KR20170133771A - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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Abstract

A substrate processing apparatus of the present invention comprises: a chamber for providing an enclosed inner space; a fan filter unit installed in an upper part of the chamber, and providing a high humidity downflow to the inner space of the chamber; a substrate support member installed in the inner space of the chamber, and having a substrate laid thereon; and an atmosphere formation unit positioned between the fan filter unit and the substrate support member, and supplying low humidity gas to the substrate. The atmosphere formation unit includes: a support member; and a nozzle provided in an end unit of the support member, and radially spraying the low humidity gas. The substrate processing apparatus can prevent irregular air flow formation in a process chamber by minimizing a collision with the downflow through the fan filter unit.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판으로 처리유체를 공급하여 기판 표면을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing apparatus that processes a substrate surface by supplying a processing fluid to the substrate.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is becoming very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

일반적인 기판 세정을 위한 공정 챔버는 상부에 설치된 팬필터유닛을 통해서 고습도의 외기가 유입된다. 따라서, 공정 챔버는 내부가 고습도의 환경(상온 25℃, 상대습도 14%)을 유지하게 된다. 그러나, 고습도의 환경속에서 기판 세정 공정을 진행하다 보면 기판 가장자리 부근에서 패턴 기울어짐(pattern leaning) 현상이 발생된다. In a general process chamber for substrate cleaning, high-humidity external air flows through a fan filter unit installed on the upper part. Therefore, the inside of the process chamber is maintained in a high-humidity environment (room temperature 25 ° C, relative humidity 14%). However, when the substrate cleaning process is performed in a high humidity environment, a pattern leaning phenomenon occurs near the edge of the substrate.

이러한 문제 해결을 위해 [특허문헌 1] 한국 공개특허 10-2009-0088800에서는 저습도 가스를 기판 상부에서 분사하는 가스 토출 헤드를 마련하여 기판 표면에 직접적으로 다운 플로우 기류가 공급되는 것을 차단하고 있다. In order to solve such a problem, [Patent Document 1] Korean Patent Laid-open Publication No. 10-2009-0088800 discloses a gas discharge head for spraying low-humidity gas from above the substrate to block the supply of the downflow stream directly to the surface of the substrate.

그러나, 공정 챔버에서의 다운 플로우 기류가 저습도 가스를 분사하는 가스 토출 헤드와 충돌하게 되면서 불규칙한 기류를 형성하게 되고, 이러한 불규칙한 기류가 기판 표면으로 침입하게 되면서 기판 표면에 저습도 가스가 균일하게 공급되지 못하는 현상이 발생하고 있다.However, since the downflow flow in the process chamber collides with the gas discharge head that injects the low-humidity gas, an irregular airflow is formed. When such an irregular airflow enters the substrate surface, the low- Which is a phenomenon that can not be achieved.

본 발명의 목적은 팬필터 유닛을 통한 다운 플로우 기류와의 충돌을 최소화하여 공정 챔버 내부의 불규칙한 기류 형성을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing a collision with a downflow flow through a fan filter unit, thereby preventing irregular airflow inside the process chamber.

본 발명의 목적은 기판 표면으로 다운 플로우 기류의 영향을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the influence of a downflow current on a substrate surface.

본 발명의 목적은 기판 표면의 건조 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of increasing the drying efficiency of a substrate surface.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 밀폐된 내부 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부에 설치되고, 상기 챔버의 내부공간으로 고습도의 다운 플로우 기류를 제공하는 팬필터유닛; 상기 챔버의 내부공간에 설치되고, 기판이 놓여지는 기판 지지부재; 및 상기 팬필터유닛과 상기 기판 지지부재 사이로 위치되고, 상기 기판상으로 저습도의 가스를 공급하는 분위기 형성 유닛을 포함하되; 상기 분위기 형성 유닛은 지지 부재; 및 상기 지지 부재의 단부에 제공되고, 저습도 가스를 방사형으로 분사하는 노즐을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a chamber comprising: a chamber for providing an enclosed inner space; A fan filter unit installed at an upper portion of the chamber, the fan filter unit providing a high-humidity downflow stream to the inner space of the chamber; A substrate support member installed in an inner space of the chamber and on which a substrate is placed; And an atmosphere forming unit positioned between the fan filter unit and the substrate supporting member and supplying a low humidity gas onto the substrate; The atmosphere forming unit includes a support member; And a nozzle provided at an end of the support member for ejecting the low-moisture gas in a radial direction.

