KR20170080330A - Organic light emitting diode display and driving circuit thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기준전압라인의 전압변동량을 보상하여 데이터전압을 공급하는 표시장치를 제공한다. 구체적으로, 이러한 표시장치는 패널, 게이트구동부, 저장부 및 데이터구동부를 포함한다. 패널에는 기준전압라인을 공유하는 제1화소 및 제2화소가 배치된다. 그리고, 게이트구동부는 N(N은 자연수)번째 수평주기에서, 기준전압라인과 연결되는 제1화소 및 제2화소의 센싱트랜지스터로 턴온전압을 공급한다. 그리고, 저장부는 제2화소 센싱트랜지스터의 턴온에 의한 기준전압라인의 전압변동량을 저장한다. 그리고, 데이터구동부는, N번째 수평주기에서, 전압변동량에 따라 보상된 데이터전압을 제1화소로 공급한다.The present invention provides a display device for supplying a data voltage by compensating for a voltage variation of a reference voltage line. Specifically, such a display device includes a panel, a gate driver, a storage, and a data driver. A first pixel and a second pixel sharing the reference voltage line are disposed on the panel. The gate driver supplies the turn-on voltage to the sensing transistors of the first and second pixels connected to the reference voltage line in the N (N is a natural number) horizontal period. The storage unit stores the voltage variation of the reference voltage line due to the turn-on of the second pixel sensing transistor. Then, the data driver supplies the data voltage compensated in accordance with the voltage variation amount to the first pixel in the Nth horizontal period.

Figure P1020150191725
Figure P1020150191725

Description

유기발광표시장치 및 그에 대한 구동회로{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND DRIVING CIRCUIT THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a driving circuit for the OLED display device.

본 발명은 유기발광표시장치 및 그 구동회로에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a driving circuit thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 화상을 표시하는 장치로서 활용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] As an information-oriented society develops, there have been various demands for apparatuses for displaying images. Recently, a liquid crystal display device, a plasma display panel, an organic light- Various display devices such as an image display device and an image display device are used as devices for displaying images.

이러한 다양한 표시장치 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점을 갖고 있어 그 활용 영역이 점점 증가하는 추세를 보이고 있다.Of these various display devices, organic light emitting display devices have advantages of high response speed, high luminous efficiency, luminance and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED) which emits light by themselves, .

유기발광표시장치는 각 화소별로 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DRT: DRiving Transistor), 스위칭트랜지스터(SWT: SWitching Transistor) 및 센싱트랜지스터(SENT: SENsing Transistor)를 포함한다.The OLED display includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT), a switching transistor (SWT), and a sensing transistor (SENT).

각 화소에 위치하는 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드(anode)전극과 전기적으로 연결된다. 그리고, 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드는 스위칭트랜지스터(SWT)의 소스노드 또는 드레인노드와 전기적으로 연결된다. 그리고, 구동트랜지스터(DRT)의 드레인노드는 구동전압을 공급하는 구동전압라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결된다. The source node of the driving transistor DRT located in each pixel is electrically connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate node of the driving transistor DRT is electrically connected to the source node or the drain node of the switching transistor SWT. The drain node of the driving transistor DRT is electrically connected to a driving voltage line (DVL) for supplying a driving voltage.

스위칭트랜지스터(SWT)는 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치한다. 그리고, 스위칭트랜지스터(SWT)는 스캔신호(SCAN)에 의해 턴온됨으로써 데이터라인으로 공급되는 데이터전압을 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드로 전달해 준다. The switching transistor SWT is located between the gate node of the driving transistor DRT and the data line. The switching transistor SWT is turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage supplied to the data line to the gate node of the driving transistor DRT.

센싱트랜지스터(SENT)는 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드와 기준전압라인 사이에 위치한다. 그리고, 센싱트랜지스터(SENT)는 센싱신호(SENSE)에 의해 턴온됨으로써 기준전압라인으로 공급되는 기준전압을 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드로 전달해 준다.The sensing transistor SENT is located between the source node of the driving transistor DRT and the reference voltage line. The sensing transistor SENT is turned on by the sensing signal SENSE to transmit the reference voltage supplied to the reference voltage line to the source node of the driving transistor DRT.

이러한 화소구조에서 스위칭트랜지스터(SWT)의 턴온에 의해 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드에 데이터전압이 형성되고 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온에 의해 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드에 기준전압이 형성되면, 구동트랜지스터(DRT)에는 데이터전압-기준전압의 크기로 게이트-소스전압이 형성된다. 유기발광다이오드(OLED)의 휘도는 이러한 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압 크기로 결정된다.When the data voltage is formed at the gate node of the driving transistor DRT by turning on the switching transistor SWT in this pixel structure and the reference voltage is formed at the source node of the driving transistor DRT by turning on the sensing transistor SENT , A gate-source voltage is formed in the driving transistor DRT with the magnitude of the data voltage-reference voltage. The luminance of the organic light emitting diode OLED is determined by the gate-source voltage magnitude of this driving transistor DRT.

한편, 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전극, 유기층 및 캐소드(cathode)전극을 포함하는데, 이물질 혹은 결함에 의해 애노드전극과 캐소드전극 사이에 단락이 발생하는 경우가 발생할 수 있다. 이러한 경우, 단락이 발생하는 화소에 암점과 같은 불량이 시인될 수 있다. 그리고, 해당 화소와 연결되는 기준전압라인의 전압(기준전압)이 하강할 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting diode (OLED) includes an anode electrode, an organic layer, and a cathode electrode, and a short circuit may occur between the anode electrode and the cathode electrode due to a foreign substance or defect. In such a case, a defect such as a dark spot may be visually recognized in a pixel where a short circuit occurs. Then, the voltage (reference voltage) of the reference voltage line connected to the pixel can be lowered.

유기발광다이오드(OLED)의 애노드는 센싱트랜지스터(SENT)를 통해 기준전압라인과 연결되는데, 유기발광다이오드(OLED)가 단락되는 경우, 단락된 유기발광다이오드(OLED)와 연결된 기준전압라인의 전압(기준전압)은 하강하게 된다. 이러한 기준전압라인의 전압(기준전압) 하강은 다른 화소의 불량을 유발할 수 있다.The anode of the organic light emitting diode OLED is connected to the reference voltage line through the sensing transistor SENT. When the organic light emitting diode OLED is short-circuited, the voltage of the reference voltage line connected to the shorted organic light emitting diode OLED Reference voltage) falls. The falling of the voltage (reference voltage) of this reference voltage line may cause defects of other pixels.

데이터전압과 달리 기준전압은 각 화소별로 서로 다른 크기를 가질 필요가 없기 때문에 유기발광표시장치에서 둘 이상의 화소가 하나의 기준전압라인을 통해 동시에 같은 기준전압을 공급받을 수 있다. 그런데, 기준전압 공유 구조에서, 특정 화소의 유기발광다이오드(OLED)가 단락되는 경우, 단락된 유기발광다이오드(OLED)에 기준전압라인의 전압(기준전압)이 하강하게 되고, 이러한 기준전압라인은 공유하는 다른 화소들의 기준전압도 함께 하강할 수 있다.Unlike the data voltage, the reference voltage need not have a different size for each pixel, so that two or more pixels in the organic light emitting display can receive the same reference voltage simultaneously through one reference voltage line. However, in the reference voltage sharing structure, when the organic light emitting diode OLED of a specific pixel is short-circuited, the voltage (reference voltage) of the reference voltage line is lowered to the shorted organic light emitting diode OLED, The reference voltages of other shared pixels can also be lowered.

