KR20170106000A - Thinner composition - Google Patents

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    • G02F2001/1316—

Abstract

The present invention relates to a thinner composition, and more specifically, to a thinner composition which is capable of improving efficiencies of a semiconductor edge bead removing (EBR) process and a reducing resist consumption (RRC) process and reducing the amount of a photoresist used by maintaining uniform and excellent dissolution performance with respect to various resist types and processes. The thinner composition of the present invention comprises: propylene glycol monomethyl ether acetate; and alkoxy alcohol of chemical formula 1, R_2-O-R_1-OH, wherein R_1 is a substituted or unsubstituted alkylene having 4 to 5 carbon atoms, R_2 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 3 carbon atoms, and a carbon atom number p of R_1 and a carbon atom number q of R_2 are the same as mathematical inequality 1, 5 <= p+q <= 10.

Description

신너 조성물{Thinner composition}A thinner composition {Thinner composition}

본 발명은 신너 조성물에 관한 것으로, 다양한 종류의 레지스트에 대한 용해력을 향상시킬 수 있는 신너 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thinner composition, and more particularly, to a thinner composition capable of improving the solubility of various kinds of resists and a method for producing the same.

반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴은, 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 산화막 등에 감광성 화합물 및 용매를 포함하는 포토레지스트를 회전도포법에 의해 균일하게 도포한 후 노광, 현상, 식각 및 박리공정을 거쳐 목적하는 미세회로 패턴을 구현하는 방법을 통해 제조된다. 이때, 후속공정인 노광공정은 자외선영역의 단파장의 빛을 이용하여 도포막에 원하는 패턴을 미세하게 노광하는 방식으로 구현되기 때문에 외부 및 내부의 오염에 굉장히 민감하다. 따라서, 도포공정에서 기판의 가장자리부 또는 후면부에 도포된 불필요한 포토레지스트 잔사 및 기타 오염물은 후속공정인 노광공정에서 치명적인 오염원이 될 수 있으므로 반드시 제거되어야 한다. 이러한 오염물을 제거하기 위하여 예전부터 신너가 EBR(엣지 비드 제거, edge bead removing) 공정에 사용되어 왔다.A fine circuit pattern such as a semiconductor integrated circuit is formed by uniformly applying a photoresist containing a photosensitive compound and a solvent to a conductive metal film or an oxide film formed on a substrate by a spin coating method and then performing exposure, development, etching and stripping Lt; RTI ID = 0.0 &gt; a &lt; / RTI &gt; desired microcircuit pattern. In this case, the exposure process, which is a subsequent process, is very sensitive to external and internal contamination because it is implemented by a method of finely exposing a desired pattern on a coating film using light of a short wavelength in the ultraviolet region. Thus, unwanted photoresist residues and other contaminants applied to the edge or backside of the substrate during the application process must be removed, as they can become a fatal source in the subsequent process, the exposure process. To remove these contaminants, thinner has been used in EBR (edge bead removal) processes from the past.

한편, 최근 들어, 반도체의 집적도가 증가하면서 단파장인 KrF 및 ArF(ArF immersion 포함) 광원을 이용하는 포토레지스트가 적용되고 있어 집적회로 제조단가에 포토레지스트의 사용량이 미치는 영향이 상당히 커짐에 따라 원가절감을 위해 포토레지스트의 사용량을 줄이고자 하는 요구가 계속적으로 있어 왔다.In recent years, photoresists using KrF and ArF (including ArF immersion) light sources having a short wavelength are increasingly used due to an increase in the degree of integration of semiconductors. Therefore, the influence of the use of photoresist on the cost of integrated circuit manufacturing is significantly increased, There has been a continuing need to reduce the use of photoresist.

이러한 요구에 의해, 포토레지스트를 도포하기 전에 신너로 먼저 기판의 표면을 처리해 줌으로써 소량의 포토레지스트만 사용하여도 포토레지스트가 기판 전면에 고르게 도포될 수 있도록 하는 RRC(포토레지스트 절감, reducing resist consumption) 공정이 적용되어 왔다. 집적도의 증가와 함께 기판(웨이퍼)의 구경이 커지면서 RRC 공정의 중요성이 더욱 증대되고 있어, 기존의 EBR(Edge Bead Removing) 공정을 충분히 진행할 수 있으면서 RRC 효율이 높은 신너의 개발이 요구되고 있다.According to such a demand, the RRC (photoresist saving reducing consumption) which enables the photoresist to be evenly applied over the entire surface of the substrate even if only a small amount of photoresist is used by treating the surface of the substrate with a thinner before applying the photoresist, Processes have been applied. As the density of the substrate (wafer) increases with the increase of the integration degree, the importance of the RRC process is further increased. Therefore, it is required to develop a thinner having a high RRC efficiency while sufficiently proceeding the existing EBR (Edge Bead Removing) process.

