KR20170064896A - Light emitting device package and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

실시 예는 한 번의 SMT 공정으로 발광 소자, 리드 프레임 및 회로 기판을 본딩하는 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 중앙을 관통하는 홀이 형성된 몸체; 상기 몸체에 형성되며, 서로 분리된 제 1 리드 프레임과 제 2 리드 프레임; 상기 몸체 상에 배치되며, 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈; 상기 홀 내에 배치된 발광 소자; 및 상기 몸체 하부에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 회로 기판을 포함한다.The present invention relates to a light emitting device package that bonds a light emitting device, a lead frame, and a circuit board by a single SMT process, and a method of manufacturing the same, wherein the light emitting device package of the present invention includes a body having a hole penetrating the center thereof; A first lead frame and a second lead frame formed on the body and separated from each other; A lens disposed on the body, the lens including a concave depression formed upward in the lower surface; A light emitting element disposed in the hole; And a circuit board disposed under the body and electrically connecting the first and second lead frames to the light emitting device.

Description

발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

본 발명 실시 예는 본딩 부재의 리 멜트(re-melt)에 의한 틀어짐이 방지된 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a light emitting device package that is prevented from being twisted by a re-melt of a bonding member.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다. A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. Light emitting diodes are capable of emitting light with high efficiency at low voltage, thus saving energy. In recent years, the problem of luminance of a light emitting diode has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.

발광 다이오드는 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 제 1 전극과 제 2 전극이 배치된 구조일 수 있다. 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 제 1 패드 및 제 2 패드와 전기적으로 연결된다. 그리고, 본딩층을 이용하여 제 1 패드 및 제 2 패드를 리드 프레임에 연결하거나 인쇄 회로 기판 등에 실장할 수 있다. 발광 다이오드에서 방출되는 광은 렌즈를 통해 굴절되거나 분산될 수 있다.The light emitting diode may have a structure in which the first electrode and the second electrode are disposed on one side of the light emitting structure including the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the first pad and the second pad, respectively. The first pad and the second pad may be connected to the lead frame using a bonding layer, or may be mounted on a printed circuit board or the like. Light emitted from the light emitting diode can be refracted or dispersed through the lens.

일반적으로 표면 실장 기술(Surface Mount Technology; SMT)을 이용하여 발광 다이오드를 리드 프레임에 솔더링하는 1차 SMT를 실시한 후, 발광 다이오드를 덮도록 리드 프레임과 렌즈를 고정한다. 그리고, 리드 프레임과 회로 기판을 부착하기 위한 2차 SMT 공정을 실시한다. 그러나, 2차 SMT 공정 시, 발광 다이오드와 리드 프레임을 부착시키는 본딩 부재가 리 멜트(re-melt)되어, 발광 다이오드와 리드 프레임이 분리되어 쇼트(short)가 발생되거나 틀어짐이 발생하여 발광 소자 패키지의 불량이 발생할 수 있다. 그리고, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 1차 SMT 시와 2차 SMT 시 서로 다른 본딩 부재를 이용하는 경우, 제조 비용이 증가하고 공정이 복잡해진다.Generally, the surface mount technology (SMT) is used to conduct the first SMT soldering the light emitting diode to the lead frame, and then the lead frame and the lens are fixed to cover the light emitting diode. Then, a secondary SMT process for attaching the lead frame and the circuit board is performed. However, in the secondary SMT process, the bonding member for attaching the light emitting diode and the lead frame is re-melted, so that the light emitting diode and the lead frame are separated from each other to cause a short or a distortion, May occur. In order to solve the above problems, when different bonding members are used in the first SMT and the second SMT, the manufacturing cost increases and the process becomes complicated.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 한 번의 SMT 공정으로 발광 소자, 리드 프레임 및 회로 기판을 본딩하여, 신뢰성이 향상된 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light emitting device package having improved reliability by bonding a light emitting device, a lead frame, and a circuit board in a single SMT process.

본 발명의 실시 예의 발광 소자 패키지는 중앙을 관통하는 홀이 형성된 몸체; 상기 몸체에 형성되며, 서로 분리된 제 1 리드 프레임과 제 2 리드 프레임; 상기 몸체 상에 배치되며, 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈; 상기 홀 내에 배치된 발광 소자; 및 상기 몸체 하부에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 회로 기판을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a body having a hole penetrating the center thereof; A first lead frame and a second lead frame formed on the body and separated from each other; A lens disposed on the body, the lens including a concave depression formed upward in the lower surface; A light emitting element disposed in the hole; And a circuit board disposed under the body and electrically connecting the first and second lead frames to the light emitting device.

본 발명의 실시 예의 발광 소자 패키지의 제조 방법은 중앙을 관통하는 홀을 갖는 몸체를 형성하는 단계; 상기 몸체에 서로 분리된 제 1 리드 프레임과 제 2 리드 프레임을 형성하는 단계; 상기 몸체 상에 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈를 부착하는 단계; 회로 기판 상에 제 1, 제 2 본딩 부재를 형성하는 단계; 상기 회로 기판의 제 1 본딩 부재 상에 발광 소자를 위치시키고, 상기 제 2 본딩 부재 상에 상기 몸체 하부면에서 노출된 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 위치시키는 단계; 및 상기 제 1, 제 2 본딩 부재의 리플로우(reflow) 공정을 실시하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a light emitting device package of an embodiment of the present invention includes the steps of: forming a body having a hole passing through the center; Forming a first lead frame and a second lead frame separated from each other in the body; Attaching a lens including a concave depression formed on a lower surface of the body to an upper side; Forming first and second bonding members on the circuit board; Positioning the light emitting device on the first bonding member of the circuit board and locating the first and second lead frames exposed on the lower surface of the body on the second bonding member; And performing a reflow process of the first and second bonding members.

