KR20170104823A - 리턴키와 메뉴키의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정글래스의 보호기구에 관련되며, 그 구성의 특징으로서, 글래스를 주재(主材)로 하는 글래스 기판(10); 상기 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20)을 증착하고, 상기 화학강화층(20)의 상면에 산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40)과 산화인듐주석층(50)을 차례로 증착하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이러한 본 발명에 따르면, 경량화 및 슬림화 추세에 부응하면서도 시인성과 여러 키(key) 사용의 용이성을 확보하여 다양한 휴대폰 제품에 장착이 가능함은 물론, 각종 휴대폰의 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)가 상단이나 하단에 위치되어 있더라도 하단 또는 상단의 역방향에서도 사용이 가능할 수 있도록 구성된, 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치(同時 touch)가 가능한 효과를 제공한다.

Description

리턴키와 메뉴키의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구{Protection equipment of the LCD glass for enabling the simultaneous touch for up and down of a return key and menu key}

본 발명은 액정글래스의 보호기구에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 경량화 및 슬림화 추세에 부응하면서도 시인성과 여러 키(key) 사용의 용이성을 확보하여 다양한 휴대폰 제품에 장착이 가능함은 물론, 각종 휴대폰의 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)가 상단이나 하단에 위치되어 있더라도 하단 또는 상단의 역방향에서도 사용이 가능할 수 있도록 구성된, 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치(同時 touch)가 가능한 액정글래스의 보호기구에 관한 것이다.

통상적으로 터치패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 탄성파 방식, 적외선 방식 등으로 구분되는데, 이 중에서도 현재는 저항막 방식과 정전용량 방식이 주종을 이루고 있다.

저항막 방식은 작동 신뢰성과 안정성이 높아 TV, 모니터, 노트북 PC, 카네비게이션, 게임기기, 백색가전, PDA, 전자사전, 휴대전화, 캠코더 등에 폭 넓게 사용된다. 다만, 전도성 물질이 코팅된 유리나 필름 위에 전도성 물질이 코팅된 필름을 적층한 구조이므로, 상하판 사이 공기층(Air Gap)에 의한 난반사 현상으로 야외 시인성이 불량하고, 유리를 사용하는 경우 표면의 유연성이 결여되어 응용분야의 확산에 장애가 된다. 정전용량 방식은 인체의 정전기를 감지해 구동하는 방식으로서 내구성이 강하고 반응시간이 짧으며 투과성이 좋아 일부 산업용이나 카지노 게임기로부터 최근 휴대폰으로 적용범위가 확대되고 있다. 반면, 펜을 이용하거나 장갑 낀 손으로 작동되지 않고 비교적 고가인 단점을 지닌다.

어느 방식에 있어서 제품의 용도에 부합된 품질과 생산성의 유지는 향후 시장성을 판가름하는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 적용제품의 다양화로 글래스(유리)를 도입할 필요성도 있으나 현실적인 난관이 따른다.

일예로, 한국 등록특허공보 제0681157호의 "정전용량방식의 터치 패널의 구조 및 그 제조방법"에 의하면, 은 페이스트로 형성된 선형성 패턴, 실드패턴 및 오버코팅막이 형성되는 글래스 기판과; 상기 글래스 기판의 전면부에 ITO또는 ATO로 형성하여 터치패널에 터치되는 물제의 터치위치를 정확하게 검출할 수 있는 투명도전막과; 상기 글래스 기판의 배면부를 ITO로 형성하여 노이즈를 차폐하는 투명도전막과; 상기 투명도전막의 배면부에 은 페이스트로 형성되어 노이즈를 감쇄시키기 위한 실드패턴과; 상기 투명도전막의 전면부에 은 페이스트로 형성하여 터치패널에서 구조적으로 발생하는 왜곡된 신호로부터 선형성으로 보정하기 위해 형성되며, 터치패널에 만들어지는 전압을 일정하게 분배시켜 선형성을 확보하는 선형성 패턴과; 상기 선형성 패턴 상부면과 투명도전막의 표면 위에 SiO2계 코팅 용액으로 균일하게 스핀 코팅되어 터치패널의 전도 코팅층을 보호하고 노이즈를 감쇄시킬 수 있는 오버코팅막과; 상기 선형성 패턴에 전원을 공급하기 위한 전극에 테일의 단자를 솔더링으로 접합하여 연결되어 있는 유연하고 플래트한 테일;로 구성된다.