종래에는, 포토레지스트 제거용 신너 조성물로서 에틸셀로솔브아세테이트(ECA: ethylcellosolve acetate), 메틸메톡시프로피오네이트(MMP: methylmethoxy propionate) 및 에틸락테이트(EL: ethyl lactate) 등의 단일 용제가 널리 사용되었으나, 에틸셀로솔브아세테이트는 인체에의 유해성으로 인해, 그리고 메틸메톡시프로피오네이트 및 에틸락테이트는 경제성 및 성능의 한계로 인해 그의 사용에 문제가 있었다.Conventionally, a single solvent such as ethylcellosolve acetate (ECA), methylmethoxypropionate (MMP), and ethyl lactate (EL) is widely used as a photoresist removing thinner composition But the use of ethyl cellosolve acetate was detrimental to human health and methyl methoxypropionate and ethyl lactate were problematic in its use due to economic and performance limitations.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래의 신너 조성물로는 한국공개특허 제10-2015-0088350호의 프로필렌 글리콜 알킬, 에테르 아세테이트 및 알킬 알콕시 프로피오네이트 그리고 케톤을 포함하는 혼합물 및 한국공개특허 제10-2014-0101156호의 1-메톡시-2-프로판올 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 프로필 에테르를 포함하는 혼합물을 등이 알려져 있다.In order to solve this problem, conventional thinner compositions include a mixture comprising propylene glycol alkyl, ether acetate and alkylalkoxypropionate and ketone of Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0088350, Methoxy-2-propanol acetate of formula &lt; RTI ID = 0.0 &gt; 0101156 &lt; / RTI &gt; and ethylene glycol propyl ether.

그러나, 상기한 기존의 혼합물 형태의 신너 조성물의 경우도 반도체 소자 제조업체에서 만족할 정도로 포토레지스트 사용량을 줄이는 데에는 한계가 있었다.However, in the case of the conventional mixture type thinner composition as described above, there is a limit in reducing the amount of photoresist used so as to be satisfactory to a semiconductor device manufacturer.

본 발명의 목적은 다양한 종류의 레지스트에 대한 용해력을 향상시킬 수 있는 신너 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a thinner composition capable of improving the dissolving power for various kinds of resists.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은In order to solve the above problems,

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트; 및Propylene glycol monomethyl ether acetate; And

하기 화학식 1의 알콕시알콜;을 포함하는 신너 조성물을 제공한다.And an alkoxy alcohol represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

R2-O-R1-OHR 2 -OR 1 -OH

상기 화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 5의 알킬렌이고,Wherein R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene of 4 to 5 carbon atoms,

R2는 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬이며,R 2 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 3 carbon atoms,

R1의 탄소수 p 및 R2의 탄소수 q가 하기 수학식 1과 같다;The carbon number p of R 1 and the carbon number q of R 2 are as shown in the following formula 1;

[수학식 1][Equation 1]

5≤p+q≤10.5? P + q? 10.

일구현예에 따르면, 상기 알콕시알콜은 메톡시부탄올, 에톡시부탄올 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.According to one embodiment, the alkoxy alcohol may be selected from the group consisting of methoxybutanol, ethoxybutanol, and combinations thereof.

일구현예에 따르면, 조성물 100중량부에 대하여 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 함량은 20 내지 80중량부일 수 있다.According to one embodiment, the propylene glycol monomethyl ether acetate may be present in an amount of 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition.

일구현예에 따르면, 조성물 100중량부에 대하여 상기 알콕시알콜의 함량은 20 내지 80중량부일 수 있다.According to one embodiment, the content of the alkoxy alcohol may be 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 비이온성 계면활성제를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the thinner composition may further comprise a non-ionic surfactant.

또한, 상기 비이온성 계면활성제의 함량은 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 상기 알콕시알콜 중량의 합계 100중량부를 기준으로 0.001 내지 1중량부일 수 있다.The content of the nonionic surfactant may be 0.001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the propylene glycol monomethyl ether acetate and the alkoxy alcohol.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 웨이퍼 EBR(Edge Bead Remove) 공정 또는 포토레지스트 RRC(reducing resist consumption) 공정에 사용될 수 있다.According to one embodiment, the thinner composition can be used in a wafer Edge Bead Remove (EBR) process or a photoresist reducing resist consumption (RRC) process.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 G-Line, I-Line, KrF, ArF, F2 포토레지스트, 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC, bottom antireflection coating)을 용해할 수 있다.According to one embodiment, the thinner composition comprises at least one of G-Line, I-Line, KrF, ArF, F2 photoresist, spin-on hardmask (SOH) Can be dissolved.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other details of the embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명에 따른 신너 조성물에 의하면, 다양한 레지스트에 대한 용해력을 향상시킬 수 있으므로, 반도체 공정 중 웨이퍼 EBR(Edge Bead Remove) 공정 또는 포토레지스트 RRC(reducing resist consumption) 공정용으로 사용함으로써, 레지스트의 사용량을 효과적으로 절감할 수 있다.The thinner composition according to the present invention can improve the solubility of various resists and thus can be used for a wafer edge bead removal (EBR) process or a photoresist reducing resist consumption (RRC) process during semiconductor processing, It can be effectively reduced.

도 1은 RRC 및 EBR 공정 결과를 나타낸 사진이다.1 is a photograph showing RRC and EBR process results.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 명세서에 사용되는 용어 "레지스트"는 일반적인 포토레지스트 외에 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC, bottom antireflection coating)을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.As used herein, the term "resist" may be understood to include a spin-on hardmask (SOH) resist and a bottom antireflection coating (BARC) in addition to conventional photoresists.

이하, 본 발명의 구현예에 따른 신너 조성물에 대하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the thinner composition according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.

