KR20170055239A - Transparent electrode for oled and preparing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광소자용 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent electrode for an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기발광소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.[0002] An organic light emitting diode (OLED) display is a self-emission type display device having an organic light emitting diode that emits light and displays an image. Unlike a liquid crystal display, an organic light emitting display does not require a separate light source, so that the thickness and weight can be relatively reduced. In addition, organic light emitting display devices are attracting attention as next generation display devices for portable electronic devices because they exhibit high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high response speed.
유기발광소자는 전자(electron)와 정공(hole)이 결합하여 발광 소멸할 때 발생하는 빛을 이용하는 소자이다. 일반적으로 유기발광소자는 기본적으로 정공을 주입하기 위한 전극, 전자를 주입하기 위한 전극 및 발광층을 포함하며, 상기 정공을 주입하기 위한 전극인 양극과 전자를 주입하기 위한 전극인 음극 사이에 발광층이 적층되어 있는 구조를 가진다. 구체적으로, 유기발광소자의 음극에서는 전자가 주입되고 양극에서는 정공이 주입되어, 이들 전하가 외부 전기장에 의해 서로 반대 방향으로 이동을 한 후 발광층에서 결합하여 발광 소멸하면서 빛을 낸다. 이러한 유기발광소자에서 발광층은 단분자 유기물이나 고분자(polymer)에 의해 형성된다.An organic light emitting device is an element that uses light generated when electrons and holes combine to emit and disappear. In general, an organic light emitting device includes an electrode for injecting holes, an electrode for injecting electrons, and a light emitting layer, and a light emitting layer is stacked between a cathode, which is an electrode for injecting holes, and a cathode, . Specifically, electrons are injected from the cathode of the organic light emitting device, holes are injected from the anode, and these charges move in opposite directions to each other by an external electric field. In such an organic light emitting device, the light emitting layer is formed by a monomolecular organic material or a polymer.
유기발광소자에서 전극 특성은 매우 중요하다. 예를 들어, 조명용으로 사용되는 유기발광소자는 통상적으로 한 변의 길이가 5 cm 또는 그 이상인 발광 면적을 가지는 픽셀로 이루어진다. 이와 같은 큰 발광면적을 가지기 때문에, 전극의 표면 저항이 높으면, 전자 또는 정공이 전체 면적에 걸쳐서 균일하게 주입되지 않고, 따라서 발광얼룩이 발생하거나, 전 발광 영역에서 균일한 휘도를 얻을 수 없다.Electrode characteristics are very important in organic light emitting devices. For example, organic light emitting devices used for illumination usually consist of pixels having a light emitting area of 5 cm or more in length on one side. When the surface resistance of the electrode is high, electrons or holes are not uniformly injected over the entire area because of having such a large light emitting area, so that uneven light emission occurs or a uniform brightness can not be obtained in the whole light emitting region.
그런데, 투명 전극의 전도도 개선을 위해 두께를 두껍게 하는 경우에는 광 투과율이 저하되어, 기본적으로 낮은 유기발광소자의 광 추출 효율을 더 낮추게 되는 문제가 있다.However, when the thickness of the transparent electrode is increased in order to improve the conductivity of the transparent electrode, the light transmittance is lowered and the light extraction efficiency of the organic light emitting device is lowered.
한국공개특허 제2014-14683호에는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법이 개시되어 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2014-14683 discloses an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.
본 발명은 유기발광소자의 투명 전극의 전기 전도도를 개선할 수 있는 유기발광소자용 투명 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a transparent electrode for an organic light emitting device capable of improving the electrical conductivity of a transparent electrode of an organic light emitting device.
본 발명은 유기발광소자의 광 추출 효율을 개선할 수 있는 유기발광소자용 투명 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a transparent electrode for an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency of an organic light emitting device.
본 발명은 상기 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device.
1. 기판 및 상기 기판 상에 위치한 도전성 나노 격벽을 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극.1. A transparent electrode for an organic light emitting device, comprising a substrate and a conductive nano barrier wall disposed on the substrate.
2. 위 1에 있어서, 상기 나노 격벽은 두께가 5 내지 300nm인, 유기발광소자용 투명 전극.2. The transparent electrode for an organic light emitting device according to 1 above, wherein the nano barrier has a thickness of 5 to 300 nm.
3. 위 2에 있어서, 상기 나노 격벽의 높이는 50 내지 2,000nm인, 유기발광소자용 투명 전극.3. The transparent electrode for an organic light emitting device according to 2 above, wherein the height of the nano barrier rib is 50 to 2,000 nm.
4. 위 1에 있어서, 상기 나노 격벽은 소정의 패턴을 이루는, 유기발광소자용 투명 전극.4. The transparent electrode for an organic light emitting device according to 1 above, wherein the nano barrier wall has a predetermined pattern.
5. 위 4에 있어서, 상기 패턴은 선형 패턴; 메쉬 패턴; 또는 개구부가 원, 타원, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 또는 이들이 결합된 도형 형상을 갖는 개구 패턴;인, 유기발광소자용 투명 전극.5. The method of claim 4, wherein the pattern is a linear pattern; Mesh pattern; Or an opening pattern having a circular, elliptical, triangular, square, pentagonal, hexagonal, octagonal, or figure shape combined with the opening.
