KR20170031292A - Apparatus and method for chucking substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate chucking device, and a substrate chucking method. According to one embodiment of the present invention, the substrate chucking device comprises: an electrostatic chuck adsorbing a substrate by using an electrostatic force; a chucking information detection unit detecting chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck; and a control unit controlling the electrostatic chuck to control the chucking force in accordance with the chucking information.

Description

기판 척킹 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CHUCKING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR CHUCKING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 척킹 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate chucking apparatus and method.

일반적으로 반도체 웨이퍼, 평판디스플레이 기판 등의 표면을 처리하는 플라즈마 처리방식은, 크게 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 처리방식과 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 처리방식이 이용되고 있다.2. Description of the Related Art Generally, a plasma processing method for processing a surface of a semiconductor wafer, a flat panel display substrate, or the like is roughly classified into a capacitively coupled plasma (CCP) processing method and an inductively coupled plasma (ICP) have.

용량 결합형 플라즈마 처리방식은 두 개의 평행 평판형 전극 사이에 고주파 전원을 인가한 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리를 하는 방식이고, 유도 결합형 플라즈마 처리방식은 반응기 외부에 위치된 코일형 안테나에 고주파 전원을 인가하여, 무전극형(Electrodeless type)으로 반응기 내부에 플라즈마를 발생시키는 방식이다.In the capacitively coupled plasma processing method, a substrate is processed by generating a plasma while a high frequency power source is applied between two parallel plate type electrodes. In the inductively coupled plasma processing method, a coil type antenna A high-frequency power source is applied to generate a plasma inside the reactor by an electrodeless type.

이와 같은 플라즈마를 이용한 기판 처리 장비는 기판 처리 공정 진행시 기판을 고정하기 위한 정전 척을 포함한다.Such a substrate processing apparatus using plasma includes an electrostatic chuck for fixing a substrate in a substrate processing process.

정전 척(ESC; Electro Static Chuck)은 정전기력을 이용하여 기판을 수평상태로 고정시킬 수 있도록 구성된다.An electrostatic chuck (ESC) is configured to fix a substrate horizontally using an electrostatic force.

반도체소자를 제조하기 위해서 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하는 경우, 공정 챔버 내의 다양한 원인에 따라 기판을 정척 척에 흡착시키기 위한 척킹력에 영향을 미칠 수 있다. When a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning in order to manufacture a semiconductor device, influence on the chucking force for adsorbing the substrate to the chuck according to various causes in the process chamber Lt; / RTI >

그러나, 기존의 척킹 방법은 정전 척에 고정된 척킹 전압을 인가할 뿐이어서 기판의 처리공정별로 적절한 척킹력을 제어할 수 없어 기판 처리 장치의 효율을 저하시키는 문제점이 있다.However, in the conventional chucking method, only the chucking voltage fixed to the electrostatic chuck is applied, so that it is not possible to control the chucking force appropriately according to the processing process of the substrate, thereby reducing the efficiency of the substrate processing apparatus.

본 발명은 기판 처리 공정시 변화하는 척킹력을 적응적으로 제어할 수 있는 기판 척킹 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate chucking apparatus and method capable of adaptively controlling a chucking force varying during a substrate processing process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems. Other technical subjects not mentioned will be apparent to those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 장치는 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전 척; 상기 정전 척에 대한 상기 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출하는 척킹 정보 검출부; 및 상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate chucking apparatus according to an embodiment of the present invention includes: an electrostatic chuck for chucking a substrate by an electrostatic force; A chucking information detector for detecting chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck; And a controller for controlling the electrostatic chuck to adjust the chucking force according to the chucking information.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 척킹 정보에 따라 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 전압 조절부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the controller may include a voltage regulator for regulating a chucking voltage applied to the electrostatic chuck according to the chucking information.

일 실시 예에 있어서, 상기 전압 조절부는, 상기 척킹 정보가 기설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절할 수 있다.In one embodiment, the voltage regulator may adjust a chucking voltage applied to the electrostatic chuck such that the chucking information falls within a predetermined reference chucking range.

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보 검출부는, 상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 측정부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the chucking information detecting unit may include a measuring unit for measuring chucking information including at least one of state information of a plasma formed for processing the substrate and RF power for forming the plasma .

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고, 상기 전압 조절부는 상기 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절할 수 있다.In one embodiment, the chucking information further includes film quality information of the substrate, and the voltage regulator may adjust a chucking voltage applied to the electrostatic chuck to be within a reference chucking range set according to film quality information of the substrate .

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보 검출부는, 상기 정전 척으로부터 상기 기판의 저면으로 공급되어 상기 정전 척과 상기 기판 사이의 틈새를 통해 누출되는 누출 가스의 유량 정보를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 센서부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the chucking information detecting unit includes a sensor unit that measures chucking information including flow rate information of leakage gas that is supplied from the electrostatic chuck to the bottom surface of the substrate and leaked through a gap between the electrostatic chuck and the substrate .

