used for the adhesive layer of the adhesive film or the adhesive backing, as described later, the solvent content is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, Is particularly preferable.

<<라디칼 중합성 화합물>><< Radical Polymerizable Compound >>

본 발명의 가고정 접착제는, 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 것도 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 가고정 접착제를 이용함으로써, 가열 시에 있어서의 접착층의 유동 변형을 억제하기 쉽다. 이로 인하여, 예를 들면 기재를 연마한 후의 적층체를 가열 처리하는 경우 등에 있어서, 가열 시에 있어서의 접착층의 유동 변형을 억제할 수 있어, 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 경도가 있는 접착층을 형성할 수 있기 때문에, 기재의 연마 시에 압력이 국소적으로 가해져도, 접착층이 변형되기 어려워, 평탄 연마성이 우수하다.The temporary fixing adhesive of the present invention preferably contains a radically polymerizable compound. By using a temporary fixing adhesive containing a radical polymerizable compound, it is easy to suppress the flow deformation of the adhesive layer during heating. This makes it possible to suppress the flow deformation of the adhesive layer at the time of heating, for example, when the laminate after polishing the substrate is heated, and the occurrence of warpage can be effectively suppressed. In addition, since an adhesive layer having a hardness can be formed, even if a pressure is locally applied at the time of polishing the substrate, the adhesive layer is hardly deformed, and the flat polishing property is excellent.

본 발명에 있어서, 라디칼 중합성 화합물은, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물이며, 라디칼에 의하여 중합 가능한 공지의 라디칼 중합성 화합물을 이용할 수 있다. 이와 같은 화합물은 당 분야에 있어서 널리 알려져 있는 것이며, 본 발명에 있어서는 이들을 특별히 한정없이 이용할 수 있다. 이들은, 예를 들면 모노머, 프리폴리머, 올리고머 또는 이들의 혼합물과 그들의 다량체 등의 화학적 형태 중 어느 것이어도 된다. 라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0099~080의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In the present invention, the radical polymerizable compound is a compound having a radical polymerizable group, and a known radical polymerizable compound capable of being polymerized by a radical can be used. Such compounds are well known in the art, and they can be used without any particular limitation in the present invention. These may be, for example, monomers, prepolymers, oligomers or mixtures thereof and their chemical forms such as their multimers. As the radical polymerizing compound, reference can be made to the disclosure of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-087611, paragraphs 0099 to 080, the contents of which are incorporated herein by reference.

또, 라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-41708호, 일본 공개특허공보 소51-37193호, 일본 공고특허공보 평2-32293호, 일본 공고특허공보 평2-16765호에 기재되어 있는 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-49860호, 일본 공고특허공보 소56-17654호, 일본 공고특허공보 소62-39417호, 일본 공고특허공보 소62-39418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 라디칼 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평1-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 부가 중합성 모노머류를 이용할 수도 있다.The radically polymerizable compounds are described in Japanese Patent Publication Nos. 48-41708, 51-37193, 2-32293, and 2-16765, Butene-containing acrylate, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, Yutein compounds having an oxide-based skeleton are also suitable. Examples of the radical polymerizable compound include compounds having an amino structure or a sulfide structure in a molecule, as described in JP-A-63-277653, JP-A-63-260909 and JP-A-1-105238 Addition polymerizable monomers may also be used.

라디칼 중합성 화합물의 시판품으로서는, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(산요 고쿠사쿠 펄프사제), NK 에스터 M-40G, NK 에스터 4G, NK 에스터 A-9300, NK 에스터 M-9300, NK 에스터 A-TMMT, NK 에스터 A-DPH, NK 에스터 A-BPE-4, UA-7200(신나카무라 가가쿠사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠사제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠(주)제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available radically polymerizable compounds include urethane oligomers UAS-10, UAB-140 (manufactured by Sanyo Kogaku Pulp), NK Ester M-40G, NK Ester 4G, NK Ester A-9300, NK Ester M- NK Ester A-BPE-4, UA-7200 (manufactured by Shin Nakamura Kagaku), DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku), UA-306H, UA-306T, UA- 306I, AH-600, T-600, AI-600 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and Blemmer PME400 (manufactured by Nichiyu Corporation).

본 발명에 있어서, 라디칼 중합성 화합물은, 내열성의 관점에서, 하기 (P-1)~(P-4)로 나타나는 부분 구조 중 적어도 1종을 갖는 것이 바람직하고, 하기 (P-3)으로 나타나는 부분 구조를 갖는 것이 더 바람직하다. 식 중의 *는 연결손이다.In the present invention, the radical polymerizing compound preferably has at least one of the partial structures represented by the following (P-1) to (P-4) from the viewpoint of heat resistance, It is more preferable to have a partial structure. * In the equation is the connecting hand.

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 부분 구조를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 트라이메틸올프로페인트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 다이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산트라이알릴, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이메틸올프로페인테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 본 발명에 있어서는 이들 라디칼 중합성 화합물을 특히 바람직하게 이용할 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable compound having the partial structure include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide modified di (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide (Meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dimethylol propane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, (Meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, and the like. In the present invention, these radically polymerizable compounds are particularly preferably used Can be used.

본 발명의 가고정 접착제에 있어서, 라디칼 중합성 화합물을 첨가하는 경우의 함유량은, 양호한 접착성, 평탄 연마성, 박리성, 휨 억제의 관점에서, 용제를 제외한 가고정 접착제의 질량에 대하여, 1~50질량%가 바람직하고, 1~30질량%가 보다 바람직하며, 5~30질량%가 더 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물은 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.The content of the radically polymerizable compound in the temporary fixing adhesive of the present invention is preferably from 1 to 5 parts by mass with respect to the mass of the temporary fixing adhesive excluding the solvent from the viewpoints of good adhesiveness and flat abrasion resistance, To 50 mass%, more preferably from 1 to 30 mass%, and still more preferably from 5 to 30 mass%. The radical polymerizing compound may be used singly or in combination of two or more kinds.

또, 본 발명의 가고정 접착제에 있어서, 라디칼 중합성 화합물을 첨가하는 경우의 엘라스토머와 라디칼 중합성 화합물의 질량 비율은, 엘라스토머:라디칼 중합성 화합물=98:2~10:90이 바람직하고, 95:5~30:70이 보다 바람직하며, 90:10~50:50이 특히 바람직하다. 엘라스토머와 라디칼 중합성 화합물의 질량 비율이 상기 범위이면, 접착성, 평탄 연마성, 박리성 및 휨 억제가 우수한 접착층을 형성할 수 있다.In the temporary fixing adhesive of the present invention, the mass ratio of the elastomer to the radical polymerizable compound in the case of adding the radical polymerizable compound is preferably 98: 2 to 10:90, and more preferably 95: : 5 to 30:70, and particularly preferably 90:10 to 50:50. When the mass ratio of the elastomer to the radical polymerizable compound is within the above range, an adhesive layer excellent in adhesiveness, flat abrasion resistance, peelability and flexural restraint can be formed.

<<고분자 화합물>><< Polymer compound >>

본 발명의 가고정 접착제는, 도포성, 접착성, 이형성이나 내열성 등을 조절하기 위하여, 필요에 따라서 상술한 규소계 액체상 화합물 및 엘라스토머 이외의 고분자 화합물을 갖고 있어도 된다. 또한, 여기에서 말하는 도포성이란, 도포 후의 막두께의 균일성이나 도포 후의 막 형성성을 말한다.The temporary fixing adhesive of the present invention may contain a polymer compound other than the silicon-based liquid phase compound and the elastomer described above as needed in order to adjust the coating property, adhesive property, releasability, heat resistance and the like. The coating property referred to herein means the uniformity of the film thickness after application and the film formability after application.

본 발명에 있어서는, 고분자 화합물은 임의의 것을 사용할 수 있다. 고분자 화합물은, 중합성기를 포함하지 않는 화합물이다. 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 10,000~1,000,000이 바람직하고, 50,000~500,000이 보다 바람직하며, 100,000~300,000이 더 바람직하다.In the present invention, any of the polymer compounds may be used. The polymer compound is a compound that does not contain a polymerizable group. The weight average molecular weight of the polymer compound is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 50,000 to 500,000, and even more preferably 100,000 to 300,000.

고분자 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 탄화 수소 수지, 노볼락 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 유레아 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 알키드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리 염화 바이닐 수지, 폴리아세트산 바이닐 수지, 테프론(등록 상표), 폴리아마이드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌에터 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리에터에터케톤 수지, 폴리아마이드이미드 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄화 수소 수지, 노볼락 수지, 폴리이미드 수지가 바람직하고, 탄화 수소 수지가 보다 바람직하다. 고분자 화합물은 필요에 따라서 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Specific examples of the polymer compound include a hydrocarbon resin, a novolac resin, a phenol resin, an epoxy resin, a melamine resin, an urea resin, an unsaturated polyester resin, an alkyd resin, a polyimide resin, a polyvinyl chloride resin, , Teflon (registered trademark), polyamide resin, polyacetal resin, polycarbonate resin, polyphenylene ether resin, polystyrene terephthalate resin, polyethylene terephthalate resin, polyphenylene sulfide resin, polysulfone resin, Polyester resins, polyester resins, polyester resins, polyamideimide resins, and the like. Among them, a hydrocarbon resin, a novolac resin, and a polyimide resin are preferable, and a hydrocarbon resin is more preferable. The polymer compound may be used in combination of two or more as necessary.

탄화 수소 수지로서 임의의 것을 사용할 수 있다.As the hydrocarbon resin, any one can be used.

탄화 수소 수지는, 기본적으로는 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 수지를 의미하지만, 기본이 되는 골격이 탄화 수소 수지이면, 측쇄로서 그 외의 원자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 탄화 수소 수지에 더하여, 아크릴 수지, 폴리바이닐알코올 수지, 폴리바이닐아세탈 수지, 폴리바이닐피롤리돈 수지와 같이, 주쇄에 탄화 수소기 이외의 관능기가 직접 결합하는 경우도 본 발명에 있어서의 탄화 수소 수지에 포함되는 것이며, 이 경우, 주쇄에 탄화 수소기가 직접 결합되어 이루어지는 반복 단위의 함유량이, 수지의 전체 반복 단위에 대하여 30몰% 이상인 것이 바람직하다.A hydrocarbon resin basically means a resin composed only of carbon atoms and hydrogen atoms. However, if the basic skeleton is a hydrocarbon resin, it may contain other atoms as side chains. That is, when a functional group other than a hydrocarbon group is directly bonded to a main chain such as an acrylic resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyvinyl pyrrolidone resin in addition to a hydrocarbon resin composed only of carbon atoms and hydrogen atoms Is contained in the hydrocarbon resin in the present invention. In this case, the content of the repeating unit in which the hydrocarbon group is directly bonded to the main chain is preferably 30 mol% or more based on the total repeating units of the resin.

상기 조건에 합치하는 탄화 수소 수지로서는 예를 들면, 터펜 수지, 터펜페놀 수지, 변성 터펜 수지, 수소 첨가 터펜 수지, 수소 첨가 터펜페놀 수지, 로진, 로진에스터, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스터, 중합 로진, 중합 로진에스터, 변성 로진, 로진 변성 페놀 수지, 알킬페놀 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론 석유 수지, 인덴 석유 수지 등을 들 수 있다.Examples of hydrocarbon resins conforming to the above conditions include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpenephenol resins, rosins, rosin esters, hydrogenated rosins, hydrogenated rosin esters, An alicyclic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, a hydrogenated petroleum resin, a modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone petroleum resin, an indene petroleum resin, etc. .

탄화 수소 수지는, 그 중에서도, 터펜 수지, 로진, 석유 수지, 수소화 로진, 중합 로진인 것이 바람직하고, 터펜 수지, 로진인 것이 보다 바람직하다.The hydrocarbon resin is preferably terpene resin, rosin, petroleum resin, hydrogenated rosin, or polymerized rosin, more preferably terpene resin or rosin.

도포성, 이형성 및 내열성을 개량하는 관점에서, 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 비3차원 가교 구조란, 화합물 중에 가교 구조를 포함하지 않거나, 화합물 중의 전체 가교 구조에 대한 3차원 가교 구조를 형성하고 있는 가교 구조의 비율이, 5% 이하인 것을 말하고, 1% 이하가 바람직하다. 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물로서는, 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머로 이루어지는 중합체를 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로펜, 테트라플루오로에틸렌옥사이드, 헥사플루오로프로펜옥사이드, 퍼플루오로알킬바이닐에터, 클로로트라이플루오로에틸렌, 바이닐리덴플루오라이드, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머의 단독 중합체 또는 이들 모노머의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 에틸렌의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 클로로트라이플루오로에틸렌의 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종의 함불소 수지 등을 들 수 있다.From the viewpoint of improving the coating property, releasability and heat resistance, it is preferable to contain a polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom. The non-three-dimensional crosslinked structure means that the ratio of the crosslinked structure that does not contain a crosslinked structure in the compound or forms a three-dimensional crosslinked structure with respect to the total crosslinked structure in the compound is 5% or less, preferably 1% or less. As the polymer compound of a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom, a polymer comprising one or two or more fluorine-containing monofunctional monomers can be preferably used. More specifically, there may be mentioned tetrafluoroethylene, hexafluoropropene, tetrafluoroethylene oxide, hexafluoropropene oxide, perfluoroalkyl vinyl ether, chlorotrifluoroethylene, vinylidene fluoride, purple (Meth) acrylic acid ester containing at least one fluoroalkyl group, a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester, and a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylate ester, or copolymers of these monomers, , At least one fluorinated resin selected from a copolymer of one or more fluorinated monofunctional monomers and chlorotrifluoroethylene, and the like.

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물로서는, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 합성할 수 있는 퍼플루오로알킬기 함유의 (메트)아크릴 수지인 것이 바람직하다.The polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom is preferably a (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group which can be synthesized from a perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로서는, 구체적으로는 하기 식 (101)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.As the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, specifically, it is preferably a compound represented by the following formula (101).

식 (101)(101)

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

일반식 (101) 중, R101, R102, R103은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는 불소 원자 또는 불소 원자를 적어도 하나 갖는 1가의 유기기이다.In the general formula (101), R 101 , R 102 and R 103 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom. Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and a combination thereof. Rf is a monovalent organic group having at least one of a fluorine atom and a fluorine atom.

일반식 (101) 중, R101, R102, R103으로 나타나는 알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하며, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R101~R103으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (101) are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, tert-butyl group, isopentyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclopentyl group and the like. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 101 to R 103 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내고, 2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하며, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 보다 더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group and a combination thereof, and the divalent aliphatic group may be a cyclic A straight chain structure is preferable to a straight chain structure having branches. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, even more preferably from 1 to 8 Still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있고, 페닐렌기가 바람직하다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable.

Y101로서는, 2가의 직쇄상 구조의 지방족기인 것이 바람직하다.As Y 101 , it is preferable that the Y 101 is an aliphatic group having a bivalent straight-chain structure.

Rf로 나타나는, 불소 원자를 갖는 1가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬기는, 직쇄{예를 들면 -CF2CF3, -CH2(CF2)4H, -CH2(CF2)8CF3, -CH2CH2(CF2)4H 등}여도 되고, 분기 구조{예를 들면 -CH(CF3)2, -CH2CF(CF3)2, -CH(CH3)CF2CF3, -CH(CH3)(CF2)5CF2H 등}를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖고 있어도 되고, 에터 결합(예를 들면 -CH2OCH2CF2CF3, -CH2CH2OCH2C4F8H, -CH2CH2OCH2CH2C8F17, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2H 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬기여도 된다.The monovalent organic group having a fluorine atom represented by Rf is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms desirable. The fluorinated alkyl group is a straight chain {e.g. -CF 2 CF 3, -CH 2 ( CF 2) 4 H, -CH 2 (CF 2) 8 CF 3, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 H , etc. }, and even, for example, {branch structure -CH (CF 3) 2, -CH 2 CF (CF 3) 2, -CH (CH 3) CF 2 CF 3, -CH (CH 3) (CF 2) 5 CF 2 H, etc.), and may have an alicyclic structure (preferably, a 5-membered ring or a 6-membered ring such as a perfluorocyclohexyl group, a perfluorocyclopentyl group, (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 H, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 17 , -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 H, etc.). It may also be a perfluoroalkyl group.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지로서는, 구체적으로는 하기 식 (102)로 나타나는 반복 단위를 갖는다.Specific examples of the perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic resin include a repeating unit represented by the following formula (102).

식 (102)Equation (102)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

일반식 (102) 중, R101, R102, R103, Y101, Rf는 각각, 일반식 (101)에 있어서의 것과 동의이며, 바람직한 양태도 동일하다.In the general formula (102), R 101 , R 102 , R 103 , Y 101 and Rf are the same as those in the general formula (101), and preferred embodiments are also the same.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지는, 박리성의 관점에서 임의로 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터에 더하여, 공중합 성분을 선택할 수 있다. 공중합 성분을 형성할 수 있는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 아크릴산 에스터류, 메타크릴산 에스터류, N,N-2치환 아크릴아마이드류, N,N-2치환 메타크릴아마이드류, 스타이렌류, 아크릴로나이트릴류, 메타크릴로나이트릴류 등으로부터 선택되는 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.The (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group may optionally be selected from copolymerized components in addition to the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, in view of releasability. Examples of the radical polymerizable compound capable of forming a copolymerization component include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, N, N-2 substituted acrylamides, N, N-2 substituted methacrylamides, styrene, Acrylonitrile, acrylonitrile, methacrylonitrile, and the like.

보다 구체적으로는, 예를 들면 알킬아크릴레이트(알킬기의 탄소 원자수는 1~20의 것이 바람직함) 등의 아크릴산 에스터류(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 아크릴산 뷰틸, 아크릴산 아밀, 아크릴산 에틸헥실, 아크릴산 옥틸, 아크릴산-t-옥틸, 클로로에틸아크릴레이트, 2,2-다이메틸하이드록시프로필아크릴레이트, 5-하이드록시펜틸아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노아크릴레이트, 펜타에리트리톨모노아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 메톡시벤질아크릴레이트, 퓨퓨릴아크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴아크릴레이트 등), 아릴아크릴레이트(예를 들면, 페닐아크릴레이트 등), 알킬메타크릴레이트(알킬기의 탄소 원자는 1~20의 것이 바람직함) 등의 메타크릴산 에스터류(예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 아이소프로필메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 클로로벤질메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸메타크릴레이트, 5-하이드록시펜틸메타크릴레이트, 2,2-다이메틸-3-하이드록시프로필메타크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노메타크릴레이트, 펜타에리트리톨모노메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 퓨퓨릴메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴메타크릴레이트 등), 아릴메타크릴레이트(예를 들면, 페닐메타크릴레이트, 크레실메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트 등), 스타이렌, 알킬스타이렌 등의 스타이렌(예를 들면, 메틸스타이렌, 다이메틸스타이렌, 트라이메틸스타이렌, 에틸스타이렌, 다이에틸스타이렌, 아이소프로필스타이렌, 뷰틸스타이렌, 헥실스타이렌, 사이클로헥실스타이렌, 데실스타이렌, 벤질스타이렌, 클로로메틸스타이렌, 트라이플루오로메틸스타이렌, 에톡시메틸스타이렌, 아세톡시메틸스타이렌 등), 알콕시스타이렌(예를 들면, 메톡시스타이렌, 4-메톡시-3-메틸스타이렌, 다이메톡시스타이렌 등), 할로젠스타이렌(예를 들면, 클로로스타이렌, 다이클로로스타이렌, 트라이클로로스타이렌, 테트라클로로스타이렌, 펜타클로로스타이렌, 브로모스타이렌, 다이브로모스타이렌, 아이오도스타이렌, 플루오로스타이렌, 트라이플루오로스타이렌, 2-브로모-4-트라이플루오로메틸스타이렌, 4-플루오로-3-트라이플루오로메틸스타이렌 등), 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴아크릴산, 카복실산을 함유하는 라디칼 중합성 화합물(아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산, 파라-카복실스타이렌, 및 이들 산기의 금속염, 암모늄염 화합물 등)을 들 수 있지만, 박리성의 관점에서 특히, 탄소수 1~24의 탄화 수소기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터가 바람직하고, 예를 들면 (메트)아크릴산의 메틸, 뷰틸, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴, 글리시딜에스터 등을 들 수 있으며, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴 등의 고급 알코올의 (메트)아크릴레이트, 특히 아크릴레이트가 바람직하다.More specifically, acrylic acid esters such as alkyl acrylates (preferably having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group) (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate , Ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, t-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, (For example, phenyl acrylate), alkyl (meth) acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, Methacrylic acid esters such as methacrylate (the alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms) (e.g., methyl methacrylate Acrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate (Methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid and the like), glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like), aryl methacrylate Etc.), styrenes such as styrene and alkylstyrene (e.g., methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, , Diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chloromethylstyrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, Acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (e.g., methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, etc.), halogensilane But are not limited to, styrene, styrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, -Bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), acrylonitrile, methacrylonitrile acrylic acid, and carboxylic acid (Methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, para-carboxy styrene, and metal salts and ammonium salt compounds of these acid groups). In view of releasability, (Meth) acrylic acid esters having a hydrocarbon group of 1 to 24 carbon atoms are preferred, and examples thereof include methyl, butyl, 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl and glycidyl esters of (meth) (Meth) acrylates, particularly acrylates, of higher alcohols such as ethylhexyl, lauryl and stearyl are preferred.