다른 예로, 한국 등록특허공보 제908225호의 "저항막 방식 터치패널"에 의하면, 하부 절연체층, 상기 하부 절연체층의 상면에 터치부 패턴으로 형성된 하부 투명 전도 산화막 층, 및 상기 하부 투명 전도 산화막 층으로부터 상기 하부 절연체층의 가장자리까지 전기적 신호의 인출을 위한 연결 패턴으로 형성된 하부 금속 증착 코팅층으로 이루어진 하부 패드; (중략) 상기 전기적 신호의 인출을 위한 연결 패턴은 전부에 대하여 상기 투명 전도 산화막 층과 상기 금속 증착코팅층의 2중층 구조를 제안한다. 이는 종래에 ITO층으로부터 외부로의 인출을 위한 연결 패턴으로 실버페이스트를 적용한 공정보다 저가의 재료와 간단한 공정으로 제작이 가능하다고 밝힌다.

그러나 이러한 종래의 터치패널 기술들에 의하면, 휴대폰의 하단부분에 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)를 형성한 것이 일반적인 추세였지만, 최근 들어서는 상단부에 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 형성한 휴대폰의 등장으로 인해 그동안의 식상함을 넘어서 신선한 충격으로 다가오는 반면, 몇 몇 부분의 사용에 있어서는 불편점이 존재한다. 즉, 휴대폰의 하단부에서 양손을 이용해서 각종 조작을 자유자재로 해 왔던 습관을 넘어서 상단부의 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 작동해야 하기 때문에 새롭게 사용기능을 익히는 것은 물론, 게임 등과 같이 빠른 속도로 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 작동해야 하거나 순간적으로 리턴키(R)나 메뉴키(M)를 작동해야 하는 경우에는 양손 또는 어느 한손가락을 상단까지 이동해서 작동시켜야 하는 관계로 이동거리만큼의 지연이나 불편점이 존재한다. 또 상단부에 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 있어 좋을 때가 있고 하단부에 형성되어 있을 때의 이점도 상당하지만, 상단부와 하단부에 동시 형성되어 있는 것도 필요한데, 아직까지는 이러한 것을 만족시키는 휴대폰이나 휴대폰용 액정글래스 보호기구는 없는 실정이어서 아쉬운 면이 있다 할 것이다.

한국 등록특허공보 제0681157호의 "정전용량방식의 터치 패널의 구조 및 그 제조방법"(2007.02.05) 한국 등록특허공보 제908225호의 "저항막 방식 터치패널"(2009.07.10)

이에 따라 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 근본적으로 해결하기 위한 것으로서, 경량화 및 슬림화 추세에 부응하면서도 시인성과 여러 키(key) 사용의 용이성을 확보하여 다양한 휴대폰 제품에 장착이 가능함은 물론, 각종 휴대폰의 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)가 상단이나 하단에 위치되어 있더라도 하단 또는 상단의 역방향에서도 사용이 가능할 수 있도록 구성된, 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치(同時 touch)가 가능한 액정글래스의 보호기구를 제공하려는데 그 목적이 있다.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 액정글래스의 보호기구를 형성함에 있어서: 글래스를 주재(主材)로 하는 기판; 상기 기판의 일면에 화학강화층을 증착하고, 상기 화학강화층의 상면에 산화니오븀층 및 산화규소층과 산화인듐주석층(ITO)을 차례로 증착하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이때, 본 발명에 따른 상기 기판은 소다라임 글래스 또는 고리라 글래스 중에서 선택되고, 화학강화층은 400~500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2~8시간 내외로 침지하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명에 따른 상기 산화인듐주석층(ITO)은 상부와 하부 중 어느 일 방향에 구성된 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 대향하여 동시 터치(同時 touch)가 되도록 양 가장자리의 브릿지를 제외한 상면부에 에칭액을 살포하여 박리과정을 거치는 것을 특징으로 한다.

이때, 본 발명에 따른 상기 액정글래스의 보호기구는 기판의 일면에 화학강화층, 산화니오븀층, 산화규소층, 산화인듐주석층(ITO) 중 적어도 하나 이상의 구성을 제외하고 차례로 증착하여 이루어질 수 있음을 특징으로 한다.

