KR20170076950A - 반도체 패턴 검사 시스템, 검사 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 패턴 검사 시스템, 검사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 시스템은 검사 대상 반도체 패턴으로부터 계측 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 계측 장치 및 기준 이미지 데이터와 계측 이미지 데이터에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 검사 장치를 포함할 수 있다.

Description

반도체 패턴 검사 시스템, 검사 장치 및 방법{System for Inspection of Semiconductor Pattern, Apparatus and Method for Inspection}
본 발명은 패턴 검사 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 패턴 검사 시스템, 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 계속해서 고집적화 및 미세화되고 있다. 이에 따라 기판 상에 형성되는 패턴의 크기 또한 감소하고 복잡해 지고 있다.
반도체 장치의 제조 공정 중, 패턴 검사의 정확도는 제품의 수율 및 품질과 밀접한 관련을 갖는다.
최근 반도체 장치는 수직형 또는 3차원 구조로 제조되고 있다. 이러한 구조에서는 패턴의 표면뿐 아니라 심층부에 대한 불량 여부 또한 검사할 수 있어야 한다.
따라서, 기판 상에 형성된 패턴의 불량 여부를 정확히 판별하기 위한 패턴 검사 기술이 요구된다. 그리고, 이러한 기술은 패턴의 미세화, 고집적화, 복잡화의 한계를 극복할 수 있어야 한다.
본 기술의 실시예는 이미지 기반 타원 계측 장치를 통해 획득한 이미지 데이터를 기초로 반도체 패턴의 불량 여부를 판정할 수 있는 반도체 패턴 검사 시스템, 검사 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 시스템은 검사 대상 반도체 패턴으로부터 계측 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 계측 장치; 및 기준 이미지 데이터와 상기 계측 이미지 데이터에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 검사 장치;를 포함할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 장치는 검사 대상 반도체 패턴으로부터 획득되는 계측 이미지 데이터를 수집하도록 구성되는 이미지 획득부; 상기 이미지 획득부에서 수집한 상기 계측 이미지 데이터와 기 저장되어 있는 기준 이미지 데이터를 비교하도록 구성되는 비교부; 및 상기 비교부의 비교 결과에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 판정부;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 방법은 반도체 패턴 검사 장치의 검사 방법으로서, 검사 대상 반도체 패턴으로부터 획득되는 계측 이미지 데이터를 수집하는 단계; 상기 계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터를 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하는 단계;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술에 의하면 이미지 기반 타원 계측 장치로부터 획득한 계측 이미지와 기준 이미지의 비교 결과에 따라 반도체 패턴의 정상, 불량 여부를 판정할 수 있다.
특히, 수직 구조 또는 3차원 구조를 갖는 반도체 패턴의 심층부에 대한 검사가 가능하여 반도체 장치의 수율 향상 및 품질 개선을 도모할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 시스템의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 장치의 구성도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 장치의 구성도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 본 기술에 적용될 수 있는 반도체 패턴의 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 시스템의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 시스템(10)은 컨트롤러(100), 검사 장치(200) 및 계측 장치(300)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(100)는 반도체 패턴 검사 시스템(10)의 동작 전반을 제어하도록 구성될 수 있다.
검사 장치(200)는 계측 장치(300)로부터 제공되는 계측 이미지 데이터와, 기 저장된 기준 이미지 데이터에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판정하도록 구성될 수 있다.
계측 장치(300)는 이미지 기반의 타원 계측 장치(Ellipsometry)일 수 있다.
이미지를 기반으로 하지 않는 타원 계측 장치는 분광기(Spectrometer)를 활용한 장치이다. 이러한 타원 계측 장치는 계측을 통해 얻을 수 있는 정보량은 많지만, 스폿 사이즈가 수십 ㎛로 크다. 따라서, 이미지를 기반으로 하지 않는 타원 계측 장치를 통해 획득한 데이터로부터는 계측 장치의 스폿 사이즈보다 작은 수십nm 사이즈를 갖는 반도체 패턴에 대한 불량 여부의 검사가 난해하고, 정확한 불량 위치를 알아낼 수 없다.
