KR20170020835A - Bulk acoustic wave resonator structure and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
기술분야는 체적 음향 공진기 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. The technical field relates to a volume acoustic resonator structure and a manufacturing method thereof.
체적 음향 공진기(Bulk Acoustic Wave Resonator, BAWR)는 압전층의 상하에 위치한 전극을 통해 동작된다. 체적 음향 공진기는 상하 전극에 고주파 전위가 인가되면 압전층이 진동하면서 필터로서 동작한다. 체적 음향 공진기는 음향파(Acoustic Wave) 반사 특성을 향상시키기 위해 공기 공동(Air Cavity)을 통해 기판으로부터 공중 부양된다. 주파수 대역 통과 특성을 가지는 체적 음향 공진기는 주파수 대역 범위에서 반사특성 또는 전송특성을 향상시키기 위해 다수의 공진기가 평면상에 배열되고 공통의 전극으로 공진기가 연결된다. 이때 공진기들 사이에 연결된 전극은 기판(Substrate)에 부착된 구조를 가진다. 기판에 부착된 전극에서는 전력 손실이 발생하고, 설계된 주파수 대역에서 공진기의 특성을 정확하게 구현하기 위해서는 전극에서의 전력 손실을 감소시킬 필요가 있다.A bulk acoustic wave resonator (BAWR) is operated through electrodes located above and below the piezoelectric layer. In a volume acoustic resonator, when a high frequency potential is applied to the upper and lower electrodes, the piezoelectric layer vibrates and operates as a filter. Volumetric acoustic resonators are levitated from the substrate through an air cavity to improve the acoustic wave reflection characteristics. In a bulk acoustic resonator having a frequency band pass characteristic, a plurality of resonators are arranged in a plane and a resonator is connected to a common electrode in order to improve a reflection characteristic or a transmission characteristic in a frequency band range. At this time, the electrodes connected between the resonators have a structure attached to a substrate. Power loss occurs in the electrodes attached to the substrate, and it is necessary to reduce the power loss in the electrodes in order to accurately realize the characteristics of the resonator in the designed frequency band.
일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 하면의 소정 영역에 비아홀(via)이 형성된 제1 기판, 상기 제1 기판의 상부에 형성된 제1 공기 공동 및 상기 제1 공기 공동의 상부에 적층된 제1 하부전극-압전층-상부전극을 포함하는 제1 적층 공진부, 상기 제1 기판의 상부에 형성된 제2 공기 공동 및 상기 제2 공기 공동의 상부에 적층된 제2 하부전극-압전층-상부전극을 포함하는 제2 적층 공진부; 및 하부전극 또는 상부전극을 통하여 상기 제1 적층 공진부와 상기 제2 적층 공진부를 연결하도록 형성되고, 상기 하부전극 또는 상기 상부전극의 하부에 형성된 제3 공기 공동을 포함하는 제1 전극부를 포함한다.In one aspect, a volume acoustic resonator structure includes a first substrate on which a via hole is formed in a predetermined region of a lower surface, a first air cavity formed on an upper portion of the first substrate, Piezoelectric layer and upper electrode, a second air cavity formed on the upper portion of the first substrate, and a second lower electrode-piezoelectric layer-upper electrode laminated on the upper portion of the second air cavity. A second multilayer resonator including a first resonator and a second resonator; And a first electrode portion formed to connect the first stacked resonance portion and the second stacked resonance portion via a lower electrode or an upper electrode and including a third air cavity formed at a lower portion of the lower electrode or the upper electrode .
다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 하면에 소정 영역의 공기 공동이 형성되고, 상기 제1 기판과 접합되는 제2 기판을 더 포함할 수 있다.In another aspect, the volume acoustic resonator structure may further include a second substrate on which an air cavity of a predetermined area is formed on the lower surface and which is bonded to the first substrate.
상기 제3 공기 공동은 상기 하부전극 또는 상기 상부전극과 상기 제1 기판 사이에 형성될 수 있다.The third air cavity may be formed between the lower electrode or the upper electrode and the first substrate.