기준전압이 하강하면 동일한 데이터전압이 공급될 때, 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압이 상대적으로 더 커지게 된다. 게이트-소스전압이 커지면 휘도가 높아지게 되고, 의도되지 않은 휘도의 상승은 사용자에게 불량으로 시인될 수 있다.When the reference voltage falls, when the same data voltage is supplied, the gate-source voltage of the driving transistor DRT becomes relatively larger. The higher the gate-source voltage, the higher the luminance, and the unintended increase in luminance can be seen as a failure to the user.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 복수의 화소가 기준전압을 공유할 때, 특정 화소의 불량에 따라 변동된 기준전압이 다른 화소에 미치는 영향을 보상하는 기술을 제공하는 것이다.In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a technique for compensating for the influence of a reference voltage fluctuated in accordance with a defect of a specific pixel on another pixel when a plurality of pixels share a reference voltage.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 기준전압라인의 전압변동량을 보상하여 데이터전압을 공급하는 표시장치를 제공한다. 구체적으로, 이러한 표시장치는 패널, 게이트구동부, 저장부 및 데이터구동부를 포함한다. 패널에는 기준전압라인을 공유하는 제1화소 및 제2화소가 배치된다. 그리고, 게이트구동부는 N(N은 자연수)번째 수평주기에서, 기준전압라인과 연결되는 제1화소 및 제2화소의 센싱트랜지스터로 턴온전압을 공급한다. 그리고, 저장부는 제2화소 센싱트랜지스터의 턴온에 의한 기준전압라인의 전압변동량을 저장한다. 그리고, 데이터구동부는, N번째 수평주기에서, 전압변동량에 따라 보상된 데이터전압을 제1화소로 공급한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides a display device for supplying a data voltage by compensating for a voltage variation amount of a reference voltage line. Specifically, such a display device includes a panel, a gate driver, a storage, and a data driver. A first pixel and a second pixel sharing the reference voltage line are disposed on the panel. The gate driver supplies the turn-on voltage to the sensing transistors of the first and second pixels connected to the reference voltage line in the N (N is a natural number) horizontal period. The storage unit stores the voltage variation of the reference voltage line due to the turn-on of the second pixel sensing transistor. Then, the data driver supplies the data voltage compensated in accordance with the voltage variation amount to the first pixel in the Nth horizontal period.

다른 측면에서, 본 발명은, 기준전압라인을 공유하는 제1화소 및 제2화소의 데이터전압을 보상하는 구동회로를 제공한다. 이러한 구동회로는 저장부 및 데이터구동부를 포함한다. 그리고, 저장부는 제2화소와 기준전압라인의 연결에 따른 기준전압라인의 전압변동량을 저장하고, 데이터구동부는 제1화소 및 제2화소가 기준전압라인에 동시에 연결되는 수평주기에서 전압변동량만큼 감소된 데이터전압을 제1화소로 공급한다.In another aspect, the present invention provides a driving circuit for compensating a data voltage of a first pixel and a second pixel sharing a reference voltage line. Such a drive circuit includes a storage unit and a data driver. The storage unit stores a voltage variation amount of the reference voltage line in accordance with the connection of the second pixel and the reference voltage line, and the data driver decreases the voltage variation amount in the horizontal period in which the first pixel and the second pixel are simultaneously connected to the reference voltage line. And supplies the data voltage to the first pixel.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 복수의 화소가 기준전압을 공유할 때, 특정 화소의 불량에 따라 변동된 기준전압이 다른 화소에 미치는 영향을 보상할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, when a plurality of pixels share a reference voltage, it is possible to compensate for the influence of a reference voltage which varies according to a defect of a specific pixel on other pixels.

도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 기준전압을 공유하는 두 개의 화소를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 화소들로 공급되는 스캔신호 및 센싱신호의 파형을 나타내는 도면이다.
도 4는 기준전압을 공유하는 화소 중 하나의 화소에 불량이 발생하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 화소들에 공급되는 스캔신호 및 센싱신호의 파형과 기준전압의 파형을 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 보상방법에 대한 간략한 흐름도이다.
도 7은 정상적인 화소로 테스트전류를 공급할 때 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이다.
도 8은 불량화소로 테스트전류를 공급할 때 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이다.
도 9는 데이터구동부가 불량화소로 데이터전압을 공급할 때 불량화소의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 전압변동량 계산방법의 흐름도이다.
1 is a schematic system configuration diagram of a display apparatus according to an embodiment.
2 is a diagram showing two pixels sharing a reference voltage.
FIG. 3 is a view showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to the pixels of FIG. 2. FIG.
4 is a diagram showing that a defect occurs in one of the pixels sharing the reference voltage.
5 is a view showing waveforms of a scan signal, a sensing signal, and a reference voltage supplied to the pixels of FIG.
6 is a simplified flowchart of a method of compensating an organic light emitting display according to an embodiment.
7 is a view showing a voltage formed on an anode electrode of an organic light emitting diode when a test current is supplied to a normal pixel.
8 is a diagram showing a voltage formed on an anode electrode of an organic light emitting diode when a test current is supplied to a defective pixel.
9 is a diagram showing voltages formed on the anode electrodes of defective pixels when the data driver supplies data voltages to defective pixels.
10 is a flowchart illustrating a method of calculating a voltage variation amount of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected." In the same context, when an element is described as being formed on an "upper" or "lower" side of another element, the element may be formed either directly or indirectly through another element As will be understood by those skilled in the art.

도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.1 is a schematic system configuration diagram of a display apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는 패널(110), 게이트구동부(120), 데이터구동부(130), 타이밍컨트롤러(140) 및 저장부(150) 등을 포함할 수 있다.1, the OLED display 100 may include a panel 110, a gate driver 120, a data driver 130, a timing controller 140, and a storage unit 150.

패널(110)에는 다수의 데이터라인(DL: Data Line), 다수의 게이트라인(GL: Gate Line) 및 다수의 기준전압라인(RVL: Reference Voltage Line)이 배치되고, 다수의 화소(SP: Sub Pixel)가 배치될 수 있다.A plurality of data lines DL, a plurality of gate lines GL and a plurality of reference voltage lines RVL are arranged on the panel 110, Pixel) may be disposed.

게이트구동부(120)는 타이밍컨트롤러(140)의 제어신호에 따라, 턴온전압 혹은 턴오프전압을 게이트라인(GL)으로 공급할 수 있다. 게이트라인(GL)은 스위칭게이트라인(GLa)과 센싱게이트라인(GLb)로 구성될 수 있다.The gate driver 120 may supply a turn-on voltage or a turn-off voltage to the gate line GL in accordance with a control signal of the timing controller 140. [ The gate line GL may be composed of a switching gate line GLa and a sensing gate line GLb.

게이트구동부(120)는 스위칭게이트라인(GLa)으로 스캔신호를 입력하여 데이터라인(DL)과 각 화소(SP)의 연결을 제어할 수 있다. 그리고, 게이트구동부(120)는 센싱게이트라인(GLb)으로 센싱신호를 입력하여 기준전압라인(RVL)과 각 화소(SP)의 연결을 제어할 수 있다.The gate driver 120 may control the connection between the data line DL and each pixel SP by inputting a scan signal to the switching gate line GLa. The gate driver 120 may control the connection between the reference voltage line RVL and each pixel SP by inputting a sensing signal to the sensing gate line GLb.

데이터구동부(130)는 타이밍컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터를 아날로그형태의 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(DL)으로 공급할 수 있다.The data driver 130 may convert the image data received from the timing controller 140 into an analog data voltage and supply the data voltage to the data line DL.

그리고, 데이터구동부(130)는 기준전압라인(RVL)을 통해 각 화소(SP)로 기준전압을 공급할 수 있다. 각 화소(SP)에는 도 2를 참조하여 후술할 구동트랜지스터(DRT: DRiving Transistor)가 배치되는 데이라인(DL)을 통해 공급되는 데이터전압과 기준전압라인(RVL)을 통해 공급되는 기준전압능 이러한 구동트랜지스터의 게이트-소스전압을 형성할 수 있다.The data driver 130 may supply the reference voltage to each pixel SP through the reference voltage line RVL. The data voltage supplied through the data line DL to which a driving transistor DRT (to be described later) is arranged with reference to FIG. 2 and the reference voltage supplied through the reference voltage line RVL The gate-source voltage of the driving transistor can be formed.

데이터구동부(130)는 기준전압라인(RVL)을 통해 각 화소(SP)의 특성치 혹은 특성변화량을 센싱할 수 있다. 각 화소(SP)의 특성치를 센싱한다는 측면에서 기준전압라인(RVL)을 센싱라인(SL: Sensing Line)이라고 부를 수 있다. 데이터구동부(130)는 각 화소(SP)의 특성치를 센싱하기 위해 기준전압라인(RVL)과 연결되는 ADC(Analog Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. 데이터구동부(130)는 스위치 구성을 더 포함하고 있으면서 타이밍제어에 따라 기준전압라인(RVL)으로 기준전압을 공급하거나 ADC를 통해 화소(SP)의 특성치를 센싱할 수 있다.The data driver 130 can sense the characteristic value or the characteristic variation amount of each pixel SP through the reference voltage line RVL. The reference voltage line RVL may be referred to as a sensing line (SL) in terms of sensing the characteristic value of each pixel SP. The data driver 130 may further include an ADC (Analog Digital Converter) connected to the reference voltage line RVL to sense the characteristic value of each pixel SP. The data driver 130 may further include a switch arrangement and supply a reference voltage to the reference voltage line RVL according to the timing control or sense the characteristic value of the pixel SP through the ADC.