6. 위 1에 있어서, 상기 나노 격벽은 격벽 사이 중 적어도 일부가 기판 상에서 서로 이어진 것인, 유기발광소자용 투명 전극.6. The transparent electrode for an organic light emitting element according to item 1 above, wherein at least part of the nano barrier ribs are connected to each other on the substrate.
7. 위 1에 있어서, 상기 나노 격벽은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속; 또는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물류를 포함하는 것인, 유기발광소자용 투명 전극.7. The nano barrier according to claim 1, wherein the nano barrier wall is made of In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, , At least one metal selected from the group consisting of Nb, Al, Ni, Cu, and WTi; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine tin oxide (FTO) (IZTO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide - silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).
8. 위 1에 있어서, 상기 도전성 격벽 사이 중 적어도 일부에 고분자 패턴을 더 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극.8. The transparent electrode for an organic light emitting device according to 1 above, further comprising a polymer pattern at least in part between the conductive partition walls.
9. 위 1에 있어서, 상기 기판과 도전성 나노 격벽 사이에 위치한 투명 도전층을 더 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극.9. The transparent electrode for an organic light emitting device according to 1 above, further comprising a transparent conductive layer positioned between the substrate and the conductive nano barrier.
10. 위 1 내지 9 중 어느 한 항의 유기발광소자용 투명 전극을 포함하는, 유기발광소자.10. An organic light-emitting device comprising the transparent electrode for an organic light-emitting device according to any one of 1 to 9 above.
11. 위 10에 있어서, 상기 유기발광소자용 투명 전극은 유기발광소자의 시인측 전극인, 유기발광소자.11. The organic light emitting diode according to item 10, wherein the transparent electrode for the organic light emitting element is a visible side electrode of the organic light emitting element.
12. 위 10에 있어서, 유기발광소자의 시인측 전극 상에 도전성 나노 격벽이 접촉하도록 배치된, 유기발광소자.12. The organic electroluminescent device according to the above 10, wherein the conductive nano barrier wall is disposed in contact with the visible side electrode of the organic light emitting element.
13. 위 10의 유기발광소자를 포함하는 유기발광조명장치.13. An organic light-emitting illuminating device comprising the organic light-emitting device of claim 10.
14. 위 10의 유기발광소자를 포함하는 유기발광표시장치.14. An organic light emitting display device comprising the organic light emitting element of the above 10.
15. 기판 상에 도전층을 형성하는 단계;15. forming a conductive layer on a substrate;
상기 도전층 상에 고분자 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a polymer pattern on the conductive layer; And
상기 패턴 사이로 노출된 도전층을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하여 나노 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.And ion milling and etching the exposed conductive layer between the patterns to form a nano-thick barrier layer on the side of the polymer pattern to form a nano-thick barrier layer.
16. 기판 상에 고분자 패턴을 형성하는 단계;16. A method comprising: forming a polymer pattern on a substrate;
상기 고분자 패턴이 형성된 기판 상에 도전층을 형성하는 단계; 및Forming a conductive layer on the substrate on which the polymer pattern is formed; And
상기 도전층을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하여 나노 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.And ion milling and etching the conductive layer to form a nano-thickness barrier layer on the side surface of the polymer pattern to form a nano barrier wall.
17. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 나노 격벽은 두께가 5 내지 200nm인, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.17. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to 15 or 16, wherein the nano barrier wall has a thickness of 5 to 200 nm.
18. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 고분자 패턴은 나노 임프린팅법으로 형성하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.18. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to 15 or 16, wherein the polymer pattern is formed by a nanoimprinting method.
19. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 고분자 패턴은 포토리소그래피법으로 형성하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.19. The method for manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting element according to 15 or 16 above, wherein the polymer pattern is formed by photolithography.
20. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 코팅층은 이온 밀링으로 뜯겨져 나간 도전성 입자가 고분자 패턴의 측면에 부착되어 형성되는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.20. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 15 or 16, wherein the coating layer is formed by attaching conductive particles torn off by ion milling to side surfaces of the polymer pattern.
21. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 도전층은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속; 또는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물류를 포함하는 것인, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.21. The method of claim 15 or 16, wherein the conductive layer is selected from the group consisting of In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, , At least one metal selected from the group consisting of Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine tin oxide (FTO) (IZTO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide - silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO). The method for manufacturing a transparent electrode for an organic light-emitting device according to claim 1,
22. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 이온 밀링은 10- 5Torr 내지 10- 3Torr의 압력 하에서 플라즈마를 100ev 내지 1500eV로 가속화하여 수행되는 것인, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.22. In the above 15 or 16, wherein the ion milling is 10 to 5 Torr to 10 - The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device as a plasma under 3 Torr of pressure is performed by accelerated 100ev to 1500eV.
23. 위 15 또는 16에 있어서, 상기 고분자 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.23. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to the above 15 or 16, further comprising removing the polymer pattern.
24. 위 15에 있어서, 도전층의 형성 전에 기판 상에 투명 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.24. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting element according to 15 above, further comprising a step of forming a transparent conductive layer on the substrate before forming the conductive layer.
25. 위 16에 있어서, 레지스트 패턴의 형성 전에 기판 상에 투명 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.25. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting element according to 16 above, further comprising a step of forming a transparent conductive layer on the substrate before forming the resist pattern.
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극은 도전성 나노 격벽을 포함하여, 유기발광소자에 적용되어 투명 전극의 전기 전도도는 개선하면서 투과율 저하는 최소화할 수 있다.The transparent electrode for an organic light emitting device of the present invention includes a conductive nano barrier wall and is applied to an organic light emitting device to improve the electrical conductivity of the transparent electrode while minimizing a decrease in transmittance.
