KR20170079956A - Liquid crystal display device - Google Patents

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KR20170079956A KR1020150191055A KR20150191055A KR20170079956A KR 20170079956 A KR20170079956 A KR 20170079956A KR 1020150191055 A KR1020150191055 A KR 1020150191055A KR 20150191055 A KR20150191055 A KR 20150191055A KR 20170079956 A KR20170079956 A KR 20170079956A
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Abstract

액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 기판, 제1 배선, 제1 평탄화층, 도전층, 제2 평탄화층 및 제2 배선을 포함한다. 제1 배선은 기판 상에 배치된다. 제1 평탄화층은 제1 배선 상에 배치되고, 복수의 제1 컨택 홀을 포함한다. 도전층은 제1 평탄화층 상에 배치되고 복수의 제1 컨택 홀을 통해 제1 배선과 접한다. 제2 평탄화층은 제1 평탄화층 상에 배치되고 제2 컨택 홀을 포함한다. 제2 배선은 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 컨택 홀을 통해 도전층과 접한다. A liquid crystal display device is provided. The liquid crystal display device includes a substrate, a first wiring, a first planarization layer, a conductive layer, a second planarization layer, and a second wiring. The first wiring is disposed on the substrate. The first planarization layer is disposed on the first wiring and includes a plurality of first contact holes. The conductive layer is disposed on the first planarization layer and contacts the first wiring through the plurality of first contact holes. The second planarization layer is disposed on the first planarization layer and includes a second contact hole. The second wiring is in contact with the conductive layer through the second contact hole in a region between at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes.

Figure P1020150191055
Figure P1020150191055

Description

액정 표시 장치 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조 공정에서 발생되는 배선의 손상을 최소화하여 신뢰성이 향상된 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device with improved reliability by minimizing damage to a wiring caused in a manufacturing process.

액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 하부에 광원을 두고, 액정에 전기장을 인가하여 액정의 배열을 제어함으로써 광원에서 발생된 빛을 통과 또는 차단하는 방식으로 화상을 구현하는 표시 장치로서, 스마트폰, 태블릿 PC 등 다양한 전자 장비에 적용된다. BACKGROUND ART A liquid crystal display (LCD) is a display device that implements an image in such a manner that a light source is disposed under a liquid crystal and an electric field is applied to the liquid crystal to control the arrangement of the liquid crystal to pass or block light generated in the light source , Smart phones and tablet PCs.

한편, 최근에는 터치 스크린(Touch Screen)이 탑재된 액정 표시 장치가 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 사용자의 액정 표시 장치에 대한 터치 입력을 감지하는 장치로서, 터치 스크린은 액정 표시 장치의 스크린 상부에 온-셀(on-cell) 방식으로 부착될 수 있다. 그러나, 온-셀 방식의 경우, 액정 표시 장치의 두께가 증가되고, 증가된 두께로 인해 액정 표시 장치의 시인성이 저하되는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해, 터치 스크린이 액정 표시 장치와 일체화된 인-셀(In-Cell) 방식의 터치 스크린이 개발되었다. On the other hand, in recent years, a liquid crystal display device on which a touch screen is mounted is widely used. The touch screen is a device for sensing a touch input to a user's liquid crystal display device, and the touch screen may be attached on the screen of the liquid crystal display device in an on-cell manner. However, in the case of the on-cell method, the thickness of the liquid crystal display device is increased and the visibility of the liquid crystal display device is lowered due to the increased thickness. To solve this problem, an in-cell type touch screen in which a touch screen is integrated with a liquid crystal display device has been developed.

인-셀 방식의 터치 스크린을 포함하는 액정 표시 장치는 터치 전극으로 기능하는 공통 전극을 포함한다. 그러나, 공통 전극은 액정 표시 장치의 시인성 감소를 최소화하기 위해 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루진다. 투명 도전성 산화물로 이루어진 공통 전극은 금속 전극에 비해 높은 저항을 가지므로, 터치 신호의 신호 지연을 유발할 수 있다. 이에, 공통 전극의 저항을 낮추고 터치 신호의 신호 지연을 방지하도록, 공통 전극과 연결되는 별도의 금속 배선이 형성된다. A liquid crystal display device including an in-cell type touch screen includes a common electrode functioning as a touch electrode. However, the common electrode is made of a transparent conductive oxide (TCO) to minimize the visibility reduction of the liquid crystal display device. Since the common electrode made of the transparent conductive oxide has a higher resistance than the metal electrode, the signal delay of the touch signal can be caused. Thus, a separate metal wiring connected to the common electrode is formed so as to lower the resistance of the common electrode and prevent the signal delay of the touch signal.

인-셀 방식의 터치 스크린을 포함하는 액정 표시 장치는 공통 전극이 터치 전극으로 기능하므로, 터치 전극의 터치 신호를 터치 패드부로 전달하기 위한 터치 배선이 기판 상에 배치된다. 즉, 기판 상에는 액정 표시 장치의 화소(pixel)를 구동하기 위한 표시 배선과, 터치 신호를 전달하기 위한 터치 배선이 배치된다. In a liquid crystal display device including an in-cell type touch screen, since the common electrode functions as a touch electrode, a touch wiring for transferring a touch signal of the touch electrode to the touch pad portion is disposed on the substrate. That is, a display wiring for driving a pixel of a liquid crystal display device and a touch wiring for transmitting a touch signal are arranged on a substrate.

이러한 배선들은 서로 상이한 평면 상에서 연장될 수 있다. 그러나, 회로 설계상의 이유에 따라 상이한 평면상에 배치된 배선들은 서로 접촉될 수 있다. 서로 상이한 평면상에 배치된 배선들은 평탄화층에 구비된 컨택 홀(contact hole)을 통해 서로 접촉될 수 있다. 이 경우, 배선들의 접촉 면적을 극대화하고, 배선들 사이의 접착력을 향상시키기 위해, 평탄화층에는 복수의 컨택 홀이 형성될 수 있다. 배선들은 평탄화층에 구비된 복수의 컨택 홀을 통해 서로 접촉될 수 있다. These wirings can extend on mutually different planes. However, wirings arranged on different planes can be brought into contact with each other for reasons of circuit design. Wirings arranged on different planes from each other can be brought into contact with each other through contact holes provided in the planarization layer. In this case, a plurality of contact holes may be formed in the planarization layer in order to maximize the contact area of the wirings and improve the adhesion between the wirings. The wirings may be in contact with each other through a plurality of contact holes provided in the planarization layer.

그러나, 복수의 컨택 홀을 형성하는 과정에서 컨택 홀 사이의 간격이 조밀한 경우, 인접하는 두개의 컨택 홀 사이 영역에서 평탄화층이 뜯어지는 문제가 발생될 수 있다. 이 경우, 평탄화층이 뜯어진 영역에서 평탄화층 하부에 배치된 배선이 노출될 수 있다. 만약, 평탄화층 상부의 배선이 평탄화층 하부의 배선과 컨택 홀 영역에서만 접촉되는 경우, 평탄화층이 뜯어진 영역에 배치된 평탄화층 하부의 배선은 후속 공정 과정에서 파손될 수 있다. 구체적으로, 평탄화층이 뜯어진 영역에 배치된 평탄화층 하부의 배선은 기판의 에칭 공정에서 에천트(etchant)에 노출될 수 있다. 에천트는 강한 산성 액체로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 에천트에 의해 평탄화층 하부 배선이 부분적으로 부식(corrosion)되거나 손상될 수 있다. 부식된 평탄화층 하부 배선은 저항이 급격하게 상승될 수 있으며, 액정 표시 장치의 신호를 잘 전달하지 못할 수 있다. 이에, 액정 표시 장치의 신뢰성이 감소되는 문제가 발생된다. However, if the spacing between the contact holes in the process of forming a plurality of contact holes is dense, there may arise a problem that the planarization layer breaks in the region between two adjacent contact holes. In this case, the wiring disposed under the planarization layer in the area where the planarization layer is torn can be exposed. If the wiring over the planarization layer is in contact with the wiring under the planarization layer only in the contact hole region, the wiring under the planarization layer disposed in the region where the planarization layer is torn can be broken in the subsequent process. Specifically, the wiring under the planarization layer disposed in the area where the planarization layer is torn can be exposed to the etchant in the etching process of the substrate. The etchant can be made of a strong acidic liquid, in which case the etchant can partially corrode or damage the underlying wiring of the planarization layer. The corroded wiring below the flattening layer may increase the resistance rapidly and may not transmit signals of the liquid crystal display device well. Thus, there is a problem that the reliability of the liquid crystal display device is reduced.

액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 (특허출원번호 제 10-2012-0057966호)An array substrate for a liquid crystal display and a method of manufacturing the same (Patent Application No. 10-2012-0057966)

본 발명의 발명자는 액정 표시 장치에서 배선들이 서로 컨택되는 영역에서 컨택 홀 사이의 간격이 작아 평탄화층이 뜯어지는 문제가 발생됨을 인식하였다. 이에, 본 발명자는 평탄화층이 뜯어짐으로 인해 노출된 도전층의 상면을 덮는 제2 배선을 사용하여 후속 공정에서 발생될 수 있는 도전층의 부식을 최소화할 수 있는 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 발명하였다.The inventor of the present invention has recognized that a problem arises that the planarization layer is broken due to a small distance between the contact holes in the region where the wirings are in contact with each other in the liquid crystal display device. The present inventors have found that a substrate which can minimize corrosion of a conductive layer which may be generated in a subsequent process by using a second wiring covering the top surface of the exposed conductive layer due to tearing of the flattening layer, and a liquid crystal display .

