KR20170094040A - Deposition rate monitoring apparatus and deposition rate monitoring method using the same - Google Patents

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KR20170094040A
KR20170094040A KR1020160014994A KR20160014994A KR20170094040A KR 20170094040 A KR20170094040 A KR 20170094040A KR 1020160014994 A KR1020160014994 A KR 1020160014994A KR 20160014994 A KR20160014994 A KR 20160014994A KR 20170094040 A KR20170094040 A KR 20170094040A
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, disclosed is a deposition rate monitoring device which comprises: a light emitting unit configured to irradiate excitation light to a deposition material erupted through a nozzle of a deposition source; a light receiving unit configured to receive light of the deposition material, which becomes fluorescent by the excitation light; and a measurement spot control apparatus configured to vary light irradiation and a measurement spot, which is a target for receiving light.

Description

증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법 {Deposition rate monitoring apparatus and deposition rate monitoring method using the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a deposition rate monitoring apparatus and a deposition rate monitoring method using the deposition rate monitoring apparatus.

본 발명의 실시예들은 증착 장치에서 증착이 진행되고 있는 동안 증착률을 실시간으로 감시할 수 있는 증착률 모니터링 장치 및 그것을 이용한 증착률 모니터링 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a deposition rate monitoring apparatus capable of monitoring the deposition rate in real time during deposition in a deposition apparatus and a deposition rate monitoring method using the same.

예컨대 유기 발광 디스플레이 장치의 유기막 형성과 같은 박막 제조 공정에는 증착원의 증기를 발생시켜서 기판 표면에 달라붙게 하여 박막을 형성하는 증착 공정이 많이 이용된다. 즉, 기판 위에 마스크를 대고, 상기 증착원의 노즐을 통해 분출된 증기를 그 마스크의 개구로 통과시켜서 원하는 패턴의 박막이 기판 상에 형성되게 하는 것이다. 그리고, 상기와 같은 유기 발광 디스플레이 장치의 특성은 증착된 박막의 두께가 원하는 규격대로 얼마나 정밀하게 형성되었는지에 상당 부분 의존하기 때문에, 우수한 품질의 유기 발광 디스플레이 장치를 제작하기 위해서는 박막의 증착률을 실시간으로 모니터링하는 작업이 필요하다.For example, in a thin film manufacturing process such as an organic film formation of an organic light emitting display device, a vapor deposition process is frequently used in which a vapor of an evaporation source is generated to adhere to a substrate surface to form a thin film. That is, the mask is placed on the substrate, and the vapor ejected through the nozzle of the evaporation source is passed through the opening of the mask so that a thin film of a desired pattern is formed on the substrate. Since the thickness of the deposited thin film depends to a great extent on how precisely the thickness of the deposited thin film is formed according to a desired standard, the deposition rate of the thin film is set in real time As shown in Fig.

그런데, 종래의 증착률 모니터링 장치에서는 증착원의 증기가 분출되는 다수의 노즐 중 어느 하나에 대해서만 증착률을 측정하여 전체의 증착률로 고려하기 때문에, 증착원의 노즐 상황에 따라 오차가 발생할 가능성이 매우 높다. 그렇다고 해서 이를 해결하기 위해 각 노즐마다 모니터링 장치를 배치하면 증착 장치가 너무 커지고 비용 부담도 심해지는 문제가 생긴다. However, in the conventional deposition rate monitoring apparatus, since the deposition rate is measured only for one of the plurality of nozzles from which the vapor of the vapor source is ejected, the deposition rate is considered as the total deposition rate. Therefore, Very high. However, in order to solve this problem, if a monitoring device is arranged for each nozzle, the deposition apparatus becomes too large and the cost burden becomes serious.

본 발명의 실시예들은 증착원의 여러 노즐에 대한 증착률 모니터링을 작은 공간 내에서 효율적으로 수행할 수 있도록 개선된 증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an improved deposition rate monitoring apparatus and a deposition rate monitoring method using the apparatus, which can efficiently perform deposition rate monitoring on various nozzles of an evaporation source in a small space.

본 발명의 일 실시예는 증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 여기광을 조사하는 발광부와, 상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광하는 수광부와, 상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 측정지점조절기구를 포함하는 증착률 모니터링 장치를 개시한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an evaporation apparatus including a light emitting unit that emits excitation light to a deposition material ejected through a nozzle of an evaporation source, a light receiving unit that receives light of the evaporation material that has been fluoresced by the excitation light, And a measurement point adjusting mechanism for varying a measurement point to be a light-receiving target of the light-receiving unit.

