JP6950700B2 - Sensing devices and electronic devices - Google Patents

Sensing devices and electronic devices Download PDF

Info

Publication number
JP6950700B2
JP6950700B2 JP2018542463A JP2018542463A JP6950700B2 JP 6950700 B2 JP6950700 B2 JP 6950700B2 JP 2018542463 A JP2018542463 A JP 2018542463A JP 2018542463 A JP2018542463 A JP 2018542463A JP 6950700 B2 JP6950700 B2 JP 6950700B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
sensor electrode
electronic device
sensor
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018542463A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2018061937A1 (en
Inventor
川口　裕人
裕人 川口
圭 塚本
圭 塚本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Sony Group Corp
Original Assignee
Sony Corp
Sony Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, Sony Group Corp filed Critical Sony Corp
Publication of JPWO2018061937A1 publication Critical patent/JPWO2018061937A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6950700B2 publication Critical patent/JP6950700B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0447—Position sensing using the local deformation of sensor cells
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer

Description

本技術は、センシング装置および電子機器に関する。 The present technology relates to sensing devices and electronic devices.

静電容量変化により圧力を検出する感圧センサとしては、自己容量検出型と相互容量検出型とがある。自己容量検出型の感圧センサは、ｉＰｈｏｎｅ６Ｓ(登録商標)（Ａｐｐｌｅ社）の３Ｄ Ｔｏｕｃｈにて採用されている。３Ｄ Ｔｏｕｃｈは、具体的には、図１９Ａに示すように、グランド電極１０２を有するフロントパネル（ディスプレイモジュール）１０１の裏面側に、複数の静電センサ１０３が配置された構成を有している。このような構成を有する３Ｄ Ｔｏｕｃｈは、図１９Ｂに示すように、フロントパネル１０１に加えられる圧力を浮遊容量の変化に基づき検出している。一方、相互容量検出型の感圧センサは、例えば特許文献１に開示されている。 As the pressure-sensitive sensor that detects pressure by changing the capacitance, there are a self-capacitance detection type and a mutual capacitance detection type. The self-capacity detection type pressure sensor is used in the 3D Touch of iPhone6S (registered trademark) (Apple). Specifically, as shown in FIG. 19A, the 3D Touch has a configuration in which a plurality of electrostatic sensors 103 are arranged on the back surface side of the front panel (display module) 101 having the ground electrode 102. As shown in FIG. 19B, the 3D Touch having such a configuration detects the pressure applied to the front panel 101 based on the change in stray capacitance. On the other hand, a mutual capacity detection type pressure sensitive sensor is disclosed in, for example, Patent Document 1.

特開２０１４−１７９０６２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-179602

本技術の目的は、外装体または基体の押圧を検出することができるセンシング装置および電子機器を提供することにある。 An object of the present technology is to provide a sensing device and an electronic device capable of detecting a pressure on an exterior body or a substrate.

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
センサ電極層の一方の面が外装体に対向するようにセンサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、支持部を外装体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
センサ電極層の他方の面と支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
センサ電極層と外装体の間が離されていると共に、センサ電極層と支持プレートの間が離されている電子機器である。 In order to solve the above-mentioned problems, the first technique is
The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support plate including a conductor, comprising a support portion having a support surface for supporting the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body, and a fixing portion for fixing the support portion to the exterior body. and,
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
This is an electronic device in which the sensor electrode layer and the exterior body are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support plate are separated from each other.

第２の技術は、
導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
センサ電極層の一方の面が外装体に対向するようにセンサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、支持部を外装体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
センサ電極層の他方の面と支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
センサ電極層は、波状を有している電子機器である。 The second technology is
The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support plate including a conductor, comprising a support portion having a support surface for supporting the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body, and a fixing portion for fixing the support portion to the exterior body. and,
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
The sensor electrode layer is an electronic device having a wavy shape.

第３の技術は、
導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
センサ電極層の一方の面が基体に対向するようにセンサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、支持部を基体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
センサ電極層の他方の面と支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
センサ電極層と基体の間が離されていると共に、センサ電極層と支持プレートの間が離されているセンシング装置である。 The third technology is
A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
Comprising a support portion having a support surface in which one face of the sensor electrode layer supports the sensor electrode layer so as to face the substrate and a fixing portion for fixing the support part based body, and a support plate including a conductor ,
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
This is a sensing device in which the sensor electrode layer and the substrate are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support plate are separated from each other.

第４の技術は、
導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
センサ電極層の一方の面が基体に対向するようにセンサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、支持部を基体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
センサ電極層の他方の面と支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
センサ電極層は、波状を有しているセンシング装置である。 The fourth technology is
A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
Comprising a support portion having a support surface in which one face of the sensor electrode layer supports the sensor electrode layer so as to face the substrate and a fixing portion for fixing the support part based body, and a support plate including a conductor ,
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
The sensor electrode layer is a sensing device having a wavy shape.

本技術によれば、外装体または基体の押圧を検出することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。 According to the present technology, it is possible to detect the pressing of the exterior body or the substrate. The effects described here are not necessarily limited, and may be any of the effects described in the present disclosure.

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の外観を示す斜視図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図である。FIG. 1A is a perspective view showing the appearance of the electronic device according to the first embodiment of the present technology. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB of FIG. 1A. 図２Ａは、筐体の側壁部の構成を示す断面図である。図２Ｂは、支持プレートの支持面と側壁部の内側面との間の距離を示す断面図である。図２Ｃは、センサモジュールの仮想厚みの変化を示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view showing the configuration of the side wall portion of the housing. FIG. 2B is a cross-sectional view showing the distance between the support surface of the support plate and the inner surface of the side wall portion. FIG. 2C is a cross-sectional view showing a change in the virtual thickness of the sensor module. 図３Ａは、筐体の側壁部の構成を示す断面図である。図３Ｂは、図３Ａの矢印Ａの方向から筐体の側壁部を見たときの平面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing the configuration of the side wall portion of the housing. FIG. 3B is a plan view when the side wall portion of the housing is viewed from the direction of arrow A in FIG. 3A. 図４は、センサ電極層の構成を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the sensor electrode layer. 図５Ａは、センサの一方の主面側の構成を示す断面図である。図５Ｂは、センサの他方の主面側の構成を示す断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view showing the configuration of one main surface side of the sensor. FIG. 5B is a cross-sectional view showing the configuration of the other main surface side of the sensor. 図６は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の回路構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device according to a first embodiment of the present technology. 図７Ａは、ユーザが電子機器を握ったときの電子機器の動作を説明するための概略図である。図７Ｂは、ユーザがスライド操作したときの電子機器の動作を説明するための概略図である。FIG. 7A is a schematic diagram for explaining the operation of the electronic device when the user holds the electronic device. FIG. 7B is a schematic view for explaining the operation of the electronic device when the user slides the operation. 図８は、センサの変形例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a modified example of the sensor. 図９は、センサの変形例を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modified example of the sensor. 図１０は、センサ電極層の変形例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a modified example of the sensor electrode layer. 図１１は、本技術の第２の実施形態に係る電子機器の側面部の構成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the configuration of a side surface portion of the electronic device according to the second embodiment of the present technology. 図１２Ａは、センサの一方の主面側の構成を示す断面図である。図１２Ｂは、センサの他方の主面側の構成を示す断面図である。FIG. 12A is a cross-sectional view showing the configuration of one main surface side of the sensor. FIG. 12B is a cross-sectional view showing the configuration of the other main surface side of the sensor. 図１３Ａは、側面が押圧されていないときのセンサの状態を示す断面図である。図１３Ｂは、側面が押圧されたときのセンサの状態を示す断面図である。FIG. 13A is a cross-sectional view showing a state of the sensor when the side surface is not pressed. FIG. 13B is a cross-sectional view showing a state of the sensor when the side surface is pressed. 図１４Ａ、図１４Ｂはそれぞれ、センサの変形例を示す断面図である。14A and 14B are cross-sectional views showing a modified example of the sensor, respectively. 図１５Ａは、本技術の第３の実施形態に係る電子機器の側面部の構成を示す断面図である。図１５Ｂは、センサの構成を示す斜視図である。FIG. 15A is a cross-sectional view showing the configuration of a side surface portion of the electronic device according to the third embodiment of the present technology. FIG. 15B is a perspective view showing the configuration of the sensor. 図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃは、センサの仮想厚みの変化を示す断面図である。16A, 16B, and 16C are cross-sectional views showing changes in the virtual thickness of the sensor. 図１７Ａは、本技術の第４の実施形態に係る電子機器の裏面部の構成を示す平面図である。図１７Ｂは、図１７ＡのＸＶIIＢ−ＸＶIIＢ線に沿った断面図である。図１７Ｃは、図１７Ｂの一部を拡大して表す断面図である。FIG. 17A is a plan view showing the configuration of the back surface portion of the electronic device according to the fourth embodiment of the present technology. FIG. 17B is a cross-sectional view taken along the line XVIIB-XVIIB of FIG. 17A. FIG. 17C is an enlarged cross-sectional view showing a part of FIG. 17B. 図１８Ａは、センサの一方の主面側の構成を示す断面図である。図１８Ｂは、センサの他方の主面側の構成を示す断面図である。FIG. 18A is a cross-sectional view showing the configuration of one main surface side of the sensor. FIG. 18B is a cross-sectional view showing the configuration of the other main surface side of the sensor. 図１９Ａは、３Ｄ Ｔｏｕｃｈの構成を示す断面図である。図１９Ｂは、３Ｄ Ｔｏｕｃｈの検出動作を説明するための断面図である。FIG. 19A is a cross-sectional view showing the configuration of 3D Touch. FIG. 19B is a cross-sectional view for explaining the detection operation of 3D Touch.

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（側面の変形を検出可能な電子機器の例）
２ 第２の実施形態（側面の変形を検出可能な電子機器の例）
３ 第３の実施形態（側面の変形を検出可能な電子機器の例）
４ 第４の実施形態（裏面の変形を検出可能な電子機器の例）Embodiments of the present technology will be described in the following order.
1 First embodiment (example of an electronic device capable of detecting deformation of a side surface)
2 Second embodiment (example of an electronic device capable of detecting deformation of a side surface)
3 Third embodiment (example of an electronic device capable of detecting deformation of a side surface)
4 Fourth embodiment (example of an electronic device capable of detecting deformation on the back surface)

＜１ 第１の実施形態＞
［電子機器の構成］
本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、いわゆるスマートフォンであり、外装体としての筐体１１と、支持体としての支持プレート１２Ｌ、１２Ｒと、基板１３と、フロントパネル１４と、静電容量式のセンサ２０とを備える。<1 First Embodiment>
[Electronic device configuration]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the electronic device 10 according to the first embodiment of the present technology is a so-called smartphone, which includes a housing 11 as an exterior body, support plates 12L and 12R as supports, and the like. It includes a substrate 13, a front panel 14, and a capacitance type sensor 20.

電子機器１０は、細長の側面１０ＳＬ、１０ＳＲの微小変形に基づき、側面１０ＳＬ、１０ＳＲに加わる圧力を検出可能に構成されている。例えば、電子機器１０は、側面１０ＳＬ、１０ＳＲに加わる圧力の検出結果に基づき、ウェイクアップ動作の実行、スライド操作の検出、持ち手検出などを実行する。 The electronic device 10 is configured to be able to detect the pressure applied to the side surfaces 10SL and 10SR based on the minute deformation of the elongated side surfaces 10SL and 10SR. For example, the electronic device 10 executes a wake-up operation, a slide operation detection, a handle detection, and the like based on the detection result of the pressure applied to the side surfaces 10SL and 10SR.

筐体１１と、支持体としての支持プレート１２Ｌ、１２Ｒと、静電容量式のセンサ２０とによりセンシング装置が構成される。センシング装置は、必要に応じて、基板１３を備えるようにしてもよい。筐体１１は、基体の一例である。 A sensing device is composed of a housing 11, support plates 12L and 12R as supports, and a capacitance type sensor 20. The sensing device may include a substrate 13 as needed. The housing 11 is an example of a substrate.

（筐体）
筐体１１は、フロントパネル１４と対向し、電子機器１０の裏面を構成する裏面部１１Ｂと、裏面部１１Ｂの周縁に設けられた周壁部１１Ａとを備える。周壁部１１Ａの先端の内側には、フロントパネル１４が嵌め合わされている。周壁部１１Ａは、平面状の内側面１１ＳＬを有する側壁部１１Ｌと、平面状の内側面１１ＳＲを有する側壁部１１Ｒとを有している。側壁部１１Ｌ、１１Ｒは、変形検出対象の一例である。内側面１１ＳＬ、１１ＳＲにはそれぞれ、支持プレート１２Ｌ、１２Ｒが設けられている。なお、内側面１１ＳＬに設けられた支持プレート１２Ｌおよびセンサ２０と、内側面１１ＳＲに設けられた支持プレート１２Ｒおよびセンサ２０とは同様の構成を有するため、以下では、内側面１１ＳＬに設けられた支持プレート１２Ｌおよびセンサ２０について主として説明する。(Case)
The housing 11 faces the front panel 14 and includes a back surface portion 11B forming the back surface of the electronic device 10 and a peripheral wall portion 11A provided on the peripheral edge of the back surface portion 11B. A front panel 14 is fitted inside the tip of the peripheral wall portion 11A. The peripheral wall portion 11A has a side wall portion 11L having a flat inner side surface 11SL and a side wall portion 11R having a flat inner side surface 11SR. The side wall portions 11L and 11R are examples of deformation detection targets. Support plates 12L and 12R are provided on the inner side surfaces 11SL and 11SR, respectively. Since the support plate 12L and the sensor 20 provided on the inner side surface 11SL and the support plate 12R and the sensor 20 provided on the inner side surface 11SR have the same configuration, the support provided on the inner side surface 11SL is described below. The plate 12L and the sensor 20 will be mainly described.

筐体１１は、接地されており、グランド電位となっている。筐体１１は、高い剛性を有している。筐体１１の側壁部１１Ｌ、１１Ｒは、側面１０ＳＬ、１０ＳＲが指や手などで押圧されると、微小変形可能に構成されている。 The housing 11 is grounded and has a ground potential. The housing 11 has high rigidity. The side wall portions 11L and 11R of the housing 11 are configured to be slightly deformable when the side surfaces 10SL and 10SR are pressed by a finger or a hand.

筐体１１は、導体である金属により構成されている。金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、銅、鉄などの単体、またはこれらの材料のうちの少なくとも１種を含む合金などが挙げられる。合金の具体例としては、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタン合金などが挙げられる。 The housing 11 is made of metal, which is a conductor. Examples of the metal include simple substances such as aluminum, titanium, zinc, nickel, magnesium, copper and iron, and alloys containing at least one of these materials. Specific examples of the alloy include stainless steel (SUS), aluminum alloy, magnesium alloy, titanium alloy and the like.

（基板）
基板１３は、電子機器１０のメイン基板であり、コントローラＩＣ（Integrated Circuit）（以下単に「ＩＣ」という。）１３ａと、メインＣＰＵ（Central Processing Unit）（以下単に「ＣＰＵ」という。）１３ｂとを備える。ＩＣ１３ａは、２つのセンサ２０を制御し、それぞれのセンサ２０に加わる圧力を検出する制御部である。ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａの圧力検出結果に基づき、電子機器１０の全体を制御する制御部である。例えば、ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づき、音量調整、画面表示、ウェイクアップ動作または持ち手検出などの各種処理を実行する。(substrate)
The substrate 13 is the main substrate of the electronic device 10, and includes a controller IC (Integrated Circuit) (hereinafter simply referred to as “IC”) 13a and a main CPU (Central Processing Unit) (hereinafter simply referred to as “CPU”) 13b. Be prepared. The IC 13a is a control unit that controls two sensors 20 and detects the pressure applied to each sensor 20. The CPU 13b is a control unit that controls the entire electronic device 10 based on the pressure detection result of the IC 13a. For example, the CPU 13b executes various processes such as volume adjustment, screen display, wake-up operation, and handle detection based on the signal supplied from the IC 13a.

（フロントパネル）
フロントパネル１４は表示装置１４ａを備え、この表示装置１４ａの表面には静電容量式のタッチパネルが設けられている。表示装置１４ａとしては、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。(front panel)
The front panel 14 includes a display device 14a, and a capacitance type touch panel is provided on the surface of the display device 14a. Examples of the display device 14a include, but are not limited to, a liquid crystal display and an electroluminescence (EL) display.

