KR20170061593A - Ultra thin pocket type of keyboard device - Google Patents

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KR20170061593A
KR20170061593A KR1020160148649A KR20160148649A KR20170061593A KR 20170061593 A KR20170061593 A KR 20170061593A KR 1020160148649 A KR1020160148649 A KR 1020160148649A KR 20160148649 A KR20160148649 A KR 20160148649A KR 20170061593 A KR20170061593 A KR 20170061593A
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서재홍
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주식회사 우린
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    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/02Input arrangements using manually operated switches, e.g. using keyboards or dials
    • G06F3/0202Constructional details or processes of manufacture of the input device

Abstract

본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 과제는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 다수의 엠보싱 키가 배열된 제1레이어; 상기 제1레이어의 하부에 상기 엠보싱 키와 대응되는 위치에 돌기 형태로 형성된 액튜에이터 범프가 배열된 제2레이어; 상기 제2레이어의 하부에 키 매트릭스 중 Y 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 상측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제3레이어; 및 상기 제3레이어의 하부에 키 매트릭스 중 X 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 하측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제4레이어를 포함하고, 상기 제1레이어 내지 제4레이어는 길이 방향에 수직한 방향으로 접을 수 있는 공통의 절곡 영역을 더 포함하는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 개시한다.
Various embodiments of the present invention relate to an ultra-thin pocket type keyboard device, which aims to realize an innovative thickness and weight by using a nano-piezoelectric material, and also to form a circuit pattern of a folded-back bending area in a soft, thin and elastic urethane film, And an object of the present invention is to provide an ultrashort pocket type keyboard device capable of improving the reliability of a bending region by implementing a printing, sintering and / or jetting of a pole nano conductive material on a base material such as cloth or fiber.
To this end, the present invention provides a method for embossing a first layer comprising a plurality of embossed keys arranged therein; A second layer in which actuator bumps formed in a protruding shape at a position corresponding to the embossing key are arranged under the first layer; A third layer having an upper nano silver circuit pattern formed to extract an Y-coordinate input signal out of the key matrix in the lower part of the second layer; And a fourth layer having a lower nano silver circuit pattern formed to extract an X-coordinate input signal of the key matrix below the third layer, wherein the first layer to the fourth layer are arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction Disclosed is an ultra-slim pocket-type keyboard device further comprising a foldable common foldable region.

Description

초슬림 포켓형 키보드 장치{ULTRA THIN POCKET TYPE OF KEYBOARD DEVICE}[0001] ULTRA THIN POCKET TYPE OF KEYBOARD DEVICE [0002]

본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치에 관한 것이다.Various embodiments of the present invention are directed to ultra-thin pocket keyboard devices.

최근 스마트 기기의 발전과 더불어 다양한 입력 장치의 발전도 이루어지고 있다. 공간 제스처 인식, 눈동자 인식 등 다양한 입력 장치가 개발되고 있음에도 불구하고, 아직도 가장 친숙하고 많이 사용되는 입력 장치는 역시 키보드이다. With the recent development of smart devices, various input devices are being developed. Space gesture recognition, and pupil recognition. However, the most familiar and widely used input device is still a keyboard.

특히, 최근 태블릿 시장이 패블릿(Phablet)과 대형 12인치 이상의 태블릿으로 재편되는 추세에 있으며, 스마트 기기의 성능 향상으로 생산성이 높아져 가고 있기 때문에, 휴대성이 강화된 키보드의 필요성은 더욱 배가되고 있다.In particular, the tablet market is being reorganized as a tablet (Phablet) and a large 12-inch tablet or more, and the productivity of smart devices is increasing due to the improvement of the performance of the smart devices. .

향후 패블릿과 대형 사이즈의 태블릿 시장 증가로 휴대성이 강화된 키보드 수요가 증가될 것으로 예상되며, 휴대성을 고려 시 접이식(또는 폴더형) 키보드가 휴대성에 있어서 우수하나, 대부분 접었을 때의 두께/무게가 세계적으로 최소 10mm/100g 이하로 낮추는 것이 한계일 정도로 제한적이었다.In the future, the demand for portable keyboards will increase due to the increase in tablet and large-size tablet market in the future. Foldable (or foldable) keyboards are excellent in portability considering portability, Limiting the weight to less than 10mm / 100g globally was limited.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information not constituting the prior art.

본 발명의 해결하고자 하는 과제는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다. 즉, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an ultra-thin pocket type keyboard device. That is, a problem to be solved by the present invention is to realize a novel thickness and weight by using a nano-piezoelectric material, and to provide a circuit pattern of a folded-up region in a flexible, thin and elastic urethane film, ) Type nano conductive material by printing, sintering, and / or jetting, thereby improving the reliability of the bending region.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치는 다수의 엠보싱 키가 배열된 제1레이어; 상기 제1레이어의 하부에 상기 엠보싱 키와 대응되는 위치에 돌기 형태로 형성된 액튜에이터 범프가 배열된 제2레이어; 상기 제2레이어의 하부에 키 매트릭스 중 Y 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 상측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제3레이어; 및 상기 제3레이어의 하부에 키 매트릭스 중 X 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 하측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제4레이어를 포함하고, 상기 제1레이어 내지 제4레이어는 길이 방향에 수직한 방향으로 접을 수 있는 공통의 절곡 영역을 더 포함할 수 있다.An ultra slim pocket type keyboard apparatus according to various embodiments of the present invention includes a first layer in which a plurality of embossing keys are arranged; A second layer in which actuator bumps formed in a protruding shape at a position corresponding to the embossing key are arranged under the first layer; A third layer having an upper nano silver circuit pattern formed to extract an Y-coordinate input signal out of the key matrix in the lower part of the second layer; And a fourth layer having a lower nano silver circuit pattern formed to extract an X-coordinate input signal of the key matrix below the third layer, wherein the first layer to the fourth layer are arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction And may further include a common foldable region that can be folded.

상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 상기 절곡 영역을 통과하여 절곡될 수 있으며, 상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 도전재로 형성될 수 있다.The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be bent through the bending area and the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be formed of nano silver conductive material.

상기 제3레이어는 상기 상측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 상부 기재를 더 포함할 수 있고, 상기 제4레이어는 상기 하측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 하부 기재를 더 포함할 수 있다.The third layer may further include an upper substrate on which the upper nano silver circuit pattern is formed, and the fourth layer may further include a lower substrate on which the lower nano silver circuit pattern is formed.

상기 상부 기재 및 하부 기재는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유를 포함할 수 있다.The upper and lower substrates may comprise a urethane film, sheath or fiber.

상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 산성 용액과, 상기 산성 용액에 분산된 1 nm 내지 20 nm의 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비하고, 상기 나노 실버 슬러리를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며, 상기 인쇄된 상기 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 소결하여 형성할 수 있다.The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be prepared by preparing a nanosilver slurry containing an acidic solution and nanosilver particles of 1 nm to 20 nm dispersed in the acidic solution, And a lower substrate, respectively, and sintering the printed nanosilver slurry at a temperature of 90 ° C to 130 ° C.

상기 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행할 수 있다.The printing can be performed by an inkjet method, a screen method, a gravure method, a flexo method or an offset method.

상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 각각 두께 및 폭이 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다.The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may have a thickness and a width of 0.1 mu m to 100 mu m, respectively.

상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 실버 분말 공급부로부터 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 상기 실버 분말을 이송하며, 상기 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 상기 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 회로패턴을 형성하고, 상기 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 1 nm 내지 900 nm이며, 상기 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛이고, 상기 제1나노 실버 입자의 갯수는 상기 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 상기 제2나노 실버 입자의 갯수는 상기 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이룰 수 있다.The upper nanosilver circuit pattern and the lower nanosilver circuit pattern are supplied with a plurality of silver powders having a powder particle diameter ranging from 1 to 50 mu m from a silver powder supply unit and transfer the silver powder using a transfer gas, Impinging and breaking the silver powder onto the upper substrate and the lower substrate in the process chamber at a rate of 100 to 500 m / s to form a plurality of first nanosilver particles having a circuit pattern first particle size range, A circuit pattern in which a plurality of second nanosilver grains having a circuit pattern second particle diameter range larger than the particle diameter range is mixed is formed, wherein the first nanosilver particle has a first circuit particle diameter range of 1 nm to 900 nm, The second nanosilver particles have a second particle size range of 900 nm to 10 mu m and the number of the first nanosilver particles is one peak in the first particle size range, The number of silver particles can make one peak in the second particle size range.

