KR20170118180A

KR20170118180A - Apparatus for adjustable light sources

Info

Publication number: KR20170118180A
Application number: KR1020177026088A
Authority: KR
Inventors: 나브조 쿠마르; 니 오 묘; 슈버트 에스. 추; 카메쉬 기리다; 팔라무랄리 가젠드라
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2015-02-17
Filing date: 2016-01-20
Publication date: 2017-10-24
Also published as: CN107210224A; SG11201705062PA; WO2016133640A1

Abstract

본 명세서에서는 처리 챔버의 램프 모듈들의 위치를 조절하기 위한 장치가 개시된다. 구현들은 일반적으로 내부 용적을 정의하는 인클로저를 포함하는 프로세스 챔버, 프로세스 챔버의 내부 용적 내에 배치된 기판 지지체, 및 복수의 조절가능한 램프 모듈을 포함한다. 각각의 조절가능한 램프 모듈은 복사 소스, 복사 소스와 연결된 램프 커넥터, 램프 커넥터에 연결된 조절가능한 장착 브래킷 - 조절가능한 장착 브래킷은 프로세스 챔버에 피벗가능하게 연결됨 - , 및 조절가능한 장착 브래킷과 관련되어 장착된 조절가능한 힘 디바이스를 포함할 수 있다.An apparatus for adjusting the position of lamp modules in a process chamber is disclosed herein. Implementations generally include a process chamber including an enclosure defining an interior volume, a substrate support disposed within the interior volume of the process chamber, and a plurality of adjustable lamp modules. Each adjustable lamp module having a radiation source, a lamp connector coupled to the radiation source, an adjustable mounting bracket connected to the lamp connector, an adjustable mounting bracket pivotally connected to the process chamber, An adjustable force device.

Description

Apparatus for adjustable light sources

본 개시내용의 구현들은 일반적으로 조절가능한 광원에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 설명된 구현들은 일반적으로 프로세스 챔버 내에서의 광원의 위치를 제어하기 위한 장치, 시스템, 및 방법에 관한 것이다.Implementations of the present disclosure generally relate to an adjustable light source. More specifically, the implementations described herein generally relate to an apparatus, system, and method for controlling the position of a light source within a process chamber.

기판들, 예컨대 반도체 웨이퍼들, 및 다른 재료들의 열 처리를 수반하는 몇가지 응용들은 기판을 급속 가열 및 냉각하는 프로세스 단계들을 수반한다. 그러한 처리의 일례는 다수의 반도체 제조 프로세스를 위해 이용되는 급속 열 처리(RTP)이다.Some applications involving thermal processing of substrates, such as semiconductor wafers, and other materials, involve process steps of rapidly heating and cooling the substrate. One example of such a process is Rapid Thermal Processing (RTP) used for many semiconductor manufacturing processes.

급속 열 처리(RTP)에서, 열 에너지는 복사 소스들로부터 프로세스 챔버 내로 그리고 처리 챔버 내의 반도체 기판 상으로 복사된다. 이러한 방식으로, 기판은 처리 온도로 가열된다. 반도체 처리 동작들 동안, 복사 소스들은 상승된 온도들에서 동작할 수 있다. 복사 소스들에 의해 제공된 복사 에너지의 전부가 결국 실제로 웨이퍼를 가열하지는 않는다. 복사 에너지, 예컨대 점상 소스(point source)로부터 모든 방향으로 방출되는 에너지의 일부는 챔버 컴포넌트들, 특히 복사 필드 내의 반사 컴포넌트들에 의해 흡수된다. In rapid thermal processing (RTP), thermal energy is radiated into the process chamber from the radiation sources and onto the semiconductor substrate in the process chamber. In this manner, the substrate is heated to the processing temperature. During semiconductor processing operations, the radiation sources may operate at elevated temperatures. Not all of the radiant energy provided by the radiation sources will eventually actually heat the wafer. Part of the energy emitted in all directions from the radiant energy, for example a point source, is absorbed by the chamber components, in particular by the reflection components in the radiation field.

추가로, 반도체 산업계에서, 열 처리 동안 기판 내에 온도 균일성을 유지하는 것이 종종 바람직하다. 온도 균일성은 필름 퇴적, 산화물 성장, 및 에칭과 같은 열 프로세스들을 위한 기판의 균일한 처리(예를 들어, 층 두께, 비저항, 에칭 깊이)를 가능하게 한다. 더욱이, 온도 균일성은 왜곡, 결함 발생, 및 기판 슬립(substrate slip)과 같은 열 응력 유도의 기판 손상(thermal stress-induced substrate damage)을 방지하는 데에 도움이 된다.In addition, in the semiconductor industry, it is often desirable to maintain temperature uniformity within the substrate during thermal processing. Temperature uniformity enables uniform processing of the substrate (e.g., layer thickness, resistivity, etch depth) for thermal processes such as film deposition, oxide growth, and etching. Moreover, temperature uniformity helps to prevent thermal stress-induced substrate damage, such as distortion, defect occurrence, and substrate slip.

전형적으로, 챔버들 내의 개별 복사 소스들은 최초 설계 동안 수평일 수 있고, 각각의 소스의 방출기는 기판에 의해 정의되는 평면을 따라 배향된다. 시간의 경과에 따라, 방출기들은 중력, 열 사이클, 또는 다른 이유들로 인해 처질(sag) 수 있다. 이러한 처짐은 방출기와 기판 사이의 거리의 변경을 유발할 수 있고, 이것은 기판 내의 온도 편차를 야기할 수 있다.Typically, the individual radiation sources in the chambers may be horizontal during the initial design, and the emitters of each source are oriented along a plane defined by the substrate. As time elapses, emitters can sag due to gravity, thermal cycling, or other reasons. This deflection can cause a change in the distance between the emitter and the substrate, which can cause temperature variations within the substrate.

따라서, 본 기술분야에서는, 시간의 경과에 따라 방출기 위치를 제어하기 위한 장치 및 방법이 필요하다.Thus, there is a need in the art for an apparatus and method for controlling the emitter position over time.

본 명세서에 개시된 구현들은 복사 소스를 재위치(repositioning)시키는 방법을 포함한다. 일 구현에서, 반도체 기판을 처리하기 위한 장치는 내부 용적을 정의하는 인클로저를 포함하는 프로세스 챔버; 프로세스 챔버의 내부 용적 내에 배치된 기판 지지체; 복수의 복사 방출기; 복사 방출기들 중 적어도 하나에 연결된 베이스를 포함하는 조절가능한 브래킷 - 조절가능한 브래킷은 베이스에 연결되고, 조절가능한 브래킷은 프로세스 챔버에 피벗가능하게(pivotably) 연결됨 - ; 및 조절가능한 브래킷과 연결되는 조절기를 포함할 수 있다.The implementations disclosed herein include a method of repositioning a copy source. In one implementation, an apparatus for processing a semiconductor substrate includes: a process chamber including an enclosure defining an interior volume; A substrate support disposed within an interior volume of the process chamber; A plurality of radiation emitters; An adjustable bracket-adjustable bracket including a base connected to at least one of the radiation emitters, the adjustable bracket being connected to the base and the adjustable bracket being pivotably connected to the process chamber; And an adjuster coupled to the adjustable bracket.

다른 구현에서, 기판을 처리하기 위한 시스템은 인클로저를 포함하는 프로세스 챔버 - 인클로저는 처리 영역을 정의하는 상측 부분 및 하측 부분을 가짐 - ; 처리 영역 내에 배치된 기판 지지체; 처리 영역에 복사를 전달하기 위해 상측 부분에 연결된 복수의 램프 모듈; 램프 모듈들 중 적어도 하나에 연결된 조절가능한 브래킷; 및 조절가능한 브래킷과 연결되는 조절기 - 조절기는 조절가능한 브래킷을 피벗하기 위한 힘을 제공함 - 를 포함할 수 있다.In another implementation, a system for processing a substrate includes a process chamber-enclosure comprising an enclosure having an upper portion and a lower portion defining a processing region; A substrate support disposed within the processing region; A plurality of lamp modules coupled to the upper portion for transferring radiation to the processing region; An adjustable bracket connected to at least one of the lamp modules; And a regulator-adjuster coupled to the adjustable bracket may provide a force to pivot the adjustable bracket.

