KR20170062475A - Resin composition - Google Patents

Resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR20170062475A
KR20170062475A KR1020177009763A KR20177009763A KR20170062475A KR 20170062475 A KR20170062475 A KR 20170062475A KR 1020177009763 A KR1020177009763 A KR 1020177009763A KR 20177009763 A KR20177009763 A KR 20177009763A KR 20170062475 A KR20170062475 A KR 20170062475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin composition
meth
resin
acid
salt
Prior art date
Application number
KR1020177009763A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102325095B1 (en
Inventor
노리츠카 미즈무라
가즈키 후카자와
Original Assignee
나믹스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나믹스 가부시끼가이샤 filed Critical 나믹스 가부시끼가이샤
Publication of KR20170062475A publication Critical patent/KR20170062475A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102325095B1 publication Critical patent/KR102325095B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C08K5/098—Metal salts of carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/37—Thiols
    • C08K5/372—Sulfides, e.g. R-(S)x-R'
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/38—Thiocarbonic acids; Derivatives thereof, e.g. xanthates ; i.e. compounds containing -X-C(=X)- groups, X being oxygen or sulfur, at least one X being sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

본 발명의 수지 조성물은 적당한 가용 시간을 유지함과 함께, 필러의 도전성을 유지할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 우수한 접착 강도를 갖고 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 고온 프로세스에 있어서의 경화물의 박리를 억제할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제로서 적합하게 사용할 수 있다. 수지 조성물은, (A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와, (B) 열경화성 수지와, (C) 경화제와, (D) 티오에테르계 화합물을 포함한다. 본 발명은 수지 조성물을 포함하는 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제에 관한 것이다. 본 발명은 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제를 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.The resin composition of the present invention can maintain the conductivity of the filler while maintaining an appropriate usable time. The resin composition of the present invention has an excellent adhesive strength. The resin composition of the present invention can suppress the peeling of the cured product in a high-temperature process. The resin composition of the present invention can be suitably used as an adhesive for a die attach paste or a heat radiation member. The resin composition comprises (A) a filler having a conductive material on the surface of an insulating core material, (B) a thermosetting resin, (C) a curing agent, and (D) a thioether compound. The present invention relates to an adhesive for a die attach paste or a heat radiation member comprising a resin composition. The present invention relates to a semiconductor device manufactured using a die attach paste or an adhesive for a heat radiation member.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물, 이 수지 조성물을 포함하는 다이 어태치 페이스트 및 이 수지 조성물을 포함하는 방열 부재용 접착제에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제를 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a die attach paste containing the resin composition, and an adhesive for a heat radiation member comprising the resin composition. Further, the present invention relates to a semiconductor device manufactured using the die attach paste or an adhesive for a heat radiation member.

반도체 장치의 제조에 있어서, IC, LSI 등의 반도체 소자를 리드 프레임 등에 접착시키기 위해서, 열경화성 수지, 경화제 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물이 사용되고 있다. 또는, 방열 부재를 반도체 소자, 리드 프레임 등에 접착시키기 위해서, 열경화성 수지, 경화제 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물이 사용되고 있다(특허문헌 1). 전자는, 다이 어태치 페이스트로서 알려져 있다. 다이 어태치 페이스트를 사용하여 반도체 소자를 지지 부재와 접착시킨 후, 와이어 본딩 및 밀봉의 공정을 거쳐, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 반도체 장치는, 프린트 배선 기판 상에 땜납 실장할 수 있다. 다이 어태치 페이스트에는, 우수한 접착 강도를 발휘하는 것이 요구되고 있다. 특히, 다이 어태치 페이스트에는, 와이어 본딩이나 땜납 리플로우와 같은 고온 프로세스에 있어서, 경화물의 박리가 없는 것이 요구된다. 따라서, 경화물의 박리 방지를 위해서, 황 화합물, 특히 티올계 화합물을 사용한 다이 어태치 페이스트가 알려져 있다.In the production of semiconductor devices, resin compositions containing a thermosetting resin, a curing agent, and an inorganic filler are used for bonding semiconductor elements such as ICs and LSIs to lead frames and the like. Alternatively, a resin composition containing a thermosetting resin, a curing agent and an inorganic filler is used to adhere the heat dissipating member to a semiconductor element, a lead frame, or the like (Patent Document 1). The former is known as a die attach paste. A semiconductor device can be manufactured through a process of wire bonding and sealing after bonding a semiconductor element to a support member using a die attach paste. The semiconductor device can be solder-mounted on the printed wiring board. The die attach paste is required to exhibit excellent adhesive strength. Particularly, the die attach paste is required to be free from peeling of the cured product in a high-temperature process such as wire bonding or solder reflow. Therefore, in order to prevent peeling of the cured product, a die attach paste using a sulfur compound, particularly a thiol compound, is known.

근년에는, 다이 어태치 페이스트의 제조 비용을 저감하기 위해서, 절연성의 코어재에 도전성 물질을 코팅한 필러가 사용되고 있다(특허문헌 2 내지 5). 이 필러는, 다이 어태치 페이스트에 사용되는 수지 조성물에 함유된다. 이러한 절연성의 코어재에 도전성 물질을 코팅한 필러는, 표면에 있는 도전성 물질이 침범되어 버리면, 도전성이 저하되어 버린다고 하는 과제가 있었다.In recent years, fillers coated with a conductive material on an insulating core material have been used in order to reduce the manufacturing cost of the die attach paste (Patent Documents 2 to 5). This filler is contained in the resin composition used for the die attach paste. There has been a problem that when the conductive material on the surface of the filler coated with the conductive material is exposed to the insulating core material, the conductivity is lowered.

또한, 박리 방지를 위하여 첨가되는 티올계 화합물에 의해, 수지 조성물의 가용 시간이 짧아져 버린다고 하는 과제가 있었다.In addition, there is a problem that the time for which the resin composition is used is shortened by the thiol compound added for prevention of peeling.

반도체 소자의 지지 부재에는 종래, 은도금 등의 귀금속 도금이 실시된 리드 프레임이나 기판이 사용되어 왔다. 근년에는, 제조 비용을 저감하기 위해서, 구리 리드 프레임이나 구리 기판이 사용되게 되었다.BACKGROUND ART [0002] A lead frame or a substrate on which noble metal plating such as silver plating is conventionally used has been used as a supporting member of a semiconductor element. In recent years, a copper lead frame or a copper substrate has been used in order to reduce the manufacturing cost.

즉, 다이 어태치 페이스트 등에 사용되는 수지 조성물에는, 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 코팅한 필러의 도전성을 유효하게 유지하는 것이 요구된다. 또한, 동시에, 수지 조성물의 가용 시간이 적절하게 유지되는 것이 요구된다. 또한, 구리 등을 포함하는 기판에 접착성이 우수함과 함께, 고온 프로세스에 있어서 경화물의 박리가 없는 것이 요구된다.That is, it is required to effectively maintain the conductivity of a filler coated with a conductive material on the surface of an insulating core material in a resin composition used for die attach paste and the like. Also, at the same time, it is required that the time for which the resin composition is allowed to be appropriately maintained. In addition, it is required that the substrate including copper or the like is excellent in adhesiveness, and that the cured product is not peeled off in a high-temperature process.

일본 특허 공개 제2011-086669호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-086669 일본 특허 공개 제2007-250540호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-250540 일본 특허 공개 제2006-249426호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-249426 일본 특허 공개 제2009-256539호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-256539 일본 특허 공개 제2002-8443호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2002-8443

본 발명은 상기 관점에서 이루어진 것이며, 필러의 도전성을 유효하게 유지하면서, 적당한 가용 시간을 유지할 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 기판에 대한 접착 강도가 우수하고, 고온 프로세스에 있어서의 경화물의 박리가 억제된 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 특히, 지지 부재가 구리나 수지제의 기판인 경우에, 적합하게 적용할 수 있다.The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a resin composition capable of maintaining a suitable time for use while maintaining the conductivity of the filler effectively. It is also an object of the present invention to provide a resin composition having excellent adhesion strength to a substrate and suppressing peeling of a cured product in a high temperature process. The present invention can be suitably applied particularly when the support member is a substrate made of copper or resin.

본 발명 〔1〕은,The present invention [1]

(A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와,(A) a filler having a conductive material on a surface of an insulating core material,

(B) 열경화성 수지와,(B) a thermosetting resin,

(C) 경화제와,(C) a curing agent,

(D) 티오에테르계 화합물(D) a thioether compound

을 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다.Based on the total weight of the resin composition.

본 발명 〔2〕는, (A)에 있어서의 도전성 물질이 은, 금, 구리, 팔라듐 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 도전성 물질인, 본 발명 〔1〕에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention [2] is a resin composition according to the present invention [1], wherein the conductive material in (A) is at least one kind of conductive material selected from the group consisting of silver, gold, copper, palladium, .

본 발명 〔3〕은, (D)가 디에스테르 구조를 갖는 티오에테르계 화합물 및/또는 벤젠환을 갖는 티오에테르계 화합물인, 본 발명 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention [3] relates to a resin composition according to the present invention [1] or [2], wherein (D) is a thioether compound having a diester structure and / or a thioether compound having a benzene ring.

본 발명 〔4〕는, 추가로 (E) (E1) 비점이 200℃ 이상인 유기산의 금속염, 및/또는 (E2) 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자와의 조합을 포함하는, 본 발명 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.(E1) a metal salt of an organic acid having a boiling point of 200 ° C or higher, and / or (E2) a combination of metal particles and / or metal oxide particles with an organic acid having a boiling point of 200 ° C or higher To the resin composition described in any one of the present invention [1] to [3].

본 발명 〔5〕는, (E1)이 2-에틸헥산산, 나프텐산 및 시클로펜탄카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기산의 금속염이고, (E2)가 2-에틸헥산산, 나프텐산 및 시클로펜탄카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기산과 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자와의 조합인, 본 발명 〔4〕에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.(E1) is a metal salt of an organic acid selected from the group consisting of 2-ethylhexanoic acid, naphthenic acid and cyclopentanecarboxylic acid, and (E2) is a metal salt of 2-ethylhexanoic acid, (4), which is a combination of an organic acid and a metal particle and / or a metal oxide particle selected from the group consisting of an organic acid, a carboxylic acid, a hydroxycarboxylic acid, and a pentanecarboxylic acid.

본 발명 〔6〕은, (E1)에 있어서의 금속염이 아연염, 코발트염, 니켈염, 마그네슘염, 망간염 및 주석염으로 이루어지는 군에서 선택되는 염이고,In the present invention [6], the metal salt in (E1) is a salt selected from the group consisting of a zinc salt, a cobalt salt, a nickel salt, a magnesium salt, a manganese salt and a tin salt,

(E2)에 있어서의 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자가 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간, 주석 및 이들의 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 입자인, 본 발명 〔5〕의 수지 조성물에 관한 것이다.(5), wherein the metal particles and / or the metal oxide particles in the resin (E2) are particles selected from the group consisting of zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese, tin and oxides thereof .

본 발명 〔7〕은, (D)가 (A) 내지 (C)의 합계 100질량부에 대하여, 0.05 내지 1.5질량부인, 본 발명 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention [7] is a resin composition according to any one of the above [1] to [6], wherein (D) is 0.05 to 1.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) will be.

본 발명 〔8〕은, (E)가 (A) 내지 (E)의 합계 100질량부에 대하여, 0.1 내지 5질량부인, 본 발명 〔4〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention [8] is a resin composition according to any one of [4] to [7], wherein (E) is 0.1 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total of (A) will be.

본 발명 〔9〕는, 본 발명 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나의 수지 조성물을 포함하는 다이 어태치 페이스트에 관한 것이다.The present invention [9] relates to a die attach paste comprising the resin composition of any one of the present invention [1] to [8].

