KR20170078219A - Method of refining etching composition - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 질화막의 식각에 사용된 인산을 포함하는 식각액에 물을 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거하는 단계를 포함하는 식각액의 정제 방법에 관한 것으로, 본 발명은 식각액 정제 공정 효율성을 증대시키고, 식각액의 수명을 늘릴 수 있다.The present invention relates to a method for purifying an etchant comprising the steps of supplying water to an etchant containing phosphoric acid used for etching a silicon nitride film to remove fluorinated compounds contained in the etchant, And the lifetime of the etching solution can be increased.
Description
본 발명은 실리콘 질화막 식각 및 식각액 정제 과정의 공정 효율을 증대시키고 식각액의 수명을 연장시킬 수 있는 식각액 정제 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching solution purification method capable of increasing the process efficiency of the silicon nitride film etching process and the etchant purification process and extending the life of the etching solution.
실리콘 질화막(Silicon nitride; Si3N4)은 세라믹 재료, 반도체용 재료로서 대단히 중요한 화합물이다. 반도체의 제조 공정에서, 실리콘 산화막의 손상없이, 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 공정이 필요하다. 실리콘 질화막의 식각에는 보통 85H3PO4·5H2O으로 조성된 식각액을 163∼175℃의 온도로 가열한 상태에서 행하는 습식식각의 방법이 사용되고 있다. 하지만 인산에서는 150 ℃이상의 고온에서 사용한 경우 실리콘 산화막의 손상이 크다는 문제점과 실리콘 질화막 습식 식각 후 생성되는 불용성의 실리콘 화합물과 같은 부산물의 석출이 빨라져 공업적으로 사용하기에는 문제점이 있었다. 또한 공정효율성 증대를 위해 실리콘 질화막 식각속도 증가가 필요하며, 이때 식각조성물 내에 플루오르화 화합물을 첨가하여 사용하고 있다. Silicon nitride (Si 3 N 4 ) is a very important compound as a material for ceramics and semiconductors. In a semiconductor manufacturing process, a step of selectively etching a silicon nitride film without damaging the silicon oxide film is required. For the etching of the silicon nitride film, a wet etching method in which an etching solution composed of 85H 3 PO 4 .5H 2 O is heated at a temperature of 163 to 175 ° C is used. However, phosphoric acid has a disadvantage in that the silicon oxide film is damaged when used at a high temperature of 150 ° C or higher, and that the byproducts such as insoluble silicon compounds produced after wet etching of the silicon nitride film are precipitated. Further, in order to increase the process efficiency, it is necessary to increase the etching rate of the silicon nitride film. In this case, a fluorinated compound is added to the etching composition.
하지만 플루오르화 화합물은 고온에서 휘발하며 이로 인해 식각조성물 함량이 변하여 1회 사용 후 폐기하고 있다. 공정효율성 및 경제적 측면을 고려했을때 식각조성물 내의 플루오르화 화합물을 제거하고 인산을 재사용하는 공정이 필요하다. 하지만 기존의 170℃이상의 고온에서 플루오르화 화합물을 제거하는 방법은 플루오르화 화합물의 제거시간이 오래 걸려 비효율적이다. 이에 170℃이상의 고온에서 식각 조성물내의 플루오르화 화합물을 효율적으로 제거하여 공정효율성을 증대시킬 수 있는 인산의 재생방법 개발의 필요성이 대두되었다.However, the fluorinated compounds volatilize at high temperatures, which results in a change in etch composition and is discarded after one use. In view of process efficiency and economics, there is a need for a process for removing fluorinated compounds in the etching composition and reusing phosphoric acid. However, the conventional method of removing the fluorinated compound at a high temperature of 170 占 폚 or more is inefficient because it takes a long time to remove the fluorinated compound. Accordingly, there has been a need to develop a method for regenerating phosphoric acid which can efficiently remove fluorinated compounds in the etching composition at a high temperature of 170 ° C or higher to increase process efficiency.