다른 구현에서, 반도체 기판을 처리하기 위한 장치는 프로세스 챔버의 상측 부분 내에 위치된 복수의 복사 모듈을 포함할 수 있고, 각각의 복사 모듈은 복사 소스; 복사 소스에 연결된 베이스; 복사 소스에 연결된 조절가능한 브래킷 - 조절가능한 브래킷은, 복사 소스에 연결된 베이스; 제1 암 및 제2 암을 포함하는 제1 부재 - 제1 암은 베이스에 연결됨 - ; 피벗에 의해 제1 부재에 연결된 제2 부재; 및 제1 부재의 제2 암과 제2 부재 사이에 연결된 스프링을 포함함 - ; 및 제1 부재에 피벗 힘(pivot force)을 제공하기 위해 제1 부재와 연결된 조절기를 포함할 수 있다.In another implementation, an apparatus for processing a semiconductor substrate may include a plurality of radiation modules located within an upper portion of a process chamber, each radiation module comprising a radiation source; A base connected to the copy source; An adjustable bracket connected to the radiation source, the adjustable bracket comprising: a base connected to the radiation source; A first member including a first arm and a second arm, the first arm connected to the base; A second member connected to the first member by a pivot; And a spring connected between the second arm and the second member of the first member; And a regulator coupled to the first member for providing a pivot force to the first member.

위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 구현들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시내용은 동등한 효과의 다른 구현들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시내용의 전형적인 구현들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 처리 챔버의 일 구현의 개략적인 단면도이다.
도 2는 일 구현에 따른 조절가능한 배향을 갖는 복사 모듈의 측면도이다.
도 3은 다른 구현에 따른 조절가능한 배향을 갖는 복사 모듈의 측면도이다.
도 4의 (a)는 다른 구현에 따른 조절가능한 배향을 갖는 복사 모듈의 측면도이다.
도 4의 (b)는 일 구현에 따른 도 4의 (a)의 복사 모듈의 조절기의 상세도이다.
도 5는 다른 구현에 따른 조절가능한 위치 및 조절가능한 배향을 갖는 복사 모듈의 측면도이다.
도 6은 일 구현에 따른 조절가능한 위치 및 조절가능한 회전을 갖는 복사 모듈의 측면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 곳마다, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 추가로, 일 구현의 요소들은 유리하게는 본 명세서에 설명된 다른 구현들에서 이용하도록 적응될 수 있다.In order that the features of the present disclosure discussed above may be understood in detail, a more particular description of the invention, briefly summarized above, may be referred to implementations, some of which are illustrated in the accompanying drawings. It should be noted, however, that the appended drawings illustrate only typical implementations of the present disclosure, and therefore should not be construed as limiting the scope thereof, as this disclosure may permit other implementations of the same effect.
Figure 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a process chamber.
Figure 2 is a side view of a radiation module with an adjustable orientation according to one implementation.
Figure 3 is a side view of a radiation module with an adjustable orientation according to another embodiment.
Figure 4 (a) is a side view of a radiation module with an adjustable orientation according to another embodiment.
4 (b) is a detailed view of the controller of the copying module of FIG. 4 (a) according to one implementation.
5 is a side view of a radiating module having an adjustable position and an adjustable orientation according to another embodiment;
6 is a side view of a radiating module with adjustable position and adjustable rotation according to one implementation.
In order to facilitate understanding, wherever possible, the same reference numbers have been used to point at the same elements that are common to the figures. Additionally, elements of one implementation may advantageously be adapted for use in other implementations described herein.

본 명세서에 개시된 구현들은 열 처리 챔버 내에서 복사 소스를 위치시키고 배향하기 위한 장치 및 시스템을 포함한다. 동작 시간들 후에, 복사 소스 내의 방출기는 위치, 배향, 또는 둘 다를 시프트시킬 수 있다. 본 명세서에는 방출기 내에서의 시프트를 보상하기 위해 복사 소스의 위치 및 배향의 조절을 가능하게 하는 조절 장치의 다양한 구현들이 개시된다. 장치 및 시스템의 구현들은 아래에서 도면들을 참조하여 더 명확하게 설명된다.The implementations disclosed herein include an apparatus and system for positioning and orienting radiation sources within a thermal processing chamber. After the operating times, the emitters in the radiation source may shift position, orientation, or both. Various implementations of regulating devices are described herein that allow adjustment of the position and orientation of the radiation source to compensate for shifts in the emitter. Implementations of the apparatus and system are described more fully below with reference to the drawings.

도 1은 캘리포니아 주 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 CENTURA® 통합형 처리 시스템(CENTURA® integrated processing system)의 일부일 수 있는 에피택셜 처리를 위해 구성된 프로세스 챔버(100)의 개략적 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는 알루미늄 또는 스테인레스 스틸, 예를 들어 316L 스테인레스 스틸과 같은 프로세스 저항 재료(process resistant material)로 이루어진 하우징 구조물(101)을 포함한다. 하우징 구조물(101)은 인클로저(130)와 같은 프로세스 챔버(100)의 다양한 기능 요소들을 둘러싸며, 인클로저는 상측 챔버(105) 및 하측 챔버(124)를 포함하며 처리 용적을 정의한다. 반응 종들(reactive species)은 가스 분배 어셈블리(150)에 의해 인클로저(130)에 제공되고, 이는 석영일 수 있으며, 처리 부산물들은 전형적으로 진공 소스(도시되지 않음)와 연통하는 포트(138)에 의해 처리 용적(118)으로부터 제거된다. 1 is a schematic cross-sectional view of a process chamber 100 configured for epitaxial processing, which may be part of a CENTURA integrated processing system available from Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California. The process chamber 100 includes a housing structure 101 made of a process resistant material such as aluminum or stainless steel, for example, 316L stainless steel. The housing structure 101 surrounds various functional elements of the process chamber 100 such as the enclosure 130 and the enclosure includes an upper chamber 105 and a lower chamber 124 and defines a processing volume. Reactive species are provided to enclosure 130 by gas distribution assembly 150, which may be quartz, and processing byproducts are typically separated by a port 138 in communication with a vacuum source (not shown) Is removed from the process volume 118.

기판 지지체(117)는 처리 용적(118)에 이송되는 기판(114)을 수용하도록 적응된다. 기판 지지체(117)는 실리콘 카바이드와 같은 실리콘 재료로 코팅된 흑연 재료 또는 세라믹 재료, 또는 다른 프로세스 저항 재료로 이루어질 수 있다. 프리커서 반응물질 재료들(precursor reactant materials)로부터의 반응 종들(reactive species)은 기판(114)의 노출된 표면에 도포되고, 후속하여, 부산물들은 기판(114)의 표면으로부터 제거될 수 있다. 기판(114) 및/또는 처리 용적(118)의 가열은 상측 램프 모듈들(110A) 및 하측 램프 모듈들(110B)과 같은 복사 모듈들에 의해 제공될 수 있다. 상측 램프 모듈 및 하측 램프 모듈로서 설명되지만, 이것은 제한을 의도한 것이 아니다. 본 명세서에 설명된 구현들은 수직 챔버들과 같은 다른 배향들의 챔버들에 동등하게 적용가능하다. 추가로, 방출기들은 LED들과 같은 고체 상태 방출기들의 어레이들, 또는 필라멘트들을 갖는 램프들일 수 있다. 조절 장치의 동작을 설명하기 위해, 램프 모듈들이 예시적인 복사 방출기들로서 이용된다. 기판 지지체(117)는 기판 지지체의 중심 축(102)에 대해 회전할 수 있는 한편, 지지 샤프트(140)의 전위(displacement)에 의해 중심 축(102)에 평행한 방향으로 이동한다. 기판 지지체(117)의 표면(116)을 관통하고, 처리 챔버 안으로의 이송과 처리 챔버 밖으로의 이송을 위해 기판(114)을 기판 지지체(117) 위로 리프트하는 리프트 핀들(170)이 제공된다. 리프트 핀들(170)은 리프트 핀 칼라(lift pin collar)(174)에 의해 지지 샤프트(140)에 결합된다.The substrate support 117 is adapted to receive the substrate 114 being transferred to the processing volume 118. The substrate support 117 may comprise a graphite or ceramic material, or other process resistant material, coated with a silicon material such as silicon carbide. Reactive species from the precursor reactant materials may be applied to the exposed surface of the substrate 114 and subsequently the byproducts may be removed from the surface of the substrate 114. [ Heating of the substrate 114 and / or the processing volume 118 may be provided by radiation modules such as the upper lamp modules 110A and the lower lamp modules 110B. The upper lamp module and the lower lamp module, but this is not intended to be a limitation. The implementations described herein are equally applicable to chambers of other orientations such as vertical chambers. In addition, the emitters may be arrays of solid state emitters, such as LEDs, or lamps with filaments. To illustrate the operation of the regulator, lamp modules are used as exemplary radiator emitters. The substrate support 117 is able to rotate about the central axis 102 of the substrate support while moving in a direction parallel to the central axis 102 by displacement of the support shaft 140. There are provided lift pins 170 that penetrate the surface 116 of the substrate support 117 and lift the substrate 114 over the substrate support 117 for transport into and out of the process chamber. The lift pins 170 are coupled to the support shaft 140 by a lift pin collar 174.

