KR20170117965A - Optical touch screen apparatus and method of driving the optical touch screen apparatus - Google Patents
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Abstract
광센싱 소자로서 산화물 반도체 트랜지스터를 이용한 광터치 스크린 장치 및 상기 광터치 스크린 장치의 구동 방법을 개시한다. 개시된 광터치 스크린 장치는 입사광을 감지하는 다수의 광센싱 화소, 각각의 광센싱 화소에 게이트 전압 및 리셋 신호를 순차적으로 제공하기 위한 게이트 구동부, 및 각각의 광센싱 화소로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부를 포함할 수 있다. 또한, 게이트 구동부는 행 방향을 따라 배열된 다수의 게이트 라인과 적어도 하나의 리셋 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소들에 연결될 수 있으며, 적어도 하나의 리셋 라인은 광터치 스크린 장치 내의 복수 개의 광센싱 화소들에 전기적으로 연결될 수 있다.An optical touch screen device using an oxide semiconductor transistor as a light sensing device and a driving method of the optical touch screen device are disclosed. The optical touch screen device includes a plurality of optical sensing pixels for sensing incident light, a gate driver for sequentially providing a gate voltage and a reset signal to each optical sensing pixel, and a data driver for receiving a light sensing signal from each optical sensing pixel, And a signal output unit for outputting the signal. In addition, the gate driver may include a plurality of gate lines arranged in the row direction and at least one reset line. Here, each gate line may be connected to light sensing pixels arranged along the same row, and at least one reset line may be electrically connected to a plurality of light sensing pixels in the optical touch screen device.
Description
광터치 스크린 장치(optical touch screen apparatus) 및 그 구동 방법을 개시한다. 더욱 상세하게는, 광센싱 소자로서 산화물 반도체 트랜지스터를 이용한 광터치 스크린 장치 및 상기 광터치 스크린 장치의 구동 방법을 개시한다.An optical touch screen apparatus and a driving method thereof are disclosed. More particularly, an optical touch screen device using an oxide semiconductor transistor as an optical sensing device and a method of driving the optical touch screen device are disclosed.
터치 스크린이란 디스플레이 화면의 특정 위치에 사람의 손이나 펜이 닿으면 그 위치를 파악하여 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력 자료를 받을 수 있게 만든 장치를 말한다. 이를 위하여, 터치 스크린은 일반적인 디스플레이 패널에 터치 패널이라는 장치를 덧붙여서 그 기능을 발휘하도록 한다. 이러한 터치 패널에는 압력식 저항막 방식, 접촉식 정전용량 방식, 표면초음파전도(surface Acoustic Wave; SAW) 방식, 적외선광 감지 방식 및 압전 방식 등의 다양한 종류가 있다. 최근, 터치 스크린은 키보드나 마우스를 대신할 수 있는 입력 장치로서 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다.A touch screen is a device that can receive input data directly from a screen so that a specific position of the display screen can be detected by a human hand or a pen when the touch is reached and the software can perform a specific process. To this end, a touch screen is added to a general display panel by a device called a touch panel, thereby exerting its function. Such a touch panel includes various types such as a pressure resistive film type, a contact type capacitance type, a surface acoustic wave (SAW) type, an infrared light sensing type, and a piezoelectric type. Recently, a touch screen is widely used in various fields as an input device that can replace a keyboard or a mouse.
지금까지 널리 사용되고 있는 터치 스크린은 손이나 펜 등을 이용하여 디스플레이 장치에 직접 터치하는 방식이다. 그러나, 디스플레이 장치가 점차 대형화되면서 사용자와 디스플레이 장치 사이의 거리가 멀어지는 경우에는 이러한 직접 터치 방식을 적용하기가 어려울 수 있다. 이에 따라, 손이나 펜의 접촉 대신에 광을 감지하여 기존의 터치 스크린과 동일한 기능을 수행할 수 있는 광터치 스크린이 제안되고 있다. 광터치 스크린은 사용자와 단말기 간의 의사소통뿐만 아니라 사용자와 사용자 간의 의사소통에도 유리할 것으로 기대되고 있다.A touch screen, which has been widely used so far, is a method of directly touching a display device using a hand or a pen. However, if the distance between the user and the display device is increased as the display device becomes larger and larger, it may be difficult to apply the direct touch method. Accordingly, an optical touch screen capable of sensing light instead of touching a hand or a pen and performing the same function as a conventional touch screen has been proposed. The optical touch screen is expected to be advantageous not only for communication between a user and a terminal but also for communication between a user and a user.
광터치 스크린을 구현하기 위해서는 광을 감지할 수 있는 미세한 크기의 광센싱 소자가 요구된다. 일반적으로 널리 사용되는 광센싱 소자로는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si TFT)가 있다. 그런데, a-Si TFT의 경우, 광에 의한 전류 변화가 충분히 크지 않다. 이에 따라, 광이 인가될 때 포토다이오드에서 발생한 전하를 일정한 시간 동안 캐패시터에 축적한 후, 캐패시터에 축적된 전하량으로부터 광세기에 관한 신호를 발생시킨다. 이렇게 캐패시터를 사용하는 경우, 광터치 스크린의 크기가 커질수록, 기생 커패시턴스가 증가할 수 있다.In order to implement the optical touch screen, a light sensing device of a minute size capable of sensing light is required. In general, an amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) is widely used as a light sensing element. However, in the case of an a-Si TFT, the current change due to light is not sufficiently large. Accordingly, charge generated in the photodiode when light is applied is accumulated in the capacitor for a predetermined time, and a signal related to the light intensity is generated from the amount of charge accumulated in the capacitor. When the capacitor is used as described above, the larger the size of the optical touch screen, the greater the parasitic capacitance.
광센싱 소자로서 산화물 반도체 트랜지스터를 이용한 광터치 스크린 장치를 제공한다.An optical touch screen device using an oxide semiconductor transistor as an optical sensing element is provided.
또한, 상기 광터치 스크린 장치의 구동 방법을 제공한다.Also, a method of driving the optical touch screen device is provided.
본 발명의 일 유형에 따른 광터치 스크린 장치는, 입사광을 감지하는 다수의 광센싱 화소들의 어레이; 각각의 광센싱 화소에 게이트 전압 및 리셋 신호를 제공하기 위한 게이트 구동부; 및 각각의 광센싱 화소로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부;를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 게이트 구동부는 각각의 광센싱 화소에 게이트 전압을 제공하기 위한 다수의 게이트 라인, 및 각각의 광센싱 화소에 리셋 신호를 제공하기 위한 것으로 복수 개의 광센싱 화소들에 전기적으로 연결되어 있는 적어도 하나의 리셋 라인을 포함할 수 있다.An optical touch screen device according to one aspect of the present invention includes an array of a plurality of optical sensing pixels for sensing incident light; A gate driver for providing a gate voltage and a reset signal to each optical sensing pixel; And a signal output unit for receiving a light sensing signal from each light sensing pixel and outputting a data signal, wherein the gate driver includes a plurality of gate lines for providing a gate voltage to each light sensing pixel, And at least one reset line electrically connected to the plurality of light sensing pixels for providing a reset signal to each light sensing pixel.
