KR20170088463A - 곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20170088463A
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Abstract

곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법이 제공된다. 곡면 액정표시장치는 제 1곡면 기판, 제 1곡면 기판과 대향하는 제 2곡면 기판, 제 1곡면 기판과 제 2곡면 기판의 사이에 배치된 액정층, 액정층과 제 1곡면 기판의 사이에 배치되는 제 1곡면 액정 배향층, 및 액정층과 제 2곡면 기판의 사이에 배치되는 제 2곡면 액정 배향층을 포함하되, 제 2곡면 액정 배향층은 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함한다.

Description

곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법{CURVED LIQUID CRYSTAL CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판표시장치 중 하나로서, 표시기판과 이의 대향 표시기판, 이들 사이에 배치된 액정층을 포함하는 액정모듈 및 백라이트 유닛 등을 포함한다. 액정표시장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정들의 배향방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정표시장치는 텔레비전 수신기의 표시장치로 사용되면서, 화면의 크기가 커지고 있다. 이처럼 액정표시장치의 크기가 커짐에 따라, 시청자가 화면의 중앙부를 보는 경우와 화면의 좌우 양단을 보는 경우에 따라 시각차가 커질 수 있다.
시각차를 보상하기 위하여, 액정표시장치를 오목형 또는 볼록형으로 굴곡시켜 곡면형으로 형성할 수 있다. 곡면 액정표시장치는 시청자 기준으로, 가로 길이보다 세로 길이가 길고, 세로 방향으로 굴곡된 포트레이트(portrait) 타입일 수 있고, 가로 길이보다 세로 길이가 짧고, 가로 방향으로 굴곡된 랜드스케이프(landscape) 타입일 수도 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광 투과율이 향상된 곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 곡면 패널의 적용에 의한 불필요한 무늬 또는 얼룩의 발생을 방지할 수 있는 곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치는, 제 1곡면 기판, 제 1곡면 기판과 대향하는 제 2곡면 기판, 제 1곡면 기판과 제 2곡면 기판의 사이에 배치된 액정층, 액정층과 제 1곡면 기판의 사이에 배치되는 제 1곡면 액정 배향층, 및 액정층과 제 2곡면 기판의 사이에 배치되는 제 2곡면 액정 배향층을 포함하되, 제 2곡면 액정 배향층은 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함한다.
제 1곡면 액정 배향층은 중합 개시제의 분해산물을 포함할 수 있다.
제 1곡면 액정 배향층은 분지형 고분자로 구성되고, 중합 개시제의 분해산물은 분지형 고분자의 주사슬로부터 분지된 측쇄에 결합될 수 있다.
제 2곡면 액정 배향층은 중합 개시제의 분해산물을 포함하지 않을 수 있다.
나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 소수성기 및 친수성기는 2개의 말단에 각각 위치할 수 있다.
액정층은 제 1곡면 액정 배향층의 표면에 배향된 음의 유전율 이방성의 제 1액정 분자와 제 2곡면 액정 배향층의 표면에 배향된 제 2액정 분자를 포함하고, 제 2액정 분자가 전계를 인가하지 않은 초기상태에서 제 1액정 분자에 비해 수직 배향될 수 있다.
제 1곡면 기판과 제 1곡면 액정 배향층의 사이에 배치되고 슬릿 패턴을 가진 패턴 전극, 및 제 2곡면 액정 배향층과 제 2곡면 기판의 사이에 배치되고 슬릿 패턴을 가지지 않는 패턴리스(patternless) 전극을 더 포함할 수 있다.
나노 입자의 친수성기는 패턴리스 전극에 흡착될 수 있다.
나노 입자의 소수성기는 액정층에 인접할 수 있다.
나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함할 수 있다.
발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치 제조방법은, 패턴 전극이 형성된 제 1평판 기판과 제 1평판 기판과 대향하고 패턴리스 전극이 형성된 제 2평판 기판을 준비하는 단계, 제 1평판 기판 상의 패턴 전극 상에 반응성 메조겐들과 중합 개시제를 포함하는 프리(pre) 수직 배향층을 형성하는 단계, 액정 조성물, 및 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함하는 액정층을 제 1평판 기판과 제 2평판 기판 사이에 주입하는 액정 주입 단계, 열처리를 통해 반응성 메조겐들을 액정층으로 용출시키는 단계, 전계 노광을 통해 제 1평판 기판 상에 중합 개시제의 분해산물을 포함하는 수직 배향층과 반응성 메조겐들의 중합체들을 포함하는 선경사 배향 안정화층을 형성하는 단계, 및 제 1평판 기판과 제 2평판 기판을 구부리는 단계를 포함한다.
액정층은 나노 입자를 0.01중량% 내지 0.5중량%의 범위로 포함할 수 있다.
나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 소수성기 및 친수성기는 2개의 말단에 각각 위치할 수 있다.
나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함할 수 있다.
액정 주입 단계에 의해 나노 입자의 친수성기는 패턴리스 전극에 흡착되고, 소수성기는 액정층에 인접하게 형성될 수 있다.
액정 주입 단계 이후 제 2평판 기판의 패턴리스 전극의 표면에 인접하는 제 1액정 분자는 나노 입자에 의해 수직배향될 수 있다.
전계 노광 이후 전계를 해제하면, 제 1액정 분자는 선경사 배향 안정화층 표면의 제 2액정 분자에 비해 수직 배향될 수 있다.