상기 제4레이어의 하부에 하부 케이스가 더 결합되고, 상기 절곡 영역과 상기 하부 케이스의 사이에 팬 스프링 힌지가 더 결합될 수 있다.The lower case is further coupled to the lower portion of the fourth layer, and the fan spring hinge can be further coupled between the bending region and the lower case.

상기 하부 케이스의 하면에 터치 패드가 더 결합될 수 있다.A touch pad may further be coupled to a lower surface of the lower case.

상기 초슬림 포켓형 키보드 장치는 몸에 착용할 수 있는 웨어러블 디바이스일 수 있다.The ultrathin pocket type keyboard device may be a wearable device that can be worn on the body.

상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 입자, 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트를 준비하고, 상기 실버 페이스트를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며, 상기 인쇄된 상기 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성한 것일 수 있다.Wherein the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern are prepared by preparing a silver paste containing nano silver particles, a urethane resin, a solution, a dispersant and an additive, printing the silver paste on the upper substrate and the lower substrate, And the sintered silver paste is sintered at a temperature of 90 ° C to 130 ° C for 10 minutes to 60 minutes.

상기 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자를 더 포함할 수 있다.The silver paste may further include micro silver particles.

상기 실버 페이스트는 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 인쇄될 수 있다.The silver paste may be printed by a polyester mesh having a size of 350 mesh to 500 mesh.

본 발명의 다양한 실시예는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다. 즉, 본 발명의 다양한 실시예는 나노 압전 소재를 이용하여 혁신적인 두께와 무게를 구현하고, 또한 접었다 펴는 절곡 영역의 회로패턴을 부드럽고 얇고 탄력있는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유 등과 같은 기재에 극(極) 나노 도전재를 인쇄, 소결 및/또는 분사하여 구현함으로써, 절곡 영역의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다.Various embodiments of the present invention provide an ultra-thin pocket keyboard device. In other words, various embodiments of the present invention can be realized by using an nano-piezoelectric material to realize innovative thickness and weight, and also to form a circuit pattern of a folded-back bending region on a substrate such as a soft, thin and elastic urethane film, An ultra-slim pocket-type keyboard device capable of greatly improving the reliability of a bending region by realizing printing, sintering and / or jetting of a nano-conductive material.

다르게 설명하면, 본 발명의 다양한 실시예는, 나노 압전 소재를 이용하여 일반 접이식 키보드에 비하여 현저하게 두께/무게를 박막화 및/또는 경량화할 수 있으며, 펼쳤을 때의 키 탑 부위 두께가 대략 2.4 mm보다 작고, 접었을 때의 두께가 대략 5 mm보다 작은, 포켓에 넣을 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공한다.In other words, the various embodiments of the present invention can significantly reduce the thickness / weight and / or weight of the foldable keyboard using a nano-piezoelectric material, and the thickness of the keytop at the time of unfolding is approximately 2.4 mm The present invention provides an ultra-slim pocket-type keyboard device that is small, foldable and has a thickness of less than about 5 mm.

또한, 본 발명의 다양한 실시예는 접을 수 있는 초슬림 포켓형 키보드 장치를 제공하는데, 이때 접었다 펴는 절곡 영역의 신뢰성을 크게 향상시킨다. 특히, 절곡 영역의 회로패턴의 단선 가능 횟수가 종래에 대략 1만회였으나, 본 발명의 실시예에서 대략 10만회로 증가시킨다.In addition, various embodiments of the present invention provide a foldable ultra-thin pocket keyboard device, which greatly improves the reliability of the folded bending area. In particular, the number of times that the circuit pattern in the bending area can be broken is about 10,000 times in the related art, but increases to about 100,000 times in the embodiment of the present invention.

또한, 본 발명의 다양한 실시예는, 극 나노 도전재의 인쇄 기술이 키보드 외에도, 가격을 낮춤과 동시에 신뢰성을 배가할 수 있어, 다양한 산업 기기에 응용이 가능하도록 한다. 나아가, 본 발명의 다양한 실시예는 극 나노 도전재를 탄력이 있는 우레탄 필름 대신 피복이나 섬유에도 인쇄할 수 있어, 다양한 웨어러블 회로 및 스위칭 회로에도 적용 가능하도록 한다.In addition, various embodiments of the present invention allow the printing technology of the nano-electroconductive material to be applied to various industrial devices, in addition to the keyboard, at the same time as reducing the price and doubling the reliability. Further, various embodiments of the present invention allow polar nano conductive materials to be printed on a cloth or a fiber instead of a flexible urethane film, so that they can be applied to various wearable circuits and switching circuits.

한편, 본 발명의 다양한 실시예는 외관 케이스를 절곡 및 탄성이 유지되는 우레탄과 고무의 합성소재를 배합 적용하거나, 또는 기계적인 팬 스프링 힌지를 이용함으로써, 키보드를 펼쳤을 때 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 한다.On the other hand, various embodiments of the present invention allow the outer case to be naturally unfolded when the keyboard is unfolded, by blending a composite material of urethane and rubber, which is bent and resilient, or by using a mechanical fan spring hinge.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치를 나타내는 개략 분해 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치를 다양한 방향에서 바라본 도면이고, 도 2b는 도 2a의 2b 영역의 확대 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치의 절곡 영역을 나타내는 도면이고, 도 3b는 본 발명의 다양한 실시예에 이용된 극 나노 실버 도전재와 일반 실버 도전재를 도시한 사진이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치의 접힌 상태 및 접힌 상태의 터치 패드를 도시한 사진이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 방법 중에서 파쇄/충돌하기 이전 및 이후의 실버 분말 분포를 도시한 그래프이다.
1 is a schematic exploded perspective view showing an ultra slim pocket type keyboard device according to various embodiments of the present invention.
FIG. 2A is a view showing various aspects of an ultra slim pocket type keyboard device according to various embodiments of the present invention, and FIG. 2B is an enlarged sectional view of a region 2b in FIG. 2A.
3A is a diagram illustrating a bending region of an ultra slim pocket type keyboard device according to various embodiments of the present invention, and FIG. 3B is a photograph showing a pole silver nano silver conductive material and a common silver conductive material used in various embodiments of the present invention .
4A and 4B are photographs showing a folded state and a folded state of the touch pad of the ultra slim pocket type keyboard device according to various embodiments of the present invention.
5 is a flowchart showing an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra slim pocket type keyboard apparatus according to various embodiments of the present invention.
6 is a flowchart showing an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra slim pocket type keyboard apparatus according to various embodiments of the present invention.
7A and 7B are graphs showing the distribution of silver powder before and after shredding / colliding in the method shown in FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In the following drawings, thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items. In the present specification, the term " connected "means not only the case where the A member and the B member are directly connected but also the case where the C member is interposed between the A member and the B member and the A member and the B member are indirectly connected do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise, " and / or "comprising, " when used in this specification, are intended to be interchangeable with the said forms, numbers, steps, operations, elements, elements and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.It is to be understood that the terms related to space such as "beneath," "below," "lower," "above, But may be utilized for an easy understanding of other elements or features. Terms related to such a space are for easy understanding of the present invention depending on various process states or use conditions of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature of the drawing is inverted, the element or feature described as "lower" or "below" will be "upper" or "above." Thus, "lower" is a concept encompassing "upper" or "lower ".