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이 영역에서 노출된 도전층을 덮는 제2 배선을 사용하여 도전층의 부식을 최소화함으로써, 신뢰성이 향상된 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to minimize the corrosion of the conductive layer by using the second wiring covering the conductive layer exposed in the region between the at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes, And a liquid crystal display device including the same.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 복수의 박막 트랜지스터, 제1 평탄화층, 제2 평탄화층, 공통 전극, 제1 배선, 도전층, 및 제2 배선을 포함한다. 기판은 액티브 영역 및 액티브 영역을 포함하는 베젤 영역을 포함한다. 복수의 박막 트랜지스터는 기판의 액티브 영역에 배치된다. 제1 평탄화층은 복수의 박막 트랜지스터를 덮는다. 제2 평탄화층은 제1 평탄화층 상에 배치된다. 공통 전극은 액티브 영역에서 제2 평탄화층 상에 배치된다. 제1 배선은 베젤 영역에서 제1 평탄화층 하부에 배치된다. 도전층은 베젤 영역에서 제1 평탄화층 상에 배치되고, 제1 평탄화층에 구비된 복수의 제1 컨택 홀을 통해 제1 배선과 접한다. 제2 배선은 베젤 영역에서 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 평탄화층에 구비된 제2 컨택 홀을 통해 도전층과 접한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도전층과 접하는 제2 배선을 사용하여 서로 인접하는 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 평탄화층에 뜯김이 발생되더라도, 도전층의 부식이 방지될 수 있으므로, 도전층과 제1 배선 사이의 접촉 저항이 유지되고, 액정 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a substrate, a plurality of thin film transistors, a first planarization layer, a second planarization layer, a common electrode, a first wiring, 2 wiring. The substrate includes a bezel region including an active region and an active region. The plurality of thin film transistors are arranged in the active region of the substrate. The first planarization layer covers a plurality of thin film transistors. The second planarization layer is disposed on the first planarization layer. The common electrode is disposed on the second planarization layer in the active region. The first wiring is disposed below the first planarization layer in the bezel region. The conductive layer is disposed on the first planarization layer in the bezel region and contacts the first wiring through a plurality of first contact holes provided in the first planarization layer. The second wiring is in contact with the conductive layer through a second contact hole provided in the second planarization layer in a region between at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes in the bezel region. The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention uses the second wiring in contact with the conductive layer so that even if the second planarizing layer is scratched at a region between two adjacent first contact holes, The contact resistance between the conductive layer and the first wiring is maintained, and the reliability of the liquid crystal display device can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀은 제2 컨택 홀에 의해 노출되고, 제2 배선은 제2 컨택 홀을 통해 적어도 두개의 제1 컨택 홀을 덮을 수 있다.According to another aspect of the present invention, at least two first contact holes adjacent to each other are exposed by the second contact holes, and the second wiring covers the at least two first contact holes through the second contact hole.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 도전층은 금속으로 이루어지고, 제2 배선은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어지며, 제1 평탄화층 및 제2 평탄화층은 포토 아크릴(Photo Acryl; PAC)로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the conductive layer is made of a metal, the second wiring is made of a transparent conductive oxide (TCO), and the first planarization layer and the second planarization layer are made of photo- ; PAC).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 액정 표시 장치는 제2 배선과 접하는 제3 배선을 더 포함하고, 제2 배선은 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 도전층의 상면을 노출시키며, 제3 배선은 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 도전층의 상면과 접할 수 있다. According to another aspect of the present invention, a liquid crystal display further includes a third wiring in contact with a second wiring, the second wiring exposing an upper surface of the conductive layer in a region corresponding to the plurality of first contact holes, 3 wiring can be in contact with the upper surface of the conductive layer in a region corresponding to the plurality of first contact holes.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 적어도 두개의 제1 컨택 홀의 중심 사이의 거리는 22μm 이하일 수 있다.According to another aspect of the present invention, the distance between the centers of the at least two first contact holes may be 22 mu m or less.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 복수의 박막 트랜지스터, 제1 평탄화층, 제2 평탄화층, 공통 전극, 제1 배선, 도전층, 및 제2 배선을 포함한다. 기판은 액티브 영역 및 액티브 영역을 포함하는 베젤 영역을 포함한다. 복수의 박막 트랜지스터는 기판의 액티브 영역에 배치된다. 제1 평탄화층은 복수의 박막 트랜지스터를 덮는다. 제2 평탄화층은 제1 평탄화층 상에 배치된다. 공통 전극은 액티브 영역에서 제2 평탄화층 상에 배치된다. 제1 배선은 베젤 영역에서 제1 평탄화층 하부에 배치된다. 도전층은 베젤 영역에서 제1 평탄화층 상에 배치되고, 제1 평탄화층에 구비된 복수의 제1 컨택 홀을 통해 제1 배선에 접한다. 제2 배선은 베젤 영역에서 제2 평탄화층에 구비되고 복수의 제1 컨택 홀 중 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀에 대응되는 제2 컨택 홀을 통해 노출된 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮는다. According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a substrate, a plurality of thin film transistors, a first planarization layer, a second planarization layer, a common electrode, a first wiring, 2 wiring. The substrate includes a bezel region including an active region and an active region. The plurality of thin film transistors are arranged in the active region of the substrate. The first planarization layer covers a plurality of thin film transistors. The second planarization layer is disposed on the first planarization layer. The common electrode is disposed on the second planarization layer in the active region. The first wiring is disposed below the first planarization layer in the bezel region. The conductive layer is disposed on the first planarization layer in the bezel region and contacts the first wiring through a plurality of first contact holes provided in the first planarization layer. The second wiring covers at least a part of the upper surface of the conductive layer which is provided in the second planarization layer in the bezel region and exposed through the second contact holes corresponding to the at least two adjacent first contact holes among the plurality of first contact holes .

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제2 배선 및 공통 전극은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the second wiring and the common electrode may be made of a transparent conductive oxide.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 액정 표시 장치는 제2 배선과 접하고, 금속으로 이루어진 제3 배선을 더 포함하고, 공통 전극은 사용자의 터치 입력을 감지하기 위한 터치 전극으로 기능할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the liquid crystal display further includes a third wiring in contact with the second wiring and made of metal, and the common electrode may function as a touch electrode for sensing the touch input of the user.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 배선, 제2 배선, 도전층 및 제1 배선은 터치 전극의 터치 신호를 전달하도록 구성된다.According to another aspect of the present invention, the third wiring, the second wiring, the conductive layer, and the first wiring are configured to transmit the touch signal of the touch electrode.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 복수의 박막 트랜지스터, 제1 평탄화층, 제2 평탄화층, 공통 전극, 신호 배선 및 링크 배선을 포함한다. 기판은 표시 영역 및 비표시 영역을 포함한다. 복수의 박막 트랜지스터는 기판의 표시 영역에 배치된다. 제1 평탄화층은 복수의 박막 트랜지스터를 덮는다. 제2 평탄화층은 제1 평탄화층 상에 배치된다. 공통 전극은 표시 영역에서 제2 평탄화층 상에 배치된다. 신호 배선은 복수의 박막 트랜지스터 또는 공통 전극과 연결되어 구동 신호를 전달하도록 구성된다. 링크 배선은 신호 배선과 제1 컨택 영역에서 연결된다. 제1 컨택 영역에서 링크 배선은 제1 배선, 제1 도전층 및 제2 배선을 포함한다. 제1 배선은 제1 평탄화층 하부에 배치된다. 제1 도전층은 제1 평탄화층 상에 배치되고, 제1 평탄화층의 복수의 제1 컨택 홀을 통해 제1 배선과 접한다. 제2 배선은 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 평탄화층의 제2 컨택 홀을 통해 도전층과 접한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a substrate, a plurality of thin film transistors, a first planarization layer, a second planarization layer, a common electrode, a signal wiring, and a link wiring. The substrate includes a display area and a non-display area. The plurality of thin film transistors are arranged in the display region of the substrate. The first planarization layer covers a plurality of thin film transistors. The second planarization layer is disposed on the first planarization layer. The common electrode is disposed on the second planarization layer in the display area. The signal wiring is connected to a plurality of thin film transistors or a common electrode and is configured to transmit a driving signal. The link wiring is connected to the signal wiring in the first contact area. In the first contact region, the link wiring includes a first wiring, a first conductive layer, and a second wiring. The first wiring is disposed under the first planarization layer. The first conductive layer is disposed on the first planarization layer and contacts the first wiring through the plurality of first contact holes of the first planarization layer. The second wiring is in contact with the conductive layer through the second contact hole of the second planarization layer in a region between the at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 액정 표시 장치는 비표시 영역에 배치된 패드와 연결되어 패드로부터 제어 신호를 수신하도록 구성된 패드 배선을 더 포함할 수 있다. 링크 배선은 패드 배선과 제2 컨택 영역에서 연결될 수 있다. 제2 컨택 영역에서 상기 링크 배선은, 제2 도전층 및 제2 배선을 포함할 수 있다. 제2 도전층은 제1 평탄화층 상에 배치되고, 제1 평탄화층의 복수의 제3 컨택 홀을 통해 제1 배선과 접할 수 있다. 제2 배선은 복수의 제3 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제3 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 평탄화층의 제4 컨택 홀을 통해 도전층과 접할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the liquid crystal display may further include a pad wiring connected to the pad disposed in the non-display area and configured to receive a control signal from the pad. The link wiring can be connected to the pad wiring in the second contact area. In the second contact region, the link wiring may include a second conductive layer and a second wiring. The second conductive layer is disposed on the first planarization layer and can contact the first wiring through the plurality of third contact holes of the first planarization layer. The second wiring may be in contact with the conductive layer through the fourth contact hole of the second planarization layer in a region between the at least two third contact holes adjacent to each other among the plurality of third contact holes.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 컨택 영역에서 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀은 제2 컨택 홀에 의해 노출되고, 제2 컨택 영역에서 서로 인접하는 적어도 두개의 제3 컨택 홀은 제4 컨택 홀에 의해 노출되고, 제2 배선은 제1 컨택 영역에서 제2 컨택 홀을 통해 적어도 두개의 제1 컨택 홀을 덮으며, 제2 배선은 제2 컨택 영역에서 제4 컨택 홀을 통해 적어도 두개의 제3 컨택 홀을 덮을 수 있다.According to another aspect of the present invention, at least two first contact holes adjacent to each other in the first contact region are exposed by the second contact hole, and at least two third contact holes adjacent to each other in the second contact region And the second wiring covers at least two first contact holes through the second contact hole in the first contact region and the second wiring is exposed through the fourth contact hole in the second contact region by the fourth contact hole, And may cover at least two third contact holes.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 액정 표시 장치는 제2 배선과 접하는 제3 배선을 더 포함할 수 있다. 제2 배선은 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 제1 도전층의 상면을 노출시키고, 복수의 제3 컨택 홀에 대응되는 영역에서 제2 도전층의 상면을 노출시키며, 제3 배선은 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 제1 도전층의 상면과 접하고, 복수의 제2 컨택 홀에 대응되는 영역에서 제2 도전층과 접할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the liquid crystal display device may further include a third wiring in contact with the second wiring. The second wiring exposes the upper surface of the first conductive layer in the region corresponding to the plurality of first contact holes and exposes the upper surface of the second conductive layer in the region corresponding to the plurality of third contact holes, The second conductive layer can be in contact with the upper surface of the first conductive layer in the region corresponding to the plurality of first contact holes and in contact with the second conductive layer in the region corresponding to the plurality of second contact holes.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 적어도 두개의 제1 컨택 홀의 중심 사이의 거리는 22μm 이하이고, 적어도 두개의 제3 컨택 홀의 중심 사이 거리는 22μm 이하일 수 있다.According to another aspect of the present invention, the distance between the centers of the at least two first contact holes is 22 占 퐉 or less, and the distance between the centers of the at least two third contact holes is 22 占 퐉 or less.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 제2 컨택 홀을 통해 도전층과 접하는 제2 배선을 사용하여 도전층을 덮는 제2 평탄화층에 뜯김이 발생되더라도 도전층의 부식을 최소화하고, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention is characterized in that in the region between at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes, a second wiring that contacts the conductive layer through the second contact hole is used to form a second flattening layer covering the conductive layer The corrosion of the conductive layer is minimized and the reliability of the display device can be improved.

본 발명은 서로 전기적으로 연결되고 서로 상이한 평면상에 배치된 제1 배선, 도전층 및 제2 배선을 사용하여 배선의 폭을 감소시킴으로써, 액정 표시 장치의 베젤 영역을 얇게할 수 있는 효과가 있다. The present invention has the effect of making the bezel region of a liquid crystal display device thinner by reducing the width of wirings by using the first wiring, the conductive layer and the second wiring which are electrically connected to each other and arranged on different planes.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역에 대한 부분 확대 평면도이다.
도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 도전층의 부식이 방지되는 효과를 설명하기 위한 비교예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic plan view for explaining a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a partially enlarged plan view of the region A in Fig.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of IIIa-IIIa 'and IIIb-IIIb' of FIG. 2. FIG.
4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to a comparative example for explaining the effect of preventing corrosion of a conductive layer in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view for explaining a liquid crystal display device according to another embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 1을 참조하면, 액정 표시 장치(100)는 기판(110), 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140), 제3 배선(150), 제1 평탄화층 및 제2 평탄화층을 포함한다. 설명의 편의를 위해, 도 1에서 제1 평탄화층 및 제2 평탄화층은 도시되어 있지 않다.1 is a schematic plan view for explaining a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 1, a liquid crystal display 100 includes a substrate 110, a first wiring 120, a conductive layer 130, a second wiring 140, a third wiring 150, a first planarization layer, And a second planarization layer. For convenience of explanation, the first planarizing layer and the second planarizing layer are not shown in Fig.

