KR20170104086A - Display apparatus - Google Patents

Display apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20170104086A
KR20170104086A KR1020160026425A KR20160026425A KR20170104086A KR 20170104086 A KR20170104086 A KR 20170104086A KR 1020160026425 A KR1020160026425 A KR 1020160026425A KR 20160026425 A KR20160026425 A KR 20160026425A KR 20170104086 A KR20170104086 A KR 20170104086A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
disposed
emitting diodes
electrode
Prior art date
Application number
KR1020160026425A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102610027B1 (en
Inventor
김은주
박용한
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160026425A priority Critical patent/KR102610027B1/en
Publication of KR20170104086A publication Critical patent/KR20170104086A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102610027B1 publication Critical patent/KR102610027B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B37/00—
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources

Abstract

According to an embodiment of the present invention, disclosed is a display device which includes: a substrate; a first partition wall and a second partition wall which are arranged on the substrate to be spaced apart from each other and are extend along one direction; a plurality of light emitting diodes arranged between the first partition wall and the second partition wall and arranged along the one direction; a plurality of pixel electrodes and a common electrode which are arranged to be spaced apart from each other between the substrate and the plurality of light emitting diodes and are electrically connected to the plurality of light emitting diodes, respectively; and a conductive adhesive layer arranged between the substrate and the plurality of light emitting diodes so as to cover the plurality of pixel electrodes and the common electrode. Accordingly, the present invention can prevent a short between two electrodes included in the light emitting diode.

Description

표시 장치{Display apparatus}[0001]

본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a display device.

발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)는 PN 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다. A light emitting diode (LED) is a semiconductor device that injects holes and electrons when a forward voltage is applied to a PN diode, and converts energy generated by the recombination of holes and electrons into light energy.

LED는 무기 LED 또는 유기 LED로 형성되고, LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판을 비롯하여 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV에까지 사용되고 있다.LEDs are formed of inorganic LEDs or organic LEDs, and are used in backlighting, lighting, electric signboards for LCD TVs, and small-sized electronic devices such as mobile phones to large-sized TVs.

발광 다이오드를 이용한 표시 장치는 기판에 실장된 발광 다이오드를 포함하며, 발광 다이오드는 기판 상의 전극들과 전기적으로 연결된다. 그러나, 발광 다이오드의 두 전극들이 동일면에 형성된 경우 두 전극들의 간격이 작아 도전성 접착제 또는 이물에 의해 쇼트(short)가 야기될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 발광 다이오드에 포함된 2개의 전극의 쇼트를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.A display using a light emitting diode includes a light emitting diode mounted on a substrate, and the light emitting diode is electrically connected to the electrodes on the substrate. However, when the two electrodes of the light emitting diode are formed on the same surface, a gap between the two electrodes may be small, which may cause a short by the conductive adhesive or foreign matter. Embodiments of the present invention aim to provide a display device capable of preventing shorting of two electrodes included in a light emitting diode.

그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.However, these problems are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향을 따라 연장된 제1 격벽 및 제2 격벽; 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 사이에 배치되며, 상기 일 방향을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드; 상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극 및 공통 전극; 및 상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 상기 복수의 화소 전극 및 상기 공통 전극을 덮도록 배치된 도전성 접착층;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.One embodiment of the present invention is a semiconductor device comprising: a substrate; A first bank and a second bank which are spaced apart from each other on the substrate and extend along one direction; A plurality of light emitting diodes disposed between the first bank and the second bank and arranged along the first direction; A plurality of pixel electrodes and a common electrode which are disposed to be spaced apart from each other between the substrate and the plurality of light emitting diodes and are electrically connected to the plurality of light emitting diodes; And a conductive adhesive layer disposed between the substrate and the plurality of light emitting diodes so as to cover the plurality of pixel electrodes and the common electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 각각은, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 콘택전극 및 제2 콘택전극; 및 상기 제1 콘택전극과 상기 제2 콘택전극 사이에 배치된 PN 다이오드를 포함할 수 있다.In one embodiment, each of the plurality of light emitting diodes includes a first contact electrode and a second contact electrode electrically connected to the pixel electrode and the common electrode, respectively. And a PN diode disposed between the first contact electrode and the second contact electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 각각은 약 1 μm 내지 약 100 μm의 크기를 갖을 수 있다.In one embodiment, each of the plurality of light emitting diodes may have a size of about 1 [mu] m to about 100 [mu] m.

일 실시예에 있어서, 상기 도전성 접착층은 도전성을 갖는 도전볼 및 경화성 수지를 포함할 수 있다.In one embodiment, the conductive adhesive layer may include a conductive ball having conductivity and a curable resin.

일 실시예에 있어서, 상기 도전성 접착층은 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 사이에 상기 일 방향을 따라 연속되도록 배치될 수 있다.In one embodiment, the conductive adhesive layer may be disposed between the first bank and the second bank to be continuous along the one direction.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은 서로 실질적으로 평행하게 배치될 수 있다.In one embodiment, the first bank and the second bank may be arranged substantially parallel to each other.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 상기 일 방향을 따라 서로 나란히(side by side) 배치된 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함할 수 있다.In one embodiment, the plurality of light emitting diodes may include a first light emitting diode and a second light emitting diode arranged side by side along the one direction.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 상기 일 방향을 따라 상기 제1 발광 다이오드 또는 상기 제2 발광 다이오드와 나란히 배치된 제3 발광 다이오드를 더 포함하며, 상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드는 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다.In one embodiment, the plurality of light emitting diodes further include a third light emitting diode disposed alongside the first light emitting diode or the second light emitting diode along the one direction, wherein the first light emitting diode, The light emitting diode and the third light emitting diode may emit red light, green light and blue light, respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 일 방향을 따라 상기 제1 발광 다이오드 내지 제3 발광 다이오드 중 적어도 하나와 나란히 배치된 제4 발광 다이오드를 더 포함하며, 상기 제4 발광 다이오드는 백색광을 방출할 수 있다.In one embodiment, the light emitting diode further includes a fourth light emitting diode disposed along with at least one of the first light emitting diode through the third light emitting diode along the one direction, and the fourth light emitting diode may emit white light.

일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드를 각각 구동하는 제1 박막트랜지스터 및 제2 박막트랜지스터를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the light emitting device further includes a first thin film transistor and a second thin film transistor disposed on the substrate, respectively, for driving the first light emitting diode and the second light emitting diode.

일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드와 각각 전기적으로 연결되며 서로 전기적으로 분리되어 있는 제1 화소 전극 및 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 공통 전극은, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드와 전기적으로 연결될 수 있다.In one embodiment, the pixel electrode includes a first pixel electrode and a second pixel electrode that are electrically connected to the first light emitting diode and the second light emitting diode, respectively, and are electrically isolated from each other, May be electrically connected to the first light emitting diode and the second light emitting diode.

일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 하나에 의해 일부가 덮여있을 수 있다.In one embodiment, at least one of the pixel electrode and the common electrode may be partially covered by at least one of the first bank and the second bank.

일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 연장된 제1 배선 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향을 따라 연장된 제2 배선을 더 포함하며, 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽이 연장된 상기 일 방향은 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향일 수 있다.In one embodiment, the device further comprises a first wiring disposed on the substrate and extending along the first direction and a second wiring extending along a second direction across the first direction, The one direction in which the barrier ribs and the second barrier rib are extended may be the first direction or the second direction.

일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 제1 배선과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 배선은 상기 공통 전극으로 기능할 수 있다.In one embodiment, the pixel electrode may be electrically connected to the first wiring, and the second wiring may function as the common electrode.

본 발명의 다른 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 복수의 개구를 포함하는 격벽부; 상기 복수의 개구 중 적어도 하나에 배치된 복수의 발광 다이오드; 상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극 및 공통 전극; 및 상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 상기 복수의 화소 전극 및 상기 공통 전극을 덮도록 배치된 도전성 접착층;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.Another embodiment of the present invention is a semiconductor device comprising: a substrate; A partition wall disposed on the substrate and including a plurality of openings; A plurality of light emitting diodes disposed in at least one of the plurality of openings; A plurality of pixel electrodes and a common electrode which are disposed to be spaced apart from each other between the substrate and the plurality of light emitting diodes and are electrically connected to the plurality of light emitting diodes; And a conductive adhesive layer disposed between the substrate and the plurality of light emitting diodes so as to cover the plurality of pixel electrodes and the common electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 격벽부는 상기 기판 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향을 따라 연장된 제1 격벽, 제2 격벽 및 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽을 연결하는 연결부를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the barrier ribs may be spaced apart from each other on the substrate, and may include a first barrier rib extending along one direction, a second barrier rib, and a connection portion connecting the first barrier rib and the second rib have.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 각각은, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 콘택전극 및 제2 콘택전극; 및 상기 제1 콘택전극과 상기 제2 콘택전극 사이에 배치된 PN 다이오드를 포함할 수 있다.In one embodiment, each of the plurality of light emitting diodes includes a first contact electrode and a second contact electrode electrically connected to the pixel electrode and the common electrode, respectively. And a PN diode disposed between the first contact electrode and the second contact electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 각각은 약 1 μm 내지 약 100 μm의 크기를 갖을 수 있다.In one embodiment, each of the plurality of light emitting diodes may have a size of about 1 [mu] m to about 100 [mu] m.

일 실시예에 있어서, 상기 도전성 접착층은 도전성을 갖는 도전볼 및 경화성 수지를 포함할 수 있다.In one embodiment, the conductive adhesive layer may include a conductive ball having conductivity and a curable resin.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드는 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드는 서로 다른 색상의 광을 방출할 수 있다.In an exemplary embodiment, the plurality of light emitting diodes include a first light emitting diode and a second light emitting diode, and the first light emitting diode and the second light emitting diode may emit light of different colors.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will be apparent from the following detailed description, claims, and drawings.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드에 포함된 두 개의 전극이 쇼트되는 문제를 방지한 표시 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention as described above, it is possible to provide a display device that prevents a problem that two electrodes included in a light emitting diode are short-circuited.