본 발명의 발광 소자 패키지는 한 번의 SMT 공정으로 발광 소자, 리드 프레임 및 회로 기판을 본딩하여, 신뢰성이 향상되고 구조가 단순해져 제조 비용을 절감할 수 있다.The light emitting device package of the present invention can improve the reliability and simplify the structure by bonding the light emitting device, the lead frame, and the circuit board in one SMT process, thereby reducing the manufacturing cost.

도 1a는 본 발명 실시 예의 몸체의 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 2a는 본 발명 실시 예의 렌즈의 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 3은 본 발명 실시 예의 몸체와 렌즈의 결합을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 5는 본 발명 실시 예의 발광 소자의 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이다.1A is a perspective view of a body of an embodiment of the present invention.
1B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1A.
2A is a perspective view of a lens of an embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 2A.
3 is a cross-sectional view showing the combination of the body and the lens in the embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package of an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are sectional views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated and described in the drawings. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명 실시 예의 몸체의 사시도이며, 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.1A is a perspective view of a body of the embodiment of the present invention, and Fig. 1B is a sectional view of I-I 'of Fig. 1A.

도 1a 및 도 1b와 같이, 몸체(10)는 중앙을 관통하는 홀(10h)을 포함하여 이루어진다. 홀(10h)은 위에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 또는 비 정형 형상이거나, 모서리 부분이 곡면인 형상 등을 포함할 수 있으며, 도면에서는 원 형상인 것을 도시하였다. 홀(10h)은 발광 소자를 몸체(10) 내에 배치하기 위한 것으로, 홀(10h)의 크기는 발광 소자의 크기보다 크다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the body 10 includes a hole 10h passing through the center thereof. The hole 10h may have a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, or an irregular shape as viewed from above, or a shape in which a corner portion has a curved shape, and the circle 10h is shown in the drawing. The hole 10h is for disposing the light emitting element in the body 10, and the size of the hole 10h is larger than the size of the light emitting element.

몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체(10)는 실리콘, 또는 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한, 몸체(10) 내에는 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 등이 선택적으로 더 첨가될 수 있다.The body 10 may comprise a resin-based insulating material. For example, the body 10 may be formed of a thermosetting resin containing silicon, an epoxy resin, or a plastic material, or a high heat-resistant, high-light-resistant material. In addition, an antioxidant, a release material, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, titanium dioxide, and the like may be optionally added to the body 10.

몸체(10)는 발광 소자에서 방출되는 광을 후술할 렌즈 방향으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체(10)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 TiO2, SiO2, Al2O3 등과 같은 금속 산화물이 첨가된 구조일 수 있다. 또한, 몸체(10)는 상부면 및 발광 소자와 마주할 내측면(홀의 측면) 즉, 홀(10h)의 측면에 반사 물질(미도시)이 코팅된 구조일 수도 있다. The body 10 may include a material having a high reflectance to reflect light emitted from the light emitting element toward a lens to be described later. For example, the body 10 is TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3 in the resin material such as epoxy or silicone Or the like may be added. Also, the body 10 may have a structure in which a reflective material (not shown) is coated on the upper surface and the inner surface (side surface of the hole) facing the light emitting device, that is, the side surface of the hole 10h.

몸체(10)는 상부면이 경사진 구조로 형성되어, 발광 소자에서 방출된 광을 렌즈 방향으로 용이하게 반사시킬 수 있다. 이 때, 도면에서는 몸체(10)의 외측 가장자리의 상부면이 평평한 것을 도시하였으나, 몸체(10)의 상부면은 가장자리까지 경사진 구조일 수 있다.The upper surface of the body 10 is formed in an inclined structure so that light emitted from the light emitting element can be easily reflected toward the lens. In this case, although the upper surface of the outer edge of the body 10 is shown as being flat in the figure, the upper surface of the body 10 may be inclined to the edge.

몸체(10)의 상부면의 기울어진 각도(θ)는 5° 이하이며, 2° 내지 5°일 수 있다. 각도(θ)가 5°를 초과하는 경우, 발광 소자에서 방출되는 광의 지향각이 감소한다. 그리고, 각도(θ)가 2° 미만인 경우 몰딩 방법으로 몸체(10)를 형성할 때, 발광 소자의 측면과 마주하는 몸체(10)의 내측 영역이 미 성형될 수 있다.The inclined angle [theta] of the upper surface of the body 10 is equal to or less than 5 degrees, and may be between 2 [deg.] And 5 [deg.]. When the angle &thetas; exceeds 5 DEG, the directivity angle of light emitted from the light emitting element decreases. When the angle? Is less than 2 degrees, when the body 10 is formed by the molding method, the inner region of the body 10 facing the side surface of the light emitting device may be unformed.

몸체(10)의 두께(d1)가 두꺼울수록 발광 소자 패키지의 지지력이 향상되나, 렌즈의 측면에서 방출되는 광이 감소한다. 또한, 몸체(10)의 두께(d1)가 얇은 경우 공정은 어려우나 발광 소자에서 방출되는 광이 용이하게 렌즈의 측면을 통해 방출될 수 있다. 따라서, 몸체(10)의 두께(d1)는 0.3㎜ 이상이며, 몸체(10)의 두께(d1)는 발광 소자 두께의 160%를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광 소자(60)의 두께가 0.35㎜인 경우, 몸체(10)의 내측면의 두께는 0.56㎜ 이하이다.The thicker the thickness d1 of the body 10, the better the supporting force of the light emitting device package is, but the light emitted from the side surface of the lens decreases. Also, when the thickness d1 of the body 10 is thin, the process is difficult, but the light emitted from the light emitting device can be easily emitted through the side surface of the lens. Therefore, it is preferable that the thickness d1 of the body 10 is 0.3 mm or more, and the thickness d1 of the body 10 does not exceed 160% of the thickness of the light emitting device. For example, when the thickness of the light emitting element 60 is 0.35 mm, the thickness of the inner surface of the body 10 is 0.56 mm or less.