반면, 이미지 기반의 타원 계측 장치는 계측 결과로 얻어지는 이미지 데이터의 픽셀 사이즈가 계측 장치 광원의 스폿 사이즈에 대응될 수 있다. 따라서, ㎚ 단위의 패턴에 대한 이미지 데이터를 획득할 수 있다. 즉, 검사 대상 패턴의 사이즈가 수십㎚인 경우에도 산란되는 광은 ㎚ 단위의 변화에 대한 정보를 가지고 있으므로 분해능의 한계로부터 자유로운 장점이 있다.
계측 장치(300)는 검사 대상 반도체 패턴에 대한 반사율 이미지와 위상 이미지를 계측 이미지 데이터로서 획득할 수 있다.
검사 장치(200)는 계측 장치(300)에서 획득한 반사율 이미지 및 위상 이미지 즉, 계측 이미지 데이터를 수집할 수 있다. 그리고, 검사 장치(200)는 기 저장된 기준 이미지 데이터와 계측 장치(300)로부터 수집한 계측 이미지 데이터를 비교하고, 비교 결과에 따라 불량 여부를 판정할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(200)는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 기준 이미지 데이터로서 미리 저장하고 있을 수 있다. 그리고, 계측 장치(300)로부터 수집한 반사율 이미지와 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지(difference image)를 생성하는 한편, 계측 장치(300)로부터 수집한 위상 이미지와 위상 기준 이미지 간의 차 이미지를 생성할 수 있다. 그리고 각각의 차 이미지에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴의 정상/불량 여부를 판정할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 검사 장치의 구성도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 의한 검사 장치(200)는 저장부(210), 사용자 인터페이스(220), 이미지 획득부(230), 비교부(240) 및 판정부(250)를 포함할 수 있다.
저장부(210)는 주기억장치 및 보조기억장치를 포함할 수 있으며, 검사 장치(200)가 동작하는 데 필요한 프로그램, 제어 데이터, 응용 프로그램, 동작 파라미터, 처리 결과 등이 저장될 수 있다.
사용자 인터페이스(220)는 사용자가 검사 장치(200)에 접근할 수 있는 환경을 제공하며, 입력장치 인터페이스 및 출력장치 인터페이스를 포함할 수 있다.
이미지 획득부(230)는 계측 장치(300)에 의해 검사 대상 반도체 패턴으로부터 획득된 계측 이미지 데이터를 수집할 수 있다. 계측 이미지 데이터는 검사 대상 반도체 패턴에 대한 반사율 이미지 및 위상 이미지를 포함할 수 있다.
비교부(240)는 이미지 획득부(230)에서 수집한 계측 이미지 데이터와 저장부(210)에 기 저장되어 있는 기준 이미지 데이터를 비교하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 비교부(240)는 계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터 간의 차 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다. 계측 이미지 데이터가 반사율 이미지와 위상 이미지를 포함하는 경우, 기준 이미지 데이터는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 포함할 수 있다. 그리고, 비교부(240)는 반사율 이미지와 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지, 위상 이미지와 위상 기준 이미지 간의 차 이미지를 생성할 수 있다.
판정부(250)는 비교부(240)의 비교 결과에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴의 정상/불량 여부를 판단할 수 있다. 비교부(240)가 계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터 간의 차 이미지를 생성하도록 구성된 경우, 판정부(250)는 차 이미지에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴의 정상/불량 여부를 판단할 수 있음은 물론이다.
도 3은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 장치의 구성도이다.
계측 장치(300)는 기본적으로 검사 대상 반도체 패턴에 대한 계측 이미지 데이터를 획득할 수는 있지만, 이로부터 검사 대상 반도체 패턴을 수치화할 수 있을 뿐이며 이를 통해 검사 대상 반도체 패턴의 불량 여부를 판단할 수는 없다. 하지만, 본 기술에서는 계측 장치(300)에서 획득한 계측 이미지 데이터를 기초로 반도체 패턴의 불량 여부를 판단함에 의해 반도체 패턴을 검사할 수 있다.