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물은, 시판되고 있는 것을 이용해도 된다. 예를 들면, 테프론(등록 상표)(듀폰사), 테프젤(듀폰사), 플루온(아사히 글라스사), 헤일러(SolvaySolexis사), 하일러(SolvaySolexis사), 루미플론(아사히 글라스사), 아플라스(아사히 글라스사), 사이톱(아사히 글라스사), 세프럴 소프트(센트럴 글라스사), 세프럴 코트(센트럴 글라스사), 다이오닌(3M사) 등의 불소 수지, 바이톤(듀폰사), 칼레즈(듀폰사), SIFEL(신에쓰 가가쿠 고교사) 등의 상표명의 불소 고무, 크라이톡스(듀폰사), 폼블린(다이토쿠 테크사), 뎀넘(다이킨 고교사) 등의 퍼플루오로폴리에터 오일을 비롯한 각종 불소 오일이나, 다이프리 FB 시리즈(다이킨 고교사), 메가팍 시리즈(DIC사) 등의 상표명의 불소 함유 이형제 등을 들 수 있다.A commercially available polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom may be used. For example, Teflon (registered trademark) (DuPont), Teflon (DuPont), Fluon (Asahi Glass), Hyler (SolvaySolexis), Haier (SolvaySolexis), Lumipro Fluorine resins such as Arplose (Asahi Glass Co.), Saitot (Asahi Glass Co.), Sephrill Soft (Central Glass Co.), Sephrill Coat (Central Glass Co.) and Daionin (3M) (DuPont), Pombulin (DaiTokuTech), and DEMNUM (DaiKingo), which are trademarks, such as SILIC (DuPont), SIREL (DuPont), SIFEL Various fluorine oils including perfluoropolyether oils, and fluorine-containing mold release agents such as DieFree FB series (Daikin Kogyu Co., Ltd.) and Megapak series (DIC).

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에서의 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 100000~2000인 것이 바람직하고, 50000~2000이 보다 바람직하며, 10000~2000인 것이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight in terms of polystyrene in the gel permeation chromatography (GPC) method of a polymer compound having a fluorine atom-containing non-three-dimensional crosslinked structure is preferably 100000 to 2000, more preferably 50000 to 2000, 2000 is most preferable.

본 발명의 가고정 접착제가, 상술한 규소계 액체상 화합물 및 엘라스토머 이외의 고분자 화합물을 함유하는 경우, 그 함유량은, 가고정 접착제의 전체 고형분에 대하여, 0.01~60질량%인 것이 바람직하고, 0.05~50질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.1~30질량%인 것이 더 바람직하다.When the temporary fixing adhesive of the present invention contains a polymer compound other than the silicon-based liquid-phase compound and the elastomer described above, the content thereof is preferably 0.01 to 60% by mass, more preferably 0.05 to 60% by mass based on the total solid content of the temporary fixing adhesive, More preferably 50% by mass, and still more preferably 0.1% to 30% by mass.

<<계면활성제>><< Surfactant >>

본 발명의 가고정 접착제는, 계면활성제를 함유하고 있어도 된다. 여기에서 말하는 계면활성제에는, 규소계 액체상 화합물을 포함하지 않는다.The temporary fixing adhesive of the present invention may contain a surfactant. The surfactant referred to herein does not include a silicon-based liquid phase compound.

계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는 양성 모두 사용할 수 있는데, 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, and preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 바람직한 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에터류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에터류, 폴리옥시에틸렌글라이콜의 고급 지방산 다이에스터류, 불소계 계면활성제를 들 수 있다.Preferable examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, and fluorine surfactants.

계면활성제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2015-065401호의 단락 0173~0177의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As specific examples of the surfactant, reference can be made to the description in paragraphs 0173 to 0177 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-065401, the contents of which are incorporated herein by reference.

가고정 접착제에 있어서의 계면활성제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 가고정 접착제의 전체 고형분에 대하여 0.001~5질량%가 바람직하고, 0.005~1질량%가 더 바람직하며, 0.01~0.5질량%가 특히 바람직하다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the surfactant in the temporary fixing adhesive is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.005 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% by mass, based on the total solid content of the temporary fixing adhesive, Particularly preferred. The surfactant may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of surfactants are used, the total amount is preferably in the above range.

<<불소계 액체상 화합물>><< Fluorine-based liquid phase compound >>

도포성 또는 이형성을 개량하는 관점에서, 본 발명의 가고정 접착제는, 불소계 액체상 화합물을 함유하는 것도 바람직하다.From the viewpoint of improving the coating property or releasability, the temporary fixing adhesive of the present invention preferably contains a fluorinated liquid compound.

여기에서, 액체상 화합물이란, 25℃에서 유동성을 갖는 화합물이며, 예를 들면 25℃에서의 점도가, 1~100,000mPa·s인 화합물을 의미한다.Here, the liquid phase compound means a compound having fluidity at 25 캜, for example, a compound having a viscosity at 25 캜 of 1 to 100,000 mPa..

불소계 액체상 화합물의 25℃에서의 점도는, 예를 들면 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하고, 100~15,000mPa·s가 보다 더 바람직하다. 불소계 액체상 화합물의 점도가 상기 범위이면, 접착층의 표층에 불소계 액체상 화합물이 편재되기 쉽다.The viscosity of the fluorine-based liquid phase compound at 25 占 폚 is more preferably 10 to 20,000 mPa 占 퐏, and still more preferably 100 to 15,000 mPa 占 퐏. When the viscosity of the fluorine-based liquid-phase compound is within the above range, the fluorine-based liquid compound tends to be unevenly distributed in the surface layer of the adhesive layer.

불소계 액체상 화합물은, 올리고머, 폴리머 중 어느 형태의 화합물이어도 바람직하게 이용할 수 있다. 또, 올리고머와 폴리머의 혼합물이어도 된다. 이러한 혼합물은, 모노머를 더 포함하고 있어도 된다. 또, 불소계 액체상 화합물은, 모노머여도 된다.The fluorine-based liquid phase compound may be any of oligomer and polymer compounds. It may also be a mixture of an oligomer and a polymer. Such a mixture may further contain a monomer. The fluorine-based liquid-phase compound may be a monomer.

불소계 액체상 화합물은, 내열성 등의 관점에서, 올리고머, 폴리머 및 이들의 혼합물이 바람직하다.The fluorine-based liquid phase compound is preferably an oligomer, a polymer and a mixture thereof from the viewpoint of heat resistance and the like.

올리고머, 폴리머로서는, 예를 들면 라디칼 중합체, 양이온 중합체, 음이온 중합체 등을 들 수 있고, 모두 바람직하게 이용할 수 있다. 바이닐계 중합체가 특히 바람직하다.Examples of the oligomer and polymer include a radical polymer, a cationic polymer, and an anionic polymer, all of which can be preferably used. Vinyl polymers are particularly preferred.

불소계 액체상 화합물의 중량 평균 분자량은, 500~100000이 바람직하고, 1000~50000이 보다 바람직하며, 2000~20000이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the fluorine-based liquid phase compound is preferably from 500 to 100,000, more preferably from 1,000 to 50,000, and still more preferably from 2,000 to 20,000.

불소계 액체상 화합물은, 가접착에 이용하는 기재의 처리 시에 변성되지 않는 화합물이 바람직하다. 예를 들면, 250℃ 이상에서의 가열이나, 다양한 약액으로 기재를 처리한 후에도 액체상으로서 존재할 수 있는 화합물이 바람직하다. 구체적인 일례로서는, 25℃ 상태로부터 10℃/분의 승온 조건에서 250℃까지 가열한 후, 25℃로 냉각한 후의 25℃에서의 점도가 1~100,000mPa·s인 것이 바람직하고, 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하며, 100~15,000mPa·s가 보다 더 바람직하다.The fluorine-based liquid phase compound is preferably a compound which is not denatured during the treatment of a substrate used for adhesion. For example, a compound which can be present as a liquid phase even after heating at 250 DEG C or higher or after treating the substrate with various chemical solutions is preferable. As a specific example, the viscosity at 25 ° C after heating from 250 ° C to 25 ° C at a temperature elevation rate of 10 ° C / min from 25 ° C is preferably from 1 to 100,000 mPa · s, more preferably from 10 to 20,000 mPa · s · S is more preferable, and 100 to 15,000 mPa · s is even more preferable.

이와 같은 특성을 갖는 불소계 액체상 화합물로서는, 반응성기를 갖지 않는, 비열경화성 화합물인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 반응성기란, 250℃의 가열로 반응하는 기 전반을 가리키고, 중합성기, 가수분해성기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 (메트)아크릴기, 에폭시기, 아이소사이아네이토기 등을 들 수 있다.The fluorine-based liquid phase compound having such characteristics is preferably a non-thermosetting compound having no reactive group. The term reactive group as used herein refers to the whole period of the reaction in the heating at 250 ° C, and includes a polymerizable group and a hydrolyzable group. Specific examples thereof include (meth) acrylic groups, epoxy groups, and isocyanato groups.

또, 불소계 액체상 화합물은, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 280℃ 이상이 보다 바람직하다. 또, 상한값은, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 접착층을 형성하기 쉽다. 또한, 질량 감소 온도란, 열중량 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건에서 측정한 값이다.The fluorine-based liquid-phase compound preferably has a 10% thermal mass reduction temperature at 25 ° C or higher and 20 ° C / minute at 250 ° C or higher, more preferably 280 ° C or higher. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance. The mass reduction temperature is a value measured under the temperature elevation condition under a nitrogen stream by a thermogravimetric analyzer (TGA).

불소계 액체상 화합물은, 친유기를 함유하는 것이 바람직하다. 친유기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 사이클로알킬기, 방향족기 등을 들 수 있다.The fluorine-based liquid phase compound preferably contains a lipophilic group. Examples of the lipophilic group include a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, and an aromatic group.

알킬기의 탄소수는, 2~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 12~20이 특히 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably from 2 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and particularly preferably from 12 to 20. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tetradecyl group, , Isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 1-ethylpentyl group and 2-ethylhexyl group.

알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 할로젠 원자, 알콕시기, 방향족기 등을 들 수 있다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and an aromatic group.

할로젠 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

알콕시기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알콕시기는, 직쇄 또는 분기가 바람직하다.The carbon number of the alkoxy group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkoxy group is preferably straight-chain or branched.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 가장 바람직하다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and most preferably from 6 to 10.

사이클로알킬기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 사이클로알킬기의 탄소수는, 3~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 6~20이 가장 바람직하다. 단환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다.The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and most preferably from 6 to 20. Examples of the monocyclic cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic cycloalkyl group include an adamantyl group, a norbornyl group, a vinyl group, a camphanyl group, a decahydronaphthyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoryl group, a dicyclohexyl group, .

사이클로알킬기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다.The cycloalkyl group may have the substituent described above.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 가장 바람직하다. 방향족기는, 환을 구성하는 원소에, 헤테로 원자(예를 들면, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등)를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 방향족기의 구체예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인데센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프탈렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환, 및 페나진환을 들 수 있다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and most preferably from 6 to 10. It is preferable that the aromatic group does not contain a hetero atom (for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc.) in the element constituting the ring. Specific examples of the aromatic group include a benzene ring, a naphthalene ring, a pentane ring, an indene ring, an azuren ring, a heptane ring, an indene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthalene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, A thiophene ring, a fluorene ring, a biphenyl ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophen ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, , Indole ring, benzofuran ring, benzothiophen ring, isobenzofuran ring, quinoline ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenan Triazine ring, acridine ring, phenanthroline ring, thianthrene ring, cromene ring, zanthen ring, phenoxathiine ring, phenothiazine ring, and phenanthrene ring.

방향족기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다.The aromatic group may have the substituent described above.

불소계 액체상 화합물은, 친유기를 1종만 포함하는 화합물이어도 되고, 2종 이상을 포함하고 있어도 된다. 또, 친유기는, 불소 원자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 본 발명에 있어서의 불소계 액체상 화합물은, 친유기만이 불소 원자를 포함하는 화합물이어도 된다. 또, 친유기 외에, 불소 원소를 포함하는 기(불소기라고도 함)를 더 갖는 화합물이어도 된다. 바람직하게는, 친유기와 불소기를 포함하는 화합물이다. 불소계 액체상 화합물이 친유기와 불소기를 갖는 화합물인 경우, 친유기는 불소 원자를 포함하고 있어도 되고, 포함하고 있지 않아도 되지만, 친유기는 불소 원자를 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다.The fluorine-based liquid-phase compound may be a compound containing only one kind of oil-cooling group, or may contain two or more kinds. The organic group may contain a fluorine atom. That is, the fluorine-based liquid-phase compound in the present invention may be a compound in which only a hydrophilic group contains a fluorine atom. Further, in addition to a hydrophilic group, a compound having a fluorine atom-containing group (also referred to as a fluorine group) may be used. Preferably, it is a compound containing a mineral oil and a fluorine group. When the fluorine-based liquid-phase compound is a compound having a lipophilic group and a fluorine group, the lipophilic group may or may not contain a fluorine atom, but the lipophilic group preferably contains no fluorine atom.

불소계 액체상 화합물은, 1분자 중에 친유기를 1개 이상 가지며, 2~100개 갖는 것이 바람직하고, 6~80개 갖는 것이 특히 바람직하다.The fluorine-based liquid-phase compound preferably has at least one lipophilic group in one molecule, preferably 2 to 100, particularly preferably 6 to 80.

불소기로서는, 이미 알려진 불소기를 사용할 수 있다. 예를 들면, 함불소 알킬기, 함불소 알킬렌기 등을 들 수 있다. 또한, 불소기 중, 친유기로서 기능하는 것은, 친유기에 포함되는 것으로 한다.As the fluorine group, a known fluorine group can be used. For example, fluorinated alkyl groups, fluorinated alkylene groups and the like. Among the fluorine groups, those functioning as a lipophilic group are assumed to be included in lipophilic groups.

함불소 알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~15가 보다 바람직하다. 함불소 알킬기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 에터 결합을 갖고 있어도 된다. 또, 함불소 알킬기는, 수소 원자 모두가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기여도 된다.The carbon number of the fluorinated alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and still more preferably from 1 to 15. The fluorine alkyl group may be linear, branched or cyclic. It may also have an ether bond. The fluorinated alkyl group may also be a perfluoroalkyl group in which all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

함불소 알킬렌기의 탄소수는, 2~30이 바람직하고, 2~20이 보다 바람직하며, 2~15가 보다 바람직하다. 함불소 알킬렌기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 에터 결합을 갖고 있어도 된다. 또, 함불소 알킬렌기는, 수소 원자 모두가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기여도 된다.The fluorine-containing alkylene group preferably has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and more preferably 2 to 15 carbon atoms. The fluorine-containing alkylene group may be linear, branched or cyclic. It may also have an ether bond. The fluorinated alkylene group may be a perfluoroalkylene group in which all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

불소계 액체상 화합물은, 불소 원자의 함유율이 1~90질량%인 것이 바람직하고, 2~80질량%가 보다 바람직하며, 5~70질량%가 더 바람직하다. 불소 함유율이 상기 범위이면, 박리성이 우수하다.The fluorine-based liquid-phase compound preferably has a fluorine atom content of 1 to 90 mass%, more preferably 2 to 80 mass%, and still more preferably 5 to 70 mass%. When the fluorine content is in the above range, the releasability is excellent.

불소 원자의 함유율은, "{(1분자 중의 불소 원자수×불소 원자의 질량)/1분자 중의 전체 원자의 질량}×100"으로 정의된다.The content of fluorine atoms is defined as "{(the number of fluorine atoms in one molecule x the mass of fluorine atoms) / the mass of all atoms in one molecule} x 100".

불소계 액체상 화합물은, 시판품을 이용할 수도 있다. 예를 들면, DIC사제 메가팍 시리즈의 F-251, F-281, F-477, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-563, F-565, F-567, F-568, F-571, R-40, R-41, R-43, R-94나, 네오스사제 프터젠트 시리즈의 710F, 710FM, 710FS, 730FL, 730LM을 바람직하게 들 수 있다.As the fluorine-based liquid phase compound, a commercially available product may be used. For example, F-251, F-281, F-477, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F- F-560, F-561, F-563, F-565, F-567, F-568, F-571, R-40, R-41, R- 710F, 710FM, 710FS, 730FL, and 730LM.

본 발명의 가고정 접착제에 있어서, 불소계 액체상 화합물을 이용하는 경우, 그 함유량은, 용제를 제외한 가고정 접착제의 질량에 대하여, 0.01~10질량%인 것이 바람직하고, 0.02~5질량%가 보다 바람직하다. 하한은, 0.03질량% 이상이 바람직하다. 상한은, 1질량% 이하가 바람직하고, 0.5질량% 미만이 보다 바람직하다. 불소계 액체상 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 접착성 및 박리성이 우수하다. 불소계 액체상 화합물은, 1종 단독이어도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 2종류 이상을 병용하는 경우는, 합계의 함유량이 상기 범위인 것이 바람직하다.In the temporary fixing adhesive of the present invention, when the fluorinated liquid compound is used, the content thereof is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.02 to 5% by mass, based on the mass of the temporary fixing adhesive excluding the solvent . The lower limit is preferably 0.03 mass% or more. The upper limit is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less. When the content of the fluorine-based liquid phase compound is within the above range, the adhesive property and the peeling property are excellent. The fluorinated liquid-phase compound may be used singly or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, it is preferable that the total content is in the above range.

<<그 외의 성분>><< Other Ingredients >>

본 발명에 있어서의 가고정 접착제는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 각종 첨가물, 예를 들면 가소제, 경화제, 상기 이외의 촉매, 충전제, 밀착 촉진제, 자외선 흡수제, 응집 방지제, 엘라스토머나 다른 고분자 화합물 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 각각 가고정 접착제의 전체 고형분의 3질량% 이하가 바람직하고, 1질량% 이하가 보다 바람직하다. 배합하는 경우의 하한값은, 각각 0.0001질량% 이상이 바람직하다. 또, 이들 첨가제의 합계 배합량은, 가고정 접착제의 전체 고형분의 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 3질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이들의 성분을 배합하는 경우의 합계 배합량의 하한값은, 0.0001질량% 이상이 바람직하다.The temporary fixing adhesive in the present invention may contain various additives such as a plasticizer, a curing agent, a catalyst other than the above, a filler, an adhesion promoter, an ultraviolet absorber, an aggregation inhibitor , An elastomer and other polymer compounds, and the like. When these additives are compounded, the amount thereof is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, based on the total solid content of the fixed adhesive. The lower limit value in the case of blending is preferably 0.0001 mass% or more. The total amount of these additives to be added is preferably 10 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, of the total solid content of the temporary fixing adhesive. The lower limit of the total amount of the components to be blended is preferably 0.0001 mass% or more.

본 발명에 있어서의 가고정 접착제는, 금속 등의 불순물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 접착제에 포함되는 불순물의 함유량으로서는, 1ppm 이하가 바람직하고, 1ppb 이하가 보다 바람직하며, 100ppt 이하가 더 바람직하고, 10ppt 이하가 보다 더 바람직하며, 실질적으로 포함하지 않는 것(측정 장치의 검출 한계 이하인 것)이 특히 바람직하다.The temporary fixing adhesive in the present invention preferably does not contain impurities such as metals. The content of the impurities contained in the adhesive is preferably 1 ppm or less, more preferably 1 ppb or less, more preferably 100 ppt or less, even more preferably 10 ppt or less, Is particularly preferable.

가고정 접착제로부터 금속 등의 불순물을 제거하는 방법으로서는, 예를 들면 필터를 이용한 여과를 들 수 있다. 필터 구멍 직경으로서는, 포어 사이즈 10nm 이하가 바람직하고, 5nm 이하가 보다 바람직하며, 3nm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌제, 폴리에틸렌제, 나일론제의 필터가 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종류의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종류의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 및/또는 재질이 다른 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 접착제를 복수 회 여과해도 되고, 복수 회 여과하는 공정이 순환 여과 공정이어도 된다.As a method for removing impurities such as metals from the temporary fixing adhesive, for example, filtration using a filter can be mentioned. The filter hole diameter is preferably 10 nm or less in pore size, more preferably 5 nm or less, and further preferably 3 nm or less. As the material of the filter, a filter made of polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon is preferable. The filter may be previously washed with an organic solvent. In the filter filtering step, a plurality of types of filters may be connected in series or in parallel. When a plurality of types of filters are used, filters having different hole diameters and / or different materials may be used in combination. The adhesive may be filtered a plurality of times, or a step of filtering a plurality of times may be a circulating filtration step.

또, 가고정 접착제에 포함되는 금속 등의 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 가고정 접착제를 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하고, 가고정 접착제를 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하며, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨테미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다. 가고정 접착제를 구성하는 원료에 대하여 행하는 필터 여과에 있어서의 바람직한 조건은, 상술한 조건과 동일하다.As a method for reducing the impurities such as metals contained in the temporary fixing adhesive, a raw material having a small metal content is selected as a raw material constituting the temporary fixing adhesive, the raw material constituting the temporary fixing adhesive is subjected to filter filtration, And lining the inside with polytetrafluoroethylene or the like to perform distillation under conditions in which contemination is suppressed as much as possible. Preferable conditions for the filter filtration performed on the raw material constituting the temporary fixing adhesive are the same as the above-mentioned conditions.

필터 여과 외에, 흡착재를 이용하여 불순물의 제거를 행해도 되고, 필터 여과와 흡착재를 조합하여 사용해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있고, 예를 들면 실리카젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 사용할 수 있다.In addition to filter filtration, impurities may be removed using an adsorbent, or a combination of filter filtration and adsorbent may be used. As the adsorbent, known adsorbents can be used. For example, inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon can be used.

<가고정 접착제의 조제>&Lt; Preparation of temporary fixing adhesive >

본 발명의 가고정 접착제는, 상술한 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 각 성분의 혼합은, 통상, 0℃~100℃의 범위에서 행해진다. 또, 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 여과는, 다단계로 행해도 되고, 다수회 반복해도 된다. 또, 여과한 액을 재여과할 수도 있다.The temporary fixing adhesive of the present invention can be prepared by mixing the respective components described above. The mixing of each component is usually carried out in the range of 0 ° C to 100 ° C. It is also preferable to mix the respective components and then filter them with a filter, for example. The filtration may be performed in multiple steps or repeated a plurality of times. In addition, the filtrate may be re-filtered.

필터로서는, 종래부터 여과 용도 등에 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되지 않고 이용할 수 있다. 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 불소 수지, 나일론-6, 나일론-6,6 등의 폴리아마이드계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀 수지(고밀도, 초고분자량의 폴리올레핀 수지를 포함함) 등의 소재를 이용한 필터를 들 수 있다. 이들 소재 중에서도 폴리프로필렌(고밀도 폴리프로필렌을 포함함) 및 나일론이 바람직하다.The filter is not particularly limited as long as it is conventionally used for filtration and the like. Examples of the resin include fluororesins such as polytetrafluoroethylene (PTFE), polyamide resins such as nylon-6 and nylon-6,6, polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene (PP) And a polyolefin resin). Of these materials, polypropylene (including high-density polypropylene) and nylon are preferred.

