KR20170086811A - 태양 전지 및 태양 전지 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에서 제1 방향으로 길게 뻗은 제1 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부; 반도체 기판의 후면에서 제1 라인과 나란한 제2 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부; 제1 라인과 제2 라인 사이에 위치하며, 제1, 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않는 진성 반도체부; 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극; 및 제2 반도체부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고, 제1 라인 또는 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부가 더 위치한다.
또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 제1 반도체부, 제2 반도체부, 진성 반도체부, 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 태양 전지; 및 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 제1 도전성 배선과 제2 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 제1 라인 또는 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부가 더 위치할 수 있다.

Description

태양 전지 및 태양 전지 모듈{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.
본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에서 제1 방향으로 길게 뻗은 제1 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부; 반도체 기판의 후면에서 제1 라인과 나란한 제2 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부; 제1 라인과 제2 라인 사이에 위치하며, 제1, 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않는 진성 반도체부; 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극; 및 제2 반도체부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고, 제1 라인 또는 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부가 더 위치한다.
일례로, 진성 반도체부는 제2 라인 선상에 위치하고, 제1 라인에는 위치하지 않을 수 있다.
이와 같은 경우, 제1 라인 선상에는 하나의 제1 반도체부가 길게 위치하고, 제2 라인 선상에는 제2 라인을 따라 제2 반도체부와 진성 반도체부가 교번하여 위치할 수 있다.
여기서, 제2 라인에 이격되어 위치하는 제2 반도체부의 제1 방향 길이는 제2 라인에 이격되어 위치하는 진성 반도체부의 제1 방향 길이보다 길 수 있다.
일례로, 제2 라인에 이격되어 위치하는 제2 반도체부 각각의 제1 방향 길이는 4mm ~ 8mm 사이이고, 제2 라인에 이격되어 위치하는 진성 반도체부의 제1 방향 길이는 0.75mm ~ 3.05mm 사이일 수 있다.
이때, 제2 라인에 위치하는 제2 전극은 제2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않고, 제1 전극은 제1 라인을 따라 이격되지 않고 스트라이프 형태로 길게 형성될 수 있다.
또한, 다른 일례로, 진성 반도체부는 제1 라인 및 제2 라인에 이격되어 위치할 수 있다.
이때, 제1 라인을 따라 제1 반도체부와 진성 반도체부가 교번하여 위치하고, 제2 라인을 따라 제2 반도체부와 진성 반도체부가 교번하여 위치할 수 있다.
여기서, 제1 라인에 위치한 진성 반도체부는 제2 라인에 위치한 진성 반도체부와 엇갈려 위치할 수 있다.
또한, 제1 전극 및 제2 전극 각각은 제1, 2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않을 수 있다.
또한, 반도체 기판은 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있다.
또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에서 제1 방향으로 길게 뻗은 제1 라인 선상에 위치하며 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부, 반도체 기판의 후면에서 제1 라인과 나란한 제2 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부, 제1 라인과 제2 라인 사이에 위치하며, 제1, 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않는 진성 반도체부, 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체부에 연결되는 제2 전극을 포함하는 태양 전지; 및 서로 인접한 태양 전지를 전기적으로 연결하기 위하여 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되며, 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 제1 도전성 배선과 제2 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 제1 라인 또는 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부가 더 위치할 수 있다.
일례로, 진성 반도체부는 제2 라인에 위치하고, 제1 라인에는 위치하지 않을 수 있다.
여기서, 제1 도전성 배선은 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인 선상에서 제1 반도체부에 도전성 접착제를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인 선상에서 제2 라인에 위치하는 진성 반도체부에 접촉되어, 전기적으로 절연될 수 있다.
아울러, 제2 도전성 배선은 절연층에 의해 제1 반도체부와 전기적으로 절연될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 라인 선상에서는 하나의 제1 반도체부가 길게 위치하고, 제2 라인 선상에서는 제2 반도체부와 진성 반도체부가 제2 라인을 따라 교번하여 위치할 수 있다.
또한, 제2 라인에 위치하는 제2 전극은 제2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않고, 제1 전극은 제1 라인을 따라 이격되지 않고 스트라이프 형태로 길게 형성될 수 있다.
이때, 제2 전극이 이격되는 폭은 제 2 도전성 배선의 선폭보다 클 수 있다.
여기서, 제1 도전성 배선과 제2 라인이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선은 제2 전극이 이격된 영역과 중첩하여 배치되고, 제2 도전성 배선과 제1 전극이 교차하는 부분에는 절연층이 위치할 수 있다.
