KR20170052246A - 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치 - Google Patents

대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치 Download PDF

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Abstract

인덕턴스 저감 장치와 대전류용 단펄스 발생기에 있어서, 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극과, 제1 및 제2 전극을 연결하는 제1 전도체를 포함하는 소정 형상의 지그; 및 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 제2 전극과 연결되는 제2 전도체를 포함하되, 제1 전도체와 제2 전도체의 배치는, 외부 전원과 제1 전극과 연결되어 발생하는 제1 전도체와 제2 전도체에서의 전류 방향이 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 결정되는 것을 특징으로 하는, 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치 및 대전류용 단펄스 발생기가 개시된다.

Description

대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치{Apparatus of Reducing Inductance in High Current Short Pulse Generator}
본 발명은 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 인덕턴스를 상쇄하는 방향으로 전류 통로를 형성함으로써 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스를 저감하는 장치에 관한 것이다.
전기전자산업의 발달로 인해, 전자전기분야뿐만 아니라, 기계, 화학, 생물 등의 분야에 있어서도 제어장치 등으로 전자장치가 사용되고 있다. 이에 따라 각 전자장치에 대하여, 낙뢰의 경우뿐만 아니라, 전자전 등에 의한 외부 EMP(ElectroMagneticPulse) 충격으로부터의 보호대책정립에 대한 필요성이 높아지고 있다.
이러한 보호대책정립과 관련하여, 외부 EMP 충격과 유사한 환경을 조성해줄 수 있는 시스템이 필요하며, 특히 외부 EMP 중에 빠른 상승시간을 가진 펄스침입에 설비를 보호하기 위해서는 대전류용 단펄스 발생 시스템을 이용한 보호기 설계가 필요하다. 이와 같은, 외부 EMP은 ns(nanosecond) 단위의 상승시간을 가지므로, us(microsecond) 단위의 상승시간을 구현하고 있는 기존의 낙뢰 발생기에 비해 상승시간을 단축시킬 방법이 필요하다.
펄스의 상승시간을 단축시키기 위해서는, 펄스 발생시 상승시간은
Figure pat00001
에 비례한다는 점에 기초하여, 종래에는 소스 임피던스(R)을 크게 하여 상승시간을 빠르게 하는 방법을 이용하였다. 하지만, 소스 임피던스(R)를 크게 하는 경우, 상승시간을 단축시킬 순 있으나, 커진 소스 임피던스(R)로 인해 단락전류(출력)가 감소한다는 단점이 발생한다. 따라서, 외부 EMP 충격과 최대한 유사한 환경을 조성하기 위해서는, 상승시간을 단축 시킴과 동시에 큰 단락전류(출력)를 얻기 위한 장치가 필요하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화하며, 출력을 최대화하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화하고, 출력을 최대화함으로써, 보다 효과적인 EMP(ElectroMagneticPulse) 보호장치 성능평가를 구현할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들 또한, 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치는,
양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극을 연결하는 제1 전도체를 포함하는 소정 형상의 지그; 및 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전극과 연결되는 제2 전도체를 포함하되, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체의 배치는, 외부 전원과 상기 제1 전극과 연결되어 발생하는 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에서의 전류 방향이 상기 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 결정될 수 있다.
상기 인덕턴스 저감 장치는 상기 제2 전도체 위로 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전도체와 연결되는 제3 전도체; 및 상기 제2 및 제3 전도체 사이에서 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 및 제3 전도체가, 각 전도체에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 연결되게 하는 절연체를 포함할 수 있다.
상기 제2 전도체와 상기 제 3전도체는, 각 전도체에서의 전류 방향이 서로 반대 방향이 되도록 연결될 수 있다.
상기 절연체는 상기 제2 전도체보다 짧을 수 있다.
상기 제1 전도체는 상기 지그 내부에 위치되는 디스크 저항을 포함할 수 있다.
상기 제2 전도체는 필름 형태일 수 있다.
상기 지그는 원통형일 수 있다.
상기 지그는 상기 제2 전도체와 상기 제1 전극의 접촉을 방지하는 접촉방지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기는,
전원장치로부터 전원을 공급받아 충전되는 충전커패시터; 상기 충전커패시터의 펄스 출력을 제어하는 방전스위치; 및 상기 방전스위치의 제어에 따라, 상기 충전커패시터에 충전된 전류를 부하장치에 전달하는 인덕터와 저항을 포함하되, 상기 인덕터 및 저항은, 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극을 연결하는 제1 전도체를 포함하는 소정 형상의 지그; 및 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전극과 연결되는 제2 전도체를 포함하되, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체의 배치는, 외부 전원과 상기 제1 전극과 연결되어 발생하는 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에서의 전류 방향이 상기 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화하며, 출력을 최대화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전류용 단펄스 발생기의 인덕턴스 저감 장치는, 인덕턴스를 저감함으로써 펄스 상승시간을 최소화하고, 출력을 최대화함으로써, 보다 효과적인 EMP(ElectroMagneticPulse) 보호장치 성능평가를 구현할 수 있다.