（支持プレート）
支持プレート１２Ｌ、１２Ｒは、センサ２０をセンサ２０の一方の主面が内側面１１ＳＬに対向するように支持する支持体である。支持プレート１２Ｌ、１２Ｒは、図２Ａに示すように、センサ２０を支持する支持部１２ａと、支持部１２ａを内側面１１ＳＬ、１１ＳＲに固定するための固定部１２ｂとを備える。支持部１２ａは、内側面１１ＳＬ、１１ＳＲに対向する平面状の支持面１２ＳＬ、１２ＳＲを有し、支持面１２ＳＬ、１２ＳＲと内側面１１ＳＬ、１１ＳＲとの間には隙間が設けられており、この隙間にセンサ２０が設けられている。固定部１２ｂは、ネジなどの締結部材または接着層などにより内側面１１ＳＬ、１１ＳＲに固定される。(Support plate)
The support plates 12L and 12R are supports that support the sensor 20 so that one main surface of the sensor 20 faces the inner side surface 11SL. As shown in FIG. 2A, the support plates 12L and 12R include a support portion 12a for supporting the sensor 20 and a fixing portion 12b for fixing the support portion 12a to the inner side surfaces 11SL and 11SR. The support portion 12a has planar support surfaces 12SL and 12SR facing the inner side surfaces 11SL and 11SR, and a gap is provided between the support surfaces 12SL and 12SR and the inner side surfaces 11SL and 11SR. Is provided with a sensor 20. The fixing portion 12b is fixed to the inner side surfaces 11SL and 11SR by a fastening member such as a screw or an adhesive layer.

支持プレート１２Ｌ、１２Ｒは、導体である金属により構成されている。支持プレート１２Ｌ、１２Ｒの材料としては、筐体１１と同様の材料を例示することができる。支持プレート１２Ｌ、１２Ｒは、接地されており、グランド電位となっている。 The support plates 12L and 12R are made of metal which is a conductor. As the material of the support plates 12L and 12R, the same material as the housing 11 can be exemplified. The support plates 12L and 12R are grounded and have a ground potential.

（センサ）
センサ２０は、側壁部１１Ｌ、１１Ｒの微小変形を検出する。センサ２０は、いわゆる静電容量式の感圧センサであり、長尺状を有している。側壁部１１Ｌ、１１Ｒに設けられたセンサ２０、２０はそれぞれ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１５Ｌ、１５Ｒを介して基板１３のＩＣ１３ａに電気的に接続されている。センサ２０の周囲は、金属により構成された筐体１１および支持プレート１２Ｌ、１２Ｒにより覆われているので、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０内に入り込むことを抑制できる。したがって、外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下および誤検出を抑制できる。(Sensor)
The sensor 20 detects minute deformations of the side wall portions 11L and 11R. The sensor 20 is a so-called capacitance type pressure-sensitive sensor, and has a long shape. The sensors 20 and 20 provided on the side wall portions 11L and 11R are electrically connected to the IC 13a of the substrate 13 via the FPC (Flexible Printed Circuits) 15L and 15R, respectively. Since the periphery of the sensor 20 is covered with the housing 11 made of metal and the support plates 12L and 12R, it is possible to prevent external noise (external electric field) from entering the sensor 20. Therefore, it is possible to suppress a decrease in detection accuracy and erroneous detection of the sensor 20 due to external noise.

センサ２０は、図２Ａに示すように、センサ２０の長手方向と側壁部１１Ｌの長手方向とが一致するようにして、支持面１２ＳＬと内側面１１ＳＬとの間の隙間に設けられている。なお、本明細書において、細長の側壁部１１Ｌ、１１Ｒの長手方向を±Ｘ軸方向といい、側壁部１１Ｌ、１１Ｒの高さ方向（すなわち電子機器１０の厚さ方向）を±Ｙ軸方向といい、側壁部１１Ｌ、１１Ｒの長手方向および高さ方向に垂直な方向を±Ｚ軸方向という。 As shown in FIG. 2A, the sensor 20 is provided in a gap between the support surface 12SL and the inner side surface 11SL so that the longitudinal direction of the sensor 20 and the longitudinal direction of the side wall portion 11L coincide with each other. In the present specification, the longitudinal direction of the elongated side wall portions 11L and 11R is referred to as the ± X-axis direction, and the height direction of the side wall portions 11L and 11R (that is, the thickness direction of the electronic device 10) is referred to as the ± Y-axis direction. The direction perpendicular to the longitudinal direction and the height direction of the side wall portions 11L and 11R is referred to as the ± Z axis direction.

電子機器１０は、下記の構成（Ａ）〜（Ｃ）を有していることが好ましい。
（Ａ）支持プレート１２Ｌの支持面１２ＳＬと側壁部１１Ｌの内側面１１ＳＬとの間の設計上の距離をＨ、この設計上の距離Ｈに対して製造上のプロセスで生じるバラツキを考慮した距離の範囲をＨｍｉｎ〜Ｈｍａｘ、センサ２０の仮想厚みをＳとすると、Ｈｍｉｎ、Ｈｍａｘ、Ｓが、Ｈｍｉｎ＜Ｓ＜Ｈｍａｘの関係を満たしている（図２Ｂ参照）。ここで、センサ２０の仮想厚みＳとは、センサ２０のＺ軸方向の最大位置と最小位置との差で規定される量である。例えば、センサ２０が波状である場合には、センサ２０の仮想厚みＳは波の振動の幅に等しい。
（Ｂ）センサ２０は、Ｚ軸方向に微小な力ＦZが加えられると、仮想厚みＳからＳ’に変化可能に構成されている（図２Ｃ参照）。
（Ｃ）センサ２０は、支持面１２ＳＬと内側面１１ＳＬとの間において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に自由に伸縮可能に設けられている（図２Ａ参照）。The electronic device 10 preferably has the following configurations (A) to (C).
(A) The design distance between the support surface 12SL of the support plate 12L and the inner surface 11SL of the side wall portion 11L is H, and the design distance H is a distance that takes into account the variation that occurs in the manufacturing process. Assuming that the range is Hmin to Hmax and the virtual thickness of the sensor 20 is S, Hmin, Hmax, and S satisfy the relationship of Hmin <S <Hmax (see FIG. 2B). Here, the virtual thickness S of the sensor 20 is an amount defined by the difference between the maximum position and the minimum position of the sensor 20 in the Z-axis direction. For example, when the sensor 20 is wavy, the virtual thickness S of the sensor 20 is equal to the width of the vibration of the wave.
(B) The sensor 20 is configured to be changeable from a virtual thickness S to S'when a minute force F Z is applied in the Z-axis direction (see FIG. 2C).
(C) The sensor 20 is provided so as to be freely expandable and contractible in the X-axis direction and the Y-axis direction between the support surface 12SL and the inner surface 11SL (see FIG. 2A).

下記の構成（ａ）〜（ｃ）のうちの少なくとも１つを採用することによって、センサ２０の仮想厚みＳの変化量ΔＳとそれに必要なＺ軸方向の力ＦZの関係を調整することが好ましい。荷重感度向上の観点からすると、Ｚ軸方向の力ＦZに対してセンサ２０の仮想厚みＳの変化量ΔＳができるだけ大きくなるように調整することが好ましい。
（ａ）センサ２０の両主面に複数の柱状体を設ける。
（ｂ）Ｚ方向に凸状および／または凹状となる所定形状（例えば波状）をセンサ２０に付与する。
（ｄ）センサ２０に切り欠き部および貫通孔のうちの少なくとも一方を設ける。By adopting at least one of the following configurations (a) to (c), it is possible to adjust the relationship between the amount of change ΔS of the virtual thickness S of the sensor 20 and the force F Z required for it in the Z-axis direction. preferable. From the viewpoint of improving the load sensitivity, it is preferable to adjust so that the amount of change ΔS of the virtual thickness S of the sensor 20 becomes as large as possible with respect to the force F Z in the Z-axis direction.
(A) A plurality of columnar bodies are provided on both main surfaces of the sensor 20.
(B) The sensor 20 is provided with a predetermined shape (for example, wavy) that is convex and / or concave in the Z direction.
(D) The sensor 20 is provided with at least one of a notch and a through hole.

以下、センサ２０の具体的な構成の一例について説明する。センサ２０は、図３Ａ、図３Ｂに示すように、複数のセンシング部３０ＳＥを有するフィルム状の静電容量式センサ電極層３０と、センサ電極層３０の一方の主面（第１の主面）に設けられた複数の第１柱状体２１および複数の第２柱状体２２と、センサ電極層３０の他方の主面（第２の主面）に設けられた複数の第３柱状体２３とを備える。 Hereinafter, an example of a specific configuration of the sensor 20 will be described. As shown in FIGS. 3A and 3B, the sensor 20 has a film-shaped capacitive sensor electrode layer 30 having a plurality of sensing units 30SE and one main surface (first main surface) of the sensor electrode layer 30. A plurality of first columnar bodies 21 and a plurality of second columnar bodies 22 provided in the sensor electrode layer 30, and a plurality of third columnar bodies 23 provided on the other main surface (second main surface) of the sensor electrode layer 30. Be prepared.

センサ電極層３０の一方の主面と内側面１１ＳＬとの間は離されており、センサ電極層３０の一方の主面と内側面１１ＳＬとの間に空気層が設けられている。センサ電極層３０の他方の主面と支持面１２ＳＬとの間は離されており、センサ電極層３０の他方の主面と支持面１２ＳＬとの間に空気層が設けられている。 One main surface of the sensor electrode layer 30 and the inner side surface 11SL are separated from each other, and an air layer is provided between one main surface of the sensor electrode layer 30 and the inner side surface 11SL. The other main surface of the sensor electrode layer 30 and the support surface 12SL are separated from each other, and an air layer is provided between the other main surface of the sensor electrode layer 30 and the support surface 12SL.

第１、第２柱状体２１、２２と内側面１１ＳＬとの間に隙間が設けられているのに対して、第３柱状体２３と支持面１２ＳＬとは接している。複数のセンシング部３０ＳＥは、センサ２０の長手方向（Ｘ軸方向）に一定間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。 While a gap is provided between the first and second columnar bodies 21 and 22 and the inner side surface 11SL, the third columnar body 23 and the support surface 12SL are in contact with each other. The plurality of sensing units 30SE are one-dimensionally arranged so as to form a line at regular intervals in the longitudinal direction (X-axis direction) of the sensor 20.

（柱状体）
第１柱状体２１は、−Ｚ軸方向からセンサ２０の一方の主面を平面視すると、図５Ａに示すように、センシング部３０ＳＥの中央に設けられている。また、第２柱状体２２は、−Ｚ軸方向からセンサ２０の一方の主面を平面視すると、図５Ａに示すように、センシング部３０ＳＥの周縁または外側に設けられている。第３柱状体２３は、図５Ｂに示すように、＋Ｚ軸方向からセンサ２０の他方の主面を平面視すると、センシング部３０ＳＥの中央に設けられている。ここで、センサ電極層３０の一方の主面は内側面１１ＳＬに対向する側の主面であり、他方の主面は支持面１２ＳＬに対向する側の主面である。(Column body)
The first columnar body 21 is provided in the center of the sensing unit 30SE as shown in FIG. 5A when one main surface of the sensor 20 is viewed in a plan view from the −Z axis direction. Further, the second columnar body 22 is provided on the peripheral edge or the outer side of the sensing unit 30SE as shown in FIG. 5A when one main surface of the sensor 20 is viewed in a plan view from the −Z axis direction. As shown in FIG. 5B, the third columnar body 23 is provided at the center of the sensing unit 30SE when the other main surface of the sensor 20 is viewed in a plan view from the + Z axis direction. Here, one main surface of the sensor electrode layer 30 is the main surface on the side facing the inner side surface 11SL, and the other main surface is the main surface on the side facing the support surface 12SL.

第１、第２柱状体２１、２２は、内側面１１ＳＬとセンサ電極層３０の一方の主面との間の距離のバラツキを抑制するために設けられている。第１、第２柱状体２１、２２が設けられていることで、製造上のバラツキが発生した場合、または電子機器１０の落下などにより側面１０ＳＬが変形した場合に、内側面１１ＳＬとセンサ電極層３０の一方の主面との間の隙間を保持できる。したがって、側面１０ＳＬの荷重感度の低下を抑制できる。第１柱状体２１の高さＤ１は、図４に示すように、第２柱状体２２の高さＤ２より低い。これにより、側壁部１１Ｌが変形した際に、内側面１１ＳＬが、センシング部３０ＳＥの中央の位置でＺ軸方向に最も変化しやすくなるため、側面１０ＳＬの荷重感度を向上できる。 The first and second columnar bodies 21 and 22 are provided in order to suppress variations in the distance between the inner side surface 11SL and one main surface of the sensor electrode layer 30. Since the first and second columnar bodies 21 and 22 are provided, the inner side surface 11SL and the sensor electrode layer are formed when there is a manufacturing variation or when the side surface 10SL is deformed due to a drop of the electronic device 10 or the like. A gap between the 30 main surfaces can be maintained. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the load sensitivity of the side surface 10SL. As shown in FIG. 4, the height D1 of the first columnar body 21 is lower than the height D2 of the second columnar body 22. As a result, when the side wall portion 11L is deformed, the inner side surface 11SL is most likely to change in the Z-axis direction at the central position of the sensing portion 30SE, so that the load sensitivity of the side surface 10SL can be improved.

第３柱状体２３は、センサ電極層３０の他方の主面と支持面１２ＳＬとの間に空気隙間を確保するためのものである。電子機器１０の内部の電気的ノイズなどからセンサ電極層３０をシールドするために、支持プレート１２Ｌを導電体として金属により構成し、グランドに接続している。内側面１１ＳＬとセンサ電極層３０の一方の主面との距離の変化に対する容量変化感度を確保するためには、支持プレート１２Ｌとセンシング部３０ＳＥとの誘電結合を小さくすることが好ましい。したがって、誘電率の最も小さな空気層をセンサ電極層３０の他方の主面と支持面１２ＳＬとの間に設けることが好ましい。第３の柱状体２３がセンシング部３０ＳＥの中央に設けられていることで、第２柱状体２２を介してセンサ電極層３０がＺ軸方向に押圧された場合に、センシング部３０ＳＥがＺ軸方向に変位することを抑制することができる。したがって、側面１０ＳＬの荷重感度を向上できる。 The third columnar body 23 is for securing an air gap between the other main surface of the sensor electrode layer 30 and the support surface 12SL. In order to shield the sensor electrode layer 30 from electrical noise inside the electronic device 10, the support plate 12L is made of metal as a conductor and is connected to the ground. In order to secure the capacitance change sensitivity with respect to the change in the distance between the inner side surface 11SL and one main surface of the sensor electrode layer 30, it is preferable to reduce the dielectric coupling between the support plate 12L and the sensing portion 30SE. Therefore, it is preferable to provide the air layer having the smallest dielectric constant between the other main surface of the sensor electrode layer 30 and the support surface 12SL. Since the third columnar body 23 is provided in the center of the sensing unit 30SE, when the sensor electrode layer 30 is pressed in the Z-axis direction via the second columnar body 22, the sensing unit 30SE is pressed in the Z-axis direction. It is possible to suppress the displacement to. Therefore, the load sensitivity of the side surface 10SL can be improved.

なお、センサ２０が上述の構成を有する場合、Ｚ軸方向における第１柱状体２１の頂部位置と第３柱状体２３の頂部位置との差が、上述したセンサ２０の仮想厚みＳに相当する。 When the sensor 20 has the above-described configuration, the difference between the top position of the first columnar body 21 and the top position of the third columnar body 23 in the Z-axis direction corresponds to the virtual thickness S of the sensor 20 described above.

第１〜第３柱状体２１〜２３は、紫外線硬化樹脂などのエネルギー線硬化性樹脂組成物により構成されている。第１〜第３柱状体２１〜２３は、例えば、錐体状、円柱状、多角柱状、針状、球体の一部の形状（例えば半球体状）、楕円体の一部の形状（例えば半楕円体状）、多角形状、不定形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。第１〜第３柱状体２１〜２３の形成方法としては、例えばスクリーン印刷法などの印刷法が挙げられる。 The first to third columnar bodies 21 to 23 are composed of an energy ray-curable resin composition such as an ultraviolet curable resin. The first to third columnar bodies 21 to 23 are, for example, a cone shape, a columnar shape, a polygonal columnar shape, a needle shape, a part shape of a sphere (for example, a hemispherical shape), and a part shape of an ellipsoid (for example, a half shape). (Ellipsoidal shape), polygonal shape, indefinite shape and the like can be mentioned, but the shape is not limited to these shapes, and other shapes may be adopted. Examples of the method for forming the first to third columnar bodies 21 to 23 include a printing method such as a screen printing method.