또한, 상기 노즐은 다수의 분사홀이 제공되며, 상기 분사홀의 배열 형상은 방사형을 이룰 수 있다. In addition, the nozzle may be provided with a plurality of injection holes, and the arrangement of the injection holes may be radial.

또한, 상기 지지 부재는 상기 팬필터 유닛의 저면으로부터 수직하게 설치되고, 내부에 상기 노즐과 연결되는 유로를 제공할 수 있다.In addition, the support member may be provided vertically from the bottom surface of the fan filter unit, and may provide a flow path connected to the nozzle.

또한, 상기 분위기 형성 유닛은 상기 지지부재와 연결되어 상기 유로에 저습도 가스를 공급하는 저습도 가스 공급 라인; 및 상기 저습도 가스 공급 라인에 설치되어 저습도 가스를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.Further, the atmosphere forming unit may include a low-humidity gas supply line connected to the support member and supplying low-humidity gas to the flow path; And a heater installed in the low-humidity gas supply line for heating the low-humidity gas.

또한, 상기 노즐은 중앙에 수직하게 형성된 수직 분사홀; 및 저습도 가스를 바깥쪽으로 넓게 확대 분사하기 위해 상기 수직 분사홀 주변에 배치되어 외측으로 비스듬하게 분사각을 갖는 경사 분사홀을 포함할 수 있다.The nozzle may further include a vertical spray hole vertically formed at the center thereof; And an inclined ejection hole disposed around the vertical ejection hole and having an ejection angle obliquely outward to broadly expand the low-moisture gas to the outside.

또한, 상기 분위기 형성 유닛은 상기 지지부재의 높낮이를 조절하는 승강부재를 더 포함할 수 있다.The atmosphere forming unit may further include an elevating member for adjusting the elevation of the supporting member.

또한, 상기 분위기 형성 유닛은 상기 노즐로부터 분사되는 저습도 가스가 소용돌이 기류를 형성하도록 상기 지지부재에 설치되어 상기 노즐을 회전시키는 회전부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the atmosphere forming unit may further include a rotating member installed on the supporting member to rotate the nozzle so that the low-humidity gas ejected from the nozzle forms a swirl flow.

또한, 상기 챔버 내부 습도 또는 이슬점을 측정하는 측정용 센서; 및 상기 측정용 센서의 측정값에 의해 상기분위기 형성 유닛으로 공급되는 저습도 가스 유량을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. A sensor for measuring the humidity or the dew point of the chamber; And a control unit for controlling the flow rate of the low humidity gas supplied to the atmosphere forming unit by the measurement value of the measuring sensor.

본 발명에 의하면, 분위기 형성 유닛에 의해 기판 상부에 제공되는 저습도 환경의 영역으로 팬필터 유닛의 다운 플로우 기류가 침투하는 것을 최소화할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to the present invention, it is possible to minimize the infiltration of the downflow airflow of the fan filter unit into the region of the low humidity environment provided on the upper portion of the substrate by the atmosphere forming unit.

본 발명에 의하면, 기판 표면으로 다운 플로우 기류가 접근하는 것을 방지할 수 있어 기판 상부에 일정한 저습도 환경을 형성할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the present invention, it is possible to prevent the downflow flow from approaching the surface of the substrate, thereby having a remarkable effect of forming a constant low humidity environment on the substrate.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛의 요부 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛의 요부 사시도이다.
도 6은 분위기 형성 유닛에 의해 의해 만들어진 저습도 영역과 다운 플로우 기류를 보여주는 도면이다.
도 7은 분위기 형성 유닛의 제1변형예를 보여주는 도면이다.
도 8은 분위기 형성 유닛의 제2변형예를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system.
2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the principal part of the atmosphere forming unit shown in Fig.
5 is a principal perspective view of the atmosphere forming unit shown in Fig.
6 is a view showing a low humidity region and a downflow airflow created by the atmosphere forming unit.
7 is a view showing a first modification of the atmosphere forming unit.
8 is a view showing a second modification of the atmosphere forming unit.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing system 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. In the load ports 12, a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed are placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the transfer passage 40 and transfers substrates between the substrate processing apparatuses 1 and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process waiting in the buffer unit 20 to each substrate processing apparatus 1 or transfers the substrate that has been processed in each substrate processing apparatus 1 to the buffer unit 20 ).