본 발명은 실리콘 질화막의 식각에 사용된 인산 수용액으로 구성되는 식각액에 물을 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거하는 단계를 포함하는 식각액의 정제 방법을 제공하고자 한다.The present invention provides a method for purifying an etchant comprising the step of supplying water to an etchant composed of an aqueous phosphoric acid solution used for etching a silicon nitride film to remove a fluorinated compound contained in the etchant.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실리콘 질화막의 식각에 사용된 인산을 포함하는 식각액에 물을 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거하는 단계를 포함하는 식각액의 정제 방법을 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a method for purifying an etchant comprising the step of supplying water to an etchant containing phosphoric acid used for etching a silicon nitride film to remove a fluorinated compound contained in the etchant.
상기 식각액은 인산, 플루오르화 화합물 및 실리콘계 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The etchant may include phosphoric acid, a fluorinated compound, and a silicon-based compound.
상기 물은 탈이온수(Deionized water, DIW)인 것일 수 있다.The water may be deionized water (DIW).
상기 플루오르화 화합물은 플루오르화 규소(SiF) 및/또는 플루오르화 수소(HF)인 것일 수 있다.The fluorinated compound may be silicon fluoride (SiF 4) and / or hydrogen fluoride (HF).
상기 플루오르화 화합물은 상기 정제되어야 할 식각액 중 100 내지 3000 ppm 함량으로 포함되어 있고, 상기 정제 후 식각액 중 0.1 내지 5 ppm 함량으로 포함된 것일 수 있다.The fluorinated compound is contained in an amount of 100 to 3000 ppm in the etchant to be purified, and may be contained in the etchant after the purification in an amount of 0.1 to 5 ppm.
상기 식각액의 정제방법은 상기 식각액을 식각조 내로부터 취출하여 상기 취출된 식각액에 물을 공급하여 정제하고, 정제된 식각액을 다시 식각조 내에 순환시키는 것일 수 있다.The method of refining the etchant may include extracting the etchant from the etch bath, supplying purified water to the etchant, and circulating the etchant through the etch bath.
상기 물은 식각액 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 공급되는 것일 수 있다.The water may be supplied in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the etching solution.
상기 물은 식각액 200 cc에 대하여 0.2 내지 20 cc/min 유량으로 공급하는 것일 수 있다.The water may be supplied at a flow rate of 0.2 to 20 cc / min with respect to 200 cc of the etching solution.
상기 물 공급은 10 내지 90 ℃에서 10 내지 24 시간 동안 실시되는 것일 수 있다.The water supply may be carried out at 10 to 90 DEG C for 10 to 24 hours.
상기 물 공급시, 질소기체 버블(N2 Bubble)을 추가로 공급하는 것일 수 있다.At the time of supplying the water, it is possible to further supply a nitrogen gas bubble (N 2 Bubble).
상기 질소기체 버블은 5 내지 10 L/min 유량으로 공급하는 것일 수 있다.The nitrogen gas bubbles may be supplied at a flow rate of 5 to 10 L / min.
본 발명에 따른 식각액의 정제 방법을 이용하여 실리콘 질화막의 식각에 사용된 인산 수용액으로 구성되는 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 효율적이고 안정적으로 제거할 수 있는 방법을 제공한다.The present invention provides a method for efficiently and stably removing a fluorinated compound contained in an etchant composed of an aqueous phosphoric acid solution used for etching a silicon nitride film using the method for purifying an etchant according to the present invention.
상기 식각액 정제 방법을 이용하여 실리콘 질화막 식각 및 식각액 정제 과정의 공정 효율을 증대시키고 실리콘 질화막 식각액인 인산 수용액의 재사용을 가능하게 하여 경제적 비용 및 환경 오염을 절감시킬 수 있다.It is possible to increase the process efficiency of the silicon nitride film etching process and the etching solution purification process by using the etchant refining method and to enable the reuse of the aqueous phosphoric acid solution as the silicon nitride film etching solution, thereby reducing the economic cost and environmental pollution.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액의 정제 공정을 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing a process for purifying an etchant according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various embodiments and is intended to illustrate and describe the specific embodiments in detail. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as comprise, having, or the like are intended to designate the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof, and may include one or more other features, , But do not preclude the presence or addition of one or more other features, elements, components, components, or combinations thereof.
