KR20170110747A - Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and the manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고, 상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지; 및 가교제를 포함하는 조성물의 경화 필름인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조방법을 제공한다.A base layer, an intermediate layer and an adhesive layer, wherein the base layer is a resin modified to contain a silanol group; And a cross-linking agent, and a process for producing the same.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 이의 제조방법 {SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND THE MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer and a method for manufacturing the pressure-

반도체 웨이퍼를 가공함에 있어서 표면을 보호할 필요가 있는 경우에 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하여 표면을 보호하는 역할을 하는 점착 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film which acts to protect a surface of a semiconductor wafer by attaching to a surface of a semiconductor wafer when it is necessary to protect the surface of the semiconductor wafer.

최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 리드레스(leadless)화, 박형화 및 칩의 고집적화에 대한 요구도 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 요구 역시 증가하고 있다.Recently, miniaturization and lightening of electronic products are rapidly proceeding, and there is an increasing demand for leadless, thinned, and highly integrated chips in semiconductor packages. In response to this demand, there is also an increasing demand for large-scale curing and thinning of the wafers included in the semiconductor package.

그러나, 대구경화의 진행에 따라 백그라인딩 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 역할이 더욱 중요시되고 있다.However, due to the progress of the hardening of the wafer, wafers are often damaged such as wafer contamination and cracking during the back grinding process, and thus the role of the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer becomes more important.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 다층 구조를 가질 수 있고, 일반적으로 기본적인 지지 역할을 하는 기재층을 포함하게 된다. 이러한 기재층은 반도체 웨이퍼의 가공 공정 중에 필름의 안정성을 확보하는 데 중요한 역할을 하며, 점착 필름이 적절한 외력에 의해 평평하게 잘 부착될 수 있고, 필요한 경우 적절한 외력에 의해 잔사 없이 박리될 수 있도록 구조적으로 적합한 강성 및 연신 성능을 부여하는 역할을 한다.
The adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer may have a multi-layered structure, and generally includes a substrate layer serving as a basic support. The base layer plays an important role in ensuring the stability of the film during the processing of the semiconductor wafer, and it can be structured so that the adhesive film can be adhered flatly by an appropriate external force and, if necessary, To give appropriate stiffness and stretching performance.

본 발명의 일 구현예는 적합한 인장 강도, 인열 강도 및 연신율을 제공하는 기재층을 갖는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer having a base layer which provides a suitable tensile strength, tear strength and elongation.

본 발명의 다른 구현예는 상기 기재층을 갖는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법을 제공한다.
Another embodiment of the present invention provides a method for producing a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer having the base layer.

본 발명의 일 구현예에서, 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고, 상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지; 및 가교제를 포함하는 조성물의 경화 필름인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.In one embodiment of the invention, the substrate layer comprises a substrate layer, an intermediate layer and an adhesive layer, the substrate layer being made of a resin modified to contain a silanol group; And a crosslinking agent, which is a cured film of the composition.

본 발명의 다른 구현예에서, 수지 원료로부터 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지를 제조하는 단계; 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지와 가교제를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조하는 단계; 상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(castig) 공법으로 기재층을 제조하는 단계; 및 상기 기재층 일면에 중간층 및 점착층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법을 제공한다.
In another embodiment of the present invention, there is provided a method for preparing a resin composition, comprising: preparing a resin modified from the resin raw material to contain a silanol group; Preparing a composition for forming a base layer by mixing a resin modified with the silanol group and a crosslinking agent; Preparing a base layer from a composition for forming a base layer by a casting method; And forming an intermediate layer and an adhesive layer on one surface of the base layer.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 특정 기재층을 함유함으로써 반도체 공정 중의 점착 필름의 표면 보호 기능을 향상시키고, 점착 필름의 부착 또는 박리 시의 가공성을 향상시킬 수 있다. The above-mentioned adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer can improve the surface protecting function of the adhesive film in the semiconductor process by containing a specific base layer and improve the workability in adhering or peeling the adhesive film.

또한, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법을 통하여 상기 기재층을 갖는 점착 필름을 효율적으로 제조할 수 있다.
In addition, the adhesive film having the base layer can be efficiently produced through the above-described method for producing a pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a cross section of a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent by describing in detail exemplary embodiments thereof with reference to the attached drawings in which: These embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art to which the invention pertains. Only. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

또한, 본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 아울러, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 또는 "하부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
It will also be understood that when a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" or "over" another portion, . Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. In addition, when a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "under" or "under" another portion, . Conversely, when a part is "directly underneath" another part, it means that there is no other part in the middle.

본 발명의 일 구현예에서, 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고, 상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지; 및 가교제를 포함하는 조성물의 경화 필름인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다. In one embodiment of the invention, the substrate layer comprises a substrate layer, an intermediate layer and an adhesive layer, the substrate layer being made of a resin modified to contain a silanol group; And a crosslinking agent, which is a cured film of the composition.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 단면을 개략적으로 도시한 것이다. 1 schematically shows a cross section of a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조할 때, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 기재층(10), 중간층(20) 및 점착층(30)을 포함한다. 상기 점착 필름은 상기 기재층(10) 및 점착층(30) 사이에 중간층(20)이 포함된 구조를 가짐으로써 우수한 단차 흡수 성능을 구현할 수 있다. 1, the adhesive film 100 for protecting a semiconductor wafer surface includes a base layer 10, an intermediate layer 20, and an adhesive layer 30. The adhesive film has a structure in which the intermediate layer 20 is included between the base layer 10 and the adhesive layer 30, thereby achieving excellent step difference absorption performance.

구체적으로, 상기 점착 필름은 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하는 구조를 통하여, 표면에 약 30㎛ 내지 약 100㎛의 단차를 갖는 구조가 배치된 웨이퍼의 이면 연삭(backgrinding) 공정에 사용될 때, 상기 단차를 효과적으로 흡수하면서 잘 부착되는 장점을 가질 수 있다. Specifically, when the adhesive film is used for a backgrinding process of a wafer on which a structure having a step of about 30 mu m to about 100 mu m is disposed on a surface through a structure including a base layer, an intermediate layer and an adhesive layer, It can be advantageous to adhere well while effectively absorbing the step difference.

상기 기재층, 중간층 및 점착층의 각 두께는 용도에 따라 조절 가능한 것으로서 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 상기 점착 필름이 범프(bump)와 같이 약 30㎛ 내지 약 100㎛의 단차를 갖는 구조가 배치된 웨이퍼의 표면에 적용되는 경우, 상기 기재층(10)은 약 50㎛ 내지 약 150㎛의 두께를 가질 수 있고, 상기 중간층(20)은 약 50㎛ 내지 약 200㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 기재층(10) 및 중간층(20)이 상기 범위의 두께를 가짐으로써 전술한 범위의 단차를 갖는 구조를 효과적으로 흡수할 수 있다. Thicknesses of the base layer, the intermediate layer and the pressure-sensitive adhesive layer are not particularly limited as long as they can be adjusted depending on the application. For example, the pressure-sensitive adhesive film may have a structure having a step of about 30 탆 to about 100 탆 like a bump When applied to the surface of a placed wafer, the substrate layer 10 may have a thickness of from about 50 μm to about 150 μm and the intermediate layer 20 may have a thickness of from about 50 μm to about 200 μm . By having the base layer 10 and the intermediate layer 20 have a thickness in the above-mentioned range, it is possible to effectively absorb the structure having the step difference in the above-mentioned range.

상기 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하는 점착 필름은 반도체 웨이퍼의 가공 공정 중에 외력으로부터 반도체 웨이퍼를 효과적으로 보호해야 하며, 적절한 점착 물성을 나타내야 한다. The adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer must effectively protect the semiconductor wafer from external force during the processing of the semiconductor wafer and exhibit proper adhesive property.