본 발명 〔10〕은, 본 발명 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나의 수지 조성물을 포함하는 방열 부재용 접착제에 관한 것이다.The present invention [10] relates to an adhesive for a heat radiation member comprising the resin composition of any one of the present invention [1] to [8].

본 발명 〔11〕은, 본 발명 〔9〕의 다이 어태치 페이스트를 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention [11] relates to a semiconductor device manufactured using the die attach paste of the present invention [9].

본 발명 〔12〕는, 본 발명 〔10〕의 방열 부재용 접착제를 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention [12] relates to a semiconductor device manufactured using the adhesive for a heat radiation member of the present invention [10].

본 발명 〔13〕은, 다이 어태치 페이스트를 적용한 표면이 구리인, 본 발명 〔11〕의 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention [13] relates to the semiconductor device of the present invention [11], wherein the surface to which the die attach paste is applied is copper.

본 발명 〔14〕는, 방열 부재용 접착제를 적용한 표면이 구리인, 본 발명 〔12〕의 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention [14] relates to the semiconductor device of the present invention [12], wherein the surface to which the adhesive for the heat radiation member is applied is copper.

본 발명의 수지 조성물은, (A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와, (D) 티오에테르계 화합물을 포함한다. 이에 의해, 필러 표면의 도전성 물질이 과도하게 황화되지 않기 때문에, 수지 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화물의 도전성을 유지할 수 있다.The resin composition of the present invention comprises (A) a filler having a conductive material on the surface of an insulating core material, and (D) a thioether compound. As a result, the conductive material on the surface of the filler is not excessively sulphided, so that the conductivity of the cured product obtained by curing the resin composition can be maintained.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, 땜납 리플로우 등의 고온 프로세스에서 발생하는 히드로퍼옥시드를 분해할 수 있다. 히드로퍼옥시드는, 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 물질이다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물은, 경화물의 열화가 억제되기 때문에, 지지 부재 표면에 대한 우수한 접착성을 가진다.Further, according to the resin composition of the present invention, hydroperoxide generated in a high-temperature process such as solder reflow can be decomposed. Hydroperoxide is a substance capable of accelerating deterioration of a cured product. Therefore, the resin composition of the present invention has excellent adhesion to the surface of the support member because deterioration of the cured product is suppressed.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, 수지 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화물의 지지 부재로부터의 박리가 억제된다.Further, according to the resin composition of the present invention, peeling of the cured product obtained by curing the resin composition from the support member is suppressed.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 구조 입체 장애가 일어난다. 이에 의해, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 대한 반응이 억제되기 때문에, 적당한 가용 시간을 유지할 수 있다.Further, according to the resin composition of the present invention, structural steric hindrance occurs when the (D) thioether compound is used. As a result, the reaction with a thermosetting resin such as an epoxy resin is suppressed, so that a suitable usable time can be maintained.

본 발명의 수지 조성물에 의하면, (1) 도전성을 유지할 수 있는 것, (2) 적당한 가용 시간을 유지할 수 있는 것, (3) 접착 강도가 우수한 것, 및 (4) 고온 프로세스에 있어서 경화물의 박리를 억제할 수 있는 것 등의 효과가 얻어진다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물은, 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제에 적합하게 적용할 수 있다.According to the resin composition of the present invention, it is possible to (1) maintain conductivity, (2) maintain a suitable usable time, (3) provide excellent adhesive strength, and (4) And the like can be suppressed. Therefore, the resin composition of the present invention can be suitably applied to a die attach paste or an adhesive for a heat radiation member.

특히, 본 발명의 수지 조성물 경화물은, 흡습에 의한 강도 열화가 억제되어 있다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 장치는, 흡습 리플로우에 대한 내성이 우수하고, 신뢰성이 높다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은, 지지 부재가 구리인 경우에도, 이들 효과를 발휘할 수 있기 때문에, 유용성이 높다.Particularly, the resin composition cured product of the present invention is suppressed from deterioration in strength due to moisture absorption. Therefore, the semiconductor device manufactured using the resin composition of the present invention is excellent in resistance to moisture absorption reflow and high in reliability. Further, even when the support member is copper, the resin composition of the present invention can exhibit these effects, and therefore has high usability.

본 발명의 수지 조성물은,In the resin composition of the present invention,

(A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와,(A) a filler having a conductive material on a surface of an insulating core material,

(B) 열경화성 수지와,(B) a thermosetting resin,

(C) 경화제와,(C) a curing agent,

(D) 티오에테르계 화합물(D) a thioether compound

을 포함한다..

(A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러(A) a filler having a conductive material on the surface of an insulating core material

본 발명에 따른 수지 조성물을 포함하는 경화물의 도전성은, 필러 표면의 도전성 물질에 의해 얻어진다.The conductivity of the cured product comprising the resin composition according to the present invention is obtained by the conductive material on the filler surface.

절연성의 코어재의 예로서는 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 유리, 탄화규소, 질화알루미늄 및 질화붕소의 입자를 들 수 있다. 절연성의 코어재는, 바람직하게는 알루미나 또는 실리카의 입자이다.Examples of the insulating core material include particles of silica, alumina, titania, zirconia, glass, silicon carbide, aluminum nitride and boron nitride. The insulating core material is preferably particles of alumina or silica.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 필러는, 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖고 있다. 도전성 물질은, 코어재의 표면에 피복되어 있는 것이 바람직하다.The filler used in the resin composition of the present invention has a conductive material on the surface of the insulating core material. The conductive material is preferably coated on the surface of the core material.

도전성 물질의 예로서는, 표준 전극 전위가 0V 이상인 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있다. 표준 전극 전위가 0V 이상인 금속을 사용함으로써, 후술하는 (E)에 포함되는 유기산 성분에 의해, (A)가 받는 영향이 적어진다. 표준 전극 전위가 0V 이상인 금속의 예로서는 은, 금, 구리 및 팔라듐을 들 수 있다.Examples of the conductive material include a metal having a standard electrode potential of 0 V or more, or an alloy thereof. By using a metal having a standard electrode potential of 0 V or higher, the influence of (A) on the organic acid component contained in (E) described later is reduced. Examples of metals having a standard electrode potential of 0 V or higher include silver, gold, copper, and palladium.

도전성 물질은 은, 금, 구리, 팔라듐 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 도전성 물질은, 은 또는 은을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 합금의 예로서는 은, 금, 구리 및 팔라듐으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 합금을 들 수 있다. 합금은, 예를 들어 은 및 구리를 포함하는 합금이나, 은 및 주석을 포함하는 합금이다.The conductive material is preferably at least one selected from the group consisting of silver, gold, copper, palladium, and alloys thereof. The conductive material is preferably an alloy including silver or silver. Examples of alloys include alloys containing at least one kind selected from silver, gold, copper and palladium. The alloy is, for example, an alloy including silver and copper, or an alloy including silver and tin.

필러의 코어재의 표면에는, 도전성 물질이 피복되어도 된다. 도전성 물질의 피복률은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 필러 전체 100질량％에 대하여, 10 내지 70질량％이고, 보다 바람직하게는 20 내지 60질량％이다. 여기에서 말하는 「도전성 물질의 피복률」은 필러 전체의 질량에 대한, 도전성 물질의 질량 비율을 의미한다.The surface of the core material of the filler may be coated with a conductive material. The covering ratio of the conductive material is not particularly limited, but is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, based on 100% by mass of the whole filler. Here, the " coating rate of the conductive material " means the mass ratio of the conductive material to the mass of the whole filler.

필러의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 필러 형상의 예로서는 구 형상, 인편 형상 등을 들 수 있다. 필러의 형상은, 바람직하게는 인편 형상이다.The shape of the filler is not particularly limited. Examples of the pillar shape include a sphere shape and a scaly shape. The shape of the filler is preferably scaly.

필러의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.05 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 40㎛이고, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 25㎛이다. 여기서, 평균 입자 직경은, 레이저 회절법에 의해 측정한 부피 기준의 메디안 직경을 의미한다.The average particle diameter of the filler is preferably 0.05 to 50 占 퐉, more preferably 0.1 to 40 占 퐉, and still more preferably 0.5 to 25 占 퐉. Here, the mean particle diameter means the median diameter based on volume measured by laser diffraction method.

(A)는 1종만 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.(A) may be used alone or in combination of two or more.

(B) 열경화성 수지(B) Thermosetting resin

(B) 열경화성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 실온(25℃)에서 액상인 것이 바람직하다. 열경화성 수지의 예로서는 에폭시 수지, (메트)아크릴 수지, 말레이미드 수지를 들 수 있다.The thermosetting resin (B) is not particularly limited, but it is preferably liquid at room temperature (25 캜). Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a (meth) acrylic resin and a maleimide resin.

에폭시 수지는, 글리시딜기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 에폭시 수지는, 가열에 의해 글리시딜기가 반응함으로써 3차원적 그물눈 구조를 형성하고, 경화될 수 있는 수지이다. 글리시딜기는 경화물 특성의 점에서, 1분자에 2개 이상 포함되어 있는 것이 바람직하다.The epoxy resin is a compound having at least one glycidyl group in the molecule. The epoxy resin is a resin that can be cured by forming a three-dimensional net structure by reacting with a glycidyl group by heating. The glycidyl group preferably contains two or more glycidyl groups per molecule in view of cured properties.

에폭시 수지의 예로서는 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비페놀 등의 비스페놀 화합물 또는 이들의 유도체(예를 들어, 알킬렌옥시드 부가물), 수소 첨가 비스페놀 A, 수소 첨가 비스페놀 F, 수소 첨가 비페놀, 시클로헥산디올, 시클로헥산디메탄올, 시클로헥산디에탄올 등의 지환 구조를 갖는 디올 또는 이들의 유도체, 부탄디올, 헥산디올, 옥탄디올, 노난디올, 데칸디올 등의 지방족 디올 또는 이들의 유도체 등을 에폭시화한 2관능성 에폭시 수지; 트리히드록시페닐메탄 골격, 아미노페놀 골격을 갖는 3관능성 에폭시 수지; 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 비페닐 아르알킬 수지, 나프톨 아르알킬 수지 등을 에폭시화한 다관능성 에폭시 수지를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the epoxy resin include bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F and biphenol or derivatives thereof (e.g., alkylene oxide adducts), hydrogenated bisphenol A, hydrogenated bisphenol F, hydrogenated biphenol, cyclohexanediol Diols having an alicyclic structure such as cyclohexane dimethanol and cyclohexane diethanol or derivatives thereof, aliphatic diols such as butanediol, hexanediol, octanediol, nonanediol and decanediol, or derivatives thereof, Epoxy resin; A trifunctional epoxy resin having a trihydroxyphenylmethane skeleton and an aminophenol skeleton; Phenol novolac resin, cresol novolac resin, phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, and the like, but is not limited thereto.

에폭시 수지는, 실온(25℃)에서 액상인 것이 바람직하다. 에폭시 수지는, 단독 또는 혼합물의 상태에 있어서, 실온에서 액상인 것이 바람직하다. 반응성의 희석제를 사용하여, 에폭시 수지를 액상으로 할 수도 있다. 반응성 희석제의 예로서는 페닐글리시딜에테르, 크레실글리시딜에테르 등의 1관능의 방향족 글리시딜에테르류, 지방족 글리시딜에테르류 등을 들 수 있다.The epoxy resin is preferably liquid at room temperature (25 캜). It is preferable that the epoxy resin is in a liquid state at room temperature in a state of being alone or in a mixture. The reactive diluent may be used to make the epoxy resin into a liquid phase. Examples of the reactive diluent include monofunctional aromatic glycidyl ethers such as phenyl glycidyl ether and cresyl glycidyl ether, and aliphatic glycidyl ethers.