기판(110)은 액정 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 기판으로서, 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 기판(110)은 액티브 영역(A/A) 및 배젤 영역(B/A)을 포함한다. 액티브 영역(A/A)은 액정 표시 장치(100)에서 화상이 표시되는 영역을 의미하며, 표시 영역(display area)으로 지칭될 수 있다. 배젤 영역(B/A)은 액티브 영역(A/A)을 제외한 나머지 영역을 의미하며, 화상이 표시되지 않은 영역을 의미한다. 이에, 베젤 영역(B/A)은 비표시 영역으로 지칭될 수 있다. The substrate 110 is a substrate for supporting various components of the liquid crystal display device 100, and may be a glass substrate or a plastic substrate. The substrate 110 includes an active area A / A and a bubble area B / A. The active area A / A refers to an area where an image is displayed in the liquid crystal display device 100, and may be referred to as a display area. The bevel region B / A refers to a region other than the active region A / A, which means an area where no image is displayed. Thus, the bezel area B / A can be referred to as a non-display area.

액티브 영역(A/A)에는 표시 소자(display element)들이 배치된다. 표시 소자는 액정 표시 장치(100)의 화소(pixel)를 구성하는 다양한 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT), 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 화소 전극과 이격된 공통 전극 및 화소 전극 상에 배치된 액정(liquid crystal)을 포함할 수 있다. 표시 소자들은 액티브 영역(A/A)에 배치된 신호 배선으로부터 구동 신호를 제공받으며, 구동 신호에 기초하여 동작한다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 데이터 신호 배선 및 게이트 신호 배선과 연결되며, 데이터 신호 배선으로부터 전달되는 데이터 구동 신호와 게이트 신호 배선으로부터 전달되는 게이트 구동 신호에 기초하여 화소 전극에 전압을 인가할 수 있다. Display elements are arranged in the active area A / A. The display device may include various elements that constitute a pixel of the liquid crystal display device 100. For example, the display device may include a thin film transistor (TFT), a pixel electrode connected to the thin film transistor, a common electrode spaced apart from the pixel electrode, and a liquid crystal disposed on the pixel electrode. The display elements are supplied with a drive signal from the signal wiring arranged in the active area A / A, and operate based on the drive signal. For example, the thin film transistor is connected to the data signal wiring and the gate signal wiring, and can apply a voltage to the pixel electrode based on the data driving signal transmitted from the data signal wiring and the gate driving signal transmitted from the gate signal wiring.

또한, 액티브 영역(A/A)에는 사용자의 터치 입력을 감지하기 위한 터치 전극이 배치된다. 터치 전극은 사용자의 액정 표시 장치(100)에 대한 터치 입력을 감지하기 위한 전극이다. 예를 들어, 사용자의 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등과 같이 정전기를 띈 물체가 터치 전극에 접근하는 경우, 터치 전극의 커패시턴스(capacitance)가 변하며, 커패시턴스 변동으로 인해 발생된 터치 신호에 기초하여 사용자의 터치 입력이 감지될 수 있다. 터치 전극은 표시 소자 내부에 인-셀(in-cell) 방식으로 배치된다. 예를 들어, 터치 전극은 표시 소자의 공통 전극으로 구현될 수 있다. 이 경우, 공통 전극은 터치 전극으로서의 기능과 공통 전극으로서의 기능을 동시에 수행한다. 예를 들어, 터치 입력을 감지하는 터치 감지 구간 동안 공통 전극에는 터치 구동 전압 또는 터치 스캔 전류가 인가되고, 화상이 표시되는 표시 구간 동안 공통 전극에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 이하에서는 공통 전극과 터치 전극을 동일한 구성 요소로 지칭한다.A touch electrode for sensing the touch input of the user is disposed in the active area A / A. The touch electrode is an electrode for sensing a touch input of the user to the liquid crystal display device 100. For example, when an electrostatic object approaches the touch electrode, such as a user's finger or a stylus, the capacitance of the touch electrode changes, and the touch of the user based on the touch signal generated due to the capacitance variation Input can be detected. The touch electrodes are arranged in an in-cell manner inside the display device. For example, the touch electrode can be realized as a common electrode of the display element. In this case, the common electrode simultaneously performs a function as a touch electrode and a function as a common electrode. For example, a touch driving voltage or a touch scan current may be applied to the common electrode during a touch sensing period in which the touch input is sensed, and a common voltage may be applied to the common electrode during a display period in which an image is displayed. Hereinafter, the common electrode and the touch electrode are referred to as the same components.

배젤 영역(B/A)에는 터치 패드부(TP), 표시 패드부(DP), 데이터 구동 회로(DI), 게이트 구동 회로(GIP), 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)이 배치된다. 터치 패드부(TP)는 배젤 영역(B/A)의 상단에 배치되며, 제1 배선(120)으로부터 터치 신호를 수신한다. 제1 배선(120)은 제2 컨택 영역(C/A2)에서 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)과 연결되며, 공통 전극을 통해 터치 신호를 전달 받는다. 도 1에는 터치 패드부(TP)의 세부적인 구성은 도시되어 있지 않으며, 터치 패드부(TP)가 배치되는 영역이 점선으로 도시되어 있다. 터치 패드부(TP)에는 터치 플렉서블 기판이 연결되며, 터치 신호는 터치 패드부(TP)를 통해 터치 플렉서블 기판으로 전달된다. 터치 패드부(TP)는 터치 플렉서블 기판과 직접 접촉되는 터치 패드 및 터치 패드와 연결되어 터치 신호를 터치 패드로 전달하는 터치 패드 배선을 포함한다. 터치 패드부(TP)는 기판(110)의 좌측 상단과 우측 상단에 각각 분리되어 배치된다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 터치 패드부(TP)는 기판(110)의 일측 상단에만 배치될 수도 있다. The display panel 100 includes a touch pad portion TP, a display pad portion DP, a data driving circuit DI, a gate driving circuit GIP, a first wiring 120, a conductive layer 130, Two wirings 140 and a third wiring 150 are disposed. The touch pad unit TP is disposed at the top of the bezel area B / A and receives a touch signal from the first wiring 120. The first wiring 120 is connected to the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 in the second contact region C / A2 and receives a touch signal through the common electrode. 1, the detailed configuration of the touch pad unit TP is not shown, and the area where the touch pad unit TP is disposed is indicated by a dotted line. A touch flexible substrate is connected to the touch pad unit TP, and the touch signal is transmitted to the touch flexible substrate through the touch pad unit TP. The touch pad unit TP includes a touch pad directly contacting the touch flexible substrate and a touch pad wiring connected to the touch pad to transmit the touch signal to the touch pad. The touch pad unit TP is disposed separately on the left upper end and the right upper end of the substrate 110, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the touch pad unit TP may be disposed only on one side of the substrate 110.

표시 패드부(DP)는 배젤 영역(B/A)의 상단에서 터치 패드부(TP) 사이에 배치되며, 데이터 구동 회로(DI) 및 게이트 구동 회로(GIP)에 제어 신호를 전달한다. 표시 패드부(DP)는 표시 플렉서블 기판과 직접 접촉되는 표시 패드 및 표시 패드와 연결되어 데이터 구동 회로(DI) 및 게이트 구동 회로(GIP)로 제어 신호를 전달하는 표시 패드 배선을 포함한다. 도 1에는 표시 패드부(DP)의 세부적인 구성은 도시되어 있지 않으며, 표시 패드부(DP)가 배치되는 영역이 점선으로 도시되어 있다. 표시 패드부(DP)에는 표시 플렉서블 기판이 연결되며, 제어 신호는 표시 패드부(DP)를 통해 데이터 구동 회로(DI) 및 게이트 구동 회로(GIP)로 전달된다. The display pad portion DP is disposed between the touch pad portion TP at the upper end of the bevel region B / A and transmits a control signal to the data driving circuit DI and the gate driving circuit GIP. The display pad portion DP includes a display pad directly contacting the display flexible substrate and a display pad wiring connected to the display pad and transmitting a control signal to the data driving circuit DI and the gate driving circuit GIP. 1, the detailed configuration of the display pad unit DP is not shown, and the area where the display pad unit DP is disposed is indicated by a dotted line. A display flexible substrate is connected to the display pad portion DP and a control signal is transmitted to the data driving circuit DI and the gate driving circuit GIP via the display pad portion DP.

표시 패드부(DP)의 양단에 제1 배선(120)이 연결된다. 제1 배선(120)은 표시 패드부(DP)로부터 제공 받은 공통 전압을 액티브 영역(A/A)의 공통 전극에 전달한다. 이 경우, 제1 배선(120)은 컨택 영역에서 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)과 연결되며, 이에 대해서는 도 3을 참조하여 후술한다. The first wiring 120 is connected to both ends of the display pad portion DP. The first wiring 120 transfers a common voltage supplied from the display pad unit DP to the common electrode of the active area A / A. In this case, the first wiring 120 is connected to the second wiring 140 and the third wiring 150 in the contact region, which will be described later with reference to FIG.

데이터 구동 회로(DI)는 표시 패드부(DP)와 연결되며, 표시 패드부(DP)로부터 제공 받은 제어 신호에 기초하여 데이터 구동 신호를 생성한다. 도 1에는 데이터 구동 회로(DI)의 세부적인 구성은 도시되어 있지 않으며, 데이터 구동 회로(DI)가 배치되는 영역이 점선으로 도시되어 있다. 데이터 구동 회로(DI)는 기판(110) 상에 칩 온 글래스(Chip On Glass; COG) 또는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package) 방식으로 실장(packaging)될 수 있다. 데이터 구동 회로(DI)는 액티브 영역(A/A)의 표시 소자에 데이터 구동 신호를 제공한다. 데이터 구동 회로(DI)는 제1 배선(120)과 연결된다. 데이터 구동 회로(DI)와 연결된 제1 배선(120)은 액티브 영역(A/A)으로 연장되어 액티브 영역(A/A)내에 배치된 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 연결될 수 있다. 제1 배선(120)은 데이터 구동 회로(DI)에서 생성된 데이터 구동 신호를 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극으로 전달하며, 데이터 신호 배선으로 사용될 수 있다. The data driving circuit DI is connected to the display pad unit DP and generates a data driving signal based on a control signal supplied from the display pad unit DP. The detailed structure of the data driving circuit DI is not shown in Fig. 1, and the area where the data driving circuit DI is arranged is shown by a dotted line. The data driving circuit DI may be packaged on a substrate 110 by a chip on glass (COG) or a tape carrier package method. The data driving circuit DI provides a data driving signal to a display element of the active area A / A. The data driving circuit DI is connected to the first wiring 120. The first wiring 120 connected to the data driving circuit DI may be connected to the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor extended in the active area A / A and arranged in the active area A / A. The first wiring 120 transfers the data driving signal generated in the data driving circuit DI to the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor and can be used as a data signal wiring.

게이트 구동 회로(GIP)는 액티브 영역(A/A)의 양측면에 마주하도록 배치된다. 도 1에는 게이트 구동 회로(GIP)의 세부적인 구성은 도시되어 있지 않으며, 게이트 구동 회로(GIP)가 배치되는 영역이 점선으로 도시되어 있다. 게이트 구동 회로(GIP)는 기판(110) 상에 COG 또는 TCP 방식으로 실장될 수 있지만, 기판(110) 상에 직접 형성될 수도 있다. 이 경우, 게이트 구동 회로(GIP)는 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP)로 지칭될 수 있다. 게이트 구동 회로(GIP)가 게이트 인 패널 방식으로 형성되는 경우, 액정 표시 장치(100)의 제조 비용이 절감되고, 액정 표시 장치(100)의 무게 및 부피가 감소될 수 있다. The gate drive circuit GIP is arranged to face both sides of the active area A / A. The detailed structure of the gate drive circuit (GIP) is not shown in Fig. 1, and the region where the gate drive circuit (GIP) is arranged is shown by a dotted line. The gate drive circuit GIP may be mounted on the substrate 110 in a COG or TCP manner, but may also be formed directly on the substrate 110. [ In this case, the gate drive circuit (GIP) may be referred to as a gate in panel (GIP). When the gate driving circuit (GIP) is formed by a gate-in-panel method, manufacturing cost of the liquid crystal display device 100 can be reduced, and the weight and volume of the liquid crystal display device 100 can be reduced.