또한, 다른 일례로 진성 반도체부는 제1 라인 및 제2 라인에 위치할 수 있다.
여기서, 제2 도전성 배선은 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인 선상에서 제2 반도체부에 도전성 접착제를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인 선상에서 제1 라인에 위치하는 진성 반도체부에 접촉되어, 전기적으로 절연될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 라인 선상에서는 제1 반도체부와 진성 반도체부가 제1 라인을 따라 교번하여 위치하고, 제2 라인 선상에서는 제2 반도체부와 진성 반도체부가 제2 라인을 따라 교번하여 위치할 수 있다.
이때, 제1 전극 및 제2 전극 각각은 제1, 2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않을 수 있다.
또한, 제1 도전성 배선과 제2 라인이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선은 제2 전극이 이격된 영역에 배치되고, 제2 도전성 배선과 제1 라인이 교차하는 부분에서 제2 도전성 배선은 제1 전극이 이격된 영역에 배치될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 및 태양 전지 모듈은 제1, 2 반도체부가 형성되는 제1, 2 라인 중 적어도 하나에 진성 반도체부를 형성시키고, 제1, 2 라인에서 진성 반도체부가 형성된 영역에는 전극을 형성시키지 않아, 제1, 2 도전성 배선과의 단락 방지를 위해 사용되는 절연층을 최소화할 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판(110)의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 1은 태양 전지 모듈을 후면에서 바라본 형상의 일례이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 태양 전지, 복수의 도전성 배선들(200)을 포함할 수 있다.
여기서, 태양 전지는 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
여기서, 제1 전극(141)은 도 1에서 확대된 부분과 같이, 반도체 기판(110)의 후면에서 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1 라인(X1) 선상에 위치하고, 제2 전극(142)은 반도체 기판(110)의 후면에서 제1 라인(X1)과 나란한 제2 라인(X2) 선상에 위치할 수 있다.
여기서, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1, 2 전극(141, 142) 중 적어도 하나의 전극은 각 라인 선상에서 이격되어 배치될 수 있다.
즉, 제1 전극(141)이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1 라인(X1) 선상에서 이격되어 복수 개로 형성되거나, 제2 전극(142)인 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제2 라인(X2) 선상에서 이격되어 복수 개로 형성될 수도 있고, 제1, 2 전극(141, 142) 모두가 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1, 2 라인(X1, X2) 각각의 선상에서 이격되어 복수 개로 형성될 수 있다.
도 1에서는 확대 도시한 부분에서와 같이, 제1 전극(141)이 제1 라인(X1) 선상에서 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 스트라이프 형태로 배치되고, 제2 전극(142)은 제2 라인(X2) 선상에서 이격되어 복수 개로 배치되는 경우를 일례로 도시하였다.
이와 같은 제1, 2 전극(141, 142)을 포함한 태양 전지의 구조에 대해서는 도 2 내지 도 5에서 보다 구체적으로 설명한다.
아울러, 복수의 도전성 배선(200)은 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향인 제1 방향(x)의 제1, 2 라인(X1, X2)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되어, 태양 전지에 접속될 수 있다.
이와 같은, 복수의 도전성 배선(200)은 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 제1 도전성 배선(210)은 복수의 제1 전극(141)에 중첩 및 교차되는 부분에서 복수의 제1 전극(141)에 도전성 접착제(251)를 통해 접속될 수 있다.
아울러, 복수의 제2 도전성 배선(220)은 복수의 제2 전극(142)에 중첩 및 교차되는 부분에서 복수의 제2 전극(142)에 도전성 접착제(251)를 통해 접속될 수 있다.
또한, 제1 도전성 배선(210)은 제2 전극(142)과 교차하지 않고, 제2 도전성 배선(220)은 제1 전극(141)과 교차할 수 있다. 여기서, 제2 도전성 배선(220)이 제1 전극(141)과 교차하는 부분에서는 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.
이와 같은 복수의 도전성 배선(200)은 인접한 태양 전지에 구비된 다른 극성의 전극에 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.
