KR20170132680A - Resin composition - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 196
- -1 ester compound Chemical class 0.000 claims abstract description 157
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 153
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 153
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 41
- 125000003392 indanyl group Chemical group C1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 79
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 79
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 41
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 25
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- CPLBLNGVYBSVPU-UHFFFAOYSA-N 1,3,3-trimethyl-1,2-dihydroindene Chemical group C1=CC=C2C(C)CC(C)(C)C2=C1 CPLBLNGVYBSVPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RHBKJVRQCIRZGE-UHFFFAOYSA-N 2,3,3-trimethyl-1,2-dihydroindene Chemical group C1=CC=C2C(C)(C)C(C)CC2=C1 RHBKJVRQCIRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 207
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 60
- 239000000047 product Substances 0.000 description 47
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 22
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 21
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical group C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 18
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 206010042674 Swelling Diseases 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 12
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 12
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 12
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 11
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 11
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 11
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 9
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 8
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 150000002468 indanes Chemical group 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- UQKYSOCLDMTEGZ-UHFFFAOYSA-N C=CC1=CC=CC=C1.C(=O)(C(=C)C)C=CC=C Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.C(=O)(C(=C)C)C=CC=C UQKYSOCLDMTEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M decanoate;tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O.CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N (3-cyanato-5-methylidenecyclohexa-1,3-dien-1-yl) cyanate Chemical compound C=C1CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AILUJKZWHGGGRF-UHFFFAOYSA-M (4-methylphenyl)-triphenylphosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1=CC(C)=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AILUJKZWHGGGRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3-pentamethylguanidine Chemical compound CN=C(N(C)C)N(C)C ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical group CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylguanidine Chemical compound CN=C(N)N(C)C NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,8,9,10,10a-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCC=CN2CCCNC21 SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzenedithiol Chemical compound SC1=CC=CC=C1S JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPCJOXGBLDJWRM-UHFFFAOYSA-N 1,2-diamino-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(N)CN OPCJOXGBLDJWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYWSZYFQXSLSFY-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrotriazine-5,6-dithione Chemical compound SC1=CN=NN=C1S AYWSZYFQXSLSFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylguanidine Chemical compound CNC(N)=NC LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N=C(N)N SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWJUMZPXYLPGT-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-octadecylguanidine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN=C(N)N=C(N)N MNWJUMZPXYLPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-prop-2-enylguanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NCC=C UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 1-benzyl-3-dodecyl-2-methylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCN1C=C[N+](CC=2C=CC=CC=2)=C1C PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDFFLXKSZGLPJT-UHFFFAOYSA-N 2-(aminomethyl)-2,6,6-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CCCC(C)(CN)C1N NDFFLXKSZGLPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJRRUHVEWQXOLO-UHFFFAOYSA-N 2-(fluoroamino)acetic acid Chemical compound OC(=O)CNF AJRRUHVEWQXOLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZAGSKHAOBQDKK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1-cyanoethyl)-2-phenyl-1H-imidazol-5-yl]propanenitrile Chemical compound C(#N)C(C)C1=C(N=C(N1)C1=CC=CC=C1)C(C)C#N DZAGSKHAOBQDKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-1-(diaminomethylidene)guanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NC1CCCCC1 USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1CCCCC1 AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 2-ethylguanidine Chemical compound CCNC(N)=N KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropan-1-ol Chemical compound COC(C)CO YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZUHIOJYCPIVLQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-1,5-diamine Chemical compound NCC(C)CCCN JZUHIOJYCPIVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDXGMDGYOIWKIF-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCC(C)CN BDXGMDGYOIWKIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGTNYHIXCVCLME-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-[(2-phenylphenyl)methyl]-1H-imidazole Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(CC=2N=C(NC=2)C2=CC=CC=C2)C=CC=C1 YGTNYHIXCVCLME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1=CC=CC=C1 QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQSMMSNWAYPBIR-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[6-(4-aminophenoxy)-1,3,3-trimethyl-2h-inden-1-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CC(C)(C=3C=CC(OC=4C=CC(N)=CC=4)=CC=3)C2=CC=1OC1=CC=C(N)C=C1 GQSMMSNWAYPBIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 4-[7-hydroxy-2-[5-[5-[6-hydroxy-6-(hydroxymethyl)-3,5-dimethyloxan-2-yl]-3-methyloxolan-2-yl]-5-methyloxolan-2-yl]-2,8-dimethyl-1,10-dioxaspiro[4.5]decan-9-yl]-2-methyl-3-propanoyloxypentanoic acid Chemical compound C1C(O)C(C)C(C(C)C(OC(=O)CC)C(C)C(O)=O)OC11OC(C)(C2OC(C)(CC2)C2C(CC(O2)C2C(CC(C)C(O)(CO)O2)C)C)CC1 ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKDSFRWKHBYHHT-UHFFFAOYSA-N 4-bicyclo[2.2.1]heptanylmethanamine Chemical compound C1CC2CCC1(CN)C2 CKDSFRWKHBYHHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzene-1,2,3,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C1C1=CC=CC=C1 CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 5-[4-[2-[4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC2=CC=C(C=C2)C(C)(C=2C=CC(OC=3C=C4C(=O)OC(=O)C4=CC=3)=CC=2)C)=C1 MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010054404 Adenylyl-sulfate kinase Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N Benzoyl-Phenol Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMTFURRRXIRGLH-UHFFFAOYSA-N C12CCCC2C2(CN)CC1CC2 Chemical compound C12CCCC2C2(CN)CC1CC2 GMTFURRRXIRGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLNYOTRTFTUOPN-UHFFFAOYSA-N CN(C)CC1=C2CCCCC2C(CN(N1)CN(C)C)CN(C)C Chemical compound CN(C)CC1=C2CCCCC2C(CN(N1)CN(C)C)CN(C)C BLNYOTRTFTUOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002121 Hydroxyl-terminated polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKTFNWPPVIAFDC-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.P.P.P Chemical class OB(O)O.P.P.P ZKTFNWPPVIAFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N Phenolphthalin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100410148 Pinus taeda PT30 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 description 1
- 102100039024 Sphingosine kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- OXIKYYJDTWKERT-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1CCC(CN)CC1 OXIKYYJDTWKERT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N [4-[1-(4-cyanatophenyl)ethyl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(OC#N)C=C1 INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- XWUPANOEJRYEPL-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Ba+2] XWUPANOEJRYEPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N benzenecarbothioic s-acid Chemical compound SC(=O)C1=CC=CC=C1 UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N buformin Chemical compound CCCC\N=C(/N)N=C(N)N XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M butyl(triphenyl)phosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)C1=CC=CC=C1 DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 1
- FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N cobalt;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Co].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N cobalt;pentane-2,4-dione Chemical compound [Co].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-diamine Chemical compound NC1CCCC(N)C1 GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- OJLGWNFZMTVNCX-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O OJLGWNFZMTVNCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCCN QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 150000004698 iron complex Chemical class 0.000 description 1
- AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K iron(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L manganese(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Mn+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- RJMUSRYZPJIFPJ-UHFFFAOYSA-N niclosamide Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1C(=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl RJMUSRYZPJIFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J octadecanoate;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001477 organic nitrogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;zinc Chemical compound [Zn].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPCKFIWBUTWTDH-UHFFFAOYSA-N pentane-3,3-diamine Chemical compound CCC(N)(N)CC GPCKFIWBUTWTDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- CUQCMXFWIMOWRP-UHFFFAOYSA-N phenyl biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=NC1=CC=CC=C1 CUQCMXFWIMOWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,5-dicarboxylic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C1=CN=C(C(O)=O)C=N1 KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002298 terpene group Chemical group 0.000 description 1
- GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical class SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N undecane-1,11-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCN KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JBCJMTUHAXHILC-UHFFFAOYSA-N zinc;octanoic acid Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC(O)=O JBCJMTUHAXHILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
Description
본 발명은, 수지 조성물, 및 이러한 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 접착 필름, 프리프레그, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition and an adhesive film, a prepreg, a printed wiring board and a semiconductor device obtained by using such a resin composition.
프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 일반적으로 절연층은 수지 조성물을 경화시켜서 형성된다. 이러한 수지 조성물에 대해서는 종래부터 검토가 이루어지고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, (C) 카르보디이미드 화합물, (D) 열가소성 수지 및 (E) 무기 충전재를 포함하고, (E) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 40질량% 이상인 수지 조성물이 개시되어 있다.As a manufacturing technique of a printed wiring board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately laminated is known. In the build-up method, generally, the insulating layer is formed by curing the resin composition. Such resin compositions have been studied conventionally. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, (C) a carbodiimide compound, (D) a thermoplastic resin and (E) And a content of the non-volatile component in the resin composition is 100 mass%, the resin composition is 40 mass% or more.
그러나, 절연층의 성능을 더욱 향상시키는 것이 요망되고 있다. 특히, 최저 용융 점도가 적절한 범위에 있는 수지 조성물을 사용하여, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 실현할 수 있는 기술의 개발이 요망되고 있다.However, it is desired to further improve the performance of the insulating layer. Particularly, development of a technique capable of realizing an insulating layer having a low dielectric tangent and a high adhesion to a conductor layer by using a resin composition having a minimum melt viscosity in an appropriate range is desired.
본 발명은, 상기한 과제를 감안하여 창안된 것으로, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있고, 최저 용융 점도가 적절한 범위에 있는 수지 조성물; 상기한 수지 조성물을 포함하는 접착 필름 및 프리프레그; 및 상기한 수지 조성물의 경화물을 포함하는 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a resin composition capable of obtaining an insulating layer having low dielectric tangent and high adhesion to a conductor layer and having a minimum melt viscosity in a suitable range; An adhesive film and a prepreg containing the above resin composition; And a printed circuit board and a semiconductor device including the cured product of the above resin composition.
본 발명자는, 상기 과제에 대해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, 및 (C) 인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 포함하는 수지 조성물에 의해 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by a resin composition comprising an epoxy resin, (B) an active ester compound, and (C) a polyimide resin having an indane skeleton And have accomplished the present invention.
즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.
〔1〕 (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, 및 (C) 인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 포함하는 수지 조성물.[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, and (C) a polyimide resin having an indane skeleton.
〔2〕상기 (C) 성분이 트리메틸인단 골격을 갖는, 〔1〕에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (C) has a trimethylindan skeleton.
〔3〕상기 (C) 성분이 1,1,3-트리메틸인단 골격을 갖는, 〔1〕또는 〔2〕에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the component (C) has a 1,1,3-trimethylindane skeleton.
〔4〕 (C) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여 1질량% 내지 20질량%인, 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the amount of the component (C) is 1% by mass to 20% by mass based on 100% by mass of the resin component in the resin composition.
〔5〕 (D) 무기 충전재를 포함하는, 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], which further comprises (D) an inorganic filler.
〔6〕 (D) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여 50질량% 이상인, 〔5〕에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to [5], wherein the amount of the component (D) is 50 mass% or more based on 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition.
〔7〕프린트 배선판의 절연층 형성용 수지 조성물인, 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], which is a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board.
〔8〕지지체와, 상기 지지체 위에 형성된 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는, 접착 필름.[8] An adhesive film comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [7] formed on the support.
〔9〕시트상 섬유 기재와, 상기 시트상 섬유 기재에 함침된 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 갖는, 프리프레그.[9] A prepreg having a sheet-like fibrous substrate and the resin composition according to any one of [1] to [7] impregnated into the sheet-like fibrous substrate.
〔10〕〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 갖는, 프린트 배선판.[10] A printed wiring board having an insulating layer containing a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [7].
〔11〕〔10〕에 기재된 프린트 배선판을 구비하는, 반도체 장치.[11] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to [10].
본 발명에 의하면, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있고, 최저 용융 점도가 적절한 범위에 있는 수지 조성물; 상기한 수지 조성물을 포함하는 접착 필름 및 프리프레그; 및 상기한 수지 조성물의 경화물을 포함하는 프린트 배선판 및 반도체 장치를 실현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an insulating layer having a low dielectric loss tangent and a high adhesion to a conductor layer and having a minimum melt viscosity in a suitable range; An adhesive film and a prepreg containing the above resin composition; And a printed wiring board and a semiconductor device including the cured product of the resin composition described above can be realized.
이하, 본 발명에 대하여, 실시형태 및 예시물을 나타내어 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 하기의 실시형태 및 예시물에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 특허청구의 범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경해서 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be arbitrarily changed without departing from the scope of the claims of the present invention and its equivalent scope.
이하의 설명에 있어서, 수지 조성물 중의 각 성분의 양은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 값이다.In the following description, the amount of each component in the resin composition is a value relative to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition, unless otherwise specified.
이하의 설명에 있어서, 수지 조성물의 「수지 성분」이란, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중 (D) 무기 충전재를 제외한 성분을 말한다.In the following description, the "resin component" of the resin composition refers to a component other than the inorganic filler (D) among the nonvolatile components contained in the resin composition.
[1. 수지 조성물의 개요][One. Outline of resin composition]
본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, 및 (C) 인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 포함한다. 이하의 설명에 있어서, 「인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지」를, 「인단 폴리이미드 수지」라고 칭하는 경우가 있다. 이러한 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층 형성용의 수지 조성물로서 적합하며, 구체적으로는, 프린트 배선판의 절연층 형성용의 재료로서 사용하는데 적합한 범위의 최저 용융 점도를 갖는다. 그리고, 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있다.The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound, and (C) a polyimide resin having an indane skeleton. In the following description, the " polyimide resin having an indane skeleton " may be referred to as " indanepolyimide resin ". Such a resin composition is suitable as a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board and specifically has a lowest melt viscosity within a range suitable for use as a material for forming an insulating layer of a printed wiring board. By using such a resin composition, it is possible to obtain an insulating layer having a low dielectric tangent and a high adhesion to a conductor layer.
[2. (A) 에폭시 수지][2. (A) epoxy resin]
(A) 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. Examples of the epoxy resin (A) include epoxy resins such as a biscylenol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, A phenol type epoxy resin, a naphthol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, a tert-butyl catechol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, Cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing epoxy resin, Cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin Resin, tetraphenyl ethane type epoxy resin, and the like.
이들 중에서도, (A) 에폭시 수지로서는, 평균 선열팽창률을 저하시키는 관점에서, 방향족 골격을 함유하는 에폭시 수지가 바람직하다. 여기에서, 방향족 골격이란, 일반적으로 방향족이라고 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다. 구체적으로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 및 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 에폭시 수지가 바람직하고, 비페닐형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다.Among these, as the epoxy resin (A), an epoxy resin containing an aromatic skeleton is preferable from the viewpoint of lowering the average linear heat expansion coefficient. Here, the aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes polycyclic aromatic and aromatic heterocyclic rings. Specifically, at least one epoxy resin selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin is preferable, A biphenyl type epoxy resin is more preferable.
또한, 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다. 그중에서도, 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하,「고체상 에폭시 수지」라고 칭하는 경우가 있음)를 포함하는 것이 바람직하다. The resin composition preferably contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. The proportion of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule with respect to 100% by mass of the nonvolatile component (A) of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, Is not less than 70% by mass. Among them, the resin composition preferably contains (A) an epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule and a solid epoxy resin at a temperature of 20 캜 (hereinafter sometimes referred to as "solid epoxy resin") Do.
(A) 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 따라서, 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 고체상 에폭시 수지만을 포함해도 좋고, 고형상 에폭시 수지와 그 이외의 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다. 그중에서도 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 고체상 에폭시 수지와, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하,「액상 에폭시 수지」라고 칭하는 경우가 있음)를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써, 수지 조성물의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 향상시키거나 할 수 있다.The epoxy resin (A) may be used singly or in combination of two or more kinds at any ratio. Therefore, the resin composition may contain only (A) an epoxy resin as solid epoxy resin, and may include a solid epoxy resin in combination with other epoxy resin. Among them, the resin composition comprises (A) an epoxy resin, a solid epoxy resin, and an epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as " liquid epoxy resin ") having a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule at a temperature of 20 캜 It is preferable to include them in combination. (A) By using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, it is possible to improve the flexibility of the resin composition or to improve the fracture strength of the cured product of the resin composition.
액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin , Bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable.