일 실시 예에 있어서, 상기 센서부는, 상기 기판의 냉각을 위해 상기 정전 척으로 유입되는 냉각 가스의 유량을 측정하여 상기 누출 가스의 유량 정보를 측정할 수 있다.In one embodiment, the sensor unit may measure the flow rate information of the leakage gas by measuring a flow rate of the cooling gas flowing into the electrostatic chuck for cooling the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 누출 가스의 유량 정보가 기설정된 기준 누출 가스 범위의 상한보다 큰 경우 상기 정전 척의 척킹력이 증가되도록 상기 정전 척을 제어하고, 상기 누출 가스의 유량 정보가 상기 기설정된 기준 누출 가스 범위의 하한보다 작은 경우 상기 정전 척의 척킹력이 감소되도록 상기 정전 척을 제어할 수 있다.In one embodiment, the control unit controls the electrostatic chuck so that the chucking force of the electrostatic chuck is increased when the flow rate information of the leaking gas is larger than the upper limit of the preset reference leak gas range, and the flow rate information of the leaking gas is The electrostatic chuck may be controlled so that the chucking force of the electrostatic chuck is reduced when it is smaller than the lower limit of the predetermined reference leakage gas range.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 위치하고, 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전 척; 상기 공정 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 공정 챔버 내부의 가스를 여기시키는 플라즈마 생성부; 싱기 정전 척에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출하는 척킹 정보 검출부; 및 상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber; An electrostatic chuck located inside the process chamber and adsorbing the substrate by an electrostatic force; A gas supply unit for supplying gas into the process chamber; A plasma generator for exciting a gas inside the process chamber; A chucking information detector for detecting chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the chucking electrostatic chuck; And a controller for adjusting a chucking voltage applied to the electrostatic chuck so that the chucking force is adjusted according to the chucking information.

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보 검출부는, 상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 측정부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the chucking information detecting unit may include a measuring unit for measuring chucking information including at least one of state information of a plasma formed for processing the substrate and RF power for forming the plasma .

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고, 상기 전압 조절부는 상기 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절할 수 있다.In one embodiment, the chucking information further includes film quality information of the substrate, and the voltage regulator may adjust a chucking voltage applied to the electrostatic chuck to be within a reference chucking range set according to film quality information of the substrate .

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 방법은 정전기력에 의해 정전 척에 기판을 흡착하는 기판 척킹 방법에 있어서, 정전 척에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 독출하는 단계; 및 상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate chucking method for attracting a substrate to an electrostatic chuck by an electrostatic force, comprising: reading chucking information corresponding to a chucking force of a substrate with respect to an electrostatic chuck; And generating a control signal for controlling a chucking voltage applied to the electrostatic chuck such that the chucking force is adjusted according to the chucking information.

일 실시 예에 있어서, 상기 척킹 정보는, 상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment, the chucking information may comprise at least one of status information of a plasma formed for processing of the substrate and RF power for forming the plasma.

일 실시 예에 있어서, 상기 상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고, 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계는 독출된 상기 척킹 정보가 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성할 수 있다.In one embodiment, the chucking information may further include film quality information of the substrate, and the step of generating a control signal for controlling a chucking voltage applied to the electrostatic chuck may include: To generate a control signal for adjusting the chucking voltage to fall within a reference chucking range set in accordance with the control signal.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 방법은 기판 척킹 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록될 수 있다.A substrate chucking method according to an embodiment of the present invention can be recorded in a computer-readable recording medium on which a program for executing a substrate chucking method is recorded.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판 처리 공정시 변화하는 척킹력을 적응적으로 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the chucking force that is changed during the substrate processing process can be adaptively controlled.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above. Unless stated, the effects will be apparent to those skilled in the art from the description and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전 척(200)을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 장치의 예시적인 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view showing the electrostatic chuck 200 shown in Fig.
3 is an exemplary block diagram of a substrate chucking apparatus according to one embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a substrate chucking method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods for accomplishing the same will be apparent from the following detailed description of embodiments thereof taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. Although not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not. The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한 '구비한다', '갖는다' 등도 이와 동일하게 해석되어야 한다.In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. Also, 'equipped' and 'possessed' should be interpreted in the same way.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 1은 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 처리방식에 의한 기판 처리 장치를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 유도 결합형 플라즈마 처리방식(ICP : Inductively Coupled Plasma)에 의한 기판 처리 장치에도 적용될 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 illustrates a substrate processing apparatus using a capacitively coupled plasma (CCP) process. However, the present invention is not limited thereto. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus using an inductively coupled plasma (ICP) Processing apparatus.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 정전 척(200), 가스 공급부(300), 그리고 플라스마 생성부(400), 척킹 정보 검출부(500) 및 제어부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100, an electrostatic chuck 200, a gas supply unit 300, a plasma generation unit 400, (500) and a control unit (600).

공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성된다. 내부공간(101)은 기판(W)에 대한 플라스마 처리를 수행하는 공간으로 제공된다. 기판(W)에 대한 플라스마 처리는 식각 공정을 포함한다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간(101)은 소정 압력으로 감압된다. In the process chamber 100, a space 101 is formed. The inner space 101 is provided as a space for performing plasma processing on the substrate W. [ Plasma processing on the substrate W includes an etching process. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 121. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the process chamber 100 may be discharged to the outside through the exhaust line 121. Also, the internal space 101 of the process chamber 100 is reduced in pressure to a predetermined pressure by the exhaust process.

