KR20170096882A - Metal substrate, and oled pannel using the same - Google Patents

Metal substrate, and oled pannel using the same Download PDF

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Abstract

The present invention provides a metal plate which can form a uniform penetrating hole. According to an embodiment of the present invention, the metal plate used for manufacturing a mask for deposition comprises: a metal layer; a first surface layer disposed on a first surface of the metal layer; and a second surface layer disposed on a second surface facing the first surface of the metal layer. The metal layer includes materials different from the first surface layer and the second surface layer. The first surface layer and the second surface layer include materials corresponding to each other. The embodiment includes an OLED panel manufactured by the mask for deposition.

Description

금속판, 및 이를 이용한 OLED 패널{METAL SUBSTRATE, AND OLED PANNEL USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a metal plate,

실시예는 금속판에 관한 것이다. 자세하게, 실시예는 증착용 마스크에 사용될 수 있는 금속판에 관한 것이다. 보다 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 OLED 패널을 제작할 수 있다.An embodiment relates to a metal plate. In detail, the embodiment relates to a metal plate which can be used for a vapor deposition mask. More specifically, an OLED panel can be manufactured using the deposition mask according to the embodiment.

고해상도 및 저전력을 가지는 표시 장치가 요구됨에 따라, 액정 표시 장치나 전계 발광 표시 장치와 같은 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As display devices having high resolution and low power are required, various display devices such as a liquid crystal display device and an electroluminescent display device have been developed.

전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 저 발광, 저 소비 전력, 고해상도 등의 우수한 특성에 따라, 차세대 표시 장치로 각광 받고 있다.An electroluminescent display device is attracting attention as a next-generation display device due to excellent characteristics such as low light emission, low power consumption, and high resolution as compared with a liquid crystal display device.

전계 표시 장치는 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치가 있다. 즉, 발광층의 물질에 따라 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치로 구별될 수 있다. An electric field display device includes an organic light emitting display device and an inorganic light emitting display device. That is, the organic light emitting display device and the inorganic light emitting display device can be distinguished according to the material of the light emitting layer.

이중에서도, 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각을 가지고, 빠른 응답속도를 가진다는 점, 저전력이 요구된다는 점에서 주목 받고 있다. Of these, organic light emitting display devices are attracting attention because they have a wide viewing angle, have a fast response speed, and are required to have low power.

이러한 발광층을 구성하는 유기 물질은 파인 메탈 마스크(fine metal mask) 방식에 의하여 기판 상에 화소를 형성하기 위한 패턴이 형성될 수 있다.The organic material constituting the light emitting layer may be patterned to form pixels on the substrate by a fine metal mask method.

이때, 파인 메탈 마스크, 즉 증착용 마스크는 기판 상에 형성될 패턴과 대응되는 관통홀을 가질 수 있어, 기판 상에 파인 메탈 마스크를 얼라인한 후, 유기 물질을 증착함에 따라, 화소를 형성하는 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)의 패턴을 형성할 수 있다.At this time, the fine metal mask, that is, the deposition mask may have a through-hole corresponding to the pattern to be formed on the substrate, so that after the fine metal mask is deflected on the substrate, as the organic material is deposited, (Red), green (green), and blue (blue) patterns can be formed.

증착용 마스크로 사용될 수 있는 금속판은 식각 공정에 의해서 복수 개의 관통홀이 형성될 수 있다.A plurality of through holes may be formed in the metal plate which can be used as a mask for deposition by an etching process.

이때, 복수 개의 관통홀이 균일하지 않을 경우, 증착의 균일성이 저하될 수 있고, 이로 인해 형성되는 패턴의 증착 효율이 저하됨에 따라 공정 효율이 저하되는 문제점이 있었다.At this time, if the plurality of through holes are not uniform, the uniformity of the deposition may be lowered, and the deposition efficiency of the pattern formed thereby may be lowered, thereby lowering the process efficiency.

또한, 금속판 상에 드라이 필름 레지스트(Dry film resist)를 사용하여 관통홀을 형성하는 경우에는, 관통홀의 폭을 10㎛ 이하로 형성하기 어렵고, 이에 따라, 고해상도의 OLED 패널을 구현하기 어렵다는 문제점이 있었다. Further, when a through hole is formed using a dry film resist on a metal plate, it is difficult to form the through hole with a width of 10 mu m or less, which makes it difficult to realize a high resolution OLED panel .

실시예는 균일한 관통홀을 형성할 수 있는 금속판을 제공하기 위한 것이다.The embodiment is intended to provide a metal plate capable of forming a uniform through hole.

또한, 실시예는 금속판의 수명을 향상시키기 위한 것이다.Further, the embodiment is intended to improve the service life of the metal plate.

실시예는 증착용 마스크의 제작에 사용되는 금속판에 있어서, 금속층; 상기 금속층의 제 1 면 상에 배치되는 제 1 표면층; 및 상기 금속층의 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면 상에 배치되는 제 2 표면층을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층과 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 서로 대응되는 물질을 포함한다. An embodiment of the present invention is a metal plate used for manufacturing an evaporation mask, comprising: a metal layer; A first surface layer disposed on a first surface of the metal layer; And a second surface layer disposed on a second surface opposite to the first surface of the metal layer, wherein the metal layer comprises a material different from the first surface layer and the second surface layer, The second surface layer comprises a material corresponding to each other.

실시예는 상기 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널을 포함한다.The embodiment includes an OLED panel made of the evaporation mask.

실시예에 따른 금속판은 금속층 및 상기 금속층 상에 배치되는 표면층을 포함할 수 있다. The metal plate according to an embodiment may include a metal layer and a surface layer disposed on the metal layer.

즉, 실시예에 따른 금속판은 표면층을 포함함에 따라, 금속판 상에 오염된 물질의 세정력이 향상될 수 있어, 금속판의 수명이 향상될 수 있다.That is, since the metal plate according to the embodiment includes the surface layer, the cleaning ability of the contaminated material on the metal plate can be improved, and the service life of the metal plate can be improved.

상기 표면층은 상기 금속층의 제 1 면 및 상기 제 1 면과 대향되는 제 2 면 상에 각각 배치됨에 따라, 포토레지스트층과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. The surface layer is disposed on the first surface of the metal layer and on the second surface opposite to the first surface, respectively, so that adhesion with the photoresist layer can be improved.

이에 따라, 상기 표면층을 포함하는 금속판은 균일한 관통홀을 형성할 수 있다. Accordingly, the metal plate including the surface layer can form a uniform through-hole.

즉, 증착용 마스크의 제작에 사용되는 상기 금속판은 균일성이 향상된 관통홀을 포함함에 따라, 이를 통해 형성되는 패턴의 균일성이 향상될 수 있고, 패턴의 증착 효율이 증가됨에 따라 공정 효율이 향상될 수 있다. That is, since the metal plate used for manufacturing the deposition mask includes the through holes having improved uniformity, the uniformity of the pattern formed through the through holes can be improved and the process efficiency can be improved as the pattern deposition efficiency is increased .

따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 패턴의 증착 효율이 우수하고, 증착 균일성이 향상될 수 있다.Therefore, the OLED panel fabricated using the deposition mask according to the embodiment has an excellent pattern deposition efficiency and can improve the deposition uniformity.

또한, 실시예에 따른 금속판은 2.0 이상의 높은 식각 팩터를 가질 수 있어, 관통홀의 폭을 10㎛ 이하로 형성할 수 있다. Further, the metal plate according to the embodiment can have a high etch factor of 2.0 or more, and the width of the through-hole can be formed to 10 탆 or less.

따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 패턴의 폭이 10㎛ 이하로 구현될 수 있어, 고해상도를 가질 수 있다.Therefore, the OLED panel fabricated using the evaporation mask according to the embodiment can have a pattern width of 10 탆 or less, and thus can have a high resolution.

도 1 및 도 2는 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 3 및 도 4는 금속판의 정면도를 도시한 도면들이다.
도 5는 도 3의 A-A'의 단면도를 도시한 도면이다.
도 6 내지 도 10은 금속판의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 11 및 도 12는 실시예의 식각 공정에서의 단면도를 도시한 도면들이다.
도 13은 비교예의 식각 공정에서의 단면도를 도시한 도면이다.FIGS. 1 and 2 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate.
3 and 4 are views showing a front view of the metal plate.
5 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
6 to 10 are views showing a manufacturing process of a metal plate.
11 and 12 are views showing a cross-sectional view in the etching process of the embodiment.
13 is a cross-sectional view of the etching process of the comparative example.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시예를 구체적으로 설명한다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략한다.In the following description with reference to the accompanying drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and a duplicate description thereof will be omitted.

