KR20170040286A - 화학 기계적 폴리싱 장치 및 방법 - Google Patents

화학 기계적 폴리싱 장치 및 방법 Download PDF

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토마스 에이치. 오스터헬드
라지브 바자즈
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 실시예들은 2개 이상의 구역을 갖는 폴리싱 패드를 포함하는 불균일한 기판 폴리싱 장치를 제공하고, 각각의 구역은, 기판 상에 적어도 2개의 상이한 막 두께를 갖는 막 두께 프로파일을 생성하기 위해 상이한 슬러리 화학물질을 기판 상의 상이한 영역에 도포하도록 되어 있다. 다수의 다른 양태들로서, 기판들을 폴리싱하도록 되어 있는 폴리싱 방법들 및 시스템들이 또한 제공된다.

Description

화학 기계적 폴리싱 장치 및 방법{CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHODS}
관련 출원들
본 출원은, 2014년 7월 25일자로 출원되었으며 발명의 명칭이 "CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHODS"인 미국 진출원 제14/341,762호에 대해 우선권을 주장하며, 이 미국 진출원은 이로써 다목적으로 참조로 본 명세서에 포함되어 있다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 전자 디바이스 제조에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 기판 표면을 폴리싱하도록 되어 있는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 기판 제조에 있어서, 실리콘, 산화물, 구리 등과 같은 다양한 층들을 제거하기 위해 화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스가 이용될 수 있다. 이러한 폴리싱(예를 들어, 평탄화)은 기판(예를 들어, 패터닝된 웨이퍼) 앞에 슬러리가 균일하게 도포되는 동안에 홀더(예를 들어, 폴리싱 헤드 또는 캐리어)에 유지된 회전하는 기판을 회전하는 폴리싱 패드에 대하여 누름으로써 달성될 수 있다. 슬러리는 통상적으로 산화제, 금속 산화물 연마 입자(abrasive particles), 에천트, 착물화제(complexing agents) 및 부식 억제제의 혼합물을 포함한다. 따라서, 폴리싱 동안, 산화제에 의한 산화 및 연마 입자와 에천트에 의한 재료 제거의 연속적인 프로세스가 슬러리 및 폴리싱 프로세스에 의해 수행된다. 이 폴리싱 프로세스 동안, 기판으로부터의 재료 제거의 양의 정밀한 제어가 추구된다. 그러나, 기존의 프로세스들의 한계를 고려하면, 특히 작은 층 두께들의 제거에 대해 정밀한 제어를 달성하기가 어렵다. 따라서, 개선된 폴리싱 장치, 시스템 및 방법이 필요하다.
일부 실시예들에서, 불균일한 기판 폴리싱 장치가 제공된다. 이 기판 폴리싱 장치는 2개 이상의 구역을 갖는 폴리싱 패드를 포함하고, 각각의 구역은, 기판 상에 적어도 2개의 상이한 막 두께를 갖는 막 두께 프로파일을 생성하기 위해 상이한 슬러리 화학물질(slurry chemistry)을 기판 상의 상이한 영역에 도포하도록 되어 있다.
일부 다른 실시예들에서, 기판 폴리싱 시스템이 제공된다. 이 시스템은 기판을 유지하도록 되어 있는 기판 홀더; 및 2개 이상의 구역을 갖는 폴리싱 패드를 포함하고, 각각의 구역은, 기판 상에 적어도 2개의 상이한 막 두께를 갖는 막 두께 프로파일을 생성하기 위해 상이한 슬러리 화학물질을 기판 상의 상이한 영역에 도포하도록 되어 있다.
또 다른 실시예들에서, 기판을 폴리싱하는 방법이 제공된다. 이 방법은 움직이는 폴리싱 패드에 대하여 기판 홀더 내의 기판을 회전시키는 단계; 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 별개로 상이한 기능들을 갖는 상이한 슬러리 화학물질들을 도포하는 단계; 및 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 대응하는 기판의 상이한 영역들로부터 상이한 양의 재료를 제거하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예들에서, 기판 폴리싱 시스템이 제공된다. 이 시스템은 기판을 유지하도록 되어 있는 기판 홀더; 기판에 대하여 이동가능한 폴리싱 패드를 갖는 폴리싱 플랫폼; 및 시간적 시퀀스에 따라(in a timed sequence), 재료 보존 슬러리 화학물질, 느린 재료 제거 슬러리 화학물질, 및 공격적인 재료 제거 화학물질로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 2가지 상이한 슬러리 화학물질을 분배하도록 되어 있는 분배 시스템을 포함한다.
다른 실시예들에서, 기판을 폴리싱하기 위한 시스템이 제공된다. 이 시스템은 프로세서; 및 프로세서에 결합되고, 프로세서 상에서 실행가능한 명령어들을 저장하는 메모리를 포함하고, 이러한 명령어들은, 이 시스템으로 하여금, 움직이는 폴리싱 패드에 대하여 기판 홀더 내의 기판을 회전시키게 하고; 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 별개로 상이한 기능들을 갖는 상이한 슬러리 화학물질들을 도포하게 하고; 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 대응하는 기판의 상이한 영역들로부터 상이한 양의 재료를 제거하게 하도록 되어 있다.
본 발명의 다른 특징들 및 양태들은 다음의 예시적인 실시예들의 상세한 설명, 첨부 청구항들 및 첨부 도면들로부터 보다 충분히 명백해질 것이다.
도 1a는 실시예들에 따른 선형 기판 폴리싱 장치의 개략적인 상면도를 도시한다.
도 1b는 도 1a의 섹션 라인 1B-1B를 따라 취해진, 실시예들에 따른 선형 기판 폴리싱 장치의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 1c는 도 1a의 섹션 라인 1C-1C를 따라 취해진, 실시예들에 따른 선형 기판 폴리싱 장치의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 2a는 실시예들에 따른 회전식 기판 폴리싱 장치의 개략적인 상면도를 도시한다.
도 2b는 실시예들에 따른 회전식 기판 폴리싱 장치의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 3a는 실시예들에 따른 슬러리 분배기의 상면도를 도시한다.
도 3b는 실시예들에 따른 슬러리 분배기의 측면도를 도시한다.
도 3c는 실시예들에 따른 슬러리 분배기의 제1 단부도(end view)를 도시한다.
도 3d는 실시예들에 따른 슬러리 분배기의 제2 단부도를 도시한다.
도 3e 내지 도 3g는 실시예들에 따른 슬러리 분배기의 다양한 단면도를 도시한다.
도 4는 실시예들에 따른 기판을 폴리싱하는 방법의 플로우차트를 도시한다.
도 5는 실시예들에 따른 기판을 폴리싱하는 방법의 플로우차트를 도시한다.
도 6은 실시예들에 따른 기판을 폴리싱하는 방법의 페이즈들(예를 들어, 펄스들)의 그래프를 도시한다.
도 7은 실시예들에 따른 기판을 폴리싱하는 다른 방법의 페이즈들(예를 들어, 펄스들)의 그래프를 도시한다.
도 8 및 도 9는 실시예들에 따른 불균일한 폴리싱 방법들이 적용되기 이전과 이후의 기판 상의 예시적인 막 두께 프로파일의 일부를 도시하는 예시들이다.
도 10은 실시예들에 따른 불균일한 두께 프로파일을 갖도록 폴리싱된 기판의 상면도이다.
도 11은 실시예들에 따른 선형의 불균일한 기판 폴리싱 장치의 개략적인 상면도를 도시한다.
도 12는 실시예들에 따른 기판 상에 위치된 웨지 형상 폴리싱 패드의 개략적인 상면도이다.
도 13은 실시예들에 따른 기판을 불균일하게 폴리싱하는 예시적인 방법의 플로우차트를 도시한다.
본 명세서에 설명된 실시예들은, 반도체 디바이스 제조에 있어서 기판의 표면의 폴리싱에 적응되며 이러한 폴리싱에 유용한 장치들, 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.
종래의 시스템들은 슬러리 성분들의 혼합물을 포함하는 슬러리를 이용하였다. 슬러리의 성분들은 기판에 대해 다양한 프로세스들, 예컨대 산화제에 의한 기판 표면의 산화, 및 연마 입자와 에천트에 의한 재료 제거의 프로세스를 달성하도록 되어 있다. 약 250 옹스트롬 미만을 제거하도록 되어 있는 통상적인 작은 제거 프로세스에서, 웨이퍼에 걸친 제거 편차(removal variations)는 제거되는 막 두께의 50%-100%만큼 높을 수 있다. 기술 진보에 따라, 더욱더 얇은 막들이 적용되고 있으며, 폴리싱을 겪을 수 있다. 예를 들어, 전단부 구조체들(front end structures)의 형성에 사용되는 막들, 예컨대 상감 금속 게이트들(inlaid metal gates) 등은 매우 얇다. 이들 막들이 디바이스 구조체들에서 제공될 때, 이들 얇은 막들은 비교적 고도의 균일성 및 제어로 제거되는 것이 요구된다. 따라서, 막들이 더 얇아지게 됨에 따라, CMP에 의해 더 적은 재료 제거가 달성되며, 제거 프로세스에서 더 큰 정밀도가 요구된다. 막 두께가 원자 층(예를 들어, 옹스트롬)으로 측정되는 원자 층 퇴적(ALD: atomic layer deposition)의 극단적인 경우에, 재료 제거 정밀도가 원자 층의 정도인 것이 또한 요구된다.
그러므로, 얇은 막들의 제거를 가능하게 하는 폴리싱 장치 및 방법에 대한 필요성이 있는데, 여기서 이러한 제거는 매우 높은 균일성으로 달성된다. 또한, 이 방법은 제거 프로세스, 즉 상대적인 제거의 양의 정밀한 제어를 제공할 수 있는 것이 요구된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 슬러리 성분들은 물리적으로 분리된다. 이것은 재료 제거의 양에 대한 더 정밀한 제어를 제공하는데 이용될 수 있다. 슬러리 성분들을 물리적으로(예를 들어, 공간적으로) 분리함으로써, 폴리싱 프로세스는 (예를 들어, 산화, 재료 제거 및 부식 억제를 달성하는) 슬러리 성분들 중 2가지 이상의 슬러리 성분 사이에 (예를 들어, 상이한 화학적 조성을 갖는 슬러리 성분들의 물리적 구역들로서 형성되는) 별개의 단절들(distinct breaks)을 구비할 수 있다.