공정 챔버(100)의 내부에는 정전척(200)이 위치한다. 정전 척(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착 고정한다. An electrostatic chuck 200 is located inside the process chamber 100. The electrostatic chuck 200 sucks and fixes the substrate W using an electrostatic force.

도 2는 도 1의 정전 척을 나타내는 단면도이다. Fig. 2 is a cross-sectional view showing the electrostatic chuck of Fig. 1;

도 1 및 도 2를 참조하면, 정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 지지판(240), 그리고 절연판(270)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a lower electrode 220, a support plate 240, and an insulation plate 270.

유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210))의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 210 is located at the upper end of the electrostatic chuck 200. The dielectric plate 210 is provided as a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 210. Dielectric layer 210) has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 210. A first supply passage 211 is formed in the dielectric plate 210. The first supply passage 211 is provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of first supply passages 211 are formed to be spaced apart from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)이 매설된다. 하부 전극(220)은 제1전원(221)과 전기적으로 접속된다. 제1전원(221)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(220)과 제1전원(221) 사이에는 스위치(222)가 설치된다. 하부 전극(220)은 스위치(222)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1전원(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(222)가 온(ON) 되면, 하부 전극(220)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(220)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.The lower electrode 220 is buried in the dielectric plate 210. The lower electrode 220 is electrically connected to the first power source 221. The first power source 221 includes a DC power source. A switch 222 is provided between the lower electrode 220 and the first power source 221. The lower electrode 220 may be electrically connected to the first power source 221 by on / off of the switch 222. [ When the switch 222 is turned ON, a DC current is applied to the lower electrode 220. An electric force is applied between the lower electrode 220 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 220 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 by the electric force.

유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.A support plate 240 is disposed under the dielectric plate 210. The bottom surface of the dielectric plate 210 and the top surface of the support plate 240 may be adhered by an adhesive 236. [ The support plate 240 may be made of aluminum. The upper surface of the support plate 240 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The upper surface central region of the support plate 240 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 210. The first circulation flow path 241, the second circulation flow path 242, and the second supply flow path 243 are formed in the support plate 240.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다. 이하, 제1순환 유로(241)들이 형성된 지지판(210) 영역을 제1영역(240a)이라 한다. 제1영역(240a)은 대체로 지지판(240)의 저면에 인접하여 위치한다.The first circulation channel 241 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 241 may be formed in a spiral shape inside the support plate 240. Alternatively, the first circulation flow path 241 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 241 can communicate with each other. The first circulation flow paths 241 are formed at the same height. Hereinafter, the region of the support plate 210 on which the first circulation channels 241 are formed is referred to as a first region 240a. The first region 240a is generally located adjacent the bottom surface of the support plate 240.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)들이 형성된 지지판(240) 영역을 제2영역(240b)이라 한다. 제2영역(240b)은 제1영역(240a)의 상부에 위치하며, 제1영역(240a)보다 유전판(210)에 인접하여 위치한다.The second circulation passage 242 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 242 may be formed in a spiral shape inside the support plate 240. Alternatively, the second circulation flow path 242 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the second circulation flow paths 242 can communicate with each other. The region of the support plate 240 on which the second circulation channels 242 are formed is referred to as a second region 240b. The second region 240b is located above the first region 240a and is located adjacent to the dielectric plate 210 relative to the first region 240a.

제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다. 제2공급 유로(243)는 제2영역(240b)에서 인접한 제1순환 유로(242)들 사이 영역에 형성된다.The second supply passage 243 extends upward from the first circulation passage 241 and is provided on the upper surface of the support plate 240. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 211 and connects the first circulation passage 241 and the first supply passage 211. The second supply passage 243 is formed in a region between the adjacent first circulation passages 242 in the second region 240b.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2 공급 유로(243)를 통해 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다.The first circulation channel 241 is connected to the heat transfer medium storage unit 252 through a heat transfer medium supply line 251. The heat transfer medium storage unit 252 stores the heat transfer medium. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. Helium gas is supplied to the first circulation flow path 241 through the supply line 251 and to the bottom surface of the substrate W through the second supply flow path 243. The helium gas acts as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 200. The ion particles contained in the plasma are attracted to the electrostatic chuck 200 by the electrostatic chuck 200 and move to the electrostatic chuck 200. The ions collide with the substrate W during the movement and perform the etching process. Heat is generated in the substrate W during the collision of the ion particles with the substrate W. The heat generated in the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 200 through the helium gas supplied to the space between the bottom surface of the substrate W and the upper surface of the dielectric plate 210. Thereby, the substrate W can be maintained at the set temperature.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The second circulation flow passage 242 is connected to the cooling fluid reservoir 262 through a cooling fluid supply line 261. The cooling fluid is stored in the cooling fluid reservoir 262. A cooler 263 may be provided in the cooling fluid reservoir 262. The cooler 263 cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 263 may be installed on the cooling fluid supply line 261. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 242 through the cooling fluid supply line 261 circulates along the second circulation channel 242 to cool the support plate 240. Cooling of the support plate 240 cools the dielectric plate 210 and the substrate W together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 270 is provided under the support plate 240. The insulating plate 270 is provided in a size corresponding to the supporting plate 240. The insulating plate 270 is positioned between the support plate 240 and the bottom surface of the chamber 100. The insulating plate 270 is made of an insulating material and electrically insulates the supporting plate 240 from the chamber 100.