필터의 구멍 직경은, 예를 들면 0.003~5.0μm 정도가 적합하다. 이 범위로 함으로써, 여과 막힘을 억제하면서, 조성물에 포함되는 불순물이나 응집물 등, 미세한 이물을 확실히 제거하는 것이 가능해진다.The pore diameter of the filter is suitably about 0.003 to 5.0 mu m, for example. By setting this range, it becomes possible to reliably remove fine foreign matters such as impurities and aggregates contained in the composition while suppressing filtration clogging.

필터를 사용할 때, 다른 필터를 조합해도 된다. 그때, 제1 필터를 이용한 필터링은, 1회만이어도 되고, 2회 이상 행해도 된다. 다른 필터를 조합하여 2회 이상 필터링을 행하는 경우는 1회째의 필터링의 구멍 직경보다 2회째 이후의 구멍 직경이 동일하거나, 혹은 작은 것이 바람직하다. 또, 상술한 범위 내에서 다른 구멍 직경의 제1 필터를 조합해도 된다. 여기에서의 구멍 직경은, 필터 제조 회사의 공칭값을 참조할 수 있다. 시판 중인 필터로서는, 예를 들면 니혼 폴 가부시키가이샤, 어드밴텍 도요 가부시키가이샤, 니혼 인테그리스 가부시키가이샤(구 니혼 마이크롤리스 가부시키가이샤) 또는 가부시키가이샤 키츠 마이크로 필터 등이 제공하는 각종 필터 중에서 선택할 수 있다.When using a filter, other filters may be combined. At this time, the filtering using the first filter may be performed once, or may be performed two or more times. When filtering is performed two or more times in combination with other filters, it is preferable that the pore diameters of the second and subsequent pores are equal to or smaller than the pore diameters of the first filtering. The first filter having different pore diameters may be combined within the above-described range. The hole diameter here can refer to the nominal value of the filter manufacturer. As a commercially available filter, there may be selected, for example, various filters provided by Nippon Oil Corporation, Advantech Toyokawa Co., Ltd., Nippon Integrity Corporation (formerly Nihon Micro-Roller Corporation) or Kitsch Microfilter .

<가고정 접착제의 용도>&Lt; Use of temporary fixing adhesive >

본 발명의 가고정 접착제는, 접착성 및 박리성이 우수한 접착층을 형성할 수 있다. 이로 인하여, 예를 들면 디바이스 웨이퍼에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리를 실시할 때에, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 본 발명의 가고정 접착제는, 반도체 장치 제조용 가고정 접착제로서 적합하게 이용할 수 있다.The temporary fixing adhesive of the present invention can form an adhesive layer having excellent adhesive property and peeling property. Thus, for example, when a mechanical or chemical treatment is applied to a device wafer, the device wafer and the support can be stably stuck to each other, and adhesion to the device wafer can be easily released. The temporary fixing adhesive of the present invention can be suitably used as a temporary fixing adhesive for manufacturing semiconductor devices.

<접착 필름>&Lt; Adhesive film &

다음으로, 본 발명의 접착 필름에 대하여 설명한다.Next, the adhesive film of the present invention will be described.

본 발명의 접착 필름은, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층을 갖는다.The adhesive film of the present invention has an adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention.

본 발명의 접착 필름에 있어서는, 접착층의 표층에 규소계 액체상 화합물이 편재되어 있다. 이로 인하여, 박리성이 우수하다. 또, 접착층은 엘라스토머를 포함하므로, 지지체나 기재의 미세한 요철에도 추종하고 적당한 앵커 효과에 의하여, 우수한 접착성이 얻어진다. 이로 인하여, 접착성과 박리성을 양립할 수 있다.In the adhesive film of the present invention, the silicon-based liquid phase compound is localized on the surface layer of the adhesive layer. As a result, the peelability is excellent. Further, since the adhesive layer contains an elastomer, excellent adhesion can be obtained by following the fine irregularities of the support and the base material and by proper anchor effect. As a result, both adhesion and peelability can be achieved.

본 발명의 접착 필름의 접착층에 있어서는, 규소계 액체상 화합물의 농도가, 접착층 중 어느 한쪽 표면으로부터, 접착층의 두께의 5%의 범위에 있어서의 영역과, 두께 방향으로 5% 초과 50%의 범위에 있어서의 영역에서 다른 것이 바람직하다.In the adhesive layer of the adhesive film of the present invention, the concentration of the silicon-based liquid phase compound ranges from 5% to 50% of the thickness in the thickness direction from the surface of the adhesive layer to 5% It is preferable that the region is different.

접착층에 있어서의 규소계 액체상 화합물의 농도는, 예를 들면 에칭을 행하면서 X선 광전자 분광(ESCA) 측정을 행하는 방법이나, 경사 절삭과 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS) 측정을 조합하는 방법으로 측정할 수 있다.The concentration of the silicon-based liquid phase compound in the adhesive layer can be measured by, for example, a method of performing X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA) measurement while performing etching or a method of performing oblique cutting and flight time type secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) Can be measured by a combination method.

본 발명의 접착 필름은, 용제 함유율이, 1질량% 이하가 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 또한, 접착 필름의 용제 함유율은, 가스 크로마토그래피법으로 측정할 수 있다.The adhesive film of the present invention preferably has a solvent content of 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, and particularly preferably contains no solvent. The solvent content of the adhesive film can be measured by a gas chromatography method.

본 발명의 접착 필름에 있어서, 접착층의 평균 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 0.1~500μm가 바람직하고, 0.1~200μm가 보다 바람직하며, 10~200μm가 더 바람직하고, 50~200μm가 특히 바람직하다. 접착층의 평균 두께가 상기 범위이면, 평탄성이 우수한 접착 필름으로 하기 쉽다. 본 발명에 있어서, 접착층의 평균 두께는, 엘립소메트리에 의하여 5점 측정한 점의 평균값이라고 정의한다.In the adhesive film of the present invention, the average thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 500 탆, more preferably 0.1 to 200 탆, more preferably 10 to 200 탆, Particularly preferred. If the average thickness of the adhesive layer is within the above range, the adhesive film is easily formed into an excellent flatness. In the present invention, the average thickness of the adhesive layer is defined as an average value of five points measured by ellipsometry.

본 발명의 접착 필름은, 접착층 단층이어도 되고, 접착층의 편면 또는 양면에, 다른 층을 갖고 있어도 된다. 다른 층으로서는, 이형층이 예시된다.The adhesive film of the present invention may be a single layer of an adhesive layer or may have another layer on one side or both sides of the adhesive layer. As the other layer, a release layer is exemplified.

이형층의 평균 두께는, 0.001~1μm가 바람직하고, 0.01~0.5μm가 보다 바람직하다. 상기 범위이면, 접착 필름이 적당한 접착력을 가지며, 기재나 지지체와의 접착성이 양호함과 함께, 접착 필름을 기재나 지지체로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 이형층의 평균 두께는, 엘립소메트리에 의하여 5점 측정한 점의 평균값이라고 정의한다. 이형층은, 불소 원자를 함유하는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이형층의 상세는, 일본 공개특허공보 2014-066385호의 단락 0068~0145의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.The average thickness of the release layer is preferably 0.001 to 1 mu m, more preferably 0.01 to 0.5 mu m. Within this range, the adhesive film has an appropriate adhesive force, and the adhesive property to the substrate or the support is good, and the adhesive film can be easily peeled off from the substrate or the support. In the present invention, the average thickness of the release layer is defined as an average value of five points measured by ellipsometry. The releasing layer preferably contains a compound containing a fluorine atom. Details of the release layer can be found in paragraphs 0068 to 0145 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-066385, the contents of which are incorporated herein by reference.

또, 본 발명의 접착 필름은, 이형층을 갖지 않는 구성으로 해도 된다. 그것은, 본 발명에 있어서의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층 자체가 박리성을 갖고 있기 때문이다.Further, the adhesive film of the present invention may be configured so as not to have a release layer. This is because the adhesive layer itself made of the temporary fixing adhesive in the present invention has peelability.

본 발명의 접착 필름은, 접착층의 편면 또는 양면에, 이형 필름을 첩합하여, "이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다. 이 양태에 의하면, 장척 형상의 접착 필름을 롤 형상으로 권취할 때에, 접착층의 표면에 손상이 발생하거나, 보관 중에 첩부되거나 하는 트러블을 방지할 수 있다.The adhesive film of the present invention may be a "release film-adhered film" by adhering a release film to one side or both sides of the adhesive layer. According to this aspect, it is possible to prevent troubles that may occur on the surface of the adhesive layer when the long adhesive film is wound in the form of a roll, or in which the adhesive film adheres during storage.

이형 필름은, 사용할 때에 박리 제거할 수 있다. 예를 들면, 양면에 이형 필름이 첩합되어 있는 경우에 있어서는, 편면의 이형 필름을 박리하고, 접착면을 기재나 지지체 등에 래미네이팅한 후에, 남은 이형 필름을 박리함으로써, 시트면의 청정을 가능한 한 유지할 수 있다.The release film can be peeled and removed in use. For example, in the case where the releasing film is adhered to both sides, the release film on one side is peeled off, the adhesive surface is laminated on the base material or the support, and the remaining release film is peeled off, One can keep.

<접착 필름의 제조 방법>&Lt; Method of producing adhesive film &

본 발명의 접착 필름은, 종래 공지의 방법에 의하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 용융 제막법, 용액 제막법 등에 의하여 제조할 수 있다.The adhesive film of the present invention can be produced by a conventionally known method. For example, it can be produced by a melt film formation method, a solution film formation method, or the like.

용융 제막법은, 원료 조성물을 가열시켜 용융함으로써 유동성을 실현하고, 이 융액을 압출 성형 장치나 사출 성형 장치를 사용하여 시트 형상으로 하여, 냉각함으로써 필름(시트)을 얻는 방법이다.The melt film-forming method is a method for obtaining a film (sheet) by realizing fluidity by heating and melting a raw material composition, forming the melt into a sheet form using an extrusion molding apparatus or an injection molding apparatus, and cooling the melt.

압출 성형법에서는, 롤 형상의 장척 필름을 얻을 수 있다. 사출 성형법에서는 장척 필름을 얻는 것은 어렵지만 높은 막두께 정밀도가 얻어진다. 다른 첨가제도 혼합, 용융, 교반함으로써 첨가할 수 있다. 이 필름의 편면 또는 양면에 이형 필름을 첩합하여, "이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다.In the extrusion molding method, a roll-shaped long film can be obtained. In the injection molding method, it is difficult to obtain a long film, but a high film thickness precision is obtained. Other additives may be added by mixing, melting and stirring. A release film may be laminated on one or both sides of the film to form a "release film-adhered film ".

용액 제막법은, 원료 조성물을 용제로 용해함으로써 유동성을 실현하고, 이 용액을 필름이나 드럼이나 밴드 등의 지지체에 도공하여 시트 형상으로 하여, 건조함으로써 필름(시트)을 얻는 방법이다. 도공하기 위해서는, 슬릿 형상의 개구로부터 용액을 압력으로 압출하여 도공하는 방법, 그라비어나 아닐록스 롤러로 용액을 전사하여 도공하는 방법, 스프레이나 디스펜서로부터 용액을 토출시키면서 주사하여 도공하는 방법, 용액을 탱크에 모아 그 중에 필름이나 드럼이나 밴드를 통과시킴으로써 딥 도공하는 방법, 와이어 바로 용액을 압류(押流)시키면서 긁어냄으로써 도공하는 방법 등을 들 수 있다. 다른 첨가제도 용해하여 혼합, 교반한 용액을 사용함으로써 첨가할 수 있다. 지지체에 용액을 도공한 후에, 건조하여 고체화한 시트가 된 후, 시트를 지지체로부터 기계적으로 박리함으로써, 단일체의 필름(시트)을 얻을 수 있다. 박리하기 쉽도록, 미리 지지체 상에 이형성을 부여하는 처리로서, 이형층의 도포, 침지 처리, 가스 처리, 전자파 조사 처리, 플라즈마 조사 처리 등을 행해도 된다. 혹은, 필름을 지지체로부터 박리하지 않고 그대로 남겨, 필름 지지체 상에 시트가 접착한 상태인 채로, "이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다. 이러한 처리를 연속적으로 행함으로써, 롤 형상의 장척 필름을 얻을 수 있다. 또, 접착 필름의 양면에, 이형 필름을 첩합하여 , "양면 이형 필름 부착 시트"로 해도 된다.The solution film-forming method is a method of obtaining a film (sheet) by realizing fluidity by dissolving a raw material composition in a solvent and coating the solution on a support such as a film, a drum or a band to form a sheet and drying. For coating, there are a method of extruding the solution from the slit-shaped opening by pressure and coating the solution, a method of transferring the solution by gravure or anilox roller to coat the solution, a method of coating by spraying the solution while spraying the solution from the dispenser, A method in which a film, a drum or a band is passed through it, a method in which the film is dipped, a method in which the film is coated by scraping while a wire bar solution is pushed out, and the like. Other additives may also be added to the solution by dissolving and mixing and stirring. After the solution is coated on the support and dried to give a solidified sheet, the sheet can be mechanically peeled off from the support to obtain a single film (sheet). As the treatment for imparting releasability to the support in advance, the release layer may be applied, immersed, gas treated, electromagnetic wave irradiated, plasma irradiated, or the like so as to facilitate peeling. Alternatively, the film may be left as it is without being peeled from the support, and the adhesive film with the release film may be left while the sheet is adhered on the film support. By performing such treatment continuously, a roll-shaped long film can be obtained. Alternatively, a release film may be laminated on both sides of the adhesive film to form a "double-side release film-attached sheet ".

<접착성 지지체><Adhesive Support>

다음으로, 본 발명의 접착성 지지체에 대하여 설명한다.Next, the adhesive support of the present invention will be described.

본 발명의 접착성 지지체는, 지지체와, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층을 갖는다. 접착층은, 엘라스토머로서, 상술한 엘라스토머 X와 엘라스토머 Y를 포함하는 것이 바람직하다.The adhesive support of the present invention has a support and an adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention. The adhesive layer preferably includes the above-described elastomer X and elastomer Y as the elastomer.

접착층의 평균 두께는, 용도에 따라 다르지만, 예를 들면 0.1~500μm가 바람직하다.The average thickness of the adhesive layer varies depending on the application, but is preferably 0.1 to 500 mu m, for example.

접착층은, 지지체 표면에, 본 발명의 가고정 접착제를, 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등을 이용하여 도포하고, 건조(베이크)함으로써 형성할 수 있다. 건조는, 예를 들면 60~150℃에서, 10초~2분 행한다. 이 경우의 접착층의 평균 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 1~100μm가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다.The adhesive layer is formed by applying the temporary fixing adhesive of the present invention onto the surface of the support using a spin coating method, a spraying method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method, a dipping method, or the like, followed by drying . The drying is carried out, for example, at 60 to 150 ° C for 10 seconds to 2 minutes. The average thickness of the adhesive layer in this case is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 m, more preferably 1 to 10 m, for example.

또, 접착층은, 지지체 상에, 상술한 본 발명의 접착 필름을 래미네이팅하여 형성할 수도 있다. 접착 필름을 사용하여 접착층을 형성함으로써, 용제에 대한 용해성이 나쁜 엘라스토머 등의 재료를 이용해도 접착층을 형성할 수 있기 때문에, 내열성이나 내약품성이 우수한 접착층을 형성하기 쉽다. 또, 10μm 이상의 후막의 접착층을 두께 편차없이 평탄하게 제작할 수 있다. 이 경우의 접착층의 평균 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 0.1~200μm가 바람직하고, 10~200μm가 보다 바람직하며, 50~200μm가 특히 바람직하다.The adhesive layer may be formed on the support by laminating the above-mentioned adhesive film of the present invention. By forming an adhesive layer using an adhesive film, an adhesive layer can be formed even by using a material such as an elastomer having poor solubility in a solvent, so that an adhesive layer having excellent heat resistance and chemical resistance can be easily formed. In addition, the thick adhesive layer of 10 탆 or more can be made flat without any variation in thickness. The average thickness of the adhesive layer in this case is not particularly limited. For example, the average thickness is preferably 0.1 to 200 占 퐉, more preferably 10 to 200 占 퐉, and particularly preferably 50 to 200 占 퐉.

접착 필름을 이용하여 지지체 상에 접착층을 형성하기 위해서는, 예를 들면 접착 필름을 진공 래미네이터에 셋팅하여, 본 장치에서 접착 필름을 지지체 상에 위치시키고, 진공하에서, 접착 필름과 지지체를 접촉시켜, 롤러 등으로 압착하여 접착 필름을 지지체에 고정(적층)하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 지지체에 고정된 접착 필름(접착층)은, 예를 들면 원형 형상 등, 원하는 형상으로 절단해도 된다.In order to form an adhesive layer on a support using an adhesive film, for example, an adhesive film is set on a vacuum laminator, the adhesive film is placed on the support in this apparatus, the adhesive film and the support are brought into contact with each other under vacuum, And a method of fixing (laminating) the adhesive film to a support by pressing with a roller or the like. The adhesive film (adhesive layer) fixed to the support may be cut into a desired shape such as a circular shape.

본 발명의 접착성 지지체에 있어서, 접착층은, 규소계 액체상 화합물의 농도가, 지지체의 반대측의 표면으로부터 접착층의 두께 방향으로 5%의 범위에 있어서의 영역이, 지지체의 반대측의 표면으로부터 접착층의 두께 방향으로 5% 초과 50%의 범위에 있어서의 영역보다 높게 되어 있는 것이 바람직하다. 이 양태에 의하면, 접착성 지지체를 디바이스 웨이퍼 등의 기재에 가접착한 후, 디바이스 웨이퍼로부터 박리할 때에 있어서, 박리성이 향상된다. 나아가서는, 기재나 디바이스 웨이퍼 등의 표면으로부터 접착층을 기계 박리 등의 방법으로 용이하게 제거할 수 있다.In the adhesive support of the present invention, the adhesive layer is formed such that the concentration of the silicon-based liquid phase compound in the range of 5% from the surface on the opposite side of the support to the thickness direction of the adhesive layer is larger than the thickness of the adhesive layer Direction is higher than the range in the range of more than 5% and 50%. According to this aspect, when the adhesive support is adhered to a substrate such as a device wafer and then peeled off from the device wafer, the peelability is improved. Further, the adhesive layer can be easily removed from the surface of the substrate or the device wafer by a method such as mechanical peeling.

규소계 액체상 화합물의 농도는, 지지체의 반대측의 표면으로부터 접착층의 두께 방향으로 5%의 범위에 있어서의 영역이, 지지체의 반대측의 표면으로부터 접착층의 두께 방향으로 5% 초과 50%의 범위에 있어서의 영역보다 10질량% 이상 많은 것이 바람직하고, 30질량% 이상 많은 것이 보다 바람직하다.The concentration of the silicon-based liquid phase compound is such that the area in the range of 5% in the thickness direction of the adhesive layer from the surface on the opposite side of the support is larger than 5% and 50% in the thickness direction of the adhesive layer from the surface opposite to the support By mass or more, more preferably 30% by mass or more.

본 발명의 접착성 지지체에 있어서, 지지체(캐리어 지지체라고도 함)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 실리콘 기판, 유리 기판, 금속 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반도체 장치의 기판으로서 대표적으로 이용되는 실리콘 기판을 오염시키기 어려운 점이나, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 범용되고 있는 정전 척을 사용할 수 있는 점 등을 감안하면, 실리콘 기판인 것이 바람직하다.In the adhesive support of the present invention, the support (also referred to as carrier support) is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, and a compound semiconductor substrate. Among them, a silicon substrate is preferable in view of the fact that it is difficult to contaminate a silicon substrate which is typically used as a substrate of a semiconductor device, and an electrostatic chuck generally used in a semiconductor device manufacturing process can be used.

지지체의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 300μm~100mm가 바람직하고, 300μm~10mm가 보다 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably 300 탆 to 100 mm, more preferably 300 탆 to 10 mm, for example.

지지체는, 그 표면에 이형층을 갖는 것이어도 된다. 즉, 지지체는, 실리콘 기판 등의 기판의 표면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체여도 된다.The support may have a release layer on its surface. That is, the support may be a release layer adherend having a release layer on the surface of a substrate such as a silicon substrate.

이형층으로서는, 불소 원자 및/또는 규소 원자를 포함하는 저표면 에너지층이 바람직하고, 불소 원자 및/또는 규소 원자를 포함하는 재료를 갖는 것이 바람직하다. 이형층의 불소 함유율은, 30~80질량%가 바람직하고, 40~76질량%가 보다 바람직하며, 60~75질량%가 특히 바람직하다.As the release layer, a low surface energy layer containing a fluorine atom and / or a silicon atom is preferable, and it is preferable to have a material containing a fluorine atom and / or a silicon atom. The fluorine content of the release layer is preferably 30 to 80 mass%, more preferably 40 to 76 mass%, and particularly preferably 60 to 75 mass%.

이형층의 재료로서는, 상술한 접착 필름의 표층에 형성되어 있어도 되는 이형층과 동일한 것을 이용할 수 있다.As the material of the release layer, the same material as the release layer which may be formed on the surface layer of the above-mentioned adhesive film can be used.

<적층체><Laminate>

다음으로, 본 발명의 적층체에 대하여 설명한다. 본 발명의 적층체는, 지지체와, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과, 기재를 갖는다.Next, the laminate of the present invention will be described. The laminate of the present invention comprises a support, an adhesive layer comprising the temporary fixing adhesive of the present invention, and a substrate.

이하, 도 1 및 2에 따라 본 발명의 적층체의 바람직한 실시형태를 설명한다. 본 발명의 적층체의 실시형태가 이들에 한정되는 것이 아닌 것은 말할 필요도 없다. 또한, 도 1 및 도 2에 있어서, 1은 기재를, 2는 지지체를, 3, 3A, 3B는, 각각 접착층을 나타내고 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the laminate of the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. It goes without saying that the embodiment of the laminate of the present invention is not limited to these. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a substrate, 2 denotes a support, and 3, 3A and 3B denote adhesive layers, respectively.