예를 들어, 일부 실시예들에서, (예를 들어, 패드 지지체 및 패드를 포함하는) 폴리싱 플랫폼이 2개 이상의 구역을 갖도록 분리될 수 있는데, 여기서 각각의 구역은 상이한 슬러리 성분을 포함하도록 되어 있다. 각각의 슬러리 성분은 상이한 화학적 조성을 가질 수 있다. 폴리싱 동안, 기판은 구역들에 걸쳐 래스터링되거나(rastered)(예를 들어, 병진 이동되거나(translated)) 또는 이동될 수 있는데, 여기서 각각의 인접 구역은 상이한 슬러리 성분을 포함한다. 순차적으로 구역들에 걸쳐 하나의 사이클을 실행하는 것은 예를 들어 하나의 원자 층을 효과적으로 제거하는데 이용될 수 있다. 전체 재료 제거는 사이클들의 수를 관리함으로써 정밀하게 제어될 수 있다. 제거는 원자 레벨로 제어될 수 있다.
일부 실시예들에서, 폴리싱 표면은 다수의 구역으로 분리(예를 들어, 분할)되는데, 여기서 각각의 구역은 산화, 재료 제거 또는 부식 억제 프로세스 중 하나를 수행하는 개별 슬러리 성분을 포함한다. 이들 분리된 구역들에 걸쳐 래스터링(예를 들어, 주사)함으로써, 합당한 전체 폴리싱 시간 내에서 높은 사이클 수가 달성될 수 있다. 예를 들어, 산화 슬러리 성분을 포함하는 산화 구역 내에서, 산화제는 기판의 표면 층을 산화하는 기능을 한다. 이 산화 프로세스는 자기 제한적일(self-limiting) 수 있는데, 그 이유는 표면 층만이 산화제에 노출되기 때문이다. 예를 들어 제거 및 에천트 슬러리 성분을 포함하는 재료 제거 구역 내에서, 연마재 및 에천트는 이전에 산화된 표면 층을 침식(attack)한다. 재료 제거 구역은 산화 구역에 인접할 수 있다. 이 재료 제거 프로세스도 또한 자기 제한적일 수 있는데, 그 이유는 산화된 층만이 제거되기 때문이다. 부식 억제 슬러리 성분(예를 들어, 부식 억제제를 포함함)을 포함하는 부식 억제 구역이 이전에 연마된 표면 층에 대해 작용하여, 그 표면 층의 부식을 제한한다. 부식 억제 구역은 산화 구역에 인접하게 제공될 수 있다.
다른 양태에서, 물리적으로 분리되는 것보다는, 슬러리 성분들의 도포는 시간에 있어서 분리된다. 따라서, 일 양태에서, 본 발명의 실시예들은 균일한 막 제거에 영향을 미치기 위해 다단계 반응들(multi-step reactions)을 이용하는 폴리싱 프로세스(예를 들어, 막 제거 프로세스)를 개시한다. 특히, 본 발명의 실시예들은 시간적 시퀀스에 따라 별개로 슬러리 성분들을 도입함으로써 시간에 있어서 슬러리 성분들을 분리한다. 이것은 재료 제거의 양에 대한 더 정밀한 제어를 제공하는데 이용될 수 있다. 이러한 다단계 폴리싱 프로세스는 CMP가 경쟁 반응들(competing reactions)을 수반하는 임의의 애플리케이션에 적용될 수 있다.
따라서, 이 양태에서, 폴리싱 프로세스는 산화, 재료 제거 및/또는 부식 억제 프로세스들을 달성하는데 이용되는 다양한 슬러리 성분들의 투입 사이에 별개의 단절들(예를 들어, 시간에 있어서의 분리)을 가질 것이다. 하나 이상의 실시예에서, 산화 슬러리 성분이 시간에 있어서 첫번째로 도입될 수 있으며, 그 다음에 재료 제거 슬러리 성분(예를 들어, 연마재 및/또는 에천트를 포함함)이 도입될 수 있다. 그 다음 순서로, 시퀀스에서 일부 실시예들에 있어서 부식 억제제 슬러리 성분이 도입될 수 있다. 그 다음 순서로, 일부 실시예들에서 세정액(rinsing liquid)(예를 들어, 탈이온(DI: de-ionized)수)의 도입이 이어질 수 있다. 다른 실시예들에서, 세정액은 다양한 슬러리 도입 페이즈들 사이에 도입될 수 있다. 이들 슬러리 성분들은 본 명세서에서 추가로 설명되는 바와 같이 폴리싱 프로세스 동안 기판과 폴리싱 패드 사이에 투입될 수 있다.
또한, 일부 실시예들에서, 슬러리 화학물질들의 불균일한 농도들 및/또는 도포들을 이용하면, 재료의 불균일한 제거 또는 심지어는 국소화된 제거가 달성될 수 있다. 다시 말하면, 위에서 언급된 실시예들과 달리, 본 발명의 다른 실시예들은 기판의 표면 상의 막들의 부분적인 영역들만을 선택적으로 제거하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 기판의 중심으로부터 미리 정의된 반경 밖에 있는 원하는 개수의 재료 층들이 제거될 수 있는 한편, 이 반경 내의 동일한 재료 층들은 기판 상에 남겨질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 기판 반경에 종속하여 불균일한 제거(또는 상이한 양의 제거)를 달성하기 위해 화학물질의 도포의 상이한 타이밍들을 적용하는 것 또는 방사상으로 상이한 양의 화학물질을 도포하는 것을 포함한다. 이것은, 막들이 제거되어야 하는 기판의 타겟 반경에 대응하는 패드 상의 위치로 전달되는 화학물질의 상이한 양을 이용하는 동시에, 막 제거를 겪지 않아야 하는 기판 영역들에 대응하는 패드의 영역들에 제거 화학물질을 도포(또는 상이한 화학물질을 도포)하지 않음으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 더 적은 제거가 요구되는 기판의 영역은 패드의 대응하는 영역에 첨가되는 더 많은 첨가제(예를 들어, 억제제)를 가질 수 있다. 유사하게, 이 영역에 더 적은 산화제 또는 가능하게는 제거에 대한 물의 영향에 종속하여 더 많거나 더 적은 탈이온수가 또한 공급될 수 있다. 유사하게, 더 적은 연마재 슬러리(abrasive slurry)가 이 영역에 공급되거나 더 희석된 슬러리가 이 영역에 공급될 수 있다.
일부 대안적인 실시예들에서, 기판보다 작은 패드가 사용될 수 있고, 슬러리의 존재 하에 패드의 국소화된 모션을 이용하여 재료가 제거될 수 있다. 전술한 원자 층 폴리싱(ALP) 실시예들의 개념은 국소화된 제거 프로세스의 부가적인 제어를 제공하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 회전하는 기판의 중심에 위치된 더 작은 폴리싱 패드의 중심 영역에만 제거 화학물질을 도포함으로써, 재료를 제거하기 위한 패드의 유효 직경은 폴리싱 패드의 실제 직경보다 작아질 수 있다. 또한, 회전하는 기판의 중심으로부터 오프셋되어 더 작은 폴리싱 패드가 배치되는 경우, 내측 반경과 외측 반경 사이의 링 형상 영역이 재료 제거를 위해 격리될 수 있다. 링 형상 제거 영역의 폭은 제거 화학물질이 도포되는 패드 영역의 반경에 기초하여 제어될 수 있다.
일부 다른 대안적인 실시예들에서, 원형 형상 외의 형상들을 갖는 정지형(stationary) 폴리싱 패드들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 회전하는 기판의 상이한 반경들에서의 가변 회전 속도를 보상하기 위해서, 회전하는 기판을 폴리싱하는데 웨지 형상 패드가 사용될 수 있다. 다시 말하면, (예를 들어, 외측 에지에 더 가까운 큰 반경에 있는) 상대적으로 신속하게 회전하는 기판 영역이 (예를 들어, 회전하는 기판의 중심에 더 가까운 작은 반경에 있는) 상대적으로 느리게 움직이는 영역과 동등한 패드 상의 제거 화학물질에 대한 노출을 경험하는 것을 보증하기 위해 웨지 형상 패드가 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예들의 이들 양태들 및 다른 양태들은 본 명세서에서 도 1a 내지 도 13을 참조하여 후술된다.
도 1a 내지 도 1c는 기판 폴리싱 장치(100) 및 이 기판 폴리싱 장치의 컴포넌트들의 다양한 도면들을 도시한다. 기판 폴리싱 장치(100)는 다음의 설명으로부터 명백한 바와 같이 기판(101)을 유지하고 폴리싱하도록 되어 있다. 기판 폴리싱 장치(100)는 2개 이상의 물리적 구역, 예컨대 제1 구역(104), 제2 구역(106) 및 제3 구역(108)을 갖는 폴리싱 플랫폼(102)을 포함한다. 2개 이상의 구역(예를 들어, 104, 106 및 108)은 상이한 화학물질(화학적 조성)을 갖는 상이한 슬러리 성분을 포함하도록 되어 있다. 2개 이상의 구역은 플랫폼(102)의 폭 "W"에 걸쳐 배열될 수 있다. 도시된 실시예에서, 9개의 구역이 도시되어 있다. 그러나, 더 많거나 더 적은 수의 구역이 제공될 수 있다. 인접하지 않지만, 동일한 화학물질을 갖는 슬러리 성분을 포함하는 다수의 구역이 존재할 수 있다. 도시된 실시예에서, 플랫폼(102)은, 2개 이상의 구역이 패드(109)의 폭 "W"에 걸쳐 배열되며 패드의 길이 "L"을 따라 연장되는 선형 폴리싱 플랫폼을 포함하고, 길이 L은 폭 W보다 실질적으로 더 길다. 도시된 실시예에서, 플랫폼(102)의 패드(109)는 방향 화살표(110)에 의해 표시된 바와 같이 선형으로 이동한다.