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극은 유기발광소자의 광 추출 효율을 현저히 개선할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The transparent electrode for an organic light emitting diode of the present invention can remarkably improve the light extraction efficiency of an organic light emitting device.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 보조전극의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic perspective view of an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic perspective view of an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic process diagram of a method of manufacturing an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic process diagram of a method of manufacturing an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic perspective view of an auxiliary electrode for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 기판 및 상기 기판 상에 위치한 도전성 나노 격벽을 포함함으로써, 유기발광소자에 적용되어 전극의 전기 전도도는 개선하면서 투과율 저하는 최소화할 뿐만 아니라, 오히려 광 추출 효율을 더욱 개선할 수 있는 유기발광소자용 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention can be applied to an organic light emitting device including a substrate and a conductive nano barrier wall disposed on the substrate to improve the electrical conductivity of the electrode while minimizing a decrease in transmittance, A transparent electrode for a device, and a manufacturing method thereof.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극은 기판(100) 및 상기 기판(100) 상에 위치한 도전성 나노 격벽(200)을 포함한다.The transparent electrode for an organic light emitting diode of the present invention includes a
기판(100)은 투명성 및 적정 강도를 가지는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 실리콘, 석영, 유리, 고분자, 금속, 금속 산화물, 비금속 산화물, 노르보르넨이나 다환 노르보르넨계 단량체와 같은 시클로올레핀을 포함하는 단량체의 단위를 갖는 시클로올레핀계 유도체, 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스부틸레이트, 이소부틸에스테르셀룰로오스, 프로피오닐셀룰로오스, 부티릴셀룰로오스 또는 아세틸프로피오닐셀룰로오스 등에서 선택되는 셀룰로오스, 에틸렌-아세트산비닐공중합체, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 폴리아크릴, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알콜, 폴리비닐아세탈, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 에폭시 등의 소재를 포함하는 기판(100)일 수 있다. 이들 소재는 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The
기판(100)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10㎛ 내지 500㎛일 수 있다.The thickness of the
도 1에 예시된 바와 같이, 도전성 나노 격벽(200)은 기판(100) 상에 위치한다.As illustrated in FIG. 1, the conductive
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극이 유기발광소자에 적용되면, 도전성 나노 격벽(200)은 유기발광소자의 투명 전극에 접촉하여 투명 전극의 전기 전도도를 개선하거나, 그 자체로서 투명 전극의 기능을 할 수 있다. 그리고, 나노 두께의 격벽으로서 투과율 저하는 최소화할 수 있다.When the transparent electrode for the organic light emitting device of the present invention is applied to the organic light emitting device, the
뿐만 아니라, 도전성 나노 격벽(200)이 유기 발광층에 대향하도록 위치하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 유기 발광층의 광이 격벽에 닿아 반사됨으로써 광 경로가 변화한다. 이에 따라 외부로 추출되는 광량이 증가하여, 광 추출 효율이 개선될 수 있다.In addition, the conductive
도전성 나노 격벽(200)은 도전성 재료로 제조된 것으로서, 예를 들면 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속; 또는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물류 등을 사용할 수 있다.The conductive
나노 격벽(200)의 두께는 상기 전기 전도도 개선, 투과율 저하 최소화 및 광 추출 효율 개선 효과를 달성할 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 두께가 5 내지 200nm일 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100nm, 보다 바람직하게는 5 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 30nm일 수 있다. 두께가 5nm 미만이면 전도성 및 내구성에 문제가 있을 수 있고, 200nm 초과이면 투과율이 저하될 수 있다.The thickness of the
나노 격벽(200)의 높이는 충분한 전기 전도도 및 광 추출 효율을 나타낼 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 50nm 내지 2,000nm일 수 있다. 두께가 50nm 미만이면 광 추출 개선 정도가 미미할 수 있고, 2,000nm 초과이면 과다한 갭의 존재로 유기발광소자의 내구성 저하 등의 문제가 발생할 수 있다.The height of the
나노 격벽(200)은 단독으로 또는 복수개의 벽으로서 위치할 수 있다.The
복수개의 벽이 병렬하여 위치하는 경우, 나노 격벽(200)간 간격은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10nm 내지 3㎛일 수 있고, 광 추출 효율 개선의 측면에서 바람직하게는 10 내지 200nm일 수 있다.In the case where a plurality of walls are arranged in parallel, the spacing between the
복수개의 벽은 병렬하지 않고, 서로 만나거나, 그 연장선이 서로 만나도록 위치할 수도 있다.The plurality of walls may not be in parallel, but may be positioned so that they meet each other or their extension lines meet each other.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 나노 격벽(200)의 간격은 예를 들면 5 내지 200㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.According to another embodiment of the present invention, the interval of the
나노 격벽(200)은 도 2에 예시된 바와 같이 격벽 사이 중 적어도 일부가 기판(100) 상에서 서로 이어진 것일 수 있다. 그러한 경우에 전기 전도도가 보다 개선될 수 있다. 도 4 (f)에도 육각형 개구부의 개구 패턴을 이룬 나노 격벽의 사이 중 적어도 일부가 기판 상에서 서로 이어진 경우가 도시되어 있다.The
나노 격벽(200)은 소정의 패턴을 이룰 수 있다. 예를 들면 개구 패턴으로서, 개구부가 원, 타원, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등의 다각형, 또는 이들이 결합된 형상을 가질 수도 있고, 선형 패턴, 메쉬 패턴, 지그재그, 나선형, 방사선형, 불규칙한 단일 폐곡선 등의 형상을 가질 수도 있다. 도 3에는 육각형의 개구부를 갖는 개구 패턴인 경우, 도 6에는 메쉬 패턴인 경우가 예시되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
개구 패턴은 나노 격벽들로 둘러쌓이면서 개구부를 갖는 패턴으로서, 개구 패턴은 단독 또는 복수개로 위치할 수 있다.The opening pattern is a pattern having an opening portion surrounded by nano barrier ribs, and the opening pattern may be positioned singly or in plurality.
