KR20170032020A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명 실시 예는 색 재현율이 향상된 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package having improved color reproduction rate.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다. A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. Light emitting diodes are capable of emitting light with high efficiency at low voltage, thus saving energy. In recent years, the problem of luminance of a light emitting diode has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.
발광 다이오드는 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 제 1 전극과 제 2 전극이 배치된 구조일 수 있다. 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 제 1 패드 및 제 2 패드와 전기적으로 연결된다. 그리고, 본딩층을 이용하여 제 1 패드 및 제 2 패드를 리드 프레임에 연결하거나 인쇄 회로 기판 등에 실장할 수 있다.The light emitting diode may have a structure in which the first electrode and the second electrode are disposed on one side of the light emitting structure including the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the first pad and the second pad, respectively. The first pad and the second pad may be connected to the lead frame using a bonding layer, or may be mounted on a printed circuit board or the like.
상기와 같은 발광 다이오드는 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용될 수 있으며, 발광 다이오드와 형광체를 이용하여 백색 광을 방출하는 발광 다이오드 패키지를 형성할 수 있다.The light emitting diode may be used as a light source for a display, a light source for a vehicle, and a light source for an illumination, and a light emitting diode package that emits white light using a light emitting diode and a phosphor may be formed.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 청색 발광 소자와 녹색 발광 소자 및 적색 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light emitting device package including a blue light emitting device, a green light emitting device, and a red phosphor.
본 발명의 한 실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체 내에 배치되며, 서로 다른 구동부에 접속되는 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자; 및 상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 덮으며, 형광체를 포함하는 몰딩 부재를 포함하여 이루어져, 백색 광을 구현한다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a body including a cavity; A blue light emitting element and a green light emitting element disposed in the body and connected to different driving parts; And a molding member covering the blue light emitting device and the green light emitting device and including a phosphor, thereby realizing white light.
또한, 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체 내에 배치되며, 서로 다른 구동부에 접속되는 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자; 및 상기 청색 발광 소자를 덮으며 형광체를 포함하는 제 1 몰딩 부재와 상기 녹색 발광 소자를 덮는 제 2 몰딩 부재를 포함하여 이루어져, 백색 광을 구현한다.In another embodiment, a light emitting device package includes a body including a cavity; A blue light emitting element and a green light emitting element disposed in the body and connected to different driving parts; And a first molding member covering the blue light emitting device and including a phosphor, and a second molding member covering the green light emitting device, thereby realizing white light.
이 때, 상기 제 1 몰딩 부재에 포함된 상기 형광체의 함량이 상기 제 2 몰딩 부재에 포함된 상기 형광체의 함량보다 많다.At this time, the content of the phosphor contained in the first molding member is larger than the content of the phosphor contained in the second molding member.
본 발명의 발광 소자 패키지는 다음과 같은 효과가 있다.The light emitting device package of the present invention has the following effects.
첫째, 청색 발광 소자와 반치폭이 좁은 녹색 발광 소자 및 반치폭이 좁은 형광체를 이용하여 백색 광을 구현함으로써, 녹색 발광 소자를 포함하여 이루어져, 백색 광의 색 재현율을 향상시킬 수 있다.First, a blue light emitting device, a green light emitting device having a narrow half width, and a phosphor having a narrow half width are used to realize white light, thereby including a green light emitting device, thereby improving the color gamut of white light.
둘째, 청색 발광 소자와 녹색 발광 소자를 서로 다른 몰딩 부재를 이용하여 몰딩할 때, 청색 발광 소자를 덮는 제 1 몰딩 부재와 녹색 발광 소자를 덮는 제 2 몰딩 부재에 포함된 형광체의 함량을 다르게 설정하여, 청색 광의 파장대인 450㎚ 내지 455㎚에서 높은 여기 효율을 갖는 형광체의 효율을 향상시킬 수 있다.Secondly, when the blue light emitting device and the green light emitting device are molded using different molding members, the contents of the first molding member covering the blue light emitting device and the second molding member covering the green light emitting device are set differently , And the efficiency of the phosphor having a high excitation efficiency at 450 nm to 455 nm, which is the wavelength range of blue light, can be improved.