반도체의 구성으로서 포토레지스트의 기능 중 하나는 패터닝 후 실리콘 웨이퍼 기판의 식각 공정 시 상기 포토레지스트의 화상이 보호피막(etch barrier)으로 작용하는 것이다. 또한, 포토레지스트는 기판에 원하는 미세회로의 패턴을 가공할 수 있도록 하는 역할을 한다. 그러므로, 포토레지스트를 구성하는 재료는 고집적 반도체의 초미세 회로 선 폭을 결정하는 제1차 기술재료로서 반도체 고집적도의 달성을 결정하는 핵심적 기술재료라 할 수 있다.One of the functions of the photoresist as a constitution of the semiconductor is that the image of the photoresist acts as an etch barrier in the etching process of the silicon wafer substrate after patterning. In addition, the photoresist serves to process a pattern of a desired microcircuit on a substrate. Therefore, the material constituting the photoresist is a primary technical material for determining the line width of the ultrafine semiconductor of the highly integrated semiconductor, and can be said to be a key technical material for determining the achievement of the semiconductor high degree of integration.

상기 포토레지스트는 용해도의 특성에 따라 포지티브 포토레지스트와 네가티브 포토레지스트로 구분된다. 포지티브 레지스트는 노광부의 용해도가 증가함에 따라 현상 후에 비노광부가 잔류하게 되며, 반면, 네가티브 레지스트는 현상 후에 노광부가 잔류하게 된다.The photoresist is classified into a positive photoresist and a negative photoresist according to solubility characteristics. As the solubility of the positive resist increases, the unexposed portion remains after development, whereas the negative resist remains after the development.

한편, 포토레지스는 파장에 따라 G-line(436nm), I-line(365nm), Krf(248nm), Arf(193nm), F2(157nm) 등으로 구분될 수 있다. 또한, 광반응 메커니즘에 따라 노볼락(novolak), 화학증폭성 레지스트(Chemical amplification, CAR) 등으로 구분될 수 있다.On the other hand, the photoresist can be divided into G-line (436 nm), I-line (365 nm), Krf (248 nm), Arf (193 nm), F2 (157 nm) Further, it can be classified into novolak, chemical amplification (CAR), and the like according to the photoreaction mechanism.

상기와 같이 구분되는 포토레지스트는 종류에 따라서 그 재료의 구성 성분 또는 함량이 다르다. 종래에는 이와 같이 다양한 재료로 구성되어 있는 각각의 포토레지스트에 대하여, 에틸락테이트 등을 포함하는 조성물을 사용하였으나, 이러한 조성물은 경제성 및 성능에 한계로 인한 문제점이 발생된다.The photoresist to be classified as described above has a different constituent component or content depending on the type of the photoresist. Conventionally, a composition containing ethyl lactate or the like has been used for each photoresist made of various materials, but such a composition has problems due to limitations in economy and performance.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은,In order to solve the above-mentioned problems,

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트; 및Propylene glycol monomethyl ether acetate; And

하기 화학식 1의 알콕시알콜;을 포함하는 신너 조성물을 제공한다.And an alkoxy alcohol represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

R2-O-R1-OHR 2 -OR 1 -OH

상기 화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 10의 알킬렌이고,Wherein R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene of 4 to 10 carbon atoms,

R2는 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬이다.R 2 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl of 1 to 10 carbon atoms.

상기 '치환된'이란, 화합물에 포함된 적어도 하나의 수소가 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 할로겐화알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 카르복실산기, 알데히드기, 에폭시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 술폰산기 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 대체된 것을 의미하고, 예를 들어, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 예를 들어 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 치환된 것을 의미할 수 있다.The 'substituted' means that at least one hydrogen contained in the compound is substituted with at least one selected from the group consisting of a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, Substituted with a substituent selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a carboxylic acid group, an aldehyde group, an epoxy group, a cyano group, a nitro group, an amino group, a sulfonic acid group and derivatives thereof. An alkyl group, for example, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

또한, 알킬렌기 또는 알킬기는, 특별히 언급이 없는 한, 직쇄형, 분지쇄형 및 고리형 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.Unless otherwise specified, the alkylene group or alkyl group includes straight-chain, branched-chain and cyclic hydrocarbon groups.

상기 탄소수 4 내지 10의 알킬렌기는, 예를 들어 부틸렌기, 이소부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기 등일 수 있고, 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 데실기 등 일 수 있다. 탄소수가 많아지면 목적으로 하는 화합물의 점도 및 비점이 높아질 수 있고, 탄소수가 낮을수록 휘발성이 증가할 수 있으므로 상기 범위가 바람직하다. The alkylene group having 4 to 10 carbon atoms may be, for example, a butylene group, an isobutylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, For example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, And the like. The higher the number of carbon atoms, the higher the viscosity and the boiling point of the desired compound, and the lower the carbon number, the more volatility can be increased.

일구현예에 따르면, 상기 R1의 탄소수를 p라 하고, 상기 R2의 탄소수를 q라 하였을 때, 하기 수학식 1과 같은 조건을 만족할 수 있다.According to one embodiment, when the number of carbon atoms of R 1 is p and the number of carbon atoms of R 2 is q, the following condition (1) can be satisfied.

[수학식 1][Equation 1]

5≤p+q≤105? P + q? 10

일구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 5의 알킬렌이고,According to one embodiment, in Formula 1, R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene of 4 to 5 carbon atoms,

R2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬일 수 있다.R 2 may be substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 3 carbon atoms.

구체적으로 예를 들면, 상기 알콕시알콜은 메톡시부탄올, 에톡시부탄올 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.Specifically, for example, the alkoxy alcohol may be selected from the group consisting of methoxybutanol, ethoxybutanol, and combinations thereof.