폴리싱 방법 동안, 슬러리 성분 1, 슬러리 성분 2 및 슬러리 성분 3과 같은 다양한 슬러리 성분들이 분배기(112)에 의해 패드(109)에 도포될 수 있다. 분배기(112)는 슬러리 성분들을 2개 이상의 구역으로(예를 들어, 구역들(104, 106, 108)로) 분배할 수 있는 임의의 적합한 내부 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 슬러리 성분 1, 슬러리 성분 2 및 슬러리 성분 3은 슬러리 성분 공급기들(114, 116, 118)로부터 각각 수취될 수 있다. 더 많거나 더 적은 수의 슬러리 성분이 제공될 수 있다. 분배기(112)로의 슬러리 성분들의 공급은, 하나 이상의 적합한 펌프 또는 다른 유동 제어 메커니즘들(115)(예를 들어, 밸브(115R))을 갖는 분배 시스템에 의해 달성될 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 "슬러리 성분"은 하나 이상의 지정된 폴리싱 기능을 수행하도록 되어 있는 처리 매체를 의미한다. 일부 실시예들에서, 세정액(예를 들어, 탈이온수)이 세정액 소스(123)로부터 제공되고, 구역들 중 2개 이상의 구역 사이에, 예컨대 구역(104)과 구역(106) 사이에, 또는 구역(106)과 구역(108) 사이에, 또는 구역(104)과 구역(106) 사이 및 구역(106)과 구역(108) 사이 모두에 삽입될 수 있다. 세정액 구역에 의해 구역들(104, 106, 108)의 이러한 분리를 달성하는데 임의의 적합한 구성의 분배기(112)가 사용될 수 있다.
예를 들어, 슬러리 성분 1은 표면 변형(surface modification) 기능, 예컨대 산화, 또는 질화물, 브롬화물, 염화물 또는 수산화물 함유 층의 형성과 같은 다른 표면 변형을 실행하도록 되어 있는 재료를 포함할 수 있다. 슬러리 성분 1은 정제수와 같은 액체 캐리어(liquid carrier), 및 과산화 수소, 과황산 암모늄 또는 요오드산 칼륨과 같은 산화제를 포함할 수 있다. 다른 표면 변형 재료들이 사용될 수 있다. 슬러리 성분 1은 예를 들어 성분 공급기 1(114)로부터 분배기(112)의 제1 채널(119A)(도 3g)을 통해 패드(109)의 제1 구역(104)으로 공급될 수 있다.
슬러리 성분 2는 재료 제거 기능을 실행하도록 되어 있는 재료를 포함할 수 있다. 슬러리 성분 2는 정제수와 같은 액체 캐리어, 및 실리콘 이산화물 또는 알루미늄 산화물과 같은 연마재 매체(abrasive media)를 포함할 수 있다. 연마재는 약 20 나노미터 내지 0.5 마이크로미터의 평균 입자 크기를 가질 수 있다. 다른 입자 크기들이 이용될 수 있다. 슬러리 성분 2는 카르복실산 또는 아미노산과 같은 에천트 재료를 또한 포함할 수 있다. 다른 에천트 또는 착물화제 재료들이 이용될 수 있다. 슬러리 성분 2는 예를 들어 성분 공급기 2(116)로부터 분배기(112)의 제2 채널(119B)(도 3f)에 의해 패드(109)의 제2 구역(106)으로 공급될 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, 슬러리 성분 3은 부식 억제 기능을 실행하도록 되어 있는 재료를 포함할 수 있다. 슬러리 성분 3은 정제수와 같은 액체 캐리어, 및 벤조트리아졸 또는 1,2,4 트리아졸과 같은 부식 억제제를 포함할 수 있다. 슬러리 성분 3은 예를 들어 성분 공급기 3(118)으로부터 분배기(112)의 제3 채널(119C)(도 3e)에 의해 패드(109)의 제3 구역(108)으로 공급될 수 있다.
구역들(104, 106, 108)은 나란히 배열될 수 있으며, 각각 약 2㎜ 내지 50㎜의 폭을 가질 수 있다. 폭들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 다른 폭들이 이용될 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, 분배기(112)를 포함하는 분배 시스템은 적어도 2가지 상이한 슬러리 성분을 2개 이상의 구역(예를 들어, 구역(104, 106))으로 분배하도록 되어 있다. 전술한 바와 같이, 슬러리 성분들은 표면 변형 슬러리 성분 및 재료 제거 슬러리 성분으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, 분배기(112)는 단일 컴포넌트로서 형성될 수 있으며, 패드(109)에 인접하여(예를 들어, 패드(109) 바로 위에) 위치할 수 있다. 분배기(112)는 2개 이상의 유출구를 통해(예를 들어, 유출구들(121A, 121B 및 121C)을 통해) 동시에 슬러리 성분들의 전달을 제공할 수 있다. 예를 들어, 도 3a 내지 도 3g에 도시된 바와 같이, 분배기(112)는 다수의 채널, 예컨대 분배기 바디(117)의 길이를 따라 연장되는 제1 채널(119A)을 포함할 수 있는 분배 시스템의 일부일 수 있다. 제1 채널(119A)은, 성분 1 공급기(114)로부터, 제1 채널(119A)에 이 제1 채널의 길이를 따라 유동적으로(fluidly) 결합되는 하나 이상의 제1 분배 유출구(121A)로 슬러리 성분 1을 분배하도록 되어 있다.
분배기(112)는 제2 채널(119B)을 또한 포함할 수 있는데, 이 제2 채널은 분배기 바디(117)의 길이를 따라 연장되고, 성분 2 공급기(116)로부터, 제2 채널(119B)에 이 제2 채널의 길이를 따라 유동적으로 결합되는 하나 이상의 제2 분배 유출구(121B)로 슬러리 성분 2를 분배하도록 되어 있다.
분배기(112)는 제3 채널(119C)을 또한 포함할 수 있는데, 이 제3 채널은 분배기 바디(117)의 길이를 따라 연장되고, 성분 3 공급기(118)로부터, 제3 채널(119C)에 이 제3 채널의 길이를 따라 유동적으로 결합되는 하나 이상의 제3 분배 유출구(121C)로 슬러리 성분 3을 분배하도록 되어 있다. 다른 슬러리 성분들 및/또는 세정액을 분배하기 위해 다른 채널들 및 상호접속된 유출구들이 제공될 수 있다.
일부 실시예들에서, 세정액은 분배된 슬러리 성분들을 분리하기 위해 별개의 분리 구역에서 수취될 수 있다. 유출구들(121A, 121B, 121C)은 일부 실시예들에서 약 5㎜ 미만 또는 약 1㎜ 내지 15㎜의 직경을 가질 수 있다. 피치(예를 들어, 인접 유출구들 사이의 간격)는 일부 실시예들에서 약 50㎜ 미만, 약 25㎜ 미만 또는 심지어 약 10㎜ 미만일 수 있다. 일부 실시예들에서, 피치는 약 2㎜ 내지 50㎜일 수 있다. 다른 직경들 및 피치들이 이용될 수 있다.
다른 실시예들에서, 분배기는, 각각의 슬러리 성분에 대해 하나씩, 패드(109) 상의 상이한 공간적 위치들에 배열될 수 있는 별개의 분배기 헤드들로 이루어질 수 있다. 유출구들(121A-121C)의 전부 또는 일부를 통해 또는 세정액을 위해 특별하게 설계된 별개의 유출구들을 통해 세정액(예를 들어, DI수)이 전달될 수 있다. 세정액은 밸브(115R)를 제어하는 것에 의해 세정액 공급기(123)로부터 유출구들(121A-121C) 각각의 일부 또는 전부로 제공될 수 있다. 선택적으로, 세정액은 분배기(112)로부터 별개의 유출구들 또는 별개의 분배기 헤드에 의해 제공될 수 있다.
다른 실시예에서, 분배기는 플랫폼(102)의 패드 지지체(127)에 포함될 수 있다. 이 실시예에서, 슬러리 성분 1, 2, 3은 패드(109) 아래로부터 다양한 구역들(104, 106 및 108)로 분배될 수 있다. 패드 지지체(127)는 패드(109)의 폭에 걸쳐 배열되는 분배기(112)의 유출구들(121A-121C)과 같은 홀들을 포함할 수 있다. 각각의 홀은 슬러리 성분 공급기들(114, 116, 118) 중 하나에 유동적으로 결합될 수 있다. 다양한 분리된 슬러리 성분 1, 2, 3은 홀들을 통과하고, 패드(109)가 롤러들(124, 126) 상에서 회전할 때, 접속된 개방 구멍들(connected open pores)의 내부 다공성 구조를 포함하는 패드(109)를 통해 윅킹(wick)할 수 있다. 윅킹은 슬러리 성분 1, 2, 3을 하나 이상의 구역(104, 106, 108)으로 각각 제공한다. 홀들의 전부 또는 일부를 통해 세정액이 또한 분배될 수 있다.
다시 도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 슬러리 성분들이 패드(109)의 구역들(104, 106, 108)로 공급되고 있을 때, 기판 폴리싱 장치(100)의 기판 홀더(120)가 회전될 수 있다. 기판 홀더(120)는 기판(101)을 패드(109)와 접촉한 상태로 유지하고, 폴리싱이 일어날 때 기판(101)을 회전시키도록 되어 있다. 회전 대신에 또는 회전에 부가하여 궤도 모션과 같은 다른 모션들이 제공될 수 있다. 회전 속도는 예를 들어 약 10 내지 150 RPM일 수 있다. 회전은 홀더 모터(122)로 홀더(120)를 구동함으로써 달성될 수 있다. 임의의 적합한 모터가 사용될 수 있다. 폴리싱 동안 기판(101) 상에 가해지는 압력은 예를 들어 약 0.1 psi 내지 1 psi일 수 있다. 스프링 하중식 메커니즘(spring-loaded mechanism) 또는 다른 적합한 수직으로 작용하는 액추에이터(vertically-acting actuator)와 같이 압력을 가하기 위한 임의의 적합한 통상적인 메커니즘이 사용될 수 있다. 다른 회전 속도들 및 압력들이 이용될 수 있다. 기판 홀더들(리테이너들 또는 캐리어 헤드들이라고도 지칭됨)은 예를 들어 본 양수인에 대해 등록된 미국 특허 제8,298,047호; 미국 특허 제8,088,299호; 미국 특허 제7,883,397호; 및 미국 특허 제7,459,057호에 기재되어 있다.