도 3을 참조하면, 계측 장치(300)는 광원(301), 제 1 편광기(303), 빔 분할기(305), 제 2 편광기(307), 대물렌즈(309), 파장판(311), 제 3 편광기(313), 집광렌즈(315) 및 영상 촬영부(317)를 포함할 수 있다.
광원(301)은 검사 대상 반도체 패턴(P)으로 광 신호를 조사하도록 구성된다. 일 실시예에서, 광원(301)은 적외선일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 광원(301)의 파장 등을 포함하는 출력 파라미터는 검사 대상 반도체 패턴(P)을 결상하는 픽셀 사이즈가 검사 대상 반도체 패턴(P)의 피치에 대응하도록 제어될 수 있다.
제 1 편광기(303)는 광원(301)으로부터 출사되는 광 신호의 편광 특성을 변화시킬 수 있도록 구성된다. 일 실시예에서, 제 1 편광기(303)는 편광 빔 분할기를 포함하도록 구성될 수 있다.
빔 분할기(305)는 제 1 편광기(303)에 의해 편광 변화된 광 신호를 검사 대상 반도체 패턴(P) 측으로 반사시킬 수 있도록 구성된다.
제 2 편광기(307)는 빔 분할기(305)에서 반사된 광 신호의 편광 특성을 변화시킬 수 있도록 구성된다. 일 실시예에서, 제 2 편광기(307)는 방사(Radial) 편광기일 수 있다. 방사 편광기는 선형 편광을 방사 편광 변환 또는 방위 편광 변환시키는 장치이며, 작은 스폿 사이즈로 광을 집속시킬 수 있는 특성을 갖는다.
대물렌즈(309)는 제 2 편광기(307)에서 편광 특성이 변화된 광 신호를 집광하여 검사 대상 반도체 패턴(P)으로 조사하도록 구성된다.
이에 따라, 검사 대상 반도체 패턴(P)에 조사된 광 신호는 검사 대상 반도체 패턴(P)으로부터 반사되어 반사 광 신호로 생성되고, 대물렌즈(309) 및 제 2 편광기(207)를 경유하여 빔 분할기(305)를 투과하게 된다.
파장판(311)은 빔 분할기(305)를 투과한 반사 광 신호의 위상 특성을 변화시키도록 구성될 수 있다. 파장판(311)은 예를 들어 사분파장판(λ/4 파장판)이 이용될 수 있으며, 파장판(111)의 위상 지연 특성은 가변될 수 있다.
제 3 편광기(313)는 파장판(311)에서 위상 특성이 변화된 반사 광 신호의 편광 특성을 변화시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제 3 편광기(313)는 편광 빔 분할기를 포함하도록 구성될 수 있다.
집광렌즈(315)는 제 3 편광기(313)에서 편광 특성이 변화된 반사 광 신호를 집광시켜 영상 촬영부(317)로 제공할 수 있다.
영상 촬영부(317)는 검사 대상 반도체 패턴(P)으로부터의 반사 광 신호에 따라 반사율 이미지 및 위상 이미지를 촬영하고 이를 계측 이미지 데이터로서 생성할 수 있다.
이와 같이, 본 기술에 적용되는 계측 장치(300)는 이미지 기반 타원 계측 장치이며, 검사 대상 반도체 패턴(P)의 피치에 대응하는 사이즈의 픽셀을 갖는 계측 이미지 데이터를 생성할 수 있다.
그리고, 본 기술에 의한 검사 장치(200)는 계측 장치(300)로부터 계측 이미지 데이터를 수집하고, 계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터 간의 차 이미지에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴(P)의 정상/불량 여부를 검사할 수 있다.
도 3에는 이미지 기반 타원 계측 장치를 예로 들어 도시하였으나, 본 기술에 적용될 수 있는 계측 장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 패턴으로부터 반사율 이미지 및 위상 이미지를 획득할 수 있는 계측 장치라면 어느 것이든지 채택 가능함은 물론이다.