일례로, 복수의 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지 사이에 위치하고, 인접한 태양 전지의 제2 전극(142)에 연결된 별도의 인터커넥터를 통해 인접한 태양 전지에 직렬 연결되거나, 별도의 인터커넥터 없이 제1 도전성 배선(210)이 인접한 태양 전지의 제2 전극(142)에 도전성 접착제(251)를 통해 직렬 연결될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1, 2 전극(141, 142) 중 어느 하나의 전극이 제1 라인(X1) 또는 제2 라인(X2) 중 적어도 하나의 라인 선상에서 이격되어 위치하도록 하여, 제1 전극(141)이 제2 도전성 배선(220)과 교차하지 않도록 하거나, 제2 전극(142)이 제1 도전성 배선(210)과 교차하지 않도록 하여, 절연층의 사용을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 태양 전지 모듈의 제조 비용을 최소화할 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈의 각 구성 부분에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제2 방향(y) 단면을 도시한 것이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다.
반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.
이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다.
이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.
반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.
이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.
아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.
제1 반도체부(121)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗은 제1 라인(X1) 선상 배치되며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.
각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.
제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여, 제1 반도체부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제2 라인(X2) 선상에 위치하도록 형성될 수 있다.
이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.
이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다.
따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다.
지금까지의 도 2 내지 도 4에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.
아울러, 여기의 도 2 및 도 4에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.
진성 반도체부(150)은 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.
아울러, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.
패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
복수의 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제1 라인(X1) 선상에 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.
복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 라인(X1)과 나란하게 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 제2 라인(X2) 선상에 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.
이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제2 방향(y)으로 교번하여 배치될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.
한편, 이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지에서 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 라인(X1) 또는 제2 라인(X2) 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부(150)가 더 위치할 수 있다.
이에 대해, 도 4 및 도 5를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4는 도 2에 도시된 패시베이션층(190)이 생략된 상태에서, 태양 전지의 후면에 제1, 2 반도체부(121, 172), 진성 반도체부(150) 및 제1, 2 전극(141, 142)의 패턴을 도시한 것이고, 도 5는 도 4에 도시된 태양 전지의 후면에 패시베이션층(190)이 형성된 상태에서 제1, 2 전극(141, 142) 패턴을 도시한 것이다.
도 5에서, 태양 전지의 후면에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 중첩되어 접속되는 영역은 점선으로 도시하였다.
제1 라인(X1) 또는 제2 라인(X2) 중 적어도 하나의 라인 선상에는 진성 반도체부(150)가 더 위치하되, 일례로, 도 4에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)는 제2 라인(X2) 선상에 위치하고, 제1 라인(X1) 선상에는 위치하지 않을 수 있다.
즉, 제1 라인(X1) 선상에는 하나의 제1 반도체부(121)가 스트라이프 형태로 길게 위치하고, 제2 라인(X2) 선상에는 제2 라인(X2)을 따라 제2 반도체부(172)와 진성 반도체부(150)가 교번하여 위치할 수 있다.
따라서, 하나의 제1 라인(X1) 선상에 위치한 제1 반도체부(121)는 하나이고, 하나의 제2 라인(X2) 선상에 형성된 제2 반도체부(172)는 복수 개가 제2 라인(X2)을 따라 이격되어 위치할 수 있다.
아울러, 도 4에서는 제1 반도체부(121)의 선폭과 제2 반도체부(172)의 선폭이 동일한 것으로 도시되었으나, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)의 선폭은 제2 반도체부(172)의 선폭보다 크게 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 4에서는 반도체 기판(110)에 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어, 제1 반도체부(121)가 에미터부로 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로 역할을 하는 경우를 일례로 설명하면서, 후면 전계부 역할을 하는 제2 반도체부(172)가 제2 라인(X2) 선상에서 이격되어 위치하되, 진성 반도체부(150)와 교번하는 경우를 일례로 설명하였지만, 이와 반대로, 반도체 기판(110)에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수도 있으며, 이때에는, 에미터 역할을 하는 제2 반도체부(172)가 제2 라인(X2) 선상에서 이격되어 위치하되, 진성 반도체부(150)와 교번할 수 있다.
여기서, 제2 반도체부(172)의 영역 감소를 최소화하기 위하여, 제2 라인(X2)에 이격되어 위치하는 제2 반도체부(172)의 제1 방향(x) 길이는 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 라인(X2)에 이격되어 위치하는 진성 반도체부(150)의 제1 방향(x) 길이보다 길게 형성될 수 있다. 이에 따라, 태양 전지의 필 팩터나 단락 전류가 감소되는 것을 최소화할 수 있다.