상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며, 상기 측정지점조절기구는 상기 다수의 노즐에 대응하는 위치 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시킬 수 있다. The deposition source may include a plurality of nozzles, and the measurement point adjustment mechanism may vary the measurement point to any one of positions corresponding to the plurality of nozzles.

상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시킬 수 있다.The measurement point adjusting mechanism may include a rotating plate that rotatably supports the light emitting unit and the light receiving unit, and the rotating plate so that the measuring point changes.

상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며, 상기 외장케이스와 상기 광학계를 포함한 상기 발광부 및 상기 수광부 전체가 상기 회전판의 회전에 따라 움직일 수 있다. The light emitting unit and the light receiving unit may each include an external case and an optical system mounted therein. The light emitting unit and the light receiving unit including the external case and the optical system may be moved in accordance with the rotation of the rotating plate.

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치될 수 있다. The plurality of nozzles may be arranged in rows, and the light emitting unit and the light receiving unit may be disposed at one end of the nozzle array.

상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며, 상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부의 각 외장케이스 내에서 상기 각각의 광학계를 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함할 수 있다. Wherein the light emitting unit and the light receiving unit each include an external case and an optical system mounted therein, wherein the measurement point adjusting mechanism rotatably supports the respective optical systems in the external cases of the light emitting unit and the light receiving unit A rotating plate, and an actuator for rotating the rotating plate such that the measuring point is changed.

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치될 수 있다. The plurality of nozzles may be arranged in rows, and the light emitting unit and the light receiving unit may be disposed at one end of the nozzle array.

상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 왕복이동가능하게 지지하는 이동판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 이동판을 왕복이동시키는 액츄에이터를 포함할 수 있다. The measurement point adjusting mechanism may include a moving plate for supporting the light emitting portion and the light receiving portion so as to be reciprocally movable, and an actuator for reciprocating the moving plate so that the measuring point is changed.

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열을 따라 왕복이동할 수 있다. The plurality of nozzles may be arranged in rows, and the light emitting unit and the light receiving unit may reciprocate along the nozzle row.

상기 여기광은 자외선을 포함할 수 있다. The excitation light may include ultraviolet rays.

또한, 본 발명의 일 실시예는 증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 발광부로부터 여기광을 조사하는 단계와, 상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광부에서 수광하는 단계와, 상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법을 개시한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: irradiating excitation light from a light emitting portion to a deposition material ejected through a nozzle of an evaporation source; receiving light of the evaporation material fluoresced by the excitation light, And varying a measurement point of the light emitting portion and a light receiving portion of the light receiving portion.

상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계에서 상기 다수의 노즐에 대응하는 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시킬 수 있다. The evaporation source may include a plurality of nozzles, and the measuring point may be varied to any one of the plurality of nozzles in varying the measuring point.

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 전체를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함할 수 있다. Wherein the plurality of nozzles are arranged in rows, the light emitting portion and the light receiving portion are disposed at one end side of the nozzle row, and the step of varying the measurement point comprises rotating the light emitting portion and the light receiving portion as a whole, . ≪ / RTI >

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 각각의 외장케이스 안에 장착된 광학계를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함할 수 있다. Wherein the plurality of nozzles are arranged in rows and the light emitting portion and the light receiving portion are disposed at one end side of the nozzle row, and the step of varying the measurement point includes an optical system mounted in the case of the light emitting portion and the light receiving portion, And varying the measurement point by rotating the measurement point.

상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부 및 상기 수광부를 상기 노즐 열을 따라 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. The plurality of nozzles may be arranged in rows, and the step of varying the measurement point may include moving the light emitting unit and the light receiving unit along the nozzle array.