그리고, 몸체(10)에 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)이 형성된다. 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 일부는 몸체(10) 내부에 삽입되고, 나머지 일부는 노출된다.The first and second lead frames 15a and 15b are formed on the body 10. A part of the first and second lead frames 15a and 15b is inserted into the body 10, and the remaining part is exposed.

구체적으로, 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 하부면은 몸체(10)의 하부면에서 노출되고, 가장자리는 몸체(10)의 외측면에서 노출된다. 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 하부면이 회로 기판과 전기적으로 연결되며, 몸체(10)의 외측면에서 노출된 영역은 외부 회로와 연결될 수 있다.Specifically, the lower surfaces of the first and second lead frames 15a and 15b are exposed on the lower surface of the body 10, and the edges are exposed on the outer surface of the body 10. [ The lower surfaces of the first and second lead frames 15a and 15b are electrically connected to the circuit board and the exposed region of the outer surface of the body 10 can be connected to an external circuit.

제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 두께(d2)는 0.2㎜ 내지 0.25㎜인 것이 바람직하다. 이는, 제 1 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 두께가 두꺼울수록 몸체(10)의 두께가 두꺼워지며, 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)의 두께가 너무 얇으면 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)이 몸체(10)에서 분리될 수 있기 때문이다.The thickness d2 of the first and second lead frames 15a and 15b is preferably 0.2 mm to 0.25 mm. This is because as the thickness of the first and second lead frames 15a and 15b becomes thicker, the thickness of the body 10 becomes thicker. When the thicknesses of the first and second lead frames 15a and 15b are too thin, 2 lead frames 15a and 15b can be separated from the body 10.

제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 두 개 이상의 합금을 포함할 수 있다. 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)은 단층 또는 서로 다른 금속층이 적층된 다층 구조로 형성될 수 있으며, 도면에서는 단층 구조인 것을 도시하였다. The first and second lead frames 15a and 15b are made of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, , At least one of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P). The first and second lead frames 15a and 15b may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which different metal layers are stacked.

몸체(10)의 상부면에는 하나 이상의 제 1 요철(10a)이 배치될 수 있다. 제 1 요철(10a)은 몸체(10)와 렌즈의 결합을 위한 것으로, 도면에서는 제 1 요철(10a)이 오목한 형상인 것을 도시하였으며, 제 1 요철(10a)은 상부면에서 돌출된 볼록한 형상일 수도 있다. 제 1 요철(10a)은 도시된 바와 같이, 몸체(10)의 형상을 따라 형성된 오목한 링 형상일 수 있으며, 하나 이상의 제 1 요철(10a)이 서로 이격된 구조일 수도 있다.At least one first concavo-convex 10a may be disposed on the upper surface of the body 10. The first concave and convex 10a is for engaging the body 10 and the lens. The first concave and convex 10a has a concave shape. The first concave and convex 10a has a convex shape protruding from the upper surface. It is possible. The first irregularities 10a may be a concave ring shape formed along the shape of the body 10 as shown in the drawing, and may have a structure in which one or more first irregularities 10a are separated from each other.

도 2a는 본 발명 실시 예의 렌즈의 사시도이며, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.2A is a perspective view of a lens of an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view of I-I 'of FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b와 같이, 렌즈(20a)는 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부(20h)를 포함하며, 함몰부(20h)는 몸체(도 1a 및 도 1b의 10)의 홀(도 1a 및 도 1b의 10h)에 대응될 수 있다. 따라서, 렌즈(20a)의 중앙부는 가장자리보다 두께가 얇고, 함몰부(20h)는 발광 소자에서 방출되는 광을 반사 및 굴절시킨다. 특히, 함몰부(20h)는 렌즈(20a)의 상측 방향으로 방출되는 광을 감소시켜, 렌즈(20a)의 측면 방향으로 방출되는 광이 증가될 수 있다.2A and 2B, the lens 20a includes a concave depression 20h formed upward in the lower surface thereof, and the depression 20h is formed in a hole of the body (10 in Figs. 1A and 1B) And 10h in Fig. 1B). Therefore, the central portion of the lens 20a is thinner than the edge, and the depression 20h reflects and refracts the light emitted from the light emitting element. In particular, the depression 20h reduces the light emitted in the upward direction of the lens 20a, and the light emitted in the lateral direction of the lens 20a can be increased.

렌즈(20a)는 실리콘, 에폭시와 같은 투광성의 수지 재질이거나, 유리 재질일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 렌즈(20a)는 몸체(도 1a 및 도 1b의 10)의 제 1 요철(도 1a 및 도 1b의 10a)에 대응되는 영역에 형성된 제 2 요철(20b)을 포함한다. 제 2 요철(20b)이 제 1 요철(도 1a 및 도 1b의 10a)과 결합되어, 몸체(도 1a 및 도 1b의 10)와 렌즈(20a)가 고정될 수 있다.The lens 20a may be made of a translucent resin material such as silicon or epoxy, or may be made of glass, but is not limited thereto. The lens 20a includes second irregularities 20b formed in regions corresponding to the first irregularities (10a in Figs. 1A and 1B) of the body (10 in Figs. 1A and 1B). The second concavo-convex 20b is combined with the first concavo-convex (10a in Figs. 1A and 1B) so that the body (10 in Figs. 1A and 1B) and the lens 20a can be fixed.