또한, 상기 알콕시알콜은 조성물 100중량부에 대하여 20 내지 80중량부의 함량으로 포함될 수 있으며, 예를 들어, 20 내지 60중량부 포함할 수 있다. 상기와 같은 알콕시알콜의 함량 범위 내에서 포토레지스트 또는 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트에 통상적으로 사용되는 방향족 고리 함유 화합물에 대한 용해력을 확보할 수 있다. 상기 알콕시알콜의 함량이 적을 경우, 용해력이 저하될 수 있으며, 그 함량이 과할 경우, 신너 조성물에 대한 점도가 지나치게 상승하여 세정력이 저하될 수 있다.The alkoxy alcohol may be included in an amount of 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition, for example, 20 to 60 parts by weight. It is possible to secure solubility in an aromatic ring-containing compound conventionally used for a photoresist or a spin-on hardmask (SOH) resist within the above range of the content of the alkoxy alcohol. If the content of the alkoxy alcohol is too small, the solubility may be lowered. If the alkoxy alcohol content is too high, the viscosity of the thinner composition may be excessively increased, resulting in deterioration of the detergency.

본 발명에 따르면, 상기와 같은 알콕시알콜을 포함함으로써, 신너 조성물에 대하여 적절한 휘발도 및 점도를 제공할 수 있으므로, 레지스트가 기판에 퍼지는 현상을 극대화할 수 있으며, 다양한 종류의 레지스트에 대한 용해력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 기판에 레지스트를 도포하기 전에 기판 상에 먼저 표면 처리되어 소량의 레지스트를 사용하여도 기판 전면에 고르게 도포될 수 있으므로, 사용되는 레지스트의 양을 절감할 수 있다. 또한, 기판 가장자리 또는 후면에 도포된 불필요한 포토레지스트를 신속하게 제거할 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 신너 조성물은 포토레지스트, 스핀 온 하드마스크 레지스트 및 하부 반사방지막(BARC, bottom antireflection coating) 등을 용해할 수 있으며, 구체적으로는, 특히 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트에 대한 용해력에 대하여 유효한 효과를 가질 수 있다.According to the present invention, by including the alkoxy alcohol as described above, it is possible to provide appropriate volatility and viscosity to the thinner composition, thereby maximizing the spread of the resist on the substrate and improving the dissolution of various kinds of resists . For example, since the surface of the substrate is first treated on the substrate before applying the resist to the substrate and even a small amount of resist can be applied evenly over the entire surface of the substrate, the amount of the resist used can be reduced. In addition, unnecessary photoresist applied to the edge or backside of the substrate can be quickly removed. Specifically, the thinner composition according to the present invention can dissolve a photoresist, a spin-on hard mask resist and a bottom antireflection coating (BARC), and more specifically, a spin-on hardmask , And SOH) resist.

일구현예에 따르면, 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 함량은 조성물 100중량부에 대하여 20 내지 80중량부 포함할 수 있으며, 예를 들어, 40 내지 80중량부의 함량으로 포함할 수 있다. 상기와 같은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 함량 범위 내에서 다양한 종류의 레지스트에 대한 용해력을 향상시킬 수 있다. 상기 함량이 적을 경우, 용해력이 저하될 수 있고, 그 함량이 과할 경우, 신너 조성물에 대한 휘발도가 지나치게 상승하여 레지스트의 코팅 균일도에 영향을 줄 수 있으며, 방사형의 얼룩 무늬를 발생시킬 수 있다.According to one embodiment, the content of the propylene glycol monomethyl ether acetate may be 20 to 80 parts by weight, for example, 40 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition. The solubility of various types of resists can be improved within the above range of the content of propylene glycol monomethyl ether acetate. If the content is too low, the solubility may be lowered. If the content is excessive, the volatility of the thinner composition may be excessively increased to affect the coating uniformity of the resist, and radial stain may be generated.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있으며, 구체적으로 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제일 수 있다. 상기 비이온성 계면활성제는 수용액 상태에서 이온을 생성하지 않는 특성을 가지므로, 다른 유형의 계면 활성제와 혼합 첨가하여 사용할 수 있다. 비이온성 계면활성제의 종류는 이 분야에서 통상적으로 사용될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.According to one embodiment, the thinner composition may further comprise a surfactant, and specifically the surfactant may be a nonionic surfactant. Since the nonionic surfactant has a property of not generating ions in an aqueous solution state, it can be used by mixing with other types of surfactants. The kind of the nonionic surfactant is not particularly limited as long as it can be commonly used in this field.

상기 비이온성 계면활성제의 함량은 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 상기 알콕시알콜 중량의 합계 100중량부를 기준으로 0.001 내지 1중량부일 수 있으며, 예를 들어 0.001 내지 0.1, 예를 들어 0.005 내지 0.05중량부로 포함될 수 있다. 상기 비이온성 계면활성제의 함량 범위 내에서 레지스트에 대한 처리를 용이하게 할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 EBR(Edge Bead Removal) 공정 단계에서 처리 면의 확보를 우수하게 확보할 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다. 상기 비이온성 계면 활성제의 함량이 적을 경우, 그 효과가 미비할 수 있고, 그 함량이 과할 경우, 상기 신너 조성물에 거품이 발생할 수 있으며, 공정에 사용되는 용해액의 정량 사용에 문제를 일으킨다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 상기와 같은 계면활성제를 추가함으로써, 레지스트 처리 시 프로파일을 개선할 수 있는 효과가 있다.The content of the nonionic surfactant may be 0.001 to 1 part by weight, for example, 0.001 to 0.1 part, for example, 0.005 to 0.05 part by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the propylene glycol monomethyl ether acetate and the alkoxy alcohol . It is possible to facilitate the treatment of the resist within the content of the nonionic surfactant and more specifically to secure the processing surface in the EBR (Edge Bead Removal) step, for example . If the content of the nonionic surfactant is small, the effect thereof may be insufficient. If the content of the nonionic surfactant is excessive, bubbles may be generated in the thinner composition, causing problems in the use of a fixed amount of the dissolving solution used in the process. The thinner composition according to the present invention has the effect of improving the profile at the time of resist treatment by adding the above surfactant.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 일반적으로 첨가할 수 있는 첨가제라면 제한 없이 더 포함할 수 있다. 이와 같은 첨가제를 첨가하는 경우, 그 함량은 각 첨가제의 사용 목적 등에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 본 발명의 효과를 손상시키지 않도록 하는 관점에서, 본 발명의 신너 조성물 100 중량부를 기준으로 전체 첨가제는 합계 10 중량부 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.According to one embodiment, the thinner composition may further comprise any additive that is generally additive. When such an additive is added, the content thereof can be appropriately selected according to the purpose of use of each additive, etc. However, from the viewpoint of not impairing the effect of the present invention, the total additive, based on 100 parts by weight of the inventive thinner composition, 10 parts by weight or less.