액티브 영역(A/A)과 게이트 구동 회로(GIP) 사이에 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)이 연장된다. 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 액티브 영역(A/A)의 터치 전극(즉, 공통 전극)과 연결되며, 터치 전극으로부터 터치 신호를 수신하여 터치 패드부(TP)로 전달한다. 이에, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 터치 배선으로 지칭될 수 있다. The first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 are extended between the active area A / A and the gate driving circuit GIP. The first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 are connected to the touch electrode (that is, the common electrode) of the active area A / A, Receives the touch signal and transmits it to the touch pad unit TP. Thus, the first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140, and the third wiring 150 may be referred to as a touch wiring.

몇몇 실시예에서, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)으로 구성된 터치 배선은 게이트 구동 회로(GIP)의 외측에서 연장될 수 있고, 게이트 구동 회로(GIP)의 내측과 외측에서 모두 연장될 수도 있다. In some embodiments, the touch wiring composed of the first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 may extend outside the gate driving circuit (GIP) But may extend both inside and outside the gate driving circuit GIP.

제1 컨택 영역(C/A1)에서 제1 배선(120)은 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)과 연결되고, 제2 컨택 영역(C/A2)에서, 제1 배선(120)은 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)과 연결된다. 제1 배선(120)이 연결되는 모습을 보다 상세히 설명하기 위해 도 2 및 도 3을 함께 참조한다. In the first contact area C / A1, the first wiring 120 is connected to the second wiring 140 and the third wiring 150, and the first wiring 120 (120) is connected in the second contact area C / Are connected to the conductive layer 130, the second wiring 140, and the third wiring 150. Referring to FIGS. 2 and 3 together to explain the connection of the first wires 120, FIG.

도 2는 도 1의 A 영역에 대한 부분 확대 평면도이다. 도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 개략적인 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)에서, 제1 배선(120)은 도전층(130)과 접하고, 도전층(130)은 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)과 접한다. 구체적으로, 제1 배선(120)은 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)에 배치된 복수의 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 도전층(130)과 접하며, 복수의 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 제2 배선(140)과 접한다. 제3 배선(150)은 제2 배선(140)과 직접 접한다. 2 is a partially enlarged plan view of the region A in Fig. 3 is a schematic cross-sectional view of IIIa-IIIa 'and IIIb-IIIb' of FIG. 2; 2 and 3, in the first contact area C / A1 and the second contact area C / A2, the first wiring 120 is in contact with the conductive layer 130, Contacts the second wiring 140 and the third wiring 150. Specifically, the first wiring 120 is in contact with the conductive layer 130 through the plurality of first contact holes CH1 disposed in the first contact area C / A1 and the second contact area C / A2 And contacts the second wiring 140 through the plurality of second contact holes CH2. The third wiring 150 directly contacts the second wiring 140.

제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 제1 컨택 영역(C/A1)의 하단으로 연장된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 액티브 영역(A/A)으로 연장되며, 액티브 영역(A/A)의 공통 전극과 연결된다. 앞서 언급한 바와 같이, 제1 컨택 영역(C/A1)의 상단에 배치된 제1 배선(120)은 표시 패드부(DP)와 연결되며, 표시 패드부(DP)로부터 공통 전압을 제공 받는다. 표시 패드부(DP)로부터 제공받은 공통 전압은 제1 배선(120)을 통해 제1 컨택 영역(C/A1)으로 전달되고, 제1 컨택 영역(C/A1)에서 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)으로 전달된다. 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)으로 제공된 공통 전압은 액티브 영역(A/A)의 공통 전극으로 전달될 수 있다. 이에, 제1 컨택 영역(C/A1)에서 서로 연결되는 제1 배선(120), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 공통 전압을 인가하는 공통 배선으로 기능한다. The second wiring 140 and the third wiring 150 extend to the lower end of the first contact area C / A1. As shown in FIG. 1, the second wiring 140 and the third wiring 150 extend to the active area A / A and are connected to the common electrode of the active area A / A. As described above, the first wiring 120 disposed at the top of the first contact area C / A1 is connected to the display pad part DP and receives a common voltage from the display pad part DP. The common voltage supplied from the display pad unit DP is transferred to the first contact region C / A1 through the first wiring 120 and the second wiring 140 and the second wiring 140 in the first contact region C / And then transferred to the third wiring 150. The common voltage provided to the second wiring 140 and the third wiring 150 can be transmitted to the common electrode of the active area A / A. Accordingly, the first wiring 120, the second wiring 140, and the third wiring 150 connected to each other in the first contact area C / A1 function as a common wiring for applying a common voltage.

도 3을 참조하면, 제1 배선(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 구체적으로, 제1 배선(120)은 기판(110)의 층간 절연층(112) 상에 배치된다. 제1 배선(120)은 기판(110) 상에 배치된 제1 박막 트랜지스터의 제1 소스 전극 또는 제1 드레인 전극과 동일 평면에 배치된다. 예를 들어, 기판(110) 상에 제1 액티브층이 배치되고, 제1 액티브층을 덮도록 게이트 절연층(111)이 배치된다. 제1 액티브층과 중첩하도록 게이트 절연층(111) 상에 제1 게이트 전극이 배치되며, 제1 게이트 전극을 덮도록 층간 절연층(112)이 배치된다. 층간 절연층(112) 및 게이트 절연층(111)에 구비된 컨택 홀을 통해 제1 액티브층과 연결되도록 층간 절연층(112) 상에 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극이 배치된다. Referring to FIG. 3, the first wiring 120 is disposed on the substrate 110. Specifically, the first wiring 120 is disposed on the interlayer insulating layer 112 of the substrate 110. The first wiring 120 is disposed on the same plane as the first source electrode or the first drain electrode of the first thin film transistor disposed on the substrate 110. For example, a first active layer is disposed on a substrate 110, and a gate insulating layer 111 is disposed to cover the first active layer. A first gate electrode is disposed on the gate insulating layer 111 so as to overlap with the first active layer, and an interlayer insulating layer 112 is disposed to cover the first gate electrode. A first source electrode and a first drain electrode are disposed on the interlayer insulating layer 112 to be connected to the first active layer through contact holes provided in the interlayer insulating layer 112 and the gate insulating layer 111.

제1 배선(120)은 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과 동일한 평면 상에 배치되며, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과 동일한 물질로 이루질 수 있다. 예를 들어, 제1 배선(120), 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 배선(120), 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극은 도체화된 반도체로 이루어질 수 있다. 이 경우, 층간 절연층(112) 상에 도체화되지 않은 반도체로 이루어진 제2 액티브층이 배치될 수 있으며, 게이트 절연층(111) 상에 형성된 제1 박막 트랜지스터와 전기적 특성이 상이한 제2 박막 트랜지스터가 추가로 형성될 수 있다. 제1 배선(120), 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극은 상술한 물질을 포함하는 단일층 또는 복층 구조로 형성될 수 있다.The first wiring 120 is disposed on the same plane as the first source electrode and the first drain electrode and may be formed of the same material as the first source electrode and the first drain electrode. For example, the first wiring 120, the first source electrode, and the first drain electrode may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti) , Neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. In some embodiments, the first wiring 120, the first source electrode, and the first drain electrode may be made of a conducting semiconductor. In this case, a second active layer made of a nonconducting semiconductor may be disposed on the interlayer insulating layer 112, and a second thin film transistor having a different electrical characteristic from the first thin film transistor formed on the gate insulating layer 111 May be additionally formed. The first wiring 120, the first source electrode, and the first drain electrode may be formed as a single layer or a multi-layer structure including the above-described materials.

제1 배선(120)을 덮도록 제1 평탄화층(113)이 배치된다. 제1 평탄화층(113)은 층간 절연층(112)을 덮으며, 기판(110)의 상면을 평탄화한다. 구체적으로, 기판(110) 상에는 박막 트랜지스터와 제1 배선(120) 이 형성되므로, 기판(110)의 상부에는 단차(step)가 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(113)은 기판(110) 상부에 형성된 단차를 덮으며, 기판(110)의 상부를 평평하게 한다. A first planarization layer (113) is disposed to cover the first wiring (120). The first planarizing layer 113 covers the interlayer insulating layer 112, and flattens the upper surface of the substrate 110. Specifically, since the thin film transistor and the first wiring 120 are formed on the substrate 110, a step may be formed on the substrate 110. The first planarizing layer 113 covers the step formed on the substrate 110, and flattenes the top of the substrate 110.

제1 평탄화층(113)은 기판(110) 상부의 단차를 보상하고 상면을 평평하게 하도록 유기물로 형성된다. 예를 들어, 제1 평탄화층(113)은 포토 아크릴(photo acryl; PAC)로 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(113)은 기판(110) 상부에 형성된 단차를 충분히 덮을 수 있도록 2μm 내지 3μm의 두께로 형성될 수 있다. The first planarization layer 113 is formed of an organic material so as to compensate a step on the substrate 110 and flatten the top surface. For example, the first planarization layer 113 may be formed of a photo acryl (PAC). The first planarization layer 113 may be formed to a thickness of 2 탆 to 3 탆 so as to sufficiently cover a step formed on the substrate 110.

제1 평탄화층(113)은 제1 배선(120)을 노출시키는 복수의 제1 컨택 홀(CH1)을 포함한다. 복수의 제1 컨택 홀(CH1)은 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)에 배치된다. 복수의 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 제1 배선(120)의 상면은 노출되고, 도전층(130)은 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 제1 배선(120)의 상면과 접한다. The first planarization layer 113 includes a plurality of first contact holes CH1 exposing the first wires 120. [ A plurality of first contact holes CH1 are disposed in the first contact area C / A1 and the second contact area C / A2. The upper surface of the first wiring 120 is exposed through the plurality of first contact holes CH1 and the conductive layer 130 contacts the upper surface of the first wiring 120 through the first contact hole CH1.

복수의 제1 컨택 홀(CH1)은 도 2에 도시된 바와 같이, 사각형 형태로 형성된다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 제1 컨택 홀(CH1)은 사각형을 제외한 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 복수의 제1 컨택 홀(CH1)의 크기는 다양하게 구성될 수 있다. 제1 평탄화층(113)의 두께가 두껍고 제1 컨택 홀(CH1)의 크기가 작을 경우, 도전층(130)은 제1 평탄화층(113)을 충분히 충진하지 못하고, 제1 배선(120)과 도전층(130)은 접하지 않을 수 있다. 이에, 제1 컨택 홀(CH1)의 크기는 도전층(130)의 단차 피복성(step coverage) 및 제1 평탄화층(113)의 두께를 고려하여 적절한 크기로 결정될 수 있다. The plurality of first contact holes CH1 are formed in a rectangular shape, as shown in Fig. However, the present invention is not limited thereto, and the plurality of first contact holes CH1 may be formed in a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape except a square shape. The sizes of the plurality of first contact holes CH1 may be variously configured. The conductive layer 130 can not sufficiently fill the first planarization layer 113 and the first planarization layer 113 may not fill the first planarization layer 113. In this case, The conductive layer 130 may not touch. The size of the first contact hole CH1 may be determined to be an appropriate size in consideration of the step coverage of the conductive layer 130 and the thickness of the first planarization layer 113. [

복수의 제1 컨택 홀(CH1)은 서로 특정 거리만큼 이격된다. 예를 들어, 인접하는 두개의 제1 컨택 홀(CH1)의 중심 사이의 거리는 22μm 이하일 수 있다. 만약, 인접하는 두개의 제1 컨택 홀(CH1)의 중심 사이의 거리가 22μm를 초과하는 경우, 제1 컨택 영역(C/A1)의 크기는 커질 수 있으며, 배선 사이의 거리는 증가될 수 있다. 이 경우, 배선들이 배치되기 위한 물리적 공간이 증가될 수 있으므로, 액정 표시 장치(100)의 베젤이 두꺼워질 수 있다. 그러나, 제1 컨택 홀(CH1)의 중심 사이의 거리가 22μm 이하인 경우, 제1 컨택 영역(C/A1)의 크기는 충분히 작으므로, 배선 사이의 거리는 줄어들 수 있으며, 베젤 영역(B/A)은 감소될 수 있다. The plurality of first contact holes CH1 are spaced apart from each other by a specific distance. For example, the distance between the centers of two adjacent first contact holes CH1 may be less than 22 mu m. If the distance between the centers of two adjacent first contact holes CH1 exceeds 22 mu m, the size of the first contact area C / A1 can be large, and the distance between the wirings can be increased. In this case, since the physical space for arranging the wirings can be increased, the bezel of the liquid crystal display device 100 can be thickened. However, when the distance between the centers of the first contact holes CH1 is 22 mu m or less, the size of the first contact area C / A1 is sufficiently small so that the distance between the wirings can be reduced, Can be reduced.