렌즈(20a)의 높이(h1)는 1.9㎜ 내지 2.5㎜일 수 있다. 이는, 발광 소자의 두께가 0.35㎜일 때 높은 광 추출 효율을 갖는 렌즈(20a)의 높이이다. 그러나, 렌즈(20a)의 높이는 이에 한정하지 않고 발광 소자의 두께에 따라 용이하게 변경 가능하다. 그리고, 렌즈(20a)의 높이(h1)와 함몰부(20h)의 높이(h2)의 비(h2/h1)은 0.5 이상인 것이 바람직하며, 함몰부(20h)의 높이(h2)를 조절하여 렌즈(20a)의 측면으로 방출되는 광량을 조절할 수 있다.The height h1 of the lens 20a may be 1.9 mm to 2.5 mm. This is the height of the lens 20a having a high light extraction efficiency when the thickness of the light emitting element is 0.35 mm. However, the height of the lens 20a is not limited to this, and can be easily changed depending on the thickness of the light emitting element. The ratio h2 / h1 of the height h1 of the lens 20a to the height h2 of the depression 20h is preferably 0.5 or more and the height h2 of the depression 20h is adjusted, It is possible to adjust the amount of light emitted to the side of the light emitting device 20a.

도 3은 본 발명 실시 예의 몸체와 렌즈의 결합을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the combination of the body and the lens in the embodiment of the present invention.

도 3과 같이, 몸체(10)와 렌즈(20a)는 제 1, 제 2 요철(도 2b의 20b, 도 1a 및 도 1b의 10a)이 체결되는 제 1 체결부(50a)를 통해 결합될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제 1, 제 2 요철(도 2b의 20b, 도 1a 및 도 1b의 10a)이 체결되는 영역에 접착 부재가 더 배치되어, 몸체(10)와 렌즈(20a)의 체결력 및 고정력이 향상될 수 있다.As shown in FIG. 3, the body 10 and the lens 20a can be coupled through the first fastening part 50a to which the first and second concavities and convexities (20b in FIG. 2B, 10a in FIG. have. Although not shown, an adhesive member is further disposed in a region where the first and second concave and convex portions (20b in FIG. 2B, FIGS. 1A and 1B in FIG. 1B) are fastened to each other so that the fastening force and fastening force of the body 10 and the lens 20a Can be improved.

도 4는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이며, 도 5는 본 발명 실시 예의 발광 소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and Fig. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(60)가 몸체(10)의 홀(도 1a 및 도 1b의 10h)과 렌즈(20a)의 함몰부(20h) 내에 배치될 수 있다. 몸체(10)의 하부에는 발광 소자(60)와 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)을 전기적으로 연결시키기 위한 회로 기판(30)이 배치된다.4, the light emitting device package 100 of the embodiment of the present invention is configured such that the light emitting element 60 is disposed in a hole (10h in FIGS. 1A and 1B) of the body 10 and in a depression 20h of the lens 20a . A circuit board 30 for electrically connecting the light emitting device 60 and the first and second lead frames 15a and 15b is disposed under the body 10.

본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 회로 기판(30) 상에 제 1 본딩 부재(40a) 및 제 2 본딩 부재(40b)를 형성한 후, 제 1 본딩 부재(40a) 상에 발광 소자(60)를 배치시킨다. 그리고, 제 2 본딩 부재(40b) 상에 도 3과 같이 렌즈(20a)와 결합된 몸체(10)를 배치시킨다. 제 2 본딩 부재(40b)는 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)에 대응된다. 제 1, 제 2 본딩 부재(40a, 40b)는 벌크(bulk), 볼(ball), 페이스트(paste), 테이프(tape) 형태의 솔더(Solder)일 수 있다.The light emitting device package 100 of the embodiment of the present invention includes a first bonding member 40a and a second bonding member 40b formed on a circuit board 30 and then a light emitting device 60 are disposed. 3, the body 10 coupled with the lens 20a is disposed on the second bonding member 40b. And the second bonding member 40b corresponds to the first and second lead frames 15a and 15b. The first and second bonding members 40a and 40b may be a solder in the form of a bulk, a ball, a paste, or a tape.

회로 기판(30) 상에 발광 소자(60)와 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)을 위치시킨 후, 열 및 레이저 등을 이용하여 제 1, 제 2 본딩 부재(40a, 40b)를 리플로우(reflow)시켜 발광 소자(60)와 제 1 본딩 부재(40a)를 전기적으로 연결시키고, 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)을 제 2 본딩 부재(40b)와 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이 때, 회로 기판(30)은 제 1, 제 2 본딩 부재(40a, 40b)를 연결하는 배선 등이 배치된 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB)일 수 있다.The light emitting element 60 and the first and second lead frames 15a and 15b are positioned on the circuit board 30 and then the first and second bonding members 40a and 40b are heat- The first and second lead frames 15a and 15b are electrically connected to the second bonding member 40b by reflowing the first and second lead frames 15a and 15b to electrically connect the light emitting element 60 and the first bonding member 40a, . At this time, the circuit board 30 may be a printed circuit board (PCB) on which wiring lines for connecting the first and second bonding members 40a and 40b are disposed.

따라서, 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)은 제 2 본딩 부재(40b), 회로 기판(30) 내에 배치된 배선 및 제 1 본딩 부재(40a)를 통해 발광 소자(60)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second lead frames 15a and 15b are electrically connected to the light emitting element 60 through the second bonding member 40b, the wiring disposed in the circuit board 30, and the first bonding member 40a. Can be connected.