일 구현에서, 상측 램프 모듈들(110A) 및 하측 램프 모듈들(110B)은 적외선(IR) 램프들이다. 각각의 램프는 전형적으로 필라멘트(190)를 포함하고, 필라멘트는 에너지 또는 복사를 생성한다. 상측 램프 모듈들(110A)로부터의 에너지 또는 복사는 상측 챔버(105)의 상측 윈도우(104)를 통해 이동한다. 하측 램프 모듈들(110B)로부터의 에너지 또는 복사는 각각 하측 챔버(124)의 하측 부분(103)을 통해 이동한다. 필요하다면, 상측 챔버(105)를 위한 냉각 가스들이 포트(112)를 통해 들어와서 포트(113)를 통해 나간다. 프리커서 반응물질 재료들은 물론, 챔버(100)를 위한 희석제, 퍼지(purge) 및 환기(vent) 가스들은 가스 분배 어셈블리(150)를 통해 들어오고 포트(138)를 통해 나간다. 상측 램프 모듈들(110A)은 조절가능한 브래킷(111)에 의해 유지될 수 있다. 상측 램프 모듈들(110A)이 상측 챔버(105) 내에서 위치를 변경할 수 있도록, 조절가능한 브래킷(111)은 챔버에 관련하여 피벗할 수 있다. 조절가능한 브래킷들(111)의 구현들은 도 2 내지 도 4를 참조하여 더 상세하게 설명된다.In one implementation, the upper lamp modules 110A and the lower lamp modules 110B are infrared (IR) lamps. Each lamp typically includes a filament 190, which produces energy or radiation. Energy or radiation from the upper lamp modules 110A travels through the upper window 104 of the upper chamber 105. [ Energy or radiation from the lower lamp modules 110B travels through the lower portion 103 of the lower chamber 124, respectively. If necessary, cooling gases for the upper chamber 105 enter through port 112 and exit through port 113. The precursor reactant materials as well as the diluent, purge and vent gases for the chamber 100 enter through the gas distribution assembly 150 and exit through the port 138. The upper lamp modules 110A may be held by an adjustable bracket 111. [ The adjustable bracket 111 can pivot relative to the chamber such that the upper lamp modules 110A can change position within the upper chamber 105. [ Implementations of the adjustable brackets 111 are described in further detail with reference to Figures 2-4.

반응성 종들에 에너지를 공급하고 기판(114)의 표면(116)으로부터의 프로세스 부산물들의 탈착 및 반응물질들의 흡수에 도움을 주기 위해 이용되는 복사는 약 0.8㎛ 내지 약 1.2㎛, 예를 들어 약 0.95㎛ 내지 약 1.05㎛의 범위일 수 있다. 예를 들어 에피택셜 성장되고 있는 막의 조성에 의존하여, 다양한 파장들의 조합이 제공될 수 있다. 다른 구현에서, 램프 모듈들(110A 및 110B)은 자외선(UV) 광원들, 예를 들어 엑시머 램프들일 수 있다. 다른 구현에서, UV 광원들은 상측 챔버(105) 및 하측 챔버(124) 중 하나 또는 둘 다에서 IR 광원들과 함께 이용될 수 있다. Radiation used to energize reactive species and aid in the desorption of process byproducts from the surface 116 of the substrate 114 and absorption of reactive materials is about 0.8 탆 to about 1.2 탆, for example about 0.95 탆 To about 1.05 mu m. For example, depending on the composition of the film being epitaxially grown, a combination of various wavelengths may be provided. In other implementations, the lamp modules 110A and 110B may be ultraviolet (UV) light sources, e.g., excimer lamps. In other implementations, the UV light sources may be used with the IR light sources in one or both of the upper chamber 105 and the lower chamber 124.

성분 가스들(component gases)은 유입구 캡(154)을 가질 수 있는 포트(158)를 통해, 그리고 통로(152N)를 통해, 가스 분배 어셈블리(150)를 경유하여 처리 용적(118)에 들어간다. 일부 구현들에서, 유입구 캡(154)은 노즐일 수 있다. 가스 분배 어셈블리(150)는 프로세스 가스들이 처리 챔버에 들어가기 전에 프로세스 가스들을 원하는 온도로 가열하기 위해 도관(224N) 내에 배치된 튜브형 가열 소자(156)를 포함할 수 있다. 가스는 가스 분배 어셈블리(150)로부터 유동되고, 참조번호(122)로 보여진 바와 같이 포트(138)를 통해 빠져나간다. 기판 표면을 세정/패시베이션하기 위해, 또는 에피택셜 성장되고 있는 실리콘 및/또는 게르마늄 함유 막을 형성하기 위해 이용되는 성분 가스들의 조합들은, 전형적으로 처리 용적 내로의 진입 전에 혼합된다. 처리 용적(118) 내의 전체적인 압력은 포트(138) 상의 밸브(도시되지 않음)에 의해 조절될 수 있다. 처리 용적(118)의 내부 표면의 적어도 일부는 라이너(131)에 의해 커버된다. 일 구현에서, 라이너(131)는 불투명한 석영 재료를 포함한다. 이러한 방식으로, 챔버 벽은 처리 용적(118) 내의 열로부터 단열된다. The component gases enter the process volume 118 via the gas distribution assembly 150 through the port 158 that may have the inlet cap 154 and through the passageway 152N. In some implementations, the inlet cap 154 may be a nozzle. The gas distribution assembly 150 may include a tubular heating element 156 disposed within the conduit 224N to heat the process gases to a desired temperature before the process gases enter the process chamber. The gas flows from the gas distribution assembly 150 and exits through the port 138 as shown by reference numeral 122. Combinations of component gases used to clean / passivate the substrate surface or to form the epitaxially grown silicon and / or germanium containing film are typically mixed prior to entry into the process volume. The overall pressure within the process volume 118 may be controlled by a valve (not shown) on the port 138. [ At least a portion of the inner surface of the processing volume 118 is covered by the liner 131. In one implementation, the liner 131 comprises an opaque quartz material. In this manner, the chamber walls are insulated from the heat within the process volume 118.

처리 용적(118) 내의 표면들의 온도는 상측 윈도우(104) 위에 위치된 상측 램프 모듈들(110A)로부터의 복사와 함께, 포트(112)를 통해 들어오고 포트(113)를 통해 나가는 냉각 가스의 유동에 의해 약 200℃ 내지 약 600℃ 이상의 온도 범위 내에서 제어될 수 있다. 하측 챔버(124) 내의 온도는 도시되지 않은 블로어 유닛(blower unit)의 속도를 조절함으로써, 그리고 하측 챔버(124) 아래에 배치된 하측 램프 모듈들(110B)로부터의 복사에 의해, 약 200℃ 내지 약 600℃ 이상의 온도 범위 내에서 제어될 수 있다. 처리 용적(118) 내의 압력은 약 0.1 Torr 내지 약 600 Torr, 예컨대 약 5 Torr 내지 약 30 Torr일 수 있다. The temperature of the surfaces in the processing volume 118 is greater than the flow of cooling gas entering through the port 112 and exiting through the port 113 with radiation from the upper lamp modules 110A located above the upper window 104. [ RTI ID = 0.0 > 200 C < / RTI > to about 600 C or higher. The temperature in the lower chamber 124 is controlled by adjusting the speed of the blower unit (not shown) and by radiating from the lower lamp modules 110B disposed below the lower chamber 124, And can be controlled within a temperature range of about 600 DEG C or higher. The pressure in the process volume 118 may be from about 0.1 Torr to about 600 Torr, such as from about 5 Torr to about 30 Torr.

기판(114)의 표면 상의 온도는 하측 챔버(124) 내의 하측 램프 모듈들(110B)에 대한 전력 조절에 의해, 또는 상측 챔버(105) 위에 있는 상측 램프 모듈들(110A), 및 하측 챔버(124) 내의 하측 램프 모듈들(110B) 둘 다에 대한 전력 조절에 의해 제어될 수 있다. 처리 용적(118) 내의 전력 밀도는 약 40W/㎠ 내지 약 400W/㎠, 예컨대 약 80W/㎠ 내지 약 120W/㎠일 수 있다. The temperature on the surface of the substrate 114 is controlled by power regulation for the lower lamp modules 110B in the lower chamber 124 or by the upper lamp modules 110A and the lower chamber 124 Lt; RTI ID = 0.0 > 110B < / RTI > The power density in the process volume 118 may be from about 40 W / cm 2 to about 400 W / cm 2, such as about 80 W / cm 2 to about 120 W / cm 2.