복수개의 개구 패턴이 위치하는 경우, 각 개구 패턴은 규칙적 또는 불규칙적인 간격으로 위치할 수 있다. 또한, 복수개의 개구 패턴은 서로 연결되거나 이격되어 위치할 수 있으며, 선대칭, 점대칭 또는 불규칙하게 위치할 수 있다.When a plurality of opening patterns are located, each opening pattern may be located at regular or irregular intervals. Further, the plurality of opening patterns may be connected to each other or spaced apart from each other, and may be linearly symmetrical, point symmetrical, or irregularly positioned.
개구 패턴은 개구부가 상기 예시한 도형 형상; 상기 예시한 도형이 결합된 형상; 또는 이들 중 적어도 1개 이상의 도형이 혼재된 형상을 가질 수 있는 것으로서, 개구부는 주기적으로, 또는 비주기적으로 배열될 수 있다.The opening pattern is a shape in which the opening has the above-mentioned figure shape; A shape in which the illustrated figures are combined; Or a shape in which at least one of these graphic forms is mixed, the openings may be arranged periodically or aperiodically.
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극은 도전성 나노 격벽(200) 사이 중 적어도 일부에 고분자 패턴(420)을 더 포함할 수 있다.The transparent electrode for an organic light emitting device of the present invention may further include a
고분자 패턴(420)으로는 투명 고분자라면 당 분야에 공지된 고분자 수지를 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면 에폭시계, 셀룰로오스계, 아크릴계, 염화비닐계, 아세트산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계 등의 고분자 수지일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the
본 발명의 유기발광소자용 투명 전극은 기판(100)과 도전성 나노 격벽(200) 사이에 위치한 투명 도전층(미도시)을 더 포함할 수 있다.The transparent electrode for an organic light emitting diode of the present invention may further include a transparent conductive layer (not shown) positioned between the
투명 도전층은 전기 전도도를 더욱 개선하는 역할을 한다.The transparent conductive layer serves to further improve the electric conductivity.
투명 도전층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO), 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 등의 금속산화물류; 탄소나노튜브(CNT), 그래핀 (graphene) 등의 탄소계 물질류; 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린(PANI) 등의 전도성 고분자 물질류로 형성된 것일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The transparent conductive layer may be formed of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine oxide (FTO) Indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO), indium zinc oxide Metal oxides such as aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO); Carbon-based materials such as carbon nanotubes (CNT) and graphene; , Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polyaniline (PANI), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
또한, 본 발명은 상기 유기발광소자용 투명전극을 포함한 유기발광소자를 제공한다.In addition, the present invention provides an organic light emitting device including the transparent electrode for the organic light emitting device.
유기발광소자는 통상 2개의 전극을 구비하는데, 그 중 시인측 전극은 광 추출 또는 입사가 가능하도록 투명 전극으로 구성된다.The organic light emitting device usually has two electrodes, and the visible electrode is composed of a transparent electrode so that light can be extracted or incident.
본 발명의 유기발광소자는 상기 유기발광소자용 투명 전극을 시인측 전극으로써 포함할 수 있다.The organic light emitting device of the present invention may include the transparent electrode for the organic light emitting device as a visible side electrode.
또한, 본 발명의 유기발광소자는 상기 유기발광소자용 투명 전극을 시인측 전극의 보조전극으로써 구비할 수도 있다. 그러한 경우에 도전성 나노 격벽이 시인측 전극 상이 접촉하도록 배치될 수 있다In addition, the organic light emitting diode of the present invention may be provided with the transparent electrode for the organic light emitting diode as an auxiliary electrode of the viewing side electrode. In such a case, the conductive nano barrier wall may be arranged so that the visual side electrode surface contacts
본 발명의 유기발광소자는 상기 유기발광소자용 투명 전극을 포함함으로써, 높은 전기 전도도를 나타낼 수 있고, 이와 동시에 우수한 광 추출 효율도 나타낼 수 있다.The organic light emitting device of the present invention can exhibit high electrical conductivity and exhibit excellent light extraction efficiency at the same time by including the transparent electrode for the organic light emitting device.
또한, 본 발명은 상기 유기발광소자를 포함한 유기발광조명장치 및 유기발광표시장치를 제공한다.Also, the present invention provides an organic light emitting illumination device including the organic light emitting device and an organic light emitting display device.
유기발광소자가 유기발광표시장치에 포함되는 경우, 유기발광소자는 화소정의막, 반사판 등 표시장치에 적용될 때 필요한 통상의 구성을 포함할 수 있다.When the organic light emitting device is included in the organic light emitting display, the organic light emitting device may include a conventional structure required for application to a display device such as a pixel defining layer, a reflective plate, and the like.