상술한 바와 같이, 일반적인 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자를 리드 프레임에 솔더링하는 1차 SMT를 실시한 후, 리드 프레임과 회로 기판을 부착하기 위한 2차 SMT 공정을 실시한다. 따라서, 일반적인 발광 소자 패키지는 1차 SMT, 2차 SMT를 차례로 실시하며, 1차 SMT, 2차 SMT 공정이 약 260℃의 유사한 온도에서 진행되므로, 2차 SMT 공정 시, 발광 소자와 리드 프레임을 부착시키는 본딩 부재가 리 멜트(re-melt)될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자와 리드 프레임이 분리되거나 틀어짐이 발생하여 발광 소자 패키지의 불량이 발생할 수 있다.As described above, the general light emitting device package 100 performs the primary SMT for soldering the light emitting device to the lead frame, and then the secondary SMT process for attaching the lead frame and the circuit board. Therefore, since a general SMT and a second SMT are sequentially performed in a general light emitting device package, and the first SMT and the second SMT process are performed at a similar temperature of about 260 ° C., during the second SMT process, The bonding member for attaching can be re-melt-bonded. As a result, the light emitting device and the lead frame may be separated or distorted, resulting in a failure of the light emitting device package.

반면에, 본원 발명은 한 번의 SMT 공정으로 발광 소자(60), 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b) 및 회로 기판(30)을 본딩할 수 있다. 따라서, 공정이 간소화되며 발광 소자 패키지(100)의 신뢰성이 향상될 수 있다. 이 때, 제 1, 제 2 본딩 부재(40a, 40b)은 동일한 솔더인 것이 바람직하다.On the other hand, the present invention can bond the light emitting device 60, the first and second lead frames 15a and 15b, and the circuit board 30 by a single SMT process. Thus, the process can be simplified and the reliability of the light emitting device package 100 can be improved. At this time, it is preferable that the first and second bonding members 40a and 40b are the same solder.

한편, 발광 소자(60)는 일반적인 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP) 구조일 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 60 may be a general chip scale package (CSP) structure.

도 5와 같이, 발광 소자(60)는 기판(11)에 배치되는 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 포함하는 발광 구조물, 제 1 반도체층(12)과 접속되는 제 1 전극(16a), 제 2 반도체층(14)과 접속되는 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 전극(16a, 16b)과 각각 접속하는 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b)를 포함한다. 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b) 사이에는 충진층(20)이 더 형성되어, 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b)를 지지할 수 있다.5, the light emitting device 60 includes a light emitting structure including a first semiconductor layer 12, an active layer 13, and a second semiconductor layer 14 disposed on a substrate 11, a light emitting structure including a first semiconductor layer 12 The first electrode 16a connected to the first semiconductor layer 14 and the second electrode 16b connected to the second semiconductor layer 14 and the first and second electrode pads 16a and 16b connected to the first and second electrodes 16a and 16b, (17a, 17b). A filling layer 20 is further formed between the first and second electrode pads 17a and 17b to support the first and second electrode pads 17a and 17b.

기판(11)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함한다. 기판(11)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이거나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(11)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 기판(11)은 제거되어도 무방하다.The substrate 11 includes a conductive substrate or an insulating substrate. The substrate 11 may be a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer. The substrate 11 may be formed of a material selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. The substrate 11 may be removed.

제 1 반도체층(12)과 기판(11) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 제 1 반도체층(12)과 기판(11)의 격자 부정합을 완화할 수 있다. 버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다. 버퍼층은 기판(11) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층은 제 1 반도체층(12)의 결정성을 향상시킬 수 있다.A buffer layer (not shown) may be further disposed between the first semiconductor layer 12 and the substrate 11. The buffer layer can alleviate the lattice mismatching between the first semiconductor layer 12 and the substrate 11. The buffer layer may be a combination of Group III and Group V elements or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be doped with a dopant, but is not limited thereto. The buffer layer can be grown as a single crystal on the substrate 11 and the buffer layer grown with a single crystal can improve the crystallinity of the first semiconductor layer 12. [

제 1 반도체층(12)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 반도체층(12)에 제 1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 1 반도체층(12)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제 1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제 1 도펀트가 n형 도펀트인경우, 제 1 도펀트가 도핑된 제 1 반도체층(12a)은 n형 반도체층일 수 있다.The first semiconductor layer 12 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or II-VI group, and the first semiconductor layer 12 may be doped with a first dopant. The first semiconductor layer 12 may be a semiconductor material having a composition formula of In x 1 Al y 1 Ga 1 -x1-y1 N (0? X1? 1 , 0 ? Y1? 1 , 0? X1 + y1? GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like. The first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. When the first dopant is an n-type dopant, the first semiconductor layer 12a doped with the first dopant may be an n-type semiconductor layer.

활성층(13)은 제 1 반도체층(12a)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제 2 반도체층(14)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(13)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 13 is a layer where electrons (or holes) injected through the first semiconductor layer 12a and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer 14 meet. As the electrons and the holes recombine, the active layer 13 transits to a low energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto.

활성층(13)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(13)의 구조는 이에 한정하지 않는다.The active layer 13 may have any one of a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, Is not limited thereto.

제 2 반도체층(14)은 활성층(13) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 반도체층(14)에 제 2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 2 반도체층(14)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제 2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제 2 도펀트가 도핑된 제 2 반도체층(14)은 p형 반도체층일 수 있다.The second semiconductor layer 14 may be formed on the active layer 13 and may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or II-VI group. The second semiconductor layer 14 may be doped with a second dopant . A second semiconductor layer 14 is a semiconductor material having a compositional formula of In x5 Al y2 Ga 1 -x5- y2 N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5 + y2≤1) or AlInN, AlGaAs , GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, the second semiconductor layer 14 doped with the second dopant may be a p-type semiconductor layer.