도 4는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
계측 장치(300)를 통해 검사 대상 반도체 패턴(P)에 대한 계측 이미지 데이터가 촬영됨에 따라, 검사 장치(200)는 계측 이미지 데이터를 수집할 수 있다(S101).
그리고, 검사 장치(200)는 수집한 계측 이미지 데이터와 기 저장되어 있는 기준 이미지 데이터를 비교할 수 있다(S103).
일 실시예에서, 계측 장치(300)는 검사 대상 반도체 패턴(P)에 대한 반사율 이미지 및 위상 이미지를 촬영할 수 있다. 그리고, 기준 이미지 데이터는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 포함할 수 있다. 따라서 비교 단계(S103)에서 검사 장치(200)는 반사율 이미지와 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지 및, 위상 이미지와 위상 기준 이미지 간의 차 영상을 생성할 수 있다.
계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터가 비교되면, 검사 장치(200)는 그 비교 결과에 기초하여 검사 대상 반도체 패턴(P)의 정상/불량 여부를 판정할 수 있다(S105). 일 실시예에서, 검사 장치(200)는 비교 단계(S103)에서 생성된 차 이미지가 갖는 차분 데이터에 기초하여 정상/불량 여부를 판정할 수 있다.
본 기술에 의하면 수십㎚ 단위의 피치를 갖는 검사 대상 반도체 패턴(P)에 대한 반사율 이미지 데이터 및 위상 이미지 데이터에 기초하여 정상/불량 여부를 검사할 수 있다.
나아가, 검사 대상 반도체 패턴(P)이 수직 구조 또는 3차원 구조를 갖는 경우, 또는 검사 대상 반도체 패턴(P)이 금속 재료로 이루어진 경우에도, 계측 장치(300)의 파장을 제어함에 의해 검사 대상 반도체 패턴(P)에 대한 심층부 검사 또는 금속 재질 패턴에 대한 검사가 가능하다.
도 5는 본 기술에 적용될 수 있는 반도체 패턴의 구성도이다.
도 5에는 일 실시예에 의한 검사 시스템(10) 또는 검사 장치(200)에 의해 정상 여부를 판정할 수 있는 반도체 패턴의 예로서 3차원 구조의 비휘발성 메모리 장치를 도시하였다.
도 5를 참조하면, 반도체 기판(Ba) 상에 복수의 메모리 스트링(MS)이 형성될 수 있다. 각 메모리 스트링(MS)은 전기적으로 재기록이 가능한 복수의 메모리 셀들(C0~C15)을 포함할 수 있다. 도면부호 SC는 채널층, WLx은 워드라인, PT는 파이프 스위치를 의미한다. 채널층(SC)은 반도체 기판(Ba)의 평판부에 대해 실질적으로 수직방향으로 연장하는 한 쌍의 기둥부(CL)와 기둥부(CL) 하단을 연결하는 연결부(JP)를 포함한다.
메모리 스트링(MS)을 구성하는 메모리 셀들(C0~C15)의 드레인은 드레인 선택 스위치(DST) 및 플러그(PL)를 통해 비트라인(BL)에 접속되고, 소스는 소스 선택 스위치(SST)를 통해 소스 라인에 접속된다.
도 5에 도시한 비휘발성 메모리 장치는 반도체 기판(Ba)의 평판부에 대해 수직 방향으로 복수의 워드라인(WLx)이 유전층을 사이에 두고 반복 적층된 구조를 갖는다.
본 기술에 의하면 이러한 수직 적층 구조를 갖는 반도체 장치에 대해서도 수직 적층 구조의 심층부에 대한 계측 이미지 데이터를 기초로 정상 여부를 판정할 수 있다. 아울러, 수직 적층 구조를 이루는 워드라인이 금속 재료로 형성되는 경우에도 계측장치의 파장을 제어함에 의해 금속 재료로 이루어진 패턴에 대한 계측 이미지 데이터를 획득하고, 이에 기초하여 정상 여부를 판정할 수 있다.