（センサ電極層）
センサ電極層３０は、フレキシブル性を有している。センサ電極層３０は、図４に示すように、フレキシブル性を有する基材３１と、基材３１の一方の主面に設けられた複数のパルス電極（第１電極）３２と、基材３１の一方の主面にパルス電極３２を覆うように設けられた絶縁層３３と、基材３１の他方の主面に設けられた複数のセンス電極（第２電極）３４と、基材３１の他方の主面にセンス電極３４を覆うように設けられた絶縁層３５とを備える。(Sensor electrode layer)
The sensor electrode layer 30 has flexibility. As shown in FIG. 4, the sensor electrode layer 30 is composed of a flexible base material 31, a plurality of pulse electrodes (first electrodes) 32 provided on one main surface of the base material 31, and a base material 31. An insulating layer 33 provided on one main surface so as to cover the pulse electrode 32, a plurality of sense electrodes (second electrodes) 34 provided on the other main surface of the base material 31, and the other of the base material 31. An insulating layer 35 provided on the main surface so as to cover the sense electrode 34 is provided.

（基材）
基材３１は、フィルム状を有している。本明細書では、フィルムには、シートも含まれるものとする。基材３１の材料としては、高分子樹脂を用いることが好ましい。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。(Base material)
The base material 31 has a film shape. In the present specification, the film shall also include a sheet. As the material of the base material 31, it is preferable to use a polymer resin. Examples of the polymer resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin (PMMA), polyimide (PI), triacetyl cellulose (TAC), polyester, and polyamide (PA). , Aramid, Polyethylene (PE), Polyacrylate, Polyether sulphon, Polysulphon, Polypropylene (PP), Diacetyl cellulose, Polyvinyl chloride, Epoxy resin, Urea resin, Urethane resin, Melamine resin, Cyclic olefin polymer (COP), Norbornen Examples include system thermoplastic resins.

（パルス電極、センス電極）
パルス電極３２は、図５Ａに示すように、基材３１の一方の主面に、Ｘ軸方向に一定間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。パルス電極３２から配線（図示せず）が引き出され、ＦＰＣ１５Ｌ、１５Ｒを介してＩＣ１３ａに接続されている。(Pulse electrode, sense electrode)
As shown in FIG. 5A, the pulse electrodes 32 are one-dimensionally arranged on one main surface of the base material 31 so as to form a line at regular intervals in the X-axis direction. Wiring (not shown) is drawn from the pulse electrode 32 and connected to the IC 13a via the FPC 15L and 15R.

センス電極３４は、図５Ｂに示すように、基材３１の他方の主面に、Ｘ軸方向に一定間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。センス電極３４から配線（図示せず）が引き出され、ＦＰＣ１５Ｌ、１５Ｒを介してＩＣ１３ａに接続されている。 As shown in FIG. 5B, the sense electrodes 34 are one-dimensionally arranged on the other main surface of the base material 31 so as to form a line at regular intervals in the X-axis direction. Wiring (not shown) is drawn from the sense electrode 34 and connected to the IC 13a via the FPC 15L and 15R.

パルス電極３２、センス電極３４の形状として、例えば、平板状、網状、ストライプ状、同心状、螺旋状または放射状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。センサ電極層３０の厚さ方向（Ｚ軸方向）に重なり合うパルス電極３２およびセンス電極３４により、センシング部３０ＳＥが構成されている。 Examples of the shape of the pulse electrode 32 and the sense electrode 34 include, but are not limited to, a flat plate shape, a net shape, a striped shape, a concentric shape, a spiral shape, and a radial shape. The sensing unit 30SE is composed of a pulse electrode 32 and a sense electrode 34 that overlap each other in the thickness direction (Z-axis direction) of the sensor electrode layer 30.

なお、図５Ａ、図５Ｂでは、第１〜第３柱状体２１〜２３と、パルス電極３２、センス電極３４との位置関係の理解が容易となるように、絶縁層３３、３５の図示を省略している。 In FIGS. 5A and 5B, the insulating layers 33 and 35 are omitted so that the positional relationship between the first to third columnar bodies 21 to 23 and the pulse electrode 32 and the sense electrode 34 can be easily understood. doing.

（絶縁層）
絶縁層３３、３５は、無機材料および有機材料のうちの少なくとも１種を含んでいる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＡｌＯ、ＺｒＯ2またはＴｉＯ2などを用いることができる。有機材料としては、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノールまたはポリビニルアルコールなどの高分子樹脂を用いることができる。絶縁層３３、３５が、片面に粘着層を有するフィルムであってもよい。(Insulation layer)
The insulating layers 33, 35 contain at least one of an inorganic material and an organic material. As the inorganic material, for example, SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Y 2 O 3 , HfO 2 , HfAlO, ZrO 2 or TiO 2 can be used. As the organic material, for example, a polyacrylate such as PMMA (polymethylmethacrylate), a polymer resin such as PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), polyimide, polyester, epoxy, polyvinylphenol or polyvinyl alcohol can be used. .. The insulating layers 33 and 35 may be films having an adhesive layer on one side.

（各種のパラメータの関係）
側面１０ＳＬが押圧されていない状態において、電子機器１０は、以下の式（１）〜（３）を満たすように構成されていることが好ましい（図４参照）。
Ｈ−Ｔ−Ｄ３＝Ｄ ・・・（１）
Ｄ１、Ｄ２＜Ｄ ・・・（２）
Ｄ１＜Ｄ２ ・・・（３）
（但し、Ｔ：センサ電極層３０の厚み、Ｈ：内側面１１ＳＬと支持面１２ＳＬとの間の距離、Ｄ：内側面１１ＳＬとセンサ電極層３０の一方の主面との距離、Ｄ１：第１柱状体２１の高さ、Ｄ２：第２柱状体２２の高さ、Ｄ３：第３柱状体の高さ）(Relationship between various parameters)
It is preferable that the electronic device 10 is configured to satisfy the following equations (1) to (3) when the side surface 10SL is not pressed (see FIG. 4).
HT-D3 = D ... (1)
D1, D2 <D ... (2)
D1 <D2 ... (3)
(However, T: the thickness of the sensor electrode layer 30, H: the distance between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL, D: the distance between the inner side surface 11SL and one main surface of the sensor electrode layer 30, D1: first. Height of columnar body 21, D2: height of second columnar body 22, D3: height of third columnar body)

側壁部１１Ｌの微小変形の検出感度を向上する観点からすると、センサ電極層３０の一方の主面と内側面１１ＳＬとの距離Ｄは、小さいことが好ましい。例えばサブミクロンオーダーの側壁部１１Ｌの変形を検出する場合には、センサ電極層３０の一方の主面と内側面１１ＳＬとの距離Ｄは、数μｍ〜数１０μｍであることが好ましい。 From the viewpoint of improving the detection sensitivity of minute deformation of the side wall portion 11L, the distance D between one main surface of the sensor electrode layer 30 and the inner side surface 11SL is preferably small. For example, when detecting the deformation of the side wall portion 11L on the order of submicrons, the distance D between one main surface of the sensor electrode layer 30 and the inner side surface 11SL is preferably several μm to several tens of μm.

側壁部１１Ｌが押圧されると、側壁部１１Ｌはセンサ電極層３０の一方の主面に向けて微小変形する。このときの内側面１１ＳＬの変形量をΔＺとすると、変形量ΔＺの大きさに応じて、以下の状態（１）〜（３）が想定される。
（１）ΔＺがΔＺ＜Ｄ−Ｄ２を満たす範囲では、内側面１１ＳＬは、第１柱状体２１に接触しない状態にある。
（２）ΔＺがＤ−Ｄ２≦ΔＺ＜Ｄ−Ｄ１を満たす範囲では、内側面１１ＳＬは、第２柱状体２２を介してセンサ電極層３０をＺ軸方向に向けて押圧し変形させる。
（３）ΔＺがＤ−Ｄ１≦ΔＺを満たす範囲では、内側面１１ＳＬは、第１、第２柱状体２１、２２を介してセンサ電極層３０をＺ軸方向に向けて押圧し更に変形させる。When the side wall portion 11L is pressed, the side wall portion 11L is slightly deformed toward one main surface of the sensor electrode layer 30. Assuming that the deformation amount of the inner surface 11SL at this time is ΔZ, the following states (1) to (3) are assumed according to the magnitude of the deformation amount ΔZ.
(1) In the range where ΔZ satisfies ΔZ <DD2, the inner side surface 11SL is in a state where it does not come into contact with the first columnar body 21.
(2) In the range where ΔZ satisfies D−D2 ≦ ΔZ <D−D1, the inner side surface 11SL presses and deforms the sensor electrode layer 30 in the Z-axis direction via the second columnar body 22.
(3) In the range where ΔZ satisfies D−D1 ≦ ΔZ, the inner side surface 11SL presses the sensor electrode layer 30 in the Z-axis direction via the first and second columnar bodies 21 and 22 to further deform the sensor electrode layer 30.

上記の（１）の状態の場合、内側面１１ＳＬが第２柱状体２２に接触しないため、側壁部１１Ｌの変形を阻害するような応力は内側面１１ＳＬには作用しない。
上記の（２）の状態の場合は、内側面１１ＳＬが第２柱状体２２に接触するため、側壁部１１Ｌの変形を阻害するような応力が内側面１１ＳＬに作用する。この点を考慮すると、センサ電極層３０の曲げ剛性を小さくして、内側面１１ＳＬに作用する応力を低減することが好ましい。
前述の（３）の状態の場合、内側面１１ＳＬが第１柱状体２１に接触するため、側壁部１１Ｌの変形を阻害するような応力が内側面１１ＳＬに更に作用することになる。この点を考慮すると、センサ電極層３０の曲げ剛性を小さくすると共に、第１、第２柱状体２１、２２を非常に低剛性の材料で構成することが好ましい。In the case of the above state (1), since the inner side surface 11SL does not come into contact with the second columnar body 22, stress that hinders the deformation of the side wall portion 11L does not act on the inner side surface 11SL.
In the case of the above state (2), since the inner side surface 11SL comes into contact with the second columnar body 22, a stress that hinders the deformation of the side wall portion 11L acts on the inner side surface 11SL. Considering this point, it is preferable to reduce the flexural rigidity of the sensor electrode layer 30 to reduce the stress acting on the inner side surface 11SL.
In the case of the above-mentioned state (3), since the inner side surface 11SL comes into contact with the first columnar body 21, stress that hinders the deformation of the side wall portion 11L further acts on the inner side surface 11SL. Considering this point, it is preferable to reduce the bending rigidity of the sensor electrode layer 30 and to make the first and second columnar bodies 21 and 22 made of a material having very low rigidity.

実際の使用において想定される内側面１１ＳＬの最大変形量をΔＺｍａｘとした場合、ΔＺｍａｘは、以下の式（ａ）、（ｂ）のいずれかを満たしていることが好ましい。
ΔＺｍａｘ＜Ｄ−Ｄ２ ・・・（ａ）
Ｄ−Ｄ２≦ΔＺｍａｘ＜Ｄ−Ｄ１ ・・・（ｂ）When the maximum amount of deformation of the inner surface 11SL assumed in actual use is ΔZmax, it is preferable that ΔZmax satisfies any of the following equations (a) and (b).
ΔZmax <D-D2 ... (a)
D-D2 ≤ ΔZmax <D-D1 ... (b)

例えば最大変形量ΔＺｍａｘ＝１μｍとし、内側面１１ＳＬとセンサ電極層３０の一方の主面との距離Ｄ＝２０μｍとした場合、以下の式を満たしていることが好ましい。
１＜２０−Ｄ２
したがって、Ｄ２は以下の数値範囲であることが好ましい。
Ｄ２＜１９μｍ（但し、Ｄ１＜Ｄ２）For example, when the maximum deformation amount ΔZmax = 1 μm and the distance D = 20 μm between the inner side surface 11SL and one main surface of the sensor electrode layer 30, it is preferable that the following equation is satisfied.
1 <20-D2
Therefore, D2 is preferably in the following numerical range.
D2 <19 μm (however, D1 <D2)

構成部材のバラツキＲ＝５μｍと想定した場合、以下の式を満たしていることが好ましい。
Ｄ２＜１９−５＝１４μｍ
上記関係式より、Ｄ１、Ｄ２は、例えばＤ２＝１３μｍ、Ｄ１＝１２μｍに設定することが好ましい。Assuming that the variation R of the constituent members R = 5 μm, it is preferable that the following equation is satisfied.
D2 <19-5 = 14 μm
From the above relational expression, it is preferable that D1 and D2 are set to, for example, D2 = 13 μm and D1 = 12 μm.

［電子機器の回路構成］
電子機器１０は、図６に示すように、２つのセンサ２０と、ＣＰＵ１３ｂと、ＩＣ１３ａと、ＧＰＳ部４１と、無線通信部４２と、音声処理部４３と、マイクロフォン４４と、スピーカ４５と、ＮＦＣ通信部４６と、電源部４７と、記憶部４８と、バイブレータ４９と、表示装置１４ａと、モーションセンサ５０と、カメラ５１とを備える。[Circuit configuration of electronic devices]
As shown in FIG. 6, the electronic device 10 includes two sensors 20, a CPU 13b, an IC 13a, a GPS unit 41, a wireless communication unit 42, a voice processing unit 43, a microphone 44, a speaker 45, and an NFC. It includes a communication unit 46, a power supply unit 47, a storage unit 48, a vibrator 49, a display device 14a, a motion sensor 50, and a camera 51.

ＧＰＳ部４１は、ＧＰＳ（Global Positioning System）と称されるシステムの衛星からの電波を受信して、現在位置の測位を行う測位部である。無線通信部４２は、例えばBluetooth（登録商標）の規格で他の端末と近距離無線通信を行う。ＮＦＣ通信部４６は、ＮＦＣ（Near Field Communication）の規格で、近接したリーダー／ライタと無線通信を行う。これらのＧＰＳ部４１、無線通信部４２およびＮＦＣ通信部４６で得たデータは、ＣＰＵ１３ｂに供給される。 The GPS unit 41 is a positioning unit that receives radio waves from satellites of a system called GPS (Global Positioning System) and performs positioning of the current position. The wireless communication unit 42 performs short-range wireless communication with another terminal, for example, according to the Bluetooth (registered trademark) standard. The NFC communication unit 46 performs wireless communication with a nearby reader / writer according to the NFC (Near Field Communication) standard. The data obtained by the GPS unit 41, the wireless communication unit 42, and the NFC communication unit 46 are supplied to the CPU 13b.

音声処理部４３には、マイクロフォン４４とスピーカ４５とが接続され、音声処理部４３が、無線通信部４２での無線通信で接続された相手と通話の処理を行う。また、音声処理部４３は、音声入力操作のための処理を行うこともできる。 The microphone 44 and the speaker 45 are connected to the voice processing unit 43, and the voice processing unit 43 processes a call with the other party connected by wireless communication in the wireless communication unit 42. In addition, the voice processing unit 43 can also perform processing for voice input operation.

電源部４７は、電子機器１０に備えられたＣＰＵ１３ｂや表示装置１４ａなどに電力を供給する。電源部４７は、リチウムイオン二次電池などの二次電池、およびこの二次電池に対する充放電を制御する充放電制御回路などを備える。なお、図６には示さないが、電子機器１０は、二次電池を充電するための端子を備える。 The power supply unit 47 supplies electric power to the CPU 13b and the display device 14a provided in the electronic device 10. The power supply unit 47 includes a secondary battery such as a lithium ion secondary battery, a charge / discharge control circuit that controls charging / discharging of the secondary battery, and the like. Although not shown in FIG. 6, the electronic device 10 includes a terminal for charging the secondary battery.

記憶部４８は、ＲＯＭ（Random Access Memory）などであり、ＯＳ（Operating System）、アプリケーション、動画、画像、音楽および文書などの各種データを記憶する。 The storage unit 48 is a ROM (Random Access Memory) or the like, and stores various data such as an OS (Operating System), an application, a moving image, an image, music, and a document.

