KR20170120881A - 인쇄회로기판 - Google Patents

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KR20170120881A
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 제1 금속층, 상기 제1 금속층 상에 배치되며, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물을 포함하고, 복수의 홀(hole)이 형성되는 절연층, 그리고 상기 절연층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함하며, 상기 홀은 상기 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워진다.

Description

인쇄회로기판{PRINTED CIRCUIT BOARD}
본 발명은 인쇄회로기판에 관한 것이다.
인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)은 절연층 상에 형성된 회로패턴층을 포함하며, 인쇄회로기판 상에는 다양한 전자 부품이 탑재될 수 있다. 인쇄회로기판 상에 탑재되는 전자 부품은, 예를 들면 발열 소자일 수 있다. 발열 소자가 방출하는 열은 인쇄회로기판의 성능을 떨어뜨릴 수 있다. 특히, 전자 부품의 고집적화 및 고용량화에 따라, 인쇄 회로 기판의 방열 문제에 대한 관심이 더욱 커지고 있다.
한편, 인쇄회로기판은 기판의 한 면에 회로패턴층이 배선된 단면 PCB, 기판의 양 면에 회로패턴층이 배선된 양면 PCB, 회로패턴층이 다층으로 배선된 다층 PCB 등으로 구분될 수 있다. 회로의 복잡도가 증가하고, 고밀도 및 소형화 회로에 대한 요구가 증가함에 따라 양면 PCB 또는 다층 PCB가 널리 사용되고 있다.
일반적으로, 열전도도가 높은 세라믹 기판이 인쇄회로기판으로 사용될 수 있으나, 세라믹 기판은 깨지기 쉬운 특성이 있어 가공이 용이하지 않으며, 다층 PCB로 구현하는 것이 불가능한 문제가 있다.
또한, 수지와 유리 섬유를 포함하는 FR-4를 다층 PCB에 적용하고자 하는 시도가 있으나, FR-4는 열전도성이 낮으므로, 발열 소자가 방출하는 열에 효과적으로 대응하지 못하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 방열 성능이 우수하면서도 가공이 용이한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 제1 금속층, 상기 제1 금속층 상에 배치되며, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물을 포함하고, 복수의 홀(hole)이 형성되는 절연층, 그리고 상기 절연층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함하며, 상기 홀은 상기 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워진다.
상기 홀의 직경은 100㎛ 내지 500㎛일 수 있다.
상기 홀은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 탄소나노튜브(Carbon Nono Tube, CNT), 그래핀(graphene) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 재료로 채워질 수 있다.
상기 복수의 홀 중 적어도 일부는 벽면이 금속으로 코팅되고, 내부가 상기 재료로 채워지며, 나머지 일부는 벽면이 금속으로 코팅되지 않고, 내부가 상기 재료로 채워질 수 있다.
상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 상기 홀의 양 끝단을 덮을 수 있다.
상기 수지 조성물은 산화알루미늄 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 중 적어도 하나는 서로 절연되는 제1 전극 영역 및 제2 전극 영역으로 구분되고, 상기 복수의 홀 중 적어도 일부는 상기 제1 전극 영역 내에 형성되며, 나머지 일부는 상기 제2 전극 영역 내에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판은 순차적으로 배치되는 복수의 금속층, 그리고 상기 복수의 금속층 사이에 형성되며, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 복수의 절연층을 포함하며, 상기 복수의 금속층 및 상기 복수의 절연층의 적어도 일부를 관통하는 복수의 홀(hole)이 형성되고, 상기 홀은 상기 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 고방열 성능을 가지면서도 가공성이 우수한 인쇄회로기판을 얻을 수 있다. 특히, 다층으로 구현 가능한 인쇄회로기판을 얻을 수 있으므로, 고집적화 및 고용량화된 전자 부품을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 상면도이다.
도 3 내지 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 수지 조성물로 이루어진 절연층의 단면을 나타내는 사진이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판에 형성되는 홀의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판에 형성되는 홀의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판 상에 탑재된 전자 부품을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 상면도이다.