액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜 아민형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「630LSD」(글리시딜 아민형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜 에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Specific examples of the liquid epoxy resin include " HP4032 ", " HP4032D ", " HP4032SS " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "jER828EL", "825", "Epikote 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku; &Quot; jER807 ", " 1750 " (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER152 " (phenol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; 630 ", " 630LSD " (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; 630LSD " (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; ZX1059 " (a mixture of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; EX-721 " (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation; &Quot; Celloxide 2021P " (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel Company; &Quot; PB-3600 " (epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel Company; ZX1658 " and " ZX1658GS " (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnetsu Kagaku Co., Ltd., and the like. These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination at an arbitrary ratio.
고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins , An anthracene type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin and a tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a naphthol type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin are more preferable.
고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include " HP4032H " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-4700 ", " HP-4710 " (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-7200 " (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S ", and" HP6000 "(manufactured by DIC Corporation," HP-7200HH "," HP-7200H "," EXA-7311 " Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; NC7000L " (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Quot; NC3000H ", " NC3000 ", " NC3000L ", and " NC3100 " (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; YX4000H ", " YX4000 ", and " YL6121 " manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (biphenyl type epoxy resin); &Quot; YX4000HK " (biquileneol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; &Quot; YL7760 " (Bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YL7800 " (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER1010 " (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; And " jER1031S " (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
(A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용할 경우, 이들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:15, 보다 바람직하게는 1:0.5 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:8이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비를 상기한 범위에 있게 함으로써, 접착 필름의 형태로 사용할 경우에 적당한 점착성을 얻을 수 있다. 또한, 접착 필름의 형태로 사용할 경우에 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성이 향상된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 효과적으로 높일 수 있다.(A) When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the mass ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 0.1 to 1:15, more preferably 1 : 0.5 to 1:10, particularly preferably 1: 1 to 1: 8. By setting the mass ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin to the above-mentioned range, it is possible to obtain an appropriate tackiness when used in the form of an adhesive film. Further, when used in the form of an adhesive film, sufficient flexibility can be obtained and handling properties are improved. Further, the breaking strength of the cured product of the resin composition can be effectively increased.
(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시 당량이 상기한 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. When the epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is in the above range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained.
에폭시 당량은 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이며, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent is the mass of the resin containing one equivalent of epoxy group and can be measured according to JIS K7236.
(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다.The weight average molecular weight of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500 from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.
수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 폴리스티렌 환산한 값으로서 측정할 수 있다. 구체적으로는, 수지의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈 세사쿠쇼사 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The weight average molecular weight of the resin can be measured as a polystyrene reduced value by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight of the resin was measured by using LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P / K-804L / K-804L manufactured by Showa Denko KK as a column, And the column temperature can be measured at 40 占 폚 and calculated using the calibration curve of standard polystyrene.
수지 조성물에서의 (A) 에폭시 수지의 양은, 양호한 기계적 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이다.The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more.
(A) 에폭시 수지의 양의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한 임의이며, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 65질량% 이하, 특히 바람직하게는 60질량% 이하이다.The upper limit of the amount of the epoxy resin (A) is arbitrary as long as the effects of the present invention are exhibited, preferably 70 mass% or less, more preferably 65 mass% or less, particularly preferably 60 mass% or less.
[3. (B) 활성 에스테르 화합물][3. (B) Active ester compound]
(B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물이다. 통상, 이러한 (B) 활성 에스테르 화합물은, (A) 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 경화제로서 기능할 수 있다. (B) 활성 에스테르 화합물을 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 낮게 할 수 있고, 또한 통상적으로는, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다.The active ester compound (B) is a compound having at least one active ester group in one molecule. Usually, such an active ester compound (B) can function as a curing agent for curing the resin composition by reacting with the epoxy resin (A). By using the active ester compound (B), the dielectric tangent of the cured product of the resin composition can be lowered, and in general, an insulating layer with a small surface roughness can be obtained.
(B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 활성 에스테르기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하다. 이러한 (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 예를 들어, 페놀 에스테르류, 티오페놀 에스테르류, N-하이드록시아민 에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 또한, 활성 에스테르 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The active ester compound (B) preferably has two or more active ester groups in one molecule. Examples of the active ester compound (B) include esters having a high reactivity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, Or a compound having two or more of them. The active ester compound may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio.
내열성 향상의 관점에서, (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과, 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물을 축합 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 그중에서도, 카복실산 화합물과, 페놀 화합물, 나프톨 화합물 및 티올 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 더욱 바람직하다. 또한, 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜서 얻어지는, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 보다 바람직하다. 그중에서도, 적어도 2개 이상의 카복실기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜서 얻어지는 방향족 화합물로서, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 특히 바람직하다. 또한, (B) 활성 에스테르 화합물은, 직쇄상이라도 좋고, 다분지상이라도 좋다. 또한, 2개 이상의 카복실기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물이 지방족쇄를 포함하는 화합물이면, 수지 조성물과의 상용성을 높게 할 수 있고, 방향족환을 갖는 화합물이면 내열성을 높게 할 수 있다.From the viewpoint of improvement in heat resistance, the active ester compound (B) is more preferably an active ester compound obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Among them, an active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with at least one selected from the group consisting of a phenol compound, a naphthol compound and a thiol compound is more preferable. Further, an aromatic compound having two or more active ester groups per molecule, obtained by reacting a carboxylic acid compound with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, is more preferable. Among them, an aromatic compound having at least two active ester groups in one molecule is particularly preferable as an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two carboxyl groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group. The active ester compound (B) may be in a linear form or in a multi-branched form. If the carboxylic acid compound having two or more carboxyl groups in one molecule contains a fatty chain, compatibility with the resin composition can be enhanced, and heat resistance can be enhanced if the compound has an aromatic ring.
카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 1 내지 20(바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 8)의 지방족 카복실산, 탄소 원자수 7 내지 20(바람직하게는 7 내지 10)의 방향족 카복실산을 들 수 있다. 지방족 카복실산으로서는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 석신산, 말레산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 방향족 카복실산으로서는, 예를 들어 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 그중에서도, 내열성의 관점에서, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산이 보다 바람직하다. 또한, 카복실산 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the carboxylic acid compound include aliphatic carboxylic acids having 1 to 20 (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 8) carbon atoms, aromatic groups having 7 to 20 carbon atoms (preferably 7 to 10) Carboxylic acid. Examples of the aliphatic carboxylic acid include acetic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, and the like. Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellitic acid and the like. Among them, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferable from the viewpoint of heat resistance, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable. The carboxylic acid compound may be used singly or in combination of two or more at any ratio.
티오카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 티오아세트산, 티오벤조산 등을 들 수 있다. 또한, 티오카복실산 화합물은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합해서 사용해도 좋다.The thiocarboxylic acid compound includes, for example, thioacetic acid, thiobenzoic acid, and the like. The thiocarboxylic acid compound may be used alone, or two or more thiocarboxylic acid compounds may be used in combination at an arbitrary ratio.
페놀 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 6 내지 40(바람직하게는 6 내지 30, 보다 바람직하게는 6 내지 23, 더욱 바람직하게는 6 내지 22)의 페놀 화합물을 들 수 있다. 페놀 화합물의 적합한 구체예로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 등을 들 수 있다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 페놀 화합물을 말한다. 페놀 화합물로서는 또한, 페놀 노볼락, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 기재된 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 사용해도 좋다. 또한, 페놀 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the phenol compound include a phenol compound having 6 to 40 carbon atoms (preferably 6 to 30, more preferably 6 to 23, and still more preferably 6 to 22) carbon atoms. Suitable specific examples of the phenol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol, and the like. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol" refers to a phenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one molecule of dicyclopentadiene. As the phenol compound, a phenol novolak, a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group described in JP-A-2013-40270 may be used. The phenol compounds may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 탄소 원자수 10 내지 40(바람직하게는 10 내지 30, 보다 바람직하게는 10 내지 20)의 나프톨 화합물을 들 수 있다. 나프톨 화합물의 적합한 구체예로서는, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌 등을 들 수 있다. 나프톨 화합물로서는 또한, 나프톨 노볼락을 사용해도 좋다. 또한, 나프톨 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The naphthol compound includes, for example, a naphthol compound having 10 to 40 (preferably 10 to 30, more preferably 10 to 20) carbon atoms. Suitable specific examples of the naphthol compound include? -Naphthol,? -Naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene and 2,6-dihydroxynaphthalene. As the naphthol compound, naphthol novolak may also be used. The naphthol compound may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
그중에서도, 내열성 향상 및 용해성 향상의 관점에서, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 바람직하다. 또한, 카테콜, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더욱 바람직하다. 그중에서도, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 바람직하다. 또한, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀 노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 더 바람직하다. 그중에서도, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 특히 바람직하다. 또한, 디사이클로펜타디엔형 디페놀이 특히 바람직하다.Among them, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol,? -Naphthol,? -Naphthol, 1,5-dihydroxy Naphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopenta Diene type diphenols, phenol novolacs, and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are preferable. Further, it is also possible to use catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, More preferred are phosphorus atom-containing oligomers having fluoroglycine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, and phenolic hydroxyl group. Among them, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentane Diene-type diphenol, phenol novolac, and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable. Further, it is also possible to use a phosphorus atom-containing oligomer having 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolak, Is more preferable. Among them, phosphorus atom-containing oligomers having 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene type diphenol and phenolic hydroxyl groups are particularly preferable . Dicyclopentadiene type diphenols are also particularly preferred.
티올 화합물로서는, 예를 들면, 벤젠디티올, 트리아진디티올 등을 들 수 있다. 또한, 티올 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합해서 사용해도 좋다.As the thiol compound, for example, benzenedithiol, triazinedithiol and the like can be given. The thiol compound may be used alone, or two or more thiol compounds may be used in combination at an arbitrary ratio.
활성 에스테르 화합물의 적합한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머와 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그중에서도, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머와 반응시켜서 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Suitable specific examples of the active ester compound include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolak, benzoyl phenol novolak An active ester compound containing a cargo, and an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group. Among them, an active ester compound having a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound having a naphthalene structure, and an active ester compound obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group are more preferable. Here, the " dicyclopentadiene type diphenol structure " refers to a bivalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물의 특히 적합한 구체예로서는, 하기 화학식 (B1)의 화합물을 들 수 있다.Particularly preferred specific examples of the active ester compound having a dicyclopentadiene type diphenol structure include a compound represented by the following formula (B1).
상기 화학식 (B1)에 있어서, R은 각각 독립적으로 페닐기 또는 나프틸기를 나타낸다. 그중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, R은 나프틸기가 바람직하다.In the above formula (B1), each R independently represents a phenyl group or a naphthyl group. Among them, R is preferably a naphthyl group from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance.
상기 화학식 (B1)에 있어서, k는 0 또는 1을 나타낸다. 그중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, k는 0이 바람직하다.In the above formula (B1), k represents 0 or 1. Among them, k is preferably 0 from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance.
상기 화학식 (B1)에 있어서, n은 반복 단위의 평균수로, 0.05 내지 2.5를 나타낸다. 그중에서도, 유전 정접을 저하시키고, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, n은 0.25 내지 1.5가 바람직하다.In the above formula (B1), n is an average number of repeating units, and is 0.05 to 2.5. Among them, n is preferably 0.25 to 1.5 from the viewpoint of lowering dielectric tangent and improving heat resistance.
(B) 활성 에스테르 화합물로서는, 일본 공개특허공보 특개2004-277460호, 또는 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 개시되어 있는 활성 에스테르 화합물을 사용해도 좋다. 또한, (B) 활성 에스테르 화합물로서는, 시판의 활성 에스테르 화합물을 사용해도 좋다. 활성 에스테르 화합물의 시판품으로서는, 예를 들어, DIC사 제조의 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000L-65M」(디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물); DIC사 제조의 「EXB9416-70BK」(나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「DC808」(페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YLH1026」(페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물); DIC사 제조의 「EXB9050L-62M」(인 원자함유 활성 에스테르 화합물)을 들 수 있다.As the active ester compound (B), an active ester compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-277460 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-40270 may be used. As the active ester compound (B), commercially available active ester compounds may be used. EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000L-65M "(dicyclopentadiene type diphenol ≪ / RTI >structure); &Quot; EXB9416-70BK " (active ester compound containing a naphthalene structure) manufactured by DIC Corporation; &Quot; DC808 " (active ester compound containing acetylated phenol novolak), manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YLH1026 " (active ester compound containing benzoylated phenol novolak) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; EXB9050L-62M " (phosphorus atom-containing active ester compound) manufactured by DIC Corporation.
(B) 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량은, 바람직하게는 120 내지 500, 보다 바람직하게는 150 내지 400, 특히 바람직하게는 180 내지 300이다. (B) 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량이 상기한 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다. 여기에서, 활성기 당량은, 1당량의 활성기를 포함하는 수지의 질량을 나타낸다.The active group equivalent of the active ester compound (B) is preferably 120 to 500, more preferably 150 to 400, and particularly preferably 180 to 300. When the active group equivalent of the active ester compound (B) is in the above range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. Here, the active group equivalent represents the mass of the resin containing one equivalent of an active group.
또한, 활성 에스테르 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The active ester compound may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio.
수지 조성물에서의 (B) 활성 에스테르 화합물의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하고, 3질량% 이상이 더욱 바람직하고, 4질량% 이상, 5질량% 이상, 6질량% 이상 또는 7질량% 이상이 특히 바람직하고, 또한, 30질량% 이하가 바람직하고, 25질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이하가 더욱 바람직하고, 15질량% 이하, 또는 10질량% 이하가 특히 바람직하다. (B) 활성 에스테르 화합물의 양이 상기 범위의 하한치 이상이면 도체층과 절연층의 밀착성을 특히 높일 수 있고, 또한, 상기 범위의 상한치 이하이면 내열성을 향상시키거나, 스미어(smear) 발생을 억제하거나 할 수 있다.The amount of the active ester compound (B) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, further preferably 3% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition By mass, more preferably not less than 4% by mass, not less than 5% by mass, not less than 6% by mass or not less than 7% by mass, particularly preferably not more than 30% by mass, more preferably not more than 25% , And particularly preferably 15 mass% or less, or 10 mass% or less. If the amount of the active ester compound (B) is lower than the lower limit of the above range, the adhesiveness between the conductor layer and the insulating layer can be particularly enhanced. If the amount is less than the upper limit of the above range, heat resistance can be improved, can do.
(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1이라고 한 경우, 기계적 강도가 양호한 절연층을 얻는 관점에서, (B) 활성 에스테르 화합물의 활성기수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상, 특히 바람직하게는 0.4 이상이며, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하이다. 여기에서, 「에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해서 합계한 값이다. 또한, 「활성기」란 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 의미하고, 「활성 에스테르 화합물의 활성기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 활성 에스테르 화합물의 고형분 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of active groups in the active ester compound (B) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and still more preferably 0.2 or more, from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a good mechanical strength. Preferably not less than 0.3, particularly preferably not less than 0.4, preferably not more than 2, more preferably not more than 1.5, still more preferably not more than 1. [ Here, the " epoxy group number of epoxy resin " is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the solid content of each epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent, for all epoxy resins. The term " active group " means a functional group capable of reacting with the epoxy group, and the " number of active groups of the active ester compound " is the sum of values obtained by dividing the solid content of the active ester compound in the resin composition by the active group equivalent .
[4. (C) 인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지][4. (C) Polyimide resin having an indane skeleton]
(C) 인단 폴리이미드 수지는 인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지이다. 인단 골격은, 하기 화학식 (C1)로 나타내는 탄소 골격이다. (C) 인단 폴리이미드 수지를 (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물과 조합하여 포함함으로써, 본 발명의 수지 조성물은, 적절한 범위의 최저 용융 점도를 가지면서, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 실현할 수 있다는 원하는 효과를 얻을 수 있다.(C) Indane polyimide resin is a polyimide resin having an indane skeleton. The indane skeleton is a carbon skeleton represented by the following formula (C1). (C) an indanepolyimide resin in combination with (A) an epoxy resin and (B) an active ester compound, the resin composition of the present invention has a lowest melt viscosity in a suitable range, It is possible to obtain a desired effect of realizing an insulating layer having high adhesion with the insulating layer.