상기 제3 공기 공동은 상기 하부전극 또는 상기 상부전극의 하부에 형성되는 비아홀(via hole)에 의하여 생성되고, 상기 비아홀은 상기 제1 기판을 관통할 수 있다.The third air cavity may be formed by a via hole formed under the lower electrode or the upper electrode, and the via hole may pass through the first substrate.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 상기 제1 적층 공진부 및 상기 제2 적층 공진부는 상기 상부전극 또는 상기 하부전극을 통하여 상기 제1 기판의 비아홀에 적층된 전극과 연결되고, 상기 비아홀에 적층된 전극과 연결된 상기 상부전극 또는 상기 하부전극의 하면에 제4 공기 공동이 형성된 제2 전극부를 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, in the volume acoustic resonator structure, the first laminated resonator and the second laminated resonator are connected to the electrode stacked on the via hole of the first substrate through the upper electrode or the lower electrode, And a second electrode portion having a fourth air cavity formed on a lower surface of the upper electrode or the lower electrode connected to the electrodes stacked on the lower electrode.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 상기 제1 기판의 하부 및 상기 비아홀에 외부 소자와 연결되는 전극이 적층되고, 상기 제1 기판의 하부에 적층된 상기 전극에 부착된 솔더 볼을 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a bulk acoustic resonator structure includes: a lower portion of the first substrate and an electrode connected to an external device on the via hole; and a solder ball attached to the electrode stacked on the lower portion of the first substrate .
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 상기 제1 기판의 비아홀은 도전성 물질로 충진되고, 상기 도전성 물질로 충진된 면 하부에 부착된 솔더 볼을 더 포함할 수 있다.In another aspect, the volume acoustic resonator structure may further include a solder ball filled in the via hole of the first substrate with a conductive material and attached to a lower portion of the surface filled with the conductive material.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 구조는 상기 제1 기판의 하부 및 상기 비아홀에 외부 소자와 연결되는 전극이 적층되고, 상기 비아홀 내부 및 상기 제1 기판 하부의 소정 영역에 적층된 전극 하부에 형성된 솔더 범프를 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a bulk acoustic resonator structure includes a first substrate and an electrode connected to an external device at a lower portion of the first substrate and at the lower portion of the electrode stacked in a predetermined region below the first substrate, And may further include a solder bump formed thereon.
상기 제3 공기 공동은 고 유전 상수 물질로 충진 될 수 있다.The third air cavity can be filled with a high dielectric constant material.
일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기를 이용한 듀플렉서는 송신단자로 입력되는 신호를 안테나를 통해 송신하기 위한 제1 필터, 상기 안테나를 통해 수신되는 신호가 수신단자로 입력되도록 하는 제2 필터 및 상기 안테나와 상기 제2 필터 사이에 형성되고 송수신되는 신호의 위상을 변화시켜 상기 제1 필터와 상기 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지하는 위상변화부를 포함하되, 상기 제1 및 제2 필터는 서로 다른 소정의 공진 주파수에서 동작되고, 공기 공동을 가지는 복수개의 적층 공진부로 구현되며, 전극을 통하여 상기 복수개의 적층 공진부를 연결하도록 형성되고, 상기 전극의 하부에 형성된 공기 공동을 포함하는 전극부를 포함한다.In one aspect, a duplexer using a bulk acoustic resonator includes a first filter for transmitting a signal input to a transmission terminal through an antenna, a second filter for inputting a signal received through the antenna to a reception terminal, And a phase changing unit formed between the first and second filters and changing a phase of a signal transmitted and received to prevent interference of signals in the first filter and the second filter, And an electrode unit that is operated at a resonance frequency and is implemented as a plurality of laminated resonator units having air cavities and formed to connect the plurality of laminated resonator units through electrodes and includes an air cavity formed at a lower portion of the electrodes.
일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 제1 기판의 상부에 실리콘산화막, 실리콘질화막, 희생층을 순서대로 적층하는 단계, 제1 체적 음향 공진기, 제2 체적 음향 공진기 및 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 전극의 하부에 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 상기 희생층을 패터닝하는 단계, 상기 패터닝 된 희생층 상부에 실리콘산화막, 신리콘질화막, 제1 도전층을 순서대로 적층하는 단계, 상기 제1 도전층에 하부 전극을 패터닝하는 단계, 상기 하부 전극 상부에 압전층 및 제2 도전층을 순서대로 적층하는 단계, 상기 제2 도전층에 상부 전극을 패터닝하는 단계, 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부에 패터닝 된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성하는 단계 및 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 외부 소자와 연결되도록, 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 상기 제1 기판의 내부에 비아홀을 생성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a bulk acoustic resonator, comprising: sequentially laminating a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a sacrificial layer on an upper surface of a first substrate; laminating a first volume acoustic resonator, a second volume acoustic resonator, Patterning the sacrificial layer in conformity with the shape of the air cavity to be formed in the lower part of the electrode connecting the second volume acoustic resonator, forming a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, and a first conductive layer on the patterned sacrificial layer Layering a lower electrode on the first conductive layer, depositing a piezoelectric layer and a second conductive layer on the lower electrode in this order, patterning the upper electrode on the second conductive layer, Wherein the sacrificial layer patterned on the lower portion of the electrode connecting the first and second volume acoustic resonators is removed to form an air cavity And forming a via hole in the first substrate by etching a lower surface of the first substrate so as to be connected to an external device under the lower electrode or the upper electrode.