전계 노광 이후, 형광 UV를 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 곡면 액정표시장치는 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 곡면 패널의 적용에 의한 불필요한 무늬 또는 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치를 구성하는 액정모듈의 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 액정모듈의 표시기판과 대향 표시기판의 개략적인 배치도이다.
도 3은 도 2의 A 영역에서 III-III' 절단선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2의 IV-IV' 절단선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 기존의 평판 액정표시장치(FLCD)와 이로부터 제조된 곡면 액정표시장치(CLCD)에서의 상부 표시기판과 하부 표시기판 간의 정렬 상태를 도시한 평면도이다.
발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참고하면 명확해질 것이다. 그러나 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 발명의 개시가 완전하도록 하며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 곡면 액정표시장치와 평판 액정표시장치를 구분하기 위해서, 곡면 액정표시장치와 이를 구성하는 구성요소의 참조 부호 뒤에는 C를 부가한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제 2등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참고하여 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치를 구성하는 액정모듈의 개략적인 사시도이다. 도 2는 도 1의 액정모듈의 표시기판과 대향 표시기판의 개략적인 배치도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치는 표시기판(SUB1C), 대향 표시기판(SUB2C) 및 액정층(300C)을 포함하는 액정모듈(500C)을 포함한다. 표시기판(SBU1C)과 대향 표시기판(SUB2C)은 소정의 셀 갭을 유지하면서 이격하여 배치되고, 액정층(300C)은 표시기판(SUB1C)과 대향 표시기판(SUB2C)의 사이에 배치된다. 액정층(300C)은 액정 분자들(301, 302)을 포함한다. 액정층(300C)은 음의 유전율 이방성을 가진 액정 조성물을 포함할 수 있다.
액정모듈(500C)은 표시 영역(I) 및 비표시 영역(II)을 포함한다. 표시 영역(I)은 이미지가 시인되는 영역이고, 비표시 영역(II)은 표시 영역(I)의 주변부로서 표시 영역(I)을 둘러싸는 영역이며, 상기 이미지가 시인되지 않는 영역이다.
표시기판(SUB1C)은 제 1방향(D1)으로 연장된 복수의 게이트 라인들(GLC), 제 1방향(D1)에 수직인 제 2방향(D2)으로 연장된 복수의 데이터 라인들(DLC)을 포함할 수 있다. 도면으로 도시되지는 않았지만, 게이트 라인들(GLC)은 표시 영역(I)에만 배치되는 것은 아니고, 비표시 영역(II)까지 연장 형성될 수 있으며, 이 때, 비표시 영역(II)에는 게이트 패드(미도시)가 배치될 수 있다. 이 경우, 비표시 영역(II)에서, 표시기판(SUB1C)은 게이트 패드(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 데이터 라인들(DLC)은 표시 영역(I)에만 배치되는 것은 아니고, 비표시 영역(II)까지 연장 형성될 수 있으며, 이 때, 비표시 영역(II)에는 데이터 패드(미도시)가 배치될 수 있다. 이 경우, 비표시 영역(II)에서, 표시기판(SUB1C)은 데이터 패드(미도시)를 포함할 수 있다.
표시 영역(I)에는 게이트 라인들(GLC)과 데이터 라인들(DLC)에 의해 정의된 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있고, 복수의 화소들(PX)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있으며, 각 화소(PX)마다 화소 전극(191C)이 배치될 수 있다. 이 경우, 표시 영역(I)에서, 표시기판(SUB1C)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소들(PX)과 화소 전극들(191C)을 포함할 수 있다.
비표시 영역(II)에는 각 화소(PX)에 게이트 구동 신호, 데이터 구동 신호 등을 제공하는 구동부(미도시)가 배치될 수 있고, 이 경우, 비표시 영역(II)에서, 표시기판(SUB1C)은, 구동부(미도시)를 포함할 수 있다.
화소 전극(191C)은 서로 이격되어 있는 부화소 전극들(191-1C, 191-2C)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 부화소 전극들(191-1C, 191-2C)은 전체적으로 사각형 형상을 가질 수 있다. 각각의 부화소 전극들(191-1C, 191-2C)은 슬릿 패턴 전극일 수 있다. 구체적으로, 슬릿 패턴은 십자형 줄기부(SC)과 이로부터 연장 형성된 미세 가지부들(BC) 및 미세 가지부들(BC)의 사이에 배치된 절개부들(DC)를 포함할 수 있다. 십자형 줄기부(SC)는 가로 줄기부와 세로 줄기부가 서로 교차하는 십자(+) 형상으로 형성될 수 있고, 미세 가지부들(BC)은 십자(+) 형상의 십자형 줄기부(SC)로부터 대략 45° 방향으로 방사형으로 뻗어있을 수 있다. 가로 줄기부를 사이에 두고 대향하는 절개부들(DC)의 대향면들은 가로 방향을 따라 서로 실질적으로 평행할 수 있다. 세로 줄기부를 사이에 두고 대향하는 절개부들(DC)의 대향면들은 세로 방향을 따라 서로 실질적으로 평행할 수 있다.