이때, 상기 기재층은 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 반도체 웨이퍼에 적용되었을 때, 최외각에 위치하는 층으로서 웨이퍼의 가공 중에 외력으로부터 웨이퍼의 표면을 1차적으로 보호하는 역할을 한다. 또한, 상기 기재층은 상기 점착 필름에 구조적으로 적절한 인장 강도, 인열 강도 및 연신 특성을 제공함으로써, 상기 점착 필름이 부착될 때 평평하게 밀착되도록 하며, 박리될 때 적절한 힘으로 잔사 없이 박리되도록 할 수 있다. At this time, when the base layer is applied to the semiconductor wafer as the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer, the base layer acts as a layer located at the outermost position and primarily protects the surface of the wafer from external force during processing of the wafer. In addition, the base layer can be made to adhere flatly to the adhesive film when the adhesive film is adhered, by providing a tensile strength, a tearing strength, and a stretching property structurally appropriate to the adhesive film, have.

구체적으로, 상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 및 가교제를 포함하는 조성물의 경화 필름으로 이루어진다. Specifically, the base layer comprises a cured film of a composition comprising a resin modified to contain a silanol group and a crosslinking agent.

상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지는 상기 수지에 화학적으로 결합된 실라놀기를 함유한다. 상기 실라놀기는 상기 수지에 가교 사이트(site)를 부여하는 역할을 하며, 이를 통해 가교제와 반응하여 기재층의 인장 및 인열 강도를 조절하는 장점을 부여한다. 상기 기재층의 인장 강도가 일정 수준 이하이면 백그라인딩 공정 후 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제거할 때 기재층이 늘어나는 등의 변형이 생기는 문제가 있을 수 있다. The resin modified to contain the silanol group contains a silanol group chemically bonded to the resin. The silanol group has a role of providing a crosslinking site to the resin, thereby giving an advantage of reacting with the crosslinking agent to control the tensile and tear strength of the base layer. If the tensile strength of the base layer is lower than a certain level, there may be a problem that deformation such as stretching of the base layer occurs when the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface is removed after the backgrinding process.

상기 실라놀기는 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다. 하기 화학식 1에서 n은 1 내지 3의 정수이며, 구체적으로 1, 2 또는 3이다. 또한, 하기 화학식 1에서 R은 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 선형 또는 분지형 알킬기 중 어느 하나일 수 있다.The silanol group may have a structure represented by the following formula (1). In the general formula (1), n is an integer of 1 to 3, specifically 1, 2 or 3. In the formula (1), each R may independently be any one of C1 to C5 linear or branched alkyl groups.

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

-Si(OR)3-n(OH)n -Si (OR) 3-n (OH) n

상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지는 실라놀기를 제공하는 실란 화합물을 수지와 화학적으로 반응시키고, 또한 가수분해시켜 얻을 수 있다. The resin modified to contain the silanol group can be obtained by chemically reacting the silane compound providing the silanol group with the resin and further hydrolyzing the silanol compound.

상기 실라놀기를 제공하는 실란 화합물은 예를 들어, 비닐트리메틸실란(Vinyltrimethylsilane), 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxysilane), 트리아세톡시(비닐)실란(Triacetoxy(vinyl)silane), 트리페닐(비닐)실란(Triphenyl(vinyl)silane) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. The silane compound providing the silanol group may be, for example, vinyltrimethylsilane, vinyltrimethoxysilane, triacetoxy (vinyl) silane, triphenyl (vinyl) silane, (Triphenyl (vinyl) silane), and combinations thereof.

또한, 상기 수지는 실라놀기를 갖도록 개질되기 용이한 화학 구조를 갖는 수지로서, 예를 들어, 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지, 폴리에틸렌(PE) 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. In addition, the resin is a resin having a chemical structure that is easily modified to have a silanol group, and includes, for example, one selected from the group consisting of an ethylene vinyl acetate (EVA) resin, a polyethylene (PE) resin, .

구체적으로, 상기 수지는 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지를 포함하며, 이때, 상기 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지는 비닐아세테이트(VA) 유래 구조 단위를 약 10중량% 내지 약 40중량% 포함할 수 있고, 예를 들어, 약 15중량% 내지 약 30중량% 포함할 수 있다. 상기 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지가 비닐아세테이트(VA) 유래 구조 단위를 상기 범위의 함량으로 함유함으로써 상기 실라놀기가 적절한 함량으로 함유되도록 개질 가능하며, 그 결과, 상기 기재층이 요구되는 인장 강도, 인열 강도 및 연신율을 모두 확보할 수 있다. Specifically, the resin comprises an ethylene vinyl acetate (EVA) resin, wherein the ethylene vinyl acetate (EVA) resin may comprise from about 10% to about 40% by weight of structural units derived from vinyl acetate (VA) , Such as from about 15% to about 30% by weight. The ethylene vinyl acetate (EVA) resin can be modified to contain the structural unit derived from vinyl acetate (VA) in a content within the above range, so that the silanol group is contained in an appropriate amount. As a result, Both the tear strength and elongation can be secured.

상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지는 상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 실라놀기를 약 5 내지 약 20 중량부 함유할 수 있고, 예를 들어 약 6 내지 약 12 중량부 함유할 수 있다. 상기 기재층은 실라놀기가 상기 범위의 함량으로 함유되도록 개질된 수지를 포함함으로써 적절한 경화도를 갖는 필름으로 형성될 수 있고, 그 결과, 요구되는 수준의 인장 강도, 인열 강도 및 연신율을 모두 확보할 수 있다. The resin modified to contain the silanol group may contain about 5 to about 20 parts by weight of the silanol group per 100 parts by weight of the resin, for example, about 6 to about 12 parts by weight. The substrate layer can be formed of a film having a proper degree of curing by including a resin modified so that the silanol group is contained in the above range. As a result, it is possible to obtain a desired level of tensile strength, tear strength and elongation have.

상기 기재층을 형성하기 위한 조성물은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 및 가교제를 포함하며, 상기 가교제는 실라놀기와 가교 반응을 수행하여 상기 기재층에 우수한 강도 및 강성을 부여하는 역할을 한다. The composition for forming the base layer includes a resin modified to contain a silanol group and a crosslinking agent, and the crosslinking agent performs a crosslinking reaction with the silanol group to impart excellent strength and rigidity to the base layer.

예를 들어, 상기 가교제는 알콕시실란 화합물, 알킬아민 화합물, 물(H2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. For example, the crosslinking agent may include one selected from the group consisting of alkoxysilane compounds, alkylamine compounds, water (H 2 O), and combinations thereof.

구체적으로, 상기 알콕시실란 화합물은 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS), 3-아미노프로필트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 테트라에틸오르소실리케이트, 비닐트리에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. Specifically, the alkoxysilane compound is preferably selected from the group consisting of tetraethylorthosilicate (TEOS), 3-aminopropyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, tetraethylorthosilicate, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, Octyltriethoxysilane, and combinations thereof. ≪ Desc / Clms Page number 7 >

상기 가교제로서 상기 종류의 알콕시실란 화합물이 포함되는 경우, 상기 실라놀기와 가교제의 가교 반응이 상대적으로 잘 일어날 수 있고, 다른 종류의 가교제에 비하여 요구되는 수준의 인장 강도, 인열 강도 및 연신율을 구현하기에 용이할 수 있다. When the above-mentioned alkoxysilane compound is included as the cross-linking agent, the cross-linking reaction between the silanol group and the cross-linking agent can occur relatively easily, and the tensile strength, tear strength and elongation .