또한, 본 명세서에 기재된 X 좌표와 Y 좌표는 상호간 대략 직각/수직 또는 90°를 이루는 좌표를 의미하며, X 좌표는 예를 들면 수평 방향으로 배열되고 Y 좌표는 예를 들면 수직 방향으로 배열될 수 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 나노 단위는 1 nm 내지 999 nm를 의미하고, 마이크로 단위는 1 ㎛ 내지 999 ㎛를 의미할 수 있다.In addition, the X and Y coordinates described herein refer to coordinates that are approximately perpendicular / perpendicular or 90 degrees to each other, and the X coordinates may be arranged in the horizontal direction, for example, and the Y coordinates may be arranged in the vertical direction have. In addition, the nano unit described herein means 1 nm to 999 nm, and the microunit can mean 1 to 999 탆.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 나타내는 개략 분해 사시도이다.1 is a schematic exploded perspective view showing an ultra slim pocket type keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 상부에서 하부 방향으로 제1레이어(110)(Key Top Layer)와, 제2레이어(120)(Actuator Bump(Top Side))와, 제3레이어(130)(Nano Silver Pattern + FSR +Film(Top Side))와, 제4레이어(140)(Nano Silver Pattern + Film(Bottom Side))와, 제5레이어(150)(Bottom Layer(Bottom Side))와, 제6레이어(160)(Pan Spring Hinge)와, 제7레이어(170)(Touch PAD)와, 제8레이어(180)(Bottom Case)를 포함할 수 있다.1, an ultra-slim pocket-type keyboard apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include, for example and without limitation, a first layer 110 (Key Top Layer) A second layer 120 (Actuator Bump (Top Side)), a third layer 130 (Nano Silver Pattern + FSR + Film (Top Side)), a fourth layer 140 (Bottom Side), a fifth layer 150 (bottom layer), a sixth layer 160 (Pan Spring Hinge), a seventh layer 170 (Touch PAD) And a layer 180 (Bottom Case).

제1레이어(110)(Key Top Layer)는 키탑(Key Top)의 신뢰성 및 키 인지 능력의 향상을 위해 X 방향과 Y 방향으로 배열된 엠보싱 키(111)를 포함할 수 있다. 이러한 엠보싱 키(111)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 자외선 경화형 수지 또는 열경화성/열가소성 수지로 형성될 수 있다.The first layer 110 (Key Top Layer) may include an embossing key 111 arranged in the X direction and the Y direction for improving the reliability of the key top and the key recognition capability. The embossing key 111 may be formed of, for example, but not limited to, an ultraviolet curable resin or a thermosetting / thermoplastic resin.

제2레이어(120)(Actuator Bump(Top Side))는 제1레이어(110)의 하부에 위치되며, 이는 키 입력시 힘의 집중을 도모하고, 감도를 향상시키기 위하여, 상단에 돌기 형태로 배열된 액튜에이터 범프(121)를 포함할 수 있다. 여기서, 액튜에이터 범프(121)는 엠보싱 키(111)와 대응되는 영역에 형성될 수 있다.The second layer 120 is positioned at a lower portion of the first layer 110. The second layer 120 may be arranged in the form of a protrusion at the top The actuator bump 121 may include a plurality of actuators. Here, the actuator bump 121 may be formed in a region corresponding to the embossing key 111.

제3레이어(130)(Nano Silver Pattern + FSR +Film(Top Side))는 제2레이어(120)의 하부에 위치되며, 이는 키 메트릭스(Key Metrix)의 구성 중 Y 좌표의 입력 신호를 받고, 키 입력 시 X 좌표와 Y 좌표 사이의 FSR(133)(Force Sensing Resistor 또는 나노 압전 센서)의 전류 변화를 키 입력 신호로 추출하는 역할을 한다. 이러한 제3레이어(130)는 특히 상측 나노 실버 회로패턴(132)을 포함할 수 있다. The third layer 130 (Nano Silver Pattern + FSR + Film (Top Side)) is located below the second layer 120. The third layer 130 receives an input signal of the Y coordinate among the components of the key metrics, And extracts the current change of the FSR 133 (Force Sensing Resistor or Nano-Piezoelectric Sensor) between the X coordinate and the Y coordinate as a key input signal at the time of key input. The third layer 130 may include an upper nano silver circuit pattern 132 in particular.

여기서, FSR(133)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 표면에 가하는 힘을 증가시킬 수록 저항이 감소하는 중합체 우레탄 필름(Polymer Film)을 의미할 수 있다. 도전성 고무와 비교해 볼 때 전기적 이력 현상이 거의 없고 가격이 저가이다. 또한, 피에조 우레탄 필름(Piezo Film)과 비교해 보면 FSR이 저가이고 또한 진동과 열에 대한 영향이 적다.Here, the FSR 133 may mean, for example, a polymer urethane film whose resistance decreases as the force applied to the surface increases, although it is not limited. Compared with conductive rubber, there is little electrical hysteresis and the price is low. In addition, compared with Piezo Film, the FSR is inexpensive and has little influence on vibration and heat.

제4레이어(140)(Nano Silver Pattern + Film(Bottom Side))는 제3레이어(130)의 하부에 위치되며, 이는 키 메트릭스(Key Metrix)의 구성 중 X 좌표의 입력 신호를 받는 역할을 한다. 이러한 제4레이어(140)는 하측 나노 실버 회로패턴(141)을 포함할 수 있으며, 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 저항값을 낮추며, 접을 때 절곡/굴절/벤딩(Bending) 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The fourth layer 140 (Nano Silver Pattern + Film (Bottom Side)) is positioned below the third layer 130, and receives the input signal of the X coordinate among the configurations of the key metrics . The fourth layer 140 may include a lower nano silver circuit pattern 141 and the lower nano silver circuit pattern 141 may lower the resistance value and may improve bending / refraction / bending reliability when folded. .

제5레이어(150)(Bottom Layer(Bottom Side))는 제4레이어(140)의 하부에 위치되며, 패턴 우레탄 필름(Pattern Film)형 인쇄회로기판(PCB)의 평탄도를 유지하도록 하고, 키 입력 하중의 반발력을 유지하기 위하여 에폭시 우레탄 필름을 포함할 수 있다.The fifth layer 150 is positioned below the fourth layer 140 to maintain the flatness of the patterned pattern printed circuit board PCB, And may include an epoxy urethane film to maintain the repulsive force of the input load.

제6레이어(160)(Pan Spring Hinge)는 제5레이어(150)의 하부에 위치되며, 키보드 장치(100)를 열었을 경우 자동으로 대략 180° 정도 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 팬 스프링(161)(Pan Spring)을 포함할 수 있으며, 이는 원형 또는 타원형의 엠보싱(Embossing)을 포함할 수 있다. 특히, 제6레이어(160)의 팬 스프링(161)은 절곡 영역(190)과 대응되는 영역에 설치되어, 키보드 장치(100)가 탄력적으로 접히거나 펴질 수 있도록 한다.The sixth layer 160 is positioned below the fifth layer 150. The sixth layer 160 includes a fan spring 161 for automatically opening the keyboard device 100 when the keyboard device 100 is opened, ), Which may include circular or elliptical embossing. Particularly, the fan spring 161 of the sixth layer 160 is installed in a region corresponding to the bending area 190 so that the keyboard device 100 can be flexibly folded or unfolded.

제7레이어(170)(Touch PAD)는 제6레이어(160)의 하부에 위치되며, 키보드 장치(100)의 후면(또는/및 전면)에서도 사용 가능한 터치 패드(171)(Touch PAD)를 포함할 수 있고, 키보드를 닫았을 때와 열었을 때를 인지하여 자동으로 활성화/비활성화될 수 있다. The seventh layer 170 (Touch PAD) includes a touch pad 171 (Touch PAD) which is positioned below the sixth layer 160 and can be used on the rear surface (or / and front surface) of the keyboard device 100 And can be activated / deactivated automatically by recognizing when the keyboard is closed and opened.

제8레이어(180)(Bottom Case)는 제7레이어(170)의 하부에 위치되며, 펼칠 때 평평하게 펼쳐질 수 있도록 내부와 외부의 적절한 인장력(탄성)을 유지할 수 있는 우레탄, 고무 및/또는 그 합성물을 포함할 수 있다. 물론, 제7레이어(170)는 제8레이어(180)를 관통하여 외측으로 노출될 수 있다.The eighth layer 180 (bottom case) is disposed under the seventh layer 170 and is made of urethane, rubber, and / or the like, which can maintain proper tensile strength (elasticity) Lt; / RTI > Of course, the seventh layer 170 may be exposed through the eighth layer 180 to the outside.

이와 같이 하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 압전 우레탄 필름을 이용하여 일반적인 접이식 키보드에 비하여 현저하게 얇은 박막 두께를 가지고, 경량화된 무게를 가진다.As described above, the ultra-slim pocket type keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention uses a piezoelectric urethane film and has a remarkably thin film thickness and a light weight compared to a general foldable keyboard.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 펼쳤을 때의 키 탑의 두께가 불과 대략 2.4mm보다 작고, 접었을 때의 두께는 대략 5 mm보다 작아 포켓에 넣을 수 있는 구조를 가진다.In addition, the ultra-slim pocket-type keyboard apparatus 100 according to the embodiment of the present invention has a structure in which the thickness of the key top when unfolded is less than about 2.4 mm, and the thickness when folded is less than about 5 mm, .