물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 도 1의 표시 장치에 포함된 복수의 픽셀들을 개략적으로 도시한 사시도 및 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2b의 Ⅲa-Ⅲa 선 및 Ⅲb-Ⅲb 선을 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 취한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment.
2A and 2B are a perspective view and a plan view schematically showing a plurality of pixels included in the display device of FIG. 1, respectively.
3A and 3B are cross-sectional views taken along line IIIa-IIIa and line IIIb-IIIb in FIG. 2B, respectively.
4 is a plan view schematically showing a display device according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view taken along the line V-V in FIG.
6 and 7 are plan views schematically showing a display device according to still another embodiment.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, the terms first, second, and the like are used for the purpose of distinguishing one element from another element, not the limitative meaning.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as inclusive or possessive are intended to mean that a feature, or element, described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, an area, a component or the like is on or on another part, not only the case where the part is directly on the other part but also another film, area, And the like.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시부(10) 및 드라이버(20)를 포함할 수 있다. 표시부(10)는 기판 상에 배치된 복수의 픽셀(P)들을 포함할 수 있다. 상기 드라이버(20)는 복수의 픽셀(P)들 각각에 연결된 스캔선으로 스캔 신호를 인가하는 스캔 드라이버 및 데이터선으로 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the display device 100 may include a display unit 10 and a driver 20. The display portion 10 may include a plurality of pixels P disposed on a substrate. The driver 20 may include a scan driver for applying a scan signal to a scan line connected to each of the plurality of pixels P and a data driver for applying a data signal to the data line.

상기 드라이버(20)는 픽셀(P)들이 배열된 표시부(10)의 외곽에 위치한 비표시부에 배치될 수 있다. 상기 드라이버(20)는 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 표시부(10)가 배치된 기판 상에 직접 장착되거나 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 상에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수 있다. The driver 20 may be disposed at a non-display portion located outside the display portion 10 on which the pixels P are arranged. The driver 20 is formed in the form of an integrated circuit chip and mounted directly on a substrate on which the display unit 10 is disposed or mounted on a flexible printed circuit film or in the form of a tape carrier package May be attached to the substrate, or may be formed directly on the substrate.

픽셀(P)은 화상을 표시하는 최소 단위를 의미하며, 표시 장치(100)은 표시부(10)에 포함된 복수의 픽셀(P)들을 통해 화상을 표시한다. 일 실시예에 따르면, 상기 표시부(10)에 포함된 복수의 픽셀(P)들 각각에는 발광 다이오드(LED, 도 2a)가 배치될 수 있으며, 복수의 발광 다이오드(LED) 각각은 상기 스캔 신호에 따라 선택적으로 온(on) 또는 오프(off)될 수 있다.The display unit 100 displays an image through a plurality of pixels P included in the display unit 10. [ 2A) may be disposed in each of the plurality of pixels P included in the display unit 10, and each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) may be connected to the scan signal And can be selectively turned on or off according to the control signal.

도 2a 및 도 2b는 각각 도 1의 표시 장치에 포함된 복수의 픽셀들을 개략적으로 도시한 사시도 및 평면도이고, 도 3a 및 도 3b는 각각 도 2b의 Ⅲa-Ⅲa 선 및 Ⅲb-Ⅲb 선을 따라 취한 단면도들이다.FIGS. 2A and 2B are a perspective view and a plan view respectively schematically showing a plurality of pixels included in the display device of FIG. 1, and FIGS. 3A and 3B are views taken along lines IIIa-IIIa and IIIb-IIIb of FIG. Sectional views.

도 2a, 도 2b, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향(D1)을 따라 연장된 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122), 상기 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)의 사이에 배치되며 일 방향(D1)을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드(LED), 기판(110)과 복수의 발광 다이오드(LED) 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 복수의 발광 다이오드(LED) 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극(130) 및 공통 전극(140), 및 기판(110)과 복수의 발광 다이오드(LED) 사이에 복수의 화소 전극(130) 및 공통 전극(140)을 덮도록 배치된 도전성 접착층(150)을 포함한다. Referring to FIGS. 2A, 2B, 3A and 3B, a display device 100 according to an embodiment includes a substrate 110, a plurality of spaced apart substrates 110, A plurality of light emitting diodes (LEDs) 121 and 122 arranged between the first barrier rib 121 and the second barrier rib 122 and disposed along one direction D1, A plurality of pixel electrodes 130 and a common electrode 140 electrically connected to the plurality of light emitting diodes (LEDs) and a plurality of light emitting diodes (LEDs) And a conductive adhesive layer 150 disposed between the light emitting diode 110 and the plurality of light emitting diodes (LEDs) so as to cover the plurality of pixel electrodes 130 and the common electrode 140.

상기 기판(110)은 다양한 소재로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 실리콘산화물(SiO2)을 주성분으로 하는 투명한 유리 재질, 금속 또는 플라스틱 재질로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 기판(110)은 가요성(flexibility)을 가질 수 있다.The substrate 110 may be composed of various materials. For example, the substrate 110 may be made of a transparent glass material, a metal or a plastic material containing silicon oxide (SiO 2 ) as a main component. According to one embodiment, the substrate 110 may have flexibility.

상기 기판(110) 상에는 일 방향(D1)을 따라 연장되며 서로 이격되도록 배치된 복수의 격벽들(121, 122, 123)을 포함하는 격벽부(120)가 배치될 수 있다. 도 2a 및 도 2b는 기판(110) 상에 배치된 3개의 격벽들(121, 122, 123)의 일부만이 도시되어 있으며, 이하에서는 설명의 편의상 3개의 격벽들(121, 122, 123)을 각각 제1 격벽(121), 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)으로 명명하도록 한다.On the substrate 110, a partition 120 including a plurality of partition walls 121, 122, 123 extending along one direction D1 and spaced apart from each other may be disposed. 2A and 2B show only a part of three partition walls 121, 122 and 123 arranged on the substrate 110. Hereinafter, for convenience of description, three partition walls 121, 122 and 123 The first barrier rib 121, the second barrier rib 122, and the third barrier rib 123, respectively.

상기 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)의 사이 및 상기 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)의 사이에는 일 방향(D1)을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 다이오드(LED) 각각은 표시 장치(100)에 포함된 복수의 픽셀(P, 도 1) 각각에 대응될 수 있다. 즉, 하나의 발광 다이오드(LED)는 하나의 픽셀(P)에 대응될 수 있다.A plurality of light emitting diodes (LEDs) 120 are disposed between the first bank 121 and the second bank 122 and between the second bank 122 and the third bank 123 in one direction D1. Can be disposed. Each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) may correspond to each of a plurality of pixels (P, FIG. 1) included in the display device 100. That is, one light emitting diode (LED) may correspond to one pixel (P).

상기 복수의 발광 다이오드(LED)는 제1 발광 다이오드(LED1), 제2 발광 다이오드(LED2) 및 제3 발광 다이오드(LED3)를 포함할 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3)는 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122) 사이의 공간에 일 방향(D1)을 따라 서로 나란히(side by side) 배치될 수 있다. The plurality of light emitting diodes (LEDs) may include a first light emitting diode (LED1), a second light emitting diode (LED2) and a third light emitting diode (LED3), and the first to third light emitting diodes And LED3 may be arranged side by side in a space between the first partition 121 and the second partition 122 along one direction D1.

상기 제1 발광 다이오드(LED1)와 제2 발광 다이오드(LED2) 사이 및 제2 발광 다이오드(LED2)와 제3 발광 다이오드(LED3)의 사이에는 격벽이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)은 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)의 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)의 양측에만 배치될 수 있다.A partition may not be disposed between the first light emitting diode LED1 and the second light emitting diode LED2 and between the second light emitting diode LED2 and the third light emitting diode LED3. That is, the first barrier rib 121 and the second barrier rib 122 may be disposed only on both sides of the plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed between the first barrier rib 121 and the second barrier rib 122.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3)는 각각 서로 다른 색상의 광을 방출할 수 있으며 독립적으로 구동될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 발광 다이오드(LED1), 제2 발광 다이오드(LED2) 및 제3 발광 다이오드(LED3)은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다.According to one embodiment, the first to third light emitting diodes LED1, LED2, and LED3 may emit light of different colors and may be independently driven. For example, the first light emitting diode LED1, the second light emitting diode LED2, and the third light emitting diode LED3 may emit red light, green light, and blue light, respectively.

일 실시예에 따르면, 복수의 발광 다이오드(LED)는 제1 발광 다이오드 내지 제3 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3) 중 적어도 하나와 나란히 배치된 제4 발광 다이오드(LED4)를 더 포함하며, 제4 발광 다이오드(LED4)를 백색광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 한정되지 않으며, 제4 발광 다이오드(LED4)는 백색광이 아닌 청색광, 녹색광 및 청색광 중 적어도 하나의 광을 방출할 수 있다.According to an embodiment, the plurality of light emitting diodes (LEDs) further include a fourth light emitting diode (LED4) arranged in parallel with at least one of the first to third light emitting diodes (LED1, LED2, LED3) 4 Light emitting diode (LED4) can emit white light. However, the present invention is not limited, and the fourth light emitting diode LED4 may emit at least one of blue light, green light and blue light instead of white light.

다른 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3)는 모두 동일한 색상의 광을 방출할 수 있다. 이 경우, 제2 격벽(122)과 제3 격벽(123) 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED) 중 적어도 하나는 제1 내지 제3 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3)와 다른 색상의 광을 방출할 수 있다.According to another embodiment, the first to third light emitting diodes (LED1, LED2, LED3) may emit light of the same color. In this case, at least one of the plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed between the second bank 122 and the third bank 123 is different from the first to third light emitting diodes (LED1, LED2, LED3) . ≪ / RTI >

이하에서는, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치(100)를 적층된 순서에 따라 설명한다.Hereinafter, the display device 100 according to one embodiment will be described in the stacked order with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG.

일 실시예에 따른 표시 장치(100)에 포함된 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 버퍼층(111)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 버퍼층(111) 상에는 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)를 각각 구동하는 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 배치될 수 있다. 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)를 각각 구동하는 구동 회로부에 포함된 하나의 소자일 수 있으며, 구동 회로부는 추가적인 박막 트랜지스터 및 커패시터 등을 더 포함할 수 있다. 상기 기판(110) 상에는 구동 회로부 외에 상기 구동 회로부에 신호를 인가하기 위한 복수의 배선들이 더 배치될 수 있다.The buffer layer 111 may be disposed on the substrate 110 included in the display device 100 according to one embodiment. According to one embodiment, the buffer layer 111 may be a single film or a multilayer film made of an inorganic material such as silicon oxide and / or silicon nitride. The first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2 which respectively drive the first light emitting diode LED1 and the second light emitting diode LED2 may be disposed on the buffer layer 111. [ The first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2 may be one element included in a driving circuit portion for driving the first light emitting diode LED1 and the second light emitting diode LED2, May further include additional thin film transistors, capacitors, and the like. On the substrate 110, a plurality of wirings for applying a signal to the driving circuit unit may be disposed in addition to the driving circuit unit.