열경화성 수지로서, (메트)아크릴 수지를 사용할 수 있다. (메트)아크릴 수지는 분자 내에 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물일 수 있다. (메트)아크릴 수지는, (메트)아크릴로일기가 반응함으로써 3차원적 그물눈 구조를 형성하고, 경화될 수 있다. (메트)아크릴 수지의 예로서는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 베헤닐(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 기타의 알킬(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, tert-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 징크 모노(메트)아크릴레이트, 징크 디(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜(메트)아크릴레이트, 트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3,4,4-헥사플루오로부틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 옥톡시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 라우록시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 스테아록시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 알릴옥시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 디(메트)아크릴로일옥시메틸트리시클로데칸, N-(메트)아크릴로일옥시에틸말레이미드, N-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드, N-(메트)아크릴로일옥시에틸프탈이미드를 들 수 있다. N,N'-메틸렌비스(메트)아크릴아미드, N,N'-에틸렌비스(메트)아크릴아미드, 1,2-디(메트)아크릴아미드에틸렌글리콜의 (메트)아크릴아미드를 사용할 수도 있다. n-비닐-2-피롤리돈, 스티렌 유도체, α-메틸스티렌 유도체 등의 비닐 화합물을 사용하는 것도 가능하다.As the thermosetting resin, a (meth) acrylic resin can be used. The (meth) acrylic resin may be a compound having a (meth) acryloyl group in the molecule. The (meth) acrylic resin reacts with a (meth) acryloyl group to form a three-dimensional mesh structure and can be cured. Examples of the (meth) acrylic resin include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, Acrylate, stearyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, tert-butylcyclohexyl (meth) acrylate, tetra (meth) acrylate, hexyl (Meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, trimethylolpropane tri Acrylate, ginger (Meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, neopentyl glycol (meth) acrylate, trifluroethyl (meth) acrylate, ) Acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, 2,2,3,3,4,4-hexafluorobutyl (meth) acrylate, perfluorooctyl (Meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexane (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (Meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, stearylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyalkylene glycol mono (meth) acrylate, octoxypolyalkylene glycol mono (Meth) acrylate, nonylphenoxypolyalkylene glycol mono (meth) acrylate, di (meth) acryloyloxymethyl tricyclodecane , N- (meth) acryloyloxyethylmaleimide, N- (meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalimide and N- (meth) acryloyloxyethylphthalimide. (Meth) acrylamides of N, N'-methylenebis (meth) acrylamide, N, N'-ethylenebis (meth) acrylamide and 1,2-di (meth) acrylamide ethylene glycol. vinyl compounds such as n-vinyl-2-pyrrolidone, styrene derivatives, and? -methylstyrene derivatives can also be used.

(메트)아크릴 수지로서, 폴리(메트)아크릴레이트를 사용할 수 있다. 폴리(메트)아크릴레이트로서는, (메트)아크릴산과 (메트)아크릴레이트와의 공중합체 또는 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트와 극성기를 갖지 않는 (메트)아크릴레이트와의 공중합체 등이 바람직하다.As the (meth) acrylic resin, poly (meth) acrylate can be used. The poly (meth) acrylate is preferably a copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylate or a copolymer of (meth) acrylate having a hydroxyl group and (meth) acrylate having no polar group.

(메트)아크릴 수지로서, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 1,2-시클로헥산디올모노(메트)아크릴레이트, 1,3-시클로헥산디올모노(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올모노(메트)아크릴레이트, 1,2-시클로헥산디메탄올모노(메트)아크릴레이트, 1,3-시클로헥산디메탄올모노(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올모노(메트)아크릴레이트, 1,2-시클로헥산디에탄올모노(메트)아크릴레이트, 1,3-시클로헥산디에탄올모노(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디에탄올모노(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판모노(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨모노(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트나 이들 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트와 디카르복실산 또는 그의 유도체를 반응시켜 얻어지는 카르복시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 등을 사용할 수도 있다. 여기서 사용 가능한 디카르복실산으로서는, 예를 들어 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바스산, 말레산, 푸마르산, 프탈산, 테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산 및 이들의 유도체를 들 수 있다.As the (meth) acrylic resin, for example, there may be mentioned 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- Cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 1, 2-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, Cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,2-cyclohexane diethanol mono (meth) acrylate, (Meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) (Meth) acrylate having a hydroxyl group such as neopentyl glycol mono (meth) acrylate or a (meth) acrylate having a carboxyl group obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxyl group with a dicarboxylic acid or a derivative thereof May be used. Examples of dicarboxylic acids usable herein include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, phthalic acid, tetrahydrophthalic acid , Hexahydrophthalic acid, and derivatives thereof.

열경화성 수지로서, 말레이미드 수지를 사용할 수 있다. 말레이미드 수지는 1분자 내에 말레이미드기를 1개 이상 포함하는 화합물이다. 말레이미드 수지는, 가열에 의해 말레이미드기가 반응함으로써 3차원적 그물눈 구조를 형성하고, 경화될 수 있다. 말레이미드 수지의 예로서, N,N'-(4,4'-디페닐메탄)비스말레이미드, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판 등의 비스말레이미드 수지를 들 수 있다. 보다 바람직한 말레이미드 수지는, 다이머산 디아민과 무수 말레산의 반응에 의해 얻어지는 화합물, 말레이미드 아세트산, 말레이미드 카프로산과 같은 말레이미드화 아미노산과 폴리올의 반응에 의해 얻어지는 화합물이다. 말레이미드화 아미노산은, 무수 말레산과 아미노아세트산 또는 아미노카프로산을 반응시킴으로써 얻어진다. 폴리올로서는 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리카르보네이트폴리올, 폴리(메트)아크릴레이트폴리올이 바람직하고, 방향족환을 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다. 말레이미드기는 알릴기와 반응 가능하므로, 알릴에스테르 수지와의 병용도 바람직하다. 알릴에스테르 수지로서는 지방족인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 바람직한 것은, 시클로헥산디알릴에스테르와 지방족 폴리올의 에스테르 교환에 의해 얻어지는 화합물이다.As the thermosetting resin, a maleimide resin can be used. The maleimide resin is a compound containing at least one maleimide group in one molecule. The maleimide resin reacts with the maleimide group by heating to form a three-dimensional mesh structure and can be cured. Examples of the maleimide resins include N, N '- (4,4'-diphenylmethane) bismaleimide, bis (3-ethyl-5-methyl- 4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, and other bismaleimide resins. A more preferable maleimide resin is a compound obtained by the reaction of a maleimide-derived amino acid such as maleimide acetic acid and maleimide caproic acid with a polyol, with a compound obtained by the reaction of dimeric acid diamine and maleic anhydride. The maleimidated amino acid is obtained by reacting maleic anhydride with aminoacetic acid or aminocaproic acid. As the polyol, a polyether polyol, a polyester polyol, a polycarbonate polyol and a poly (meth) acrylate polyol are preferable, and those containing no aromatic ring are particularly preferable. Since the maleimide group can react with the allyl group, it is also preferable to use it in combination with the allyl ester resin. The allyl ester resin is preferably an aliphatic one, and particularly preferable is a compound obtained by transesterification of cyclohexanedialyl ester and an aliphatic polyol.

(C) 경화제(C) Curing agent

본 발명의 수지 조성물은 경화제를 포함한다. 경화제의 예로서는, 지방족 아민, 방향족 아민, 디시안디아미드, 디히드라지드 화합물, 산 무수물, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 이들 경화제를 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention comprises a curing agent. Examples of the curing agent include aliphatic amines, aromatic amines, dicyandiamide, dihydrazide compounds, acid anhydrides, phenol resins and the like. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, these curing agents can be suitably used.

지방족 아민의 예로서는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, m-크실렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민 등의 지방족 폴리아민, 이소포론디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 노르보르넨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산 등의 지환식 폴리아민, N-아미노에틸피페라진, 1,4-비스(2-아미노-2-메틸프로필)피페라진 등의 피페라진형의 폴리아민을 들 수 있다. 방향족 아민의 예로서는, 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디에틸톨루엔디아민, 트리메틸렌비스(4-아미노벤조에이트), 폴리테트라메틸렌옥시드-디-p-아미노벤조에이트 등의 방향족 폴리아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, trimethylhexamethylenediamine, m-xylenediamine and 2-methylpentamethylenediamine, isophoronediamine, 1,3-bisamino Aminocyclohexane) methane, norbornenediamine and 1,2-diaminocyclohexane; alicyclic polyamines such as N-aminoethylpiperazine, 1,4-bis (2-amino- 2-methylpropyl) piperazine, and the like. Examples of aromatic amines include diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, diethyltoluenediamine, trimethylenebis (4-aminobenzoate), polytetramethyleneoxide-di-p-amino And aromatic polyamines such as benzoate.

디히드라지드 화합물의 예로서는 아디프산디히드라지드, 도데칸산디히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, p-옥시벤조산디히드라지드 등의 카르복실산디히드라지드 등을 들 수 있다. 산 무수물의 예로서는 프탈산 무수물, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 엔도메틸렌테트라히드로프탈산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 무수 말레산과 폴리부타디엔의 반응물, 무수 말레산과 스티렌의 공중합체 등을 들 수 있다. 페놀 수지로서는 경화물 특성의 관점에서, 1분자 내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 바람직한 페놀성 수산기의 수는 2 내지 5이다. 페놀성 수산기의 수가 이 범위라면, 수지 조성물의 점도를 적절한 범위로 제어할 수 있다. 보다 바람직한 1분자 내의 페놀성 수산기의 수는 2개 또는 3개이다. 이러한 화합물의 예로서는 비스페놀 F, 비스페놀 A, 비스페놀 S, 테트라메틸비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 F, 테트라메틸비스페놀 S, 디히드록시디페닐에테르, 디히드록시벤조페논, 테트라메틸비페놀, 에틸리덴비스페놀, 메틸에틸리덴비스(메틸페놀), 시클로헥실리덴비스페놀, 비페놀 등의 비스페놀류 및 그의 유도체, 트리(히드록시페닐)메탄, 트리(히드록시페닐)에탄 등의 3관능의 페놀류 및 그의 유도체, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 페놀류와 포름알데히드를 반응시킴으로써 얻어지는 화합물로 2핵체 또는 3핵체가 메인인 것 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the dihydrazide compound include a carboxylic acid dihydrazide such as adipic acid dihydrazide, dodecanedic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide and p-oxybenzoic acid dihydrazide. Examples of the acid anhydride include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, a reaction product of maleic anhydride and polybutadiene, and a copolymer of maleic anhydride and styrene. As the phenol resin, a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule can be used from the viewpoint of cured properties. The preferred number of phenolic hydroxyl groups is 2 to 5. When the number of the phenolic hydroxyl groups is within this range, the viscosity of the resin composition can be controlled within an appropriate range. More preferably, the number of phenolic hydroxyl groups in one molecule is two or three. Examples of such compounds include bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, tetramethyl bisphenol A, tetramethyl bisphenol F, tetramethyl bisphenol S, dihydroxydiphenyl ether, dihydroxybenzophenone, tetramethylbiphenol, Bisphenols such as methyl ethylidene bis (methyl phenol), cyclohexylidene bisphenol and biphenol and derivatives thereof, trifunctional phenols such as tri (hydroxyphenyl) methane and tri (hydroxyphenyl) ethane, and derivatives thereof , Phenol novolak, cresol novolac, and the like, and formaldehyde, and examples thereof include dicarboxylic acids or their derivatives and derivatives thereof.