게이트 라인(GLC)은 화소 전극(191C)을 향해 게이트 라인(GLC)로부터 제 2방향(D2)으로 돌출된 게이트 전극들(124-1C, 124-2C)을 포함할 수 있다. 복수의 데이터 라인(DLC)은 소오스 전극들(173-1C, 173-2C)과 드레인 전극들(175-1C, 175-2C)을 포함할 수 있다. 소오스 전극들(173-1C, 173-2C)은 데이터 라인(DLC)으로부터 돌출되어 "U"자 형태로 형성될 수 있다. 드레인 전극들(175-1C, 175-2C)은 소오스 전극들(173-1C, 173-2C)과 이격되게 배치될 수 있다.
화소 전극(191C)은 스위칭 소자, 예를 들어, 박막트랜지스터를 통해 데이터 전압을 제공받을 수 있다. 상기 박막트랜지스터의 제어단자인 게이트 전극들(124-1C, 124-2C)은 게이트 라인(GLC)에 전기적으로 연결될 수 있고, 입력 단자인 소오스 전극들(173-1C, 173-2C)은 콘택홀들(185-1C, 185-2C, 185-3C, 185-4C)을 통해 데이터 라인(DLC)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 출력 단자인 드레인 전극들(175-1C, 175-2C)은 화소 전극(191C)에 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체층(154-1C, 154-2C)은 게이트 전극들(124-1C, 124-2C)과 오버랩(overlap)되도록 배치될 수 있다. 각각의 소오스 전극들(173-1C, 173-2C)과 각각의 드레인 전극들(175-1C, 175-2C)은 반도체층(154-1C, 154-2C)을 기준으로 이격될 수 있다.
유지 전극선(SLC)은 복수의 게이트 라인(GLC)과 실질적으로 평행하게 배치된 줄기선(131C)과 이로부터 뻗어 나온 복수의 가지선(135C)을 포함할 수 있다. 유지 전극선(SLC)은 생략될 수도 있고, 형상과 배치가 다양하게 변형될 수도 있다.
도 3은 도 2의 A 영역에서 III-III' 절단선에 따른 개략적인 단면도이다. 도 4는 도 2의 IV-IV' 절단선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 표시기판(SUB1C)은 스위칭 소자 어레이 기판(100C), 화소 전극(191C), 제 1곡면 액정 배향층(194C), 차광 패턴(195C)를 포함하여 구성될 수 있다. 스위칭 소자 어레이 기판(100C)은 제 1곡면 기판(110C), 스위칭 소자(TFTC), 컬러필터(160C), 유기막(140C) 등이 적층된 구조를 포함할 수 있다.
제 1곡면 기판(110C)은 유리 또는 투명한 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판으로 이루어질 수 있다.
스위칭 소자(TFTC)는, 예를 들어, 박막트랜지스터로서, 게이트 전극(124-2C), 게이트 절연막(130), 반도체층(154-2C), 오믹 접촉층(미도시), 소오스 전극(173-2C), 드레인 전극(175-2C)을 포함하여 구성될 수 있다.
게이트 전극(124-2C)은 스위칭 소자(TFTC)의 제어단자로서, 제 1곡면 기판(110C) 상에 배치될 수 있고 도전성 물질로 이루어진다. 게이트 전극(124-2C)은 게이트 라인(GLC)으로부터 분지되어 형성될 수 있다. 게이트 절연막(130C)은 게이트 전극(124-2C)과 반도체층(154-2C)의 사이에 배치되어 이들을 절연시킬 수 있다. 반도체층(154-2C)은 스위칭 소자(TFTC)의 채널층으로써, 게이트 절연막(130C) 상에 배치될 수 있다. 소오스 전극(173-2C) 및 드레인 전극(175-2C)은 반도체층(154-2C) 상에서 이격 배치될 수 있으며, 도전성 물질로 이루어진다. 소오스 전극(173-2C)과 드레인 전극(175-2C)은 데이터 라인(DLC)으로부터 분지되어 형성될 수 있다. 소오스 전극(173-2C)과 반도체층(154-2C) 및 드레인 전극(175-2C)과 반도체층(154-2C)의 사이에는 각각 오믹 콘택층(미도시)이 형성될 수 있다.
컬러필터(160C)는, 소오스 전극(173-2C)과 드레인 전극(175-2C) 상에 형성될 수 있다. 컬러필터(160C)는 표시 영역(I)내에서 각 화소에 대응되는 영역에 형성될 수 있으며, 제 1컬러필터(160-1C)와 제 2컬러필터(160-2C)를 포함한다. 예를 들어, 제 1컬러필터(160-1C)와 제 2컬러필터(160-2C)는 서로 다른 색을 구현하는 컬러필터일 수 있고, 제 1컬러필터(160-1C)와 제 2컬러필터(160-2C)는, 예를 들어, 각각 적색 컬러필터(R), 녹색 컬러필터(G), 청색 컬러필터(B) 중 하나일 수 있다. 제 1컬러필터(160-1C)와 제 2컬러필터(160-2C)는 교대로 배치될 수 있다.
컬러필터(160C) 상에는 유기 물질로 이루어진 유기막(170)이 형성될 수 있다. 유기막(170C)은 생략될 수도 있다.