제 1, 제 2 등의 용어는 구성요소를 설명하는데 사용될 수 있으나, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 한정되지 않고, 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe a component, but the components are not limited to the terms and are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. Also, when a part is referred to as "comprising ", it means that it can include other components as well, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

도 1 및 도 2를 참조하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명한다.The process of depositing an organic material on a substrate will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1은 실시예에 따른 금속판(100)이 증착용 마스크로서 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing an organic substance deposition apparatus in which a metal plate 100 according to an embodiment is included as an evaporation mask.

유기물 증착 장치는 증착용 마스크로서 사용된 금속판(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.The organic substance deposition apparatus may include a metal plate 100 used as an evaporation mask, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.

상기 증착용 마스크는 실시예에 따른 금속판(100)일 수 있다. 상기 금속판(100)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. The vapor deposition mask may be a metal plate 100 according to an embodiment. The metal plate 100 may include a plurality of through holes. At this time, the through holes may be formed to correspond to patterns to be formed on the substrate.

상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 금속판(100)의 복수 개의 관통홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. The mask frame 200 may include openings. The plurality of through holes of the metal plate 100 may be disposed on a region corresponding to the opening. Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition container 400 can be deposited on the substrate 300.

상기 증착용 마스크는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다. The vapor deposition mask may be disposed and fixed on the mask frame 200. For example, the vapor deposition mask may be tensioned and secured by welding on the mask frame 200.

상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여, 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)의 패턴이 형성될 수 있다. The substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device. Red, green, and blue patterns may be formed on the substrate 300 to form pixels that are three primary colors of light.

상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. The organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed inside the crucible.

상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.As the heat source and / or current is supplied to the crucible in the vacuum chamber 500, the organic material may be deposited on the substrate 100.

도 2는 상기 금속판(100)의 하나의 관통홀을 확대한 도면이다. FIG. 2 is an enlarged view of one through hole of the metal plate 100.

상기 금속판(100)은 제 1 면(101) 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면(102)을 포함할 수 있다. The metal plate 100 may include a first surface 101 and a second surface 102 facing the first surface.

상기 금속판(100)의 상기 제 1 면(101)은 제 1 면공(V1)을 포함하고, 상기 금속판(100)의 상기 제 2 면(102)은 제 2 면공(V2)을 포함할 수 있다.The first face 101 of the metal plate 100 may include a first face hole V1 and the second face 102 of the metal plate 100 may include a second face hole V2.

상기 관통홀은 상기 제 1 면공(V1) 및 상기 제 2 면공(V2)이 연통하는 연결부(CA)에 의하여 형성될 수 있다. The through hole may be formed by a connecting portion CA through which the first face hole (V1) and the second face hole (V2) communicate.

상기 제 1 면공(V1)의 폭은 상기 제 2 면공(V2)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 제 1 면공(V1)의 폭은 상기 제 1 면(101)에서 측정되고, 상기 제 2 면공(V2)의 폭은 상기 제 2 면(102)에서 측정될 수 있다.The width of the first face hole (V1) may be greater than the width of the second face hole (V2). At this time, the width of the first face hole (V1) may be measured on the first face (101), and the width of the second face hole (V2) may be measured on the second face (102).

상기 제 1 면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면공(V1)은 증착물(D), 즉 패턴과 대응되는 형상을 가질 수 있다.The first face hole (V1) may be disposed toward the substrate (300). Accordingly, the first face hole (V1) may have a shape corresponding to the deposition material (D), that is, the pattern.

상기 제 2 면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 제 2 면공(V2)보다 폭이 작은 상기 제 1 면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.The second face hole (V2) may be disposed toward the organic material deposition container (400). Accordingly, the second face hole V2 can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and the first face hole V1, which is smaller in width than the second face hole V2, A minute pattern can be formed on the substrate 300 quickly.

도 3 및 도 4는 금속판(100)의 정면도를 도시한 도면들이다.Figs. 3 and 4 are views showing a front view of the metal plate 100. Fig.

상기 금속판(100)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The metal plate 100 may include a plurality of through holes.

예를 들어, 도 3을 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치되고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.For example, referring to FIG. 3, the through-holes may be arranged in a row in the vertical axis, and may be arranged in a row in the horizontal axis.

예를 들어, 도 4를 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 횡축에서 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. For example, referring to FIG. 4, the through-holes may be arranged in a row in the vertical axis and staggered in the horizontal axis.

상기 관통홀은 종 방향에서 측정된 제 1 직경과, 횡 방향에서 측정된 제 2 직경이 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. 상기 관통홀은 라운드질 수 있다. The through-hole may have a first diameter measured in the longitudinal direction and a second diameter measured in the lateral direction correspond to each other or may be different from each other. The through-hole may be rounded.

도 5는 복수 개의 관통홀들의 단면을 확대한 도면이다.5 is an enlarged view of a cross section of a plurality of through holes.

도 5를 참조하면, 증착용 마스크의 제작에 사용되는 상기 금속판(100)은 금속층(100a) 및 표면층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(100)은 상기 금속층(100a), 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 상에 배치되는 제 1 표면층(110) 및 상기 제 1 면(101)과 대향하는 제 2 면(102) 상에 배치되는 제 2 표면층(120)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the metal plate 100 used for fabricating the deposition mask may include a metal layer 100a and a surface layer. For example, the metal plate 100 includes a metal layer 100a, a first surface layer 110 disposed on the first surface 101 of the metal layer 100a, and a second surface layer 110 facing the first surface 101. [ And a second surface layer 120 disposed on the two surfaces 102.

상기 금속층(100a)의 두께는 상기 표면층보다 두께가 클 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)의 두께(T1)는 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2) 및 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)보다 클 수 있다.The thickness of the metal layer 100a may be larger than that of the surface layer. For example, the thickness T1 of the metal layer 100a may be greater than the thickness T2 of the first surface layer 110 and the thickness T3 of the second surface layer 120.

상기 금속판(100)의 두께는 10㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(100)의 두께는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 상기 금속판(100)의 두께가 10㎛ 미만인 경우에는, 제조 효율이 낮을 수 있다. The thickness of the metal plate 100 may be 10 to 50 탆. For example, the thickness of the metal plate 100 may be 10 탆 to 30 탆. If the thickness of the metal plate 100 is less than 10 mu m, the manufacturing efficiency may be low.

상기 금속판(100)의 두께가 50㎛ 초과인 경우에는, 관통홀을 형성하기 위한 공정 효율이 저하될 수 있다. If the thickness of the metal plate 100 is more than 50 占 퐉, the process efficiency for forming the through holes may be lowered.

상기 금속층(100a)의 두께(T1)는 50㎛이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)의 두께(T1)는 30㎛ 이하일 수 있다. The thickness T1 of the metal layer 100a may be 50 탆 or less. For example, the thickness T1 of the metal layer 100a may be 30 占 퐉 or less.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 서로 대응되는 두께를 가질 수 있다. 여기에서, 대응된다는 것은 공차에 의한 오차를 포함한 것일 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have a thickness corresponding to each other. Here, the correspondence may include an error due to the tolerance.

상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)는 1㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)는 0.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)는 10㎚ 내지 100㎚이하일 수 있다.The thickness T2 of the first surface layer 110 may be less than 1 mu m. For example, the thickness T2 of the first surface layer 110 may be 0.5 탆 or less. For example, the thickness T2 of the first surface layer 110 may be 10 nm to 100 nm or less.

상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)가 10㎚ 미만인 경우에는, 상기 제 1 면(101)에서의 식각 팩터 증가 효과가 감소됨에 따라, 관통홀의 균일성이 저하될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)가 10㎚ 미만인 경우에는, 두께 및/또는 폭의 편차가 큰 관통홀이 형성됨에 따라, 상기 관통홀을 가지는 금속판에 의하여 형성된 패턴의 균일하지 않을 수 있어, 표시 장치의 제조 효율이 저하될 수 있다. If the thickness T2 of the first surface layer 110 is less than 10 nm, the uniformity of the through holes may be reduced as the effect of increasing the etching factor on the first surface 101 is reduced. For example, when the thickness (T2) of the first surface layer 110 is less than 10 nm, since the through hole having a large thickness and / or width variation is formed, the pattern formed by the metal plate having the through hole It may not be uniform, and the manufacturing efficiency of the display device may be lowered.

또한, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)가 10㎚ 미만인 경우에는, 상기 제 1 면(101)에서의 식각 팩터 증가 효과가 감소됨에 따라, 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. If the thickness T2 of the first surface layer 110 is less than 10 nm, the effect of increasing the etch factor on the first surface 101 may be reduced, and it may be difficult to form the through hole having a minute size .

또한, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)가 10㎚ 미만인 경우에는, 제 1 면공(V1)의 내주면의 표면 조도가 증가함에 따라, 상기 제 1 면공(V1)을 통하여 형성되는 증착 패턴의 품질이 저하될 수 있고, 이에 따라 공정 효율이 저하될 수 있다. When the thickness T2 of the first surface layer 110 is less than 10 nm, as the surface roughness of the inner surface of the first face hole V1 increases, And the process efficiency may be lowered.