도전층(130)은 제1 평탄화층(113) 상에 배치되며, 복수의 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 제1 배선(120)과 접한다. 도전층(130)은 저항이 낮은 금속으로 이루어진다. 예를 들어, 도전층(130)은 알루미늄, 크롬 및 구리 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. 도전층(130)은 상술한 물질을 포함하는 단일층 또는 복층 구조로 형성될 수 있다.The conductive layer 130 is disposed on the first planarization layer 113 and contacts the first wiring 120 through the plurality of first contact holes CH1. The conductive layer 130 is made of a metal having low resistance. For example, the conductive layer 130 may be formed of any one of aluminum, chromium, and copper, or an alloy thereof, but not limited thereto, and may be formed of various materials. The conductive layer 130 may be formed as a single layer or a multi-layer structure including the above-described materials.

도 2에 도시된 바와 같이, 도전층(130)은 제1 컨택 영역(C/A1)에 배치되며, 제1 배선(120)과 제2 배선(140) 사이의 접촉 특성을 향상시킨다. 상술한 바와 같이, 제1 배선(120)이 도체화된 반도체로 이루어진 경우, 제1 배선(120)과 제2 배선(140) 사이의 접촉 저항이 증가될 수 있다. 이 경우, 도전층(130)은 제1 배선(120)과 제2 배선(140) 사이에 배치되어 오믹 컨택(ohmic contact)을 형성할 수 있으며, 제1 배선(120)의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 2, the conductive layer 130 is disposed in the first contact area C / A1 and improves contact characteristics between the first wiring 120 and the second wiring 140. As shown in FIG. As described above, in the case where the first wiring 120 is made of a conductive semiconductor, the contact resistance between the first wiring 120 and the second wiring 140 can be increased. In this case, the conductive layer 130 may be disposed between the first wiring 120 and the second wiring 140 to form an ohmic contact and reduce the contact resistance of the first wiring 120 .

제2 평탄화층(114)은 제1 평탄화층(113) 상에 배치되며, 복수의 제2 컨택 홀(CH2)을 포함한다. 도전층(130)의 상면은 복수의 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 노출된다. 제2 평탄화층(114)은 유기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 평탄화층(114)은 제1 평탄화층(113)과 동일한 유기물로 형성될 수 있으며, 2μm 내지 3μm의 두께로 형성될 수 있다. The second planarization layer 114 is disposed on the first planarization layer 113 and includes a plurality of second contact holes CH2. The upper surface of the conductive layer 130 is exposed through the plurality of second contact holes CH2. The second planarization layer 114 may be formed of an organic material. For example, the second planarization layer 114 may be formed of the same organic material as that of the first planarization layer 113, and may have a thickness of 2 袖 m to 3 袖 m.

복수의 제2 컨택 홀(CH2) 중 적어도 하나의 제2 컨택 홀(CH2)은 복수의 제1 컨택 홀(CH1) 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀(CH1)에 대응될 수 있다. 즉, 복수의 제2 컨택 홀(CH2)중 적어도 하나의 제2 컨택 홀(CH2)은 제1 컨택 홀(CH1) 보다 큰 크기로 형성될 수 있다. 큰 크기의 제2 컨택 홀(CH2)은 제2 컨택 홀(CH2)을 형성하기 위한 노광(exposure) 공정에서 제2 평탄화층(114)의 일부가 떨어져 나감으로써 형성될 수 있다. 이에 대한 보다 상세한 설명은 도 4를 참조하여 후술한다. At least one second contact hole CH2 of the plurality of second contact holes CH2 may correspond to at least two first contact holes CH1 adjacent to each other among the plurality of first contact holes CH1. That is, at least one second contact hole CH2 of the plurality of second contact holes CH2 may be formed to have a size larger than that of the first contact hole CH1. The second contact hole CH2 of a large size can be formed by parting off the second planarization layer 114 in an exposure process for forming the second contact hole CH2. A more detailed description thereof will be described later with reference to Fig.

제2 평탄화층(114) 상에 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)이 배치된다. 제2 배선(140)은 액티브 영역(A/A)에 배치된 공통 전극과 동일한 평면상에 배치된다. 제2 배선(140) 및 공통 전극은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 배선(140) 및 공통 전극은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide) 및 주석 산화물(Tin Oxide) 등과 같은 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다 이 경우, 액티브 영역(A/A)에 배치된 공통 전극에 의한 액정 표시 장치(100)의 시인성 감소가 최소화될 수 있다. The second wiring 140 and the third wiring 150 are disposed on the second planarization layer 114. The second wiring 140 is disposed on the same plane as the common electrode arranged in the active area A / A. The second wiring 140 and the common electrode may be formed of the same material. For example, the second wiring 140 and the common electrode may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide and tin oxide In this case, the decrease in visibility of the liquid crystal display device 100 due to the common electrode disposed in the active area A / A can be minimized.

제3 배선(150)은 제2 배선(140) 상에 배치되며, 저항이 낮은 금속으로 이루어진다. 예를 들어, 제3 배선(150)은 도전층(130)과 동일하게 알루미늄, 크롬 및 구리 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 제3 배선(150)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 제3 배선(150)은 상술한 물질을 포함하는 단일층 또는 복층 구조로 형성될 수 있다.The third wiring 150 is disposed on the second wiring 140 and is made of a metal having low resistance. For example, the third wiring 150 may be formed of any one of aluminum, chromium, and copper, or an alloy thereof, in the same manner as the conductive layer 130. However, without being limited thereto, the third wiring 150 may be formed of various materials. The third wiring 150 may be formed as a single layer or a multi-layer structure including the above-described materials.

제3 배선(150)은 제2 배선(140)의 전기적 저항을 감소시킨다. 구체적으로, 제2 배선(140)은 액티브 영역(A/A)에서 공통 전극과 연결되며, 공통 전극에 공통 전압을 전달한다. 앞서 언급한 바와 같이, 제2 배선(140)은 투명 도전성 산화물로 이루어지므로, 제2 배선(140)의 전기적 저항은 도전층(130)에 비해 상대적으로 높다. 만약, 공통 전압이 제2 배선(140)으로만 전달되는 경우, 제2 배선(140)의 저항에 기인하여 액티브 영역(A/A)의 중심 부분에 배치된 공통 전극에 전달되는 공통 전압은 액티브 영역(A/A)의 외곽 부분에 배치된 공통 전극에 전달되는 공통 전압보다 낮을 수 있다. 그러나, 제3 배선(150)이 제2 배선(140)에 접하도록 형성되는 경우, 제3 배선(150)에 의해 제2 배선(140)의 저항은 낮아질 수 있으며, 공통 전압은 액티브 영역(A/A)의 중심 부분과 외곽 부분에 균일하게 전달될 수 있다. The third wiring 150 reduces the electrical resistance of the second wiring 140. Specifically, the second wiring 140 is connected to the common electrode in the active area A / A, and transmits the common voltage to the common electrode. As described above, since the second wiring 140 is made of a transparent conductive oxide, the electrical resistance of the second wiring 140 is relatively higher than that of the conductive layer 130. If the common voltage is transmitted only to the second wiring 140, the common voltage, which is transmitted to the common electrode disposed at the central portion of the active area A / A due to the resistance of the second wiring 140, May be lower than a common voltage that is transmitted to the common electrode disposed at the outer portion of the region A / A. However, when the third wiring 150 is formed to be in contact with the second wiring 140, the resistance of the second wiring 140 can be lowered by the third wiring 150, / A in the center portion and the outer portion.

제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 도전층(130)과 상이한 평면에 배치되며, 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 노출된 도전층(130)과 접한다. 구체적으로, 제2 배선(140)은 복수의 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역 및 복수의 제1 컨택 홀(CH1) 중 서로 인접하는 두개의 제1 컨택 홀(CH1) 사이의 영역에서 도전층(130)과 접한다. 즉, 제2 배선(140)은 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 노출된 도전층(130)의 상면을 모두 덮으며, 제3 배선(150)은 제2 배선(140)의 상면에 접한다. 제2 컨택 홀(CH2)에서 도전층(130)의 상면은 모두 제2 배선(140) 또는 제3 배선(150)에 의해 덮히며, 도전층(130)의 상면은 노출되지 않는다. The second wiring 140 and the third wiring 150 are disposed on a plane different from the conductive layer 130 and are in contact with the conductive layer 130 exposed through the second contact hole CH2. More specifically, the second wiring 140 is formed in a region corresponding to the plurality of first contact holes CH1 and in a region between two first contact holes CH1 adjacent to each other among the plurality of first contact holes CH1 And contacts the conductive layer 130. That is, the second wiring 140 covers the upper surface of the conductive layer 130 exposed through the second contact hole CH2, and the third wiring 150 contacts the upper surface of the second wiring 140. The upper surface of the conductive layer 130 in the second contact hole CH2 is covered by the second wiring 140 or the third wiring 150 and the upper surface of the conductive layer 130 is not exposed.

제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 액정 표시 장치(100)의 제조 공정에서 도전층(130)이 에천트(etchant)에 노출되어 손상되는 것을 최소화한다. 이에 대한 상세한 설명은 도 4를 참조하여 후술한다. The second wiring 140 and the third wiring 150 minimize the damage of the conductive layer 130 by being exposed to the etchant in the manufacturing process of the liquid crystal display device 100. [ A detailed description thereof will be given later with reference to Fig.

다시 도 2를 참조하면, 제2 컨택 영역(C/A2)에서 제1 배선(120)은 제2 컨택 영역(C/A2)의 상단으로 연장되며, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 제2 컨택 영역(C/A2)의 하단으로 연장된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 컨택 영역(C/A2)의 상단으로 연장된 제1 배선(120)은 터치 패드부(TP)와 연결되고, 제2 컨택 영역(C/A2)의 하단으로 연장된 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 액티브 영역(A/A)과 게이트 구동 회로(GIP) 사이의 베젤 영역(B/A)으로 연장된다. 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 터치 전극으로 기능하는 공통 전극과 연결된다. 앞서 언급한 바와 같이, 공통 전극은 제2 배선(140)과 동일 평면 상에 배치되므로, 액티브 영역(A/A)의 경계부에서 제1 배선(120) 및 도전층(130)은 제2 배선(140)과 접촉되며, 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 액티브 영역(A/A)으로 연장된다. Referring again to FIG. 2, in the second contact area C / A2, the first wiring 120 extends to the top of the second contact area C / A2 and the first wiring 120, the conductive layer 130 ), The second wiring 140 and the third wiring 150 extend to the lower end of the second contact area C / A2. As shown in FIG. 1, the first wiring 120 extending to the upper end of the second contact area C / A2 is connected to the touch pad TP, and the lower end of the second contact area C / The first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 extending from the active region A / A to the gate driving circuit GIP extend to the bezel region B / A). The first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140, and the third wiring 150 are connected to a common electrode functioning as a touch electrode. As described above, since the common electrode is disposed on the same plane as the second wiring 140, the first wiring 120 and the conductive layer 130 at the boundary of the active area A / A are electrically connected to the second wiring 140 140 and the second wiring 140 and the third wiring 150 extend to the active area A / A.