또한, 본 명세서에서 사용한 용어 '이들의 조합'이란 특별한 언급이 없는 한, 둘 이상의 치환기가 단일 결합 또는 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 연결되어 있는 것을 의미한다.
As used herein, the term " combination thereof " means that two or more substituents are bonded to each other through a single bond or a linking group, or two or more substituents are condensed and connected.
본 발명은 고온의 인산공정에서 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하기 위해 첨가된 플루오르화 화합물 및 식각 공정시 생성되는 실리콘 부산물을 제거하여 식각액을 정제하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for purifying an etchant by removing a fluorinated compound added to selectively etch a silicon nitride film in a high temperature phosphoric acid process and a silicon byproduct produced during the etching process.
식각액에 포함되는 플루오르화 화합물은 고온에서 휘발하며 이로 인해 식각 조성물 함량이 변하여 1회 사용 후 폐기되고 있다. 또한 식각시 생성되는 실리콘 화합물은 인산 수용액내 일정농도 이상 함유하면 반도체 웨이퍼에 부착 파티클을 생성하여 공정효율성을 저하시키는 문제점이 있으며, 실리콘 첨가제 및 식각공정 부산물을 170 ℃ 이상의 고온에서 가열하여도 인산에 잔류하여 인산 재사용의 저해요소로 작용해 왔다. 상기와 같은 문제로 인해 경제성이 떨어져 공업적으로 적용하기 어려운 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여 본 발명은 실리콘 질화막의 식각에 사용된 인산을 포함하는 식각액에 물을 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거하는 단계를 포함하는 식각액의 정제 방법을 제공한다.The fluorinated compounds contained in the etchant are volatilized at high temperatures, resulting in a change in the etching composition content, which is discarded after one use. In addition, when the silicon compound produced at the etching is contained in the aqueous solution of phosphoric acid at a certain concentration or more, particles adhered to the semiconductor wafer are formed to lower the process efficiency. When the silicon additive and the etching process by- And it has remained as an inhibiting factor for the reuse of phosphoric acid. There is a problem that it is difficult to apply it industrially because the economical efficiency is low due to the above problems. In order to solve this problem, the present invention provides a method for purifying an etchant comprising the step of supplying water to an etchant containing phosphoric acid used for etching a silicon nitride film to remove a fluorinated compound contained in the etchant.
상기 식각액은 인산, 용매, 실리콘계 화합물을 포함하고, 식각 속도를 증가시키기 위하여 플루오르화 화합물이 더 포함된 것이다. 상기 식각액은 인산 단독 혹은 인산에 용매 및/또는 실리콘계 화합물을 병행하여 사용 가능하다.The etchant includes phosphoric acid, a solvent, and a silicon compound, and further includes a fluorinated compound to increase the etching rate. The etchant may be used alone or in combination with a solvent and / or a silicone compound in phosphoric acid.
용매는 물, 알코올, 글리콜 에테르, 에테르, 에스테르, 케톤, 카보네이트, 아미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. The solvent may be any one selected from the group consisting of water, alcohol, glycol ether, ether, ester, ketone, carbonate, amide, and combinations thereof.
상기 실리콘계 화합물은, 수소화물(실란)(SiH4, SinH2n ＋2), 실록산(H2SiO, (H3Si)2O, (H2SiO)6, 할로겐화물 SiX4(X＝F, Cl, Br, I), Si2X6(X＝Cl, Br, I), SiX2(X＝1) 붕소화물 SiB3 , SiB6 , 탄화물 SiC, 산화물 SiO, SiO2 , 실록센 Si6O3H6 , 질화물 Si3N4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고 바람직하게, 이산화규소(SiO2) 또는 질화규소(Si3N4)일 수 있다.