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer passage 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer passage 40, the substrate processing apparatuses 1 are disposed to face each other and along the first direction. The main transfer robot 30 moves along the first direction to the transfer passage 40 and the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided with movable rails .

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is disposed on both sides of the moving path 40 on which the main transfer robot 30 is installed so as to face each other. The substrate processing system 1000 includes a plurality of upper and lower substrate processing apparatuses 1 but the number of the substrate processing apparatuses 1 is increased or decreased depending on the process efficiency and the footprint conditions of the substrate processing system 1000 You may. Each of the substrate processing apparatuses 1 is constituted by an independent housing, and a process of processing the substrate in an independent form in each of the substrate processing apparatuses can be performed.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as hot sulfuric acid, an alkaline chemical solution (including ozone water), an acidic chemical solution, a rinse solution, and a dry gas (gas containing IPA) is taken as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, the semiconductor substrate is exemplarily described as the substrate processed by the single wafer processing apparatus 1, but the present invention is not limited to this and can be applied to various kinds of substrates such as a glass substrate.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300), 고정 노즐(500), 배기부재(400) 및 분위기 형성 유닛(900)을 포함한다. 2 and 3, the single wafer processing apparatus 1 according to the present invention is an apparatus for removing foreign matter and film quality remaining on the surface of a substrate using various processing fluids, 100, a substrate supporting member 200, a moving nozzle member 300, a fixing nozzle 500, an exhaust member 400, and an atmosphere forming unit 900.

챔버(800)는 직육면체 형상을 가진다. 챔버의 내부에는 밀폐된 처리공간을 제공한다. 챔버의 일측면에는 개구가 형성된다. 개구는 기판이 출입 가능한 입구로 기능한다. 챔버의 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부에 수직 기류를 발생시킨다. The chamber 800 has a rectangular parallelepiped shape. The inside of the chamber provides a closed processing space. An opening is formed in one side of the chamber. The opening serves as an inlet through which the substrate can enter and exit. A fan filter unit 810 is installed on the upper part of the chamber. The fan filter unit 810 generates a vertical air flow inside the chamber 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 고습도 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리 유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 810 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit, and supplies the high-humidity outside air to the inside of the chamber by filtering. The high-humidity outside air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a vertical airflow. This vertical airflow provides a uniform air flow over the substrate and the contaminants (fumes) generated during the processing of the substrate surface by the processing fluid flow through the suction ducts of the processing vessel 100, together with the air, 400 so that the cleanliness of the inside of the processing vessel can be maintained.

한편, 챔버(800)에는 차압 측정이 가능한 차압 센서(890)가 설치되며, 차압 센서(890) 측정값은 팬필터 제어부(880)로 제공된다. 팬필터 제어부(880)는 차압 센서(890)의 측정값에 따라 팬필터유닛(800)의 유량 제어 또는 배기량을 조절한다. Meanwhile, the chamber 800 is provided with a differential pressure sensor 890 capable of measuring differential pressure, and the measured value of the differential pressure sensor 890 is provided to the fan filter control unit 880. The fan filter control unit 880 adjusts the flow rate control or the displacement of the fan filter unit 800 according to the measured value of the differential pressure sensor 890.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 800 is partitioned into a process area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal partition 814. In the maintenance area 818, the driving unit of the elevating unit, the moving nozzle (not shown) of the moving nozzle member 300, and the driving unit of the elevating unit, as well as the discharging lines 141, 143 and 145 and the sub- 310, and the like, and the maintenance area 818 is preferably isolated from the processing area where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing vessel 100 is divided into an upper space 132a where the spin head 210 is located and an upper space 132a by the spin head 210. An exhaust duct 190 is provided at the lower end of the processing vessel 100 And provides a connected lower space 132b. In the upper space 132a of the processing vessel 100, annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 for introducing and sucking chemical fluids and gases scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). In the lower space 132b, an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing solution and the fumes scattered from the substrate w flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and can be rotated by a driving unit 240, which will be described later, during the process. The substrate supporting member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W are formed on the upper surface of the spin head 210 I have. The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다. The exhaust member 400 is for providing the exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct for recovering the process liquid among the first to third suction ducts 110, 120 and 130 in the process. The exhaust member 400 includes a sub-exhaust line 410 connected to the exhaust duct 190, and a damper 420. The sub-exhaust line 410 is supplied with an exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to a main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line (Fab).