한편, 상기 제 1 표면층(110)의 두께(T2)가 1㎛ 이상인 경우에는, 제조 효율이 저하될 수 있다.On the other hand, when the thickness T2 of the first surface layer 110 is 1 占 퐉 or more, the manufacturing efficiency may be lowered.

상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)는 1㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)는 0.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)는 10㎚ 내지 100㎚이하일 수 있다.The thickness T3 of the second surface layer 120 may be less than 1 mu m. For example, the thickness T3 of the second surface layer 120 may be 0.5 탆 or less. For example, the thickness T3 of the second surface layer 120 may be 10 nm to 100 nm or less.

상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)가 10㎚ 미만인 경우에는, 상기 제 2 면(102)에서의 식각 팩터 증가 효과가 감소됨에 따라, 관통홀의 균일성이 저하될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)가 10㎚ 미만인 경우에는, 두께 및/또는 폭의 편차가 큰 관통홀이 형성됨에 따라, 상기 관통홀을 가지는 금속판에 의하여 형성된 패턴의 균일하지 않을 수 있어, 표시 장치의 제조 효율이 저하될 수 있다. If the thickness T3 of the second surface layer 120 is less than 10 nm, the uniformity of the through holes may be reduced as the effect of increasing the etch factor on the second surface 102 is reduced. For example, when the thickness T3 of the second surface layer 120 is less than 10 nm, since the through hole having a large variation in the thickness and / or width is formed, the pattern of the pattern formed by the metal plate having the through- It may not be uniform, and the manufacturing efficiency of the display device may be lowered.

또한, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)가 10㎚ 미만인 경우에는, 상기 제 2 면(102)에서의 식각 팩터 증가 효과가 감소됨에 따라, 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. In addition, when the thickness T3 of the second surface layer 120 is less than 10 nm, it is difficult to form a fine through hole as the effect of increasing the etch factor on the second surface 102 is reduced .

또한, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)가 10㎚ 미만인 경우에는, 제 2 면공(V2)의 내주면의 표면 조도가 증가할 수 있다. In addition, when the thickness T3 of the second surface layer 120 is less than 10 nm, the surface roughness of the inner circumferential surface of the second face hole V2 may increase.

한편, 상기 제 2 표면층(120)의 두께(T3)가 1㎛ 이상인 경우에는, 제조 효율이 저하될 수 있다. On the other hand, when the thickness T3 of the second surface layer 120 is 1 占 퐉 or more, the manufacturing efficiency may be lowered.

상기 금속층(100a)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)은 니켈 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)은 니켈과 철의 합금일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)은 니켈 36 중량%, 철 64 중량%가 포함된 인바(Invar)일 수 있다. 다만, 상기 금속층(100a)은 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 금속 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.The metal layer 100a may include a metal material. For example, the metal layer 100a may include a nickel alloy. For example, the metal layer 100a may be an alloy of nickel and iron. For example, the metal layer 100a may be Invar containing 36 wt% of nickel and 64 wt% of iron. However, it is needless to say that the metal layer 100a is not limited thereto and may include various metal materials.

상기 금속층(100a)은 상기 제 1 표면층(100) 및 상기 제 2 표면층(120)과 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 여기에서, 서로 다른 물질을 포함한다는 것은, 금속층과 표면층에 포함되는 어느 하나 이상의 원소의 조성이 서로 다를 수 있음을 의미한다. The metal layer 100a may include a material different from the first surface layer 100 and the second surface layer 120. [ Here, the inclusion of different materials means that the composition of at least one element contained in the metal layer and the surface layer may be different from each other.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 서로 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 여기에서, 서로 대응되는 물질을 포함한다는 것은, 제 1 표면층과 제 2 표면층의 대응되는 깊이 내지 두께에서 측정된 원소의 조성이 동일 또는 유사한 것을 의미하며, 공차에 의한 오차를 포함할 수 있다. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include materials corresponding to each other. Here, the inclusion of materials corresponding to each other means that the compositions of elements measured at corresponding depths to thicknesses of the first and second surface layers are the same or similar, and may include errors due to tolerances.

즉, 상기 금속층(100a)은 상기 제 1 표면층(110)과 포함되는 원소의 조성이 서로 다를 수 있다. 또한, 상기 금속층(100a)은 상기 제 2 표면층(120)과 포함되는 원소의 조성이 서로 다를 수 있다. That is, the metal layer 100a may have different compositions of the elements included in the first surface layer 110. FIG. In addition, the metal layer 100a may have different compositions of elements included in the second surface layer 120.

예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 산소 원소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면층(110)의 산소의 함량은 상기 금속층(100a)의 산소의 함량보다 높을 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면층(120)의 산소의 함량은 상기 금속층(100a)의 산소의 함량보다 높을 수 있다. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include an oxygen element. In detail, the content of oxygen in the first surface layer 110 may be higher than the content of oxygen in the metal layer 100a. Also, the content of oxygen in the second surface layer 120 may be higher than the content of oxygen in the metal layer 100a.

실시예에 따른 금속판은 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 산소의 함량이 상기 금속층(100a)보다 큰 것을 X선 광전자 분광법(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 통하여 측정하였다. 상기 X선 광전자 분광법을 통하여 측정된, 상기 제 1 표면층(110)에서의 높은 산소의 함량은 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101)을 기점으로 급격히 저하되었다. 또한, 상기 X선 광전자 분광법을 통하여 측정된, 상기 제 2 표면층(120)에서의 높은 산소의 함량은 상기 금속층(100a)의 제 2 면(102)을 기점으로 급격히 저하되었다. The metal plate according to the embodiment may be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in which the content of oxygen in the first surface layer 110 and the second surface layer 120 is larger than the metal layer 100a Respectively. The content of high oxygen in the first surface layer 110 as measured through the X-ray photoelectron spectroscopy was drastically decreased starting from the first surface 101 of the metal layer 100a. Also, the content of high oxygen in the second surface layer 120, measured through the X-ray photoelectron spectroscopy, dropped sharply starting from the second surface 102 of the metal layer 100a.

예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 질소 원소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면층(110)의 질소의 함량은 상기 금속층(100a)의 질소의 함량보다 높을 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면층(120)의 질소의 함량은 상기 금속층(100a)의 질소의 함량보다 높을 수 있다. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include a nitrogen element. In detail, the nitrogen content of the first surface layer 110 may be higher than the nitrogen content of the metal layer 100a. In addition, the nitrogen content of the second surface layer 120 may be higher than the nitrogen content of the metal layer 100a.

실시예에 따른 금속판의 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 질소의 함량이 상기 금속층(100a)보다 큰 것은 X선 광전자 분광법(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 통하여 측정될 수 있다.The amount of nitrogen in the first surface layer 110 and the second surface layer 120 of the metal sheet according to the embodiment is larger than the metal layer 100a by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) .

예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 플루오르 원소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면층(110)의 플루오르의 함량은 상기 금속층(100a)의 플루오르의 함량보다 높을 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면층(120)의 플루오르의 함량은 상기 금속층(100a)의 플루오르의 함량보다 높을 수 있다. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise a fluorine element. In detail, the content of fluorine in the first surface layer 110 may be higher than the content of fluorine in the metal layer 100a. In addition, the content of fluorine in the second surface layer 120 may be higher than the content of fluorine in the metal layer 100a.

실시예에 따른 금속판의 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 플루오르의 함량이 상기 금속층(100a)보다 큰 것은 X선 광전자 분광법(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 통하여 측정될 수 있다.The content of fluorine in the first surface layer 110 and the second surface layer 120 of the metal sheet according to the embodiment is larger than that of the metal layer 100a by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) .

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 친수성 작용기를 포함할 수 있다. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include a hydrophilic functional group.

예를 들어, 상기 금속판(100)은 플라즈마 처리에 의하여 친수성 작용기를 포함하는 표면층을 형성할 수 있다. For example, the metal plate 100 may form a surface layer including a hydrophilic functional group by plasma treatment.

예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 산소를 포함하는 다양한 친수성 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 카보닐기, 카복실기, 카복시산, 에스터기, 에터기, 하이드록실기 등과 같은 다양한 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 C=O, C-O, O-C=O, C-O-O, CO3, OH, CO2H 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise various hydrophilic functional groups including oxygen. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include various functional groups such as a carbonyl group, a carboxyl group, a carboxylic acid, an ester group, an ether group, a hydroxyl group, and the like. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include at least one of C═O, CO, OC═O, COO, CO 3 , OH, and CO 2 H.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 이온을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 산소 이온을 포함할 수 있다. 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 산소 음이온을 포함할 수 있다.At least one surface layer of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include ions. For example, the surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include oxygen ions. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include oxygen anions.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 라디칼을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 산소 라디칼을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 산소 라디칼은 전체적으로 또는 부분적으로 공기 중의 산소와 반응하여 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)에 친수성 작용기를 각각 형성할 수 있다. The surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise a radical. For example, the surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise an oxygen radical. For example, the oxygen radical may react, wholly or in part, with oxygen in the air to form a hydrophilic functional group on the first surface layer 110 and the second surface layer 120, respectively.

