KR20170115634A - 반도체 소자의 테스트 소켓 - Google Patents

Abstract

반도체 소자의 테스트 소켓은 하부 베이스, 및 상기 하부 베이스의 중앙부에서 돌출된 상부 베이스를 포함하는 베이스; 반도체 소자가 인입되는 개구홀, 및 상기 반도체 소자의 리드선들에 접촉되는 콘택 패드들을 구비하고, 상기 상부 베이스 상에 배치되는 회로 기판; 상기 개구홀 하부의 상기 상부 베이스에 삽입되며, 상기 개구홀에 인입된 상기 반도체 소자에 열을 가하는 히터 블록; 상기 히터 블록 및 상기 상부 베이스 사이에 배치되는 내열성 코팅막; 상기 상부 베이스의 형상에 대응하는 요부를 구비하는 커버; 및 상기 커버의 요부에 안착되고, 상기 회로 기판에 마주하는 콘택 시트를 포함한다.

Description

반도체 소자의 테스트 소켓{TEST SOCKET FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 소자의 검사 장치에 관한 것이다.

화합물 반도체 소자는 GaAs, InP, SiGe, GaN 등의 화합물 반도체를 포함하는 소자로, 고출력이 요구되는 분야에 적용될 수 있다. 예를 들어, GaN계 반도체 소자는 높은 주파수(RF)에서 동작하거나, 높은 전력이 요구되는 곳에 이용된다. 특히, AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor; 고 전자이동도 트랜지스터) 소자는 전력 밀도가 높아서 고출력이 요구되는 분야에 많이 사용되는 전력 반도체 소자이다. 상기 전력 반도체 소자는 출력이 수W 내지 100W 또는 그 이상으로 높고, 소자 동작 중 자체에서 발열되는 열에 의하여 상기 전력 반도체 소자의 온도가 200℃ 이상으로 올라가게 된다.

특히, 상기 전력 반도체 소자를 고온에서 신뢰성 테스트를 하면, 상기 전력 반도체 소자의 온도가 약 250 내지 300℃까지 상승할 수 있다. 따라서, 상기 전력 반도체 소자를 시험하는 테스트 소켓은 소자에서 발생하는 열을 잘 견디어야 한다.

이를 위하여, 상기 테스트 소켓을 구성하는 부품들이 열의 영향을 적게 받을 수 있는 구조로 설계되어야 하며, 상기 테스트 소켓을 구성하는 부품들은 고온에서 견딜 수 있는 재질로 이루어져야 한다.

본 발명의 일 목적은 다양한 온도에서 반도체 소자를 테스트할 수 있는 반도체 소자의 검사 장치를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 일 목적에 따른 반도체 소자의 테스트 소켓은 하부 베이스, 및 상기 하부 베이스의 중앙부에서 돌출된 상부 베이스를 포함하는 베이스; 반도체 소자가 인입되는 개구홀, 및 상기 반도체 소자의 리드선들에 접촉되는 콘택 패드들을 구비하고, 상기 상부 베이스 상에 배치되는 회로 기판; 상기 개구홀 하부의 상기 상부 베이스에 삽입되며, 상기 개구홀에 인입된 상기 반도체 소자에 열을 가하는 히터 블록; 상기 히터 블록 및 상기 상부 베이스 사이에 배치되는 내열성 코팅막; 상기 상부 베이스의 형상에 대응하는 요부를 구비하는 커버; 및 상기 커버의 요부에 안착되고, 상기 회로 기판에 마주하는 콘택 시트를 포함한다.