バイブレータ４９は、電子機器１０を振動させる部材である。例えば、電子機器１０は、バイブレータ４９により電子機器１０を振動して、電話の着信や電子メールの受信などを通知する。 The vibrator 49 is a member that vibrates the electronic device 10. For example, the electronic device 10 vibrates the electronic device 10 by the vibrator 49 to notify an incoming call, an e-mail, or the like.

表示装置１４ａは、ＣＰＵ１３ｂから供給される映像信号などに基づき、各種画面を表示する。また、表示装置１４ａの表示面に対するタッチ操作に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。 The display device 14a displays various screens based on a video signal or the like supplied from the CPU 13b. Further, a signal corresponding to a touch operation on the display surface of the display device 14a is supplied to the CPU 13b.

モーションセンサ５０は、電子機器１０を保持するユーザの動きを検出する。モーションセンサ５０としては、加速度センサ、ジャイロセンサ、電子コンパス、気圧センサなどが使用される。 The motion sensor 50 detects the movement of the user holding the electronic device 10. As the motion sensor 50, an acceleration sensor, a gyro sensor, an electronic compass, a barometric pressure sensor, or the like is used.

カメラ５１は、レンズ群およびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などの撮像素子を備え、ＣＰＵ１３ｂの制御に基づき静止画または動画などの画像を撮影する。撮影された静止画や動画などのは記憶部４８に記憶される。 The camera 51 includes a lens group and an image sensor such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), and captures an image such as a still image or a moving image under the control of the CPU 13b. The captured still images, moving images, and the like are stored in the storage unit 48.

センサ２０は、高感度かつ位置分解能の高い圧力センサであり、側面１０ＳＬ、１０ＳＲの押圧に応じた静電容量を検出し、それに応じた出力信号をＩＣ１３ａに出力する。 The sensor 20 is a pressure sensor with high sensitivity and high position resolution, detects the capacitance corresponding to the pressing of the side surfaces 10SL and 10SR, and outputs an output signal corresponding to the pressure to the IC 13a.

ＩＣ１３ａは、センサ２０を制御するためのファームウェアを記憶しており、センサ２０が有する各センシング部３０ＳＥの静電容量の変化（圧力）を検出し、その結果に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。 The IC 13a stores the firmware for controlling the sensor 20, detects a change (pressure) in the capacitance of each sensing unit 30SE of the sensor 20, and outputs a signal corresponding to the result to the CPU 13b.

ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づく、各種の処理を実行する。また、ＣＰＵ１３ｂは、ＧＰＳ部４１、無線通信部４２、ＮＦＣ通信部４６およびモーションセンサ５０などから供給されるデータを処理する。 The CPU 13b executes various processes based on the signal supplied from the IC 13a. Further, the CPU 13b processes data supplied from the GPS unit 41, the wireless communication unit 42, the NFC communication unit 46, the motion sensor 50, and the like.

［電子機器の動作］
次に、本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０の動作について説明する。ここでは、図３Ａ、図４に示すように、第２柱状体２２の頂部と内側面１１ＳＬとの間に隙間が設けられている場合の電子機器の動作について説明する。[Operation of electronic devices]
Next, the operation of the electronic device 10 according to the first embodiment of the present technology will be described. Here, as shown in FIGS. 3A and 4, the operation of the electronic device when a gap is provided between the top of the second columnar body 22 and the inner side surface 11SL will be described.

ＩＣ１３ａがパルス電極３２とセンス電極３４との間に電圧を印加すると、パルス電極３２とセンス電極３４との間に電気力線（容量結合）が形成される。電子機器１０の側面１０ＳＬ、１０ＳＲが押圧されると、側壁部１１Ｌ、１１Ｒが微小変形し、内側面１１ＳＬ、１１ＳＲがセンシング部３０ＳＥ（すなわちセンサ電極層３０の一方の主面）に接近する。 When the IC 13a applies a voltage between the pulse electrode 32 and the sense electrode 34, an electric line of force (capacitive coupling) is formed between the pulse electrode 32 and the sense electrode 34. When the side surfaces 10SL and 10SR of the electronic device 10 are pressed, the side wall portions 11L and 11R are slightly deformed, and the inner side surfaces 11SL and 11SR approach the sensing portion 30SE (that is, one main surface of the sensor electrode layer 30).

内側面１１ＳＬの最大変形量ΔＺｍａｘがΔＺｍａｘ＜Ｄ−Ｄ２である場合には、内側面１１ＳＬは第２柱状体２２に接触しないので、側面１０ＳＬの押圧によりセンサ電極層３０は変形することはない。一方、ΔＺｍａｘがＤ−Ｄ２≦ΔＺｍａｘ＜Ｄ−Ｄ１である場合には、内側面１１ＳＬが第２柱状体２２を介してセンサ電極層３０のうちセンシング部３０ＳＥの周縁または外側の部分をＺ軸方向に押圧する。センサ電極層３０のうちセンシング部３０ＳＥは、第３柱状体２３によりセンサ電極層３０の他方の主面側から支持されているため、センサ電極層３０は、センシング部３０ＳＥがセンシング部３０ＳＥの周縁または外側の部分に対して突出するように変形する。 When the maximum deformation amount ΔZmax of the inner side surface 11SL is ΔZmax <D-D2, the inner side surface 11SL does not come into contact with the second columnar body 22, so that the sensor electrode layer 30 is not deformed by pressing the side surface 10SL. On the other hand, when ΔZmax is D−D2 ≦ ΔZmax <D−D1, the inner side surface 11SL passes through the second columnar body 22 to the peripheral edge or the outer portion of the sensor electrode layer 30 in the Z-axis direction. Press on. Since the sensing unit 30SE of the sensor electrode layer 30 is supported by the third columnar body 23 from the other main surface side of the sensor electrode layer 30, the sensor electrode layer 30 has the sensing unit 30SE on the periphery of the sensing unit 30SE. It is deformed so as to protrude with respect to the outer part.

上記のセンシング部３０ＳＥの接近により、センシング部３０ＳＥの電気力線の一部が側壁部１１Ｌ、１１Ｒに流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、側面１０ＳＬ、１０ＳＲに加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。 Due to the approach of the sensing unit 30SE, a part of the electric lines of force of the sensing unit 30SE flows to the side wall portions 11L and 11R, and the capacitance of the sensing unit 30SE changes. The IC 13a detects the pressure applied to the side surfaces 10SL and 10SR based on the change in the capacitance, and outputs the result to the CPU 13b.

図７Ａに示すように、ユーザが電子機器１０を握ると、側面１０ＳＬ、１０ＳＲが微小変形する。この側面１０ＳＬ、１０ＳＲの変形により、上述したようにセンシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、側面１０ＳＬに加わる圧力を検出し、その検出結果をＣＰＵ１３ｂに通知する。 As shown in FIG. 7A, when the user holds the electronic device 10, the side surfaces 10SL and 10SR are slightly deformed. Due to the deformation of the side surfaces 10SL and 10SR, the capacitance of the sensing unit 30SE changes as described above. The IC 13a detects the pressure applied to the side surface 10SL based on the change in the capacitance, and notifies the CPU 13b of the detection result.

例えば、ユーザが電子機器１０を握ると、電子機器１０が以下のようにしてウェイクアップ動作を実行するようにしてもよい。すなわち、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）の合計が閾値以上であるか否かを判断する。ＩＣ１３ａは、出力値の合計が閾値以上であると判断した場合には、ＩＣ１３ａは、スリーピングモードにあるＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ機能を実行させるための信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。上記信号が供給されたＣＰＵ１３ｂは、ウェイクアップし、表示装置１４ａなどを駆動させる。 For example, when the user holds the electronic device 10, the electronic device 10 may execute the wake-up operation as follows. That is, the IC 13a determines whether or not the total of the output values (delta values) of all the sensing units 30SE is equal to or greater than the threshold value. When the IC 13a determines that the total output value is equal to or greater than the threshold value, the IC 13a supplies the CPU 13b with a signal for causing the CPU 13b in the sleeping mode to execute the wake-up function. The CPU 13b to which the above signal is supplied wakes up and drives the display device 14a and the like.

また、ユーザが電子機器１０を握ると、電子機器１０が以下のようにして持ち手検出を実行するようにしてもよい。すなわち、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値に基づき、ユーザが電子機器１０を右手および左手のいずれで保持しているかを判断する。より具体的には、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥから出力される出力値（デルタ値）のプロファイルと、ＩＣ１３ａのメモリ内に予め記憶されている右手用および左手用のプロファイルとの相関性から、ユーザの持ち手を判断する。 Further, when the user holds the electronic device 10, the electronic device 10 may execute the handle detection as follows. That is, the IC 13a determines whether the user holds the electronic device 10 with his / her right hand or his / her left hand based on the output value of each sensing unit 30SE. More specifically, the IC 13a is based on the correlation between the profile of the output value (delta value) output from all the sensing units 30SE and the profile for the right hand and the profile for the left hand stored in advance in the memory of the IC 13a. , Judge the user's handle.

ＩＣ１３ａは、ユーザが電子機器１０を右手で保持していると判断した場合には、電子機器１０が右手持ちされていることをＣＰＵ１３ｂに通知する。ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから電子機器１０が右手持ちされていることが通知されると、右手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。 When the IC 13a determines that the user holds the electronic device 10 with his / her right hand, the IC 13a notifies the CPU 13b that the electronic device 10 is held with his / her right hand. When the IC 13a notifies that the electronic device 10 is held in the right hand, the CPU 13b displays a screen for holding the electronic device 10 (for example, application display, operation menu display, etc.).

一方、ＩＣ１３ａは、ユーザが電子機器１０を左手で保持していると判断した場合には、電子機器１０が左手持ちされていることをＣＰＵ１３ｂに通知する。ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから電子機器１０が左手持ちされていることが通知されると、左手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。 On the other hand, when the IC 13a determines that the user holds the electronic device 10 with his / her left hand, the IC 13a notifies the CPU 13b that the electronic device 10 is held with his / her left hand. When the IC 13a notifies that the electronic device 10 is held in the left hand, the CPU 13b displays a screen for holding the electronic device 10 (for example, application display, operation menu display, etc.).

図７Ｂに示すように、ユーザが電子機器１０の側面１０ＳＬをスライド操作すると、側面１０ＳＬが僅かに変形する。この側面１０ＳＬの変形により、上述したようにセンシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、スライド操作を検出し、その検出結果をＣＰＵ１３ｂに通知する。 As shown in FIG. 7B, when the user slides the side surface 10SL of the electronic device 10, the side surface 10SL is slightly deformed. Due to the deformation of the side surface 10SL, the capacitance of the sensing unit 30SE changes as described above. The IC 13a detects the slide operation based on the change in the capacitance, and notifies the CPU 13b of the detection result.

例えば、電子機器１０の側面１０ＳＬをスライド操作すると、電子機器１０が以下のようにして音量を変化させるようにしてもよい。すなわち、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）から、側面１０ＳＬに加わる圧力の重心位置およびその重心位置の移動方向を検出し、その検出結果をＣＰＵ１３ｂに供給する。ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給された重心位置およびその重心位置の移動方向に基づき、音声処理部４３を制御して、スピーカ４５から出力さる音量を調整する。例えば、側面１０ＳＬの一端（下端）から他端（上端）に向かう方向に指をスライドさせた場合に音量が上げられるのに対して、側面１０ＳＬの他端（上端）から一端（下端）に向かう方向に指をスライドさせた場合に音量が下げられる。 For example, when the side surface 10SL of the electronic device 10 is slid, the electronic device 10 may change the volume as follows. That is, the IC 13a detects the position of the center of gravity of the pressure applied to the side surface 10SL and the moving direction of the position of the center of gravity from the output value (delta value) of each sensing unit 30SE, and supplies the detection result to the CPU 13b. The CPU 13b controls the voice processing unit 43 based on the position of the center of gravity supplied from the IC 13a and the moving direction of the position of the center of gravity, and adjusts the volume output from the speaker 45. For example, when the finger is slid in the direction from one end (lower end) to the other end (upper end) of the side surface 10SL, the volume is raised, whereas the volume is increased from the other end (upper end) of the side surface 10SL toward one end (lower end). The volume is reduced when you slide your finger in the direction.

なお、電子機器１０が、スライド操作に応じて、画面スクロールまたはポインタ移動などの画面表示の操作を行うようにしてもよいし、カメラ５１のズームインおよびズームアウトなどの操作を行うようにしてもよい。側面１０ＳＬ、１０ＳＲのうちの一部にスライド操作領域が予め設定され、このスライド操作領域に対してスライド操作がなされた場合に、音量調整や画像表示などの各種動作が実行されるようにしてもよい。 The electronic device 10 may perform screen display operations such as screen scrolling or pointer movement in response to the slide operation, or may perform operations such as zooming in and out of the camera 51. .. A slide operation area is preset in a part of the side surfaces 10SL and 10SR, and when a slide operation is performed on this slide operation area, various operations such as volume adjustment and image display are executed. good.

［効果］
第１の実施形態に係る電子機器１０は、側壁部１１Ｌ、１１Ｒを有する、導体を含む筐体１１と、複数のセンシング部３０ＳＥを有する静電容量式のセンサ電極層３０と、センサ電極層３０の一方の主面が側壁部１１Ｌ、１１Ｒの内側面１１ＳＬ、１１ＳＲに対向するようにセンサ電極層３０を支持する、導体を含む支持プレート１２Ｌ、１２Ｒとを備える。センサ電極層３０の一方の主面と内側面１１ＳＬ、１１ＳＲとの間に複数の第１、第２柱状体２１、２２が設けられると共に、センサ電極層３０の他方の主面と支持面１２ＳＬ、１２ＳＲとの間に複数の第３柱状体２３が設けられていている。電子機器１０の側面１０ＳＬ、１０ＳＲが押圧されると、側壁部１１Ｌ、１１Ｒが微小変形し、内側面１１ＳＬ、１１ＳＲがセンサ電極層３０の一方の主面に接近する。これにより、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づき、側面１０ＳＬ、１０ＳＲに対する押圧を検出することができる。[effect]
The electronic device 10 according to the first embodiment includes a housing 11 including a conductor having side wall portions 11L and 11R, a capacitance type sensor electrode layer 30 having a plurality of sensing portions 30SE, and a sensor electrode layer 30. A support plate 12L, 12R including a conductor is provided, which supports the sensor electrode layer 30 so that one main surface faces the inner side surfaces 11SL, 11SR of the side wall portions 11L, 11R. A plurality of first and second columnar bodies 21 and 22 are provided between one main surface of the sensor electrode layer 30 and the inner side surfaces 11SL and 11SR, and the other main surface and support surface 12SL of the sensor electrode layer 30. A plurality of third columnar bodies 23 are provided between the 12SR and the third columnar body 23. When the side surfaces 10SL and 10SR of the electronic device 10 are pressed, the side wall portions 11L and 11R are slightly deformed, and the inner side surfaces 11SL and 11SR approach one main surface of the sensor electrode layer 30. As a result, the capacitance of the sensing unit 30SE changes. The IC13a can detect the pressure on the side surfaces 10SL and 10SR based on this change in capacitance.

センサ２０が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に自由に伸縮可能に設けられている場合には、以下のような効果が得られる。すなわち、側壁部１１Ｌ、１１Ｒ、センサ２０および支持プレート１２Ｌ、１２Ｒの線膨張係数が異なっていても、筐体１１とセンサ２０との間、および支持プレート１２Ｌ、１２Ｒとセンサ２０との間に熱応力が発生することを抑制できる。したがって、センサ２０に歪が発生したり、センサ２０が破損したりすることを抑制できる。 When the sensor 20 is provided so as to be freely expandable and contractible in the X-axis direction and the Y-axis direction, the following effects can be obtained. That is, even if the lateral expansion coefficients of the side wall portions 11L and 11R, the sensor 20 and the support plates 12L and 12R are different, heat is generated between the housing 11 and the sensor 20 and between the support plates 12L and 12R and the sensor 20. It is possible to suppress the generation of stress. Therefore, it is possible to prevent the sensor 20 from being distorted or the sensor 20 from being damaged.

［変形例］
（筐体の変形例）
筐体１１および支持プレート１２Ｌ、１２Ｒはそれぞれ独立して、導体層により構成されているか、または導体層を含んでいてもよい。導体層は、いわゆる接地電極であり、グランド電位となっている。導体層の形状としては、例えば、薄膜状、箔状、メッシュ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。[Modification example]
(Modification example of housing)
The housing 11 and the support plates 12L and 12R may be independently composed of a conductor layer or may include a conductor layer. The conductor layer is a so-called ground electrode and has a ground potential. Examples of the shape of the conductor layer include, but are not limited to, a thin film shape, a foil shape, and a mesh shape.