예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 질소를 포함하는 다양한 친수성 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 아민, 아민 산화물 등과 같은 다양한 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 4차 암모늄염 및 아민 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise various hydrophilic functional groups including nitrogen. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include various functional groups such as amines, amine oxides, and the like. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include at least one of a primary amine, a secondary amine, a tertiary amine, a quaternary ammonium salt, and an amine oxide.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 이온을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 질소 이온을 포함할 수 있다. 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 질소 음이온을 포함할 수 있다.At least one surface layer of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include ions. For example, the surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include nitrogen ions. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include a nitrogen anion.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 라디칼을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 중 적어도 하나의 표면층은 질소 라디칼을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 질소 라디칼은 전체적으로 또는 부분적으로 공기 중의 산소와 반응하여 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)에 친수성 작용기를 각각 형성할 수 있다.The surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise a radical. For example, the surface layer of at least one of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may comprise a nitrogen radical. For example, the nitrogen radical may form a hydrophilic functional group on the first surface layer 110 and the second surface layer 120, respectively, in whole or in part, by reacting with oxygen in the air.

예를 들어, 상기 금속층(100a)은 열처리됨에 따라, 상기 금속층(100a) 상에 표면층을 형성할 수 있다. 자세하게, 상기 금속층(100a)은 산소 분위기 하에서 열처리 함에 따라, 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 상에 상기 제 1 표면층(110)이 형성되고, 상기 금속층(100a)의 제 2 면(102) 상에 상기 제 2 표면층(120)이 형성될 수 있다.For example, as the metal layer 100a is heat-treated, a surface layer may be formed on the metal layer 100a. The first surface layer 110 is formed on the first surface 101 of the metal layer 100a and the second surface 110a of the metal layer 100a is formed by heat treatment in the oxygen atmosphere. 102 may be formed on the second surface layer 120.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 금속 산화물 및 금속 수산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 금속 산화물로 철 산화물, 니켈 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 금속 산화물로 철 수산화물, 니켈 수산화물을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면층(110)은 FeO, NiO, FeOH 및 NiOH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면층(110)은 FeO, NiO, FeOH 및 NiOH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include at least one of a metal oxide and a metal hydroxide. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include metal oxides such as iron oxide and nickel oxide. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include metal hydroxides, nickel hydroxides, and metal oxides. In detail, the first surface layer 110 may include at least one of FeO, NiO, FeOH, and NiOH. In addition, the second surface layer 110 may include at least one of FeO, NiO, FeOH, and NiOH.

예를 들어, 상기 금속판(100)은 아노다이징에 의하여 표면층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 표면층은 상기 금속판보다 산소의 함량이 클 수 있다. For example, the metal plate 100 may form a surface layer by anodizing. Accordingly, the surface layer may have a larger oxygen content than the metal plate.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 소수성 작용기를 포함할 수 있다. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include hydrophobic functional groups.

예를 들어, 상기 금속판(100)은 플라즈마 처리에 의하여 소수성 작용기를 포함하는 표면층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 플루오르를 포함하는 가스를 플라즈마원으로 사용함으로써, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 소수성을 가질 수 있다. For example, the metal plate 100 may form a surface layer including a hydrophobic functional group by plasma treatment. For example, by using a gas containing fluorine as a plasma source, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have hydrophobicity.

다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 금속층(100a) 상에 친수성 또는 소수성 작용기를 가지는 표면층을 형성하기 위한 다양한 방법을 포함할 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and may include various methods for forming a surface layer having a hydrophilic or hydrophobic functional group on the metal layer 100a.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 친수성 또는 소수성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 포토레지스층을 배치시키는데 적합한 표면 에너지를 가지는 작용기를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 포토레지스트층과의 밀착력이 향상될 수 있다. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have hydrophilicity or hydrophobicity. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include functional groups having surface energy suitable for arranging the photoresist layer. Accordingly, the adhesion of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to the photoresist layer can be improved.

즉, 상기 표면층은 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 및 상기 제 1 면과 대향되는 제 2 면(102) 상에 각각 배치됨에 따라, 포토레지스트층과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 여기에서, 포토레지스트층은 액상 포토레지스트를 의미할 수 있다. That is, the surface layer is disposed on the first surface 101 of the metal layer 100a and the second surface 102 opposite to the first surface, respectively, so that adhesion with the photoresist layer can be improved. Here, the photoresist layer may mean a liquid photoresist.

또한, 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 액상 포토레지스트와 전체적으로 접촉 계면에서 균일한 부착특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판은 균일한 관통홀을 형성할 수 있다. In addition, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have uniform adhesion properties at the interface contacting the liquid photoresist as a whole. Accordingly, the metal plate can form a uniform through-hole.

또한, 실시예는 표면층을 가지는 금속판 상에 액상 포토레지스트의 배치 후, 식각 공정에 의하여 관통홀을 형성함에 따라, 관통홀의 폭을 10㎛ 이하로 형성할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크의 제작에 사용되는 금속판을 통하여 형성된 패턴은 폭이 10㎛ 이하일 수 있어, 고해상도의 OLED 패널을 구현할 수 있다. In addition, in the embodiment, after the liquid photoresist is disposed on the metal plate having the surface layer, the through hole is formed by the etching process, and the width of the through hole can be set to 10 탆 or less. Accordingly, the pattern formed through the metal plate used for fabricating the deposition mask according to the embodiment can have a width of 10 mu m or less, thereby realizing a high-resolution OLED panel.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 표면 에너지는 접촉각을 통하여 측정될 수 있다. The surface energy of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may be measured through a contact angle.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 친수성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 40도 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 10도 내지 40도일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 10도 내지 30도일 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have hydrophilicity. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be 40 degrees or less. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be between 10 and 40 degrees. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be 10 to 30 degrees.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각이 40도 초과인 경우에는, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 친수성이 저하됨에 따라, 금속판 상에 오염된 물질의 세정력이 저하될 수 있다. 또한, 상기 금속판을 이용하여 유기 물질을 증착하는 경우에는 금속판의 관통홀 상에 오염된 물질이 잔류할 수 있음에 따라, 화소를 구성하는 패턴의 크기가 줄어들 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 저하될 수 있고, 증착용 마스크의 수명이 저하될 수 있다. When the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water is more than 40 degrees, the hydrophilicity of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 decreases, The detergency of the contaminated material on the metal plate may be deteriorated. In addition, when the organic material is deposited using the metal plate, the contaminated material may remain on the through-hole of the metal plate, so that the size of the pattern constituting the pixel can be reduced. As a result, the process efficiency may be lowered, and the life of the vapor deposition mask may be reduced.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 소수성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 100도 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 100도 내지 160도일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각은 100도 내지 120도일 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may have hydrophobicity. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be 100 degrees or more. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be between 100 and 160 degrees. For example, the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water may be between 100 and 120 degrees.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 순수에 대한 접촉각이 100도 미만인 경우에는, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)의 소수성이 저하됨에 따라, 금속판 상에 오염된 물질의 세정력이 저하될 수 있다. 또한, 상기 금속판을 이용하여 유기 물질을 증착하는 경우에는 금속판의 관통홀 상에 오염된 물질이 잔류할 수 있음에 따라, 화소를 구성하는 패턴의 크기가 줄어들 수 ㅇ있다. 이에 따라, 공정 효율이 저하될 수 있고, 증착용 마스크의 수명이 저하될 수 있다.When the contact angle of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 to pure water is less than 100 degrees, the hydrophobicity of the first surface layer 110 and the second surface layer 120 decreases, The detergency of the contaminated material may be lowered. In addition, when the organic material is deposited using the metal plate, the contaminated material may remain on the through-hole of the metal plate, so that the size of the pattern constituting the pixel can be reduced. As a result, the process efficiency may be lowered, and the life of the vapor deposition mask may be reduced.