(C) 인단 폴리이미드 수지는, 인단 골격의 탄소 원자에 수소 원자가 결합한 무치환 인단 골격을 갖고 있어도 좋고, 일부 또는 전부의 수소 원자가 치환기로 치환된 치환 인단 골격을 갖고 있어도 좋고, 무치환 인단 골격 및 치환 인단 골격을 조합하여 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, 수지 조성물의 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 하는 관점, 및 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 효과적으로 작게 하는 관점에서, 탄화수소기가 바람직하다. 상기한 탄화수소기의 탄소 원자수는, 통상 1 내지 6, 바람직하게는 1 내지 4, 보다 바람직하게는 1 내지 2이다. 적합한 탄화수소기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기를 들 수 있다.The (C) indanepolyimide resin may have a non-substituted indane skeleton in which a hydrogen atom is bonded to a carbon atom of the indane skeleton, may have a substituted indane skeleton in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with a substituent, Substituted indane skeleton may be combined. As the substituent, a hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of effectively lowering the minimum melt viscosity of the resin composition and effectively reducing the dielectric tangent of the cured product of the resin composition. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is usually 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2. Examples of suitable hydrocarbon groups include alkyl groups such as methyl, ethyl and propyl groups.
치환 인단 골격에 있어서, 치환기는 인단 골격의 5원환에 결합하고 있어도 좋고, 6원환에 결합하고 있어도 좋다. 또한, 치환 인단 골격은 5원환에 결합한 치환기와 6원환에 결합한 치환기를 조합하여 갖고 있어도 좋다. 그중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 치환기는 인단 골격의 5원환에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In the substituted indane skeleton, the substituent may be bonded to the 5-membered ring of the indane skeleton or may be bonded to the 6-membered ring. The substituted indane skeleton may have a combination of a substituent bonded to a 5-membered ring and a substituent bonded to a 6-membered ring. Among them, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably, it is preferable that the substituent is bonded to the 5-membered ring of the indane skeleton.
치환기의 수는, 인단 골격 1개당 통상 1 내지 6개이며, 그중에서도 3개가 바람직하다. 인단 골격 1개당 치환기의 수를 상기와 같이 조정함으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다.The number of substituents is usually 1 to 6 per one indan skeleton, and of these, 3 is preferable. By adjusting the number of substituents per one indane skeleton as described above, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably.
그중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (C) 인단 폴리이미드 수지는, 인단 골격 1개당 3개의 메틸기가 결합한 트리메틸인단 골격을 갖는 것이 바람직하고, 하기 화학식 (C2)로 나타나는 1,1,3-트리메틸인단 골격을 갖는 것이 특히 바람직하다.Among them, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably, the (C) indanepolyimide resin preferably has a trimethylindane skeleton in which three methyl groups are bonded to one indan skeleton, It is particularly preferable to have a 1,3-trimethylindane skeleton.
상기한 인단 골격은, 통상 1가 이상의 가수(價數)를 갖는 기(인단기)로서, (C) 인단 폴리이미드 수지에 포함된다. 상기한 인단기의 가수는, 통상 2가 이상이다. 그중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (C) 인단 폴리이미드 수지는 상기한 인단 골격을 2가의 기로서 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 인단기의 결합손의 위치는 임의이지만, 인단 골격이 2가의 기일 경우, 인단 골격의 5원환 및 6원환 각각이 1개씩 결합손을 갖는 것이 바람직하다.The above-mentioned indane skeleton is a group (indene group) having a valence of at least 1, and is included in the indene polyimide resin (C). The valence of the above-mentioned indene group is usually 2 or more. Among them, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably, the (C) indanepolyimide resin preferably contains the above-mentioned indan skeleton as a divalent group. When the indane skeleton is a divalent group, it is preferable that each of the 5-membered ring and the 6-membered ring of the indane skeleton has a combining hand by one.
(C) 인단 폴리이미드 수지는, 디아민 화합물 및 테트라카복실산 화합물을 중합시켜서 얻어지는 것을 사용할 수 있다. 따라서, (C) 인단 폴리이미드 수지는, 그 분자 중에, 통상 디아민 구조 단위와, 테트라카복실산 구조 단위를 포함한다. 여기에서, 디아민 구조 단위란, 디아민 화합물을 중합해서 형성되는 구조를 갖는 반복 단위를 말한다. 또한, 테트라카복실산 구조 단위란, 테트라카복실산 화합물을 중합해서 형성되는 구조를 갖는 반복 단위를 말한다. (C) 인단 폴리이미드 수지는, 상기한 인단 골격을 디아민 구조 단위에 포함하고 있어도 좋고, 테트라카복실산 구조 단위에 포함하고 있어도 좋다. 그중에서도, (C) 인단 폴리이미드 수지는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 디아민 구조 단위에 상기한 인단 골격을 포함하는 것이 바람직하다.As the (C) indanepolyimide resin, those obtained by polymerizing a diamine compound and a tetracarboxylic acid compound can be used. Therefore, the (C) indanepolyimide resin usually contains a diamine structural unit and a tetracarboxylic acid structural unit in the molecule. Here, the diamine structural unit means a repeating unit having a structure formed by polymerizing a diamine compound. The tetracarboxylic acid structural unit means a repeating unit having a structure formed by polymerizing a tetracarboxylic acid compound. The (C) indane polyimide resin may contain the indane skeleton in the diamine structural unit or may be contained in the tetracarboxylic acid structural unit. Among them, the (C) indanepolyimide resin preferably contains the indan skeleton in the diamine structural unit from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably.
인단 골격을 포함하는 디아민 화합물로서는, 예를 들어, 5-(4-아미노페녹시)-3-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,3-트리메틸인단, 5-아미노-1-(4-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단, 6-아미노-1-(4-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단 등을 들 수 있다. 그중에서도, 5-(4-아미노페녹시)-3-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,3-트리메틸인단은, 방향족 환상 구조 및 지방족 환상 구조의 양쪽을 포함하는 긴 탄소쇄를 가지므로, (C) 인단 폴리이미드 수지의 기계적 강도 및 내열성을 높게 하면서, 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다. 상기한 인단 골격을 포함하는 디아민 화합물, 및 이러한 디아민 화합물에 대응하는 디아민 구조 단위는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the diamine compound containing an indane skeleton include 5- (4-aminophenoxy) -3- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,3- Amino-1- (4-aminophenyl) -1,3,3-trimethylindane, and the like. Among them, the 5- (4-aminophenoxy) -3- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,3-trimethylindan is a compound having an aromatic cyclic structure and an aliphatic cyclic structure Carbon chain, it is possible to effectively lower the dielectric loss tangent while increasing the mechanical strength and heat resistance of the (C) indanepolyimide resin. The diamine compound including the indane skeleton and the diamine structural unit corresponding to such a diamine compound may be used singly or two or more of them may be used in combination at an arbitrary ratio.
(C) 인단 폴리이미드 수지의 원료가 되는 전 디아민 화합물에서의, 인단 골격을 포함하는 디아민 화합물의 비율은, 수지 조성물의 경화물의 내열성, 기계적 강도 및 유전 정접을 양호하게 하는 관점에서, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 보다 바람직하다.The proportion of the diamine compound containing an indan skeleton in the total diamine compound serving as a raw material of the (C) indanepolyimide resin is preferably 50 mol% or more, more preferably 50 mol% or less, from the viewpoint of improving the heat resistance, mechanical strength and dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition. Or more, and more preferably 80 mol% or more.
(C) 인단 폴리이미드 수지는 필요에 따라, 인단 골격을 포함하지 않는 디아민 구조 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 인단 골격을 포함하지 않는 디아민 화합물로서는, 예를 들어, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,4-페닐렌디아민, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 등의 방향족 디아민; 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-헥산디아민, 1,7-헵탄디아민, 1,8-옥탄디아민, 1,9-노난디아민, 1,10-데칸디아민, 1,11-운데칸디아민, 1,12-도데칸디아민 등의 직쇄형 지방족 디아민; 1,2-디아미노프로판, 1,2-디아미노-2-메틸프로판, 1,3-디아미노-2-메틸프로판, 1,3-디아미노-2,2-디메틸프로판, 1,3-디아미노펜탄, 1,5-디아미노-2-메틸펜탄 등의 분지형 지방족 디아민; 5-아미노-1,3,3-트리메틸사이클로헥산메틸아민(이소포론디아민), 1,4-디아미노사이클로헥산, 1,3-디아미노사이클로헥산, 1,4-사이클로헥산비스(메틸아민), 1,3-사이클로헥산비스(메틸아민), 4,4'-디아미노디사이클로헥실메탄, 비스(4-아미노-3-메틸사이클로헥실)메탄, 3(4),8(9)-비스(아미노메틸)트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸, 2,5(6)-비스(아미노메틸)바이사이클로[2.2.1]헵탄, 1,3-디아미노아다만탄, 3,3'-디아미노-1,1'-비아다만틸, 1,6-디아미노아다만탄 등의 지환식 디아민 등을 들 수 있다. 인단 골격을 포함하지 않는 디아민 화합물, 및 이러한 디아민 화합물에 대응하는 디아민 구조 단위는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The (C) indane polyimide resin may contain a diamine structural unit that does not contain an indane skeleton, if necessary. Examples of the diamine compound not containing the indane skeleton include 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,4-phenylenediamine, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Aromatic diamines such as propane; 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-hexanediamine, 1,7-heptanediamine, 1,8- Linear aliphatic diamines such as octane diamine, 1,9-nonane diamine, 1,10-decane diamine, 1,11-undecane diamine and 1,12-dodecane diamine; 1,2-diamino-2-methylpropane, 1,3-diamino-2-methylpropane, 1,3-diamino- Branched aliphatic diamines such as diaminopentane and 1,5-diamino-2-methylpentane; Amino-1,3,3-trimethylcyclohexanemethylamine (isophoronediamine), 1,4-diaminocyclohexane, 1,3-diaminocyclohexane, 1,4-cyclohexanebis (methylamine) (4), 8 (9) -bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) methane, (Aminomethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, 2,5 (6) -bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 1,3-diaminoamantane, -Diamino-1,1'-biadamantyl, 1,6-diaminoamidanthane, and the like. The diamine compound not containing an indane skeleton and the diamine structural unit corresponding to such a diamine compound may be used singly or in combination of two or more at any ratio.
테트라카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 비스(3,4-디카복시페닐)에테르 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 이무수물 등의 방향족 테트라카복실산 2산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2,2-비스[4-(3,4-디카복시페녹시)페닐]프로판 이무수물은, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도, 내열성, 내약품성 및 전기 절연성을 효과적으로 높일 수 있으므로 바람직하다. 또한, 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산 이무수물은, 수지 조성물의 경화물의 내열성 및 기계적 강도를 효과적으로 높일 수 있으므로 바람직하다. 또한, 비스(3,4-디카복시페닐)에테르 이무수물은, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도, 내열성, 내약품성 및 전기 절연성을 효과적으로 높일 수 있고, 게다가 유전 정접을 현저하게 낮게 할 수 있으므로 바람직하다. 테트라카복실산 화합물, 및 이러한 테트라카복실산 화합물에 대응하는 테트라카복실산 구조 단위는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the tetracarboxylic acid compound include bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyl sulfone And aromatic tetracarboxylic acid dianhydrides such as tetracarboxylic acid dianhydride. Among them, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride is preferable because it can effectively increase the mechanical strength, heat resistance, chemical resistance and electrical insulation of the cured product of the resin composition . Further, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride is preferable because it can effectively increase the heat resistance and mechanical strength of the cured product of the resin composition. Further, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride is preferable because it can effectively increase the mechanical strength, heat resistance, chemical resistance and electrical insulation of the cured product of the resin composition and further remarkably lower the dielectric loss tangent . The tetracarboxylic acid compound and the tetracarboxylic acid structural unit corresponding to such a tetracarboxylic acid compound may be used singly or two or more kinds may be used in combination at an arbitrary ratio.
(C) 인단 폴리이미드 수지의 중합 구조에 제한은 없고, 랜덤 중합체라도 좋고, 교대 중합체라도 좋고, 블록 중합체라도 좋다.There is no limitation on the polymerization structure of the (C) indanepolyimide resin, and it may be a random polymer, an alternating polymer, or a block polymer.
(C) 인단 폴리이미드 수지로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2015-214680호, 일본 공개특허공보 특개2015-209461호, 또는 일본 공개특허공보 특개2015-209455호에 기재된 폴리이미드 수지를 채용해도 좋다.As the (C) indanepolyimide resin, for example, a polyimide resin described in JP-A-2015-214680, JP-A-2015-209461, or JP-A-2015-209455 Maybe.
(C) 인단 폴리이미드 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The (C) indanepolyimide resin may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
(C) 인단 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 5000 내지 100000, 보다 바람직하게는 8000 내지 50000, 더욱 바람직하게는 10000 내지 30000이다.The weight average molecular weight of the (C) indanepolyimide resin is preferably 5000 to 100000, more preferably 8000 to 50000, and still more preferably 10000 to 30000 from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention.
상기와 같은 (C) 인단 폴리이미드 수지는, 예를 들어, 디아민 화합물과 테트라카복실산 화합물을 중합하여 제조할 수 있다. 이러한 경우, 디아민 화합물 및 테트라카복실산 화합물의 한쪽 또는 양쪽으로서, 인단 골격을 포함하는 것을 사용함으로써, 원하는 인단 폴리이미드 수지를 얻을 수 있다. 또한, 상기한 중합에 있어서는, 필요에 따라 임의의 공중합 성분을 중합해도 좋다. 통상은, 인단 골격을 포함하는 디아민 화합물과, 테트라카복실산 화합물과, 필요에 따라 임의의 공중합 성분(예를 들어, 인단 골격을 포함하지 않는 디아민 화합물)을 중합함으로써, (C) 인단 폴리이미드 수지를 제조한다. 또한, (C) 인단 폴리이미드 수지는, 예를 들어, 디아민 화합물과, 테트라카복실산 화합물과, 필요에 따라 임의의 공중합 성분을 중합하여 폴리아미드산을 얻은 후에, 이러한 폴리아미드산을 탈수 및 환화에 의해 이미드화하여 제조해도 좋다.The above-mentioned (C) indanepolyimide resin can be produced, for example, by polymerizing a diamine compound and a tetracarboxylic acid compound. In this case, a desired indane polyimide resin can be obtained by using an indane skeleton as either or both of the diamine compound and the tetracarboxylic acid compound. In the above-mentioned polymerization, optional copolymerization components may be polymerized as necessary. (C) an indanepolyimide resin is obtained by polymerizing a diamine compound containing an indan skeleton, a tetracarboxylic acid compound, and optionally an optional copolymerization component (for example, a diamine compound not containing an indan skeleton) . The (C) indanepolyimide resin can be prepared by, for example, polymerizing a diamine compound, a tetracarboxylic acid compound and optionally a copolymerization component as necessary to obtain a polyamic acid, and then dehydrating and cyclizing the polyamic acid Or may be prepared by imidization.
디아민 화합물 및 테트라카복실산 화합물의 양은, 원하는 (C) 인단 폴리이미드 수지를 얻을 수 있는 범위에서 임의로 설정할 수 있다. 그중에서도, (C) 인단 폴리이미드 수지의 분자량을 충분히 높이는 관점에서, 디아민 화합물이 갖는 아미노기에 대하여, 테트라카복실산 화합물이 갖는 산무수물기를 0.9당량 이상으로 조정하는 것이 바람직하다. 통상, 디아민 화합물 및 테트라카복실산 화합물은, 디아민 화합물의 합계와 테트라카복실산 화합물의 합계가 거의 같은 몰(mol)이 되는 양으로 중합에 제공된다. 상기한 중합은 통상 적절한 반응 용매 중에서, 80℃ 이하의 반응 온도에서, 대기 하 또는 질소 분위기 하에서 행해진다.The amount of the diamine compound and the tetracarboxylic acid compound can be arbitrarily set within a range in which the desired (C) indanepolyimide resin can be obtained. Among them, from the viewpoint of sufficiently increasing the molecular weight of the (C) indanepolyimide resin, it is preferable to adjust the acid anhydride group of the tetracarboxylic acid compound to 0.9 equivalents or more with respect to the amino group of the diamine compound. Normally, the diamine compound and the tetracarboxylic acid compound are supplied to the polymerization in such an amount that the total amount of the diamine compound and the total amount of the tetracarboxylic acid compound is approximately the same molar amount. The above-mentioned polymerization is usually carried out in a suitable reaction solvent at a reaction temperature of 80 DEG C or lower, under an atmosphere or in a nitrogen atmosphere.