(SiH 4 , SinH 2n + 2 ), siloxane (H 2 SiO, (H 3 Si) 2 O, (H 2 SiO) 6, halide SiX 4 (X = F, Cl, Br, I), Si 2 X 6 (X═Cl, Br, I), SiX 2 (X = 1) boron SiB 3 , SiB 6 , carbide SiC, oxide SiO 2 , SiO 2 , siloxane Si 6 O 3 H 6 , a nitride Si 3 N 4, and a mixture thereof, and may be silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ).
본 발명은 상기 식각액에 물, 가장 바람직하게는 탈이온수(Deionized water, DIW)를 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거한다.In the present invention, water, most preferably deionized water (DIW) is supplied to the etchant to remove fluorinated compounds contained in the etchant.
탈이온수는, 이온 교환 수지로 이온을 제거한 것을 이용하며, pH는 6 내지 8 이고, 유기물과 무기물의 함량이 없다.The deionized water is obtained by removing ions with an ion-exchange resin. The pH is 6 to 8, and there is no content of organic substances and minerals.
본 발명과 같은 반도체 식각 공정은, 불순물 관리가 필수적이다. 불순물은 함량이 수 ppb 이하로 관리되어야 하는데, 탈이온수가 아닌 일반적인 물을 사용할 경우, 유기물과 무기물이 포함되어있어, 반도체 공정에서 요구하는 불순물 수준을 조절하기 어렵다. 따라서 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
In the semiconductor etching process according to the present invention, impurity control is essential. Impurities should be controlled to a few ppb or less. When using general water other than deionized water, it is difficult to control the level of impurities required in the semiconductor process because organic matters and inorganic substances are contained. Therefore, it is preferable to use deionized water.
상기 플루오르화 화합물은 플루오르화 규소(SiF) 및/또는 플루오르화 수소(HF)인 것일 수 있다.The fluorinated compound may be silicon fluoride (SiF 4) and / or hydrogen fluoride (HF).
상기 플루오르화 규소와 플루오르화 수소는 식각속도를 증대시키기 위하여 첨가되는 것과 식각 과정에서 배출되는 부산물인 것일 수 있다.The silicon fluoride and hydrogen fluoride may be added to increase the etching rate and be a by-product discharged in the etching process.
상기 플루오르화 화합물은 상기 정제되어야 할 식각액 중 100 내지 3000 ppm 함량으로 포함되어 있고, 상기 정제 후 식각액 중 0.1 내지 5 ppm 함량으로 포함된다.
The fluorinated compound is contained in an amount of 100 to 3000 ppm of the etchant to be refined and is contained in an amount of 0.1 to 5 ppm in the etchant after the refinement.
상기 물 공급은 상기 실리콘 질화막의 식각 공정과 병행하여 수행하거나, 식각 공정이 끝난 뒤 식각액을 수거하여 수행할 수 있다. 상기 방법 중 식각 대상 및 조건에 따라 선택할 수 있다.The water supply may be performed in parallel with the etching process of the silicon nitride film, or may be performed by collecting the etchant after the etching process. It can be selected according to the etching object and the condition among the above methods.
자세하게, 상기 물 공급은 상기 실리콘 질화막의 습식 식각 공정에서 상부에서 식각액에 분사되어 식각공정이 이루어지고, 식각공정을 거친 식각액이 하부에 모이면, 하부 사용된 식각액 내에 튜브를 침지시켜 물을 공급할 수 있다.In detail, the water supply is sprayed into the etching solution at the upper part in the wet etching process of the silicon nitride film to perform the etching process, and when the etching solution obtained through the etching process is collected at the bottom, the water can be supplied by immersing the tube in the lower used etching solution have.