예컨대, 상기 광센싱 화소들의 어레이는 다수의 열과 행으로 배열된 다수의 광센싱 화소들을 포함할 수 있다.For example, the array of light sensing pixels may comprise a plurality of light sensing pixels arranged in a plurality of rows and columns.
일 실시예에 따르면, 상기 다수의 게이트 라인은 행 방향을 따라 배열될 수 있으며, 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소들에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of gate lines may be arranged in a row direction, and each gate line may be connected to light sensing pixels arranged along the same row.
일 실시예에 따르면, 상기 신호 출력부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 데이터 라인들을 포함할 수 있으며, 각각의 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소들에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the signal output unit may include a plurality of data lines arranged in a column direction, and each data line may be connected to optical sensing pixels arranged along the same column.
또한, 각각의 광센싱 화소는, 예를 들어, 광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.Further, each optical sensing pixel may include, for example, a light sensing transistor for sensing light and a switching transistor for outputting a light sensing signal from the light sensing transistor.
일 실시예에 따르면, 상기 게이트 라인은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결될 수 있으며, 상기 리셋 라인은 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the gate line may be connected to the gate of the switching transistor, and the reset line may be connected to the gate of the light sensing transistor.
예를 들어, 상기 광센싱 트랜지스터는 산화물 반도체를 채널층의 재료로서 사용한 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있다.For example, the light sensing transistor may be an oxide semiconductor transistor using an oxide semiconductor as a material of a channel layer.
상기 산화물 반도체는, 예를 들어, ZnO, 또는 ZnO에 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn 및 Mg 중에서 적어도 하나가 혼합된 재료를 포함할 수 있다.The oxide semiconductor may include, for example, a material in which at least one of Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn and Mg is mixed with ZnO or ZnO have.
본 발명의 다른 일 유형에 따른 광터치 스크린 장치는, 영상을 디스플레이하고 입사광을 감지하기 위한 것으로, 다수의 열과 행으로 배열된 다수의 화소들의 어레이; 각각의 화소에 게이트 전압 및 리셋 신호를 제공하기 위한 게이트 구동부; 각각의 화소에 영상 신호를 제공하기 위한 데이터 구동부; 및 각각의 화소로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부;를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 게이트 구동부는 각각의 화소에 게이트 전압을 제공하기 위한 다수의 게이트 라인, 및 복수 개의 화소에 리셋 신호를 제공하기 위한 것으로 복수 개의 화소들에 전기적으로 연결되어 있는 적어도 하나의 리셋 라인을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an optical touch screen device for displaying an image and detecting incident light, comprising: an array of a plurality of pixels arranged in a plurality of rows and columns; A gate driver for providing a gate voltage and a reset signal to each pixel; A data driver for providing a video signal to each pixel; And a signal output unit for receiving a light sensing signal from each pixel and outputting a data signal, wherein the gate driver includes a plurality of gate lines for providing a gate voltage to each pixel, And at least one reset line electrically connected to the plurality of pixels to provide a reset signal.
일 실시예에 따르면, 상기 다수의 게이트 라인은 행 방향을 따라 배열될 수 있으며, 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of gate lines may be arranged in the row direction, and each gate line may be connected to pixels arranged along the same row.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 신호 출력부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 광센싱 데이터 라인들을 포함할 수 있으며, 각각의 광센싱 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결될 수 있다.Also, according to one embodiment, the signal output unit may include a plurality of optical sensing data lines arranged in a column direction, and each optical sensing data line may be connected to pixels arranged along the same column .
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 데이터 구동부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 영상 데이터 라인들을 포함할 수 있으며, 각각의 영상 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결되어 각각의 화소에 디스플레이될 영상 신호를 제공할 수 있다.According to an embodiment, the data driver may include a plurality of image data lines arranged in a column direction, and each image data line may be connected to pixels arranged in the same column, To provide a video signal to be displayed on the display device.
일 실시예에 따르면, 상기 각각의 화소는 영상을 디스플레이 하기 위한 디스플레이 화소부와 입사광을 감지하기 위한 광센싱 화소부를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 디스플레이 화소부는 디스플레이 셀 및 상기 디스플레이 셀의 온/오프를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 광센싱 화소부는 입사광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, each of the pixels may include a display pixel portion for displaying an image and an optical sensing pixel portion for sensing incident light, wherein the display pixel portion includes a display cell and on / off of the display cell The light sensing pixel section may include a light sensing transistor for sensing incident light and a second switching transistor for outputting an optical sensing signal from the light sensing transistor.
예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트는 상기 게이트 라인에 함께 연결될 수 있으며, 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트는 상기 리셋 라인에 연결될 수 있다.For example, the gates of the first and second switching transistors may be coupled together to the gate line, and the gate of the light sensing transistor may be coupled to the reset line.
일 실시예에 따르면, 상기 화소들의 어레이는, 영상을 디스플레이하기 위한 디스플레이 화소부만을 포함하는 제 1 화소; 및 상기 디스플레이 화소부와 입사광을 감지하기 위한 광센싱 화소부를 모두 포함하는 제 2 화소를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 디스플레이 화소부는 디스플레이 셀 및 상기 디스플레이 셀의 온/오프를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 광센싱 화소부는 입사광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the array of pixels comprises: a first pixel including only a display pixel portion for displaying an image; And a second pixel including both the display pixel portion and an optical sensing pixel portion for sensing incident light, wherein the display pixel portion includes a display cell and a first switching transistor for controlling on / off of the display cell, The light sensing pixel unit may include a light sensing transistor for sensing incident light and a second switching transistor for outputting an optical sensing signal from the light sensing transistor.
한편, 본 발명의 또 다른 일 유형에 따른 광터치 스크린 장치의 구동 방법은, 광터치 스크린 장치의 각 프레임별 스캐닝이 종료되는 순간에 또는 각 프레임별 스캐닝이 시작되기 직전에 광터치 스크린 장치 내의 복수 개의 광센싱 화소를 동시에 리셋시킬 수 있다.According to yet another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an optical touch screen device, comprising the steps of: when an optical touch screen device stops scanning for each frame, or immediately before scanning for each frame starts, It is possible to simultaneously reset the light sensing pixels.
상기 광터치 스크린 장치의 구동 방법은, 예를 들어, 다수의 광센싱 화소들의 어레이에 한 행씩 순차적으로 게이트 전압을 인가하여, 한 행씩 순차적으로 광센싱 신호를 출력시키는 단계; 및 복수 개의 광센싱 화소들에 한꺼번에 리셋 신호를 제공하여 상기 복수 개의 광센싱 화소들을 동시에 리셋시키는 단계;를 포함할 수 있다.The driving method of the optical touch screen device may include sequentially applying a gate voltage to the array of a plurality of optical sensing pixels, one row at a time, and sequentially outputting a light sensing signal for each row; And simultaneously resetting the plurality of optical sensing pixels by providing a reset signal to the plurality of optical sensing pixels at a time.