상기 여기광은 자외선을 포함할 수 있다. The excitation light may include ultraviolet rays.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features, and advantages will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법은 단일 모니터링 장치로 복수 노즐에 대한 증착률을 다 측정할 수 있게 해주므로, 이를 사용하면 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다. The deposition rate monitoring apparatus and the deposition rate monitoring method using the deposition rate monitoring apparatus according to the embodiments of the present invention can measure the deposition rates of a plurality of nozzles with a single monitoring apparatus, The real-time deposition rate through the nozzle can be efficiently monitored.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 관한 증착률 모니터링 장치가 구비된 증착 장치의 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치 구조를 도시한 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 평면도이다.
도 3c는 도 3a 및 도 3b에 도시된 발광부 및 수광부의 내부 구조를 개략적으로 보인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 증착 장치를 이용해서 증착을 진행할 수 있는 대상체의 예로서 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다. FIG. 1 and FIG. 2 are cross-sectional views schematically showing an example of a deposition apparatus having a deposition rate monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3A is a perspective view illustrating a structure of a deposition rate monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 3B is a plan view of FIG. 3A.
3C is a plan view schematically illustrating the internal structure of the light emitting unit and the light receiving unit shown in FIGS. 3A and 3B.
4 is a plan view showing a deposition rate monitoring apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing a deposition rate monitoring apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device as an example of a target object on which deposition can be performed using the deposition apparatus shown in FIGS. 1 and 2. FIG.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as inclusive or possessive are intended to mean that a feature, or element, described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. If certain embodiments are otherwise feasible, the particular process sequence may be performed differently from the sequence described. For example, two processes that are described in succession may be performed substantially concurrently, and may be performed in the reverse order of the order described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치가 구비된 증착 장치의 구조를 개략적으로 도시한 것이다. FIG. 1 schematically shows a structure of a deposition apparatus having a deposition rate monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도시된 바와 같이 상기 증착 장치는 증착 대상재인 기판(10) 상에 원하는 패턴을 형성하기 위한 마스크(20)와, 챔버(40) 내에서 상기 기판(10)을 향해 증착 물질(S)을 분출하는 증착원(30) 등을 구비하고 있다. As shown in the figure, the deposition apparatus includes a mask 20 for forming a desired pattern on a substrate 10 to be deposited, and a mask 20 for spraying the deposition material S toward the substrate 10 in the chamber 40 An evaporation source 30, and the like.

따라서, 증착원(30)에 구비된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37)로부터 증착 물질(S)이 분출되면 해당 증착 물질(S)이 마스크(20)에 형성된 개구를 통과하여 기판(10)에 증착되면서 소정 패턴의 박막을 형성하게 된다. Accordingly, when the deposition material S is ejected from the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 provided in the deposition source 30, the deposition material S is formed on the mask 20 And is deposited on the substrate 10 through the opening to form a thin film of a predetermined pattern.

그리고, 상기 증착원(30)의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치(100)가 상기 증착 물질(S)에 대해 광을 조사하고 다시 그로부터 빛을 수광하는 방식으로 증착률을 실시간으로 측정하게 된다. 이때, 이 증착률 모니터링 장치(100)는 증착원(30)에 구비된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 어느 하나의 노즐로부터 분출된 증착 물질(S)을 측정 대상으로 선택하여 증착률을 모니터링할 수 있다. 즉, 측정할 지점을 바꾸면서 모니터링할 수 있게 해주는 측정지점조절기구를 구비하고 있다. 이러한 증착률 모니터링 장치(100)의 자세한 구조는 뒤에서 설명하기로 한다.The deposition rate monitoring apparatus 100 disposed at one end of the deposition source 30 measures the deposition rate in real time by irradiating the deposition material S with light and receiving light therefrom . At this time, the deposition rate monitoring apparatus 100 monitors the deposition material S ejected from any one of the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 provided in the deposition source 30, Can be selected as a measurement object to monitor the deposition rate. That is, it has a measuring point adjusting mechanism that enables monitoring while changing a point to be measured. The detailed structure of the deposition rate monitoring apparatus 100 will be described later.

그리고, 상기 증착률 모니터링 장치(100)는 도 1과 같이 기판(10)이 마스크(20)와 밀착되어 고정된 상태로 증착을 진행하는 증착 장치에 사용될 수도 있지만, 도 2와 같이 기판(10)이 마스크(20)와 약간 이격된 채 화살표 A방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 일명 스몰 마스크 스캐닝(small mask scanning) 방식의 증착 장치에서도 사용될 수 있다. 즉, 증착 물질(S)에 대한 측정 지점을 가변시키면서 증착률을 모니터링하고자 하는 곳에는 다 사용될 수 있으며, 증착 방식에 제한되는 것은 아니다. 1, the deposition rate monitoring apparatus 100 may be used in a deposition apparatus in which a substrate 10 is closely adhered to a mask 20 to perform deposition. However, May be used in a so-called small mask scanning type deposition apparatus in which deposition is performed while moving in the direction of arrow A while being slightly spaced from the mask 20. That is, it can be used where the deposition rate is to be monitored while varying the measurement point for the deposition material (S), and is not limited to the deposition method.