포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높게 위치하도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The focus ring 280 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 200. The focus ring 200 has a ring shape and is disposed along the periphery of the dielectric plate 210. The upper surface of the focus ring 280 may be stepped so that the outer side portion 280a is positioned higher than the inner side portion 280b. The upper surface inner side portion 280b of the focus ring 280 is located at the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. [ The upper side inner side portion 280b of the focus ring 280 supports the edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 210. [ The outer side portion 280a of the focus ring 280 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 280 extends the electric field forming region such that the substrate W is positioned at the center of the region where the plasma is formed. Thereby, the plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate W, so that each area of the substrate W can be uniformly etched.

가스 공급부(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급한다. 가스 공급 부(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결하며, 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 유입 포트(330)는 상부 전극(410)에 형성된 가스 공급홀(412)들과 연결되며, 가스 공급홀(412)들에 공정 가스를 공급한다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the process chamber 100. The gas supply part 300 includes a gas storage part 310, a gas supply line 320, and a gas inflow port 330. The gas supply line 320 connects the gas storage part 310 and the gas inlet port 330 and supplies the process gas stored in the gas storage part 310 to the gas inlet port 330. The gas inlet port 330 is connected to the gas supply holes 412 formed in the upper electrode 410 and supplies the process gas to the gas supply holes 412.

플라스마 생성부(400)은 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 플라스마 발생부(400)은 상부 전극(410), 가스 분배판(420), 샤워 헤드(430), 그리고 전력 공급부(440)를 포함한다.The plasma generator 400 excites the process gas staying inside the process chamber 100. The plasma generating part 400 includes an upper electrode 410, a gas distribution plate 420, a shower head 430, and a power supply part 440.

상부 전극(410)은 원판 형상으로 제공되며, 정전 척(200)의 상부에 위치한다. 상부 전극(410)은 전력 공급부(440)와 전기적으로 연결된다. 상부 전극(410)은 전력 공급부(440)에서 공급된 고주파 전력을 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스에 인가하여 공정 가스를 여기시킨다. 공정 가스는 여기되어 플라스마로 상태 변환된다. 상부 전극(410)의 중심영역에는 가스 공급홀(412)들이 형성된다. 가스 공급홀(412)들은 가스 유입 포트(330)와 연결되며, 상부 전극(410)의 하부에 위치된 버퍼 공간(415)으로 가스를 공급한다.The upper electrode 410 is provided in the shape of a disk, and is located on the upper portion of the electrostatic chuck 200. The upper electrode 410 is electrically connected to the power supply unit 440. The upper electrode 410 applies the high frequency power supplied from the power supply unit 440 to the process gas staying in the process chamber 100 to excite the process gas. The process gas is excited and transformed into a plasma. In the center region of the upper electrode 410, gas supply holes 412 are formed. The gas supply holes 412 are connected to the gas inlet port 330 and supply gas to the buffer space 415 located under the upper electrode 410.

상부 전극(410)의 하부에는 가스 분배판(420)이 위치한다. 가스 분배판(420)은 원판 형상으로 제공되며, 상부 전극(410)에 대응하는 크기를 가진다. 가스 분배판(420)의 상면은 중심영역이 가장자리영역보다 낮게 위치하도록 단차진다. 가스 분배판(420)의 상면과 상부 전극(410)의 저면은 서로 조합되어 버퍼 공간(415)을 형성한다. 버퍼 공간(415)은 가스 공급홀(412)들을 통해 공급된 가스가 공정 챔버(100) 내부 공간(101)으로 공급되기 전에 일시적으로 머무르는 공간으로 제공된다. 가스 분배판(420)의 중심영역에는 제1분배홀(421)이 형성된다. 제1분배홀(421)은 가스 분배판(420)의 상면으로부터 하면으로 제공된다. 제1분배홀(421)들은 일정 간격 이격되어 복수개 형성된다. 제1분배홀(421)들은 버퍼 공간(415)과 연결된다.A gas distribution plate 420 is positioned below the upper electrode 410. The gas distribution plate 420 is provided in a disk shape and has a size corresponding to the upper electrode 410. The upper surface of the gas distribution plate 420 is stepped so that the central region is positioned lower than the edge region. The upper surface of the gas distribution plate 420 and the lower surface of the upper electrode 410 are combined with each other to form a buffer space 415. The buffer space 415 is provided as a space for temporarily staying before the gas supplied through the gas supply holes 412 is supplied to the inner space 101 of the process chamber 100. A first distribution hole 421 is formed in a central region of the gas distribution plate 420. The first distribution hole 421 is provided from the upper surface to the lower surface of the gas distribution plate 420. The first distribution holes 421 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The first distribution holes 421 are connected to the buffer space 415.