도 1 내지 2를 참조하면, 인쇄회로기판(100)은 제1 금속층(110), 제1 금속층(110) 상에 배치되는 절연층(120), 그리고 절연층(120) 상에 배치되는 제2 금속층(130)을 포함한다. 이때, 절연층(120)은 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate, 122)를 포함하는 수지 조성물로 이루어지며, 절연층(120)에는 복수의 홀(hole, 140)이 형성된다. 복수의 홀(140)은 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워진다. 이와 같이, 홀(140)을 채우는 재료의 열전도도가 수지 조성물의 열전도도보다 크면, 홀(140)을 통하여 열이 효율적으로 방출될 수 있다.
이때, 홀(140)의 직경(D)은 100㎛ 내지 500㎛, 바람직하게는 200㎛ 내지 400㎛, 더욱 바람직하게는 250㎛ 내지 350㎛일 수 있다. 홀(140)의 직경(D)이 이러한 수치 범위를 만족시키면, 홀(140) 내에 열전도도가 높은 재료를 채우기 용이하며, 이에 따라 인쇄회로기판(100)의 방열 성능이 높아질 수 있다.
여기서, 홀(140) 내에 채워지는 열전도도가 높은 재료는, 예를 들면 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 탄소나노튜브(Carbon Nono Tube, CNT), 그래핀(graphene) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다. 이때, 이러한 재료는 파우더 또는 페이스트 형태로 채워질 수 있다. 표 1은 홀(140) 내에 채워질 수 있는 재료의 열전도도를 나타낸다.
Pure material Thermal conductivity(W/mK)
Cu 400
Al 238
Ag 430
Carbon(ex. CNT, graphene, graphite) >335
일반적으로, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물의 열전도도는 2 내지 10W/mK이다. 그러나, 수지 조성물로 이루어진 절연층(120)에 형성된 홀(140) 내에 열전도도가 높은 재료를 채우면, 절연층(120)의 열전도도가 전체적으로 향상될 수 있다.
도 3 내지 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 수지 조성물로 이루어진 절연층의 단면을 나타내는 사진이다.
도 3 내지 4를 참조하면, 절연층(120)은 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체를 포함하는 수지 조성물을 포함한다. 이때, 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체는 수지 조성물의 10 내지 90wt%, 바람직하게는 20 내지 70wt%, 더욱 바람직하게는 30 내지 50wt%, 더욱 바람직하게는 35 내지 45wt%로 포함될 수 있다. 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체가 수지 조성물 내에 이러한 수치 범위로 포함되는 경우, 절연층(120)의 강도 및 경도는 드릴링을 이용하여 홀을 형성하기에 용이한 수준이 될 수 있다. 여기서, 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체는, 모든 방향에서 열전도 성능이 균일한 등방성 열전도 특성을 가질 수 있으며, 분산성 및 절연 성능도 높일 수 있다. 또한, 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체는 지름이 약 100㎛ 내지 300㎛이고, 밀도가 약 2.2g/cm3 내지 2.4g/cm3이다. 이러한 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체를 포함하는 수지 조성물로 이루어진 절연층의 밀도는 약 2.4 내지 2.5g/cm3으로 나타날 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 절연층의 밀도는 산화알루미늄과 같은 세라믹 기판의 밀도인 3.7 내지 3.9g/cm3에 비하여 낮으므로, 홀(140) 가공이 용이하다. 즉, 세라믹 기판의 경우 레이저를 이용한 홀 가공만이 가능하며, 얻어질 수 있는 홀의 최대 직경은 약 90㎛ 수준이다. 이에 반해, 본 발명의 실시예에 따른 절연층(120)의 경우 레이저뿐만 아니라 드릴링을 이용한 홀 가공이 가능하며, 100㎛ 이상의 직경으로 홀 가공이 가능하다. 홀(140)의 직경이 크게 형성될수록 홀을 열전도도가 높은 재료로 채우는 공정이 용이해지며, 절연층(120) 내 열전도도가 높은 영역의 면적이 높아지므로, 절연층(120) 전체의 열전도도를 효과적으로 높일 수 있다.
