KR20170122380A - 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 - Google Patents
칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170122380A KR20170122380A KR1020160051224A KR20160051224A KR20170122380A KR 20170122380 A KR20170122380 A KR 20170122380A KR 1020160051224 A KR1020160051224 A KR 1020160051224A KR 20160051224 A KR20160051224 A KR 20160051224A KR 20170122380 A KR20170122380 A KR 20170122380A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- chalcogen
- oxide
- thin film
- present
- Prior art date
Links
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 claims 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 238000011160 research Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N tin(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Sn+2] DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
- B32B7/025—Electric or magnetic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/206—Insulating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 기판; 기판 위에 형성된 절연체층; 절연체층 위에 형성된 산화물 전송층; 및 전송층 위에 형성된 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서이다.
본 발명은 기존의 칼코겐 소재의 저항막 방식(Resistive-type)에서 보이는 낮은 광전류의 문제를 고신뢰성/고이동도의 산화물 소재와 다층구조의 박막을 통해 해결하는 효과가 있다.
본 발명은 기존의 칼코겐 소재의 저항막 방식(Resistive-type)에서 보이는 낮은 광전류의 문제를 고신뢰성/고이동도의 산화물 소재와 다층구조의 박막을 통해 해결하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 포토센서에 관한 것으로서, 구체적으로는칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서에 관한 것이다.
일반적으로 포토센서에는 실리콘 소재가 상용화되어 있으며, 실리콘 소재는 빛의 파장이 짧아짐에 따라 발생하는 광전류가 감소하는 문제점을 가지고 있다.
칼코겐(Chalcogen) 소재는 매우 높은 광흡수 계수를 가지고 있어, 포토센서로의 응용성이 매우 큰 소재이다. 대표적으로 CdS(cadmium sulfide, 황화카드뮴) 소재를 이용하여 많은 연구가 이루어졌지만, 낮은 광반응성과 느린 전류회복 속도로 인한 문제점을 가지고 있다.
더욱이, 칼코겐 소재는 포토센서의 연구보다 태양전지에 집중되어 연구가 이루어져 왔으나, 최근 플렉시블 전자기기의 요구가 증가됨에 따라 플렉시블 포토센서를 제작하기 위한 활용연구가 소수의 연구그룹에 의해서 진행되고 있다.
칼코겐 소재를 이용한 포토센서는 저항막 방식(Resistive-type)을 이용한 센서소자 연구들이 이루어져 왔지만, 낮은 광전류와 느린 회복속도가 문제점이 보고되고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 나노막대, 나노밸트와 같은 나노구조를 이용한 연구들이 이루어졌지만, 아직 낮은 광전류와 대면적 어레이에 문제가 있다.
고집적화에 유리한 트랜지스터 소자를 칼코겐 소재를 이용한 연구결과가 보고되었지만, 전기적 소자의 낮은 신뢰성으로 인해 포토센서로 활용하기에는 부적합한 결과를 보였다.
반면, 디스플레이의 백플레인 소자로 상용화되고 있는 실리콘 소재를 대체할 수 있는 소재로 산화물이 채택되어 있을 만큼 소재의 높은 신뢰성과 고집적화 공정에 적용되고 있다.
또한, 산화물 소재는 넓은 밴드갭으로 인해 가시광 영역에서 투명하며, 저온공정 용이성으로 인해 플렉시블 전자기기를 구현할 수 있기 때문에 많은 연구가 이루어지고 있다.
본 발명은 높은 광민강성 칼코겐 소재의 박막과 고신뢰성의 산화물 소재의 박막으로 구성된 다층구조의 박막을 이용한 고성능의 포토트랜지스터 소자에 대한 내용으로, 기존의 낮은 광전류와 낮은 신뢰성을 해결할 수 있는 발명이다.
본 발명에 따른 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서는 다음과 같은 해결과제를 가진다.