그리고, 상기의 증착 장치로 예컨대 도 6에 예시한 바와 같은 유기 발광 표시 장치의 박막을 형성할 수 있다. Then, a thin film of the organic light emitting display device as shown in FIG. 6, for example, can be formed by the above vapor deposition apparatus.

도 6을 참조하여 유기 발광 표시 장치의 구조를 간략히 살펴보면, 기판(320)상에 버퍼층(330)이 형성되어 있고, 이 버퍼층(330) 상부로 TFT가 구비된다. 6, a structure of an organic light emitting display device is briefly described. A buffer layer 330 is formed on a substrate 320, and a TFT is provided on the buffer layer 330.

TFT는 활성층(331)과, 이 활성층(331)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(332)과, 게이트 절연막(332) 상부의 게이트 전극(333)을 갖는다. The TFT has an active layer 331, a gate insulating film 332 formed to cover the active layer 331, and a gate electrode 333 above the gate insulating film 332.

게이트 전극(333)을 덮도록 층간 절연막(334)이 형성되며, 층간 절연막(334)의 상부에 소스전극(335a) 및 드레인 전극(335b)이 형성된다. An interlayer insulating film 334 is formed so as to cover the gate electrode 333 and a source electrode 335a and a drain electrode 335b are formed on the interlayer insulating film 334. [

상기 소스전극(335a) 및 드레인 전극(335b)은 게이트 절연막(332) 및 층간 절연막(334)에 형성된 컨택홀에 의해 활성층(331)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접촉된다.The source electrode 335a and the drain electrode 335b are respectively in contact with the source region and the drain region of the active layer 331 by the contact holes formed in the gate insulating film 332 and the interlayer insulating film 334. [

그리고, 상기 드레인 전극(335b)에 유기 발광 소자(OLED)의 화소전극(321)이 연결된다. 화소전극(321)은 평탄화막(337) 상부에 형성되어 있으며, 이 화소전극(321)을 덮도록 화소정의막(Pixel defining layer: 338)이 형성된다. 그리고, 이 화소정의막(338)에 소정의 개구부를 형성한 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기막(326)이 형성되고, 이들 상부에 대향전극(327)이 형성된다.The pixel electrode 321 of the organic light emitting diode OLED is connected to the drain electrode 335b. The pixel electrode 321 is formed on the planarization layer 337 and a pixel defining layer 338 is formed to cover the pixel electrode 321. After a predetermined opening is formed in the pixel defining layer 338, the organic film 326 of the organic light emitting element OLED is formed, and the counter electrode 327 is formed on the organic film 326. [

이중에서, 예컨대 상기 유기 발광 소자(OLED)의 유기막(326)에 대응하도록 상기한 마스크(20)의 개구를 준비해서 증착을 진행하면, 원하는 패턴의 유기막(326)을 구현할 수 있다. 또는, 대향전극(327)의 경우에도 마찬가지로 그 패턴에 대응하도록 상기한 마스크(200)의 개구를 준비해서 사용하면,원하는 패턴의 박막을 형성할 수 있다.In this case, for example, the opening of the mask 20 is prepared so as to correspond to the organic film 326 of the organic light emitting device OLED, and the deposition is performed. Thus, the organic film 326 having a desired pattern can be realized. Alternatively, in the case of the counter electrode 327, a thin film having a desired pattern can be formed by preparing the mask 200 in an opening corresponding to the pattern.