일 실시예에 따르면, 상기 게이트 전압과 리셋 신호는 하나의 데이터 구동부로부터 제공될 수 있다.According to one embodiment, the gate voltage and the reset signal may be provided from one data driver.
상기 데이터 구동부는 상기 게이트 전압과 리셋 신호를 순차적으로 제공할 수 있다.The data driver may sequentially provide the gate voltage and the reset signal.
각각의 광센싱 화소는, 예를 들어, 광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 게이트 전압은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 제공되고, 상기 리셋 신호는 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트에 제공될 수 있다.Each light sensing pixel may include, for example, a light sensing transistor for sensing light and a switching transistor for outputting a light sensing signal from the light sensing transistor, the gate voltage being applied to the gate of the switching transistor And the reset signal may be provided at the gate of the light sensing transistor.
개시된 광터치 스크린 장치는 감광 특성이 비교적 우수한 산화물 반도체 트랜지스터를 광센싱 소자로서 사용하기 때문에, 광센싱 동작을 수행하는데 있어서 커패시터를 필요로 하지 않는다. 즉, 산화물 반도체 트랜지스터로 이루어진 단지 하나의 광센싱 트랜지스터와 단지 하나의 스위칭 트랜지스터만으로 하나의 광센싱 화소가 구성될 수 있다. 따라서, 개시된 광센싱 회로를 이용하여 광터치 패널이나 영상 획득 장치와 같은 광센싱 장치를 구현할 경우, 기생 커패시턴스에 의한 타임 딜레이로부터 자유로울 수 있어서, 광터치 스크린 장치의 대면적화가 용이할 수 있다.Since the disclosed optical touch screen device uses an oxide semiconductor transistor having a comparatively good photosensitive characteristic as a light sensing element, a capacitor is not required to perform a light sensing operation. That is, one optical sensing pixel made up of only one light sensing transistor made of an oxide semiconductor transistor and only one switching transistor can be constituted. Accordingly, when the optical sensing device such as the optical touch panel or the image capturing device is implemented using the disclosed optical sensing circuit, the time delay due to the parasitic capacitance can be freed from the time delay, thereby making it easy to increase the area of the optical touch screen device.
또한, 개시된 광터치 스크린 장치의 구동 방법에 따르면, 다수의 광센싱 트랜지스터들을 한번에 동시에 리셋시키기 때문에, 광센싱 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터를 각각 구동시키기 위한 별개의 구동 유닛이 요구되지 않는다. 따라서, 광터치 스크린 장치의 구성이 간단해질 수 있어서, 공간 활용성의 향상, 공정 비용의 절감 및 전력 소비량의 감소 등과 같은 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the driving method of the optical touch screen device disclosed, since a plurality of optical sensing transistors are simultaneously reset at the same time, a separate driving unit for driving the optical sensing transistor and the switching transistor is not required. Therefore, the configuration of the optical touch screen device can be simplified, and it is possible to obtain effects such as improvement in space usability, reduction in process cost, and reduction in power consumption.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광터치 스크린 장치의 전체적인 회로 구조를 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 광터치 스크린 장치의 한 광센싱 화소의 예시적인 구조를 도시하는 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 광센싱 화소에서 광센싱 소자로서 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 산화물 반도체 트랜지스터의 동작 특성을 예시적으로 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1에 도시된 광터치 스크린 장치를 구동하는 방법을 예시적으로 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광터치 스크린 장치의 한 화소의 예시적인 구조를 도시하는 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 화소들을 포함하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광터치 스크린 장치의 전체적인 회로 구조를 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광터치 스크린 장치의 예시적인 화소 어레이의 구조를 개략적으로 도시하는 회로도이다.1 is a block diagram schematically showing an overall circuit structure of an optical touch screen device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing an exemplary structure of a light sensing pixel of the optical touch screen device shown in FIG.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary structure of an oxide semiconductor transistor used as a light sensing element in the light sensing pixel shown in FIG.
4 is a graph exemplarily showing operational characteristics of the oxide semiconductor transistor shown in FIG.
FIG. 5 is a timing diagram exemplarily showing a method of driving the optical touch screen apparatus shown in FIG. 1. FIG.
6 is a circuit diagram showing an exemplary structure of one pixel of an optical touch screen device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a block diagram schematically showing an overall circuit structure of an optical touch screen device according to another embodiment of the present invention including the pixels shown in FIG.