상술한 바와 같은 반도체 소자의 테스트 소켓은 회로 기판을 지지하는 베이스 내에 반도체 소자에 열을 가하는 히터 블록을 내장하여, 상기 히터 블록을 통해 온도를 조절하여 상온뿐 아니라 그 이상의 고온을 포함하는 다양한 온도 범위에서 반도체 소자의 신뢰성 및 전기적 특성을 테스트할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 히터 블록을 반도체 소자가 인입되는 개구홀 하부의 베이스 내에 배치함으로써 히터 블록에서 발생된 열이 반도체 소자에 집중될 수 있도록 하여 상기 히터 블록의 용량을 최소화하고 가열 효율을 극대화할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 히터 블록의 외벽에 배치되는 내열성 코팅막을 구비하여 열이 타 부품으로 전달되지 않아 하나의 반도체 소자를 테스트한 후, 타 반도체 소자를 곧바로 테스트할 수 있다.

상기 반도체 소자 테스트 소켓은 히터를 통해 고온의 테스트 환경을 조성할 수 있으므로 고온을 요하는 수명 테스트 및 번-인 테스트(Bunr-In test)를 수행할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 테스트 소켓을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 테스트 소켓의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 I-I'라인에 따른 단면도이다.
도 3a는 도 1에 도시된 하부 소켓의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인에 따른 단면도이다.
도 4a는 도 1에 도시된 상부 소켓을 설명하기 위한 저면도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅲ-Ⅲ' 라인에 따른 단면도이다.
도 5는 도 1 내지 도 4b에 도시된 반도체 소자의 테스트 소켓에 반도체 소자를 테스트하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 테스트 소켓을 설명하기 위한 사시도이며, 도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 반도체 소자의 테스트 소켓의 결합 상태를 나타내는 도면들이다. 특히, 도 2a는 도 1에 도시된 테스트 소켓의 평면도이며, 도 2b는 도 2a의 I-I'라인에 따른 단면도이다.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 반도체 소자의 테스트 소켓은 하부 소켓과 상부 소켓을 포함한다.

상기 하부 소켓은 베이스(100), 상기 베이스(100)에 의해 지지되어 상기 베이스(100)에 장착된 회로 기판(300), 및 절연 기판(600)을 포함할 수 있다.

상기 베이스(100)는 가볍고 단단하며, 가공성이 좋은 재질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스(100)는 300℃의 고온에서 변형되지 않는 금속 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스(100)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함할 수 있다.

상기 베이스(100)는 하부 베이스(115)와, 상기 하부 베이스(115)의 중앙부로부터 돌출된 상부 베이스(120)를 포함할 수 있다. 상기 하부 베이스(115)는 상기 상부 소켓을 지지할 수 있으며, 상기 상부 베이스(120)는 회로 기판(300)을 지지할 수 있다.

또한, 상기 베이스(100)는 내부에 장착된 히터 블록(110)을 더 포함할 수 있다. 상기 히터 블록(110)은 상기 베이스(100)의 상기 상부 베이스(120) 중앙부에 삽입될 수 있다. 상기 히터 블록(111)은 열 전도성이 우수한 물질, 예를 들면, 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 히터 블록(110)은 히터(111)에서 발생한 열을 전달받아 반도체 소자(500)로 전달할 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 소자(500)의 테스트 동작시 고온의 환경을 조성할 때, 상기 히터 블록(110)은 상기 반도체 소자(500)에 고르게 열을 가할 수 있다.

또한, 상기 히터 블록(110)의 상부면을 제외한 외부는 내열성 코팅막(112)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 상기 내열성 코팅막(112)은 상기 히터 블록(110) 및 상기 상부 베이스(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 내열성 코팅막(112)은 내열성이 우수하며, 전기나 열에 대한 절연 특성이 우수한 물질, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE: Polytetrafluoroethylene)을 포함할 수 있다. 상기 폴리테트라플루오로에틸렌은 220℃ 내지 300℃의 의 높은 온도에서도 연속 사용이 가능하다.

상기 회로 기판(300)은 300℃의 고온에서 변형되지 않고, 내열성이 높은 재질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 회로 기판(300)은 유전율이 낮아 고주파에서도 신호 전송 손실(signal transmission loss)을 최소화할 수 있고, 인접한 두 배선 간의 크로스 토크(crosstalk)를 최소화할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 기판(300)은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.