도 3a 및 도 3b에는 도시되어 있지 않지만, 버퍼층(111) 상에는 제3 발광 다이오드(LED3)를 구동하는 제3 박막 트랜지스터(TFT3)가 더 배치될 수 있다. 즉, 버퍼층(111) 상에는 복수의 발광 다이오드(LED)를 각각 구동하는 복수의 박막 트랜지스터가 배치될 수 있으며, 복수의 발광 다이오드(LED) 각각은 독립적으로 구동될 수 있다.Although not shown in FIGS. 3A and 3B, a third thin film transistor TFT3 for driving the third light emitting diode LED3 may be further disposed on the buffer layer 111. FIG. That is, a plurality of thin film transistors that respectively drive a plurality of light emitting diodes (LEDs) may be disposed on the buffer layer 111, and each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) may be independently driven.

상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 각각 활성층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)의 게이트 전극(GE)이 활성층(ACT)의 상부에 배치된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)로써 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 또는 듀얼 게이트 타입(dual gate type) 등 다양한 형태의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다. The first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2 may include an active layer ACT, a gate electrode GE, a source electrode SE and a drain electrode DE, respectively. Hereinafter, a case where the gate electrode GE of the thin film transistors TFT1 and TFT2 is a top gate type arranged at the top of the active layer ACT will be described. However, the present invention is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFT) such as a bottom gate type and a dual gate type may be employed as the thin film transistors TFT1 and TFT2. At least one of the source electrode SE and the drain electrode DE may be omitted.

활성층(ACT)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며 활성층(ACT)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(ACT)은 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The active layer (ACT) may comprise a semiconductor material, such as amorphous silicon or poly crystalline silicon. However, the present invention is not limited thereto, and the active layer (ACT) may contain various materials. As an alternative embodiment, the active layer (ACT) may contain an organic semiconductor material or an oxide semiconductor material or the like.

제1 절연층(113)은 활성층(ACT) 상에 형성된다. 제1 절연층(113)은 활성층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키는 역할을 한다. 제1 절연층(113)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. The first insulating layer 113 is formed on the active layer ACT. The first insulating layer 113 serves to insulate the active layer ACT from the gate electrode GE. The first insulating layer 113 may be a single layer or a multilayer film made of an inorganic material such as silicon oxide and / or silicon nitride.

게이트 전극(GE)은 제1 절연층(113) 상에 형성된다. 게이트 전극(GE)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 온/오프 신호를 인가하는 스캔선(미도시)과 연결될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다층막일 수 있다.The gate electrode GE is formed on the first insulating layer 113. The gate electrode GE may be connected to a scan line (not shown) for applying on / off signals to the thin film transistors TFT1 and TFT2. The gate electrode GE may be made of a low resistance metal material and may be formed of a metal such as Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, , At least one of neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W) Or may be a single-layer or multi-layered film.

게이트 전극(GE) 상에는 제2 절연층(115)이 형성된다. 제2 절연층(115)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 게이트 전극(GE)을 절연시키며, 무기 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 예컨대 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 및 아연산화물(ZrO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.A second insulating layer 115 is formed on the gate electrode GE. The second insulating layer 115 isolates the source electrode SE and the drain electrode DE from the gate electrode GE and may be a single film or a multilayer film made of an inorganic material. For example, the inorganic material may be selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) Hafnium oxide (HfO 2 ), and zinc oxide (ZrO 2 ).

제2 절연층(115) 상에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치되며, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 활성층(ACT)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.A source electrode SE and a drain electrode DE are disposed on the second insulating layer 115. The source electrode SE and the drain electrode DE are formed of a metal such as aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd) The metal layer may be formed of at least one selected from the group consisting of Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Layer film composed of at least one of titanium (Ti), tungsten (W), and copper (Cu). The source electrode SE and the drain electrode DE may be electrically connected to the source region and the drain region of the active layer ACT, respectively.

제3 절연층(117)은 제2 절연층(115) 상에 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)를 덮도록 배치되며, 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)와 같이 구동 회로부에 포함된 소자들에 의해 단차를 해소하여 상면을 평탄하게 하는 기능을 수행한다.The third insulating layer 117 is disposed on the second insulating layer 115 so as to cover the first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2 and the first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2, And functions to flatten the top surface by eliminating the step difference by the elements included in the driving circuit portion like the TFT2.

제3 절연층(117) 상에는 제1 격벽(121), 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)을 포함하는 격벽부(120)가 배치되며, 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)의 사이 및 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)의 사이에는 복수의 발광 다이오드(LED)가 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 격벽(121), 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)은 기판(110)의 전면 상에서 서로 분리되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 격벽(121), 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)은 일 방향(D1)을 따라 서로 평행하게 배치될 수 있다.A partition wall 120 including a first partition 121, a second partition 122 and a third partition 123 is disposed on the third insulation layer 117. The first partition 121, A plurality of light emitting diodes (LEDs) may be disposed between the first barrier ribs 122 and the second barrier ribs 122 and the third barrier ribs 123. The first barrier rib 121, the second barrier rib 122 and the third barrier rib 123 may be disposed on the front surface of the substrate 110 so as to be separated from each other. That is, the first barrier rib 121, the second barrier rib 122, and the third barrier rib 123 may be arranged parallel to each other along one direction D1.

일 실시예에서, 격벽부(120)는 무기 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 다른 실시예에서, 격벽부(120)는 유기 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 격벽부(120)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료를 포함할 수 있다. 상기 격벽부(120)에 포함된 물질은 상기의 물질에 한정되지 않으며, 격벽부(120)는 발광 다이오드(LED)의 구조, 발광 다이오드(LED)와 전극들의 연결 등에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. In one embodiment, the partition part 120 may be a single film or a multilayer film made of an inorganic material. In another embodiment, the partition part 120 may be a single film or a multilayer film made of an organic material. In another embodiment, the barrier portion 120 may comprise an opaque material such as a black matrix material. The material of the barrier ribs 120 is not limited to the above materials and the barrier ribs 120 may be formed of various materials depending on the structure of the LEDs and the connection between the LEDs and the electrodes. have.

상기 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122) 사이에는 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)가 배치되며, 제3 절연층(117)과 제1 발광 다이오드(LED1)의 사이에는 제1 발광 다이오드(LED1)와 전기적으로 연결되며 서로 이격되어 있는 제1 화소 전극(131) 및 공통 전극(140)의 제1 영역(140a)이 배치될 수 있다.A first light emitting diode (LED1) and a second light emitting diode (LED2) are disposed between the first bank 121 and the second bank 122. A third insulating layer 117 and a first light emitting diode (LED1) A first region 140a of the first pixel electrode 131 and the common electrode 140 which are electrically connected to the first light emitting diode LED1 and are spaced apart from each other may be disposed between the first light emitting diode LED1 and the first light emitting diode LED1.

마찬가지로, 제3 절연층(117)과 제2 발광 다이오드(LED2)의 사이에는 제2 발광 다이오드(LED2)와 전기적으로 연결되며 서로 이격되어 있는 제2 화소 전극(132) 및 공통 전극(140)의 제2 영역(140b)이 배치될 수 있다.Similarly, the second pixel electrode 132 and the common electrode 140, which are electrically connected to the second light emitting diode LED2 and are spaced apart from each other, are formed between the third insulating layer 117 and the second light emitting diode LED2. The second region 140b may be disposed.

즉, 상기 화소 전극(130)은 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)와 각각 전기적으로 연결되며 서로 전기적으로 분리되어 있는 제1 화소 전극(131) 및 제2 화소 전극(132)을 포함할 수 있다. 상기 제1 화소 전극(131) 및 제2 화소 전극(132)은 다른 도전층과 연결되지 않도록 아일랜드 형태(island shape)로 형성될 수 있다.That is, the pixel electrode 130 includes a first pixel electrode 131 and a second pixel electrode 132 electrically connected to the first light emitting diode LED1 and the second light emitting diode LED2, ). The first pixel electrode 131 and the second pixel electrode 132 may be formed in an island shape so as not to be connected to another conductive layer.

상기 제1 화소 전극(131) 및 제2 화소 전극(132)은 각각 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)와 제3 절연층(117)에 형성된 콘택홀(CH1, CH2)을 통해 연결될 수 있다. The first pixel electrode 131 and the second pixel electrode 132 are formed in the first and second thin film transistors TFT1 and TFT2 and the contact holes CH1 and CH2 formed in the third insulating layer 117, Lt; / RTI >

일 실시예에 따르면, 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122) 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED) 각각과 전기적으로 연결된 화소 전극(130)은 오직 하나의 발광 다이오드(LED)와 전기적으로 연결되며 다른 발광 다이오드(LED)와는 전기적으로 분리되도록 배치될 수 있다.The pixel electrode 130 electrically connected to each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed between the first and second barrier ribs 121 and 122 includes only one light emitting diode And may be arranged to be electrically connected and electrically separated from other light emitting diodes (LEDs).

반면, 공통 전극(140)은 제1 발광 다이오드(LED1)와 도전성 접착층(150)을 통해 연결된 제1 영역(140a) 및 제2 발광 다이오드(LED2)와 도전성 접착층(150)을 통해 연결된 제2 영역(140b)을 포함하며, 제1 영역(140a)과 제2 영역(140b)은 서로 연결될 수 있다. 즉, 공통 전극(140)은 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)에 모두 공통되는 전압을 인가하는 전극일 수 있다. 상기 공통 전극(140)은 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122) 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED) 전체와 전기적으로 연결될 수 있으며, 일 실시예에 따르면, 상기 공통 전극(140)은 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123) 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)와도 전기적으로 연결될 수 있다.The common electrode 140 includes a first region 140a connected to the first light emitting diode LED1 through the conductive adhesive layer 150 and a second region 140b connected to the second light emitting diode LED2 through the conductive adhesive layer 150. [ And the first region 140a and the second region 140b may be connected to each other. That is, the common electrode 140 may be an electrode that applies a common voltage to both the first light emitting diode (LED1) and the second light emitting diode (LED2). The common electrode 140 may be electrically connected to a plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed between the first barrier ribs 121 and the second barrier ribs 122. According to an exemplary embodiment, May also be electrically connected to a plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed between the second bank 122 and the third bank 123.