구체적으로, 제2 라인(X2)에 이격되어 위치하는 제2 반도체부(172) 각각의 제1 방향 길이(L172)는 4mm ~ 8mm 사이로 형성되고, 제2 라인(X2)에 이격되어 위치하는 진성 반도체부(150)의 제1 방향 길이(L150)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭보다 크게 형성되되, 0.75mm ~ 3.05mm 사이로 형성될 수 있다.
아울러, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 위치하는 진성 반도체부(150)의 제2 방향 폭(W150)은 진성 반도체부(150)의 제1 방향 길이(L150)보다 작을 수 있으며, 일례로, 진성 반도체부(150)의 제2 방향 폭(W150)은 50um ~ 500um 사이로 형성될 수 있다.
아울러, 제2 라인(X2)에 위치하여 제2 반도체부(172)에 접속되는 제2 전극(142)은 제2 라인(X2)을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부(150)가 형성된 영역에는 형성되지 않을 수 있고, 제1 전극(141)은 제1 라인(X1)을 따라 이격되지 않고 스트라이프 형태로 길게 하나로 형성될 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 상태에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.
여기서, 도 1에서 전술한 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141)이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141)은 도전성 접착제(251)에 의해 접속될 수 있다.
이에 따라, 제1 도전성 배선(210)은 제2 방향(y)으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인(X1) 선상에서 제1 반도체부(121)에 도전성 접착제(252)를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인(X2) 선상에서 제2 라인(X2)에 위치하는 진성 반도체부(150)에 접촉되어, 전기적으로 절연될 수 있다.
아울러, 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142)이 교차하는 부분에서 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142)은 도전성 접착제(251)에 의해 접속될 수 있다.
여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141)이 교차하는 부분에는 절연층(252)이 위치하여, 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141)이 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.
이에 따라, 제2 도전성 배선(220)은 절연층(252)에 의해 제1 반도체부(121)와 전기적으로 절연될 수 있다.
또한, 제1 도전성 배선(210)과 제2 라인(X2)이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선(210)은 제2 전극(142)이 이격된 영역과 중첩하여 배치될 수 있다. 이때, 제2 전극(142)이 이격되는 폭은 제 2 도전성 배선의 선폭보다 클 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 도전성 배선(210)과 제2 라인(X2)이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142)이 서로 교차하거나 중첩되지 않아, 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이의 절연을 위한 별도의 절연층(252)을 형성하지 않아도 되므로, 절연층(252)의 사용을 보다 줄일 수 있어, 태양 전지 모듈의 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.
이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142)이 접속되는 단면 구조는 다음의 도 6과 같다.
도 6은 도 1에서 C1-C1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)은 제1 전극(141)에 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 제2 도전성 배선(220)은 제2 전극(142)에 도전성 접착제(251)를 통해 접속될 수 있다.
아울러, 제1 도전성 배선(210)은 도 1 및 도 5에서 전술한 바와 같이, 제2 전극(142)이 이격된 영역과 중첩되므로, 제1 도전성 배선(210)은 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 전극(142)과 교차하지도 않고 중첩되지도 않을 수 있다.
그러나, 제2 도전성 배선(220)은 제1 전극(141)과 교차되고 중첩되므로, 제1 전극(141)과 교차하는 부분에는 절연층(252)에 의해 단락이 방지될 수 있다.
이에 따라, 제2 도전성 배선(220)은 제2 방향(y)으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인(X2) 선상에서 제2 반도체부(172)에 도전성 접착제(251)를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인(X1) 선상에서 제1 라인(X1)에 위치하는 진성 반도체부(150)에 접촉되어, 전기적으로 절연될 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도전성 금속 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 코어와, 코어의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 코팅층을 포함할 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 하되, 진성 반도체부(150)의 제1 방향 길이(L150)보다 작은 범위에서, 0.7mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 8mm 사이로 형성될 수 있으며, 하나의 반도체 기판(110)에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 총 개수는 10개 내지 30개 사이일 수 있다.
여기서, 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.
여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각은 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 각 태양 전지 사이에 배치되는 별도의 인터커넥터에 접속되거나, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 인접한 태양 전지의 반대 극성을 가지는 전극에 접속될 수 있다.
이를 위해, 복수의 제1 도전성 배선(210) 각각은 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 배치될 수 있고, 복수의 제2 도전성 배선(220) 각각도 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.
지금까지는 진성 반도체부(150)가 제2 라인(X2) 선상에 위치하고, 제2 라인(X2) 선상에는 위치하지 않는 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게, 진성 반도체부(150)는 제1, 2 라인(X1, X2) 선상에 모두 위치하되, 제1, 2 라인(X1, X2)에서 이격되어 위치할 수 있다.