화소 전극(191C)은 컬러필터(160C)와 유기막(170C)을 관통하는 콘택홀(185-2C, 185-3C)을 통해 드레인 전극(175-2C)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(191C)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 알루미늄, 은, 백금, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨, 니오븀, 아연, 마그네슘, 이들의 합금이나 이들의 적층막으로 구성될 수 있다. 화소 전극(191C)은 돌기 패턴과 슬릿 패턴 중 적어도 하나의 패턴을 갖는 패턴 전극이다. 예를 들어, 화소 전극(191C)은 상기 슬릿 패턴을 가진 패턴 전극일 수 있다. 화소 전극(191C)은 공통 전극(250C)과 함께 전계를 생성하여 그 사이에 배치된 액정층(300C)의 액정 분자들(301, 302)의 배향 방향을 제어할 수 있다.
제 1곡면 액정 배향층(194C)은 제 1수직 배향층(194-1C)과 선경사 배향 안정화층(194-2C)을 포함하여 구성될 수 있다. 제 1수직 배향층(194-1C)은 액정모듈(500C)에 전계를 인가하지 않은 초기 상태에서, 액정 분자들(301)을 표시기판(SUB1C)에 대해 실질적으로 수직으로 배향시킬 수 있다.
제 1수직 배향층(194-1C)은 주쇄, 수직 배향기, 중합 개시제의 분해산물을 포함하는 분지형 고분자로 구성될 수 있고, 수직 배향기, 중합 개시제의 분해산물은 각각 스페이서기를 통해 주쇄에 결합될 수 있다. 주쇄는, 예를 들어, 반복 단위 내에 이미드기를 포함하는 폴리이미드계 고분자일 수 있다.
수직 배향기는, 예를 들어, C1-8 알킬기, 말단이 C1-8 알킬기로 치환된 탄화수소 유도체, 말단이 C3-6 사이클로알킬기로 치환된 탄화수소 유도체, 말단이 방향족 탄화수소로 치환된 탄화수소 유도체 등일 수 있다. 수직 배향기는 액정모듈(500C)에 전계가 인가되지 않은 초기 상태에서, 액정 분자들(301)을 표시기판(SUB1)에 대해 실질적으로 수직 배향시킬 수 있다.
중합 개시제의 분해산물은 중합 개시제에 의해 개시된 라디칼 중합 반응이 종료된 이후의 결과물로서, 자유 라디칼들을 더 이상 발생시키지 못하는 화합물을 의미한다. 상기 중합 개시제는, 예를 들어, 하기 화학식 1 내지 5 중 어느 하나 이상일 수 있다.
<화학식 1>
Figure pat00001
<화학식 2>
Figure pat00002
<화학식 3>
Figure pat00003
<화학식 4>
Figure pat00004
<화학식 5>
Figure pat00005
상기 화학식 1 내지 3 및 5 중 상기 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
선경사 배향 안정화층(194-2C)은 반응성 메조겐들의 중합체를 포함할 수 있다. 상기 반응성 메조겐들은, 예를 들어, 하기 화학식 6으로 표현되는 화합물일 수 있다. 선경사 배향 안정화층(194-2C)은 액정모듈(500C)에 전계가 인가되지 않은 초기 상태에서, 액정 분자들(301)이 표시기판(SUB1C)에 대해 소정의 선경사각을 가지고 경사 배향된 상태를 안정화 내지 고정시킬 수 있다. 이 때, 상기 경사 배향된 상태는 표시기판(SUB1C)에 대해 실질적으로 수직 배향된 상태와 선경사각의 차이를 가진 것을 의미한다.
<화학식 6>
P1-SP1-A1-(A2)m-SP2-P2
상기 화학식 6 에서, P1과 P2는 중합 가능한 말단기로서, 예를 들어, (메트)아크릴레이트기((meth)acrylate group), 비닐기(vinyl group), 비닐옥시기(vinyloxy group), 에폭시기(epoxy group) 등일 수 있고, SP1은 P1과 A1을 연결하는 스페이서 기로서, 예를 들어, C1-12 알킬기(alkyl group), C1-12 알콕시기 등일 수 있으며, SP2는 P2와 A2를 연결하는 스페이서 기로서, 예를 들어, C1-12 알킬기, C1-12 알콕시기 등일 수 있고, A1, A2는 각각 메조겐 구조로서, 예를 들어, 사이클로헥실(cyclohexyl), 비페닐(biphenyl), 터페닐(terphenly), 나프탈렌(naphthalene), 티오펜(thiophene) 등일 수 있고, 사이클로헥실(cyclohexyl), 비페닐(biphenyl), 터페닐(terphenly), 나프탈렌(naphthalene), 티오펜(thiophene) 등은 적어도 하나의 수소 원소가 할로겐, -OCH3, C1-6 알킬기 등으로 치환될 수 있다. m은 0 내지 3의 자연수일 수 있다.
예를 들어, 상기 반응성 메조겐은 하기 화학식 7 및 8로 표현되는 화합물들 중 적어도 하나일 수 있다.
<화학식 7>
Figure pat00006
<화학식 8>
Figure pat00007
차광 패턴(195C)은 제 1곡면 액정 배향층(194C) 상에 배치될 수 있으나, 예를 들어, 스위칭 소자(TFTC), 게이트 라인(미도시) 및 데이터 라인(DLC) 등과 같이 불투명한 소자들 상에서 이들과 중첩 배치될 수 있다면, 위치가 한정되는 것은 아니다. 차광 패턴(195C)은 일반적으로 블랙 매트릭스로 불리기도 한다. 도시된 바와 같이, 차광 패턴(195C)은, 예를 들어, 표시 영역(I)에서, 제 1곡면 액정 배향층(194C) 상에서 스위칭 소자(TFTC) 및 데이터 라인(DLC)과 중첩 배치될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 도 2와 도 4를 참고하면, 차광 패턴(195C)은 게이트 라인(GLC)과 중첩 배치될 수도 있다. 한편, 차광 패턴(195C)은 표시 영역(I)에만 배치되는 것은 아니고, 비표시 영역(미도시)까지 연장 형성될 수 있다.