또한, 가교제로 사용될 수 있는 상기 알킬아민 화합물은 예를 들어, 탄소수 1 내지 5의 직쇄형 또는 분지형 알킬기를 갖는 1차, 2차 또는 3차 아민 화합물일 수 있다. In addition, the alkylamine compound which can be used as a crosslinking agent may be, for example, a primary, secondary or tertiary amine compound having a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 기재층을 형성하기 위한 조성물은 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 100 중량부에 대하여 상기 가교제를 약 0.1 내지 약 10 중량부 포함할 수 있으며, 예를 들어, 약 1 내지 약 3 중량부 포함할 수 있다. 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지의 실라놀기 함량과 함께 가교제가 상기 범위의 함량으로 사용됨으로써 상기 조성물이 경화되어 적절한 경화도를 구현할 수 있고, 상기 기재층이 우수한 인열 특성 및 강도를 나타낼 수 있다. The composition for forming the base layer may include about 0.1 to about 10 parts by weight of the crosslinking agent relative to 100 parts by weight of the resin modified to contain the silanol group, for example, about 1 to about 3 parts by weight can do. When the crosslinking agent is used in a content within the above range together with the silanol group content of the resin modified to contain the silanol group, the composition can be cured to obtain an appropriate degree of curing, and the base layer can exhibit excellent tear properties and strength.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 상기 기재층과 함께 중간층 및 점착층을 포함한다. 도 1을 참조할 때, 구체적으로, 상기 기재층(10) 상부에 중간층(20)이 배치되고, 상기 중간층(20) 상부에 점착층(30)이 배치될 수 있다. The pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface includes an intermediate layer and an adhesive layer together with the base layer. Referring to FIG. 1, an intermediate layer 20 may be disposed on the base layer 10, and an adhesive layer 30 may be disposed on the intermediate layer 20.

이때, 상기 중간층(20)은 이를 형성하기 위한 조성물을 상기 기재층(10)의 상부에 도포한 후 경화함으로써 형성될 수 있고, 구체적으로, 상기 중간층은 적어도 1종의 (메타)아크릴산 에스테르계 모노머를 함유하는 모노머 성분의 부분 중합물을 포함하는 조성물의 광경화물일 수 있다. The intermediate layer 20 may be formed by coating a composition for forming the intermediate layer 20 on the base layer 10 and then curing the intermediate layer 20. Specifically, the intermediate layer may include at least one (meth) acrylate monomer ≪ / RTI > of the monomer component.

상기 기재층(10)의 상부에 중간층 형성용 조성물을 도포한 후에 광경화함으로써 상기 중간층(20)이 제조되고, 이때, 상기 기재층이 전술한 성분의 조성물에 기인하여 우수한 강도 및 인열 특성을 나타내기 때문에 상기 중간층 형성용 조성물로부터 중간층을 제조 과정에서도 우수한 안정성을 나타낼 수 있고, 중간층 및 기재층 사이의 계면 안정성이 향상될 수 있다. The intermediate layer 20 is produced by applying the composition for forming an intermediate layer to the top of the base layer 10 and then photo-curing the base layer. At this time, the base layer exhibits excellent strength and tear characteristics due to the composition of the above- It is possible to exhibit excellent stability in the process of manufacturing the intermediate layer from the composition for forming an intermediate layer and to improve the interfacial stability between the intermediate layer and the substrate layer.

예를 들어, 상기 부분 중합물 형성을 위한 (메타)아크릴산 에스테르계 모노머는 에틸헥실아크릴레이트(EHA), 이소보닐아크릴레이트(IBOA), 메틸아크릴레이트(MA), 히드록시에틸메아크릴레이트(HEA), 이소스테아릴아크릴레이스(ISTA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있고, 이 경우 상기 중간층이 우수한 단차 흡수 성능을 구현하고, 상기 기재층 및 점착층과 적절한 점착력으로 부착되어 상기 점착 필름 자체의 내구성 확보에 기여할 수 있다. For example, the (meth) acrylic ester monomer for forming the partial polymer is selected from the group consisting of ethylhexyl acrylate (EHA), isobornyl acrylate (IBOA), methyl acrylate (MA), hydroxyethyl methacrylate (HEA) , Isostearyl acrylate (ISTA), and combinations thereof, wherein the intermediate layer implements an excellent leveling performance and is adhered to the substrate layer and the adhesive layer with adequate adhesion force Thereby contributing to securing the durability of the adhesive film itself.

상기 (메타)아크릴산 에스테르계 모노머의 부분 중합물은 상기 모노머 성분의 전체 중량 대비 약 5중량% 내지 약 30중량%의 모노머가 중합되어 형성된 중합체 또는 공중합체를 포함한다. 즉, 상기 부분 중합물은 상기 중합체 또는 공중합체와 상기 모노머를 모두 포함할 수 있다.  Partial polymerizates of the (meth) acrylic acid ester-based monomer include a polymer or copolymer formed by polymerizing about 5% by weight to about 30% by weight of monomers relative to the total weight of the monomer components. That is, the partial polymerizate may include both the polymer or copolymer and the monomer.

상기 모노머 성분의 전체 중량 대비 상기 범위의 모노머가 중합되어 부분적으로 중합체 또는 공중합체를 형성함으로써, 상기 부분 중합물을 포함하는 중간층 형성용 조성물이 적절한 점도를 확보할 수 있고, 상기 조성물을 도포하는 과정에서 우수한 코팅성을 확보할 수 있다. 또한, 상기 중간층 형성용 조성물이 광경화되어 우수한 단차 흡수 성능을 구현할 수 있다. The monomers in the above range are polymerized to partially form a polymer or a copolymer by the total weight of the monomer components, so that the intermediate layer-forming composition containing the partial polymer can secure an appropriate viscosity. In the process of applying the composition An excellent coating property can be secured. In addition, the composition for forming an intermediate layer is photo-cured, and an excellent step difference absorption performance can be realized.

상기 중간층은 상기 중간층 형성용 조성물의 광경화물으로서, 상기 중간층 형성용 조성물은 상기 부분 중합물과 함께 광개시제, 광경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함할 수 있다.The intermediate layer may be a photo-cured product of the composition for forming an intermediate layer, and the composition for forming an intermediate layer may further include one selected from the group consisting of a photoinitiator, a photo-curing agent, and a combination thereof together with the partial polymer.

상기 광개시제는 상기 부분 중합물의 광경화 반응을 개시할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다. The photoinitiator can be used without particular limitation as long as it can initiate the photo-curing reaction of the partial polymer.

상기 광경화제는 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,2-에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,12-도데칸디올디(메타)아크릴레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
The photocuring agent may be selected from the group consisting of 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,2- But are not limited to, one selected from the group consisting of polyethylene glycol di (meth) acrylate, 1,12-dodecanediol di (meth) acrylate, and combinations thereof.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 상기 기재층 및 중간층과 함께 점착층을 포함하며, 상기 점착층은 상기 점착 필름을 반도체 웨이퍼에 부착할 때, 웨이퍼와 직접적으로 맞닿는 층이다. 예를 들어, 도 1을 참조할 때, 상기 점착층(30)은 상기 중간층(20)의 상부에 형성될 수 있다. The adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer includes an adhesive layer together with the base layer and the intermediate layer, and the adhesive layer is a layer directly contacting the wafer when the adhesive film is attached to the semiconductor wafer. For example, referring to FIG. 1, the adhesive layer 30 may be formed on the intermediate layer 20.

상기 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하는 점착 필름은 반도체 웨이퍼를 정밀 가공하는 공정에서, 표면에 존재하는 회로 패턴 등이 손상되거나, 공정 중에 발생한 이물질 또는 화학 물질 등에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 점착 필름은 반도체 웨이퍼의 정밀 가공이 완료된 이후에 제거되어야 하며, 이때 웨이퍼의 표면을 손상시키지 않고, 박리 잔사 없이 제거되는 것이 중요한 요소이다.The adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer serves to prevent a circuit pattern or the like present on the surface from being damaged or contamination of the wafer due to foreign substances or chemical substances generated during the process . The adhesive film must be removed after the semiconductor wafer is precisely processed, and it is important that the surface of the wafer is removed without peeling off the surface of the wafer.