일 양태에서, 가스 분배 어셈블리(150)는 챔버(100) 또는 기판(114)의 중심 축(102)에 수직하게, 또는 그 중심 축에 대한 반경 방향(106)으로 배치된다. 이러한 배향에서, 가스 분배 어셈블리(150)는 기판(114)의 표면을 가로질러 반경 방향(106)으로, 또는 기판의 표면에 평행하게 프로세스 가스들을 유동시키도록 적응된다. 하나의 응용에서, 프로세스 가스들은 처리 용적(118)에의 도입 이전에 가스들의 예비가열을 개시하고/거나 가스들 내의 특정 결합들을 파괴하기 위해, 챔버(100)에의 도입 지점에서 예비가열될 수 있다. 이러한 방식으로, 표면 반응 동역학은 기판(114)의 열 온도와는 독립적으로 수정될 수 있다.In one aspect, the gas distribution assembly 150 is disposed perpendicular to the central axis 102 of the chamber 100 or the substrate 114, or in the radial direction 106 with respect to its central axis. In this orientation, the gas distribution assembly 150 is adapted to flow process gases in a radial direction 106 across the surface of the substrate 114, or parallel to the surface of the substrate. In one application, the process gases may be preheated at the point of introduction into the chamber 100 to initiate preheating of the gases prior to introduction into the process volume 118 and / or to break certain bonds within the gases. In this manner, the surface reaction kinetics can be modified independently of the heat temperature of the substrate 114. [

도 2는 구현에 따라, 조절가능한 브래킷(200)을 갖는 상측 램프 모듈(110A)을 도시한다. 조절가능한 브래킷(200)은 상측 램프 모듈(110A)에 연결되는 베이스(202), 제1 부재(204), 및 제2 부재(206)를 포함한다. 베이스(202)는 전기 전도성 및 복사 생성 컴포넌트들과 호환가능한 재료들로 구성될 수 있다. 일 구현에서, 베이스(202)는 세라믹으로 구성된다.Figure 2 shows an upper lamp module 110A with an adjustable bracket 200, according to an embodiment. The adjustable bracket 200 includes a base 202, a first member 204, and a second member 206 that are connected to the upper lamp module 110A. The base 202 may be comprised of materials compatible with the electrically conductive and radiation generating components. In one implementation, the base 202 is comprised of a ceramic.

램프 베이스일 수 있는 베이스(202)는 제1 부재(204) 및 제2 부재(206)에 연결될 수 있다. 제1 부재(204)는 베이스(202)에 연결될 수 있다. 본 명세서에서 이용될 때, "~와 연결되는(connected with)"은 2개의 객체 사이의 연결이 개재 객체(intervening object)를 포함할 수 있음을 나타내고, "~에 연결되는(connected to)"은 2개의 객체 사이의 연결이 직접적임을 나타낸다. 또한, 개재 객체는 2개의 객체의 "사이에 연결되는" 것으로서 언급될 수 있다. 제1 부재(204)는 여기에서 제1 암(208) 및 제2 암(212)으로서 도시된 하나 이상의 암을 가질 수 있다. 하나 이상의 암은 하나 이상의 접속 지점에서 제1 부재(204)를 제2 부재(206)와 연결할 수 있다. 이러한 구현에서, 제1 암(208)은 코일 스프링, 리프 스프링, 또는 임의의 다른 유형의 스프링일 수 있는 스프링(210)에 의해 제2 부재(206)와 연결된다. 제2 암(212)은 여기에서 볼트로서 도시된 피벗(214)에 의해 제2 부재(206)에 연결된다. 제2 부재(206)는 커넥터들(216)에 의해 챔버(100)에 연결된다. 여기에서 마이크로미터로서 도시된 조절기(218)는 제1 부재(204)와 연결되고, 제1 부재(204)와 제2 부재(206) 사이에 위치된다. 이러한 구현에서, 조절기(218)의 베이스는 제2 부재(206)의 일부분 상에 놓인다. 그러나, 조절기(218)가 제2 부재(206)에 접촉할 필요는 없다. The base 202, which may be a lamp base, may be connected to the first member 204 and the second member 206. The first member 204 may be connected to the base 202. As used herein, "connected with" indicates that a connection between two objects may include an intervening object, and "connected to" Indicates that the connection between two objects is direct. An intervening object may also be referred to as being "connected" between two objects. The first member 204 may have at least one arm here shown as a first arm 208 and a second arm 212. The one or more arms may couple the first member 204 with the second member 206 at one or more attachment points. In this embodiment, the first arm 208 is connected to the second member 206 by a spring 210, which may be a coil spring, a leaf spring, or any other type of spring. The second arm 212 is connected to the second member 206 by a pivot 214 shown here as a bolt. The second member 206 is connected to the chamber 100 by connectors 216. Here, the regulator 218, shown as a micrometer, is connected to the first member 204 and is located between the first member 204 and the second member 206. In this implementation, the base of the adjuster 218 lies on a portion of the second member 206. However, the adjuster 218 need not contact the second member 206.

필라멘트를 갖는 램프 구현의 동작에서, 상측 램프 모듈(110A)의 필라멘트(190)는 기판(114)의 열 처리에서 이용되는 에너지 또는 복사를 생성한다. 특정 횟수의 사이클 후에, 필라멘트(190)가 기판(114)을 향해 처질 때와 같이, 예컨대 중력 방향을 향한 처짐에 의해, 필라멘트(190)는 위치 및/또는 배향을 변경하기 시작할 수 있다. 객체의 위치는 3차원 공간을 고려한 것이다. In operation of a lamp implementation with filaments, the filament 190 of the upper lamp module 110A produces energy or radiation utilized in the thermal processing of the substrate 114. [ After a certain number of cycles, the filament 190 may begin to change its position and / or orientation, e.g., by sagging toward the gravitational direction, such as when the filament 190 is sagged toward the substrate 114. The location of the object takes into account the three-dimensional space.

필라멘트(190)의 위치 및 배향의 변경은 상측 챔버(105)의 상측 윈도우(104)를 통해, 그리고 그에 따라 기판(114)에 전달되는 복사의 양에 영향을 줄 것이다. 조절기(218)는 제2 부재(206)의 일부분과 같은 벽에 대하여, 그리고 제1 부재(204)에 대하여 제1 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절기(218)로부터 힘이 인가됨에 따라, 제1 부재(204)는 피벗(214)에서 제2 부재(206)와 관련하여 피벗할 것이다. 제1 부재(204)가 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 스프링(210)은 조절기(218)의 힘에 반대되는 방향으로 힘을 제공하고, 그에 의해 제1 부재(204)는 사용자의 요구에 기초하여 상향 및 하향 둘 다로 재위치될 수 있다. 상측 램프 모듈(110A)의 위치를 시프트할 수 있는 것에 의해, 필라멘트(190)에서의 처짐의 효과들이 완화될 수 있다. A change in the location and orientation of the filament 190 will affect the amount of radiation transmitted through the upper window 104 of the upper chamber 105 and thus to the substrate 114. The adjuster 218 may be adjusted to provide a first force against the wall, such as a portion of the second member 206, and against the first member 204. [ As force is applied from the adjuster 218, the first member 204 will pivot relative to the second member 206 at the pivot 214. As the first member 204 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be repositioned in a controlled manner. The spring 210 provides a force in a direction opposite to the force of the regulator 218 such that the first member 204 can be repositioned both upward and downward based on the user's request. By being able to shift the position of the upper lamp module 110A, the effects of sagging in the filament 190 can be mitigated.

도 3은 다른 구현에 따라, 조절가능한 브래킷(300)과 관련하여 상측 램프 모듈(110A)을 도시한다. 조절가능한 브래킷(300)은 상측 램프 모듈(110A)에 연결된 베이스(302)를 포함한다. 베이스(302)는 도 2의 베이스(202)를 참조하여 설명된 것과 같은 재료로 구성될 수 있다.FIG. 3 illustrates an upper lamp module 110A in conjunction with an adjustable bracket 300, in accordance with another implementation. The adjustable bracket 300 includes a base 302 connected to the upper lamp module 110A. The base 302 may be constructed of the same material as described with reference to the base 202 of FIG.