도 3b에서는, 공통 전극(140)이 제1 발광 다이오드(LED1)의 하부로부터 상기 제2 발광 다이오드(LED)의 하부까지 일 방향(D1)을 따라 연장된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 상기 공통 전극(140)은 서로 분리되어 형성된 후 연결 전극 등에 의해 연결될 수도 있다.3B, the common electrode 140 extends from a lower portion of the first light emitting diode LED1 to a lower portion of the second light emitting diode LED along one direction D1. However, And the common electrode 140 may be separately formed and then connected by a connection electrode or the like.

일 실시예에 따르면, 상기 화소 전극(130) 및 공통 전극(140)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Cu, Zn, Si 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 화소 전극(130)과 공통 전극(140)은 동일한 도전 물질로 형성될 수도 있고 상이한 도전 물질로 형성될 수도 있다.The pixel electrode 130 and the common electrode 140 may be formed of at least one of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Cu, And the pixel electrode 130 and the common electrode 140 may be formed of the same conductive material or different conductive materials.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 화소 전극(131)의 일부 및 제2 화소 전극(132)의 일부는 각각 제1 격벽(121)에 의해 덮여있으며, 공통 전극(140)의 일부는 제2 격벽(122)에 의해 덮여있을 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 화소 전극(130) 및 공통 전극(140) 중 하나만 제1 격벽(121) 또는 제2 격벽(122)에 의해 덮여있을 수도 있고, 화소 전극(130) 및 공통 전극(140) 모두 제1 격벽(121) 또는 제2 격벽(122)에 의해 덮여있지 않을 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(130) 및 공통 전극(140)은 제1 격벽(121) 및 제2 격벽(122)에 의해 전부 노출될 수 있다.A part of the first pixel electrode 131 and a part of the second pixel electrode 132 are covered by the first barrier rib 121 and a part of the common electrode 140 is covered with the second barrier rib 121. [ (Not shown). However, the present invention is not limited to this, and only one of the pixel electrode 130 and the common electrode 140 may be covered by the first barrier rib 121 or the second barrier rib 122, The second barrier ribs 140 may not be covered by the first barrier ribs 121 or the second barrier ribs 122. In this case, the pixel electrode 130 and the common electrode 140 may be entirely exposed by the first barrier rib 121 and the second barrier rib 122.

상기 제3 절연층(117)과 복수의 발광 다이오드(LED) 사이에는 복수의 화소 전극(130) 및 공통 전극(140)을 덮도록 배치된 도전성 접착층(150)이 배치될 수 있다. 상기 도전성 접착층(150)은 도전볼(151) 및 도전볼(151)이 분산되어 있는 수지(152)를 포함할 수 있으며, 상기 도전볼(151)은 Cu, Ni, Zn 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수지(152)는 열경화 수지 또는 자외광 등에 의해 경화되는 광경화 수지일 수 있다.A conductive adhesive layer 150 disposed to cover the plurality of pixel electrodes 130 and the common electrode 140 may be disposed between the third insulating layer 117 and the plurality of light emitting diodes (LEDs). The conductive adhesive layer 150 may include a conductive ball 151 and a resin 152 in which the conductive ball 151 is dispersed. The conductive ball 151 may include at least one of Cu, Ni, Zn, and Si. . The resin 152 may be a thermosetting resin or a photocurable resin which is cured by ultraviolet light or the like.

상기 도전성 접착층(150)은 격벽부(120)에 포함된 서로 분리되어 있는 격벽들 사이의 공간에 배치되며, 상기 격벽부(120)는 도전성 접착층(150)을 한정된 공간에 가두는 역할을 수행할 수 있다. 발광 다이오드(LED)는 도전성 접착층(150) 상에 배치될 수 있으며, 발광 다이오드(LED)가 도전성 접착층(150)과 접하는 부분에서 도전성 접착층(150)이 발광 다이오드(LED)에 의해 눌리면서 도전성 접착층(150)에 포함된 도전볼(151)에 의해 발광 다이오드(LED)와 화소 전극(130) 및 공통 전극(140)이 전기적으로 연결될 수 있다.The conductive adhesive layer 150 is disposed in a space between the partition walls separated from each other included in the partition wall portion 120 and the partition wall portion 120 functions to confine the conductive adhesive layer 150 in a limited space . The light emitting diode (LED) can be disposed on the conductive adhesive layer 150 and the conductive adhesive layer 150 is pressed by the light emitting diode (LED) in a portion where the LED is in contact with the conductive adhesive layer 150, The light emitting diode (LED), the pixel electrode 130, and the common electrode 140 may be electrically connected by the conductive ball 151 included in the conductive layer 150.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 발광 다이오드(LED1)는 제1 화소 전극(131)과 전기적으로 연결된 제1 콘택전극(161), 공통 전극(140)과 전기적으로 연결된 제2 콘택전극(162) 및 제1 콘택전극(161)과 제2 콘택전극(162) 사이 배치되며 제1 반도체층(171), 제2 반도체층(172) 및 중간층(173)을 포함하는 pn 다이오드(170)를 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체층(171)은 예를 들어 p형 반도체층일 수 있으며, p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택된 물질을 포함하며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.3A and 3B, the first light emitting diode LED1 includes a first contact electrode 161 electrically connected to the first pixel electrode 131, a second contact electrode electrically connected to the common electrode 140, And a pn diode 170 disposed between the first contact electrode 161 and the second contact electrode 162 and including the first semiconductor layer 171, the second semiconductor layer 172, and the intermediate layer 173, . The first semiconductor layer 171 may be, for example, a p-type semiconductor layer, and the p-type semiconductor layer may be In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, a material selected from a semiconductor material having a composition formula of x + y = 1, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, Can be doped.

상기 제2 반도체층(172)은 예를 들어 n형 반도체층일 수 있으며, n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택된 물질을 포함하며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 반도체층(171)이 n형 반도체층이고, 제2 반도체층(172)이 p형 반도체층일 수도 있다.The second semiconductor layer 172 may be, for example, an n-type semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer may be an In x Al y Ga 1-xy N (0 = x = 1, a material selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge or Sn. However, the present invention is not limited to this, and the first semiconductor layer 171 may be an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 172 may be a p-type semiconductor layer.

상기 중간층(173)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 중간층(173)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot) 구조를 포함할 수도 있다. The intermediate layer 173 is a region where electrons and holes are recombined. As the electrons and the holes recombine, the intermediate layer 173 transitions to a low energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto. The intermediate layer 173 includes a semiconductor material having a composition formula of, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1) , A single quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. It may also include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

상기 제1 콘택전극(161) 및 제2 콘택전극(162)은 제1 발광 다이오드(LED1)의 동일한 방향의 면 상에 배치될 수 있다. 이를 위해, 제1 반도체층(171)과 중간층(173)의 일부가 제거되어 제2 반도체층(172)의 일부가 노출되며, 제2 콘택전극(162)은 노출된 제2 반도체층(172) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제2 반도체층(172)의 면적은 제1 반도체층(171) 및 중간층(173)의 면적보다 크고, 제2 콘택전극(162)은 제1 반도체층(171)과 중간층(173)의 외부로 돌출된 제2 반도체층(172) 상에 배치될 수 있다. 도시하진 않았지만, 상기 제2 반도체층(172) 상에는 베이스 기판이 더 배치될 수 있으며, 상기 베이스 기판은 사파이어 기판일 수 있다.The first contact electrode 161 and the second contact electrode 162 may be disposed on the same surface of the first light emitting diode LED1. The first semiconductor layer 171 and the intermediate layer 173 are partially removed to expose a portion of the second semiconductor layer 172 and the second contact electrode 162 is exposed to the exposed second semiconductor layer 172, Lt; / RTI > That is, the area of the second semiconductor layer 172 is larger than the area of the first semiconductor layer 171 and the intermediate layer 173, and the second contact electrode 162 is larger than the area of the first semiconductor layer 171 and the intermediate layer 173 And may be disposed on the second semiconductor layer 172 protruding outward. Although not shown, a base substrate may be further disposed on the second semiconductor layer 172, and the base substrate may be a sapphire substrate.

상기 제1 발광 다이오드(LED1)는 크기가 매우 작은 마이크로 발광 다이오드일 수 있으며, 일 실시예에 따르면 상기 제1 발광 다이오드(LED1)의 크기는 약 1 μm 내지 약 100 μm일 수 있다. 제1 발광 다이오드(LED1)의 크기가 매우 작기 때문에 제1 발광 다이오드(LED1)의 동일한 방향에 배치된 제1 콘택전극(161) 및 제2 콘택전극(162) 사이의 거리는 매우 짧을 수 있다.The first light emitting diode LED1 may be a micro light emitting diode having a very small size. According to an embodiment, the size of the first light emitting diode LED1 may be about 1 μm to about 100 μm. The distance between the first contact electrode 161 and the second contact electrode 162 disposed in the same direction of the first light emitting diode LED1 may be very short because the size of the first light emitting diode LED1 is very small.

즉, 제1 콘택전극(161) 및 제2 콘택전극(162)과 각각 전기적으로 연결된 제1 화소 전극(131) 및 공통 전극(140)의 거리 또한 매우 짧을 수 있으며, 도전성 접착층(150)에 포함된 도전볼(151)이 제1 화소 전극(131)과 공통 전극(140) 사이에서 뭉쳐있는 경우 제1 화소 전극(131)과 공통 전극(140)이 쇼트(short)되는 문제가 발생할 수 있다.That is, the distance between the first pixel electrode 131 and the common electrode 140 electrically connected to the first contact electrode 161 and the second contact electrode 162 may be very short and may be included in the conductive adhesive layer 150 A problem may occur that the first pixel electrode 131 and the common electrode 140 are shorted when the conductive balls 151 are gathered between the first pixel electrode 131 and the common electrode 140. [

상기 문제는, 경화 전 유동성을 갖는 도전성 접착층(150)이 움직일 수 있는 공간이 좁은 경우에 용이하게 발생할 수 있다. 상기 도전성 접착층(150)이 움직일 수 있는 공간은 격벽부(120)의 형태에 의해 결정될 수 있다.This problem can easily occur when the space in which the conductive adhesive layer 150 having fluidity before curing can move is narrow. The space through which the conductive adhesive layer 150 can move may be determined by the shape of the partition 120.