경화제로서, 열 라디칼 중합 개시제 등의 중합 개시제를 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서 (메트)아크릴 수지를 사용하는 경우, 이러한 경화제를 적합하게 사용할 수 있다. 중합 개시제로서는, 공지된 것을 사용할 수 있다. 열 라디칼 중합 개시제의 구체예로서는 메틸에틸케톤퍼옥시드, 메틸시클로헥사논퍼옥시드, 메틸아세토아세테이트퍼옥시드, 아세틸아세톤퍼옥시드, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,2-비스(4,4-디-t-부틸퍼옥시시클로헥실)프로판, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, n-부틸4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-2-메틸시클로헥산, t-부틸히드로퍼옥시드, P-멘탄히드로퍼옥시드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸히드로퍼옥시드, t-헥실히드로퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, t-부틸쿠밀퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 이소부티릴퍼옥시드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 신남산퍼옥시드, m-톨루오일퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-3-메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카르보네이트, 디-sec-부틸퍼옥시디카르보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸)퍼옥시디카르보네이트, 디(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, α,α'-비스(네오데카노일퍼옥시)디이소프로필벤젠, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3,-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시피발레이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시말레익아시드, t-부틸퍼옥시라우레이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시아세테이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시-m-톨루오일벤조에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 비스(t-부틸퍼옥시)이소프탈레이트, t-부틸퍼옥시알릴모노카르보네이트, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등을 들 수 있다. 이들은 1종만 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.As the curing agent, a polymerization initiator such as a thermal radical polymerization initiator may be used. When a (meth) acrylic resin is used as the thermosetting resin, such a curing agent can be suitably used. As the polymerization initiator, known ones can be used. Specific examples of thermal radical polymerization initiators include methyl ethyl ketone peroxide, methyl cyclohexanone peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5-trimethyl Cyclohexane, cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane, (4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, n-butyl 4,4- Bis (t-butylperoxy) valerate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, 1,1- , T-butyl hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t- Butylperoxy) hexane, alpha, alpha '-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, t-butylcumylperoxide, di- (T-butylperoxy) hexyne-3, isobutyryl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, lauroyl (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-3-methoxybenzyl peroxide, peroxydicarbonate peroxide, peroxydicarbonate peroxide, Butyl peroxydicarbonate, di-2-ethylhexyl peroxydicarbonate, di-sec-butyl peroxydicarbonate, di (3-methyl- 4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, α, α'-bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumyl peroxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetra Methyl butyl peroxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methyl ethyl peroxyneodecanoate, t-hexyl peroxyneodecanoate, t-butyl peroxyneodecanoate, t-hexyl peroxy Fever Butyl peroxypivalate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexa Hexylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, Butyl peroxy isobutyrate, t-butyl peroxymaleic acid, t-butyl peroxylaurate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-butyl peroxyisopropyl monocarb Butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butyl peroxyacetate, t-hexyl peroxybenzoate, butylperoxy benzoate, t-butyl peroxybenzoate, bis (t-butylperoxy) isophthalate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ' 4'-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, and the like. All. These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물은, 경화 촉진제를 포함할 수 있다. 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 경화 촉진제의 예로서, 이미다졸류, 트리페닐포스핀 또는 테트라페닐포스핀의 염류 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-C11H23-이미다졸, 2-메틸이미다졸과 2,4-디아미노-6-비닐트리아진과의 부가물 등의 이미다졸 화합물이 바람직하다. 변성 이미다졸 화합물도 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시-이미다졸 어덕트계 화합물이나 아크릴레이트-이미다졸 어덕트 화합물을 사용할 수 있다. 시판되고 있는 에폭시-이미다졸 어덕트계 화합물로서는, 예를 들어 아지노모토 파인테크노사제 「아지큐어 PN-23」, 동사제 「아지큐어 PN-40」, 아사히 가세이사제 「노바큐어 HX-3721」, 후지 가세이 고교사제 「후지큐어 FX-1000」 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 아크릴레이트-이미다졸 어덕트계 화합물로서는, 예를 들어 ADEKA사제 「EH2021」 등을 들 수 있다. 아사히 가세이사제 「노바큐어 HX-3088」도 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a curing accelerator. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, examples of the curing accelerator include imidazoles, salts of triphenylphosphine or tetraphenylphosphine, and the like. Among them, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl- The addition of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-C 11 H 23 -imidazole, 2-methylimidazole and 2,4-diamino-6-vinyltriazine Imidazole compounds such as water are preferable. Modified imidazole compounds may also be used. For example, an epoxy-imidazole duct-based compound or an acrylate-imidazoline duct compound can be used. Examples of commercially available epoxy-imidazole duct-based compounds include Ajigyear PN-23 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ajyure PN-40 manufactured by the same company, Novacure HX-3721 manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Fuji Cure FX-1000 " manufactured by Fuji Kasei Kogyo Co., Ltd., and the like. Examples of commercially available acrylate-imidazole adduct-based compounds include "EH2021" manufactured by ADEKA. Nova Cure HX-3088 "manufactured by Asahi Kasei Corporation can also be used.

(B)는 에폭시 수지 및/또는 (메트)아크릴 수지인 것이 바람직하다. 특히, 에폭시 수지와 (메트)아크릴 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 에폭시 수지와 (메트)아크릴 수지의 사용량은, 질량 비율(에폭시 수지:(메트)아크릴 수지)로, 95:5 내지 40:60이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90:10 내지 51:49이다. 이렇게 에폭시 수지와 (메트)아크릴 수지를 병용하는 경우에 있어서는 (C)로서, 에폭시 수지용의 경화제와 열 라디칼 중합 개시제를 병용하는 것이 바람직하다.(B) is preferably an epoxy resin and / or a (meth) acrylic resin. Particularly, it is preferable to use an epoxy resin and a (meth) acrylic resin in combination. In this case, the amount of the epoxy resin and (meth) acrylic resin used is preferably 95: 5 to 40:60, more preferably 90:10 to 51:50, in mass ratio (epoxy resin: (meth) 49. When the epoxy resin and the (meth) acrylic resin are used together, (C), it is preferable to use the curing agent for the epoxy resin together with the thermal radical polymerization initiator.

(D) 티오에테르계 화합물(D) a thioether compound

티오에테르계 화합물은, 2차 산화 방지제인 것이 바람직하다. 산화 방지제는 일반적으로, 1차 산화 방지제(라디칼 보충제)와 2차 산화 방지제(과산화물 분해제)로 분류된다.The thioether compound is preferably a secondary antioxidant. Antioxidants are generally classified as primary antioxidants (radical supplements) and secondary antioxidants (release of peroxide).

본 발명의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 필러의 표면에 피복된 도전성 물질을 과도하게 황화하지 않고, 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 도전성을 유지할 수 있다.According to the resin composition of the present invention, by using the thioether compound (D), the conductivity of the cured product obtained by curing the resin composition can be maintained without excessively sulfiding the conductive substance coated on the surface of the filler.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 땜납 리플로우 등의 고온 프로세스에서 발생하는 히드로퍼옥시드를 분해할 수 있다. 히드로퍼옥시드는 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 물질이다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물은, 경화물의 열화가 억제되기 때문에, 지지 부재 표면에 대한 우수한 접착성을 가진다.Further, according to the resin composition of the present invention, the hydroperoxide generated in the high temperature process such as solder reflow can be decomposed by using the (D) thioether compound. Hydroperoxide is a substance that can accelerate deterioration of the cured product. Therefore, the resin composition of the present invention has excellent adhesion to the surface of the support member because deterioration of the cured product is suppressed.

또한, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 구조 입체 장애가 일어난다. 이에 의해, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 대한 반응이 억제되기 때문에, 적당한 가용 시간을 유지할 수 있다.Further, according to the resin composition of the present invention, structural steric hindrance occurs when the (D) thioether compound is used. As a result, the reaction with a thermosetting resin such as an epoxy resin is suppressed, so that a suitable usable time can be maintained.

티오에테르계 화합물의 구체예로서, 디라우릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3'-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디트리데실-3,3'-티오디프로피오네이트 등의 디에스테르 구조를 갖는 티오에테르계 화합물, 비스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)술피드와 같이 벤젠환을 갖는 티오에테르계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 티오에테르계 화합물은, 1종만 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Specific examples of the thioether compounds include dilauryl-3,3'-thiodipropionate, dimyristyl-3,3'-thiodipropionate, distearyl-3,3'-thiodipropane (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide and a thioether compound having a diester structure such as dodecylphenate, ditridecyl-3,3'-thiodipropionate, A thioether compound having a benzene ring, and the like. These thioether compounds may be used alone or in combination of two or more.

티오에테르계 화합물은, 디라우릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3'-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디트리데실-3,3'-티오디프로피오네이트 및 비스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)술피드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 티오에테르계 화합물인 것이 바람직하다.The thioether compound is exemplified by dilauryl-3,3'-thiodipropionate, dimyristyl-3,3'-thiodipropionate, distearyl-3,3'-thiodipropionate, At least one thioether compound selected from the group consisting of ditridecyl-3,3'-thiodipropionate and bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide .

(E) (E1) 비점이 200℃ 이상인 유기산의 금속염, 및/또는 (E2) 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자와의 조합(E1) a metal salt of an organic acid having a boiling point of 200 DEG C or higher, and / or (E2) a combination of metal particles and / or metal oxide particles with an organic acid having a boiling point of 200 DEG C or higher

(E1) 비점이 200℃ 이상인 유기산의 금속염에 있어서의 유기산은, 비점이 200℃ 이상이다. 유기산은, 예를 들어 비점이 200 내지 300℃이다. 비점이 200℃ 이상인 유기산을 사용함으로써, 가열 경화 공정에서의 보이드의 발생이 억제된다. 비점은 대기압 하에서의 수치이다.(E1) The organic acid in the metal salt of the organic acid having a boiling point of 200 DEG C or higher has a boiling point of 200 DEG C or higher. The organic acid has, for example, a boiling point of 200 to 300 占 폚. By using an organic acid having a boiling point of 200 deg. C or higher, generation of voids in the heat hardening step is suppressed. The boiling point is the value under atmospheric pressure.

본 발명의 수지 조성물은, 우수한 접착 강도를 나타내고, 고온 프로세스에서의 경화물의 박리를 억제한다. 본 발명의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 히드로퍼옥시드를 분해할 수 있다. 히드로퍼옥시드를 분해함으로써, 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 열화를 억제할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 수지 조성물은, 지지 부재 표면에 대한 우수한 접착성을 발휘한다. 여기서, (D) 티오에테르계 화합물은, 지지 부재 표면에 구리가 존재하는 경우에는, 구리를 황화시킨다. (D) 티오에테르계 화합물과 (E)를 병용함으로써, (E)의 금속 부분이, 필러 표면의 도전성 물질의 과도한 황화를 억제한다. 또한, (D) 티오에테르계 화합물과 (E)를 병용함으로써, (E)의 금속 부분이, 지지 부재인 기재의 재료(예를 들어 구리)의 과도한 황화를 억제한다. 그 결과, 지지 부재가 구리를 포함하는 경우에는, 수지 조성물의, 지지 부재에 대한 접착성의 저하가 억제된다고 생각된다. 또한, (E)가 지지 부재 표면의 접착성을 저해하는 물질을 제거한다. (D)가 고온 프로세스에서 발생하는, 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 히드로퍼옥시드를 분해한다. 이 작용에 의해, 경화물의 박리가 억제된다고 생각된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin composition of the present invention exhibits excellent adhesive strength and inhibits peeling of a cured product in a high-temperature process. According to the resin composition of the present invention, the hydroperoxide capable of accelerating the deterioration of the cured product can be decomposed by using the (D) thioether compound. By decomposing the hydroperoxide, deterioration of the cured product obtained by curing the resin composition can be suppressed. As a result, the resin composition of the present invention exhibits excellent adhesion to the surface of the support member. Here, the (D) thioether compound sulfides copper when the copper exists on the surface of the support member. (E) together with the (D) thioether compound suppresses excessive sulfuration of the conductive material on the surface of the filler. Further, by using the (D) thioether compound and (E) in combination, the metal portion of (E) suppresses excessive sulphation of the base material (e.g., copper) as the support member. As a result, when the support member includes copper, it is considered that the lowering of the adhesiveness of the resin composition to the support member is suppressed. Further, (E) removes a substance which hinders adhesion of the surface of the support member. (D) decomposes the hydroperoxide which can promote the deterioration of the cured product, which occurs in the high-temperature process. It is considered that the peeling of the cured product is suppressed by this action.