광흡수계수가 높아 높은 광민감성을 기대할 수 있는 칼코겐 소재의 문제점으로 제시되는 낮은 전기적 신뢰성과 느린 회복속도를 해결하고자 하며, 나아가 고집적화를 가능하게 하고자 한다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
본 발명은 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서에 관한 것으로서, 기판; 기판 위에 형성된 절연체층; 절연체층 위에 형성된 산화물 전송층; 및 전송층 위에 형성된 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 산화물 전송층에서 산화물 반도체소재가 결정일 때에는, 절연체층과 전송층 사이에 버퍼층이 추가로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 광흡수층과 전송층 사이에는 보호층이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 광흡수층은 칼코겐소재가 적층되면서 청색광흡수층,녹색광흡수층 및 적색광흡수층을 형성하며, 각 흡수층 사이에는 보호층이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서는 다음과 같은 효과를 가진다.
첫째, 기존의 칼코겐 소재의 저항막 방식(Resistive-type)에서 보이는 낮은 광전류의 문제를 고신뢰성/고이동도의 산화물 소재와 다층구조의 박막을 통해 해결하는 효과가 있다.
둘째, 칼코겐 소재의 낮은 신뢰성으로 인해 고집적화가 가능한 트랜지스터 소자를 제작할 수 없었던 문제를 다층구조의 박막을 적용함으로서 제작이 가능함과 동시에 높은 광전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.
셋째, 기존의 실리콘 소재는 고온공정이 요구되어 플렉시블 전자기기를 구현하는데 제약이 따르지만, 본 발명은 저온공정에서 증착된 산화물과 칼코겐 소재를 이용할 수 있어 플렉시블 포토센서를 구현할 수 있는 효과가 있다.
넷째, 본 발명에서 제안하고 있는 다층구조의 박막은 블루, 그린, 레드 영역의 빛을 감지할 수 있는 칼코겐 소재를 적층하여 제작할 수 있어, RGB 포토센서를 한 번에 구현하는 효과가 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다.
도 1은 CdS 트랜지스터 소자의 일반적인 불안정성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명인 CdS 포토트랜지스터 소자 구조 및 특성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에서 산화물과 칼코겐 소재를 이용한 다층구조의 활성층 구조 및 소자의 개념도이다.
도 4는 본 발명의 활성층과 포토트랜지스터 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 전송층과 광흡수층을 나타내는 개념도이다.
도 6은 화학적 보호층(Chemical protect layer)의 유무에 따른 포토트랜지스터의 전기적 특성 데이터를 나타내는 그래프이다.
도 7은 빛의 파장에 따른 광민감도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 반복적인 빛에 대한 반응성 특성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명인 CdS 포토트랜지스터 소자 구조 및 특성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에서 산화물과 칼코겐 소재를 이용한 다층구조의 활성층 구조 및 소자의 개념도이다.
도 4는 본 발명의 활성층과 포토트랜지스터 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 전송층과 광흡수층을 나타내는 개념도이다.
도 6은 화학적 보호층(Chemical protect layer)의 유무에 따른 포토트랜지스터의 전기적 특성 데이터를 나타내는 그래프이다.
도 7은 빛의 파장에 따른 광민감도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 반복적인 빛에 대한 반응성 특성을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.
본 명세서에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지는 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
칼코겐 소재를 이용한 포토센서는 대표적으로 CdS을 이용한 연구사례가 있으며, 대부분 박막 혹은 나노구조를 이용하여 저항막 방식(Resistive-type) 포토센서로 연구가 활발히 이루어졌지만, 낮은 광감지성과 대면적 어레이 기술의 문제가 있다.
높은 광전류와 직접화에 유리한 트랜지스터 구조를 이용한 칼코겐 소재의 연구가 진행되었지만, 낮은 전기적, 광학적 불안전성이 보고되고 있다.
본 발명은 광흡수계수가 높은 칼코겐 소재와 전기적, 광학적, 화학적으로 안정한 산화물 소재의 융합을 통한 고성능/고신뢰성의 포토 트랜지스터 소자를 구현하고 있다.