제2 컨택 영역(C/A2)의 하단으로 연장된 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)은 공통 전극으로부터 터치 신호를 수신하며, 터치 배선으로 기능한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 배선(120), 도전층(130) 및 제2 배선(140)은 서로 상이한 평면상에 배치되고, 제1 평탄화층(113) 및 제2 평탄화층(114)에 의해 절연된다. The first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 extending to the lower end of the second contact area C / A2 receive the touch signal from the common electrode, It functions as touch wiring. 3, the first wiring 120, the conductive layer 130, and the second wiring 140 are disposed on different planes, and the first planarization layer 113 and the second planarization layer 114 ).

제2 컨택 영역(C/A2) 및 액티브 영역(A/A)의 경계부에서 제2 배선(140)은 제1 배선(120) 및 도전층(130)과 접촉되므로, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)의 저항은 낮아질 수 있고, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)의 폭은 감소될 수 있다. 즉, 도전층(130)은 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 제1 배선(120)과 접촉되고, 제2 배선(140)은 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 도전층(130)과 접촉되며, 제3 배선(150)은 제2 배선(140)과 직접 접한다. 이에, 제2 배선(140)을 통해 수신된 터치 신호는 제1 배선(120), 도전층(130) 및 제3 배선(150)에 동일하게 인가된다. 제1 배선(120), 도전층(130) 및 제2 배선(140)은 서로 상이한 평면상에 배치되므로, 제2 배선(140)에 전달된 터치 신호는 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제2 배선(140)과 접하는 제3 배선(150)을 통해 삼중으로 전달될 수 있다. 따라서, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)의 폭은 감소될 수 있다. 즉, 터치 신호가 하나의 배선이 아닌 삼중의 배선을 통해 전달되므로, 제1 배선(120), 도전층(130), 제2 배선(140) 및 제3 배선(150) 폭이 감소되더라도 배선 저항은 종전과 동일하게 유지될 수 있다.Since the second wiring 140 is in contact with the first wiring 120 and the conductive layer 130 at the boundary between the second contact region C / A2 and the active region A / A, the first wiring 120, The resistance of the conductive layer 130, the second wiring 140 and the third wiring 150 can be lowered and the resistance of the first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140, 150 can be reduced. That is, the conductive layer 130 is in contact with the first wiring 120 through the first contact hole CH1 and the second wiring 140 is in contact with the conductive layer 130 through the second contact hole CH2. And the third wiring 150 directly contacts the second wiring 140. Accordingly, the touch signal received through the second wiring 140 is applied to the first wiring 120, the conductive layer 130, and the third wiring 150 in the same manner. Since the first wiring 120, the conductive layer 130 and the second wiring 140 are disposed on different planes from each other, the touch signal transferred to the second wiring 140 is electrically connected to the first wiring 120, 130, the second wiring 140, and the third wiring 150 in contact with the second wiring 140. Therefore, the widths of the first wiring 120, the conductive layer 130, the second wiring 140, and the third wiring 150 can be reduced. That is, since the touch signal is transmitted through three wires rather than one wire, even if the width of the first wire 120, the conductive layer 130, the second wire 140 and the third wire 150 is reduced, Lt; / RTI > can remain the same as before.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 도전층의 부식이 방지되는 효과를 설명하기 위한 비교예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4의 비교예에 따른 액정 표시 장치는 서로 인접하는 제1 컨택 홀(CH1) 사이의 영역에서 도전층(430)의 일부 상면이 노출된 것을 제외하고는 도 1 내지 도 3의 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)와 동일하다. 따라서, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to a comparative example for explaining the effect of preventing corrosion of a conductive layer in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. The liquid crystal display according to the comparative example of FIG. 4 has the same structure as that of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 except that a part of the upper surface of the conductive layer 430 is exposed in the region between the adjacent first contact holes CH1. Is the same as the liquid crystal display device 100 according to the embodiment. Therefore, redundant description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 제2 평탄화층(414)을 노광하는 과정에서 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나가면서 제1 컨택 홀(CH1)보다 큰 제2 컨택 홀(CH2)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 평탄화층(414)은 제1 평탄화층(413) 상에 포토 아크릴을 도포하고, 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역을 노출하는 섀도우 마스크(shadow)를 사용하여 노광을 수행함으로써 형성될 수 있다. 이 경우, 공정 상의 오차로 인해 노광량이 많아지는 경우, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나가는 문제가 발생될 수 있다. 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나감에 따라 제2 평탄화층(414)의 떨어져 나간 부분에서 도전층(430)의 상면이 노출된다. Referring to FIG. 4, in the process of exposing the second planarization layer 414, a portion 414b of the second planarization layer 414 is separated and a second contact hole CH2, which is larger than the first contact hole CH1, Can be formed. Specifically, the second planarization layer 414 is formed by applying photoacrylic on the first planarization layer 413, and using a shadow mask exposing an area corresponding to the first contact hole CH1, . ≪ / RTI > In this case, if the amount of exposure is increased due to a process error, a problem may arise that a part 414b of the second planarization layer 414 is separated. The upper surface of the conductive layer 430 is exposed at the portion where the second planarizing layer 414 is separated from the second planarizing layer 414 as the portion 414b of the second planarizing layer 414 is separated.

한편, 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)은 제1 컨택 영역 및 제2 컨택 영역의 하단부의 일부만 덮도록 형성된다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)에서 복수의 제1 컨택 홀(CH1)은 4개의 행으로 배치된다. 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)은 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)에서 하단부 2개의 행의 제1 컨택 홀(CH1)을 덮도록 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 도전층(430), 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)은 제1 배선(420)이 배치되는 평면보다 높은 평면에 배치된다. 앞서 언급한 바와 같이, 기판(410)의 베젤 영역 상단 부분에는 데이터 구동 회로가 COG 또는 TCP 방식으로 실장된다. 데이터 구동 회로는 표시 패드부와 연결되며, 표시 패드부와 데이터 구동 회로를 연결하는 배선들은 제1 배선(420)과 동일한 평면상에 배치되거나 제1 배선(420)보다 낮은 평면상에 배치될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동 회로는 표시 패드부로부터 연장된 배선과 직접 접촉하므로, 데이터 구동 회로가 배치되는 베젤 영역의 상단 부분에서 제1 배선(420)보다 높은 평면상에 배치되는 도전층(430), 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)은 배치되지 못할 수 있다. 즉, 베젤 영역의 상단 부분에서 도전층(430), 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)이 형성되는 경우, 데이터 구동 회로는 제1 배선(420)과 동일한 평면 또는 제1 배선(420)보다 낮은 평면상에 배치된 패드부와 직접 접촉될 수 없을 수 있다. 따라서, 베젤 영역의 상단 부분에서 도전층(430), 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)이 형성되지 못할 수 있다.On the other hand, the second wiring 440 and the third wiring 450 are formed so as to cover only the lower end portions of the first contact region and the second contact region. For example, as shown in FIG. 2, a plurality of first contact holes CH1 are arranged in four rows in the first contact area C / A1 and the second contact area C / A2. The second wiring 440 and the third wiring 450 are formed so as to cover the first contact holes CH1 of the lower two rows in the first contact area C / A1 and the second contact area C / . 4, the conductive layer 430, the second wiring 440, and the third wiring 450 are disposed on a plane higher than the plane where the first wiring 420 is disposed. As described above, the data driving circuit is mounted in the upper part of the bezel region of the substrate 410 in the COG or TCP mode. The data driving circuit is connected to the display pad portion and the wirings connecting the display pad portion and the data driving circuit may be disposed on the same plane as the first wirings 420 or on a lower plane than the first wirings 420 have. In this case, since the data driving circuit directly contacts the wiring extended from the display pad portion, the conductive layer 430, which is disposed on the plane higher than the first wiring 420 in the upper portion of the bezel region where the data driving circuit is disposed, The second wiring 440 and the third wiring 450 may not be disposed. That is, when the conductive layer 430, the second wiring 440, and the third wiring 450 are formed in the upper portion of the bezel region, the data driving circuit may be formed in the same plane as the first wiring 420, 420 may not be in direct contact with pad portions disposed on a lower plane. Therefore, the conductive layer 430, the second wiring 440, and the third wiring 450 may not be formed in the upper portion of the bezel region.

또한, 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)을 기판(410)의 전면에 증착하는 경우, 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)을 형성하기 위한 재료가 많이 소모될 수 있므로, 재료비를 절감하기 위해 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)을 형성하기 위한 재료는 베젤 영역의 상단 부분에는 증착되지 않을 수 있다. 만약, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나가지 않는다면, 도전층(430)의 상면은 예상치 못하게 노출되지 않는다. 그러나, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나가면서 도전층(430)의 상면 일부가 예상치 못하게 노출될 수 있다. In addition, when the second wiring 440 and the third wiring 450 are deposited on the entire surface of the substrate 410, a large amount of material for forming the second wiring 440 and the third wiring 450 may be consumed The material for forming the second wiring 440 and the third wiring 450 may not be deposited in the upper portion of the bezel region to reduce the material cost. If the portion 414b of the second planarization layer 414 does not fall off, the top surface of the conductive layer 430 is not exposed unexpectedly. However, a portion of the top surface of the conductive layer 430 may be unexpectedly exposed as part 414b of the second planarization layer 414 is dislodged.

한편, 도전층(430)의 상면 일부가 노출된 상태에서 제2 배선(440)을 형성하기 위한 재료가 증착된다. 예를 들어, 제2 배선(440)을 형성하기 위한 재료가 복수의 제1 컨택 홀(CH1) 중 일부의 제1 컨택 홀(CH1)을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나간 영역에서 도전층(430)의 상면은 노출되고, 도전층(430)의 상면에는 제2 배선(440)을 형성하기 위한 재료가 증착되지 못할 수 있다. On the other hand, a material for forming the second wiring 440 is deposited in a state in which a part of the top surface of the conductive layer 430 is exposed. For example, a material for forming the second wiring 440 may be formed so as to cover the first contact hole CH1 of a part of the plurality of first contact holes CH1. In this case, the upper surface of the conductive layer 430 is exposed in the region where the part 414b of the second planarization layer 414 is separated, and the upper surface of the conductive layer 430 is made of a material for forming the second wiring 440 May not be deposited.

이후, 제2 배선(440)을 형성하기 위한 재료 상부에 포토 레지스트를 도포하고 노광이 수행될 수 있다. 노광이 수행됨에 따라 포토 레지스트는 제2 배선(440)에 대응되는 포토 레지트 패턴으로 형성된다. 이후, 포토 레지스트 패턴 사이로 강한 산성의 액체인 에천트가 유입되어 에칭 공정이 수행된다. 이 경우, 포토 레지스트 패턴 사이로 노출된 제2 배선(440)은 에천트로 에칭될 수 있다. 이후, 동일한 방법으로 제3 배선(450)이 형성된다. Then, a photoresist may be applied on the material for forming the second wiring 440 and exposure may be performed. As the exposure is performed, the photoresist is formed in a photoresist pattern corresponding to the second wiring 440. Thereafter, an etchant, which is a strongly acidic liquid, flows in between the photoresist patterns, and an etching process is performed. In this case, the second wiring 440 exposed between the photoresist patterns can be etched. Thereafter, the third wiring 450 is formed in the same manner.