상기한 중합에 의해 폴리아미드산이 얻어진 경우, 그 폴리아미드산을 이미드화함으로써, 원하는 (C) 인단 폴리이미드 수지를 얻을 수 있다. 이미드화는, 예를 들어, 탈수제 및 촉매를 사용하여 탈수하는 화학 폐환법에 의해 행할 수 있다. 탈수제로서는 예를 들어, 무수아세트산 등의 지방족 카복실산 무수물, 프탈산 무수물 등의 방향족 카복실산 무수물 등을 들 수 있다. 또한, 촉매로서는, 예를 들어, 피리딘, 피콜린, 퀴놀린 등의 복소환식 3급 아민 화합물; 트리에틸아민 등의 지방족 3급 아민 화합물; N,N-디메틸아닐린 등의 방향족 3급 아민 화합물 등을 들 수 있다. 탈수제 및 촉매는 각각 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.When a polyamic acid is obtained by the above polymerization, the polyamic acid is imidized to obtain the desired (C) indanepolyimide resin. The imidization can be carried out, for example, by a chemical ring-closing method in which dehydration is carried out using a dehydrating agent and a catalyst. Examples of the dehydrating agent include an aromatic carboxylic acid anhydride such as an aliphatic carboxylic acid anhydride such as acetic anhydride and phthalic anhydride. Examples of the catalyst include heterocyclic tertiary amine compounds such as pyridine, picoline and quinoline; Aliphatic tertiary amine compounds such as triethylamine; And aromatic tertiary amine compounds such as N, N-dimethylaniline. Each of the dehydrating agent and the catalyst may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio.
또한, 이미드화는, 예를 들어, 열적으로 탈수하는 열 폐환법에 의해 행할 수 있다. 열 폐환법에서의 가열 온도로서는, 통상 100℃ 내지 400℃, 바람직하게는 200℃ 내지 350℃, 더욱 바람직하게는 250℃ 내지 300℃이다. 또한, 가열 시간은, 통상 1분 내지 6시간, 바람직하게는 5분 내지 2시간, 더욱 바람직하게는 15분 내지 1시간이다. 가열 분위기는 특별히 한정되지 않지만, 착색 억제의 관점에서, 질소 가스 분위기, 질소/수소 혼합 가스 분위기 등의 불활성 분위기가 바람직하다.The imidization can be carried out, for example, by a thermal cyclization method of thermally dehydrating. The heating temperature in the thermal cyclization method is usually 100 占 폚 to 400 占 폚, preferably 200 占 폚 to 350 占 폚, and more preferably 250 占 폚 to 300 占 폚. The heating time is usually 1 minute to 6 hours, preferably 5 minutes to 2 hours, more preferably 15 minutes to 1 hour. The heating atmosphere is not particularly limited, but an inert atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere or a nitrogen / hydrogen mixed gas atmosphere is preferable from the viewpoint of inhibiting the coloring.
수지 조성물에서의 (C) 인단 폴리이미드 수지의 양은, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 4질량% 이상, 특히 바람직하게는 8질량% 이상이며, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 18질량% 이하, 특히 바람직하게는 15질량% 이하이다. (C) 인단 폴리이미드 수지의 양이 상기 범위의 하한치 이상이면, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다. 또한, (C) 인단 폴리이미드 수지의 양이 상기 범위의 상한치 이하이면, 도체층과 도전층의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있다.The amount of the indanepolyimide resin (C) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, particularly preferably 8% by mass or more, based on 100% Preferably 20 mass% or less, more preferably 18 mass% or less, particularly preferably 15 mass% or less. If the amount of the (C) indene polyimide resin is lower than the lower limit of the above range, the dielectric tangent of the cured product of the resin composition can be effectively lowered. When the amount of the indium polyimide resin (C) is not more than the upper limit of the above range, the adhesion between the conductor layer and the conductive layer can be effectively increased.
[5. (D) 무기 충전재][5. (D) inorganic filler]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, (D) 무기 충전재를 추가로 포함할 수 있다. (D) 무기 충전재를 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 열팽창 계수를 작게 할 수 있으므로, 절연층의 리플로우 휨을 억제할 수 있다.The resin composition may further comprise, as optional components, (D) an inorganic filler in addition to the above components. (D) By using the inorganic filler, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, and the reflow warp of the insulating layer can be suppressed.
(D) 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무스, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (D) 무기 충전재는 1종류를 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용하여도 좋다.The material of the inorganic filler (D) is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, Magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide , Barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable. As the silica, spherical silica is preferable. The inorganic filler (D) may be used singly or in combination of two or more at any ratio.
통상, (D) 무기 충전재는 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (D) 무기 충전재의 입자의 평균 입경은, 회로 매립성을 향상시키고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻는 관점에서, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2㎛ 이하, 특히 바람직하게는 1.5㎛ 이하이다. 당해 평균 입경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 그중에서도 바람직하게는 0.5㎛ 이상이다.Usually, the inorganic filler (D) is contained in the resin composition in the form of particles. The average particle diameter of the particles of the inorganic filler (D) is preferably 5 占 퐉 or less, more preferably 2.5 占 퐉 or less, and still more preferably 2 占 퐉 or less, from the viewpoint of improving the circuit embedding property and obtaining an insulating layer with a small surface roughness. Mu m or less, particularly preferably 1.5 mu m or less. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 0.01 占 퐉 or more, more preferably 0.05 占 퐉 or more, further preferably 0.1 占 퐉 or more, and particularly preferably 0.5 占 퐉 or more.
상기와 같은 평균 입경을 갖는 (D) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 신닛테츠스미킨 머티리얼즈사 제조 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조 「씰필 NSS-3N」, 「씰필 NSS-4N」, 「씰필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the inorganic filler (D) having an average particle size as described above include " SP60-05 ", " SP507-05 ", Shin- "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE" and "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "UFP-30" manufactured by Denka Corporation; "Seal Pill NSS-3N", "Seal Pill NSS-4N" and "Seal Pill NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", and "SO-C1" manufactured by Adomex Corporation.
(D) 무기 충전재 등의 입자의 평균 입경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해 입자의 입경 분포를 체적 기준으로 측정하고, 그 입경 분포로부터 중간(median) 직경으로서 평균 입경을 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 입자를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.(D) The average particle diameter of particles such as inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the particles can be measured on the volume basis by the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and the average particle size can be measured as the median diameter from the particle size distribution. The measurement sample can be preferably those in which particles are dispersed in water by ultrasonic waves. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.
(D) 무기 충전재는, 임의의 표면 처리제로 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 표면 처리제로 표면 처리를 실시함으로써, (D) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다. 또한, 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제) 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The inorganic filler (D) may be subjected to surface treatment with an arbitrary surface treatment agent. Examples of the surface treatment agent include an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent. By performing surface treatment with these surface treatment agents, the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler (D) can be enhanced. As commercially available products of the surface treatment agent, for example, KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyl (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., "KBM-103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-4803" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy type silane coupling agent). One type of surface treatment agent may be used alone, or two or more types of surface treatment agents may be used in combination at an arbitrary ratio.
표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (D) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (D) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, (D) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 상기한 카본량은 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 특히 바람직하다.The degree of the surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area (D) of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (D) is preferably at least 0.02 mg / m 2, more preferably at least 0.1 mg / m 2, and most preferably at least 0.2 mg / m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler (D) Particularly preferred. On the other hand, the amount of carbon is preferably 1 mg / m 2 or less, more preferably 0.8 mg / m 2 or less, and more preferably 0.5 mg / m 2 or less from the viewpoint of suppressing the increase of the melt viscosity and the melt viscosity in the sheet form of the resin composition Is particularly preferable.
(D) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 (D) 무기 충전재를 용매에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 용매로서는, 예를 들어, 메틸에틸케톤(이하,「MEK」라고 약칭하는 경우가 있음)을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 충분한 양의 메틸에틸케톤과, 표면 처리제로 표면 처리된 (D) 무기 충전 재를 혼합하여 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 그 후, 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 (D) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」를 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (D) can be measured after washing the inorganic filler (D) after the surface treatment with a solvent. As the solvent, for example, methyl ethyl ketone (hereinafter may be abbreviated as " MEK ") may be used. Specifically, a sufficient amount of methyl ethyl ketone and inorganic filler (D) surface-treated with a surface treatment agent are mixed and ultrasonically cleaned at 25 占 폚 for 5 minutes. Thereafter, the supernatant is removed, and the solid content is dried, and then the amount of carbon per unit surface area (D) of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. can be used.
수지 조성물에서의 (D) 무기 충전재의 양은, 열 팽창율이 낮은 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 55질량% 이상, 더욱 바람직하게는 60질량% 이상, 또는 65질량% 이상이다. 상한은 절연층의 기계적 강도, 특히 신장의 관점에서, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85질량% 이하, 또는 80질량% 이하이다.The amount of the inorganic filler (D) in the resin composition is preferably not less than 50% by mass, more preferably not less than 55% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion. Or more, more preferably 60 mass% or more, or 65 mass% or more. The upper limit is preferably 95 mass% or less, more preferably 90 mass% or less, further preferably 85 mass% or less, or 80 mass% or less, from the viewpoint of the mechanical strength of the insulating layer,
[6. (E) 유기 충전재][6. (E) Organic filler]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, (E) 유기 충전재를 추가로 포함할 수 있다. (E) 유기 충전재를 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 유연성을 향상시킬 수 있으므로, 절연층의 신장성을 개선할 수 있다.The resin composition may further comprise, as optional components, (E) an organic filler in addition to the above-mentioned components. By using (E) an organic filler, the flexibility of the cured product of the resin composition can be improved, so that the extensibility of the insulating layer can be improved.
(E) 유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용할 수 있다. (E) 유기 충전재로서는, 예를 들어, 고무 입자, 폴리아미드 입자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. 또한, 고무 입자로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 다우 케미컬 닛폰사 제조의 「EXL2655」, 아이카 코교사 제조의 「AC3816N」 등을 들 수 있다. 또한, (E) 유기 충전재는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 할당하여 사용해도 좋다.As the organic filler (E), any organic filler that can be used in forming the insulating layer of the printed wiring board can be used. Examples of the (E) organic filler include rubber particles, polyamide particles, silicon particles and the like. As the rubber particles, a commercially available product may be used. Examples thereof include "EXL2655" manufactured by Dow Chemical Co., Ltd., "AC3816N" manufactured by Aikoko Co., Ltd., and the like. The organic fillers (E) may be used singly or in a combination of two or more kinds.
(E) 유기 충전재의 입자의 평균 입경은, 수지 조성물 중에서의 분산성이 우수하다는 관점에서, 5㎛ 이하가 바람직하고, 4㎛ 이하가 보다 바람직하고, 3㎛ 이하가 더욱 바람직하다. (E) 유기 충전재의 평균 입경의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.05㎛ 이상이 바람직하고, 0.08㎛ 이상이 보다 바람직하고, 0.10㎛ 이상이 특히 바람직하다.The average particle diameter of the particles of the organic filler (E) is preferably 5 占 퐉 or less, more preferably 4 占 퐉 or less, and further preferably 3 占 퐉 or less, from the viewpoint of excellent dispersibility in the resin composition. The lower limit of the average particle diameter of the organic filler (E) is not particularly limited, but is preferably 0.05 탆 or more, more preferably 0.08 탆 or more, and particularly preferably 0.10 탆 or more.
수지 조성물에서의 (E) 유기 충전재의 양은, 수지 조성물의 경화물의 기계적 물성을 적절한 범위로 조정하는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.2질량% 내지 10질량%, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 내지 5질량%, 또는 0.5질량% 내지 3질량%이다.The amount of the organic filler (E) in the resin composition is preferably from 0.1% by mass to 20% by mass, more preferably from 0.1% by mass to 20% by mass with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition from the viewpoint of adjusting the mechanical properties of the cured product, , More preferably 0.2 mass% to 10 mass%, still more preferably 0.3 mass% to 5 mass%, or 0.5 mass% to 3 mass%.
[7. (F) 경화 촉진제][7. (F) Curing accelerator]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (F) 경화 촉진제를 추가로 포함할 수 있다. (F) 경화 촉진제를 사용함으로써, 수지 조성물을 경화시킬 때에 경화를 촉진할 수 있다.The resin composition may further contain, as optional components, (C) a curing accelerator in addition to the above components. By using the curing accelerator (F), curing can be promoted when the resin composition is cured.
(F) 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 및 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 및 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다.Examples of the curing accelerator (F) include phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, guanidine hardening accelerators and metal hardening accelerators. Among them, a phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, and a metal hardening accelerator are preferable, and an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, and a metal hardening accelerator are more preferable.
인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.
아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine; amines such as 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) Diazabicyclo (5,4,0) undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.
이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸 이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine isocyanuric acid Water, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3 -Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, And imidazole compounds of imidazole compounds and epoxy resins, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.
이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용하여도 좋고, 예를 들어, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, for example, " P200-H50 " manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like, and dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferred.
금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(Ⅱ)아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체; 동(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체; 아연(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체; 철(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체; 니켈(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체; 망간(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate; Organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate; An organic zinc complex such as zinc (II) acetylacetonate; An organic iron complex such as iron (III) acetylacetonate; An organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate; And organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.
(F) 경화 촉진제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.One type of the (C) curing accelerator may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio.
수지 조성물에서의 (F) 경화 촉진제의 양은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여 0.01질량% 내지 3질량%가 바람직하다.The amount of the curing accelerator (F) in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.01% by mass to 3% by mass based on 100% by mass of the resin component in the resin composition from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.
[8. (G) 경화제][8. (G) Curing agent]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, (B) 활성 에스테르 화합물 이외의 (G) 경화제를 추가로 포함할 수 있다.The resin composition may further contain, as optional components, (C) a curing agent other than the active ester compound (B), in addition to the above components.
(G) 경화제로서는, 에폭시 수지를 경화시키는 기능을 갖는 임의의 경화제를 사용할 수 있다. (G) 경화제로서는, 예를 들어, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 시아네이트 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 카르보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다.As the (G) curing agent, any curing agent having a function of curing the epoxy resin can be used. Examples of the (G) curing agent include a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, and a carbodiimide-based curing agent.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성이 우수한 절연층을 얻는 관점에서, 함질소 페놀계 경화제 및 함질소 나프톨계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제 및 트리아진 골격 함유 나프톨계 경화제가 보다 바람직하다. 그중에서도, 내열성, 내수성, 및 도체층과의 밀착성을 고도로 높이는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락 수지 및 트리아진 골격 함유 나프톨 노볼락 수지가 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of obtaining an insulating layer having excellent adhesion with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent and a nitrogen-containing naphthol-based curing agent are preferable, and a phenazine-based curing agent containing a triazine skeleton and a naphthol- . Among them, phenol novolac resins containing a triazine skeleton and naphthol novolak resins containing a triazine skeleton are preferable from the viewpoint of high heat resistance, water resistance, and adhesion to a conductor layer.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛테츠스미킨 카카구사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」; DIC사 제조의 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-3018」,「LA-1356」, 「TD2090」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810" and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei; NHN ", " CBN ", " GPH ", manufactured by Nippon Kayaku Co., "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN375" and "SN395" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kakuga; LA-7052 "," LA-7054 "," LA-3018 "," LA-1356 ", and" TD2090 "manufactured by DIC Corporation.
시아네이트 에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 페놀 노볼락형, 알킬페놀 노볼락형 등의 노볼락형 시아네이트 에스테르계 경화제; 디사이클로펜타디엔형 시아네이트 에스테르계 경화제; 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등의 비스페놀형 시아네이트 에스테르계 경화제; 및 이들이 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트 에스테르계 경화제의 구체예로서는, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 및 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시판의 시아네이트 에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(둘 다 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지), 「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester-based curing agent include novolak-type cyanate ester-based curing agents such as phenol novolak type and alkylphenol novolak type; Dicyclopentadiene type cyanate ester-based curing agents; Bisphenol-type cyanate ester-based curing agents such as bisphenol A type, bisphenol F type, and bisphenol S type; And prepolymerized prepolymers thereof, and the like. Specific examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylene bis (2,6- Cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanate phenyl-1- (methyl ethylidene)) benzene, bis ) Bifunctional cyanate resins such as thioether, and bis (4-cyanate phenyl) ether; Polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolak; And prepolymerized prepolymers obtained by partially curing these cyanate resins. Specific examples of commercially available cyanate ester curing agents include " PT30 " and " PT60 " (both phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resins), " BA230 " (part of bisphenol A dicyanate or A prepolymer in which all triazines are trimerized to form a trimer).
벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" manufactured by Shikoku Kasei Corporation, and "F-a".