한편, 이에 앞서 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

이상에서 설명한 본 발명에 따르면, 경량화 및 슬림화 추세에 부응하면서도 시인성과 여러 키(key) 사용의 용이성을 확보하여 다양한 휴대폰 제품에 장착이 가능함은 물론, 각종 휴대폰의 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)가 상단이나 하단에 위치되어 있더라도 하단 또는 상단의 역방향에서도 사용이 가능할 수 있도록 구성된, 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치(同時 touch)가 가능하게 하는 효과를 제공한다.

도 1은 본 발명에 따른 액정글래스 보호기구의 사용상태도
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선의 적층상태 구성도
도 3은 도 1에 도시된 B-B'선의 적층상태 구성도
도 4(a)와 (b)는 본 발명에 따른 여러 실시예를 나타낸 예시도

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

본 발명은 액정글래스의 보호기구에 관한 것으로, 글래스 기판(10), 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50, ITO; Indium Tin Oxide)을 주요 구성으로 하고, 특히 글래스 기판(10) 상면에 산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40, SiO2)과 산화인듐주석층(50)을 증착에 의하여 형성하는 방식에 관련된다.

본 발명에 따른 공정순서를 살피기에 앞서, 설명의 편의를 위해 글래스 기판(10) 가운데 셀 글래스(CellGlass) 기판을 중심으로 먼저 기술한다.

본 발명의 개략적인 공정순서를 살피면, 세정 전 셀 글래스(Cell Glass) 글래스 기판(10)을 적재하는 준비단계, 셀 글래스를 세정기에 투입하는 세정단계, 셀 글래스를 캐리어에 로딩하는 단계, 셀 글래스를 진공챔버에 진입시키는 단계, 플라즈마 형성에 의해 산화니오븀층(30)을 코팅하는 단계, 아르곤 플라즈마 형성에 의해 산화규소층(40)을 코팅하는 단계, 직류전원 제어방식에 의해 산화인듐주석층(50)을 코팅하는 단계, 셀 글래스를 이온빔으로 표면 처리하여 산화인듐주석층(50) 박막의 안정화를 통한 저항 경시변화율을 감소하는 단계를 거친다.

본 발명에 따르면 글래스를 주재로 하는 기판(10)이 사용되며, 상기 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20)을 증착한다. 글래스 기판(10)은 소정의 전처리를 거쳐 물성을 개선해야 한다. 통상적으로 물성의 개선은 물리적 방식 · 열적 방식 · 화학적 방식 중에서 선택된다.

이때, 상기 글래스 기판(10)은 고리라 글래스를 사용하고, 화학강화층(20)은 400~500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2~8시간 내외로 침지하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 고리라 글래스는 디스플레이 제품에 요구되는 물성을 구비하므로 적절하지만, 반드시 이에 국한되는 것은 아니다.

글래스의 균열은 미세한 크랙과 마찰력에 의하여 발생하므로, 열처리 또는 화학적 처리에 의한 표면강화로 이를 개선할 수 있다. 열처리 방식의 경우, 용융점 이상의 온도구배에서 임시적으로 응력개선이 발생하고, 글래스가 단순한 평면이면서 일정치 이상의 두께로 되어야 한다. 반면, 화학적 방식에 의한 화학강화층(20)은 글래스의 모양이나 두께에 관계없이 고강도를 구현할 수 있다.

화학강화층(20)은 이온교환과정에 의한 것으로서, 유리의 용융점 보다 낮은 온도에서 수행된다. 글래스를 400~500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2-8시간 동안 침지한 상태로 두면, 글래스 표면의 Na이온과 용액의 K이온이 상호 교환되면서 전자기력에 의한 수축으로 강화가 발생한다. 그리고 화학강화층(20)의 바람직한 온도와 질산칼륨용액의 침지시간은 액정글래스의 기능에 따라 달라지는데, 예를 들어 화학강화층(20)의 온도를 420℃로 하고 질산칼륨용액에 3시간가량을 침지시킬 수도 있지만, 온도를 450℃로 하고 질산칼륨용액에 4~5시간동안 침지시킬 수도 있는데, 이것은 액정글래스 보호기구의 특성에 따라 화학강화층(20)의 강도를 달리 처리하는데서 오는 결과라 할 수 있다. 이와 같이 화학강화층(20)을 지닌 글래스 기판(10)은 열처리에 의한 것보다 약 8배정도 높은 강도를 발휘하고, 처리 중에 비틀림 등의 변형이 적을뿐더러 색상 및 빛 투과율 특성을 그대로 유지한다.