導体層は、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導体層、有機系導電材料を含む有機導体層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機−無機導体層などを用いることができる。無機系導電材料および有機系導電材料は、粒子であってもよい。 The conductor layer may be any one having electrical conductivity. For example, an inorganic conductor layer containing an inorganic conductive material, an organic conductor layer containing an organic conductive material, an inorganic conductive material and an organic conductive material may be used. An organic-inorganic conductor layer containing the material can be used. The inorganic conductive material and the organic conductive material may be particles.

無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。 Examples of the inorganic conductive material include metals and metal oxides. Here, the metal is defined as including a metalloid. Metals include, for example, aluminum, copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantalum, titanium, bismuth, antimony, etc. Examples include, but are not limited to, metals such as lead and alloys thereof. Examples of the metal oxide include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, gallium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, and zinc oxide. Examples thereof include, but are not limited to, tin oxide-based, indium oxide-tin oxide-based, zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide-based, and the like.

有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。 Examples of the organic conductive material include a carbon material and a conductive polymer. Examples of the carbon material include, but are not limited to, carbon black, carbon fiber, fullerene, graphene, carbon nanotube, carbon microcoil, and nanohorn. As the conductive polymer, for example, substituted or unsubstituted polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and a (co) polymer composed of one or two selected from these can be used, but the conductive polymer is limited thereto. is not it.

導体層は、ドライプロセスおよびウエットプロセスのいずれで作製された薄膜であってもよい。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法、蒸着法などを用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。 The conductor layer may be a thin film produced by either a dry process or a wet process. As the dry process, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used, but the dry process is not particularly limited thereto.

導体層を含む筐体１１は、絶縁性の基材と、この基材の表面に設けられた導体層とを備えるものであってもよい。導体層は、基材の表面のうち、筐体１１の内側となる側に設けられていることが好ましい。側面１０ＳＬ、１０ＳＲの荷重感度が向上するからである。絶縁性の基材は、高分子樹脂、ガラス、セラミックスまたは木材などを含んでいる。高分子樹脂としては、例えば、アクリロニトリル、ブタジエンおよびスチレンの共重合合成樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ＰＣ−ＡＢＳアロイ樹脂などが挙げられる。 The housing 11 including the conductor layer may include an insulating base material and a conductor layer provided on the surface of the base material. The conductor layer is preferably provided on the inner side of the housing 11 on the surface of the base material. This is because the load sensitivity of the side surfaces 10SL and 10SR is improved. Insulating substrates include polymeric resins, glass, ceramics, wood and the like. Examples of the polymer resin include acrylonitrile, butadiene and styrene copolymer synthetic resin (ABS resin), polycarbonate (PC) resin, PC-ABS alloy resin and the like.

内側面１１ＳＬ、１１ＳＲおよび支持面１２ＳＬ、１２ＳＲが曲面であってもよい。この場合、内側面１１ＳＬ、１１ＳＲおよび支持面１２ＳＬ、１２ＳＲの曲面が同一またはほぼ同一の曲面であることが好ましい。第１の実施形態では、筐体１１が高い剛性を有する場合について説明したが、筐体１１が柔軟性を有していてもよい。 The inner side surfaces 11SL, 11SR and the support surfaces 12SL, 12SR may be curved surfaces. In this case, it is preferable that the curved surfaces of the inner side surfaces 11SL and 11SR and the support surfaces 12SL and 12SR are the same or substantially the same curved surface. In the first embodiment, the case where the housing 11 has high rigidity has been described, but the housing 11 may have flexibility.

（支持プレートの変形例）
支持プレート１２Ｒ、１２Ｌが絶縁体により構成され、支持プレート１２Ｒ、１２Ｌとセンサ２０との間に導体層がさらに備えられるようにしてもよい。支持プレート１２Ｒ、１２Ｌが、電子機器１０を構成する筐体１１以外の部材に固定されていてもよい。例えば、支持プレート１２Ｒ、１２Ｌが、電子機器１０に収容されるフレーム（図示せず）、基板１３または表示装置１４ａなどに固定されていてもよい。(Modification example of support plate)
The support plates 12R, 12L may be made of an insulator, and a conductor layer may be further provided between the support plates 12R, 12L and the sensor 20. The support plates 12R and 12L may be fixed to a member other than the housing 11 constituting the electronic device 10. For example, the support plates 12R and 12L may be fixed to a frame (not shown), a substrate 13, a display device 14a, or the like housed in the electronic device 10.

（センサの変形例）
センサ２０が、第１柱状体２１を備えていなくてもよい。但し、センシング部３０ＳＥの中央において内側面１１ＳＬ、１１ＳＲとセンサ電極層３０の一方の主面との距離を保持する観点からすると、センサ２０が、第１柱状体２１を備えることが好ましい。センサ２０が、複数のセンシング部３０ＳＥに代えて、１つのセンシング部３０ＳＥを備えるようにしてもよい。(Modification example of sensor)
The sensor 20 does not have to include the first columnar body 21. However, from the viewpoint of maintaining the distance between the inner side surfaces 11SL, 11SR and one main surface of the sensor electrode layer 30 at the center of the sensing unit 30SE, it is preferable that the sensor 20 includes the first columnar body 21. The sensor 20 may include one sensing unit 30SE instead of the plurality of sensing units 30SE.

図８に示すように、センサ２０が、複数の貫通孔３９を有していてもよい。この場合、センサ２０のフレキシブル性が向上するので、内側面１１ＳＬの最大変形量ΔＳｍａｘがＤ−Ｄ２≦ΔＳｍａｘ＜Ｄ−Ｄ１である場合には、センサ２０の荷重感度が向上する。また、側面１０ＳＬを押圧していない状態において、第１柱状体２１が内側面１１ＳＬと接触している場合にも、センサ２０の荷重感度が向上する。複数の貫通孔３９は、センシング部３０ＳＥ以外の箇所に設けられていることが好ましく、隣接するセンシング部３０ＳＥ間に設けられていることが特に好ましい。 As shown in FIG. 8, the sensor 20 may have a plurality of through holes 39. In this case, since the flexibility of the sensor 20 is improved, the load sensitivity of the sensor 20 is improved when the maximum deformation amount ΔSmax of the inner side surface 11SL is D−D2 ≦ ΔSmax <D−D1. Further, the load sensitivity of the sensor 20 is improved even when the first columnar body 21 is in contact with the inner side surface 11SL when the side surface 10SL is not pressed. The plurality of through holes 39 are preferably provided at a location other than the sensing portion 30SE, and particularly preferably provided between the adjacent sensing portions 30SE.

図８に示すように、センサ２０が、周縁部に凹状部としての切り欠き部３８を有していてもよい。この場合、センサ２０のフレキシブル性が向上するので、センサ２０が複数の貫通孔３９を有している場合と同様の効果が得られる。切り欠き部３８は、周縁部のうちセンシング部３０ＳＥの両側に設けられていることが好ましい。 As shown in FIG. 8, the sensor 20 may have a notch 38 as a concave portion on the peripheral edge portion. In this case, since the flexibility of the sensor 20 is improved, the same effect as when the sensor 20 has a plurality of through holes 39 can be obtained. It is preferable that the cutout portions 38 are provided on both sides of the sensing portion 30SE in the peripheral portion.

センサ６０が、図９に示すように、複数の第１、第２柱状体２１、２２に代えて、センサ電極層３０の一方の主面に設けられた変形層６１を備えるようにしてもよい。また、図９に示すように、複数の第３柱状体２３に代えて、センサ電極層３０の他方の主面に設けられた変形層６２を備えるようにしてもよい。図９では、センサ６０が、センサ電極層３０の両主面に変形層６１、６２を備える構成が示されているが、センサ電極層３０の両主面のうちの一方に変形層を備え、他方に複数の柱状体を備えるようにしてもよい。 As shown in FIG. 9, the sensor 60 may include a deformed layer 61 provided on one main surface of the sensor electrode layer 30 instead of the plurality of first and second columnar bodies 21 and 22. .. Further, as shown in FIG. 9, instead of the plurality of third columnar bodies 23, a deformed layer 62 provided on the other main surface of the sensor electrode layer 30 may be provided. FIG. 9 shows a configuration in which the sensor 60 is provided with the deformable layers 61 and 62 on both main surfaces of the sensor electrode layer 30, but the sensor 60 is provided with the deformable layer on one of the two main surfaces of the sensor electrode layer 30. On the other hand, a plurality of columnar bodies may be provided.

変形層６１、６２は、圧力により弾性変形するフィルムである。変形層６１、６２は、貫通孔（図示せず）を有することが好ましい。荷重感度を向上できるからである。変形層６１、６２は、発泡樹脂または絶縁性エラストマなどの誘電体を含んでいる。発泡樹脂は、いわゆるスポンジであり、例えば、発泡ポリウレタン、発泡ポリエチレン、発泡ポリオレフィンおよびスポンジゴムなどのうちの少なくとも１種である。絶縁性エラストマは、例えば、シリコーン系エラストマ、アクリル系エラストマ、ウレタン系エラストマおよびスチレン系エラストマなどのうちの少なくとも１種である。なお、変形層６１、６２が基材上に設けられていてもよい。 The deformable layers 61 and 62 are films that are elastically deformed by pressure. The deformed layers 61 and 62 preferably have through holes (not shown). This is because the load sensitivity can be improved. The modified layers 61 and 62 contain a dielectric such as a foamed resin or an insulating elastomer. The foamed resin is a so-called sponge, and is, for example, at least one of polyurethane foam, polyethylene foam, polyolefin foam, and rubber sponge. The insulating elastomer is, for example, at least one of a silicone-based elastomer, an acrylic-based elastomer, a urethane-based elastomer, a styrene-based elastomer, and the like. The deformed layers 61 and 62 may be provided on the base material.

センサ電極層３０Ａは、図１０に示すように、基材３１の一方の主面に設けられた複数のパルス電極３６および複数のセンス電極３７を備えるようにしてもよい。第１電極であるパルス電極３６および第２電極であるセンス電極３７は、櫛歯状を有し、櫛歯の部分を噛み合わせるようにして配置されている。具体的には、パルス電極３６は、線状を有する複数のサブ電極３６ａと、線状を有する連結部３６ｂとを備える。センス電極３７は、線状を有する複数のサブ電極３７ａと、線状を有する連結部３７ｂとを備える。複数のサブ電極３６ａ、３７ａは、Ｘ軸方向に延設され、Ｙ軸方向に向かって所定間隔で交互に離間して設けられている。隣接するサブ電極３６ａ、３７ａは、パルス電極３６およびセンス電極３７間への電圧の印加によって、容量結合を形成可能に構成されている。 As shown in FIG. 10, the sensor electrode layer 30A may include a plurality of pulse electrodes 36 and a plurality of sense electrodes 37 provided on one main surface of the base material 31. The pulse electrode 36, which is the first electrode, and the sense electrode 37, which is the second electrode, have a comb-tooth shape and are arranged so as to mesh the comb-teeth portions. Specifically, the pulse electrode 36 includes a plurality of linear sub-electrodes 36a and a linear connecting portion 36b. The sense electrode 37 includes a plurality of linear sub-electrodes 37a and a linear connecting portion 37b. The plurality of sub-electrodes 36a and 37a are extended in the X-axis direction and are provided alternately at predetermined intervals in the Y-axis direction. The adjacent sub-electrodes 36a and 37a are configured so that a capacitive coupling can be formed by applying a voltage between the pulse electrode 36 and the sense electrode 37.

連結部３６ｂは、Ｙ軸方向に延設されており、複数のサブ電極３６ａの一端を連結している。連結部３７ｂは、Ｙ軸方向に延設されており、複数のサブ電極３７ａの他端を連結している。サブ電極３６ａ、３７ａの間隔は一定であってもよいし、変動していてもよい。噛み合わされるように配置されたパルス電極３６およびセンス電極３７によって、センシング部３０ＳＥが構成されている。 The connecting portion 36b extends in the Y-axis direction and connects one ends of the plurality of sub electrodes 36a. The connecting portion 37b extends in the Y-axis direction and connects the other ends of the plurality of sub electrodes 37a. The distance between the sub electrodes 36a and 37a may be constant or may vary. The sensing unit 30SE is composed of the pulse electrode 36 and the sense electrode 37 arranged so as to be meshed with each other.

＜２ 第２の実施形態＞
［電子機器の構成］
本技術の第２の実施形態に係る電子機器１０Ａは、図１１に示すように、センサ２０に代えてセンサ２０Ａを備える点において、第１の実施形態に係る電子機器１０と異なっている。センサ２０Ａは、センサ電極層３０の一方の主面に複数の第１柱状体２４を備え、センサ電極層３０の他方の主面に複数の第２柱状体２５を備えている。なお、第２の実施形態において第１の実施形態およびその変形例と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。<2 Second embodiment>
[Electronic device configuration]
As shown in FIG. 11, the electronic device 10A according to the second embodiment of the present technology is different from the electronic device 10 according to the first embodiment in that the sensor 20A is provided instead of the sensor 20. The sensor 20A includes a plurality of first columnar bodies 24 on one main surface of the sensor electrode layer 30, and a plurality of second columnar bodies 25 on the other main surface of the sensor electrode layer 30. In the second embodiment, the same reference numerals are given to the same parts as those of the first embodiment and its modifications, and the description thereof will be omitted.

第１柱状体２４は、図１２Ａに示すように、−Ｚ軸方向からセンサ２０の一方の主面を平面視すると、センシング部３０ＳＥの中央に設けられている。第２柱状体２５は、図１２Ｂに示すように、Ｚ軸方向からセンサ２０の他方の主面を平面視すると、センシング部３０ＳＥの周縁または外側に設けられている。 As shown in FIG. 12A, the first columnar body 24 is provided at the center of the sensing unit 30SE when one main surface of the sensor 20 is viewed in a plan view from the −Z axis direction. As shown in FIG. 12B, the second columnar body 25 is provided on the peripheral edge or the outer side of the sensing unit 30SE when the other main surface of the sensor 20 is viewed in a plan view from the Z-axis direction.

側壁部１１Ｌが押圧されていない状態において、電子機器１０は、例えば、以下の式を満たすように構成されている。
Ｈ＜Ｔ＋Ｄ１＋Ｄ３
（但し、Ｈ：内側面１１ＳＬと支持面１２ＳＬとの間の距離、Ｔ：センサ電極層３０の厚み、Ｄ１：第１柱状体２４の高さ、Ｄ３：第２柱状体２５の高さ）The electronic device 10 is configured to satisfy, for example, the following equation in a state where the side wall portion 11L is not pressed.
H <T + D1 + D3
(However, H: the distance between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL, T: the thickness of the sensor electrode layer 30, D1: the height of the first columnar body 24, D3: the height of the second columnar body 25)

上記の式を満たす場合、側面１０ＳＬが押圧されていない状態において、センサ電極層３０は、図１３Ａに示すように、内側面１１ＳＬが第１柱状体２４をＺ軸方向に押圧し、センサ電極層３０が湾曲している状態にある。つまり、側壁部１１Ｌおよび支持プレート１２Ｌそれぞれには、第１、第２柱状体２４、２５を介して応力が作用している状態にある。 When the above formula is satisfied, in a state where the side surface 10SL is not pressed, the inner side surface 11SL of the sensor electrode layer 30 presses the first columnar body 24 in the Z-axis direction as shown in FIG. 13A, and the sensor electrode layer 30 is pressed. 30 is in a curved state. That is, stress is acting on the side wall portion 11L and the support plate 12L, respectively, via the first and second columnar bodies 24 and 25.