카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co.,
상기한 (G) 경화제 중에서도, (A) 성분, (B) 성분, 및 (C) 성분과의 조합에 의해 양호한 파단점 신도를 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있는 것으로부터, 페놀계 경화제가 특히 바람직하다.Among the above-mentioned (G) curing agents, a phenol-based curing agent and a naphthol-based curing agent are preferred from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting a good breaking elongation by combination with the components (A), (B) Do. Further, a phenolic curing agent is particularly preferable because an insulating layer with a small surface roughness can be obtained.
(G) 경화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.One kind of the (G) curing agent may be used alone, or two or more kinds may be used in combination at an arbitrary ratio.
수지 조성물에서의 (G) 경화제의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.6질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.7질량% 이상, 또는 1질량% 이상이고, 또한, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 8질량% 이하, 4질량% 이하, 3질량% 이하, 또는 2질량% 이하이다.The amount of the (C) curing agent in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.6% by mass or more, still more preferably 0.7% by mass or more, relative to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, , More preferably not more than 8 mass%, not more than 4 mass%, not more than 3 mass%, or not more than 2 mass%.
[9. (H) 열가소성 수지][9. (H) Thermoplastic resin]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (H) 열가소성 수지를 추가로 포함할 수 있다.The resin composition may further contain (H) a thermoplastic resin as an optional component in addition to the above components.
(H) 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지; 폴리비닐 아세탈 수지; 폴리올레핀 수지; 폴리부타디엔 수지; 폴리설폰 수지; 폴리에테르설폰 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리에테르에테르케톤 수지; 폴리에스테르 수지; (C) 인단폴리이미드 수지 이외의 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리에테르이미드 수지 등을 들 수 있다.(H) As the thermoplastic resin, for example, phenoxy resin; Polyvinyl acetal resin; Polyolefin resins; Polybutadiene resin; Polysulfone resin; Polyethersulfone resin; Polycarbonate resin; Polyether ether ketone resins; Polyester resin; (C) a polyimide resin other than an indene polyimide resin, a polyamideimide resin, and a polyetherimide resin.
페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「FX280」 및 「FX293」; 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7891BH30」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. Specific examples of the phenoxy resin include " 1256 " and " 4250 " (all phenolic resin containing bisphenol A skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YX8100 " (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX6954" (a phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; FX280 " and " FX293 " manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku; "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7891BH30" and "YL7482" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,
폴리비닐 아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리비닐 부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐 부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐 아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」; 세키스이 카가쿠 코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As the polyvinyl acetal resin, for example, a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin can be mentioned, and a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include "Denkabutilal 4000-2", "Denkabutilal 5000-A", "Denkabutilal 6000-C", "Denkabutilal 6000-EP" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., ; (For example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Sekisui Kagaku Kogyo Co., Ltd.
폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES 5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.
(C) 인단 폴리이미드 수지 이외의 폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신닛폰리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 이들 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 선형 폴리이미드 수지(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드 수지), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드 수지(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드 수지) 등의 변성 폴리이미드 수지를 들 수 있다.Specific examples of the polyimide resin other than the (C) indanepolyimide resin include "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" manufactured by Shin-Nippon Rikagaku. Specific examples of these polyimide resins include linear polyimide resins obtained by reacting bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds and tetrabasic acid anhydride (polyimide resins described in JP-A-2006-37083 ), Polysiloxane skeleton-containing polyimide resins (JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386, etc.), and other modified polyimide resins.
(C) 인단 폴리이미드 수지 이외의 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요 보세키사 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 이들 폴리아미드이미드수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이코교사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyamide-imide resin other than the (C) indan-polyimide resin include "Bylomex HR11NN" and "Bylomax HR16NN" manufactured by Toyobo Co., Specific examples of these polyamideimide resins include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) produced by Hitachi Chemical Co., Ltd.
그중에서도, 표면 거칠기가 작고 도체층과의 밀착성이 특히 우수한 절연층을 얻는 관점에서, (H) 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지가 바람직하고, 페녹시 수지가 특히 바람직하다.Among them, a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin are preferable as the thermoplastic resin (H), and a phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a small surface roughness and excellent adhesion to a conductor layer.
(H) 열가소성 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.(H) The thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
(H) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 8,000 내지 70,000, 보다 바람직하게는 10,000 내지 60,000, 특히 바람직하게는 20,000 내지 60,000이다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin (H) is preferably 8,000 to 70,000, more preferably 10,000 to 60,000, and particularly preferably 20,000 to 60,000 from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.
수지 조성물에서의 (H) 열가소성 수지의 양은, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%、보다 바람직하게는 0.6질량% 내지 12질량%、 더욱 바람직하게는 0.7질량% 내지 10질량%이다.The amount of the thermoplastic resin (H) in the resin composition is preferably 0.5% by mass to 15% by mass, more preferably 0.6% by mass to 12% by mass, relative to 100% by mass of the resin component in the resin composition, 0.7% by mass to 10% by mass.
[10. (Ⅰ) 난연제][10. (I) Flame Retardant]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에 임의의 성분으로서, (Ⅰ) 난연제를 추가로 포함할 수 있다. (Ⅰ) 난연제로서는, 예를 들어, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. (Ⅰ) 난연제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 산코사 제조의 「HCA-HQ」, 다이하치 카가쿠코교사 제조의 「PX-200」 등을 들 수 있다. 또한, (Ⅰ) 난연제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further comprise (I) a flame retardant as an optional component in addition to the above components. (I) Examples of the flame retardant include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicon-based flame retardants and metal hydroxides. (I) As the flame retardant, a commercially available product may be used, and examples thereof include "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd. and "PX-200" manufactured by Daihatsu Kagakuko Co., The flame retardant (I) may be used singly or in combination of two or more at any ratio.
수지 조성물에서의 (Ⅰ) 난연제의 양은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.5질량% 내지 20질량%、보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%、 더욱 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%이다.The amount of the (I) flame retardant in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 15% by mass, further preferably 0.5% by mass to 100% And preferably 0.5% by mass to 10% by mass.
[11. (J) 임의의 첨가제][11. (J) optional additive]
수지 조성물은 상기한 성분 이외에, (J) 임의의 첨가제를 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제 등의 수지 첨가제를 들 수 있다.The resin composition may contain (J) optional additives in addition to the above components. Examples of such additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; Thickener; Defoamer; Leveling agents; An adhesion imparting agent; And a resin additive such as a coloring agent.
[12. 수지 조성물의 특성][12. Characteristics of Resin Composition]
상기한 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층의 재료로서 사용하기에 적합한 범위의 최저 용융 점도를 갖는다. 여기에서, 수지 조성물의 최저 용융 점도란, 수지 조성물이 용융했을 때에 수지 조성물이 나타내는 최저의 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도로 수지 조성물을 가열해서 수지 조성물을 용융시키면, 초기의 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하되고, 그 후, 어느 정도를 넘으면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 최저 용융 점도란, 이러한 극소점의 용융 점도를 말한다.The above-mentioned resin composition has the lowest melt viscosity within a range suitable for use as a material for an insulating layer of a printed wiring board. Here, the lowest melt viscosity of the resin composition means the lowest viscosity exhibited by the resin composition when the resin composition is melted. Specifically, when the resin composition is melted by heating the resin composition at a constant heating rate, the melt viscosity of the resin composition is lowered along with the temperature rise in the initial stage, and then the melt viscosity increases with the temperature rise. The lowest melt viscosity refers to the melt viscosity of such a minimum point.
수지 조성물의 구체적인 최저 용융 점도는, 바람직하게는 200poise 이상, 보다 바람직하게는 300poise 이상, 특히 바람직하게는 400poise 이상이며, 바람직하게는 3000poise 이하, 보다 바람직하게는 2000poise 이하, 특히 바람직하게는 1500poise 이하이다. 수지 조성물의 최저 용융 점도가 상기 하한치 이상임으로써, 수지 조성물층이 얇아도 그 두께를 안정적으로 유지하기 쉽고, 또한, 상기 상한치 이하임으로써, 양호한 회로 매립성을 얻을 수 있다.The specific minimum melt viscosity of the resin composition is preferably 200 poise or more, more preferably 300 poise or more, particularly preferably 400 poise or more, preferably 3,000 poise or less, more preferably 2,000 poise or less, particularly preferably 1,500 poise or less . Since the lowest melt viscosity of the resin composition is lower than the lower limit described above, even if the resin composition layer is thin, the thickness of the resin composition is easily stably maintained, and better circuit embedding property can be obtained.
수지 조성물의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성 측정 장치를 사용하고, 60℃에서 200℃까지의 측정 온도 범위에서, 승온 속도 5℃/분, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동 1Hz/deg의 측정 조건으로 측정할 수 있다.The minimum melt viscosity of the resin composition was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus under the measurement conditions of a temperature rising rate of 5 占 폚 / min, a measurement temperature interval of 2.5 占 폚 and a vibration of 1 Hz / deg in a measurement temperature range from 60 占 폚 to 200 占 폚 can do.
본 발명자에 의하면, 상기한 수지 조성물이 프린트 배선판의 절연층의 재료로서 사용하기에 적합한 범위의 최저 용융 점도를 가질 수 있는 구조는 하기와 같다고 추측된다. 단, 본 발명의 기술적 범위는 하기의 구조에 의해 제한되는 것은 아니다.According to the inventors of the present invention, it is presumed that a structure capable of having the lowest melt viscosity within a range suitable for use as the material of the insulating layer of the printed wiring board is as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the following structure.
(B) 활성 에스테르 화합물은 일반적으로 극성이 낮다. 또한, (C) 인단 폴리이미드 수지는, 인단 골격을 갖기 위해 당해 분자 중에서 차지하는 방향환의 비율이 크고, 그 때문에 극성이 작다. 따라서, (B) 활성 에스테르 화합물과 (C) 인단 폴리이미드 수지는, 높은 상용성으로 양호하게 섞일 수 있다. 따라서, 수지 조성물 전체로서의 용융 점도가 낮아지므로, 상기와 같이 프린트 배선판의 절연층의 재료로서 적합한 낮은 범위의 최저 용융 점도를 가질 수 있다.(B) The active ester compound generally has a low polarity. In addition, the (C) indanepolyimide resin has a large proportion of aromatic rings in the molecule in order to have an indane skeleton, and therefore the polarity is small. Therefore, the active ester compound (B) and the (C) indanepolyimide resin can be mixed well with high compatibility. Therefore, since the melt viscosity as a whole of the resin composition is low, it can have a lowest melt viscosity in a low range suitable for the material of the insulating layer of the printed wiring board as described above.
또한, 상기한 수지 조성물을 경화시킴으로써, 유전 정접이 낮은 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 수지 조성물의 경화물을 사용함으로써 유전 정접이 낮은 절연층을 실현할 수 있다. 수지 조성물의 경화물의 유전 정접은 낮을수록 바람직하고, 절연층의 재료로서 사용하는 관점에서는, 바람직하게는 0.020 이하, 보다 바람직하게는 0.010 이하, 더욱 바람직하게는 0.009 이하, 특히 바람직하게는 0.008 이하, 0.007 이하, 또는 0.006 이하이다. 하한에는 특별히 제한은 없지만, 통상은 0.001 이상이다.Further, by curing the above-mentioned resin composition, a cured product having a low dielectric tangent can be obtained. Therefore, by using a cured product of the resin composition, it is possible to realize an insulating layer having a low dielectric tangent. The dielectric tangent of the cured product of the resin composition is preferably as low as possible and is preferably 0.020 or less, more preferably 0.010 or less, still more preferably 0.009 or less, particularly preferably 0.008 or less, 0.007 or less, or 0.006 or less. The lower limit is not particularly limited, but is usually 0.001 or more.
수지 조성물의 경화물의 유전 정접은, 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃의 측정 조건으로 측정할 수 있다.The dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be measured by the cavity resonance perturbation method under the measurement conditions of a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 캜.
본 발명자에 의하면, 상기한 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 낮게 할 수 있는 구조는 하기와 같다고 추측된다. 단, 본 발명의 기술적 범위는 하기의 구조에 의해 제한되는 것이 아니다.According to the present inventors, it is assumed that the structure capable of lowering the dielectric tangent of the cured product of the resin composition is as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the following structure.
(C) 인단 폴리이미드 수지는 상기와 같이, 인단 골격을 갖기 위해 당해 분자 중에서 차지하는 방향환의 비율이 크고, 그 때문에 극성이 작다. 따라서, 이러한 (C) 인단 폴리이미드 수지를, (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물을 조합하여 포함하는 수지 조성물의 경화물의 극성은 작아진다. 이와 같이 극성이 작으므로, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 낮게 할 수 있다. 특히, (C) 인단 폴리이미드 수지의 인단 골격에 메틸기 등의 탄화수소기가 결합하고 있으면, (C) 인단 폴리이미드 수지의 분자의 탄소수가 커지고, 극성을 보다 작게 할 수 있으므로, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 특히 낮게 할 수 있다.As described above, the (C) indanepolyimide resin has a large proportion of aromatic rings occupied in the molecule in order to have an indane skeleton, and thus the polarity is small. Accordingly, the polarity of the cured product of the resin composition comprising the (C) indanepolyimide resin and (A) the epoxy resin and (B) the active ester compound is reduced. Since the polarity is small as described above, dielectric tangent of the cured product of the resin composition can be lowered. Particularly, when a hydrocarbon group such as a methyl group is bonded to the indane skeleton of the (C) indanepolyimide resin, the number of carbon atoms of the molecule of the (C) indanepolyimide resin can be increased and the polarity can be further reduced, The tangency can be made particularly low.
또한, 상기한 수지 조성물의 경화물을 사용함으로써, 도체층과의 밀착성이 우수한 절연층을 실현할 수 있다. 절연층과 도체층의 밀착성은, 실온 중에서 도체층을 절연층에 대하여 수직 방향으로 잡아당겨 벗겨냈을 때의 하중으로서의 필(peel) 강도에 의해 평가할 수 있다. 상기한 필 강도는 클수록 바람직하고, 구체적으로는, 바람직하게는 0.40kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.45kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.50kgf/cm 이상, 특히 바람직하게는 0.53kgf/cm 이상이다. 상한에는 특별히 제한은 없지만, 통상은 1.2kgf/cm 이하이다. 특히, 상기한 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층은, 조화(粗化) 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)(표면 거칠기)가 작아도, 이와 같이 높은 필 강도를 나타내므로, 회로 배선의 미세화에 현저하게 기여할 수 있다.Further, by using the above-mentioned cured product of the resin composition, it is possible to realize an insulating layer having excellent adhesion with the conductor layer. The adhesion between the insulating layer and the conductor layer can be evaluated by the peel strength as a load when the conductor layer is pulled out in a direction perpendicular to the insulating layer at room temperature. More specifically, it is preferably 0.40 kgf / cm or more, more preferably 0.45 kgf / cm or more, further preferably 0.50 kgf / cm or more, particularly preferably 0.53 kgf / cm or more Or more. The upper limit is not particularly limited, but is usually 1.2 kgf / cm or less. Particularly, since the insulating layer containing the cured product of the resin composition exhibits such a high fill strength even if the arithmetic mean roughness (Ra) (surface roughness) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is small, It can contribute significantly to miniaturization of wiring.
본 발명자에 의하면, 상기한 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층과 도체층의 밀착성을 높게 할 수 있는 구조는 하기와 같다고 추측된다. 단, 본 발명의 기술적 범위는 하기의 구조에 의해 제한되는 것은 아니다.According to the present inventors, it is presumed that the structure capable of increasing the adhesion between the insulating layer including the cured product of the resin composition and the conductor layer is as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the following structure.
(C) 인단 폴리이미드 수지는 인단 골격을 가지므로, 통상 강성(剛性)이 높다. 또한, (C) 인단 폴리이미드 수지는, (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물과 양호하게 혼합할 수 있다. 따라서, 수지 조성물의 경화물은, 기계적 강도가 높다. 따라서, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층과 도체층의 계면근방 부분에서 수지 조성물의 경화물은 파괴되기 어렵다. 그 때문에, 수지 조성물의 경화물의 파손에 의한 도체층의 박리가 생기기 어려우므로, 절연층과 도체층의 밀착성을 높게 할 수 있다.(C) Indane polyimide resin has an indane skeleton, and therefore has a high rigidity. The (C) indanepolyimide resin can be mixed well with (A) the epoxy resin and (B) the active ester compound. Therefore, the cured product of the resin composition has high mechanical strength. Therefore, the cured product of the resin composition is hardly broken at the portion near the interface between the insulating layer containing the cured product of the resin composition and the conductor layer. Therefore, it is difficult for the conductor layer to peel off due to breakage of the cured product of the resin composition, so that the adhesion between the insulating layer and the conductor layer can be enhanced.