이상은 상기한 증착 장치로 제조할 수 있는 대상체의 예를 간단히 설명한 것이고, 이제 상기 증착률 모니터링 장치(100)의 세부 구조를 설명하기로 한다.The above is a brief description of an object to be manufactured by the deposition apparatus, and the detailed structure of the deposition rate monitoring apparatus 100 will now be described.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치(100)의 구조를 도시한 것이다. FIGS. 3A to 3C show the structure of the deposition rate monitoring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 증착률 모니터링 장치(100)는 증착원(30)에 일렬로 배치된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 일단측에 배치되며, 여기광으로서 자외선(L1)을 증착 물질(S)에 조사하는 발광부(111)와, 그 증착 물질(S)로부터 빛(L2)을 수광하는 수광부(112), 그리고 이 발광부(111) 및 수광부(112)를 제어하는 컨트롤러(120) 등을 구비하고 있다. 즉, 발광부(111)에서 측정 지점의 증착 물질(S)에 자외선(L1)을 조사하면 증착 물질(S)이 여기되어 형광 특성을 띄게 되고, 이 형광된 빛(L2)을 수광부(112)에서 수광하여 컨트롤러(120)로 신호를 보내면, 컨트롤러(120)가 그로부터 증착률을 산출하게 된다. 이 산출값은 증착원(30)에 대한 피드백 신호로 사용될 수도 있고, 또는 작업자에게 실시간 상황을 표시해주는 형태로 사용될 수도 있다. 참조부호 110은 발광부(111) 및 수광부(112) 등을 지지하는 지지체를 나타낸다.3A and 3B, the deposition rate monitoring apparatus 100 includes a plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 arranged in a row on an evaporation source 30, And includes a light emitting portion 111 that emits ultraviolet rays L1 as an excitation light to the deposition material S, a light receiving portion 112 that receives light L2 from the deposition material S, A controller 120 for controlling the light receiving unit 111 and the light receiving unit 112, and the like. That is, when the ultraviolet ray L1 is irradiated on the deposition material S at the measurement point in the light emitting portion 111, the deposition material S is excited to exhibit the fluorescent characteristic, and the fluorescent light L2 is reflected by the light receiving portion 112, And sends a signal to the controller 120, the controller 120 calculates the deposition rate therefrom. This calculated value may be used as a feedback signal to the evaporation source 30, or may be used in a form in which a real time situation is displayed to an operator. Reference numeral 110 denotes a support for supporting the light emitting portion 111, the light receiving portion 112, and the like.

그리고, 본 실시예에서는 전술한 바와 같이 상기 발광부(111)와 수광부(112)의 측정 대상이 되는 포커스 지점 즉, 여러 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 측정 타겟이 되는 한 지점을 선택할 수 있도록 측정지점조절기구가 구비되어 있다. In this embodiment, as described above, the focus position of the measurement target of the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112, that is, the measurement target of the various nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, A measuring point adjusting mechanism is provided so that one point can be selected.

이 측정지점조절기구는 상기 발광부(111)와 수광부(112)의 위치를 가변시켜서 측정 지점을 원하는 위치로 바꿔주는 것으로, 상기 발광부(111)와 수광부(112) 각각을 지지하여 지지체(110)에 회전가능하게 설치된 회전판(113)(114)과, 각 회전판(113)(114)을 회전구동시키는 액츄에이터(115)(116)를 구비한다. 예를 들어, 액츄에이터(115)(116)와 회전판(113)(114)은 랙과 피니언 구조로 연결될 수 있다.The measurement point adjustment mechanism changes the position of the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112 to change the measurement point to a desired position and supports the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112, A rotating plate 113 and 114 that are rotatably mounted on the rotating plates 113 and 114 and actuators 115 and 116 that rotate the rotating plates 113 and 114. For example, the actuators 115 and 116 and the rotating plates 113 and 114 may be connected by a rack and pinion structure.

따라서, 액츄에이터(115)(116)가 회전판(113)(114)을 회전시키면, 도 3a 및 도 3b에 실선으로 도시된 바와 같이 증착률 모니터링 장치(100)에서 가장 멀리 있는 노즐(37)에서부터, 점선으로 도시된 바와 같이 가장 가까이 있는 노즐(31)까지 측정 지점을 원하는 대로 자유롭게 바꿀 수 있게 된다. Therefore, when the actuators 115 and 116 rotate the rotary plates 113 and 114, as shown by the solid line in FIGS. 3A and 3B, from the nozzle 37 farthest from the deposition rate monitoring apparatus 100, The measuring point can be freely changed as desired up to the nearest nozzle 31 as shown by the dotted line.

예를 들어, 증착률 모니터링 장치(100)에서 가장 멀리 있는 노즐(37)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 3a 및 도 3b에 실선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(37)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하고, 가장 가까이 있는 노즐(31)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 3a 및 도 3b에 점선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(31)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하면 된다. For example, if the nozzle 37 farthest from the deposition rate monitoring apparatus 100 is set as the measurement point, the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112 are positioned The focus of the light irradiation and the light reception is focused on the deposition material S ejected to the nozzle 37 and the nearest nozzle 31 is set as the measurement point, The light emitting portion 111 and the light receiving portion 112 may be positioned so that the evaporation material S ejected to the nozzle 31 may be focused on light irradiation and light reception.

그러면, 단일 증착률 모니터링 장치를 가지고 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 측정이 가능해지므로, 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다Then, the deposition rate of the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 can be measured with a single deposition rate monitoring device, so that the real time deposition rate through the entire nozzle can be reduced Can be monitored efficiently

상기와 같은 구조의 증착률 모니터링 장치(100)를 구비한 증착 장치는 다음과 같이 사용될 수 있다.The deposition apparatus having the deposition rate monitoring apparatus 100 having the above structure can be used as follows.