여기에서, 접촉각은 상기 금속판이 고정된 상태에서 측정된 정접촉각(Static method)일 수 있다. 금속층 상에 표면층이 배치된 금속판 상에 순수를 점적한 후, 액적의 표면층에 대한 접촉점에서의 접선이 표면층과 이루는 각도 중, 액적을 포함한 쪽의 각도를 의미할 수 있다.Here, the contact angle may be a static method measured in a state where the metal plate is fixed. It may mean an angle including a droplet among the angle formed by the tangential line at the contact point with the surface layer of the droplet with the surface layer after the pure water is dropped on the metal plate having the surface layer disposed on the metal layer.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 나노 크기의 돌기를 포함할 수 있다. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include nano-sized protrusions.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 1㎛ 이하의 높이, 즉 길이를 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 100㎚ 이하의 높이를 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 50㎚ 이하의 높이를 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 30㎚ 이하의 높이를 가지는 돌기를 포함할 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a height of 1 mu m or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a height of 100 nm or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a height of 50 nm or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a height of 30 nm or less.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 1㎛ 이하의 폭을 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 100㎚ 이하의 폭을 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 50㎚ 이하의 폭을 가지는 돌기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 30㎚ 이하의 폭을 가지는 돌기를 포함할 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a width of 1 mu m or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a width of 100 nm or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a width of 50 nm or less. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 may include protrusions having a width of 30 nm or less.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 플라즈마를 통한 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 표면층이 가지는 돌기의 크기, 즉 높이와 폭은 플라즈마 가스의 종류, 반응시간에 따라 변형될 수 있다. 따라서, 상기 범위에 제한되지 않고, 다양한 크기를 가질 수 있음은 물론이다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may be formed through a plasma etching process. For example, the size, i.e., height and width, of the protrusions of the surface layer can be changed according to the type of the plasma gas and the reaction time. Therefore, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-mentioned range, but may have various sizes.

또한, 표면층이 돌기를 포함하게 하기 위한 공정은 플라즈마 공정에 제한되지 않고, 다양한 표면 처리 방법, 예를 들어 식각 공정 등에 의하여 형성될 수 있음은 물론이다.Further, it is needless to say that the process for causing the surface layer to include projections is not limited to the plasma process, but can be formed by various surface treatment methods, such as an etching process.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 나노 크기의 돌기를 포함함에 따라, 연잎 효과(Lotus effect)에 의하여 금속판에 오염 물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 금속판이 OLED 패널에 사용되는 경우에, 관통홀에 유기 증착 물질이 부착되는 것을 방지함으로써, 패턴의 균일성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 실시예에 따른 금속판을 통한 패턴의 증착 회수를 증가시킬 수 있음에 따라, 공정 효율성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 금속판은 표면 상에 나노 크기의 돌기를 포함하므로, 오염 물질의 세정력이 향상될 수 있어, 금속판의 수명이 향상될 수 있다. As the first surface layer 110 and the second surface layer 120 include nano-sized protrusions, contaminants may be prevented from adhering to the metal plate due to the Lotus effect. For example, when the metal plate according to the embodiment is used in an OLED panel, it is possible to prevent the organic deposition material from adhering to the through hole, thereby improving the uniformity of the pattern, Since the number of times of deposition of the pattern can be increased, the process efficiency can be improved. In addition, since the metal plate according to the embodiment includes nano-sized protrusions on the surface, the detergency of the contaminants can be improved, and the service life of the metal plate can be improved.

또한, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 나노 크기의 돌기를 포함함에 따라, 포토레지스트층과의 접촉 면적이 증가할 수 있어, 포토레지스트층의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 식각 공정에서 포토레지스트층의 탈막 또는 분리를 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 표면층은 상기 포토레지스트층과의 밀착력이 클 수 있도록 표면 에너지가 제어될 수 있어, 상기 금속층과 상기 포토레지스트층 간의 밀착력보다 상기 표면층과 상기 포토레지스트층 간의 밀착력이 클 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 금속판은 복수 개의 관통홀의 제조 수율 및 공정 효율이 향상될 수 있다. In addition, since the first surface layer 110 and the second surface layer 120 include nano-sized protrusions, the contact area with the photoresist layer can be increased, and the adhesion of the photoresist layer can be improved . Thus, it is possible to prevent the photoresist layer from being separated or separated in the etching process. For example, the surface energy can be controlled so that the surface layer has a strong adhesion with the photoresist layer, so that the adhesion between the surface layer and the photoresist layer can be greater than the adhesion between the metal layer and the photoresist layer. Accordingly, the metal plate according to the embodiment can improve the production yield and process efficiency of a plurality of through holes.

상기 금속판(100)은 관통홀의 두께 방향에 따라, 서로 다른 관통홀의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면공(V1)의 폭(W1)은 상기 연결부(CA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 면공(V1)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 면공(V1)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다.The metal plate 100 may have different through-hole widths along the thickness direction of the through-holes. For example, the width W1 of the first face hole V1 may be greater than the width W3 of the connecting portion CA. In detail, the width of the through hole may be reduced toward the connection portion CA from the first surface 101 of the first face hole V1. More specifically, the width of the through hole may gradually decrease from the first surface 101 toward the connecting portion CA as the first face hole V1.

예를 들어, 상기 제 2 면공(V2)의 폭(W2)은 상기 연결부(CA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다. For example, the width W2 of the second face hole V2 may be greater than the width W3 of the connecting portion CA. In detail, the width of the through hole may be reduced from the second surface 102 toward the connection portion CA as the second face hole V2. More specifically, the width of the through hole may gradually decrease from the second surface 102 toward the connecting portion CA as the second face hole V2.

상기 제 2 면공(V2)의 높이(H2)는 상기 제 1 면공(V1)의 높이(H1)보다 클 수 있다. The height H2 of the second face hole V2 may be greater than the height H1 of the first face hole V1.

한편, 상기 제 1 면공(V1) 과 인접하여, 상기 제 1 면(101) 상에 형성되는 제 3 면공(V3)은 상기 제 2 면공(V1)과 인접하여, 상기 제 2 면(102) 상에 형성되는 제 4 면공(V4)과 상기 연결부(CA)를 통하여 연통함에 따라, 관통홀을 형성할 수 있다. The third face hole V3 formed on the first face 101 adjacent to the first face hole V1 is adjacent to the second face hole V1 and is formed on the second face 102 The through hole may be formed by communicating with the fourth face hole V4 formed in the first through hole V4 and the connecting portion CA.

상기 제 4 관통공(V4)의 폭(W5)은 상기 제 3 관통공(V3)의 폭(W4)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 관통공(V3)의 폭(W4)은 상기 연결부(CA)의 폭(W6)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 면공(V3)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 면공(V3)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다. The width W5 of the fourth through hole V4 may be larger than the width W4 of the third through hole V3. For example, the width W4 of the third through-hole V3 may be greater than the width W6 of the connecting portion CA. In detail, the width of the third through hole V3 may be reduced from the first surface 101 toward the connection portion CA. In detail, the width of the third through hole V3 may gradually decrease from the first surface 101 toward the connection portion CA.

예를 들어, 상기 제 4 면공(V4)의 폭(W5)은 상기 연결부(CA)의 폭(W6)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 4 면공(V4)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 4 면공(V4)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다. For example, the width W5 of the fourth face opening V4 may be greater than the width W6 of the connecting portion CA. In detail, the width of the through hole may be reduced toward the connection portion (CA) from the second surface (102) of the fourth surface (V4). More specifically, the width of the through hole may gradually decrease from the second surface 102 toward the connecting portion CA as the fourth surface hole V4.

상기 제 4 면공(V4)의 높이(H4)는 상기 제 3 면공(V3)의 높이(H3)보다 클 수 있다. The height H4 of the fourth face hole V4 may be greater than the height H3 of the third face hole V3.

상기 제 1 표면층(110)의 식각 속도는 상기 금속층(100a)의 식각 속도보다 느릴 수 있다. 상기 제 2 표면층(120)의 식각 속도는 상기 금속층(100a)의 식각 속도보다 느릴 수 있다. The etch rate of the first surface layer 110 may be slower than the etch rate of the metal layer 100a. The etch rate of the second surface layer 120 may be slower than the etch rate of the metal layer 100a.

금속층(100a)만으로 제조된 증착용 마스크는 식각액과 접촉하는 금속층(100a)의 제 1 면(101) 및 제 2 면(102)의 식각 속도가 빠름에 따라, 상기 제 1 면(101) 및 상기 제 2 면(102)에서의 형성되는 관통홈의 폭이 커질 수 있다. 이에 따라, 미세한 패턴을 가지는 관통홈의 형성이 어렵고, 제조 수율이 저하될 수 있다. 또한, 복수 개의 관통홀의 균일성이 저하될 수 있다. 따라서, 이를 통해 제조되는 OLED 패널은 패턴의 증착 효율이 낮고, 패턴의 증착 균일성이 저하될 수 있다.The deposition mask made of only the metal layer 100a is formed on the first surface 101 and the second surface 102 as the etching speed of the first surface 101 and the second surface 102 of the metal layer 100a, The width of the through-hole formed in the second surface 102 can be increased. As a result, it is difficult to form a through-hole having a fine pattern, and the yield of production may be lowered. In addition, uniformity of the plurality of through holes may be reduced. Therefore, the OLED panel manufactured through the method may have a low deposition efficiency of the pattern, and the uniformity of the deposition of the pattern may be reduced.