상기한 수지 조성물의 경화물은 통상 높은 유리 전이 온도를 가지므로, 내열성이 우수하다. 수지 조성물의 구체적인 유리 전이 온도는, 바람직하게는 130℃ 이상, 보다 바람직하게는 150℃ 이상, 특히 바람직하게는 155℃ 이상, 또는 160℃ 이상이다. 유리 전이 온도의 상한에 특별히 제한은 없지만, 200℃ 이하가 바람직하고, 190℃ 이하가 더욱 바람직하고, 180℃ 이하가 특히 바람직하다.The above-mentioned cured product of the resin composition usually has a high glass transition temperature, and therefore has excellent heat resistance. The specific glass transition temperature of the resin composition is preferably 130 占 폚 or higher, more preferably 150 占 폚 or higher, particularly preferably 155 占 폚 or higher, or 160 占 폚 or higher. The upper limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but is preferably 200 占 폚 or lower, more preferably 190 占 폚 or lower, and particularly preferably 180 占 폚 or lower.
수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도는, 열 기계 분석 장치를 사용한 인장 가중법(JIS K7197)에 의해 측정할 수 있다.The glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be measured by a tensile weighting method (JIS K7197) using a thermomechanical analyzer.
상기한 수지 조성물의 경화물을 사용함으로써, 통상은 조화 처리 후의 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻을 수 있다. 상기한 표면 거칠기는, 산술 평균 거칠기로 나타낼 수 있다. 조화 처리 후의 절연층의 표면의 산술 평균 거칠기는 작을수록 바람직하고, 구체적으로는, 바람직하게는 280nm 이하, 보다 바람직하게는 250nm 이하, 더욱 바람직하게는 200nm 이하, 140nm 이하, 130nm 이하, 120nm 이하, 110nm 이하, 100nm 이하, 95nm 이하, 또는 90nm 이하이다. 산술 평균 거칠기의 하한은 특별히 제한은 없지만, 통상은 0.5nm 이상이다. By using the above-mentioned cured product of the resin composition, an insulating layer having a small surface roughness after the roughening treatment can be usually obtained. The above-mentioned surface roughness can be expressed by an arithmetic average roughness. The arithmetic average roughness of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably as small as possible. Specifically, it is preferably 280 nm or less, more preferably 250 nm or less, further preferably 200 nm or less, 140 nm or less, 130 nm or less, 110 nm or less, 100 nm or less, 95 nm or less, or 90 nm or less. The lower limit of the arithmetic mean roughness is not particularly limited, but is usually 0.5 nm or more.
절연층의 표면의 산술 평균 거칠기는, 비접촉형 표면 조도계(예를 들어, 비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」)에 의해 측정할 수 있다.The arithmetic average roughness of the surface of the insulating layer can be measured by a non-contact surface roughness meter (e.g., " WYKO NT3300 " manufactured by Vico Instruments).
상기한 바와 같이 우수한 특성을 가지므로, 본 발명의 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 다층 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 특히 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은, 부품 매립성이 우수한 절연층을 형성할 수 있으므로, 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은 프리프레그의 재료로서 사용하는 것이 가능하다.As described above, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition (resin composition for an insulating layer of a printed wiring board) for forming an insulating layer of a printed wiring board, Can be suitably used as a resin composition for forming a layer. Further, the resin composition of the present invention can be used suitably when the printed wiring board is a component built-in circuit board, because it can form an insulating layer with excellent parts embedding property. Further, the resin composition of the present invention can be used as a material of a prepreg.
[13. 접착 필름][13. Adhesive film]
본 발명의 수지 조성물을 사용함으로써 접착 필름을 얻을 수 있다. 이러한 접착 필름은, 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는다.An adhesive film can be obtained by using the resin composition of the present invention. Such an adhesive film has a support and a resin composition layer containing the resin composition formed on the support.
수지 조성물층의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 또한, 박막화의 관점에서, 수지 조성물층의 두께는, 100㎛ 이하, 80㎛ 이하, 60㎛ 이하, 50㎛ 이하, 또는 40㎛ 이하로 해도 좋다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상, 1.5㎛ 이상, 또는 2㎛ 이상으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 900 占 퐉 or less, more preferably 800 占 퐉 or less, further preferably 700 占 퐉 or less, and even more preferably 600 占 퐉 or less. From the viewpoint of thinning, the thickness of the resin composition layer may be 100 占 퐉 or less, 80 占 퐉 or less, 60 占 퐉 or less, 50 占 퐉 or less, or 40 占 퐉 or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, or 2 占 퐉 or more.
지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper can be mentioned, and a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.
지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하,「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하,「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하,「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(이하,「PMMA」라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(이하,「TAC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르설파이드(이하,「PES」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN" (Hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), polymethyl methacrylate (hereinafter may be abbreviated as "PMMA"), cyclic polyolefins, triacetyl Cellulose (hereinafter may be abbreviated as "TAC"), polyether sulfide (hereinafter, may be abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.
지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used.
지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다.The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to a surface treatment such as a mat treatment or a corona treatment.
또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」;토레사 제조 「루미러 T6AM」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. As the releasing agent for use in the release layer of the release layer-adhered support, for example, one or more release agents selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin may be mentioned. SK-1, " " AL-5, " and " AL-5, " manufactured by LINTEX Corporation, each of which is a PET film having a releasing layer mainly composed of an alkyd resin-based releasing agent, 7; " Lumirror T6AM " manufactured by Toray Industries, Inc., and the like.
지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When the release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.
접착 필름은, 예를 들어, 유기 용매 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시를 조제하고, 이러한 수지 바니시를 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The adhesive film can be formed, for example, by preparing a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, applying the resin varnish on a support using a coating device such as a die coater, and further drying the resin varnish to form a resin composition layer Can be manufactured.
유기 용매로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥산온 등의 케톤 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르 용매; 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨 용매; 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화 수소 용매; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(이하,「DMAc」라고 약칭하는 경우가 있음) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 또한, 유기 용매는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; Carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; And amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (hereinafter sometimes abbreviated as "DMAc") and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio.
건조는, 가열, 열풍 분사 등의 임의의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용매의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용매의 비점에 따라 다를 수 있지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기용매를 포함하는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써 수지 조성물층을 형성할 수 있다.The drying may be performed by any method such as heating, hot air blowing, or the like. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. The resin varnish may vary depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish. For example, when a resin varnish containing an organic solvent of 30% by mass to 60% by mass is used, the resin varnish is dried at 50 ° C to 150 ° C for 3 minutes to 10 minutes, Layer can be formed.
접착 필름은, 지지체 및 수지 조성물층에 조합하여, 추가로 임의의 층을 가질 수 있다. 예를 들어, 접착 필름은, 지지체와 접합하고 있지 않은 수지 조성물층의 면(즉, 지지체와는 반대측의 수지 조성물의 면)에, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 갖고 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착 및 흠집의 억제가 가능하다. 또한, 접착 필름은 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 통상은 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The adhesive film may have an arbitrary layer in combination with the support and the resin composition layer. For example, the adhesive film may further include a protective film according to the support on the side of the resin composition layer not bonded to the support (i.e., the side of the resin composition opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 m to 40 m. By the protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratch can be suppressed. Further, the adhesive film can be rolled and stored. When the adhesive film has a protective film, it can usually be used by peeling off the protective film.
[14. 프리프레그][14. Prepreg]
본 발명의 수지 조성물을 사용함으로써 프리프레그를 얻을 수 있다. 이러한 프리프레그는, 시트상 섬유 기재와, 상기 시트상 섬유 기재에 함침된 상기 수지 조성물을 갖는다.By using the resin composition of the present invention, a prepreg can be obtained. The prepreg has a sheet-like fiber substrate and the resin composition impregnated in the sheet-like fiber substrate.
시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 글래스 클로스(glass cloth), 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되어 있는 것을 사용할 수 있다. 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 특히 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 또한, 박층화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 또는 10㎛ 이하로 해도 좋다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상, 1.5㎛ 이상, 또는 2㎛ 이상으로 할 수 있다.The sheet-like fiber substrate is not particularly limited, and for example, those commonly used as prepreg substrates such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. The thickness of the sheet-like fibrous base material is preferably 900 占 퐉 or less, more preferably 800 占 퐉 or less, further preferably 700 占 퐉 or less, particularly preferably 600 占 퐉 or less. Further, from the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material may be 30 占 퐉 or less, 20 占 퐉 or less, or 10 占 퐉 or less. The lower limit of the thickness of the sheet-like fibrous substrate is not particularly limited, but may be usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, or 2 占 퐉 or more.
프리프레그는, 예를 들어, 핫 멜트법, 솔벤트법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다.The prepreg can be produced by, for example, a hot melt method, a solvent method, or the like.
프리프레그의 두께는, 상기한 접착 필름에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of the prepreg can be the same as that of the resin composition layer in the above-mentioned adhesive film.
상기한 프리프레그는, 예를 들어, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해 사용할 수 있고, 그중에서도, 다층 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.The prepreg can be used, for example, to form an insulating layer of a printed wiring board. Among them, it can be suitably used for forming an interlayer insulating layer of a multilayer printed wiring board.
[15. 프린트 배선판][15. Printed wiring board]
본 발명의 수지 조성물을 사용함으로써, 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 이러한 프린트 배선판은, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 갖는다.By using the resin composition of the present invention, a printed wiring board can be obtained. Such a printed wiring board has an insulating layer containing a cured product of the resin composition.
프린트 배선판은 예를 들어, 접착 필름을 사용하여, 하기 (Ⅰ) 및 (Ⅱ)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.The printed wiring board can be produced, for example, by a method including the following steps (I) and (II) using an adhesive film.
(Ⅰ) 내층 기판 위에 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정.(I) A step of laminating an adhesive film on an inner layer substrate and a resin composition layer of the adhesive film to be bonded to an inner layer substrate.
(Ⅱ) 수지 조성물층을 열경화해서 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.
공정 (Ⅰ)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 주로, 유리 에폭시 기판, 금속기판, 세라믹 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열 경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판, 또는 당해 기판의 한 면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로에 상당함)이 형성된 회로 기판을 말한다. 또한, 프린트 배선판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물로서의 내층 회로 기판도 상기한 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판일 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용할 수 있다.The term " inner layer substrate " used in the process (I) is mainly a substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a ceramic substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, Refers to a circuit board on which patterned conductor layers (corresponding to circuits) are formed on one or both sides of a substrate. Further, when the printed wiring board is manufactured, the inner layer circuit board as an intermediate product to which the insulating layer and / or the conductor layer is to be formed is also included in the above-mentioned "innerlayer board". When the printed wiring board is a component built-in circuit board, an inner-layer board incorporating the components can be used.
내층 기판과 접착 필름의 적층은 예를 들어, 지지체측부터 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하,「가열 압착 부재」라고 칭하는 경우가 있음)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 접착 필름에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면 요철에 접착 필름이 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed, for example, by heat-pressing the adhesive film from the support side to the inner layer substrate. Examples of the member for heating and pressing the adhesive film to the inner layer substrate (hereinafter sometimes referred to as "hot pressed member") include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll etc.) . Further, it is preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber such that the heat-press member is not pressed directly onto the adhesive film but the adhesive film sufficiently follows the surface unevenness of the inner-layer substrate.
내층 기판과 접착 필름의 적층은 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film may be performed by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum laminating method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60 占 폚 to 160 占 폚, more preferably 80 占 폚 to 140 占 폚, the heat pressing pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, Is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.
적층은 시판의 진공 라미네이트를 사용해서 행하여도 좋다. 시판의 진공 라미네이트로서는, 예를 들어, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터 등을 들 수 있다.The lamination may be carried out by using a commercially available vacuum laminate. Examples of commercially available vacuum laminates include vacuum pressurized laminator manufactured by Meikishesakusho Co., Ltd., and baking applicator manufactured by Nikko Materials Company.
적층 후에, 상압 하(대기압 하)에서, 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측부터 프레스함으로써, 적층된 접착 필름의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated adhesive film may be subjected to a smoothing treatment under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, by pressing a hot press member from the support side. The pressing condition of the smoothing process can be set to the same condition as the hot pressing condition of the lamination. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and the smoothing process may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.
지지체는, 공정 (Ⅰ)과 공정 (Ⅱ) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (Ⅱ) 후에 제거해도 좋다.The support may be removed between the step (I) and the step (II) or may be removed after the step (II).
공정 (Ⅱ)에 있어서, 수지 조성물층을 열 경화해서 절연층을 형성한다.In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer.
수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 채용되는 조건을 임의로 사용해도 좋다.The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions employed when forming the insulating layer of the printed wiring board may be arbitrarily used.
수지 조성물층의 구체적인 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃(바람직하게는 150℃ 내지 220℃, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃)이고, 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간 (바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)으로 할 수 있다.The specific heat curing conditions of the resin composition layer are different depending on the type of the resin composition, but the curing temperature is usually 120 to 240 캜 (preferably 150 to 220 캜, more preferably 170 to 200 캜) The curing time is usually from 5 minutes to 120 minutes (preferably from 10 minutes to 100 minutes, more preferably from 15 minutes to 90 minutes).
수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.The resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is heated at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less) It may be preheated for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).
프린트 배선판을 제조할 때에는, (Ⅲ) 절연층에 천공하는 공정, (Ⅳ) 절연층을 조화 처리하는 공정, 및 (Ⅴ) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들 공정 (Ⅲ) 내지 (Ⅴ)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 각종 방법에 따라서 실시해도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (Ⅱ) 후에 제거할 경우, 당해 지지체의 제거는, 공정 (Ⅱ)와 공정 (Ⅲ) 사이, 공정 (Ⅲ)과 공정 (Ⅳ) 사이, 또는 공정 (Ⅳ)와 공정 (Ⅴ) 사이에 실시해도 좋다.In the production of the printed wiring board, the step of (III) piercing the insulating layer, (IV) the step of roughening the insulating layer, and the step of forming the conductor layer (V) may be further performed. These steps (III) to (V) may be carried out according to various methods used in the production of printed wiring boards. When the support is removed after the step (II), the removal of the support may be carried out between the steps (II) and (III), between the steps (III) and (IV), or between the steps ).
공정 (Ⅲ)은 절연층에 천공하는 공정이며, 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (Ⅲ)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성에 따라, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용해서 실시해도 좋다. 홀의 치수 및 형상은, 프린트 배선판의 디자인에 따라 적절히 결정해도 좋다.Step (III) is a step of perforating the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) may be carried out using, for example, a drill, a laser, a plasma or the like depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes may be appropriately determined according to the design of the printed wiring board.
공정 (Ⅳ)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 수순 및 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용되는 임의의 수순 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순으로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액 및 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 또한, 팽윤액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨 또는 과망간산 나트륨을 용해시킨 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합해서 사용해도 좋다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합해서 사용해도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited and arbitrary procedures and conditions used for forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, the swelling treatment with a swelling liquid, the coarsening treatment with an oxidizing agent, and the neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer. The swelling liquid is not particularly limited, and examples thereof include an alkali solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferably used. As the alkali solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Deep Siciligan P" and "Swelling Deep Cecrigans SBU" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling liquid may be used alone, or two or more swelling liquids may be used in combination at an arbitrary ratio. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited, and can be performed, for example, by immersing the swelling liquid at 30 캜 to 90 캜 for 1 minute to 20 minutes. It is preferable to immerse the insulating layer for 5 minutes to 15 minutes in a swelling liquid at 40 deg. C to 80 deg. C from the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level. The oxidizing agent is not particularly limited, and for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide can be mentioned. The oxidizing agent may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of the commercially available oxidizing agent include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. and "Dozing Solution Sekurigans P". The neutralization solution is preferably an acidic aqueous solution, and commercially available products include, for example, " Reduction Solution Sucuregent P " manufactured by Atotech Japan Co., The neutralizing liquid may be used alone, or two or more kinds of neutralizing liquids may be used in combination at an arbitrary ratio. The treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. It is preferable to immerse the object subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 캜 to 70 캜 for 5 minutes to 20 minutes in terms of workability and the like.
공정 (V)는, 절연층을 형성하는 공정이다.Step (V) is a step of forming an insulating layer.