일구현예에 따르면, 상기 신너 조성물은 적절한 점도, 예를 들어, 1 내지 2.4 cP, 예를 들어 1 내지 2 cP, 바람직하게는 1.1 내지 1.7 cP의 점도를 가질 수 있고, 또한, 적절한 휘발도, 예를 들어, 20 내지 60초, 예를 들어, 25초 내지 55초의 휘발 시간 특성을 가질 수 있다. 상기와 같은 적절한 점도 및 휘발 특성을 가짐으로써, 얼룩의 발생을 최소화 하고, 퍼짐성을 극대화할 수 있다.According to one embodiment, the thinner composition may have an appropriate viscosity, for example, a viscosity of 1 to 2.4 cP, for example 1 to 2 cP, preferably 1.1 to 1.7 cP, For example, it may have a volatilization time characteristic of 20 to 60 seconds, for example, 25 to 55 seconds. By having the appropriate viscosity and volatility characteristics as described above, it is possible to minimize the occurrence of stains and to maximize spreadability.

본 발명에 따른 신너 조성물은 반도체 제조 공정용으로 사용될 수 있으며, 구체적으로 웨이퍼 EBR(Edge Bead Remove) 공정 또는 포토레지스트 RRC(reducing resist consumption) 공정에 사용될 수 있으나, 반도체 제조 공정용으로 사용되는 것이라면 그 용도가 제한되지는 않으며, 그 적용 순서 또한 제한되지는 않는다.The thinner composition according to the present invention can be used for a semiconductor manufacturing process and specifically can be used for a wafer edge bead removal (EBR) process or a photoresist reducing resist consumption (RRC) process. However, The application is not limited, and the application order thereof is also not limited.

또한, 일구현예에 따르면, 본 발명의 신너 조성물은 G-Line, I-Line, KrF, ArF, F2 포토레지스트 및 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트를 용해할 수 있다.Also, according to one embodiment, the thinner composition of the present invention can dissolve G-Line, I-Line, KrF, ArF, F2 photoresist and spin-on hardmask (SOH) resist.

상기 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트는 반도체 미세 공정에서 패턴이 붕괴되는 현상을 방지하는 역할을 할 수 있다. 미세 공정에서 포토레지스트의 두께가 두꺼우면 패턴이 붕괴될 수 있고, 반대로 얇으면 기판을 보호할 수 없기 때문에 포토마스크의 패턴을 전사하기 위하여 이와 같은 하드마스크가 사용된다. 상기 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH)는 일반 코팅 장비를 사용하여, 용액의 형태로서 코팅 공정을 진행할 수 있고, 소재의 특성 변화가 상대적으로 자유로우며 공정의 변화에 대한 대응이 용이하다는 장점이 있다. 상기와 같은 이유로 종래에 사용되고 있는 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask, SOH) 레지스트는 통상적으로 방향족 고리 함유 화합물을 포함하고 있는데, 본원 발명은 상기 방향족 고리 함유 화합물에 대한 용해력을 향상시킬 수 있다.The spin-on hardmask (SOH) resist may serve to prevent the pattern from collapsing in a semiconductor microfabrication process. Such a hard mask is used to transfer the pattern of the photomask because the pattern can be collapsed if the thickness of the photoresist is fine in a fine process, and the substrate can not be protected if it is thin. The spin-on hardmask (SOH) can be coated in the form of a solution by using a general coating equipment, and is capable of changing the characteristics of the material relatively freely and coping with changes in the process easily There are advantages. For the above reasons, spin-on hardmask (SOH) resists conventionally used conventionally include an aromatic ring-containing compound. The present invention can improve the solubility of the aromatic ring-containing compound.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

실시예 및 비교예: 신너 조성물 제조Examples and Comparative Examples: Preparation of thinner composition

하기 표 1에 따른 각각의 조성을 해당량 혼합하여, 신너 조성물을 제조하였으며, 함량의 단위는 중량부이다. 필요에 따라 상기 용해액의 성능을 더욱 향상시키기 위하여 실시예 조성물에 비이온성 계면활성제를 추가로 포함시킬 수 있으며, 각 구성의 혼합 순서는 제한되지 않는다.The respective compositions according to the following Table 1 were mixed in appropriate amounts to prepare a thinner composition, the content of which is in parts by weight. In order to further improve the performance of the dissolution solution according to need, a nonionic surfactant may be further added to the composition of the present invention, and the mixing order of the components is not limited.