슬러리 성분 1, 2, 3이 각각의 구역들(104, 106, 108)에 도포될 때, 패드(109)는 화살표(110)의 방향으로 이동될 수 있다. 화살표(110)의 방향으로의 패드(109)의 선형 이동 속도는 예를 들어 약 40㎝/sec 내지 약 600㎝/sec일 수 있다. 다른 속도들이 이용될 수 있다. 도 1b 및 도 1c에 최상으로 도시된 바와 같이, 패드(109)는 연속 또는 무단 벨트(endless belt)의 형태로 제공될 수 있다. 패드(109)는 이 패드의 단부들에서 제1 및 제2 롤러(124, 126)(예를 들어, 원통형 롤러들)에 의해 그리고 패드(109)의 상부 아래에서 패드(109)의 폭에 걸치는 패드 지지체(127)에 의해 지지될 수 있다. 롤러들(124, 126)은 예를 들어 베어링이나 부싱(bushings)에 의하여 또는 다른 적합한 저마찰 디바이스들에 의하여 프레임(128) 상에서의 회전을 위해 지지될 수 있다. 롤러들 중 하나, 예컨대 롤러(126)는, 전술한 패드(109)의 선형 폴리싱 속도를 달성하기 위해서 적절한 회전 속도로 구동될 수 있는 패드 구동 모터(130)에 결합될 수 있다. 패드 지지체(127)는 하나 이상의 위치에서 프레임(128)에 또한 결합될 수 있으며, 패드(109)의 상부 표면의 길이 L의 일부 또는 대부분 아래에서 패드(109)의 상부를 지지할 수 있다.
기판 홀더(120)의 회전 및 패드(109)의 모션에 부가하여, 홀더(120)는 방향 화살표(132)의 방향으로 병진 이동될 수 있다. 병진 이동은 패드(109)의 선형 모션에 일반적으로 수직인 방향 화살표(132)의 횡단 방향(transverse direction)을 따른 앞뒤 진동일 수 있다. 병진 이동은 지지 빔(136)을 따라 앞뒤로 기판 홀더(120)를 이동시키는 임의의 적합한 병진 이동 모터(134) 및 구동 시스템(도시되지 않음)에 의해 야기될 수 있다. 병진 이동을 달성하도록 되어 있는 구동 시스템은 랙과 피니언, 체인과 스프로켓, 벨트와 풀리, 드라이브와 볼 스크류, 또는 다른 적합한 구동 메커니즘일 수 있다. 다른 실시예들에서, 적합한 메커니즘에 의해 궤도 모션이 제공될 수 있다. 패드(109)의 회전, 기판 홀더(120)의 회전과 병진 이동(예를 들어, 진동), 및 슬러리 성분 1, 2 및 3과 세정액(123)의 분배 유동은 제어기(138)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(138)는 임의의 적합한 컴퓨터이며, 이러한 모션들 및 기능들을 제어하도록 되어 있는 구동 및/또는 피드백 컴포넌트들에 접속될 수 있다.
패드(109)는 예를 들어 적합한 폴리싱 패드 재료로 이루어질 수 있다. 패드(109)는 폴리머 재료, 예컨대 폴리우레탄일 수 있으며, 개방 표면 공극(open surface porosity)을 가질 수 있다. 표면 공극은 개방 공극일 수 있으며, 예를 들어 약 2 마이크로미터 내지 100 마이크로미터의 평균 구멍 크기를 가질 수 있다. 패드는 롤러들(124, 126)의 중심들 사이에서 측정될 때 예를 들어 약 30㎝ 내지 300㎝의 길이 L을 가질 수 있다. 다른 치수들이 이용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 기판 폴리싱 장치(200) 및 이 기판 폴리싱 장치의 컴포넌트들의 대안적인 실시예의 다양한 도면들을 도시한다. 앞서와 같이, 기판 폴리싱 장치(200)는 다음의 설명으로부터 명백한 바와 같이 기판(101)을 유지하고 폴리싱하도록 되어 있다. 기판 폴리싱 장치(200)는 폴리싱 플랫폼(202)을 포함하며, 이 폴리싱 플랫폼은 패드(209) 및 패드 지지체(227)(예를 들어, 플래튼)를 갖는다. 폴리싱 플랫폼(202)은 2개 이상의 물리적 구역, 예컨대 제1 구역(204)과 제2 구역(206) 및 심지어 제3 구역(208)을 갖는다. 이 실시예에서의 구역들(204, 206, 208)은 동심 고리들로서 배열되며, 플랫폼(202)은 회전가능하다.
각각의 구역(204, 206, 208)은 전술한 슬러리 성분 1-3과 같이 상이한 화학물질을 갖는 상이한 슬러리 성분을 포함하도록 되어 있다. 슬러리 성분들은 전술한 바와 같이 제어기(238)에 의해 지시되는 대로 밸브들 또는 다른 유동 제어 메커니즘을 통하여 성분 공급기들(114, 116, 118)에 결합된 분배기(212)에 의해 다양한 구역들(204, 206, 208)로 분배될 수 있다. 2개 이상의 구역(204, 206, 208)은 플랫폼(202)의 직경 "D"에 걸쳐 배열될 수 있다. 각각의 고리형 구역의 폭은 동일하거나 상이한 폭일 수 있으며, 전술한 바와 같을 수 있다. 도시된 실시예에서, 9개의 고리형 구역이 도시되어 있다. 그러나, 더 많거나 더 적은 수의 구역이 제공될 수 있다. 또한, 서로 인접하지 않지만, 동일한 화학물질(예를 들어, 화학적 조성)을 갖는 슬러리 성분을 포함하는 다수의 구역이 존재할 수 있다. 예를 들어, 204로 라벨링된 구역들 각각은 동일한 슬러리 화학물질을 수취하고 포함할 수 있다. 206으로 라벨링된 구역들 각각은 동일한 슬러리 화학물질을 수취하고 포함할 수 있으며, 208로 라벨링된 구역들 각각은 동일한 슬러리 성분 화학물질을 수취하고 포함할 수 있다. 그러나, 구역들(204, 206 및 208) 각각에서의 화학물질은 서로 비교하여 볼 때 상이한 슬러리 성분 화학물질을 가질 수 있다.
도시된 실시예에서, 플랫폼(202)은, 2개 이상의 구역(예를 들어, 구역들(204, 206 또는 204, 206 및 208))이 패드(209)의 직경 D에 걸쳐 배열되는 회전식 폴리싱 플랫폼을 포함한다. 플랫폼(202)과 패드(209)는 플랫폼 모터(230)에 의해 약 10 내지 약 200 RPM의 회전 속도에서 방향 화살표(210)의 방향으로 회전될 수 있다. 앞서와 같이, 기판 홀더(220)는 폴리싱이 일어날 때 기판(101)을 회전시키기 위해서 적합한 홀더 모터(222)에 의해 회전될 수 있다. 홀더(220)의 회전 속도는 예를 들어 약 10 RPM 내지 200 RPM일 수 있다. 유사하게, 홀더(220)는 패드(209)의 접선 모션(tangential motion)에 일반적으로 수직인 횡단 방향(232)을 따라 앞뒤로 병진 이동(예를 들어, 진동)될 수 있다. 병진 이동은 전술한 바와 같이 임의의 적합한 병진 이동 모터(234) 및 구동 시스템(도시되지 않음)에 의해 야기될 수 있다.
폴리싱 동안 기판(101) 상에 가해지는 압력은 예를 들어 전술한 바와 같을 수 있다. 스프링 하중식 메커니즘 또는 액추에이터와 같이 압력을 가하기 위한 임의의 적합한 통상적인 메커니즘이 사용될 수 있다. 다른 회전 속도들 및 압력들이 이용될 수 있다. 기판 홀더(220)는 예를 들어 미국 특허 제8,298,047호; 미국 특허 제8,088,299호; 미국 특허 제7,883,397호; 및 미국 특허 제7,459,057호에 기재된 바와 같을 수 있다.
도 4는 기판(예를 들어, 기판(101))을 처리하는 방법(400), 특히 기판(101)(예를 들어, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 웨이퍼)의 표면(예를 들어, 정면 또는 후면 표면)을 폴리싱하는 방법을 도시한다. 방법(400)은, 402에서, 기판 홀더(예를 들어, 기판 홀더(120, 220)) 내에 기판을 제공하는 단계; 404에서, 이동가능한 폴리싱 패드(예를 들어, 폴리싱 패드(109, 209))를 갖는 폴리싱 플랫폼(예를 들어, 폴리싱 플랫폼(102, 202))을 제공하는 단계; 및 406에서, 폴리싱 패드 상의 2개 이상의 구역(예를 들어, 구역들(104, 106, 108))으로 상이한 슬러리 성분을 분배하는 단계를 포함한다. 폴리싱 패드는 선형으로 이동하는 버전 패드(109) 또는 회전식으로 이동하는 버전 패드(209)의 것일 수 있다. 슬러리 성분들은 (예를 들어, 윅킹 또는 다른 모세관 작용(capillary action)에 의해) 패드(109) 위의 또는 패드(109) 아래의 구역들(예를 들어, 구역들(104, 106, 108))로 분배될 수 있다.
다른 양태에서, 도 1a-도 1c 또는 도 2a와 도 2b 중 어느 하나에서 설명된 바와 같은 기판 폴리싱 시스템이 제공된다. 기판 폴리싱 시스템은, 기판(101)을 유지하도록 되어 있는 폴리싱 홀더(120, 220); 기판(101)에 대하여 이동가능한 폴리싱 패드(109, 209)를 갖는 폴리싱 플랫폼(102, 202); 및 산화 슬러리 성분, 재료 제거 슬러리 성분 및 부식 억제 슬러리 성분으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 2가지 상이한 슬러리 성분을 분배하도록 되어 있는 분배 시스템을 갖는 장치(100, 200)를 포함한다. 이 양태에서, 패드(109, 209)의 폭 W 또는 직경 D에 걸쳐 배열된 구역들로 분배되는 것보다는, 2가지 이상의 슬러리 성분은 시간적 시퀀스에 따라 차례로 분배된다.
이 양태에 따르면, 산화 슬러리 성분, 재료 제거 슬러리 성분 및 부식 억제 슬러리 성분으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 슬러리 성분이 패드(예를 들어, 패드(109, 209)) 상에 첫번째로 분배된다. 미리 결정된 시간량이 경과한 이후에, 제1 슬러리 성분의 공급이 중단된 다음, 산화 슬러리 성분, 재료 제거 슬러리 성분 및 부식 억제 슬러리 성분으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제2 슬러리 성분이 패드(예를 들어, 패드(109, 209)) 상에 분배된다. 다른 미리 결정된 시간량이 경과한 이후에, 제2 슬러리 성분의 공급이 중단된 다음, 산화 슬러리 성분, 재료 제거 슬러리 성분 및 부식 억제 슬러리 성분으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제3 슬러리 성분이 패드(예를 들어, 패드(109, 209)) 상에 분배될 수 있다. 제3의 미리 결정된 시간량이 경과한 이후에, 제1 슬러리 성분을 다시 분배하는 것에 의해 시간적 시퀀스가 다시 시작될 수 있다. 이 시퀀스는 원하는 양의 막 제거와 같은 원하는 결과를 달성하는데 필요한 횟수만큼 반복될 수 있다. 폴리싱 시퀀스 다음에, 패드(109, 209)는 이 패드에 대해 세정액을 공급함으로써 세정될 수 있다.