본 발명을 통해 이뤄지는 기술적 효과들은 이상에서 언급한 기술적 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기본적인 대전류용 단펄스 발생 장치의 회로도를 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 일반적인 대전류용 단펄스 발생 파형을 도시한 도면이다.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치를 도시한 도면이다.
도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치의 분해도를 도시한 도면이다.
도 3(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지그의 정면 크기를 도시한 도면이다.
도 3(d)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지그의 측면 크기를 도시한 도면이다.
도 4(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치에서의 전류 방향을 간략히 도시한 도면이다.
도 4(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치의 실사용예를 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치는, 펄스 발생시 상승시간이
Figure pat00002
에 비례한다는 점에 기초하여 빠른 상승시간을 얻고, 출력 또한 감소시키기 않기 위해 인덕턴스(L) 값을 최소화하는데 그 기술적 의의가 있다. 일례로, 일반적인 전선의 인덕턴스는 1μH/m의 값을 가지나, 상승시간이 20ns 이하인 빠른 파형을 얻기 위해서는 출력부의 인덕턴스 값을 그보다 작게 수 백nH 값을 만들어야 하며, 이를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치를 이용할 수 있다. 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치에 대해 아래에서 도면을 참고하여 자세히 설명한다.
도 1은 기본적인 대전류용 단펄스 발생 장치의 회로도를 간략히 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이 대전류용 단펄스 발생 장치(100)는 전원장치(110), 충전저항(120), 충전커패시터(130), 방전스위치(140), 인덕터(150), 저항(160) 및 시험품(EUT, Equipment Under Test)(170)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 전원장치(110)는 직류 전원장치를 포함하며, 상기 직류 전원장치를 통해 상기 충전커패시터(130)를 충전시킬 수 있다. 상기 충전커패시터(130)의 충전전압은 상기 충전저항(120)의 크기 조절을 통해 제어할 수 있다.
충전커패시터(130)가 충분히 충전된 경우, 상기 방전스위치(140)를 단락시킴으로써, 충전된 상기 충전커패시터(130)의 전원을 이용하여, 상기 시험품(170)으로 펄스를 공급할 수 있다. 이 때, 출력부에 연결된 상기 인덕터(150) 및 저항(160)의 크기에 의해 상기 펄스의 상승시간이 결정될 수 있으며, '발명의 배경이 되는 기술'항에서 설명한 것과 같이, 펄스의 빠른 상승시간과 높은 출력을 얻기 위해서는 인덕턴스를 최소화하는 것이 필요하다.
도 2는 일반적인 대전류용 단펄스 발생 파형을 도시한 도면이다. 일반적으로, 펄스 전류 파형은 파두장과 파미장으로 표현할 수 있다. 파두장(T1)은 임펄스 파형의 최대값에서 10%가 되는 지점(t1, 0.1)과 90%가 되는 지점(t2, 0.9)을 직선으로 연결하고, 상기 직선이 X축 및 100%와 만나는 교점 사이의 시간 간격(T1)을 나타낸다. 일반적으로 파두장(T1)은 최대값의 10%가 되는 지점의 시각(t1)과 90%가 되는 지점의 시각(t2)간의 차로 나타나는 상승시간(t2-t1)의 약 1.25배에 해당한다. 파미장(T2)은 최대값에서 50%로 감쇠되는 지점의 시각(t3)에서 규약원점(t0) 사이의 시간 간격(T2)을 나타낸다.
따라서, 일반적인 임펄스 전류 파형은 T1/T2로 표현될 수 있으며, 일례로, 8/20㎲ 임펄스 전류 파형은 파두장이 8㎲, 파미장이 20㎲인 것을 나타낸다.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치는 원통형 구조를 가질 수 있다. 다만, 상기 인덕턴스 저감 장치는 상기 원통형 구조에 한정되는 것이 아니며, 본 발명 기술적 사상의 범위 안에서 다양한 형태로 변형되어 적용될 수 있다.
인덕턴스를 최소화하기 위해서는, 전도체에서의 전류로 발생되는 각 자기장을 상쇄하기 위한 방향으로 각 전도체에서의 전류 방향이 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 상기 원통형 구조의 경우, 상기 원통형 구조를 감싸는 형태의 전도체와 절연체를 이용하여, 전류를 특정 방향으로 조절할 수 있게 된다. 보다 구체적으로는, 상기 전도체와 상기 절연체를 이용하여 상기 전도체의 연결 구조를 특정지음으로써, 각 전도체에서의 전류 방향을 특정지을 수 있다. 이를 통해, 상기 각 전도체에서의 전류 방향은, 각각의 전류에서 발생되는 자기장을 상쇄하여, 상호 인덕턴스가 저감되도록 조절됨으로써, 발생되는 인덕턴스를 최소화할 수 있게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치의 구성에 대한 설명은 아래에서 도 3(b)를 이용하여 자세히 설명한다.
도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치의 분해도를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치는 소정 형상의 지그(210), 제1 전도체(240), 제2 전도체(250), 절연체(260), 제3 전도체(270) 등을 포함할 수 있다.
상기 소정 형상의 지그(210)는, 상기 지그(210) 양단에 각각 형성되는 제1(220), 제2 전극(230)과 제1 전도체(240)를 포함할 수 있다. 상기 지그(210)는 상기 제1 전극(220) 및 제1 전도체(240)를 통해 제2 전극(230)으로 전류가 흐를 수 있게 된다.
상기 제1 전도체(240)는 펄스의 형상을 결정하는 요소인 저항을 포함할 수 있도록 내부에 공간을 가질 수 있다. 일례로, 상기 제1 전도체(240)는 디스크 형태의 저항 형태를 가질 수 있으며, 상기 지그(210) 내부에 위치될 수 있다.
상기 제2 전도체(250)는 상기 지그(210)를 감싸는 형태로 형성되고, 상기 제2 전극(230)과 연결되어, 상기 제2 전극(230)으로부터 전류가 흐를 수 있다. 또한, 상기 제2 전도체(250)의 타단은 상기 제3 전도체(270)와 연결됨으로써, 전류의 흐름이 동축형 구조가 되도록 한다.