유기산의 예로서, 구체적으로는 포화 모노카르복실산 등을 들 수 있다. 유기산은, 바람직하게는 실온(25℃)에서 액상인 포화 모노카르복실산이다. 포화 모노카르복실산은, 예를 들어 분지 또는 직쇄상의 카르복실산이다. 이들 카르복실산은, 지환식기(시클로펜탄 잔기, 시클로헥산 잔기 등)를 갖고 있어도 된다.Specific examples of the organic acid include a saturated monocarboxylic acid and the like. The organic acid is preferably a saturated monocarboxylic acid which is in a liquid state at room temperature (25 占 폚). The saturated monocarboxylic acid is, for example, a branched or straight chain carboxylic acid. These carboxylic acids may have an alicyclic group (cyclopentane residue, cyclohexane residue, etc.).

유기산의 예로서, 구체적으로는 2-에틸헥산산 등의 분지상 포화 모노카르복실산, 시클로펜탄카르복실산 등의 시클로알칸모노카르복실산을 들 수 있다. 또한, 나프텐산 등의 카르복실산 혼합물이며, 비점이 200℃ 이상인 것도, (E1)에 있어서의 유기산으로서 사용할 수 있다. 유기산은, 바람직하게는 2-에틸헥산산, 시클로펜탄카르복실산 또는 나프텐산이다.Specific examples of the organic acid include a branched saturated monocarboxylic acid such as 2-ethylhexanoic acid, and a cycloalkane monocarboxylic acid such as cyclopentanecarboxylic acid. Further, a carboxylic acid mixture such as naphthenic acid and having a boiling point of 200 ° C or higher can also be used as the organic acid in (E1). The organic acid is preferably 2-ethylhexanoic acid, cyclopentanecarboxylic acid or naphthenic acid.

(E1) 비점이 200℃ 이상인 유기산의 금속염에 있어서의 금속염은, 예를 들어 표준 전극 전위가 0V 미만인 금속의 염이다. 표준 전극 전위가 0V 미만인 금속의 예는 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간 및 주석이다. 이들 금속의 염의 예는 아연염, 코발트염, 니켈염, 마그네슘염, 망간염 및 주석염이다. 금속염은, 바람직하게는 아연염 또는 코발트염이다. 지지 부재가 구리를 포함하는 경우, 구리 또는 구리보다도 이온화 경향이 큰 금속의 염을 사용함으로써, 지지 부재로부터의 구리의 유출을 방지할 수 있다.(E1) The metal salt of a metal salt of an organic acid having a boiling point of 200 ° C or higher is, for example, a salt of a metal having a standard electrode potential of less than 0 V. Examples of metals having a standard electrode potential of less than 0 V are zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese and tin. Examples of salts of these metals are zinc salts, cobalt salts, nickel salts, magnesium salts, manganese salts and tin salts. The metal salt is preferably a zinc salt or a cobalt salt. When the support member includes copper, by using a salt of a metal having a tendency to ionize more than copper or copper, the outflow of copper from the support member can be prevented.

(E1)의 예로서는 2-에틸헥산산아연, 2-에틸헥산산코발트, 2-에틸헥산산니켈, 2-에틸헥산산마그네슘, 2-에틸헥산산망간, 2-에틸헥산산주석, 시클로펜탄카르복실산아연, 시클로펜탄카르복실산코발트, 시클로펜탄카르복실산니켈, 시클로펜탄카르복실산마그네슘, 시클로펜탄카르복실산망간, 시클로펜탄카르복실산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 나프텐산니켈, 나프텐산마그네슘, 나프텐산망간, 나프텐산주석을 들 수 있다. (E1)는 바람직하게는 2-에틸헥산산아연, 시클로펜탄산아연, 나프텐산아연, 2-에틸헥산산코발트, 시클로펜탄산코발트 또는 나프텐산코발트이다.(E1) include zinc 2-ethylhexanoate, cobalt 2-ethylhexanoate, nickel 2-ethylhexanoate, magnesium 2-ethylhexanoate, manganese 2-ethylhexanoate, tin 2-ethylhexanoate, Cobalt cyclopentanecarboxylate, nickel cyclopentanecarboxylate, magnesium cyclopentanecarboxylate, manganese cyclopentanecarboxylate, tincyclopentanecarboxylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, nickel naphthenate , Magnesium naphthenate, manganese naphthenate, and tin naphthenate. (E1) is preferably zinc 2-ethylhexanoate, zinc cyclopentanate, zinc naphthenate, cobalt 2-ethylhexanoate, cobalt cyclopentanoate or cobalt naphthenate.

(E2)에 있어서의, 비점이 200℃ 이상인 유기산으로서는, (E1)과의 관계에서 상기에 나타낸 유기산을 사용할 수 있다. (E2)에 있어서의 유기산은, 바람직하게는 2-에틸헥산산, 시클로펜탄카르복실산 또는 나프텐산이다.As the organic acid having a boiling point of not less than 200 占 폚 in the organic solvent (E2), the organic acid shown above in relation to (E1) can be used. The organic acid in (E2) is preferably 2-ethylhexanoic acid, cyclopentanecarboxylic acid or naphthenic acid.

(E2)에 있어서의 금속 입자의 예로서는, 표준 전극 전위가 0V 미만인 금속의 입자를 들 수 있다. 금속 입자는, 예를 들어 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간, 주석 및 이들의 합금의 입자이다. 합금의 예로서는, 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간 및 주석으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 합금을 들 수 있다. 합금은, 예를 들어 아연 및 알루미늄을 포함하는 합금, 또는 황동이다. 금속 입자는, 바람직하게는 아연 입자, 코발트 입자, 또는 아연 합금 입자이다. 지지 부재가 구리를 포함하는 경우, 구리 또는 구리보다도 이온화 경향이 큰 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 지지 부재로부터의 구리의 유출을 방지할 수 있다. 또한, 주석 입자를 첨가함으로써, 주석의 희생 산화에 의해, 구리를 포함하는 지지 부재가 보호된다. 이에 의해, 지지 부재에 접합된 다이의 전단 강도를 향상시킬 수 있다.Examples of the metal particles in the electroconductive layer (E2) include particles of a metal having a standard electrode potential of less than 0V. The metal particles are, for example, particles of zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese, tin and alloys thereof. Examples of alloys include alloys containing at least one kind selected from zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese and tin. The alloy is, for example, an alloy including zinc and aluminum, or brass. The metal particles are preferably zinc particles, cobalt particles, or zinc alloy particles. When the supporting member includes copper, it is preferable to use a metal having a higher ionization tendency than copper or copper. Thereby, the outflow of copper from the support member can be prevented. Further, by the addition of the tin particles, the support member containing copper is protected by the sacrificial oxidation of tin. Thereby, the shear strength of the die bonded to the support member can be improved.

(E2)에 있어서의, 금속 산화물 입자로서는, 표준 전극 전위가 0V 미만인 금속의 산화물 입자를 들 수 있고. 금속 산화물 입자로서, 예를 들어 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간 및 주석의 산화물 입자를 들 수 있다. (E2)에 있어서의 금속 산화물 입자는, 바람직하게는 산화아연 입자이다.(E2), metal oxide particles having a standard electrode potential of less than 0 V can be exemplified. Examples of the metal oxide particles include oxide particles of zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese and tin. The metal oxide particles in (E2) are preferably zinc oxide particles.

(E2)에 있어서의, 금속 입자 및 금속 산화물 입자의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 구 형상, 인편 형상 등이다. 금속 입자 및 금속 산화물 입자의 평균 입자 직경은 0.05 내지 20㎛일 수 있고, 바람직하게는 0.05 내지 15㎛이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 8㎛이다. 여기서, 평균 입자 직경은, 레이저 회절법에 의해 측정된 부피 기준의 메디안 직경을 의미한다.The shape of the metal particles and the metal oxide particles in the coating layer (E2) is not particularly limited and is, for example, a sphere shape, a flake shape, or the like. The average particle diameter of the metal particles and the metal oxide particles may be 0.05 to 20 占 퐉, preferably 0.05 to 15 占 퐉, and more preferably 0.1 to 8 占 퐉. Here, the average particle diameter means the median diameter based on volume measured by laser diffraction method.

(E2)는 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 입자의 조합이어도 되고, 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 산화물 입자의 조합이어도 되고, 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 입자와 산화 금속 입자와의 조합이어도 된다.(E2) may be a combination of an organic acid and a metal particle having a boiling point of 200 ° C or higher, a combination of an organic acid and a metal oxide particle having a boiling point of 200 ° C or higher, or a combination of an organic acid having a boiling point of 200 ° C or higher, do.

(E2)의 예로서, 구체적으로는 2-에틸헥산산, 시클로펜탄카르복실산 및 나프텐산으로부터 선택되는 1종 이상과, 아연 입자, 코발트 입자, 아연 합금 입자 및 산화아연 입자로부터 선택되는 1종 이상과의 조합을 들 수 있다.(E2), specifically, at least one selected from 2-ethylhexanoic acid, cyclopentanecarboxylic acid and naphthenic acid, and at least one selected from zinc particles, cobalt particles, zinc alloy particles and zinc oxide particles And a combination of the above.

(E2)에 있어서의, 비점이 200℃ 이상인 유기산과, 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자의 사용량은, 질량 비율(비점이 200℃ 이상인 유기산:금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자)로, 10:90 내지 90:10이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20:80 내지 60:40이다.(Organic acid: metal particles and / or metal oxide particles having a boiling point of not less than 200 占 폚) of the organic acid and the metal oxide and / or the metal oxide particle having a boiling point of not less than 200 deg. 90 to 90:10, and more preferably 20:80 to 60:40.

(E)로서, (E1)만 또는 (E2)만을 사용해도 되고, (E1)과 (E2)를 병용해도 된다. (E2)를 사용하는 경우, 유기산의 양을 제어하기 쉽고, 경화 시에, 유기산의 블리드를 억제할 수 있다.(E1) alone or (E2) may be used alone, and (E1) and (E2) may be used in combination. (E2) is used, the amount of the organic acid is easily controlled, and bleeding of the organic acid can be suppressed at the time of curing.

본 발명에 있어서, (A) 내지 (D)의 합계 100질량부에 대하여, (A)는 40 내지 90질량부일 수 있다. 전기 전도성의 관점에서, (A)는 보다 바람직하게는 55 내지 90질량부이고, 더욱 바람직하게는 60 내지 88질량부이다.In the present invention, (A) may be 40 to 90 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) to (D). From the viewpoint of electrical conductivity, (A) is more preferably 55 to 90 parts by mass, and still more preferably 60 to 88 parts by mass.

(A) 내지 (D)의 합계 100질량부에 대하여, (B)는 5 내지 55질량부일 수 있다. 열경화성의 관점에서, (B)는 보다 바람직하게는 5 내지 50질량부이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 40질량부이다.(B) may be 5 to 55 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) to (D). From the viewpoint of the thermosetting property, (B) is more preferably 5 to 50 parts by mass, and still more preferably 10 to 40 parts by mass.

(A) 내지 (D)의 합계 100질량부에 대하여, (C)는 1 내지 50질량부일 수 있다. 경화성의 관점에서, (C)는 보다 바람직하게는 2 내지 40질량부이고, 더욱 바람직하게는 2 내지 20질량부이다.(C) may be 1 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) to (D). From the viewpoint of the curability, (C) is more preferably 2 to 40 parts by mass, and still more preferably 2 to 20 parts by mass.