또한, 본 발명은 상기 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing the transparent electrode for an organic light emitting device.
이하 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described.
먼저, 도 4 (b)와 같이 기판(100) 상에 도전층(300)을 형성한다.First, a
도전층(300)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 물리적 증착법, 화학적 증착법, 플라즈마 증착법, 플라즈마 중합법, 열 증착법, 열 산화법, 양극 산화법, 클러스터 이온빔 증착법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 포토리소그래피법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.The method of forming the
도전층(300)에 사용되는 도전성 소재로는 예를 들면 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속; 또는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물류 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As the conductive material used for the
고분자 패턴(420)의 형성 전에 도전층(300)을 먼저 형성하는 경우, 고분자 패턴(420) 하에 도전층(300)이 존재한다. 그러한 경우 후술할 공정에 의해 형성되는 나노 격벽 하에 도전층(300)이 존재하여, 나노 격벽이 도전층(300)에 의해 기판(100) 상에서 서로 이어지게 된다. 이에, 전기 전도도가 개선될 수 있다.When the
이후에, 도 4 (c), (d)와 같이 상기 도전층(300) 상에 고분자 패턴(420)을 형성한다.4 (c) and 4 (d), a
고분자 패턴(420)은 도전층(300) 상에 고분자 수지층(410)을 형성하고, 이를 패터닝하여 형성할 수 있다.The
고분자 수지층(410)으로는 당 분야에 공지된 고분자 수지를 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면 에폭시계, 셀룰로오스계, 아크릴계, 염화비닐계, 아세트산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계 등의 고분자 수지일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the
고분자 수지층(410)의 패터닝 방법은 특별히 한정되지 않고 예를 들면 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 포토리소그래피법, 나노 임프린팅 등의 방법을 사용할 수 있으며, 광 추출 효율을 더욱 개선할 수 있다는 측면에서 바람직하게는 나노 임프린팅법에 의할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The method of patterning the
패터닝은 도전층(300)의 식각이 용이하도록 패터닝 부위의 도전층(300)이 노출되도록 수행될 수 있다.The patterning may be performed such that the
이후에, 도 4 (e)와 같이 상기 패턴 사이로 노출된 도전층(300)을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴(420)의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하여 나노 격벽(200)을 형성한다.4 (e), the
이온 밀링법은 이온빔을 조사하여 도전층(300)을 물리적으로 식각하는 방법으로, 이온을 전압차로 가속화시켜 도전층(300)에 물리적인 충격을 가한다. 이에 금속 입자들이 뜯겨져 나가서 고분자 패턴(420)의 측면에 부착되어, 고분자 패턴(420)의 측면에 나노 두께의 코팅층이 형성될 수 있다.The ion milling method is a method of physically etching the
나노 두께의 코팅층이 나노 격벽(200)에 해당한다.A nano-thick coating layer corresponds to the
이온 형성에 사용되는 기체는 예를 들면 아르곤, 헬륨, 질소, 수소, 산소 또는 이들의 혼합 기체일 수 있고, 바람직하게는 아르곤일 수 있다.The gas used for ion formation may be, for example, argon, helium, nitrogen, hydrogen, oxygen or a mixture thereof, preferably argon.
이온 밀링 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10- 5Torr 내지 10- 3Torr의 압력 하에서 기체로 플라즈마를 형성한 다음, 플라즈마를 100eV ~ 1500eV로 가속화하여 수행할 수 있다. 에너지가 100eV 미만인 경우 도전층(300)의 식각이 어려울 수 있고, 1500eV 초과이면 고분자 패턴(420)이 손상되어 나노 격벽의 생성이 어려울 수 있다.Ion milling conditions are not particularly limited, for example, 10 - 5 Torr to 10-1 form a plasma with a gas under a pressure of 3 Torr can then be accomplished by accelerating the plasma by 100eV ~ 1500eV. If the energy is less than 100 eV, etching of the
나노 격벽(200)의 두께는 상기 전기 전도도 개선, 투과율 저하 최소화 및 광 추출 효율 개선 효과를 달성할 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 두께가 5 내지 200nm일 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100nm, 보다 바람직하게는 5 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 30nm일 수 있다. 두께가 5nm 미만이면 전도성 및 내구성에 문제가 있을 수 있고, 200nm 초과이면 투과율이 저하될 수 있다.The thickness of the
나노 격벽(200)의 높이는 충분한 전기 전도도 및 광 추출 효율을 나타낼 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 50nm 내지 2,000nm일 수 있다. 두께가 50nm 미만이면 광 추출 개선 정도가 미미할 수 있고, 2,000nm 초과이면 과다한 갭의 존재로 유기발광소자의 내구성 저하 등의 문제가 발생할 수 있다.The height of the
나노 격벽(200)은 단독으로 또는 복수개의 벽으로서 위치할 수 있다.The
복수개의 벽이 병렬하여 위치하는 경우, 나노 격벽(200)간 간격은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10nm 내지 3㎛일 수 있고, 광 추출 효율 개선의 측면에서 바람직하게는 10 내지 200nm일 수 있다.In the case where a plurality of walls are arranged in parallel, the spacing between the
복수개의 벽은 병렬하지 않고, 서로 만나거나, 그 연장선이 서로 만나도록 위치할 수도 있다.The plurality of walls may not be in parallel, but may be positioned so that they meet each other or their extension lines meet each other.