8 is a circuit diagram schematically showing the structure of an exemplary pixel array of an optical touch screen device according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 광터치 스크린 장치 및 그 구동 방법에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.Hereinafter, an optical touch screen device and a driving method thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광터치 스크린 장치의 전체적인 회로 구조를 개략적으로 도시하는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광터치 스크린 장치(100)는 입사광을 감지하는 다수의 광센싱 화소(110), 각각의 광센싱 화소(110)에 게이트 전압 및 리셋 신호를 순차적으로 제공하기 위한 게이트 구동부(120), 및 각각의 광센싱 화소(110)로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부(130)를 포함할 수 있다.1 is a block diagram schematically showing an overall circuit structure of an optical touch screen device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an optical
도 1에 도시된 바와 같이, 다수의 광센싱 화소(110)들은 다수의 열과 행으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 다수의 광센싱 화소(110)들은 n개의 행(row)과 m개의 열(column)을 갖는 어레이의 형태로 배열될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 각각의 광센싱 화소(110)들을 개별적으로 활성화시켜 각각의 광센싱 화소(110)로부터 광센싱 신호가 출력되도록 제어하는 역할을 한다. 이를 위하여, 게이트 구동부(120)는 행 방향을 따라 배열된 다수의 게이트 라인(GATE1, GATE2, ..., GATEn)과 하나의 리셋 라인(RESET)을 포함할 수 있다. 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 게이트 라인(GATE1)은 첫 번째 행을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있으며, 제 n 게이트 라인(GATEn)은 n번째 행을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있다. 한편, 리셋 라인(RESET)은 광센싱 화소(110)들을 초기화하기 위한 리셋 신호를 광센싱 화소(110)들에 제공하는 역할을 한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 리셋 라인(RESET)이 광터치 스크린 장치(100) 내의 모든 광센싱 화소(110)들에 한꺼번에 연결되어 있다. 따라서, n번째 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소(110)들로부터 광센싱 신호가 출력된 후에는, 하나의 리셋 라인(RESET)을 통해 전체 광센싱 화소(110)들이 동시에 초기화될 수 있다. 도 1에는 하나의 리셋 라인(RESET)만이 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 다른 실시예에서는, 다수의 리셋 라인(RESET)이 다수의 광센싱 화소(110)들에 연결될 수도 있으며, 다수의 리셋 라인(RESET)을 통해 다수의 광센싱 화소(110)들에 동시에 리셋 신호가 제공될 수도 있다. 이러한 광터치 스크린 장치(100)의 구동 방법에 대해서는 이후에 더욱 상세하게 설명할 것이다.As shown in FIG. 1, a plurality of
신호 출력부(130)는 각각의 광센싱 화소(110)들로부터 발생하는 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하는 역할을 한다. 이를 위하여, 신호 출력부(130)는 열 방향을 따라 배열된 다수의 데이터 라인(DATA1, DATA2, ..., DATAm)들을 포함할 수 있다. 각각의 데이터 라인(DATA1, DATA2, ..., DATAm)은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 데이터 라인(DATA1)은 첫 번째 열을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있으며, 제 m 데이터 라인(DATAm)은 m번째 열을 따라 배열되어 있는 모든 광센싱 화소(110)들에 연결될 수 있다. 이러한 구조에서, 신호 출력부(130)는 동일한 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소(110)들에서 발생한 모든 광센싱 신호를 다수의 데이터 라인(DATA1, DATA2, ..., DATAm)들을 통해 동시에 수신할 수 있다. 예를 들어, 제 1 게이트 라인(GATE1)에 게이트 신호가 인가되는 경우, 첫 번째 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소(110)들에서 발생한 모든 광센싱 신호가 신호 출력부(130)에 입력될 수 있다. 신호 출력부(130)는 이들 광센싱 신호들을 디지털 데이터 신호로 변환한 후 한 열씩 순차적으로 출력하도록 구성될 수도 있다.The
도 2는 도 1에 도시된 광터치 스크린 장치(100)의 한 광센싱 화소(110)의 예시적인 구조를 도시하는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 광센싱 화소(110)는 서로 직렬로 연결된 하나의 광센싱 트랜지스터(111)와 하나의 스위칭 트랜지스터(112)를 포함할 수 있다. 즉, 광센싱 트랜지스터(111)의 소스는 스위칭 트랜지스터(112)의 드레인과 서로 연결되어 있을 수 있다. 광센싱 트랜지스터(111)는 광을 감지하기 위한 광센싱 소자로서, 예를 들어, 후술할 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있다. 광센싱 신호를 출력하기 위한 스위칭 트랜지스터(112)는 감광성이 없는 일반적인 박막 트랜지스터일 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 광센싱 화소(110)는 스위칭 트랜지스터(112)의 게이트에 연결되는 게이트 라인(GATE), 스위칭 트랜지스터(112)의 소스에 연결되는 데이터 라인(DATA), 광센싱 트랜지스터(111)의 드레인에 연결되는 구동 전압 라인(Vdd), 및 광센싱 트랜지스터(111)의 게이트에 연결되는 리셋 라인(RESET)을 더 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(112)의 게이트에 연결되는 게이트 라인(GATE)은 도 1에 도시된 게이트 구동부(120)에 연결된 다수의 게이트 라인(GATE1, GATE2, ..., GATEn)들 중에 하나일 수 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(112)의 소스에 연결되는 데이터 라인(DATA)은 신호 출력부(130)의 다수의 데이터 라인(DATA1, DATA2, ..., DATAm)들 중에 하나일 수 있다. 리셋 라인(RESET)은 도 1에 도시된 게이트 구동부(120)에 연결될 수 있다.2 is a circuit diagram showing an exemplary structure of a
이러한 구조의 광센싱 화소(110)에서, 게이트 라인(GATE)을 통해 스위칭 트랜지스터(112)에 게이트 전압이 인가되면, 스위칭 트랜지스터(112)가 ON 상태가 된다. 그러면, 광센싱 트랜지스터(111)의 소스로부터 데이터 라인(DATA)으로 전류가 흐르게 된다. 이때, 광센싱 트랜지스터(111)로부터 데이터 라인(DATA)으로 흐르는 전류의 양은 광센싱 트랜지스터(111)에 입사하는 빛의 세기에 따라 변화하게 된다. 따라서, 데이터 라인(DATA)을 통해 흐르는 전류의 양을 측정하면 광센싱 트랜지스터(111)에 입사하는 빛의 세기를 계산할 수 있다. 한편, 스위칭 트랜지스터(112)에 게이트 전압이 인가되지 않는 동안에는, 스위칭 트랜지스터(112)가 OFF 상태가 되므로 데이터 라인(DATA)에 전류가 흐르지 않게 된다.In the
도 3은 도 2에 도시된 광센싱 화소(110)에서 광센싱 소자인 광센싱 트랜지스터(111)로서 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 산화물 반도체 트랜지스터는 채널 재료로서 산화물 반도체를 사용하는 트랜지스터를 의미한다. 도 3을 참조하면, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 기판(11), 상기 기판(11) 위에 전체적으로 배치된 절연층(12), 상기 절연층(12) 위에 부분적으로 배치된 게이트(13), 적어도 상기 게이트(13)의 주위를 덮도록 절연층(12)과 게이트(13) 위에 배치된 게이트 절연막(14), 상기 게이트 절연막(14) 위로 배치된 채널층(15), 상기 채널층(15)의 양측을 덮도록 배치된 소스(16)와 드레인(17), 및 상기 소스(16), 드레인(17) 및 제 2 채널층(15)을 전체적으로 덮도록 배치된 투명 절연층(18)을 포함할 수 있다. 도 3에는 게이트(13)가 채널층(15)의 아래쪽에 배치되어 있는 하부 게이트 구조의 산화물 반도체 트랜지스터(10)가 도시되었지만, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 상부 게이트 구조로 구성될 수도 있다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary structure of an oxide semiconductor transistor used as a