(D)는 (A) 내지 (C)의 합계 100질량부에 대하여, 0.05 내지 1.5질량부일 수 있다. 보존 안정성과, 필러 표면의 도전성 물질의 과도한 황화에 의한 도전성의 저하를 억제하는 점에서, (D)는 보다 바람직하게는 0.05 내지 1.0질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.75질량부이다.(D) may be 0.05 to 1.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) to (C). (D) is more preferably 0.05 to 1.0 part by mass, and still more preferably 0.05 to 0.75 part by mass in view of the preservation stability and suppressing the deterioration of the conductivity due to excessive sulphation of the conductive material on the surface of the filler.

본 발명에 있어서, (A) 내지 (D)의 배합량은 전술한 바와 같다.In the present invention, the blending amounts of (A) to (D) are as described above.

(E)는 (A) 내지 (E)의 합계 100질량부에 대하여, 0.1 내지 5질량부일 수 있다. 고온 프로세스에서의 경화물의 박리 억제 효과의 관점에서, (E)는 보다 바람직하게는 0.1 내지 2질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1질량부이다.(E) may be 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of (A) to (E). (E) is more preferably 0.1 to 2 parts by mass, and still more preferably 0.1 to 1 part by mass from the viewpoint of the effect of suppressing peeling of the cured product in the high temperature process.

(F) 그 밖의 성분(F) Other components

본 발명의 수지 조성물은, (F) 그 밖의 성분을 함유할 수 있다. (F) 그 밖의 성분은, 예를 들어 커플링제(실란 커플링제, 티타늄 커플링제 등), 착색제, 소포제, 계면 활성제, 중합 금지제 등의 첨가제이다.The resin composition of the present invention may contain (F) other components. (F) The other components are, for example, additives such as coupling agents (silane coupling agents, titanium coupling agents, etc.), colorants, defoamers, surfactants and polymerization inhibitors.

본 발명의 수지 조성물은, (A) 이외의 성분을 혼합한 후, 3개 롤 분산기를 사용하여 이들 성분을 혼련하고, 계속해서 (A)를 첨가하여 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다.The resin composition of the present invention can be produced by mixing components other than (A), kneading these components using a three-roll disperser, adding (A) subsequently and mixing them uniformly.

본 발명의 수지 조성물은, 다이 어태치 페이스트, 또는 방열 부재용 접착제로서 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can be suitably used as a die attach paste or an adhesive for a heat radiation member.

구체적으로는, 본 발명의 수지 조성물을 함유하는 다이 어태치 페이스트나 방열 부재용 접착제가 적용된 리드 프레임이나 기판 등에, 반도체 소자나 방열 부재 등을 마운트한다. 이어서, 다이 어태치 페이스트나 접착제를 가열하여 경화시킨다. 이에 의해, 반도체 소자나 방열 부재 등을, 리드 프레임이나 기판 등에 접착할 수 있다. 가열의 조건은 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 100 내지 200℃의 피크 온도에서, 다이 어태치 페이스트나 접착제를 가열할 수 있다. 계속해서, 와이어 본딩 및 밀봉의 공정을 거쳐, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이 반도체 장치를 프린트 배선 기판 상에 땜납 실장함으로써, 각종 전자 부품을 제조할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 접착 강도가 우수하고, 고온 프로세스에 있어서 경화물이 박리되기 어렵다. 또한, 본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 고온 프로세스에 있어서, 흡습에 의해 강도가 열화되는 것이 억제되어 있다. 특히, 지지 부재가 구리 리드 프레임, 구리 기판, 또는 수지 기판인 경우에, 이들 효과가 유효하게 발휘된다.Specifically, a semiconductor element, a radiation member, or the like is mounted on a lead frame or a substrate to which a die attach paste containing the resin composition of the present invention or an adhesive for a radiation member is applied. Subsequently, the die attach paste and the adhesive are heated and cured. Thus, the semiconductor element, the heat radiating member, and the like can be bonded to a lead frame, a substrate, or the like. The heating conditions can be appropriately selected. For example, at a peak temperature of 100 to 200 DEG C, the die attach paste or adhesive can be heated. Subsequently, the semiconductor device can be manufactured through a process of wire bonding and sealing. Various electronic components can be manufactured by soldering this semiconductor device on a printed wiring board. The cured product of the resin composition of the present invention has excellent adhesive strength and hardly peels off the cured product in a high-temperature process. Further, the cured product of the resin composition of the present invention is suppressed from being deteriorated in strength by moisture absorption in a high-temperature process. In particular, when the supporting member is a copper lead frame, a copper substrate, or a resin substrate, these effects are effectively exhibited.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 의해, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 부, ％는 달리 언급이 없는 한, 질량부, 질량％를 나타낸다. 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. Parts and%, unless otherwise specified, refer to parts by mass and% by mass. But the present invention is not limited to these examples.

평균 입자 직경은, 레이저 회절법에 의해 측정한 부피 기준의 메디안 직경이다.The average particle diameter is a median diameter on a volume basis as measured by laser diffraction.

실시예에서 사용한 각 성분은, 이하와 같다.Each component used in the examples is as follows.

a1: 50질량％ Ag 코팅 알루미나 입자(평균 입자 직경 20㎛, 은도금 두께 1㎛)a1: 50 mass% Ag-coated alumina particles (average particle diameter 20 m, silver plating thickness 1 m)

a2: 30질량％ Ag 코팅 알루미나 입자(평균 입자 직경 20㎛, 은도금 두께 1㎛)a2: 30 mass% Ag-coated alumina particles (average particle diameter 20 m, silver plating thickness 1 m)

a3: 주석 입자(평균 입자 직경 5㎛)a3: tin particles (average particle diameter 5 占 퐉)

b1: 비스페놀 A 프로필렌옥시드 부가물의 폴리글리시딜에테르(에폭시 당량=320g/eq, 수산기 당량=1120)b1: polyglycidyl ether of bisphenol A propylene oxide adduct (epoxy equivalent = 320 g / eq, hydroxyl equivalent = 1120)

b2: 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트b2: Neopentyl glycol dimethacrylate

b3: N-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드b3: N-acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide

b4: 1,6-헥산디올글리시딜에테르b4: 1,6-hexanediol glycidyl ether

b5: 시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르b5: Cyclohexanedimethanol diglycidyl ether

c1: 크레졸 노볼락 수지 수산기 당량=118g/eq 연화점 105 내지 115℃c1: Cresol novolak resin hydroxyl equivalent = 118 g / eq Softening point 105 to 115 캜

c2: 노바큐어 HX3088(아사히 가세이 이머티리얼즈사제, 마이크로 캡슐화 이미다졸)c2: Novacure HX3088 (manufactured by Asahi Kasei Imperialties, microcapsulated imidazole)

c3: 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시2-에틸헥사노에이트c3: 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate

d1: 디트리데실-3,3'-티오디프로피오네이트d1: Ditridecyl-3,3'-thiodipropionate

d2: 비스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)술피드d2: bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide

d3: 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트d3: Distearyl-3,3'-thiodipropionate

d4: 2-머캅토벤조이미다졸d4: 2-mercaptobenzoimidazole

d5: 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)d5: Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate)

e1: 2-에틸헥산산(비점 228℃)e1: 2-Ethylhexanoic acid (boiling point 228 DEG C)

e2: 산화아연 입자(평균 입자 직경 0.60㎛)e2: zinc oxide particles (average particle diameter: 0.60 mu m)

e3: 2-에틸헥산산아연(아연 함유량 22질량％)e3: zinc 2-ethylhexanoate (zinc content 22 mass%)

e4: 아연 입자(평균 입자 직경 3.7㎛)e4: zinc particles (average particle diameter: 3.7 mu m)

e5: 나프텐산코발트(코발트 함유량 8질량％)e5: cobalt naphthenate (cobalt content: 8% by mass)

e6: 비스(2-에틸헥산산) 코발트(II)(코발트 함유량 8질량％)e6: bis (2-ethylhexanoic acid) cobalt (II) (cobalt content: 8% by mass)

e7: 나프텐산(비점 200℃ 이상)e7: Naphthenic acid (boiling point over 200 ℃)

f1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란f1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane

f2: 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드f2: bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide

실시예 및 비교예의 수지 조성물을, 이하의 (1) 내지 (4)의 수순에 따라서 제조하였다.The resin compositions of Examples and Comparative Examples were prepared according to the following procedures (1) to (4).

(1) 표 1 내지 3의 b1 내지 b3을 혼합하고, 100℃가 될 때까지 가열하였다.(1) b1 to b3 in Tables 1 to 3 were mixed and heated to 100 占 폚.

(2) 상기 (1)에서 얻어진 혼합물에, c1을 첨가하였다. c1을 첨가한 후, 혼합물을 가열하여 c1을 용해시켰다. c1이 용해된 후, 혼합물을 실온까지 냉각하였다.(2) To the mixture obtained in the above (1), c1 was added. After adding c1, the mixture was heated to dissolve c1. After c1 was dissolved, the mixture was cooled to room temperature.

(3) 상기 (2)에서 얻어진 혼합물에, c2, c3 및 a1 내지 a3 이외의 성분을 첨가하고, 교반 날개가 부착된 교반기를 사용하여 균일하게 혼합하였다.(3) Components other than c2, c3, and a1 to a3 were added to the mixture obtained in the above (2), and they were uniformly mixed using an agitator equipped with a stirring blade.

(4) 추가로, 상기 (3)에서 얻어진 혼합물에, a1 내지 a3을 첨가하고, 3개 롤 분산기를 사용하여 분산시켰다. a1 내지 a3을 분산시킨 후, c2 및 c3을 첨가하고, 교반 날개가 부착된 교반기를 사용하여 균일하게 혼합하여, 수지 조성물을 얻었다.(4) Further, a1 to a3 were added to the mixture obtained in the above (3) and dispersed using a three roll disperser. a1 to a3 were dispersed, c2 and c3 were added, and the mixture was homogeneously mixed using an agitator equipped with a stirring blade to obtain a resin composition.

표 1 내지 3 중, 평가의 항에 기재된 수치 이외의 수치는, 질량부를 나타낸다.In Tables 1 to 3, numerical values other than the numerical values described in the evaluation section indicate a mass part.

실시예 및 비교예의 각 수지 조성물을, 이하와 같이 평가하였다. 평가의 결과를, 표 1 내지 3에 나타내었다.The resin compositions of Examples and Comparative Examples were evaluated as follows. The evaluation results are shown in Tables 1 to 3.

1. 흡습 고온 시험 후의 박리1. Peeling after the hygroscopic high temperature test

흡습 처리 후의 수지 조성물을 고온에 폭로했을 때에 발생하는 박리를 관찰하였다. 관찰은, 다음의 수순 (1) 내지 (5)를 따라 행하였다.And the peeling occurred when the resin composition after moisture absorption treatment was exposed at a high temperature was observed. Observations were made according to the following procedures (1) to (5).

(1) 3mm×3mm의 실리콘 칩을, 실시예 및 비교예의 각 수지 조성물을 사용하여, 구리 리드 프레임 상에 마운트하고, 시험 부재를 얻었다. 그 후, 시험 부재의 주위를 실온으로부터 175℃로 30분에 걸쳐 승온하고, 175℃에서 30분간 유지하여, 수지 조성물을 경화시켰다. 이에 의해, 실리콘 칩을 구리 리드 프레임 상에 접착시켰다.(1) A silicon chip of 3 mm x 3 mm was mounted on a copper lead frame using the resin compositions of Examples and Comparative Examples to obtain a test member. Thereafter, the periphery of the test member was heated from room temperature to 175 캜 over 30 minutes, and maintained at 175 캜 for 30 minutes to cure the resin composition. Thereby, the silicon chip was bonded onto the copper lead frame.

(2) 칩이 에폭시 몰딩 컴파운드로 피복되는 것을 상정하여, 일반적인 에폭시 몰딩 컴파운드의 경화 조건(175℃, 4시간)에 의해, (1)의 처리를 행한 시험 부재를 가열하였다.(2) Assuming that the chip is covered with an epoxy molding compound, the test member subjected to the treatment (1) was heated by a curing condition (175 ° C, 4 hours) of a general epoxy molding compound.