구분division PMAPMA MBMB EBEB MEKMEK EGPEEGPE PMPM EEPEEP GBLGBL 첨가제additive 실시예 1Example 1 8080 2020 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 2Example 2 7070 3030 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 3Example 3 6060 4040 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 4Example 4 5050 5050 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 5Example 5 4040 6060 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 6Example 6 7070 3030 -- -- -- -- -- -- 0.010.01 실시예 7Example 7 5050 5050 -- -- -- -- -- -- 0.010.01 실시예 8Example 8 8080 -- 2020 -- -- -- -- -- -- 실시예 9Example 9 7070 -- 3030 -- -- -- -- -- -- 실시예 10Example 10 6060 -- 4040 -- -- -- -- -- -- 실시예 11Example 11 5050 -- 5050 -- -- -- -- -- -- 실시예 12Example 12 4040 -- 6060 -- -- -- -- -- -- 실시예 13Example 13 7070 -- 3030 -- -- -- -- -- 0.010.01 실시예 14Example 14 5050 -- 5050 -- -- -- -- -- 0.010.01 비교예 1Comparative Example 1 3030 -- -- -- -- 7070 -- -- -- 비교예 2Comparative Example 2 7070 -- -- -- -- 3030 -- -- -- 비교예 3Comparative Example 3 3535 -- -- 8585 -- -- -- -- -- 비교예 4Comparative Example 4 4545 -- -- 6565 -- -- -- -- -- 비교예 5Comparative Example 5 3030 -- -- -- 7070 -- -- -- -- 비교예 6Comparative Example 6 7070 -- -- -- 3030 -- -- -- -- 비교예 7Comparative Example 7 -- -- 5050 -- -- 5050 -- -- 비교예 8Comparative Example 8 4040 -- -- 2020 -- -- 4040 -- -- 비교예 9Comparative Example 9 3030 -- -- -- -- -- 6060 1010 --

PMA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (propylene glycol monomethyl ether acetate)PMA: Propylene glycol monomethyl ether acetate (propylene glycol monomethyl ether acetate)

MB: 메톡시부탄올(3-methoxy-1-butanol)MB: 3-methoxy-1-butanol

EB: 에톡시부탄올(1-ethoxy-2-butanol)EB: 1-ethoxy-2-butanol

MEK: 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone)MEK: methyl ethyl ketone

EGPE: 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르(ethylene glycol monopropyl ether)EGPE: Ethylene glycol monopropyl ether (EGPE)

PM: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(propylene glycol monomethyl ether)PM: propylene glycol monomethyl ether

EEP: 에틸-3-에톡시프로피온산(ethyl-3-ethoxypropionate)EEP: Ethyl-3-ethoxypropionate

GBL: 감마부티로락톤(Gamma-butyrolactone)GBL: Gamma-butyrolactone

첨가제: 비이온성 계면활성제(Megaface series, DIC사)Additives: Nonionic surfactant (Megaface series, DIC)

실험예 1: 신너 조성물 특성 평가Experimental Example 1: Evaluation of thinner composition characteristics

각 신너 조성물의 휘발도를 측정하기 위하여, 스핀코터(spin coater)에 웨이퍼(wafer)를 고정하고, 상기 웨이퍼 상에 각 신너 조성물을 동일한 양으로 분산시킨 후, 1000rpm으로 회전시켜 육안으로 휘발되는 시간을 확인하였다.In order to measure the volatility of each thinner composition, a wafer was fixed to a spin coater, and each thinner composition was dispersed on the wafer in the same amount. Thereafter, the thinner composition was rotated at 1000 rpm, Respectively.

또한, 점도를 측정하기 위하여, 케논 점도계를 사용하여, 25℃ 항온 배스에서 각 신너 조성물 20mL에 대하여 KS A 0531에 따른 방법으로 점도를 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.In order to measure the viscosity, the viscosity was measured by a method according to KS A 0531 for 20 mL of each thinner composition in a constant temperature bath at 25 캜 using a KENON viscometer, and the results are shown in Table 2 below.

휘발 완료 시간 (sec)Volatilization completion time (sec) nBA=1 (25℃)기준으로 환산 값Converted value based on nBA = 1 (25 ℃) 점도
(cP)Viscosity
(cP) 실시예 1Example 1 26.126.1 0.450.45 1.191.19 실시예 2Example 2 29.529.5 0.400.40 1.311.31 실시예 3Example 3 36.036.0 0.320.32 1.431.43 실시예 4Example 4 45.845.8 0.230.23 1.551.55 실시예 5Example 5 53.453.4 0.180.18 1.671.67 실시예 6Example 6 29.129.1 0.400.40 1.301.30 실시예 7Example 7 45.245.2 0.230.23 1.541.54 실시예 8Example 8 25.225.2 0.460.46 1.151.15 실시예 9Example 9 28.228.2 0.410.41 1.291.29 실시예 10Example 10 36.336.3 0.250.25 1.411.41 실시예 11Example 11 43.943.9 0.250.25 1.521.52 실시예 12Example 12 52.952.9 0.190.19 1.641.64 실시예 13Example 13 27.827.8 0.420.42 1.271.27 실시예 14Example 14 44.044.0 0.250.25 1.501.50 비교예 1Comparative Example 1 16.316.3 0.620.62 1.521.52 비교예 2Comparative Example 2 16.616.6 0.610.61 1.281.28 비교예 3Comparative Example 3 12.412.4 0.700.70 0.750.75 비교예 4Comparative Example 4 13.813.8 0.670.67 0.770.77 비교예 5Comparative Example 5 24.524.5 0.470.47 1.671.67 비교예 6Comparative Example 6 23.223.2 0.490.49 1.321.32 비교예 7Comparative Example 7 17.517.5 0.600.60 0.810.81 비교예 8Comparative Example 8 17.217.2 0.600.60 1.011.01 비교예 9Comparative Example 9 25.425.4 0.460.46 1.221.22

nBA = n-부틸아세테이트(n-butyl acetate)nBA = n-butyl acetate &lt; RTI ID = 0.0 &gt;