상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 상기 금속층(100a)의 식각 속도보다 느릴 수 있어, 미세한 관통홀을 형성할 수 있다.The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may be slower than the etch rate of the metal layer 100a, thereby forming a fine through-hole.

예를 들어, 실시예에 따른 금속판은 상기 금속층(100a) 상에 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)이 배치됨에 따라, 상기 제 1 면공(V1)의 폭(W1)과 상기 제 3 관통공(V3)의 폭(W4)이 대응되고, 상기 제 2 면공(V2)의 폭(W2)과 상기 제 4 관통공(V4)의 폭(W5)이 대응될 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 금속판은 상기 금속층(100a) 상에 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)이 배치됨에 따라, 상기 제 1 면공(V1)의 높이(H1)와 상기 제 3 면공(V3)의 높이(H3)가 대응되고, 상기 제 2 면공(V2)의 높이(H2)와 상기 제 4 면공(V4)의 높이(H4)가 대응될 수 있다. 즉, 복수 개의 관통홀들의 폭과 높이의 균일성이 향상될 수 있다.For example, in the metal plate according to the embodiment, as the first surface layer 110 and the second surface layer 120 are disposed on the metal layer 100a, the width W1 of the first face hole V1, The width W4 of the third through hole V3 corresponds to the width W2 of the second through hole V2 and the width W5 of the fourth through hole V4. For example, in the metal plate according to the embodiment, as the first surface layer 110 and the second surface layer 120 are disposed on the metal layer 100a, the height H1 of the first face hole V1 and the height The height H3 of the third face hole V3 corresponds to the height H2 of the second face hole V2 and the height H4 of the fourth face hole V4 corresponds to the height H3 of the third face hole V3. That is, the uniformity of the width and height of the plurality of through holes can be improved.

즉, 실시예에 따른 금속판은 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)이 배치되는 영역에서 식각 속도가 느릴 수 있어, 관공홀의 폭이 작으면서 깊은 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 이에 따라, 금속 표면에서 빠른 식각에 의하여 발생할 수 있는 포토레지스트층의 탈막 현상을 방지할 수 있다. That is, the metal plate according to the embodiment may have a slow etch rate in a region where the first surface layer 110 and the second surface layer 120 are disposed, so that the width of the hole may be small and the thickness may be deep . This makes it possible to prevent the phenomenon of the removal of the photoresist layer from being caused by the rapid etching on the metal surface.

또한, 실시예에 따른 증착용 마스크 제작에 사용되는 금속판은 표면에서의 식각 속도를 제어할 수 있어, 미세한 패턴을 가지는 관통홈의 제조 수율이 향상될 수 있고, 복수 개의 관통홀의 균일성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 이러한 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 패턴의 증착 효율이 우수하고, 증착 균일성이 향상될 수 있다. In addition, the metal plate used in the manufacturing of the vapor deposition mask according to the embodiment can control the etching speed at the surface, the yield of manufacturing the through-hole having a fine pattern can be improved, and the uniformity of the plurality of through holes can be improved . Accordingly, the OLED panel manufactured using such a deposition mask has excellent pattern deposition efficiency and can improve the deposition uniformity.

실시예에 따른 증착용 마스크의 제작에 사용되는 금속판은 식각 팩터가 2.0 이상일 수 있다. The metal plate used for manufacturing the vapor deposition mask according to the embodiment may have an etching factor of 2.0 or more.

이에 따라, 실시예에 따른 금속판은 관통홀의 식각 특성이 우수할 수 있어, 포토레지스트층의 들뜸 또는 분리에 의한 제조 수율 저하를 방지할 수 있다.Accordingly, the metal plate according to the embodiment can have excellent etching properties of the through-holes, and can prevent a decrease in the production yield due to lifting or separation of the photoresist layer.

예를 들어, 상기 식각 팩터는 하기 식 1에 의하여 계산될 수 있다. For example, the etch factor can be calculated by the following equation (1).

<식 1><Formula 1>

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식에서, 상기 B는 식각된 후의 관통홀의 폭이고, 상기 A는 포토레지스트층의 폭이고, 상기 C는 관통홀의 깊이를 의미한다.Where B is the width of the through hole after being etched, A is the width of the photoresist layer, and C is the depth of the through hole.

상기 식각 팩터가 클수록, 금속층의 두께방향, 즉, 관통홀의 깊이 방향으로 식각 특성이 우수한 것을 의미할 수 있다. The larger the etching factor, the better the etching property in the thickness direction of the metal layer, that is, the depth direction of the through hole.

상기 식각 팩터가 작을수록, 관통홀의 폭이 커지는 것을 의미할 수 있다. 즉, 상기 식각 팩터가 작을수록 관통홀의 폭이 커짐에 따라, 포토레지스트층이 들뜨거나, 분리되는 현상이 발생할 수 있다.The smaller the etch factor, the larger the width of the through-hole. That is, as the etch factor becomes smaller, the width of the through-hole increases, so that the photoresist layer may be lifted or separated.

상기 관통홀의 폭은 10㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀의 폭은 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면공의 폭(W1) 및 상기 제 2 면공의 폭(W2) 중 적어도 하나는 10㎛ 이하의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면공의 폭(W1) 및 상기 제 2 면공의 폭(W2) 중 적어도 하나는 1㎛ 내지 10㎛의 폭을 가질 수 있다.The width of the through-hole may be 10 탆 or less. For example, the width of the through-hole may be 1 탆 to 10 탆. For example, at least one of the width W1 of the first face hole and the width W2 of the second face hole may have a width of 10 mu m or less. For example, at least one of the width W1 of the first face hole and the width W2 of the second face hole may have a width of 1 mu m to 10 mu m.

상기 관통홀의 폭이 10㎛ 이하로 제조됨에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 10㎛ 이하의 패턴을 포함할 수 있어, 고해상도를 가질 수 있다. As the width of the through-hole is made 10 μm or less, the OLED panel made of the evaporation mask according to the embodiment can include a pattern of 10 μm or less and can have a high resolution.

도 6 내지 도 10을 참조하여, 실시예에 따른 금속판의 제조 공정을 설명한다.6 to 10, a manufacturing process of the metal plate according to the embodiment will be described.

도 6을 참조하면, 상기 금속층(100a)은 50㎛이하의 두께(T1)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)은 30㎛이하의 두께(T1)를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 금속층(100a)의 두께는 압연공정 후에 측정된 두께일 수 있다. Referring to FIG. 6, the metal layer 100a may have a thickness T1 of 50 m or less. For example, the metal layer 100a may have a thickness T1 of 30 mu m or less. Here, the thickness of the metal layer 100a may be a thickness measured after the rolling process.

도 7을 참조하면, 상기 금속층(100a) 상에 표면층을 형성할 수 있다. 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 상에 상기 제 1 표면층(110)이 형성되고, 상기 금속층(100a)의 제 2 면(102) 상에 상기 제 2 표면층(120)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, a surface layer may be formed on the metal layer 100a. The first surface layer 110 may be formed on the first surface 101 of the metal layer 100a and the second surface layer 120 may be formed on the second surface 102 of the metal layer 100a. have.

상기 표면층은 건식 표면 처리 또는 습식 표면 처리에 의하여 형성될 수 있다. 실시예에 따른 금속판은 세정력을 향상시키기 위해서, 금속층 상에 순수에 대한 접촉각이 40도 이하인 친수성 표면층 또는 순수에 대한 접촉각이 100도 이상인 소수성 표면층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판 상에 증착 물질이 부착 또는 잔류됨을 감소시킬 수 있어, 증착용 마스크의 세정력을 향상시킬 수 있고, 수명을 증가시킬 수 있다. The surface layer may be formed by a dry surface treatment or a wet surface treatment. The metal plate according to the embodiment may form a hydrophilic surface layer having a contact angle with pure water of 40 degrees or less on the metal layer or a hydrophobic surface layer having a contact angle of 100 degrees or more with respect to pure water. Accordingly, the adhesion or deposition of the evaporation material on the metal plate can be reduced, and the cleaning ability of the evaporation mask can be improved and the lifetime can be increased.

상기 건식 표면 처리는 압력 가스(pressure gas)가 들어가는 모든 플라즈마 처리된 재료가 포함될 수 있다. The dry surface treatment may include any plasma treated material into which a pressure gas is introduced.

