KR20170132553A - 터치 센서 - Google Patents

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KR20170132553A
KR20170132553A KR1020160063570A KR20160063570A KR20170132553A KR 20170132553 A KR20170132553 A KR 20170132553A KR 1020160063570 A KR1020160063570 A KR 1020160063570A KR 20160063570 A KR20160063570 A KR 20160063570A KR 20170132553 A KR20170132553 A KR 20170132553A
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최병진
이상웅
이진구
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부 및상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있다.

Description

터치 센서{TOUCH SENSOR}
본 발명은 터치 센서에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 고전압 환경에서 터치 센서를 구성하는 브리지 패턴이 단선되는 문제를 방지하고, 브리지 패턴과 감지 전극 패턴을 안정적으로 연결함으로써 채널 저항 및 이로 인한 신호 지연 시간을 감소시켜 터치 센서의 동작 속도를 향상시키고, 터치 센서의 전기적 특성을 향상시키는 기술에 관한 것이다.
일반적으로 터치 센서는 사용자가 화면에 디스플레이되는 영상을 손가락이나 터치 펜 등으로 접촉하는 경우 이 접촉에 반응하여 터치 지점을 파악하는 장치로서, 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 EL(Organic light-Emitting Diode, OLED) 등과 같은 디스플레이 장치에 장착되는 구조로 제작된다.
터치 센서는 시각 정보가 표시되는지 여부를 기준으로 표시 영역과 비표시 영역으로 구분될 수 있다.
표시 영역은 터치 센서에 결합된 장치가 제공하는 화상이 표시되는 영역인 동시에 사용자로부터 입력되는 터치 신호를 정전용량방식으로 감지하기 위한 영역으로서, 이 표시 영역에는 서로 교차하는 방향으로 형성되는 다수의 감지 전극 패턴들을 포함하는 구성요소들이 형성되어 있다. 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에는 감지 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 전극 패드들, 이 전극 패드들에 전기적으로 연결되는 감지 라인들, 이 감지 라인들에 전기적으로 연결되는 본딩 패드가 형성되어 있다. 본딩 패드에는 표시 영역에서 감지된 터치 신호를 구동부로 전달하는 FPC(Flexible Printed Circuit)가 연결된다.
도 1은 종래의 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)을 포함한다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10) 상에 형성된 도전성 물질 패턴으로서, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다.
제1 감지 전극 패턴부(60)은 서로 전기적으로 연결된 상태로 제1 방향을 따라 절연부(30) 상에 형성되어 있고, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)은 브리지 패턴부(20)를 매개로 전기적으로 연결된 상태로 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 제2 방향은 제1 방향과 교차하는 방향일 수 있다. 예를 들어, 제1 방향이 X 방향인 경우, 제2 방향은 Y 방향일 수 있다.
이러한 종래의 터치 센서에 따르면, 브리지 패턴부(20)가 식각 속도가 빠른 물질, 예를 들어, Ag, Ag 합금, APC 등으로 형성되는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.
또한, 종래의 터치 센서에 따르면, 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에 발생하는 공극(air gap)으로 인하여, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결이 불안정해지고, 이에 따라 채널 저항 및 신호 지연 시간을 증가하여 터치 센서의 동작 속도가 떨어지는 문제점이 있다.
또한, 종래의 터치 센서에 따르면, 고전압 환경에서 터치 센서의 브리지 패턴부(20)가 단선(disconnection)되어 터치 센서의 성능 특성이 열화되는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2013-0116583호(공개일자: 2013년 10월 24일, 명칭: 터치 패널 및 그 제조 방법)
본 발명은 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 안정화시켜 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간을 감소시켜 터치 센서의 동작 속도를 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지하는 것을 기술적 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서는 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부 및상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬(island) 형상을 갖고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서는 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부의 일부를 포함하는 영역 상에 형성된 복수의 투명 도전 패턴부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부 및 상기 투명 도전 패턴부를 포함하는 영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 투명 도전 패턴부를 매개로 상기 브리지 패턴부에 접촉됨으로써 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부를 포함하고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지도록 형성되어 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 안정화되고, 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간이 감소되어 터치 센서의 동작 속도가 향상되는 효과가 있다.
또한, 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 7은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.
기판(10)은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 구성하는 구성요소들이 형성되는 기지(base)로서, 예를 들어, 플렉서블한 특성을 갖고 광 투과성이 우수한 연질의 기재 또는 유리 등과 같은 광 투과성이 우수한 경질의 기재로 구성될 수 있다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시킨다. 제1 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 양측 단부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성된 섬(island) 형상을 가지며, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 절연부(30)는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 제1 감지 전극 패턴부(60)와 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 교차 영역에 해당하는 브리지 패턴부(20)의 일부 영역에만 형성되어, 일종의 섬 형상을 가지도록 구성된다. 이 경우, 절연부(30)에는 컨택홀들이 구비될 필요가 없으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 절연부(30)의 가장자리 영역과 브리지 패턴부(20)의 가장자리 영역, 브리지 패턴부(20) 외곽의 기판(10) 상에 형성됨으로써, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 절연부(30)의 소재로는 당 기술분야에 알려진 절연 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물이나 아크릴계 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물 혹은 열경화성 수지 조성물이 사용될 수 있다. 또는 절연부(30)는 실리콘산화물(SiOx) 등의 무기물을 사용하여 형성될 수 있으며, 이 경우 증착, 스퍼터링 등의 방법으로 형성될 수 있다.
복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 절연부(30) 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 서로 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 제1 방향이 X 방향인 경우, 제2 방향은 Y 방향일 수 있으나, 제1 감지 전극 패턴부(60)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 형성되는 방향은 이에 한정되지는 않으며, 양 패턴이 교차하는 조건을 충족시키는 임의의 방향일 수 있다.
제1 감지 전극 패턴부(60)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전성 물질이라면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들어, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물류; 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류; 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 군에서 선택된 전도성 고분자 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있고, 바람직하게는 인듐틴옥사이드(ITO)가 사용될 수 있다. 결정성 또는 비결정성 인듐틴옥사이드(ITO)가 모두 사용 가능하다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
앞서 설명한 바 있지만, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
예를 들어, 본 발명의 제1 실시 예를 포함하는 전체 실시 예에 있어서, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 방식으로 형성될 수 있다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 잉크젯 프린팅 방식으로 형성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 유동 상태의 투명 도전성 물질이 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이의 공극에 쉽게 스며들어 이 공극을 채울 수 있기 때문에, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 강화된다.
예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 절연부(30)의 폭(b) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.
본 발명의 제1 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제2 실시 예는 절연부(30)의 형상, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 위한 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제2 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제2 실시 예에도 적용 가능하다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제2 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)와 기판(10)의 전면 상에 형성되어 있고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에 형성된다.
복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역인 컨택홀에 채워지는 한편, 이 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 전기적으로 연결된다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.
본 발명의 제1 실시 예 및 제2 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제3 실시 예는 절연부(30)의 형상, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 위한 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제3 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예 및 제2 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제3 실시 예에도 적용 가능하다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)의 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제2 실시 예와 달리 제3 실시 예에 따르면, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)를 포함하는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 브리지 패턴부(20)를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에 형성된다.
복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역인 컨택홀에 채워지는 한편, 이 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 전기적으로 연결된다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.
본 발명의 제1 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제4 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제4 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제4 실시 예에도 적용 가능하다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)가 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부 상에 형성되고 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80) 상에 형성됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시킨다. 절연부(30)의 구성에 있어서, 제4 실시 예는 제1 실시 예와 동일하다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 절연부(30)의 양측 단부 및 브리지 패턴부(20)의 측면 인근의 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 절연부(30)의 폭(b) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴과 기판(10)의 일부 영역 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있다. 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 서로 전기적으로 연결된다.
도 6은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.
본 발명의 제2 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제5 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제5 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제5 실시 예에도 적용 가능하다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 물질이 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워지고 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80) 상에 형성됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제5 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)와 기판(10)의 전면 상에 형성되어 있고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 컨택홀 및 이 컨택홀 인근의 절연부(30) 상에 형성되어 있다. 즉, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에 형성되어 있다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 그 인근의 절연부(30) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 본 발명의 제5 실시 예에 따르면, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 사이에는 투명 도전 패턴부(70, 80)가 존재하며, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
도 7은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.
본 발명의 제3 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제6 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제6 실시 예를 설명한다. 제3 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제6 실시 예에도 적용 가능하다.
브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20)의 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.
예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.
그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제5 실시 예와 달리 제6 실시 예에 따르면, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)를 포함하는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 브리지 패턴부(20)를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에 형성된다.
복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 노출 영역 인근의 절연부(30) 및 브리지 패턴부(20)의 측면 인근의 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.
브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.
예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.
복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴과 기판(10)의 일부 영역 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있다. 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 서로 전기적으로 연결된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 안정화되고, 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간이 감소되어 터치 센서의 동작 속도가 향상되는 효과가 있다.
또한, 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.
10: 기판
20: 브리지 패턴부
30: 절연부
40, 50: 제2 감지 전극 패턴부
60: 제1 감지 전극 패턴부
70, 80: 투명 도전 패턴부