가스 분배판(420)의 하부에는 샤워 헤드(430)가 위치한다. 샤워 헤드(430)는 원판 형상으로 제공된다. 샤워 헤드(430)에는 제2분배홀(431)들이 형성된다. 제2분배홀(431)들은 샤워 헤드(430)의 상면으로부터 하면으로 제공된다. 제2분배홀(431)들은 일정 간격 이격되어 복수개 형성된다. 제2분배홀(431)들은 제1분배홀(421)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1분배홀(421)들에 대응하여 위치된다. 제2분배홀(431)들은 각각 제1분배홀(421)과 연결된다. 버퍼공간(415)에 머무르는 공정 가스는 제1분배홀(421)들과 제2분배홀(431)들을 통해 공정 챔버(100) 내부로 균일하게 공급된다.A showerhead 430 is positioned below the gas distribution plate 420. The showerhead 430 is provided in a disc shape. The showerhead 430 has second distribution holes 431 formed therein. The second distribution holes 431 are provided from the upper surface to the lower surface of the shower head 430. The second distribution holes 431 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The second distribution holes 431 are provided corresponding to the first distribution holes 421 and are positioned corresponding to the first distribution holes 421. The second distribution holes 431 are connected to the first distribution holes 421, respectively. The process gas staying in the buffer space 415 is uniformly supplied into the process chamber 100 through the first distribution holes 421 and the second distribution holes 431. [

상기 척킹 정보 검출부(500)는 상기 정전 척(200)에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출할 수 있다.The chucking information detector 500 may detect chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck 200.

척킹 정보 검출부(500) 척킹 정보를 측정하는 측정부(540)를 포함할 수 있다. 측정부(540)는 상기 공정 챔버(100) 내에 위치하여 공정 챔버(100) 내의 플라즈마 상태 정보 또는 RF 전력의 변화량 등을 측정할 수 있다. 상기 플라즈마 상태 정보는 공정 챔버(100) 내의 이온 밀도, 유량, 포텐셜 에너지(potential energy) 등을 포함할 수 있다.The chucking information detector 500 may include a measuring unit 540 for measuring chucking information. The measuring unit 540 may be positioned within the process chamber 100 and may measure plasma state information in the process chamber 100 or a change amount of the RF power. The plasma state information may include ion density, flow rate, potential energy, and the like in the process chamber 100.

플라즈마 상태 정보는 예를 들어, 랑뮈어 프로브(langmuir probe) 또는 발광분석기(optical emission spectroscopy)에 의해 측정될 수 있으나, 그 밖의 다른 방식으로 측정될 수도 있음은 물론이다. RF 전력은 일 예로, RF 전원부(441)로부터 공급된 전력을 상부 전극(410)으로 전달하는 전력케이블에 설치된 전력 측정 센서에 의해 측정될 수 있으나, 그 밖의 다른 방식으로 측정될 수도 있음은 물론이다.The plasma state information may be measured by, for example, a langmuir probe or optical emission spectroscopy, but may be measured in other ways. As an example, the RF power may be measured by a power measurement sensor installed on a power cable that transfers power supplied from the RF power supply unit 441 to the upper electrode 410, but may be measured in other ways .

또한, 척킹 정보 검출부(500)는 상기 정전 척(200)으로부터 기판의(W) 저면으로 공급되어 상기 정전 척(200)과 상기 기판(W) 사이의 틈새를 통해 누출되는 누출 가스의 유량 정보를 측정하는 센서부(520)를 포함할 수 있다.The chucking information detection unit 500 detects the flow rate information of the leak gas that is supplied from the electrostatic chuck 200 to the bottom surface of the substrate W through the gap between the electrostatic chuck 200 and the substrate W And may include a sensor unit 520 for measuring the temperature.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 센서부(520)는 열전달 매체 공급라인(251) 또는 냉각 유체 공급라인(261)에 위치할 수 있다. 일 실시 예로서, 상기 누출 가스의 유량 정보는 일정한 압력으로 상기 공급 라인으로 공급되는 가스에 대해, 상기 공급 라인에 배치된 센서부(520)에서 가스의 유량 변화량을 측정하여 상기 누출 가스의 유량 정보를 측정할 수 있다. 예로서, 상기 가스는 기판(W)의 냉각을 위해 상기 정전 척(200)으로 인가되는 냉각 가스일 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the sensor unit 520 may be located in a heat transfer medium supply line 251 or a cooling fluid supply line 261. In one embodiment, the flow rate information of the leakage gas may be obtained by measuring a variation amount of the flow rate of the gas in the sensor unit 520 disposed in the supply line with respect to the gas supplied to the supply line at a constant pressure, Can be measured. By way of example, the gas may be a cooling gas applied to the electrostatic chuck 200 for cooling of the substrate W. [