제 1 전극(16a)은 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 관통하는 홈을 통해 제 1 반도체층(12)과 전기적으로 접속될 수 있다. 홈에 의해 노출된 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)의 측면에는 제 1 절연층(18a)이 배치되어, 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)이 제 1 전극(16a) 및 제 1 전극 패드(16a)과 접속되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 제 2 전극(16b)은 제 2 반도체층(14)과 전기적으로 접속된다. The first electrode 16a may be electrically connected to the first semiconductor layer 12 through a groove penetrating the first semiconductor layer 12, the active layer 13, and the second semiconductor layer 14. A first insulating layer 18a is disposed on the side surfaces of the first semiconductor layer 12, the active layer 13 and the second semiconductor layer 14 exposed by the grooves to form the active layer 13 and the second semiconductor layer 14 Can be prevented from being connected to the first electrode 16a and the first electrode pad 16a. The second electrode 16b is electrically connected to the second semiconductor layer 14.

제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Ti, Cr, Cu 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 ITO와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 오믹 콘택층을 통해 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)과 접속될 수도 있다. 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)의 접속은 이에 한정하지 않는다.The first electrode 16a and the second electrode 16b may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Ti, Cr, Cu, But is not limited thereto. Although not shown, the first electrode 16a and the second electrode 16b may be connected to the first and second semiconductor layers 12 and 14 through an ohmic contact layer formed of a transparent conductive material such as ITO . The connection between the first electrode 16a and the second electrode 16b and between the first and second semiconductor layers 12 and 14 is not limited thereto.

제 1 전극(16a)과 제 1 전극 패드(17a) 및 제 2 전극(16b)과 제 2 전극 패드(17b)사이에는 제 2 절연층(15b)이 더 배치될 수 있다. 제 2 절연층(15b)은 절연 기능과 반사 기능을 모두 수행하는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 2 절연층(15b)은 상술한 제 2 반사 패턴(115)과 같이 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)을 포함할 수 있다.A second insulating layer 15b may be further disposed between the first electrode 16a and the first electrode pad 17a and between the second electrode 16b and the second electrode pad 17b. The second insulating layer 15b may be formed of a material that performs both an insulating function and a reflecting function. For example, the second insulating layer 15b may include a DBR (Distributed Bragg Reflector) like the second reflective pattern 115 described above.

이 경우, 본 발명 실시 예의 발광 소자(60)는 반사 기능을 갖는 제 2 절연층(15b)과 상술한 제 2 반사 패턴(115)이 활성층(13)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.In this case, the light emitting device 60 of the embodiment of the present invention may be arranged such that the second insulating layer 15b having a reflecting function and the second reflecting pattern 115 described above face each other with the active layer 13 therebetween .

본 발명 실시 예의 발광 소자는 제 1 전극 패드(17a) 및 제 2 전극 패드(17b)가 1 본딩 부재(40a)와 본딩되어, 발광 소자가 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode pad 17a and the second electrode pad 17b are bonded to the one bonding member 40a so that the light emitting element is electrically connected to the first and second lead frames 15a and 15b .

다시, 도 4를 참조하면, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)는 발광 소자(60)의 두께(d3)보다 두껍거나 얇을 수 있으며, 도면에서는 발광 소자(60)의 두께(d3)보다 얇은 것을 도시하였다. 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)와 발광 소자(60)의 두께(d3)의 비(d4/d3)는 0.29 이상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광 소자(60)의 두께(d3)가 0.35㎜인 경우, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)는 0.1㎜ 이상이다. 이는, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)가 너무 얇은 경우, 같이 몸체(10)의 내측 영역이 미 성형될 수 있기 때문이다.4, the thickness d4 of the inner surface of the body 10 may be thicker or thinner than the thickness d3 of the light emitting device 60, Thinner. The ratio d4 / d3 of the thickness d4 of the inner surface of the body 10 to the thickness d3 of the light emitting element 60 is preferably 0.29 or more. For example, when the thickness d3 of the light emitting element 60 is 0.35 mm, the thickness d4 of the inner surface of the body 10 is 0.1 mm or more. This is because if the thickness d4 of the inner side of the body 10 is too thin, the inner region of the body 10 may be unformed.

한편, 몸체(10)와 렌즈(20a)의 형상은 다양하게 변경 가능하다.Meanwhile, the shapes of the body 10 and the lens 20a can be variously changed.

도 6a 및 도 6b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이다.6A and 6B are sectional views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 6a와 같이, 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 몸체(10)의 상부면이 평탄한 구조일 수 있다. 이 때, 렌즈(20a)의 하부면 역시 평탄하며, 제 2 체결부(50b)를 통해 서로 결합될 수 있다. 그러나, 몸체(10)의 상부면이 평탄한 경우, 도 4와 같이 몸체(10)의 상부면이 기울어진 경우에 비해 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)를 감소시키는데 한계가 있다. 이 경우, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)가 발광 소자(60)의 두께(d3)보다 두꺼울 수 있다.As shown in FIG. 6A, the light emitting device package 100 of another embodiment of the present invention may have a flat upper surface of the body 10. At this time, the lower surface of the lens 20a is also flat and can be coupled to each other through the second fastening portion 50b. However, when the upper surface of the body 10 is flat, there is a limit in reducing the thickness d4 of the inner surface of the body 10 as compared with the case where the upper surface of the body 10 is tilted as shown in Fig. In this case, the thickness d4 of the inner side surface of the body 10 may be thicker than the thickness d3 of the light emitting element 60.

그런데, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)가 너무 두꺼운 경우, 발광 소자(60)에서 방출되는 광 중 렌즈(20a)의 함몰부(20h)로 진행하는 광이 감소될 수 있다. 따라서, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)와 발광 소자(60)의 두께(d3)와 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)의 비(d4/d3)는 1.6을 초과하지 않는 것이 바람직하다. However, when the thickness d4 of the inner surface of the body 10 is too thick, light traveling to the depression 20h of the lens 20a among the light emitted from the light emitting element 60 can be reduced. The ratio d4 / d3 of the thickness d4 of the inner side surface of the body 10 to the thickness d4 of the inner side surface of the body 10 and the thickness d3 of the light emitting element 60 does not exceed 1.6 .