도 1a는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 2는 도 1a의 제 1, 제 2 발광 소자의 개별 구동을 도시한 블록도이다.
도 3은 표 2에 따른 색 좌표의 이동을 나타낸 그래프이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 5는 K2SiF6 형광체의 스펙트럼이다.1A is a plan view of a light emitting device package of an embodiment of the present invention.
1B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1A.
FIG. 2 is a block diagram showing the individual driving of the first and second light emitting devices of FIG. 1A.
FIG. 3 is a graph showing movement of color coordinates according to Table 2. FIG.
4A and 4B are cross-sectional views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
5 is a spectrum of a K 2 SiF 6 phosphor.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated and described in the drawings. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a 및 도 1b와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티(110)를 포함하는 몸체(100), 캐비티(110)에 의해 노출된 몸체(100) 내에 배치되며, 제 1 구동부(120)와 접속된 제 1 발광 소자(140a)와 제 2 구동부(130)와 접속된 제 2 발광 소자(140b) 및 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)를 덮으며, 형광체(160b)를 포함하는 몰딩 부재(160)를 포함하여 이루어져, 백색 광을 구현한다1A and 1B, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a
구체적으로, 몸체(100)는 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide; SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(poly phthalamide; PPA), 에폭시 몰딩 화합물(Epoxy Molding Compound; EMC), 고분자 액정(Liquid Crystal Polymer) 등에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이를 한정하지는 않는다. 몸체(100)는 사출, 에칭 등의 방법으로 형성될 수 있다.Specifically, the
몸체(100)가 전도성을 갖는 물질로 형성되는 경우, 몸체(100)의 내측면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어, 몸체(100)와 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)가 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도면에서는 상부 형상이 모서리에 굴곡을 갖는 사각형 형태의 몸체(100)를 도시하였으나, 몸체(100)의 형상은 다각형이거나, 곡면을 갖는 원형일 수도 있다. When the
캐비티(110)는 몸체(100)의 상부가 개방된 형상으로, 상부 형상이 원형, 다각형, 타원형 등일 수 있으며, 도면에서는 모서리가 곡면을 갖는 구조를 도시하였다.The
캐비티(110)에 의해 노출된 제 1, 제 2 구동부(120, 130)가 노출되며, 제 1 구동부(120)는 제 1, 제 2 리드 프레임(120a, 120b)을 포함하며, 제 2 구동부(130)는 제 3, 제 4 리드 프레임(130a, 130b)을 포함한다. 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 리드 프레임(120a, 120b, 130a, 130b)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 도면에서는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 리드 프레임(120a, 120b, 130a, 130b)이 단층 구조인 것을 도시하였으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다.The first and
제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 리드 프레임(120a, 120b, 130a, 130b)은 전극 분리 부재(150)를 통해 서로 분리된 구조이다. 전극 분리 부재(150)는 인접한 리드 프레임(120a, 120b, 130a, 130b) 사이에 배치되어 인접한 리드 프레임(120a, 120b, 130a, 130b)을 전기적 및 물리적으로 분리할 수 있다. 이를 위해, 전극 분리 부재(150)는 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide; SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(poly phthalamide; PPA), 에폭시 몰딩 화합물(Epoxy Molding Compound; EMC), 고분자 액정(Liquid Crystal Polymer) 등과 같이 절연성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The first, second, third, and
몸체(100) 내에 배치되는 제 1 발광 소자(140a) 및 제 2 발광 소자(140b)는 도시하지는 않았으나, 제 1, 제 2 반도체층 및 활성층을 포함하여 이루어질 수 있다.The first
제 1 반도체층은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 도전형 도펀트가 도핑될수 있다. 예를 들어, 제 1 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, Si, Ge, Sn 등 과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer may be formed of compound semiconductors such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and the first conductivity type dopant may be doped. For example, the first semiconductor layer may be a semiconductor having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Lt; / RTI > can be doped.
활성층은 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다. 활성층은 반도체 화합물, 예를 들어, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer can generate light by energy generated in a process of recombination of electrons and holes provided from the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The active layer may be a semiconductor compound, for example, a Group III-V-5 or Group-VI-VI compound semiconductor and may be a single well structure, a multi-well structure, a Quantum-Wire structure, ) Structure or the like. In the case where the active layer is a quantum well structure, a well layer having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.