본 발명의 적층체의 제1 실시형태는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 접착층(3)이 지지체(2)의 표면에 위치하고, 기재(1)가 접착층(3)의 지지체와는 반대측의 표면에 위치하는 양태이다. 이와 같이, 기재와 지지체의 사이에 접착층(3)을 가지며, 접착층(3)이 기재 및 지지체에 접하여 이루어지는 것이 적층체 형성의 스루풋을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다. 즉, 적층체에 있어서, 기재와 지지체의 사이에는, 상술한 이형층을 포함하지 않고, 접착층뿐인 양태가 예시된다.1, the adhesive layer 3 is placed on the surface of the support 2 and the substrate 1 is bonded to the surface of the adhesive layer 3 opposite to the support . In this way, it is preferable that the adhesive layer 3 is provided between the base material and the support and the adhesive layer 3 is in contact with the base material and the support in that the throughput of the laminate formation can be improved. That is, in the laminate, an embodiment in which only the adhesive layer is provided between the substrate and the support without including the release layer is exemplified.

제1 실시형태에 있어서는, 지지체와 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과의 박리 강도 A와, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과 기재와의 박리 강도 B는, 이하의 식 (1) 및 식 (2)를 충족시키는 것이 바람직하다.In the first embodiment, the peel strength A between the support and the adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention and the peel strength B between the adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention and the substrate satisfy the following formulas (1) and It is preferable to satisfy the expression (2).

A<B ····식 (1)A <B ... (1)

B≤4N/cm ····식 (2)B? 4 N / cm ... (2)

박리 강도 A 및 박리 강도 B가 상기 식 (1)의 관계를 충족시킴으로써, 기재로부터 지지체를 박리할 때에, 지지체와 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과의 계면으로부터 박리할 수 있다.By satisfying the relationship of the above formula (1), the peel strength A and the peel strength B can be peeled from the interface between the support and the adhesive layer comprising the temporary fixing adhesive of the present invention when peeling off the support from the substrate.

그리고, 박리 강도 B가 상기 식 (2)의 관계를 충족시킴으로써, 접착층을 필름 형상인 상태로 기재 표면으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 즉, 접착층을 기계 박리에 의하여 간단하게 박리할 수 있다.By satisfying the relationship of the above formula (2), the peeling strength B can easily peel off the adhesive layer from the substrate surface in a film-like state. That is, the adhesive layer can be easily peeled off by mechanical peeling.

상기 박리 강도 B는 3N/cm 이하가 바람직하고, 2N/cm 이하가 보다 바람직하다.The peel strength B is preferably 3 N / cm or less, more preferably 2 N / cm or less.

또한, 본 발명에 있어서의 박리 강도는, 90° 방향으로 끌어올렸을 때에 가해지는 강도를 측정한 값이다. 박리 강도 A는 기재를 고정하고, 지지체의 단부를 90° 방향으로, 50mm/min의 속도로 끌어올렸을 때에 가해지는 힘을 나타낸다. 박리 강도 B는, 기재를 고정하고, 필름 형상의 접착층을 90° 방향으로 50mm/min의 속도로 끌어올렸을 때에 가해지는 힘을 나타낸다.The peel strength in the present invention is a value obtained by measuring the strength applied when pulled up in the 90 占 direction. The peel strength A represents the force applied when the substrate is fixed and the end portion of the support is pulled up at a rate of 50 mm / min in the 90 占 direction. The peel strength B represents the force applied when the base material is fixed and the film-like adhesive layer is pulled up at a rate of 50 mm / min in the 90 占 direction.

본 발명의 적층체에 대해서는, 기재로부터 지지체를 박리할 때에, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층이 기재와 접착층의 계면으로부터 박리되어, 기재의 접착층과의 박리면의 면적의 50% 이상의 범위에 있어서, 상기 규소계 액체상 화합물의 잔사가 부착되어 있거나, 혹은 접착층이 지지체와 접착층의 계면으로부터 박리되어, 지지체의 접착층의 박리면의 면적의 50% 이상의 범위에 있어서, 상기 규소계 액체상 화합물의 잔사가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 또, 엘라스토머에서 유래한 잔사는, 상기 박리면의 면적의 50% 이상의 범위에 있어서 부착되어 있지 않는 것이 바람직하고, 99% 이상의 범위에 있어서 부착되어 있지 않는 것이 보다 바람직하다.In the laminate of the present invention, when the support is peeled off from the substrate, the adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention is peeled from the interface between the substrate and the adhesive layer to be in a range of 50% Based liquid phase compound is present or the adhesive layer is peeled off from the interface between the support and the adhesive layer so that the residue of the silicon-based liquid phase compound is in the range of 50% or more of the area of the release surface of the adhesive layer of the support It is preferable that it is attached. It is preferable that the residue derived from the elastomer is not adhered in a range of 50% or more of the area of the release surface, and more preferably, it is not adhered in a range of 99% or more.

규소계 액체상 화합물의 잔사, 및 엘라스토머에서 유래한 잔사는, 육안, 광학 현미경, 주사형 전자 현미경, X선 광전자 분광 등으로 관측할 수 있지만, 본 발명에서는 특히, 박리면을 X선 광전자 분광에 의하여 측정한 것으로 한다.The residue of the silicon-based liquid phase compound and the residue derived from the elastomer can be observed with the naked eye, optical microscope, scanning electron microscope, X-ray photoelectron spectroscopy or the like. In the present invention, however, Shall be measured.

또한, 본 명세서에 있어서, "규소계 액체상 화합물의 잔사"는, 접착층의 규소계 액체상 화합물 성분이며, "엘라스토머에서 유래한 잔사"란, 접착층의 엘라스토머 성분을 의미한다.In the present specification, the term " residue of the silicon-based liquid phase compound "is a silicon-based liquid phase compound component of the adhesive layer, and the term" residue derived from an elastomer "means an elastomer component of the adhesive layer.

본 발명의 적층체는, 상술한 본 발명의 접착성 지지체의, 접착층이 형성된 측면과, 기재를 가열 압착함으로써 제조할 수 있다. 가압 접착 조건은, 예를 들면 온도 100~200℃, 압력 0.01~1MPa, 시간은 1~15분이 바람직하다.The laminate of the present invention can be produced by hot-pressing the side of the above-described adhesive support of the invention on which the adhesive layer is formed and the substrate. The pressure bonding conditions are, for example, a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 0.01 to 1 MPa, and a time of 1 to 15 minutes.

본 발명의 적층체의 제2 실시형태는, 도 2에 나타내는 양태이며, 지지체(2)와, 접착층(3A)과, 기재(1)가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 지지체(2)와 접착층(3A)의 사이에, 접착층(3A)과는 조성이 다른 제2 접착층(3B)을 갖는 양태이다. 본 실시형태에 있어서는, 기재(1)와 접착층(3A), 접착층(3A)과 제2 접착층(3B), 제2 접착층(3B)과 지지체(2)는, 표면에 있어서 접하고 있는 것이 바람직하다.The second embodiment of the laminate of the present invention is an embodiment shown in Fig. 2, in which the support 2, the adhesive layer 3A and the substrate 1 are laminated in this order, A second adhesive layer 3B having a composition different from that of the adhesive layer 3A is provided between the adhesive layers 3A. In the present embodiment, it is preferable that the substrate 1 and the adhesive layer 3A, the adhesive layer 3A and the second adhesive layer 3B, the second adhesive layer 3B, and the support 2 are in contact with each other on the surface.

제2 실시형태와 같이, 접착층을 2층 이상으로 함으로써, 지지체와 기재를 양호한 매립성으로(공극이 없게) 첩합하기 쉽다는 이점이 있다. 특히, 지지체(2)측에, 접착층(3B)을 마련하고, 기재(1)측에 제2 접착층(3A)을 마련하여, 이들을 첩합함으로써, 매립성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.As in the case of the second embodiment, there is an advantage that two or more adhesive layers make it possible to easily bond the substrate and the substrate to each other with good filling properties (no voids). Especially, the filling property can be improved more effectively by providing the adhesive layer 3B on the side of the support 2 and providing the second adhesive layer 3A on the side of the substrate 1 and bonding them together.

본 발명의 적층체의 제3 실시형태는, 지지체(2)와, 접착층(3A)과, 기재(1)가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 접착층(3A)과 기재의 사이에 접착층과는 조성이 다른 제2 접착층을 갖는 양태이다. 본 실시형태에 있어서는, 지지체(2)와 접착층(3A), 접착층(3A)과 제2 접착층(3B), 제2 접착층(3B)과 기재는, 표면에 있어서 접하고 있는 것이 바람직하다.The third embodiment of the laminate of the present invention is characterized in that the support 2, the adhesive layer 3A and the substrate 1 are laminated in this order and the adhesive layer between the adhesive layer 3A and the substrate And a second adhesive layer having a different composition. In the present embodiment, it is preferable that the support 2 and the adhesive layer 3A, the adhesive layer 3A, the second adhesive layer 3B, and the second adhesive layer 3B are in contact with the surface.

다음으로, 제2 및 제3 실시형태에 있어서의 제2 접착층을 상세하게 설명한다. 제2 접착층(3B)은, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층(3A)과는 조성이 다른 접착층인 한 특별히 정하는 것은 아니다. 따라서, 제2 접착층(3B)도, 본 발명의 가고정 접착제와 동일한 구성 성분으로 이루어지는 접착층이어도 된다. 단, 이 경우는, 접착층(3A)과 접착층(3B)은, 서로 조성이 다르다.Next, the second adhesive layer in the second and third embodiments will be described in detail. The second adhesive layer 3B is not particularly limited as long as it is an adhesive layer different in composition from the adhesive layer 3A made of the temporary fixing adhesive of the present invention. Therefore, the second adhesive layer 3B may also be an adhesive layer composed of the same constituent components as the temporary fixing adhesive of the present invention. In this case, however, the adhesive layer 3A and the adhesive layer 3B have different compositions from each other.

본 발명에서는, 제2 접착층이, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 접착층을 이용함으로써, 접착성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 접착층에 있어서의, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량은, 접착층에 포함되고, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량의 10질량% 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 제2 접착층을 채용함으로써, 박리 계면을 보다 조정하기 쉬워진다.In the present invention, it is preferable that the second adhesive layer contains an elastomer X containing 50% by mass or more and 95% by mass or less of the repeating units derived from styrene in the total repeating units. By using such an adhesive layer, the adhesiveness can be further improved. The content of the compound containing silicon atoms in a liquid phase at 25 占 폚 in the second adhesive layer is preferably 10% by mass or less of the content of the compound containing silicon atoms in the liquid phase at 25 占 폚 desirable. By adopting such a second adhesive layer, it is easier to adjust the peeling interface.

예를 들면, 기재(디바이스 웨이퍼)/제2 접착층/본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층/지지체(캐리어)에 있어서, 기재와 제2 접착층의 사이를 박리하는 데 필요한 힘이, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과 지지체의 사이를 박리하는 데 필요한 힘보다 크게 하면, 지지체와 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 접착층의 사이에서 박리시킬 수 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 박리가 더 용이해진다.For example, in the adhesive layer / support (carrier) composed of the base material (device wafer) / second adhesive layer / temporary fixing adhesive of the present invention, the force required for peeling between the base material and the second adhesive layer, If the force necessary to peel off the adhesive layer made of the positive adhesive and the support is larger than the force necessary to peel off the adhesive layer made of the positive adhesive and the support, peeling can be performed between the support and the adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention. With such a constitution, the peeling becomes easier.

또, 본 발명에 있어서의 제2 접착층은, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 웨이퍼의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.The second adhesive layer in the present invention preferably contains an elastomer Y containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units. With such a configuration, the warpage of the wafer can be effectively suppressed.

제2 접착층에 있어서의, 엘라스토머 X 및 엘라스토머 Y와, 그 배합 비율은, 본 발명의 가고정 접착제의 항목에서 설명한 것과 동의이며 바람직한 범위도 동일하다. 또, 제2 접착층에도, 본 발명의 가고정 접착제의 항목에서 설명한 각종 첨가제 등을 배합해도 된다.The mixing ratio of the elastomer X and the elastomer Y in the second adhesive layer is the same as that described in the item of the temporary fixing adhesive of the present invention, and the preferable range is also the same. The second adhesive layer may also be blended with various additives described in the item of the temporary fixing adhesive of the present invention.

본 발명의 적층체의 제4 실시형태는, 제1~제3 실시형태에 있어서, 또 다른 층을 갖는 양태이다. 또 다른 층으로서는, 이형층, 박리층 혹은 분리층으로 불리는 층이 예시된다. 박리층으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2014-212292호의 단락 0025~0055의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 분리층으로서는, 국제 공개공보 WO2013/065417호의 단락 0069~0124의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.The fourth embodiment of the laminate of the present invention is an embodiment having another layer in the first to third embodiments. As another layer, a layer called a release layer, a release layer or a separation layer is exemplified. As the release layer, reference can be made, for example, to paragraphs 0025 to 0055 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-212292, the contents of which are incorporated herein by reference. As the separation layer, reference can be made to the description of paragraphs 0069 to 0124 of International Publication No. WO2013 / 065417, the content of which is incorporated herein by reference.

기재는, 디바이스 웨이퍼가 바람직하게 이용된다. 디바이스 웨이퍼는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등을 들 수 있다.The substrate is preferably a device wafer. The device wafer can be any known one without limitation, and examples thereof include a silicon substrate and a compound semiconductor substrate. Specific examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate and the like.

디바이스 웨이퍼의 표면에는, 기계 구조나 회로가 형성되어 있어도 된다. 기계 구조나 회로가 형성된 디바이스 웨이퍼로서는, 예를 들면 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 파워 디바이스, 이미지 센서, 마이크로 센서, 발광 다이오드(LED), 광학 디바이스, 인터포저, 매립형 디바이스, 마이크로 디바이스 등을 들 수 있다.A mechanical structure or a circuit may be formed on the surface of the device wafer. As a device wafer on which a mechanical structure or a circuit is formed, a device wafer such as MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), a power device, an image sensor, a microsensor, a light emitting diode (LED), an optical device, an interposer, a buried device, .

디바이스 웨이퍼는, 금속 범프 등의 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 표면에 그와 같은 구조를 갖고 있는 디바이스 웨이퍼에 대해서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 구조의 높이는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1~150μm가 바람직하고, 5~100μm가 보다 바람직하다.The device wafer preferably has a structure such as a metal bump. According to the present invention, a device wafer having such a structure on the surface can be stably bonded, and adhesion of the device wafer to the device wafer can be easily released. The height of the structure is not particularly limited, but is preferably 1 to 150 mu m, more preferably 5 to 100 mu m.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하기 전의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 500μm 이상이 바람직하고, 600μm 이상이 보다 바람직하며, 700μm 이상이 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면 2000μm 이하가 바람직하고, 1500μm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the device wafer before mechanical or chemical treatment is preferably 500 탆 or more, more preferably 600 탆 or more, and more preferably 700 탆 or more. The upper limit is preferably, for example, 2000 占 퐉 or less, more preferably 1500 占 퐉 or less.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 박막화한 후의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 예를 들면 500μm 미만이 바람직하고, 400μm 이하가 보다 바람직하며, 300μm 이하가 더 바람직하다. 하한은, 예를 들면 1μm 이상이 바람직하고, 5μm 이상이 보다 바람직하다.The thickness of the device wafer after thinning by mechanical or chemical treatment is preferably, for example, less than 500 mu m, more preferably 400 mu m or less, and further preferably 300 mu m or less. The lower limit is preferably 1 m or more, for example, and more preferably 5 m or more.

본 발명의 적층체에 있어서, 지지체(캐리어 지지체)로서는, 상술한 접착성 지지체에서 설명한 지지체와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the laminate of the present invention, the support (carrier support) is in agreement with the support described in the above-mentioned adhesive support, and the preferable range is also the same.

또, 기재 상에 접착층(3A), 지지체 상에 접착층(3B)을 각각 마련하여 접착시켜도 된다. 이 경우, 접착층(3A)과 접착층(3B)은 동일해도 되고 달라도 된다. 다른 경우, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 종류를 변경하거나, 혹은 친유기 및 불소 원자를 함유하는 화합물 등의 그 외 첨가제의 종류나 첨가량을 변경함으로써, 박리 선택성(기재 계면과 지지체 계면의 박리 선택성)이나 박리력을 적절히 조정할 수 있다.Alternatively, the adhesive layer 3A may be provided on the substrate and the adhesive layer 3B may be provided on the substrate and adhered. In this case, the adhesive layer 3A and the adhesive layer 3B may be the same or different. In other cases, the peeling selectivity (peeling selectivity between the substrate interface and the support interface) and the peeling selectivity can be improved by changing the kind of the compound containing the silicon atom, or by changing kinds and addition amounts of other additives such as a compound containing a hydrophilic group and a fluorine atom The peeling force can be appropriately adjusted.

또, 지지체와 기재의 사이에, 상술한 본 발명의 접착 시트를 배치하고, 가열 압착하여 제조할 수도 있다.Alternatively, the above-described adhesive sheet of the present invention may be disposed between the support and the substrate, followed by hot pressing.

또, 본 발명의 적층체는, 지지체 및 기재의 한쪽에, 본 발명의 가고정 접착제를 이용하여 접착층을 형성하고, 지지체 및 기재의 다른 쪽에, 본 발명의 가고정 접착제, 또는 상술한 다른 가고정 접착제를 이용하여 접착층을 형성하며, 지지체 및 기재의 접착층을 형성한 면끼리를 가열 압착하여 제조할 수도 있다. 이 방법에 의하면, 접착층끼리를 첩합하므로, 지지체와 기재를 양호한 매립성으로 첩합할 수 있다.The laminate of the present invention can be obtained by forming an adhesive layer on one side of a support and a substrate using the temporary fixing adhesive of the present invention and applying the temporary fixing adhesive of the present invention or the above- The adhesive layer may be formed using an adhesive, and the surfaces on which the adhesive layer of the substrate and the substrate are formed may be heated and pressed. According to this method, since the adhesive layers are bonded to each other, the substrate and the substrate can be bonded with good filling property.

또한, 본 발명의 적층체는, 지지체 및 기재의 한쪽에, 본 발명의 가고정 접착제와 상술한 다른 가고정 접착제를 이용하여, 접착층(3A)과 접착층(3B)을 각각 1층 이상 포함하는 접착층을 형성하고, 접착층 상에 지지체 및 기재의 다른 쪽을 배치하며, 지지체와 기재를 가열 압착하여 제조할 수도 있다.The laminate of the present invention can be obtained by laminating an adhesive layer containing one or more adhesive layers (3A) and an adhesive layer (3B) on one side of a support and a substrate using the temporary fixing adhesive of the present invention and another temporarily fixed adhesive And the other of the substrate and the substrate is disposed on the adhesive layer, and the substrate and the substrate are heat-pressed.

<반도체 장치의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>

<<제1 실시형태>>&Lt; First Embodiment &gt;

이하, 적층체를 제조하는 공정을 거친 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태에 대하여, 도 3을 함께 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, one embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device through a step of manufacturing a laminate will be described with reference to FIG. The present invention is not limited to the following embodiments.

도 3(A)~(E)는, 각각 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도(도 3(A), (B)), 지지체에 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태(도 3(C)), 지지체와 디바이스 웨이퍼를 박리한 상태(도 3(D)), 디바이스 웨이퍼로부터 접착층을 제거한 후의 상태(도 3(E))를 나타내는 개략 단면도이다.3 (A) to 3 (E) are schematic cross-sectional views (Figs. 3A and 3B) for explaining adherence between a support and a device wafer, a state in which a device wafer adhered to a support is thin (FIG. 3 (C)), a state in which the support and the device wafer are peeled off (FIG. 3 (D)), and a state after the adhesive layer is removed from the device wafer (FIG.

이 실시형태에서는, 도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 먼저, 지지체(12)에 접착층(11)이 마련되어 이루어지는 접착성 지지체(100)가 준비된다.In this embodiment, as shown in Fig. 3 (A), first, an adhesive supporting body 100 in which an adhesive layer 11 is provided on a supporting body 12 is prepared.

접착층(11)은, 실질적으로 용제를 포함하지 않는 양태인 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer 11 is an embodiment that does not substantially contain a solvent.

디바이스 웨이퍼(60)(기재)는, 실리콘 기판(61)의 표면(61a)에 복수의 디바이스 칩(62)이 마련되어 이루어진다.The device wafer 60 (base material) is formed by providing a plurality of device chips 62 on the surface 61a of the silicon substrate 61. [

실리콘 기판(61)의 두께는, 예를 들면 200~1200μm가 바람직하다. 디바이스 칩(62)은 예를 들면 금속 구조체인 것이 바람직하고, 높이는 10~100μm가 바람직하다.The thickness of the silicon substrate 61 is preferably 200 to 1200 占 퐉, for example. The device chip 62 is preferably, for example, a metal structure, and the height is preferably 10 to 100 mu m.

접착층(11)을 형성시키는 과정에서, 지지체(12)나 디바이스 웨이퍼(60)의 이면 등을 용제로 세정하는 공정을 마련해도 된다. 구체적으로는, 지지체(12)나 디바이스 웨이퍼(60)의 단부면 및 이면에 부착된 접착층의 잔사를, 접착층이 용해되는 용제를 이용하여 제거함으로써, 장치의 오염을 방지할 수 있고, 박형화 디바이스 웨이퍼의 TTV(Total Thickness Variation)를 저하시킬 수 있다. 지지체(12)나 디바이스 웨이퍼(60)의 이면 등을 용제로 세정하는 공정에 이용하는 용제로서는, 상술한 가고정 접착제에 포함되는 용제를 사용할 수 있다.In the process of forming the adhesive layer 11, a step of cleaning the back surface of the support 12 or the device wafer 60 with a solvent may be provided. Concretely, it is possible to prevent the apparatus from being contaminated by removing the residue of the adhesive layer adhered to the end faces and back faces of the support 12 and the device wafer 60 by using a solvent in which the adhesive layer is dissolved, The TTV (Total Thickness Variation) As the solvent used in the step of cleaning the back side of the support 12 or the device wafer 60 with a solvent, a solvent included in the temporary fixing adhesive described above may be used.