한편, 제2 배선(440)을 에칭하는 과정에서 제2 배선(440)에 대응되는 영역은 포토 레지스트 패턴에 의해 에천트로부터 보호될 수 있으나, 포토 레지스트 패턴 사이로 노출된 영역은 에천트로부터 보호되지 못한다. 일반적으로 복수의 제1 컨택 홀(CH1)에 의해 노출된 영역은 도전층(430)의 상면이 노출된 상태이므로, 에천트에의해 도전층(430)의 상면이 부식(corrosion)되거나 손상될 수 있다. 특히, 도전층(430)이 낮은 저항을 갖는 알루미늄으로 이루어진 경우, 강한 산성을 갖는 에천트에 의해 도전층(430)은 빠르게 부식될 수 있다. 이를 방지하기 위해 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역은 포토 레지스트 패턴으로 덮일 수 있다. 이 경우, 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역에서 노출된 도전층(430)은 포토 레지스트 패턴에 의해 에천트로부터 보호될 수 있다. 그러나, 인접하는 두개의 제1 컨택 홀(CH1) 사이 영역에서 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나간 경우, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나간 영역에서 도전층(430)의 상면은 보호되지 못할 수 있다. 즉, 포토 레지스트 패턴은 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역을 덮도록 배치될 뿐, 인접하는 제1 컨택 홀(CH1) 사이의 영역을 덮도록 배치되지 않는다. 따라서, 제2 평탄화층(414)의 일부분(414b)이 떨어져 나간 영역에서 도전층(430)의 상면은 노출된다. Meanwhile, in the process of etching the second wiring 440, the region corresponding to the second wiring 440 may be protected from the etchant by the photoresist pattern, but the region exposed between the photoresist patterns is not protected from the etchant can not do it. Since the upper surface of the conductive layer 430 is exposed in the region exposed by the plurality of first contact holes CH1, the upper surface of the conductive layer 430 may be corroded or damaged by the etchant have. In particular, when the conductive layer 430 is made of aluminum having a low resistance, the conductive layer 430 can be rapidly corroded by an etchant having a strong acidity. In order to prevent this, the region corresponding to the first contact hole CH1 may be covered with a photoresist pattern. In this case, the exposed conductive layer 430 in the region corresponding to the first contact hole CH1 can be protected from the etchant by the photoresist pattern. However, when the portion 414b of the second planarization layer 414 is separated from the region between the adjacent two first contact holes CH1, the portion 414b of the second planarization layer 414 is separated from the region The upper surface of the conductive layer 430 may not be protected. That is, the photoresist pattern is disposed so as to cover the region corresponding to the first contact hole CH1 and not disposed so as to cover the region between the adjacent first contact holes CH1. Thus, the upper surface of the conductive layer 430 is exposed in the region where the portion 414b of the second planarization layer 414 is separated.

이 경우, 제2 배선(440) 및 제3 배선(450)을 에칭하기 위한 에천트에 도전층(430)의 상면이 노출될 수 있으며, 에천트에 의해 도전층(430)에 부식이나 손상이 발생될 수 있다. 도전층(430)은 제1 배선(420)과 제2 배선(440) 사이의 접촉 저항을 감소시키기 위한 부재이지만, 도전층(430)에 부식이나 손상이 발생된 경우, 도전층(430)의 저항이 높아질 수 있다. 이 경우, 도전층(430)과 제1 배선(420)의 접촉 저항이 높아지며, 결과적으로 배선의 전체 저항이 증가되는 문제가 발생된다. In this case, the upper surface of the conductive layer 430 may be exposed to the etchant for etching the second wiring 440 and the third wiring 450, and the upper surface of the conductive layer 430 may be exposed by the etchant, Lt; / RTI > The conductive layer 430 is a member for reducing contact resistance between the first wiring 420 and the second wiring 440. When the conductive layer 430 is corroded or damaged, The resistance can be increased. In this case, the contact resistance between the conductive layer 430 and the first wiring 420 increases, resulting in a problem that the overall resistance of the wiring increases.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 컨택 홀(CH2)을 모두 덮도록 형성된 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)을 포함한다. 즉, 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)을 형성하기 위한 재료는 제1 컨택 영역(C/A1) 및 제2 컨택 영역(C/A2)을 모두 덮도록 증착될 수 있다. 이 경우, 제2 평탄화층(114)의 일부분이 서로 인접하는 제1 컨택 홀(CH1) 사이에서 떨어져 나가더라도, 제2 배선(140)을 형성하기 위한 재료에 의해 도전층(130)이 보호되므로, 도전층(130)이 부식 또는 손상은 최소화될 수 있다. 3, the liquid crystal display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a second wiring 140 and a third wiring 150 formed to cover all the second contact holes CH2, . That is, the material for forming the second wiring 140 and the third wiring 150 may be deposited so as to cover both the first contact region C / A1 and the second contact region C / A2. In this case, even if a part of the second planarization layer 114 is separated from the adjacent first contact holes CH1, the conductive layer 130 is protected by the material for forming the second wiring 140 , The corrosion or damage of the conductive layer 130 can be minimized.

결과적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 제2 컨택 홀(CH2)을 모두 덮도록 배치된 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)을 포함하므로, 도전층(130)의 부식 또는 손상이 최소화될 수 있다. 즉, 제2 컨택 홀(CH2)을 형성하는 과정에서 제2 평탄화층(114)의 일부분이 떨어져 나가더라도, 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)을 형성하기 위한 재료는 제1 컨택 홀(CH1)보다 크게 형성된 제2 컨택 홀(CH2)을 모두 덮도록 증착되므로, 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)을 에칭하는 후속 공정에서 도전층(130)은 제2 배선(140) 및 제3 배선(150)에 의해 보호될 수 있다. 이에, 도전층(130)의 부식 또는 손상이 최소화될 수 있고, 도전층(130)의 손상으로 인한 배선 저항 증가 문제는 최소화될 수 있다. As a result, since the liquid crystal display 100 according to the embodiment of the present invention includes the second wiring 140 and the third wiring 150 arranged to cover all the second contact holes CH2, The corrosion or damage of the substrate 130 can be minimized. That is, even if a part of the second planarization layer 114 is separated in the process of forming the second contact hole CH2, the material for forming the second wiring 140 and the third wiring 150 may be a material The conductive layer 130 is formed to cover the entire second contact hole CH2 formed larger than the hole CH1 in the subsequent process of etching the second wiring 140 and the third wiring 150. Therefore, 140, and the third wiring 150. [0050] Therefore, the corrosion or damage of the conductive layer 130 can be minimized, and the problem of increase in wiring resistance due to damage of the conductive layer 130 can be minimized.

한편, 본 명세서에서는 공통 전압을 전달하기 위한 공통 배선 및 터치 신호를 전달하기 위한 터치 배선에서 발생되는 배선 저항 증가 문제를 중점적으로 설명하였지만, 본 발명의 개념은 다른 배선의 컨택 영역에서 모두 적용될 수 있다. 즉, 액정 표시 장치(100)는 다양한 배선들을 포함하고, 액정 표시 장치(100)의 배선 설계 방법에 따라 각각의 배선들은 서로 상이한 평면상에 배치된 다른 배선들과 다양한 지점에서 접촉될 수 있다. 제2 평탄화층(114)의 일부분이 뜯어져 버리는 문제는 배선들이 서로 접촉되는 다양한 지점에서 모두 발생될 수 있으므로, 본 발명의 이점은 배선들이 서로 접촉되는 다양한 지점에 모두 적용될 수 있다. While the present invention has been described with reference to a common wiring for transmitting a common voltage and a wiring resistance increase in a touch wiring for transmitting a touch signal, the concept of the present invention can be applied to all contact areas of other wirings . That is, the liquid crystal display 100 includes various wirings, and according to the wiring design method of the liquid crystal display 100, the respective wirings can be contacted at various points with other wirings disposed on different planes from each other. The problem of tearing off a portion of the second planarization layer 114 can occur at various points where the wirings are in contact with each other, so that the advantages of the present invention can be applied to various points where the wirings are in contact with each other.

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 패드부(DP)의 표시 패드 배선과 연결되어 표시 패드부(DP)로부터 전달되는 제어 신호를 데이터 구동 회로(DI) 또는 게이트 구동 회로(GIP)로 전달하는 링크 배선을 포함할 수 있다. 이 경우, 링크 배선은 베젤 영역(B/A)의 상단부에 위치하는 컨택 영역에서 표시 패드 배선과 연결될 수 있으며, 링크 배선과 표시 패드 배선의 연결 구조는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 컨택 영역(C/A1)의 모습과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 데이터 구동 회로(DI) 또는 게이트 구동 회로(GIP)에서 생성된 구동 신호를 액티브 영역(A/A)에 배치되는 신호 배선으로 전달하는 링크 배선을 포함할 수 있다. 이 경우, 링크 배선은 액티브 영역(A/A)의 외곽 영역 즉, 베젤 영역(B/A)의 하단부에 위치하는 컨택 영역에서 신호 배선과 연결될 수 있다. 링크 배선과 신호 배선의 연결 구조는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 컨택 영역(C/A1)의 모습과 실질적으로 동일할 수 있다. The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a data driving circuit DI or a gate driving circuit DI connected to a display pad line of a display pad unit DP, (GIP). In this case, the link wiring can be connected to the display pad wiring in the contact area located at the upper end of the bezel area B / A, and the connection structure of the link wiring and the display pad wiring can be connected to the first contact Can be substantially the same as that of the region C / A1. The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention may further include a driving circuit for driving the driving signal generated by the data driving circuit DI or the gate driving circuit GIP to the signal wiring arranged in the active area A / . ≪ / RTI > In this case, the link wiring can be connected to the signal line in the outer area of the active area A / A, that is, the contact area located at the lower end of the bezel area B / A. The connection structure of the link wiring and the signal wiring can be substantially the same as that of the first contact area C / A1 shown in Figs.

도 5는 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 5의 액정 표시 장치는 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역에서 도전층(130)과 직접 접하는 제3 배선(550)을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 3의 액정 표시 장치(100)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a liquid crystal display device according to another embodiment. The liquid crystal display of FIG. 5 includes the liquid crystal display 100 of FIG. 3 except that it further includes a third wiring 550 directly contacting the conductive layer 130 in a region corresponding to the first contact hole CH1. The description thereof will be omitted.

도 5를 참조하면, 제3 배선(550)은 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 제3 도전층(130)과 직접 접한다. 구체적으로, 제3 배선(550)은 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역에서 도전층(130)의 노출된 상면에 직접 접하며, 도전층(130)을 통해 제1 배선(120)과 제3 배선(550)이 전기적으로 연결된다. 이 경우, 제2 배선(540)은 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 영역에 배치되지 않으며, 제1 컨택 홀(CH1)에 대응되는 개구부를 갖도록 패터닝된다. Referring to FIG. 5, the third wiring 550 directly contacts the third conductive layer 130 through the second contact hole CH2. The third wiring 550 directly contacts the exposed top surface of the conductive layer 130 in the region corresponding to the first contact hole CH1 and contacts the first wiring 120 and the second wiring 120 through the conductive layer 130. [ 3 wiring 550 are electrically connected. In this case, the second wiring 540 is not arranged in the region corresponding to the first contact hole CH1 but is patterned so as to have an opening corresponding to the first contact hole CH1.