제 2 반도체층은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 2 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer may be formed of a compound semiconductor such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, and the like, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, the second semiconductor layer may be a semiconductor having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.
이 때, 제 1 발광 소자(140a)는 청색 광을 방출하는 청색 발광 소자이며, 제 2 발광 소자(140b)는 녹색 광을 방출하는 녹색 발광 소자이다. 그리고, 형광체(160b)는 적색 형광체로, 구체적으로, K2SiF6 형광체이다. 상기와 같은 형광체(160b)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지(160a)에 포함되어, 몰딩 부재(160)를 구현한다.In this case, the first
몰딩 부재(160)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 도면에서는 단층으로 이루어진 몰딩 부재(160)를 도시하였다. 또한, 도면에서는 몰딩 부재(160)의 상부 표면이 평평한 것을 도시하였으나, 몰딩 부재(160)의 상부 표면은 오목하거나 볼록한 형상일 수도 있다.The
몰딩 부재(160)는 형광체(160b)는 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)에서 방출되는 광의 파장을 변화하기 위한 것으로, 형광체(160b)는 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다.The
일반적으로 발광 소자 패키지는 백색 광을 구현하기 위해 청색 발광 소자와 황색 형광체를 이용한다. 그런데, 상기와 같은 조합은 장파장에서 상대적으로 광 강도가 낮아 색 재현성이 양호하지 않다. 이를 위해, 청색 발광 소자와 녹색 형광체 및 적색 형광체를 이용하여 백색 광을 구현하는 방법이 제안되었다. 그러나, 녹색 형광체는 반치폭(Full Width at Half Maximum; FWHM)이 53㎚으로 높아 높은 색 재현율을 구현하기 어렵다.In general, a light emitting device package uses a blue light emitting element and a yellow phosphor to realize white light. However, such a combination has a relatively low light intensity in a long wavelength and is not good in color reproducibility. For this purpose, a method of realizing white light using a blue light emitting element, a green phosphor and a red phosphor has been proposed. However, the green phosphor has a full width at half maximum (FWHM) of 53 nm, which makes it difficult to realize a high color reproducibility.
따라서, 본 발명은 녹색 형광체 대신, 35㎚의 좁은 반치폭을 갖는 녹색 발광 소자를 이용하며, 동시에 7㎚의 좁은 반치폭을 갖는 K2SiF6 형광체를 이용하여 색 재현율을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the present invention, instead of the green phosphor, a green light emitting element having a narrow half width of 35 nm is used, and at the same time, a K 2 SiF 6 phosphor having a narrow half width of 7 nm can be used to improve the color reproduction rate.
즉, 하기 표 1과 같이, sRGB 기준의 색 재현율에 있어서, 청색 발광 소자와 황색 형광체를 이용하는 경우는 약 130% 정도 색 재현율을 가진다. 그러나, 본 발명과 같이 좁은 반치폭을 갖는 녹색 발광 소자 및 K2SiF6 형광체를 이용하는 경우, 색 재현율이 140%~145%로 증가한다.That is, as shown in the following Table 1, when the blue light emitting element and the yellow phosphor are used in terms of the sRGB reference color reproduction ratio, the color reproduction ratio is about 130%. However, when the green light emitting element and the K 2 SiF 6 phosphor having a narrow half width as in the present invention are used, the color reproduction rate increases to 140% to 145%.