즉, 위와 같은 구조를 통해, 제1 전극(220)으로부터, 제1 전도체(240), 제2 전극(230), 제2 전도체(250)를 거쳐 제 3 전도체(270)로 전류 방향을 형성시킬 수 있으며, 이를 통해, 상기 제2 전도체(250) 및 제3 전도체(270)에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 할 수 있다.
한편, 상기 제2 전도체(250) 및 상기 제3 전도체(270)는 필름 형태를 가질 수 있다. 상기 필름 형태를 통해, 상기 지그(210)에 보다 더 안정적으로 밀착하여 결합될 수 있다. 또한, 설명한 바와 같이, 상기 제1 전도체(240)는 상기 지그(210) 내부에 위치할 수 있다.
상기 절연체(260)는, 상기 제2 전도체(250) 및 제3 전도체(270) 사이에서 상기 지그(210)를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전도체(250)와 상기 제3 전도체(270)가, 각 전도체에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 연결되게 할 수 있다. 즉, 상기 절연체(260)는, 상기 제2 전도체(250)와 상기 제3 전도체(270)가, 각 전도체에서의 전류 방향이 서로 반대가 되도록 연결시킬 수 있다. 일례로, 상기 절연체(260)는 상기 제2 전도체(250) 보다 짧은 길이로, 상기 지그(210)의 제2 전극(230)이 위치한 단에서부터 형성되어, 상기 제2 전도체(250)를 감싸는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 제3 전도체(270)는 상기 절연체(260)가 감싸고 남은, 여분의 제2 전도체(250)와 연결될 수 있다. 이러한 연결을 통해, 상기 제3 전도체(270)의 전류 방향은 상기 제2 전도체(250)와 반대되는 방향으로 결정될 수 있으며, 따라서, 각 전도체에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스는 저감될 수 있다.
또는, 상기 절연체(260)는, 상기 제2 전도체(250) 이상의 길이로, 상기 제2 전도체(250)를 모두 감쌀 수 있으며, 상기 제3 전도체(270)는 상기 제2 전도체(250)와 상기 제1 전극(220)이 위치한 방향에서 연결됨으로써, 각 전도체에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감될 수도 있다.
다만, 각 전도체의 연결 방법은, 위 설명에 한정되지 않으며, 상호 인덕턴스를 저감하기 위한 다양한 방법으로 변형되어 적용될 수 있다.
상기 인덕턴스 저감 장치(200)는 위 구성에 더해, 접촉방지부(280), 고정볼트(290) 등을 더 포함할 수 있다.
상기 접촉방지부(280)는 상기 각 전도체와 전극 간의 접촉을 방지할 수 있다. 일례로, 상기 접촉방지부(280)는, 상기 제2 전도체(250)와 상기 제1 전극(220)의 접촉을 방지할 수 있다. 상기 접촉방지부(280)를 통해, 상기 제2 전도체(250)는 상기 제2 전극(230)과, 부하 또는 상기 제3 전도체(270)와 안정적인 연결을 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 다른 실시예로써, 상기 접촉방지부(280)를 통해 상기 제2 전도체(250)와 상기 제3 전도체(270)를 연결시킴으로써, 각 전도체에서의 전류 방향이 서로 반대가 되도록 하여 상호 인덕턴스를 저감시킬 수도 있다.
상기 고정볼트(290)는 상기 지그(210)와, 상기 제1 전극(220) 및 제2 전극(230) 등을 고정시킬 수 있다.
도 3(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지그의 정면 크기를, 도 3(d)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지그의 측면 크기를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 지그는 10mm의 두께와, 240mm의 길이를 가질 수 있으며, 이와 같은 구조를 통해 대전류용 단펄스 발생기에서 펄스 상승시간을 단축시키기 위한 목적으로 이용될 수 있다. 다만 상기 지그의 크기는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 지그가 적용되는 환경값에 따라 변형될 수 있음은 동일 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 자명하다.
도 4(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치에서의 전류 방향을 간략히 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치에 의해, 각 전도체에서의 전류 방향이 지그재그로 형성될 수 있다. 즉, 지그(210)와 절연체(260)를 이용한 각 전도체의 연결을 통해, 전류 방향을 지그재그로 특정지어 인덕턴스 성분이 서로 상쇄되도록 함으로써, 인덕턴스를 저감시킬 수 있다.
도 4(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕턴스 저감 장치의 실사용 예를 도시한 도면이다. 도 4(b)에 도시된 화살표 방향은 전류의 방향을 나타낸다. 보다 구체적으로, 상기 화살표 방향은 제1 전극, 제1 전도체, 제2 전극, 제2 전도체, 제3 전도체를 순서대로 거쳐 시험품으로 전달되는 전류 방향을 나타낸다.
도시된 바와 같이, 상기 인덕턴스 저감 장치는 특정 회로의 일 부분에 사용될 수 있다. 특히, 상기 특정 회로는 도 1의 대전류용 단펄스 발생기 회로를 포함할 수 있으며, 상기 인덕턴스 저감 장치는 도 1 상기 대전류용 단펄스 발생기 회로에서의 인덕터(150) 및 저항(160) 부분에 대치되어 사용됨으로써, 펄스의 상승시간 단축 및 출력 유지에 기여할 수 있게 된다.
한편, 도 4(b)에 점선으로 동그라미 친 부분은, 제2 전극과 제2 전도체의 결합을 또 다른 예를 도시한 것으로, 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극과 제2 전도체는 금속선을 통해서도 연결될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 일례로, 각 전도체의 형상 및 갯수는, 전원 등을 고려한 각 상황에 맞추어 구성될 수 있는 등, 위 설명에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다양한 방향에서 변형되어 수행될 수 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
200 : 인덕턴스 저감 장치
210 : 지그 220 : 제1 전극
230 : 제2 전극 240 : 제1 전도체
250 : 제2 전도체 260 : 절연체
270 : 제3 전도체 280 : 접촉방지부
290 : 고정볼트