본 발명에 따르면, 상기 화학강화층(20)의 상면에 산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40)과 산화인듐주석층(50)을 차례로 증착하는데, 이러한 증착과정을 보다 상세하게 설명한다.

산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40)과 산화인듐주석층(50)은 전술한 글래스의 글래스 기판(10)을 진공챔버(Vacuum chamber)에 수용하고 소정의 가스 분위기에서 증착(sputtering)을 통하여 형성된다.

우선, 셀 글래스 재료의 수입검사 및 자재수량을 확인한 다음, 카세트에 적재한다. 한 열에 적재 가능한 수량은 대략 62개 내외이며(그 이상, 이하도 가능), 첫 번째와 마지막 칸은 비워서 취급불량을 방지한다. 세정 카세트 3열 60매씩 적재가 완료되면, 전체적으로 외관 상태를 확인한다. 세정기의 투입대기 장소로 이동하여 투입대기 선반에 적재한다. 물론, 이 공정의 이전 또는 직후에 화학강화를 거쳐 화학강화층(20)을 형성한 셀 글래스를 사용해야 한다.

다음으로, 적재된 셀글래스 재료를 세정기에 넣어 세정작업을 수행한다. 이때 세정온도는 60℃ 내외로 하고 세정시간은 약 45분 정도로 하는 것이 적당하다. 이러한 수치는 사용하는 셀글래스 재료의 기타 조건에 따라 조절될 수 있다.

다음으로, 세정 공정을 마친 셀글래스 재료는 진공챔버로 진입하기 위해 캐리어(Carrier)에 로딩된다. 로딩 시에는 코팅의 유효범위 존(Zone) 내에 유지하도록 투입되는 수량을 제한한다.

다음으로, 셀글래스 재료를 진공챔버에 진입시킨다. 이때 진공챔버의 분위기 온도는 250℃ㅁ50 내외의 적정온도 또는 340℃ 내외로 설정한다. 이후 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 방식에 의한 플라즈마 스퍼터링 처리를 수행한다. 마그네트론 스퍼터링은 타겟에 가해지는 바이어스 전압(DC, RF)에 의하여 타겟과 실드(Shield) 혹은 타겟과 기판(Substrate) 사이에서 생성될 수 있는 플라즈마를 타겟에 붙어 있는 영구자석을 이용하여 타겟 근처에 집중시키고, 타겟 표면과 플라즈마 사이의 전위차에 의해 가속된 이온들이 타겟 표면과 충돌하여 이차 전자방출을 일으킴과 동시에 타겟 표면에서 스퍼터링을 일으키고, 스퍼터링된 중성의 원자들이 기판으로 날아가 박막을 형성하는 원리로 작동된다.

다음으로, 플라즈마에 의한 산화니오븀 코팅처리를 수행하여 산화니오븀층(30)을 형성한다. 이때 코팅되는 박막두께는 40±10Å 정도를 유지하는 것이 바람직한데, 이러한 산화니오븀(30) 대신 산화티타늄(TIO2)이나 지르코늄(ZrO2) 등의 고 굴절물질을 사용하여 증착할 수도 있다.

그 다음으로, 아르곤(Ar) 플라즈마에 의한 산화규소 코팅처리를 수행하여 산화규소층(40)을 형성한다. 이때 코팅되는 박막두께는 250Å 정도를 유지하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 산화규소층(40) 대신, 산화알루미늄(Al2O3)이나 산화실리콘(SiNx) 등의 저 굴절물질을 사용하여 증착할 수도 있다.

한편, 산화규소층(40) 코팅시의 방법은 RF 파워의 제어방식으로는 캐소드(Cathode) 4개를 사용하는 것이 바람직하다. 캐소드 개수 및 배치되는 위치는 진공챔버의 구조에 따라 달라질 수 있으며, 본 발명에 최적화되는 캐소드는 셀글래스 재료에 대향하는 위치에서 일정한 등 간격을 유지하는 4개를 선정한다. 캐소드 수가 적으면 박막 형성이 미흡해질 우려가 있고, 너무 많으면 두께의 균일한 제어가 곤란하다. 이에 따라 코팅에 의한 투과율을 90% 이상으로 향상시킬 수 있다. 이어서 상온에서 증착된 산화규소층(40)의 막 강도를 향상시키기 위해 플라즈마 처리작업을 수행한다.