上記の状態において、側面１０ＳＬが押圧されると、センサ電極層３０が更に湾曲し、センシング部３０ＳＥが支持プレート１２Ｌに近づくため、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。側面１０ＳＬの押圧によるセンサ電極層３０の湾曲量が大きいほど、センシング部３０ＳＥの静電容量の変化が大きくなり、センサ２０の荷重感度が向上する。したがって、センサ電極層３０の曲げ剛性を小さくすることが好ましい。第２の実施形態においては、図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、センサ電極層３０に複数の切り欠き部（凹状部）３８および複数の貫通孔３９を設けることで、センサ電極層３０の曲げ剛性を小さくしている。センサ電極層３０の曲げ剛性の低減の観点からすると、切り欠き部３８および貫通孔３９の両方をセンサ電極層３０に設けることが好ましいが、いずれか一方のみを設けるようにしてもよい。 In the above state, when the side surface 10SL is pressed, the sensor electrode layer 30 is further curved and the sensing unit 30SE approaches the support plate 12L, so that the capacitance of the sensing unit 30SE changes. The larger the amount of curvature of the sensor electrode layer 30 due to the pressing of the side surface 10SL, the larger the change in the capacitance of the sensing unit 30SE, and the greater the load sensitivity of the sensor 20. Therefore, it is preferable to reduce the bending rigidity of the sensor electrode layer 30. In the second embodiment, as shown in FIGS. 12A and 12B, the sensor electrode layer 30 is bent by providing the sensor electrode layer 30 with a plurality of notches (concave portions) 38 and a plurality of through holes 39. The rigidity is reduced. From the viewpoint of reducing the flexural rigidity of the sensor electrode layer 30, it is preferable that both the notch 38 and the through hole 39 are provided in the sensor electrode layer 30, but only one of them may be provided.

［電子機器の動作］
次に、本技術の第２の実施形態に係る電子機器１０Ａの動作について説明する。ここでは、図１３Ａに示すように、側面１０ＳＬが押圧されていない状態において、内側面１１ＳＬが第１柱状体２４をＺ軸方向に押圧している場合の電子機器の動作について説明する。[Operation of electronic devices]
Next, the operation of the electronic device 10A according to the second embodiment of the present technology will be described. Here, as shown in FIG. 13A, the operation of the electronic device when the inner side surface 11SL presses the first columnar body 24 in the Z-axis direction in a state where the side surface 10SL is not pressed will be described.

図１３Ｂに示すように、電子機器１０の側面１０ＳＬが力ＦZで押圧されると、側壁部１１Ｌが微小変形し、内側面１１ＳＬが第１柱状体２４を介してセンサ電極層３０のうちセンシング部３０ＳＥを含む部分をＺ軸方向にさらに押圧する。この押圧により、センサ電極層３０がセンシング部３０ＳＥを中心としてＺ軸方向に向けてさらに湾曲するように撓み、センシング部３０ＳＥが支持面１２ＳＬにさらに接近する。このため、センシング部３０ＳＥの電気力線の一部が支持プレート１２Ｌにさらに流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、側面１０ＳＬに加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。As shown in FIG. 13B, when the side surface 10SL of the electronic device 10 is pressed by the force F Z , the side wall portion 11L is slightly deformed, and the inner side surface 11SL is sensed in the sensor electrode layer 30 via the first columnar body 24. The portion including the portion 30SE is further pressed in the Z-axis direction. By this pressing, the sensor electrode layer 30 is bent so as to be further curved in the Z-axis direction about the sensing portion 30SE, and the sensing portion 30SE is further brought closer to the support surface 12SL. Therefore, a part of the electric lines of force of the sensing unit 30SE further flows to the support plate 12L, and the capacitance of the sensing unit 30SE changes. The IC 13a detects the pressure applied to the side surface 10SL based on the change in the capacitance, and outputs the result to the CPU 13b.

［効果］
第２の実施形態に係る電子機器１０Ａでは、側面１０ＳＬ、１０ＳＲが押圧されると、側壁部１１Ｌ、１１Ｒが微小変形し、内側面１１ＳＬ、１１ＳＲが第１柱状体２４を介してセンシング部３０ＳＥをＺ軸方向に変位させる。この変位によりセンシング部３０ＳＥが支持面１２ＳＬ、１２ＳＲに接近するため、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づき、側壁部１１Ｌ、１１Ｒに対する押圧を検出することができる。[effect]
In the electronic device 10A according to the second embodiment, when the side surfaces 10SL and 10SR are pressed, the side wall portions 11L and 11R are slightly deformed, and the inner side surfaces 11SL and 11SR pass through the sensing portion 30SE via the first columnar body 24. Displace in the Z-axis direction. Since the sensing unit 30SE approaches the support surfaces 12SL and 12SR due to this displacement, the capacitance of the sensing unit 30SE changes. Based on this change in capacitance, the IC 13a can detect the pressure on the side wall portions 11L and 11R.

［変形例］
第１、第２柱状体２４、２５の頂部が、図１４Ａに示すように、Ｒ形状などの凸状の曲面を有していてもよい。このような形状の第１、第２柱状体２４、２５は、例えば、紫外線硬化樹脂などのエネルギー線硬化性樹脂組成物を印刷法によりセンサ電極層３０の両主面にドット状などに塗布することで形成される。[Modification example]
As shown in FIG. 14A, the tops of the first and second columnar bodies 24 and 25 may have a convex curved surface such as an R shape. For the first and second columnar bodies 24 and 25 having such a shape, for example, an energy ray-curable resin composition such as an ultraviolet curable resin is applied in a dot shape on both main surfaces of the sensor electrode layer 30 by a printing method. It is formed by.

また、図１４Ｂに示すように、センサ電極層３０の両主面に一体成型された第１、第２柱状体２４、２５が設けられていてもよい。このような第１、第２柱状体２４、２５は、熱成形によりセンサ電極層３０または基材３１の両主面に凹凸を付すことにより形成される。 Further, as shown in FIG. 14B, first and second columnar bodies 24 and 25 integrally molded may be provided on both main surfaces of the sensor electrode layer 30. Such first and second columnar bodies 24 and 25 are formed by forming irregularities on both main surfaces of the sensor electrode layer 30 or the base material 31 by thermal molding.

上記の図１４Ａ、図１４Ｂに示した構成を採用した場合には、センサ２０と内側面１１ＳＬ、１１ＳＲとの間の摩擦、およびセンサ２０と支持面１２ＳＬ、１２ＳＲとの間の摩擦を低減することができる。したがって、側壁部１１Ｌ、１１Ｒとセンサ２０との線膨張係数、および支持プレート１２Ｌ、１２Ｒとセンサ２０との線膨張係数が異なる場合でも、熱応力が発生することを抑制できる。したがって、センサ２０に歪が発生したり、センサ２０が破損したりすることを抑制できる。 When the configurations shown in FIGS. 14A and 14B are adopted, the friction between the sensor 20 and the inner side surfaces 11SL and 11SR and the friction between the sensor 20 and the support surfaces 12SL and 12SR are reduced. Can be done. Therefore, even if the linear expansion coefficients of the side wall portions 11L and 11R and the sensor 20 and the linear expansion coefficients of the support plates 12L and 12R and the sensor 20 are different, it is possible to suppress the generation of thermal stress. Therefore, it is possible to prevent the sensor 20 from being distorted or the sensor 20 from being damaged.

第２の実施形態では、側面１０ＳＬが押圧されていない状態において、内側面１１ＳＬが第１柱状体２４を押圧している構成について説明したが、第１柱状体２４の頂部と内側面１１ＳＬとの間に隙間が設けられていてもよい。 In the second embodiment, the configuration in which the inner side surface 11SL presses the first columnar body 24 in a state where the side surface 10SL is not pressed has been described, but the top of the first columnar body 24 and the inner side surface 11SL A gap may be provided between them.

＜３ 第３の実施形態＞
［電子機器の構成］
本技術の第３の実施形態に係る電子機器１０Ｂは、図１５Ａ、図１５Ｂに示すように、センサ２０に代えて、長手方向（Ｘ軸方向）に波状を有するセンサ２０Ｂを備える点において、第１の実施形態に係る電子機器１０と異なっている。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。<3 Third embodiment>
[Electronic device configuration]
As shown in FIGS. 15A and 15B, the electronic device 10B according to the third embodiment of the present technology includes a sensor 20B having a wavy shape in the longitudinal direction (X-axis direction) instead of the sensor 20. It is different from the electronic device 10 according to the first embodiment. In the third embodiment, the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

センサ２０Ｂは、長手方向（Ｘ軸方向）に波状を有する以外の点では、第１の実施形態におけるセンサ電極層３０と同様の構成を有している。その波状は、内側面１１ＳＬと支持面１２ＳＬとの間の隙間の厚さ方向に振動するものであり、例えば正弦波である。具体的には、センサ２０ＢのＸＺ断面は正弦波状などの波状を有し、センサ２０ＢのＹＺ断面は平面状を有している。センサ２０Ｂの両主面は、内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬにより押さえ込まれている。これにより、センサ２０Ｂは、内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬの間に、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に自由に伸縮可能に保持されている。 The sensor 20B has the same configuration as the sensor electrode layer 30 in the first embodiment except that it has a wavy shape in the longitudinal direction (X-axis direction). The wavy shape vibrates in the thickness direction of the gap between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL, and is, for example, a sine wave. Specifically, the XZ cross section of the sensor 20B has a wavy shape such as a sinusoidal shape, and the YZ cross section of the sensor 20B has a flat shape. Both main surfaces of the sensor 20B are pressed by the inner side surface 11SL and the support surface 12SL. As a result, the sensor 20B is held between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL so as to be freely expandable and contractible in the X-axis direction and the Y-axis direction.

内側面１１ＳＬと支持面１２ＳＬとの間の距離Ｈと、内側面１１ＳＬと支持面１２ＳＬとの間の隙間に収容する前におけるセンサ２０Ｂの仮想厚みＳとが、Ｈ＜Ｓの関係にある場合には、センサ２０Ｂは仮想厚みＳ＝Ｈとなるように変形した状態で上記隙間に収容される。このような状態で収容されると、変形量（Ｓ−Ｈ）に応じた反力が、センサ２０Ｂから内側面１１ＳＬや支持面１２ＳＬに加わった状態となる。したがって、第２の実施形態と類似した状態が、第１、第２柱状体２４、２５を設けることなく得られる。 When the distance H between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL and the virtual thickness S of the sensor 20B before being accommodated in the gap between the inner side surface 11SL and the support surface 12SL have a relationship of H <S. The sensor 20B is housed in the gap in a deformed state so that the virtual thickness S = H. When accommodated in such a state, a reaction force corresponding to the amount of deformation (SH) is applied from the sensor 20B to the inner side surface 11SL and the support surface 12SL. Therefore, a state similar to the second embodiment can be obtained without providing the first and second columnar bodies 24 and 25.

図１６Ａのように、第３の実施形態では、センサ２０Ｂの厚みＳ０とセンサ２０Ｂの仮想厚みＳとは、以下の式で表す関係にある。
Ｓ０＜ＳAs shown in FIG. 16A, in the third embodiment, the thickness S0 of the sensor 20B and the virtual thickness S of the sensor 20B have a relationship represented by the following equation.
S0 <S

センサ２０Ｂに対して加わる力（Ｚ軸方向の力）が増加すると、図１６Ａ〜図１６Ｃに示すように、センサ２０Ｂの仮想厚みＳは減少していき、原理的にはＳ＝Ｓ０となるまでセンサ２０Ｂの仮想厚みＳは減少する。センサ２０Ｂを構成している材料（具体的には基材３１を構成している材料）の曲げ剛性Ｅと、センサ２０Ｂに対して加わる力に対するセンサ２０Ｂの仮想厚みＳの変化量ΔＳとには、以下の式で表す関係が成り立つ。
Ｅ∝ΔＳ
したがって、少ない応力でセンサ２０Ｂの仮想厚みＳを大きく変化させるためには、曲げ剛性Ｅを小さくすることが好ましい。As the force applied to the sensor 20B (force in the Z-axis direction) increases, the virtual thickness S of the sensor 20B decreases as shown in FIGS. 16A to 16C, until S = S0 in principle. The virtual thickness S of the sensor 20B decreases. The flexural rigidity E of the material constituting the sensor 20B (specifically, the material constituting the base material 31) and the amount of change ΔS of the virtual thickness S of the sensor 20B with respect to the force applied to the sensor 20B are , The relationship expressed by the following formula holds.
E∝ΔS
Therefore, in order to greatly change the virtual thickness S of the sensor 20B with a small amount of stress, it is preferable to reduce the flexural rigidity E.

センサ２０Ｂのうちセンシング部３０ＳＥが設けられている部分は、内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬから離して設けられていることが好ましい。センシング部３０ＳＥが設けられている部分が内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬに接していると、センシング部３０ＳＥと側壁部１１Ｌ、支持プレート１２Ｌとが容量結合してしまう。このため、側壁部１１Ｌの微小変形に対するセンシング部３０ＳＥの静電容量の変化が小さくなり、荷重感度が低下する。 The portion of the sensor 20B where the sensing portion 30SE is provided is preferably provided away from the inner side surface 11SL and the support surface 12SL. If the portion provided with the sensing portion 30SE is in contact with the inner side surface 11SL and the support surface 12SL, the sensing portion 30SE, the side wall portion 11L, and the support plate 12L are capacitively coupled. Therefore, the change in the capacitance of the sensing unit 30SE with respect to the minute deformation of the side wall portion 11L becomes small, and the load sensitivity decreases.

各センシング部３０ＳＥは内側面１１ＳＬまたは支持面１２ＳＬからほぼ同一距離に位置することが好ましい。各センシング部３０ＳＥの荷重感度のばらつきを抑制できるからである。 It is preferable that each sensing unit 30SE is located at substantially the same distance from the inner side surface 11SL or the support surface 12SL. This is because the variation in the load sensitivity of each sensing unit 30SE can be suppressed.

センサ２０Ｂが、複数の貫通孔（図示せず）を有することが好ましい。センサ２０Ｂの曲げ剛性を低減し、側面１０ＳＬの荷重感度を向上できるからである。複数の貫通孔は、センシング部３０ＳＥ以外の箇所に設けられていることが好ましく、隣接するセンシング部３０ＳＥ間に設けられていることが特に好ましい。 It is preferable that the sensor 20B has a plurality of through holes (not shown). This is because the flexural rigidity of the sensor 20B can be reduced and the load sensitivity of the side surface 10SL can be improved. It is preferable that the plurality of through holes are provided at a location other than the sensing unit 30SE, and it is particularly preferable that the plurality of through holes are provided between the adjacent sensing units 30SE.

［電子機器の動作］
次に、本技術の第３の実施形態に係る電子機器１０Ｂの動作について説明する。[Operation of electronic devices]
Next, the operation of the electronic device 10B according to the third embodiment of the present technology will be described.

電子機器１０の側面１０ＳＬがＺ軸方向に力ＦZで押圧されると、側壁部１１Ｌが微小変形し、内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬがセンサ２０Ｂの両主面の側からセンサ２０Ｂを押圧し、センサ２０Ｂの仮想厚みＳを減少させる。これにより、センシング部３０ＳＥが内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬに接近し、センシング部３０ＳＥの電気力線の一部が側壁部１１Ｌおよび支持プレート１２Ｌに流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、側面１０ＳＬに加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。 When the side surface 10SL of the electronic device 10 is pressed by the force F Z in the Z-axis direction, the side wall portion 11L is slightly deformed, and the inner side surface 11SL and the support surface 12SL press the sensor 20B from both main surfaces of the sensor 20B. , The virtual thickness S of the sensor 20B is reduced. As a result, the sensing unit 30SE approaches the inner side surface 11SL and the support surface 12SL, and a part of the electric lines of force of the sensing unit 30SE flows to the side wall portion 11L and the support plate 12L, and the capacitance of the sensing unit 30SE changes. .. The IC 13a detects the pressure applied to the side surface 10SL based on the change in the capacitance, and outputs the result to the CPU 13b.

［効果］
第３の実施形態では、センサ２０Ｂを波形状とすることで、内側面１１ＳＬおよび支持面１２ＳＬからのセンシング部３０ＳＥの位置を規定している。したがって、柱状体をなくすことができるので、センサ２０Ｂの構成を簡略化できる。[effect]
In the third embodiment, the sensor 20B has a wavy shape to define the position of the sensing portion 30SE from the inner side surface 11SL and the support surface 12SL. Therefore, since the columnar body can be eliminated, the configuration of the sensor 20B can be simplified.