도 5 및 도 6은 기판을 폴리싱하는 다른 방법(500)을 도시한다. 방법(500)은, 502에서, 기판 홀더(예를 들어, 홀더(120, 220)) 내에 기판(예를 들어, 기판(101))을 제공하는 단계; 및 504에서, 이동가능한 폴리싱 패드를 갖는 폴리싱 플랫폼을 제공하는 단계를 포함한다. 506에서, 이 방법은, 시간적 시퀀스에 따라, 상이한 화학적 조성을 각각 갖는 2가지 이상의 슬러리 성분을 폴리싱 패드와 기판 사이에 분배하는 단계를 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 슬러리 성분들은 도시된 바와 같은 시간적 시퀀스에 따라 패드(예를 들어, 패드(109, 209))와 기판(101) 사이에 분배될 수 있다. 제1 시간 증분(650)에서, 제1 슬러리 성분(예를 들어, 산화 슬러리 성분)이 공급될 수 있다. 다음으로, 제2 시간 증분(651) 동안 제2 슬러리 성분(예를 들어, 재료 제거 슬러리 성분)이 이어진다. 제1 슬러리 성분과 제2 슬러리 성분의 화학적 조성은 상이하다. 다음으로, 제3 시간 증분(652) 동안 제3 슬러리 성분(예를 들어, 부식 억제 슬러리 성분)의 제공이 이어질 수 있다. 이들 분배 페이즈들 중 2개 이상은 653-655에서 반복될 수 있다. 다른 부가 또는 대체 페이즈들이 수행될 수 있다. 단일 기판에 대해 요구되는 횟수만큼 되풀이하여 3 또는 그 이상의 분배 시퀀스들이 반복될 수 있다. 이것은 전술한 바와 같이 움직이는 패드(예를 들어, 패드(109, 209))에 대하여 기판이 진동 및 회전하고 있는 동안에 수행될 수 있다. 이러한 폴리싱 페이즈들이 완료된 이후에, 패드(예를 들어, 패드(109, 209))는 세정 페이즈를 겪을 수 있는데, 여기서 패드(예를 들어, 패드(109, 209))에는 656에서 세정액(예를 들어, DI수 또는 다른 불활성 액체 용액)이 공급될 수 있다. 세정액(예를 들어, 탈이온수)의 분배는 마지막에 가해진 화학물질을 희석하는데 이용될 수 있다. 다음에, 방법(500)이 중단될 수 있고, 새로운 기판이 기판 홀더(예를 들어, 기판 홀더(120, 220))에 배치될 수 있으며, 657에서 시작하여 제2 기판에 대해 전술한 방법(500)이 구현될 수 있다.
페이즈들 각각은 약 1초 내지 약 60초 걸릴 수 있다. 다른 시간 길이들이 이용될 수 있다. 펄스들 중 일부는 1초 미만일 수 있다. 각각의 페이즈는 동일하거나 상이한 길이로 이루어질 수 있다. 슬러리 성분들 중 일부는 일부 실시예들에 있어서 단일 펄스에서 하나보다 많은 처리 페이즈를 실시하기 위해 결합될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 산화 및 부식 억제제 페이즈가 하나의 슬러리 성분으로서 결합되어, 하나의 펄스로서 제공될 수 있다. 다른 실시예들에서, 착물화제가 연마재(예를 들어, 금속 산화물 연마재)와 단일 펄스에서 결합될 수 있다. 산화제는 과산화수소일 수 있다. 부식 억제제는 트리아졸일 수 있다. 착물화제는 유기산, 유기산염 또는 아미노산일 수 있다. 다른 타입의 산화제, 부식 억제제, 착물화제 및 연마재가 이용될 수 있다.
도 6은 (예를 들어, 개별 슬러리 성분들의 펄스들로서) 시간적 시퀀스에 따라 분배되는 일련의 슬러리 성분들을 이용하는 방법(600)의 다른 실시예를 도시한다. 폴리싱 화학물질의 시간-분리 도입의 이용은 화학적 작용제들(예를 들어, 2가지 이상의 슬러리 성분)의 이용에 있어서 증가된 융통성을 허용한다. 예를 들어, 산화 화학물질은 일반적으로 자기 제한적이다. 표면 막은 약 20 옹스트롬의 깊이로 산화된 다음, 중단될 수 있다. 시간에 있어서 슬러리 성분들을 분리함으로써, 보다 공격적인 산화 화학물질들이 이용될 수 있는데, 여기서 산화의 깊이는 기판에 공급된 화학적 슬러리 성분의 펄스의 길이에 의해 제어될 수 있다.
특히, 기판의 표면 상에 변형된 층을 형성하도록 특정 반응들에 영향을 미치기 위해서 개별 페이즈들이 실시될 수 있다. 일부 통상적인 재료 제거 프로세스들에서, 시스템들은 더 낮은 폴리싱 압력에서 제거를 억제할 수 있는 슬러리 첨가제들을 이용한다. 이러한 종래의 폴리싱 시스템들은 WID(within die) 두께의 양호한 제어를 제공할 수 있는데, 그 이유는 토포그래피(topography)가 제거되고나면 제거율이 극적으로 저하하기 때문이다. 그 결과, 낮은 밀도를 갖는 다이의 영역들에서의 토포그래피가 신속하게 제거되고, 그 후 다이의 다른 영역들에서의 토포그래피 제거가 계속되어 평탄화될 때까지 폴리싱이 이루어지는 동안에, 유전체 제거가 중단된다. 그러나, 이러한 시스템들은, 메인 토포그래피가 평탄화되고나면, (설계에 의해) 제거율이 매우 낮아지는 문제가 있다. 이들은 또한 큰 피처들이 불완전하게 제거되는 문제가 있을 수 있다. 슬러리 성분들(예를 들어, 첨가제, 첨가제가 없는 연마재, 그리고 가능하게는 간삽 및/또는 후속 세정)의 페이즈(예를 들어, 시간적) 도입을 갖는 본 발명의 일 양태에 따른 다단계 방법은 이러한 종래의 제한들을 극복하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 첨가제가 처음에 도입된 다음, 첨가제를 희석하고 제한된 막 제거를 가능하게 하는 연마재 용액이 도입될 수 있다. 첨가제를 신속하게 희석할 수 있으며, 연마재 슬러리 성분의 차지(charge)가 없어질 때까지 제한된 막 제거를 허용하는 세정의 도입에 의해 부가적인 제거가 달성될 수 있다.
다단계 방법 및 시스템의 일례가 아래에 제공된다. 이 방법은 금속막 제거에 유용할 수 있고, 막 산화를 포함하는 산화 페이즈, 및 산화된 표면의 억제제 흡착 및 착물화제 지원 연마(complexing agent aided abrasion)의 페이즈를 수반할 수 있는데, 이는 반응 사이클마다 막 제거를 달성하기 위해 순차적으로 실행된다. 이 실시예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 슬러리 성분들 각각은 시간적 시퀀스에 따라 패드(예를 들어, 패드(109, 209))와 기판(101) 사이에 분배될 수 있지만, 각각의 슬러리 성분의 분배 사이에 세정 페이즈가 실시된다. 따라서, 슬러리 성분(예를 들어, 산화, 억제제, 착물화제, 재료 제거제)의 각각의 펄스는 기판(101) 및 패드(예를 들어, 패드(109, 209))의 표면을 세정하기 위해서 세정제(예를 들어, DI수)의 펄스에 의해 분리될 수 있다.
특히, 제1 시간 증분(650)에서, 제1 슬러리 성분(예를 들어, 산화 슬러리 성분)이 공급될 수 있다. 이것 다음에 657에서 세정이 이어진다. 다음에, 제2 시간 증분(652) 동안 제2 슬러리 성분(예를 들어, 재료 제거 슬러리 성분)이 분배될 수 있다. 이것 다음에 657에서 다른 세정이 이어질 수 있다. 제1 슬러리 성분과 제2 슬러리 성분의 화학적 조성은 상이하다. 이 두번째 세정(657) 다음에, 제3 시간 증분(653) 동안 제3 슬러리 성분(예를 들어, 부식 억제 슬러리 성분)이 이어질 수 있다. 이것 다음에 657에서 다른 세정이 이어질 수 있다. 이 시퀀스가 완료된 이후에, 이 시퀀스는 원하는 재료 제거를 달성하기 위해서 요구되는 횟수만큼 동일한 기판(101)에 대해 다시 반복될 수 있거나, 또는 새로운 기판이 기판 홀더(예를 들어, 120, 220) 내에 삽입될 수 있으며, 방법(700)에 의한 기판의 폴리싱이 새로운 기판에 대해 시작될 수 있다. 시간은 폴리싱 프로세스의 각각의 페이즈에 대해 동일하거나 상이할 수 있다.
억제제 흡착 페이즈 및 착물화-연마 페이즈와 같이, 시퀀스에서 다른 단계들이 이용될 수 있다. 페이즈들 중 2개 이상은 일부 실시예들에서 결합될 수 있다. 각각의 페이즈의 상대적인 지속시간은 특정 페이즈의 반응 동역학(reaction kinetics)에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 산화 페이즈는 구리 폴리싱에 대해서는 상대적으로 짧을 수 있는 한편, 그것은 루테늄 또는 더 불활성인 금속들(more noble metals)의 폴리싱에 대해서는 상대적으로 길 수 있다. (억제제 흡착을 포함하는) 부식 억제제 페이즈의 펄스 지속시간 또한 흡착의 동역학에 기초하여 길이가 변할 수 있다. 마찬가지로, 착물화-연마 페이즈도 동역학에 기초하여 길이가 변할 수 있다. 일부 실시예들에서, 산화 슬러리 성분(예를 들어, 산화 용액)의 펄스 다음에, 부식 억제제 슬러리 성분(예를 들어, 억제제 용액)의 펄스가 이어질 수 있고, 그 다음에 착물화 슬러리 성분(예를 들어, 착물화제)의 펄스가 이어질 수 있다. 이들 순차적인 펄스들은 기판(101)이 패드(예를 들어, 패드(109, 209))의 움직이는 표면에 대해 눌려지고 있는 동안에 제공될 수 있다.