타이밍컨트롤러(140)는 게이트구동부(120) 및 데이터구동부(130)로 각종 제어신호를 공급할 수 있다. 그리고, 타이밍컨트롤러(140)는 호스트(미도시)로부터 수신되는 영상데이터를 데이터구동부(130)에 적합한 형태로 변환한 후 데이터구동부(130)로 전송할 수 있다.The timing controller 140 may supply various control signals to the gate driver 120 and the data driver 130. The timing controller 140 may convert image data received from a host (not shown) into a format suitable for the data driver 130, and then transmit the image data to the data driver 130.

저장부(150)는 데이터전압의 보상에 필요한 정보를 저장할 수 있다. 타이밍컨트롤러(140)는 저장부(150)에 저장된 정보를 이용하여 영상데이터를 보상하고 보상된 영상데이터를 데이터구동부(130)로 전송할 수 있다.The storage unit 150 may store information necessary for compensating the data voltage. The timing controller 140 may compensate the image data using the information stored in the storage unit 150 and transmit the compensated image data to the data driver 130. [

한편, 패널(110)에 배치되는 복수의 화소(SP)는 기준전압을 공유할 수 있다.Meanwhile, the plurality of pixels SP disposed in the panel 110 may share a reference voltage.

전술한 바와 같이 데이터전압과 기준전압은 각 화소(SP)에 위치하는 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압을 형성할 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압은 구동트랜지스터(DRT)의 구동전류를 결정하고 이러한 구동전류는 유기발광다이오드(OLED)의 휘도를 결정할 수 있다.As described above, the data voltage and the reference voltage can form the gate-source voltage of the driving transistor DRT located in each pixel SP. The gate-source voltage of the driving transistor DRT determines the driving current of the driving transistor DRT and this driving current can determine the luminance of the organic light emitting diode OLED.

데이터구동부(130)는 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압을 제어하여 각 화소(SP)의 휘도를 제어하게 되는데, 일반적으로 데이터라인(DL)으로 공급되는 데이터전압을 제어하여 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압을 제어하게 된다.The data driver 130 controls the brightness of each pixel SP by controlling the gate-source voltage of the driving transistor DRT. Generally, the data driver 130 controls the data voltage supplied to the data line DL, The gate-source voltage of the transistor Q3 is controlled.

휘도 제어를 위해 데이터전압이 변동되기 때문에 기준전압은 일정한 값으로 고정될 수 있다. 데이터구동부(130)는 기준전압이 고정되었다는 가정하에 기준전압에 상대되는 값으로 데이터전압을 결정할 수 있다.The reference voltage can be fixed to a constant value because the data voltage fluctuates for the luminance control. The data driver 130 may determine the data voltage to be a value relative to the reference voltage under the assumption that the reference voltage is fixed.

기준전압이 고정되는 경우, 복수의 화소(SP)는 기준전압을 공유할 수 있다. 복수의 화소(SP)는 동시에 같은 기준전압을 공급받을 수 있다.When the reference voltage is fixed, the plurality of pixels SP can share the reference voltage. The plurality of pixels SP can receive the same reference voltage at the same time.

게이트라인(GL)과 나란한 방향(X)으로 배열되는 일련의 화소(SP)들이 기준전압을 공유할 수 있다. 일 예로, 게이트라인 방향(X)으로 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소, 청색(B) 화소 및 백색(W) 화소가 배열될 때, 이러한 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소, 청색(B) 화소 및 백색(W) 화소는 기준전압을 공유할 수 있다.A series of pixels SP arranged in a direction X parallel to the gate line GL can share a reference voltage. For example, when red (R), green (G), blue (B) and white (W) pixels are arranged in the gate line direction (X) , The blue (B) pixel, and the white (W) pixel may share a reference voltage.

다른 예로서, 게이트라인(GL)과 교차하는 방향 혹은 기준전압라인(RVL)과 나란한 방향(Y)으로 배열되는 일련의 화소(SP)들이 기준전압을 공유할 수 있다.As another example, a series of pixels SP arranged in the direction crossing the gate line GL or in the direction Y parallel to the reference voltage line RVL may share the reference voltage.

도 2는 기준전압을 공유하는 두 개의 화소를 나타내는 도면이다.2 is a diagram showing two pixels sharing a reference voltage.

도 2를 참조하면, 기준전압라인(RVL)과 나란한 방향(Y)으로 배열되는 제1화소(SP1)와 제2화소(SP2)는 동일한 기준전압라인(RVL)을 공유한다.Referring to FIG. 2, the first pixel SP1 and the second pixel SP2, which are arranged in a direction Y parallel to the reference voltage line RVL, share the same reference voltage line RVL.

각 화소의 구조를 좀더 상세히 살펴보면, 각 화소(SP)는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2)로 데이터전압을 전달해 주기 위한 스위칭트랜지스터(SWT: SWitching Transistor)와, 데이터전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)와, 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)로 기준전압(Vref)을 전달해 주기 위한 센싱트랜지스터(SENT: SENsing Transistor)를 포함하여 구성될 수 있다.Each pixel SP includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT) driving the organic light emitting diode (OLED), a driving transistor A switching transistor SWT for transferring the data voltage to the gate node N2 of the driving transistor DRT, a storage capacitor Cstg for maintaining the data voltage for one frame time, And a sensing transistor SENT (Sense Transistor) for transmitting the reference voltage Vref to the source node N1.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).

구동트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류를 공급해 줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동한다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2)는 스위칭트랜지스터(SWT)의 소스노드 또는 드레인노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 드레인노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있다. The source node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source node or the drain node of the switching transistor SWT. The drain node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL that supplies the driving voltage EVDD.

구동트랜지스터(DRT)와 스위칭트랜지스터(SWT)는, 도 2의 예시와 같이 N타입으로 구현될 수도 있고, P타입으로 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the switching transistor SWT may be either N-type or P-type as in the example of FIG.

스위칭트랜지스터(SWT)는 데이터라인(DL)과 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2) 사이에 위치하고, 스위칭게이트라인(GLa)을 통해 스캔신호(SCAN)를 공급받아 제어될 수 있다. The switching transistor SWT is located between the data line DL and the gate node N2 of the driving transistor DRT and can be controlled by receiving the scan signal SCAN through the switching gate line GLa.

이러한 스위칭트랜지스터(SWT)는 스캔신호(SCAN)에 의해 턴온됨으로써 데이터라인(DL)과 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2)를 연결시킨다. 그리고, 스위칭트랜지스터(SWT)는 데이터라인(DL)으로 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2)로 전달해 줄 수 있다. The switching transistor SWT is turned on by the scan signal SCAN to connect the data line DL to the gate node N2 of the driving transistor DRT. The switching transistor SWT may transfer the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the gate node N2 of the driving transistor DRT.

스토리지캐패시터(Cstg)는 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)와 게이트노드(N2) 사이에 위치한다. The storage capacitor Cstg is located between the source node N1 and the gate node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 스토리지캐패시터(Cstg)는, 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)와 게이트노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)일 수 있고, 구동트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor Cstg may be a parasitic capacitor (e.g., Cgs, Cgd) that is an internal capacitor existing between the source node N1 and the gate node N2 of the driving transistor DRT, And may be an external capacitor that is intentionally designed outside the transistor DRT.

센싱트랜지스터(SENT)는 기준전압라인(RVL)과 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1) 사이에 위치하고, 센싱게이트라인(GLb)을 통해 센싱신호(SENSE)를 공급받아 제어될 수 있다.The sensing transistor SENT is located between the reference voltage line RVL and the source node N1 of the driving transistor DRT and can be controlled by receiving the sensing signal SENSE through the sensing gate line GLb.

이러한 센싱트랜지스터(SENT)는 센싱신호(SENSE)에 의해 턴온됨으로써 기준전압라인(RVL)과 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드를 연결시킨다. 그리고, 센싱트랜지스터(SENT)는 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)을 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)로 전달해 줄 수 있다.The sensing transistor SENT is turned on by the sensing signal SENSE to connect the reference voltage line RVL to the source node of the driving transistor DRT. The sensing transistor SENT may transmit the reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL to the source node N1 of the driving transistor DRT.