상기 격벽부(120)가 각각의 픽셀(P)에 대응되는 복수의 발광 다이오드(LED) 각각을 완전히 둘러싸도록 배치된 경우, 도전성 접착층(150)이 움직일 수 있는 공간은 매우 좁아질 수 있으며, 이 경우 화소 전극(130)과 공통 전극(140)은 도전성 접착층(150)에 포함된 도전볼(151)의 뭉침에 의해 쇼트(short)될 수 있다.When the partition 120 is disposed so as to completely surround each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) corresponding to the respective pixels P, the space in which the conductive adhesive layer 150 can move can be very narrow, The pixel electrode 130 and the common electrode 140 can be shortened by the bunching of the conductive balls 151 included in the conductive adhesive layer 150.

그러나, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에 포함된 격벽부(120)는 서로 이격되어 있는 제1 격벽(121), 제2 격벽(122) 및 제3 격벽(123)을 포함하며, 제1 격벽(121)과 제2 격벽(122)의 사이 및 제2 격벽(122)과 제3 격벽(123)의 사이에는 복수의 발광 다이오드(LED)가 배치될 수 있다. 즉, 제1 격벽(121)과 제2 격벽(122)의 사이의 공간 및 제2 격벽(122)과 제3 격벽(123) 사이의 공간은 각각 복수의 픽셀(P)들에 대응될 수 있으며, 도전성 접착층(150)은 상기 공간 내에서 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 상기 도전성 접착층(150)은 일 방향(D1)을 따라 격벽부(120)에 의해 분리되지 않으며, 제1 격벽(121)과 제2 격벽(122)의 사이 및 상기 제2 격벽(122)과 제3 격벽(123)의 사이에 연속되도록 배치될 수 있다. 상기 도전성 접착층(150)은 복수의 발광 다이오드(LED)가 실장된 후 열을 가하거나 자외광 등을 조사함으로써 경화될 수 있다.However, the barrier ribs 120 included in the display device 100 according to one embodiment include the first barrier ribs 121, the second barrier ribs 122, and the third barrier ribs 123, A plurality of light emitting diodes (LEDs) may be disposed between the first barrier ribs 121 and the second ribbons 122 and between the second ribbons 122 and the third ribbons 123. That is, the space between the first bank 121 and the second bank 122 and the space between the second bank 122 and the third bank 123 may correspond to a plurality of pixels P, respectively , The conductive adhesive layer 150 can freely move within the space. That is, the conductive adhesive layer 150 is not separated by the barrier ribs 120 along the first direction D1 and between the first barrier ribs 121 and the second barrier ribs 122 and between the second barrier ribs 122, And the third barrier rib 123. The first and second barrier ribs 123, The conductive adhesive layer 150 may be cured by applying heat or irradiating ultraviolet light after a plurality of light emitting diodes (LEDs) are mounted.

상기 구성에 의해, 도전성 접착층(150)에 포함된 도전볼(151)이 특정 영역에서 뭉치는 현상을 방지할 수 있으며, 결과적으로 화소 전극(130)과 공통 전극(140)이 쇼트(short)되는 문제를 방지할 수 있다.The conductive balls 151 included in the conductive adhesive layer 150 can be prevented from accumulating in a specific region and consequently the pixel electrode 130 and the common electrode 140 are short- The problem can be prevented.

도 4는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 취한 단면도이다.FIG. 4 is a plan view schematically showing a display device according to another embodiment, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V in FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 기판(210) 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향(D1)을 따라 연장된 제1 격벽(221) 및 제2 격벽(222), 상기 제1 격벽(221) 및 제2 격벽(222)의 사이에 배치되며 일 방향(D1)을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3), 기판(210)과 복수의 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3) 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 복수의 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3) 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극(230) 및 공통 전극(240), 및 기판(210)과 복수의 발광 다이오드(LED1, LED2, LED3) 사이에 복수의 화소 전극(230) 및 공통 전극(240)을 덮도록 배치된 도전성 접착층(250)을 포함한다. 이하에서는, 도 3a 등에 도시된 표시 장치(100)와의 차이점을 중심으로 일 실시예에 따른 표시 장치(200)에 관하여 설명한다. 4 and 5, a display device 200 according to an exemplary embodiment includes a substrate 210, a first barrier rib (not shown) disposed on the substrate 210, A plurality of light emitting diodes LED1, LED2, and LED3 disposed between the first barrier ribs 221 and the second barrier ribs 222 and disposed along one direction D1, A plurality of pixel electrodes 230 and a common electrode 230 electrically connected to the plurality of light emitting diodes LED1, LED2, and LED3 are provided between the substrate 210 and the plurality of light emitting diodes LED1, LED2, And a conductive adhesive layer 250 disposed between the substrate 210 and the plurality of light emitting diodes LED1, LED2 and LED3 so as to cover the plurality of pixel electrodes 230 and the common electrode 240. Hereinafter, the display device 200 according to one embodiment will be described with a focus on differences from the display device 100 shown in FIG. 3A and the like.

상기 기판(210) 상에는 버퍼층(211)이 배치되며, 버퍼층(211) 상에는 제2 방향(D2)을 따라 연장된 복수의 제1 배선(LN1)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 배선(LN1)은 스캔선일 수 있으나 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 다른 실시예에서, 상기 제1 배선(LN1)은 데이터선일 수도 있다.A buffer layer 211 is disposed on the substrate 210 and a plurality of first wirings LN1 extending along the second direction D2 may be disposed on the buffer layer 211. [ In one embodiment, the first wiring LN1 may be a scan line, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the first wiring LN1 may be a data line.

상기 제1 배선(LN1) 상에는 절연층(213)이 배치될 수 있으며, 절연층(213) 상에는 상기 제2 방향(D2)을 가로지르는 제1 방향(D1)을 따라 연장된 복수의 제2 배선(LN2)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 배선(LN2)은 데이터선일 수 있으나 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 다른 실시예에서, 상기 제2 배선(LN2)은 스캔선일 수도 있다.An insulating layer 213 may be disposed on the first wiring line LN1 and a plurality of second wiring lines 212 extending in a first direction D1 across the second direction D2 may be formed on the insulating layer 213. [ (LN2) may be disposed. In one embodiment, the second wiring LN2 may be a data line, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the second wiring LN2 may be a scan line.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 배선(LN1)과 제2 배선(LN2)이 교차하는 부분은 하나의 픽셀(P)에 대응될 수 있으며, 복수의 픽셀(P)들 각각에는 발광 다이오드가 배치될 수 있다. A portion where the first wiring line LN1 intersects with the second wiring line LN2 may correspond to one pixel P and a light emitting diode may be disposed in each of the plurality of pixels P .

일 실시예에 따른 표시 장치(200)는 상기 제1 배선(LN1)과 제2 배선(LN2)을 통해 픽셀(P)들에 선택적으로 스캔 신호 및 데이터 신호를 인가함으로써 화상을 구현하는 수동형(passive type) 표시 장치일 수 있다. 이러한 형태는 도 3a 등과 같이 복수의 픽셀(P)들 각각을 구동하기 위하여, 픽셀(P)들 각각이 박막 트랜지스터 등을 포함하는 구동 회로부를 포함하는 능동형(active type) 표시 장치와 구동 방식에 있어서 차이가 존재한다.The display device 200 according to an exemplary embodiment of the present invention is a passive device that implements an image by selectively applying a scan signal and a data signal to the pixels P through the first wiring LN1 and the second wiring LN2. type display device. 3A and 3B, in order to drive each of the plurality of pixels P, an active type display device and a driving method in which each of the pixels P includes a driving circuit portion including a thin film transistor or the like There is a difference.

상기 절연층(213) 상에는 격벽부(220)가 배치될 수 있다. 상기 격벽부(220)은 서로 이격되도록 배치되며 제1 방향(D1)을 따라 연장된 제1 격벽(221), 제2 격벽(222), 제3 격벽(223) 및 제4 격벽(224)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 격벽(224)은 서로 분리되어 있으며, 실질적으로 평행할 수 있다.The barrier ribs 220 may be disposed on the insulating layer 213. The barrier ribs 220 are spaced apart from each other and have a first barrier rib 221, a second barrier rib 222, a third barrier rib 223 and a fourth barrier rib 224 extending along the first direction D1. . The first to fourth barrier ribs 224 are separated from each other and may be substantially parallel.

상기 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이, 제2 격벽(222)과 제3 격벽(223)의 사이, 및 제3 격벽(223)과 제4 격벽(224)의 사이에는 제1 방향(D1)을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드가 배치될 수 있다.The third barrier rib 223 is disposed between the first barrier rib 221 and the second barrier rib 222 and between the second barrier rib 222 and the third barrier rib 223 and between the third barrier rib 223 and the fourth barrier rib 224 A plurality of light emitting diodes arranged along the first direction D1 may be disposed.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 격벽(221, 222, 223, 224) 제2 배선(LN2)이 연장된 방향인 제1 방향(D1)을 따라 연장된 경우를 예시하고 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 상기 제1 내지 제4 격벽(221, 222, 223, 224)은 제1 배선(LN1)이 연장된 방향인 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수도 있다.Although the first through fourth barrier ribs 221, 222, 223 and 224 extend along the first direction D1 in which the second wiring lines LN2 extend, The invention is not limited thereto and the first to fourth barrier ribs 221, 222, 223 and 224 may extend along a second direction D2 in which the first wiring LN1 extends.