이를 위해, 일 구현예에서, 상기 점착층은 광개시제를 포함하여 추가 광경화 가능한 열경화 점착층일 수 있다. 상기 점착층은 열경화 점착층으로서, 일정 온도 및 시간 조건에서 점착제 조성물을 열경화하여 제조된 것이다. 이때, 열경화 이후 상기 점착층이 광개시제를 함유하고 있으며, 이로써 웨이퍼 가공이 완료된 이후 추가 광경화가 가능한 물성을 가질 수 있다. To this end, in one embodiment, the adhesive layer may be a further photo-curable thermosetting adhesive layer comprising a photoinitiator. The pressure-sensitive adhesive layer is a thermosetting pressure-sensitive adhesive layer which is prepared by thermosetting the pressure-sensitive adhesive composition under a predetermined temperature and time. At this time, after the thermal curing, the adhesive layer contains a photoinitiator, so that it is possible to have a property of being capable of further light curing after the wafer processing is completed.

상기 점착층이 열경화 이후에도 내부에 광개시제를 일정 함량 함유하고 있음으로써 웨이퍼 가공 이후에 추가 광경화를 통해 웨이퍼 표면에 대한 점착력을 급격히 저하시킬 수 있고, 박리 잔사 없이 점착 필름을 용이하게 제거할 수 있다. Since the adhesive layer contains a certain amount of the photoinitiator even after thermosetting, the adhesion to the wafer surface can be rapidly lowered through additional photocuring after the wafer is processed, and the adhesive film can be easily removed without peeling residue .

예를 들어, 상기 점착층은 이의 전체 중량에 대한 광개시제의 중량비가 약 1000ppm 내지 약 10000ppm일 수 있다. 상기 점착층은 이를 형성하기 위한 원료 점착제 조성물로부터 열경화된 이후에도 상기 범위의 함량으로 광개시제를 함유하고 있으며, 이를 통해 반도체 공정이 완료된 이후 적은 광량의 광에너지에 의한 추가 광경화로 급격한 박리력 저하를 나타내는 이점을 얻을 수 있다. 상기 점착층이 적은 광량의 광에너지에 의해서도 급격한 박리력 저하를 나타낼 수 있기 때문에 광경화에 많은 광량의 광에너지가 필요한 경우에 비하여 웨이퍼 표면을 손상시킬 위험이 줄어드는 장점이 있다. For example, the adhesive layer may have a weight ratio of the photoinitiator to its total weight of from about 1000 ppm to about 10000 ppm. The pressure-sensitive adhesive layer contains a photoinitiator in the above-described range even after being thermally cured from the raw material pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer. This shows a rapid detachment of the pressure-sensitive adhesive layer due to the additional photo- This can be achieved. Since the adhesive layer can exhibit a rapid peeling force reduction even with light energy of a small amount of light, there is an advantage that the risk of damaging the surface of the wafer is reduced compared with the case where light energy of a large amount of light is required for photocuring.

상기 점착층을 형성하기 위한 점착제 조성물은 열경화성 관능기 및 광경화성 관능기를 동시에 함유하는 수지, 열경화제 및 광개시제를 포함할 수 있다. The pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer may comprise a resin containing a thermosetting functional group and a photo-curable functional group at the same time, a thermosetting agent, and a photoinitiator.

이때, 상기 열경화성 관능기는 히드록시기일 수 있다. 또한, 상기 광경화성 관능기는 탄소-탄소 불포화 이중결합을 포함하는 관능기로서, 예를 들어, (메타)아크릴레이트기일 수 있다. At this time, the thermosetting functional group may be a hydroxyl group. The photocurable functional group may be a functional group containing a carbon-carbon unsaturated double bond, for example, a (meth) acrylate group.

상기 종류의 열경화성 관능기 및 광경화성 관능기를 동시에 함유하는 수지를 이용함으로써 상기 점착층이 열경화 점착층으로 형성되어 반도체 공정 중에 요구되는 웨이퍼 표면에 대한 점착력을 확보할 수 있고, 추가 광경화 가능한 특성을 바탕으로 반도체 공정 이후에 우수한 박리 특성을 나타낼 수 있다.By using a resin containing both the thermosetting functional group and the photo-curable functional group of the above type at the same time, the adhesive layer can be formed as a thermosetting adhesive layer, securing the adhesive force to the wafer surface required during the semiconductor process, It can exhibit excellent peeling properties after the semiconductor process.

상기 점착제 조성물은 열경화제를 포함하며, 상기 열경화제는 상기 수지의 열경화성 관능기와 가교 반응을 수행하여 상기 점착층이 적절한 박리력을 나타내도록 한다. The pressure-sensitive adhesive composition includes a thermosetting agent, and the thermosetting agent performs a crosslinking reaction with the thermosetting functional group of the resin so that the pressure-sensitive adhesive layer exhibits an appropriate peeling force.

구체적으로, 상기 열경화제는 2관능 내지 6관능의 이소시아네이트계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 범위의 이소시아네이트 관능기를 갖는 화합물이 열경화제로 사용됨으로써 이를 다루기가 쉽고 상기 수지와 반응하여 경화되는 속도가 빠르다는 이점을 얻을 수 있다. Specifically, the thermosetting agent may include bifunctional to hexafunctional isocyanate-based compounds. The compound having an isocyanate functional group within the above range is used as a thermosetting agent, so that it can be easily handled, and the advantage of being reacted with the resin and curing speed is obtained.

상기 점착제 조성물은 상기 수지 100 중량부에 대하여, 상기 열경화제를 약 0.5 내지 약 5 중량부 포함할 수 있고, 예를 들어, 약 1 내지 약 3 중량부 포함할 수 있다. 상기 점착제 조성물은 상기 범위의 열경화제를 통하여 열경화 시에 적절한 겔 함량을 갖는 열경화 점착층을 형성할 수 있다. 상기 열경화제의 함량이 상기 범위를 초과할 경우, 상기 열경화 점착층이 지나치게 딱딱해져 범프 흡수 성능이 저하될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive composition may include about 0.5 to about 5 parts by weight, for example, about 1 to about 3 parts by weight of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the resin. The pressure-sensitive adhesive composition can form a thermosetting adhesive layer having an appropriate gel content at the time of thermosetting through the above-mentioned thermosetting agent. If the content of the thermosetting agent exceeds the above range, the thermosetting adhesive layer becomes too hard and the bump absorption performance may be deteriorated.

또한, 상기 점착제 조성물은 광개시제를 포함하며, 상기 광개시제는 상기 점착제 조성물이 열경화되어 형성된 점착층의 추가 광경화 시에 상기 수지의 광경화를 개시하는 역할을 한다. Also, the pressure-sensitive adhesive composition includes a photoinitiator, and the photoinitiator functions to initiate photo-curing of the resin upon further photo-curing of the pressure-sensitive adhesive layer formed by thermosetting the pressure-sensitive adhesive composition.

상기 광개시제는 상기 점착제 조성물이 열경화되어 상기 열경화 점착층을 형성할 때 손상 또는 손실되지 않고 점착층 내에 보존되어야 하는 것으로, 예를 들어, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,4,6-트리메틸-벤조일-트리메틸 포스핀옥사이드 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. 이러한 종류의 광개시제를 사용하는 경우 상기 점착제 조성물의 열경화 시에 손상되지 않는 특징을 확보하는 데 유리할 수 있다.The photoinitiator should be stored in the adhesive layer without being damaged or lost when the pressure-sensitive adhesive composition is thermally cured to form the thermoset adhesive layer. For example, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1 -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,4,6-trimethyl-benzoyl-trimethyl phosphine oxide, and combinations thereof. When such a photoinitiator is used, it may be advantageous to ensure that the pressure-sensitive adhesive composition is not damaged during thermal curing.