다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 제2 기판의 하면에 소정 영역의 공기 공동을 형성하고, 상기 제1 기판과 금속으로 접합하는 단계를 더 포함할 수 있다.In another aspect, the method of manufacturing a bulk acoustic resonator may further include forming an air cavity in a predetermined area on a lower surface of a second substrate, and joining the air cavity with the first substrate.
상기 공기 공동은 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부와 대응하는 위치에 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 비아홀을 생성함으로써 형성될 수 있다.The air cavity may be formed by etching a lower surface of the first substrate at a position corresponding to a lower portion of the electrode connecting the first and second volume acoustic resonators to each other to form a via hole.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 생성된 비아홀 하부에 절연층 및 도전층을 증착하는 단계 및 상기 도전층을 패터닝하여 전극 패드를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a bulk acoustic resonator, comprising: depositing an insulating layer and a conductive layer under a via hole formed in a lower portion of the lower electrode or the upper electrode; and patterning the conductive layer to form an electrode pad As shown in FIG.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 상기 전극 패드 하부에 플럭스(Flux)를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.In another aspect, the method of manufacturing a bulk acoustic resonator may further include a step of applying a flux to a lower portion of the electrode pad.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 상기 전극 패드 하부에 솔더 범프 또는 솔더 볼을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In another aspect, a method of manufacturing a bulk acoustic resonator may further include the step of creating a solder bump or a solder ball under the electrode pad.
또 다른 일 측면에 있어서, 체적 음향 공진기 제조 방법은 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 생성된 비아홀 내부를 도전성 물질로 충진하는 단계, 상기 도전성 물질로 충진된 면 하부에 솔더 범프 또는 솔더 볼을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a bulk acoustic resonator, comprising: filling a via hole formed in a lower portion of the lower electrode or the upper electrode with a conductive material; forming a solder bump or a solder ball on the lower surface of the conductive material- And a step of generating the generated data.
상기 도전성 물질로 충진하는 단계는 전해도금, 무전해도금, 솔더 페이스트 충진 중 어느 하나를 이용하여 충진할 수 있다.The filling with the conductive material may be performed using any one of electrolytic plating, electroless plating, and solder paste filling.
상기 희생층을 패터닝 하는 단계는 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 비아홀을 연결하는 전극의 하부에 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 희생층을 패터닝하고, 상기 공기 공동을 생성하는 단계는 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 비아홀을 연결하는 전극의 하부에 패터닝된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성할 수 있다.Wherein patterning the sacrificial layer comprises patterning a sacrificial layer to conform to the shape of the air cavity to be created in the lower portion of the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the via hole, The sacrificial layer patterned under the electrode connecting the acoustic resonator and the via hole may be removed to create an air cavity.
상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부에 패터닝 된 상기 희생층을 제거하여 생성된 공기 공동은 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부와 대응하는 위치에 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 비아홀을 생성함으로써 형성될 수 있다.Wherein the air cavity formed by removing the sacrificial layer patterned on the lower portion of the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the second volume acoustic resonator forms an air cavity between the first volume acoustic resonator and the second volume acoustic resonator And etching a lower surface of the first substrate at a position corresponding to a lower portion of the electrode to form a via hole.
공진기를 연결하는 전극 하부에 공기 공동이 형성된 체적 음향 공진기 구조를 이용함으로써 전극을 통하여 손실되는 전력을 감소시킬 수 있다.The power loss through the electrode can be reduced by using a volume acoustic resonator structure in which an air cavity is formed below the electrode connecting the resonator.
또한, 공진기를 연결하는 전극 하부에 공기 공동이 형성된 체적 음향 공진기 구조를 이용함으로써 전력 손실 감소를 위해 사용되는 고가의 고저항 웨이퍼를 일반 웨이퍼로 대체할수 있고, 따라서 RF 필터 제조비용을 감소시킬 수 있다.In addition, by using a volume acoustic resonator structure in which an air cavity is formed under the electrode connecting the resonator, an expensive high-resistance wafer used for power loss reduction can be replaced with a general wafer, thereby reducing the manufacturing cost of the RF filter .
또한, 공진기를 연결하는 전극 하면에 공기 공동이 형성된 체적 음향 공진기 구조를 이용함으로써 전극을 통해 유실되는 전력을 감소시킬 수 있어서 공진기의 구동 전력을 낮출 수 있다.In addition, by using a volume acoustic resonator structure in which an air cavity is formed on the lower surface of the electrode connecting the resonator, power to be lost through the electrode can be reduced, and the driving power of the resonator can be lowered.