Claims (9)

  1. 양단에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극을 연결하는 제1 전도체를 포함하는 소정 형상의 지그; 및
    상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전극과 연결되는 제2 전도체를 포함하되,
    상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체의 배치는, 외부 전원과 상기 제1 전극과 연결되어 발생하는 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에서의 전류 방향이 상기 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인덕턴스 저감 장치는
    상기 제2 전도체 위로 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 전도체와 연결되는 제3 전도체; 및
    상기 제2 및 제3 전도체 사이에서 상기 지그를 감싸는 형태로 형성되어, 상기 제2 및 제3 전도체가, 각 전도체에서의 전류로 인한 상호 인덕턴스가 저감되도록 연결되게 하는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 전도체와 상기 제 3전도체는, 각 전도체에서의 전류 방향이 서로 반대 방향이 되도록 연결되는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 절연체는 상기 제2 전도체보다 짧은 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전도체는
    상기 지그 내부에 위치되는 디스크 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전도체는 필름 형태인 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지그는 원통형인 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지그는
    상기 제2 전도체와 상기 제1 전극의 접촉을 방지하는 접촉방지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 저감 장치.
  9. 전원장치로부터 전원을 공급받아 충전되는 충전커패시터;
    상기 충전커패시터의 펄스 출력을 제어하는 방전스위치; 및
    상기 방전스위치의 제어에 따라, 상기 충전커패시터에 충전된 전류를 부하장치에 전달하는 인덕터와 저항을 포함하되,
    상기 인덕터 및 저항은, 제1항에 기재된 인덕턴스 저감 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대전류용 단펄스 발생기.
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