베이스(302)는 제1 부재(304) 및 제2 부재(306)에 연결된다. 제1 부재(304)는 여기에서 제1 암(308) 및 제2 암(312)으로서 도시된 하나 이상의 암을 가질 수 있다. 이러한 구현에서, 제1 암(308)은 스프링(310)을 이용하여 제2 부재(306)와 연결된다. 제2 암(312)은 여기에서 볼트로서 도시된 피벗(314)을 이용하여 제2 부재(306)에 연결된다. 제2 부재(306)는 커넥터들(316)에 의해 챔버(100)에 연결된다. 이러한 구현에서, 조절 볼트(318)는 제1 부재(304)와 연결되고, 제1 부재(304)와 제2 부재(306) 사이에 위치되며, 조절 볼트(318)의 베이스는 제2 부재(306)의 일부분 상에 놓인다. 조절 볼트(318)는 알려진 피치를 갖는 임의의 스레디드 로드(threaded rod)일 수 있다.The base 302 is connected to the first member 304 and the second member 306. The first member 304 may have at least one arm shown here as a first arm 308 and a second arm 312. In this embodiment, the first arm 308 is connected to the second member 306 using a spring 310. The second arm 312 is connected to the second member 306 using a pivot 314 shown here as a bolt. The second member 306 is connected to the chamber 100 by connectors 316. In this embodiment, the adjustment bolt 318 is connected to the first member 304 and is located between the first member 304 and the second member 306, and the base of the adjustment bolt 318 is connected to the second member 306). The adjustment bolt 318 may be any threaded rod having a known pitch.

동작 시에, 상측 램프 모듈(110A)의 필라멘트(190)는 기판(114)의 열 처리에서 이용되는 에너지 또는 복사를 생성한다. 특정 횟수의 사이클 후에, 필라멘트(190)는 도 2를 참조하여 위에서 설명된 것과 같이 처지기 시작할 수 있다. 조절 볼트(318)는 예컨대 제2 부재(306)의 일부분과 같은 벽에 대하여, 그리고 제1 부재(304)에 대하여 제1 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절 볼트(318)로부터 힘이 인가됨에 따라, 제1 부재(304)는 피벗(314)에서 제2 부재(306)와 관련하여 피벗할 것이다. 제1 부재(304)가 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 스프링(310)은 조절 볼트(318)의 힘에 반대되는 방향으로 힘을 제공하고, 그에 의해 제1 부재(304)는 사용자의 요구에 기초하여 상향 및 하향 둘 다로 재위치될 수 있게 된다.In operation, the filament 190 of the upper lamp module 110A produces energy or radiation utilized in the thermal processing of the substrate 114. After a certain number of cycles, the filament 190 may begin to sag as described above with reference to Fig. The adjustment bolt 318 may be adjusted to provide a first force against the wall, such as, for example, a portion of the second member 306 and against the first member 304. [ As force is applied from the adjustment bolt 318, the first member 304 will pivot relative to the second member 306 at the pivot 314. As the first member 304 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be repositioned in a controlled manner. The spring 310 provides a force in a direction opposite to the force of the adjustment bolt 318 so that the first member 304 can be repositioned both upward and downward based on a user ' s demand.

다른 조절기들이 이용될 수 있다. 일례에서, 조절기(218), 조절 볼트(318), 스프링(210), 및/또는 스프링(310)을 대신하여, 액추에이터가 이용될 수 있다. 액추에이터는 원격으로 제어될 수 있고, 그에 의해 사용자는 상측 램프 모듈들(110A)의 높이를 수동으로 조절할 필요가 없게 된다. 일 구현에서, 액추에이터는 상기 동작들을 수행하도록 구성된 컴퓨터를 이용하여 제어된다. 다른 구현에서, 제어된 지향성 힘(controlled directional force)을 제공하기 위한 단일 디바이스가 복수의 상측 램프 모듈(110A)을 위한 힘을 인가하기 위해 이용된다. Other regulators may be used. In one example, instead of the adjuster 218, the adjustment bolt 318, the spring 210, and / or the spring 310, an actuator may be used. The actuators can be remotely controlled, thereby eliminating the need for the user to manually adjust the height of the upper lamp modules 110A. In one implementation, the actuator is controlled using a computer configured to perform the operations. In another implementation, a single device for providing a controlled directional force is used to apply force for a plurality of upper lamp modules 110A.

도 4의 (a)는 다른 구현에 따라, 조절가능한 브래킷(400)과 관련하여 상측 램프 모듈(110A)을 도시한다. 조절가능한 브래킷(400)은 상측 램프 모듈(110A)에 연결된 베이스(402)를 포함한다. 베이스(402)는 도 2의 베이스(202)를 참조하여 설명된 것과 같은 재료로 구성될 수 있다.Figure 4 (a) shows the upper lamp module 110A in relation to the adjustable bracket 400, according to another implementation. The adjustable bracket 400 includes a base 402 connected to the upper lamp module 110A. The base 402 may be constructed of the same material as described with reference to the base 202 of FIG.

베이스(402)는 조절가능한 브래킷(404)에 연결된다. 여기에서, 조절가능한 브래킷(404)은 지그재그 구성을 갖는 단일체 설계로서 도시되고, 그에 따라 2개의 표면, 즉 상측 표면(406) 및 하측 표면(408)을 생성한다. 상측 표면(406)은 베이스(402)에 연결된다. 하측 표면(408)은 여기에서 스프링 로드 볼트(spring-loaded bolt)(410) 및 스프링 로드 볼트(412)로서 도시된 복수의 스프링 로드 볼트를 이용하여 챔버(100)와 연결된다. 스프링 로드 볼트들(410 및 412)은 스프링들을 갖는 길쭉한 볼트들(elongated bolts)이며, 스프링들은 여기에서 하측 표면(408)으로서 도시된 표면과 길쭉한 볼트의 헤드 사이에 위치된다. The base 402 is connected to the adjustable bracket 404. Here, the adjustable bracket 404 is shown as a monolithic design with a zigzag configuration, thereby creating two surfaces, an upper surface 406 and a lower surface 408. The upper surface 406 is connected to the base 402. The lower surface 408 is here coupled to the chamber 100 using a plurality of spring rod bolts, shown here as spring-loaded bolts 410 and spring rod bolts 412. The spring rod bolts 410 and 412 are elongated bolts with springs which are then positioned between the surface shown as the lower surface 408 and the head of the elongated bolt.

조절 웨지(414)는 하측 표면(408)의 에지에 위치될 수 있다. 도 4의 (b)는 일 구현에 따른 조절 웨지(414)의 더 상세한 도면을 제공한다. 조절 웨지(414)는 기울어진 벽(420), 지지 벽(422), 전면 벽(424), 후면 벽(426), 및 2개의 측벽(428)을 가질 수 있다. 기울어진 벽(420)은 조절 웨지(414)의 상측 표면을 형성하고, 그에 의해 후면 벽(426)과 전면 벽(424) 사이의 감소된 높이를 허용한다. 지지 벽(422)은 기울어진 벽(420)에 실질적으로 대향한다. 조절 웨지(414)는 트랙(도시되지 않음)을 따라 이동할 수 있고, 트랙은 지지 벽(422)과 관련되어 정밀한 이동을 제공한다. 후면 벽(426)은 조절 지지체(416)에 대향한다. 이러한 구현에서, 조절 지지체(416)는 L 형상 디바이스로서 도시된다. 그러나, 조절 지지체(416)의 형상은 제한을 의도한 것이 아니다. 조절 지지체(416)는 조절 웨지(414)의 방향으로 벽을 관통하여 형성되는 하나 이상의 조절 볼트(418)를 가질 수 있다. 조절 볼트들(418)은 알려진 피치를 갖는 임의의 스레디드 로드일 수 있다.The adjustment wedge 414 may be located at the edge of the lower surface 408. Figure 4 (b) provides a more detailed view of the adjustment wedge 414 in accordance with one implementation. The adjustment wedge 414 may have an inclined wall 420, a support wall 422, a front wall 424, a rear wall 426, and two side walls 428. The tilted wall 420 forms the upper surface of the adjustment wedge 414 thereby permitting a reduced height between the rear wall 426 and the front wall 424. The support wall 422 is substantially opposite the tilted wall 420. The adjustment wedge 414 is movable along a track (not shown), and the track is associated with the support wall 422 to provide precise movement. The rear wall 426 faces the adjustment support 416. In this embodiment, the regulating support 416 is shown as an L-shaped device. However, the shape of the regulating support 416 is not intended to be limiting. The adjustment support 416 may have one or more adjustment bolts 418 formed through the wall in the direction of the adjustment wedge 414. The adjustment bolts 418 may be any threaded rod with a known pitch.