복수개의 벽이 병렬하여 위치하는 경우, 나노 격벽(200)의 간격은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10nm 내지 3㎛일 수 있고, 광 추출 효율 개선의 측면에서 바람직하게는 10 내지 200nm일 수 있다. 상기 간격은 나노 임프린팅법으로 고분자 수지층(410)을 형성함으로써 구현할 수 있다.In the case where a plurality of walls are arranged in parallel, the interval of the
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 나노 격벽(200)의 간격은 예를 들면 5 내지 200㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이는 나노 임프린팅법 이외의 전술한 방법, 구체적으로 포토리소그래피법으로 고분자 수지층(410)을 형성함으로써 구현할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.According to another embodiment of the present invention, the interval of the
복수개의 벽은 병렬하지 않고, 서로 만나거나, 그 연장선이 서로 만나도록 위치할 수도 있다.The plurality of walls may not be in parallel, but may be positioned so that they meet each other or their extension lines meet each other.
나노 격벽(200)은 소정의 패턴을 이룰 수 있다. 예를 들면 개구 패턴으로서, 개구부가 원, 타원, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등의 다각형, 또는 이들이 결합된 형상을 가질 수도 있고, 선형 패턴, 메쉬 패턴, 지그재그, 나선형, 방사선형, 불규칙한 단일 폐곡선 등의 형상을 가질 수도 있다. 도 3에는 육각형의 개구부를 갖는 개구 패턴인 경우, 도 6에는 메쉬 패턴인 경우가 예시되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
개구 패턴은 나노 격벽들로 둘러쌓이면서 개구부를 갖는 패턴으로서, 개구 패턴은 단독 또는 복수개로 위치할 수 있다.The opening pattern is a pattern having an opening portion surrounded by nano barrier ribs, and the opening pattern may be positioned singly or in plurality.
복수개의 개구 패턴이 위치하는 경우, 각 개구 패턴은 규칙적 또는 불규칙적인 간격으로 위치할 수 있다. 또한, 복수개의 개구 패턴은 서로 연결되거나 이격되어 위치할 수 있으며, 선대칭, 점대칭 또는 불규칙하게 위치할 수 있다.When a plurality of opening patterns are located, each opening pattern may be located at regular or irregular intervals. Further, the plurality of opening patterns may be connected to each other or spaced apart from each other, and may be linearly symmetrical, point symmetrical, or irregularly positioned.
개구 패턴은 개구부가 상기 예시한 도형 형상; 상기 예시한 도형이 결합된 형상; 또는 이들 중 적어도 1개 이상의 도형이 혼재된 형상을 가질 수 있는 것으로서, 개구부는 주기적으로, 또는 비주기적으로 배열될 수 있다.The opening pattern is a shape in which the opening has the above-mentioned figure shape; A shape in which the illustrated figures are combined; Or a shape in which at least one of these graphic forms is mixed, the openings may be arranged periodically or aperiodically.
필요에 따라, 본 발명의 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법은 도 4 (f)와 같이 상기 고분자 패턴(420)을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.If necessary, the method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device of the present invention may further include removing the
필요에 따라, 본 발명의 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법은 도전층(300)을 형성하기 전에, 기판(100) 상에 투명 도전층(미도시)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to the present invention may further include forming a transparent conductive layer (not shown) on the
투명 도전층을 형성하면 전기 전도도를 더욱 개선할 수 있다.When the transparent conductive layer is formed, the electric conductivity can be further improved.
투명 도전층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO), 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 등의 금속산화물류; 탄소나노튜브(CNT), 그래핀 (graphene) 등의 탄소계 물질류; 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린(PANI) 등의 전도성 고분자 물질류로 형성된 것일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The transparent conductive layer may be formed of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine oxide (FTO) Indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO), indium zinc oxide Metal oxides such as aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO); Carbon-based materials such as carbon nanotubes (CNT) and graphene; , Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polyaniline (PANI), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
투명 도전층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 도전층(300) 형성 방법으로 예시한 방법들을 사용할 수 있다.The method of forming the transparent conductive layer is not particularly limited, and the methods exemplified by the method of forming the
또한, 본 발명은 또 다른 일 구현예에 따른 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to another embodiment.
이하, 또 다른 일 구현예에 따른 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to another embodiment will be described.
먼저, 도 5 (a)와 같이 기판(100) 상에 고분자 패턴(420)을 형성한다.First, a
고분자 패턴(420)은 기판(100) 상에 고분자 수지층(410)을 형성하고, 이를 패터닝하여 형성할 수 있다.The
고분자 수지층(410)으로는 당 분야에 공지된 고분자 수지를 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면 에폭시계, 셀룰로오스계, 아크릴계, 염화비닐계, 아세트산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계 등의 고분자 수지일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the
고분자 수지층(410)의 패터닝 방법은 특별히 한정되지 않고 예를 들면 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 포토리소그래피법, 나노 임프린팅 등의 방법을 사용할 수 있으며, 광 추출 효율을 더욱 개선할 수 있다는 측면에서 바람직하게는 나노 임프린팅법에 의할 수 있다.The method of patterning the
이후에, 도 5 (b)와 같이 상기 고분자 패턴(420)이 형성된 기판(100) 상에 도전층(300)을 형성한다.5 (b), the
도전층(300)은 전술한 1종 이상의 금속, 1종 이상의 금속산화물 등의 도전성 소재로, 물리적 증착법, 화학적 증착법, 플라즈마 증착법, 플라즈마 중합법, 열 증착법, 열 산화법, 양극 산화법, 클러스터 이온빔 증착법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 포토리소그래피법 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
이후에, 도 5 (c)와 같이 상기 도전층(300)을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴(420)의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하여 나노 격벽(200)을 형성한다.5 (c), the
이온 형성에 사용되는 기체는 예를 들면 아르곤, 헬륨, 질소, 수소, 산소 또는 이들의 혼합 기체일 수 있고, 바람직하게는 아르곤일 수 있다.The gas used for ion formation may be, for example, argon, helium, nitrogen, hydrogen, oxygen or a mixture thereof, preferably argon.