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지를 설명하기 위한 도로서, 구체적으로 도 7은 태양 전지의 후면에 제1, 2 반도체부(121, 172), 진성 반도체부(150) 및 제1, 2 전극(141, 142)의 패턴을 도시한 것이고, 도 8은 도 7에 도시된 태양 전지의 후면에 패시베이션층(190)이 형성된 상태에서 제1, 2 전극(141, 142) 패턴을 도시한 것이다.
도 7 및 도 8에서는 제1, 2 반도체부(121, 172), 진성 반도체부(150) 및 제1, 2 전극(141, 142)의 패턴을 제외한 나머지 구성 요소는 앞선 도 2 내지 도 6에서 설명한 태양 전지의 구성 요소와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)는 제1 라인(X1) 및 제2 라인(X2)에 위치하되, 제1 라인(X1) 및 제2 라인(X2)에서 이격되어 위치할 수 있다.
구체적으로, 진성 반도체부(150)는 제1 라인(X1) 선상에서 제1 라인(X1)을 따라 제1 반도체부(121)와 교번하여 위치하고, 제2 라인(X2) 선상에서 제2 라인(X2)을 따라 제2 반도체부(172)와 교번하여 위치할 수 있다.
여기서, 제1 라인(X1)에 위치한 진성 반도체부(150)는 제2 라인(X2)에 위치한 진성 반도체부(150)와 엇갈려 위치할 수 있다.
즉, 제1 라인(X1)에 위치한 진성 반도체부(150)는 제1 도전성 배선(210)과 교차하는 부분에 위치하고, 제2 라인(X2)에 위치한 진성 반도체부(150)는 제2 도전성 배선(220)과 교차하는 부분에 위치할 수 있다.
아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141) 및 제2 전극(142) 각각은 제1, 2 라인(X1, X2)을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 진성 반도체부(150)가 형성된 영역에는 형성되지 않을 수 있다.
이때, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)은 제1 라인(X1)에서 복수 개로 이격된 제1 전극(141) 각각과 교차하여 접속될 수 있으며, 제2 도전성 배선(220)은 제2 라인(X2)에서 복수 개로 이격된 제2 전극(142) 각각과 교차하여 접속될 수 있다.
도 8에는 도시되지는 않았지만, 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141) 사이 및 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142) 사이는 도전성 접착제(251)를 통해 서로 접속될 수 있다.
아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)과 제2 라인(X2)이 교차하는 부분에서 제1 도전성 배선(210)은 제2 전극(142)이 이격된 영역에 배치되고, 제2 도전성 배선(220)과 제1 라인(X1)이 교차하는 부분에서 제2 도전성 배선(220)은 제1 전극(141)이 이격된 영역에 배치될 수 있다.
이에 따라, 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이 및 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141) 사이는 별도의 절연층(252) 없이도 절연이 가능하다.
이에 따라, 태양 전지 모듈을 제조할 때, 절연층(252)을 전혀 사용하지 않을 수 있어, 태양 전지 모듈의 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (25)

  1. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판의 후면에서 제1 방향으로 길게 뻗은 제1 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부;
    상기 반도체 기판의 후면에서 상기 제1 라인과 나란한 제2 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부;
    상기 제1 라인과 상기 제2 라인 사이에 위치하며, 상기 제1, 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않는 진성 반도체부;
    상기 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극; 및
    상기 제2 반도체부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,
    상기 제1 라인 또는 상기 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 상기 진성 반도체부가 더 위치하는 태양 전지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 진성 반도체부는 상기 제2 라인 선상에 위치하고, 상기 제1 라인에는 위치하지 않는 태양 전지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 라인 선상에는 하나의 제1 반도체부가 길게 위치하고, 상기 제2 라인 선상에는 상기 제2 라인을 따라 상기 제2 반도체부와 상기 진성 반도체부가 교번하여 위치하는 태양 전지.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 라인에 이격되어 위치하는 상기 제2 반도체부의 상기 제1 방향 길이는 상기 제2 라인에 이격되어 위치하는 상기 진성 반도체부의 상기 제1 방향 길이보다 긴 태양 전지.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 라인에 이격되어 위치하는 상기 제2 반도체부 각각의 상기 제1 방향 길이는 4mm ~ 8mm 사이인 태양 전지.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 라인에 이격되어 위치하는 상기 진성 반도체부의 상기 제1 방향 길이는 0.75mm ~ 3.05mm 사이인 태양 전지.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 라인에 위치하는 제2 전극은 상기 제2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 상기 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 라인을 따라 이격되지 않고 스트라이프 형태로 길게 형성되는 태양 전지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 진성 반도체부는 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인에 이격되어 위치하는 태양 전지.