동작 시에, 상측 램프 모듈(110A)의 필라멘트(190)는 기판(114)의 열 처리에서 이용되는 에너지 또는 복사를 생성한다. 특정 횟수의 사이클 후에, 필라멘트(190)는 도 2를 참조하여 위에서 설명된 것과 같이 처지기 시작할 수 있다. 조절 볼트(418)는 후면 벽(426)에 대하여, 그리고 조절 지지체(416)에 대하여 제1 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절 볼트(418)로부터 힘이 인가됨에 따라, 조절 웨지(414)는 조절 지지체(416)와 관련하여 이동 또는 슬라이드할 것이다. 다음으로, 조절 웨지(414)는 베이스(402)의 하측 표면(408) 아래에서 슬라이드할 것이다. 조절 웨지(414)로부터의 힘은 스프링 로드 볼트들(410 및 412) 중 하나 이상이 압축하게 할 것이고, 조절 가능한 브래킷(404)이 피벗하게 할 것이다. 조절가능한 브래킷(404)은 상측 램프 모듈(110A)의 중심 축에 수직한 축에 대하여 피벗하는데, 왜냐하면 조절 웨지(414)에 가장 가까운 스프링 로드 볼트(412)의 스프링이, 조절가능한 웨지(414)로부터 더 먼 스프링 로드 볼트들(410 및 412)의 스프링보다 더 많이 압축하기 때문이다. 조절가능한 브래킷(404)이 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 스프링 로드 볼트들(410 및 412)은 조절 웨지(414)의 힘에 반대되는 방향으로 힘을 제공하고, 그에 의해 조절가능한 브래킷(404)은 사용자의 요구에 기초하여 상향 및 하향 둘 다로 재위치될 수 있다. 조절 웨지(414)는 상측 램프 모듈(110A)의 정밀한 기울기가 달성되는 것을 보장하기 위해 모든 면에서 캘리브레이션될 것이다. 조절 웨지(414)는 베이스(402)의 (도 4의 (a)에 도시된 것과 같은) 전면 또는 후면 중 어느 하나에 장착될 수 있다.In operation, the filament 190 of the upper lamp module 110A produces energy or radiation utilized in the thermal processing of the substrate 114. After a certain number of cycles, the filament 190 may begin to sag as described above with reference to Fig. The adjustment bolt 418 can be adjusted to provide a first force against the back wall 426 and against the adjustment support 416. [ As force is applied from the adjustment bolt 418, the adjustment wedge 414 will move or slide relative to the adjustment support 416. Next, the adjustment wedge 414 will slide under the lower surface 408 of the base 402. The force from the adjustment wedge 414 will cause one or more of the spring rod bolts 410 and 412 to compress and the adjustable bracket 404 will pivot. The adjustable bracket 404 pivots about an axis that is perpendicular to the central axis of the upper lamp module 110A because the spring of the spring rod bolt 412 closest to the adjustment wedge 414 pushes the adjustable wedge 414, Because the spring of the spring load bolts 410 and 412 farther away from the spring load bolts is more compressed than the spring of the spring load bolts 410 and 412. As the adjustable bracket 404 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be relocated in a controlled manner. The spring rod bolts 410 and 412 provide a force in a direction opposite to the force of the adjustment wedge 414 so that the adjustable bracket 404 is repositioned both upward and downward based on the user & . The adjustment wedge 414 will be calibrated in all aspects to ensure that a precise slope of the upper lamp module 110A is achieved. The adjustment wedge 414 may be mounted on either the front or rear surface of the base 402 (as shown in Figure 4 (a)).

도 5는 다른 구현에 따라, 조절가능한 브래킷(500)과 관련하여 상측 램프 모듈(110A)을 도시한다. 조절가능한 브래킷(500)은 상측 램프 모듈(110A)에 연결된 베이스(502)를 포함한다. 베이스(502)는 도 2의 베이스(202)를 참조하여 설명된 것과 같은 재료로 구성될 수 있다.Figure 5 shows an upper lamp module 110A in relation to an adjustable bracket 500, in accordance with another implementation. The adjustable bracket 500 includes a base 502 connected to the upper lamp module 110A. The base 502 may be constructed of the same material as described with reference to the base 202 of FIG.

베이스(502)는 조절가능한 브래킷(504)에 연결된다. 여기에서, 조절가능한 브래킷(504)은 지그재그 구성을 갖는 단일체 설계로서 도시되고, 그에 따라 2개의 표면, 즉 상측 표면(506) 및 하측 표면(508)을 생성한다. 상측 표면(506)은 베이스(502)에 연결된다. 하측 표면(508)은 여기에서 스프링 로드 볼트(510) 및 스프링 로드 볼트(512)로서 도시된 복수의 스프링 로드 볼트를 이용하여 챔버(100)와 연결된다. 스프링 로드 볼트들(510 및 512)은 스프링들을 갖는 길쭉한 볼트들이며, 스프링들은 여기에서 하측 표면(508)으로서 도시된 표면과 길쭉한 볼트의 헤드 사이에 위치된다.The base 502 is connected to the adjustable bracket 504. Here, the adjustable bracket 504 is shown as a monolithic design with a zigzag configuration, thereby creating two surfaces, an upper surface 506 and a lower surface 508. The upper surface 506 is connected to the base 502. The lower surface 508 is here connected to the chamber 100 using a plurality of spring rod bolts, shown as spring rod bolts 510 and spring rod bolts 512. The spring rod bolts 510 and 512 are elongated bolts with springs, wherein the springs are positioned between the surface shown here as the lower surface 508 and the head of the elongated bolt.

여기에서 조절 웨지들(514a 및 514b)로서 도시된 복수의 조절 웨지는 하측 표면(508)의 에지에 위치될 수 있다. 조절 웨지들(514a 및 514b)은 도 4의 (b)를 참조하여, 기울어진 벽(420), 지지 벽(422), 전면 벽(424), 후면 벽(426), 및 2개의 측벽(428)으로서 도시되고 설명된, 기울어진 벽, 지지 벽, 전면 벽, 후면 벽, 및 2개의 측벽을 갖는다. 조절 웨지들(514a 및 514b)은 트랙(도시되지 않음)을 따라 이동할 수 있고, 트랙은 지지 벽과 관련되어 정밀한 이동을 제공한다. 조절 웨지들(514a 및 514b)의 후면 벽들은 조절 지지체들(516a 및 516b)에 대향한다. 이러한 구현에서, 조절 지지체들(516a 및 516b)은 L 형상 디바이스로서 도시된다. 그러나, 조절 지지체들(516a 및 516b)의 형상은 제한을 의도한 것이 아니다. 조절 지지체들(516a 및 516b)은 각각의 조절 웨지들(514a 및 514b)의 방향으로 벽을 관통하여 형성된 하나 이상의 조절 볼트를 가질 수 있고, 조절 볼트들은 여기에서 조절 볼트들(518a 및 518b)로서 도시된다. 조절 볼트들(518a 및 518b)은 알려진 피치를 갖는 스레디드 로드와 같은 스레디드 로드일 수 있다.A plurality of adjustment wedges, shown here as adjustment wedges 514a and 514b, may be located at the edge of the lower surface 508. [ 4B, the adjustment wedges 514a and 514b are configured to include an inclined wall 420, a support wall 422, a front wall 424, a rear wall 426, and two side walls 428 A supporting wall, a front wall, a rear wall, and two sidewalls, which are shown and described as < RTI ID = 0.0 > The adjustment wedges 514a and 514b can move along a track (not shown), and the track is associated with the support wall to provide precise movement. The rear walls of the adjustment wedges 514a and 514b face the adjustment supports 516a and 516b. In such an implementation, regulating supports 516a and 516b are shown as L-shaped devices. However, the shape of the adjustment supports 516a and 516b is not intended to be limiting. The adjustment supports 516a and 516b may have one or more adjustment bolts formed through the wall in the direction of the respective adjustment wedges 514a and 514b and the adjustment bolts may here be used as adjustment bolts 518a and 518b Respectively. The adjustment bolts 518a and 518b may be threaded rods, such as threaded rods having known pitches.