상기 회로 기판(300)의 배면은 상기 상부 베이스(120)와 마주하며, 상기 회로 기판(300)은 상기 상부 베이스(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(300)은 상기 반도체 소자(500)가 인입되는 개구홀(310)을 구비할 수 있다. 상기 반도체 소자(500)는 상기 회로 기판(300)의 상기 개구홀(310)에 인입되어 상기 베이스(100)의 상기 상부 베이스(120)의 상기 히터 블록(110) 상에 안착될 수 있다.

상기 절연 기판(600)은 상기 하부 베이스(115)의 배면 상에 배치될 수 있다. 상기 절연 기판(600)은 내열성 및 절연성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 기판(600)은 테프론 또는 베스펠(vespel)을 포함할 수 있다.

상기 상부 소켓은 상기 커버(200) 및 콘택 시트(400)를 포함할 수 있다.

상기 커버(200)는 '

' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 커버(200)는 상기 상부 베이스(120)의 형상에 대응하는 요부(210)를 구비할 수 있다. 따라서, 상기 커버(200)는 상기 상부 베이스(120)가 상기 요부(210)에 삽입되는 형태로 상기 베이스(100) 상에 배치될 수 있다.

또한, 상기 커버(200)는 상기 회로 기판(300)을 커버할 수 있다. 상기 커버(200)는 상기 베이스(100)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(200)는 알루미늄을 포함할 수 있다.

상기 콘택 시트(400)는 상기 회로 기판(300)에 마주할 수 있다. 상기 콘택 시트(400)는 상기 커버(200)의 상기 요부(210)에 안착되어 상기 회로 기판(300) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 콘택 시트(400)는 상기 반도체 소자(500)가 인입되는 상기 개구홀(310)에 대응되는 홈(430)을 구비할 수 있다.

또한, 상기 상부 소켓은 상기 반도체 소자의 테스트 시 상기 반도체 소자의 온도를 측정할 수 있는 온도 측정기(thermocouple)가 삽입될 수 있는 홀(420)을 더 구비할 수 있다. 상기 홀(420)은 상기 콘택 시트(400) 및 상기 커버(200)를 관통할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 베이스(100) 내에 상기 히터(111) 및 상기 히터 블록(110)을 내장하여 상기 반도체 소자(500)에 직접 열을 가할 수 있으므로, 상기 히터(111)를 통해 온도를 조절하여 상온(15℃ 내지 25℃)보다 높은 고온의 테스트 환경을 조성할 수 있다. 또한, 히터(111)를 가동하지 않을 시, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상온의 테스트 환경을 조성할 수 있다. 이와 같이, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상온뿐 아니라 고온을 포함하는 다양한 온도 범위의 테스트 환경에서 반도체 소자의 신뢰성 및 전기적 특성을 테스트할 수 있다.

상기 베이스(100), 상기 커버(200), 및 상기 회로 기판(300)는 내열성이 강한 재질로 형성되었으므로 상기 히터(111) 및 상기 히터 블록(110)에 의해 열이 가해지더라도 베이스(100), 커버(200), 및 회로 기판(300)이 열에 의해 손상되거나 변형되는 문제를 줄일 수 있다.

상기 히터 블록(110)이 상기 반도체 소자(500)가 안착되는 영역의 하부에 배치되며, 상기 히터 블록(110)은 상기 반도체 소자(500)에 직접적으로 열을 가할 수 있다. 또한, 상기 히터 블록(110)이 상기 개구홀(310) 하부에 배치되고, 상기 내열성 코팅막(112)이 상기 히터 블록(110) 및 상기 상부 베이스(120) 사이에 배치되므로, 상기 히터(111)에서 발생한 열은 상기 반도체 소자(500)에 집중될 수 있다. 따라서, 상기 히터 블록(110)의 부피를 최소화하고, 상기 반도체 소자(500)의 가열 효율을 극대화할 수 있다.