시간적 시퀀스에서의 슬러리 성분들의 페이즈 도입의 다른 예는 다음과 같다. 구리막 제거 프로세스가 제공되는데, 여기서 본 명세서에 설명된 바와 같이 기판(예를 들어, 웨이퍼)이 패드(예를 들어, 패드(109, 209))의 움직이는 표면에 대해 눌려지고 있는 동안에, 산화제와 억제제 용액의 결합된 슬러리 성분의 제1 페이즈 다음에 착물화제의 분리된 펄스가 이어진다. 일부 실시예들에서, 산화제와 억제제 용액의 결합된 슬러리 성분의 펄스와 착물화제의 분리된 펄스 사이에 세정액의 세정 펄스가 삽입될 수 있다. 선택적으로, 세정 펄스는 2-페이즈 시퀀스의 끝에 있을 수 있다.
금속 산화막 폴리싱 및 제거에 적응된 다른 방법 실시예에서, 2-페이즈 방법은 산화 슬러리 성분의 제1 펄스를 포함하고, 그 다음에 금속 산화물 연마재와 착물화제를 갖는 결합된 슬러리 성분의 분리된 순차적인 펄스가 이어질 수 있다. 선택적으로, 착물화제 슬러리 성분 및 금속 산화물 연마재 슬러리 성분은 3-페이즈 폴리싱 프로세스에서 분리된 페이즈들로서 차례로 실시될 수 있다. 시퀀스의 끝에 또는 페이즈들 사이에 세정 페이즈가 실시될 수 있다.
슬러리 성분들의 시간적 시퀀스 도입의 한가지 현저한 이점은, 각각의 단계 또는 펄스가 자기 제한적일 수 있으며, 이는 아주 작은 두께들, 특히 500 옹스트롬 미만, 특별히 200 옹스트롬 미만의 두께의 비교적 더 균일한 제거를 초래할 수 있다는 것이다. 예를 들어, 일단 표면(예를 들어, 구리 표면)의 표면 산화 페이즈가 (약 25 내지 30 옹스트롬의) 수개의 원자 층에 대해 완료되면, 산화율이 극적으로 늦춰질 수 있다. 결과적으로, 착물화-연마 페이즈가 다음에 실행될 때, 막 제거는 페이즈의 길이에 상관없이 약 25 내지 30 옹스트롬으로 자동으로 제어될 수 있고, 막 제거 균일성은 제거율에 비교적 독립적이게 될 수 있다.
본 명세서에 설명된 방법들 각각에서, 슬러리 성분들의 분배는 본 명세서에 설명된 시스템 및 장치에 의해 제공될 수 있다. 선택적으로, 슬러리 성분들의 시간적 시퀀스 전달 및 가능하게는 세정을 수행하도록 되어 있는 다른 적합한 시스템들이 사용될 수 있다.
이하 도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따라 의도적으로 불균일하게 폴리싱된 기판(101)의 일부의 예시적인 전후 단면 프로파일이 도시되어 있다. 도 8에서, 불균일한 폴리싱 이전에, 기판(101) 상의 막(802)은 비교적 균일한 두께(804)를 갖는다. 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 불균일한 ALP 방법들의 적용 이후에, 막(802)은 타겟 재료 제거 영역(904)에서는 원하는 양(902)만큼 두께가 감소된 한편, 막(802)은 비타겟 영역(906)에서는 원래 두께(804)로 유지된다. 도 10은 타겟 재료 제거 영역(904) 및 비타겟 영역(906)을 도시하는 불균일한 폴리싱 이후의 기판(101)의 상면도를 도시한다. 비타겟 영역(906)의 직경은 추가로 상세하게 후술되는 바와 같이 임의의 원하는 크기일 수 있다는 점에 유의한다.
도 11은 전술한 예시적인 기판 폴리싱 장치(100)와 유사하지만 비타겟 영역(906)(도 9)으로부터는 재료를 제거하지 않으면서 타겟 재료 제거 영역(904)(도 9)의 더 많은 층들을 제거하도록 되어 있는 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)의 예를 도시한다. 예시적인 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)는 도 8 내지 도 10과 관련하여 전술한 바와 같이 기판(101)을 유지하고 폴리싱하도록 되어 있다. 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)는 2개 이상의 물리적 구역, 예컨대 제1 구역(1104), 제2 구역(1106) 및 제3 구역(1108)을 갖는 폴리싱 플랫폼(1102)을 포함한다. 2개 이상의 구역(예를 들어, 1104, 1106 및 1108)은 상이한 화학물질(화학적 조성)을 갖는 상이한 슬러리 화학물질을 포함하도록 되어 있다. 2개 이상의 구역은 플랫폼(1102)의 폭에 걸쳐 배열될 수 있다. 도시된 예시적인 실시예에서, 8개의 구역이 도시되어 있다. 그러나, 더 많거나 더 적은 수의 구역이 제공될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 인접하지 않지만, 동일한 화학물질을 갖는 슬러리 화학물질을 포함하는 다수의 구역이 존재할 수 있다. 도시된 실시예에서, 플랫폼(1102)은, 2개 이상의 구역이 패드(1109)의 폭에 걸쳐 배열되며 패드의 길이를 따라 연장되는 선형 폴리싱 플랫폼을 포함하고, 이 길이는 폭보다 실질적으로 더 크다. 도시된 실시예에서, 플랫폼(1102)의 패드(1109)는 방향 화살표(1110)에 의해 표시된 바와 같이 선형으로 이동한다.
폴리싱 방법 동안, 슬러리 화학물질 1, 슬러리 화학물질 2 및 슬러리 화학물질 3과 같은 다양한 슬러리 화학물질들이 분배기(1112)에 의해 패드(1109)에 도포될 수 있다. 분배기(1112)는 슬러리 성분들을 2개 이상의 구역으로(예를 들어, 구역들(1104, 1106, 1108)로) 분배할 수 있는 임의의 적합한 내부 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 슬러리 화학물질 1, 슬러리 화학물질 2 및 슬러리 화학물질 3은 슬러리 화학물질 공급기들(1114, 1116, 1118)로부터 각각 수취될 수 있다. 더 많거나 더 적은 수의 슬러리 화학물질이 제공될 수 있다. 분배기(1112)로의 슬러리 화학물질들의 공급은, 제어기(1138)(예를 들어, 프로세서, 컴퓨터, 또는 본 명세서에 개시된 방법들을 구현하도록 되어 있는 명령어들을 실행하도록 되어 있는 다른 동작 관리 시스템)의 제어 하에 하나 이상의 적합한 펌프, 매니폴드, 밸브 또는 다른 유동 제어 메커니즘(1115)을 갖는 분배 시스템에 의해 달성될 수 있다.
유동 제어 메커니즘들(1115)은 상이한 시간에 분배기(1112)의 채널들 중 임의의 채널로 화학물질 1, 2, 3 중 임의의 것 또는 세정액 또는 이들의 임의의 조합을 제공하는 것을 허용하도록 추가로 되어 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)는 임의의 주어진 시간에 임의의 개수 또는 배열의 원하는 구역들로(예를 들어, 구역들(1104, 1106, 1108)로) 세정액, 슬러리 성분들 및 슬러리 화학물질들 중 임의의 것의 임의의 조합을 전달할 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 "슬러리 화학물질"은 기판으로부터의 (예를 들어, 다양한 상이한 레이트로의) 재료 제거 또는 기판 상에서의 재료 보존을 수행하는데 이용될 수 있는 하나 이상의 슬러리 성분을 의미하는 것으로 의도된다. 일부 실시예들에서, 세정액(예를 들어, 탈이온수)이 세정액 소스(1123)로부터 제공되고, 구역들 중 2개 이상의 구역 사이에, 예컨대 구역(1104)과 구역(1106) 사이에, 또는 구역(1106)과 구역(1108) 사이에, 또는 구역(1104)과 구역(1106) 사이 및 구역(1106)과 구역(1108) 사이 모두에 삽입될 수 있다. 세정액 구역에 의해 구역들(1104, 1106, 1108)의 이러한 분리를 달성하는데 임의의 적합한 구성의 분배기(1112)가 사용될 수 있다.
예를 들어, 하나 이상의 실시예에서, 슬러리 화학물질 1은 부식 억제 기능을 실행하도록 되어 있는 재료를 포함할 수 있다. 슬러리 화학물질 1은 정제수와 같은 액체 캐리어, 및 벤조트리아졸 또는 1,2,4 트리아졸과 같은 부식 억제제를 포함할 수 있다. 슬러리 화학물질 1은 예를 들어 화학물질 1 공급기(1114)로부터 분배기(1112)의 제1 채널에 의해 패드(1109)의 제1 구역(1104)으로 공급될 수 있다.
슬러리 화학물질 2 및 3은 표면 변형 기능 및 재료 제거 기능 모두를 동시에 실행하도록 되어 있는 재료들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표면 변형 기능은 산화, 또는 질화물, 브롬화물, 염화물 또는 수산화물 함유 층의 형성과 같은 다른 표면 변형을 포함할 수 있다. 슬러리 화학물질 2 및 3은 정제수와 같은 액체 캐리어, 및 과산화 수소, 과황산 암모늄 또는 요오드산 칼륨과 같은 산화제를 포함할 수 있다. 다른 표면 변형 재료들이 이용될 수 있다. 슬러리 화학물질 2 및 3은 실리콘 이산화물 또는 알루미늄 산화물과 같은 연마재 매체를 또한 포함할 수 있다. 연마재는 약 20 나노미터 내지 0.5 마이크로미터의 평균 입자 크기를 가질 수 있다. 다른 입자 크기들이 이용될 수 있다. 슬러리 화학물질 2 및 3은 카르복실산 또는 아미노산과 같은 에천트 재료를 또한 포함할 수 있다. 다른 에천트 또는 착물화제 재료들이 이용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 슬러리 화학물질 2 및 3은 동일할 수 있고, 다른 실시예들에서는 화학물질 3은 예를 들어 화학물질 2보다 빠른 레이트로 재료를 제거하기 위해 더 공격적인 에천트 및/또는 연마재를 포함할 수 있다. 이러한 실시예들은 상이한 막 두께들을 갖는 타겟 재료 제거 영역들을 생성하는 것을 가능하게 한다. 슬러리 화학물질 2 및 3은 예를 들어 화학물질 2 공급기(1116) 및 화학물질 3 공급기(1118)로부터 분배기(1112)의 제2 채널 및 제3 채널을 통해 패드(1109)의 제2 구역(1106) 및 제3 구역(1108)으로 공급될 수 있다.