스위칭트랜지스터(SWT)가 턴온되어 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드(N2)로 데이터전압(Vdata)이 공급되고 센싱트랜지스터(SENT)가 턴온되어 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)로 기준전압(Vref)이 공급되면, 데이터전압-기준전압(Vdata-Vref)에 해당되는 전압이 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압으로 형성된다.The switching transistor SWT is turned on so that the data voltage Vdata is supplied to the gate node N2 of the driving transistor DRT and the sensing transistor SENT is turned on to supply the reference voltage Vcc to the source node N1 of the driving transistor DRT. (Vref) is supplied, a voltage corresponding to the data voltage-reference voltage (Vdata-Vref) is formed as the gate-source voltage of the driving transistor DRT.

도 3은 도 2의 화소들로 공급되는 스캔신호 및 센싱신호의 파형을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to the pixels of FIG. 2. FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 스캔신호(SCAN)는 한 수평주기(1H) 동안 턴온전압을 공급하고 센싱신호(SENSE)는 두 수평주기(2H) 동안 턴온전압을 공급할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the scan signal SCAN supplies a turn-on voltage for one horizontal period 1H and the sense signal SENSE supplies a turn-on voltage during two horizontal periods 2H.

각 화소(SP)에 위치하는 유기발광다이오드(OLED)에는 기생캐패시터(Cp)가 병렬로 형성된다. 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드(N1)로 공급되는 기준전압(Vref)은 이러한 기생캐패시터(Cp)를 모두 충전한 후에 안정적인 상태를 유지할 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드전압이 이러한 안정적인 상태에 이를 때, 일정한 시간이 소요될 수 있기 때문에 게이트구동부는 두 수평주기(2H) 동안 턴온전압이 형성되는 센싱신호(SENSE)를 공급할 수 있다. 이러한 구동을 2H 구동이라 부르기도 한다.A parasitic capacitor Cp is formed in parallel in the organic light emitting diode OLED located in each pixel SP. The reference voltage Vref supplied to the source node N1 of the driving transistor DRT can maintain a stable state after all of these parasitic capacitors Cp are charged. Since the source node voltage of the driving transistor DRT reaches such a stable state, the gate driving unit can supply the sensing signal SENSE during which the turn-on voltage is formed during the two horizontal periods 2H, because it may take a certain time. Such driving is also referred to as 2H driving.

한편, 제1화소(SP1)는 N(N은 자연수)번째 수평주기에서 스캔신호(SCAN(n))로 턴온전압이 공급되고, 제2화소(SP2)는 N+1번째 수평주기에서 스캔신호(SCAN(n+1))로 턴온전압이 공급된다. 게이트구동부의 측면에서 보면, 게이트구동부는 N번째 수평주기에서, 제1화소(SP1)의 스위칭트랜지스터(SWT)로 턴온전압을 공급하고, N+1번째 수평주기에서, 제2화소(SP2)의 스위칭트랜지스터(SWT)로 턴온전압을 공급한다.On the other hand, the first pixel SP1 is supplied with the turn-on voltage as the scan signal SCAN (n) in the N (N is a natural number) horizontal period, the second pixel SP2 is supplied with the scan signal (SCAN (n + 1)). On the side of the gate driver, the gate driver supplies the turn-on voltage to the switching transistor SWT of the first pixel SP1 in the Nth horizontal period, and the turn-on voltage of the second pixel SP2 And supplies a turn-on voltage to the switching transistor SWT.

센싱신호(SENSE)의 턴온전압은 스캔신호(SCAN)의 턴온전압보다 한 수평주기 먼저 공급될 수 있는데, 이에 따라, 제1화소(SP1)로는 N-1번째 수평주기와 N번째 수평주기에서 센싱신호(SENSE(n))로 턴온전압이 공급된다. 그리고, 제2화소(SP2)로는 N번째 수평주기와 N+1번째 수평주기에서 센싱신호(SENSE(n+1))로 턴온전압이 공급될 수 있다.The turn-on voltage of the sensing signal SENSE may be supplied one horizontal period earlier than the turn-on voltage of the scan signal SCAN. Accordingly, the first pixel SP1 may be supplied with the sensing signal SENSE in the N- And a turn-on voltage is supplied to the signal SENSE (n). The second pixel SP2 may be supplied with the turn-on voltage as the sensing signal SENSE (n + 1) in the Nth horizontal period and the N + 1th horizontal period.

게이트구동부의 측면에서 보면, 게이트구동부는 N-1번째 수평주기와 N번째 수평주기에서 제1화소(SP1)의 센싱트랜지스터(SENT)로 턴온전압을 공급한다. 그리고, 게이트구동부는 N번째 수평주기와 N+1번째 수평주기에서 제2화소(SP2)의 센싱트랜지스터(SENT)로 턴온전압을 공급한다.From the side of the gate driver, the gate driver supplies the turn-on voltage to the sensing transistor SENT of the first pixel SP1 in the (N-1) th horizontal period and the Nth horizontal period. The gate driver supplies the turn-on voltage to the sensing transistor SENT of the second pixel SP2 in the Nth horizontal period and the (N + 1) th horizontal period.

센싱신호(SENSE)가 두 수평주기(2H) 동안 턴온전압을 공급하기 때문에, 연속하여 스캔신호(SCAN)의 턴온전압이 공급되는 제1화소(SP1)와 제2화소(SP2)는 한 수평주기(도 3에서 N번째 수평주기) 동안 하나의 기준전압라인(RVL)에 동시에 연결된다.Since the sensing signal SENSE supplies the turn-on voltage during the two horizontal periods 2H, the first pixel SP1 and the second pixel SP2, to which the turn-on voltage of the scan signal SCAN is continuously supplied, (RVL) during the Nth horizontal period in FIG. 3).

한편, 하나의 기준전압라인(RVL)에 둘 이상의 화소가 동시에 연결되는 경우, 이러한 둘 이상의 화소 중 하나의 화소에 단락이 발생하면 기준전압라인(RVL)의 전압이 하강하고 다른 화소들이 이러한 기준전압라인(RVL)의 전압 하강에 영향을 받을 수 있다.On the other hand, when two or more pixels are connected to one reference voltage line RVL at the same time, if a short circuit occurs in one of the two or more pixels, the voltage of the reference voltage line RVL falls, The voltage drop of the line RVL may be affected.

도 4는 기준전압을 공유하는 화소 중 하나의 화소에 불량이 발생하는 것을 나타내는 도면이다.4 is a diagram showing that a defect occurs in one of the pixels sharing the reference voltage.

도 4를 참조하면, 제2화소(SP2)의 유기발광다이오드(OLED)에 단락에 의한 불량이 발생했다.Referring to FIG. 4, a failure occurs in the organic light emitting diode OLED of the second pixel SP2 due to a short circuit.

유기발광다이오드(OLED)는 애노드전극, 유기층 및 캐소드전극을 포함할 수 있는데, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 단락이 발생할 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include an anode electrode, an organic layer, and a cathode electrode, and a short circuit may occur between the anode electrode and the cathode electrode.

일반적으로, 유기발광다이오드(OLED)가 발광되지 않는 경우, 유기발광다이오드(OLED)는 캐패시터로 보일 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)에는 기생캐패시터(Cp)가 병렬로 형성되는데, 유기발광다이오드(OLED)가 발광되지 않는 경우, 이러한 기생캐패시터(Cp)만 보일 수 있다. 반면, 유기발광다이오드(OLED)에 단락이 발생하면, 유기발광다이오드(OLED)는 저항(Rs)으로 보일 수 있다.In general, when the organic light emitting diode OLED does not emit light, the organic light emitting diode OLED may be regarded as a capacitor. The parasitic capacitor Cp is formed in parallel in the organic light emitting diode OLED. When the organic light emitting diode OLED does not emit light, only such a parasitic capacitor Cp can be seen. On the other hand, if a short circuit occurs in the organic light emitting diode OLED, the organic light emitting diode OLED can be regarded as a resistor Rs.

한편, 센싱신호(SENSE)에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 기준전압라인(RVL)과 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극으로는 기준전압(Vref)이 전달된다. 이때, 유기발광다이오드(OLED)가 캐패시터(Cp)로 보이는 경우, 기준전압라인(RVL)으로부터 공급되는 전류는 이러한 캐패시터(Cp)를 충전시키게 된다. 그리고, 충전이 완료된 후 캐패시터(Cp)의 전압을 기준전압(Vref)이 된다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the reference voltage line RVL according to the sensing signal SENSE and the reference voltage Vref is transmitted to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. At this time, when the organic light emitting diode OLED is viewed as the capacitor Cp, the current supplied from the reference voltage line RVL charges the capacitor Cp. After the charging is completed, the voltage of the capacitor Cp becomes the reference voltage Vref.