대향 표시기판(SUB2C)은 제 2곡면 기판(210C), 공통 전극(250C), 제 2곡면 액정 배향층(270C)를 포함하여 구성될 수 있다. 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치는, 시청자와 대면하는 대향면이 상기 시청자를 기준으로 오목한 곡면형상을 갖고, 상기 대향면은 대향 표시기판(SUB2C)일 수 있다.
제 2곡면 기판(210C)은 유리나 투명한 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판으로 이루어질 수 있다.
공통 전극(250C)은 제 2곡면 기판(210C) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(250C)은 슬릿 패턴과 돌기 패턴이 없는 패턴리스(patternless) 전극일 수 있다. 액정모듈(500C)은 표시기판(SUB1C)에만 상기 패턴 전극을 형성하고, 대향 표시기판(SUB2C)에는 상기 패턴리스 전극을 형성함으로써, 액정 분자들(301, 302)의 배향을 상기 패턴 전극을 이용하여 제어할 수 있다. 공통 전극(250C)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 알루미늄, 은, 백금, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨, 니오븀, 아연, 마그네슘, 이들의 합금이나 이들의 적층막으로 구성될 수 있다. 공통 전극(250C)은 표시 영역(I) 전체를 커버하도록 형성될 수 있다. 즉, 표시 영역(I)의 전면에는 화소와 무관하게 일체형으로 형성된 공통 전극(250C)이 배치될 수 있다.
제 2곡면 액정 배향층(270C)은 공통 전극(250C) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제 2곡면 액정 배향층(270C)은 공통전극(250C)의 제 1곡면 기판(110C)과 마주하면 면에 배치될 수 있다. 또한, 제 2곡면 액정 배향층(270C)은 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함할 수 있다.
또한, 제 2곡면 액정 배향층(270C)은 제 1곡면 액정 배향층(194C)과는 달리 중합 개시제의 분해산물을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 제 1곡면 액정 배향층(194C)에만 중합 개시제의 분해산물을 포함할 수 있다. 이는 곡면 액정표시장치의 제조과정에서 제 1곡면 기판(110C)과 제 2곡면 기판(210C) 상에 형성되는 배향층 중에서 제 1곡면 액정 배향층(194C)에만 중합 개시제를 포함함으로써, 반응성 메조겐의 중합 반응이 지배적으로 이루어지도록 하며, 이에 의해 제 1곡면 액정 배향층(194C)의 상부에 위치하는 액정 분자들(301)이 보다 높은 각도의 선경사를 부여하도록 할 수 있다.
다시 말하면, 액정층(300C)은 제 1곡면 액정 배향층(194C)의 표면에 배향된 음의 유전율 이방성의 제 1액정 분자(301)와 제 2곡면 액정 배향층(270C)의 표면에 배향된 제 2액정 분자(302)를 포함할 수 있고, 제 2액정 분자(302)는 전계를 인가하지 않은 초기상태에서 제 1액정 분자(301)에 비해 수직 배향될 수 있다.
한편, 제 2곡면 액정 배향층(270C) 내에 포함되는 상기 나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 상기 소수성기 및 상기 친수성기는 상기 2개의 말단에 각각 위치할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 나노 입자의 친수성기는 패턴리스 전극인 공통전극(250C)에 인접하여 위치하고, 공통전극(250C)에 흡착될 수 있다. 상기 나노 입자의 소수성기는 액정층(500C)의 제 2곡면 액정 배향층(270C)에 인접하는 액정 분자들(302)에 인접할 수 있다. 제 2곡면 액정 배향층(270C) 내에 포함되는 상기 나노 입자에 의해 제 2곡면 액정 배향층(270C)과 인접하는 액정 분자들, 즉 제 2액정 분자(302)들의 수직배향을 구현할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치는, 표시기판(SUB1C)의 후면에 배치되어 액정층(300C)으로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리(미도시)를 더 포함할 수 있다.
상기 백라이트 어셈블리는, 예를 들어 도광판, 광원부, 반사부재, 광학시트 등을 더 포함할 수 있다.
도광판(Light Guide Plate: LGP)은 광원부에서 발생되는 광의 경로를 액정층 측으로 변경하는 부분으로서, 광원부에서 발생되는 빛이 입사되도록 마련된 입광면 및 액정층을 향하는 출광면을 구비할 수 있다. 도광판은 광투과성 재료 중의 하나인 폴리메틸메타크릴레이트(Poly Methyl Methacrylate : PMMA) 재질 또는 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC) 재질과 같은 일정한 굴절율을 갖는 재료로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 재료로 이루어진 도광판의 일측 또는 양측으로 입사한 광은 도광판의 임계각 이내의 각도를 가지므로, 도광판 내부로 입사되고, 도광판의 상면 또는 하면에 입사되었을 때 광의 각도는 임계각을 벗어나게 되어, 도광판 외부로 출사되지 않고, 도광판 내부에 골고루 전달된다.