구역들(1104, 1106, 1108)은 나란히 배열될 수 있으며, 각각 약 2㎜ 내지 50㎜의 폭을 가질 수 있다. 폭들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 다른 폭들이 이용될 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, 분배기(1112)를 포함하는 분배 시스템은 적어도 2가지 상이한 슬러리 화학물질을 2개 이상의 구역(예를 들어, 구역(1104, 1106))으로 분배하도록 되어 있다. 일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 슬러리 화학물질들은 재료 보존 슬러리 화학물질, 느린 재료 제거 슬러리 화학물질 및 공격적인 재료 제거 화학물질로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
하나 이상의 실시예에서, 분배기(1112)는 단일 컴포넌트로서 형성될 수 있으며, 패드(1109)에 인접하여(예를 들어, 패드(1109) 바로 위에) 위치될 수 있다. 분배기(1112)는 2개 이상의 유출구를 통해 동시에 슬러리 화학물질들의 전달을 제공할 수 있다. 예를 들어, 분배기(1112)는 다수의 채널을 포함할 수 있는 분배 시스템의 일부일 수 있다.
일부 실시예들에서, 세정액은 분배된 슬러리 성분들을 분리하기 위해 별개의 분리 구역에서 수취될 수 있다. 유출구들은 일부 실시예들에서 약 5㎜ 미만 또는 약 1㎜ 내지 15㎜의 직경을 가질 수 있다. 피치(예를 들어, 인접 유출구들 사이의 간격)는 일부 실시예들에서 약 50㎜ 미만, 약 25㎜ 미만 또는 심지어 약 10㎜ 미만일 수 있다. 일부 실시예들에서, 피치는 약 2㎜ 내지 50㎜일 수 있다. 다른 직경들 및 피치들이 이용될 수 있다.
다른 실시예들에서, 분배기는, 각각의 슬러리 화학물질에 대해 하나씩, 패드(1109) 상의 상이한 공간적 위치들에 배열될 수 있는 별개의 분배기 헤드들로 이루어질 수 있다. 유출구들의 전부 또는 일부를 통해 또는 세정액을 위해 특별하게 설계된 별개의 유출구들을 통해 세정액(예를 들어, DI수)이 전달될 수 있다. 세정액은 세정액 공급기(1123)로부터 유출구들 각각의 일부 또는 전부로 제공될 수 있다. 선택적으로, 세정액은 분배기(1112)로부터 별개의 유출구들 또는 별개의 분배기 헤드에 의해 제공될 수 있다.
일부 실시예들에서, 분배기는 플랫폼(1102)의 패드 지지체(1127)에 포함될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 슬러리 화학물질 1, 2, 3은 패드(1109) 아래로부터 또는 이 패드를 통하여 다양한 구역들(1104, 1106 및 1108)로 분배될 수 있다. 패드 지지체(1127)는 패드(1109)의 폭에 걸쳐 배열되는 분배기(1112)의 유출구들과 같은 홀들을 포함할 수 있다. 각각의 홀은 슬러리 화학물질 공급기들(1114, 1116, 1118) 중 하나에 유동적으로 결합가능할 수 있다. 다양한 분리된 슬러리 화학물질 1, 2, 3은 홀들을 통과하고, 패드(1109)가 롤러들(1124, 1126) 상에서 회전할 때, 접속된 개방 구멍들의 내부 다공성 구조를 포함하는 패드(1109)를 통해 윅킹할 수 있다. 윅킹은 슬러리 화학물질 1, 2, 3을 하나 이상의 구역(1104, 1106, 1108)으로 각각 제공한다. 홀들의 전부 또는 일부를 통해 세정액이 또한 분배될 수 있다.
여전히 도 11을 참조하면, 슬러리 화학물질들이 패드(1109)의 구역들(1104, 1106, 1108)로 공급되고 있을 때, 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)의 기판 홀더(1120)가 회전될 수 있다. 기판 홀더(1120)는 기판을 패드(1109)와 접촉한 상태로 유지하고, 폴리싱이 일어날 때 기판을 회전시키도록 되어 있다. 회전 대신에 또는 회전에 부가하여 궤도 모션과 같은 다른 모션들이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 회전 속도는 예를 들어 약 10 내지 150 RPM일 수 있다. 다른 속도들이 이용될 수 있다. 회전은 홀더 모터(1122)로 홀더(1120)를 구동함으로써 달성될 수 있다. 임의의 적합한 모터가 사용될 수 있다. 폴리싱 동안 기판 상에 가해지는 압력은 예를 들어 약 0.1 psi 내지 1 psi일 수 있다. 다른 압력들이 이용될 수 있다. 스프링 하중식 메커니즘 또는 다른 적합한 수직으로 작용하는 액추에이터와 같이 압력을 가하기 위한 임의의 적합한 통상적인 메커니즘이 사용될 수 있다. 기판 홀더들(리테이너들 또는 캐리어 헤드들이라고도 지칭됨)은 예를 들어 본 양수인에 대해 등록된 미국 특허 제8,298,047호; 미국 특허 제8,088,299호; 미국 특허 제7,883,397호; 및 미국 특허 제7,459,057호에 기재되어 있다.
슬러리 성분 1, 2, 3이 각각의 구역들(1104, 1106, 1108)에 도포될 때, 패드(1109)는 화살표(1110)의 방향으로 이동될 수 있다. 화살표(1110)의 방향으로의 패드(1109)의 선형 이동 속도는 예를 들어 약 40㎝/sec 내지 약 600㎝/sec일 수 있다. 다른 속도들이 이용될 수 있다. 패드(1109)는 연속 또는 무단 벨트의 형태로 제공될 수 있다. 패드(1109)는 이 패드의 단부들에서 롤러들(1124, 1126)(예를 들어, 원통형 롤러들)에 의해 그리고 패드(1109)의 상부 아래에서 패드(1109)의 폭에 걸치는 패드 지지체(1127)에 의해 지지될 수 있다. 롤러들(1124, 1126)은 예를 들어 베어링이나 부싱에 의하여 또는 다른 적합한 저마찰 디바이스들에 의하여 프레임(1128) 상에서의 회전을 위해 지지될 수 있다. 롤러들 중 하나, 예컨대 롤러(1126)는, 전술한 패드(1109)의 선형 폴리싱 속도를 달성하기 위해서 적절한 회전 속도로 구동될 수 있는 패드 구동 모터(1130)에 결합될 수 있다. 패드 지지체(1127)는 하나 이상의 위치에서 프레임(1128)에 또한 결합될 수 있으며, 패드(1109)의 상부 표면의 길이의 일부 또는 대부분 아래에서 패드(1109)의 상부를 지지할 수 있다.
기판 홀더(1120)의 회전 및 패드(1109)의 모션에 부가하여, 홀더(1120)는 방향 화살표(1132)의 방향으로 병진 이동될 수 있다. 병진 이동은 패드(1109)의 선형 모션에 일반적으로 수직인 방향 화살표(1132)의 횡단 방향을 따른 앞뒤 진동일 수 있다. 도 1a와 관련하여 전술한 기판 폴리싱 장치(100)의 동작에서와 달리, 예시적인 불균일한 기판 폴리싱 장치(1100)의 동작에서의 홀더(1120)의 임의의 병진 이동은 비타겟 영역으로부터의 재료 제거를 회피하기 위해 제한될 것이다. 그러나, 일부 실시예들에서, 홀더(1120)의 병진 이동은 구역들에 대한 기판의 초기 위치결정 또는 타겟 재료 제거 영역의 크기를 조정하는데 이용될 수 잇다.
병진 이동은 지지 빔(1136)을 따라 앞뒤로 기판 홀더(1120)를 이동시키는 임의의 적합한 병진 이동 모터(1134) 및 구동 시스템(도시되지 않음)에 의해 초래될 수 있다. 병진 이동을 달성하도록 되어 있는 구동 시스템은 랙과 피니언, 체인과 스프로켓, 벨트와 풀리, 드라이브와 볼 스크류, 또는 다른 적합한 구동 메커니즘일 수 있다. 다른 실시예들에서, 적합한 메커니즘에 의해 궤도 모션이 제공될 수 있다. 패드(1109)의 회전, 기판 홀더(1120)의 회전과 병진 이동(예를 들어, 진동), 및 슬러리 화학물질 1, 2 및 3과 세정액(1123)의 분배 유동은 제어기(1138)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(1138)는 임의의 적합한 컴퓨터이며, 이러한 모션들 및 기능들을 제어하도록 되어 있는 구동 및/또는 피드백 컴포넌트들에 접속될 수 있다.
패드(1109)는 예를 들어 적합한 폴리싱 패드 재료로 이루어질 수 있다. 패드(1109)는 폴리머 재료, 예컨대 폴리우레탄일 수 있으며, 개방 표면 공극을 가질 수 있다. 표면 공극은 개방 공극일 수 있으며, 예를 들어 약 2 마이크로미터 내지 100 마이크로미터의 평균 구멍 크기를 가질 수 있다. 패드는 롤러들(1124, 1126)의 중심들 사이에서 측정될 때 예를 들어 적어도 약 30㎝ 내지 300㎝의 길이를 가질 수 있다. 다른 치수들이 이용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 실시예와 유사하게, 불균일한 기판 폴리싱 장치의 회전 폴리싱 패드 실시예가 이용될 수 있다. 도 11에 도시된 선형 폴리싱 패드의 예시적인 실시예에서와 같이, 상이한 구역들(평행 배열 대신에 동심으로 배열됨)이 정의되고, 기판의 하나 이상의 선택 타겟 영역으로부터 상이한 양의 재료의 제거를 용이하게 하기 위해 상이한 시간에 상이한 슬러리 화학물질들을 수취하도록 되어 있을 수 있다. 따라서, 도 11에 도시된 선형 폴리싱 패드의 예시적인 실시예에서와 같이, 불균일한 기판 폴리싱 장치의 회전 폴리싱 패드 실시예는 (예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이) 2개 이상의 두께를 갖는 막 프로파일을 생성하는데 이용될 수 있다.