상기 방법은 식각 대상물의 존재 하에서 물이 공급되므로, 식각액 분사 속도, 가열 온도 등 설정 범위에 제한이 있을 수 있으나, 장치의 가동률을 높일 수 있는 이점이 있다.In this method, water is supplied in the presence of the object to be etched. Therefore, there is a limitation in setting range of the etching solution injection speed, heating temperature, and the like, but there is an advantage that the operation rate of the apparatus can be increased.
또는, 상기 실리콘 질화막의 식각 공정이 식각조에서 이루어질 경우, 식각 공정을 거친 식각액을 식각조 내로부터 수거하여 상기 수거된 식각액에 물을 공급하여 정제하고, 정제된 식각액을 다시 식각조 내에 순환시키는 것일 수 있다.Alternatively, when the etching process of the silicon nitride film is performed in the etching bath, the etching solution obtained through the etching process is collected from the etching bath, the water is supplied to the collected etching solution, and the purified etching solution is circulated in the etching bath again .
상기 방법은 식각 대상 물질인 반도체 웨이퍼 등이 존재하지 않는 상태에서 물을 공급하므로, 식각액의 농도, 가열 온도 등의 엄밀한 관리가 불필요하나, 장치의 가동률이 높지 않다는 단점이 있다.
Since the method supplies water in a state in which a semiconductor wafer or the like which is an object to be etched is not present, precise management such as the concentration of the etching solution and the heating temperature is not required, but the operation rate of the apparatus is not high.
상기 물은 식각액 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 공급될 수 있다.The water may be supplied in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the etching solution.
상기 물은 식각액 200 cc당 0.2 내지 20 cc/min 유량으로, 10 내지 90 ℃에서 10 내지 24시간 동안 연속적으로 공급되는 것이 바람직하다.It is preferable that the water is continuously supplied at a flow rate of 0.2 to 20 cc / min per 200 cc of the etching solution at 10 to 90 ° C for 10 to 24 hours.
식각액 200 cc당 물이 0.2 cc/min 미만으로 공급되면, 플루오르화 화합물이 충분히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 20 cc/min 초과하여 공급되면 정제조의 고온 (170 ℃이상) 유지가 어려운 문제가 발생할 수 있다. If less than 0.2 cc / min of water per 200 cc of etchant is supplied, the fluorinated compound may not be sufficiently removed, and if it is supplied in excess of 20 cc / min, it is difficult to maintain the high temperature May occur.
상기 물의 이상적인 첨가량은, 장치의 형상, 식각액의 가열온도, 더하는 열량, 수분의 증발량, 식각액에 잔존하는 플루오르화 화합물 및 잔존 첨가제량 등 다양한 조건에 의해 변화될 수 있다.
The ideal addition amount of the water may be varied depending on various conditions such as the shape of the apparatus, the heating temperature of the etching liquid, the amount of heat added, the amount of water evaporated, the amount of the fluorinated compound remaining in the etching solution, and the amount of the residual additive.
상기 플루오르화 화합물 제거 메커니즘은 하기 화학식 1로 표시된다.The mechanism for removing the fluorinated compound is represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
H3PO4+ 18HF + Si3N4 → -Si- + HF → SiF4 (1)H 3 PO 4 + 18HF + Si 3 N 4 ? -Si + HF? SiF 4 (1)
3SiF4 + 2H2O → 2H2SiF6 ↑ + SiO2 (2)3SiF 4 + 2H 2 O? 2H 2 SiF 6? + SiO 2 (2)
가열된 고온 식각액으로부터 수분이 증발해 식각조의 상부로 배출된다. 상기 사불화 규소 및 플루오로 규산은 이 증발하는 수분에 동반되어 계외로 제거된다. 피식각 물질인 규소 화합물이 석출되어 필터가 막히는 경우를 예방할 수 있다.
Moisture is evaporated from the heated high-temperature etchant and discharged to the top of the etch bath. The silicon tetrafluoride and fluorosilicic acid are removed from the system together with the evaporating moisture. It is possible to prevent the filter from being clogged due to precipitation of the silicon compound which is the particulate matter.