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. Fixing nozzles 500 are installed at the top of the processing vessel 100. The fixed nozzle 500 ejects the processing fluid to the substrate W placed on the spin head 210. The fixed nozzle 500 can adjust the spray angle according to the processing position of the substrate.

이동 노즐 부재(300)는 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 공급한다. 이동 노즐 부재(300)는 지지축(310), 구동부(320), 노즐 암(330), 노즐(340)을 포함한다. The moving nozzle member 300 is moved over the center of the substrate through the swing movement to supply the processing fluid for cleaning or etching on the substrate. The moving nozzle member 300 includes a supporting shaft 310, a driving unit 320, a nozzle arm 330, and a nozzle 340.

분위기 형성 유닛(900)은 기판(W)의 중심 상부에서 기판상에 저습도의 가스를 공급하여 기판 상부의 환경을 저습도 환경으로 치환한다. 여기서, 저습도의 가스는 CDA(클린 드라이 에어), 질소 등의 비활성기체일 수 있다. The atmosphere forming unit 900 supplies low-humidity gas onto the substrate at the center of the substrate W to replace the environment on the substrate with a low humidity environment. Here, the low humidity gas may be an inert gas such as CDA (clean dry air), nitrogen, or the like.

한편, 챔버(800)에는 내부 습도 또는 이슬점을 측정하는 측정용 센서(870)와, 측정용 센서(870)의 측정값에 의해 분위기 형성 유닛(900)으로 공급되는 저습도 가스 유량을 제어하는 제어부(860)가 제공될 수 있다. On the other hand, the chamber 800 is provided with a measurement sensor 870 for measuring the internal humidity or the dew point and a control unit 830 for controlling the low humidity gas flow rate supplied to the atmosphere formation unit 900 by the measurement value of the measurement sensor 870 (860) may be provided.

도 4는 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛의 요부 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛(900)의 요부 사시도이며, 도 6은 분위기 형성 유닛에 의해 의해 만들어진 저습도 영역과 다운 플로우 기류를 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing the principal parts of the atmosphere forming unit shown in FIG. 3, FIG. 5 is a principal perspective view of the atmosphere forming unit 900 shown in FIG. 3, Fig.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 분위기 형성 유닛(900)은 팬필터 유닛(810)과 완전히 독립된 유로를 가지며, 저습도 가스를 기판상으로 분사할 수 있다. 분위기 형성 유닛(900)은 지지 부재(910), 노즐(920), 저습도 가스 공급라인(930) 그리고 히터(940)를 포함할 수 있다. 3 to 6, the atmosphere forming unit 900 has a flow path completely independent of the fan filter unit 810, and is capable of jetting low-humidity gas onto the substrate. The atmosphere forming unit 900 may include a support member 910, a nozzle 920, a low humidity gas supply line 930, and a heater 940.

분위기 형성 유닛(900)은 팬필터 유닛(810)으로부터 제공되는 다운 플로우 기류와의 충돌(간섭)을 최소화할 수 있는 구조를 갖는다는데 그 특징이 있다. 또한, 분위기 형성 유닛은 노즐로부터 분사되는 저습도 가스 영역 안에 기판이 포함될 수 있도록 저습도 가스를 방사형으로 분사한다는데 그 특징이 있다. The atmosphere forming unit 900 is characterized in that it has a structure capable of minimizing a collision (interference) with the downflow airflow provided from the fan filter unit 810. [ Further, the atmosphere forming unit is characterized in that the low-humidity gas is radially injected so that the substrate can be contained in the low-humidity gas region injected from the nozzle.