(3) (2)의 처리를 행한 시험 부재를, 비등수 중에 2시간 침지하였다.(3) The test member subjected to the treatment of (2) was immersed in boiling water for 2 hours.

(4) (3)의 처리를 행한 시험 부재를, 수중(건조시키지 않은 상태)에서 실온까지 냉각하였다. 그 후, 이 시험 부재를, 땜납 리플로우 온도(270℃)에서 가열하였다.(4) The test member subjected to the treatment of (3) was cooled to room temperature in water (not dried). Thereafter, the test member was heated at a solder reflow temperature (270 DEG C).

(5) (4)의 처리를 행한 시험 부재 상의 칩의 박리 상태를, SONIX사제의 주사형 초음파 현미경을 사용하여 관찰하였다. 구체적으로는, 현미경에 의한 관찰에 의해 얻어진 화상으로부터, 칩 면적에 대한 접착 면적의 비율을 구하였다. 칩 면적에 대한 접착 면적이 80％ 이상인 경우, 「박리가 없다」라고 평가하였다. 칩 면적에 대한 접착 면적이 80％ 미만인 경우, 「박리가 있다」라고 평가하였다.(5) The peeling state of the chips on the test member subjected to the treatment of (4) was observed using a scanning type ultrasonic microscope manufactured by SONIX. Specifically, the ratio of the bonding area to the chip area was obtained from the image obtained by observation with a microscope. When the bonding area to the chip area was 80% or more, it was evaluated that there was no peeling. When the bonding area to the chip area was less than 80%, it was evaluated as " peeling. &Quot;

2. 가용 시간(증점율)2. Available time (increase rate)

제조한 수지 조성물의 초기 점도를 측정하였다. 구체적으로는, 부룩필드사제 E형 회전 점도계 HBDV-2Pro(콘플레이트 및 스핀들 CP51을 사용)를 사용하여, 5rpm, 25℃에서의 수지 조성물의 점도(Pa·s)를 측정하였다. 이어서, 밀폐 용기의 내부에서, 25℃, 습도 50％의 환경에서 48시간 보관한 수지 조성물의 점도를, 동일한 수순으로 측정하였다. 수지 조성물의 증점율(％)을 이하의 식에 의해 산출하였다.The initial viscosity of the resin composition thus prepared was measured. Specifically, the viscosity (Pa · s) of the resin composition at 5 rpm and 25 ° C was measured using an E-type rotational viscometer HBDV-2Pro (using a cone plate and a spindle CP51) manufactured by Brookfield. Then, the viscosity of the resin composition stored for 48 hours in an environment of 25 deg. C and a humidity of 50% inside the sealed container was measured in the same procedure. The increase ratio (%) of the resin composition was calculated by the following formula.

증점율(％)=100×(48시간 보관 후의 점도-초기 점도)/(초기 점도)(%) = 100 占 (viscosity after storage for 48 hours-initial viscosity) / (initial viscosity)

산출한 증점율을 지표로 하여, 수지 조성물의 가용 시간을 평가하였다. 구체적으로는, 증점율이 25％ 미만인 경우, 수지 조성물의 가용 시간이 충분히 길어, 합격이라고 평가하였다.Using the calculated increase ratio as an index, the time for which the resin composition was allowed to stand was evaluated. Concretely, when the increase rate is less than 25%, the usable time of the resin composition is sufficiently long and it is evaluated as acceptable.

3. 전기 저항률(Ω·m)의 측정3. Measurement of electrical resistivity (Ω · m)

제조한 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 전기 저항률(Ω·m)을 측정하였다. 구체적으로는, 폭 20mm, 길이 20mm, 두께 1mm의 알루미나 기판 상에, 수지 조성물을 사용하여, 길이 71mm, 폭 1mm, 두께 20㎛의 지그재그 패턴을 인쇄하였다. 패턴의 인쇄에는, 200 메쉬의 스테인리스제 스크린을 사용하였다. 이어서, 패턴의 주위를, 실온으로부터 150℃로 30분에 걸쳐 승온하였다. 이어서, 패턴을, 대기 중에서, 150℃에서, 60분간 경화시킴으로써, 외부 전극을 형성하였다. 지그재그 패턴의 두께는, 도쿄 세이미쯔제 표면 조도 형상 측정기(제품명: 서프콤 1400)로 측정하였다. 구체적으로는, 지그재그 패턴의 두께는, 패턴과 교차하도록 배치된 6점에 있어서의 측정값의 평균으로부터 구하였다. 패턴이 경화한 후에, LCR 미터를 사용하여, 4 단자법으로 패턴의 전기 저항률(Ω·m)을 측정하였다. 표 1 내지 3에, 측정된 전기 저항률(×10- 3Ω·cm)을 나타내었다. 전기 저항률이 10×10- 3Ω·cm 미만인 경우, 합격이라고 평가하였다.The electrical resistivity (Ω · m) of the cured product obtained by curing the resin composition thus prepared was measured. Specifically, a zigzag pattern having a length of 71 mm, a width of 1 mm, and a thickness of 20 m was printed on an alumina substrate having a width of 20 mm, a length of 20 mm and a thickness of 1 mm using a resin composition. For the printing of the pattern, a 200 mesh stainless steel screen was used. Subsequently, the periphery of the pattern was heated from room temperature to 150 DEG C over 30 minutes. Subsequently, the pattern was cured in air at 150 DEG C for 60 minutes to form an external electrode. The thickness of the zigzag pattern was measured with a surface roughness shape measuring instrument (trade name: Surfcom 1400, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). Specifically, the thickness of the zigzag pattern was obtained from the average of measured values at six points arranged so as to cross the pattern. After the pattern was cured, the electric resistivity (Ω · m) of the pattern was measured by a four-terminal method using an LCR meter. It exhibited - (3 Ω · cm × 10 ) in Tables 1 to 3, measuring the electric resistivity. The electrical resistivity of 10 × 10 - less than 3 Ω · cm, was evaluated as acceptable.

4. 종합 평가4. Overall evaluation

상기 1 내지 3의 평가에 기초하여, 실시예 및 비교예의 각 수지 조성물을, 이하의 기준으로 종합적으로 평가하였다.Based on the evaluation of the above items 1 to 3, the resin compositions of the examples and comparative examples were evaluated comprehensively based on the following criteria.

○: 박리가 없고, 가용 시간이 합격이고, 또한 전기 저항률이 합격인 경우, ○로 평가하였다.?: When no peeling was observed, the usable time was acceptable, and the electrical resistivity was acceptable, the evaluation was?.

×: 박리가 있고, 가용 시간이 합격이 아니거나, 또는 전기 저항률이 합격이 아닌 경우, ×로 평가하였다.X: When the peeling was found and the available time was not acceptable or the electric resistivity was not acceptable, the evaluation was evaluated as X.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

실시예 1 내지 15의 수지 조성물은, (A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와, (D) 티오에테르계 화합물을 포함한다. 이에 의해, 필러 표면의 도전성 물질이 과도하게 황화되지 않기 때문에, 수지 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화물의 도전성을 유지할 수 있다.The resin compositions of Examples 1 to 15 include (A) a filler having a conductive material on the surface of an insulating core material, and (D) a thioether compound. As a result, the conductive material on the surface of the filler is not excessively sulphided, so that the conductivity of the cured product obtained by curing the resin composition can be maintained.

또한, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물에 의하면, 땜납 리플로우 등의 고온 프로세스에서 발생하는 히드로퍼옥시드를 분해할 수 있다. 히드로퍼옥시드는, 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 물질이다. 따라서, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물은, 경화물의 열화가 억제되기 때문에, 지지 부재 표면에 대한 우수한 접착성을 가진다. 그 결과, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물에 대해서는, 「박리가 없다」라는 평가가 되었다.Further, according to the resin compositions of Examples 1 to 15, hydroperoxide generated in a high temperature process such as solder reflow can be decomposed. Hydroperoxide is a substance capable of accelerating deterioration of a cured product. Therefore, the resin compositions of Examples 1 to 15 have excellent adhesiveness to the surface of the support member because deterioration of the cured product is suppressed. As a result, it was evaluated that the resin compositions of Examples 1 to 15 were "peeled off".

또한, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물을 사용함으로써, 구조 입체 장애가 일어난다. 이에 의해, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 대한 반응이 억제되기 때문에, 적당한 가용 시간을 유지할 수 있었다. 그 결과, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물은, 가용 시간의 평가가 모두 합격이었다.Further, according to the resin compositions of Examples 1 to 15, structural steric hindrance occurs when the (D) thioether compound is used. As a result, the reaction with a thermosetting resin such as an epoxy resin is suppressed, so that a suitable usable time can be maintained. As a result, the evaluation of the available time of the resin compositions of Examples 1 to 15 was satisfactory.

실시예 10 내지 15의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물과 (E)를 병용함으로써, (E)의 금속 부분이, 필러 표면의 도전성 물질의 과도한 황화를 억제한다. 또한, (D) 티오에테르계 화합물과 (E)를 병용함으로써, (E)의 금속 부분이, 지지 부재인 기재의 재료(예를 들어 구리)의 과도한 황화를 억제한다. 그 결과, 지지 부재가 구리를 포함하는 경우에는 수지 조성물의, 지지 부재에 대한 접착성의 저하가 억제된다.According to the resin compositions of Examples 10 to 15, when the (D) thioether compound and (E) are used in combination, the metal portion of (E) suppresses excessive sulphation of the conductive material on the surface of the filler. Further, by using the (D) thioether compound and (E) in combination, the metal portion of (E) suppresses excessive sulphation of the base material (e.g., copper) as the support member. As a result, when the support member includes copper, deterioration of the adhesion of the resin composition to the support member is suppressed.

또한, 실시예 10 내지 15의 수지 조성물에 의하면, (D) 티오에테르계 화합물과 (E)를 병용함으로써, (E)가 지지 부재 표면의 접착성을 저해하는 물질을 제거한다. (D)가, 고온 프로세스에서 발생하는, 경화물의 열화를 촉진시킬 수 있는 히드로퍼옥시드를 분해한다. 이 작용에 의해, 경화물의 박리가 억제된다. 그 결과, 실시예 1 내지 15의 수지 조성물에 대해서는, 「박리가 없다」라는 평가가 되었다.Further, according to the resin compositions of Examples 10 to 15, (E) is used in combination with the thioether compound (D) to remove the substance which inhibits the adhesion of the surface of the support member. (D) decomposes the hydroperoxide, which can occur in the high-temperature process, which can accelerate deterioration of the cured product. By this action, peeling of the cured product is suppressed. As a result, it was evaluated that the resin compositions of Examples 1 to 15 were "peeled off".

실시예 1 내지 9의 수지 조성물에 대해서는, 흡습 고온 시험 후의 접착 면적이 80 내지 90％였다. 실시예 10 내지 15의 수지 조성물에 대해서는, 흡습 고온 시험 후의 접착 면적이 90％ 이상이고, 박리가 더 억제되었다.With respect to the resin compositions of Examples 1 to 9, the bonding area after the hygroscopic high temperature test was 80 to 90%. With respect to the resin compositions of Examples 10 to 15, the adhesion area after the hygroscopic high temperature test was 90% or more, and the peeling was further suppressed.

한편, 비교예 1의 수지 조성물은, 티오에테르계 화합물을 포함하지 않기 때문에, 접착성이 저하되어, 경화물의 박리가 확인되었다.On the other hand, since the resin composition of Comparative Example 1 did not contain a thioether compound, the adhesiveness was lowered and peeling of the cured product was confirmed.

티오에테르계 화합물 대신 티올계 화합물을 포함하는 비교예 2 및 3의 수지 조성물은, 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 비저항값이 증대하여, 도전성이 저하되었다.In the resin compositions of Comparative Examples 2 and 3 containing a thiol compound instead of the thioether compound, the resistivity of the cured product of the resin composition was increased and the conductivity was lowered.