반면, 유기발광다이오드(OLED)의 단락에 의해 유기발광다이오드(OLED)가 저항(Rs)으로 보이는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에는 기준전압(Vref)보다 낮은 전압이 형성된다. 기준전압라인(RVL)에는 라인저항이 있는데, 이러한 라인저항과 유기발광다이오드(OLED)의 저항이 전압분배기처럼 작동함으로써 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극 및 기준전압라인(RVL)에는 기준전압(Vref)보다 낮은 전압이 형성되게 된다.On the other hand, when the organic light emitting diode OLED is regarded as the resistor Rs due to the short circuit of the organic light emitting diode OLED, a voltage lower than the reference voltage Vref is formed at the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The reference voltage line RVL has a line resistance. The line resistance and the resistance of the organic light emitting diode OLED act like a voltage divider so that the anode electrode of the organic light emitting diode OLED and the reference voltage line RVL are supplied with a reference voltage A voltage lower than Vref is formed.

유기발광다이오드(OLED)의 단락에 의해 낮아진 기준전압(Vref)은 기준전압(Vref)을 공유하는 다른 화소에 영향을 미칠 수 있다.The reference voltage Vref lowered by the short circuit of the organic light emitting diode OLED may affect other pixels sharing the reference voltage Vref.

도 5는 도 4의 화소들에 공급되는 스캔신호 및 센싱신호의 파형과 기준전압의 파형을 나타내는 도면이다.5 is a view showing waveforms of a scan signal, a sensing signal, and a reference voltage supplied to the pixels of FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2화소(SP2)에 위치하는 유기발광다이오드(OLED)에 단락이 발생하였기 때문에 기준전압라인(RVL)이 제2화소(SP2)와 연결되는 N번째 수평주기와 N+1번째 수평주기에서 기준전압(Vref)이 하강하게 된다.Referring to FIGS. 4 and 5, since a short circuit occurs in the organic light emitting diode OLED located in the second pixel SP2, the reference voltage line RVL is connected to the second pixel SP2, And the (N + 1) th horizontal period, the reference voltage Vref is lowered.

제1화소(SP1) 및 제2화소(SP2)는 2H 구동되는데, 이러한 2H 구동에 따라, N번째 수평주기에서 제1화소(SP1) 및 제2화소(SP2)가 동시에 기준전압라인(RVL)에 연결되고 동일한 기준전압(Vref)을 공급받게 된다. 이에 따라, N번째 수평주기에서 기준전압(Vref)의 하강은 제1화소(SP1)에도 영향을 미치게 된다.The first pixel SP1 and the second pixel SP2 are simultaneously driven in 2H so that the first pixel SP1 and the second pixel SP2 are simultaneously applied to the reference voltage line RVL in the Nth horizontal period, And receives the same reference voltage Vref. Accordingly, the falling of the reference voltage Vref in the Nth horizontal period also affects the first pixel SP1.

유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 전류는 구동트랜지스터(DRT)의 게이트-소스전압에 의해 결정되고, 게이트-소스전압은 데이터전압(Vdata)와 기준전압(Vref)의 차이로 결정된다. 그런데, 이러한 기준전압(Vref)이 하강하게 되면 게이트-소스전압이 커지게 됨으로써 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동전류도 증가하게 된다.The current driving the organic light emitting diode OLED is determined by the gate-source voltage of the driving transistor DRT, and the gate-source voltage is determined by the difference between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. However, when the reference voltage Vref is lowered, the gate-source voltage is increased, so that the driving current supplied to the organic light emitting diode OLED also increases.

일 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 제2화소(SP2)의 불량에 따른 기준전압(Vref) 하강이 제1화소(SP1)에 미치는 영향을 제거하기 위해 기준전압(Vref)의 변동량(△Vr)만큼 제1화소(SP1)에 대한 데이터전압을 보상하여 출력한다.The organic light emitting diode display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention can reduce the variation of the reference voltage Vref in order to eliminate the influence of the drop of the reference voltage Vref due to the failure of the second pixel SP2 on the first pixel SP1, And compensates the data voltage for the first pixel SP1 by the voltage difference DELTA Vr and outputs the compensated data voltage.

도 6은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 보상방법에 대한 간략한 흐름도이다.6 is a simplified flowchart of a method of compensating an organic light emitting display according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 유기발광표시장치(100)-일 예로, 타이밍컨트롤러(140)-는 제1화소(SP1)에 대한 영상데이터를 보상할 때, 제1화소(SP1)가 불량화소-예를 들어, 제2화소(SP2)-와 특정 수평주기에서 기준전압라인(RVL)에 동시에 연결되는지 판단한다(S602).6, when the organic light emitting diode display 100 (for example, the timing controller 140) compensates the image data for the first pixel SP1, the first pixel SP1 is a defective pixel - And determines whether the second pixel SP2 is simultaneously connected to the reference voltage line RVL in a specific horizontal period (S602).

그리고, 유기발광표시장치(100)는 제1화소(SP1)가 불량화소와 특정 수평주기에서 동시에 기준전압라인(RVL)에 연결된다고 판단되면(S602에서 Yes), 제1화소(SP1)에 대한 데이터전압을 보상한다(S604).When it is determined that the first pixel SP1 is connected to the reference voltage line RVL simultaneously with the defective pixel in a specific horizontal period at the same time (Yes in S602), the organic light emitting diode display 100 determines that The data voltage is compensated (S604).

이때, 유기발광표시장치(100)는 불량화소에 의한 기준전압(Vref)의 전압변동량(△Vr)을 저장하고 있다가 이러한 전압변동량(△Vr)에 따라 제1화소(SP1)에 대한 데이터전압(Vdata)을 보상할 수 있다.At this time, the organic light emitting diode display 100 stores the voltage variation amount? Vr of the reference voltage Vref due to the defective pixel, and the data voltage Vref for the first pixel SP1 according to the voltage variation amount? (Vdata) can be compensated.

특히, 유기발광표시장치(100) 중에서 타이밍컨트롤러(140)가 이러한 보상기능을 수행하는 경우, 타이밍컨트롤러(140)는 전압변동량(△Vr)에 따라 제1화소(SP1)의 영상데이터를 보상하고 보상된 영상데이터를 데이터구동부(130)로 전송할 수 있다. 그리고, 데이터구동부(130)는 보상된 영상데이터를 데이터전압으로 변환하여 출력할 수 있다.In particular, when the timing controller 140 performs the compensation function in the OLED display 100, the timing controller 140 compensates the image data of the first pixel SP1 according to the voltage variation amount? Vr And may transmit the compensated image data to the data driver 130. [ The data driver 130 may convert the compensated image data into a data voltage and output the data voltage.

한편, 유기발광표시장치(100)는 저장부(150) 등에 불량화소에 의한 기준전압(Vref)의 전압변동량(△Vr)을 저장할 수 있다. 이러한 전압변동량(△Vr)은 제조 과정 중에 미리 설정된 값일 수도 있고 유기발광표시장치(100)의 작동 중에 계산되거나 측정된 값일 수도 있다.On the other hand, the organic light emitting diode display 100 can store the voltage fluctuation amount DELTA Vr of the reference voltage Vref by the defective pixel in the storage unit 150 and the like. The voltage fluctuation amount DELTA Vr may be a predetermined value during the manufacturing process or may be a value calculated or measured during operation of the organic light emitting display 100. [

아래에서는 도 7 내지 도 10을 참조하여, 유기발광표시장치(100)의 작동 중에 전압변동량(△Vr)을 계산하는 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, an embodiment for calculating the voltage fluctuation amount DELTA Vr during the operation of the organic light emitting display device 100 will be described with reference to Figs. 7 to 10. Fig.

유기발광표시장치(100)-일 예로, 데이터구동부(130)-는 각 화소(SP)로 테스트전류를 공급하고 테스트전류에 따른 유기발광다이오드(OLED) 양단 전압을 측정할 수 있다. 혹은 유기발광표시장치(100)는 각 화소(SP)로 테스트전류를 공급하고 테스트전류에 따른 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드전압을 측정할 수 있다. 그리고, 유기발광표시장치(100)는 이렇게 측정된 전압-예를 들어, 유기발광다이오드 양단 전압 혹은 구동트랜지스터의 소스노드전압-을 이용하여 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다.The organic light emitting display 100, for example, the data driver 130 may supply a test current to each pixel SP and measure a voltage across the organic light emitting diode OLED according to a test current. Alternatively, the organic light emitting diode display 100 may supply the test current to each pixel SP and measure the source node voltage of the driving transistor DRT according to the test current. Then, the organic light emitting diode display 100 calculates the voltage fluctuation amount DELTA Vr of the reference voltage line RVL using the measured voltage - for example, the voltage across the organic light emitting diode or the source node voltage of the driving transistor - .