지지부재(910)는 팬필터 유닛(810)의 저면으로부터 수직하게 설치될 수 있다. 지지부재(910)는 내부에 유로(912)를 포함하며, 이 유로(912)는 노즐(920)과 연결될 수 있다. The support member 910 may be installed vertically from the bottom surface of the fan filter unit 810. The support member 910 includes a flow path 912 therein, and the flow path 912 can be connected to the nozzle 920.

저습도 가스 공급 라인(930)은 지지부재(910)와 연결되어 유로(912)에 저습도 가스를 공급한다. 저습도 가스 공급 라인((30)에는 히터(940)가 설치되어 필요에 따라 노즐(920)로 공급되는 저습도 가스를 가열시킬 수 있다. The low-humidity gas supply line 930 is connected to the support member 910 to supply low-humidity gas to the flow path 912. The low humidity gas supply line (30) is provided with a heater (940), which can heat the low humidity gas supplied to the nozzle (920) as required.

노즐(920)은 지지 부재(910)의 단부에 제공될 수 있다. 노즐(920)은 다수의 분사홀(922,924)들이 제공될 수 있으며, 분사홀(924)들의 배열 형상은 방사형을 제공될 수 있다.The nozzle 920 may be provided at the end of the support member 910. The nozzle 920 may be provided with a plurality of ejection holes 922 and 924 and the arrangement shape of the ejection holes 924 may be provided in a radial form.

구체적으로, 노즐(920)은 수직 분사홀(922)과 경사 분사홀(924)들을 포함할 수 있다. 수직 분사홀(922)은 노즐 중앙에 수직하게 형성되어 저습도 가스를 수직한 방향으로 분사할 수 있다. 경사 분사홀(924)들은 저습도 가스를 바깥쪽으로 넓게 확대 분사하기 위해 수직 분사홀(922) 주변에 배치되어 외측으로 비스듬한 분사각을 가질 수 있다.Specifically, the nozzle 920 may include a vertical spray hole 922 and an oblique spray hole 924. The vertical spray holes 922 are formed perpendicularly to the center of the nozzle so that the low humidity gas can be sprayed in a vertical direction. The oblique jetting holes 924 may be disposed around the vertical jetting hole 922 to have an outwardly oblique jetting angle to widen the low-moisture wetting gas outwardly.

일 예로, 경사 분사홀((24)들은 3열 형태로 배치될 수 있으며, 수직 분사홀(922)에 가장 가까운 제1열의 경사 분사홀들과 최외곽에 위치한 제3열 경사 분사홀들 그리고 이들 사이에 위치한 제2열 경사 분사홀들은 서로 다른 유속 및 서로 다른 유량으로 저습도 가스를 분사할 수 있다. 바람직하게, 최외각에 위치한 제3열의 경사 분사홀들을 통해 분사되는 저습도 가스는 다른 열의 경사 분사홀들로부터 분사되는 저습도 가스보다 상대적으로 빠른 유속으로 저습도 가스를 분사할 수 있으며, 이를 통해 기판 가장자리에 보다 많은 저습도 가스를 공급할 수 있도 특히, 고습도 영역(A)으로부터 저습도 영역(B)으로 침투하려는 다운 플로우 기류를 효과적으로 차단할 수 있는 에어 커튼이 형성될 수 있다. For example, the oblique jetting holes 24 may be arranged in a three-column form and include oblique jetting holes in the first row closest to the vertical jetting holes 922 and third row oblique jetting holes located in the outermost positions, The low-humidity gas injected through the third row of oblique injection holes located at the outermost periphery is preferably injected into the first row of the first column, It is possible to inject the low-humidity gas at a relatively high flow rate relative to the low-humidity gas injected from the oblique injection holes, thereby enabling to supply more low-humidity gas to the edge of the substrate. Particularly, An air curtain can be formed which can effectively block the downflow airflow that intends to penetrate into the air bag B as shown in Fig.