이어서, 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 접착성 지지체(100)와 디바이스 웨이퍼(60)를 압착시켜, 지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착시킨다.Subsequently, as shown in Fig. 3 (B), the adhesive support 100 and the device wafer 60 are pressed together, and the support 12 and the device wafer 60 are bonded together.

접착층(11)은, 디바이스 칩(62)을 완전하게 덮고 있는 것이 바람직하고, 디바이스 칩의 높이가 Xμm, 접착층의 두께가 Yμm인 경우, "X+100≥Y>X"의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer 11 completely covers the device chip 62. When the height of the device chip is X m and the thickness of the adhesive layer is Y m, it is preferable that the adhesive layer 11 satisfies the relationship of "X + 100 & desirable.

접착층(11)이 디바이스 칩(62)을 완전하게 피복하고 있는 것은, 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV(Total Thickness Variation)를 보다 저하시키고자 하는 경우(즉, 박형 디바이스 웨이퍼의 평탄성을 보다 향상시키고자 하는 경우)에 유효하다.The reason why the adhesive layer 11 completely covers the device chip 62 is that the TTV (Total Thickness Variation) of the thin device wafer is further lowered (that is, when the flatness of the thin device wafer is to be further improved ).

즉, 디바이스 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서, 복수의 디바이스 칩(62)을 접착층(11)에 의하여 보호함으로써, 지지체(12)와의 접촉면에 있어서, 요철 형상을 거의 없애는 것이 가능하다. 따라서, 이와 같이 지지된 상태로 박형화해도, 복수의 디바이스 칩(62)에서 유래하는 형상이, 박형 디바이스 웨이퍼의 이면(61b1)에 전사될 우려는 저감되고, 그 결과, 최종적으로 얻어지는 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV를 보다 저하시킬 수 있다.That is, when the device wafer is thinned, the plurality of device chips 62 are protected by the adhesive layer 11 so that the irregularities on the contact surface with the support 12 can be substantially eliminated. Therefore, even if the wafer is thinned in such a supported state, the possibility that the shape derived from the plurality of device chips 62 is transferred to the back surface 61b1 of the thin device wafer is reduced, and as a result, TTV can be lowered.

이어서, 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리(특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 그라인딩이나 화학 기계 연마(CMP) 등의 박막화 처리, 화학 기상 성장(CVD)이나 물리 기상 성장(PVD) 등의 고온·진공하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성광선의 조사, 가열·냉각 처리 등)를 실시하고, 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여(예를 들면, 평균 두께 500μm 미만인 것이 바람직하고, 1~200μm인 것이 보다 바람직함), 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 얻는다.Next, as shown in Fig. 3 (C), the surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to mechanical or chemical treatment (though not particularly limited, for example, thinning such as grinding or chemical mechanical polishing Treatment with high temperature and vacuum such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), treatment with chemicals such as organic solvents, acidic treatment solution or basic treatment solution, plating treatment, irradiation with active rays, heating The thickness of the silicon substrate 61 is reduced (for example, the average thickness is preferably less than 500 탆 and more preferably 1 to 200 탆) as shown in Fig. 3 (C) To obtain a thin device wafer 60a.

디바이스 웨이퍼를 박형화한 후, 고온·진공하에서의 처리를 행하기 전의 단계에서, 디바이스 웨이퍼의 기재면의 면적보다 외측으로 돌출된 접착층을 용제로 세정하는 공정을 마련해도 된다. 구체적으로는, 디바이스 웨이퍼를 박형화한 후, 돌출된 접착층을, 접착층이 용해되는 용제를 이용하여 제거함으로써, 고온·진공하에서의 처리가 접착층에 직접 실시되는 것에 의한 접착층의 변형, 변질을 방지할 수 있다. 디바이스 웨이퍼의 기재면의 면적보다 외측으로 돌출된 접착층을 용제로 세정하는 공정에 이용하는 용제로서는, 상기 가고정 접착제에 포함되는 용제를 사용할 수 있다.A step of cleaning the adhesive layer protruding outward beyond the area of the substrate surface of the device wafer with a solvent may be provided at a stage before the processing of the device wafer is performed at a high temperature and under vacuum. Specifically, after the device wafer is thinned, the protruding adhesive layer is removed by using a solvent dissolving the adhesive layer, so that the deformation and deterioration of the adhesive layer caused by the treatment under high temperature and vacuum applied directly to the adhesive layer can be prevented . As the solvent used in the step of cleaning the adhesive layer protruding outward beyond the area of the substrate surface of the device wafer with a solvent, a solvent included in the temporary fixing adhesive may be used.

즉, 본 발명에서는, 접착층의 막면의 면적은, 지지체의 기재면의 면적보다 작은 것이 바람직하다. 또, 본 발명에서는, 지지체의 기재면의 직경을 Cμm, 디바이스 웨이퍼의 기재면의 직경을 Dμm, 접착층의 막면의 직경을 Tμm로 했을 때, (C-200)≥T≥D를 충족시키는 것이 보다 바람직하다. 또한, 지지체의 기재면의 직경을 Cμm, 디바이스 웨이퍼의 기재면의 직경을 Dμm, 접착층의 지지체와 접하고 있는 측의 막면의 직경을 TCμm, 접착층의 디바이스 웨이퍼와 접하고 있는 측의 막면의 직경을 TDμm로 했을 때, (C-200)≥TC>TD≥D를 충족시키는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 고온·진공하에서의 처리가 접착층에 직접 실시되는 것에 의한 접착층의 변형, 변질을 보다 억제할 수 있다.That is, in the present invention, the area of the film surface of the adhesive layer is preferably smaller than the area of the substrate surface of the support. In the present invention, it is more preferable that (C-200)? T? D is satisfied when the diameter of the substrate surface of the support is C m, the diameter of the substrate surface of the device wafer is D m, and the diameter of the film surface of the adhesive layer is T m desirable. Further, the diameter of the film surface of the adhesive layer on the side in contact with the device wafer is represented by C m, the diameter of the substrate surface of the device wafer is D m, the diameter of the film surface on the side of the adhesive layer in contact with the support is T C m, T D? M, it is preferable that (C-200)? T C > T D ? D be satisfied. By such a constitution, the deformation and deterioration of the adhesive layer can be further suppressed by the treatment directly under the high temperature and vacuum under the adhesive layer.

또한, 접착층의 막면의 면적이란, 지지체에 대하여 수직인 방향에서 보았을 때의 면적을 말하고, 막면의 요철은 생각하지 않는 것으로 한다. 디바이스 웨이퍼의 기재면에 대해서도 동일하다. 즉, 여기에서 말하는, 디바이스 웨이퍼의 기재면이란, 예를 들면 도 3의 61a면에 대응하는 면이다. 접착층의 막면 등의 직경에 대해서도, 동일하게 생각한다.The area of the film surface of the adhesive layer refers to the area when viewed in a direction perpendicular to the support, and the irregularities on the film surface are not considered. The same applies to the substrate surface of the device wafer. That is, here, the substrate surface of the device wafer is, for example, a surface corresponding to the surface 61a of Fig. The same is applied to the diameter of the film surface of the adhesive layer or the like.

또, 접착층의 막면의 직경 T에 대하여, 접착층의 지지체와 접하고 있는 측의 막면의 직경을 TCμm, 접착층의 디바이스 웨이퍼와 접하고 있는 측의 막면의 직경을 TDμm로 했을 때, T=(TC+TD)/2로 한다. 지지체의 기재면의 직경 및 디바이스 웨이퍼의 기재면의 직경은, 접착층과 접하고 있는 측의 표면의 직경을 말한다.Further, with respect to the diameter T of the adhesive film surface, when the diameter of the diameter of the side in contact with the adhesive support film surface T C μm, the side in contact with the device wafer of the adhesive film surface to T D μm, T = ( T C + T D ) / 2. The diameter of the substrate surface of the support and the diameter of the substrate surface of the device wafer refer to the diameter of the surface on the side in contact with the adhesive layer.

또한, 지지체 등에 대하여, "직경"이라고 규정하고 있지만, 지지체 등이, 수학적인 의미로 원형(정원(正圓))인 것을 필수로 하는 것이 아니라, 대체로 원형이면 된다. 정원이 아닌 경우, 동일한 면적의 정원으로 환산했을 때의 직경을, 상기 직경으로 한다.Further, although the support body and the like are defined as "diameter ", it is not essential that the support body or the like has a circular shape in a mathematical sense. In the case of not a garden, the diameter when converted into a garden having the same area is defined as the above diameter.

또, 기계적 또는 화학적인 처리로서, 박막화 처리 후에, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 이면(61b1)으로부터 실리콘 기판을 관통하는 관통 구멍(도시하지 않음)을 형성하여, 이 관통 구멍 내에 실리콘 관통 전극(도시하지 않음)을 형성하는 처리를 행해도 된다.As a mechanical or chemical treatment, a through hole (not shown) passing through the silicon substrate is formed from the back surface 61b1 of the thin device wafer 60a after the thinning process, and a silicon penetration electrode (Not shown) may be formed.

지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착한 후, 박리할 때까지의 사이에 가열 처리를 행해도 된다. 가열 처리의 일례로서, 기계적 또는 화학적인 처리에 있어서, 가열 처리를 행하는 것을 들 수 있다.The heat treatment may be performed between the support 12 and the device wafer 60 until they are peeled off. As an example of the heat treatment, a heat treatment is performed in a mechanical or chemical treatment.

가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 80~400℃가 바람직하고, 130℃~400℃가 보다 바람직하며, 180℃~350℃가 더 바람직하다. 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 접착층의 분해 온도보다 낮은 온도로 하는 것이 바람직하다. 가열 처리는, 최고 도달 온도에서의 30초~30분의 가열인 것이 바람직하고, 최고 도달 온도에서의 1분~10분의 가열인 것이 보다 바람직하다.The maximum attained temperature in the heat treatment is preferably 80 to 400 占 폚, more preferably 130 to 400 占 폚, and more preferably 180 to 350 占 폚. It is preferable that the maximum reaching temperature in the heat treatment is lower than the decomposition temperature of the adhesive layer. The heat treatment is preferably heating for 30 seconds to 30 minutes at the maximum attained temperature, and more preferably for 1 minute to 10 minutes at the maximum attained temperature.

이어서, 도 3(D)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12)를, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리시킨다. 탈리의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 어떠한 처리도 하지 않고 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리하는 것이 바람직하다. 이때, 박리 계면은, 지지체(12)와 접착층(11)의 계면에서 박리되는 것이 바람직하다. 이 경우, 지지체(12)와 접착층(11)의 계면의 박리 강도 A, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 접착층(11)의 박리 강도 B는, 이하의 식을 충족시키는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in Fig. 3 (D), the support 12 is removed from the thin device wafer 60a. The method of desorption is not particularly limited, but it is preferable to pull up the end portion of the thin device wafer 60a in the vertical direction with respect to the thin device wafer 60a and peel it off without any treatment. At this time, it is preferable that the peeling interface is peeled from the interface between the support 12 and the adhesive layer 11. [ In this case, the peel strength A of the interface between the support 12 and the adhesive layer 11 and the peel strength B of the adhesive layer 11 from the device wafer surface 61a preferably satisfy the following equations.

A<B ····식 (1)A <B ... (1)

또, 접착층(11)을 후술하는 박리액에 접촉시키고, 그 후, 필요에 따라서, 지지체(12)에 대하여 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 슬라이딩시킨 후에, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 디바이스 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리할 수도 있다.After the adhesive layer 11 is brought into contact with the release liquid to be described later and then the thin device wafer 60a is slid with respect to the support 12 as required, It can be pulled up in the vertical direction to peel off.

<박리액><Release liquid>

이하, 박리액에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the release liquid will be described in detail.

박리액으로서는, 물 및, 용제(유기 용제)를 사용할 수 있다.As the peeling solution, water and a solvent (organic solvent) can be used.

또, 박리액으로서는, 접착층(11)을 용해하는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 예를 들면 지방족 탄화 수소류(헥세인, 헵테인, 아이소파 E, H, G(에쏘 가가쿠(주)제), 리모넨, 파라-멘테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 데칼린 등), 방향족 탄화 수소류(톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 에틸벤젠, 프로필벤젠, 큐멘, n-뷰틸벤젠, sec-뷰틸벤젠, 아이소뷰틸벤젠, tert-뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 아이소아밀벤젠, (2,2-다이메틸프로필)벤젠, 1-페닐헥세인, 1-페닐헵테인, 1-페닐옥테인, 1-페닐노네인, 1-페닐데케인, 사이클로프로필벤젠, 사이클로헥실벤젠, 2-에틸톨루엔, 1,2-다이에틸벤젠, 오쏘-사이멘, 인데인, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 3-에틸톨루엔, 메타-사이멘, 1,3-다이아이소프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, 1,4-다이에틸벤젠, 파라-사이멘, 1,4-다이아이소프로필벤젠, 4-tert-뷰틸톨루엔, 1,4-다이-tert-뷰틸벤젠, 1,3-다이에틸벤젠, 1,2,3-트라이메틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, 4-tert-뷰틸-오쏘-자일렌, 1,2,4-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이아이소프로필벤젠, 5-tert-뷰틸-메타-자일렌, 3,5-다이-tert-뷰틸톨루엔, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 펜타메틸벤젠 등), 할로젠화 탄화 수소(메틸렌다이클로라이드, 에틸렌다이클로라이드, 트라이클로로에틸렌, 모노클로로벤젠 등), 극성 용제를 들 수 있다. 극성 용제로서는 특히, 알코올류(메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 1-뷰탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-옥탄올, 2-에틸-1-헥산올, 1-노난올, 1-데칸올, 벤질알코올, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 2-에톡시에탄올, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노헥실에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 폴리에틸렌글라이콜모노메틸에터, 폴리프로필렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노벤질에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터, 프로필렌글라이콜모노페닐에터, 메틸페닐카비놀, n-아밀알코올, 메틸아밀알코올 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 에틸뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등), 에스터류(아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 뷰틸, 아세트산 아밀, 아세트산 벤질, 락트산 메틸, 락트산 뷰틸, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜아세테이트, 다이에틸프탈레이트, 레불린산 뷰틸 등), 그 외(트라이에틸포스페이트, 트라이크레실포스페이트, N-페닐에탄올아민, N-페닐다이에탄올아민, N-메틸다이에탄올아민, N-에틸다이에탄올아민, 4-(2-하이드록시에틸)모폴린, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈 등) 등을 들 수 있다.As the peeling liquid, an organic solvent which dissolves the adhesive layer 11 is preferable. Examples of the organic solvent include aliphatic hydrocarbon such as aliphatic hydrocarbon such as hexane, heptane, Isopar E, H, G (manufactured by Esso Gagaku), limonene, para-menthane, nonane, decane, dodecane , Decalin, etc.), aromatic hydrocarbons (toluene, xylene, anisole, mesitylene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, isobutylbenzene, tert- , Isoamylbenzene, (2,2-dimethylpropyl) benzene, 1-phenylhexane, 1-phenylheptane, 1-phenyloctane, 1-phenylnonane, 1-phenyldecane, cyclopropylbenzene, Cyclohexylbenzene, 2-ethyltoluene, 1,2-diethylbenzene, ortho-cymene, indine, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 3-ethyltoluene, meta- Diisopropylbenzene, 4-ethyltoluene, 1,4-diethylbenzene, para-cymene, 1,4-diisopropylbenzene, 4-tert-butyltoluene, 1,4- , 1,3-diethylbenzene, 1,2,3-tri Methylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, 4-tert-butyl-ortho-xylene, 1,2,4-triethylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, 1,3,5 -Triisopropylbenzene, 5-tert-butyl-meta-xylene, 3,5-di-tert-butyltoluene, 1,2,3,5-tetramethylbenzene, 1,2,4,5- Benzene, pentamethylbenzene), halogenated hydrocarbons (methylene dichloride, ethylene dichloride, trichlorethylene, monochlorobenzene, etc.) and polar solvents. Examples of the polar solvent include alcohols (alcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, 1-butanol, 1-decanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxy ethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono Hexylene ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol Ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, Alcohol, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, ethyl butyl ketone, cyclohexanone, etc.), esters But are not limited to, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, benzyl acetate, methyl lactate, butyl lactate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol acetate, N-phenyldiethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N- (2-hydroxyethyl) morpholine, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, etc.).

또한, 박리성의 관점에서, 박리액은, 알칼리, 산, 및 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 이들 성분을 배합하는 경우, 배합량은, 각각 박리액의 0.1~5.0질량%인 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of releasability, the release liquid may contain an alkali, an acid, and a surfactant. When these components are blended, the blending amount is preferably 0.1 to 5.0 mass% of the peeling solution.

또한 박리성의 관점에서, 2종 이상의 유기 용제 및 물, 2종 이상의 알칼리, 산 및 계면활성제를 혼합하는 형태도 바람직하다.From the viewpoint of releasability, a mode of mixing two or more kinds of organic solvents and water, two or more kinds of alkali, acid and surfactant is also preferable.

알칼리로서는, 예를 들면 제3 인산 나트륨, 제3 인산 칼륨, 제3 인산 암모늄, 제2 인산 나트륨, 제2 인산 칼륨, 제2 인산 암모늄, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산암모늄, 탄산 수소 나트륨, 탄산 수소 칼륨, 탄산 수소 암모늄, 붕산 나트륨, 붕산 칼륨, 붕산 암모늄, 수산화 나트륨, 수산화 암모늄, 수산화 칼륨 및 수산화 리튬 등의 무기 알칼리제나, 모노메틸아민, 다이메틸아민, 트라이메틸아민, 모노에틸아민, 다이에틸아민, 트라이에틸아민, 모노아이소프로필아민, 다이아이소프로필아민, 트라이아이소프로필 아민, n-뷰틸아민, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, 모노아이소프로판올아민, 다이아이소프로판올아민, 에틸렌이민, 에틸렌다이아민, 피리딘, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 유기 알칼리제를 사용할 수 있다. 이들 알칼리제는, 단독으로, 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.The alkali includes, for example, sodium tertiary phosphate, potassium tertiary phosphate, ammonium tertiary phosphate, sodium secondary phosphate, potassium secondary phosphate, ammonium secondary phosphate, sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogen carbonate, An inorganic alkali agent such as potassium hydrogen carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, ammonium borate, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide, and organic alkali agents such as monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, But are not limited to, ethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, ethyleneimine , Ethylenediamine, pyridine, tetramethylammonium hydroxide and the like can be used. These alkaline agents may be used alone or in combination of two or more.

산으로서는, 할로젠화 수소, 황산, 질산, 인산, 붕산 등의 무기산이나, 메테인설폰산, 에테인설폰산, 벤젠설폰산, 파라-톨루엔설폰산, 트라이플루오로메테인설폰산, 아세트산, 시트르산, 폼산, 글루콘산, 락트산, 옥살산, 타타르산 등의 유기산을 사용할 수 있다.Examples of the acid include inorganic acids such as hydrogen halide, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and boric acid, and inorganic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, para-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, acetic acid, , Gluconic acid, lactic acid, oxalic acid, and tartaric acid.

계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 양성 이온계의 계면활성제를 사용할 수 있다. 이 경우, 계면활성제의 함유량은, 알칼리 수용액의 전체량에 대하여 1~20질량%인 것이 바람직하고, 1~10질량%인 것이 보다 바람직하다.As the surfactant, anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used. In this case, the content of the surfactant is preferably 1 to 20% by mass, more preferably 1 to 10% by mass with respect to the total amount of the alkali aqueous solution.

계면활성제의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 접착층(11)과 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 박리성을 보다 향상시킬 수 있는 경향이 있다.By setting the content of the surfactant within the above range, the peeling property of the adhesive layer 11 and the thin device wafer 60a can be further improved.

음이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 지방산염류, 아비에트산염류, 하이드록시알케인설폰산염류, 알케인설폰산염류, 다이알킬설포석신산염류, 직쇄 알킬벤젠설폰산염류, 분기쇄 알킬벤젠설폰산염류, 알킬나프탈렌설폰산염류, 알킬다이페닐에터(다이)설폰산염류, 알킬페녹시폴리옥시에틸렌알킬설폰산염류, 폴리옥시에틸렌알킬설포페닐에터염류, N-알킬-N-올레일타우린나트륨류, N-알킬설포석신산 모노아마이드다이나트륨염류, 석유 설폰산염류, 황산화 피마자유, 황산화 우지유, 지방산 알킬에스터의 황산 에스터염류, 알킬 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬에터 황산 에스터염류, 지방산 모노글리세라이드 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에터 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌스타이릴페닐에터 황산 에스터염류, 알킬 인산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬에터 인산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에터 인산 에스터염류, 스타이렌-무수 말레산 공중합물의 부분 비누화물류, 올레핀-무수 말레산 공중합물의 부분 비누화물류, 나프탈렌설폰산염 포말린 축합물류 등을 들 수 있다. 이 중에서, 알킬벤젠설폰산염류, 알킬나프탈렌설폰산염류, 알킬다이페닐에터(다이)설폰산염류가 특히 바람직하게 이용된다.Examples of the anionic surfactant include, but are not limited to, fatty acid salts, abietic acid salts, hydroxyalkane sulfonic acid salts, alkane sulfonic acid salts, dialkyl sulfosuccinic acid salts, straight chain alkylbenzene sulfonic acid salts, Benzene sulfonic acid salts, alkyl naphthalene sulfonic acid salts, alkyl diphenyl ether (di) sulfonic acid salts, alkylphenoxy polyoxyethylene alkyl sulfonic acid salts, polyoxyethylene alkyl sulfophenyl ether salts, N-alkyl- Sodium oleyl taurate, disodium salt of N-alkylsulfosuccinic acid monoamide, petroleum sulfonic acid salts, sulfated castor oil, sulfuric acid waxy oil, sulfuric acid ester salts of fatty acid alkyl ester, alkyl sulfate ester salts, polyoxyethylene alkyl Ether sulfuric acid ester salts, fatty acid monoglyceride sulfuric acid ester salts, polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfuric acid ester salts, polyoxyethylene styrylphenyl ether sulfuric acid ester salts, Polyoxyethylene alkyl ether phosphate ester salts, polyoxyethylene alkyl phenyl ether phosphate ester salts, partially saponified products of styrene-maleic anhydride copolymer, partially saponified products of olefin-maleic anhydride copolymer, naphthalene Sulfonate phomalin condensates, and the like. Among them, alkylbenzenesulfonic acid salts, alkylnaphthalenesulfonic acid salts and alkyldiphenylether (di) sulfonic acid salts are particularly preferably used.