이러한 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접었다 폈을 때 내부 회로패턴이 끊어지면 안된다는 점, 절곡/굴절/벤딩의 횟수(신뢰성)가 매우 중요하다는 점을 고려하여, 극 나노 실버 소재를 패턴화하여 신뢰성을 확보하였으며, 키보드 장치(100)를 펼쳤 때 자연스럽게 펼쳐질 수 있도록 외관 케이스를 굴절 탄성이 유지되는 우레탄과 고무의 합성소재를 배합 적용할 수 있다. In consideration of the fact that the internal circuit pattern should not be broken when folded and the number of times of bending / bending / bending (reliability) is very important, the ultra slim pocket type keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention, The outer case can be blended with a synthetic material of urethane and rubber which maintains the bending elasticity so that the keyboard can be unfolded naturally when the keyboard device 100 is unfolded.

도 2a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 다양한 방향에서 바라본 도면이고, 도 2b는 도 2a의 2b 영역의 확대 단면도이다.FIG. 2A is a view showing various aspects of an ultra slim pocket-type keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention, and FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view of a region 2b in FIG.

우선 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 길이 방향에 대략 수직한 방향으로 접힐 수 있는 직선 형태의 절곡 영역(190)을 포함한다. 실질적으로, 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140), 제5레이어(150) 및 제8레이어(180)에 걸쳐 공통적으로 직선 형태의 절곡 영역(190)이 형성되기 때문에, 이는 공통의 절곡 영역(190)으로 지칭될 수 있다. 도 2a에서 상부에서 하부를 향하여 표시된 점선이 절곡 영역(190)과 대응하는 영역이다.2A, an ultra slim pocket keyboard device 100 according to an embodiment of the present invention includes a linear bending region 190 that can be folded in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction. The first layer 110, the second layer 120, the third layer 130, the fourth layer 140, the fifth layer 150, and the eighth layer 180, Which may be referred to as a common bending area 190. The bending area < RTI ID = 0.0 > 190 < / RTI > In Fig. 2A, the dotted line indicated from the top to the bottom is the area corresponding to the bending area 190. Fig.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 일측(도 2a에서 대략 좌측 영역)에 접힘 상태를 유지하도록 하는 마그네트(9)가 설치되고, 파워 온/오프 상태를 알리는 LED(10)가 설치되며, 또한 마이크로 USB 디바이스가 결합되는 마이크로 USB 잭(11)이 설치될 수 있다.The pocket-type keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention includes a magnet 9 for maintaining a folded state at one side (an approximately left region in FIG. 2A), and an LED (not shown) 10, and a micro USB jack 11 to which a micro USB device is coupled.

또한, 도면 부호 13은 키보드 장치(100)의 좌측면도를 의미하고, 도면 부호 14는 키보드 장치(100)의 평면도를 의미하며, 도면 부호 15는 키보드 장치(100)의 정면도를 의미하며, 도면 부호 16은 키보드 장치(100)의 후면도를 의미하고, 도면 부호 17은 키보드 장치(100)의 우측면도를 의미하고, 도 18은 키보드 장치(100)의 저면도를 의미한다. Reference numeral 13 denotes a left side view of the keyboard device 100. Reference numeral 14 denotes a plan view of the keyboard device 100. Reference numeral 15 denotes a front view of the keyboard device 100, Reference numeral 16 denotes a rear view of the keyboard device 100. Reference numeral 17 denotes a right side view of the keyboard device 100, and Fig. 18 denotes a bottom view of the keyboard device 100. Fig.

더불어, 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 저면에는 제8레이어(180)를 통하여 외측으로 노출된 터치 패드(171)가 설치됨을 볼 수 있다.In addition, it can be seen that a touch pad 171 exposed to the outside through the eighth layer 180 is installed on the bottom surface of the ultra slim pocket type keyboard device 100.

다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 일측(도 2b에서 대략 좌측 영역)에 탑 커버 케이스(1), 반도체 및 회로 부품들(2), 그리고 에폭시 재질의 인쇄회로기판(30이 구비될 수 있을 볼 수 있다. 2B, the ultra-slim pocket-type keyboard apparatus 100 according to the embodiment of the present invention includes a top cover case 1, a semiconductor and circuit components 2 (left side in FIG. 2B) ), And a printed circuit board 30 made of an epoxy material.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 타측(도 2b에서 대략 우측 영역)에 상부에서 하부 방향으로 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140), 제5레이어(150) 및 제8레이어(180)가 순차적으로 형성될 수 있다.In addition, the ultra-slim pocket-type keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention includes a first layer 110, a second layer 120, a third layer (not shown) 130, a fourth layer 140, a fifth layer 150, and an eighth layer 180 may be sequentially formed.

특히, 제1레이어(110)는 자외선/열 경화형(또는 가소성) 엠보싱 키(111)(탑층)를 포함하고, 제2레이어(120)는 액티브 범프(121)를 포함할 수 있다. 또한, 제3레이어(130)는 상부에서 하부 방향으로 순차적으로 상부 기재(131), 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 FSR(133)을 포함할 수 있고, 제4레이어(140)는 상부에서 하부 방향으로 순차적으로 하측 나노 실버 회로패턴(141) 및 하부 기재(142)를 포함할 수 있다. 더불어, 제5레이어(150)는 에폭시 레이어를 포함할 수 있고, 제8레이어(180)는 하부 케이스를 포함할 수 있다.In particular, the first layer 110 may include an ultraviolet / thermal curable (or plastic) embossing key 111 (top layer), and the second layer 120 may include an active bump 121. The third layer 130 may include an upper substrate 131, an upper nano silver circuit pattern 132 and an FSR 133 sequentially from the upper side to the lower side. The fourth layer 140 may include, And the lower nano silver circuit pattern 141 and the lower substrate 142 sequentially in the lower direction. In addition, the fifth layer 150 may include an epoxy layer, and the eighth layer 180 may include a lower case.

일반적으로, FPCB(Flexible PCB)로 형성된 절곡 영역은 절곡/굴절/벤딩 신뢰성(회로패턴이 단선되는 시기)이 대략 1만회를 한계로 보고 있으나, 본 발명의 실시예에서와 같이 상,하측 나노 실버 회로패턴(132,141)을 포함하는 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 대략 10만회 이상의 절곡/굴절/벤딩 신뢰성을 보증할 수 있다.In general, the bending region formed of FPCB (Flexible PCB) has a limitation of bending / refraction / bending reliability (a time when circuit patterns are broken) about 10,000 times. However, as in the embodiment of the present invention, The ultra slim pocket type keyboard apparatus 100 including the circuit patterns 132 and 141 can ensure bending / bending / bending reliability of about 100,000 times or more.

이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 이러한 나노 실버 회로패턴의 신뢰성을 이용하여, 절곡 영역(190)과 나노 실버 회로패턴(132,141)을 일체화하여 전반적인 키보드 장치(100)의 신뢰성과 성능을 동시에 향상시킬 수 있다.Thus, the ultra-slim pocket-type keyboard device 100 according to the present invention can integrate the bending area 190 and the nano-silver circuit patterns 132 and 141 by integrating the reliability of the nano-silver circuit pattern, ) Can be improved at the same time.

도 3a는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 절곡 영역(190)을 나타내는 도면이고, 도 3b는 본 발명의 다양한 실시예에 이용된 극 나노 실버 도전재와 일반 실버 도전재를 도시한 사진이다.3a is a view of a bend area 190 of an ultra slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention and FIG. It is a photograph showing ashes.