여기서, 수지 조성물은 산화알루미늄(Al2O3) 및 질화알루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 수지 조성물 자체의 열전도도를 더욱 향상시킬 수 있다. 이때, 수지 조성물에 포함되는 수지는 에폭시 화합물일 수 있다. 에폭시 화합물은 내열성 및 분산성이 우수하다. 에폭시 수지는 결정성 에폭시 화합물 및 비결정성 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 결정성 에폭시 화합물은 메조겐 구조를 포함할 수 있다. 여기서, 메조겐(mesogen)은 액정(liquid crystal)의 기본 단위이며, 강성(rigid) 구조를 포함한다. 메조겐은, 예를 들면 하기 (a) 내지 (e)등과 같은 강성 구조를 포함할 수 있다.
(a)
Figure pat00001
(b)
Figure pat00002
(c)
Figure pat00003
(d)
Figure pat00004
(e)
Figure pat00005
비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 시클로형 에폭시 화합물, 노볼락형 에폭시 화합물, 지방족 에폭시 화합물 등일 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따르면, 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(130)은 열전도도가 높은 재료로 채워진 복수의 홀(140)의 양 끝단을 덮을 수 있다. 이에 따라, 도 2에서 도시되는 바와 같이, 인쇄회로기판(100)의 표면에는 홀(140)이 드러나지 않으며, 홀(140) 가공 후 홀(140) 주변에 버(burr)가 형성되는 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 홀(140) 상에도 전자 부품(예, 칩)이 탑재될 수 있으므로, 홀(140) 형성 위치의 자유도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 도 2에 도시되는 바와 같이, 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(130) 중 적어도 하나는 서로 절연되는 제1 전극 영역(132) 및 제2 전극 영역(134)으로 구분될 수 있다. 제1 전극 영역(132)은 (+) 전극 및 (-) 전극 중 하나일 수 있으며, 제2 전극 영역(134)은 나머지 하나일 수 있다. 이때, 복수의 홀(140) 중 적어도 일부는 제1 전극 영역(132) 내에 형성되고, 나머지 일부는 제2 전극 영역(134) 내에 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 전극 영역(132) 및 제2 전극 영역(134)에 각각 홀(140)이 형성되면, 홀(140)은 열전도 역할뿐만 아니라 통전의 역할도 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판에 형성되는 홀의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판에 형성되는 홀의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 홀(140-1)의 벽면은 금속(142)으로 코팅되고, 홀(140-1)의 내부는 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워질 수 있다.
도 6을 참조하면, 홀(140-2)의 벽면은 금속으로 코팅되지 않고, 홀(140-2)의 내부는 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워질 수 있다.
도 5에 따른 홀(140-1)은 열전도 역할뿐만 아니라 통전의 역할도 할 수 있으며, 도 6에 따른 홀(140-2)은 열전도 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 도 5에 따른 홀(140-1)과 도 6에 따른 홀(140-2)은 다른 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 7과 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판 상에 전자 부품(예, LED(Light Emitting Diode) 칩)이 탑재되는 경우, 도 5에 따른 홀(140-1)은 전자 부품(700)이 탑재되도록 설정된 영역의 가장자리에 배치되고, 도 6에 따른 홀(140-2)은 전자 부품(700)이 탑재되도록 설정된 영역의 아래에 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 5에 따른 홀(140-1)은 열전도 역할 및 통전의 역할을 수행하며, 도 6에 따른 홀(140-2)은 발열량이 많은 지점에서 열전도 역할을 효율적으로 수행할 수 있다. 발열량이 많은 지점에서의 열전도 성능을 높이기 위하여, 도 6에 따른 홀(140-2)의 직경은 도 5에 따른 홀(140-2)의 직경보다 크게 형성될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 나타낸다.
도 8(a)를 참조하면, 금속층(Cu 층), 절연층(120) 및 제2 금속층(Cu 층)이 순차적으로 배치되어 있다. 여기서, 절연층(120)의 양면에 배치된 금속층은 Cu층인 것으로 예시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금을 포함할 수 있다. 그리고, 절연층(120)은 수지 및 판상의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체를 포함하는 수지 조성물을 포함할 수 있다. 수지 조성물은 산화알루미늄 및 질화알루미늄을 더 포함할 수도 있다.
도 8(b)를 참조하면, 홀(hole, 140) 가공을 수행한다. 홀(140) 가공은 레이저 또는 드릴링을 이용하여 수행될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 절연층(120)은 세라믹 기판에 비하여 강도 및 경도가 약하므로, 드릴링에 의한 홀 가공이 가능하다.