도광판의 상면 및 하면 중 어느 하나의 면, 예를 들어 출광면과 대향하는 하면에는 가이드 된 광이 상부로 출사될 수 있도록 산란 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 도광판 내부에서 전달된 광
이 상부로 출사될 수 있도록 도광판의 일면에 예를 들어 잉크로 산란 패턴을 인쇄할 수 있다. 이러한 산란 패턴은 잉크를 인쇄하여 형성할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도광판에 미세한 홈이나 돌기를 형성할 수도 있으며, 다양한 변형이 가능하다.
도광판과 하부 수납부재의 바닥부 사이에는 반사부재가 더 구비될 수 있다. 반사부재는 도광판의 하면, 즉 출광면과 대향하는 반대면으로 출사되는 광을 다시 반사시켜 도광판에 공급하는 역할을 한다. 반사부재는 필름 형태로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
광원부는 도광판의 입광면과 대면하도록 배치될 수 있다. 광원부의 개수는 필요에 따라 적절히 변경 가능하다. 예컨대 광원부는 도광판의 일 측면에만 한 개가 구비될 수도 있으며, 도광판의 4개의 측면 중 3개 이상의 측면과 대응되도록 3개 이상이 구비되는 것도 가능하다. 또한 도광판의 측면 중 어느 하나와 대응되도록 배치된 광원부가 복수개인 경우도 가능하다고 할 것이다. 상기와 같이, 도광판의 측면에 광원이 위치하는 방식인 사이드 라이트 방식을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 백라이트 구성에 따라 직하 방식, 면 형상 광원 방식 등이 있다.
광원은 백색광을 발산하는 백색 LED일 수 있으며, 또는 각각 적(R), 녹(G), 청(B)의 색의 광을 발산하는 복수개의 LED일 수도 있다. 복수개의 광원이 각각 적(R), 녹(G), 청(B)의 색의 광을 발산하는 LED로 구현되는 경우, 이들을 한꺼번에 점등시킴으로써 색섞임에 의한 백색광을 구현할 수도 있다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 액정표시장치의 제조방법이 개략적으로 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 곡면 액정표시장치 제조방법은 패턴 전극(191)이 형성된 제 1평판 기판(100)과 제 1평판 기판(100)과 대향하고 패턴리스 전극(250)이 형성된 제 2평판 기판(210)을 준비하는 단계를 포함한다. 상기 패턴 전극(191)은 화소전극일 수 있고, 상기 패턴리스 전극(250)은 공통전극일 수 있다.
다음으로, 제 1평판 기판(100) 상의 패턴 전극(191) 상에 반응성 메조겐들(RM)과 중합 개시제를 포함하는 프리(pre) 수직 배향층(194-1')을 형성하는 단계를 포함한다.
다음으로, 도 6과 같이, 액정 조성물, 및 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자(A)를 포함하는 액정층(300)을 제 1평판 기판(100)과 제 2평판 기판(210) 사이에 주입하는 액정 주입 단계를 포함한다.
액정층(300) 내에 포함된 상기 나노 입자의 소수성 말단기는 노출된 패턴리스 전극(250) 상으로 이동할 수 있다. 또한, 친수성 말단기는 패턴리스 전극(250)에 인접하는 액정 분자들(302)과 인접하는 방향으로 이동할 수 있다. 이에 의해 상기 액정 주입 단계 이후 패턴리스 전극(250)의 표면에 인접하는 액정 분자(302)는 상기 나노 입자에 의해 수직배향될 수 있다.
상기 나노 입자는 액정층(300) 내에서 0.01중량% 내지 0.5중량%의 범위로 포함될 수 있다. 0.01중량% 미만일 경우 액정 분자들의 선경사 구현이 어려울 수 있고, 0.5중량%를 초과하는 경우 나노 입자들간에 서로 응집될 수 있다. 또한, 상기 나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 상기 소수성기 및 상기 친수성기는 상기 2개의 말단에 각각 위치할 수 있다.
상기 나노 입자는 예를 들어, HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 나노 입자는 사슬 모양의 탄화 수소를 포함하는 소수성기와 질소이온과 브롬이온이 결합하고 있는 친수성기를 포함할 수 있다. 즉, 사슬 모양의 탄화수소는 2개의 말단부를 가지고 하나의 말단부에는 소수성기가, 다른 말단부에는 친수성기가 위치한다. 상기 나노 입자의 친수성기는 패턴리스 전극(250)의 표면에 수소 결합 등과 같은 결합에 의해 흡착되고, 사슬 모양의 탄화 수소는 제 2평판 기판(210)에 수직 방향으로 배열될 수 있다. 즉, 사슬 모양의 탄화수소는 수직 배향막의 알킬 사슬 역할을 하여 액정을 수직 방향으로 배향하도록 할 수 있다. 상기와 같이, 액정 주입 단계 이후 상기 패턴리스 전극(250) 상에는 제 2수직 배향층(270)이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이, 열처리(H)를 통해 프리(pre) 수직 배향층(194-1')의 반응성 메조겐들을 상기 액정층으로 용출시키는 단계를 포함할 수 있다. 열처리는 제 1평판 기판(100) 과 제 2평판 기판(210) 모두를 향하여 수행될 수 있으나, 제 1평판 기판(100) 방향만을 향하여 처리할 수도 있다.