도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 제1레이어(110), 제2레이어(120), 제3레이어(130), 제4레이어(140) 및 제8레이어(180)의 길이 방향에 대하여 대략 수직 방향으로 직선 형태의 절곡 영역(190)이 형성될 수 있다. 절곡 영역(190)은 키보드 장치(100)의 길이 방향에 대하여 대략 중간 정도에 형성될 수 있으나, 본 발명이 이러한 절곡 영역(190)의 위치를 한정하는 것은 아니다. 절곡 영역(190)은 예를 길이 방향의 대략 1/3 영역 또는 2/3 영역에 형성될 수도 있다.3A, an ultra-slim pocket-type keyboard apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a first layer 110, a second layer 120, a third layer 130, a fourth layer 140, And a bending region 190 having a linear shape in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the eighth layer 180 may be formed. The bending area 190 may be formed at about the middle of the longitudinal direction of the keyboard device 100, but the present invention does not limit the position of the bending area 190. The bending area 190 may be formed in an approximately 1/3 area or a 2/3 area in the longitudinal direction, for example.

한편, 제3레이어(130)에, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 길이 방향으로 다수의 상측 나노 실버 회로패턴(132)이 형성되고, 이러한 다수의 상측 나노 실버 회로패턴(132)은 절곡 영역(190)을 통과하여 지나갈 수 있다.On the other hand, a plurality of upper nano silver circuit patterns 132 are formed in the third layer 130 in a substantially longitudinal direction, for example, but not limited to, the upper nano silver circuit patterns 132, Region 190. In this way,

또한, 제4레이어(140)에, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 폭 방향으로 다수의 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되고, 이러한 다수의 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 절곡 영역(190)을 통과하여 지나갈 수 있다.A plurality of lower nano silver circuit patterns 141 are formed in the fourth layer 140 in, for example, but not limited to, substantially the width direction. The plurality of lower nano silver circuit patterns 141 are bent Region 190. In this way,

여기서, 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및/또는 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 주요 재질이 나노 실버로 형성됨으로써, 전기 전도성이 저하되지 않으면서도 연성 및 접착력이 우수하여 절곡 영역(190)에서 박리, 탈락, 벗겨짐 등의 현상이 발생하지 않는다. 특히, 절곡 영역(190)과 대응하는 영역에만 이러한 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및/또는 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되고, 그 이외의 영역은 일반적인 저가의 카파 또는 알루미늄 회로패턴이 형성될 수도 있다. Since the upper nano silver circuit pattern 132 and / or the lower nano silver circuit pattern 141 are formed of nano silver as a main material, they are excellent in ductility and adhesive strength without deteriorating the electrical conductivity, Peeling, peeling, peeling, and the like do not occur. Particularly, the upper nano silver circuit pattern 132 and / or the lower nano silver circuit pattern 141 are formed only in the area corresponding to the bending area 190, and the other area is a general low cost kappa or aluminum circuit pattern .

도 3b에 도시된 바와 같이, 극 나노 실버 소재(예를 들면, 크기가 1 nm 내지 20 nm, 좌측 도면)는 일반 실버 소재(예를 들면, 크기가 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 우측 도면)에 비해 그 크기가 훨씬 작고 구형에 가까운 특성을 갖는다. 일반적으로 실버는 융점이 대략 961 ℃로 알려져 있고, 플레이크 실버 분말도 대략 550 ~ 650 ℃ 사이에서 용융되기 시작하는 것으로 알려져 있다. As shown in Fig. 3b, a pole nano silver material (e.g., 1 nm to 20 nm in size, left side view) is shown in comparison to a regular silver material (e.g., 1 袖 m to 100 袖 m in size, Its size is much smaller and has a near spherical characteristic. Generally, silver is known to have a melting point of about 961 DEG C, and flake silver powder is also known to start to melt at about 550 to 650 DEG C.

그러나, 실버 분말의 크기가 대략 100 nm 이하로 작아지면 대략 150 ℃ 이하에서도 융융된다. 심지어 2 nm급의 실버 입자는 융점이 실온까지 내려간다.However, when the size of the silver powder is reduced to about 100 nm or less, it melts at about 150 ° C or less. Even 2 nm silver particles have their melting point down to room temperature.

실버 분말 크기가 나노화됨에 따라 융점이 급격하게 낮아지게 되는데, 그 이유는 입자 크기가 나노화됨에 따라 전열면적, 표면 원자수 증가 및 이에 따른 반응성의 증가에 기인하는 것으로 생각된다.As the size of the silver powder becomes nano-sized, the melting point is drastically lowered. This is thought to be due to the increase of the heat transfer area and the number of surface atoms and the increase of reactivity as the particle size becomes nano-sized.

이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에서는 나노 크기의 실버 분말을 이용하여 저온에서 인쇄, 소결, 분사 및/또는 증착 방법 등을 이용하여 상부 기재(131) 및/또는 하부 기재(142)(예를 들면, 우레탄 필름, 피복, 섬유 등)에 나노 실버 회로패턴(132,1141)을 각각 형성할 수 있음을 알 수 있다. 여기서, 기재 우레탄 필름은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), PAN(polyacrylonitrile) 등의 플라스틱 기판을 의미할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the upper substrate 131 and / or the lower substrate 142 (for example, the upper substrate 131 and the lower substrate 142) are formed by using a nano-sized silver powder at a low temperature by printing, sintering, It is understood that the nano-silver circuit patterns 132 and 1141 can be formed on the urethane film, the coating, the fiber, and the like, respectively. Here, the base urethane film may mean, for example, a plastic substrate such as PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), or PAN (polyacrylonitrile).

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)의 접힌 상태 및 접힌 상태의 터치 패드(171)를 도시한 사진이다.4A and 4B are photographs showing the touch pad 171 in the folded state and the folded state of the ultra slim pocket type keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접힌 상태에서 대략 5 mm의 두께를 갖고 또한 대략 100 g보다 작은 무게를 갖는다. 더욱이, 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)는 접힌 상태에서 전면/후면에 터치 패드(171)가 위치하게 되므로, 이러한 터치 패드(171)를 통하여 컴퓨터나 스마트폰 등에 다양한 입력 작업을 할 수 있다.As shown in FIG. 4A, an ultra slim pocket keyboard device 100 according to an embodiment of the present invention has a thickness of about 5 mm in the folded state and has a weight of less than about 100 g. 4B, since the touch pad 171 is positioned on the front / rear surface in the folded state, the ultrasonic pocket type keyboard device 100 according to the embodiment of the present invention is positioned in the folded state, You can do various input work such as computer and smart phone.

도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 나노 실버 슬러리 준비 단계(S1)와, 인쇄 단계(S2)와, 소결 단계(S3)에 의해 형성될 수 있다.5, the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 are formed in the nano silver slurry preparation step S1, , A printing step (S2), and a sintering step (S3).

나노 실버 슬러리 준비 단계(S1)에서는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 분해 온도가 상대적으로 낮은 네오데칸산(neodecanoic acid)과 같은 산성 용액과, 이러한 산성 용액에 분산된 대략 1 nm 내지 20 nm의 크기를 갖는 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비한다. 여기서, 산성 용액으로서 올레익산(oleic acid)을 이용할 경우, 상술한 크기의 나노 실버 입자에 대한 융점은 대략 250℃까지 상승함으로써, 소결 단계에서 우레탄 필름, 피복 또는 섬유와 같은 상,하부 기재(131,142)가 변형되는 문제가 있다.In the nanosilver slurry preparation step S1, for example, an acidic solution such as, but not limited to, neodecanoic acid having a relatively low decomposition temperature and an acidic solution, such as about 1 nm to 20 nm Lt; RTI ID = 0.0 > nanosilver < / RTI > Here, when oleic acid is used as the acidic solution, the melting point for the nanosilver particles of the above-mentioned size is increased up to about 250 DEG C, so that in the sintering step, the upper and lower substrates 131, 142 ) Is deformed.

인쇄 단계(S2)에서는, 나노 실버 슬러리를 제3레이어(130)의 상부 기재(131) 및 제4레이어(140)의 하부 기재(142) 위에 각각 인쇄하고 건조한다. 여기서, 인쇄 패턴은 상술한 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)과 동일하다.In the printing step S2, the nanosilver slurry is printed and dried on the upper substrate 131 of the third layer 130 and the lower substrate 142 of the fourth layer 140, respectively. Here, the printed pattern is the same as the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 described above.

일례로, 한정하는 것은 아니지만, 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행될 수 있다. 이러한 각각의 인쇄 방식은 해상도 및/또는 형성 가능 두께가 상이하므로, 형성하고자 하는 회로패턴의 두께나 폭을 고려하여 적절히 선택하여 이용한다. For example, and not by way of limitation, printing may be performed by an inkjet method, a screen method, a gravure method, a flexo method, or an offset method. Each of these printing methods has a different resolution and / or thickness that can be formed, and is appropriately selected in consideration of the thickness and width of a circuit pattern to be formed.