그리고 상기한 산화규소층(40) 코팅방법 대신 염화마그네슘(MGF2)을 E빔(일렉트론 빔)에 녹여서 증착하는 방법도 가능하나, 산화규소층(40)의 코팅 처리방법이 더 바람직한 것으로 사료된다.

다음으로, 코팅된 산화규소층(40)의 셀 글래스 재료에 직류파워 제어방식에 의해 120±50Å 두께로 산화인듐주석을 코팅하여 산화인듐주석층(50)을 형성하는 것이 바람직하다. 산화인듐주석 코팅 처리 시에는 아르곤 및 산소 가스의 압력제어에 의해 산화인듐주석 성막의 저항 균일도를 5% 이내로 유지하도록 한다. 이러한 제어방식은 통상의 장치를 사용할 수 있다. 분위기의 조건을 정밀 제어하는 전용의 장치를 사용한다.

이때, 본 발명에 따르면, 상기 산화인듐주석층(ITO, 50)은 상부와 하부 중 어느 일 방향에서 구성된 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 서로 대향하여 동시에 터치가 되도록 양 가장자리의 브릿지(B) 부분을 제외한 상면부 전체에 에칭액을 살포하여 박리과정을 거치는 것을 특징으로 한다.

또 전술한 산화인듐주석층(50)의 상부와 하부 중 어느 일 방향이라 하였지만, 본 발명에서 말하는 기준방향은 스마트폰(휴대폰)의 액정글래스에 형성된 리턴키(R)와 메뉴키(M)와 반대되는 위치에 해당한다. 즉, 스마트폰(휴대폰)의 터치패널 위에 덧씌워질, 본 발명에 따른 액정글래스 보호기구의 리턴키(R)와 메뉴키(M)는 하단부에 위치하도록 구성되는 반면, 스마트폰의 리턴키(R)와 메뉴키(M)는 상단부에 이미 형성된 상태이므로 본 발명에 따른 액정글래스의 보호기구(1)는 이러한 스마트폰 위에 덧씌워져 스마트폰의 터치패널을 보호함과 동시에 스마트폰의 상단에 형성된 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 작동하지 않고 발명에 따른 액정글래스 보호기구(1)의 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 작동시키면, 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 어떤 방향에 있든 간에 모두 작동하게 되어 사용하기가 매우 쉬워지게 된다. 그리고 스마트폰의 터치패널과 본 발명에 따른 액정글래스 보호기구(1)의 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 동일한 위치에 있을 경우에는 터치패널의 보호기구로서 본 발명을 장착하여 사용하면 된다. 아울러 스마트폰의 하부에 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 형성되어 있고, 상부에서도 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 작동할 필요가 있을 경우에는 역으로 본 발명의 액정글래스 보호기구(1) 상부에 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 형성하면 된다.

이처럼 본 발명에 따른 액정글래스의 보호기구(1)는, 상부와 하부에 리턴키(R)와 메뉴키(M)를 구성하는 동시에 이들의 키(key)가 동시 터치되도록 양 가장자리에 브릿지(B)를 형성한다. 이를 위해서는 액정글래스 보호기구(1)의 상부와 하부의 리턴키(R)와 메뉴키(M), 이들 키(key)를 연결하는 양 가장자리의 브릿지(B)를 제외한 상면부에 에칭액을 살포하여 박리과정을 수행한다.

즉, 글래스 기판(10), 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50)이 증착된 액정글래스의 보호기구에서, 산화인듐주석층(50)에 형성된 리턴키(R)와 메뉴키(M), 또 이들 키(key)를 연결해서 도전(導電)하는 브릿지(B) 부분을 제외한 나머지 면에 에칭액을 살포하는데, 이 때 살포된 부분의 산화인듐주석층(50)은 깨끗하게 박리되어 작업이 마무리된다.

그 다음으로, 이온빔으로 표면 처리하여 산화인듐주석 박막의 안정화를 통한 저항 경시변화율 감소를 달성할 수 있다.