여기서, 기판(11)은 유리, 실리콘 등과 같은 일반적인 기판 재료를 사용할 수 있다. 절연층(12), 게이트 절연막(14), 투명 절연층(18)은 예를 들어 SiO2과 같은 재료를 사용할 수 있다. 만약 기판(11) 자체가 절연성 재료로 이루어진다면, 상기 기판(11) 위의 절연층(12)은 생략될 수도 있다. 또한, 게이트(13), 소스(16) 및 드레인(17)은 전도성 금속 또는 전도성 금속 산화물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체 트랜지스터(10)가 투명할 것이 요구되는 경우, 상기 게이트(13), 소스(16) 및 드레인(17)은 ITO와 같은 투명 전도성 재료로 이루어질 수 있다. 그러나 산화물 반도체 트랜지스터(10)가 투명할 것이 요구되지 않는 경우에는, 기판(11), 절연층(12), 게이트(13), 게이트 절연막(14), 소스(16) 및 드레인(17)의 재료가 반드시 투명할 필요는 없다.Here, the
한편, 채널층(15)은, 상술한 바와 같이, 산화물 반도체 재료로 이루어질 수 있다. 채널층(15)으로서 사용되는 산화물 반도체 재료의 선택에 따라, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 빛에 민감한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 채널층(15)의 재료로서 ZnO 계열의 산화물 반도체를 사용할 수 있다. 예컨대, ZnO 계열의 산화물 반도체로는 ZnO, 또는 ZnO에 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn 및 Mg 중에서 적어도 하나의 재료가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 그러한 산화물 반도체 재료의 대표적인 예로서 ZnO, TaZnO, InZnO(IZO), GaInZnO(GIZO) 등을 들 수 있다. 이러한 재료를 채널층(15)으로서 사용할 경우, 도 3에 도시된 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 입사광의 파장이나 광량에 따라 문턱 전압 및 드레인 전류가 변하는 특성이 있기 때문에, 광센싱 소자로서 활용될 수 있다.On the other hand, the
도 4는 도 3에 도시된 산화물 반도체 트랜지스터(10)의 동작 특성을 예시적으로 나타내는 그래프로서, 게이트 전압에 대한 드레인 전류 특성을 보이고 있다. 도 4를 참조하면, 산화물 반도체 트랜지스터(10)에 빛이 입사하면, 문턱 전압 이하의 게이트 전압에서(즉, 트랜지스터 OFF 시) 빛이 입사하지 않았을 때에 비하여 드레인 전류가 크게 증가한다는 것을 알 수 있다. 도 4의 그래프를 통해 알 수 있듯이, 산화물 반도체 트랜지스터(10)에 빛이 입사하였을 때의 드레인 전류와 빛이 입사하지 않았을 때의 드레인 전류 사이의 전류비가 상당히 크다. 따라서, 산화물 반도체 트랜지스터(10)를 광센싱 소자로서 활용할 경우, 여러 가지 이점을 가질 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 큰 전류비를 갖기 때문에, 광 입사시에 수십 nA에서 수백 nA 정도의 비교적 큰 크기의 광전류가 발생할 수 있다. 따라서, 광센싱 소자로서 산화물 반도체 트랜지스터(10)를 사용하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 광센싱 화소(110)가 커패시터 없이 단지 광센싱 트랜지스터(111)와 스위칭 트랜지스터(112)만으로 간단하게 구성될 수 있다. 이에 따라, 광터치 스크린 장치(100)의 대면적화가 가능하게 될 뿐만 아니라, 구동 속도의 향상 및 소비 전력의 절감이 가능하게 될 수 있다.FIG. 4 is a graph exemplarily showing operational characteristics of the
한편, 도 4를 다시 참조하면, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 광 입사시에 게이트 전압의 스윕(sweep) 방향에 따라 상이한 특성을 보이고 있다. 예를 들어, 도 4에서 '①'로 표시된 제 1 그래프는 음의 전압으로부터 양의 전압으로 게이트 전압을 증가시키는 방향으로 스윕한 경우의 특성을 나타내고, '②'로 표시된 제 2 그래프는 양의 전압으로부터 음의 전압으로 게이트 전압을 감소시키는 방향으로 스윕한 경우의 특성을 나타내고 있다. 제 1 그래프와 같이, 게이트 전압이 양의 방향으로 스윕되는 경우에는, 광 입사시에 산화물 반도체 트랜지스터(10)의 문턱 전압이 음의 방향으로 이동하는 것처럼 보이게 된다. 반면, 제 2 그래프와 같이, 게이트 전압이 음의 방향으로 스윕되는 경우에는, 광 입사시에 산화물 반도체 트랜지스터(10)의 문턱 전압은 그대로 유지된 상태에서 오프 전류(off current)만이 증가하게 된다. 특히, 제 1 그래프와 같이 게이트 전압이 양의 방향으로 스윕된 경우에는, 산화물 반도체 트랜지스터(10)에 빛의 입사가 중단되더라도 드레인 전류가 낮아지지 않아서, 드레인 전류의 광 의존성이 거의 나타나지 않게 된다.Referring again to FIG. 4, the
이러한 게이트 전압의 스윕 방향에 따른 특성 차이는, 일반적인 플래시 메모리에서 데이터의 기록에 이용하는 현상과 유사한 것으로, 산화물 반도체 트랜지스터(10)의 채널층(15) 내부에 또는 그 계면에 전하가 트랩되어 발생하는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 빛과 함께 큰 음의 전압(예컨대, 문턱 전압보다 낮은 전압)이 게이트에 인가되면, 채널층(15) 내부에서 빛에 의해 생성된 정공(hole)들이 게이트 절연막(14)과 채널층(15) 사이의 계면으로 이동하여 트랩될 수 있다. 이렇게 트랩된 전하들은 충분히 큰 양의 전압이 게이트에 인가될 때까지 제거되지 않는다. 따라서, 일단 전하가 트랩된 후에는 빛의 입사가 중단된 후에도 게이트 전류가 낮아지지 않는 것으로 파악될 수 있다. 이러한 현상은 게이트에 양의 전압을 인가하여 트랩된 전하들을 제거하면 사라지게 된다. 즉, 산화물 반도체 트랜지스터(10)는 게이트에 음의 전압이 인가된 동안 발생하는 전하 트랩 현상으로 인해 감광 특성이 저하될 수 있으므로, 주기적으로 게이트에 양의 전압을 인가하여 산화물 반도체 트랜지스터(10)를 초기화 할 필요가 있다.The characteristic difference between the gate voltages in the sweep direction is similar to the phenomenon used for recording data in a general flash memory and is a phenomenon in which charges are trapped in or inside the
다시 도 1을 참조하면, 게이트 구동부(120)의 리셋 라인(RESET)은 광센싱 화소(110) 내의 광센싱 트랜지스터(111)(도 2 참조)에 주기적으로 양의 게이트 전압을 인가하여 광센싱 트랜지스터(111)의 감광 특성을 유지시키는 역할을 한다. 도 5는 이러한 산화물 반도체 트랜지스터(10)를 광센싱 트랜지스터(111)로서 포함하는 광터치 스크린 장치(100)를 구동하는 방법을 예시적으로 나타내는 타이밍도이다. 도 5를 참조하면, 게이트 구동부(120)는 먼저 제 1 게이트 라인(GATE1)을 통해 하이(HIGH) 전압(즉, 스위칭 트랜지스터(112)의 문턱 전압 이상의 전압)을 인가하여, 첫 번째 행의 광센싱 화소(110)들로부터 광센싱 신호를 출력한다. 이때, 나머지 게이트 라인(GATE2~GATEn)과 리셋 라인(RESET)에는 로우(LOW) 전압이 인가된다. 그런 후, 게이트 구동부(120)는 제 2 게이트 라인(GATE2)을 통해 하이(HIGH) 전압을 인가하여, 두 번째 행의 광센싱 화소(110)들로부터 광센싱 신호를 출력한다. 이때, 나머지 게이트 라인(GATE1, GATE3~GATEn)과 리셋 라인(RESET)에는 로우(LOW) 전압이 인가된다. 이러한 방식으로 n 번째 행의 광센싱 화소(110)들로부터 광센싱 신호를 출력한 후에는, 리셋 라인(RESET)에 하이 전압이 인가된다. 리셋 라인(RESET)은 모든 광센싱 화소(110)들에 연결되어 있기 때문에, 모든 광센싱 화소(110)들 내의 광센싱 트랜지스터(111)들이 동시에 초기화될 수 있다. 이렇게 해서 한 프레임 동안의 광센싱 동작이 완료되며, 이어서 위와 동일한 순서로 다음 프레임의 광센싱 동작이 반복될 수 있다. 즉, 각 프레임별 스캐닝이 종료되는 순간에 모든 광센싱 화소(110)들 내의 광센싱 트랜지스터(111)들이 동시에 초기화될 수 있다. 그러나, 실시예에 따라서는 광센싱 트랜지스터(111)들의 초기화가 먼저 시작될 수도 있다. 예를 들어, 각 프레임별 스캐닝이 시작되기 직전에 모든 광센싱 화소(110)들 내의 광센싱 트랜지스터(111)들이 동시에 초기화될 수 있다.Referring again to FIG. 1, the reset line RESET of the