상기 물 공급시, 질소기체 버블(N2 Bubble)을 추가로 공급할 수 있다.Upon supplying the water, a nitrogen gas bubble (N 2 Bubble) may be further supplied.
상기 질소기체 버블은, 상기 물 공급 방법과 동일하며, 물 공급과 동시에 실행하거나, 물 공급 후 질소기체 버블 단독으로 공급할 수 있다. The nitrogen gas bubbles are the same as the above-mentioned water supply method, and can be performed simultaneously with the water supply, or after the water supply, the nitrogen gas bubbles alone can be supplied.
상기 질소기체 버블은 5 내지 10 L/min 유량으로 공급되는 것이 바람직하다.The nitrogen gas bubbles are preferably supplied at a flow rate of 5 to 10 L / min.
질소기체 버블은 불활성의 가스로서 상기 플루오르화 화합물 제거시 화합물과 반응하지 않으며 플루오르화 화합물의 제거속도를 높이는데 효과적이다.
Nitrogen gas bubbles are inert gases that do not react with the compound upon removal of the fluorinated compound and are effective in increasing the removal rate of the fluorinated compound.
도 1은 상기 식각액의 정제 공정을 나타낸 개략도이다. 1 is a schematic view showing a process for purifying the etchant.
상기 도 1을 참고하면, 상기 식각조(10)에서 식각 공정을 거친 식각액은 상기 정제조(20)로 이송된다. 이때, 상기 식각액의 이송은 펌프(61)를 이용하여 이루어질 수 있다. 상기 정제조(20)에서는 상기 공급된 식각액에 물(30)을 공급하여 상기 식각액 중에 포함되는 플루오르화 화합물을 제거하는 정제 단계가 이루어진다. 상기 물(30) 공급시, 질소기체 버블(40)을 추가로 공급할 수 있다. 상기 정제조(20)에는 상기 식각액을 가열시키기 위한 가열기(50)가 연결될 수도 있다. 상기 정제조(20)에서 상기 정제 단계를 마친 식각액은 펌프(62) 등을 이용하여 상기 식각조(10)로 다시 순환된다.
Referring to FIG. 1, the etching solution in the
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
[[ 제조예Manufacturing example ]]
인산 수용액 및 플루오르화 화합물을 포함하는 실리콘 질화막 식각액을 제조하였다. 플루오르화 규소 및 플루오르화 수소를 인산 수용액에 첨가하여 제조하였으며, 플루오르화 수소를 900 ppm 함유하고 있다. 상기 식각액을 이용하여 1 시간 동안 실리콘 질화막을 습식 식각하였다. 식각 후 식각조에서 식각액 200 cc를 수거하여 식각액을 정제하였다.A phosphoric acid aqueous solution and a fluorinated compound was prepared. Silicon fluoride and hydrogen fluoride were added to aqueous phosphoric acid solution and contained 900 ppm of hydrogen fluoride. The silicon nitride film was wet-etched for 1 hour using the etching solution. After etching, 200 cc of etching solution was collected from the etching bath to purify the etching solution.
<< 비교예Comparative Example 1> 1>
상기 식각액 200 cc를 170 ℃의 고온에서 24 시간 동안 가열하였다. 200 cc of the etching solution was heated at a high temperature of 170 DEG C for 24 hours.
<< 실시예Example 1> 1>
상기 식각액 200 cc에 튜브를 침지시켜 탈이온수를 식각액 내부로 25 ℃, 3 cc/min의 유량으로 연속적으로 공급하면서 170 ℃의 고온에서 가열하였다.The tube was immersed in 200 cc of the etching solution, and deionized water was heated at a high temperature of 170 DEG C while continuously supplying the etching solution at 25 DEG C and a flow rate of 3 cc / min.
<< 실시예Example 2> 2>
상기 식각액 200 cc에 탈이온수를 <실시예1>과 같은 방법으로 공급하고 질소기체 버블을 5 L/min 유량으로 공급하면서 170 ℃의 고온에서 가열하였다.