한편, 글래스 기판(10)은 진공챔버의 온도를 250℃±50 내외로 설정해서 산화인듐주석층(50)을 증착하게 되면, 저항치도 400~500Ω 내외여서 무난하게 사용될 수 있는 형태로 제조될 수 있다. 그런데 글래스 기판(10)의 경우에 진공챔버의 온도를 일반적으로 행하고 있는 340℃ 내외로 설정해서 산화인듐주석층(50)을 증착하게 되면 저항치를 80~300Ω 내외로 감소시킬 수도 있고, 또 산화인듐주석층(50)의 물질들이 안정화 및 결정화되는데 아무런 장애가 생기지 않아 소비자의 다양한 요구에 부응할 수 있는 이점이 있다.

이렇게 제조된 셀글래스 재료의 액정글래스를 캐리어에서 탈착한 후 외관검사와 특성검사를 수행한다. 외관검사는 표면의 스크래치 · 이물 · 오염 · 핀홀 등을 육안으로 검사하는 것이고, 특성검사는 전기저항 · 투과율 · 막두께 · 내열성 · 내마모성을 측정하는 것이다.

통상 91% 내외의 투과율을 지니는 글래스 기판(10)에 산화인듐주석층(50)만 적층하면 투과율이 다소 저하되지만, 산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40)과 산화인듐주석층(50)을 적층하면 약 91%내외의 투과율로 회복되며, 더불어 제조공정이 단순하고 제조단가가 낮아지는 유용성을 갖추고 있다.

덧붙여, 본 발명에 따른 액정글래스의 보호기구(1)는 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50) 중 적어도 하나 이상의 구성을 제외하고, 차례로 증착하여 이루어질 수도 있음을 특징으로 한다. 본 발명의 액정글래스 보호기구(1)는 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50)을 차례로 증착하여 이루어지는 것을 기본구성으로 선택하고 있으나, 상술한 구성을 모두 포함하여 증착하는 방법 이외에 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50) 중 적어도 하나 이상의 구성을 제외하여 증착하는 방법을 사용하는 것도 가능하다. 즉, 도 4의 예시에서 보듯이 글래스 기판(10), 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화인듐주석층(50)으로 증착하거나, 글래스 기판(10), 화학강화층(20), 산화인듐주석층(50)을 증착하는 등 상기 구성 중 필요한 부분만 사용하여 증착하는 것도 가능하다.

이러한 본 발명에 따르면, 경량화 및 슬림화 추세에 부응하면서도 시인성과 여러 키(key) 사용의 용이성을 확보하여 다양한 휴대폰 제품에 장착이 가능함은 물론, 각종 휴대폰의 리턴키(return key)와 메뉴키(menu key)가 상단이나 하단에 위치되어 있더라도 하단 또는 상단의 역방향에서도 사용이 가능할 수 있도록 구성된, 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치(同時 touch)가 가능한 효과를 제공한다.

본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.

1 : 액정글래스의 보호기구 10 : 글래스 기판
20 : 화학강화층 30 : 산화니오븀츨
40 : 산화규소층 50 : 산화인듐주석층
D : 브릿지 R : 리턴키
M : 메뉴키(M)

Claims (4)

1. 액정글래스의 보호기구(1)를 형성함에 있어서:
   글래스를 주재(主材)로 하는 글래스 기판(10);
   상기 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20)을 증착하고,
   상기 화학강화층(20)의 상면에 산화니오븀층(30) 및 산화규소층(40)과 산화인듐주석층(50)을 차례로 증착하여 이루어짐을 특징으로 하는 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구
2. 제1항에 있어서,
   상기 글래스 기판(10)은 고리라 글래스를 사용하고, 화학강화층(20)은 400~500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2~8시간 내외로 침지하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구
3. 제1항에 있어서,
   상기 산화인듐주석층(50, ITO)은 상부와 하부 중 어느 일 방향에서 구성된 리턴키(R)와 메뉴키(M)가 대향하여 동시 터치가 되도록 양 가장자리의 브릿지(B)를 제외한 상면부에 에칭액을 살포하여 박리과정을 거치는 것을 특징으로 하는 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구
4. 제1항에 있어서,
   상기 액정글래스의 보호기구(1)는 글래스 기판(10)의 일면에 화학강화층(20), 산화니오븀층(30), 산화규소층(40), 산화인듐주석층(50) 중 적어도 하나 이상의 구성을 제외하고 차례로 증착하여 이루어질 수도 있음을 특징으로 하는 리턴키(R)와 메뉴키(M)의 상하 동시 터치가 가능한 액정글래스의 보호기구.

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