상기 제어부(600)는 상기 척킹 정보 검출부(500)에서 검출된 기판(W)의 척킹 정보를 이용하여 척킹력이 조절되도록 정전 척(200)을 제어할 수 있다.The control unit 600 may control the electrostatic chuck 200 to adjust the chucking force using the chucking information of the substrate W detected by the chucking information detector 500.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 장치의 예시적인 블록도이다.3 is an exemplary block diagram of a substrate chucking apparatus according to one embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판 척킹 장치(1000)는 정척 척(200), 척킹 정보 검출부(500), 제어부(600) 및 직류 전원(700)을 포함할 수 있다.3, the substrate chucking apparatus 1000 may include a vertical chuck 200, a chucking information detector 500, a controller 600, and a DC power supply 700. [

상기 척킹 정보 검출부(500)는 전술한 바와 같이, 상기 정전 척(200)에 대한 상기 기판(W)의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출하기 위해 측정부(540), 센서부(520)를 포함할 수 있다. 상기 측정부(540) 및 센서부(520)는 기판의 처리 공정 진행 단계에서 실시간으로 척킹 정보를 검출할 수 있다. 이에 따라, 기판의 처리 공정에 따라 변화하는 척킹력을 감지하여, 적응적으로 척킹력을 제어할 수 있다.The chucking information detector 500 may include a measuring unit 540 and a sensor unit 520 to detect chucking information corresponding to a chucking force of the substrate W with respect to the electrostatic chuck 200, . The measurement unit 540 and the sensor unit 520 can detect chucking information in real time at the process step of processing the substrate. Accordingly, the chucking force that varies according to the processing process of the substrate can be sensed, and the chucking force can be adaptively controlled.

또한, 상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보(560)를 더 포함할 수 있다. 예로서, 상기 막질 정보는 기판(W)의 고유 유전 상수 값으로서, 기판의 처리 공정 진행 전에 획득할 수 있는 정보일 수 있다. 기판(W)의 막질 종류에 따라 척킹력이 달라질 수 있으므로, 막질 정보에 따라 상기 측정부(540) 또는 센서부(520)로부터 감지된 척킹 정보를 이용하여 기판의 척킹력을 보다 효과적으로 제어할 수 있다.Further, the chucking information may further include the film quality information 560 of the substrate. By way of example, the film quality information is the intrinsic dielectric constant value of the substrate W and may be information that can be obtained before proceeding with the processing of the substrate. The chucking force of the substrate W can be controlled more effectively by using the chucking information sensed by the measuring unit 540 or the sensor unit 520 according to the film quality information have.

상기 제어부(600)는 상기 척킹 정보에 따라 척킹력이 조절되도록 정전 척(200)을 제어할 수 있다. 일 실시 예로서, 상기 정전 척(200)에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 전압 조절부(630)를 포함할 수 있다.The control unit 600 may control the electrostatic chuck 200 to adjust the chucking force according to the chucking information. In one embodiment, the electrostatic chuck 200 may include a voltage regulator 630 for regulating a chucking voltage applied to the electrostatic chuck 200.

상기 전압 조절부(630)는 상기 척킹 정보가 기설정된 척킹 범위 내에 속하지 않는 경우, 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절할 수 있다. 일 실시 예로서, 상기 측정부(540)에서 측정된 척킹 정보가 플라즈마 상태로서 포텐셜 에너지에 대한 정보가 기판에 적절한 척킹력이 제공되는 기설정된 포텐셜 에너지 범위의 상한을 초과하는 경우, 상기 전압 조절부(630)는 상기 직류 전원으로 정전 척(200)에 더 낮은 척킹 전압이 인가되도록 조절할 수 있다. 다른 실시 예로서, 상기 센서부(520)에서 검출된 누출 가스의 유량 정보가 기설정된 기준 누출 가스 범위의 상한보다 큰 경우 상기 정전 척(200)의 척킹력이 증가되도록 상기 정전 척(200)에 더 높은 척킹 전압이 인가되도록 조절하고, 상기 누출 가스의 유량 정보가 상기 기설정된 누출 가스 범위의 하한보다 작은 경우 상기 정전 척(200)의 척킹력이 감소되도록 상기 정전 척(200)에 더 낮은 척킹 전압이 인가되도록 조절할 수 있다.The voltage regulator 630 may adjust the chucking voltage applied to the electrostatic chuck when the chucking information is not within a predetermined chucking range. In one embodiment, when the chucking information measured by the measuring unit 540 is a plasma state and the information about the potential energy exceeds an upper limit of a predetermined potential energy range at which a suitable chucking force is provided to the substrate, (630) may be adjusted to apply a lower chucking voltage to the electrostatic chuck (200) by the DC power source. In another embodiment, when the flow rate information of the leakage gas detected by the sensor unit 520 is larger than the upper limit of the predetermined reference leakage gas range, the chucking force of the electrostatic chuck 200 is increased A lower chucking voltage is applied to the electrostatic chuck 200 so that the chucking force of the electrostatic chuck 200 is reduced when the flow rate information of the leakage gas is smaller than the lower limit of the predetermined leak gas range, Voltage can be applied.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 방법을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate chucking method according to an embodiment of the present invention.