또한, 상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 신너 조성물은 1 내지 2.4 cP 의 범위에 속하는 점도를 가지며, 20 내지 60초의 범위에 속하는 휘발 시간을 갖는 것을 알 수 있다. 비교예의 신너 조성물은 비교예 5, 6, 9를 제외한 대부분이 바람직한 점도와 휘발 시간 범위를 동시에 만족하지 못하였다. Further, as shown in Table 2, the thinner composition of the example according to the present invention has a viscosity ranging from 1 to 2.4 cP and has a volatilization time in the range of 20 to 60 seconds. Most of the thinner compositions of the comparative examples except Comparative Examples 5, 6 and 9 did not satisfy both the desired viscosity and the volatilization time range at the same time.

실험예 2: 신너 조성물의 성능 평가Experimental Example 2: Performance evaluation of thinner composition

상기 실시예 및 비교예에 따른 신너 조성물 각각의 성능을 평가하기 위하여, 하기 표 3과 같은 각각의 레지스트를 사용하였다.In order to evaluate the performance of each of the thinner compositions according to Examples and Comparative Examples, the respective resists as shown in Table 3 below were used.

구분division 레지스트 종류Type of Resist 사용 두께Working thickness PR1PR1 I-line 용 PRPR for I-line 25000Å25000Å PR2PR2 KrF용 PRPR for KrF 13000Å13000 Å PR3PR3 ArF 용 PRPR for ArF 5000Å5000 Å PR4PR4 BARC 용 PRPR for BARC 500Å500 Å PR5PR5 SOH 용 PRPR for SOH 2000Å2000 Å

BARC: 하부 반사 방지막(BARC, bottom antireflection coating)BARC: bottom antireflection coating (BARC)

SOH: 스핀 온 하드마스크(spin-on hardmask)SOH: spin-on hardmask

또한, 하기 표 4와 같은 단계 및 조건으로 웨이퍼 EBR(Edge Bead Remove) 공정과 포토레지스트 RRC(reducing resist consumption) 공정을 진행하였다.In addition, a wafer EBR (Edge Bead Remove) process and a photoresist reducing resist consumption (RRC) process were performed under the following conditions and conditions.

구분division 시간
(sec)time
(sec) 기판 회전속도
(rpm)Substrate rotation speed
(rpm) 분사물질Injection material 1단계Stage 1 55 00 2단계Step 2 1One 00 RRC용 신너 조성물Thinner composition for RRC 3단계Step 3 0.10.1 10001000 4단계Step 4 1One 18001800 포토레지스트Photoresist 5단계Step 5 1One 100100 6단계Step 6 2020 1500~20001500 ~ 2000 7단계Step 7 55 1000~20001000 ~ 2000 EBR용 신너 조성물Thinner composition for EBR 8단계Step 8 1One 00

각각의 조성물에 대한 RRC 성능 평가 결과는 3등급으로 구분하여 하기 표 5에 나타내었다.The results of the RRC performance evaluation for each composition are shown in Table 5 for classification into three grades.

또한, 실시예 2 및 비교예 1에 따른 조성물을 사용하여 상기 표 3의 PR 5에 대한 RRC 성능 평가를 진행하였으며, 그 결과에 대한 광학현미경 사진을 도 1에 나타내었다. 이 때, 레지스트 사용량은 0.7cc이다.In addition, RRC performance evaluation for PR 5 in Table 3 was performed using the composition according to Example 2 and Comparative Example 1, and an optical microscope photograph of the result is shown in FIG. At this time, the amount of resist used is 0.7 cc.

구분division PR 1PR 1 PR 2PR 2 PR 3PR 3 PR 4PR 4 PR 5PR 5 실시예 1Example 1 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 2Example 2 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 3Example 3 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 4Example 4 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 5Example 5 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 6Example 6 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 7Example 7 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 8Example 8 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 9Example 9 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 10Example 10 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 11Example 11 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 12Example 12 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 13Example 13 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 14Example 14 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 비교예 1Comparative Example 1 ⅩX ⅩX △△ △△ △△ 비교예 2Comparative Example 2 ⅩX ⅩX △△ △△ △△ 비교예 3Comparative Example 3 ⅩX ⅩX ⅩX △△ △△ 비교예 4Comparative Example 4 ⅩX ⅩX ○○ ○○ ○○ 비교예 5Comparative Example 5 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 6Comparative Example 6 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 7Comparative Example 7 ⅩX ○○ ○○ △△ △△ 비교예 8Comparative Example 8 △△ ○○ ○○ △△ △△ 비교예 9Comparative Example 9 △△ △△ ○○ ○○ ○○

O : 포토레지스트 코팅 균일도가 균일하고 일정한 상태O: uniformity of the photoresist coating uniformity and uniformity

△ : 포토레지스트의 코팅 균일도가 90% 이상 양호한 상태?: Good uniformity of the coating of the photoresist is 90% or more

X : 포토레지스트의 코팅 상태가 기판 가장자리가 불량한 상태X: The coating state of the photoresist is a state where the edge of the substrate is poor

각각의 조성물에 대한 EBR 성능 평가 결과는 4등급으로 구분하여 하기 표 6에 나타내었다.The results of the EBR performance evaluation for each composition are shown in Table 6, divided into four grades.