산화물 반도체 소재는 가시광 영역에서 투명하며, 결정질과 비정질에서 높은 이동도를 가지며, 게이트 절연체와 낮은 계면 트랩밀도를 유도할 수 있어 고 신뢰성의 트랜지스터 소자를 제작할 수 있다.
칼코겐 소재와 게이트 절연체사이에 산화물 반도체 소재를 삽입함으로써, 전기적 특성을 안정화 시킬 수 있으며, 칼코겐 소재에서 가시광의 빛 흡수에 의해 발생된 포토 케리어를 잘 전송시켜 높은 광 전류를 유도할 수 있는 구조이다.
산화물 소재로는 결정질에는 ZnO, In2O3, SnOx, In-Zn-O, In-Sn-O 등과 비정질에는 In-Ga-Zn-O, Zn-Sn-O, In-Zn-O, In-Sn-O, In-Zn-Sn-O, In-Ti-Sn-O 등이 될 수 있으며, 칼코게 소재로는 CdS, CdTe, Sn-Se, Sn-S, Zn-S, Zn-Se, In-Se, Pb-S, Pb-Se 등이 될 수 있다.
그리고, 화학적 보호층과 패시패이션 층은 Al2O3, TiO2, HfO2 등이 될 수 있다.
도 1은 CdS 트랜지스터 소자의 일반적인 불안정성을 나타내는 그래프이다. 칼코겐 소재의 대표적인 물질인 CdS를 이용하여 포토트랜지스터를 구현할 경우, 빛에 의해 변화된 전기적 특성이 복구가 안 되는 특성으로 인해 가시광 포토트랜지스터 소자로 응용하기 어려움이 있다. 이러한 문제점의 원인은 칼코겐 소재와 게이트 절연체 사이에 많은 전하 트랩 밀도와 다결정의 칼코겐 소재에 기인한다.
도 2는 본 발명인 CdS 포토트랜지스터 소자 구조 및 특성을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명에서 산화물과 칼코겐 소재를 이용한 다층구조의 활성층 구조 및 소자의 개념도이다.
본 발명에 있어서, 칼코겐 서재와 산화물 소재를 이용하여 설계된 다성능의 다층구조의 포토트랜지스터를 구현하여, 고신뢰성의 포토트랜시즈터 소자를 구현할 수 있음을 증명한다.
도 4은 본 발명의 활성층과 포토트랜지스터 소자를 나타내는 개념도이다.
트랜지스터 소자 구조에서 게이트 절연체와 칼코겐의 높은 계면 트랩밀도를 줄이기 위해 고품질의 산화물 소재를 이용한 전하 정송층을 형성함으로써, 트랜지스터 구동시 계면에서 발생될 수 있는 전기적 불안정성을 야기하는 요소를 제거한다.
저온 공정형 고품질의 산화물 전하전송층을 형성하는 방법으로 산화물 반도체 소재가 결정일 경우는 버퍼층을 사용하여 결정성을 좋게 하고, 비정질 산화물일 경우는 버퍼층없이 성장한다.
산화물 반도체 위에 저온형 칼코겐 소재가 성장할 시 보편적으로 이용되는 산 혹은 염기 분위기에서 에칭되는 문제를 막기 위해 산화물 반도체 표면에 화학적 보호층을 형성한다.
그리고, 광민감형 칼코겐 소재의 박막을 형성하여 광흡수층을 형성한 후, 패시베이션층(Passivation layer)을 형성한다.
마지막으로, 전극을 형성하여 칼코겐 소재와 산화물 소재의 다층구조로 이루어진 포토트랜지스터 소자를 도 1과 같이 제작한다.
도 5는 본 발명의 전송층과 광흡수층을 나타내는 개념도이다.
본 발명에 따른 다층구조의 채널구조는, 도 5에 도시된 바와 같이, 다양한 영역의 빛을 감지할 수 있는 칼코겐 소재의 적층을 통해 빛의 RGB를 센싱할 수 있는 단일 소자구조를 제작 할 수 있어, 고집적화에 매우 유리한 기술이다.