도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 척킹 방법은 척킹 정보를 독출하는 단계(S1200) 및 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계(S1400)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the substrate chucking method according to an embodiment of the present invention includes a step S1200 of reading chucking information, a step S1400 of generating a control signal for controlling a chucking voltage applied to the electrostatic chuck, . ≪ / RTI >

상기 척킹 정보를 독출하는 단계(S1200)에서 상기 척킹 정보는 정전 척(200)에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 정보로서, 기판(W)의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the step of reading the chucking information (S1200), the chucking information is information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck 200. The chucking information includes state information of a plasma formed for processing the substrate W, / RTI > and / or < RTI ID = 0.0 > RF < / RTI >

일 실시 예로서, 상기 척킹 정보는 기판의 막질 정보를 더 포함하고, 상기 플라즈마의 상태 정보 및 RF 전력 정보는 기판의 막질 정보에 따라 저장될 수 있다.In one embodiment, the chucking information further includes film quality information of the substrate, and the state information of the plasma and the RF power information may be stored according to the film quality information of the substrate.

상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계(S1400)는 상기 척킹 정보에 따라 정전 척(200)에 대한 기판의 척킹력이 조절되도록 정전 척(200)에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성할 수 있다.The step of generating a control signal for controlling the chucking voltage applied to the electrostatic chuck S1400 may include generating a control signal for controlling the chucking voltage applied to the electrostatic chuck 200 so that the chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck 200 is adjusted according to the chucking information, A control signal for adjusting the voltage can be generated.

일 실시 예로서, 상기 척킹 정보가 기설정된 기준 척킹 범위에 속하지 않은 경우 상기 척킹 정보가 상기 기준 척킹 범위에 속하도록 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성할 수 있다. 예로서, 상기 기설정된 기준 척킹 범위는 기판의 막질 정보에 따라 다르게 설정된 범위일 수 있다. In one embodiment, when the chucking information does not fall within a predetermined reference chucking range, the chucking information may generate a control signal for adjusting the chucking voltage such that the chucking information falls within the reference chucking range. For example, the predetermined reference chucking range may be a range set differently according to the film quality information of the substrate.

상기와 같은 기판 척킹 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어 어플리케이션 형태로 실행될 수 있고, 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), SDRAM(Synchronous DRAM) 등과 같은 휘발성 메모리, ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable ROM), EPROM(Electrically Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리 장치, PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM), FRAM(Ferroelectric RAM) 등과 같은 불휘발성 메모리, 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 광학적 판독 매체 예를 들어 시디롬, 디브이디 등과 같은 형태의 저장매체일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The above-described substrate chucking method may be implemented by a computer-executable program, an application form, or a computer-readable recording medium. The computer readable recording medium may be a volatile memory such as a static RAM (SRAM), a dynamic RAM (DRAM), or a synchronous DRAM (SDRAM), a read only memory (ROM), a programmable ROM (PROM), an electrically programmable ROM (EPROM) A floppy disk, a hard disk, or the like, such as an electrically erasable and programmable ROM (EEPROM), a flash memory device, a phase-change RAM (PRAM), a magnetic RAM (MRAM), a resistive RAM (RRAM) But are not limited to, optical storage media such as CD ROMs, DVDs, and the like.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It is to be understood that the above-described embodiments are provided to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it is to be understood that various modifications are possible within the scope of the present invention. It is to be understood that the technical scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims and the technical scope of protection of the present invention is not limited to the literary description of the claims, To the invention of the invention.

100: 공정 챔버
200: 정전 척
300: 가스 공급부
400: 플라즈마 생성부
500: 척킹정보 검출부
600: 제어부100: Process chamber
200: electrostatic chuck
300: gas supply part
400: plasma generating unit
500: Chucking information detector
600:

Claims (15)