도 1의 증착 장치를 예로 들면, 우선 증착원(30)이 준비된 챔버(40) 안에 기판(10)과 마스크(20)를 설치한다.1, the substrate 10 and the mask 20 are first installed in a chamber 40 in which an evaporation source 30 is prepared.

이 상태에서 증착원(30)의 여러 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)로부터 증착 물질(S)을 분출시키며, 이렇게 분출된 증착 물질(S)이 마스크(20)의 개구(미도시)를 통해 기판(10)에 증착되면서 원하는 패턴의 박막을 형성하게 된다. In this state, the deposition material S is ejected from the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35 and 37 of the evaporation source 30, (Not shown) of the substrate 10 to form a thin film having a desired pattern.

그리고, 이와 같은 증착이 진행되는 동안, 상기 증착률 모니터링 장치(100)에서는 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 어느 하나를 측정 지점으로 선택해서 발광부(111)와 수광부(112)의 위치를 조정한 후, 해당 측정 지점에 대한 광조사와 수광을 통해 증착률을 측정하여 모니터링한다. 이때, 예를 들어 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대해 일정 시간마다 측정 지점을 순차적 또는 임의로 바꿔가며 모니터링을 진행할 수 있다. During the deposition, the deposition rate monitoring apparatus 100 selects one of the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, and 37 as the measurement point, And the light receiving unit 112, and then the deposition rate is measured and monitored through light irradiation and light reception at the measurement point. At this time, for example, monitoring can be performed by sequentially or randomly changing measurement points for a plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, and 37 at predetermined time intervals.

그러므로, 장비의 규모를 크게 늘이지 않고도 좁은 공간에서 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 모니터링을 효율적으로 수행할 수 있게 된다. Therefore, the deposition rate monitoring on the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 can be efficiently performed in a narrow space without greatly increasing the scale of the equipment.

한편, 본 실시예에서는 도 3c에 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112) 전체가 회전판(113)(114) 상에서 회전하는 구조를 제시한 것이다. 즉, 발광부(111)와 수광부(112)는 각각 외장케이스(111a)(112a)와 그 안에 장착된 광학계(111b)(112b)를 구비하고 있는데, 각 외장케이스(111a)(112a)와 광학계(111b)(112b)를 포함한 발광부(111)와 수광부(112) 전체가 회전판(113)(114) 상에서 회전하며 측정 위치를 가변시키게 된다. 3C, the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112 are entirely rotated on the rotating plates 113 and 114. In this embodiment, That is, the light emitting unit 111 and the light receiving unit 112 have the external cases 111a and 112a, respectively, and the optical systems 111b and 112b mounted therein, and the external cases 111a and 112a, The light emitting unit 111 including the light emitting units 111b and 112b and the light receiving unit 112 rotate on the rotating plates 113 and 114 to vary the measurement position.

그러나, 이와 다른 실시예로서 도 4에 도시된 바와 같이 각 외장케이스(211a)(212a)내의 광학계(211b)(212b)만 회전하도록 증착률 모니터링 장치(200)를 구성할 수도 있다. 즉, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 측정 지점을 가변시킬 수 있도록 발광부(211)와 수광부(212)의 초점 위치를 바꾸는 것은 전술한 실시예와 같지만, 발광부(211)와 수광부(212) 전체를 움직이는 것이 아니라, 외장케이스(211a)(212a) 안에 있는 광학계(211b)(212b)만 회전하도록 그 안에 회전판(211c)(212c)과 액츄에이터(211d)(212d)를 설치한 것이다. However, as another embodiment, the deposition rate monitoring apparatus 200 may be configured to rotate only the optical systems 211b and 212b in the external cases 211a and 212a as shown in FIG. That is, the focal position of the light emitting unit 211 and the light receiving unit 212 is changed in order to change the measurement point for the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, The rotary plates 211c and 212c and the actuators 211d and 212d are provided in the outer case 211a and 212b so as to rotate only the optical systems 211b and 212b in the outer cases 211a and 212a, ) 212d.