도 7과 같은 열처리에 의해 도 8과 같이, 액정층(300) 내에는 반응성 메조겐(RM)들이 용출될 수 있다. 한편, 도 8과 같이, 용출된 반응성 메조겐(RM)들의 중합을 위해 전계 노광(UV)을 진행할 수 있으며, 이를 통해 도 9와 같이, 제 1평판 기판(100) 상에 중합 개시제의 분해산물을 포함하는 수직 배향층(194-1)과 상기 반응성 메조겐들의 중합체들을 포함하는 선경사 배향 안정화층(194-2)을 형성할 수 있다. 선경사 배향 안정화층(194-2)은 제 1수직 배향층(194-1)과 나노 입자를 포함하는 제 2곡면 액정 배향층(270) 중 제 1수직 배향층(194-1) 상에만 선택적으로 형성된다.
다시 도 8을 참고하면, 전계를 가한 상태에서 액정 분자들(301, 302)은 표시기판(SUB1')과 대향 표시기판(SUB2')에 대해 소정의 선경사각(θ1, θ2)으로 경사 배향될 수 있다. 표시기판(SUB1') 상에 배향된 액정 분자들(301)의 선경사각(θ1)과 대향 표시기판(SUB2') 상에 배향된 액정 분자들(302)의 선경사각(θ2)은 실질적으로 동일하다. 표시기판(SUB1')은 반응성 메조겐들(RM)을 포함하지 않거나 또는 미량 존재하는 제 1프리 수직 배향층(194-1')을 포함할 수 있으며, 대향 표시기판(SUB2')은 수직 배향된 나노 입자를 포함할 수 있다.
한편, 도 9와 같이, 액정패널(500-3)에 인가된 전계를 해제한 경우에도, 선경사 배향 안정화층(194-2) 상에 배향된 액정 분자들(301)은 선경사 배향이 유지될 수 있다. 이와 달리, 제 2곡면 액정 배향층(270) 상에 배향된 액정 분자들(302)은, 액정패널(500-3)에 인가된 전계를 해제한 때에, 대향 표시기판(SUB2')에 대해 실질적으로 수직 배향된다. 따라서, 선경사 배향 안정화층(194-2) 상에 배향된 액정 분자들(301)의 선경사각(θ1)과 제 2곡면 액정 배향층(270) 상에 배향된 액정 분자들(302)의 선경사각(θ2) 간에는 차이가 발생하게 된다. 즉, 전계 노광 이후 전계를 해제하면, 제 2곡면 액정 배향층(270) 상에 배향된 액정 분자들(302)은 선경사 배향 안정화층(194-2) 표면의 액정 분자들(301)에 비해 수직 배향될 수 있다.
이로 인해, 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 상부 곡면 표시기판과 하부 곡면 표시기판의 오정렬로 인한 텍스쳐 발생을 최소화 내지 방지할 수 있다. 상기 상부 곡면 표시기판은 대향 표시기판(SUB2')에 대응되고, 상기 하부 곡면 표시기판은 표시기판(SUB1-1)에 대응된다.
한편, 별도로 도시하진 않았으나, 전계 노광 이후, 형광 UV를 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 형광 UV를 조사함으로써, 액정층 내에 잔류하는 반응성 메조겐을 잔여 반응성 단량체(RM)을 제거할 수 있다. 즉, 전계 노광 이후 미반응되어 액정층(300) 내에 남아있는 반응성 단량체(RM)을 제거할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하면, 제 1평판 기판(100)과 제 2평판 기판(210)을 구부리는 단계를 포함할 수 있고, 액정패널(500-3)을 구부림(B)으로써, 액정패널(500C)을 제조할 수 있다. 이 때, 표시기판(SUB1-1)과 표시기판(SUB2') 중 어느 하나는 다른 하나를 기준으로 왼쪽 방향(D1) 또는 오른쪽 방향(D2)으로 이동될 수 있다.
이와 관련하여, 도 10에는 기존의 평판 액정표시장치(FLCD)와 이로부터 제조된 기존의 곡면 액정표시장치(CLCD)에서의 상부 표시기판과 하부 표시기판 간의 정렬 상태가 도시되어 있다.
기존의 평판 액정표시장치(FLCD)는, 고분자 안정화 배향(PSA, Polymer Stabilized Aligned) 또는 고분자 안정화 수직 배향(PS-VA, Polymer Stabilized-Vertical Aligned) 유형의 평판 액정표시장치로서, 선경사 배향 안정화층이 상부 평판 표시기판과 하부 평판 표시기판에 모두 형성되어 있고, 상기 선경사 배향 안정화층 상에 배향된 액정 분자들은 동일한 선경사각을 갖고 다중 도메인들을 형성하게 된다.
도 10을 참고하면, 기존의 평판 액정표시장치(FLCD)로부터 기존의 곡면 액정 액정표시장치(CLCD)를 제조하는 경우, 상기 상부 곡면 표시기판과 상기 하부 곡면 표시기판 간에는 정렬 오차가 발생되고, 이로 인해, 상기 상부 곡면 표시기판 상에 배향된 액정 분자들의 배향 방향과 상기 하부 표시기판 상에 배향된 액정 분자들의 배향 방향이 서로 충돌하게 되어, 이들의 사이에 위치하는 액정 분자들은 실질적으로 수직 배향되는 결과, 텍스쳐(texture)(CLCD 점선 사각형 영역)가 얼룩 내지 암부로 시인되게 된다. 따라서, 기존의 곡면 액정표시장치(CLCD)은 광 투과율이 저하되었다.