정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전 척;
상기 정전 척에 대한 상기 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출하는 척킹 정보 검출부; 및
상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 척킹 장치.An electrostatic chuck for chucking a substrate by an electrostatic force;
A chucking information detector for detecting chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck; And
And a controller for controlling the electrostatic chuck so that the chucking force is adjusted in accordance with the chucking information. 제1 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 척킹 정보에 따라 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 전압 조절부를 포함하는 기판 척킹 장치.The method according to claim 1,
Wherein,
And a voltage regulator for regulating a chucking voltage applied to the electrostatic chuck according to the chucking information. 제2 항에 있어서,
상기 전압 조절부는,
상기 척킹 정보가 기설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 기판 척킹 장치.3. The method of claim 2,
The voltage regulator includes:
And adjusts a chucking voltage applied to the electrostatic chuck such that the chucking information falls within a predetermined reference chucking range. 제3 항에 있어서,
상기 척킹 정보 검출부는,
상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 측정부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the chucking information detecting unit comprises:
And a measuring unit for measuring chucking information including at least one of state information of plasma formed for processing the substrate and RF power for forming the plasma. 제4 항에 있어서,
상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고,
상기 전압 조절부는 상기 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 기판 척킹 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the chucking information further comprises film quality information of the substrate,
Wherein the voltage regulator adjusts a chucking voltage applied to the electrostatic chuck so as to fall within a reference chucking range set according to film quality information of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 척킹 정보 검출부는,
상기 정전 척으로부터 상기 기판의 저면으로 공급되어 상기 정전 척과 상기 기판 사이의 틈새를 통해 누출되는 누출 가스의 유량 정보를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 센서부를 포함하는 기판 척킹 장치.The method according to claim 1,
Wherein the chucking information detecting unit comprises:
And a sensor unit for measuring chucking information including flow rate information of leakage gas supplied from the electrostatic chuck to the bottom surface of the substrate through a gap between the electrostatic chuck and the substrate. 제6 항에 있어서,
상기 센서부는,
상기 기판의 냉각을 위해 상기 정전 척으로 유입되는 냉각 가스의 유량을 측정하여 상기 누출 가스의 유량 정보를 측정하는 기판 척킹 장치.The method according to claim 6,
The sensor unit includes:
Wherein the flow rate information of the leakage gas is measured by measuring a flow rate of the cooling gas flowing into the electrostatic chuck for cooling the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 누출 가스의 유량 정보가 기설정된 기준 누출 가스 범위의 상한보다 큰 경우 상기 정전 척의 척킹력이 증가되도록 상기 정전 척을 제어하고,
상기 누출 가스의 유량 정보가 상기 기설정된 기준 누출 가스 범위의 하한보다 작은 경우 상기 정전 척의 척킹력이 감소되도록 상기 정전 척을 제어하는 기판 척킹 장치.8. The method of claim 7,
Wherein,
Controlling the electrostatic chuck so that the chucking force of the electrostatic chuck is increased when the flow rate information of the leaking gas is greater than an upper limit of a predetermined reference leakage gas range,
And controls the electrostatic chuck so that the chucking force of the electrostatic chuck is reduced when the flow rate information of the leaking gas is smaller than the lower limit of the preset reference leak gas range. 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내부에 위치하고, 정전기력에 의해 기판을 흡착하는 정전 척;
상기 공정 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 공정 챔버 내부의 가스를 여기시키는 플라즈마 생성부;
싱기 정전 척에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 검출하는 척킹 정보 검출부; 및
상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber;
An electrostatic chuck located inside the process chamber and adsorbing the substrate by an electrostatic force;
A gas supply unit for supplying gas into the process chamber;
A plasma generator for exciting a gas inside the process chamber;
A chucking information detector for detecting chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the chucking electrostatic chuck; And
And a controller for adjusting a chucking voltage applied to the electrostatic chuck so that the chucking force is adjusted according to the chucking information. 제9 항에 있어서,
상기 척킹 정보 검출부는,
상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함하는 척킹 정보를 측정하는 측정부를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the chucking information detecting unit comprises:
And a measuring unit for measuring chucking information including at least one of state information of plasma formed for processing the substrate and RF power for forming the plasma. 제10 항에 있어서,
상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고,
상기 전압 조절부는 상기 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the chucking information further comprises film quality information of the substrate,
Wherein the voltage regulator adjusts a chucking voltage applied to the electrostatic chuck so as to fall within a reference chucking range set according to film quality information of the substrate. 정전기력에 의해 정전 척에 기판을 흡착하는 기판 척킹 방법에 있어서,
정전 척에 대한 기판의 척킹력에 상응하는 척킹 정보를 독출하는 단계; 및
상기 척킹 정보에 따라 상기 척킹력이 조절되도록 상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는 기판 척킹 방법.A substrate chucking method for attracting a substrate to an electrostatic chuck by an electrostatic force,
Reading chucking information corresponding to a chucking force of the substrate with respect to the electrostatic chuck; And
And generating a control signal for adjusting a chucking voltage applied to the electrostatic chuck so that the chucking force is adjusted in accordance with the chucking information. 제12 항에 있어서,
상기 척킹 정는,
상기 기판의 처리를 위해 형성되는 플라즈마의 상태 정보 및 상기 플라즈마의 형성을 위한 RF 전력 중 적어도 하나를 포함하는 기판 척킹 방법.13. The method of claim 12,
The chucking tab,
Wherein at least one of the state information of the plasma formed for processing the substrate and the RF power for forming the plasma is included. 제13 항에 있어서,
상기 상기 척킹 정보는 상기 기판의 막질 정보를 더 포함하고,
상기 정전 척에 인가되는 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계는 독출된 상기 척킹 정보가 기판의 막질 정보에 따라 설정된 기준 척킹 범위 내에 속하도록 상기 척킹 전압을 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 기판 척킹 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the chucking information further comprises film quality information of the substrate,
Wherein generating the control signal for adjusting the chucking voltage applied to the electrostatic chuck comprises generating a control signal for adjusting the chucking voltage so that the read chucking information falls within a reference chucking range set according to film quality information of the substrate Lt; / RTI > 제12 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 척킹 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium on which a program for executing the substrate chucking method according to any one of claims 12 to 14 is recorded.
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