상기 내열성 코팅막(112)은 상기 히터(111)에서 발생한 열이 상기 반도체 소자의 테스트 소켓의 타 부품, 예를 들면, 상기 베이스(100), 상기 회로 기판(300), 및 상기 상부 소켓으로 전달되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 상기 상부 소켓 및 상기 하부 소켓이 상기 반도체 소자(500)의 테스트 시에 상온 이상으로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 하나의 반도체 소자(500)의 테스트가 완료되면, 곧바로 다른 반도체 소자(500)를 테스트하는 것이 가능하다. 그러므로, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 다수의 반도체 소자(500)의 테스트 시간을 단축할 수 있다.

이하, 도 3a 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 테스트 소켓의 상부 소켓 및 하부 소켓에 대해 보다 구체적으로 설명한다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 테스트 소켓의 하부 소켓을 나타내는 도면들이다. 특히, 도 3a는 도 1에 도시된 하부 소켓의 평면도이며, 도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 라인에 따른 단면도이다.

도 4a 및 도 4b는 도 1에 도시된 반도체 소자의 테스트 소켓의 상부 소켓을 나타내는 도면들이다. 특히, 도 4a는 도 1에 도시된 상부 소켓을 설명하기 위한 저면도이며, 도 4b는 도 4a의 Ⅲ-Ⅲ' 라인에 따른 단면도이다.

도 3a, 도 3b, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 하부 소켓은 베이스(100) 및 회로 기판(300)을 포함할 수 있다.

상기 베이스(100)는 베이스(100)의 외곽으로부터 베이스(100)의 중앙 부분까지 연장된 히터 블록(110)을 포함한다. 히터 블록(110)은 개구홀(310) 하부에 배치되도록 연장되어 개구홀(310)에 인입되는 반도체 소자에 열을 가할 수 있다.

또한, 상기 베이스(100)는 하부 베이스(115), 상부 베이스(120) 및 절연 기판(600)을 관통하는 관통 홀들(141, 151)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀들(141, 151)에는 상기 회로 기판(300)에 입력 신호를 인가하는 제1 연결 라인(140), 상기 회로 기판(300)의 출력 신호를 전송하는 제2 연결 라인(150)이 삽입될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(140) 및 상기 제2 연결 라인(150)은 실리콘 또는 유리 섬유로 피복되어 전기나 열에 대한 절연성을 가질 수 있다.

상기 제1 연결 라인(140) 및 상기 제2 연결 라인(150)은 상기 관통 홀들(141, 151)에 삽입므로, 상기 제1 연결 라인(140)의 일단 및 상기 제2 연결 라인(150)의 일단은 상기 회로 기판(300)에 각각 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 연결 라인(140)의 타단 및 상기 제2 연결 라인(150)의 타단은 반도체 소자의 테스트 소켓의 하부로 인출될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(140)의 타단은 입력 신호를 인가하는 전원 공급 장치에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 연결 라인(150)의 타단은 출력 신호를 수신하는 출력 신호 수신 장치에 전기적으로 연결될 수 있다. 만약, 상기 전원 공급 장치 및 출력 신호 수신 장치가 하나의 회로 기판 상에 실장된 형상을 가진다면, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓도 상기 전원 공급 장치 및 상기 출력 신호 수신 장치가 실장된 상기 회로 기판 상에 실장될 수도 있다.

상기 회로 기판(300)은 베이스(100)의 상부 베이스(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(300)은 상기 제1 연결 라인(140)을 통해 상기 입력 신호를 인가받는 입력 단자(340), 상기 제2 연결 라인(150)을 통해 상기 출력 신호를 전송하는 출력 단자(350), 상기 입력 단자(340)와 상기 출력 단자(350) 각각에 연결된 도전 라인들(320), 및 상기 도전 라인들(320)에 연결된 콘택 패드들(330)을 포함할 수 있다.