상기 점착제 조성물은 상기 광경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지 100 중량부에 대하여, 상기 광개시제를 약 1 내지 약 15 중량부 포함할 수 있고, 예를 들어, 약 5 내지 약 10 중량부 포함할 수 있다. 상기 점착제 조성물은 전술한 범위의 함량으로 광개시제를 함유함으로써 소량의 광개시제를 함유함에도 불구하고 열경화 시에 광개시제가 손상 또는 손실되지 않는 이점을 가질 수 있고, 상기 열경화 점착층 내에 적절한 범위의 광개시제를 잔류시킴으로써 추가 광경화로 필요한 수준의 박리력 감소 효과를 얻는 이점을 얻을 수 있다.
The pressure-sensitive adhesive composition may contain about 1 to about 15 parts by weight, for example, about 5 to about 10 parts by weight of the photoinitiator, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin having the photocurable functional group. Since the pressure-sensitive adhesive composition contains the photoinitiator in the above-mentioned range, it can have an advantage that the photoinitiator is not damaged or lost upon thermal curing although it contains a small amount of the photoinitiator, and a proper range of photoinitiator By the residual, it is possible to obtain the advantage of obtaining a necessary effect of reducing the peeling force by additional light curing.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 상기 기재층 상부에 중간층 형성용 조성물을 도포 및 경화하여 중간층을 형성하고, 상기 중간층 상부에 점착제 조성물을 도포 및 경화하여 점착층을 형성할 수 있다. In the adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer, an adhesive layer may be formed by applying and curing a composition for forming an intermediate layer on the base layer to form an intermediate layer, and then applying and curing the adhesive composition on the intermediate layer.

이때, 상기 점착층은 전술한 바와 같이 상기 점착제 조성물을 열경화함으로써 형성되는데, 상기 기재층이 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 및 가교제를 포함하는 조성물로부터 형성됨으로써 우수한 인열 특성을 나타내므로, 상기 점착제 조성물의 열경화 과정에서도 우수한 안정성을 나타내는 장점을 얻을 수 있다. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer is formed by thermosetting the pressure-sensitive adhesive composition as described above. Since the base layer is formed from a composition comprising a resin modified to contain a silanol group and a crosslinking agent to exhibit excellent tear properties, It is possible to obtain the advantage of exhibiting excellent stability even in the thermosetting process of the composition.

상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 및 가교제를 포함하는 조성물로부터 형성되며, 상기 조성물의 경화 필름일 수 있다. 구체적으로, 상기 경화 필름은 상기 조성물의 열경화 필름일 수 있다. The substrate layer is formed from a composition comprising a resin modified to contain a silanol group and a crosslinking agent, and may be a cured film of the composition. Specifically, the cured film may be a thermosetting film of the composition.

이때, 상기 경화 필름은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인장 강도의 차이가 각각 약 0.3 MPa 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 0.2 MPa 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 0.1 MPa 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 0(zero)일 수 있다. 구체적으로, 상기 경화 필름은 상기 조성물로부터 캐스팅(casting) 공법을 이용하여 제조되는데, 이때, 상기 경화 필름이 도출되어 나오는 기계 방향을 '길이방향(MD)'으로 지칭하며, 동일 평면 상에서 상기 길이방향(MD)에 수직한 방향을 '폭방향(TD)'으로 지칭한다. 상기 경화 필름에 있어서, 길이방향 및 폭방향의 인장 강도의 차이가 작을수록 백그라인딩 공정 시 웨이퍼 휨이 최소화되는 이점을 얻을 수 있으며, 상기 범위의 인장 강도 차이에 의해 이러한 이점을 극대화시킬 수 있다. In this case, the difference in tensile strength between the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) may be about 0.3 MPa or less, for example, about 0.2 MPa or less, for example, about 0.1 MPa or less And may be, for example, about zero. Specifically, the cured film is produced from the composition by using a casting method. Herein, the machine direction from which the cured film is drawn out is referred to as 'longitudinal direction (MD)', And a direction perpendicular to the width direction MD is referred to as a " width direction TD ". In the cured film, the smaller the difference in the tensile strength in the longitudinal direction and in the width direction, the more advantageous the warpage of the wafer is minimized in the backgrinding process, and the advantage can be maximized by the difference in tensile strength within the above range.

또한, 상기 경화 필름은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 각각의 인장 강도는 모두 약 13.0 MPa 이상일 수 있고, 예를 들어, 약 13.0 MPa 내지 약 30.0 MPa일 수 있고, 예를 들어, 약 13.0 MPa 내지 약 15.0 MPa일 수 있다. 상기 경화 필름의 인장 강도가 상기 범위 미만인 경우에는 내구성이 저하될 우려가 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우에는 상기 점착 필름이 반도체 웨이퍼 공정에 적용 시에 웨이퍼를 파손시키거나, 웨이퍼의 휨(warpage) 현상을 초래할 우려가 있다. In addition, the tensile strength of the cured film in each of the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) may be about 13.0 MPa or more, for example, about 13.0 MPa to about 30.0 MPa, From about 13.0 MPa to about 15.0 MPa. If the tensile strength of the cured film is less than the above range, the durability may be deteriorated. If the tensile strength of the cured film is more than the above range, the adhesive film may cause damage to the wafer during warping of the wafer, There is a possibility of causing the phenomenon.

또한, 상기 경화 필름은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인열 강도가 모두 각각 약 0.4kg/cm 이상일 수 있고, 예를 들어, 약 0.4kg/cm 내지 약 3kg/cm일 수 있고, 예를 들어, 약 0.4kg/cm 내지 약 0.6kg/cm일 수 있다. 상기 경화 필름의 인열 강도가 상기 범위를 만족함으로써 반도체 공정의 가공성 및 상기 점착 필름의 재박리성을 적절히 확보할 수 있으며, 구체적으로, 상기 인열 강도의 범위가 상기 범위 미만인 경우에는 백그라인딩 공정 후에 웨이퍼에서 점착 필름을 분리할 때 웨이퍼가 찢어지는 등 손상될 우려가 있고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 웨이퍼에 점착 필름 부착 후에 웨이퍼 모양에 따라 점착 필름을 커팅(cutting)할 때 커팅(cutting)이 힘들거나 버(burr)가 발생하는 문제가 있다.
In addition, the cured film may have a tear strength of about 0.4 kg / cm or more in each of the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD), for example, about 0.4 kg / cm to about 3 kg / cm, For example, from about 0.4 kg / cm to about 0.6 kg / cm. When the tear strength of the cured film satisfies the above range, the processability of the semiconductor process and the releasability of the adhesive film can be suitably ensured. Specifically, when the tear strength is less than the above range, There is a possibility that the wafer is torn or otherwise damaged when the adhesive film is separated from the wafer. If the thickness exceeds the above range, it is difficult to cut the adhesive film according to the wafer shape after attaching the adhesive film to the wafer Or a burr is generated.

본 발명의 다른 구현예에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법을 제공한다. In another embodiment of the present invention, there is provided a process for producing the pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법은 수지 원료로부터 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지를 제조하는 단계; 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지와 가교제를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조하는 단계; 상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(castig) 공법으로 기재층을 제조하는 단계; 및 상기 기재층 일면에 중간층 및 점착층을 형성하는 단계를 포함한다. The method for producing a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface includes the steps of: preparing a resin modified from the resin raw material so as to contain a silanol group; Preparing a composition for forming a base layer by mixing a resin modified with the silanol group and a crosslinking agent; Preparing a base layer from a composition for forming a base layer by a casting method; And forming an intermediate layer and an adhesive layer on one surface of the base layer.