예를 들어, 상기 금속층(100a)은 플라즈마 처리됨에 따라, 상기 금속층(100a) 상에 표면층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(100a)은 플라즈마 처리에 의하여 표면층이 친수성 작용기 또는 소수성 작용기를 가질 수 있게 할 수 있다. 또한, 상기 금속층(100a)은 플라즈마 처리에 의하여 표면을 식각함으로써 표면의 조도를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 포토레지스트층과의 접촉 면적을 넓힐 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 활성 가스 및/또는 비활성 가스를 사용할 수 있다. 자세하게, 상기 플라즈마 처리는 He, Ar, CF4, C2F6, H2, N2, NH3, O2, H2 및 N2 중 적어도 하나 이상의 플라즈마 가스를 사용할 수 있다. For example, the metal layer 100a may be plasma-treated to form a surface layer on the metal layer 100a. For example, the metal layer 100a may allow the surface layer to have a hydrophilic functional group or a hydrophobic functional group by a plasma treatment. In addition, the surface of the metal layer 100a can be etched by plasma treatment to increase the surface roughness, thereby enlarging the contact area with the photoresist layer. The plasma treatment may use an active gas and / or an inert gas. In detail, the plasma treatment may use at least one plasma gas selected from He, Ar, CF 4 , C 2 F 6 , H 2 , N 2 , NH 3 , O 2 , H 2 and N 2 .

더 자세하게, 표면층의 표면 에너지를 향상시키기 위한 친수성 작용기를 형성하기 위해서는 산소 플라즈마를 사용할 수 있으나, 질소 및 수소의 혼합가스를 사용한 플라즈마, 암모니아 플라즈마의 경우에도 표면에서의 라디칼 들이 공기 중의 산소와 반응하여 극성 그룹을 형성할 수 있으므로, 산소 플라즈마에 제한되지 않을 수 있음은 물론이다.More specifically, oxygen plasma can be used to form a hydrophilic functional group for improving the surface energy of the surface layer. However, even in the case of plasma or ammonia plasma using a mixed gas of nitrogen and hydrogen, radicals on the surface react with oxygen in the air It is needless to say that it is not limited to the oxygen plasma since it can form the polar group.

한편, 표면층의 표면 에너지를 저하시키기 위한 소수성 작용기를 형성하기 위해서는 플루오르 플라즈마를 사용할 수 있으나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 다양한 방법을 사용할 수 있음은 물론이다.On the other hand, in order to form a hydrophobic functional group for lowering the surface energy of the surface layer, a fluorine plasma can be used. However, the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 금속층(100a)은 열처리됨에 따라, 상기 금속층(100a) 상에 표면층을 형성할 수 있다. 자세하게, 상기 금속층(100a)은 산소 분위기 하에서 열처리 함에 따라, 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 상에 상기 제 1 표면층(110)이 형성되고, 상기 금속층(100a)의 제 2 면(102) 상에 상기 제 2 표면층(120)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 상기 열처리 공정에 의하여, 동시에 형성될 수 있어, 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120)은 서로 대응되는 두께로 상기 금속층(100a) 상에 배치될 수 있어, 상기 금속층(100a)의 제 1 면(101) 및 제 2 면(102)의 식각 속도를 모두 저하시킬 수 있다. For example, as the metal layer 100a is heat-treated, a surface layer may be formed on the metal layer 100a. The first surface layer 110 is formed on the first surface 101 of the metal layer 100a and the second surface 110a of the metal layer 100a is formed by heat treatment in the oxygen atmosphere. 102 may be formed on the second surface layer 120. For example, the first surface layer 110 and the second surface layer 120 can be simultaneously formed by the heat treatment process, thereby improving the process efficiency. The first surface layer 110 and the second surface layer 120 may be disposed on the metal layer 100a with a thickness corresponding to the first surface 101 and the second surface layer 120 of the metal layer 100a, The etching speed of the surface 102 can be lowered.

상기 습식 표면 처리는 알칼리 및 산 중 적어도 하나를 포함하는 조성물로 처리된 것일 수 있다. The wet surface treatment may be treated with a composition comprising at least one of an alkali and an acid.

예를 들어, 상기 표면층은 아노다이징 등을 비롯한 다양한 방법으로 형성될 수 있다.For example, the surface layer may be formed by various methods including anodizing.

다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 표면층은 다양한 건식 또는 습식 표면처리로 형성될 수 있음은 물론이다.However, the embodiment is not limited thereto, and it goes without saying that the surface layer can be formed by various dry or wet surface treatments.

도 8을 참조하면, 상기 제 1 표면층(110) 상에 제 1 포토레지스트층(P1)을 배치하고, 상기 제 2 표면층(120) 상에 제 2 포토레지스트층(P2)를 배치할 수 있다. Referring to FIG. 8, a first photoresist layer P1 may be disposed on the first surface layer 110, and a second photoresist layer P2 may be disposed on the second surface layer 120. Referring to FIG.

자세하게, 상기 제 1 표면층(110) 및 상기 제 2 표면층(120) 상에 각각 포토레지스트 물질을 도포하고, 노광 및 현상 공정에 의하여 상기 제 1 포토레지스트층(P1), 및 상기 제 2 포토레지스트층(P2)를 각각 배치할 수 있다. A photoresist material is coated on the first surface layer 110 and the second surface layer 120 in detail and the first photoresist layer P1 and the second photoresist layer 120 are exposed and developed, (P2), respectively.

상기 제 1 포토레지스트층(P1) 및 상기 제 2 포토레지스트층(P2)을 오픈 영역의 폭이 다르도록 배치됨에 따라, 상기 제 1 면(101) 상에 형성되는 상기 제 1 면공(V1)과 상기 제 2 면(102) 상에 형성되는 상기 제 2 면공(V2)의 폭이 다를 수 있다. The first photoresist layer P1 and the second photoresist layer P2 are arranged so that the widths of the open regions are different from each other and the first face holes V1 formed on the first face 101 The width of the second face hole (V2) formed on the second face (102) may be different.

이때, 상기 제 1 포토레지스트층(P1) 및 상기 제 2 포토레지스트층(P2)은 액상 포토레지스트로 형성된 층일 수 있다. 이에 따라, 고해상도의 미세 패턴을 형성할 수 있다.At this time, the first photoresist layer P1 and the second photoresist layer P2 may be layers formed of a liquid photoresist. Thus, a high-resolution fine pattern can be formed.

도 9를 참조하면, 식각 공정에 의하여 상기 제 1 면공(V1) 및 상기 제 2 면공(V2)이 형성되고, 상기 연결부(CA)에 의하여 상기 제 1 면공(V1) 및 상기 제 2 면공(V2)이 연통됨에 따라 관통홀이 형성될 수 있다. 9, the first face hole V1 and the second face hole V2 are formed by an etching process, and the first face hole V1 and the second face hole V2 The through holes may be formed.

예를 들어, 상기 식각 공정은 습식 식각 공정에 의하여 진행될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면(101) 및 상기 제 2 면(102)이 동시에 식각될 수 있다. For example, the etching process may be performed by a wet etching process. Accordingly, the first surface 101 and the second surface 102 can be simultaneously etched.

도 10을 참조하면, 상기 제 1 포토레지스트층(P1), 및 상기 제 2 포토레지스트층(P2)를 제거함에 따라, 상기 금속층(100a) 상에 제 1 표면층(110) 및 제 2 표면층(120)이 배치되고, 복수 개의 관통홀을 가지는 금속판을 형성할 수 있다. 10, a first surface layer 110 and a second surface layer 120 (not shown) are formed on the metal layer 100a by removing the first photoresist layer P1 and the second photoresist layer P2, ), And a metal plate having a plurality of through holes can be formed.

금속판 상에 표면층이 배치된 후에 관통홀이 형성되므로, 복수 개의 관통홀과 대응되는 영역에는 상기 표면층이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 관통홀과 대응되는 영역에서 상기 표면층은 오픈될 수 있다.Since the through hole is formed after the surface layer is disposed on the metal plate, the surface layer may not be disposed in a region corresponding to the plurality of through holes. That is, the surface layer can be opened in a region corresponding to the through hole.

도 11를 참조하면, 실시예에 따른 금속판이 2.0 초과의 식각 팩터를 가질 때의 식각 공정에서의 단면도이다. 즉, 식각 팩터가 2.0을 초과함에 따라, 관통홀의 폭이 작고, 깊이 방향으로 식각 특성이 우수한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트층의 변형을 방지할 수 있다. 11 is a cross-sectional view of an etching process when a metal plate according to an embodiment has an etching factor of more than 2.0. That is, as the etching factor exceeds 2.0, it is found that the width of the through hole is small and the etching property is excellent in the depth direction. Thus, deformation of the photoresist layer can be prevented.