상기 콘택 패드들(330)은 상기 회로 기판(300)의 개구홀(310)에 접하여 배치되며, 상기 개구홀(310)을 사이에 두고 마주하여 배치된다. 상기 입력 단자(340) 및 상기 출력 단자(350)는 상기 콘택 패드들(330)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 입력 단자(340) 및 상기 출력 단자(350) 각각은 상기 제1 연결 라인(140) 및 상기 제2 연결 라인(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 후술하겠으나, 상기 콘택 패드들(330)은 테스트할 반도체 소자의 리드들(lead)에 접촉된다.

상기 콘택 패드들(330), 상기 입력 단자(340), 및 상기 출력 단자(350)는 산화가 되지 않는 재질로 도금될 수 있다. 예를 들어, 상기 콘택 패드들(330), 상기 입력 단자(340), 및 상기 출력 단자(350)는 금으로 도금될 수 있다.

상부 소켓은 커버(200) 및 콘택 시트(400)를 포함할 수 있다.

상기 커버(200)는 상기 상부 베이스(120)의 형상에 대응하는 요부(210)를 구비할 수 있다. 상기 커버(200)는 상기 회로 기판(300)을 커버할 수 있다. 또한, 상기 커버(200)는 상기 상부 베이스(120)가 상기 요부(210)에 삽입되는 형태로 상기 베이스(100) 상에 배치될 수 있다.

상기 콘택 시트(400)는 상기 커버(200)의 상기 요부(210), 특히, 상기 요부(210)의 평탄면 상에 배치될 수 있다. 상기 콘택 시트(400)는 상기 커버(200)에 접하는 상기 바디부(405), 상기 바디부(405)로부터 돌출된 상기 콘택 핀들(410), 및 온도 측정기가 삽입되는 홀(420)을 포함한다. 상기 콘택 시트(400)는 상기 바디부(405) 중앙부에 배치된 홈(430)을 더 포함할 수 있다.

상기 바디부(405)는 상기 히터 블록(110)에 의해 가해지는 열 또는 테스트 하고자 하는 반도체 소자에서 발생되는 열에 의해 변형되지 않도록 내열성이 좋은 재질로 형성된다. 예를 들어, 상기 바디부(405)는 300℃의 고온이 지속되더라도 변형이 없는 베스펠(vespel)로 형성될 수 있다.

상기 콘택 핀들(410)은 도 5에서 후술한 상기 반도체 소자(500)의 리드선들(510)이 회로 기판(300)의 콘택 패드들(330)에 접촉이 잘 될 수 있도록 리드선들(510)에 압력을 가한다.

상기 콘택 시트(400)는 상기 커버(200)에 고정되어 장착될 수 있다. 상기 커버(200)와 상기 콘택 시트(400) 사이에 탄성 부재(미도시), 예를 들면, 용수철이 삽입될 수 있다.

상기 탄성 부재에 의해, 상기 콘택 시트(400)는 상기 반도체 소자(500)의 상기 리드선(510) 두께에 따라 상하로 유동하는 것이 가능하다. 또한, 상기 반도체 소자(500)의 상기 리드선(510)의 두께에 상관없이, 상기 탄성 부재는 상기 반도체 소자(500)의 상기 리드선(510)과 상기 콘택 시트(400)의 상기 콘택 핀(410) 사이의 접촉을 강화시킬 수 있다.

상기 온도 측정기는 테스트하고자 하는 상기 반도체 소자(500)의 온도를 측정하기 위해 상기 리드선(510)에 접촉되도록 상기 홀(420) 삽입되어 부착된다. 상기 온도 측정기를 통해 테스트 중인 상기 반도체 소자의 온도를 측정하여 테스트 환경을 제어할 수 있다.