이온 밀링 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10- 5Torr 내지 10- 3Torr의 압력 하에서 기체로 플라즈마를 형성한 다음, 플라즈마를 100eV ~ 1500eV로 가속화하여 수행할 수 있다. 에너지가 100eV 미만인 경우 도전층(300)의 식각이 어려울 수 있고, 1500eV 초과이면 고분자 패턴(420)이 손상되어 나노 격벽의 생성이 어려울 수 있다.Ion milling conditions are not particularly limited, for example, 10 - 5 Torr to 10-1 form a plasma with a gas under a pressure of 3 Torr can then be accomplished by accelerating the plasma by 100eV ~ 1500eV. If the energy is less than 100 eV, etching of the
나노 격벽(200)의 두께는 상기 전기 전도도 개선, 투과율 저하 최소화 및 광 추출 효율 개선 효과를 달성할 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 두께가 5 내지 200nm일 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100nm, 보다 바람직하게는 5 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 30nm일 수 있다. 두께가 5nm 미만이면 전도성 및 내구성에 문제가 있을 수 있고, 200nm 초과이면 투과율이 저하될 수 있다.The thickness of the
나노 격벽(200)의 높이는 충분한 전기 전도도 및 광 추출 효율을 나타낼 수 있는 범위 내라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 50nm 내지 2,000nm일 수 있다. 두께가 50nm 미만이면 광 추출 개선 정도가 미미할 수 있고, 2,000nm 초과이면 과다한 갭의 존재로 유기발광소자의 내구성 저하 등의 문제가 발생할 수 있다.The height of the
나노 격벽(200)은 단독으로 또는 복수개의 벽으로서 위치할 수 있다.The
복수개의 벽이 병렬하여 위치하는 경우, 나노 격벽(200)의 간격은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10nm 내지 3㎛일 수 있고, 광 추출 효율 개선의 측면에서 바람직하게는 10 내지 200nm일 수 있다. 상기 간격은 나노 임프린팅법으로 고분자 수지층(410)을 형성함으로써 구현할 수 있다.In the case where a plurality of walls are arranged in parallel, the interval of the
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 나노 격벽(200)의 간격은 예를 들면 5 내지 200㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이는 나노 임프린팅법 이외의 전술한 방법, 구체적으로 포토리소그래피법으로 고분자 수지층(410)을 형성함으로써 구현할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.According to another embodiment of the present invention, the interval of the
복수개의 벽은 병렬하지 않고, 서로 만나거나, 그 연장선이 서로 만나도록 위치할 수도 있다.The plurality of walls may not be in parallel, but may be positioned so that they meet each other or their extension lines meet each other.
나노 격벽(200)은 소정의 패턴을 이룰 수 있다. 예를 들면 개구 패턴으로서, 개구부가 원, 타원, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등의 다각형, 또는 이들이 결합된 형상을 가질 수도 있고, 선형 패턴, 메쉬 패턴, 지그재그, 나선형, 방사선형, 불규칙한 단일 폐곡선 등의 형상을 가질 수도 있다. 도 3에는 육각형의 개구부를 갖는 개구 패턴인 경우, 도 6에는 메쉬 패턴인 경우가 예시되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
개구 패턴은 나노 격벽들로 둘러쌓이면서 개구부를 갖는 패턴으로서, 개구 패턴은 단독 또는 복수개로 위치할 수 있다.The opening pattern is a pattern having an opening portion surrounded by nano barrier ribs, and the opening pattern may be positioned singly or in plurality.
복수개의 개구 패턴이 위치하는 경우, 각 개구 패턴은 규칙적 또는 불규칙적인 간격으로 위치할 수 있다. 또한, 복수개의 개구 패턴은 서로 연결되거나 이격되어 위치할 수 있으며, 선대칭, 점대칭 또는 불규칙하게 위치할 수 있다.When a plurality of opening patterns are located, each opening pattern may be located at regular or irregular intervals. Further, the plurality of opening patterns may be connected to each other or spaced apart from each other, and may be linearly symmetrical, point symmetrical, or irregularly positioned.
개구 패턴은 개구부가 상기 예시한 도형 형상; 상기 예시한 도형이 결합된 형상; 또는 이들 중 적어도 1개 이상의 도형이 혼재된 형상을 가질 수 있는 것으로서, 개구부는 주기적으로, 또는 비주기적으로 배열될 수 있다.The opening pattern is a shape in which the opening has the above-mentioned figure shape; A shape in which the illustrated figures are combined; Or a shape in which at least one of these graphic forms is mixed, the openings may be arranged periodically or aperiodically.