Deionized water was supplied to the etching solution at 200 cc in the same manner as in Example 1, and heated at a high temperature of 170 DEG C while supplying nitrogen gas bubbles at a flow rate of 5 L / min.
[[ 실험예Experimental Example 1: One: 식각Etching 속도 및 선택비 측정] Speed and selection ratio measurement]
상기 제조예에서 제조된 식각액의 실리콘 질화막 식각 속도 및 선택비를 측정하고, 실시예 1, 2 및 비교예 1에 따른 방법으로 정제한 후 식각액의 실리콘 질화막 식각 속도 및 선택비를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
The etching rate and selectivity of the silicon nitride film of the etchant prepared in the above Preparation Example were measured and purified by the method according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. The etching rate and selectivity of the silicon nitride film of the etchant were measured, Respectively.
[[ 실험예Experimental Example 2: 플루오르화 수소 농도 측정] 2: Measurement of concentration of hydrogen fluoride]
상기 제조예에서 제조된 식각액의 플루오르화 수소의 농도를 측정하고, 실시예 및 비교예에 따른 방법으로 정제한 후 식각액의 플루오르화 수소 농도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The concentration of hydrogen fluoride in the etchant prepared in the above Preparation Example was measured and the concentration of hydrogen fluoride in the etchant was measured after purification by the method according to Examples and Comparative Examples.
(실리콘 질화막/실리콘 산화막)Selection ratio
(Silicon nitride film / silicon oxide film)
(ppm)Hydrogen fluoride content
(ppm)
상기 표 1의 비교예 1에서는 170 ℃의 고온에서 24 시간 증발 후에도 플루오르화 수소가 완전히 제거되지 않아, 인산 재사용이 불가능한 것을 알 수 있었다.In Comparative Example 1 shown in Table 1, hydrogen fluoride was not completely removed even after evaporation at a high temperature of 170 캜 for 24 hours, indicating that phosphorus reusable was impossible.
실시예 1 및 2에서는 비교예 1에 비하여 정제 후 플루오르화 수소 함량이 현저하게 낮은 것을 확인할 수 있었다. 특히 탈이온수와 질소기체 버블을 동시에 사용한 실시예 2에서 더욱 정제 효과가 높았다.
It was confirmed that the hydrogen fluoride content after the purification in Examples 1 and 2 was significantly lower than that of Comparative Example 1. In particular, the purification effect was further enhanced in Example 2 using deionized water and nitrogen gas bubbles at the same time.
[[ 실험예Experimental Example 3: 인산 재사용 횟수에 따른 3: Depending on the number of phosphorus reuse 식각Etching 속도 및 선택비] Speed and selection ratio]
상기 실시예 1에 기재된 방법으로 식각액을 재사용 하며 매 회 식각속도와 선택비를 측정하고 하기 표 2에 나타내었다.The etchant was reused by the method described in Example 1, and the etch rate and selectivity were measured each time, and the results are shown in Table 2 below.
(Å/min)Silicon nitride film etch rate
(Å / min)
(Å/min)Silicon oxide etch rate
(Å / min)
(실리콘 질화막/실리콘 산화막)Selection ratio
(Silicon nitride film / silicon oxide film)
상기 표 2에 나타난 바와 같이 실시예 1은 인산 재사용 공정을 4회 반복해도 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 식각속도 변화가 없어 인산 재사용이 가능하였다.
As shown in Table 2, phosphoric acid could be reused in Example 1 because the etching rate of the silicon nitride film and the silicon oxide film did not change even when the phosphoric acid reuse process was repeated four times.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.
10: 식각조
20: 정제조
30: 물
40: 질소기체 버블
50: 가열기
61, 62: 펌프10: etching bath
20: Purification
30: water
40: nitrogen gas bubble
50: heater
61, 62: pump
Claims (11)
상기 식각액은 인산, 플루오르화 화합물 및 실리콘계 화합물을 포함하는 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
Wherein the etchant comprises phosphoric acid, a fluorinated compound, and a silicon-based compound.