제3 배선(550)이 제1 컨택 홀(CH1)에서 도전층(130)과 직접 접하는 경우, 컨택 영역에서 도전층(130)의 접촉 저항이 더욱 감소될 수 있는 이점이 있다. 구체적으로, 제2 배선(540)은 투명 도전성 산화물로 이루어지며, 투명 도전성 산화물은 금속으로 이루어진 제3 배선(550)에 비해 높은 저항을 갖는다. 도전층(130)이 제3 배선(550)과 직접 접하는 경우, 저항이 낮은 금속으로 이루어진 도전층(130)과 제3 배선(550)이 직접 전기적인 접촉을 형성하므로, 도전층(130)과 제2 배선(540)이 전기적으로 접촉하는 경우에 비해 도전층(130)의 접촉 저항이 낮아질 수 있다. The contact resistance of the conductive layer 130 in the contact region can be further reduced when the third wiring 550 directly contacts the conductive layer 130 in the first contact hole CH1. Specifically, the second wiring 540 is made of a transparent conductive oxide, and the transparent conductive oxide has a higher resistance than the third wiring 550 made of a metal. When the conductive layer 130 directly contacts the third wiring 550, the conductive layer 130 made of a metal having a low resistance forms a direct electrical contact with the third wiring 550, The contact resistance of the conductive layer 130 can be lowered compared with the case where the second wiring 540 is electrically contacted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 액정 표시 장치
110, 410: 기판
111, 411: 게이트 절연층
112, 412: 층간 절연층
113, 413: 제1 평탄화층
114, 414: 제2 평탄화층
120, 420: 제1 배선
130, 430: 도전층
140, 440, 540: 제2 배선
150, 450, 550: 제3 배선
414b: 제2 평탄화층의 뜯긴 부분
CH1: 제1 컨택 홀
CH2: 제2 컨택 홀
DP: 표시 패드부
TP: 터치 패드부
DI: 데이터 구동 회로
GIP: 게이트 구동 회로
A/A: 액티브 영역
B/A: 베젤 영역
C/A1: 제1 컨택 영역
C/A2: 제2 컨택 영역
100: liquid crystal display
110, 410: substrate
111, 411: gate insulating layer
112, 412: an interlayer insulating layer
113, 413: a first planarization layer
114, 414: a second planarization layer
120, 420: first wiring
130, 430: conductive layer
140, 440, 540: second wiring
150, 450, 550: Third wiring
414b: the torn portion of the second planarization layer
CH1: first contact hole
CH2: second contact hole
DP:
TP: Touch pad part
DI: Data driving circuit
GIP: Gate driving circuit
A / A: active area
B / A: Bezel area
C / A1: first contact area
C / A2: second contact area

Claims (14)

액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 베젤 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 액티브 영역에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터를 덮는 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되는 제2 평탄화층;
상기 액티브 영역에서 상기 제2 평탄화층 상에 배치된 공통 전극;
상기 베젤 영역에서 상기 제1 평탄화층 하부에 배치된 제1 배선;
상기 베젤 영역에서 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 평탄화층에 구비된 복수의 제1 컨택 홀을 통해 상기 제1 배선과 접하는 도전층; 및
상기 베젤 영역에서 상기 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 상기 제2 평탄화층에 구비된 제2 컨택 홀을 통해 상기 도전층과 접하는 제2 배선을 포함하는, 액정 표시 장치.
A substrate comprising an active region and a bezel region surrounding the active region;
A plurality of thin film transistors arranged in an active region of the substrate;
A first planarization layer covering the plurality of thin film transistors;
A second planarization layer disposed on the first planarization layer;
A common electrode disposed on the second planarization layer in the active region;
A first wiring disposed under the first planarization layer in the bezel region;
A conductive layer disposed on the first planarization layer in the bezel region and in contact with the first wiring through a plurality of first contact holes provided in the first planarization layer; And
And a second wiring in contact with the conductive layer through a second contact hole provided in the second planarization layer in a region between the at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes in the bezel region The liquid crystal display device.
제1항에 있어서,
서로 인접하는 상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀은 상기 제2 컨택 홀에 의해 노출되고, 상기 제2 배선은 상기 제2 컨택 홀을 통해 상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀을 덮는, 액정 표시 장치.
The method according to claim 1,
The at least two first contact holes adjacent to each other are exposed by the second contact holes and the second wiring covers the at least two first contact holes through the second contact holes.
제1항에 있어서,
상기 도전층은 금속으로 이루어지고,
상기 제2 배선은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어지고,
상기 제1 평탄화층 및 상기 제2 평탄화층은 포토 아크릴(Photo Acryl; PAC)로 이루어진, 액정 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive layer is made of metal,
The second wiring may be formed of a transparent conductive oxide (TCO)
Wherein the first planarizing layer and the second planarizing layer are made of photoacid (PAC).
제3항에 있어서,
상기 제2 배선과 접하는 제3 배선을 더 포함하고,
상기 제2 배선은 상기 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 상기 도전층의 상면을 노출시키며,
상기 제3 배선은 상기 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 노출된 상기 도전층의 상면과 접하는, 액정 표시 장치.
The method of claim 3,
And a third wiring in contact with the second wiring,
The second wiring exposes an upper surface of the conductive layer in a region corresponding to the plurality of first contact holes,
And the third wiring is in contact with an upper surface of the conductive layer exposed in a region corresponding to the plurality of first contact holes.
제3항에 있어서,
상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀의 중심 사이의 거리는 22μm 이하인, 액정 표시 장치.
The method of claim 3,
And a distance between centers of the at least two first contact holes is 22 占 퐉 or less.
액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 베젤 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 액티브 영역에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터를 덮는 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되는 제2 평탄화층;
상기 액티브 영역에서 상기 제2 평탄화층 상에 배치된 공통 전극;
상기 베젤 영역에서 상기 제1 평탄화층 하부에 배치되는 제1 배선;
상기 베젤 영역에서 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 평탄화층에 구비된 복수의 제1 컨택 홀을 통해 상기 제1 배선에 접하는 도전층; 및
상기 베젤 영역에서 상기 제2 평탄화층에 구비되고 상기 복수의 제1 컨택 홀 중 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀에 대응되는 제2 컨택 홀을 통해 노출된 상기 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮는 제2 배선을 포함하는, 액정 표시 장치.
A substrate comprising an active region and a bezel region surrounding the active region;
A plurality of thin film transistors arranged in an active region of the substrate;
A first planarization layer covering the plurality of thin film transistors;
A second planarization layer disposed on the first planarization layer;
A common electrode disposed on the second planarization layer in the active region;
A first wiring disposed under the first planarization layer in the bezel region;
A conductive layer disposed on the first planarization layer in the bezel region and in contact with the first wiring through a plurality of first contact holes provided in the first planarization layer; And
And at least a portion of the upper surface of the conductive layer, which is provided in the second planarization layer in the bezel region and is exposed through a second contact hole corresponding to at least two adjacent first contact holes among the plurality of first contact holes, And a second wiring.
제6항에 있어서,
상기 제2 배선 및 상기 공통 전극은 투명 도전성 산화물로 이루어진, 액정 표시 장치.
The method according to claim 6,
And the second wiring and the common electrode are made of a transparent conductive oxide.
제7항에 있어서,
상기 제2 배선과 접하고, 금속으로 이루어진 제3 배선을 더 포함하고,
상기 공통 전극은 사용자의 터치 입력을 감지하기 위한 터치 전극으로 기능하는, 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Further comprising a third wiring which is in contact with the second wiring and is made of a metal,
Wherein the common electrode functions as a touch electrode for sensing a touch input of a user.
제8항에 있어서,
상기 제3 배선, 상기 제2 배선, 상기 도전층 및 상기 제1 배선은 상기 터치 전극의 터치 신호를 전달하도록 구성된, 액정 표시 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the third wiring, the second wiring, the conductive layer, and the first wiring are configured to transmit a touch signal of the touch electrode.
표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시 영역에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터를 덮는 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되는 제2 평탄화층;
상기 표시 영역에서 상기 제2 평탄화층 상에 배치된 공통 전극;
상기 복수의 박막 트랜지스터 또는 상기 공통 전극과 연결되어 구동 신호를 전달하도록 구성된 신호 배선; 및
상기 신호 배선과 제1 컨택 영역에서 연결되는 링크 배선을 포함하고,
상기 제1 컨택 영역에서 상기 링크 배선은,
상기 제1 평탄화층 하부에 배치된 제1 배선;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 평탄화층의 복수의 제1 컨택 홀을 통해 상기 제1 배선과 접하는 제1 도전층; 및
상기 복수의 제1 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제1 컨택 홀 사이의 영역에서 상기 제2 평탄화층의 제2 컨택 홀을 통해 상기 도전층과 접하는 제2 배선을 포함하는, 액정 표시 장치.
A substrate including a display region and a non-display region;
A plurality of thin film transistors arranged in a display region of the substrate;
A first planarization layer covering the plurality of thin film transistors;
A second planarization layer disposed on the first planarization layer;
A common electrode disposed on the second planarization layer in the display region;
A signal wiring connected to the plurality of thin film transistors or the common electrode and configured to transmit a driving signal; And
And a link wiring connected to the signal wiring in the first contact region,
Wherein the link wiring in the first contact area comprises:
A first wiring disposed under the first planarization layer;
A first conductive layer disposed on the first planarization layer and in contact with the first wiring through a plurality of first contact holes of the first planarization layer; And
And a second wiring in contact with the conductive layer through a second contact hole of the second planarization layer in a region between at least two first contact holes adjacent to each other among the plurality of first contact holes.
제10항에 있어서,
상기 비표시 영역에 배치된 패드와 연결되어 상기 패드로부터 제어 신호를 수신하도록 구성된 패드 배선을 더 포함하고,
상기 링크 배선은 상기 패드 배선과 제2 컨택 영역에서 연결되며,
상기 제2 컨택 영역에서 상기 링크 배선은,
상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 평탄화층의 복수의 제3 컨택 홀을 통해 상기 제1 배선과 접하는 제2 도전층; 및
상기 복수의 제3 컨택 홀 중 서로 인접하는 적어도 두개의 제3 컨택 홀 사이의 영역에서 상기 제2 평탄화층의 제4 컨택 홀을 통해 상기 도전층과 접하는 제2 배선을 포함하는, 액정 표시 장치.
11. The method of claim 10,
And a pad wiring connected to the pad disposed in the non-display area to receive a control signal from the pad,
The link wiring is connected to the pad wiring at a second contact region,
In the second contact area,
A second conductive layer disposed on the first planarization layer and in contact with the first wiring through a plurality of third contact holes of the first planarization layer; And
And a second wiring in contact with the conductive layer through a fourth contact hole of the second planarization layer in an area between at least two third contact holes adjacent to each other among the plurality of third contact holes.
제11항에 있어서,
상기 제1 컨택 영역에서 서로 인접하는 상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀은 상기 제2 컨택 홀에 의해 노출되고,
상기 제2 컨택 영역에서 서로 인접하는 상기 적어도 두개의 제3 컨택 홀은 상기 제4 컨택 홀에 의해 노출되고,
상기 제2 배선은 상기 제1 컨택 영역에서 상기 제2 컨택 홀을 통해 상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀을 덮으며,
상기 제2 배선은 상기 제2 컨택 영역에서 상기 제4 컨택 홀을 통해 상기 적어도 두개의 제3 컨택 홀을 덮는, 액정 표시 장치.
12. The method of claim 11,
The at least two first contact holes adjacent to each other in the first contact region are exposed by the second contact hole,
The at least two third contact holes adjacent to each other in the second contact region are exposed by the fourth contact holes,
The second wiring covers the at least two first contact holes through the second contact hole in the first contact region,
And the second wiring covers the at least two third contact holes through the fourth contact holes in the second contact region.
제3항에 있어서,
상기 제2 배선과 접하는 제3 배선을 더 포함하고,
상기 제2 배선은 상기 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 상기 제1 도전층의 상면을 노출시키고, 상기 복수의 제3 컨택 홀에 대응되는 영역에서 상기 제2 도전층의 상면을 노출시키며,
상기 제3 배선은 상기 복수의 제1 컨택 홀에 대응되는 영역에서 상기 제1 도전층의 상면과 접하고, 상기 복수의 제3 컨택 홀에 대응되는 영역에서 상기 제2 도전층의 상면과 접하는, 액정 표시 장치.
The method of claim 3,
And a third wiring in contact with the second wiring,
The second wiring exposes an upper surface of the first conductive layer in an area corresponding to the plurality of first contact holes and exposes an upper surface of the second conductive layer in an area corresponding to the plurality of third contact holes ,
Wherein the third wiring is in contact with the upper surface of the first conductive layer in a region corresponding to the plurality of first contact holes and in contact with the upper surface of the second conductive layer in a region corresponding to the plurality of third contact holes, Display device.
제13항에 있어서,
상기 적어도 두개의 제1 컨택 홀의 중심 사이의 거리는 22μm 이하이고,
상기 적어도 두개의 제3 컨택 홀의 중심 사이 거리는 22μm 이하인, 액정 표시 장치.
14. The method of claim 13,
A distance between centers of the at least two first contact holes is 22 占 퐉 or less,
And a distance between centers of the at least two third contact holes is 22 占 퐉 or less.
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