도 12를 참조하면, 실시예에 따른 금속판이 2.0의 식각 팩터를 가질 때의 식각 공정에서의 단면도이다. 즉, 식각 팩터가 2.0임에 따라, 관통홀의 폭이 작고, 깊이 방향으로 식각 특성이 우수한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트층의 변형을 방지할 수 있다. 12 is a cross-sectional view of a metal plate according to an embodiment having an etch factor of 2.0 in an etching process. That is, it can be seen that the width of the through-hole is small and the etching property is excellent in the depth direction as the etching factor is 2.0. Thus, deformation of the photoresist layer can be prevented.

또한, 실시예에 따른 금속판이 2.0 이상의 식각 팩터를 가질 때, 실시예에 따른 금속판을 통해 형성될 수 있는 패턴은 폭이 10㎛ 이하인 미세 패턴의 구현이 가능할 수 있다.In addition, when the metal plate according to the embodiment has an etching factor of 2.0 or more, the pattern that can be formed through the metal plate according to the embodiment may be capable of realizing a fine pattern having a width of 10 탆 or less.

도 13를 참조하면, 비교예에 따른 금속판이 2.0 미만의 식각 팩터를 가질 때의 식각 공정에서의 단면도이다. 즉, 식각 팩터가 2.0 미만임에 따라, 관통홀 간의 중첩이 발생할 수 있고, 이에 따라, 포토레지스트층의 탈막 현상이 발생할 수 있다. 또한, 식각 팩터가 2.0 미만인 경우에는, 관통홀의 제조 수율 및 공정 효율이 저하되는 것을 알 수 있다. 13 is a cross-sectional view of an etching process when a metal plate according to a comparative example has an etching factor of less than 2.0. That is, when the etch factor is less than 2.0, overlapping between the through holes may occur, thereby causing a phenomenon of desorption of the photoresist layer. In addition, when the etching factor is less than 2.0, it can be seen that the production yield of the through holes and the process efficiency are lowered.

이하, 실시예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. These embodiments are merely illustrative of the present invention in order to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these embodiments.

<실험예: 접촉각 평가><Experimental Example: Evaluation of Contact Angle>

비교예Comparative Example 1 One

인바 금속층 상에 순수를 점적한 후, 접촉각을 측정하였다. 이때, 접촉각은 약 70도였다.After the pure water was dropped on the invar metal layer, the contact angle was measured. At this time, the contact angle was about 70 degrees.

실시예Example 1 One

인바 금속층 상에 산소를 가지는 표면층을 배치하였다.A surface layer having oxygen on the invar metal layer was disposed.

이후, 표면층 상에 순수를 점적한 후, 접촉각을 측정하였다. 이때, 접촉각은 약 40도 이하였다. 자세하게, 접촉각은 약 30도 였다. Thereafter, pure water was dropped on the surface layer, and then the contact angle was measured. At this time, the contact angle was about 40 degrees or less. In detail, the contact angle was about 30 degrees.

실시예Example 2 2

인바 금속층 상에 나노 크기의 돌기를 가지는 표면층을 배치하였다.A surface layer having nanosized protrusions was disposed on the invar metal layer.

이후, 표면층 상에 순수를 점적한 후, 접촉각을 측정하였다. 이때, 접촉각은 약 100도 이상이였다. 자세하게, 접촉각은 약 110도 였다.Thereafter, pure water was dropped on the surface layer, and then the contact angle was measured. At this time, the contact angle was about 100 degrees or more. In detail, the contact angle was about 110 degrees.

실시예Example 3 3

인바 금속층 상에 소수성을 가지는 표면층을 배치하였다.A surface layer having hydrophobicity was disposed on the invar metal layer.

이후, 표면층 상에 순수를 점적한 후, 접촉각을 측정하였다. 이때, 접촉각은 약 100도 이상이였다. 자세하게, 접촉각은 약 120도 였다.Thereafter, pure water was dropped on the surface layer, and then the contact angle was measured. At this time, the contact angle was about 100 degrees or more. In detail, the contact angle was about 120 degrees.

실시예는 증착용 마스크의 제조 공정 중에 액상 포토레지스트층을 사용함에 있어, 액상 포토레지스트층과의 밀착력을 향상시키기 위한 표면층을 금속층 상에 배치하는 것이다.An embodiment is to dispose a surface layer on the metal layer for improving the adhesion with the liquid photoresist layer in using the liquid photoresist layer during the manufacturing process of the vapor deposition mask.

즉, 액상 포토레지스트층은 다양한 물성적 특성을 가질 수 있으므로, 상기 액상 포토레지스트층과의 밀착력이 향상될 수 있는, 친수성 또는 소수성 작용기를 가지는 표면층을 상기 금속층 상에 배치함에 따라, 미세한 크기의 관통홀을 균일하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 10㎛이하의 패턴을 가지는 고해상도의 OLED 패널을 형성할 수 있다.That is, since the liquid photoresist layer can have various physical properties, a surface layer having a hydrophilic or hydrophobic functional group capable of improving adhesion with the liquid photoresist layer is disposed on the metal layer, Holes can be uniformly formed. Thus, a high-resolution OLED panel having a pattern of 10 mu m or less can be formed.

또한, 실시예에 따른 금속판은 표면층을 포함함에 따라, 세정력이 우수할 수 있고, 증착용 마스크의 수명이 증가할 수 있다. 또한, 실시예는 표면층에 의하여 금속판 상에 오염물질이 부착 또는 잔류되는 것을 감소시킬 수 있어, 하나의 금속판으로 증착 횟수가 증가될 수 있다. 따라서, 증착 공정에 사용되는 금속판의 교체 주기를 감소시킬 수 있어, 공정 효율이 증가될 수 있고, 공정 비용을 감소시킬 수 있다.Further, the metal plate according to the embodiment includes a surface layer, and therefore the cleaning force can be excellent, and the life of the vapor deposition mask can be increased. In addition, the embodiment can reduce the adhesion or residual of contaminants on the metal plate due to the surface layer, and the number of times of deposition can be increased to one metal plate. Therefore, the period of replacement of the metal plate used in the deposition process can be reduced, the process efficiency can be increased, and the process cost can be reduced.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (16)

증착용 마스크의 제작에 사용되는 금속판에 있어서,
금속층;
상기 금속층의 제 1 면 상에 배치되는 제 1 표면층; 및
상기 금속층의 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면 상에 배치되는 제 2 표면층을 포함하고,
상기 금속층은 상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층과 서로 다른 물질을 포함하고,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 서로 대응되는 물질을 포함하는 금속판.In the metal plate used for making the vapor deposition mask,
A metal layer;
A first surface layer disposed on a first surface of the metal layer; And
And a second surface layer disposed on a second surface opposite to the first surface of the metal layer,
Wherein the metal layer comprises a material different from the first surface layer and the second surface layer,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise materials corresponding to each other. 제 1항에 있어서,
상기 금속판의 두께는 10㎛ 내지 50㎛인 것을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal plate is 10 占 퐉 to 50 占 퐉. 제 1항에 있어서,
상기 금속층은 니켈 합금을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the metal layer comprises a nickel alloy. 제 1항에 있어서,
상기 금속층의 두께는 상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층의 두께보다 큰 것을 포함하는 금속판. The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal layer is larger than the thickness of the first surface layer and the second surface layer. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 나노 크기의 돌기를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise nano-sized protrusions. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 친수성 작용기를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise hydrophilic functional groups. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 소수성 작용기를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise hydrophobic functional groups. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층의 순수에 대한 접촉각은 40도 이하인 것을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the contact angle of the first surface layer and the second surface layer to pure water is 40 degrees or less. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층의 순수에 대한 접촉각은 100도 이상인 것을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the contact angle of the first surface layer and the second surface layer to pure water is 100 degrees or more. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 산소 원소를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise oxygen elements. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 질소 원소를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise a nitrogen element. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 플루오르 원소를 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise a fluorine element. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 표면층 및 상기 제 2 표면층은 이온을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the first surface layer and the second surface layer comprise ions. 제 1항에 있어서,
상기 금속판은 관통홀을 포함하고,
상기 관통홀의 폭은 10㎛ 이하인 것을 포함하는 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the metal plate includes a through hole,
And the width of the through hole is 10 占 퐉 or less. 제 14항에 있어서,
하기 식 1에 의하여 계산된 식각 팩터는 2.0 이상인 것을 포함하는 금속판.
<식 1>
Figure pat00002

상기 식에서, 상기 B는 식각된 관통홀의 폭이고,
상기 A는 포토레지스트층의 폭이고,
상기 C는 관통홀의 깊이를 의미한다.15. The method of claim 14,
Wherein the etch factor calculated by the following formula (1) is 2.0 or more.
<Formula 1>
Figure pat00002

Where B is the width of the etched through hole,
A is the width of the photoresist layer,
And C represents the depth of the through hole. 제 1항에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널.
An OLED panel fabricated with the mask for vapor deposition according to claim 1.
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