소결 단계(S3)에서, 상술한 방식으로 인쇄된 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도로 소결하여, 상부 기재(131)에 상측 나노 실버 회로패턴(132)이 형성되도록 하고, 하부 기재(142)에 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 형성되도록 한다.In the sintering step S3, the nanosilver slurry printed in the above-described manner is sintered at a temperature of 90 ° C. to 130 ° C. to form an upper nano silver circuit pattern 132 on the upper substrate 131, 142 to form the lower nano silver circuit pattern 141. [

여기서, 비록 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)이 마치 동일 단계에서 형성되는 것으로 설명하였으나, 이는 일례에 불과하며, 별도의 독립된 단계에서 형성될 수 있음은 당연하다. 이러한 특징은 하기 도 6에서 설명하고 있는 형성 방법에도 동일하게 적용될 수 있다.Here, although the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 are formed at the same stage, they are merely examples, and it is natural that they can be formed in separate independent steps. This feature can be applied to the forming method described in Fig. 6 as well.

또한, 상술한 소결 단계는 일반적인 적외선 히터를 이용한 급속 열처리 장치에 의해 수행될 수 있으나, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)의 열충격을 최소화하기 위해 플래시 램프를 이용한 방식이 이용될 수 있다. 플래시 램프(예를 들면, 제논 플래시 램프)는 수 ㎲의 조사 시간을 갖는 1샷(shot)으로 나노 실버 슬러리를 충분히 소결시킬 수 있는 에너지를 방출하며, 특히 이때 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 열이 거의 전달되지 않음으로써, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 대한 열충격을 최소화하여 다양한 종류의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)를 이용할 수 있도록 한다.The above-described sintering step may be performed by a rapid thermal processing apparatus using a general infrared heater, but a method using a flash lamp may be used to minimize the thermal shock of the upper substrate 131 and the lower substrate 142. The flash lamp (e. G., A xenon flash lamp) emits energy sufficient to sinter the nanosilver slurry in one shot with an irradiation time of several microseconds, especially at this time the upper substrate 131 and the lower substrate < The thermal shock to the upper substrate 131 and the lower substrate 142 is minimized so that various types of the upper substrate 131 and the lower substrate 142 can be used.

한편, 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 각각 두께 및 폭이 대략 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛로 형성될 수 있다. 두께 및 폭이 대략 0.1 ㎛보다 작으면 절곡 영역(190)에서 단선의 위험이 있고 또한 전기 저항이 상대적으로 커서 배터리 소모율이 클 수 있다. 또한 두께 및 폭이 대략 100 ㎛보다 크면, 인쇄 및 소결 시간이 오래 걸려 제조 수율이 저하될 수 있다.On the other hand, the upper nano silver circuit pattern 132 and the lower nano silver circuit pattern 141 may be formed to have a thickness and width of about 0.1 to 100 m, respectively. If the thickness and width are less than about 0.1 占 퐉, there is a danger of disconnection in the bending region 190, and the electrical resistance is relatively large, and the battery consumption rate may be large. Also, if the thickness and width are larger than about 100 mu m, the printing and sintering time may be long and the yield of production may be lowered.

더불어, 상술한 방식으로 제조된 상측 및 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 전기 전도도가 대략 2 내지 4 x 104 S/cm의 값을 갖는데 이는 벌크 실버(6.21 x 105 S/cm)의 전도도에 미치지 못하지만 증착된 실버 우레탄 필름에 준하는 결과로서, 통상의 회로패턴으로 사용하기에 충분하다.In addition, the upper and lower nanosilver circuit patterns 141 fabricated in the above-described manner have an electrical conductivity of about 2 to 4 x 10 4 S / cm, which is a conductivity of bulk silver (6.21 x 10 5 S / cm) But it is sufficient to be used in a conventional circuit pattern as a result of the deposited silver urethane film.

또한, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 나노 실버 입자(파우더), 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트(슬러리)를 준비하고(실버 페이스트(슬러리) 준비 단계(S1)), 실버 페이스트를 상부 기재(131) 및 하부 기재(142) 위에 각각 인쇄하며(인쇄 단계(S2)), 인쇄된 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성(소결 단계(S3))한 것일 수 있다. 여기서, 대부분의 공정 조건은 상술한 바와 유사하다. 예를 들면, 용액은 분해 온도가 상대적으로 낮은 네오데칸산(neodecanoic acid)과 같은 산성 용액일 수 있고, 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)는 우레탄 필름일 수 있으며, 소결 부재는 플래시 램프일 수 있다.The upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 are formed of nano silver particles (powder), urethane resin, solution, (Silver paste (slurry) preparation step S1) and a silver paste are printed on the upper substrate 131 and the lower substrate 142 respectively (printing step S2) (Sintering step (S3)) by sintering the printed silver paste at a temperature of 90 ° C to 130 ° C for 10 minutes to 60 minutes. Here, most of the processing conditions are similar to those described above. For example, the solution may be an acidic solution such as neodecanoic acid having a relatively low decomposition temperature, and the upper substrate 131 and the lower substrate 142 may be a urethane film, Lt; / RTI >

한편, 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자(파우더)를 더 포함할 수 있다. 즉, 실버 페이스트는 대략 1 nm 내지 999 nm 크기의 나노 실버 입자와, 대략 1 ㎛ 내지 50 ㎛ 크기의 마이크로 실버 입자를 포함할 수 있다. 더불어, 전체 함량 대비 나노 실버 입자는 70 wt% 내지 90 wt%이고, 마이크로 실버 입자는 10 wt% 내지 30 wt%일 수 있다. 이러한 공정 조건에 의해 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 대략 2H 내지 3H의 경도를 가질 수 있다. 이와 같이 나노 단위와 마이크로 단위의 실버 입자가 이용됨으로써, 상호간 팩킹 밀도(packing density)가 향상되고, 굴곡성이 우수해지므로 기재(필름)가 늘어나도 실버 회로패턴이 쉽게 크랙되거나 깨지지 않는다.On the other hand, the silver paste may further include micro silver particles (powder). That is, the silver paste may include nanosilver particles of approximately 1 nm to 999 nm in size and micros silver particles of approximately 1 to 50 μm in size. In addition, the nano silver particles may be 70 wt% to 90 wt% and the micro silver particles may be 10 wt% to 30 wt% with respect to the total content. The upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 by such process conditions are not limited to, And may have a hardness of 2H to 3H. By using the nano unit and the micro silver particles, the packing density is improved and the bending property is improved, so that the silver circuit pattern is not easily cracked or broken even when the substrate (film) is stretched.

더욱이, 상부 기재/하부 기재로서 우레탄 필름은 표면이 다공성이기 때문에, 실버 회로패턴과 접착력/접착성이 상당히 우수하며, 이에 따라 상부 기재/하부 기재가 늘어나도 실버 회로패턴이 쉽게 크랙되거나 깨지지 않게 되어, 웨이러블 디바이스에 적합하다.Moreover, since the urethane film as the upper substrate / lower substrate has a porous surface, the adhesion and adhesion with the silver circuit pattern are remarkably excellent, so that even when the upper substrate / lower substrate is stretched, the silver circuit pattern is not easily cracked or broken , And is suitable for a wafer device.

또한, 실버 페이스트는 대략 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 우레탄 재질의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142)에 인쇄될 수 있다.Also, the silver paste can be printed on the upper substrate 131 and the lower substrate 142 made of urethane material by a polyester mesh having a size of about 350 mesh to 500 mesh.

더불어, FSR(133)(예를 들면, 카본 페이스트) 역시 스크린 인쇄 방식에 의해 형성될 수 있는데, 이는 대략 200 메쉬 내지 300 메쉬의 사이즈를 갖는 망사에 의해 상측 나노 실버 회로패턴(132)에 형성될 수 있다. FSR(133)의 인쇄 시 상대적으로 낮은 메쉬의 망사를 이용하는 이유는 FSR(133)을 상대적으로 두껍게 인쇄해야 FSR의 품질 신뢰성이 확보되기 때문이다. 이러한 FSR(133)은 대략 3H의 경도를 갖는다.In addition, the FSR 133 (e.g., carbon paste) can also be formed by screen printing, which is formed in the upper nano silver circuit pattern 132 by a mesh having a size of about 200 mesh to 300 mesh . The reason why the mesh of relatively low mesh is used in printing the FSR 133 is that the FSR 133 must be printed relatively thick to ensure the quality reliability of the FSR. This FSR 133 has a hardness of approximately 3H.