도 7은 정상적인 화소로 테스트전류를 공급할 때 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이고, 도 8은 불량화소로 테스트전류를 공급할 때 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a view showing a voltage formed on an anode electrode of an organic light emitting diode when a test current is supplied to a normal pixel, and FIG. 8 is a view showing a voltage formed on an anode electrode of the organic light emitting diode when a test current is supplied to a defective pixel. to be.

유기발광표시장치(100)-일 예로, 데이터구동부(130)-는 각 화소(SP)로 테스트전류(Id)를 공급할 수 있다. 테스트전류(Id)는 일 예로, 정전류일 수 있다.The OLED display 100, for example, the data driver 130, may supply a test current Id to each pixel SP. The test current Id may be, for example, a constant current.

유기발광표시장치(100)는 구동트랜지스터(DRT)를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극으로 테스트전류(Id)를 공급할 수 있다. 이때, 구동트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)는 직렬로 연결될 수 있다. 이러한 구조에서, 구동트랜지스터(DRT)로 공급된 테스트전류(Id)는 구동트랜지스터(DRT)의 드레인노드(N3)와 소스노드(N1)를 거쳐 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극으로 전달되게 된다.The organic light emitting diode display 100 may supply the test current Id to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED through the driving transistor DRT. At this time, the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED may be connected in series. In this structure, the test current Id supplied to the driving transistor DRT is transmitted to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED through the drain node N3 and the source node N1 of the driving transistor DRT .

유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극으로 전달된 테스트전류(Id)는 유기발광다이오드(OLED)와 병렬로 연결된 기생캐패시터(Cp)를 충전하게 된다.The test current Id transferred to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED charges the parasitic capacitor Cp connected in parallel with the organic light emitting diode OLED.

도 7에서 오른쪽 그래프는 테스트전류(Id)가 공급되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen)의 시간 대비 크기를 나타낸다.In FIG. 7, the graph on the right represents the time-to-voltage magnitude of the voltage (Vsen) supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) to which the test current Id is supplied.

정상적인 유기발광다이오드(OLED)는 문턱전압보다 큰 전압이 애노드전극으로 공급될 때까지 캐패시터처럼 보일 수 있고, 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen)은 도 7에 도시된 것과 같이 일정하게 증가하는 형태를 나타낼 수 있다.A normal organic light emitting diode (OLED) may appear as a capacitor until a voltage higher than the threshold voltage is supplied to the anode electrode, and a voltage Vsen formed in the anode electrode may be increased to a constant value as shown in FIG. 7 .

한편, 도 8에 도시된 화소는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극이 단락된 화소이다. 유기발광다이오드(OLED)가 단락되는 경우, 유기발광다이오드(OLED)는 저항(Rs)으로 보일 수 있다.Meanwhile, the pixel shown in FIG. 8 is a pixel in which the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED are short-circuited. When the organic light emitting diode OLED is short-circuited, the organic light emitting diode OLED may be regarded as a resistor Rs.

유기발광표시장치(100)는 이러한 불량화소에 대하여 구동트랜지스터(DRT)를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극으로 테스트전류(Id)를 공급할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 may supply the test current Id to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED through the driving transistor DRT with respect to the defective pixel.

이때, 유기발광다이오드(OLED)의 단락에 따라 유기발광다이오드(OLED)는 저항(Rs)으로 보이게 되고, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen)은 테스트전류(Id)와 유기발광다이오드(OLED)의 저항(Rs)이 곱해진 값으로 포화(saturation)되게 된다.At this time, the organic light emitting diode OLED appears as a resistor Rs according to a short circuit of the organic light emitting diode OLED, and a voltage Vsen formed on the anode electrode of the organic light emitting diode OLED is divided into a test current Id The resistance Rs of the organic light emitting diode OLED is saturated.

도 7 및 도 8을 참조할 때, 유기발광표시장치(100)는 구동트랜지스터(DRT)로 테스트전류(Id)를 공급한 후 일정 시점(T1)에서 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen)-다른 측면에서, 구동트랜지스터(DRT)의 소스노드전압-을 관측하여 해당 화소(SP)가 정상화소인지 불량화소인지 판단할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the organic light emitting diode display 100 is formed at an anode electrode of the organic light emitting diode OLED at a certain time point T1 after supplying a test current Id to the driving transistor DRT. The source node voltage of the driving transistor DRT may be observed on the other side of the voltage Vsen to determine whether the pixel SP is a normal pixel or a defective pixel.

또한, 유기발광표시장치(100)-일 예로, 타이밍컨트롤러(140)-는 테스트전류(Id)와 애노드전극 전압(Vsen)-혹은 소스노드전압-을 이용하여 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다. 예를 들어, 유기발광표시장치(100)는 소스노드전압(Vsen)을 테스트전류(Id)로 나누어서 해당 화소(SP)의 유기발광다이오드(OLED)에 대한 단락저항(Rs)를 계산할 수 있다. 그리고, 유기발광표시장치(100)는 이러한 단락저항(Rs)에 따라 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display 100 (for example, the timing controller 140) may use the test current Id and the anode electrode voltage Vsen - or the source node voltage - to calculate the voltage variation of the reference voltage line RVL (? Vr) can be calculated. For example, the organic light emitting diode display 100 may calculate the short circuit resistance Rs of the pixel SP of the organic light emitting diode OLED by dividing the source node voltage Vsen by the test current Id. The organic light emitting diode display 100 can calculate the voltage variation amount? Vr of the reference voltage line RVL according to the shorting resistor Rs.

도 9는 데이터구동부가 불량화소로 데이터전압을 공급할 때 불량화소의 애노드전극에 형성되는 전압을 나타내는 도면이다.9 is a diagram showing voltages formed on the anode electrodes of defective pixels when the data driver supplies data voltages to defective pixels.

도 9를 참조하면, 기준전압라인(RVL)과 교차하는 방향(X)과 나란한 방향(Y)에 대하여 (X1, Y1)의 좌표에 위치하는 화소(SP)에 불량이 발생하여 해당 화소(SP)가 저항(Rs)으로 보이고 있다.9, defects are generated in the pixels SP located at the coordinates (X1, Y1) with respect to the direction Y parallel to the direction X intersecting the reference voltage line RVL, Is shown as a resistance Rs.

데이터구동부(130)는 기준전압라인(RV)을 통해 기준전압(Vref)을 공급하게 되는데, 이때, 화소(SP)가 단락저항(Rs)으로 보이기 때문에, 화소(SP)에 위치하는 유기발광다이오드의 애노드전극에는 직렬저항의 전압분배에 따른 전압이 형성되게 된다.The data driver 130 supplies the reference voltage Vref through the reference voltage line RV. At this time, since the pixel SP is viewed as the shorting resistor Rs, A voltage corresponding to the voltage division of the series resistance is formed at the anode electrode of the transistor.

구체적으로, 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen)은 아래와 같은 수식에 따라 결정될 수 있다.Specifically, the voltage Vsen formed on the anode electrode of the organic light emitting diode can be determined according to the following equation.

[수학식 1][Equation 1]

Vsen = Vref x Rs / (Rs + Rln)Vsen = Vref x Rs / (Rs + Rln)

수학식 1에서 Rln은 기준전압라인(RVL)의 라인저항이다.In Equation 1, Rln is the line resistance of the reference voltage line RVL.