상기 제조방법을 통하여 인장 강도 및 인열 특성이 우수한 기재층이 제조되며, 상기 중간층 및 점착층과 함께 반도체 웨이퍼 표면 보호에 적합한 점착 필름을 얻을 수 있다.
Through the above-described production method, a base layer having excellent tensile strength and tear properties is produced, and an adhesive film suitable for protecting the surface of a semiconductor wafer together with the intermediate layer and the adhesive layer can be obtained.

구체적으로, 상기 제조방법은 수지 원료로부터 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지를 제조하는 단계를 포함한다. Specifically, the production method includes a step of producing a resin modified from the resin raw material to contain a silanol group.

상기 수지 원료는 화학적으로 개질되기 이전의 수지 원료를 의미하며, 수지 펠릿(pellet)의 형태일 수 있다. '펠릿(pellet)'이란 원기둥 형상의 작은 알갱이 형태를 의미하며, 상기 수지 펠릿(pellet)을 원료로 사용함으로써 유통이 용이한 장점을 얻을 수 있고, 화학적 개질이 용이한 장점을 얻을 수 있다. The resin raw material means a resin raw material before being chemically modified, and may be in the form of a resin pellet. By "pellet" is meant a small pellet-like granule shape. By using the resin pellet as a raw material, it is possible to obtain an advantage of easy distribution and an advantage of easy chemical modification.

상기 수지 원료로부터 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지를 제조하는 단계는, 상기 수지 펠릿(pellet)을 용매에 녹인 후 실라놀기를 함유하도록 개질한다. The step of preparing a resin modified to contain a silanol group from the resin material is such that the resin pellet is dissolved in a solvent and then modified to contain a silanol group.

구체적으로, 상기 수지 펠릿(pellet)을 용매에 녹인 후에, 상기 실라놀기를 제공하는 화합물은 투입하고, 일정 온도 및 시간 조건 하에서 반응시켜 상기 수지의 화학적인 구조를 개질할 수 있다. Specifically, after dissolving the resin pellets in a solvent, the silanol group-providing compound may be added and reacted at a predetermined temperature and time to modify the chemical structure of the resin.

상기 제조방법은 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지와 가교제를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조하는 단계를 포함한다. 상기 가교제에 관한 사항은 전술한 바와 같다. The manufacturing method includes a step of mixing a resin modified with the silanol group and a crosslinking agent to prepare a composition for forming a base layer. The matters relating to the crosslinking agent are as described above.

상기 기재층 형성용 조성물은 점도가 약 2000cps 내지 약 5000cps일 수 있다. 상기 기재층 형성용 조성물이 이러한 특성을 가짐으로써 후술하는 바와 같이 캐스팅 공법을 적용함에 있어서, 조성물을 도포하는 과정에서 우수한 코팅성을 확보할 수 있다는 장점을 얻을 수 있다. The base layer forming composition may have a viscosity of about 2000 cps to about 5000 cps. Since the composition for forming a base layer has such characteristics, when the casting method is applied as described later, it is possible to obtain an advantage that an excellent coating property can be secured in the process of applying the composition.

상기 제조방법은 상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(casting) 공법으로 기재층을 제조하는 단계를 포함한다. The production method includes a step of producing a base layer from a composition for forming a base layer by a casting method.

상기 기재층이 전술한 바와 같은 기재층 형성용 조성물에 캐스팅(casting) 공법을 적용해 제조됨으로써, 압출 공법 등의 다른 방법을 적용한 경우에 비하여 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 물성을 최대한 동등하게 구현할 수 있고, 최대 두께 및 최소 두께의 차이로 정의되는 총 두께 편차(TTV, Total Thickness Variation)가 최소화되어 반도체 가공에 적합한 평평한 물성을 가질 수 있다. The base layer is manufactured by applying a casting method to the composition for forming a base layer as described above so that the properties of the base layer in the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) are superior to those of other methods such as the extrusion method And the total thickness variation (TTV) defined by the difference between the maximum thickness and the minimum thickness is minimized, so that it is possible to have flat physical properties suitable for semiconductor processing.

구체적으로, 압출 공법의 경우 소재를 압출 컨테이너에 넣고 램을 강력한 힘으로 이동시켜 한쪽에 설치한 다이로 소재를 빼내는 가공 방식으로 필름 형태의 성형체를 제조하는데, 이를 적용하여 제조된 기재층의 경우 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)에 있어서 물성의 차이가 크기 때문에 웨이퍼를 백그라인딩으로 얇게 가공할 때 웨이펌 휨의 문제가 생길 수 있다. Specifically, in the case of the extrusion method, the material is placed in an extrusion container, the ram is moved with a strong force, and the material is taken out from the die provided on one side. In the case of the base layer produced by applying the material, There is a large difference in physical properties in the direction MD and the direction TD in the width direction, so that when the wafer is thinly processed by back grinding, a problem of warpage of the wafers may occur.

또한, 압출 공법으로 제조된 기재층은 두께 편차(TTV, Total Thickness Variation)가 약 10㎛ 내외 수준으로서 상대적으로 크기 때문에 이러한 기재층을 사용한 경우, 반도체 공정 시에 웨이퍼의 물성을 손상시킬 우려가 있다. In addition, since the substrate layer produced by the extrusion method has a relatively large thickness variation (TTV, total thickness variation) of about 10 탆 or so, when such a base layer is used, there is a possibility of impairing the physical properties of the wafer during semiconductor processing .

일 구현예에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 캐스팅(casting) 공법으로 기재층을 제조하며, 보다 구체적으로, 전술한 바와 같은 기재층 형성용 조성물을 캐스팅 공법으로 가공하여 제조함으로써 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 물성 차이가 최소화되고, 낮은 두께 편차를 갖는 기재층을 얻을 수 있다. 구체적으로, 상기 기재층의 두께 편차(TTV, Total Thickness Variation)는 약 5㎛ 미만이며, 예를 들어, 약 4㎛ 이하일 수 있다. In one embodiment, the pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer is produced by casting a base layer, and more specifically, by preparing a composition for forming a base layer as described above by casting, ) And the width direction (TD) is minimized, and a base layer having a low thickness deviation can be obtained. Specifically, the thickness variation (TTV, Total Thickness Variation) of the base layer is less than about 5 mu m, for example, about 4 mu m or less.

상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(casting) 공법으로 기재층을 제조하는 단계는, 구체적으로, 약 90℃ 내지 약 150℃에서 수행될 수 있으며, 보다 구체적으로, 약 110℃ 내지 약 130℃에서 수행될 수 있다. 상기 범위의 온도에서 기재층 형성용 조성물을 가공함으로써 두께가 균일하면서도 적절한 경화도를 갖도록 경화된 기재층을 얻을 수 있다.
The step of casting the base layer from the composition for forming a base layer may be performed at a temperature of about 90 캜 to about 150 캜, and more specifically, at a temperature of about 110 캜 to about 130 캜 . By processing the composition for forming a base layer at the temperature within the above range, a cured base layer can be obtained so as to have a uniform thickness and an appropriate degree of curing.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. However, the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the present invention, and thus the present invention should not be limited thereto.