양이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 알킬아민염류, 제4급 암모늄염류, 알킬이미다졸리늄염, 폴리옥시에틸렌알킬아민염류, 폴리에틸렌폴리아민 유도체를 들 수 있다.The cationic surfactant is not particularly limited, but conventionally known ones can be used. Examples thereof include alkylamine salts, quaternary ammonium salts, alkylimidazolinium salts, polyoxyethylene alkylamine salts, and polyethylene polyamine derivatives.

비이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌글라이콜형 고급 알코올에틸렌옥사이드 부가물, 알킬페놀에틸렌옥사이드 부가물, 알킬나프톨에틸렌옥사이드 부가물, 페놀에틸렌옥사이드 부가물, 나프톨에틸렌옥사이드 부가물, 지방산 에틸렌옥사이드 부가물, 다가 알코올 지방산 에스터에틸렌옥사이드 부가물, 고급 알킬아민에틸렌옥사이드 부가물, 지방산 아마이드에틸렌옥사이드 부가물, 유지의 에틸렌옥사이드 부가물, 폴리프로필렌글라이콜에틸렌옥사이드 부가물, 다이메틸실록세인-에틸렌옥사이드 블록 코폴리머, 다이메틸실록세인-(프로필렌옥사이드-에틸렌옥사이드) 블록 코폴리머, 다가 알코올형 글리세롤의 지방산 에스터, 펜타에리트리톨의 지방산 에스터, 소비톨 및 소비탄의 지방산 에스터, 자당의 지방산 에스터, 다가 알코올의 알킬에터, 알칸올아민류의 지방산 아마이드 등을 들 수 있다. 이 중에서, 방향환과 에틸렌옥사이드쇄를 갖는 것이 바람직하고, 알킬 치환 또는 무치환의 페놀에틸렌옥사이드 부가물 또는 알킬 치환 또는 무치환의 나프톨에틸렌옥사이드 부가물이 보다 바람직하다.Examples of the nonionic surfactant include, but are not particularly limited to, polyethylene glycol type higher alcohol ethylene oxide adduct, alkylphenol ethylene oxide adduct, alkylnaphthol ethylene oxide adduct, phenol ethylene oxide adduct, naphthol ethylene oxide adduct, fatty acid Ethylene oxide adducts, polyhydric alcohol fatty acid ester ethylene oxide adducts, higher alkylamine ethylene oxide adducts, fatty acid amide ethylene oxide adducts, ethylene oxide adducts of fats, polypropylene glycol ethylene oxide adducts, dimethylsiloxane - ethylene oxide block copolymer, dimethylsiloxane- (propylene oxide-ethylene oxide) block copolymer, fatty acid esters of polyhydric alcohol type glycerol, fatty acid esters of pentaerythritol, fatty acid esters of sorbitol and sorbitol, fatty acids of sucrose Esther, da Alkyl ethers of alcohols, fatty acid amides of alkanolamines, and the like. Of these, those having an aromatic ring and an ethylene oxide chain are preferable, and alkyl-substituted or unsubstituted phenol ethylene oxide adducts or alkyl-substituted or unsubstituted naphthol ethylene oxide adducts are more preferable.

양성 이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 알킬다이메틸아민옥사이드 등의 아민옥사이드계, 알킬베타인 등의 베타인계, 알킬아미노 지방산 나트륨 등의 아미노산계를 들 수 있다. 특히, 치환기를 가져도 되는 알킬다이메틸아민옥사이드, 치환기를 가져도 되는 알킬카복시베타인, 치환기를 가져도 되는 알킬설포베타인이 바람직하게 이용된다. 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-203359호의 단락 번호 〔0256〕의 식 (2)로 나타나는 화합물, 일본 공개특허공보 2008-276166호의 단락 번호 〔0028〕의 식 (I), 식 (II), 식 (VI)으로 나타나는 화합물, 일본 공개특허공보 2009-47927호의 단락 번호 〔0022〕~〔0029〕로 나타나는 화합물을 이용할 수 있다.Examples of the amphoteric surfactant include, but are not limited to, amine oxides such as alkyl dimethyl amine oxide, betaine based ones such as alkyl betaine, and amino acid based ones such as alkylamino fatty acid sodium. In particular, alkyldimethylamine oxide which may have a substituent, alkylcarboxybetaine which may have a substituent, and alkylsulfobetaine which may have a substituent are preferably used. Specifically, the compound represented by the formula (2) in paragraph [0256] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-203359, the compound represented by the formula (I), the formula (II) Compounds represented by the formula (VI) and compounds represented by the paragraphs [0022] to [0029] of JP-A No. 2009-47927 can be used.

또한 필요에 따라서, 박리액은 소포제 및 경수 연화제와 같은 첨가제를 함유할 수도 있다.If necessary, the release liquid may contain an additive such as a defoaming agent and a water softening agent.

그리고, 도 3(E)에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 접착층(11)을 제거함으로써, 박형 디바이스 웨이퍼를 얻을 수 있다.Then, as shown in Fig. 3 (E), by removing the adhesive layer 11 from the thin device wafer 60a, a thin device wafer can be obtained.

접착층(11)의 제거 방법은, 예를 들면 접착층을 필름 형상인 상태에서 박리 제거(기계 박리)하는 방법, 접착층을 박리액으로 팽윤시킨 후에 박리 제거하는 방법, 접착층에 박리액을 분사하여 파괴 제거하는 방법, 접착층을 박리액에 용해시켜 용해 제거하는 방법, 접착층을 활성광선, 방사선의 조사 또는 가열에 의하여 분해, 기화시켜 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 접착층을 필름 형상인 상태에서 박리 제거하는 방법, 접착층을 수용액 또는 유기 용제에 용해시켜 용해 제거하는 방법을 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 용제로서는, 상술한 박리액에서 설명한 유기 용제를 사용할 수 있다. 용제의 사용량 삭감의 관점에서는, 필름 형상인 상태에서 제거하는 것이 바람직하다. 또, 디바이스 웨이퍼 표면의 데미지 저감의 관점에서는, 용해 제거가 바람직하다.The method of removing the adhesive layer 11 may be, for example, a method in which the adhesive layer is peeled off (film peeling off) in the form of a film, a method in which the adhesive layer is peeled off after swelling the peeling liquid, A method of dissolving and removing the adhesive layer in the exfoliating liquid, a method of decomposing and vaporizing the adhesive layer by irradiation or irradiation with actinic rays or radiation, and the like. A method of peeling off the adhesive layer in a film form, and a method of dissolving and removing the adhesive layer in an aqueous solution or an organic solvent can be preferably used. As the organic solvent, the organic solvent described in the above-mentioned removing solution can be used. From the viewpoint of reducing the use amount of the solvent, it is preferable to remove the film in a film-like state. From the viewpoint of damage reduction on the surface of the device wafer, dissolution and removal are preferable.

필름 형상인 상태에서 제거하기 위해서는, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 접착층(11)의 박리 강도 B가 이하의 식 (2)를 충족시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the peeling strength B of the device wafer surface 61a and the adhesive layer 11 satisfy the following formula (2).

B≤4N/cm ····식 (2)B? 4 N / cm ... (2)

지지체(12)와 접착층(11)의 계면의 박리 강도를 A, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 접착층(11)의 박리 강도를 B로 하면, 상술한 식 (1) 및 (2)를 함께 충족시킴으로써, 지지체(12)를 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 박리할 때에, 어떠한 처리도 하지 않고 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 디바이스 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리할 수 있고, 또한 디바이스 웨이퍼 표면(61a) 상의 접착층(11)을, 필름 형상인 상태에서 제거할 수 있다.When the peel strength of the interface between the support 12 and the adhesive layer 11 is A and the peel strength between the device wafer surface 61a and the adhesive layer 11 is B, by satisfying the above equations (1) and (2) The thin film device wafer 60a can be peeled off from the end of the thin device wafer 60a in the vertical direction with respect to the device wafer and peeled from the device wafer surface 60a without peeling off the thin film device wafer 60a, 61a can be removed in the form of a film.

지지체(12)를 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리한 후, 필요에 따라서, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대하여, 다양한 공지의 처리를 실시하여, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 갖는 반도체 장치를 제조한다.After removing the support member 12 from the thin device wafer 60a, various known processes are performed on the thin device wafer 60a, if necessary, to manufacture a semiconductor device having the thin device wafer 60a .

또, 지지체에 접착층이 부착되어 있는 경우는, 접착층을 제거함으로써, 지지체를 재생할 수 있다. 접착층을 제거하는 방법으로서는, 필름 형상인 상태에서의 박리, 브러시, 초음파, 얼음 입자, 에어로졸의 분사에 의하여 물리적으로 제거하는 방법, 수용액 또는 유기 용제에 용해시켜 용해 제거하는 방법, 활성광선, 방사선, 열의 조사에 의하여 분해, 기화시키는 방법 등의 화학적으로 제거하는 방법을 들 수 있지만, 지지체에 따라, 종래 이미 알려진 세정 방법을 이용할 수 있다.When the adhesive layer is attached to the support, the support can be regenerated by removing the adhesive layer. Examples of the method for removing the adhesive layer include a method of physically removing the adhesive layer by peeling in the form of a film, a brush, an ultrasonic wave, an ice particle or an aerosol, a method of dissolving and removing in an aqueous solution or an organic solvent, And a method of chemical decomposition such as decomposition and vaporization by irradiation of heat. However, depending on the support, conventionally known cleaning methods can be used.

예를 들면, 지지체로서 실리콘 기판을 사용한 경우, 종래 이미 알려진 실리콘 웨이퍼의 세정 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면 화학적으로 제거하는 경우에 사용할 수 있는 수용액 또는 유기 용제로서는, 강산, 강염기, 강산화제, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 황산, 염산, 불산, 질산, 유기산 등의 산류, 테트라메틸암모늄, 암모니아, 유기염기 등의 염기류, 과산화 수소 등의 산화제, 또는 암모니아와 과산화 수소의 혼합물, 염산과 과산화 수소수의 혼합물, 황산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 불화 암모늄의 혼합물 등을 들 수 있다.For example, when a silicon substrate is used as a support, a conventionally known silicon wafer cleaning method can be used. Examples of the aqueous solution or the organic solvent that can be used for the chemical removal include strong acids, strong bases, strong oxidizing agents, and mixtures thereof. Specific examples thereof include acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid, , A base such as tetramethylammonium, ammonia, an organic base, an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or a mixture of ammonia and hydrogen peroxide, a mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide , A mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, and the like.

재생한 지지체를 사용한 경우의 접착성의 관점에서, 지지체 세정액을 이용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of adhesiveness in the case of using a regenerated support, it is preferable to use a supporter cleaning liquid.

지지체 세정액은, pKa가 0 미만인 산(강산)과 과산화 수소를 포함하고 있는 것이 바람직하다. pKa가 0 미만인 산으로서는, 아이오딘화 수소, 과염소산, 브로민화 수소, 염화 수소, 질산, 황산 등의 무기산, 또는 알킬설폰산, 아릴설폰산 등의 유기산으로부터 선택된다. 지지체 상의 접착층의 세정성의 관점에서 무기산인 것이 바람직하고, 황산이 특히 바람직하다.The support cleaning liquid preferably contains an acid (strong acid) having a pKa of less than 0 and hydrogen peroxide. The acid having a pKa of less than 0 is selected from an inorganic acid such as hydrogen iodide, perchloric acid, hydrogen bromide, hydrogen chloride, nitric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as alkylsulfonic acid or arylsulfonic acid. From the viewpoint of the cleaning property of the adhesive layer on the support, it is preferably an inorganic acid, and sulfuric acid is particularly preferable.

과산화 수소로서는, 30질량% 과산화 수소수를 바람직하게 사용할 수 있고, 상기 강산과 30질량% 과산화 수소수의 혼합비는, 질량비로 1:10~100:1이 바람직하며, 1:1~10:1이 보다 바람직하고, 3:1~5:1이 특히 바람직하다.As the hydrogen peroxide, 30 mass% hydrogen peroxide can be preferably used. The mixing ratio of the strong acid and the 30 mass% hydrogen peroxide is preferably 1: 10 to 100: 1, more preferably 1: 1 to 10: , More preferably from 3: 1 to 5: 1.

<<제2 실시형태>>&Lt; Embodiment 2 &gt;

적층체를 제조하는 공정을 거친 반도체의 제조 방법의 제2 실시형태에 대하여, 도 4를 함께 참조하면서 설명한다. 상술한 제1 실시형태와 동일 개소는, 동일 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.A second embodiment of a method of manufacturing a semiconductor through a process of manufacturing a laminate will be described with reference to FIG. The same portions as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

도 4(A)~(E)는, 각각 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도(도 4(A), (B)), 지지체에 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태(도 4(C)), 지지체와 디바이스 웨이퍼를 박리한 상태(도 4(D)), 디바이스 웨이퍼로부터 접착층을 제거한 후의 상태(도 4(E))를 나타내는 개략 단면도이다.Figs. 4A to 4E are schematic cross-sectional views (Figs. 4A and 4B) for explaining adherence between a support and a device wafer, a state in which a device wafer adhered to a support is thin (Fig. 4 (C)), a state in which the support and the device wafer are peeled off (Fig. 4 (D)), and a state after the adhesive layer is removed from the device wafer (Fig.

이 실시형태에서는, 도 4(A)에 나타내는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼의 표면(61a) 상에 접착층을 형성하는 점이 상기 제1 실시형태와 상이하다.This embodiment differs from the first embodiment in that an adhesive layer is formed on the surface 61a of the device wafer as shown in Fig. 4 (A).

디바이스 웨이퍼(60)의 표면(61a) 상에, 접착층(11a)을 마련하는 경우는, 디바이스 웨이퍼(60)의 표면(61a)의 표면에 가고정 접착제를 적용(바람직하게는 도포)하고, 이어서, 건조(베이크)함으로써 형성할 수 있다. 건조는, 예를 들면 60~150℃에서, 10초~2분 행할 수 있다.When the adhesive layer 11a is provided on the surface 61a of the device wafer 60, a temporary adhesive is applied (preferably applied) to the surface of the surface 61a of the device wafer 60, , And dried (baked). The drying can be performed at, for example, 60 to 150 ° C for 10 seconds to 2 minutes.

이어서, 도 4(B)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 압착시켜, 지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착시킨다. 이어서, 도 4(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 얻는다. 이어서, 도 4(D)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12)를, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리시킨다. 그리고, 도 4(E)에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 접착층(11)을 제거한다.Subsequently, as shown in Fig. 4 (B), the support 12 and the device wafer 60 are pressed together, and the support 12 and the device wafer 60 are bonded together. 4 (C), the back surface 61b of the silicon substrate 61 is mechanically or chemically treated to thin the silicon substrate 61 to form the thin device wafer 60a, . Subsequently, as shown in Fig. 4 (D), the support 12 is removed from the thin device wafer 60a. Then, as shown in Fig. 4 (E), the adhesive layer 11 is removed from the thin device wafer 60a.

<<제3 실시형태>>&Lt; Third Embodiment &gt;

적층체를 제조하는 공정을 거친 반도체의 제조 방법의 제3 실시형태에 대하여, 도 5를 함께 참조하면서 설명한다. 상술한 제1 실시형태와 동일 개소는, 동일 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.A third embodiment of a method of manufacturing a semiconductor through a process of manufacturing a laminate will be described with reference to FIG. The same portions as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

도 5(A)~(E)는, 각각 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도(도 5(A), (B)), 지지체에 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태(도 5(C)), 지지체와 디바이스 웨이퍼를 박리한 상태(도 5(D)), 디바이스 웨이퍼로부터 접착층을 제거한 후의 상태(도 5(E))를 나타내는 개략 단면도이다.5A to 5E are schematic cross-sectional views (Figs. 5A and 5B) for explaining adhesion between a support and a device wafer, a state in which a device wafer adhered to a support is thin (FIG. 5C), a state in which the support and the device wafer are peeled off (FIG. 5D), and a state after the adhesive layer is removed from the device wafer (FIG.

이 실시형태에서는, 도 4(A), (b)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12) 및 디바이스 웨이퍼의 표면(61a) 상에, 각각 접착층(11b, 11c)을 형성하고, 지지체 및 디바이스 웨이퍼의 접착층이 형성된 측의 면끼리를 압착하여 적층체를 제조하는(지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착하는) 점이, 상기 제1 실시형태와 상이하다.In this embodiment, as shown in Figs. 4A and 4B, adhesive layers 11b and 11c are formed on the support 12 and the surface 61a of the device wafer, respectively, (The support 12 and the device wafer 60 are adhered to each other) by press-bonding the surfaces of the side on which the adhesive layer is formed, to form a laminate.

접착층(11b) 및 접착층(11c) 중 적어도 한쪽은, 본 발명의 가고정 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 접착층(11b) 및 접착층(11c)의 양쪽 모두를, 본 발명의 가고정 접착제를 이용하여 형성할 수도 있고, 한쪽의 접착층만, 본 발명의 가고정 접착제를 이용하고 다른 쪽의 접착층은, 상술한 가고정 접착제 B를 이용하여 형성할 수도 있다. 접착층(11b)을 상술한 가고정 접착제 B를 이용하여 형성하고, 접착층(11c)을 본 발명의 가고정 접착제를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.At least one of the adhesive layer 11b and the adhesive layer 11c can be formed using the temporary fixing adhesive of the present invention. Both the adhesive layer 11b and the adhesive layer 11c may be formed using the temporary fixing adhesive of the present invention or the temporary fixing adhesive of the present invention may be used for only one of the adhesive layers, Or may be formed using a temporary fixing adhesive B. It is preferable that the adhesive layer 11b is formed by using the temporary fixing adhesive B described above and the adhesive layer 11c is formed by using the temporary fixing adhesive of the present invention.

또, 접착층(11b, 11c)은 각각, 1층만으로 구성되어 있어도 되고, 2층 이상의 접착층을 적층하여 이루어지는 적층체여도 된다. 즉, 각 접착층은, 2종 이상의 가고정 접착제를 덧칠하여 형성할 수도 있다.Each of the adhesive layers 11b and 11c may be composed of only one layer, or may be a laminate composed of two or more adhesive layers laminated. That is, each of the adhesive layers may be formed by overlaying two or more temporary fixing adhesives.

지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착한 후, 이어서, 도 5(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 얻는다. 이어서, 도 5(D)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12)를, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리시킨다. 그리고, 도 5(E)에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 접착층(11d)을 제거한다.The back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to a mechanical or chemical treatment to bond the support 12 and the device wafer 60 to the silicon substrate 61 as shown in Fig. The thickness of the substrate 61 is reduced to obtain a thin device wafer 60a. Subsequently, as shown in Fig. 5 (D), the support 12 is removed from the thin device wafer 60a. Then, as shown in Fig. 5 (E), the adhesive layer 11d is removed from the thin device wafer 60a.

<<종래의 실시형태>><< Conventional Embodiment >>

이어서, 종래의 실시형태에 대하여 설명한다.Next, a conventional embodiment will be described.

도 6은 종래의 접착성 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착 상태의 해제를 설명하는 개략 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view illustrating the release of the adhesion state between the conventional adhesive support and the device wafer.

종래의 실시형태에 있어서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 접착성 지지체로서, 지지체(12) 위에, 종래의 가고정용 접착제에 의하여 형성된 접착층(11a)이 마련되어 이루어지는 접착성 지지체(100a)를 사용하고, 그 이외에는, 도 3을 참조하여 설명한 순서와 동일하게, 접착성 지지체(100a)와 디바이스 웨이퍼를 가접착하고, 디바이스 웨이퍼에 있어서의 실리콘 기판의 박막화 처리를 행하며, 이어서, 상기한 순서와 동일하게, 접착성 지지체(100a)로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 박리한다.6, an adhesive supporting body 100a having an adhesive layer 11a formed by a conventional temporary fixing adhesive is used as the adhesive supporting body, 3, the adhesive supporting body 100a and the device wafer are adhered to each other, and the thinning treatment of the silicon substrate on the device wafer is performed. Subsequently, in the same manner as described above, The thin device wafer 60a is peeled from the adhesive support 100a.

그러나, 종래의 가고정 접착제에 의하면, 높은 접착력에 의하여 디바이스 웨이퍼를 가지지하여, 디바이스 웨이퍼에 손상을 주지 않고, 디바이스 웨이퍼에 대한 가지지를 용이하게 해제하는 것이 곤란하다. 예를 들면, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 충분히 하기 위하여, 종래의 가고정 접착제 중, 접착성이 높은 것을 채용하면, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착이 너무 강한 경향이 있다. 따라서, 이 너무 강한 가접착을 해제하기 위하여, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 이면에 테이프(예를 들면, 다이싱 테이프)(70)를 첩부하여, 접착성 지지체(100a)로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 박리하는 경우에 있어서는, 구조체(63)가 마련된 디바이스 칩(62)으로부터, 구조체(63)가 탈리되는 등 하여, 디바이스 칩(62)을 파손시키는 문제가 발생하기 쉽다.However, according to the conventional temporary fixing adhesive, it is difficult to easily hold the device wafer without damaging the device wafer by having the device wafer with high adhesive force. For example, in order to sufficiently bond the device wafer and the support to each other, if a high affinity adhesive is used among the conventional temporary fixing adhesives, adhesion between the device wafer and the support tends to be too strong. 6, a tape (for example, a dicing tape) 70 is attached to the back surface of the thin device wafer 60a so as to release the adhesion (adhesion) In the case of delaminating the thin device wafer 60a from the support 100a, there is a problem that the device chip 62 is broken by detaching the structure 63 from the device chip 62 provided with the structure 63 .