기준전압라인(RVL)은 패널(110)의 비표시영역(NA)과 표시영역(AA)을 거쳐 배치되는데, 이때, 기준전압라인(RVL)의 라인저항(Rln)은 비표시영역(NA)에 위치하는 부분(Rlink)과 표시영역(AA)에 위치하는 부분으로 구성될 수 있다. 그리고, 라인저항(Rln) 중 표시영역(AA)에 위치하는 부분은 다시 화소크기 단위의 라인저항(r_ref)에 해당 화소의 Y방향 좌표-도 9에서 Y1-를 곱하는 방식으로 계산할 수 있다.The reference voltage line RVL is disposed across the non-display area NA and the display area AA of the panel 110. At this time, the line resistance Rln of the reference voltage line RVL is non- (Rlink) located in the display area AA and a part located in the display area AA. The portion of the line resistance Rln located in the display area AA can be calculated by multiplying the line resistance r_ref of the pixel size unit by the Y direction coordinate of the pixel in FIG. 9 by Y1-.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Vsen = Vref x Rs / (Rs + Rln) = Vref x Rs / (Rs + Rlink + Y1 x r_ref) Vsen = Vref x Rs / (Rs + Rln) = Vref x Rs / (Rs + Rlink + Y1 x r_ref)

유기발광표시장치(100)-일 예로, 타이밍컨트롤러(140)-는 수학식 2에 따라 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen) 혹은 구동트랜지스터의 소스노드전압을 계산할 수 있다.The organic light emitting diode display 100, for example, the timing controller 140 may calculate a source voltage Vsen of a driving transistor or a voltage Vsen formed on the anode electrode of the organic light emitting diode according to Equation (2).

구체적으로, 유기발광표시장치(100)는 불량화소의 단락저항(Rs)을 도 8을 참조하여 설명한 방법으로 미리 계산한 후 저장할 수 있다. 그리고, 유기발광표시장치(100)는 기준전압라인(RVL)으로 공급하는 기준전압(Vref)의 크기, 비표시영역(NA)에서의 기준전압라인(RVL)의 라인저항(Rlink), 및 기준전압라인(RVL)의 표시영역(AA)에서의 화소크기 단위의 라인저항(r_ref)를 미리 저장할 수 있다.Specifically, the organic light emitting diode display 100 may calculate and store the short circuit resistance Rs of the defective pixel by the method described with reference to FIG. The organic light emitting diode display 100 displays the magnitude of the reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL, the line resistance Rlink of the reference voltage line RVL in the non-display area NA, The line resistance r_ref of the pixel size unit in the display area AA of the voltage line RVL can be stored in advance.

유기발광표시장치(100)는 미리 저장한 값들과 불량화소의 제1방향(Y방향) 좌표를 이용하여 수학식 2와 같이 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압(Vsen) 혹은 구동트랜지스터의 소스노드전압을 계산할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 uses the pre-stored values and the first direction (Y direction) coordinates of the defective pixel to calculate the voltage Vsen formed on the anode electrode of the organic light emitting diode or the source The node voltage can be calculated.

구동트랜지스터의 소스노드전압이 계산되면, 유기발광표시장치(100)는 이러한 소스노드전압을 이용하여 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다.When the source node voltage of the driving transistor is calculated, the OLED display 100 can calculate the voltage variation (DELTA Vr) of the reference voltage line RVL using this source node voltage.

[수학식 3]&Quot; (3) "

△Vr = Vref - VsenVr = Vref - Vsen

도 10은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 전압변동량 계산방법의 흐름도이다.10 is a flowchart illustrating a method of calculating a voltage variation amount of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 유기발광표시장치(100)-일 예로, 데이터구동부(130)-는 각 화소(SP)로 테스트전류((Id)를 출력하고(S1002), 각 화소의 유기발광다이오드의 애노드전극에 형성되는 전압 혹은 구동트랜지스터의 소스노드에 형성되는 전압(Vsen)을 측정할 수 있다(S1004).10, the organic light emitting diode display 100 (for example, the data driver 130) outputs a test current Id to each pixel SP (S1002), and the organic light emitting diode The voltage formed at the anode electrode or the voltage Vsen formed at the source node of the driving transistor can be measured (S1004).

그리고, 유기발광표시장치(100)-일 예로, 타이밍컨트롤러(140)-는 측정된 전압(Vsen)을 바탕으로 해당 화소가 불량인지 확인할 수 있다(S1006). 예를 들어, 유기발광표시장치(100)는 특정 시점에서 측정된 전압(Vsen)이 미리 설정된 설정전압보다 낮은 경우 해당 화소를 불량으로 판단할 수 있다.Then, the OLED display 100 (e.g., the timing controller 140) can determine whether the pixel is defective based on the measured voltage Vsen (S1006). For example, when the voltage Vsen measured at a specific point in time is lower than a predetermined set voltage, the OLED display 100 may determine that the pixel is defective.

해당 화소가 불량으로 판단되는 경우(S1006에서 Yes), 유기발광표시장치(100)는 측정된 전압(Vsen)과 테스트전류(Id)에 따라 해당 화소의 단락저항(Rs)을 계산하고 해당 불량화소에 의한 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다(S1008).The organic light emitting diode display 100 calculates the short circuit resistance Rs of the pixel in accordance with the measured voltage Vsen and the test current Id, The voltage variation amount DELTA Vr of the reference voltage line RVL can be calculated (S1008).

그리고, 유기발광표시장치(100)는 해당 불량화소의 좌표와 해당 불량화소에 기인한 전압변동량(△Vr)을 저장할 수 있다(S1010). 이때, 해당 불량화소의 좌표와 전압변동량(△Vr)는 저장부(150)에서 룩업테이블의 형태로 저장될 수 있다.The organic light emitting diode display 100 may store the coordinates of the defective pixel and the voltage variation amount DELTA Vr due to the defective pixel (S1010). At this time, the coordinates of the defective pixel and the voltage variation amount? Vr can be stored in the storage unit 150 in the form of a look-up table.

도 7 내지 도 10을 참조하여 설명한 것과 같이 유기발광표시장치(100)는 불량화소에 기인한 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 계산할 수 있다. 그리고, 유기발광표시장치(100)는 이러한 전압변동량(△Vr)을 이용하여 불량화소와 기준전압을 공유하는 화소들의 데이터전압 혹은 영상데이터를 보상할 수있다.As described with reference to FIGS. 7 to 10, the organic light emitting diode display 100 can calculate the voltage variation amount? Vr of the reference voltage line RVL caused by the defective pixel. The OLED display 100 can compensate the data voltage or image data of the pixels sharing the reference voltage with the defective pixel by using the voltage variation amount? Vr.

예를 들어, 유기발광표시장치(100)는 기준전압의 전압변동량(△Vr)만큼 데이터전압을 감소시키는 방법으로 다른 화소의 데이터전압을 보상할 수 있다. 구체적으로, 제1화소와 제2화소가 N번째 수평주기에서 동시에 기준전압라인(RVL)에 연결되고 제2화소에 단락에 의한 불량이 있는 경우, 유기발광표시장치(100)는 제2화소에 의한 기준전압라인(RVL)의 전압변동량(△Vr)을 미리 계산하고, 이러한 전압변동량(△Vr)만큼 제1화소에 대한 데이터전압을 보상할 수 있다. 혹은 유기발광표시장치(100)는 전압변동량(△Vr)만큼 제1화소에 대한 데이터전압이 보상되도록 영상데이터를 보상할 수 있다.For example, the organic light emitting diode display 100 may compensate the data voltage of the other pixel by decreasing the data voltage by the voltage variation amount? Vr of the reference voltage. Specifically, when the first pixel and the second pixel are simultaneously connected to the reference voltage line (RVL) in the Nth horizontal period and the second pixel has a defect due to a short circuit, the organic light emitting diode display (100) The voltage variation amount DELTA Vr of the reference voltage line RVL can be calculated in advance and the data voltage for the first pixel can be compensated for by the voltage variation amount DELTA Vr. Alternatively, the organic light emitting diode display 100 may compensate the image data so that the data voltage for the first pixel is compensated for by the voltage variation amount? Vr.

유기발광다이오드로 공급되는 구동전류의 크기는 구동트랜지스터의 게이트전압과 소스전압의 차이에 의해 결정된다. 이때, 구동트랜지스터의 게이트노드로는 데이터전압이 공급되고, 소스노드로는 기준전압이 전달된다. 이러한 구조에서 전술한 것과 같이 특정 화소의 불량에 의해 기준전압이 변동하는 경우, 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 기준전압의 변동분만큼 데이터전압을 보상함으로써 구동트랜지스터의 게이트-소스전압이 변동없이 일정한 값을 유지하게 한다.The magnitude of the driving current supplied to the organic light emitting diode is determined by the difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor. At this time, a data voltage is supplied to the gate node of the driving transistor, and a reference voltage is transmitted to the source node. In this structure, when the reference voltage fluctuates due to a defect of a specific pixel as described above, the organic light emitting display according to the embodiment compensates the data voltage by the variation of the reference voltage, so that the gate- To maintain a constant value.