도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)에서 극 나노 실버 패턴을 형성하기 위한 방법의 일례를 도시한 순서도이다. 또한, 도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 방법 중에서 파쇄/충돌하기 이전 및 이후의 실버 분말 분포를 도시한 그래프이다.6 is a flowchart illustrating an example of a method for forming a pole nano silver pattern in an ultra slim pocket keyboard device 100 according to various embodiments of the present invention. 7A and 7B are graphs showing the distribution of silver powder before and after shredding / colliding in the method shown in FIG.

도 6에 도시된 바와 같이, 제3레이어(130)에 형성된 상측 나노 실버 회로패턴(132) 및 제4레이어(140)에 형성된 하측 나노 실버 회로패턴(141)은 실버 분말 공급 단계(S21)와, 실버 분말 이송 단계(S22)와, 실버 분말 충돌/파쇄 단계(S23)와, 실버 회로패턴 형성 단계(S24)에 의해 형성될 수 있다.6, the upper nano silver circuit pattern 132 formed on the third layer 130 and the lower nano silver circuit pattern 141 formed on the fourth layer 140 are connected to the silver powder supply step S21 A silver powder transfer step S22, a silver powder collision / crushing step S23, and a silver circuit pattern formation step S24.

실버 분말 공급 단계(S21) 및 실버 분말 이송 단계(S22)에서, 실버 분말 공급부로부터 대략 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 실버 분말을 이송한다. 여기서, 이송 가스는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 헬륨, 질소, 아르곤, 산소, 공기일 수 있다. 또한,도 7a에 도시된 바와 같이 실버 분말은 갯수에 있어서 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 가질 수 있다.In the silver powder supplying step (S21) and the silver powder supplying step (S22), a plurality of silver powder having a powder particle size range of about 1 to 50 mu m is supplied from the silver powder supplying part, and silver powder is transferred do. Here, the transport gas may be, for example, but not limited to, helium, nitrogen, argon, oxygen, and air. Also, as shown in FIG. 7A, the silver powder may have a normal distribution characteristic with one peak in number.

실버 분말 충돌/파쇄 단계(S23) 및 실버 회로패턴 형성 단계(S24)에서, 상술한 바와 같이 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상부 기재(131) 및 하부 기재(142) 위에 대략 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 형태로 회로패턴을 형성하도록 한다. 즉, 본 발명의 실시예에서 상대적으로 큰 제2입경 범위를 갖는 제2나노 실버 입자들 사이 사이에 상대적으로 직경이 작은 제1입경 범위를 갖는 제1나노 실버 입자들이 충진된 형태를 함으로써, 회로패턴의 기공률이 대략 0.01 % 내지 0.1% 정도로 작다. 이는 자갈 사이에 모래가 충진됨으로써, 기공률이 작은 원리와 유사하다.In the silver powder collision / crushing step S23 and the silver circuit pattern formation step S24, the silver powder transferred as described above is applied to the upper substrate 131 and the lower substrate 142 in the process chamber at a rate of about 100 to 500 m / and a plurality of second nano silver particles having a circuit pattern second particle size range larger than the circuit pattern first particle size range, and a plurality of second nano silver particles having a circuit pattern second particle size range larger than the circuit pattern first particle size range Thereby forming a circuit pattern in a mixed form. That is, in the embodiment of the present invention, by filling the first nanosilver particles having a relatively small diameter with the first nanosilver particles between the second nanosilver particles having a relatively large second particle size range, The porosity of the pattern is as small as about 0.01% to 0.1%. This is similar to the principle of small porosity by sand filling between gravels.

더불어, 일반적으로 실버 분말을 플라스틱 기재에 충돌/파쇄시키면 증착되지 않고 플라스틱 기재가 식각되는 것으로 지금까지 알려져 왔으나, 본 발명의 실시예에서와 같은 분말 크기 및 분말 속도를 이용하게 되면, 기재의 식각대신 일정 두께의 피막층이 형성 또는 증착됨을 본 발명자는 알게 되었다. 이는 마치 눈덩어리를 벽에 계속 던지면 눈덩어리들이 대부분 벽에 충돌/파쇄되어 없어지지만 일부의 눈덩어리들이 잔존하면서 점차 층을 형성하는 원리와 유사하다고 생각된다.In addition, in general, it has hitherto been known that when a silver powder is collided / crushed with a plastic substrate, the plastic substrate is etched without being deposited. However, when the powder size and the powder speed are used as in the embodiment of the present invention, The inventors have found that a coating layer of a certain thickness is formed or deposited. This is similar to the principle of gradually forming layers as some lumps of snow remain while some of the snow clusters collide / shatter on the walls and disappear as if the snow lumps are thrown on the wall.

또한, 공정 챔버는 저진공 상태이거나 또는 비진공 상태일 수 있음으로써, 저비용으로 회로패턴을 형성할 수 있고, 또한 이송 가스 및 공정 챔버의 온도가 실온(대략 10 ℃ 내지 30 ℃)일 수 있음으로써, 본 발명의 실시예에서 우레탄 필름, 피복, 천과 같은 융점이 상대적으로 낮은 상부 기재(131) 또는 하부 기재(142)의 표면에 직접 벌크 상태와 유사한 실버 회로패턴을 형성할 수 있게 된다.Also, because the process chamber can be in a low vacuum or a non-vacuum state, a circuit pattern can be formed at a low cost, and the temperature of the transfer gas and the process chamber can be room temperature (approximately 10 ° C to 30 ° C) , It is possible to form a silver circuit pattern similar to a bulk state directly on the surface of the upper substrate 131 or the lower substrate 142 having a relatively low melting point such as a urethane film, a cloth or cloth in the embodiment of the present invention.

한편, 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 대략 1 nm 내지 900 nm이고, 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛일 수 있다. 또한, 제1나노 실버 입자의 갯수는 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 제2나노 실버 입자의 갯수는 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이룰 수 있다. 즉, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1나노 실버 입자는 갯수에 있어 제2나노 실버 입자의 갯수보다 많으며 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 갖고, 또한 제2나노 실버 입자는 갯수에 있어 제1나노 실버 입자의 갯수보다 작으며 하나의 피크를 갖는 정규 분포 특성을 갖는다. 따라서, 크기가 크고 갯수가 작은 제2입자 사이에 크기가 작고 갯수가 많은 제1입자가 혼합된 형태를 하므로, 기공률이 현저히 작은(전기 전도도가 큰) 회로패턴을 구현하게 된다.On the other hand, the first nanosilver particle may have a first particle size range of about 1 nm to 900 nm, and the second nanosilver particle may have a second particle size range of 900 nm to 10 μm. Also, the number of the first nanosilver particles may be one peak in the first particle size range, and the number of the second nanosilver particles may be one peak in the second particle size range. That is, as shown in FIG. 7B, the number of first nanosilver grains is larger than the number of second nanosilver grains in number, and has a normal distribution characteristic with one peak, and the number of second nanosilver grains is Is less than the number of 1-nano silver particles and has a normal distribution characteristic with one peak. Accordingly, since the first particles having a small size and a large number are mixed between the second particles having a large size and a small number of particles, a circuit pattern having a significantly small porosity (having a large electrical conductivity) is realized.