상술한 바와 같이, 도 1에 도시된 광터치 스크린 장치(100)는 모든 광센싱 화소(110)들에 한꺼번에 연결되어 있는 단지 하나의 리셋 라인(RESET)만을 포함한다. 따라서, 하나의 리셋 라인(RESET)을 통해 단 한번의 하이 전압 인가로 모든 광센싱 화소(110)들 내의 광센싱 트랜지스터(111)들을 동시에 초기화시킬 수 있다. 또한, 광센싱 트랜지스터(111)의 게이트에 연결되는 리셋 라인(RESET)과 스위칭 트랜지스터(112)의 게이트에 연결되는 게이트 라인(GATE1~GATEn)들이 모두 동일한 하나의 게이트 구동부(120)에 연결되어 있기 때문에, 광센싱 화소(110) 내의 광센싱 트랜지스터(111)와 스위칭 트랜지스터(112)가 단지 하나의 게이트 구동부(120)에 의해 제어될 수 있다. 따라서, 광센싱 트랜지스터(111)와 스위칭 트랜지스터(112)를 각각 개별적으로 구동시키기 위한 별개의 구동 유닛이 요구되지 않는다. 따라서, 광터치 스크린 장치(100)의 구성이 간단해질 수 있어서, 공간 활용성의 향상, 공정 비용의 절감 및 전력 소비량의 감소 등과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, the optical
이러한 공간의 절약으로 인하여, 디스플레이 화소와 광센싱 화소가 하나로 통합되어 있는 인-셀(In-cell) 방식의 광터치 스크린 장치의 구현이 용이해질 수 있다. 도 6은 인-셀 방식의 광터치 스크린 장치의 한 화소(210)의 예시적인 구조를 도시하는 회로도이다. 도 6을 참조하면, 인-셀 방식의 광터치 스크린 장치의 한 화소(210)는 디스플레이 화소부(210d)와 광센싱 화소부(210s)를 포함한다. 디스플레이 화소부(210d)는 디스플레이 셀(예컨대 LCD의 경우, 액정 셀)(212) 및 상기 디스플레이 셀(212)의 온/오프를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터(211)를 포함할 수 있다. 또한, 광센싱 화소부(210s)는 입사광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터(213)와 상기 광센싱 트랜지스터(213)로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터(214)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(211, 214)의 게이트는 하나의 게이트 라인(GATE)에 연결되어 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(211)의 드레인은 영상 데이터 라인(LCD-DATA)에 연결되어 있으며, 소스는 디스플레이 셀(212)에 연결될 수 있다. 또한, 제 2 스위칭 트랜지스터(214)의 소스는 광센싱 데이터 라인(SENSOR-DATA)에 연결되어 있으며, 드레인은 광센싱 트랜지스터(213)의 소스과 연결될 수 있다. 그리고, 광센싱 트랜지스터(213)의 드레인은 구동 전압 라인(Vdd)에 연결되어 있으며, 게이트는 리셋 라인(RESET)에 연결되어 있다.Due to such a space saving, an in-cell type optical touch screen device in which display pixels and optical sensing pixels are integrated into one can be easily implemented. 6 is a circuit diagram showing an exemplary structure of one
도 7은 도 6에 도시된 화소(210)들을 포함하는 인-셀 방식의 광터치 스크린 장치(200)의 전체적인 회로 구조를 도시하는 블록도이다. 도 7을 참조하면, 광터치 스크린 장치(200)는 영상을 디스플레이하고 입사광을 감지하는 다수의 화소(210)들의 어레이(250), 각각의 화소(210)에 게이트 전압 및 리셋 신호를 순차적으로 제공하기 위한 게이트 구동부(220), 각각의 화소(210)에 영상 신호를 제공하기 위한 데이터 구동부(240), 및 각각의 화소(110)로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부(230)를 포함할 수 있다. 도 7에는 편의상 단지 하나의 화소(210)만이 도시되어 있지만, 실제로의 다수의 화소(210)들이 어레이의 형태로 배열되어 있다.FIG. 7 is a block diagram showing the overall circuit structure of the in-cell type optical
도 7에 도시된 바와 같이, 게이트 구동부(220)는 행 방향을 따라 배열된 다수의 게이트 라인(GATE1~GATEn)과 하나의 리셋 라인(RESET)을 포함할 수 있다. 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 모든 화소(210)들에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 게이트 라인(GATE1)은 첫 번째 행을 따라 배열되어 있는 모든 화소(210)들 내의 제 1 스위칭 트랜지스터(211)의 게이트와 제 2 스위칭 트랜지스터(214)의 게이트에 연결될 수 있다. 또한, 리셋 라인(RESET)은 광터치 스크린 장치(200) 내의 모든 화소(210)들에 한꺼번에 연결되어 있다. 신호 출력부(230)는 열 방향을 따라 배열된 다수의 광센싱 데이터 라인(SENSOR-DATA1~SENSOR-DATAm)을 포함할 수 있다. 각각의 광센싱 데이터 라인(SENSOR-DATA1~SENSOR-DATAm)은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 모든 화소(210)들에 연결될 수 있다. 신호 출력부(230)는 각각의 광센싱 데이터 라인(SENSOR-DATA1~SENSOR-DATAm)을 통해 각각의 화소(210)들로부터 발생하는 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력할 수 있다. 또한, 데이터 구동부(240)는 열 방향을 따라 배열된 다수의 영상 데이터 라인(LCD-DATA1~LCD-DATAm)을 포함할 수 있다. 각각의 영상 데이터 라인(LCD-DATA1~LCD-DATAm)은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 모든 화소(210)들에 연결된다. 데이터 구동부(240)는 각각의 영상 데이터 라인(LCD-DATA1~LCD-DATAm)을 통해 각각의 화소(210)에 디스플레이될 영상 신호를 제공한다.As shown in FIG. 7, the
도 7에 도시된 광터치 스크린 장치(200)는 디스플레이 패널과 광터치 스크린 패널이 하나의 패널 내에 통합된 것으로서, 영상의 디스플레이와 입사광의 감지 기능을 동시에 수행할 수 있다. 예를 들어, 제 1 게이트 라인(GATE1)을 통해 하이 전압이 인가되면, 첫 번째 행을 따라 배열되어 있는 모든 화소(210)들이 영상을 디스플레이 하는 동시에 입사광을 감지하여 광센싱 신호를 출력하게 된다. 그리고, n번째 행을 따라 배열되어 있는 화소(210)들이 영상을 디스플레이 하고 광센싱 신호를 출력한 후에는, 하나의 리셋 라인(RESET)을 통해 전체 화소(210)들 내의 모든 광센싱 트랜지스터(213)들이 동시에 초기화될 수 있다. 특히, 화소(210) 내의 광센싱 트랜지스터(213)와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(211, 214)가 하나의 게이트 구동부(220)에 의해 제어될 수 있기 때문에, 별도의 추가적인 구동 유닛이 요구되지 않는다. 따라서, 도 7에 도시된 광터치 스크린 장치(200)의 경우, 하나의 기판 위에 게이트 구동부(220), 신호 출력부(230) 및 데이터 구동부(240) 등과 같은 다수의 구동 유닛을 공간의 간섭 없이 용이하게 배치시킬 수 있다.The optical
한편, 도 7에는 모든 화소(210)들이 광센싱 화소부(210s)를 포함하는 것으로 도시되었지만, 화소(210)들 중 일부에만 광센싱 화소부(210s)가 포함되는 것도 가능하다. 일반적인 디스플레이 패널에서, 하나의 화소는 약 200~300㎛의 폭과 높이를 갖는 반면, 입사광은 이보다 훨씬 큰 약 2mm 정도의 빔경을 갖는다. 따라서, 광센싱 화소부(210s)가 부분적으로 배치되더라도 입사광의 입사 위치를 특정하는 것이 가능하다. 도 8은 이러한 고려에 따라 광센싱 화소부(210s)가 부분적으로 배치되어 있는 예시적인 화소 어레이(260)의 구조를 개략적으로 도시하는 회로도이다.7, all of the
도 8을 참조하면, 상기 화소 어레이(260)는 광센싱 화소부(210s)가 배치되어 있는 화소(210)와 광센싱 화소부(210s)가 배치되어 있지 않는 화소(210')를 포함할 수 있다. 즉, 화소(210')는 단지 디스플레이 화소부(210d)만을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 광센싱 화소부(210s)는 4개의 화소마다 하나씩 배치될 수 있다. 그러나 이는 단지 일 예일 뿐이며, 실시예에 따라서 그보다 더 적은 또는 더 많은 화소마다 하나씩 광센싱 화소부(210s)가 배치될 수도 있다. 한편, 각각의 디스플레이 화소부(210d)는 컬러의 표현을 위하여 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)를 더 포함할 수 있다.8, the