+ 녹색 발광 소자Blue light emitting element
+ Green light emitting element
+ 적색 형광체Green phosphor
+ Red phosphor
특히, 본 발명 실시 예는 제 1 발광 소자(140a)인 제 2 발광 소자(140b)를 개별 구동함으로써, 백색 광의 색 특성을 조절할 수 있다.Particularly, the embodiment of the present invention can adjust the color characteristics of white light by individually driving the second
구체적으로, 제 1 발광 소자(140a)의 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 와이어 본딩 방식으로 제 1, 제 2 리드 프레임(120a, 120b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 도면과 같이 제 1 발광 소자(140a)가 제 2 리드 프레임(120b) 상에 배치되는 경우, 제 1 발광 소자(140a)의 구조에 따라, 제 1 발광 소자(140a)는 제 1 리드 프레임(120a)과 와이어 본딩되며, 제 2 리드 프레임(120b)과는 접착제를 통해 바로 접속될 수 있다.Specifically, the first electrode and the second electrode of the first
마찬가지로, 제 2 발광 소자(140b)의 제 1 전극 및 제 2 전극도 와이어 본딩 방식으로 제 3, 제 4 리드 프레임(130a, 130b)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 도면과 같이 제 2 발광 소자(140b)가 제 3 리드 프레임(130a) 상에 배치되는 경우, 제 2 발광 소자(140b)의 구조에 따라, 제 2 발광 소자(140b)는 제 4 리드 프레임(130b)과 와이어 본딩되며, 제 3 리드 프레임(130a)과는 접착제를 통해 바로 접속될 수 있다.Similarly, the first electrode and the second electrode of the second
도 2는 도 1a의 제 1, 제 2 발광 소자의 개별 구동을 도시한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram showing the individual driving of the first and second light emitting devices of FIG. 1A.
도 2와 같이, 제 1 발광 소자(140a)는 제 1 구동부(120)와 연결되어 전류를 인가 받으며, 제 2 발광 소자(140b)는 제 2 구동부(130)와 연결되어 전류를 인가 받는다. 따라서, 제 1 발광 소자(140a)와 제 2 발광 소자(140b)에서 방출되는 광의 세기를 개별로 조절함으로써, 최적의 백색 광을 구현할 수 있다.2, the first
일반적으로, 캐비티 내에 복수 개의 발광 소자가 배치된 발광 소자 패키지는 복수 개의 발광 소자가 서로 병렬로 연결되어 동일한 전류 값을 인가 받는다. 이 때, 발광 소자에서 방출되는 광의 세기는 발광 소자로 인가되는 전류의 크기에 따라 달라지므로, 방출되는 광의 세기를 증가시키기 위해 복수 개의 발광 소자에 높은 전류를 인가해야 하므로 발광 효율은 낮아진다. 또한, 높은 전류에 의해 발광 소자 패키지의 발열이 증가하여 발광 소자 패키지가 열화되어 성능 및 신뢰성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.Generally, in a light emitting device package in which a plurality of light emitting devices are disposed in a cavity, a plurality of light emitting devices are connected in parallel to receive the same current value. Since the intensity of the light emitted from the light emitting device varies depending on the magnitude of the current applied to the light emitting device, a high current is required to be applied to the plurality of light emitting devices in order to increase the intensity of the emitted light. In addition, the heat generation of the light emitting device package may be increased due to the high current, and the light emitting device package may be deteriorated to deteriorate performance and reliability.
더욱이, 발광 소자에서 방출되는 광의 세기를 증가시키거나 광의 색 좌표를 이동시키기 위해 서로 크기가 다른 발광 소자를 이용하는 경우, 병렬로 연결된 복수 개의 발광 소자에서 방출되는 광을 개별적으로 제어하기 어렵다.Further, when light emitting elements having different sizes are used to increase the intensity of light emitted from the light emitting element or to shift the color coordinates of light, it is difficult to individually control the light emitted from the plurality of light emitting elements connected in parallel.