도 6에서와 같이, 팬필터 유닛(810)으로부터 다운 플로우되는 기류는 노즐(920)로부터 분사되는 저습도 가스에 의해 제공되는 저습도 영역(B)의 경사진 경계면에 부딪히면서 저습도 영역(B)의 외곽을 따라 비스듬한 기류가 만들어진다. 따라서, 노즐(920)의 표면과의 충돌로 인한 불규칙한 기류는 최소화하면서 균일한 기류가 만들어짐으로써 다운 플로우 기류가 기판 표면과 접촉하는 것을 방지할 수 있다.6, the air flow downflowed from the fan filter unit 810 collides against the inclined boundary surface of the low humidity region B provided by the low humidity gas injected from the nozzle 920, An oblique air current is generated along the outer periphery of the air. Thus, irregular airflow due to collision with the surface of the nozzle 920 is minimized, and a uniform airflow is created, thereby preventing the downflow airflow from contacting the substrate surface.

도 7은 분위기 형성 유닛의 제1변형예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing a first modification of the atmosphere forming unit.

도 7에서와 같이, 분위기 형성 유닛(900a)은 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛(900)과 동일한 구성과 기능을 제공하므로 이하에서는 본 실시예와 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.As shown in FIG. 7, the atmosphere forming unit 900a provides the same configuration and function as the atmosphere forming unit 900 shown in FIG. 3, and therefore, modifications will be described below focusing on differences from the present embodiment.

본 변형예에서 분위기 형성 유닛(900a)은 지지부재(910)의 높낮이를 조절하는 승강부재(950)를 포함한다는데 특징이 있다. 승강 부재(950)는 챔버 외부에 설치되며, 지지부재(910)와 연결되어 지지부재(910)를 승강시킴으로써 노즐(920)과 기판(w) 간의 간격을 조절할 수 있다. 분위기 형성 유닛(900a)은 노즐(920)과 기판 간의 간격 조절을 통해 기판 상부의 저습도 가스의 기류 및 영역을 변화시킬 수 있다. In this modified example, the atmosphere forming unit 900a is characterized in that it includes an elevating member 950 for adjusting the height of the supporting member 910. The elevating member 950 is provided outside the chamber and is connected to the supporting member 910 to elevate the supporting member 910 to adjust the gap between the nozzle 920 and the substrate w. The atmosphere forming unit 900a can change the airflow and the area of the low humidity gas at the top of the substrate by adjusting the gap between the nozzle 920 and the substrate.

도 8은 분위기 형성 유닛의 제2변형예를 보여주는 도면이다.8 is a view showing a second modification of the atmosphere forming unit.

도 8에서와 같이, 분위기 형성 유닛(900b)은 도 3에 도시된 분위기 형성 유닛(900)과 동일한 구성과 기능을 제공하므로 이하에서는 본 실시예와 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.As shown in FIG. 8, the atmosphere forming unit 900b provides the same configuration and functions as the atmosphere forming unit 900 shown in FIG. 3, and therefore, modifications will be described below focusing on differences from the present embodiment.

본 변형예에서 분위기 형성 유닛(900b)은 노즐(920)을 회전시키기 위한 회전부재(960)를 포함한다는데 특징이 있다. 회전 부재(960)는 챔버 외부에 설치되어 지지부재(910)에 연결된 노즐(920)을 회전시킴으로써 노즐(920)로부터 분사되는 저습도 가스가 소용돌이 기류를 형성하게 된다. 저습도 가스의 소용돌이 현상으로 인해 기판 상에 원심력이 작용하게 이로 인해 빠른 건조 효과를 기대할 수 있다. In this modified example, the atmosphere forming unit 900b is characterized in that it includes a rotary member 960 for rotating the nozzle 920. [ The rotary member 960 is installed outside the chamber and rotates the nozzle 920 connected to the support member 910 so that the low-humidity gas injected from the nozzle 920 forms a swirl flow. The centrifugal force acts on the substrate due to the swirling phenomenon of the low-humidity gas, and thus a quick drying effect can be expected.