이하에서는, 제1 격벽(221), 제2 격벽(222) 및 이들 사이에 배치된 제1 발광 다이오드(LED1), 제2 발광 다이오드(LED2) 및 제3 발광 다이오드(LED3)를 중심으로 설명한다. 이하의 설명은 표시 장치(200)의 다른 영역에도 동일하게 적용될 수 있다.Hereinafter, the first barrier rib 221, the second barrier rib 222, and the first light emitting diode LED1, the second light emitting diode LED2, and the third light emitting diode LED3 disposed between the first and second barrier ribs 221 and 222 will be described . The following description is equally applicable to other areas of the display device 200. [

상기 절연층(213) 상의 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이에는 화소 전극(230)과 공통 전극(240)이 배치될 수 있으며, 일 실시예에 따르면 제2 배선(LN2)이 공통 전극(240)으로 기능할 수 있다.The pixel electrode 230 and the common electrode 240 may be disposed between the first barrier rib 221 and the second barrier rib 222 on the insulating layer 213. According to an exemplary embodiment of the present invention, Can serve as the common electrode 240. [

상기 화소 전극(230)은 제1 발광 다이오드(LED1)와 전기적으로 연결된 제1 화소 전극(231) 및 제2 발광 다이오드(LED2)와 전기적으로 연결된 제2 화소 전극(232)을 포함할 수 있으며, 제1 화소 전극(231) 및 제2 화소 전극(232)은 서로 분리되어 있는 2개의 제1 배선(LN1) 각각과 절연층(213)에 포함된 콘택홀을 통해 연결될 수 있다. 즉, 제1 화소 전극(231)과 제2 화소 전극(232)은 전기적으로 분리될 수 있다.The pixel electrode 230 may include a first pixel electrode 231 electrically connected to the first light emitting diode LED1 and a second pixel electrode 232 electrically connected to the second light emitting diode LED2. The first pixel electrode 231 and the second pixel electrode 232 may be connected to each of the two first wirings LN1 separated from each other through a contact hole included in the insulating layer 213. [ That is, the first pixel electrode 231 and the second pixel electrode 232 may be electrically separated from each other.

일 실시예에 따르면, 상기 화소 전극(230)과 공통 전극(240)은 모두 격벽부(220)에 의해 완전히 노출될 수 있다. 즉, 화소 전극(230)과 공통 전극(240)은 격벽부(220)에 의해 덮여있지 않을 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 화소 전극(230) 및 공통 전극(240) 중 적어도 하나의 일부는 격벽부(220)에 의해 덮여있을 수 있다.According to one embodiment, the pixel electrode 230 and the common electrode 240 may be completely exposed by the barrier rib 220. That is, the pixel electrode 230 and the common electrode 240 may not be covered by the barrier ribs 220. However, the present invention is not limited thereto, and at least a part of the pixel electrode 230 and the common electrode 240 may be covered by the barrier rib 220.

상기 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이의 공간에는 도전성 접착층(250)이 배치되며, 도전성 접착층(250) 상에는 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)가 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 발광 다이오드(LED1) 및 제2 발광 다이오드(LED2)는 서로 다른 색상의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)는 서로 동일한 색상의 광을 방출할 수도 있다.A conductive adhesive layer 250 is disposed in a space between the first barrier rib 221 and the second barrier rib 222. A first light emitting diode LED1 and a second light emitting diode LED2 are disposed on the conductive adhesive layer 250 . According to an embodiment, the first light emitting diode (LED1) and the second light emitting diode (LED2) may emit light of different colors. However, the present invention is not limited to this, and the first and second light emitting diodes LED1 and LED2 may emit light of the same color to each other.

상기 도전성 접착층(250)은 도전볼(251) 및 도전볼(251)이 분산되어 있는 수지(252)를 포함할 수 있으며, 상기 도전볼(251)은 Cu, Ni, Zn 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수지(252)는 열경화 수지 또는 자외광 등에 의해 경화되는 광경화 수지일 수 있다.The conductive adhesive layer 250 may include a conductive ball 251 and a resin 252 in which the conductive ball 251 is dispersed. The conductive ball 251 may include at least one of Cu, Ni, Zn, and Si. . The resin 252 may be a thermosetting resin or a photocurable resin which is cured by ultraviolet light or the like.

상기 도전성 접착층(250)은 격벽부(220)에 포함된 서로 분리되어 있는 격벽들 사이의 공간에 배치되며, 상기 격벽부(220)는 도전성 접착층(250)을 한정된 공간에 가두는 역할을 수행할 수 있다. 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)는 도전성 접착층(250) 상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)가 도전성 접착층(250)과 접하는 부분에서 도전성 접착층(250)이 발광 다이오드(LED1, LED2)에 의해 눌리면서 도전성 접착층(250)에 포함된 도전볼(251)에 의해 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)는 각각 화소 전극(230) 및 공통 전극(240)이 전기적으로 연결될 수 있다.The conductive adhesive layer 250 is disposed in a space between the partition walls separated from each other included in the partition wall 220 and the partition wall 220 functions to confine the conductive adhesive layer 250 in a limited space . The first and second light emitting diodes LED1 and LED2 may be disposed on the conductive adhesive layer 250 and the conductive adhesive layer 250 may be formed on the portion where the first and second light emitting diodes LED1 and LED2 are in contact with the conductive adhesive layer 250. [ 250 are pressed by the light emitting diodes LED1 and LED2 and the first and second light emitting diodes LED1 and LED2 are electrically connected to the pixel electrode 230 and the common electrode 251 by the conductive ball 251 included in the conductive adhesive layer 250, (240) may be electrically connected.

상기 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)는 화소 전극(230)과 전기적으로 연결된 제1 콘택전극(261), 공통 전극(240)과 전기적으로 연결된 제2 콘택전극(262) 및 제1 콘택전극(261)과 제2 콘택전극(262) 사이에 배치되며 제1 반도체층(271), 제2 반도체층(272) 및 중간층(273)을 포함하는 pn 다이오드(170)을 포함할 수 있다.The first and second light emitting diodes LED1 and LED2 may include a first contact electrode 261 electrically connected to the pixel electrode 230, a second contact electrode 262 electrically connected to the common electrode 240, And a pn diode 170 disposed between the contact electrode 261 and the second contact electrode 262 and including a first semiconductor layer 271, a second semiconductor layer 272 and an intermediate layer 273 .

상기 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)는 크기가 매우 작은 마이크로 발광 다이오드일 수 있으며, 일 실시예에 따르면 상기 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)의 크기는 약 1 μm 내지 약 100 μm일 수 있다. 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)의 크기가 매우 작기 때문에 제1 및 제2 발광 다이오드(LED1, LED2)의 동일한 방향에 배치된 제1 콘택전극(261) 및 제2 콘택전극(262) 사이의 거리는 매우 짧을 수 있다.The first and second light emitting diodes LED1 and LED2 may be micro light emitting diodes having a very small size. Can be about 100 [mu] m. The first contact electrode 261 and the second contact electrode 262 arranged in the same direction of the first and second light emitting diodes LED1 and LED2 are formed in the first and second light emitting diodes LED1 and LED2, May be very short.

즉, 제1 콘택전극(261) 및 제2 콘택전극(262)과 각각 전기적으로 연결된 화소 전극(230) 및 공통 전극(240)의 거리 또한 매우 짧을 수 있으며, 도전성 접착층(250)에 포함된 도전볼(251)이 화소 전극(230)과 공통 전극(240) 사이에서 뭉쳐있는 경우 화소 전극(230)과 공통 전극(240)이 쇼트(short)되는 문제가 발생할 수 있다.That is, the distance between the pixel electrode 230 and the common electrode 240 electrically connected to the first contact electrode 261 and the second contact electrode 262 may be very short, A problem may occur that the pixel electrode 230 and the common electrode 240 are short-circuited when the ball 251 is assembled between the pixel electrode 230 and the common electrode 240.

상기 문제는, 경화 전 유동성을 갖는 도전성 접착층(250)이 움직일 수 있는 공간이 좁은 경우에 용이하게 발생할 수 있다. 상기 도전성 접착층(250)이 움직일 수 있는 공간은 격벽부(220)의 형태에 의해 결정될 수 있다.The above problem can easily occur when the space in which the conductive adhesive layer 250 having fluidity before curing can move is narrow. The space through which the conductive adhesive layer 250 can move may be determined by the shape of the barrier ribs 220.

상기 격벽부(220)가 각각의 픽셀(P, 도 1)에 대응되는 복수의 발광 다이오드(LED) 각각을 완전히 둘러싸도록 배치된 경우, 도전성 접착층(250)이 움직일 수 있는 공간은 매우 좁아질 수 있으며, 이 경우 화소 전극(230)과 공통 전극(240)은 도전성 접착층(250)에 포함된 도전볼(251)의 뭉침에 의해 쇼트(short)될 수 있다.When the partition 220 is disposed so as to completely surround each of the plurality of light emitting diodes (LEDs) corresponding to each pixel P (FIG. 1), the space in which the conductive adhesive layer 250 can move can be made very narrow In this case, the pixel electrode 230 and the common electrode 240 can be shortened by the bunching of the conductive balls 251 included in the conductive adhesive layer 250.

그러나, 일 실시예에 따른 표시 장치(200)에 포함된 격벽부(220)는 서로 이격되어 있는 제1 격벽(221) 및 제2 격벽(222)을 포함하며, 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이에는 복수의 발광 다이오드가 배치될 수 있다. 즉, 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이의 공간은 각각 복수의 픽셀(P)들에 대응될 수 있으며, 도전성 접착층(250)은 상기 공간 내에서 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 상기 도전성 접착층(250)은 일 방향(D1)을 따라 격벽부(220)에 의해 분리되지 않으며, 제1 격벽(221)과 제2 격벽(222)의 사이에 연속되도록 배치될 수 있다. 상기 도전성 접착층(250)은 복수의 발광 다이오드가 실장된 후 열을 가하거나 자외광 등을 조사함으로써 경화될 수 있다.However, the barrier ribs 220 included in the display device 200 according to one embodiment include the first barrier ribs 221 and the second barrier ribs 222 spaced from each other, A plurality of light emitting diodes may be disposed between the two barrier ribs 222. That is, the spaces between the first bank 221 and the second bank 222 may correspond to a plurality of pixels P, respectively, and the conductive adhesive layer 250 may move freely in the space. That is, the conductive adhesive layer 250 may not be separated by the barrier ribs 220 along the first direction D1, but may be disposed between the first barrier ribs 221 and the second barrier ribs 222 continuously. The conductive adhesive layer 250 may be cured by applying heat or irradiating ultraviolet light after a plurality of light emitting diodes are mounted.

상기 구성에 의해, 도전성 접착층(250)에 포함된 도전볼(251)이 특정 영역에서 뭉치는 현상을 방지할 수 있으며, 결과적으로 화소 전극(230)과 공통 전극(240)이 쇼트(short)되는 문제를 방지할 수 있다.The conductive ball 251 included in the conductive adhesive layer 250 can be prevented from being accumulated in a specific region and the pixel electrode 230 and the common electrode 240 are short- The problem can be prevented.