일부 대안적인 실시예들에서, 기판보다 작은 회전하는 폴리싱 패드가 사용될 수 있고, 패드의 상이한 위치들에 대응하는 상이한 시간에 기판에 직접 도포되거나 또는 패드의 부분들을 통해 도포되는 슬러리의 존재 하에 패드의 국소화된 모션을 이용하여 재료가 제거될 수 있다. 예를 들어, 회전하는 기판의 중심에 위치되며 기판보다 작은 회전하는 폴리싱 패드의 중심 영역에만 제거 화학물질을 도포함으로써, 재료를 제거하기 위한 패드의 유효 직경은 폴리싱 패드의 실제 직경보다 작아질 수 있다. 또한, 회전하는 기판의 중심으로부터 오프셋되어 더 작은 폴리싱 패드가 배치되는 경우, 내측 반경과 외측 반경 사이의 링 형상 영역이 재료 제거를 위해 격리될 수 있다. 링 형상 제거 영역의 폭은 제거 화학물질이 도포되는 패드 영역의 반경에 기초하여 그리고/또는 기판의 중심으로부터의 오프셋을 변화시키는 것에 의해(예를 들어, 회전하는 패드를 방사상으로 진동시키는 것에 의해) 추가로 제어될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에서, 재료의 선택적인 제거를 위해 기판의 중심에 대한 패드의 상이한 위치들에 대응하는 상이한 시간에 상이한 화학물질들이 도포될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 회전하는 기판의 중심에 패드가 위치될 때에는 재료를 공격적으로 제거하도록 되어 있는 화학물질이 기판에 도포될 수 있고, 패드가 중심으로부터 멀리 위치될 때에는 재료를 상대적으로 완만하게 제거하도록 되어 있는 화학물질이 기판에 도포될 수 있다. 이러한 예시적인 배열은, 기판의 중심에서는 더 얇고 기판의 에지에서는 더 두꺼운 막 프로파일(예를 들어, 도 9에 도시된 프로파일의 반대임)을 형성하는 것을 허용한다.
일부 다른 대안적인 실시예들에서, 원형 형상 외의 형상들을 갖는 정지형 폴리싱 패드들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 회전하는 기판의 상이한 반경들에서의 가변 회전 속도를 보상하기 위해서, 회전하는 기판(101) 상의 막을 균일한 두께로 폴리싱하는데 도 12에 도시된 바와 같은 정지형 웨지 형상 패드(1200)가 사용될 수 있다. 다시 말하면, (예를 들어, 외측 에지에 더 가까운 큰 반경, 예를 들어 기판 구역들(1202-1212)에 있는) 상대적으로 신속하게 회전하는 기판 영역이 (예를 들어, 회전하는 기판(101)의 중심에 더 가까운 작은 반경, 예를 들어 기판 구역들(1214-1226)에 있는) 상대적으로 느리게 움직이는 영역과 동등한 패드(1200) 상의 제거 화학물질에 대한 노출을 경험하는 것을 보증하기 위해 웨지 형상 패드(1200)가 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 웨지 형상 패드(1200)는 폴리싱되고 있는 기판 구역(1202-1226)의 둘레에 비례하여 소정량의 슬러리를 분배하도록 배치된 슬러리 전달 구멍들(1201) 또는 채널들의 배열을 포함할 수 있다.
불균일한 폴리싱 애플리케이션들에서, 각각의 기판 구역(1202-1226)에 대응하는 구멍들(1201)로 전달되는 슬러리의 화학물질에 기초하여 각각의 기판 구역(1202-1226)에서 상이한 원하는 두께들을 갖는 막 프로파일들을 생성하는데 도 12에 도시된 바와 같은 정지형 웨지 형상 패드(1200)가 사용될 수 있다. 다시 말하면, 제1 기능을 갖는 화학물질은 특정 기판 구역(예를 들어, 기판 구역(1202))에만 접촉하는 구멍들의 그룹에 도포될 수 있다. 동시에, 제2 기능을 갖는 화학물질은 상이한 기판 구역(예를 들어, 기판 구역(1204))에만 접촉하는 구멍들의 그룹에 도포될 수 있다. 동시에, 제3 기능을 갖는 화학물질은 상이한 기판 구역(예를 들어, 기판 영역(1206))에만 접촉하는 구멍들의 그룹에 도포되거나 할 수 있다. 그러므로, 각각의 기판 구역(1202-1226)은 상이한 화학물질을 받아, 원하는 막 두께 프로파일을 생성할 수 있다. 또한, 상이한 화학물질들이 상이한 기판 구역들에 상이한 시간에 도포될 수 있다.
일부 실시예들에서, 불균일한 기판 폴리싱 장치는 본 발명의 다양한 방법들(1300)을 수행하는데 사용될 수 있다. 움직이는 폴리싱 패드에 대하여 기판이 회전하는 동안(1302), 상이한 기능들을 갖는 상이한 화학물질들이 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 별개로 도포된다(1304). 폴리싱 패드의 적어도 2개의 상이한 구역에 대응하는 기판으로부터 상이한 양의 재료가 제거된다(1306). 폴리싱 패드는 선형으로 이동하는 패드 또는 회전하는 패드일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 결과적인 막 두께 프로파일은 복수의 두께를 가질 수 있다.
따라서, 본 발명은 본 발명의 예시적인 실시예들과 관련하여 개시되었지만, 다른 실시예들이 다음의 청구항들에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 내에 있을 수 있다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (15)

  1. 불균일한 기판 폴리싱 장치로서,
    2개 이상의 구역을 갖는 폴리싱 패드를 포함하고,
    각각의 구역은, 기판 상에 적어도 2개의 상이한 막 두께를 갖는 막 두께 프로파일을 생성하기 위해 상이한 슬러리 화학물질(slurry chemistry)을 상기 기판 상의 상이한 영역에 도포하도록 되어 있는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 2개 이상의 구역이 폭에 걸쳐 배열되는 선형 폴리싱 플랫폼을 포함하는 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 2개 이상의 구역이 동심 고리들로서 배열되는 회전식 폴리싱 플랫폼을 포함하는 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 상이한 슬러리 화학물질들 중 적어도 2가지 슬러리 화학물질을 상기 2개 이상의 구역으로 분배하도록 되어 있는 분배기를 포함하는 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 분배기는 제1 슬러리 화학물질을 상기 2개 이상의 구역 중 하나의 구역으로 분배하도록 되어 있는 제1 유출구 세트, 및 제2 슬러리 화학물질을 상기 2개 이상의 구역 중 다른 구역으로 분배하도록 되어 있는 제2 유출구 세트를 포함하는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    각각의 구역은 약 2㎜ 이상의 폭을 갖는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    제1 구역에는 재료 보존 기능을 갖는 화학물질이 도포되는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    제1 구역에는 재료 제거 기능을 갖는 화학물질이 도포되는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    제1 구역에는 상대적으로 공격적인 재료 제거 기능을 갖는 화학물질이 도포되고, 제2 구역에는 상대적으로 완만한 재료 제거 기능을 갖는 화학물질이 도포되는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    제1 구역 및 제2 구역은 상이한 화학적 조성들을 갖는 슬러리 화학물질들을 포함하는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    재료 보존 슬러리 화학물질,
    느린 재료 제거 슬러리 화학물질, 및
    공격적인 재료 제거 화학물질
    로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 2가지 상이한 슬러리 화학물질을 상기 2개 이상의 구역으로 분배하도록 되어 있는 분배 시스템을 포함하는 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 2개 이상의 구역 사이에 세정액(rinsing liquid) 구역이 분배되어 있는, 불균일한 기판 폴리싱 장치.
  13. 기판 폴리싱 시스템으로서,
    상기 기판 폴리싱 시스템을 동작시키도록 되어 있는 명령어들을 저장하도록 되어 있는 메모리 및 프로세서를 포함하는 제어기;
    기판을 유지하도록 되어 있는 기판 홀더; 및
    2개 이상의 구역을 갖는 폴리싱 패드 - 각각의 구역은, 상기 기판 상에 적어도 2개의 상이한 막 두께를 갖는 막 두께 프로파일을 생성하기 위해 상이한 슬러리 화학물질을 상기 기판 상의 상이한 영역에 도포하도록 되어 있음 -
    를 포함하고,
    상기 기판 홀더는 상기 제어기의 지시 하에 상기 폴리싱 패드에 대하여 상기 기판을 회전시키도록 되어 있는, 기판 폴리싱 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 2개 이상의 구역이 폭에 걸쳐 배열되는 선형 폴리싱 플랫폼을 포함하는 기판 폴리싱 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 2개 이상의 구역이 동심 고리들로서 배열되는 회전식 폴리싱 플랫폼을 포함하는 기판 폴리싱 시스템.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109243976B (zh) * 2013-01-11 2023-05-23 应用材料公司 化学机械抛光设备及方法
WO2016046909A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、半導体装置およびプログラム
CN106625033B (zh) * 2016-12-09 2018-12-18 天津津航技术物理研究所 一种确定单点金刚石车削刀痕抛光去除特性的方法
US10964549B2 (en) * 2018-11-30 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer polishing with separated chemical reaction and mechanical polishing
US11298794B2 (en) * 2019-03-08 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing using time share control
US20240096636A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-21 Qorvo Us, Inc. Methods for polishing bulk silicon devices

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3734289B2 (ja) * 1995-01-24 2006-01-11 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6273806B1 (en) * 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US5899745A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Motorola, Inc. Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor
US7041599B1 (en) * 1999-12-21 2006-05-09 Applied Materials Inc. High through-put Cu CMP with significantly reduced erosion and dishing
US6248006B1 (en) * 2000-01-24 2001-06-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. CMP uniformity
US6984166B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Zone polishing using variable slurry solid content
US6872128B1 (en) * 2003-09-30 2005-03-29 Lam Research Corporation System, method and apparatus for applying liquid to a CMP polishing pad
US6929533B2 (en) * 2003-10-08 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Methods for enhancing within-wafer CMP uniformity
US7182677B2 (en) * 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
US20060191871A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Sheng-Yu Chen Cmp slurry delivery system and method of mixing slurry thereof
JP2006261261A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Renesas Technology Corp 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法
KR20070098321A (ko) * 2006-03-31 2007-10-05 주식회사 하이닉스반도체 화학적 기계적 연마 장치
WO2007131094A2 (en) * 2006-05-03 2007-11-15 St. Lawrence Nanotechnology, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing of large size wafer with capability of polishing individual die
US20100216373A1 (en) * 2009-02-25 2010-08-26 Araca, Inc. Method for cmp uniformity control
JP5635957B2 (ja) * 2010-09-09 2014-12-03 日本碍子株式会社 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
MY163201A (en) * 2011-01-21 2017-08-15 Cabot Microelectronics Corp Silicon polishing compositions with improved psd performance
CN102380817B (zh) * 2011-10-25 2015-09-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 防止晶圆边缘器件良率低的方法
CN109243976B (zh) * 2013-01-11 2023-05-23 应用材料公司 化学机械抛光设备及方法

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