상기와 같은 기판 처리 장치에서의 기판 처리 공정은 팬필터유닛(810)을 통해 고습도의 외기가 공급됨과 동시에 분위기 형성 유닛(900)의 노즐을 통해 CDA(클린 드라이 에어)가 기판 상부로 공급되는 상태에서 공정이 진행될 수 있다. 이에 따라, 기판 상부의 습도가 하강하면 IPA 증발율이 커지므로 패턴을 채운 IPA를 신속하게 제거할 수 있어 패턴 기울어짐을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 공급량을 증가시키면 파티클 제거능력도 크게 향상될 수 있다.In the substrate processing process of the substrate processing apparatus, the high-humidity external air is supplied through the fan filter unit 810 and the CDA (clean dry air) is supplied to the upper portion of the substrate through the nozzles of the atmosphere forming unit 900 The process may proceed. Accordingly, when the humidity of the upper part of the substrate is lowered, the IPA evaporation rate is increased, so that the IPA filled with the pattern can be quickly removed, so that the pattern inclination can be suppressed and the particle removing ability can be greatly improved by increasing the supply amount.

특히, 본 발명의 노즐의 소형화 및 저습도 가스의 방사형 분사를 통해 팬필터 유닛의 다운 플로우 기류와의 충돌(간섭)을 최소화시키고, 기판 가장자리에 집중적으로 저습도 가스를 공급할 수 있다. Particularly, it is possible to minimize the collision (interference) with the downflow flow of the fan filter unit through the miniaturization of the nozzle of the present invention and the radial spraying of the low humidity gas, and to supply the low humidity gas to the substrate edge intensively.

특히, 본 발명은 팬필터유닛(810)을 통해 고습도의 외기가 항시 공급되는 상태에서 CDA(클린 드라이 에어)를 계면활성제 토출 종료 전 30초 전부터 공급하여 기판 상부의 환경을 저습도 환경으로 치환할 수 있다. 또한, 저습도 가스의 유량 제어가 가능하며, 유량 변동에 따라 팬필터유닛(810)의 출력 또는 배기압이 가변되어 챔버 내부 압력을 일정하게 유지시킬 수 있다. Particularly, in the present invention, CDA (clean dry air) is supplied 30 seconds before the end of the surfactant discharge in a state where high-humidity external air is always supplied through the fan filter unit 810, . Also, the flow rate of the low-humidity gas can be controlled, and the output or the exhaust pressure of the fan filter unit 810 can be varied according to the fluctuation of the flow rate, so that the pressure inside the chamber can be kept constant.

본 발명은 분위기 형성 유닛(900)의 노즐을 상하 이동시켜 기판 상부의 저습도 가스의 기류 및 영역을 변화시켜 기판 상의 상대습도를 조절한 상태에서 기판 상으로 처리유체가 공급될 수 있다. The present invention can supply the processing fluid onto the substrate with the nozzle of the atmosphere forming unit 900 being moved up and down to change the air flow and the area of the low humidity gas above the substrate to adjust the relative humidity on the substrate.

기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질소가스, 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 계면활성제 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. Treatment fluid is hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), hydrogen peroxide (H 2 O 2), nitrogen gas, nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, a surfactant and the solution SC-1 that is used for the substrate processing step ( (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O)). Deionized water (DIW) may be used as the rinse solution, and isopropyl alcohol gas (IPA) may be used as the drying gas.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재
300 : 이동 분사 부재
500 : 고정 노즐
900 : 분위기 형성부재100: Processing vessel
200: substrate supporting member
300: moving injection member
500: Fixing nozzle
900: atmosphere forming member

Claims (8)