도 5에 도시한 비휘발성 메모리 장치는 메모리 스트링(MS) 형성 후 그 상부 구조를 형성하기 전 본 기술에 의한 검사 시스템(10) 또는 검사 장치(200)에 의해 정상 여부가 검사될 수 있다. 나아가, 메모리 스트링(MS) 및 그 상부 구조를 모두 형성한 후에도 본 기술에 의한 검사 시스템(10) 또는 검사 장치(200)에 의해 정상 여부가 검사될 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 반도체 패턴 검사 시스템
100 : 컨트롤러
200 : 검사장치
300 : 계측장치

Claims (19)

  1. 검사 대상 반도체 패턴으로부터 계측 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 계측 장치; 및
    기준 이미지 데이터와 상기 계측 이미지 데이터에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 검사 장치;
    를 포함하는 반도체 패턴 검사 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 계측 이미지 데이터를 수집하도록 구성되는 이미지 획득부;
    상기 이미지 획득부에서 수집한 상기 계측 이미지 데이터와 기 저장되어 있는 기준 이미지 데이터를 비교하도록 구성되는 비교부; 및
    상기 비교부의 비교 결과에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 판정부;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 계측 이미지 데이터는 상기 검사 대상 반도체 패턴에 대한 반사율 이미지 및 위상 이미지를 포함하도록 구성되고, 상기 기준 이미지 데이터는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 반사율 이미지와 상기 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지 및, 상기 위상 이미지와 상기 위상 기준 이미지 간의 차 이미지를 생성하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 계측 장치는, 이미지 기반 타원 계측 장치로 구성되는 반도체 패턴 검사 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 반도체 기판의 평판부에 대해 수직 방향으로 적층되는 구조를 포함하는 반도체 패턴 검사 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 금속 재료로 형성되는 반도체 패턴 검사 시스템.
  8. 검사 대상 반도체 패턴으로부터 획득되는 계측 이미지 데이터를 수집하도록 구성되는 이미지 획득부;
    상기 이미지 획득부에서 수집한 상기 계측 이미지 데이터와 기 저장되어 있는 기준 이미지 데이터를 비교하도록 구성되는 비교부; 및
    상기 비교부의 비교 결과에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하도록 구성되는 판정부;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 계측 이미지 데이터는 상기 검사 대상 반도체 패턴에 대한 반사율 이미지 및 위상 이미지를 포함하도록 구성되고, 상기 기준 이미지 데이터는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 비교부는, 상기 반사율 이미지와 상기 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지 및, 상기 위상 이미지와 상기 위상 기준 이미지 간의 차 이미지를 생성하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 반도체 기판의 평판부에 대해 수직 방향으로 적층되는 구조를 포함하는 반도체 패턴 검사 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 금속 재료로 형성되는 반도체 패턴 검사 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 이미지 획득부는, 이미지 기반 타원 계측 장치로부터 상기 계측 이미지 데이터를 수집하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 장치.
  14. 반도체 패턴 검사 장치의 검사 방법으로서,
    검사 대상 반도체 패턴으로부터 획득되는 계측 이미지 데이터를 수집하는 단계;
    상기 계측 이미지 데이터와 기준 이미지 데이터를 비교하는 단계; 및
    상기 비교 결과에 기초하여 상기 검사 대상 반도체 패턴의 정상 여부를 판단하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 계측 이미지 데이터는 상기 검사 대상 반도체 패턴에 대한 반사율 이미지 및 위상 이미지를 포함하도록 구성되고, 상기 기준 이미지 데이터는 반사율 기준 이미지 및 위상 기준 이미지를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 검사 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 비교하는 단계는, 상기 반사율 이미지와 상기 반사율 기준 이미지 간의 차 이미지 및, 상기 위상 이미지와 상기 위상 기준 이미지 간의 차 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 반도체 패턴 검사 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 반도체 기판의 평판부에 대해 수직 방향으로 적층되는 구조를 포함하는 반도체 패턴 검사 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 검사 대상 반도체 패턴은 금속 재료로 형성되는 반도체 패턴 검사 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 계측 이미지 데이터는 이미지 기반 타원 계측 장치로부터 수집되는 반도체 패턴 검사 방법.
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