Claims (20)

  1. 기판 상에 형성된 브리지 패턴부;
    상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부;
    상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부;
    상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부; 및
    상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함하는, 터치 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬(island) 형상을 갖고,
    상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고,
    상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
    상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고,
    상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
    상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  11. 기판 상에 형성된 브리지 패턴부;
    상기 브리지 패턴의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부;
    상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부의 일부를 포함하는 영역 상에 형성된 복수의 투명 도전 패턴부;
    상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부; 및
    상기 투명 도전 패턴부를 포함하는 영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 투명 도전 패턴부를 매개로 상기 브리지 패턴부에 접촉됨으로써 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부를 포함하고,
    상기 투명 도전 패턴부는
    상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지도록 형성되어 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는, 터치 센서.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬 형상을 갖고,
    상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고,
    상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
    상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고,
    상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
    상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
    상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120055215A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR20130116583A (ko) 2012-04-16 2013-10-24 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20130138487A (ko) * 2012-06-11 2013-12-19 양희봉 메쉬 전극 패턴을 가지는 터치 스크린
KR20140110270A (ko) * 2013-03-07 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120055215A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR20130116583A (ko) 2012-04-16 2013-10-24 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20130138487A (ko) * 2012-06-11 2013-12-19 양희봉 메쉬 전극 패턴을 가지는 터치 스크린
KR20140110270A (ko) * 2013-03-07 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널

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