<< 실시예Example 및  And 비교예Comparative Example >>

실시예Example 1 One

수지 원료로서 비닐아세테이트(VA) 유래 구조 단위를 15중량% 포함하는 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지의 펠릿을 준비하고, 이를 톨루엔 용매에 녹인 후 비닐트리메틸실란(Vinyltrimethylsilane) 및 벤조일퍼옥사이드 촉매를 투입하여 반응시킴으로써, 상기 비닐아세테이트(VA) 구조에 –Si(OH)3 화학 구조의 실라놀기를 도입하였다. 이때, 상기 EVA 수지 100 중량부에 대하여 상기 실라놀기를 12 중량부 함유하도록 개질되었다. 이와 같이 실라놀기를 함유하도록 개질된 EVA 수지 100 중량부에 대하여 가교제로서 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS) 1 중량부를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 기재층 형성용 조성물을 110℃에서 5분 동안 가공하여 캐스팅(casting) 공법으로 제조된 기재층을 120㎛ 두께로 제조하였다. Pellets of an ethylene vinyl acetate (EVA) resin containing 15% by weight of a structural unit derived from vinyl acetate (VA) as a resin raw material were prepared and dissolved in a toluene solvent, and then vinyltrimethylsilane and a benzoyl peroxide catalyst were added thereto To thereby introduce a silanol group of -Si (OH) 3 chemical structure into the vinyl acetate (VA) structure. At this time, the EVOH resin was modified to contain 12 parts by weight of the silanol group based on 100 parts by weight of the EVA resin. 1 part by weight of tetraethyl orthosilicate (TEOS) as a crosslinking agent was mixed with 100 parts by weight of the EVA resin modified to contain the silanol group in this manner to prepare a base layer forming composition. The composition for forming a base layer was processed at 110 DEG C for 5 minutes to prepare a base layer made by a casting method to a thickness of 120 mu m.

한편, 중간층 형성용 조성물로서, 에틸헥실아크릴레이트(EHA):이소보닐아크릴레이트(IBOA):이소스테아릴아크릴레이트(ISTA):히드록시에틸메아크릴레이트(HEA)의 중량비가 50:15:15:20인 모노머 성분의 전체 중량 대비 10중량%가 공중합되어 형성된 부분 중합물을 마련하였고, 상기 부분 중합물 100 중량부 대비 아세토페논계 광개시제를 0.5 중량부를 투입한 후, 이를 상기 기재층의 상부에 도포하고 150mJ/cm2의 광에너지로 광경화함으로써 100㎛ 두께의 중간층을 제조하였다. On the other hand, when the weight ratio of ethylhexyl acrylate (EHA): isobornyl acrylate (IBOA): isostearyl acrylate (ISTA): hydroxyethyl methacrylate (HEA) was 50:15:15 : 20% by weight based on the total weight of the monomer components, 0.5 parts by weight of the acetophenone-based photoinitiator was added to 100 parts by weight of the partial polymer, An intermediate layer having a thickness of 100 mu m was prepared by photo-curing with light energy of 150 mJ / cm &lt; 2 & gt ;.

이어서, 점착층을 형성하기 위한 점착제 조성물로서, 에틸헥실아크릴레이트(EHA):메틸아크릴레이트(MA):히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 45:35:20의 중량비로 함유하는 점착제 조성물을 마련하고, 이를 이형 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)에 도포하고 90℃에서 3분 동안 노출함으로써 열경화 점착층을 제조하였다. 상기 열경화 점착층은 이의 전체 중량에 대해 광개시제를 2000ppm 중량비로 함유하였다. 상기 열경화 점착증을 중간층과 합지하여 상기 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
Then, as a pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive composition comprising ethylhexyl acrylate (EHA): methyl acrylate (MA): hydroxyethyl acrylate (HEA) in a weight ratio of 45:35:20 , Applied to a release type polyethylene terephthalate (PET), and exposed at 90 DEG C for 3 minutes to prepare a thermosetting adhesive layer. The thermosetting adhesive layer contained a photoinitiator at a weight ratio of 2000 ppm based on the total weight thereof. The thermosetting adhesive film was laminated with the intermediate layer to produce a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing comprising the base layer, the intermediate layer and the pressure-sensitive adhesive layer.

실시예Example 2 2

상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 EVA 수지 100 중량부에 대하여 가교제로서 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS) 3 중량부를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
Except that 3 parts by weight of tetraethyl orthosilicate (TEOS) as a crosslinking agent was mixed with 100 parts by weight of the EVA resin modified to contain the silanol group to prepare a base layer forming composition Thereby producing a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing.

실시예Example 3 3

상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 EVA 수지 100 중량부에 대하여 가교제로서 물(H2O) 2 중량부 및 디에틸아민(diethylamine) 0.2 중량부를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
Except that 2 parts by weight of water (H 2 O) as a crosslinking agent and 0.2 part by weight of diethylamine were mixed with 100 parts by weight of the EVA resin modified to contain the silanol group to prepare a base layer forming composition. A pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing was produced in the same manner as in Example 1 above.

비교예Comparative Example 1 One

상기 기재층 형성용 조성물이 가교제로서 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하지 않는 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the composition for forming a base layer did not contain tetraethylorthosilicate (TEOS) as a crosslinking agent.

비교예Comparative Example 2 2

상기 기재층 형성용 조성물이 실라놀기를 함유하도록 개질되지 않은 상기 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지를 포함하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the composition for forming a base layer contained the ethylene vinyl acetate (EVA) resin not modified so as to contain a silanol group.

비교예Comparative Example 3 3

상기 기재층 형성용 조성물이 실라놀기를 함유하도록 개질되지 않은 상기 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지를 포함하며, 상기 기재층 형성용 조성물로부터 압출 공법으로 동일 두께의 기재층을 제조한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제조하였다.
Wherein the composition for forming a base layer contains the ethylene vinyl acetate (EVA) resin not modified so as to contain a silanol group, and a base layer having the same thickness is produced from the composition for forming a base layer by an extrusion method A pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing was produced in the same manner as in Example 1.

<평가><Evaluation>

실험예Experimental Example 1: 인장 강도의 측정 1: Measurement of tensile strength

상기 실시예 및 비교예에 있어서, 각각의 기재층에 대하여 JIS K 6251-1의 방법에 따라 Universal Test Machine 장치(Zwick Roell Z 1000)를 이용하여 인장 강도를 측정하였고, 그 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
In each of the examples and comparative examples, the tensile strength of each substrate layer was measured using a Universal Test Machine apparatus (Zwick Roell Z 1000) according to the method of JIS K 6251-1. The results are shown in the following Table 1 .

실험예Experimental Example 2:  2: 연신율의Elongation 측정 Measure

상기 실시예 및 비교예에 있어서, 각각의 기재층에 대하여 JIS K 6251-1의 방법에 따라 Universal Test Machine 장치(Zwick Roell Z 1000)를 이용하여 연신율을 측정하였고, 그 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
In each of the examples and comparative examples, the elongation percentage of each substrate layer was measured using a universal test machine (Zwick Roell Z 1000) according to the method of JIS K 6251-1. The results are shown in Table 1 Respectively.

실험예Experimental Example 3:  3: 인열Tear 강도의 측정 Measurement of strength

상기 실시예 및 비교예에 있어서, 각각의 기재층에 대하여 JIS K 6301-B의 방법에 따라 Universal Test Machine 장치(Zwick Roell Z 1000)를 이용하여 인장 강도를 측정하였고, 그 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
The tensile strength of each substrate layer was measured by a universal test machine (Zwick Roell Z 1000) according to the method of JIS K 6301-B, and the results are shown in the following Table 1 .