본 발명의 곡면 액정표시장치에 따르면, 제 1곡면 기판과 인접하여 위치하는 액정 분자들은 상대적으로 소정의 각도로 선경사를 구현하게 하고, 제 2곡면 기판의 표면에 위치하는 액정 분자들은 실질적으로 수직배향만 구현하도록 하여 상기와 같은 텍스쳐의 발생을 방지할 수 있고, 이에 의해 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
표시기판: SUB1C
대향 표시기판: SUB2C
스위칭 소자 어레이 기판: 100C
액정층: 300C
액정 분자: 301, 302
액정모듈: 500C
화소 전극: 191C
공통 전극: 250C
제 1곡면 액정 배향층: 194C
제 2곡면 액정 배향층: 270C

Claims (18)

  1. 제 1곡면 기판;
    상기 제 1곡면 기판과 대향하는 제 2곡면 기판;
    상기 제 1곡면 기판과 상기 제 2곡면 기판의 사이에 배치된 액정층;
    상기 액정층과 상기 제 1곡면 기판의 사이에 배치되는 제 1곡면 액정 배향층; 및
    상기 액정층과 상기 제 2곡면 기판의 사이에 배치되는 제 2곡면 액정 배향층;을 포함하되,
    상기 제 2곡면 액정 배향층은 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함하는 곡면 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1곡면 액정 배향층은 중합 개시제의 분해산물을 포함하는 곡면 액정표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1곡면 액정 배향층은 분지형 고분자로 구성되고, 상기 중합 개시제의 분해산물은 상기 분지형 고분자의 주사슬로부터 분지된 측쇄에 결합된 곡면 액정표시장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2곡면 액정 배향층은 중합 개시제의 분해산물을 포함하지 않는 곡면 액정표시장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 상기 소수성기 및 상기 친수성기는 상기 2개의 말단에 각각 위치하는 곡면 액정표시장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 액정층은 상기 제 1곡면 액정 배향층의 표면에 배향된 음의 유전율 이방성의 제 1액정 분자와 상기 제 2곡면 액정 배향층의 표면에 배향된 제 2액정 분자를 포함하고,
    상기 제 2액정 분자가 전계를 인가하지 않은 초기상태에서 상기 제 1액정 분자에 비해 수직 배향되는 곡면 액정표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1곡면 기판과 상기 제 1곡면 액정 배향층의 사이에 배치되고 슬릿 패턴을 가진 패턴 전극; 및
    상기 제 2곡면 액정 배향층과 상기 제 2곡면 기판의 사이에 배치되고 슬릿 패턴을 가지지 않는 패턴리스(patternless) 전극;
    을 더 포함하는 곡면 액정표시장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 나노 입자의 상기 친수성기는 상기 패턴리스 전극에 흡착된 곡면 액정표시장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 나노 입자의 상기 소수성기는 상기 액정층에 인접하는 곡면 액정표시장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함하는 곡면 액정표시장치.
  11. 패턴 전극이 형성된 제 1평판 기판과 상기 제 1평판 기판과 대향하고 패턴리스 전극이 형성된 제 2평판 기판을 준비하는 단계;
    상기 제 1평판 기판 상의 상기 패턴 전극 상에 반응성 메조겐들과 중합 개시제를 포함하는 프리(pre) 수직 배향층을 형성하는 단계;
    액정 조성물, 및 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함하는 액정층을 상기 제 1평판 기판과 상기 제 2평판 기판 사이에 주입하는 액정 주입 단계;
    열처리를 통해 상기 반응성 메조겐들을 상기 액정층으로 용출시키는 단계;
    전계 노광을 통해 상기 제 1평판 기판 상에 상기 중합 개시제의 분해산물을 포함하는 수직 배향층과 상기 반응성 메조겐들의 중합체들을 포함하는 선경사 배향 안정화층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1평판 기판과 상기 제 2평판 기판을 구부리는 단계;를 포함하는 곡면 액정표시장치 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 액정층은 상기 나노 입자를 0.01중량% 내지 0.5중량%의 범위로 포함하는 곡면 액정표시장치 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 나노 입자는 2개의 말단을 가지는 사슬 형태의 탄화 수소를 포함하고, 상기 소수성기 및 상기 친수성기는 상기 2개의 말단에 각각 위치하는 곡면 액정표시장치 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 POSS(Polyhedral Oligomeric SilseSquioxanes)를 포함하는 곡면 액정표시장치 제조방법
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 액정 주입 단계에 의해 상기 나노 입자의 상기 친수성기는 상기 패턴리스 전극에 흡착되고, 상기 소수성기는 상기 액정층에 인접하게 형성되는 곡면 액정표시장치 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 액정 주입 단계 이후 상기 제 2평판 기판의 상기 패턴리스 전극의 표면에 인접하는 제 1액정 분자는 상기 나노 입자에 의해 수직배향된 곡면 액정표시장치 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 전계 노광 이후 전계를 해제하면, 상기 제 1액정 분자는 상기 선경사 배향 안정화층 표면의 제 2액정 분자에 비해 수직 배향되는 곡면 액정표시장치 제조방법.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 전계 노광 이후, 형광 UV를 조사하는 단계를 더 포함하는 곡면 액정표시장치 제조방법.
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