センサ２０ＢがＸ軸方向およびＹ軸方向に自由に伸縮可能に設けられている場合には、以下のような作用効果が得られる。すなわち、図１６Ａ〜図１６Ｃに示すように、センサ２０Ｂの仮想厚みＳの変化に伴い、センサ２０ＢがＸ、Ｙ方向に自由に寸法変化することができる。したがって、側面１０ＳＬの押圧の際に側壁部１１Ｌに作用する応力が低減され、弱い力ＦZでセンサ２０Ｂの仮想厚みＳを変化させることができる。When the sensor 20B is provided so as to be freely expandable and contractible in the X-axis direction and the Y-axis direction, the following effects can be obtained. That is, as shown in FIGS. 16A to 16C, the sensor 20B can freely change its dimensions in the X and Y directions as the virtual thickness S of the sensor 20B changes. Therefore, the stress acting on the side wall portion 11L when the side surface 10SL is pressed is reduced, and the virtual thickness S of the sensor 20B can be changed by a weak force F Z.

＜４ 第４の実施形態＞
［電子機器の構成］
本技術の第４の実施形態に係る電子機器１０Ｃは、図１７Ａ〜図１７Ｃに示すように、筐体１１の側壁部１１Ｌ、１１Ｒに代えて、筐体１１の裏面部１１Ｂにセンサ２０Ｃおよび支持プレート１２Ｂを備える点において、第１の実施形態に係る電子機器１０とは異なっている。なお、第４の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。<4 Fourth Embodiment>
[Electronic device configuration]
As shown in FIGS. 17A to 17C, the electronic device 10C according to the fourth embodiment of the present technology has a sensor 20C and a support on the back surface portion 11B of the housing 11 instead of the side wall portions 11L and 11R of the housing 11. It differs from the electronic device 10 according to the first embodiment in that the plate 12B is provided. In the fourth embodiment, the same reference numerals are given to the same parts as those in the second embodiment, and the description thereof will be omitted.

支持プレート１２Ｂは、センサ２０Ｃの一方の主面が裏面部１１Ｂの内側面１１ＳＢに対向するようにセンサ２０Ｃを支持する。支持プレート１２Ｂの固定部１２ｂは、内側面１１ＳＢに固定されている。 The support plate 12B supports the sensor 20C so that one main surface of the sensor 20C faces the inner side surface 11SB of the back surface portion 11B. The fixing portion 12b of the support plate 12B is fixed to the inner side surface 11SB.

センサ２０Ｃの一方の主面には、図１８Ａに示すように、複数の第１柱状体２４が設けられている。一方、センサ２０Ｃの他方の主面には、図１８Ｂに示すように、複数の第２柱状体２５が設けられている。センサ２０Ｃは、複数のセンシング部３０ＳＥを含んでいる。複数のセンシング部３０ＳＥは、Ｘ軸方項およびＺ軸方向に２次元配置されている。 As shown in FIG. 18A, a plurality of first columnar bodies 24 are provided on one main surface of the sensor 20C. On the other hand, as shown in FIG. 18B, a plurality of second columnar bodies 25 are provided on the other main surface of the sensor 20C. The sensor 20C includes a plurality of sensing units 30SE. The plurality of sensing units 30SE are two-dimensionally arranged in the X-axis direction and the Z-axis direction.

［電子機器の動作］
次に、本技術の第４の実施形態に係る電子機器１０Ｃの動作について説明する。ここでは、図１７Ｃに示すように、裏面部１１Ｂが押圧されていない状態において、内側面１１ＳＢが第１柱状体２４の頂部と接していると共に、支持面１２ＳＢが第２柱状体２５の頂部と接している場合の電子機器１０Ｃの動作について説明する。[Operation of electronic devices]
Next, the operation of the electronic device 10C according to the fourth embodiment of the present technology will be described. Here, as shown in FIG. 17C, in a state where the back surface portion 11B is not pressed, the inner side surface 11SB is in contact with the top of the first columnar body 24, and the support surface 12SB is in contact with the top of the second columnar body 25. The operation of the electronic device 10C when they are in contact with each other will be described.

電子機器１０の裏面１０ＳＢがＹ軸方向に力ＦYで押圧されると、裏面部１１Ｂが微小変形し、内側面１１ＳＢが第１柱状体２４を介してセンサ電極層３０のうちセンシング部３０ＳＥを含む部分をＹ軸方向に押圧する。この押圧により、センサ電極層３０のうちセンシング部３０ＳＥを含む部分がＹ軸方向に向けて変位し、センシング部３０ＳＥが支持面１２ＳＢに接近する。この接近により、センシング部３０ＳＥの電気力線の一部が支持プレート１２Ｂに流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、裏面１０ＳＢに加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。ＣＰＵ１３ｂは、裏面１０ＳＢに加わる圧力の検出結果に基づき、画面表示の制御（例えば画面スクロール、ポインタ移動など）や、アプリケーションの起動などの処理を行う。ここで、画面表示の制御やアプリケーションの起動などの処理は、一般的なタッチパネルの入力操作に基づき行われるものと同様のものであってもよい。When the back surface 10SB of the electronic device 10 is pressed with a force F Y in the Y-axis direction, the back surface portion 11B is small deformation, the sensing unit 30SE of the sensor electrode layer 30 is an inner surface 11SB through the first columnar body 24 Press the included portion in the Y-axis direction. By this pressing, the portion of the sensor electrode layer 30 including the sensing portion 30SE is displaced in the Y-axis direction, and the sensing portion 30SE approaches the support surface 12SB. Due to this approach, a part of the electric lines of force of the sensing unit 30SE flows to the support plate 12B, and the capacitance of the sensing unit 30SE changes. The IC 13a detects the pressure applied to the back surface 10SB based on the change in the capacitance, and outputs the result to the CPU 13b. The CPU 13b performs processing such as screen display control (for example, screen scrolling, pointer movement, etc.) and application activation based on the detection result of the pressure applied to the back surface 10SB. Here, processing such as screen display control and application startup may be the same as that performed based on a general touch panel input operation.

［効果］
第４の実施形態に係る電子機器１０Ｃでは、支持プレート１２Ｂがセンサ２０Ｃの一方の主面が裏面部１１Ｂの内側面１１ＳＢに対向するようにセンサ２０Ｃを支持しているので、裏面１０ＳＢの押圧を検出することが可能となる。したがって、タッチパネルのような操作を裏面１０ＳＢで行えるようになり、電子機器１０Ｃのユーザビリティが向上する。[effect]
In the electronic device 10C according to the fourth embodiment, since the support plate 12B supports the sensor 20C so that one main surface of the sensor 20C faces the inner side surface 11SB of the back surface portion 11B, the back surface 10SB is pressed. It becomes possible to detect. Therefore, an operation like a touch panel can be performed on the back surface 10SB, and the usability of the electronic device 10C is improved.

［変形例］
電子機器１０Ｃが、裏面１０ＳＢおよび側面１０ＳＬ、１０ＳＲの両方の変形を検出可能な構成を有していてもよい。すなわち、第１〜第３の実施形態のいずれかと第４の実施形態とを組み合わせてもよい。[Modification example]
The electronic device 10C may have a configuration capable of detecting deformation of both the back surface 10SB and the side surface 10SL and 10SR. That is, any one of the first to third embodiments may be combined with the fourth embodiment.

センサ２０Ｃが、一方の主面に複数の第１柱状体２４を備える代わりに、第１の実施形態における複数の第１、第２柱状体２１、２２を備え、他方の主面に第２柱状体２５を備える代わりに、第１の実施形態における複数の第３柱状体２３を備えるようにしてもよい。 Instead of the sensor 20C having a plurality of first columnar bodies 24 on one main surface, the sensor 20C includes a plurality of first and second columnar bodies 21 and 22 according to the first embodiment, and the other main surface has a second columnar body. Instead of including the body 25, a plurality of third columnar bodies 23 according to the first embodiment may be provided.

センサ２０Ｃが１方向（Ｘ軸方向またはＺ軸方向）に波状を有していてもよいし、２方向（Ｘ軸方向およびＺ軸方向）に波状を有していてもよい。 The sensor 20C may have a wavy shape in one direction (X-axis direction or Z-axis direction), or may have a wavy shape in two directions (X-axis direction and Z-axis direction).

ＩＣ１３ａは、センシング部３０ＳＥの静電容量の変化に基づいて、裏面１０ＳＢに対するスライド操作の検出、持ち手検出またはウェイクアップ動作などを実行するようにしてもよい。 The IC 13a may perform a slide operation detection, a handle detection, a wake-up operation, or the like on the back surface 10SB based on the change in the capacitance of the sensing unit 30SE.

（スマートフォン以外の適用例）
上述の第１〜第４の実施形態では、電子機器がスマートフォンである場合を例として説明したが、本技術はこれに限定されるものではなく、筐体などの外装体を有する種々の電子機器に適用可能である。例えば、パーソナルコンピュータ、タブレット型コンピュータ、スマートフォン以外の携帯電話、テレビ、リモートコントローラ、カメラ、ゲーム機器、ナビゲーションシステム、電子書籍、電子辞書、携帯音楽プレイヤー、スマートウオッチやヘッドマウンドディスプレイなどのウェアラブル端末、ラジオ、ステレオ、医療機器、ロボットに適用可能である。(Application examples other than smartphones)
In the first to fourth embodiments described above, the case where the electronic device is a smartphone has been described as an example, but the present technology is not limited to this, and various electronic devices having an exterior body such as a housing are provided. Applicable to. For example, personal computers, tablet computers, mobile phones other than smartphones, TVs, remote controllers, cameras, game devices, navigation systems, electronic books, electronic dictionaries, portable music players, wearable terminals such as smart watches and head mound displays, radios. , Stereo, medical equipment, robots.

本技術は電子機器に限定されるものではなく、電子機器以外の様々なものにも適用可能である。例えば、電動工具、冷蔵庫、エアコン、温水器、電子レンジ、食器洗浄器、洗濯機、乾燥機、照明機器、玩具などの電気機器に適用可能である。更に、住宅をはじめとする建築物、建築部材、乗り物、テーブルや机などの家具、製造装置、分析機器などにも適用可能である。建築部材としては、例えば、敷石、壁材、フロアータイル、床板などが挙げられる。乗り物としては、例えば、車両（例えば自動車、オートバイなど）、船舶、潜水艦、鉄道車両、航空機、宇宙船、エレベータ、遊具などが挙げられる。 This technology is not limited to electronic devices, but can be applied to various devices other than electronic devices. For example, it can be applied to electric devices such as electric tools, refrigerators, air conditioners, water heaters, microwave ovens, dishwashers, washing machines, dryers, lighting devices, and toys. Furthermore, it can be applied to buildings such as houses, building materials, vehicles, furniture such as tables and desks, manufacturing equipment, analytical instruments, and the like. Examples of building materials include paving stones, wall materials, floor tiles, and floor boards. Vehicles include, for example, vehicles (eg, automobiles, motorcycles, etc.), ships, submarines, railroad vehicles, aircraft, spacecraft, elevators, play equipment, and the like.

本技術を筐体などの外装体や基体に適用することで、外装体や基体の微少な変形を検出できるようになり、従来考えられなかったような操作や機能などを実現可能となる。例えば、電子機器の筐体全てをタッチパネルのように撫でたり押したりして操作することが可能となる。また、電子機器の表面の変形状態を検出することで、どのように持たれているかを検出可能となる。 By applying this technology to an exterior body such as a housing or a substrate, it becomes possible to detect minute deformations of the exterior body or the substrate, and it becomes possible to realize operations and functions that were previously unthinkable. For example, it is possible to operate the entire housing of an electronic device by stroking or pushing it like a touch panel. Further, by detecting the deformed state of the surface of the electronic device, it is possible to detect how it is held.

本技術は、比較的剛性の高い外装体を備えるものに適用して好適なものである。例えば、本技術をモバイル機器（例えば、スマーホフォン、タブレット型コンピュータ、音楽プレイヤーなど）やリモートコントローラなどの電子機器の筐体に適用した場合には、電子機器が筐体の変形を検出することが可能となる。また、電子機器が、筐体の変形の検出結果に基づき機器がどのように持たれているかを検出し、機器の持ち方に合わせて画面表示などを制御するようにしてもよい。また、電子機器が、筐体の変形の検出結果に基づき、筐体を押す、撫でるなどの動作を検出し、これに応じた動作を実行するようにしてもよい。この場合、メカ的なスイッチや静電タッチスイッチでは無く、筐体の変形検出による操作が可能となる。 This technique is suitable for application to those provided with a relatively rigid exterior body. For example, when this technology is applied to the housing of an electronic device such as a mobile device (for example, a smartphone, a tablet computer, a music player, etc.) or a remote controller, the electronic device can detect the deformation of the housing. It becomes. Further, the electronic device may detect how the device is held based on the detection result of the deformation of the housing, and control the screen display or the like according to the way of holding the device. Further, the electronic device may detect an operation such as pushing or stroking the housing based on the detection result of the deformation of the housing, and execute the operation corresponding to the operation. In this case, it is possible to operate by detecting the deformation of the housing instead of the mechanical switch or the electrostatic touch switch.

本技術をテーブルや机など（以下単に「テーブルなど」という。）に適用した場合には、テーブルなどが天板（基体）などの所定箇所の変形を検出することが可能となる。また、テーブルなどが、天板などの所定箇所の変形の検出結果に基づき、天板などの所定箇所を押す、撫でるなどの動作を検出し、その結果に基づき、天板などに対する照明をコントロールするようにしてもよい。この場合、照明装置はテーブル上に設けられているものであってもよいし、テーブル以外の天井や床などに設けられているものであってもよい。 When this technology is applied to a table, desk, etc. (hereinafter, simply referred to as "table, etc."), it becomes possible for the table, etc. to detect deformation of a predetermined portion such as a top plate (base). In addition, the table or the like detects movements such as pushing or stroking a predetermined place such as the top plate based on the detection result of deformation of the predetermined place such as the top plate, and controls the lighting of the top plate or the like based on the result. You may do so. In this case, the lighting device may be provided on a table, or may be provided on a ceiling or floor other than the table.

本技術は、手に持って操作される電子機器に適用して好適なものである。このような電子機器に技術を適用した場合には、電子機器が、指や手による筐体の微小変形を検出することが可能となる。例えば、以下のような様々な操作が可能となる。スマートフォンやポータブルゲーム機などの電子機器の側面を指でなぞったり押したりして、音量調整、画面の拡大縮小、ゲーム操作などを行うことができる。電子機器の裏面を指でなぞったり押したりして、タッチパネルのような操作を裏面で行えるようになる。冷蔵庫や炊飯器などの家庭用電気機器を、タッチ操作（ゼロフォースでの操作）ではなく、所定の押圧力を加える操作により操作することが可能となる。 This technology is suitable for application to electronic devices that are operated by holding them in the hand. When the technology is applied to such an electronic device, the electronic device can detect minute deformation of the housing due to a finger or a hand. For example, the following various operations are possible. You can adjust the volume, zoom in / out the screen, operate games, etc. by tracing or pressing the side of an electronic device such as a smartphone or portable game machine with your finger. By tracing or pressing the back side of an electronic device with a finger, operations like a touch panel can be performed on the back side. It is possible to operate household electric appliances such as refrigerators and rice cookers by applying a predetermined pressing force instead of touch operation (operation with zero force).

以上、本技術の実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。 Although the embodiment of the present technology and its modification have been specifically described above, the present technology is not limited to the above-described embodiment and its modification, and various modifications based on the technical idea of the present technology. Is possible.

例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。 For example, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. given in the above-described embodiments and modifications are merely examples, and if necessary, different configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. May be used.

また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。 In addition, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like of the above-described embodiments and modifications thereof can be combined with each other as long as they do not deviate from the gist of the present technology.