상기 물은 탈이온수(Deionized water, DIW)인 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
Wherein the water is deionized water (DIW).
상기 플루오르화 화합물은 플루오르화 규소(SiF) 및/또는 플루오르화 수소(HF)인 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
Wherein the fluorinated compound is silicon fluoride (SiF 4) and / or hydrogen fluoride (HF).
상기 플루오르화 화합물은 상기 정제되어야 할 식각액 중 100 내지 3000 ppm 함량으로 포함되어 있고,
상기 정제 후 식각액 중 0.1 내지 5 ppm 함량으로 포함된 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
Wherein the fluorinated compound is contained in an amount of 100 to 3000 ppm in the etchant to be refined,
Wherein said refining is contained in an amount of 0.1 to 5 ppm in the etchant after said refining.
상기 식각액을 식각조 내로부터 취출하여 상기 취출된 식각액에 물을 공급하여 정제하고, 정제된 식각액을 다시 식각조 내에 순환시키는 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
The etching solution is taken out from the etching bath, water is supplied to the etching solution taken out, and the purified etching solution is circulated in the etching bath again.
상기 물은 식각액 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 공급되는 것인 식각액의 정제방법.The method according to claim 1,
Wherein the water is supplied in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the etching solution.
상기 물은 식각액 200 cc에 대하여 0.2 내지 20 cc/min 유량으로 공급하는 것인 식각액의 정제 방법. The method according to claim 1,
Wherein the water is supplied at a flow rate of 0.2 to 20 cc / min with respect to 200 cc of the etching solution.
상기 물 공급은 10 내지 90 ℃에서 10 내지 24 시간 동안 실시되는 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
Wherein the water supply is carried out at 10 to 90 DEG C for 10 to 24 hours.
상기 물 공급시, 질소기체 버블(N2 Bubble)을 추가로 공급하는 것인 식각액의 정제 방법.The method according to claim 1,
And a nitrogen gas bubble (N 2 Bubble) is further supplied at the time of supplying the water.
상기 질소기체 버블은 5 내지 10 L/min 유량으로 공급하는 것인 식각액의 정제 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the nitrogen gas bubbles are supplied at a flow rate of 5 to 10 L / min.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109135752A (en) * | 2018-09-21 | 2019-01-04 | 湖北兴福电子材料有限公司 | A kind of phosphate etching solution and its preparation method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786260A (en) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nisso Eng Kk | Method for refining etchant |
| JPH0883792A (en) | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Motorola Ltd | Etchant and etching method |
| KR20010027001A (en) | 1999-09-10 | 2001-04-06 | 윤종용 | Chemical used in wet etching process |
| JP2005064199A (en) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | Chemical liquid regenerating device, semiconductor manufacturing apparatus, chemical liquid regenerating method and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012018981A (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | Etching method of silicon nitride |
| KR20150037632A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate treatment method and substrate treatment device |
-
2015
- 2015-12-29 KR KR1020150188534A patent/KR102498830B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786260A (en) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nisso Eng Kk | Method for refining etchant |
| JPH0883792A (en) | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Motorola Ltd | Etchant and etching method |
| KR20010027001A (en) | 1999-09-10 | 2001-04-06 | 윤종용 | Chemical used in wet etching process |
| JP2005064199A (en) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | Chemical liquid regenerating device, semiconductor manufacturing apparatus, chemical liquid regenerating method and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012018981A (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | Etching method of silicon nitride |
| KR20150037632A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate treatment method and substrate treatment device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109135752A (en) * | 2018-09-21 | 2019-01-04 | 湖北兴福电子材料有限公司 | A kind of phosphate etching solution and its preparation method |
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| Publication number | Publication date |
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| KR102498830B1 (en) | 2023-02-10 |
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