또한, 실시예 2 및 비교예 1에 따른 조성물을 사용하여 상기 표 3의 PR 5에 대한 EBR 성능 평가를 진행하였으며, 그 결과에 대한 광학현미경 사진을 도 1에 나타내었다.The EBR performance of the PR 5 of Table 3 was also evaluated using the composition according to Example 2 and Comparative Example 1. Optical microscope photographs of the results are shown in FIG.

PR 1PR 1 PR 2PR 2 PR 3PR 3 PR 4PR 4 PR 5PR 5 실시예 1Example 1 ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 실시예 2Example 2 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 3Example 3 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 4Example 4 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 5Example 5 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 6Example 6 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 7Example 7 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 8Example 8 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 9Example 9 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 10Example 10 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 11Example 11 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 12Example 12 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 13Example 13 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예 14Example 14 ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 비교예 1Comparative Example 1 △△ △△ ⅩX ⅩX ⅩX 비교예 2Comparative Example 2 △△ △△ ⅩX ⅩX ⅩX 비교예 3Comparative Example 3 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 4Comparative Example 4 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 5Comparative Example 5 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 6Comparative Example 6 △△ △△ ⅩX ⅩX ⅩX 비교예 7Comparative Example 7 △△ △△ ○○ ○○ ○○ 비교예 8Comparative Example 8 ○○ ○○ ○○ △△ △△ 비교예 9Comparative Example 9 ◎◎ ◎◎ ○○ △△ △△

◎: EBR 후 EBR 면이 직진도가 균일하고 일정한 상태◎: After the EBR, the straightness of the EBR surface is uniform and constant

○: EBR 후 EBR 면이 직진도가 80% 이상 양호한 상태○: After the EBR, the EBR surface has a straightness of 80% or more.

△: EBR 후 EBR 면의 직진도가 50~80% 인 상태△: State in which the straightness of the EBR surface after EBR is 50 to 80%

X : EBR 후 EBR 면의 직진도가 50% 미만인 상태X: The state in which the straightness of the EBR surface after EBR is less than 50%

상기 표 5 및 6에 나타난 바와 같이, 실시예에 따른 신너 조성물을 사용하면 RRC 및 EBR 공정의 결과가 모두 우수한 반면, 비교예에 따른 신너 조성물은 각각의 레지스트 종류 또는 공정에 따라 성능에 차이를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 특히, 비교예 5, 6 및 9의 경우에는 점도와 휘발 시간은 적절한 범위를 만족하지만, 성능 평가에서 실시예의 신너 조성물에 비해 만족스럽지 못한 결과를 얻었다. As shown in Tables 5 and 6, the results of the RRC and EBR processes are excellent using the thinner compositions according to the embodiments, while the thinner compositions according to the comparative examples show differences in performance depending on each type of resist or process . Particularly, in the case of Comparative Examples 5, 6 and 9, the viscosity and the volatilization time satisfied the appropriate ranges, but the performance evaluation was unsatisfactory as compared with the thinner compositions of the examples.

이상과 같은 결과를 볼 때, 본 발명에 따른 신너 조성물은 화학식 1의 알콕시알콜을 함유함으로써, 레지스트의 종류 및 공정에 대한 다양한 조건에 있어서 균일하고 우수한 성능을 유지할 수 있음을 알 수 있다.As a result, it can be seen that the thinner composition according to the present invention can maintain a uniform and excellent performance in various conditions of the type and process of the resist by containing the alkoxy alcohol of the formula (1).

이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술한 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. something to do. It is therefore intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

Claims (6)

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트; 및
하기 화학식 1의 알콕시알콜;을 포함하는 신너 조성물:
[화학식 1]
R2-O-R1-OH
상기 화학식 1에서 R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 5의 알킬렌이고,
R2는 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬이며,
R1의 탄소수 p 및 R2의 탄소수 q가 하기 수학식 1과 같다;
[수학식 1]
5≤p+q≤10.Propylene glycol monomethyl ether acetate; And
A thinner composition comprising an alkoxy alcohol of the formula:
[Chemical Formula 1]
R 2 -OR 1 -OH
Wherein R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene of 4 to 5 carbon atoms,
R 2 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 3 carbon atoms,
The carbon number p of R 1 and the carbon number q of R 2 are as shown in the following formula 1;
[Equation 1]
5? P + q? 10. 제1항에 있어서,
상기 알콕시알콜이 메톡시부탄올, 에톡시부탄올 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the alkoxy alcohol is selected from the group consisting of methoxybutanol, ethoxybutanol, and combinations thereof. 제1항에 있어서,
조성물 100중량부에 대하여 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 함량이 20 내지 80중량부인 것인 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the propylene glycol monomethyl ether acetate content is 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition. 제1항에 있어서,
조성물 100중량부에 대하여 상기 알콕시알콜의 함량이 20 내지 80중량부인 것인 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the content of the alkoxy alcohol is 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition. 제1항에 있어서,
비이온성 계면활성제를 더 포함하는 것인 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition further comprises a nonionic surfactant. 제5항에 있어서,
상기 비이온성 계면활성제의 함량이 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 상기 알콕시알콜 중량의 합계 100중량부를 기준으로 0.001 내지 1중량부인 것인 신너 조성물.6. The method of claim 5,
Wherein the content of the nonionic surfactant is 0.001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the propylene glycol monomethyl ether acetate and the alkoxy alcohol.
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