동작 시에, 상측 램프 모듈(110A)의 필라멘트(190)는 기판(114)의 열 처리에서 이용되는 에너지 또는 복사를 생성한다. 특정 횟수의 사이클 후에, 필라멘트(190)는 도 2를 참조하여 위에서 설명된 것과 같이 처지기 시작할 수 있다. 조절 볼트들(518a 및 518b)은 후면 벽에 대하여, 그리고 조절 지지체들(516a 및 516b)에 대하여 제1 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절 볼트(518)로부터 힘이 인가됨에 따라, 조절 웨지들(514a 및 514b)은 조절 지지체(516)와 관련하여 이동 또는 슬라이드할 것이다. 다음으로, 조절 웨지들(514a 및 514b)은 베이스(502)의 하측 표면(508) 아래에서 슬라이드할 것이다. 조절 웨지들(514a 및 514b) 각각으로부터의 힘은 스프링 로드 볼트들(510 및 512) 중 하나 이상이 압축하게 할 것이고, 조절 가능한 브래킷(504)이 피벗 또는 리프트하게 할 것이다. 일 구현에서, 조절가능한 브래킷(504)은 상측 램프 모듈(110A)의 중심 축에 수직한 축에 대하여 피벗하는데, 왜냐하면 조절 웨지들(514a 및 514b)에 가장 가까운 스프링 로드 볼트(512)의 스프링이 조절가능한 웨지들(514a 및 514b)로부터 더 먼 스프링 로드 볼트들(510 및 512)의 스프링들보다 더 많이 압축하기 때문이다. 조절가능한 브래킷(504)이 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 다른 구현에서, 상측 램프 모듈(110A)의 조절가능한 브래킷(504)은 원래의 배향 파라미터들[예를 들어, 피치, 롤(roll), 편요각(yaw), 또는 그들의 조합들] 중 적어도 하나를 유지하면서 제2 위치로 리프트되는데, 왜냐하면 스프링 로드 볼트들(510 및 512)의 스프링들이 상술한 배향 파라미터들 중 하나 이상을 유지하는 방식으로 압축되기 때문이다. 조절가능한 브래킷(504)이 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 스프링 로드 볼트들(510 및 512)은 조절 웨지들(514a 및 514b)의 힘에 반대되는 방향으로 힘을 제공하고, 그에 의해, 조절가능한 브래킷(504)은 사용자의 요구에 기초하여 상향 및 하향 둘 다로 재위치될 수 있게 된다. 조절 웨지들(514a 및 514b)은 상측 램프 모듈(110A)의 정밀한 기울기가 달성되는 것을 보장하기 위해 모든 면에서 캘리브레이션될 것이다. 이러한 구현에서는 위치 및 배향 둘 다의 조합들이 동시에 변경될 수 있고, 그에 의해 디바이스는 공간적으로 시프트되고 새로운 위치에서 배향된다.In operation, the filament 190 of the upper lamp module 110A produces energy or radiation utilized in the thermal processing of the substrate 114. After a certain number of cycles, the filament 190 may begin to sag as described above with reference to Fig. The adjustment bolts 518a and 518b may be adjusted to provide a first force against the back wall and against the adjustment supports 516a and 516b. As force is applied from the adjustment bolt 518, the adjustment wedges 514a and 514b will move or slide relative to the adjustment support 516. [ Next, the adjustment wedges 514a and 514b will slide below the lower surface 508 of the base 502. The force from each of the adjustment wedges 514a and 514b will cause one or more of the spring rod bolts 510 and 512 to compress and will cause the adjustable bracket 504 to pivot or lift. In one implementation, the adjustable bracket 504 pivots about an axis perpendicular to the central axis of the upper ramp module 110A, because the spring of the spring rod bolt 512 closest to the adjustment wedges 514a and 514b Because it compresses more than the springs of the spring load bolts 510 and 512 farther from the adjustable wedges 514a and 514b. As the adjustable bracket 504 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be repositioned in a controlled manner. In another implementation, the adjustable bracket 504 of the upper lamp module 110A includes at least one of the original orientation parameters (e.g., pitch, roll, yaw, or combinations thereof) While the springs of the spring rod bolts 510 and 512 are compressed in such a way as to maintain one or more of the alignment parameters described above. As the adjustable bracket 504 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be repositioned in a controlled manner. The spring load bolts 510 and 512 provide a force in a direction opposite to the force of the adjustment wedges 514a and 514b so that the adjustable bracket 504 is biased upward and downward So that it can be repositioned. The adjustment wedges 514a and 514b will be calibrated in all respects to ensure that a precise slope of the upper lamp module 110A is achieved. In this implementation, combinations of both position and orientation can be changed at the same time, whereby the device is spatially shifted and oriented at a new position.

도 6은 다른 구현에 따라, 조절가능한 브래킷(600)과 관련하여 상측 램프 모듈(110A)을 도시한다. 조절가능한 브래킷(600)은 상측 램프 모듈(110A)에 연결된 베이스(602)를 포함한다. 베이스(602)는 도 2의 베이스(202)를 참조하여 설명된 것과 같은 재료들로 구성될 수 있다.Figure 6 shows an upper lamp module 110A in relation to an adjustable bracket 600, in accordance with another implementation. The adjustable bracket 600 includes a base 602 connected to the upper lamp module 110A. The base 602 may be composed of materials such as those described with reference to the base 202 of FIG.

베이스(602)는 제1 부재(604) 및 제2 부재(606)에 연결된다. 제1 부재(604)는 여기에서 제1 암(608) 및 제2 암(612)으로서 도시된 하나 이상의 암을 가질 수 있다. 이러한 구현에서, 제1 암(608)은 스프링(610)을 이용하여 제2 부재(606)와 연결된다. 제2 암(612)은 여기에서 볼트로서 도시된 피벗(614)을 이용하여 제2 부재(606)에 연결된다. 제2 부재(606)는 커넥터들(616)에 의해 챔버(100)에 연결된다. 여기에 도시된 바와 같이, 커넥터들(616)은 스프링 로드 볼트들이다. 이러한 구현에서, 조절 볼트(618)는 제1 부재(604)와 연결되고, 제1 부재(604)와 제2 부재(606) 사이에 위치되며, 조절 볼트(618)의 베이스는 제2 부재(606)의 일부분 상에 놓인다. 조절 볼트(618)는 알려진 피치를 갖는 스레디드 로드와 같은 임의의 스레디드 로드일 수 있다.The base 602 is connected to the first member 604 and the second member 606. The first member 604 may have at least one arm here shown as a first arm 608 and a second arm 612. In this embodiment, the first arm 608 is connected to the second member 606 using a spring 610. [ The second arm 612 is connected to the second member 606 using a pivot 614 shown here as a bolt. The second member 606 is connected to the chamber 100 by connectors 616. As shown here, the connectors 616 are spring rod bolts. The adjustment bolt 618 is connected to the first member 604 and is positioned between the first member 604 and the second member 606 and the base of the adjustment bolt 618 is connected to the second member 606. < / RTI > The adjustment bolt 618 may be any threaded rod, such as a threaded rod having a known pitch.

추가로, 제2 부재(606)는 조절 웨지(624)를 수용하기 위한 슬릿(622)을 가질 수 있다. 조절 웨지(624)는 도 4의 (b)를 참조하여, 기울어진 벽(420), 지지 벽(422), 전면 벽(424), 후면 벽(426), 및 2개의 측벽(428)으로서 도시되고 설명된, 기울어진 벽, 지지 벽, 전면 벽, 후면 벽, 및 2개의 측벽을 갖는다. 조절 웨지(624)는 트랙(도시되지 않음)을 따라 이동할 수 있고, 트랙은 지지 벽과 관련되어 정밀한 이동을 제공한다. 조절 웨지(624)의 후면 벽들은 조절 지지체(626)에 대향한다. 이러한 구현에서, 조절 지지체(626)는 L 형상 디바이스로서 도시된다. 그러나, 조절 지지체(626)의 형상은 제한을 의도한 것이 아니다. 조절 지지체(626)는 각각의 조절 웨지(624)의 방향으로 벽을 관통하여 형성되는, 여기에서 조절 볼트(628)로서 도시된 하나 이상의 조절 볼트를 가질 수 있다. 조절 볼트(628)는 알려진 피치를 갖는 스레디드 로드와 같은 스레디드 로드일 수 있다.In addition, the second member 606 may have a slit 622 for receiving the adjustment wedge 624. The adjustment wedge 624 includes a tilted wall 420, a support wall 422, a front wall 424, a rear wall 426, and two side walls 428, as shown in Figure 4 (b) A tapered wall, a support wall, a front wall, a rear wall, and two sidewalls. The adjustment wedge 624 is movable along a track (not shown), and the track is associated with the support wall to provide precise movement. The rear walls of the adjustment wedge 624 face the adjustment support 626. In this embodiment, the regulating support 626 is shown as an L-shaped device. However, the shape of the regulating support 626 is not intended to be limiting. The adjustment support 626 may have one or more adjustment bolts, here shown as adjustment bolts 628, formed through the wall in the direction of each adjustment wedge 624. The adjustment bolt 628 may be a threaded rod, such as a threaded rod having a known pitch.