도 6은 화학적 보호층(Chemical protect layer)의 유무에 따른 포토트랜지스터의 전기적 특성 데이터를 나타내는 그래프이다. 화학적 보호층(Chemical protect layer)이 없을 때는 전하전송층의 데미지를 주어 소자가 구동을 하지 않음을 알 수 있다.
도 7은 빛의 파장에 따른 광민감도 특성을 나타내는 그래프이다. 빛의 파장에 따른 빛에 포토 트랜지스터의 반응성으로 빛의 파장에 대한 선택성을 보여준다.
도 8은 반복적인 빛에 대한 반응성 특성을 나타내는 그래프이다. 본 발명에서 제안된 포토트랜지스터의 반복 측정결과를 통해 고신뢰성과 고성능이 발휘됨을 보여준다.
본 명세서에서 설명되는 실시예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (4)
- 기판;
기판 위에 형성된 절연체층;
절연체층 위에 형성된 산화물 전송층; 및
전송층 위에 형성된 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 - 청구항 1에 있어서,
상기 산화물 전송층에서 산화물 반도체소재가 결정일 때에는, 절연체층과 전송층 사이에 버퍼층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 - 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층과 상기 전송층 사이에는 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 - 청구항 3에 있어서,
상기 광흡수층은 칼코겐소재가 적층되면서 청색광흡수층,녹색광흡수층 및 적색광흡수층을 형성하며,
상기 각 흡수층 사이에는 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160051224A KR20170122380A (ko) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160051224A KR20170122380A (ko) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170122380A true KR20170122380A (ko) | 2017-11-06 |
Family
ID=60384448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160051224A KR20170122380A (ko) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20170122380A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021172665A1 (ko) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | 한양대학교 산학협력단 | 텔루륨 산화물 및 이를 채널층으로 구비하는 박막트랜지스터 |
-
2016
- 2016-04-27 KR KR1020160051224A patent/KR20170122380A/ko unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021172665A1 (ko) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | 한양대학교 산학협력단 | 텔루륨 산화물 및 이를 채널층으로 구비하는 박막트랜지스터 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8278549B2 (en) | TCO-based hybrid solar photovoltaic energy conversion apparatus | |
| KR102578673B1 (ko) | 촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법 | |
| JP6301600B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6548751B2 (en) | Thin film flexible solar cell | |
| TWI594430B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TWI642193B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
| CN108292688B (zh) | 含氧化物纳米颗粒缓冲层的太阳能电池和制造方法 | |
| CN102983209B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| TWI777675B (zh) | 半導體裝置 | |
| KR101000057B1 (ko) | 다층 투명전도층을 구비한 태양전지 이의 제조방법 | |
| EP2490264B1 (en) | Photoelectric conversion device and electronic apparatus | |
| TWI458110B (zh) | 光電二極體、光感測元件及其製備方法 | |
| CN108831905B (zh) | 一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法 | |
| CN110993721B (zh) | 一种光敏薄膜晶体管及其制备方法 | |
| JP2012129533A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2011151271A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置 | |
| EP2932534B1 (en) | Pixelated imager with motft and process | |
| WO2010114314A2 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
| KR20160020193A (ko) | 포토컨덕터 및 이를 이용한 이미지 센서 | |
| JP2016040823A (ja) | イメージセンサー及びこれを含む電子装置 | |
| JP2007273455A (ja) | 酸化膜透明導電膜およびそれを用いた透明導電性基材、薄膜トランジスタ基板、光電変換素子、光検出素子 | |
| KR100983951B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| CN101533868A (zh) | 一种异质pn结型日盲紫外探测器 | |
| JP6986418B2 (ja) | 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置モジュールの製造方法 | |
| KR20170122380A (ko) | 칼코겐과 산화물 박막으로 구성된 기능형 다층구조의 포토센서 |