이렇게 하면 광학계(211b)(212b)만 회전시키면서 마찬가지로 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 측정 지점을 원하는 대로 자유롭게 바꿀 수 있으며, 측정된 값은 컨트롤러(220)에 의해 증착원(30) 제어에 피드백되거나 작업자에게 표시해주는 형태로 활용될 수 있다. In this way, the measurement points for the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35 and 37 can be freely changed as desired while rotating only the optical systems 211b and 212b, To the control of the evaporation source 30 or to an operator.

한편, 또 다른 실시예로서 도 5에 도시된 바와 같은 증착률 모니터링 장치(300)로의 변형도 가능하다. In another embodiment, the deposition rate monitoring apparatus 300 may be modified as shown in FIG.

즉, 발광부(311)와 수광부(312)를 전술한 실시예들처럼 회전 또는 틸트로 변위 시키는 것이 아니라, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)의 열을 따라 왕복 이동시킴으로써 측정 지점이 변하게 하는 것이다. 이를 위해 본 실시예의 증착률 모니터링 장치(300)에는 상기 발광부(311)와 수광부(312)가 지지되는 이동판(310)과, 그 이동판(310)을 왕복 이동시키는 액츄에이터(313)가 구비되어 있다. That is, instead of displacing the light emitting portion 311 and the light receiving portion 312 by the rotation or tilt as in the above-described embodiments, the light emitting portion 311 and the light receiving portion 312 are reciprocated along the rows of the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, By moving, the measuring point changes. To this end, the deposition rate monitoring apparatus 300 of the present embodiment includes a moving plate 310 on which the light emitting unit 311 and the light receiving unit 312 are supported, and an actuator 313 for reciprocating the moving plate 310 .

따라서, 일렬로 배치된 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 가장 왼쪽의 노즐(37)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 5에 실선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(37)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하고, 가장 오른쪽에 있는 노즐(31)을 측정 지점으로 설정한다면, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 열을 따라 이동판(310)을 움직여서 도 5에 점선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시키고 해당 노즐(31)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하면 된다. 물론, 그 사이의 노즐(32,33,34,35,35)을 선택할 경우에는 해당 노즐의 위치에 정지시키면 된다. 마찬가지로, 단일 증착률 모니터링 장치(300)를 가지고 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 측정이 가능해진다.Therefore, if the leftmost nozzle 37 among the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35, 37 arranged in a row is set as the measurement point, 111 and the light receiving unit 112 are positioned so that the focus of the light irradiation and the light reception is focused on the evaporation material S ejected to the nozzle 37 and the nozzle 31 on the rightmost side is set as the measurement point, The moving plate 310 is moved along the rows of the nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35 and 37 to position the light emitting portion 111 and the light receiving portion 112 as shown by the dotted line in FIG. The light irradiation and the light reception may be focused on the evaporation material S ejected to the evaporation source 31. Of course, when selecting the nozzles 32, 33, 34, 35, 35 therebetween, they may be stopped at the positions of the nozzles. Likewise, a single deposition rate monitoring apparatus 300 enables measurement of the deposition rate for the plurality of nozzles 31, 32, 33, 34, 35, 35,

그리므로, 이상에서 설명한 증착률 모니터링 장치(100)(200)(300)는 단일 모니터링 장치로 복수 노즐에 대한 증착률을 다 측정할 수 있게 해주므로, 이를 사용하면 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다.Therefore, the deposition rate monitoring apparatuses 100, 200, and 300 described above can measure the deposition rates of a plurality of nozzles with a single monitoring apparatus, so that the deposition rate monitoring apparatuses 100, 200, It is possible to efficiently monitor the real time deposition rate through the entire nozzle.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 기판 20: 마스크
30: 증착원 31~37: 노즐
40: 챔버 100,200,300: 증착률 모니터링 장치
111,211,311: 발광부 112,212,312: 수광부
113,114,211c,212c: 회전판 115,116,211d,212c,313: 액츄에이터10: substrate 20: mask
30: evaporation source 31 to 37: nozzle
40: chamber 100, 200, 300: deposition rate monitoring device
111, 211, 311: light emitting portion 112, 212, 312:
113, 114, 211c, 212c: rotary plates 115, 116, 211d, 212c, 313:

Claims (16)