또한, 비교예 2 및 3의 수지 조성물은, 증점율이 상승하여, 적당한 가용 시간이 유지되지 않았다.In addition, the resin compositions of Comparative Examples 2 and 3 increased in the increase ratio and did not maintain an appropriate usable time.

본 발명에 따르면, 필러의 도전성을 유지하면서, 적당한 가용 시간을 유지할 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 기판에 대한 접착 강도가 우수하고, 고온 프로세스에 있어서의 경화물의 박리가 억제된 수지 조성물을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a resin composition capable of maintaining an appropriate usable time while maintaining conductivity of a filler. Further, it is possible to provide a resin composition excellent in bonding strength to a substrate and suppressing peeling of a cured product in a high-temperature process.

본 발명의 수지 조성물은, 다이 어태치 페이스트 또는 방열 부재용 접착제로서 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can be suitably used as an adhesive for a die attach paste or a heat radiation member.

특히, 본 발명의 수지 조성물 경화물은, 흡습에 의한 강도의 열화가 억제되고 있다. 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 장치는, 흡습 리플로우에 대한 내성이 우수하고, 신뢰성이 높다.Particularly, the cured resin composition of the present invention is suppressed from deteriorating in strength due to moisture absorption. The semiconductor device manufactured using the resin composition of the present invention is excellent in resistance to moisture absorption reflow and high in reliability.

본 발명의 수지 조성물은, 지지 부재가 구리나 수지인 경우에도 이들 효과를 발휘할 수 있기 때문에, 유용성이 높다.The resin composition of the present invention can exhibit these effects even when the support member is made of copper or resin, so that the resin composition has high usability.

Claims (14)

(A) 절연성의 코어재의 표면에 도전성 물질을 갖는 필러와,
(B) 열경화성 수지와,
(C) 경화제와,
(D) 티오에테르계 화합물
을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.(A) a filler having a conductive material on a surface of an insulating core material,
(B) a thermosetting resin,
(C) a curing agent,
(D) a thioether compound
Wherein the resin composition further comprises a resin. 제1항에 있어서, (A)에 있어서의 도전성 물질이 은, 금, 구리, 팔라듐 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 도전성 물질인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the conductive material in (A) is at least one kind of conductive material selected from the group consisting of silver, gold, copper, palladium, and alloys thereof. 제1항 또는 제2항에 있어서, (D)가 디에스테르 구조를 갖는 티오에테르계 화합물 및/또는 벤젠환을 갖는 티오에테르계 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein (D) is a thioether compound having a diester structure and / or a thioether compound having a benzene ring. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 (E) (E1) 비점이 200℃ 이상인 유기산의 금속염, 및/또는 (E2) 비점이 200℃ 이상인 유기산과 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자와의 조합을 포함하는, 수지 조성물.(E1) a metal salt of an organic acid having a boiling point of 200 DEG C or higher, and / or (E2) an organic acid having a boiling point of 200 DEG C or higher and a metal particle and / or a metal And oxide particles. 제4항에 있어서, (E1)이 2-에틸헥산산, 나프텐산 및 시클로펜탄카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기산의 금속염이고, (E2)가 2-에틸헥산산, 나프텐산 및 시클로펜탄카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기산과 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자와의 조합인, 수지 조성물.5. The composition according to claim 4, wherein (E1) is a metal salt of an organic acid selected from the group consisting of 2-ethylhexanoic acid, naphthenic acid and cyclopentanecarboxylic acid, (E2) Wherein the organic acid is a combination of an organic acid selected from the group consisting of carboxylic acids and metal particles and / or metal oxide particles. 제5항에 있어서, (E1)에 있어서의 금속염이 아연염, 코발트염, 니켈염, 마그네슘염, 망간염 및 주석염으로 이루어지는 군에서 선택되는 염이고,
(E2)에 있어서의 금속 입자 및/또는 금속 산화물 입자가 아연, 코발트, 니켈, 마그네슘, 망간, 주석 및 이들의 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 입자인, 수지 조성물.6. The method according to claim 5, wherein the metal salt in (E1) is a salt selected from the group consisting of a zinc salt, a cobalt salt, a nickel salt, a magnesium salt, a manganese salt and a tin salt,
Wherein the metal particles and / or the metal oxide particles in the (E2) are particles selected from the group consisting of zinc, cobalt, nickel, magnesium, manganese, tin and oxides thereof. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, (D)가 (A) 내지 (C)의 합계 100질량부에 대하여, 0.05 내지 1.5질량부인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein (D) is 0.05 to 1.5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total of (A) to (C). 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, (E)가 (A) 내지 (E)의 합계 100질량부에 대하여, 0.1 내지 5질량부인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 4 to 7, wherein (E) is 0.1 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total of (A) to (E). 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 다이 어태치 페이스트.A die attach paste comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 방열 부재용 접착제.An adhesive for a heat radiation member comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 제9항에 기재된 다이 어태치 페이스트를 사용하여 제조된 반도체 장치.A semiconductor device manufactured using the die attach paste according to claim 9. 제10항에 기재된 방열 부재용 접착제를 사용하여 제조된 반도체 장치.A semiconductor device manufactured by using the adhesive for a heat radiation member according to claim 10. 제11항에 있어서, 다이 어태치 페이스트를 적용한 표면이 구리인, 반도체 장치.12. The semiconductor device according to claim 11, wherein the surface to which the die attach paste is applied is copper. 제12항에 있어서, 방열 부재용 접착제를 적용한 표면이 구리인, 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 12, wherein the surface to which the adhesive for the heat radiation member is applied is copper.
KR1020177009763A 2014-10-01 2015-09-30 Resin composition KR102325095B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014203467 2014-10-01
JPJP-P-2014-203467 2014-10-01
PCT/JP2015/077852 WO2016052664A1 (en) 2014-10-01 2015-09-30 Resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170062475A true KR20170062475A (en) 2017-06-07
KR102325095B1 KR102325095B1 (en) 2021-11-11

Family

ID=55630687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177009763A KR102325095B1 (en) 2014-10-01 2015-09-30 Resin composition

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2016052664A1 (en)
KR (1) KR102325095B1 (en)
CN (1) CN107075258B (en)
TW (1) TWI683872B (en)
WO (1) WO2016052664A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190133022A (en) * 2017-03-29 2019-11-29 히타치가세이가부시끼가이샤 Adhesive Compositions and Structures
KR20200143372A (en) * 2018-04-10 2020-12-23 타츠타 전선 주식회사 Conductive paint and manufacturing method of shielding package using the conductive paint

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008443A (en) 2000-06-26 2002-01-11 Tokuriki Honten Co Ltd Thermal hardening type low resistance conductive paste
JP2006249426A (en) 2005-03-07 2006-09-21 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Low stress conductive adhesive
KR20070076506A (en) * 2006-01-17 2007-07-24 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 Heat radiant insulating resin composition and printed circuit using the same
JP2007250540A (en) 2006-03-10 2007-09-27 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Anisotropic conductive adhesive
KR20080081353A (en) * 2005-12-26 2008-09-09 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive composition, circuit connecting material and connecting structure of circuit member
JP2009256539A (en) 2008-04-21 2009-11-05 Three Bond Co Ltd Electrically conductive resin composition
KR20100009541A (en) * 2007-10-29 2010-01-27 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device produced using the adhesive composition
KR20100049499A (en) * 2008-10-24 2010-05-12 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device produced using the adhesive composition
KR20100119830A (en) * 2007-05-15 2010-11-10 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
JP2011086669A (en) 2009-10-13 2011-04-28 Asahi Kasei E-Materials Corp Die bonding paste and semiconductor device using the same
KR20110056555A (en) * 2008-10-22 2011-05-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive film
KR20130133010A (en) * 2011-05-16 2013-12-05 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Curable heat-dissipating composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338529A (en) * 2000-05-30 2001-12-07 Togo Seisakusho Corp Conductive resin composition
JP4802667B2 (en) * 2005-11-08 2011-10-26 住友金属鉱山株式会社 Epoxy resin adhesive composition and optical semiconductor adhesive using the same
JP5266719B2 (en) * 2007-10-29 2013-08-21 住友ベークライト株式会社 Resin composition and semiconductor device produced using resin composition
JP5033046B2 (en) * 2008-04-24 2012-09-26 パナソニック株式会社 Thermosetting resin composition and method for producing the same
CN105073901B (en) * 2013-03-29 2018-08-28 纳美仕有限公司 Resin combination

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008443A (en) 2000-06-26 2002-01-11 Tokuriki Honten Co Ltd Thermal hardening type low resistance conductive paste
JP2006249426A (en) 2005-03-07 2006-09-21 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Low stress conductive adhesive
KR20080081353A (en) * 2005-12-26 2008-09-09 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive composition, circuit connecting material and connecting structure of circuit member
KR20070076506A (en) * 2006-01-17 2007-07-24 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 Heat radiant insulating resin composition and printed circuit using the same
JP2007250540A (en) 2006-03-10 2007-09-27 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp Anisotropic conductive adhesive
KR20100119830A (en) * 2007-05-15 2010-11-10 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member
KR20100009541A (en) * 2007-10-29 2010-01-27 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device produced using the adhesive composition
JP2009256539A (en) 2008-04-21 2009-11-05 Three Bond Co Ltd Electrically conductive resin composition
KR20110056555A (en) * 2008-10-22 2011-05-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive film
KR20100049499A (en) * 2008-10-24 2010-05-12 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device produced using the adhesive composition
JP2011086669A (en) 2009-10-13 2011-04-28 Asahi Kasei E-Materials Corp Die bonding paste and semiconductor device using the same
KR20130133010A (en) * 2011-05-16 2013-12-05 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Curable heat-dissipating composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR102325095B1 (en) 2021-11-11
TW201619325A (en) 2016-06-01
CN107075258B (en) 2020-03-06
CN107075258A (en) 2017-08-18
JPWO2016052664A1 (en) 2017-07-13
TWI683872B (en) 2020-02-01
WO2016052664A1 (en) 2016-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5927177B2 (en) Die bonding agent
KR102387641B1 (en) Thermally conductive conductive adhesive composition
JP6770509B2 (en) Resin composition, conductive resin composition, adhesive, conductive adhesive, electrode forming paste, semiconductor device
KR20190046799A (en) Thermosetting conductive adhesive
JP5293292B2 (en) Conductive adhesive paste and electronic component mounting board
JP4893104B2 (en) Conductive paste and electronic component mounting board using the same
JP6744859B2 (en) Resin composition, conductive resin composition, adhesive, conductive adhesive, electrode forming paste, semiconductor device
JP2016219600A (en) Die attach paste for semiconductor and semiconductor device
JP2009102603A (en) Adhesive composition and semiconductor device
JP7185289B2 (en) Electromagnetic wave shielding spray coating agent
JP6106007B2 (en) Resin composition
KR102168846B1 (en) Resin composition
KR20170062475A (en) Resin composition
JP6069071B2 (en) Resin composition
JP2016117869A (en) Resin composition for semiconductor adhesion and semiconductor device
JP6134597B2 (en) Die attach agent
JP4835229B2 (en) Resin composition and semiconductor device produced using resin composition
JP4894395B2 (en) Liquid resin composition and semiconductor device produced using liquid resin composition
JP4961968B2 (en) Curing accelerator for epoxy resin, epoxy resin composition, and resin composition for electronic material
JP6701039B2 (en) Resin composition for semiconductor adhesion and semiconductor device
JP7482093B2 (en) Antenna integrated module
JP2023016839A (en) Conductive paste for vacuum printing
WO2020003765A1 (en) Vacuum-printing conductive paste
JP2016011406A (en) Conductive adhesive and electronic component using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right