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 광터치 스크린 장치 및 그 구동 방법에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.Up to now, an exemplary embodiment of an optical touch screen device and a method of driving the same has been described and shown in the accompanying drawings to facilitate understanding of the present invention. It should be understood, however, that such embodiments are merely illustrative of the present invention and not limiting thereof. And it is to be understood that the invention is not limited to the details shown and described. Since various other modifications may occur to those of ordinary skill in the art.
10.....산화물 반도체 트랜지스터
11.....기판
12.....절연층
13.....게이트
14.....게이트 절연막
15.....채널층
16.....소스
17.....드레인
18.....투명 절연층
100, 200....광터치 스크린 장치
110, 210....화소
111, 213....광센싱 트랜지스터
112, 211, 214....스위칭 트랜지스터
120, 220....게이트 구동부
130, 230....신호 출력부
240....데이터 구동부
250, 260....화소 어레이10 .....
12 .....
14 .....
16 .....
18 ..... transparent insulating
110, 210 ....
112, 211, 214 ....
130, 230 ....
250, 260 .... pixel array
Claims (22)
각각의 광센싱 화소에 게이트 전압 및 리셋 신호를 제공하기 위한 게이트 구동부; 및
각각의 광센싱 화소로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부;를 포함하며,
상기 게이트 구동부는 각각의 광센싱 화소에 게이트 전압을 제공하기 위한 다수의 게이트 라인, 및 각각의 광센싱 화소에 리셋 신호를 제공하기 위한 것으로 복수 개의 광센싱 화소들에 전기적으로 연결되어 있는 단지 하나의 리셋 라인을 포함하고,
상기 다수의 게이트 라인과 상기 하나의 리셋 라인은 행 방향을 따라 배열되어 있으며,
상기 하나의 리셋 라인은 다수의 행에 걸쳐 배열된 전체 광센싱 화소를 동시에 리셋시키도록 상기 다수의 행에 걸쳐 배열된 전체 광센싱 화소에 연결된 광터치 스크린 장치.An array of a plurality of light sensing pixels arranged along a plurality of rows and a plurality of columns by sensing incident light;
A gate driver for providing a gate voltage and a reset signal to each optical sensing pixel; And
And a signal output unit for receiving a light sensing signal from each light sensing pixel and outputting a data signal,
The gate driver may include a plurality of gate lines for providing a gate voltage to each optical sensing pixel, and at least one gate line for providing a reset signal to each optical sensing pixel, A reset line,
Wherein the plurality of gate lines and the one reset line are arranged in a row direction,
Wherein the one reset line is connected to all light sensing pixels arranged over the plurality of rows to simultaneously reset all light sensing pixels arranged over a plurality of rows.
상기 광센싱 화소들의 어레이는 다수의 열과 행으로 배열된 다수의 광센싱 화소들을 포함하는 광터치 스크린 장치.The method according to claim 1,
Wherein the array of light sensing pixels comprises a plurality of light sensing pixels arranged in a plurality of columns and rows.
상기 다수의 게이트 라인은 행 방향을 따라 배열되어 있으며, 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소들에 연결되어 있는 광터치 스크린 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of gate lines are arranged in a row direction and each gate line is connected to optical sensing pixels arranged along the same row.
상기 신호 출력부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 데이터 라인들을 포함하며, 각각의 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 광센싱 화소들에 연결되어 있는 광터치 스크린 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the signal output portion includes a plurality of data lines arranged in a column direction, each data line being connected to optical sensing pixels arranged along the same column.
각각의 광센싱 화소는 광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광터치 스크린 장치.The method according to claim 1,
Each optical sensing pixel including a light sensing transistor for sensing light and a switching transistor for outputting a light sensing signal from the light sensing transistor.
상기 게이트 라인은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 리셋 라인은 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트에 연결되는 광터치 스크린 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the gate line is connected to the gate of the switching transistor and the reset line is connected to the gate of the light sensing transistor.
상기 광센싱 트랜지스터는 산화물 반도체를 채널층의 재료로서 사용한 산화물 반도체 트랜지스터인 광터치 스크린 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the optical sensing transistor is an oxide semiconductor transistor using an oxide semiconductor as a material of a channel layer.
상기 산화물 반도체는 ZnO, 또는 ZnO에 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn 및 Mg 중에서 적어도 하나가 혼합된 재료를 포함하는 광터치 스크린 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the oxide semiconductor includes a material in which at least one of Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn and Mg is mixed with ZnO or ZnO.