밀폐된 내부 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 상부에 설치되고, 상기 챔버의 내부공간으로 고습도의 다운 플로우 기류를 제공하는 팬필터유닛;
상기 챔버의 내부공간에 설치되고, 기판이 놓여지는 기판 지지부재; 및
상기 팬필터유닛과 상기 기판 지지부재 사이로 위치되고, 상기 기판상으로 저습도의 가스를 공급하는 분위기 형성 유닛을 포함하되;
상기 분위기 형성 유닛은
지지 부재; 및
상기 지지 부재의 단부에 제공되고, 저습도 가스를 방사형으로 분사하는 노즐을 포함하는 기판 처리 장치. A chamber providing a sealed interior space;
A fan filter unit installed at an upper portion of the chamber, the fan filter unit providing a high-humidity downflow stream to the inner space of the chamber;
A substrate support member installed in an inner space of the chamber and on which a substrate is placed; And
An atmosphere forming unit positioned between the fan filter unit and the substrate supporting member and supplying a low humidity gas onto the substrate;
The atmosphere forming unit
A support member; And
And a nozzle provided at an end of the support member for ejecting the low-moisture gas in a radial direction. 제 1 항에 있어서,
상기 노즐은
다수의 분사홀이 제공되며, 상기 분사홀의 배열 형상은 방사형을 이루는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The nozzle
Wherein a plurality of spray holes are provided, and the arrangement of the spray holes is radial. 제 1 항에 있어서,
상기 지지 부재는
상기 팬필터 유닛의 저면으로부터 수직하게 설치되고,
내부에 상기 노즐과 연결되는 유로를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The support member
A fan filter unit provided vertically from a bottom surface of the fan filter unit,
And a flow path connected to the nozzle is provided inside the substrate processing apparatus. 제 3 항에 있어서,
상기 분위기 형성 유닛은
상기 지지부재와 연결되어 상기 유로에 저습도 가스를 공급하는 저습도 가스 공급 라인; 및
상기 저습도 가스 공급 라인에 설치되어 저습도 가스를 가열하는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The atmosphere forming unit
A low humidity gas supply line connected to the support member for supplying a low humidity gas to the flow path; And
Further comprising a heater provided on the low-humidity gas supply line for heating the low-humidity gas. 제 1 항에 있어서,
상기 노즐은
중앙에 수직하게 형성된 수직 분사홀; 및
저습도 가스를 바깥쪽으로 넓게 확대 분사하기 위해 상기 수직 분사홀 주변에 배치되어 외측으로 비스듬하게 분사각을 갖는 경사 분사홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The nozzle
A vertical spray hole vertically formed at the center; And
And an inclined ejection hole arranged around the vertical ejection hole and having an ejection angle obliquely outwardly to enlarge and spread the low-moisture gas outwardly. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 분위기 형성 유닛은
상기 지지부재의 높낮이를 조절하는 승강부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to claim 1 or 5,
The atmosphere forming unit
Further comprising a lift member for adjusting the height of the support member. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 분위기 형성 유닛은
상기 노즐로부터 분사되는 저습도 가스가 소용돌이 기류를 형성하도록 상기 지지부재에 설치되어 상기 노즐을 회전시키는 회전부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to claim 1 or 5,
The atmosphere forming unit
Further comprising a rotating member installed on the support member so as to rotate the nozzle so that the low-humidity gas ejected from the nozzle forms a swirl flow. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 챔버 내부 습도 또는 이슬점을 측정하는 측정용 센서; 및
상기 측정용 센서의 측정값에 의해 상기분위기 형성 유닛으로 공급되는 저습도 가스 유량을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to claim 1 or 5,
A sensor for measuring a humidity inside the chamber or a dew point; And
And a control unit for controlling the flow rate of the low-humidity gas supplied to the atmosphere forming unit based on the measured value of the measuring sensor.
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WO2019078505A1 (en) 2017-10-16 2019-04-25 주식회사 엘지화학 Binder, and electrode and lithium secondary battery comprising same
WO2020067642A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 무진전자 주식회사 Device for removing chemical fume by using air curtain
KR20220011893A (en) * 2020-07-22 2022-02-03 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
WO2024104263A1 (en) * 2022-11-18 2024-05-23 江苏鲁汶仪器股份有限公司 Air inlet nozzle device and plasma etching machine

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019078505A1 (en) 2017-10-16 2019-04-25 주식회사 엘지화학 Binder, and electrode and lithium secondary battery comprising same
WO2020067642A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 무진전자 주식회사 Device for removing chemical fume by using air curtain
KR20200036282A (en) * 2018-09-28 2020-04-07 무진전자 주식회사 Chemical fume removing apparatus using air curtain
KR20220011893A (en) * 2020-07-22 2022-02-03 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
WO2024104263A1 (en) * 2022-11-18 2024-05-23 江苏鲁汶仪器股份有限公司 Air inlet nozzle device and plasma etching machine

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