상술한 실시예들에 따른 표시 장치(100, 200)는 제1 콘택전극(161, 261)과 제2 콘택전극(162, 262)가 발광 다이오드의 같은 방향에 배치된 플립형(flip type) 발광 다이오드를 포함하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 상기 표시 장치(100, 200)는 제1 콘택전극 및 제2 콘택전극이 pn 다이오드를 사이에 두고 각각 상부 및 하부에 배치된 수직형 발광 다이오드 또는 제1 콘택전극, pn 다이오드 및 제2 콘택전극이 수평 방향을 따라 배치된 수평형 발광 다이오드일 수도 있다.The display devices 100 and 200 according to the embodiments described above may be configured such that the first contact electrodes 161 and 261 and the second contact electrodes 162 and 262 are formed in a flip type light emitting diode But the present invention is not limited thereto. The display devices 100 and 200 may include a vertical type light emitting diode or a vertical type light emitting diode having first and second contact electrodes disposed above and below the pn diode, respectively, The contact electrode, the pn diode, and the second contact electrode may be horizontal light emitting diodes arranged along the horizontal direction.

도 6 및 도 7은 각각 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.6 and 7 are plan views schematically showing a display device according to still another embodiment.

도 6 및 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(300, 400)는 기판(310, 410), 기판(310, 410) 상에 배치되며 복수의 개구(H)를 포함하는 격벽부(320, 420) 및 복수의 개구(H) 중 적어도 하나에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)를 포함한다.6 and 7, display devices 300 and 400 according to an exemplary embodiment include substrates 310 and 410, barrier ribs 310 and 410 that are disposed on substrates 310 and 410 and include a plurality of openings H, And a plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed in at least one of the plurality of openings (320, 420) and the plurality of openings (H).

상기 도 6 및 도 7의 표시 장치(300, 400)는 단면 구조는 도 3a, 도 3b 또는 도 5와 동일할 수 있다. 즉, 상기 표시 장치(300, 400)는 복수의 발광 다이오드(LED) 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극(130, 230)과 공통 전극(140, 240)을 포함할 수 있으며, 기판(310, 410)과 복수의 발광 다이오드(LED) 사이에 복수의 화소 전극(130, 230) 및 공통 전극(140, 240)을 덮도록 배치된 도전성 접착층(150, 250)을 포함할 수 있다.The sectional structures of the display devices 300 and 400 of FIGS. 6 and 7 may be the same as those of FIG. 3A, FIG. 3B, or FIG. The display devices 300 and 400 may include a plurality of pixel electrodes 130 and 230 and common electrodes 140 and 240 electrically connected to a plurality of light emitting diodes (LEDs) And conductive adhesive layers 150 and 250 disposed to cover the plurality of pixel electrodes 130 and 230 and the common electrodes 140 and 240 between the plurality of pixel electrodes 410 and the plurality of light emitting diodes (LEDs).

상기 격벽부(320, 420)는 각각 일 방향(D1)을 따라 연장된 제1 격벽(320a, 420a) 및 제2 격벽(320b, 420b)을 포함하며, 제1 격벽(320a, 420a)과 제2 격벽(320b, 420b)의 사이에는 일 방향(D1)을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)가 배치될 수 있다.The barrier ribs 320 and 420 may include first barrier ribs 320a and 420a and second barrier ribs 320b and 420b extending along one direction D1 and may include first barrier ribs 320a and 420a, A plurality of light emitting diodes (LEDs) arranged along one direction D1 may be disposed between the two barrier ribs 320b and 420b.

도 6 및 도 7은 제1 격벽(320a, 420a) 및 제2 격벽(320b, 420b)이 완전히 분리되지 않고 연결부(320c, 420c)에 의해 서로 연결된 영역을 포함하며, 상기 구성에 의해 격벽부(320, 420)는 복수의 개구(H)를 포함하는 형태가 될 수 있다.6 and 7 illustrate an example in which the first partition walls 320a and 420a and the second partition walls 320b and 420b are not completely separated but are connected to each other by the connection portions 320c and 420c, 320, 420 may be in the form of including a plurality of openings (H).

도 6의 격벽부(320)에 포함된 개구(H) 내에는 2개의 발광 다이오드(LED)가 배치되어 있고, 도 7의 격벽부(420)에 포함된 개구(H) 내에는 3개의 발광 다이오드(LED)가 배치되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 격벽부(320, 420)에 포함된 개구(H) 내에는 4개 이상의 발광 다이오드(LED)가 배치될 수 있다.Two light emitting diodes (LEDs) are disposed in the opening H included in the partition 320 of FIG. 6, and three light emitting diodes (LEDs) are disposed in the opening H included in the partition portion 420 of FIG. The present invention is not limited thereto and four or more light emitting diodes (LEDs) may be disposed in the openings H included in the barrier ribs 320 and 420.

또한, 개구(H) 내에 배치된 발광 다이오드(LED)는 스트라이프(stripe) 형태 외에 매트릭스(matrix) 형태 또는 펜타일(pnetile) 형태 등 다양한 형태로 배치될 수 있다. In addition, the light emitting diodes (LEDs) arranged in the openings H may be arranged in various forms such as a matrix form or a pnetile form in addition to a stripe form.

일 실시예에 따르면, 상기 개구(H) 내에 배치된 복수의 발광 다이오드(LED)는 각각 독립적으로 구동될 수 있으며, 서로 다른 색상의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 상기 복수의 발광 다이오드(LED)는 서로 동일한 색상의 광을 방출할 수도 있다.According to one embodiment, the plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed in the opening H may be independently driven and emit light of different colors. However, the present invention is not limited to this, and the plurality of light emitting diodes (LEDs) may emit light of the same color to each other.

도 6 및 도 7의 표시 장치(300, 400)는 격벽부(320, 420)에 포함된 개구(H) 내에 복수의 화소 전극(130, 230), 공통 전극(140, 240), 도전성 접착층(150, 250) 및 복수의 발광 다이오드(LED)가 배치되며, 경화 전 유동성을 갖는 도전성 접착층(150, 250)이 이동할 수 있는 공간의 면적을 크게 함으로써 화소 전극(130, 230)과 공통 전극(140, 240)이 도전성 접착층(150, 250)에 포함된 도전볼(151, 251)의 뭉침 등에 의해 쇼트(short)되는 문제를 방지할 수 있다.The display devices 300 and 400 of FIGS. 6 and 7 include a plurality of pixel electrodes 130 and 230, common electrodes 140 and 240, and a conductive adhesive layer (not shown) in an opening H included in the partition walls 320 and 420 The pixel electrodes 130 and 230 and the common electrode 140 and the common electrode 140 are formed by increasing the area of the space where the conductive adhesive layers 150 and 250 having fluidity before curing can move, And 240 can be prevented from being shorted due to aggregation of the conductive balls 151 and 251 included in the conductive adhesive layers 150 and 250.

상술한 실시예들에 따른 표시 장치(100, 200, 300, 400)는 화소 전극(130, 230)과 공통 전극(140, 240)의 쇼트(short)를 방지함으로써, 결과적으로 발광 다이오드(LED)에 포함된 2개의 전극의 쇼트를 방지할 수 있다.The display devices 100, 200, 300 and 400 according to the above embodiments prevent a short between the pixel electrodes 130 and 230 and the common electrodes 140 and 240 so that the light emitting diodes (LEDs) It is possible to prevent shorting of the two electrodes included in the second electrode.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the exemplary embodiments, and that various changes and modifications may be made therein without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100, 200, 300, 400: 표시 장치
110, 210, 310, 410: 기판
120, 220, 320, 420: 격벽부
121, 221, 320a, 420a: 제1 격벽
122, 222, 320b, 420b: 제2 격벽
130, 230: 화소 전극
140, 240: 공통 전극
150, 250: 도전성 접착층
151, 251: 도전볼
152, 252: 수지
161, 261: 제1 콘택전극
162, 262: 제2 콘택전극
170, 270: pn 다이오드
LED: 발광 다이오드100, 200, 300, 400: display device
110, 210, 310, 410: substrate
120, 220, 320, 420:
121, 221, 320a, 420a:
122, 222, 320b, and 420b:
130, and 230:
140, 240: common electrode
150, 250: conductive adhesive layer
151, 251:
152, 252: Resin
161, 261: first contact electrode
162, 262: second contact electrode
170, 270: pn diode
LED: Light emitting diode

Claims (20)