한편, 종래의 가고정 접착제 중, 접착성이 낮은 것을 채용하면, 디바이스 웨이퍼에 대한 가지지를 용이하게 해제할 수 있지만, 원래 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착이 너무 약해 디바이스 웨이퍼를 지지체로 확실히 지지할 수 없다는 문제가 발생하기 쉽다.On the other hand, among the conventional temporary fixing adhesives, if a low adhesive property is employed, it is possible to easily release the device wafer, but the adhesive between the original device wafer and the support is so weak that the device wafer can be reliably supported There is a problem that there is no problem.

이에 대하여, 본 발명의 적층체는, 충분한 접착성을 발현함과 함께, 디바이스 웨이퍼(60)와 지지체의 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 즉, 본 발명의 적층체에 의하면, 높은 접착력에 의하여 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착할 수 있음과 함께, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 손상을 주지 않고, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다.On the other hand, the laminate of the present invention exhibits sufficient adhesiveness and can easily release adhesion between the device wafer 60 and the support. That is, according to the laminate of the present invention, the device wafer 60 can be adhered to the thin device wafer 60a with a high adhesive force, and adhesion to the thin device wafer 60a can be prevented without damaging the thin device wafer 60a Can easily be released.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 적절한 변형, 개량 등이 가능하다.The manufacturing method of the semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be appropriately modified and improved.

또, 상술한 실시형태에 있어서, 접착층은 단층 구조이지만, 접착층은 다층 구조여도 된다.In the above-described embodiment, the adhesive layer has a single-layer structure, but the adhesive layer may have a multi-layer structure.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 디바이스 웨이퍼로서, 실리콘 기판을 들었지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 기계적 또는 화학적인 처리에 이용될 수 있는 어느 피처리 부재여도 된다. 예를 들면, 화합물 반도체 기판을 들 수도 있고, 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, 및 GaN 기판 등을 들 수 있다.In the above-described embodiment, a silicon wafer is used as the device wafer. However, the present invention is not limited to this, and in the manufacturing method of the semiconductor device, any material to be processed that can be used for mechanical or chemical treatment may be used. For example, a compound semiconductor substrate may be used. Specific examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate and the like.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 디바이스 웨이퍼(실리콘 기판)에 대한 기계적 또는 화학적인 처리로서, 디바이스 웨이퍼의 박막화 처리, 및 실리콘 관통 전극의 형성 처리를 들었지만, 이들에 한정되는 것은 아니고, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 필요한 어느 처리도 들 수 있다.In the above-described embodiment, the thinning process of the device wafer and the process of forming the silicon through electrode are described as the mechanical or chemical process for the device wafer (silicon substrate). However, the present invention is not limited to this, And any process necessary for the production method.

그 외에, 상술한 실시형태에 있어서 예시한, 디바이스 웨이퍼에 있어서의 디바이스 칩의 형상, 치수, 수, 배치 개소 등은 임의이며, 한정되지 않는다.In addition, the shape, size, number, location, etc. of the device chip in the device wafer exemplified in the above-described embodiments are arbitrary and not limited.

<키트><Kit>

다음으로, 본 발명의 키트에 대하여 설명한다.Next, the kit of the present invention will be described.

본 발명의 키트는, 상술한 본 발명의 제1 가고정 접착제와, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하고, 또한 상기 제1 가고정 접착제와는 조성이 다른 제2 접착제를 갖는다. 제2 접착제는, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 접착제에 있어서, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량은, 제1 가고정 접착제에 포함되는, 25℃에서 액체상이고, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량의 10질량% 이하인 것이 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 제2 접착제는, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 웨이퍼의 휨을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.The kit of the present invention comprises the above-mentioned first temporary fixing adhesive of the present invention and the elastomer X containing 50% by mass or more and 95% by mass or less of styrene-derived repeating units in the total repeating units, And a second adhesive different in composition from the first temporary fixing adhesive. The second adhesive preferably includes an elastomer X containing 50% by mass or more and 95% by mass or less of the repeating units derived from styrene in the total repeating units. In the second adhesive, the content of the compound containing a silicon atom in a liquid phase at 25 占 폚 is preferably in a liquid phase at 25 占 폚, contained in the first temporary fixing adhesive, of 10 mass% of the content of the compound containing silicon atoms % Or less. The second adhesive in the present invention preferably comprises an elastomer Y containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units. With such a configuration, warpage of the wafer can be more effectively suppressed.

제2 접착제에 있어서의, 엘라스토머 X 및 엘라스토머 Y와, 그 배합 비율은, 본 발명의 가고정 접착제의 항목에서 설명한 것과 동의이며 바람직한 범위도 동일하다. 또, 제2 접착제에도, 본 발명의 가고정 접착제의 항목에서 설명한 각종 첨가제 등을 배합해도 된다. 이들 배합량 등도, 본 발명의 가고정 접착제의 항목에서 설명한 범위가 바람직하다.The blend ratio of the elastomer X and the elastomer Y in the second adhesive is the same as that described in the item of the temporary fixing adhesive of the present invention, and the preferable range is also the same. The second adhesive may also be blended with various additives described in the items of the temporary fixing adhesive of the present invention. The blending amount and the like are also preferably within the ranges described in the item of the temporary fixing adhesive of the present invention.

본 발명의 키트는, 기재 및 지지체를 더 갖는 것이 바람직하다. 기재 및 지지체로서는, 상술한 적층체에서 설명한 기재 및 지지체를 들 수 있고, 이들을 이용할 수 있다.The kit of the present invention preferably further comprises a substrate and a support. As the substrate and the support, there can be mentioned the substrate and the support described in the above-mentioned laminate, and these can be used.

기재 및 지지체를 더 가짐으로써, 기재와 지지체의 사이에, 본 발명의 가고정 접착제로 이루어지는 제1 접착층과, 상술한 제2 접착층을 갖는 적층체를 제조할 수 있다.By further having the substrate and the support, a laminate having the first adhesive layer made of the temporary fixing adhesive of the present invention and the above-described second adhesive layer can be manufactured between the substrate and the support.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "부", "%"는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it is beyond the ordinary knowledge. Unless otherwise stated, "part" and "%" are based on mass.

또, 프로필렌글라이콜-1-메틸에터아세테이트를 "PGMEA"라고 기재한다.In addition, propylene glycol-1-methyl ether acetate is referred to as "PGMEA ".

본 실시예에서는 이하의 재료를 이용했다.In the present embodiment, the following materials were used.

[A 성분][Component A]

(a-1) KP-323(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-1) KP-323 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-2) KP-326(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-2) KP-326 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-3) KP-341(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-3) KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-4) KP-360A(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-4) KP-360A (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-5) KP-361(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-5) KP-361 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-6) KP-354(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-6) KP-354 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-7) KP-356(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-7) KP-356 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-8) KP-358(신에쓰 가가쿠(주)제)(a-8) KP-358 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(a-9) BYK333(빅케미사제)(a-9) BYK333 (manufactured by Big Chemie)

(a-10) 폴리플로 KL-700(교에이샤 가가쿠(주)제)(a-10) Polyfluor KL-700 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

(a-11) TEGO WET 270(에보닉·데구사·재팬(주)제)(a-11) TEGO WET 270 (manufactured by Ebonic Degussa Japan K.K.)

(a-12) SH28PA(도레이·다우코닝(주)제)(a-12) SH28PA (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)

(a-13) NBX-15(네오스(주)제)(a-13) NBX-15 (manufactured by Neos Co., Ltd.)

(Ra-1) KR220L(실리콘 수지 고체, 신에쓰 가가쿠(주)제)(Ra-1) KR220L (silicone resin solid, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(Ra-2) 1-도데센(탄화 수소계 오일, 도쿄 가세이 고교(주)제)(Ra-2) 1-dodecene (hydrogenated hydrocarbon oil, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

(a-1)~(a-13)의 25℃에서의 점도는, 10~20,000mPa·s의 범위 내였다.(a-1) to (a-13) at 25 ° C was within the range of 10 to 20,000 mPa · s.

[B 성분][Component B]

(b-1): 셉톤 2104(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=65질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=98, 구라레(주)제)(B-1): Septon 2104 (hydrogenated polystyrene elastomer having a styrene content of 65% by weight, an unsaturated double bond content of less than 0.5 mmol / g, a thermal mass reduction temperature of not less than 400 ° C and less than 450 ° C, Less than 50,000 and less than 100,000, hardness (type A durometer) = 98, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-2): 터프텍 P2000(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=67질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 이상 5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=90 이상, 아사히 가세이(주)제)(b-2): Tuftec P2000 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 67 mass%, unsaturated double bond amount = 0.5 mmol / g or more and less than 5 mmol / g, ° C, Mw = 50,000 or more and less than 100,000, hardness (type A durometer) = 90 or more, manufactured by Asahi Kasei Corporation)

(b-3): 셉톤 8104(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=60질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=350℃ 이상 400℃ 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=98, 구라레(주)제)(b-3): Sephton 8104 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 60% by mass, unsaturated double bond content = less than 0.5 mmol / g, Type A durometer) = 98, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-4): 크레이튼A1535(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=58질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=83, 크레이튼사제)(b-4): Kraton A1535 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 58 mass%, unsaturated double bond amount = less than 0.5 mmol / g, (Type A durometer) = 83, manufactured by Kraton)

(b-5): 셉톤 2002(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=30질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=350℃ 이상 400℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=80, 구라레(주)제)(b-5): Septon 2002 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 30 mass%, unsaturated double bond amount = less than 0.5 mmol / g, Less than 50,000 and less than 100,000, hardness (type A durometer) = 80, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-6): 셉톤 4033(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=30질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 400℃ 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=76, 구라레(주)제)(b-6): Septon 4033 (hydrogenated polystyrene elastomer having a styrene content of 30 mass%, an unsaturated double bond content of less than 0.5 mmol / g, a thermal mass reduction temperature of not less than 400 ° C and less than 400 ° C, Type A durometer) = 76, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-7): 크레이튼G1650(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=30질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=70, 크레이튼사제)(b-7): Kraton G1650 (hydrogenated polystyrene elastomer, content of styrene = 30 mass%, amount of unsaturated double bonds = less than 0.5 mmol / g, (Type A durometer) = 70, manufactured by Kraton)

(b-8): 셉톤 8004(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=31질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=80, 구라레(주)제)(b-8): Septon 8004 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 31 mass%, unsaturated double bond amount = less than 0.5 mmol / g, Less than 50,000 and less than 100,000, hardness (type A durometer) = 80, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-9): 셉톤 8007(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=30질량%, 불포화 이중 결합량=0.5mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 경도(타입 A 듀로미터)=77, 구라레(주)제)(b-9): Septon 8007 (hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 30 mass%, unsaturated double bond amount = less than 0.5 mmol / g, Less than 50,000 and less than 100,000, hardness (type A durometer) = 77, manufactured by Kuraray Co., Ltd.)

(b-10): SIS5200P(비수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 스타이렌 함유율=15질량%, 불포화 이중 결합량=5mmol/g 이상 15mmol/g 미만, 5% 열질량 감소 온도=250℃ 이상 350℃ 미만, Mw=10만 이상 20만 미만, JSR(주)제)(b-10): SIS5200P (non-hydrogenated polystyrene elastomer, styrene content = 15 mass%, unsaturated double bond amount = 5 mmol / g or more and less than 15 mmol / g, , Mw = 100,000 or more and less than 200,000, manufactured by JSR Corporation)

(Rb-1): RB810(폴리뷰타다이엔계 엘라스토머, 불포화 이중 결합량 15mmol/g 이상, 5% 열질량 감소 온도=100℃ 이상 250℃ 미만, Mw=20만 이상 30만 미만, JSR(주)제)(Rb-1): RB810 (polybutadiene-based elastomer, unsaturated double bond amount of 15 mmol / g or more, 5% thermal mass reduction temperature = 100 ° C or more and less than 250 ° C, Mw = )My)

(Rb-2): ZEONEX 480R(닛폰 제온제 사이클로올레핀계 중합체)(Rb-2): ZEONEX 480R (cycloolefin-based polymer manufactured by Nippon Zeon)

(Rb-3): Durimide(등록 상표) 284(후지필름제 폴리이미드)(Rb-3): Durimide (registered trademark) 284 (polyimide manufactured by Fuji Film)

(Rb-4): PCZ300(미쓰비시 가스 가가쿠사제 폴리카보네이트)(Rb-4): PCZ300 (polycarbonate manufactured by Mitsubishi Gas Chemical)

(Rb-5): 하이트렐 7247(폴리에스터계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=383℃, 경도(타입 A 듀로미터)=90 이상, 도레이 듀폰사제)(Rb-5): Hytrel 7247 (polyester elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 383 DEG C, hardness (type A durometer) = 90 or more, manufactured by Toray DuPont)

(Rb-6): 프리말로이 CP300(폴리에스터계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=399℃, 경도(타입 A 듀로미터)=90 이상, 미쓰비시 가가쿠사제)(Rb-6): Primaloy CP300 (polyester elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 399 DEG C, hardness (type A durometer) = 90 or more, manufactured by Mitsubishi Kagaku)

불포화 이중 결합량은, NMR 측정에 의하여 산출한 값이다.The amount of unsaturated double bond is a value calculated by NMR measurement.

5% 열질량 감소 온도는, 열중량 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 조건에서, 측정 개시 시의 질량의 5%가 감소하는 온도를 측정한 값이다.The 5% thermal mass reduction temperature is a temperature at which 5% of the mass at the start of measurement is decreased by a thermogravimetric analyzer (TGA) under the condition that the temperature is raised from 25 占 폚 to 20 占 폚 / Measured value.

[시험예 1][Test Example 1]

<접착성 지지체 1의 형성>&Lt; Formation of Adhesive Support 1 >

접착층 형성용 도포액 1을, 직경 100mm, 두께 525μm의 Si 웨이퍼(지지체 웨이퍼) 상에 스핀 코터 도포한 후, 110℃에서 1분 베이크하고, 또한 190℃에서 4분 베이크함으로써 접착층을 갖는 접착성 지지체 1을 제작했다.The application liquid 1 for forming an adhesive layer was spin-coated on a Si wafer (support wafer) having a diameter of 100 mm and a thickness of 525 m, baked at 110 DEG C for 1 minute and further baked at 190 DEG C for 4 minutes to obtain an adhesive support 1.

<접착층 형성용 도포액 1의 조성>&Lt; Composition of Coating Liquid 1 for Adhesive Layer Formation &

·A 성분: 표 1에 기재된 A 성분을, 표 1에 나타내는 질량부Component A: The component A shown in Table 1 was added to the mass parts shown in Table 1

·B 성분: 표 1에 기재된 B 성분을, 표 1에 나타내는 질량부Component B: The component B shown in Table 1 was added to the mass parts shown in Table 1

·Irganox 1010(BASF(주)제): 0.9질량부Irganox 1010 (manufactured by BASF): 0.9 parts by mass

·Sumilizer TP-D(스미토모 가가쿠(주)제): 0.9질량부Sumilizer TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 0.9 parts by mass

·용제: 표 1에 기재된 용제를, 표 1에 나타내는 질량부Solvent: The solvent shown in Table 1 was added to the mass part

<시험편의 제작>&Lt; Preparation of test piece &

접착성 지지체 1의 접착층이 형성된 측의 면과, 직경 100mm, 두께 525μm, 높이 10μm의 Cu제 범프가 장착된 Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)의 디바이스면을, 진공하, 190℃, 0.11MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 시험편을 제작했다.The device side of the Si wafer (device wafer) equipped with the Cu bump with a diameter of 100 mm, a thickness of 525 mu m and a height of 10 mu m on the side where the adhesive layer of the adhesive supporting member 1 was formed was cleaned at 190 DEG C under a pressure of 0.11 MPa And pressed for 3 minutes to prepare a test piece.

<접착성><Adhesiveness>

시험편의 전단 접착력을, 인장 시험기((주)이마다제 디지털 포스게이지, 형식: ZP-50N)를 이용하여, 250mm/min의 조건에서 접착층의 면을 따른 방향으로 인장 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다.The shear adhesive strength of the test piece was measured by tensile test in the direction along the surface of the adhesive layer at a rate of 250 mm / min using a tensile tester (digital force gauge manufactured by Imada Corporation, model: ZP-50N) did.

A: 50N 이상의 접착력A: Adhesion of 50 N or more

B: 10N 이상 50N 미만의 접착력B: Adhesion of 10N or more and less than 50N

C: 10N 미만의 접착력C: Adhesion less than 10N

<박리성><Peelability>

시험편을, 다이싱 테이프 마운터의 중앙에 다이싱 프레임과 함께 셋팅하고, 다이싱 테이프를 상방으로부터 배치했다. 진공하, 롤러로 시험편과 다이싱 테이프를 고정하고, 다이싱 프레임 상에서 다이싱 테이프를 절단하여, 다이싱 테이프 상에 시험편을 마운트했다.The test piece was set in the center of the dicing tape mounter together with the dicing frame, and the dicing tape was placed from above. The test piece and the dicing tape were fixed with a roller under vacuum, the dicing tape was cut on the dicing frame, and the test piece was mounted on the dicing tape.

25℃하에 있어서, 시험편을 50mm/min의 조건에서 접착층의 면에 대하여 수직 방향(90° 방향)으로 인장하여, 박리성을 이하의 기준으로 평가했다. 또, 제작된 시험편을 250℃에서 30분 가열한 후에, 25℃하에 있어서, 시험편을, 50mm/min의 조건에서 접착층의 수직 방향으로 인장하고, 열프로세스 후의 박리성을 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다. 또한, Si 웨이퍼의 파손의 유무는 육안으로 확인했다.Under the conditions of 25 占 폚, the test piece was stretched in the direction (90 占 direction) perpendicular to the surface of the adhesive layer at a rate of 50 mm / min, and the peelability was evaluated according to the following criteria. The prepared test piece was heated at 250 占 폚 for 30 minutes and then stretched in the vertical direction of the adhesive layer at 25 占 폚 under the condition of 50 mm / min to confirm the peelability after the heat treatment. I appreciated. The presence or absence of breakage of the Si wafer was visually confirmed.

A: 최대의 박리력이 12N 미만이며 박리할 수 있었다.A: The maximum peel force was less than 12N and peeling was possible.

B: 최대의 박리력이 12N 이상 16N 미만이며 박리할 수 있었다.B: The maximum peeling force was 12N or more and less than 16N, and peeling was possible.

C: 최대의 박리력이 16N 이상 20N 미만이며 박리할 수 있었다.C: The maximum peeling force was 16N or more and less than 20N, and peeling was possible.

D: 최대의 박리력이 20N 이상 25N 미만이며 박리할 수 있었다.D: The maximum peeling force was 20N or more and less than 25N, and peeling was possible.

E: 최대의 박리력이 25N/cm 이상 혹은 Si 웨이퍼가 파손되었다.E: The maximum peel force was 25 N / cm or more, or the Si wafer was broken.

<제거성(용해 제거)>&Lt; Removability (dissolution removal) >

박리성 시험 종료 후의 접착층이 있는 Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)를, 접착층을 위로 하여 스핀 코터에 셋팅하고, 세정 용제로서 하기 표 1에 기재된 접착층 형성용 도포액의 용제와 동일한 용제를 사용하여, 5분간 분무했다. 또한, 5분간 분무에 메시틸렌을 사용하지 않았던 비교예 5, 6, 7만, Si 웨이퍼를 회전시키면서 아이소프로필알코올(IPA)을 분무하여 린스를 행했다. 또한 스핀 건조를 행했다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착층의 유무를 육안, 및 X선 광전자 분광법에 의하여, Si 웨이퍼 표면의 탄소 원자량으로 체크하고, 이하의 기준으로 평가했다.An Si wafer (device wafer) having an adhesive layer after completion of the peelability test was set on a spin coater with the adhesive layer facing up. Using the same solvent as the solvent for the adhesive layer forming coating solution described in Table 1 below as a cleaning solvent, I sprayed. In Comparative Examples 5, 6 and 7 in which mesitylene was not used for spraying for 5 minutes, isopropyl alcohol (IPA) was sprayed while rotating the Si wafer to rinse. Further, spin drying was performed. Thereafter, the appearance was observed, and the presence or absence of the remaining adhesive layer was checked with the naked eye and the amount of carbon atoms on the surface of the Si wafer by X-ray photoelectron spectroscopy, and the evaluation was made according to the following criteria.

<<X선 광전자 분광법의 측정 방법>><< Measurement method of X-ray photoelectron spectroscopy >>

측정 장치는 PHI Quantera SXM(알박·파이사제)을 이용하고, 웨이퍼의 기재면 1400μm×700μm의 분석 면적 범위에 대하여, 단색화한 AlK α선을 25W 조사하며, 취출 각도 45°에서 검출하여, 탄소 원자의 존재 비율(atm%)을 측정했다. 측정 온도는, 25℃이고, 측정 압력은, 10-8Pa 이하였다.Using a PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC, Pa.), A monochromatic AlK alpha ray was irradiated at 25W in an analysis area range of 1400 mu m x 700 mu m on the base surface of the wafer and detected at an extraction angle of 45 DEG, (Atm%) was measured. The measurement temperature was 25 占 폚, and the measurement pressure was 10 -8 Pa or less.

또한, 웨이퍼의 기재면의 면적이란, 기재면의 표면에 요철이 있는 경우도, 그 요철부가 없다고 가정한 경우의 기재의 표면의 면적을 말한다.The area of the substrate surface of the wafer means the area of the surface of the substrate when it is assumed that there is no irregularity even when the surface of the substrate surface has irregularities.

이하의 평가 구분에 따라 평가했다.Evaluation was made according to the following evaluation categories.

A: ESCA 측정의 결과, 탄소 원자의 존재 비율이 1% 미만이었다.A: As a result of ESCA measurement, the presence ratio of carbon atoms was less than 1%.

B: ESCA 측정의 결과, 탄소 원자의 존재 비율이 1% 이상 3% 미만이었다.B: As a result of ESCA measurement, the presence ratio of carbon atoms was 1% or more and less than 3%.