  9. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 라인을 따라 상기 제1 반도체부와 상기 진성 반도체부가 교번하여 위치하고,
    상기 제2 라인을 따라 상기 제2 반도체부와 상기 진성 반도체부가 교번하여 위치하는 태양 전지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 라인에 위치한 상기 진성 반도체부는 상기 제2 라인에 위치한 상기 진성 반도체부와 엇갈려 위치하는 태양 전지.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제1, 2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 상기 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않는 태양 전지.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 상기 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 태양 전지.
  13. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에서 제1 방향으로 길게 뻗은 제1 라인 선상에 위치하며 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부, 상기 반도체 기판의 후면에서 상기 제1 라인과 나란한 제2 라인 선상에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부, 상기 제1 라인과 상기 제2 라인 사이에 위치하며, 상기 제1, 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않는 진성 반도체부, 상기 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 반도체부에 연결되는 제2 전극을 포함하는 태양 전지; 및
    서로 인접한 태양 전지를 전기적으로 연결하기 위하여 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되며, 상기 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극에 상기 도전성 접착제를 통해 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고,
    상기 제1 라인 또는 상기 제2 라인 중 적어도 하나의 라인 선상에는 상기 진성 반도체부가 더 위치하는 태양 전지 모듈.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 진성 반도체부는 상기 제2 라인에 위치하고, 상기 제1 라인에는 위치하지 않는 태양 전지 모듈.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 배선은
    상기 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인 선상에서 상기 제1 반도체부에 상기 도전성 접착제를 통해 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인 선상에서 상기 제2 라인에 위치하는 상기 진성 반도체부에 접촉되어, 전기적으로 절연되는 태양 전지 모듈.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 도전성 배선은 절연층에 의해 상기 제1 반도체부와 전기적으로 절연되는 태양 전지 모듈.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 라인 선상에서는 하나의 제1 반도체부가 길게 위치하고,
    상기 제2 라인 선상에서는 상기 제2 반도체부와 상기 진성 반도체부가 상기 제2 라인을 따라 교번하여 위치하는 태양 전지 모듈.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 라인에 위치하는 제2 전극은 상기 제2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 상기 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 라인을 따라 이격되지 않고 스트라이프 형태로 길게 형성되는 태양 전지 모듈.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 전극이 이격되는 폭은 상기 제 2 도전성 배선의 선폭보다 큰 태양 전지 모듈.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 라인이 교차하는 부분에서 상기 제1 도전성 배선은 상기 제2 전극이 이격된 영역과 중첩하여 배치되고,
    상기 제2 도전성 배선과 상기 제1 전극이 교차하는 부분에는 절연층이 위치하는 태양 전지 모듈.
  21. 제13 항에 있어서,
    상기 진성 반도체부는 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인에 위치하는 태양 전지 모듈.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제2 도전성 배선은
    상기 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제2 라인 선상에서 상기 제2 반도체부에 상기 도전성 접착제를 통해 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 방향으로 이격되어 배열된 복수의 제1 라인 선상에서 상기 제1 라인에 위치하는 상기 진성 반도체부에 접촉되어, 전기적으로 절연되는 태양 전지 모듈.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 라인 선상에서는 상기 제1 반도체부와 상기 진성 반도체부가 상기 제1 라인을 따라 교번하여 위치하고,
    상기 제2 라인 선상에서는 상기 제2 반도체부와 상기 진성 반도체부가 상기 제2 라인을 따라 교번하여 위치하는 태양 전지 모듈.
  24. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제1, 2 라인을 따라 복수 개로 이격되어 형성되되, 상기 진성 반도체부가 형성된 영역에는 형성되지 않는 태양 전지 모듈.
  25. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 라인이 교차하는 부분에서 상기 제1 도전성 배선은 상기 제2 전극이 이격된 영역에 배치되고,
    상기 제2 도전성 배선과 상기 제1 라인이 교차하는 부분에서 상기 제2 도전성 배선은 상기 제1 전극이 이격된 영역에 배치되는 태양 전지 모듈.
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