도 5는 도 1 내지 도 4b에 도시된 반도체 소자의 테스트 소켓에 반도체 소자를 테스트하는 방법을 설명하기 위한 도면으로, 하부 소켓에 반도체 소자가 인입된 상태를 나타내는 도면이다.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 우선, 회로 기판(300)의 개구홀(310)에 반도체 소자(500)를 인입시킨다. 여기서, 상기 반도체 소자(500)의 리드선들(510)은 상기 회로 기판(300)의 콘택 패드들(330) 상에 안착될 수 있다.

그런 다음, 콘택 시트(400)가 장착된 커버(200)를 덮는다. 여기서, 상부 베이스(120)는 상기 커버(200)의 요부(210)에 삽입될 수 있다. 또한, 상기 콘택 시트(400)의 콘택 핀들(410)이 상기 리드선들(510)을 눌러서 상기 리드선들(510)이 상기 콘택 패드들(330)에 용이하게 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 회로 기판(300)의 입력 단자(340) 및 출력 단자(350)로부터의 신호가 반도체 소자(500)의 리드선들(510)에 용이하게 인가될 수 있다.

이후에, 히터(111)에 전원을 인가하여 열이 발생하면, 히터 블록(110)은 상기 반도체 소자(500)를 고르게 가열할 수 있다.

상기 반도체 소자(500)가 가열되면, 상기 입력 단자(340)에 연결된 제1 연결 라인(140)을 통하여 입력 신호를 인가한다. 상기 입력 신호에 의하여 상기 반도체 소자(500)는 상기 출력 단자(350)에 연결된 제2 연결 라인(150)을 통하여 출력 신호가 외부로 전송할 수 있다. 상기 출력 신호를 분석하여 상기 반도체 소자(500)의 테스트 결과를 확인할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 히터 블록(110)을 내부에 구비하므로, 고온의 테스트 환경을 요하는 AlGaN HEMT(High Electron Mobility Transistor; 고전자이동도트랜지스터), GaN HEMT 등의 화합물 반도체 소자를 테스트할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 히터 블록(110)을 통해 고온의 테스트 환경을 조성할 수 있으므로 고온을 요하는 수명 테스트 및 번-인 테스트(Bunr-In test)를 수행할 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 RF 소자에서 사용하는 CMC(copper/molybdenum/copper) 패키지, 세라믹-메탈 플랜지(Ceramic/metal flange) 패키지, 버터 플라이(butterfly) 패키지 등 일반적인 반도체 소자 패키지를 테스트할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 범용 테스트 소켓으로 활용될 수 있다.

상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 고온에 적합한 재질을 포함하므로, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 고온에서 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자의 테스트 소켓은 상기 히터 블록(110)을 가동하지 않은 상태에서 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있으므로 상온에서 이용될 수도 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

100: 베이스 110: 히터 블록
111: 히터 112: 내열성 코팅막
115: 하부 베이스 120: 상부 베이스
200: 커버 300: 회로 기판
310: 개구홀 320: 도전라인
330: 콘택 패드 340: 입력 단자
350: 출력 단자 400: 콘택 시트
410: 콘택 핀 405: 바디부
420: 홀 430: 홈
500: 반도체 소자 510: 리드선
600: 절연 기판

Claims (1)

1. 하부 베이스, 및 상기 하부 베이스의 중앙부에서 돌출된 상부 베이스를 포함하는 베이스;
   반도체 소자가 인입되는 개구홀, 및 상기 반도체 소자의 리드선들에 접촉되는 콘택 패드들을 구비하고, 상기 상부 베이스 상에 배치되는 회로 기판;
   상기 개구홀 하부의 상기 상부 베이스에 삽입되며, 상기 개구홀에 인입된 상기 반도체 소자에 열을 가하는 히터 블록;
   상기 히터 블록 및 상기 상부 베이스 사이에 배치되는 내열성 코팅막;
   상기 상부 베이스의 형상에 대응하는 요부를 구비하는 커버; 및
   상기 커버의 요부에 안착되고, 상기 회로 기판에 마주하는 콘택 시트를 포함하는 반도체 소자의 테스트 소켓.
   

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