즉, 본 발명 실시 예의 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)와 발광 소자(60)의 두께(d3)와 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)의 비(d4/d3)는 하기 수학식 1을 만족시킬 수 있다.That is, the ratio d4 / d3 of the thickness d4 of the inner side face of the body 10, the thickness d3 of the light emitting element 60, and the thickness d4 of the inner side face of the body 10 in the embodiment of the present invention is The following equation (1) can be satisfied.

Figure pat00001
Figure pat00001

예를 들어, 발광 소자(60)의 두께(d3)가 0.35㎜인 경우, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)는 0.56㎜ 이하이다. 이는, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)가 발광 소자(60)의 두께(d3) 대비 너무 두꺼운 경우에는 발광 소자(60)의 측면에서 방출되는 광이 패키지 외부로 용이하게 방출되지 못하기 때문이다.For example, when the thickness d3 of the light emitting element 60 is 0.35 mm, the thickness d4 of the inner surface of the body 10 is 0.56 mm or less. This is because when the thickness d4 of the inner side surface of the body 10 is too thick as compared with the thickness d3 of the light emitting element 60, light emitted from the side surface of the light emitting element 60 can not be easily emitted to the outside of the package .

특히, 몸체(10)의 내측면의 두께(d4)는 발광 소자(60)의 두께(d3)보다 두꺼운 경우, 몸체(10)의 내측면(홀의 측면) 및 상부면에 반사 물질이 코팅될 수 있다. 또한, 몸체(10)는 발광 소자에서 방출되는 광을 후술할 렌즈 방향으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 물질을 포함하는 것이 바람직하다.Particularly, when the thickness d4 of the inner surface of the body 10 is thicker than the thickness d3 of the light emitting element 60, the inner surface (the side surface of the hole) and the upper surface of the body 10 may be coated with a reflective material have. In addition, the body 10 preferably includes a material having a high reflectance so as to reflect light emitted from the light emitting device toward a lens, which will be described later.

도 6b와 같이, 발광 소자 패키지(100)는 렌즈(20a)와 몸체(10)가 접착 부재(50c)를 통해 서로 결합될 수 있으며, 렌즈(20a)와 몸체(10)의 접착력을 향상시키기 위해, 렌즈(20a)와 몸체(10) 사이의 평탄한 영역에 접착 부재(50c)가 형성될 수 있다.6B, the light emitting device package 100 may be coupled to the lens 20a and the body 10 through an adhesive member 50c and may be attached to the body 10 in order to improve adhesion between the lens 20a and the body 10 , The adhesive member 50c may be formed in a flat area between the lens 20a and the body 10. [

특히, 접착 부재(50c)는 도 6a와 같이, 몸체(10)의 상부면이 평탄한 경우에도 적용 가능하며, 몸체(10)와 렌즈(20a)를 결합시키기 위해 접착 부재(50c) 또는 제 1, 제 2 체결부(50a, 50b)를 이용하는 것은 용이하게 선택될 수 있다. 특히, 접착 부재(50c)의 두께가 너무 두꺼운 경우, 몸체(10)와 렌즈(20a) 사이가 들뜨는 것을 방지하기 위해, 몸체(10)의 상부면은 접착 부재(50c)가 형성되는 영역에서 단차를 가질 수 있다. 이 때, 단차는 접착 부재(50c)의 두께와 동일할 수 있다.Particularly, the adhesive member 50c can be applied to a case where the upper surface of the body 10 is flat as shown in FIG. 6A. In order to join the body 10 and the lens 20a, the adhesive member 50c, The use of the second fastening portions 50a and 50b can be easily selected. Particularly, in order to prevent the lifting between the body 10 and the lens 20a when the thickness of the adhesive member 50c is too thick, the upper surface of the body 10 has a stepped portion in the region where the adhesive member 50c is formed, Lt; / RTI > At this time, the step may be the same as the thickness of the adhesive member 50c.

즉, 상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 한 번의 SMT 공정으로 발광 소자(60), 제 1, 제 2 리드 프레임(15a, 15b) 및 회로 기판(30)을 본딩하여, 신뢰성이 향상되고 구조가 단순해져 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 몸체(10)의 상부면에는 돌기와 같은 광 추출 패턴이 더 형성될 수도 있으며, 광 추출 패턴은 발광 소자(60)에서 입사되는 광의 임계각을 변화시키므로 광 추출 효율이 향상될 수 있다.That is, the light emitting device package 100 of the embodiment of the present invention as described above bonds the light emitting device 60, the first and second lead frames 15a and 15b, and the circuit board 30 by one SMT process, Can be improved and the structure can be simplified, so that the manufacturing cost can be reduced. Further, although not shown, a light extracting pattern such as a protrusion may be formed on the upper surface of the body 10, and the light extracting pattern may change the critical angle of light incident from the light emitting device 60, have.

상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.The light emitting device package of the embodiment of the present invention may further include an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet to function as a backlight unit. Further, the light emitting device package of the embodiment can be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.

이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.At this time, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 소자에서 발산되는 광을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide light emitted from the light emitting element forward, and the optical sheet includes a prism sheet or the like and is disposed in front of the light guide plate. The display panel is disposed in front of the optical sheet, and the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter is disposed in front of the display panel.

그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside, have. Further, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp or the like.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be clear to those who have knowledge.