C: ESCA 측정의 결과, 탄소 원자의 존재 비율이 3% 이상이었다.C: As a result of ESCA measurement, the presence ratio of carbon atoms was 3% or more.

<제거성(필름 제거)><Removability (film removal)>

25℃하에 있어서, 박리성 시험 종료 후의 접착층이 있는 Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)를 움직이지 않게 고정하고, 접착층이 있는 Si 웨이퍼 상의 접착층에 박리용 테이프(린텍 가부시키가이샤제)를 첩부하며, 박리용 테이프를 접착층에 대하여 수직 방향으로 인장하고, 접착층을 90° 방향으로 50mm/min의 속도로 끌어올려, Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)의 디바이스면에서 접착층을 필름 형상으로 박리했다. 그 후, 외관을 관찰하여 Si 웨이퍼 상에 잔존하는 접착층의 박리 잔사의 유무를 육안으로 체크하고, 이하의 기준으로 평가했다.The Si wafer (device wafer) having the adhesive layer after completion of the peelability test was immovably fixed at 25 캜, and a peeling tape (manufactured by LINTEC CORPORATION) was affixed to the adhesive layer on the Si wafer having the adhesive layer, The tape was pulled in the direction perpendicular to the adhesive layer, and the adhesive layer was pulled up at a rate of 50 mm / min in the 90 占 direction to peel the adhesive layer from the device surface of the Si wafer (device wafer) in a film form. Thereafter, the appearance was observed, and the presence or absence of the peeling residue of the adhesive layer remaining on the Si wafer was visually checked and evaluated according to the following criteria.

A: 4N/cm 이하의 박리 강도로, 파단시키지 않고 접착층을 필름 형상으로 제거할 수 있으며, 접착층의 박리 잔사가 확인되지 않는다.A: With the peeling strength of 4 N / cm or less, the adhesive layer can be removed in a film form without breaking, and the peeling residue of the adhesive layer can not be confirmed.

B: 4N/cm를 넘는 박리 강도로, 파단시키지 않고 접착층을 필름 형상으로 제거할 수 있으며, 접착층의 박리 잔사가 확인되지 않는다.B: With the peel strength exceeding 4 N / cm, the adhesive layer can be removed in a film form without breaking, and the peeling residue of the adhesive layer can not be confirmed.

C: 상기 A 및 B 중 어느 것에도 해당하지 않음(박리 도중에 파단됨)C: Not applicable to either A or B above (broken during peeling)

<웨이퍼 휨>&Lt; Wafer bending >

제작한 시험편의 디바이스 웨이퍼의, 접착층에 접하지 않은 쪽의 면을, 디바이스 웨이퍼의 두께가 35μm의 두께가 될 때까지 연마한 후, KLA-Tencor사제 FLX-2320을 이용하여, 승온 속도 및 냉각 속도를 10℃/분으로 설정하고, 실온에서 200℃까지 가열 후, 25℃까지 냉각시켜, Bow값(휨의 크기)을 측정했다.The surface of the device wafer of the produced test piece which did not contact the adhesive layer was polished until the thickness of the device wafer became 35 탆 and then the temperature and rate of cooling were measured using FLX-2320 manufactured by KLA-Tencor Was set at 10 占 폚 / min, and then heated from room temperature to 200 占 폚, and then cooled to 25 占 폚 to measure a Bow value (flexural strength).

A: Bow값이 40μm 이하A: Bow value is 40μm or less

B: Bow값이 40μm 초과 80μm 미만B: Bow value exceeding 40μm but less than 80μm

C: Bow값이 80μm 이상 200μm 미만C: Bow value is more than 80μm and less than 200μm

D: Bow값이 200μm 이상D: Bow value of 200μm or more

[표 1][Table 1]

Figure pct00005
Figure pct00005

상기 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 가고정 접착제를 이용한 경우, 접착성 및 상온 박리성이 양호했다. 나아가서는, 가열 후의 박리성, 접착층의 제거성이 양호하고, 웨이퍼의 휨이 억제되었다.As is apparent from the above results, when the temporary fixing adhesive of the present invention was used, the adhesive property and the room temperature peeling property were good. Further, the peelability after heating and the removability of the adhesive layer were satisfactory, and warpage of the wafer was suppressed.

또, 엘라스토머로서, 상술한 엘라스토머 X와, 엘라스토머 Y를 병용한 실시예는, 웨이퍼의 휨이 보다 효과적으로 억제되었다.In addition, in the example in which the above-mentioned elastomer X and the elastomer Y were used together as the elastomer, warpage of the wafer was more effectively suppressed.

[시험예 2][Test Example 2]

<접착성 지지체 2의 형성>&Lt; Formation of Adhesive Support 2 >

접착층 형성용 도포액 2를, 직경 100mm, 두께 525μm의 Si 웨이퍼(지지체 웨이퍼) 상에 스핀 코터 도포한 후, 110℃에서 1분 베이크하고, 또한 190℃에서 4분 베이크함으로써 접착층을 갖는 접착성 지지체 2를 제작했다.The application liquid 2 for forming an adhesive layer was spin-coated on a Si wafer (support wafer) having a diameter of 100 mm and a thickness of 525 占 and baked at 110 占 폚 for 1 minute and further baked at 190 占 폚 for 4 minutes to obtain an adhesive support 2.

또, 접착층 형성용 도포액 3을, 직경 100mm, 두께 525μm, 높이 10μm의 Cu제 범프가 장착된 Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼) 상에 스핀 코터 도포한 후, 110℃에서 1분 베이크하고, 또한 190℃에서 4분 베이크함으로써 접착층을 갖는 접착성 기재를 제작했다.The application liquid 3 for forming an adhesive layer was spin-coated on a Si wafer (device wafer) having a diameter of 100 mm, a thickness of 525 mu m and a height of 10 mu and equipped with Cu bumps, baked at 110 DEG C for 1 minute, For 4 minutes to prepare an adhesive base material having an adhesive layer.

<접착층 형성용 도포액 2, 3의 조성><Composition of Adhesive Layer Forming Coating Liquid 2, 3>

·A 성분: 표 2에 기재된 A 성분을, 표 2에 나타내는 질량부Component A: The component A shown in Table 2 was added to the mass portion

·B 성분: 표 2에 기재된 B 성분을, 표 2에 나타내는 질량부Component B: The component B shown in Table 2 was added to the mass component

·Irganox 1010(BASF(주)제): 0.9질량부Irganox 1010 (manufactured by BASF): 0.9 parts by mass

·Sumilizer TP-D(스미토모 가가쿠(주)제): 0.9질량부Sumilizer TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 0.9 parts by mass

·메시틸렌: 30질량부Mesitylene: 30 parts by mass

<시험편의 제작>&Lt; Preparation of test piece &

접착성 지지체 2의 접착층이 형성된 측의 면과, 접착성 기재의 접착층이 형성된 면을, 진공하, 190℃, 0.11MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 시험편을 제작했다.The surface of the adhesive support 2 on which the adhesive layer was formed and the surface of the adhesive base material on which the adhesive layer was formed were pressed under vacuum at 190 DEG C and 0.11 MPa for 3 minutes to prepare a test piece.

<접착성><Adhesiveness>

시험예 1에 있어서의 접착성 평가와 동일한 방법 및 기준으로 접착성을 평가했다.The adhesiveness was evaluated by the same method and standard as the evaluation of the adhesion in Test Example 1.

<매립성><Fillability>

시험편을 C-SAM(초음파 현미경)을 이용하여, 첩합 후의 접착층(접착층끼리의 계면, 접착층과 기재의 접합면, 및 접착층과 지지체의 접합면을 포함함)에 있어서의 보이드의 유무를 확인했다.The presence or absence of voids in the adhesive layer after the bonding (including the interface between the adhesive layers, the bonding surface between the adhesive layer and the substrate, and the bonding surface between the adhesive layer and the support) was confirmed using a C-SAM (ultrasonic microscope).

A: 보이드 발생 없음.A: No voids.

B: 직경 10μm 이하의 작은 보이드를 1개 이상 5개 이하 확인할 수 있지만 실질적 손해 없음.B: Small voids less than 10μm in diameter can be identified from 1 to 5 but no substantial damage.

C: 직경 10μm 이하의 작은 보이드를 5개 초과 10개 미만 확인할 수 있지만 실질적 손해 없음.C: No less than 5 but less than 10 small voids less than 10μm in diameter, but no substantial damage.

D: 직경 10μm를 넘는 보이드가 10개 이상 발생하여, 실질적 손해 있음.D: More than 10 voids exceeding 10μm in diameter, resulting in substantial damage.

<박리성><Peelability>

시험예 1에 있어서의 박리성 평가와 동일한 방법 및 기준으로 박리성을 평가했다.The peelability was evaluated by the same method and criterion as the peelability evaluation in Test Example 1.

<제거성(용해 제거)>&Lt; Removability (dissolution removal) >

시험예 1에 있어서의 제거성(용해 제거)과 동일한 방법 및 기준으로 제거성(용해 제거)을 평가했다.The removability (dissolution removal) was evaluated by the same method and criterion as the removability (dissolution removal) in Test Example 1.

<제거성(필름 제거)><Removability (film removal)>

시험예 1에 있어서의 제거성(필름 제거)과 동일한 방법 및 기준으로 제거성(필름 제거)을 평가했다.(Film removal) was evaluated by the same method and criterion as the removability (film removal) in Test Example 1.

<웨이퍼 휨>&Lt; Wafer bending >

시험예 1에 있어서의 웨이퍼 휨과 동일한 방법 및 기준으로 웨이퍼 휨을 평가했다.Wafer bending was evaluated by the same method and criterion as wafer bending in Test Example 1.

[표 2][Table 2]

Figure pct00006
Figure pct00006

상기 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 가고정 접착제를 이용한 경우, 접착성 및 상온 박리성이 양호했다. 나아가서는, 가열 후의 박리성, 접착층의 제거성이 양호했다.As apparent from the above results, when the temporary fixing adhesive of the present invention was used, the adhesive property and the room temperature peeling property were good. Further, the peelability after the heating and the removability of the adhesive layer were good.

또, 엘라스토머로서, 상술한 엘라스토머 X와, 엘라스토머 Y를 병용한 실시예는, 웨이퍼의 휨이 보다 효과적으로 억제되었다.In addition, in the example in which the above-mentioned elastomer X and the elastomer Y were used together as the elastomer, warpage of the wafer was more effectively suppressed.

또, 지지체측과 디바이스측의 쌍방에 도포한 경우(실시예 34~41)에는 매립성이 양호했다.In addition, when applied to both the support side and the device side (Examples 34 to 41), the filling property was good.

[시험예 3][Test Example 3]

<접착 필름의 제작 방법>&Lt; Method for producing adhesive film &

실시예 42~50 및 비교예 12~15, 18~21의 접착 필름 형성용 조성물을, 두께 75μm의 이형 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에, 속도 1m/분의 속도로 와이어 바에 의하여 도공하고, 140℃, 10분간 건조함으로써, 필름 두께 100μm의 접착 필름을 제작했다.The composition for forming an adhesive film of Examples 42 to 50 and Comparative Examples 12 to 15 and 18 to 21 was applied on a 75 占 퐉 -thick polyethylene terephthalate (PET) film with a wire bar at a speed of 1 m / min, And dried at 140 DEG C for 10 minutes to produce an adhesive film having a film thickness of 100 mu m.

비교예 16, 17의 접착 필름 형성용 조성물을, 300℃에서 5분 동안 용융 교반하고, 폭 100μm의 슬릿으로부터 압출함으로써 접착 필름(압출 성형 시트)을 제작했다.The composition for forming an adhesive film of Comparative Examples 16 and 17 was melt-stirred at 300 DEG C for 5 minutes and extruded from a slit having a width of 100 mu m to produce an adhesive film (extrusion-molded sheet).

(접착 필름 형성용 조성물의 조성)(Composition of composition for forming an adhesive film)

·A 성분: 표 3에 기재된 A 성분을, 표 3에 나타내는 질량부Component A: Component A shown in Table 3 was added to the mass parts shown in Table 3

·B 성분: 표 3에 기재된 B 성분을, 표 3에 나타내는 질량부Component B: The component B shown in Table 3 was added to the component

·용제: 표 3에 기재된 용제를, 표 3에 나타내는 질량부Solvent: The solvent shown in Table 3 was added to the mass parts shown in Table 3

<시험편의 제작>&Lt; Preparation of test piece &

접착성 지지체 2의 접착층이 형성된 측의 면과, 직경 100mm의 Si 웨이퍼를, 진공하, 190℃, 0.11MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 시험편을 제작했다.A Si wafer having a diameter of 100 mm and a side of the adhesive support 2 on which the adhesive layer was formed was pressed under vacuum at 190 DEG C and 0.11 MPa for 3 minutes to prepare a test piece.

<접착성><Adhesiveness>

시험예 1에 있어서의 접착성 평가와 동일한 방법 및 기준으로 접착성을 평가했다.The adhesiveness was evaluated by the same method and standard as the evaluation of the adhesion in Test Example 1.

<박리성><Peelability>

시험예 1에 있어서의 박리성 평가와 동일한 방법 및 기준으로 박리성을 평가했다.The peelability was evaluated by the same method and criterion as the peelability evaluation in Test Example 1.

<제거성(용해 제거)>&Lt; Removability (dissolution removal) >

박리성 시험 종료 후의 접착층이 있는 Si 웨이퍼를, 접착층을 위로 하여 스핀 코터에 셋팅하고, 세정 용제로서 하기 표 3에 기재된 용제를 사용하여, 웨이퍼에 5분간 분무했다. 또한 스핀 건조를 행했다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착층의 유무를 육안으로 체크하고, 이하의 기준으로 평가했다.The Si wafer having the adhesive layer after the peelability test was set on the spin coater with the adhesive layer facing up and sprayed on the wafer for 5 minutes using the solvent shown in Table 3 as a cleaning solvent. Further, spin drying was performed. Thereafter, the appearance was observed, and the presence or absence of the remaining adhesive layer was visually checked and evaluated according to the following criteria.

A: 접착층의 잔존이 확인되지 않음A: Remaining adhesive layer is not confirmed

B: 접착층의 잔존이 확인됨B: Remaining adhesive layer is confirmed

<제거성(필름 제거)><Removability (film removal)>

시험예 1에 있어서의 제거성(필름 제거)과 동일한 방법 및 기준으로 제거성(필름 제거)을 평가했다.(Film removal) was evaluated by the same method and criterion as the removability (film removal) in Test Example 1.

<웨이퍼 휨>&Lt; Wafer bending >

시험예 1에 있어서의 웨이퍼 휨과 동일한 방법 및 기준으로 웨이퍼 휨을 평가했다.Wafer bending was evaluated by the same method and criterion as wafer bending in Test Example 1.

[표 3][Table 3]

Figure pct00007
Figure pct00007

상기 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 가고정 접착제를 이용한 경우, 접착성 및 상온 박리성이 양호했다. 나아가서는, 가열 후의 박리성, 접착층의 제거성이 양호하고, 웨이퍼의 휨이 억제되었다.As is apparent from the above results, when the temporary fixing adhesive of the present invention was used, the adhesive property and the room temperature peeling property were good. Further, the peelability after heating and the removability of the adhesive layer were satisfactory, and warpage of the wafer was suppressed.

또, 엘라스토머로서, 상술한 엘라스토머 X와, 엘라스토머 Y를 병용한 실시예는, 웨이퍼의 휨이 보다 효과적으로 억제되었다.In addition, in the example in which the above-mentioned elastomer X and the elastomer Y were used together as the elastomer, warpage of the wafer was more effectively suppressed.

1: 기재
2: 지지체
3, 3A, 3B, 11, 11a~11d: 접착층
12: 지지체
60: 디바이스 웨이퍼
60a: 박형 디바이스 웨이퍼
61: 실리콘 기판
61a: 표면
61b, 61b1: 이면
62: 디바이스 칩
63: 구조체
100, 100a: 접착성 지지체
1: substrate
2: Support
3, 3A, 3B, 11, 11a to 11d:
12: Support
60: device wafer
60a: thin device wafer
61: silicon substrate
61a: Surface
61b, 61b1:
62: Device chip
63: structure
100, 100a: Adhesive support

Claims (25)

25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물과,
스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는 가고정 접착제.
A compound which is liquid at 25 占 폚 and contains silicon atoms,
And an elastomer X containing repeating units derived from styrene in a proportion of not less than 50% by mass and not more than 95% by mass in the total repeating units.
청구항 1에 있어서,
상기 실리콘 원자를 함유하는 화합물의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인, 가고정 접착제.
The method according to claim 1,
Wherein the 10% thermal mass reduction temperature of the compound containing silicon atoms is raised from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min at 250 占 폚 or higher.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 엘라스토머 X의 JIS K6253의 방법에 따라 타입 A 듀로미터로 측정한 경도가 83 이상인, 가고정 접착제.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the hardness of the elastomer X measured by a Type A durometer according to the method of JIS K6253 is 83 or more.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 더 포함하는, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Further comprising an elastomer (Y) containing a repeating unit derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units.
청구항 4에 있어서,
상기 엘라스토머 X와, 상기 엘라스토머 Y의 질량비가, 5:95~95:5인, 가고정 접착제.
The method of claim 4,
Wherein the mass ratio of the elastomer X and the elastomer Y is 5: 95 to 95: 5.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the 5% thermal mass reduction temperature of at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is increased from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min at 250 占 폚 or higher.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종의, 불포화 이중 결합량이, 7mmol/g 이하인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the amount of the unsaturated double bond of at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is 7 mmol / g or less.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 수소 첨가물인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a hydrogenated product.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 블록 공중합체인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a block copolymer.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제에 포함되는 엘라스토머 중 적어도 1종이, 편 말단 또는 양 말단이 스타이렌에서 유래하는 블록 공중합체인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein at least one of the elastomers contained in the temporary fixing adhesive is a block copolymer derived from styrene at one end or both ends thereof.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제 중의 엘라스토머의 합계량에 대한, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량이 0.01질량% 이상 2.5질량% 미만인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the content of the compound containing a silicon atom relative to the total amount of the elastomers in the temporary fixing adhesive is 0.01% by mass or more and less than 2.5% by mass.
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리콘 원자를 함유하는 화합물이, 다이메틸폴리실록세인, 메틸페닐폴리실록세인, 다이페닐폴리실록세인 및 폴리에터 변성 폴리실록세인으로부터 선택되는, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the silicon atom-containing compound is selected from dimethyl polysiloxane, methylphenyl polysiloxane, diphenyl polysiloxane and polyether modified polysiloxane.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
산화 방지제 및 용제 중 적어도 한쪽을 더 포함하는, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 12,
An antioxidant, and at least one of a solvent and a solvent.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가고정 접착제는, 반도체 장치 제조용 가고정 접착제인, 가고정 접착제.
The method according to any one of claims 1 to 13,
Wherein the temporary fixing adhesive is a temporary fixing adhesive for manufacturing a semiconductor device.
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층을 갖는, 접착 필름.An adhesive film having an adhesive layer made of the temporary fixing adhesive according to any one of claims 1 to 14. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과, 지지체를 갖는 접착성 지지체.An adhesive backing having an adhesive layer comprising the temporary fixing adhesive according to any one of claims 1 to 14 and a support. 지지체와, 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 가고정 접착제로 이루어지는 접착층과, 기재를 갖는 적층체.A laminate having a support and an adhesive layer comprising the temporary fixing adhesive according to any one of claims 1 to 14 and a substrate. 청구항 17에 있어서,
상기 접착층이 상기 지지체의 표면에 위치하고, 상기 기재가 상기 접착층의 상기 지지체와는 반대측의 표면에 위치하는, 적층체.
18. The method of claim 17,
Wherein the adhesive layer is located on the surface of the support and the substrate is located on a surface of the adhesive layer opposite to the support.
청구항 17에 있어서,
상기 지지체와, 상기 접착층과, 상기 기재가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 상기 지지체와 상기 접착층의 사이에, 상기 접착층과는 조성이 다른 제2 접착층을 갖는, 적층체.
18. The method of claim 17,
Wherein the support, the adhesive layer, and the substrate are laminated in this order, and a second adhesive layer having a composition different from that of the adhesive layer is provided between the support and the adhesive layer.
청구항 17에 있어서,
상기 지지체와, 상기 접착층과, 상기 기재가, 상기 순으로 적층되어 있고, 또한 상기 접착층과 상기 기재의 사이에 상기 접착층과는 조성이 다른 제2 접착층을 갖는, 적층체.
18. The method of claim 17,
Wherein the support, the adhesive layer, and the substrate are stacked in this order, and a second adhesive layer is formed between the adhesive layer and the substrate, the second adhesive layer being different in composition from the adhesive layer.
청구항 19 또는 청구항 20에 있어서,
상기 제2 접착층이, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하는, 적층체.
The method according to claim 19 or 20,
And the second adhesive layer comprises an elastomer X containing repeating units derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units.
청구항 19 내지 청구항 21 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 접착층이, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 포함하는, 적층체.
The method according to any one of claims 19 to 21,
Wherein the second adhesive layer comprises an elastomer Y containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units.
청구항 19 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 접착층에 있어서의, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량은, 상기 접착층에 포함되고, 25℃에서 액체상이며, 실리콘 원자를 함유하는 화합물의 함유량의 10질량% 이하인, 적층체.
The method as claimed in any one of claims 19 to 22,
Wherein the content of the silicon atom-containing compound contained in the adhesive layer in the liquid phase at 25 占 폚 in the second adhesive layer is 10% by mass or less of the content of the silicon- Laminates.
청구항 17 내지 청구항 23 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재가 디바이스 웨이퍼인, 적층체.
The method of any one of claims 17 to 23,
Wherein the substrate is a device wafer.
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 가고정 접착제와, 스타이렌에서 유래한 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X를 포함하고, 또한 상기 가고정 접착제와는 조성이 다른 제2 접착제를 갖는 키트.An adhesive composition comprising the temporary fixing agent according to any one of claims 1 to 14 and an elastomer X containing 50% by mass or more and 95% by mass or less of styrene-derived repeating units in the total repeating units, And a second adhesive different in composition from the positive adhesive.
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