반면에, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)를 구동부(120, 130)에 따로 연결하여 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)가 개별로 구동된다. 따라서, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 방출되는 백색 광의 색 특성을 조절하기 위해, 동일한 크기의 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)를 서로 다른 구동부(120, 130)에 연결하고, 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b) 중 하나의 발광 소자에 인가되는 전류만 조절함으로써, 백색 광의 색 좌표를 용이하게 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)의 휘도를 개별적으로 조절할 수 있으므로, 색 특성을 조절하기 용이하며, 전류를 증가시키더라도 발광 효율이 낮아지는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, in the light emitting device package of the embodiment of the present invention, the first and second
이하, 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)에 인가되는 전류를 조절함에 따라 발광 소자 패키지에서 방출되는 백색 광의 색 좌표가 달라지는 것을 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the color coordinates of the white light emitted from the light emitting device package are changed by adjusting the current applied to the first and second
하기 표 2는 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)에 인가되는 전류에 따른 색 좌표를 비교한 표이다. 그리고, 도 3은 표 2에 따른 색 좌표의 이동을 나타낸 그래프이다.Table 2 below is a table comparing color coordinates according to currents applied to the first and second
따라서, 본 발명 실시 예는 상기 표 2 및 도 3와 같이, 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)에 인가되는 전류를 조절하여, 넓은 영역의 색 좌표 부분까지 구현할 수 있다.Accordingly, embodiments of the present invention can realize a wide color coordinate area by adjusting currents applied to the first and second
이하, 본 발명의 다른 실시 예의 발광 소자 패키지를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a light emitting device package according to another embodiment of the present invention will be described in detail.
도 4a 및 도 4b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 단면도이며, 도 5는 K2SiF6 형광체의 스펙트럼이다.4A and 4B are cross-sectional views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a spectrum of a K 2 SiF 6 phosphor.
도 4a와 같이, 발광 소자 패키지는 서로 구분되는 제 1, 제 2 몰딩 부재(160, 260)가 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)를 각각 덮는다. 즉, 몸체(100)는 제 1, 제 2 발광 소자(140a, 140b)는 는 각각 서로 다른 제 1, 제 2 캐비티(110a, 110b)에 의해 몸체(100) 내에 배치되고, 서로 다른 몰딩 부재(160, 260)에 의해 봉지될 수 있다. 서로 다른 캐비티(110a, 110b)는 전극 분리 부재(160)의 구조를 변경하여 서로 분리될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.4A, the first and
이 때, 제 1 발광 소자(140a)를 봉지하는 제 1 몰딩 부재(160)에 포함된 형광체(160b)의 함량이 제 2 발광 소자(140b)를 봉지하는 제 2 몰딩 부재(260)에 포함된 형광체(260b)의 함량보다 많다. 이는, 도 5와 같이, K2SiF6 형광체는 청색 광의 파장대인 450㎚ 내지 455㎚에서 높은 여기 효율을 가져, 제 1 몰딩 부재(160)에서 방출되는 광의 색 변환 효율이 높기 때문이다.The amount of the
즉, K2SiF6 형광체는 청색 광과 혼합될 때 변환 효율이 높으므로, 제 2 발광 소자(140b)를 봉지하는 제 2 몰딩 부재(260)는 형광체를 포함하지 않고 수지만으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 형광체(160b)의 효율을 개선할 수 있으며, 패키지 제조 비용을 절감할 수 있다.That is, since the conversion efficiency is high when the K 2 SiF 6 phosphor is mixed with the blue light, the
상술한 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지는 청색 발광 소자와 반치폭이 좁은 녹색 발광 소자 및 형광체(160, 160b, 260b)를 이용하여 백색 광을 구현함으로써, 백색 광의 색 재현율을 향상시킬 수 있다. 또한, 청색 발광 소자와 녹색 발광 소자를 서로 다른 몰딩 부재(160, 260)를 이용하여 몰딩할 때, 청색 발광 소자를 덮는 제 1 몰딩 부재(110a)에 포함되는 형광체(160b)의 함량과 녹색 발광 소자를 덮는 제 2 몰딩 부재(110b)에 포함된 형광체(260b)의 함량을 다르게 설정하여, 청색 광의 파장대인 450㎚ 내지 455㎚에서 높은 여기 효율을 갖는 형광체의 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, in the light emitting device package of the present invention, the white light is realized by using the blue light emitting device, the green light emitting device having a narrow half width, and the
상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.The light emitting device package of the embodiment of the present invention may further include an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet to function as a backlight unit. Further, the light emitting device package of the embodiment can be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.At this time, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 소자에서 발산되는 광을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide light emitted from the light emitting element forward, and the optical sheet includes a prism sheet or the like and is disposed in front of the light guide plate. The display panel is disposed in front of the optical sheet, and the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter is disposed in front of the display panel.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside, have. Further, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp or the like.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be clear to those who have knowledge.