동작 시에, 상측 램프 모듈(110A)의 필라멘트(190)는 기판(114)의 열 처리에서 이용되는 에너지 또는 복사를 생성한다. 특정 횟수의 사이클 후에, 필라멘트(190)는 도 2를 참조하여 위에서 설명된 것과 같이 처지기 시작할 수 있다. 조절 볼트(618)는 예컨대 제2 부재(606)의 일부분과 같은 벽에 대하여, 그리고 제1 부재(604)에 대하여 제1 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절 볼트(618)로부터 힘이 인가됨에 따라, 제1 부재(604)는 피벗(614)에서 제2 부재(606)에 대하여 피벗할 것이다. 제1 부재(604)가 피벗함에 따라, 상측 램프 모듈(110A) 및 필라멘트(190)는 제어된 방식으로 재위치될 것이다. 스프링(610)은 조절 볼트(618)의 힘에 반대되는 방향으로 힘을 제공하고, 그에 의해 제1 부재(604)는 사용자의 요구에 기초하여 상향 및 하향 둘 다로 재위치될 수 있다. 조절 볼트(618)와 동시에, 또는 조절 볼트와는 독립적으로, 조절 볼트(628)는 후면 벽에 대하여, 그리고 조절 지지체(626)에 대하여 제2 힘을 제공하도록 조절될 수 있다. 조절 볼트(628)로부터 힘이 인가됨에 따라, 조절 웨지(624)는 조절 지지체(626)와 관련하여 이동 또는 슬라이드할 것이다. 다음으로, 조절 웨지(624)는 슬릿(622) 아래에서 슬라이드할 것이다. 조절 웨지(624)로부터의 힘은 스프링 로드 볼트들(510 및 512)이 기울어지거나 압축하거나 둘 다 하게 할 것이고, 그에 의해 제1 부재(604)가 피벗 또는 리프트하게 할 것이다. In operation, the filament 190 of the upper lamp module 110A produces energy or radiation utilized in the thermal processing of the substrate 114. After a certain number of cycles, the filament 190 may begin to sag as described above with reference to Fig. The adjustment bolt 618 can be adjusted to provide a first force against the wall, such as, for example, a portion of the second member 606 and against the first member 604. [ As force is applied from the adjustment bolt 618, the first member 604 will pivot relative to the second member 606 at the pivot 614. As the first member 604 pivots, the upper lamp module 110A and the filament 190 will be relocated in a controlled manner. The spring 610 provides a force in a direction opposite to the force of the adjustment bolt 618, whereby the first member 604 can be repositioned both upward and downward based on the user ' s demand. Simultaneously with or independently of the adjustment bolt 618, the adjustment bolt 628 can be adjusted to provide a second force against the back wall and against the adjustment support 626. As force is applied from the adjustment bolt 628, the adjustment wedge 624 will move or slide relative to the adjustment support 626. Next, the adjustment wedge 624 will slide under the slit 622. The force from the adjustment wedge 624 will cause the spring rod bolts 510 and 512 to tilt, compress, or both, thereby causing the first member 604 to pivot or lift.

다른 조절기들이 이용될 수 있다. 일례에서, 조절기(218), 조절 볼트(618), 스프링(210), 및/또는 스프링(610)을 대신하여, 액추에이터가 이용될 수 있다. 액추에이터는 원격으로 제어될 수 있고, 그에 의해 사용자는 상측 램프 모듈들(110A)의 높이를 수동으로 조절할 필요가 없게 된다. 일 구현에서, 액추에이터는 상기 동작들을 수행하도록 구성된 컴퓨터를 이용하여 제어된다. 다른 구현에서, 복수의 상측 램프 모듈(110A)에 대해 힘을 인가하기 위해, 제어된 지향성 힘을 제공하기 위한 단일 디바이스가 이용된다.Other regulators may be used. In one example, instead of the adjuster 218, the adjustment bolt 618, the spring 210, and / or the spring 610, an actuator may be used. The actuators can be remotely controlled, thereby eliminating the need for the user to manually adjust the height of the upper lamp modules 110A. In one implementation, the actuator is controlled using a computer configured to perform the operations. In another implementation, a single device is used to provide a controlled directional force to apply a force to a plurality of upper lamp modules 110A.

앞에서 설명된 구현들은 많은 이점을 가질 수 있다. 상측 램프 모듈들을 재위치시킬 수 있게 함으로써, 램프 모듈들은 덜 빈번하게 교체될 필요가 있을 것이다. 이것은 램프들의 수명에 걸쳐서 기판들의 비용 절약 및 더 정밀한 열 처리 둘 다를 허용한다. 더욱이, 본 명세서에 설명된 구현들은 상측 램프 모듈을 참조하여 설명되지만, 이러한 구현들은 하측 램프 모듈, 또는 처리 챔버 내에서 이용될 수 있는 다른 램프들에 동등하게 적용될 수 있음이 이해된다. 상술한 이점들은 예시적인 것이며, 제한적이지 않다. 모든 구현들이 이점들 전부를 가질 필요는 없다.The implementations described above can have many advantages. By allowing the upper lamp modules to be relocated, the lamp modules will need to be replaced less frequently. This allows both cost savings of substrates and more precise heat treatment over the lifetime of the lamps. Furthermore, although the implementations described herein are described with reference to an upper lamp module, it is understood that such implementations may be equally applicable to a lower lamp module, or other lamps that may be used in a process chamber. The foregoing advantages are exemplary and not limiting. Not all implementations need to have all of these advantages.

상술한 것은 개시된 장치들, 방법들, 및 시스템들의 구현들에 관한 것이지만, 개시된 장치들, 방법들, 및 시스템들의 다른 구현들 및 추가의 구현들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.Although the foregoing is directed to implementations of the disclosed devices, methods, and systems, other implementations and additional implementations of the disclosed devices, methods, and systems may be made without departing from its basic scope, The scope of which is determined by the following claims.

Claims

An apparatus for processing a semiconductor substrate,
A process chamber including an enclosure defining an interior volume;
A substrate support disposed within the interior volume of the process chamber;
A plurality of radiation emitters;
An adjustable bracket including a base connected to at least one of the radiation emitters, the adjustable bracket being pivotably connected to the process chamber; And
The adjustable bracket
/ RTI >

2. The apparatus of claim 1, wherein the adjustable bracket comprises a first member, and a second member pivotally connected to the first member.

3. The apparatus of claim 2, wherein the first member comprises a first arm and a second arm.

4. The apparatus of claim 3, further comprising a spring connected between the second arm and the second member.

The apparatus of claim 1, wherein the regulator comprises at least one wedge.

2. The apparatus of claim 1, further comprising a spring connected to the adjustable bracket.

2. The apparatus of claim 1, wherein the adjuster applies a force between a component of the process chamber and the adjustable bracket.

A system for processing a substrate,
A process chamber including an enclosure, the enclosure having an upper portion and a lower portion defining a processing region;
A substrate support disposed within the processing region;
A plurality of lamp modules coupled to the upper portion for transferring radiation to the processing region;
An adjustable bracket coupled to at least one of the lamp modules; And
A regulator coupled to the adjustable bracket, the regulator providing a force for pivoting the adjustable bracket;
/ RTI >

9. The system of claim 8, wherein the adjustable bracket comprises a first member pivotally connected to a second member.

10. The system of claim 9, wherein the first member includes a first arm and a second arm, and wherein the first arm is pivotally connected to the second member.

11. The system of claim 10, further comprising a spring connected to the second arm, the spring providing an opposing force to the regulator.

9. The system of claim 8, wherein the adjuster applies a force between the adjustable bracket and a component of the process chamber to pivot the adjustable bracket.

An apparatus for processing a semiconductor substrate,
A plurality of radiation modules < RTI ID = 0.0 >
Each copy module comprising:
Copy source;
An adjustable bracket coupled to the radiation source, the adjustable bracket comprising:
A base connected to the radiation source,
A first member including a first arm and a second arm, the first arm being connected to the base,
A second member connected to the first member by a pivot, and
A spring connected between the second arm and the second member of the first member; And
And a regulator coupled to the first member to provide a pivoting force to the first member.

14. The apparatus of claim 13, wherein the regulator is a micrometer.

14. The apparatus of claim 13, wherein the adjuster applies a force between a component of the process chamber and the adjustable bracket.