이와 같이 하여, 본 발명의 실시예는 저온에서 인쇄/소결, 분사 및/또는 증착될 수 있는 나노 실버 분말/입자를 이용하여 나노 실버 회로패턴을 형성함으로써, 전기 전도도 및 연성이 크고 접착력이 우수하며 절곡 영역(190)에서의 신뢰성이 우수한 초슬림 포켓형 키보드 장치(100)를 제공하게 된다.Thus, embodiments of the present invention provide nanosilver circuit patterns using nanosilver powders / particles that can be printed / sintered, sprayed and / or deposited at low temperatures to provide high electrical conductivity and ductility, It is possible to provide an ultrathin pocket type keyboard device 100 having excellent reliability in the bending area 190. [

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 초슬림 포켓형 키보드 장치을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.It is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

100; 초슬림 포켓형 키보드 장치
110; 제1레이어 111; 엠보싱 키
120; 제2레이어 121; 액튜에이터 범프
130; 제3레이어 131; 상부 기재
132; 상측 나노 실버 회로패턴
133; FSR 140; 제4레이어
141; 하측 나노 실버 회로패턴
142; 하부 기재 150; 제5레이어
160; 제6레이어 161; 팬 스프링
170; 제7레이어 171; 터치 패드
180; 제8레이어 190; 절곡 영역
100; Ultra slim pocket keyboard device
110; A first layer 111; Embossing key
120; A second layer 121; Actuator bump
130; A third layer 131; Upper substrate
132; Upper nano silver circuit pattern
133; FSR 140; Fourth layer
141; Lower nano silver circuit pattern
142; A lower substrate 150; The fifth layer
160; A sixth layer 161; Fan spring
170; A seventh layer 171; Touchpad
180; An eighth layer 190; Bending area

Claims (14)

다수의 엠보싱 키가 배열된 제1레이어;
상기 제1레이어의 하부에 상기 엠보싱 키와 대응되는 위치에 돌기 형태로 형성된 액튜에이터 범프가 배열된 제2레이어;
상기 제2레이어의 하부에 키 매트릭스 중 Y 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 상측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제3레이어; 및
상기 제3레이어의 하부에 키 매트릭스 중 X 좌표의 입력 신호를 추출하도록 형성된 하측 나노 실버 회로패턴을 갖는 제4레이어를 포함하고,
상기 제1레이어 내지 제4레이어는 길이 방향에 수직한 방향으로 접을 수 있는 공통의 절곡 영역을 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
A first layer in which a plurality of embossing keys are arranged;
A second layer in which actuator bumps formed in a protruding shape at a position corresponding to the embossing key are arranged under the first layer;
A third layer having an upper nano silver circuit pattern formed to extract an Y-coordinate input signal out of the key matrix in the lower part of the second layer; And
And a fourth layer having a lower nano silver circuit pattern formed to extract an X-coordinate input signal of the key matrix below the third layer,
Wherein the first layer to the fourth layer further include a common bending region foldable in a direction perpendicular to the longitudinal direction.
제 1 항에 있어서,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 상기 절곡 영역을 통과하여 절곡될 수 있으며,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하부 나노 실버 회로패턴은 나노 실버 도전재로 형성된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method according to claim 1,
The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern may be bent through the bending area,
Wherein the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern are formed of a nano silver conductive material.
제 3 항에 있어서,
상기 제3레이어는 상기 상측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 상부 기재를 더 포함하고,
상기 제4레이어는 상기 하측 나노 실버 회로패턴이 형성되는 하부 기재를 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method of claim 3,
Wherein the third layer further comprises an upper substrate on which the upper nano silver circuit pattern is formed,
Wherein the fourth layer further comprises a lower substrate on which the lower nano silver circuit pattern is formed.
제 3 항에 있어서,
상기 상부 기재 및 하부 기재는 우레탄 필름, 피복 또는 섬유를 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method of claim 3,
Wherein the upper substrate and the lower substrate comprise a urethane film, sheath or fiber.
제 3 항에 있어서,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
산성 용액과, 상기 산성 용액에 분산된 1 nm 내지 20 nm의 나노 실버 입자를 포함하는 나노 실버 슬러리를 준비하고,
상기 나노 실버 슬러리를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며,
상기 인쇄된 상기 나노 실버 슬러리를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 소결하여 형성한 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method of claim 3,
The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern
An acidic solution and a nanosilver slurry containing nanosilver particles of 1 nm to 20 nm dispersed in the acidic solution were prepared,
The nano silver slurry is printed on the upper substrate and the lower substrate, respectively,
Wherein the printed nanosilver slurry is sintered at a temperature of 90 ° C to 130 ° C.
제 5 항에 있어서,
상기 인쇄는 잉크젯(inkjet) 방식, 스크린(screen) 방식, 그라비어(gravure) 방식, 플렉소(flexo) 방식 또는 오프셋(offset) 방식에 의해 수행된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the printing is performed by an inkjet method, a screen method, a gravure method, a flexo method, or an offset method.
제 1 항에 있어서,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은 각각 두께 및 폭이 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern have a thickness and a width of 0.1 mu m to 100 mu m, respectively.
제 3 항에 있어서,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
실버 분말 공급부로부터 1 ㎛ 내지 50 ㎛의 분말 입경 범위를 갖는 다수의 실버 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 상기 실버 분말을 이송하며,
상기 이송된 실버 분말을 공정 챔버 내의 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 회로패턴 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1나노 실버 입자와, 상기 회로패턴 제1입경 범위보다 큰 회로패턴 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2나노 실버 입자가 혼합된 회로패턴을 형성하고,
상기 제1나노 실버 입자의 회로패턴 제1입경 범위는 1 nm 내지 900 nm이며, 상기 제2나노 실버 입자의 회로패턴 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛이고,
상기 제1나노 실버 입자의 갯수는 상기 제1입경 범위에서 하나의 피크를 이루고, 상기 제2나노 실버 입자의 갯수는 상기 제2입경 범위에서 하나의 피크를 이루는 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method of claim 3,
The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern
A plurality of silver powders having a powder particle size range of 1 to 50 mu m are supplied from a silver powder supply unit, the silver powder is transferred using a transfer gas,
Impinging and transferring the transferred silver powder onto the upper substrate and the lower substrate in the process chamber at a speed of 100 to 500 m / s to form a plurality of first nanosilver particles having a circuit pattern first particle size range, Forming a circuit pattern in which a plurality of second nano silver particles having a circuit pattern second particle diameter range larger than the first particle diameter range are mixed,
Wherein the first nanosilver particle has a circuit pattern first particle diameter range of 1 nm to 900 nm and the second nanosilver particle circuit pattern has a second particle diameter range of 900 nm to 10 탆,
Wherein the number of the first nanosilver grains is one peak in the first diameter range and the number of the second nanosilver grains is one peak in the second diameter range.
제 1 항에 있어서,
상기 제4레이어의 하부에 하부 케이스가 더 결합되고, 상기 절곡 영역과 상기 하부 케이스의 사이에 팬 스프링 힌지가 더 결합된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a lower case is further coupled to a lower portion of the fourth layer, and a fan spring hinge is further coupled between the bent region and the lower case.
제 9 항에 있어서,
상기 하부 케이스의 하면에 터치 패드가 더 결합된 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
10. The method of claim 9,
And a touch pad is further coupled to the lower surface of the lower case.
제 1 항에 있어서,
상기 초슬림 포켓형 키보드 장치는 몸에 착용할 수 있는 웨어러블 디바이스인 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the ultra-slim pocket type keyboard device is a wearable device that can be worn on the body.
제 3 항에 있어서,
상기 상측 나노 실버 회로패턴 및 하측 나노 실버 회로패턴은
나노 실버 입자, 우레탄 수지, 용액, 분산제 및 첨가제를 포함하는 실버 페이스트를 준비하고,
상기 실버 페이스트를 상기 상부 기재 및 하부 기재 위에 각각 인쇄하며,
상기 인쇄된 상기 실버 페이스트를 90 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 10분 내지 60분간 소결하여 형성한 것을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
The method of claim 3,
The upper nano silver circuit pattern and the lower nano silver circuit pattern
A silver paste containing nanosilver particles, a urethane resin, a solution, a dispersant and an additive was prepared,
The silver paste is printed on the upper substrate and the lower substrate, respectively,
Wherein the printed silver paste is sintered at a temperature of 90 ° C to 130 ° C for 10 minutes to 60 minutes.
제 12 항에 있어서,
상기 실버 페이스트는 마이크로 실버 입자를 더 포함함을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the silver paste further comprises micro silver particles.
제 12 항에 있어서,
상기 실버 페이스트는 350 메쉬(mesh) 내지 500 메쉬(mesh)의 사이즈를 갖는 플리에스텔 망사에 의해 인쇄됨을 특징으로 하는 초슬림 포켓형 키보드 장치.

13. The method of claim 12,
Wherein the silver paste is printed by a polyester mesh having a size of from 350 mesh to 500 mesh.

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