100: 몸체
110, 110a, 110b: 캐비티
120: 제 1 구동부
120a, 120b, 130a, 130b: 리드 프레임
130: 제 2 구동부
140a: 제 1 발광 소자
140b: 제 2 발광 소자
150: 전극 분리 부재
160, 260: 몰딩 부재
160a, 260a: 수지
200: 전원 공급부100:
120: first driving
130: second driving
140b: second light emitting device 150: electrode separating member
160, 260: molding
200: Power supply
Claims (13)
상기 몸체 내에 배치되며, 서로 다른 구동부에 접속되는 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자; 및
상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 덮으며, 형광체를 포함하는 몰딩 부재를 포함하여 이루어져, 백색 광을 구현하는 발광 소자 패키지. A body including a cavity;
A blue light emitting element and a green light emitting element disposed in the body and connected to different driving parts; And
And a molding member covering the blue light emitting device and the green light emitting device and including a phosphor, wherein the light emitting device package realizes white light.
상기 형광체는 K2SiF6 형광체인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the phosphor is a K 2 SiF 6 phosphor.
상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자의 크기가 동일한 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the blue light emitting device and the green light emitting device have the same size.
상기 상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자에 인가되는 전류를 조절하여 상기 백색 광의 색 좌표를 조절하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And adjusting the color coordinates of the white light by adjusting a current applied to the blue light emitting device and the green light emitting device.
상기 몸체 내에 배치되며, 서로 다른 구동부에 접속되는 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자; 및
상기 청색 발광 소자를 덮으며 형광체를 포함하는 제 1 몰딩 부재와 상기 녹색 발광 소자를 덮는 제 2 몰딩 부재를 포함하여 이루어져, 백색 광을 구현하는 발광 소자 패키지.A body including a cavity;
A blue light emitting element and a green light emitting element disposed in the body and connected to different driving parts; And
A first molding member covering the blue light emitting device and including a phosphor, and a second molding member covering the green light emitting device, wherein the light emitting device package emits white light.
상기 형광체는 K2SiF6 형광체인 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the phosphor is a K 2 SiF 6 phosphor.
상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자의 크기가 동일한 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the blue light emitting device and the green light emitting device have the same size.
상기 제 1 몰딩 부재를 통해 청색 광과 적색 광이 혼합된 광이 방출되는 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
And a light mixture of blue light and red light is emitted through the first molding member.
상기 제 2 몰딩 부재를 통해 녹색 광이 방출되는 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
And green light is emitted through the second molding member.
상기 제 2 몰딩 부재에 상기 형광체가 포함된 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
And the second molding member includes the phosphor.
상기 제 2 몰딩 부재를 통해 녹색 광과 적색 광이 혼합된 광이 방출되는 발광 소자 패키지.11. The method of claim 10,
And a light mixture of green light and red light is emitted through the second molding member.
상기 제 1 몰딩 부재에 포함된 상기 형광체의 함량이 상기 제 2 몰딩 부재에 포함된 상기 형광체의 함량보다 많은 발광 소자 패키지.11. The method of claim 10,
Wherein a content of the fluorescent material contained in the first molding member is greater than a content of the fluorescent material contained in the second molding member.
상기 상기 청색 발광 소자 및 녹색 발광 소자에 인가되는 전류를 조절하여 상기 백색 광의 색 좌표를 조절하는 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
And adjusting the color coordinates of the white light by adjusting a current applied to the blue light emitting device and the green light emitting device.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109727961A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | Light emitting device package and electronic device |
KR20200086811A (en) * | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
KR102211489B1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-02-02 | 장희관 | Side view led package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100891810B1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | White light emitting device |
JP2010197840A (en) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device and lighting device |
KR20150082426A (en) * | 2012-11-01 | 2015-07-15 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led-based device with wide color gamut |
-
2015
- 2015-09-14 KR KR1020150129748A patent/KR102530835B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100891810B1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | White light emitting device |
JP2010197840A (en) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device and lighting device |
KR20150082426A (en) * | 2012-11-01 | 2015-07-15 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led-based device with wide color gamut |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109727961A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | Light emitting device package and electronic device |
KR20190048463A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light emitting device package, and electronic device |
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