기판;
상기 기판 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향을 따라 연장된 제1 격벽 및 제2 격벽;
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 사이에 배치되며, 상기 일 방향을 따라 배치된 복수의 발광 다이오드;
상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극 및 공통 전극; 및
상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 상기 복수의 화소 전극 및 상기 공통 전극을 덮도록 배치된 도전성 접착층;을 포함하는, 표시 장치.Board;
A first bank and a second bank which are spaced apart from each other on the substrate and extend along one direction;
A plurality of light emitting diodes disposed between the first bank and the second bank and arranged along the first direction;
A plurality of pixel electrodes and a common electrode which are disposed to be spaced apart from each other between the substrate and the plurality of light emitting diodes and are electrically connected to the plurality of light emitting diodes; And
And a conductive adhesive layer disposed between the substrate and the plurality of light emitting diodes so as to cover the plurality of pixel electrodes and the common electrode. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 각각은,
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 콘택전극 및 제2 콘택전극; 및
상기 제1 콘택전극과 상기 제2 콘택전극 사이에 배치된 PN 다이오드;를 포함하는, 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of light emitting diodes includes:
A first contact electrode and a second contact electrode electrically connected to the pixel electrode and the common electrode, respectively; And
And a PN diode disposed between the first contact electrode and the second contact electrode. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 각각은 약 1 μm 내지 약 100 μm의 크기를 갖는, 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of light emitting diodes has a size of about 1 [mu] m to about 100 [mu] m. 제1 항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 도전성을 갖는 도전볼 및 경화성 수지를 포함하는, 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive adhesive layer comprises a conductive ball having conductivity and a curable resin. 제1 항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽의 사이에 상기 일 방향을 따라 연속되도록 배치된, 표시 장치.The method according to claim 1,
And the conductive adhesive layer is disposed between the first bank and the second bank so as to be continuous along the one direction. 제1 항에 있어서,
상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은 서로 실질적으로 평행하게 배치된, 표시 장치.The method according to claim 1,
And the first bank and the second bank are disposed substantially parallel to each other. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드는 상기 일 방향을 따라 서로 나란히(side by side) 배치된 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함하는, 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of light emitting diodes include a first light emitting diode and a second light emitting diode arranged side by side along the one direction. 제7 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드는 상기 일 방향을 따라 상기 제1 발광 다이오드 또는 상기 제2 발광 다이오드와 나란히 배치된 제3 발광 다이오드를 더 포함하며,
상기 제1 발광 다이오드, 상기 제2 발광 다이오드 및 상기 제3 발광 다이오드는 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하는, 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of light emitting diodes further include a third light emitting diode disposed alongside the first light emitting diode or the second light emitting diode along the one direction,
Wherein the first light emitting diode, the second light emitting diode, and the third light emitting diode emit red light, green light, and blue light, respectively. 제8 항에 있어서,
상기 일 방향을 따라 상기 제1 발광 다이오드 내지 제3 발광 다이오드 중 적어도 하나와 나란히 배치된 제4 발광 다이오드를 더 포함하며,
상기 제4 발광 다이오드는 백색광을 방출하는, 표시 장치.9. The method of claim 8,
Further comprising a fourth light emitting diode arranged alongside at least one of the first light emitting diode to the third light emitting diode along the one direction,
And the fourth light emitting diode emits white light. 제7 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드를 각각 구동하는 제1 박막트랜지스터 및 제2 박막트랜지스터를 더 포함하는, 표시 장치.8. The method of claim 7,
And a first thin film transistor and a second thin film transistor which are disposed on the substrate and drive the first light emitting diode and the second light emitting diode, respectively. 제7 항에 있어서,
상기 화소 전극은, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드와 각각 전기적으로 연결되며 서로 전기적으로 분리되어 있는 제1 화소 전극 및 제2 화소 전극을 포함하고,
상기 공통 전극은, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드와 전기적으로 연결된, 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the pixel electrode includes a first pixel electrode and a second pixel electrode that are electrically connected to the first light emitting diode and the second light emitting diode and are electrically isolated from each other,
And the common electrode is electrically connected to the first light emitting diode and the second light emitting diode. 제1 항에 있어서,
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽 중 적어도 하나에 의해 일부가 덮여있는, 표시 장치.The method according to claim 1,
And at least one of the pixel electrode and the common electrode is partially covered by at least one of the first bank and the second bank. 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 연장된 제1 배선 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향을 따라 연장된 제2 배선을 더 포함하며, 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽이 연장된 상기 일 방향은 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향인, 표시 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a first wiring disposed on the substrate and extending along the first direction and a second wiring extending along a second direction crossing the first direction, Wherein the extended one direction is the first direction or the second direction. 제13 항에 있어서,
상기 화소 전극은 상기 제1 배선과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 배선은 상기 공통 전극으로 기능하는, 표시 장치.14. The method of claim 13,
The pixel electrode is electrically connected to the first wiring, and the second wiring functions as the common electrode. 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 복수의 개구를 포함하는 격벽부;
상기 복수의 개구 중 적어도 하나에 배치된 복수의 발광 다이오드;
상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 서로 이격되도록 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드 각각과 전기적으로 연결된 복수의 화소 전극 및 공통 전극; 및
상기 기판과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 상기 복수의 화소 전극 및 상기 공통 전극을 덮도록 배치된 도전성 접착층;을 포함하는, 표시 장치.Board;
A partition wall disposed on the substrate and including a plurality of openings;
A plurality of light emitting diodes disposed in at least one of the plurality of openings;
A plurality of pixel electrodes and a common electrode which are disposed to be spaced apart from each other between the substrate and the plurality of light emitting diodes and are electrically connected to the plurality of light emitting diodes; And
And a conductive adhesive layer disposed between the substrate and the plurality of light emitting diodes so as to cover the plurality of pixel electrodes and the common electrode. 제15 항에 있어서,
상기 격벽부는 상기 기판 상에 서로 이격되도록 배치되며, 일 방향을 따라 연장된 제1 격벽, 제2 격벽 및 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽을 연결하는 연결부를 포함하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the barrier ribs are spaced apart from each other on the substrate and include a first barrier rib extending along one direction, a second barrier rib, and a connection portion connecting the first barrier rib and the second rib. 제15 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 각각은,
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 콘택전극 및 제2 콘택전극; 및
상기 제1 콘택전극과 상기 제2 콘택전극 사이에 배치된 PN 다이오드를 포함하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein each of the plurality of light emitting diodes includes:
A first contact electrode and a second contact electrode electrically connected to the pixel electrode and the common electrode, respectively; And
And a PN diode disposed between the first contact electrode and the second contact electrode. 제15 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 각각은 약 1 μm 내지 약 100 μm의 크기를 갖는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein each of the plurality of light emitting diodes has a size of about 1 [mu] m to about 100 [mu] m. 제15 항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 도전성을 갖는 도전볼 및 경화성 수지를 포함하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the conductive adhesive layer comprises a conductive ball having conductivity and a curable resin. 제15 항에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드는 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1 발광 다이오드 및 상기 제2 발광 다이오드는 서로 다른 색상의 광을 방출하는, 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of light emitting diodes include a first light emitting diode and a second light emitting diode, and the first light emitting diode and the second light emitting diode emit light of different colors.
KR1020160026425A 2016-03-04 2016-03-04 Display apparatus KR102610027B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160026425A KR102610027B1 (en) 2016-03-04 2016-03-04 Display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160026425A KR102610027B1 (en) 2016-03-04 2016-03-04 Display apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170104086A true KR20170104086A (en) 2017-09-14
KR102610027B1 KR102610027B1 (en) 2023-12-11

Family

ID=59926653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160026425A KR102610027B1 (en) 2016-03-04 2016-03-04 Display apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102610027B1 (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190070588A (en) * 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting device and display device using the same
CN110021620A (en) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 Display device
CN110349988A (en) * 2018-04-03 2019-10-18 三星电子株式会社 Light emitting display device
CN110676262A (en) * 2018-07-03 2020-01-10 三星显示有限公司 Display apparatus and method of manufacturing the same
WO2020017719A1 (en) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 Light-emitting device and display device including same
WO2020105824A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 Light-emitting device and display device having same
WO2020111417A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method therefor
WO2020213937A1 (en) * 2019-04-16 2020-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Led transferring method and display module manufactured by the same
JP2021508937A (en) * 2018-03-22 2021-03-11 廈門市三安光電科技有限公司Ｘｉａｍｅｎ Ｓａｎ’Ａｎ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Micro-emitting device and its manufacturing method
WO2021107237A1 (en) * 2019-11-28 2021-06-03 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light-emitting elements, and manufacturing method therefor
WO2021125421A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 엘지전자 주식회사 Display device using light emitting elements and manufacturing method therefor
JPWO2020049392A1 (en) * 2018-09-05 2021-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 Display devices, display modules, electronic devices, and methods for manufacturing display devices.
WO2023003419A1 (en) * 2021-07-23 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010478A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and image pick-up device
KR20130137985A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
JP2015088744A (en) * 2013-09-26 2015-05-07 デクセリアルズ株式会社 Light emitting device, anisotropic conductive adhesive, and method for manufacturing light-emitting device
KR20150070940A (en) * 2014-11-21 2015-06-25 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
WO2016100662A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Glo Ab Light emitting diode array on a backplane and method of making thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010478A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and image pick-up device
KR20130137985A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
JP2015088744A (en) * 2013-09-26 2015-05-07 デクセリアルズ株式会社 Light emitting device, anisotropic conductive adhesive, and method for manufacturing light-emitting device
KR20150070940A (en) * 2014-11-21 2015-06-25 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
WO2016100662A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Glo Ab Light emitting diode array on a backplane and method of making thereof

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190070588A (en) * 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting device and display device using the same
KR20230027132A (en) * 2017-12-13 2023-02-27 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting device and display device using the same
CN110021620A (en) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 Display device
US11658165B2 (en) 2018-01-08 2023-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2021508937A (en) * 2018-03-22 2021-03-11 廈門市三安光電科技有限公司Ｘｉａｍｅｎ Ｓａｎ’Ａｎ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Micro-emitting device and its manufacturing method
CN110349988A (en) * 2018-04-03 2019-10-18 三星电子株式会社 Light emitting display device
CN110676262A (en) * 2018-07-03 2020-01-10 三星显示有限公司 Display apparatus and method of manufacturing the same
WO2020017719A1 (en) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 Light-emitting device and display device including same
CN112913025A (en) * 2018-07-20 2021-06-04 三星显示有限公司 Light emitting device and display device including the same
JPWO2020049392A1 (en) * 2018-09-05 2021-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 Display devices, display modules, electronic devices, and methods for manufacturing display devices.
US11908850B2 (en) 2018-09-05 2024-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
WO2020105824A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 Light-emitting device and display device having same
WO2020111417A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method therefor
US11935986B2 (en) 2018-11-30 2024-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method therefor
WO2020213937A1 (en) * 2019-04-16 2020-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Led transferring method and display module manufactured by the same
US11387384B2 (en) 2019-04-16 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. LED transferring method and display module manufactured by the same
WO2021107237A1 (en) * 2019-11-28 2021-06-03 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light-emitting elements, and manufacturing method therefor
WO2021125421A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 엘지전자 주식회사 Display device using light emitting elements and manufacturing method therefor
WO2023003419A1 (en) * 2021-07-23 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102610027B1 (en) 2023-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102610027B1 (en) Display apparatus
KR102642102B1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US10804317B2 (en) Stretchable display apparatus
KR102608419B1 (en) Display Apparatus and Method for manufacturing the same
KR102603399B1 (en) Display apparatus and manufacturing the same
US20190036065A1 (en) Display apparatus
TWI404227B (en) Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance
TWI738058B (en) Display device and array substrate
KR102528300B1 (en) Display apparatus
TW201503358A (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2020203702A1 (en) Display device
KR20190007226A (en) Led lighting device package and display apparatus using the same
KR102526778B1 (en) Display device and method of manufacturing display device
TWI719570B (en) Display device
KR102595921B1 (en) Display apparatus and method thereof
KR102100372B1 (en) Organic light-emitting display apparatus
TWI702584B (en) Display device and array substrate
KR102512724B1 (en) Display and method of manufacturing thereof
US20220013701A1 (en) Display device
US20210193893A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102579242B1 (en) Micro LED display apparatus and method for fabricating the same
JP7333226B2 (en) Display device manufacturing method and display device
CN115881760A (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant