KR20170091403A - 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 초고도의 변조율을 갖도록 한 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법에 관한 것으로, 초단파 광 펄스를 인가하는 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부;테라헤르츠 펄스를 조사하는 테라헤르츠 펄스 조사부;초단파 광 펄스에 의해 전자의 농도가 변화되고, 광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조를 가져오는 위상절연체 마이크로리본 어레이;위상절연체 마이크로리본 어레이에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 수신하는 테라헤르츠 수신부;를 포함하는 것이다.

Description

위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법{System and Method for Modulating Terahertz Pulse using Topological Insulator}

본 발명은 테라헤르츠 펄스 변조에 관한 것으로, 구체적으로 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 초고도의 변조율을 갖도록 한 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법에 관한 것이다.

표면 플라즈몬은 빛에 의해 여기(excitation) 될 수 있는 전하의 집단적인 진동(collective oscillation)으로, 센서 및 모듈레이터 등 방대한 영역에서 높은 응용 가능성이 있다.

특히, 플라즈몬을 피코초 단위의 초고속 시간 스케일로 제어할 수 있다면, 향후 새로운 플라즈몬 능동 광 소자에 응용될 수 있기에 여러 연구 그룹에서 이에 적합한 물질을 찾기 위해 많은 노력을 기울여 왔다.

대표적으로 플라즈모닉스에 사용되는 물질은 보통 금속으로서, 높은 자유전자 밀도에 의해 빛에 의해 쉽게 플라즈몬 모드가 구현될 수 있다는 장점을 지니고 있다.

그러나 금속은 광학적 컨트롤에 대한 민감도가 떨어지고, 광 여기시 감쇄율이 급격히 증가한다는 치명적인 단점이 있다.

이에 반해, 반도체 물질은 광여기에 의해 전자밀도가 상당히 많이 바뀌게 되고, 이에 따라 플라즈몬 주파수의 조작이 상대적으로 용이하기 때문에 최근 플라즈몬 능동소자 물질의 대표적인 후보로 거론되어 왔다.

그러나 반도체도 높은 변조 깊이를 달성하기 위해서는 높은 파워의 광 펄스를 주입해야 하는 단점이 있어, 플라즈몬의 광 컨트롤 기술은 현재 한계점이 있다.

종래 기술의 광펄스를 이용한 플라즈몬 변조 기술은 주로 금속에서 이루어졌다. 금속은 자유전자가 많아 플라즈몬이 쉽게 형성될 수 있으나, 광 여기에 의해 감쇄가 급증하는 문제가 있었다.

또한, 반도체에서도 이와 같은 변조가 행해졌으나, 반도체의 플라즈몬 변조 기술은 입사되는 빛에 의해 만들어지는 전자와 정공의 양에 의해 결정되므로 필연적으로 강한 펄스를 주입해야 한다는 단점이 있었다.

따라서, 금속과 반도체타입의 물질이 자연적으로 공존하는 새로운 물질을 이용하여 기존 물질의 변조율을 크게 뛰어넘을 수 있는 새로운 기술 개발이 요구되고 있다.

위상 절연체는 기존의 단순한 금속이나 반도체와는 달리, 반도체 혹은 절연체의 특성을 갖는 벌크의 표면에 위상학적으로 보호되는 디락(Dirac) 메탈이 형성되는 양자역학적 상태로, 금속-반도체의 공존이 자연스럽게 형성된다.

따라서, 이러한 금속-반도체 공존을 기반으로, 만약 금속 및 반도체의 성질을 충분히 이용할 수 있다면, 위상절연체는 최적의 새로운 능동 플라즈몬소자로서 기능을 할 가능성이 매우 높다.

대한민국 공개특허 제10-2012-0040023호 대한민국 공개특허 제10-2015-0057486호

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 광펄스를 이용한 플라즈몬 변조 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 초고도의 변조율을 갖도록 한 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 테라헤르츠 스팩트럼의 피코초 단위의 초고속 모듈레이션이 가능하도록 한 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 금속과 반도체타입의 물질이 자연적으로 공존하는 위상절연체를 사용하여, 반도체의 플라즈몬 변조 기술에서 입사되는 빛에 의해 만들어지는 전자와 정공의 양에 의해 변조깊이가 결정되도록 하여 필연적으로 강한 펄스를 주입해야 하는 문제를 해결할 수 있도록 한 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치는 초단파 광 펄스를 인가하는 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부;테라헤르츠 펄스를 조사하는 테라헤르츠 펄스 조사부;초단파 광 펄스에 의해 전자의 농도가 변화되고, 광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조를 가져오는 위상절연체 마이크로리본 어레이;위상절연체 마이크로리본 어레이에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 수신하는 테라헤르츠 수신부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법은 초단파 광 펄스를 위상절연체 마이크로리본 어레이에 인가하고, 테라헤르츠 펄스를 조사하는 단계;테라헤르츠 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이에서 표면 플라즈몬을 일으키고, 초단파 광 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이에 위치한 물질의 전자 농도 변화시키는 단계;광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조시키는 단계;위상절연체 마이크로리본 어레이에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 테라헤르츠 수신부에서 수신하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법은 다음과 같은 효과를 갖는다.

첫째, 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 효과적으로 조절할 수 있다.

둘째, 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 테라헤르츠 스팩트럼의 피코초 단위의 초고속 모듈레이션이 가능하다.

셋째, 위상 절연체 물질은 층상형 물질로 박막으로 제작이 가능하며 테라헤르츠 반응도가 매우 좋아 초소형 테라헤르츠 모듈레이션에 적합한 기술을 제공한다.

넷째, 초고속 광학제어를 가능하게 하여 피코초 단위의 고속동작 테라헤르츠 모듈레이터로서 매우 적합하며 차세대 능동 플라즈몬 소자의 기반 기술로 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치의 구성도
도 2는 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법을 나타낸 플로우 차트
도 3은 플라즈몬과 포논의 간섭을 통한 위상절연체의 여기 현상 변화를 나타낸 그래프
도 4는 (a)위상 절연체 마이크로 어레이의 초고속 시간분해 광 여기 테라헤르츠 탐사 실험 셋업의 스키메틱. (b)시간 분해로 측정된 테라헤르츠 extinction 스팩트럼. (c)여기-탐사 지연이 5 ps일 때의 변조 깊이 스팩트럼
도 5는 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치의 변조 조건을 나타낸 그래프

이하, 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시 예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치의 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.

본 발명은 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 테라헤르츠 스팩트럼의 피코초 단위의 초고속 모듈레이션이 가능하도록 한 것이다.

또한, 금속과 반도체타입의 물질이 자연적으로 공존하는 위상절연체를 사용하여, 반도체의 플라즈몬 변조 기술에서 입사되는 빛에 의해 만들어지는 전자와 정공의 양에 의해 변조깊이가 결정되도록 하여 필연적으로 강한 펄스를 주입해야 하는 문제를 해결할 수 있도록 한 것이다.

이하의 설명에서 마이크로 리본 어레이를 구성하는 위상절연체물질로는 Bi₂Se₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃가 사용될 수 있는데, 이로 한정되지 않는다.

이를 위한 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치는 도 1에서와 같이, 초단파 광 펄스를 인가하는 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부(10)와, 테라헤르츠 펄스를 조사하는 테라헤르츠 펄스 조사부(20)와, 초단파 광 펄스에 의해 전자의 농도가 변화되고, 광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조를 가져오는 위상절연체 마이크로리본 어레이(30)와, 위상절연체 마이크로리본 어레이(30)에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 수신하는 테라헤르츠 수신부(40)를 포함한다.

그리고 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법은 도 2에서와 같이, 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부(10)에서 초단파 광 펄스를 인가하고(S201), 테라헤르츠 펄스 조사부(20)에서 테라헤르츠 펄스를 조사한다.(S202)

이어, 테라헤르츠 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이(30)에서 표면 플라즈몬을 일으키고(S203), 초단파 광 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이(30)에 위치한 물질의 전자 농도 변화시킨다.(S204)

그리고 광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조시킨다.(S205)

이어, 위상절연체 마이크로리본 어레이(30)에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 테라헤르츠 수신부(40)에서 수신한다.(S206)

이와 같은 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법에서의 구체적인 변조 특성 측정은 다음과 같이 이루어진다.

도 3은 플라즈몬과 포논의 간섭을 통한 위상절연체의 여기 현상 변화를 나타낸 그래프이고, 도 4는 (a)위상 절연체 마이크로 어레이의 초고속 시간분해 광 여기 테라헤르츠 탐사 실험 셋업의 스키메틱. (b)시간 분해로 측정된 테라헤르츠 extinction 스팩트럼. (c)여기-탐사 지연이 5 ps일 때의 변조 깊이 스팩트럼이다.

먼저, 도 3에서와 같이, 초단파 광 모듈레이션 펄스가 없는 상태에서의 소광(extinction) 그래프를 먼저 얻는다.

도 3에서 오픈 서클(open circle)이 데이타이며, 나머지 실선은 전부 이론적인 피팅 라인(fitting line)이다.

그리고 도 4의 (a)에서와 같이, 초단파 광 펄스와 테라헤르츠 펄스의 시간차에 따른 소광(extinction) 스팩트럼의 변화를 시간분해로 측정한다.

도 4의 (b)의 결과에 따르면 대략 5 ps에서 가장 높은 변조 깊이(modulation depth)를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.

변조 깊이(modulation depth)의 정도는 수학식 1에서와 같이 구할 수 있다.

여기서, E_pumped는 광 펄스 입사(optical pump injection)이 있는 상태의 소광 계수(extinction coefficient)이고, E_{no pumped}는 광 펄스 입사(optical pump injection)가 없는 상태의 소광 계수(extinction coefficient)이다.

도 4의 (c)에서와 같이 약 1.5 THz근처에서 2400%에 달하는 높은 변조율을 달성하는 것을 확인할 수 있다.

여기서, 약 0.045 mJ/cm²라는 상대적으로 매우 낮은 모듈레이션 광 펄스의 플루언스(fluence)에서 이와 같이 큰 변조 깊이(modulation depth)가 나온 것을 확인할 수 있다.

다른 물질과의 비교를 위해 성능지수(figure of merit)를 구하여 비교하면 표 1에서와 같다.

수학식 2는 성능지수를 구하는 계산식이다.

이와 같은 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법에서 높은 변조율이 달성될 수 있는 요인은 다음과 같다.

도 5는 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치의 변조 조건을 나타낸 그래프이다.

높은 변조율은 위상절연체 물질의 특성에서 기인하는 것으로, 수학식 1에서와 같이, 분모에 해당하는 광 펄스 입사가 없는 상태에서 extinction이 매우 작아야하고, 분자가 커야 한다. 즉, 펌프를 맞고 extinction이 많이 변해야 한다.

도 3의 그래프에서와 같이, 위상절연체는 플라즈몬(가)과 포논(나)의 간섭을 통해 extinction이 0에 가깝게 떨어지는 현상이 (다) 화살표에서와 같이 관측된다.

따라서, 특정 주파수에서 변조 깊이(modulation depth) 식의 분모를 매우 작게 할 수 있다.

위상절연체의 경우, 광 펄스 모듈레이션에 의해 발생된 전자가 위상학적 표면 준위와 벌크 사이에 형성된 2DEG 준위(2 dimensional electron gas)로 들어가 양자적으로 속박된 상태에서 표면 준위와 함께 플라즈몬 여기가 될 수 있다.

따라서, 광 펄스 모듈레이션 조사가 플라즈몬의 주파수를 크게 변화시킬 수 있으므로 높은 변조율이 달성되는 것이다.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법은 위상절연체의 테라헤르츠 플라즈몬의 초고속 광학제어에 관한 것으로, 위상 절연체 마이크로 어레이의 초고속 광 여기 테라헤르츠 탐지 실험을 통하여 지금까지 반도체 기반 플라즈몬에서 달성되었던 변조 깊이를 훨씬 뛰어 넘는 변조 깊이 (~ 2,400 %)를 관측하였다.

특히, 변조에 사용되는 빛의 세기가 0.045 mJ/cm²로 다른 플라즈몬 물질에 비해 상당히 적게 소요되어 매우 높은 성능지수를 보여준다.

변조 깊이는 extinction 스팩트럼의 광여기 전과 후의 비율에 의해 결정되는 것으로, 광 여기가 없을 때의 extinction 계수가 작을수록, 동시에 광 여기가 있을 때의 extinction 계수가 클수록 그 값이 커진다.

본 발명은 이와 같은 두 특성을 모두 이용하여 높은 변조 깊이를 달성하였다.

구체적으로, 그 이유를 설명하면 다음과 같다.

첫째로, 위상 절연체는 반도체와는 달리 빛에 의한 여기가 없을 때에도, 표면에 존재하는 디락 플라즈몬에 의해 테라헤르츠 플라즈몬 모드가 가능하다.

그런데 이 플라즈몬은 2 THz 근처에 위치한 광 포논과 Fano 타입의 상호작용을 통해 1.5 THz 근처에 거의 0에 가까운 투명한 스팩트럼 영역이 형성되고, 이것이 높은 변조 깊이에 상당한 기여를 하게 된다.

이와 같은 Fano 공명은 공간적으로 완전히 겹쳐지지 않은 표면의 디락 준위와 표면 아래의 벌크 격자진동의 간섭에 의해 일어나는 것으로, 물리적으로 상당히 독특한 현상이다.

최근 위상학적 페이즈 변환(topological phase transition)을 이용하여 표면 디락 준위의 벌크로의 침투 깊이를 조절하는 연구가 많이 진행되어 오고 있는데, 본 발명은 이에 더하여 이는 새로운 변조 가능성을 기대하게 한다.

둘째로, 광여기에 의해 벌크에 형성된 전자는 표면과 벌크 사이의 밴드 밴딩에 의해 형성된 non-topological two-dimensional electron gas state에 쌓이게 되어, 결과적으로 플라즈몬 주파수의 blue-shift가 일어난다.

이는 기존의 위상절연체에서 연구되어왔던 '광 펌프에 의한 디락 표면 도핑'과는 다른 것으로, 여러 양자적 종이 혼재하는 시스템에서만 일어날 수 있는 독특한 결과라고 볼 수 있다.

본 발명은 광 여기 후의 extinction 계수를 크게 변화시켜 높은 2,400 %에 달하는 높은 변조 깊이가 달성된다. 또한, 이 변조에서 사용된 광 펌프의 플루언스는 0.045 mJ/cm²로, 상당히 작은 양이다.

이러한 결과는 위상절연체 플라즈몬이 높은 변조효율을 갖는 것을 명백히 보여준다.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치 및 방법은 위상절연체물질의 마이크로 리본 어레이에 테라헤르츠 파보다 매우 짧은 파장을 갖는 초고속 광펄스를 조사하여 테라헤르츠 영역에서 발생한 전자의 플라즈몬 반응을 조절하여 초고도의 변조율을 갖도록 한 것이다.

이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.

그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

10. 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부
20. 테라헤르츠 펄스 조사부
30. 위상절연체 마이크로리본 어레이
40. 테라헤르츠 수신부

Claims (7)

1. 초단파 광 펄스를 인가하는 초단파 모듈레이션 광펄스 조사부;
   테라헤르츠 펄스를 조사하는 테라헤르츠 펄스 조사부;
   초단파 광 펄스에 의해 전자의 농도가 변화되고, 광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조를 가져오는 위상절연체 마이크로리본 어레이;
   위상절연체 마이크로리본 어레이에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 수신하는 테라헤르츠 수신부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 마이크로 리본 어레이를 구성하는 위상절연체 물질은 Bi₂Se₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치.
3. 제 1 항에 있어서, 큰 변조 깊이(modulation depth)는,
   0.045 mJ/cm²의 모듈레이션 광 펄스의 플루언스(fluence)에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 장치.
4. 초단파 광 펄스를 위상절연체 마이크로리본 어레이에 인가하고, 테라헤르츠 펄스를 조사하는 단계;
   테라헤르츠 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이에서 표면 플라즈몬을 일으키고, 초단파 광 펄스가 위상절연체 마이크로리본 어레이에 위치한 물질의 전자 농도 변화시키는 단계;
   광펄스가 통과하는 테라헤르츠 펄스와 커플링되어 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조시키는 단계;
   위상절연체 마이크로리본 어레이에 의해 변조된 테라헤르츠 펄스를 테라헤르츠 수신부에서 수신하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법.
5. 제 4 항에 있어서, 플라즈몬 반응을 제어하여 해당 스펙트럼의 변조시키는 단계에서,
   변조 깊이(modulation depth)는,
   

   

   으로 구하고,
   여기서, E_pumped는 광 펄스 입사(optical pump injection)이 있는 상태의 소광 계수(extinction coefficient)이고, E_{no pumped}는 광 펄스 입사(optical pump injection)가 없는 상태의 소광 계수(extinction coefficient)인 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 변조 깊이(modulation depth)를 구하기 위하여,
   초단파 광 펄스가 없는 상태에서의 소광(extinction) 그래프를 먼저 얻고,
   초단파 광 펄스와 테라헤르츠 펄스의 시간차에 따른 소광(extinction) 스팩트럼의 변화를 시간분해로 측정하는 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법.
7. 제 5 항에 있어서, 변조 깊이는 소광(extinction) 스팩트럼의 광여기 전과 후의 비율에 의해 결정되고,
   광 여기가 없을 때의 소광 계수(extinction coefficient)가 작을수록, 동시에 광 여기가 있을 때의 소광 계수(extinction coefficient)가 클수록 그 값이 커지는 것을 특징으로 하는 위상절연체를 이용한 테라헤르츠 펄스 변조 방법.
   

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