도체층에 사용되는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들어, 상기한 그룹으로부터 선택되는 2종류 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그중에서도, 도체층의 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium . The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more kinds of metals (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy) selected from the above-mentioned group. Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layers or nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, An alloy layer of copper-titanium alloy is preferable and an alloy layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layer or nickel-chromium alloy is more preferable, Do.
도체층은, 단층 구조라도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure including two or more single-metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.
도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer is generally 3 mu m to 35 mu m, preferably 5 mu m to 30 mu m, though it depends on the design of the desired printed wiring board.
도체층은 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 이하, 도체층을 세미 어디티브법으로 형성하는 예를 나타낸다.The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a technique such as a semi-custom method or a pull-to-body method. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by the semi-
우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.
지지체가 금속박인 접착 필름을 사용할 경우, 접착 필름 유래의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법 또는 모디파이드 세미 어디티브법에 의해 도체층을 형성해도 좋다.When an adhesive film in which the support is a metal foil is used, a conductor layer may be formed by a subtractive method or a modified semi-
또한, 프린트 배선판은 상기한 프리프레그를 사용하여 제조해도 좋다. 프리프레그를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 동일하다.The printed wiring board may be manufactured using the prepreg described above. The manufacturing method of the printed wiring board using the prepreg is basically the same as the case of using the adhesive film.
[16. 반도체 장치][16. Semiconductor device]
본 발명의 반도체 장치는 프린트 배선판을 구비한다. 반도체 장치는 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention comprises a printed wiring board. The semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.
반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in an electric product (such as a computer, a mobile phone, a digital camera and a television) and a vehicle (such as a motorcycle, a car, a train, have.
반도체 장치는 예를 들어, 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 곳이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은, 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of a printed wiring board. The "conduction point" is a "point for transmitting electrical signals on the printed wiring board", and may be a surface or a buried point. Further, as the semiconductor chip, an electric circuit element using a semiconductor material can be arbitrarily used.
반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않는다. 실장 방법의 예로서는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스(bumpless) 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기에서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다.The method of mounting the semiconductor chip at the time of manufacturing the semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip effectively functions. Examples of the mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a nonconductive film (NCF) And the like. Here, the "mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly buried in a concave portion of a printed wiring board to connect the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board.
[실시예][Example]
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 기재하여 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 기재하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는 따로 언급하지 않는 한, 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the examples described below. In the following description, " part " and "% " representing amounts are on a mass basis unless otherwise stated.
이하의 설명에 있어서, 따로 언급하지 않는 한, 「MEK」란 메틸에틸케톤을 나타내고, 「PET」란 폴리에틸렌테레프탈레이트를 나타낸다.In the following description, " MEK " refers to methyl ethyl ketone, and " PET " refers to polyethylene terephthalate.
[합성예 1][Synthesis Example 1]
환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 및 교반기를 구비한 500mL의 세퍼러블 플라스크를 준비하였다. 이 플라스크에, 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA) 20.3g, γ-부티로락톤 200g, 톨루엔 20g, 및 5-(4-아미노페녹시)-3-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,3-트리메틸인단 29.6g을 첨가하여, 질소 기류 하에서 45℃에서 2시간 교반하여 반응을 실시하였다.A 500 ml separable flask equipped with a moisture quantifying machine connected to a reflux condenser, a nitrogen introduction tube, and a stirrer was prepared. To this flask was added 20.3 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), 200 g of? -Butyrolactone, 20 g of toluene and 10 g of 5- (4-aminophenoxy) -3- [4- Yl) phenyl] -1,1,3-trimethylindane was added, and the mixture was stirred at 45 DEG C for 2 hours under a nitrogen stream.
이어서, 이 반응 용액을 승온하여, 약 160℃로 유지하면서, 질소 기류 하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비(共沸) 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 및 물의 유출이 보이지 않게 되어 있는 것을 확인하였다. 확인 후, 반응 용액을 더욱 승온하여 200℃에서 1시간 교반하였다. 그 후, 냉각하여, 1,1,3-트리메틸인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 20질량% 포함하는 바니시를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 수지는, 하기 화학식 (X1)로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (X2)로 표시되는 반복 단위를 갖고 있었다. 또한, 상기한 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량은 12000이었다.Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while maintaining the temperature at about 160 ° C. It was confirmed that a predetermined amount of water was accumulated in the water amount determination machine and that the water outflow was not observed. After confirming, the reaction solution was further heated and stirred at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to obtain a varnish containing 20 mass% of a polyimide resin having a 1,1,3-trimethylindane skeleton. The obtained polyimide resin had a repeating unit represented by the following formula (X1) and a repeating unit represented by the following formula (X2). The weight average molecular weight of the polyimide resin was 12,000.
[실시예 1][Example 1]
비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「828US」, 에폭시 당량 약 180) 30부, 및 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 솔벤트 나프타 55부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후, 실온으로까지 냉각하여 혼합 용액을 얻었다., 30 parts of bisphenol A type epoxy resin ("828US" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight 180) and 30 parts of biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight 269) The mixture was heated and dissolved while stirring, and then cooled to room temperature to obtain a mixed solution.
무기 충전재로서, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입경 0.5㎛, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」)를 준비하였다. 이 구형 실리카 260부, 및 유기 충전재로서의 메타크릴부타디엔스티렌 고무 입자(다우 케미컬 닛폰사 제조 「EXL-2655」) 3부를 상기한 혼합 용액에 첨가하고, 3개 롤로 혼련하여 균일하게 분산시켜서 롤 분산물을 얻었다.Spherical silica (average particle diameter 0.5 mu m, "SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd.) surface-treated with an amino silane coupling agent (KBM573, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was prepared as an inorganic filler. 260 parts of this spherical silica and 3 parts of methacrylbutadiene styrene rubber particles ("EXL-2655", manufactured by Dow Chemical Company) as an organic filler were added to the above mixed solution, kneaded with three rolls and uniformly dispersed to obtain a roll dispersion ≪ / RTI >
이러한 롤 분산물에, 활성 에스테르 화합물의 용액(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 40부, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 60부, 및 경화 촉진제의 용액(경화 촉진제는 4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 메틸에틸케톤 용액) 6부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시를 조제하였다.To this roll dispersion, 40 parts of a solution of an active ester compound (" HPC-8000-65T ", manufactured by DIC Corporation, active equivalent weight of active ester compound: about 223 and a nonvolatile component: 65% by weight toluene solution) 60 parts of a varnish containing a polyimide resin (20% by mass of a? -Butyrolactone solution of a solid content) and a solution of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine as a curing accelerator, methyl ethyl ketone solution of a solid content of 5% Were mixed and uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.
지지체로서, 알키드 수지계 이형층 부착 PET 필름(린텍사 제조 「AL5」, 두께 38㎛)을 준비하였다. 이러한 지지체의 이형층 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 상기한 수지 바니시를 균일하게 도포하였다. 그 후, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜서, 지지체 및 수지 조성물층을 갖는 접착 필름을 얻었다.As the support, a PET film with an alkyd resin-based release layer (" AL5 " The above-described resin varnish was uniformly coated on the release layer of such a support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 占 퐉. Thereafter, it was dried at 80 to 120 캜 (average 100 캜) for 5 minutes to obtain an adhesive film having a support and a resin composition layer.
[실시예 2][Example 2]
실시예 1에서, 롤 분산물에, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제의 용액(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 14부를 추가로 혼합하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.In Example 1, 14 parts of a solution of a triazine skeleton-containing phenolic curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, hydroxyl group equivalent of about 151, 50% solids content of 2-methoxypropanol solution) was added to the roll dispersion Lt; / RTI > A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
[실시예 3][Example 3]
실시예 2에 있어서, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 나프톨형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ESN475V」, 에폭시 당량 332) 30부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.In Example 2, 30 parts of a biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 269) was mixed with 30 parts of a naphthol type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent 332) Change. A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 2, except for the above.
[실시예 4][Example 4]
실시예 2에 있어서, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 30부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.In Example 2, 30 parts of a biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: 269) was changed to 30 parts of a nonylphenol epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 185) Respectively. A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 2, except for the above.
[실시예 5][Example 5]
실시예 2에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 60부를, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 30부 및 페녹시 수지를 포함하는 용액(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 용액, 용매는 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 혼합 용매) 20부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.60 parts of varnish (the 20% by mass of the solid content of the? -Butyrolactone solution) containing the polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 was added to 60 parts of the varnish containing the polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 20% by mass of? -Butyrolactone solution) and 30 parts by mass of a solution containing a phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, solids content of 30% by mass, solvent: 1: ) To 20 parts. A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 2, except for the above.
[비교예 1][Comparative Example 1]
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 60부를, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 용액, 용매는 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 혼합 용매) 40부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.60 parts of a varnish (solid content 20% by mass of? -Butyrolactone solution) containing polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 was mixed with 100 parts by mass of a phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., % Solution, solvent: 1: 1 mixed solvent of MEK and cyclohexanone). A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
[비교예 2][Comparative Example 2]
실시예 1에 있어서, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입경 0.5㎛, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」)의 양을 109부로 변경하였다. 또한, 활성 에스테르 화합물의 용액(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성 에스테르 화합물의 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액)의 양을 48부로 변경하였다. 또한, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 60부를, 테트라카복실산과 다이머산디아민을 반응시켜서 얻어지는 폴리이미드 수지의 용액(아라카와 카가쿠코교사 제조 「PIAD200」, 고형분 30질량%의 용액, 용매는 사이클로헥산온과 디메틸글리콜과 메틸사이클로헥산의 혼합 용매) 433부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시 및 접착 필름의 제조를 행하였다.109 parts of spherical silica (average particle size 0.5 mu m, "SO-C2" manufactured by Adomex Co., Ltd.) surface-treated with an amino silane coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Change. The amount of the active ester compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Co., active agent equivalent weight of about 223 of active ester compound and toluene solution of 65 mass% of nonvolatile component) was changed to 48 parts. Further, 60 parts of a varnish (a 20% by mass of a? -Butyrolactone solution) containing the polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 was mixed with a solution of a polyimide resin obtained by reacting a tetracarboxylic acid with a dimeric diamine PIAD200 " manufactured by Koh Tao Co., Ltd., a solid content of 30% by mass, and the solvent was 433 parts of a mixed solvent of cyclohexanone and dimethyl glycol and methylcyclohexane). A resin varnish and an adhesive film were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
[평가 방법][Assessment Methods]
상기한 실시예 및 비교예에서 제조한 접착 필름을 하기의 방법에 의해 평가하였다.The adhesive films prepared in the above Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.
〔측정용 샘플의 조제〕[Preparation of sample for measurement]
(1) 내층 회로 기판의 하지 처리:(1) Ground treatment of inner layer circuit board:
내층 회로로서의 동박을 양면에 갖는 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)을 내층 회로 기판으로서 준비하였다. 이러한 내층 회로 기판의 양면을, 에칭제(맥크사 제조 「CZ8101」)를 사용하여 동 에칭량 1㎛로 에칭하고, 동 표면의 조화 처리를 행하였다.A glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate (thickness of copper foil: 18 mu m, thickness of the board: 0.4 mm, "R1515A" manufactured by Panasonic Corporation) having copper foil as an inner layer circuit on both sides was prepared as an inner layer circuit board. Both surfaces of this inner-layer circuit board were etched with an etching amount of 1 占 퐉 using an etching agent ("CZ8101" manufactured by McCarthy Co., Ltd.), and the roughening treatment was performed on the copper surface.
(2) 접착 필름의 적층:(2) Lamination of adhesive film:
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터(메이키 세사쿠쇼 제조 「MVLP-500」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트 처리하였다. 라미네이트 처리는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착함으로써 행하였다.The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were laminated on both surfaces of the inner-layer circuit board so that the resin composition layer was bonded to the inner-layer circuit board using a batch type vacuum pressure laminator ("MVLP-500" manufactured by Meikisha Chemical Co., Lt; / RTI > The lamination treatment was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to adjust the air pressure to 13 hPa or less, followed by pressing at 100 deg. C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.
(3) 수지 조성물의 경화:(3) Curing of resin composition:
내층 회로 기판과 접착 필름의 라미네이트 처리 후에, 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간의 조건으로 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 그 후, 지지체를 박리하여 절연층을 노출시켰다. 이로써, 절연층, 내층 회로 기판 및 절연층을 이러한 순으로 구비하는 복층 기판을 얻었다.After the inner layer circuit board and the adhesive film were laminated, the resin composition layer was thermally cured under the conditions of 100 占 폚 for 30 minutes and then at 180 占 폚 for 30 minutes to form an insulating layer. Thereafter, the support was peeled off to expose the insulating layer. Thus, a multilayer board having an insulating layer, an inner-layer circuit board, and an insulating layer in this order was obtained.
(4) 조화 처리:(4) Harmonizing treatment:
노출한 절연층을 갖는 상기한 복층 기판을, 팽윤액(아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 세큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유의 수산화나트륨 수용액)에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서, 산화제(아토텍 재팬사 제조 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 과망간산 칼륨 농도 약 6질량%、수산화나트륨 농도 약 4질량%의 수용액)에 80℃에서 20분간 침지하고, 그 후, 중화액(아토텍 재팬사 제조 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」, 황산하이드록실아민 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 80℃에서 30분간 건조시켜서 표면에 조화 처리가 실시된 복층 기판을 얻었다. 조화 처리가 실시된 이 복층 기판을, 이하 「평가 기판 a」라고 칭하는 경우가 있다.The above-mentioned multilayer board having the exposed insulating layer was immersed in a swelling liquid ("Swelling Deep Sekirigant P" manufactured by Atotech Japan Co., sodium hydroxide aqueous solution containing diethylene glycol monobutyl ether) at 60 ° C for 10 minutes , And then immersed in an oxidizing agent ("Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., potassium permanganate concentration of about 6 mass% and sodium hydroxide concentration of about 4 mass%) at 80 ° C. for 20 minutes, Reduction Solution Sucuregant P " manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., aqueous solution of hydroxylamine sulfate) at 40 ° C for 5 minutes. Thereafter, the substrate was dried at 80 DEG C for 30 minutes to obtain a multilayer substrate having a surface roughened. This double-layer substrate subjected to the roughening treatment may hereinafter be referred to as " evaluation substrate a ".
(5) 도체층의 형성:(5) Formation of conductor layer:
세미 어디티브법에 따라, 평가 기판 a의 절연층의 조화면에 도체층을 형성하였다. 구체적으로는 하기의 조작을 행하였다.A conductor layer was formed on the roughened surface of the insulating layer of the evaluation board a according to the Semi-permanent method. Specifically, the following operation was performed.
조화 처리가 실시된 복층 기판(즉, 평가 기판 a)을, PdCl2를 포함하는 무전해 도금액에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 이 복층 기판을 무전해 동 도금액에 25℃에서 20분간 침지하였다. 이어서, 이 복층 기판에 150℃에서 30분간 가열하는 어닐 처리를 실시하였다. 그 후, 이 복층 기판의 표면에 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의해 패턴 형성을 행하였다. 그 후, 황산구리 전해 도금을 행하여 두께 30㎛의 도체층을 형성하였다. 그 후, 200℃에서 60분간 가열하는 어닐 처리를 실시하여, 도체층을 갖는 「평가 기판 b」를 얻었다.The double-layer substrate (i.e., evaluation substrate a) subjected to the roughening treatment was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 at 40 ° C for 5 minutes. Subsequently, this double-layer substrate was immersed in an electroless copper plating solution at 25 캜 for 20 minutes. Subsequently, this multilayer substrate was subjected to annealing for heating at 150 DEG C for 30 minutes. Thereafter, an etching resist was formed on the surface of the multilayer substrate and pattern formation was performed by etching. Thereafter, copper sulfate electroplating was performed to form a conductor layer having a thickness of 30 mu m. Thereafter, annealing treatment was performed at 200 캜 for 60 minutes to obtain an evaluation substrate b having a conductor layer.
〔산술 평균 거칠기(Ra)의 측정〕[Measurement of arithmetic mean roughness (Ra)]
평가 기판 a의 표면의 무작위로 고른 10점의 산술 평균 거칠기(Ra)의 평균치를, 당해 평가 기판 a의 산술 평균 거칠기(Ra)로서 측정하였다 각 점에서의 산술 평균 거칠기(Ra)의 측정은, 비접촉형 표면 조도계(비코 인스트루먼츠사 제조 「WYKO NT3300」)를 사용하고, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해, 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 행하였다.The average value of the arithmetic mean roughness (Ra) of 10 randomly selected points on the surface of the evaluation substrate a was measured as the arithmetic mean roughness (Ra) of the evaluation substrate a. The measurement of the arithmetic mean roughness (Ra) A non-contact surface roughness meter ("WYKO NT3300" manufactured by Vico Instruments) was used and the measurement range was set to 121 μm × 92 μm by a VSI contact mode and a 50 × lens.