각각의 화소에 게이트 전압 및 리셋 신호를 제공하기 위한 게이트 구동부;
각각의 화소에 영상 신호를 제공하기 위한 데이터 구동부; 및
각각의 화소로부터 광센싱 신호를 받아 데이터 신호를 출력하기 위한 신호 출력부;를 포함하며,
상기 게이트 구동부는 각각의 화소에 게이트 전압을 제공하기 위한 다수의 게이트 라인, 및 복수 개의 화소에 리셋 신호를 제공하기 위한 것으로 복수 개의 화소들에 전기적으로 연결되어 있는 단지 하나의 리셋 라인을 포함하고,
상기 다수의 게이트 라인과 상기 하나의 리셋 라인은 행 방향을 따라 배열되어 있으며,
상기 하나의 리셋 라인은 다수의 행에 걸쳐 배열된 전체 화소를 동시에 리셋시키도록 상기 다수의 행에 걸쳐 배열된 전체 화소에 연결된 광터치 스크린 장치.An array of a plurality of pixels arranged in a plurality of rows and columns for displaying images and sensing incident light;
A gate driver for providing a gate voltage and a reset signal to each pixel;
A data driver for providing a video signal to each pixel; And
And a signal output unit for receiving a light sensing signal from each pixel and outputting a data signal,
The gate driver includes a plurality of gate lines for providing a gate voltage to each pixel, and only one reset line electrically connected to the plurality of pixels for providing a reset signal to the plurality of pixels,
Wherein the plurality of gate lines and the one reset line are arranged in a row direction,
Wherein the one reset line is connected to all pixels arranged across the plurality of rows to simultaneously reset all pixels arranged across the plurality of rows.
상기 다수의 게이트 라인은 행 방향을 따라 배열되어 있으며, 각각의 게이트 라인은 동일한 행을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결되어 있는 광터치 스크린 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of gate lines are arranged in a row direction and each gate line is connected to pixels arranged along the same row.
상기 신호 출력부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 광센싱 데이터 라인들을 포함하며, 각각의 광센싱 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결되어 있는 광터치 스크린 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the signal output unit includes a plurality of optical sensing data lines arranged in a column direction and each optical sensing data line is connected to pixels arranged along the same column.
상기 데이터 구동부는 열 방향을 따라 배열된 다수의 영상 데이터 라인들을 포함하며, 각각의 영상 데이터 라인은 동일한 열을 따라 배열되어 있는 화소들에 연결되어 각각의 화소에 디스플레이될 영상 신호를 제공하는 광터치 스크린 장치.10. The method of claim 9,
The data driver may include a plurality of image data lines arranged in a column direction, each image data line being connected to pixels arranged along the same column, for providing a video signal to be displayed on each pixel, Screen device.
각각의 화소는 영상을 디스플레이 하기 위한 디스플레이 화소부와 입사광을 감지하기 위한 광센싱 화소부를 포함하며,
상기 디스플레이 화소부는 디스플레이 셀 및 상기 디스플레이 셀의 온/오프를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터를 포함하고,
상기 광센싱 화소부는 입사광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광터치 스크린 장치.10. The method of claim 9,
Each pixel includes a display pixel portion for displaying an image and a light sensing pixel portion for sensing incident light,
Wherein the display pixel section includes a display cell and a first switching transistor for controlling ON / OFF of the display cell,
Wherein the optical sensing pixel portion includes an optical sensing transistor for sensing incident light and a second switching transistor for outputting an optical sensing signal from the optical sensing transistor.
상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트는 상기 게이트 라인에 함께 연결되어 있으며, 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트는 상기 리셋 라인에 연결되어 있는 광터치 스크린 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the gates of the first and second switching transistors are coupled together to the gate line and the gate of the light sensing transistor is coupled to the reset line.
상기 광센싱 트랜지스터는 산화물 반도체를 채널층의 재료로서 사용한 산화물 반도체 트랜지스터인 광터치 스크린 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the optical sensing transistor is an oxide semiconductor transistor using an oxide semiconductor as a material of a channel layer.
상기 산화물 반도체는 ZnO, 또는 ZnO에 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn 및 Mg 중에서 적어도 하나가 혼합된 재료를 포함하는 광터치 스크린 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the oxide semiconductor includes a material in which at least one of Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn and Mg is mixed with ZnO or ZnO.
상기 화소들의 어레이는:
영상을 디스플레이하기 위한 디스플레이 화소부만을 포함하는 제 1 화소; 및
상기 디스플레이 화소부와 입사광을 감지하기 위한 광센싱 화소부를 모두 포함하는 제 2 화소를 포함하며,
상기 디스플레이 화소부는 디스플레이 셀 및 상기 디스플레이 셀의 온/오프를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터를 포함하고,
상기 광센싱 화소부는 입사광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광터치 스크린 장치.10. The method of claim 9,
The array of pixels comprising:
A first pixel including only a display pixel portion for displaying an image; And
And a second pixel including both the display pixel portion and an optical sensing pixel portion for sensing incident light,
Wherein the display pixel section includes a display cell and a first switching transistor for controlling ON / OFF of the display cell,
Wherein the optical sensing pixel portion includes an optical sensing transistor for sensing incident light and a second switching transistor for outputting an optical sensing signal from the optical sensing transistor.
다수의 광센싱 화소들의 어레이에 한 행씩 순차적으로 게이트 전압을 인가하여, 한 행씩 순차적으로 광센싱 신호를 출력시키는 단계; 및
복수 개의 광센싱 화소들에 한꺼번에 리셋 신호를 제공하여 상기 복수 개의 광센싱 화소들을 동시에 리셋시키는 단계;를 포함하는 광터치 스크린 장치의 구동 방법.19. The method of claim 18,
Sequentially applying a gate voltage to the plurality of arrays of optical sensing pixels one row at a time and sequentially outputting a light sensing signal for each row; And
And simultaneously resetting the plurality of optical sensing pixels by providing a reset signal to the plurality of optical sensing pixels at a time.
상기 게이트 전압과 리셋 신호는 하나의 데이터 구동부로부터 제공되는 광터치 스크린 장치의 구동 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the gate voltage and the reset signal are provided from one data driver.
상기 데이터 구동부는 상기 게이트 전압과 리셋 신호를 순차적으로 제공하는 광터치 스크린 장치의 구동 방법.21. The method of claim 20,
Wherein the data driver sequentially provides the gate voltage and the reset signal.
각각의 광센싱 화소는 광을 감지하기 위한 광센싱 트랜지스터와 상기 광센싱 트랜지스터로부터 광센싱 신호를 출력하기 위한 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 게이트 전압은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 제공되고, 상기 리셋 신호는 상기 광센싱 트랜지스터의 게이트에 제공되는 광터치 스크린 장치의 구동 방법.20. The method of claim 19,
Each light sensing pixel including a light sensing transistor for sensing light and a switching transistor for outputting a light sensing signal from the light sensing transistor, the gate voltage being provided at a gate of the switching transistor, And a gate of the optical sensing transistor.
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