10: 몸체 10a: 제 1 요철
10h: 홀 11: 기판
12: 제 1 반도체층 13: 활성층
14: 제 2 반도체층 15a: 제 1 리드 프레임
15b: 제 2 리드 프레임 16a: 제 1 전극
16b: 제 2 전극 17a: 제 1 전극 패드
17b: 제 2 전극 패드 18a: 제 1 절연층
18b: 제 2 절연층 20a: 렌즈
20b: 제 2 요철 20h: 함몰부
30: 회로 기판 40a: 제 1 본딩 부재
40b: 제 2 본딩 부재 50a: 제 1 체결부
50b: 제 2 체결부 50c: 접착 부재
60: 발광 소자10: Body 10a: First concave and convex
10h: hole 11: substrate
12: first semiconductor layer 13: active layer
14: second semiconductor layer 15a: first lead frame
15b: second lead frame 16a: first electrode
16b: second electrode 17a: first electrode pad
17b: second electrode pad 18a: first insulating layer
18b: second insulating layer 20a: lens
20b: second concave and convex 20h:
30: circuit board 40a: first bonding member
40b: second bonding member 50a: first fastening part
50b: second fastening part 50c: adhesive member
60: Light emitting element

Claims (13)

중앙을 관통하는 홀이 형성된 몸체;
상기 몸체에 형성되며, 서로 분리된 제 1 리드 프레임과 제 2 리드 프레임;
상기 몸체 상에 배치되며, 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈;
상기 홀 내에 배치된 발광 소자; 및
상기 몸체 하부에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 회로 기판을 포함하는 발광 소자 패키지.A body having a hole penetrating the center thereof;
A first lead frame and a second lead frame formed on the body and separated from each other;
A lens disposed on the body, the lens including a concave depression formed upward in the lower surface;
A light emitting element disposed in the hole; And
And a circuit board disposed under the body and electrically connecting the first and second lead frames to the light emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 몸체의 상부면은 경사진 구조인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the body is a tilted structure. 제 2 항에 있어서,
상기 몸체의 외측면의 두께가 상기 몸체의 내측면의 두께보다 두꺼운 발광 소자 패키지. 3. The method of claim 2,
Wherein a thickness of an outer surface of the body is thicker than a thickness of an inner surface of the body. 제 1 항에 있어서,
상기 몸체와 상기 렌즈는 요철 구조 및 접착 부재 중 적어도 하나를 통해 결합된 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the body and the lens are coupled through at least one of a concave-convex structure and an adhesive member. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 리드 프레임은 상기 몸체에 삽입되며, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임의 하부면은 상기 몸체의 하부면에서 노출되고, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임의 가장자리는 상기 몸체의 외측면에서 노출되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The first and second lead frames are inserted into the body, the lower surfaces of the first and second lead frames are exposed on the lower surface of the body, and the edges of the first and second lead frames are connected to the body Wherein the light emitting device package is exposed at the outer side. 제 5 항에 있어서,
상기 발광 소자는 제 1 본딩 부재를 통해 상기 회로 기판과 연결되며,
상기 제 1, 제 2 리드 프레임의 하부면은 제 2 본딩 부재를 통해 상기 회로 기판과 연결되는 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
The light emitting device is connected to the circuit board via a first bonding member,
And the lower surfaces of the first and second lead frames are connected to the circuit board via a second bonding member. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 본딩 부재는 동일한 솔더인 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the first and second bonding members are the same solder. 제 1 항에 있어서,
상기 몸체의 내측면의 두께는 상기 발광 소자의 두께의 29% 이상이며 160% 이하인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the inner surface of the body is not less than 29% and not more than 160% of a thickness of the light emitting device. 제 6 항에 있어서,
상기 발광 소자는 기판;
상기 기판 상에 차례로 배치된 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제 2 반도체층, 활성층 및 제 1 반도체층을 선택적으로 제거하여 바닥면에서 상기 제 1 반도체층을 노출시키는 홈;
상기 홈을 통해 제 1 반도체층과 전기적으로 접속되는 제 1 전극; 및
상기 제 2 반도체층과 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 상기 제 1 본딩 부재와 전기적으로 접속되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
The light emitting device includes a substrate;
A light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer sequentially disposed on the substrate;
A groove for selectively removing the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer to expose the first semiconductor layer on the bottom surface;
A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer through the groove; And
And a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer,
Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first bonding member. 중앙을 관통하는 홀을 갖는 몸체를 형성하는 단계;
상기 몸체에 서로 분리된 제 1 리드 프레임과 제 2 리드 프레임을 형성하는 단계;
상기 몸체 상에 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈를 부착하는 단계;
회로 기판 상에 제 1, 제 2 본딩 부재를 형성하는 단계;
상기 회로 기판의 제 1 본딩 부재 상에 발광 소자를 위치시키고, 상기 제 2 본딩 부재 상에 상기 몸체 하부면에서 노출된 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 위치시키는 단계; 및
상기 제 1, 제 2 본딩 부재의 리플로우(reflow) 공정을 실시하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.Forming a body having a hole through the center;
Forming a first lead frame and a second lead frame separated from each other in the body;
Attaching a lens including a concave depression formed on a lower surface of the body to an upper side;
Forming first and second bonding members on the circuit board;
Positioning the light emitting device on the first bonding member of the circuit board and locating the first and second lead frames exposed on the lower surface of the body on the second bonding member; And
And performing a reflow process of the first and second bonding members. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 본딩 부재는 동일한 솔더인 발광 소자 패키지의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the first and second bonding members are the same solder. 제 10 항에 있어서,
접착 부재 및 상기 몸체와 상기 함몰부에 형성된 요철 구조 중 적어도 하나를 통해 상기 몸체 상에 하면에서 상측 방향으로 형성된 오목한 함몰부를 포함하는 렌즈를 부착하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.11. The method of claim 10,
And a concave depression formed upwardly from a lower surface of the body through at least one of an adhesive member and a concavo-convex structure formed in the body and the depressed portion. 제 10 항에 있어서,
상기 리플로우 공정은 상기 발광 소자, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 및 상기 회로 기판을 전기적으로 연결시키는 발광 소자 패키지의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the reflow process electrically connects the light emitting device, the first and second lead frames, and the circuit board.
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