증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 여기광을 조사하는 발광부와,
상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광하는 수광부와,
상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 측정지점조절기구를 포함하는 증착률 모니터링 장치.
A light emitting portion for emitting excitation light to the evaporation material ejected through the nozzle of the evaporation source,
A light receiving unit for receiving light of the evaporated material that has been fluoresced by the excitation light,
And a measurement point adjusting mechanism for varying the light irradiation of the light emitting portion and the measurement point to be a light receiving object of the light receiving portion.
제 1 항에 있어서,
상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며,
상기 측정지점조절기구는 상기 다수의 노즐에 대응하는 위치 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시키는 증착률 모니터링 장치.
The method according to claim 1,
The evaporation source is provided with a plurality of nozzles,
Wherein the measuring point adjusting mechanism varies the measuring point to any one of positions corresponding to the plurality of nozzles.
제 2 항에 있어서,
상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the measuring point adjusting mechanism includes a rotating plate for rotatably supporting the light emitting portion and the light receiving portion, and an actuator for rotating the rotating plate so that the measuring point is changed.
제 3 항에 있어서,
상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며,
상기 외장케이스와 상기 광학계를 포함한 상기 발광부 및 상기 수광부 전체가 상기 회전판의 회전에 따라 움직이는 증착률 모니터링 장치.
The method of claim 3,
Wherein the light emitting unit and the light receiving unit each have an external case and an optical system mounted therein,
Wherein the light emitting unit and the light receiving unit including the external case and the optical system move in accordance with rotation of the rotation plate.
제 3 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고,
상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치.
The method of claim 3,
The plurality of nozzles are arranged in rows,
Wherein the light emitting portion and the light receiving portion are disposed at one end side of the nozzle row.
제 2 항에 있어서,
상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며,
상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부의 각 외장케이스 내에서 상기 각각의 광학계를 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 장치..
3. The method of claim 2,
Wherein the light emitting unit and the light receiving unit each have an external case and an optical system mounted therein,
Wherein the measuring point adjusting mechanism includes a rotating plate for rotatably supporting the respective optical systems in the respective cases of the light emitting unit and the light receiving unit and an actuator for rotating the rotating plate such that the measuring point is changed, Device..
제 6 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고,
상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치.
The method according to claim 6,
The plurality of nozzles are arranged in rows,
Wherein the light emitting portion and the light receiving portion are disposed at one end side of the nozzle row.
제 2 항에 있어서,
상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 왕복이동가능하게 지지하는 이동판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 이동판을 왕복이동시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the measuring point adjusting mechanism includes a moving plate for reciprocally supporting the light emitting portion and the light receiving portion, and an actuator for reciprocating the moving plate so that the measuring point changes.
제 6 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고,
상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열을 따라 왕복이동하는 증착률 모니터링 장치.
The method according to claim 6,
The plurality of nozzles are arranged in rows,
Wherein the light emitting portion and the light receiving portion reciprocate along the nozzle row.
제 1 항에 있어서,
상기 여기광은 자외선을 포함하는 증착률 모니터링 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the excitation light includes ultraviolet light.
증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 발광부로부터 여기광을 조사하는 단계와,
상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광부에서 수광하는 단계와,
상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
Irradiating excitation light from a light emitting portion to a deposition material ejected through a nozzle of an evaporation source,
Receiving light of the evaporated material that has been fluoresced by the excitation light at a light receiving unit,
And changing a measurement point of the light emitting unit and a light receiving object of the light receiving unit.
제 11 항에 있어서,
상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며,
상기 측정지점을 가변시키는 단계에서 상기 다수의 노즐에 대응하는 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시키는 증착률 모니터링 방법.
12. The method of claim 11,
The evaporation source is provided with a plurality of nozzles,
Wherein the measurement point is varied to any one of positions corresponding to the plurality of nozzles in the step of varying the measurement point.
제 12 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며,
상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 전체를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the plurality of nozzles are arranged in rows, the light emitting portion and the light receiving portion are disposed on one end side of the nozzle row,
Wherein the step of varying the measurement point comprises the step of varying the measurement point by rotating the light emitting unit and the light receiving unit as a whole.
제 12 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며,
상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 각각의 외장케이스 안에 장착된 광학계를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the plurality of nozzles are arranged in rows, the light emitting portion and the light receiving portion are disposed on one end side of the nozzle row,
Wherein the step of varying the measurement point comprises varying the measurement point by rotating an optical system mounted in an outer case of each of the light emitting unit and the light receiving unit.
제 12 항에 있어서,
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되며,
상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부 및 상기 수광부를 상기 노즐 열을 따라 이동시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
13. The method of claim 12,
The plurality of nozzles are arranged in rows,
Wherein the step of varying the measurement point comprises moving the light emitting unit and the light receiving unit along the nozzle row.
제 11 항에 있어서,
상기 여기광은 자외선을 포함하는 증착률 모니터링 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the excitation light comprises ultraviolet light.
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