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記外装体に対向するように前記センサ電極層を支持する、導体を含む支持体と
を備え、
前記センサ電極層と前記外装体の間が離されていると共に、前記センサ電極層と前記支持体の間が離されている電子機器。
（２）
前記センサ電極層と前記外装体の間、および前記センサ電極層と前記支持体の間には空気層が設けられている（１）に記載の電子機器。
（３）
前記センサ電極層と前記外装体の間、および前記センサ電極層と前記支持体の間には複数の柱状体が設けられている（１）または（２）に記載の電子機器。
（４）
前記センサ電極層と前記外装体の間に設けられた前記柱状体の高さＤ１は、前記外装体と前記センサ電極層の間の距離Ｄよりも小さい（３）に記載の電子機器。
（５）
前記センサ電極層と前記外装体の間に設けられた前記複数の柱状体は、前記センシング部の中央に設けられた第1柱状体と、前記センシング部間の周縁または外側に設けられた第２柱状体とを含み、
前記第1柱状体の高さＤ１と前記第２柱状体の高さＤ２とが、Ｄ１＜Ｄ２の関係を満たす（３）または（４）に記載の電子機器。
（６）
前記外装体と前記支持体の間の距離Ｈと、前記センサ電極層の厚みＴ、前記外装体と前記センサ電極層と間に設けられた前記柱状体の高さＤ１、前記外装体と前記センサ電極層と間に設けられた前記柱状体の高さＤ３とが、Ｈ＜Ｔ＋Ｄ１＋Ｄ３の関係を満たす（３）から（５）のいずれかに記載の電子機器。
（７）
前記センサ電極層は、フレキシブル性を有している（１）から（５）のいずれかに記載の電子機器。
（８）
前記外装体は、該外装体が前記センサ電極層に向けて押圧されることで、前記センサ電極層に向けて変形可能に構成されている（１）から（８）のいずれかに記載の電子機器。
（９）
前記支持体は、前記外装体に固定されている（１）から（９）のいずれかに記載の電子機器。
（１０）
前記外装体は、筐体であり、
前記支持体は、前記筐体の内側面に固定されている（１）から（９）のいずれかに記載に電子機器。
（１１）
前記筐体の内側面は、前記筐体の側壁部の内側面または裏面部の内側面である（１０）に記載の電子機器。
（１２）
前記外装体および前記保持体はそれぞれ独立に、導体層により構成されているか、または導体層を含んでいる（１）から（１１）のいずれかに記載の電子機器。
（１３）
前記センサ電極層は、前記外装体と前記支持体と間において、伸縮可能に保持されている（１）から（１２）のいずれかに記載の電子機器。
（１４）
前記センサ電極層は、貫通孔を有している（１）から（１３）のいずれかに記載の電子機器。
（１５）
前記センシング部の静電容量の変化に応じて、電子機器の動作を制御する制御部と
をさらに備える（１）から（１４）のいずれかに記載の電子機器。
（１６）
表示装置と、
前記センシング部の静電容量の変化に応じて、前記表示装置の画面表示を制御する制御部と
をさらに備える（１）から（１４）のいずれかに記載の電子機器。
（１７）
導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記外装体に対向するように前記センサ電極層を支持する、導体を含む支持体と
を備え、
前記センサ電極層は、波状を有している電子機器。
（１８）
前記センサ電極層は、前記外装体および前記支持体により押さえこまれている（１７）に記載の電子機器。
（１９）
導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記基体に対向するように前記センサ電極層を支持する、導体を含む支持体と
を備え、
前記センサ電極層と前記基体の間が離されていると共に、前記センサ電極層と前記支持体の間が離されているセンシング装置。
（２０）
導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記基体に対向するように前記センサ電極層を支持する、導体を含む支持体と
を備え、
前記センサ電極層は、波状を有しているセンシング装置。In addition, the present technology can also adopt the following configurations.
(1)
The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support including a conductor that supports the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body is provided.
An electronic device in which the sensor electrode layer and the exterior body are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support are separated from each other.
(2)
The electronic device according to (1), wherein an air layer is provided between the sensor electrode layer and the exterior body, and between the sensor electrode layer and the support.
(3)
The electronic device according to (1) or (2), wherein a plurality of columnar bodies are provided between the sensor electrode layer and the exterior body, and between the sensor electrode layer and the support.
(4)
The electronic device according to (3), wherein the height D1 of the columnar body provided between the sensor electrode layer and the exterior body is smaller than the distance D between the exterior body and the sensor electrode layer.
(5)
The plurality of columnar bodies provided between the sensor electrode layer and the exterior body are a first columnar body provided in the center of the sensing portion and a second columnar body provided on the peripheral edge or the outer side between the sensing portions. Including columnar body
The electronic device according to (3) or (4), wherein the height D1 of the first columnar body and the height D2 of the second columnar body satisfy the relationship of D1 <D2.
(6)
The distance H between the exterior body and the support, the thickness T of the sensor electrode layer, the height D1 of the columnar body provided between the exterior body and the sensor electrode layer, the exterior body and the sensor. The electronic device according to any one of (3) to (5), wherein the height D3 of the columnar body provided between the electrode layer and the columnar body satisfies the relationship of H <T + D1 + D3.
(7)
The electronic device according to any one of (1) to (5), wherein the sensor electrode layer has flexibility.
(8)
The electron according to any one of (1) to (8), wherein the exterior body is configured to be deformable toward the sensor electrode layer when the exterior body is pressed toward the sensor electrode layer. device.
(9)
The electronic device according to any one of (1) to (9), wherein the support is fixed to the exterior body.
(10)
The exterior body is a housing and
The electronic device according to any one of (1) to (9), wherein the support is fixed to the inner surface of the housing.
(11)
The electronic device according to (10), wherein the inner surface of the housing is an inner surface of a side wall portion of the housing or an inner surface of a back surface portion.
(12)
The electronic device according to any one of (1) to (11), wherein the exterior body and the holding body are each independently composed of a conductor layer or include a conductor layer.
(13)
The electronic device according to any one of (1) to (12), wherein the sensor electrode layer is stretchably held between the exterior body and the support.
(14)
The electronic device according to any one of (1) to (13), wherein the sensor electrode layer has a through hole.
(15)
The electronic device according to any one of (1) to (14), further including a control unit that controls the operation of the electronic device according to a change in the capacitance of the sensing unit.
(16)
Display device and
The electronic device according to any one of (1) to (14), further including a control unit that controls the screen display of the display device according to a change in the capacitance of the sensing unit.
(17)
The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support including a conductor that supports the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body is provided.
The sensor electrode layer is an electronic device having a wavy shape.
(18)
The electronic device according to (17), wherein the sensor electrode layer is held down by the exterior body and the support body.
(19)
A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support including a conductor that supports the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the substrate is provided.
A sensing device in which the sensor electrode layer and the substrate are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support are separated from each other.
(20)
A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support including a conductor that supports the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the substrate is provided.
The sensor electrode layer is a sensing device having a wavy shape.

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 電子機器
１１ 筐体
１１Ｂ 裏面部
１１Ｌ、１１Ｒ 側面部
１１ＳＬ、１１ＳＲ、１１ＳＢ 内側面
１２Ｌ、１２Ｒ、１２Ｂ 支持プレート
１２ＳＲ、１２ＳＬ、１２ＳＢ 支持面
１３ 基板
１３ａ コントローラＩＣ
１３ｂ ＣＰＵ
１４ フロントパネル
１４ａ 表示装置
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ センサ
２１、２４ 第１柱状体
２２、２５ 第２柱状体
２３ 第３柱状体
３０ センサ電極層
３０ＳＥ センシング部
３１ 基材
３２、３６ パルス電極（第１電極）
３４、３７ センス電極（第２電極）
３３、３５ 絶縁層
３８ 切り欠き部
３９ 貫通孔10, 10A, 10B, 10C Electronic equipment 11 Housing 11B Back surface 11L, 11R Side surface 11SL, 11SR, 11SB Inner surface 12L, 12R, 12B Support plate 12SR, 12SL, 12SB Support surface 13 Board 13a Controller IC
13b CPU
14 Front panel 14a Display device 20, 20A, 20B, 20C Sensor 21, 24 1st columnar body 22, 25 2nd columnar body 23 3rd columnar body 30 Sensor electrode layer 30SE Sensing unit 31 Base material 32, 36 Pulse electrode (No. 1 1 electrode)
34, 37 Sense electrode (second electrode)
33, 35 Insulation layer 38 Notch 39 Through hole

Claims (19)

導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記外装体に対向するように前記センサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、前記支持部を前記外装体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
前記センサ電極層の他方の面と前記支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
前記センサ電極層と前記外装体の間が離されていると共に、前記センサ電極層と前記支持プレートの間が離されている電子機器。 The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support portion having a support surface for supporting the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body, and a fixing portion for fixing the support portion to the exterior body are provided. Support plate including conductor and
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
An electronic device in which the sensor electrode layer and the exterior body are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support plate are separated from each other. 前記センサ電極層と前記外装体の間、および前記センサ電極層と前記支持プレートの間には空気層が設けられている請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein an air layer is provided between the sensor electrode layer and the exterior body, and between the sensor electrode layer and the support plate. 前記センサ電極層と前記外装体の間には複数の柱状体が設けられている請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein a plurality of columnar bodies are provided between the sensor electrode layer and the exterior body. 前記センサ電極層と前記外装体の間に設けられた前記柱状体の高さＤ１は、前記外装体と前記センサ電極層の間の距離Ｄよりも小さい請求項３に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 3, wherein the height D1 of the columnar body provided between the sensor electrode layer and the exterior body is smaller than the distance D between the exterior body and the sensor electrode layer. 前記センサ電極層と前記外装体の間に設けられた前記複数の柱状体は、前記センシング部の中央に設けられた第1柱状体と、前記センシング部間の周縁または外側に設けられた第２柱状体とを含み、
前記第1柱状体の高さＤ１と前記第２柱状体の高さＤ２とが、Ｄ１＜Ｄ２の関係を満たす請求項３に記載の電子機器。 The plurality of columnar bodies provided between the sensor electrode layer and the exterior body are a first columnar body provided in the center of the sensing portion and a second columnar body provided on the peripheral edge or the outer side between the sensing portions. Including columnar body
The electronic device according to claim 3, wherein the height D1 of the first columnar body and the height D2 of the second columnar body satisfy the relationship of D1 <D2. 前記外装体と前記支持プレートの間の距離Ｈと、前記センサ電極層の厚みＴ、前記外装体と前記センサ電極層と間に設けられた前記柱状体の高さＤ１、前記支持プレートと前記センサ電極層と間に設けられた前記柱状体の高さＤ３とが、Ｈ＜Ｔ＋Ｄ１＋Ｄ３の関係を満たす請求項３に記載の電子機器。 The distance H between the exterior body and the support plate, the thickness T of the sensor electrode layer, the height D1 of the columnar body provided between the exterior body and the sensor electrode layer, the support plate and the sensor. The electronic device according to claim 3, wherein the height D3 of the columnar body provided between the electrode layer and the columnar body satisfies the relationship of H <T + D1 + D3. 前記センサ電極層は、フレキシブル性を有している請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein the sensor electrode layer has flexibility. 前記外装体は、該外装体が前記センサ電極層に向けて押圧されることで、前記センサ電極層に向けて変形可能に構成されている請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein the exterior body is configured to be deformable toward the sensor electrode layer when the exterior body is pressed toward the sensor electrode layer. 前記外装体は、筐体であり、
前記支持プレートは、前記筐体の内側面に固定されている請求項１に記載に電子機器。 The exterior body is a housing and
The electronic device according to claim 1, wherein the support plate is fixed to an inner surface of the housing. 前記筐体の内側面は、前記筐体の側壁部の内側面または裏面部の内側面である請求項９に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 9, wherein the inner surface of the housing is an inner surface of a side wall portion or an inner surface of a back surface portion of the housing. 前記外装体および前記支持プレートはそれぞれ独立して、導体層により構成されているか、または導体層を含んでいる請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein the exterior body and the support plate are each independently composed of a conductor layer or include a conductor layer. 前記センサ電極層は、前記外装体と前記支持プレートと間において、伸縮可能に保持されている請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein the sensor electrode layer is stretchably held between the exterior body and the support plate. 前記センサ電極層は、貫通孔を有している請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, wherein the sensor electrode layer has a through hole. 前記センシング部の静電容量の変化に応じて、電子機器の動作を制御する制御部と
をさらに備える請求項１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 1, further comprising a control unit that controls the operation of the electronic device in response to a change in the capacitance of the sensing unit. 表示装置と、
前記センシング部の静電容量の変化に応じて、前記表示装置の画面表示を制御する制御部と
をさらに備える請求項１に記載の電子機器。 Display device and
The electronic device according to claim 1, further comprising a control unit that controls the screen display of the display device in response to a change in the capacitance of the sensing unit. 導体を含む外装体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記外装体に対向するように前記センサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、前記支持部を前記外装体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
前記センサ電極層の他方の面と前記支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
前記センサ電極層は、波状を有している電子機器。 The exterior including the conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
A support portion having a support surface for supporting the sensor electrode layer so that one surface of the sensor electrode layer faces the exterior body, and a fixing portion for fixing the support portion to the exterior body are provided. Support plate including conductor and
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
The sensor electrode layer is an electronic device having a wavy shape. 前記センサ電極層は、前記外装体および前記支持プレートにより押さえこまれている請求項１６に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 16, wherein the sensor electrode layer is held down by the exterior body and the support plate. 導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記基体に対向するように前記センサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、前記支持部を前記基体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
前記センサ電極層の他方の面と前記支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
前記センサ電極層と前記基体の間が離されていると共に、前記センサ電極層と前記支持プレートの間が離されているセンシング装置。 A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
Comprising a support portion having a support surface on one surface of the sensor electrode layer supporting the sensor electrode layer so as to face the substrate and a fixing portion for fixing the support portion to the base body, a conductor With a support plate, including
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
A sensing device in which the sensor electrode layer and the substrate are separated from each other, and the sensor electrode layer and the support plate are separated from each other. 導体を含む基体と、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極層と、
前記センサ電極層の一方の面が前記基体に対向するように前記センサ電極層を支持する支持面を有する支持部と、前記支持部を前記基体に固定するための固定部とを備える、導体を含む支持プレートと、
前記センサ電極層の他方の面と前記支持面との間に隙間を確保する柱状体と
を備え、
前記センサ電極層は、波状を有しているセンシング装置。 A substrate containing a conductor and
Capacitive sensor electrode layer with sensing unit,
Comprising a support portion having a support surface on one surface of the sensor electrode layer supporting the sensor electrode layer so as to face the substrate and a fixing portion for fixing the support portion to the base body, a conductor With a support plate, including
A columnar body that secures a gap between the other surface of the sensor electrode layer and the support surface is provided.
The sensor electrode layer is a sensing device having a wavy shape.
JP2018542463A 2016-09-28 2017-09-20 Sensing devices and electronic devices Active JP6950700B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016190180 2016-09-28
JP2016190180 2016-09-28
PCT/JP2017/033928 WO2018061937A1 (en) 2016-09-28 2017-09-20 Sensing device and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018061937A1 JPWO2018061937A1 (en) 2019-07-04
JP6950700B2 true JP6950700B2 (en) 2021-10-13

Family

ID=61760595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018542463A Active JP6950700B2 (en) 2016-09-28 2017-09-20 Sensing devices and electronic devices

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6950700B2 (en)
CN (1) CN109791457B (en)
WO (1) WO2018061937A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7017004B2 (en) * 2019-12-19 2022-02-08 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 Sensor system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7538760B2 (en) * 2006-03-30 2009-05-26 Apple Inc. Force imaging input device and system
JP4351696B2 (en) * 2006-12-01 2009-10-28 アルプス電気株式会社 Input device with illumination mechanism
CN104145240B (en) * 2012-03-09 2017-08-29 索尼公司 Sensor device, input equipment and electronic installation
KR101995486B1 (en) * 2012-06-26 2019-07-02 엘지전자 주식회사 Mobile terminal and control method thereof
JP6119518B2 (en) * 2013-02-12 2017-04-26 ソニー株式会社 Sensor device, input device and electronic apparatus
JP2015079328A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 ソニー株式会社 Input device and electronic apparatus including the same
JP2016006619A (en) * 2014-06-20 2016-01-14 ソニー株式会社 Sensor panel, input device and display device
CN104951144A (en) * 2015-07-28 2015-09-30 芜湖科创生产力促进中心有限责任公司 Shock absorption-based three-dimensional multi-point touch screen and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018061937A1 (en) 2019-07-04
CN109791457B (en) 2023-04-28
CN109791457A (en) 2019-05-21
WO2018061937A1 (en) 2018-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7322944B2 (en) Sensors, input devices, robots and electronics
JP6958694B2 (en) Input devices and electronic devices
JP6777068B2 (en) Input devices and electrical equipment
JP6950700B2 (en) Sensing devices and electronic devices
CN110462563B (en) Sensor, input device, and electronic apparatus
WO2017164130A1 (en) Input device, operation device, and electronic device
JP6787323B2 (en) Input devices, sensors and electrical equipment
WO2018159769A1 (en) Sensor, input device and electronic device
KR20150073483A (en) Touch panel in Personal Digital Assistant
JP2016151788A (en) Sensor device, input device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210309

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210824

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210906

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6950700

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151