필요에 따라, 본 발명의 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법은 도 5 (d)와 같이 고분자 패턴(420)을 제거함으로써, 그 측면에 형성된 나노 격벽(200)만이 남을 수 있다. 도 5 (d)는 도 3의 A-A' 단면이다.If necessary, in the method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to the present invention, by removing the
필요에 따라, 본 발명의 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법은 도전층(300)을 형성하기 전에, 기판(100) 상에 투명 도전층(미도시)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to the present invention may further include forming a transparent conductive layer (not shown) on the
투명 도전층을 형성하면 전기 전도도를 더욱 개선할 수 있다.When the transparent conductive layer is formed, the electric conductivity can be further improved.
투명 도전층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO), 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 등의 금속산화물류; 탄소나노튜브(CNT), 그래핀 (graphene) 등의 탄소계 물질류; 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린(PANI) 등의 전도성 고분자 물질류로 형성된 것일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The transparent conductive layer may be formed of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine oxide (FTO) Indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO), indium zinc oxide Metal oxides such as aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO); Carbon-based materials such as carbon nanotubes (CNT) and graphene; , Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polyaniline (PANI), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
투명 도전층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 도전층(300) 형성 방법으로 예시한 방법들을 사용할 수 있다.The method of forming the transparent conductive layer is not particularly limited, and the methods exemplified by the method of forming the
100: 기판
200: 도전성 나노 격벽
300: 도전층
410: 고분자 수지층
420: 고분자 패턴100: substrate 200: conductive nano barrier
300: conductive layer 410: polymer resin layer
420: Polymer pattern
Claims (25)
A transparent electrode for an organic light emitting device, comprising a substrate and a conductive nano barrier wall disposed on the substrate.
The transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 1, wherein the nano barrier rib has a thickness of 5 to 200 nm.
The transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 2, wherein the height of the nano barrier is 50 to 2,000 nm.
The transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 1, wherein the nano barrier wall has a predetermined pattern.
5. The method of claim 4, wherein the pattern comprises a linear pattern; Mesh pattern; Or an opening pattern having a circular, elliptical, triangular, square, pentagonal, hexagonal, octagonal, or figure shape combined with the opening.
The transparent electrode for an organic light emitting element according to claim 1, wherein the nano barrier ribs are formed such that at least a part of the space between the nano barrier ribs is mutually connected on the substrate.
The nano barrier rib according to claim 1, wherein the nano barrier rib is made of a material selected from the group consisting of In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, , At least one metal selected from the group consisting of Al, Ni, Cu, and WTi; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine tin oxide (FTO) (IZTO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide - silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).
The transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 1, further comprising a polymer pattern at least in part between the conductive nano barrier walls.
The transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 1, further comprising a transparent conductive layer positioned between the substrate and the conductive nano barrier wall.
An organic light emitting device comprising the transparent electrode for an organic light emitting device according to any one of claims 1 to 9.
[Claim 11] The organic light emitting diode of claim 10, wherein the transparent electrode for the organic light emitting device is a visible side electrode of the organic light emitting device.
11. The organic light emitting device according to claim 10, wherein the conductive nano barrier wall is disposed on the visible side electrode of the organic light emitting element.
An organic light emitting illumination device comprising the organic light emitting device of claim 10.
An organic light emitting display device comprising the organic light emitting device according to claim 10.
상기 도전층 상에 고분자 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴 사이로 노출된 도전층을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하여 나노 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.
Forming a conductive layer on the substrate;
Forming a polymer pattern on the conductive layer; And
And ion milling and etching the exposed conductive layer between the patterns to form a nano-thick barrier layer on the side of the polymer pattern to form a nano-thick barrier layer.
상기 고분자 패턴이 형성된 기판 상에 도전층을 형성하는 단계;
상기 도전층을 이온 밀링하여 식각하고, 상기 고분자 패턴의 측면에 나노 두께의 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자 패턴을 제거하여 나노 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기발광소자용 투명 전극의 제조 방법.
Forming a polymer pattern on a substrate;
Forming a conductive layer on the substrate on which the polymer pattern is formed;
Ion milling and etching the conductive layer to form a nano-thick coating layer on the side of the polymer pattern; And
And removing the polymer pattern to form a nano barrier wall.
16. The method of claim 15 or 16, wherein the nano barrier wall has a thickness of 5 to 200 nm.
The method of claim 15 or 16, wherein the polymer pattern is formed by a nanoimprinting method.
16. The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device according to claim 15 or 16, wherein the polymer pattern is formed by photolithography.
The method according to claim 15 or 16, wherein the coating layer is formed by attaching conductive particles, which have been torn off by ion milling, to side surfaces of the polymer pattern.
The conductive layer may be formed of one selected from the group consisting of In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, , At least one metal selected from the group consisting of Nb, Al, Ni, Cu, and WTi; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine tin oxide (FTO) (IZTO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide - silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO). The method for manufacturing a transparent electrode for an organic light-emitting device according to claim 1,
The method according to claim 15 or 16, wherein the ion milling is 10 to 5 Torr to 10 - The method of manufacturing a transparent electrode for an organic light emitting device as a plasma under 3 Torr of pressure is performed by accelerated 100ev to 1500eV.
16. The method of claim 15 or 16, further comprising removing the polymer pattern.
16. The method of claim 15, further comprising forming a transparent conductive layer on the substrate before forming the conductive layer.
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