다음으로, 도 8(c)를 참조하면, 홀(140) 내부를 수지 조성물에 비하여 열전도도가 높은 재료, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 탄소나노튜브(Carbon Nono Tube, CNT), 그래핀(graphene) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 재료로 채운다. 이때, 홀(140) 내부에 채워지는 재료는 파우더 또는 페이스트 형태일 수 있다.
마지막으로, 도 8(d)를 참조하면, 양 금속층의 표면은 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(130)으로 코팅된다. 이에 따라, 홀(140의 양단은 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(130)으로 덮힐 수 있다. 여기서, 제1 금속층(110) 및 제2 금속층(130) 은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 다층으로 구현될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이다. 도 1 내지 8과 동일한 내용은 중복되는 설명을 생략한다.
도 9를 참조하면, 4층 인쇄회로기판(900)은 순차적으로 배치되는 복수의 금속층(910), 그리고 복수의 금속층(910) 사이에 형성되는 복수의 절연층(920)을 포함한다. 여기서, 복수의 금속층(910)은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금을 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 절연층(920)은 복수의 금속층(910)을 절연한다. 이와 같은 다층 인쇄회로기판에 따르면, 고집적화 및 고용량화가 가능하다.
여기서, 복수의 절연층(920)은 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체를 포함하는 수지 조성물을 포함하며, 복수의 금속층(910) 및 복수의 절연층(920)의 적어도 일부를 관통하는 복수의 홀(940)이 형성되고, 홀(940)은 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워질 수 있다.
이때, 최상부 금속층 및 최하부 금속층은 홀(940)의 양 끝단을 덮을 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 다층 인쇄회로기판에서도 홀 가공이 용이하므로, 고집적화 및 고용량화가 가능할뿐만 아니라, 높은 방열 성능을 가지는 인쇄회로기판을 얻을 수 있다.
여기서, 4층 인쇄회로기판을 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 4층 인쇄회로기판뿐만 아니라, 10층 인쇄회로기판, 12층 인쇄회로기판 등에도 본 발명의 실시예가 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 제1 금속층,
    상기 제1 금속층 상에 배치되며, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물을 포함하고, 복수의 홀(hole)이 형성되는 절연층, 그리고
    상기 절연층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함하며,
    상기 홀은 상기 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워지는 인쇄회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 홀의 직경은 100㎛ 내지 500㎛인 인쇄회로기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홀은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 탄소나노튜브(Carbon Nono Tube, CNT), 그래핀(graphene) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 재료로 채워지는 인쇄회로기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 홀 중 적어도 일부는 벽면이 금속으로 코팅되고, 내부가 상기 재료로 채워지며, 나머지 일부는 벽면이 금속으로 코팅되지 않고, 내부가 상기 재료로 채워지는 인쇄회로기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 상기 홀의 양 끝단을 덮는 인쇄회로기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 산화알루미늄 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 더 포함하는 인쇄회로기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 중 적어도 하나는 서로 절연되는 제1 전극 영역 및 제2 전극 영역으로 구분되고,
    상기 복수의 홀 중 적어도 일부는 상기 제1 전극 영역 내에 형성되며, 나머지 일부는 상기 제2 전극 영역 내에 형성되는 인쇄회로기판.
  8. 순차적으로 배치되는 복수의 금속층, 그리고
    상기 복수의 금속층 사이에 형성되며, 수지 및 판형의 질화붕소가 뭉쳐진 응집체(agglomerate)를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 복수의 절연층을 포함하며,
    상기 복수의 금속층 및 상기 복수의 절연층의 적어도 일부를 관통하는 복수의 홀(hole)이 형성되고, 상기 홀은 상기 수지 조성물보다 열전도도가 높은 재료로 채워지는 인쇄회로기판.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 홀의 직경은 100㎛ 내지 500㎛인 인쇄회로기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 홀은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 탄소나노튜브(Carbon Nono Tube, CNT), 그래핀(graphene) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 재료로 채워지는 인쇄회로기판.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 금속층 중 최상부 금속층 및 최하부 금속층은 상기 복수의 홀 중 적어도 일부의 양 끝단을 덮는 인쇄회로기판.
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