인장 강도[MPa]Tensile Strength [MPa] 연신율[%]Elongation [%] 인열 강도[kg/cm]Tear strength [kg / cm] MDMD TDTD MDMD TDTD MDMD TDTD 실시예 1Example 1 14.114.1 14.014.0 873873 879879 0.500.50 0.510.51 실시예 2Example 2 13.913.9 13.913.9 903903 887887 0.500.50 0.490.49 실시예 3Example 3 13.813.8 13.613.6 905905 923923 0.600.60 0.580.58 비교예 1Comparative Example 1 11.211.2 11.111.1 966966 972972 0.640.64 0.660.66 비교예 2Comparative Example 2 10.810.8 10.910.9 979979 966966 0.610.61 0.600.60 비교예 3Comparative Example 3 14.114.1 9.49.4 854854 989989 0.870.87 0.810.81

상기 표 1의 결과를 참조할 때, 상기 실시예 1 내지 3의 기재층은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인장 강도가 모두 13.0 MPa을 초과하며, 보다 구체적으로 13.0 MPa 내지 15.0 MPa의 범위를 만족하며, 이와 동시에 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인장 강도의 차이가 0.2 MPa 이하인 것으로서, 우수한 내구성과 함께 백그라인딩 공정 시 웨이퍼 휨이 최소화되는 이점을 구현하고, 웨이퍼 보호 성능을 우수하게 나타내는 것을 알 수 있었다. Referring to the results of Table 1 above, the base layers of Examples 1 to 3 had tensile strengths in both the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) exceeding 13.0 MPa, more specifically from 13.0 MPa to 15.0 MPa And the difference in tensile strength between the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) is 0.2 MPa or less. Thus, the present invention has the advantages of minimizing warpage of the wafer during backgrinding process with excellent durability, And the performance is excellent.

또한, 상기 실시예 1 내지 3의 기재층은 일정 수준 이상의 연신율을 갖는 것으로 백그라인딩 공정 등의 웨이퍼 가공 공정에서 우수한 가공성을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 실시예 1 내지 3의 경화 필름은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인열 강도가 소정의 범위를 만족하는 것으로, 웨이퍼에 점착 필름을 부착한 후 웨이퍼 모양에 따라 점착 필름을 커팅할 때 우수한 가공성을 나타낼 수 있다. In addition, the base layers of Examples 1 to 3 have an elongation of more than a certain level and can exhibit excellent workability in a wafer processing step such as a backgrinding process. In addition, the cured films of Examples 1 to 3 satisfying the predetermined range of the tear strength in the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD), and the adhesive film is adhered to the wafer, And excellent workability can be exhibited when cutting.

또한, 상기 실시예 1 내지 3의 기재층은 캐스팅(casting) 공법으로 제조되어 압출 공법 등에 의해 제조된 경우보다 우수한 물성을 구현할 수 있다.
In addition, the base layers of Examples 1 to 3 can be manufactured by a casting method, and can realize better physical properties than those produced by the extrusion method.

100: 점착 필름
10: 기재층
20: 중간층
30: 점착층100: Adhesive film
10: substrate layer
20: middle layer
30: Adhesive layer

Claims (16)

기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고,
상기 기재층은 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지; 및 가교제를 포함하는 조성물의 경화 필름인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
A base layer, an intermediate layer and an adhesive layer,
The base layer comprises a resin modified to contain a silanol group; And a curing film of a composition comprising a crosslinking agent
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 실라놀기는 하기 화학식 1의 구조를 갖는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름:
[화학식 1]
- Si(OR)3-n(OH)n
상기 화학식 1에서, n은 1, 2 또는 3이고, 상기 R은 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 선형 또는 분지형 알킬기 중 어느 하나임.
The method according to claim 1,
Wherein the silanol group has a structure represented by the following formula
Adhesive film for semiconductor wafer surface protection:
[Chemical Formula 1]
- Si (OR) 3-n (OH) n
In Formula 1, n is 1, 2, or 3, and each R is independently a C1 to C5 linear or branched alkyl group.
제1항에 있어서,
상기 수지는 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지, 폴리에틸렌(PE) 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the resin comprises one selected from the group consisting of an ethylene vinyl acetate (EVA) resin, a polyethylene (PE) resin, and combinations thereof
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 수지는 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지를 포함하고,
상기 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 수지는 비닐아세테이트(VA) 유래 구조 단위를 10중량% 내지 40중량% 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the resin comprises an ethylene vinyl acetate (EVA) resin,
Wherein the ethylene vinyl acetate (EVA) resin comprises 10 to 40% by weight of a structural unit derived from vinyl acetate (VA)
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지는 상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 실라놀기 5 내지 20 중량부를 함유하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The resin modified to contain the silanol group preferably contains 5 to 20 parts by weight of the silanol group per 100 parts by weight of the resin
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 가교제는 알콕시실란 화합물, 알킬아민 화합물, 물(H2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the crosslinking agent comprises one selected from the group consisting of an alkoxysilane compound, an alkylamine compound, water (H 2 O), and combinations thereof
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제6항에 있어서,
상기 알콕시실란 화합물은 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS), 3-아미노프로필트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 테트라에틸오르소실리케이트, 비닐트리에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 6,
The alkoxysilane compound may be at least one selected from the group consisting of tetraethylorthosilicate (TEOS), 3-aminopropyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, tetraethylorthosilicate, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; ethoxysilane &lt; / RTI &gt; and combinations thereof.
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제6항에 있어서,
상기 알킬아민 화합물은 탄소수 1 내지 5의 직쇄형 또는 분지형 알킬기를 갖는 1차, 2차 또는 3차 아민 화합물인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 6,
The alkylamine compound may be a primary, secondary or tertiary amine compound having a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 조성물은 상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지 100 중량부에 대하여 상기 가교제 0.1 내지 10 중량부를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the composition comprises 0.1 to 10 parts by weight of the crosslinking agent relative to 100 parts by weight of the resin modified to contain the silanol group
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 중간층은 적어도 1종의 (메타)아크릴산 에스테르계 모노머를 함유하는 모노머 성분의 부분 중합물을 포함하는 중간층 형성용 조성물의 광경화물인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The intermediate layer is a photo-cured product of a composition for forming an intermediate layer comprising a partial polymerized product of a monomer component containing at least one (meth) acrylic acid ester-based monomer
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 점착층은 광개시제를 포함하여 추가 광경화 가능한 열경화 점착층인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The adhesive layer comprises a photoinitiator and is a further photo-curable thermosetting adhesive layer
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제11항에 있어서,
상기 점착층의 전체 중량에 대한 상기 광개시제의 중량비가 1000ppm 내지 10000ppm인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
12. The method of claim 11,
Wherein the weight ratio of the photoinitiator to the total weight of the adhesive layer is 1000 ppm to 10000 ppm
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 경화 필름은 길이방향(MD) 및 폭방향(TD)의 인장 강도의 차이가 0.03kgf 이하인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The cured film has a tensile strength difference in the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) of 0.03 kgf or less
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
수지 원료로부터 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지를 제조하는 단계;
상기 실라놀기를 함유하도록 개질된 수지와 가교제를 혼합하여 기재층 형성용 조성물을 제조하는 단계;
상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(castig) 공법으로 기재층을 제조하는 단계; 및
상기 기재층 일면에 중간층 및 점착층을 형성하는 단계를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법.
Preparing a resin modified from the resin raw material to contain a silanol group;
Preparing a composition for forming a base layer by mixing a resin modified with the silanol group and a crosslinking agent;
Preparing a base layer from a composition for forming a base layer by a casting method; And
And forming an intermediate layer and an adhesive layer on one side of the base layer
A method for manufacturing a pressure sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.
제14항에 있어서,
상기 수지 원료는 수지 펠릿(pellet)이고,
상기 수지 펠릿(pellet)을 용매에 녹인 후 실라놀기를 함유하도록 개질하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법.
15. The method of claim 14,
The resin material is a resin pellet,
The resin pellets are dissolved in a solvent and then the solution is reformed to contain a silanol group
A method for manufacturing a pressure sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.
제14항에 있어서,
상기 기재층 형성용 조성물로부터 캐스팅(castig) 공법으로 기재층을 제조하는 단계는 90℃ 내지 150℃에서 수행되는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조방법.15. The method of claim 14,
The step of casting the base layer from the composition for forming a base layer is carried out at 90 ° C to 150 ° C
A method for manufacturing a pressure sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.
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