〔도체층의 필 강도의 측정〕[Measurement of Peel Strength of Conductor Layer]
절연층과 도체층의 필 강도의 측정은, 평가 기판 b에 대해서, 일본 공업 규격(JIS C6481)에 준거하여 행하였다. 구체적으로는 하기의 수순에 따라 행하였다.The peel strength of the insulating layer and the conductor layer was measured in accordance with the Japanese Industrial Standard (JIS C6481) for the evaluation board b. Specifically, the following procedure was followed.
평가 기판 b의 도체층에 폭 10mm, 길이 100mm의 직사각형 부분을 둘러싸도록 절개를 넣었다. 이 직사각형 부분의 길이 방향의 일단(一端)을 벗겨서, 파지 도구로 움켜쥐었다. 실온 중에서 50mm/분의 속도로, 수직 방향으로 파지 도구를 잡아당겨, 상기한 직사각형 부분의 길이 35mm을 떼어내고, 이러한 떼어냈을 때의 하중(kgf/cm)을 필 강도로서 측정하였다. 상기한 측정에는 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용하였다.The conductor layer of the evaluation board b was cut so as to surround a rectangular portion having a width of 10 mm and a length of 100 mm. The lengthwise end of this rectangular portion was peeled off and grabbed with a gripping tool. The holding tool was pulled in the vertical direction at a rate of 50 mm / minute at room temperature to remove the 35 mm length of the rectangular portion. The load (kgf / cm) at the time of peeling off was measured as the peel strength. A tensile tester ("AC-50C-SL" manufactured by TSE) was used for the above measurement.
〔최저 용융 점도의 측정〕[Measurement of Minimum Melting Viscosity]
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름에서의 수지 조성물층의 용융 점도를, 동적 점탄성 측정 장치(유비엠사 제조 「Rheosol-G3000」)를 사용하여 측정하였다. 이러한 측정은, 수지 조성물층으로부터 채취한 1g의 시료에 대하여, 직경 18mm의 패럴렐 플레이트를 사용하여 행하였다. 측정 조건은, 개시 온도 60℃에서 200℃까지, 승온 속도 5℃/분, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동 1Hz/deg로 하였다. 얻어진 용융 점도의 측정치로부터 최저 용융 점도를 구하였다.The melt viscosities of the resin composition layers in the adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (" Rheosol-G3000 " This measurement was carried out using a parallel plate having a diameter of 18 mm for 1 g of the sample collected from the resin composition layer. The measurement conditions were a start temperature of 60 占 폚 to 200 占 폚, a temperature raising rate of 5 占 폚 / min, a measurement temperature interval of 2.5 占 폚, and a vibration of 1 Hz / deg. The lowest melt viscosity was determined from the measurement of the obtained melt viscosity.
〔유리 전이 온도의 측정〕[Measurement of glass transition temperature]
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 200℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시켰다. 그 후, 지지체를 박리하여, 수지 조성물층을 경화시킨 경화물을 얻었다. 이러한 경화물을, 이하,「평가용 경화물 c」라고 칭하는 경우가 있다.The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were heated at 200 占 폚 for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer. Thereafter, the support was peeled off to obtain a cured product of the resin composition layer. Such a cured product may hereinafter be referred to as " cured product for evaluation c ".
평가용 경화물 c로부터 폭 약 5mm, 길이 약 15mm의 시험편을 절취하였다. 이러한 시험편에 대하여, 열 기계 분석 장치(리가쿠사 제조 「Thermo Plus TMA8310」)를 사용하여 인장 가중법으로 열기계 분석을 행하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열 기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로, 연속해서 2회 측정을 행하였다. 그리고, 2회째의 측정에서 유리 전이 온도(℃)를 산출하였다.A test piece having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm was cut from the cured product c for evaluation. These test pieces were thermomechanically analyzed by tensile weighting using a thermomechanical analyzer ("Thermo Plus TMA8310" manufactured by Rigaku Corporation). Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, measurement was carried out twice in succession under the conditions of a load of 1 g and a temperature raising rate of 5 캜 / min. Then, the glass transition temperature (占 폚) was calculated in the second measurement.
〔유전 정접의 측정〕[Measurement of dielectric loss tangent]
평가용 경화물 c로부터 폭 2mm, 길이 80mm의 시험편을 절취하였다. 이 시험편 2개에 대하여 유전 정접을 측정하고, 그 측정치의 평균을 절연층의 유전 정접으로서 구하였다. 상기한 시험편의 유전 정접의 측정은, 측정 장치(애질런트 테크놀로지스사 제조 「HP8362B」)를 사용하고, 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 행하였다.A test piece having a width of 2 mm and a length of 80 mm was cut from the cured product for evaluation c. The dielectric loss tangent was measured for the two test pieces, and the average of the measured values was obtained as dielectric tangent of the insulating layer. The dielectric loss tangent of the above test piece was measured by a resonance perturbation method using a measuring device (HP8362B manufactured by Agilent Technologies) at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 占 폚.
[결과][result]
상기한 실시예 및 비교예의 결과를 하기의 표에 기재한다. 하기의 표에서, 약칭의 의미는 하기와 같다.The results of the above-described Examples and Comparative Examples are shown in the following table. In the following table, the abbreviations have the following meanings.
828US: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「828US」).828US: bisphenol A type epoxy resin ("828US" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
NC3000H: 페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「NC3000H」).NC3000H: phenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).
ESN475V: 나프톨형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ESN475V」).ESN475V: naphthol type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.).
YX4000HK: 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」).YX4000HK: Bicyclenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
HPC-8000-65T: 활성 에스테르 화합물(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」).HPC-8000-65T: Active ester compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation).
LA3018-50P: 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제의 용액(DIC사 제조 「LA-3018-50P」).LA3018-50P: solution of phenolic curing agent containing triazine skeleton (" LA-3018-50P "
PIAD200: 테트라카복실산과 다이머산디아민을 반응시켜서 얻어지는 폴리이미드 수지(아라카와 카가쿠코교사 제조 「PIAD200」).PIAD200: Polyimide resin ("PIAD200" manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) obtained by reacting tetracarboxylic acid with dimeric diamine.
YX6954BH30: 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX6954BH30」).YX6954BH30: phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
SO-C2: 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SO-C2」).SO-C2: spherical silica ("SO-C2" manufactured by Adomatex Co., Ltd.) surface-treated with an amino silane coupling agent (KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
EXL-2655: 메타크릴부타디엔스티렌 고무 입자(다우 케미컬 닛폰사 제조 「EXL-2655」).EXL-2655: methacrylbutadiene styrene rubber particle ("EXL-2655", manufactured by Dow Chemical Company).
DMAP: 4-디메틸아미노피리딘.DMAP: 4-dimethylaminopyridine.
무기 충전재 함유율: 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 무기 충전재의 비율.Content of inorganic filler: The ratio of inorganic filler to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition.
Ra: 평가 기판 a의 표면의 산술 평균 거칠기.Ra: Arithmetic mean roughness of the surface of evaluation substrate a.
[검토][Review]
실시예 1의 수지 조성물과 비교예 1의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물과 조합하여 사용하는 열가소성 수지의 종류 이외에는 같은 조성을 갖는다. 이 중, 열가소성 수지로서 (C) 인단 폴리이미드 수지를 사용하고 있지 않은 비교예 1에서는, 최저 용융 점도는 양호한 범위에 있지만, 도체층의 필 강도가 낮고, 게다가 유전 정접이 크다. 이에 반하여, 열가소성 수지로서 (C) 인단 폴리이미드 수지를 사용한 실시예 1에서는, 최저 용융 점도는 양호한 범위에 있고, 도체층의 필 강도가 크고, 또한, 유전 정접이 효과적으로 낮게 되어 있다. 따라서, 이들 실시예 1 및 비교예 1의 결과로부터, (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물에 대하여 (C) 인단 폴리이미드 수지를 조합함으로써, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 얻을 수 있고, 최저 용융 점도가 적절한 범위에 있는 수지 조성물을 실현할 수 있음이 확인되었다.The resin composition of Example 1 and the resin composition of Comparative Example 1 have the same composition except for the kind of the thermoplastic resin used in combination with the epoxy resin (A) and the active ester compound (B). Among them, in Comparative Example 1 in which the (C) indene polyimide resin is not used as the thermoplastic resin, the minimum melt viscosity is in a good range, but the conductor layer has low peel strength and dielectric loss tangent is large. On the contrary, in Example 1 using the (C) indene polyimide resin as the thermoplastic resin, the minimum melt viscosity is in a good range, the peak strength of the conductor layer is large, and the dielectric loss tangent is effectively low. Therefore, from the results of Example 1 and Comparative Example 1, it was confirmed that the combination of the epoxy resin (A) and the (C) indanepolyimide resin with respect to the active ester compound (B) A high insulation layer can be obtained and a resin composition having a minimum melt viscosity in a suitable range can be realized.
또한, 실시예 1 내지 5에 따른 수지 조성물의 조성은 각각 다르게 있지만, (A) 에폭시 수지 및 (B) 활성 에스테르 화합물에 조합하여 (C) 인단 폴리이미드 수지를 포함하는 점에서는 공통되고 있다. 이들 실시예 1 내지 5에 따른 수지 조성물은, (C) 인단 폴리이미드 수지를 포함하지 않는 것 이외에는 각 실시예 1 내지 5와 같은 조성을 갖는 수지 조성물보다도, 최저 용융 점도, 도체층의 필 강도 및 유전 정접에 대하여 양호한 결과를 얻을 수 있다. 예를 들어, 실시예 5의 유전 정접은 비교예 1보다도 떨어지지만, (C) 인단 폴리이미드 수지를 포함하지 않는 것 이외에는 실시예 5와 동일한 조성을 갖는 수지 조성물을 사용한 경우에 비하면, 우수한 결과가 얻어져 있다. 따라서, 실시예 1 내지 5의 결과로부터, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물 및 (C) 인단 폴리이미드 수지를 포함하는 광범위한 조성의 수지 조성물에 있어서, 최저 용융 점도를 적절한 범위로 얻으면서, 유전 정접이 낮고 또한 도체층과의 밀착성이 높은 절연층을 실현할 수 있음이 확인되었다.In addition, although the compositions of the resin compositions according to Examples 1 to 5 are different from each other, they are common in that they contain (C) an indene polyimide resin in combination with (A) an epoxy resin and (B) an active ester compound. The resin compositions according to Examples 1 to 5 are superior to the resin compositions having the same compositions as those of Examples 1 to 5 except that (C) the polyimide resin is not included, and the minimum melt viscosity, the peel strength of the conductor layer, Good results can be obtained for tangency. For example, although the dielectric loss tangent of Example 5 is lower than that of Comparative Example 1, excellent results are obtained as compared with the case of using a resin composition having the same composition as in Example 5 except that (C) the polyimide resin (C) It is. Therefore, from the results of Examples 1 to 5, it is possible to obtain a minimum melt viscosity in a suitable range in a resin composition of a wide composition including (A) an epoxy resin, (B) an active ester compound and (C) an indanepolyimide resin It is possible to realize an insulating layer having a low dielectric tangent and a high adhesion to a conductor layer.
비교예 2는, 본 발명자가 조사한 범위에 있어서, 특히 유전 정접을 작게 할 수 있었던 종래의 수지 조성물의 실험예이다. 이러한 비교예 2에서는, 유전 정접을 특히 작게 만들고 있지만, 최저 용융 점도가 과소하고, 또한, 필 강도가 현저히 떨어진다. 그 때문에, 비교예 2의 수지 조성물은, 절연층 형성용의 수지 조성물로서 사용하는 것이 어렵다. 이에 반하여, 실시예 1 내지 5의 수지 조성물은, 절연층 형성용의 수지 조성물로서 요구되는 특성이 밸런스 좋게 우수하므로, 공업상 우수한 재료라고 할 수 있다.Comparative Example 2 is an experimental example of a conventional resin composition which can reduce the dielectric tangent in the range investigated by the present inventors. In Comparative Example 2, although the dielectric loss tangent is made particularly small, the minimum melt viscosity is too small and the peel strength is remarkably deteriorated. Therefore, it is difficult to use the resin composition of Comparative Example 2 as a resin composition for forming an insulating layer. On the contrary, the resin compositions of Examples 1 to 5 are excellent in industrial properties because they are excellent in balance of properties required as a resin composition for forming an insulating layer.
Claims (11)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-103479 | 2016-05-24 | ||
JP2016103479A JP7114214B2 (en) | 2016-05-24 | 2016-05-24 | adhesive film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170132680A true KR20170132680A (en) | 2017-12-04 |
Family
ID=60428328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170063402A KR20170132680A (en) | 2016-05-24 | 2017-05-23 | Resin composition |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7114214B2 (en) |
KR (1) | KR20170132680A (en) |
CN (1) | CN107418144B (en) |
TW (1) | TWI774674B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200008389A (en) * | 2018-07-16 | 2020-01-28 | 삼성전기주식회사 | Printed circuit board |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109196046B (en) | 2016-09-29 | 2022-02-18 | 积水化学工业株式会社 | Interlayer insulating material and multilayer printed wiring board |
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JP2020090570A (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | 味の素株式会社 | Resin composition |
JP7249162B2 (en) * | 2019-02-01 | 2023-03-30 | 積水化学工業株式会社 | Resin composition, cured product, and build-up film |
JP7447459B2 (en) | 2019-12-16 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | Method of manufacturing a laminated film, wiring board, and method of manufacturing a semiconductor device |
US11639410B2 (en) | 2019-12-18 | 2023-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition and uses thereof |
JP7452204B2 (en) * | 2020-04-01 | 2024-03-19 | 味の素株式会社 | resin composition |
JP6881664B1 (en) * | 2020-10-15 | 2021-06-02 | 荒川化学工業株式会社 | Polyimide resin composition, adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, copper foil with resin, copper-clad laminate, printed wiring board and polyimide film |
CN112795011B (en) * | 2020-12-31 | 2022-08-09 | 常州市尚科新材料有限公司 | Soluble thermoplastic polyimide superfine powder and preparation method thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2007224242A (en) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Tamura Kaken Co Ltd | Thermosetting resin composition, resin film in b stage and multilayer build-up base plate |
US20130199830A1 (en) * | 2010-08-10 | 2013-08-08 | Hitachi Chemical Company Ltd | Resin composition, cured resin product, wiring board, and manufacturing method for wiring board |
JP2013077590A (en) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Resin film for interlayer insulation and build-up wiring board |
JP6044139B2 (en) * | 2012-07-06 | 2016-12-14 | 味の素株式会社 | Insulating resin sheet |
JP6205692B2 (en) * | 2012-09-03 | 2017-10-04 | 味の素株式会社 | Thermosetting epoxy resin composition, insulating film forming adhesive film and multilayer printed wiring board |
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JP5915610B2 (en) * | 2013-09-18 | 2016-05-11 | 味の素株式会社 | Resin composition |
JP6258770B2 (en) * | 2014-04-24 | 2018-01-10 | Jfeケミカル株式会社 | Electronic board and coverlay film |
JP6269294B2 (en) * | 2014-04-24 | 2018-01-31 | 味の素株式会社 | Resin composition for insulating layer of printed wiring board |
KR101884256B1 (en) * | 2014-05-30 | 2018-08-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | Temporary bonding film, laminate, composition for temporary bonding, and method and kit for manufacturing device |
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-
2016
- 2016-05-24 JP JP2016103479A patent/JP7114214B2/en active Active
-
2017
- 2017-05-04 TW TW106114827A patent/TWI774674B/en active
- 2017-05-23 CN CN201710367965.8A patent/CN107418144B/en active Active
- 2017-05-23 KR KR1020170063402A patent/KR20170132680A/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107418144B (en) | 2022-06-03 |
JP2017210527A (en) | 2017-11-30 |
TWI774674B (en) | 2022-08-21 |
CN107418144A (en) | 2017-12-01 |
JP7114214B2 (en) | 2022-08-08 |
TW201815967A (en) | 2018-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2022101001928; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20221024 Effective date: 20231122 |