이러한 일 실시예에 따르면, 특정 화소의 불량에 따라 변동된 기준전압이 다른 화소에 미치는 영향을 보상할 수 있게 된다.According to this embodiment, it is possible to compensate the influence of the reference voltage fluctuated according to the defects of the specific pixel on other pixels.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.It is to be understood that the terms "comprises", "comprising", or "having" as used in the foregoing description mean that the constituent element can be implanted unless specifically stated to the contrary, But should be construed as further including other elements. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. Commonly used terms, such as predefined terms, should be interpreted to be consistent with the contextual meanings of the related art, and are not to be construed as ideal or overly formal, unless expressly defined to the contrary.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (11)

기준전압라인을 공유하는 제1화소 및 제2화소가 배치되는 패널;
N(N은 자연수)번째 수평주기에서, 상기 기준전압라인과 연결되는 상기 제1화소 및 상기 제2화소의 센싱트랜지스터로 턴온전압을 공급하는 게이트구동부;
상기 제2화소 센싱트랜지스터의 턴온에 의한 상기 기준전압라인의 전압변동량을 저장하는 저장부; 및
상기 N번째 수평주기에서, 상기 전압변동량에 따라 보상된 데이터전압을 상기 제1화소로 공급하는 데이터구동부
를 포함하는 표시장치.
A panel in which a first pixel and a second pixel sharing a reference voltage line are disposed;
A gate driver for supplying a turn-on voltage to the sensing transistor of the first pixel and the second pixel connected to the reference voltage line in N (N is a natural number) horizontal period;
A storage unit for storing a voltage variation of the reference voltage line due to the turn-on of the second pixel sensing transistor; And
A data driver for supplying a data voltage compensated for the voltage variation to the first pixel in the Nth horizontal period,
.
제1항에 있어서,
상기 게이트구동부는,
상기 N번째 수평주기 및 N+1번째 수평주기에서, 상기 제1화소 및 상기 제2화소의 센싱트랜지스터로 턴온전압을 공급하고,
상기 N번째 수평주기에서, 제1데이터라인과 연결되는 상기 제1화소의 스위칭트랜지스터로 턴온전압을 공급하고,
상기 N+1번째 수평주기에서, 제2데이터라인과 연결되는 상기 제2화소의 스위칭트랜지스터로 턴온전압을 공급하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gate driver comprises:
On voltage is supplied to the sensing transistors of the first pixel and the second pixel in the Nth horizontal period and the (N + 1) th horizontal period,
In the Nth horizontal period, a turn-on voltage is supplied to the switching transistor of the first pixel connected to the first data line,
And supplies a turn-on voltage to the switching transistor of the second pixel connected to the second data line in the (N + 1) -th horizontal period.
제1항에 있어서,
상기 제1화소 및 상기 제2화소 각각은,
구동트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 소스노드와 상기 기준전압라인을 연결하는 센싱트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인을 연결하는 스위칭트랜지스터, 및 상기 구동트랜지스터의 소스노드와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein each of the first pixel and the second pixel includes:
A driving transistor, a sensing transistor for connecting the source node of the driving transistor and the reference voltage line, a switching transistor for connecting a gate node of the driving transistor to a data line, and an organic light emitting diode connected to a source node of the driving transistor / RTI >
제3항에 있어서,
상기 제2화소는,
애노드전극과 캐소드전극이 단락된 유기발광다이오드를 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the second pixel comprises:
A display device comprising an organic light emitting diode in which an anode electrode and a cathode electrode are short-circuited.
제3항에 있어서,
상기 전압변동량에 따라 보상된 영상데이터를 상기 데이터구동부로 전송하는 타이밍컨트롤러를 더 포함하고,
상기 데이터구동부는,
상기 보상된 영상데이터를 변환하여 상기 보상된 데이터전압을 생성하는 표시장치.
The method of claim 3,
And a timing controller for transmitting the compensated image data to the data driver in accordance with the amount of voltage variation,
The data driver may include:
And converting the compensated image data to generate the compensated data voltage.
제5항에 있어서,
상기 데이터구동부는,
상기 제1화소 및 상기 제2화소의 구동트랜지스터로 테스트전류를 공급한 후 각 구동트랜지스터의 소스노드전압을 측정하고,
상기 타이밍컨트롤러는,
상기 테스트전류 및 상기 소스노드전압을 이용하여 상기 기준전압라인의 전압변동량을 계산하는 표시장치.
6. The method of claim 5,
The data driver may include:
The method comprising: supplying a test current to the driving transistor of the first pixel and the second pixel, measuring a source node voltage of each driving transistor,
The timing controller includes:
And calculates a voltage variation amount of the reference voltage line using the test current and the source node voltage.
제6항에 있어서,
상기 타이밍컨트롤러는,
상기 제2화소의 소스노드전압을 상기 테스트전류로 나누어서 상기 제2화소의 유기발광다이오드에 대한 단락저항을 계산하고, 상기 단락저항에 따라 상기 기준전압라인의 전압변동량을 계산하는 표시장치.
The method according to claim 6,
The timing controller includes:
Dividing the source node voltage of the second pixel by the test current to calculate a short circuit resistance of the second pixel with respect to the organic light emitting diode, and calculating a voltage variation of the reference voltage line according to the short circuit resistance.
제7항에 있어서,
상기 타이밍컨트롤러는,
다음의 수식에 따라 상기 기준전압라인의 전압변동량(△Vr)을 계산하는 표시장치-수식에서, Rs는 단락저항이고, Rlink는 기준전압라인 중 비표시영역에 위치하는 부분의 라인저항이며, r_ref는 기준전압라인 중 표시영역에 위치하는 부분의 화소크기 단위의 라인저항이고, Y는 제2화소의 제1방향 좌표.
△Vr = Vref x (Rlink + Y x r_ref) / (Rs + Rlink + Y x r_ref)
8. The method of claim 7,
The timing controller includes:
Wherein Rs is a short-circuit resistance, Rlink is a line resistance of a portion located in a non-display region of the reference voltage line, and r_ref Is a line resistance in a pixel size unit of a portion located in the display region of the reference voltage line, and Y is a first direction coordinate of the second pixel.
? Vr = Vref x (Rlink + Yxr_ref) / (Rs + Rlink + Yxr_ref)
기준전압라인을 공유하는 제1화소 및 제2화소의 데이터전압을 보상하는 구동회로에 있어서,
상기 제2화소와 상기 기준전압라인의 연결에 따른 상기 기준전압라인의 전압변동량을 저장하는 저장부; 및
상기 제1화소 및 상기 제2화소가 상기 기준전압라인에 동시에 연결되는 수평주기에서 상기 전압변동량만큼 감소된 데이터전압을 상기 제1화소로 공급하는 데이터구동부
를 포함하는 구동회로.
A driving circuit for compensating a data voltage of a first pixel and a second pixel sharing a reference voltage line,
A storage unit for storing a voltage variation amount of the reference voltage line according to a connection between the second pixel and the reference voltage line; And
A data driver for supplying a data voltage reduced by the voltage variation amount to the first pixel in a horizontal period in which the first pixel and the second pixel are simultaneously connected to the reference voltage line,
.
제9항에 있어서,
상기 전압변동량에 따라 상기 제1화소에 대한 영상데이터를 보상하여 상기 데이터구동부로 전송하는 타이밍컨트롤러를 더 포함하는 구동회로.
10. The method of claim 9,
And a timing controller for compensating the image data for the first pixel according to the voltage variation amount and transmitting the compensated image data to the data driver.
제10항에 있어서,
상기 제1화소 및 상기 제2화소 각각은,
구동트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 소스노드와 상기 기준전압라인을 연결하는 센싱트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인을 연결하는 스위칭트랜지스터, 및 상기 구동트랜지스터의 소스노드와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하고,
상기 데이터구동부는,
상기 제1화소 및 상기 제2화소의 구동트랜지스터로 테스트전류를 공급한 후 각 구동트랜지스터의 소스노드전압을 측정하며,
상기 타이밍컨트롤러는,
상기 테스트전류 및 상기 소스노드전압을 이용하여 상기 기준전압라인의 전압변동량을 계산하는 구동회로.
11. The method of claim 10,
Wherein each of the first pixel and the second pixel includes:
A driving transistor, a sensing transistor for connecting the source node of the driving transistor and the reference voltage line, a switching transistor for connecting a gate node of the driving transistor to a data line, and an organic light emitting diode connected to a source node of the driving transistor and,
The data driver may include:
A source driver circuit for supplying a test current to the driving transistors of the first pixel and the second pixel and measuring a source node voltage of each driving transistor,
The timing controller includes:
And calculates a voltage variation amount of the reference voltage line using the test current and the source node voltage.
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