또한, 기판 하면에 형성된 비아홀 및 상기 비아홀에 직접 형성된 솔더 볼을 이용함으로써 공진기의 구동 전력 손실을 감소시킬 수 있다.Further, by using a via hole formed on the bottom surface of the substrate and a solder ball formed directly on the via hole, the loss of driving power of the resonator can be reduced.
또한, 공정 단계의 추가 없이 현재 공진기의 제작과 동일한 과정 및 비용으로 전극 하부에 공기 공동을 형성할 수 있다.In addition, an air cavity can be formed at the bottom of the electrode at the same process and cost as the current resonator without additional process steps.
또한, 공진 주파수, 대역폭 및 성능 계수와 같은 기존의 공진기 특성을 변형시키지 않으면서 공기 공동을 추가할 수 있다.In addition, air cavities can be added without altering existing resonator characteristics such as resonance frequency, bandwidth, and performance factor.
도 1은 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 또 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 또 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 5는 일실시예에 따른 솔더 볼이 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 다른 일실시예에 따른 솔더 볼이 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.
도 7은 다른 일실시예에 따른 솔더 범프가 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to an embodiment.
2 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
3 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
4 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
5 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder ball according to an embodiment.
6 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder ball according to another embodiment.
7 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder bump according to another embodiment.
이하, 일측에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments according to one aspect will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
일실시예에 따른 체적 음향 공진기(Bulk Acoustic Wave Resonator, BAWR)는 무선통신기기에 사용되는 필터, 송신기, 수신기 또는 듀플렉서로써 무선데이터의 입출력에 이용될 수 있다. 무선 통신기기의 종류와 용도가 다양해지고 있으며, 유선기기의 무선화도 빠른 속도로 진행되고 있으므로 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 이용분야가 확대되고 있다.A bulk acoustic wave resonator (BAWR) according to one embodiment can be used for inputting and outputting wireless data as a filter, a transmitter, a receiver, or a duplexer used in a wireless communication device. Various types and applications of wireless communication devices have been diversified and wireless communication of wire devices has also been proceeding at a high speed, and thus the field of use of the volume acoustic resonator according to one embodiment is expanding.
*체적 음향 공진기는 공진 현상을 이용하여 특정 주파수의 파(Wave) 또는 진동을 끌어내기 위한 장치로써, 필터 및 발진기(Oscillator)와 같은 RF 장치의 부품으로 이용된다. * A volume acoustic resonator is a device for extracting waves or vibrations of a specific frequency by using a resonance phenomenon, and is used as a component of an RF device such as a filter and an oscillator.
일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 설명하는 과정에서 제1 적층 공진부는 제1 체적 음향 공진기를 포함할 수 있고, 제2 적층 공진부는 제2 체적 음향 공진기를 포함할 수 있다.In the process of describing the laminated structure of the bulk acoustic resonator according to an embodiment, the first laminated resonator may include a first volume acoustic resonator, and the second laminated resonator may include a second volume acoustic resonator.
도 1은 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조는 제1 기판(110), 제1 적층 공진부(120), 제2 적층 공진부(130), 제1 전극부(140)를 포함한다. 1, a laminated structure of a bulk acoustic resonator according to an embodiment includes a
제1 기판(110)은 하면의 소정 영역에 형성된 비아홀(via)(113)을 포함한다. 비아홀(113)은 제1 기판(110)을 관통하는 구조로 형성되며, 제1 기판(110) 상부에 적층된 전극(123 또는 127)을 외부와 연결한다. 보다 구체적으로, 전극(123 또는 127)은 비아홀(1130)에 생성된 전극 패드(117)를 통하여 외부와 연결된다. 제1 기판(110)은 실리콘 기판(111)일 수 있다. 비아홀(113)에는 전극 패드(117)의 소정 영역만을 노출시키기 위해 절연물질로 절연층(115)이 형성될 수 있다.The
*제1 적층 공진부(120)는 제1 기판(110)의 상부에 형성된 제1 공기 공동(121) 및 제1 공기 공동(121) 상부에 적층된 제1 하부전극-압전층-상부전극을 포함한다. 여기서, “하부전극-압전층-상부전극”은 제1 공기 공동(121)의 상부에, 하부전극(123), 압전층(125), 상부전극(127)의 순서로 적층된 구조를 의미한다. 제1 적층 공진부(120)는 제1 공기 공동(121)이 형성될 희생층, 제1 공기 공동(121)을 지지할 수 있는 멤브레인 지지층(122), 하부전극(123), 압전층(125), 상부전극(127) 및 전극을 절연물질로 보호하는 보호층(129)을 포함할 수 있다. The first laminated
또한, 제1 적층 공진부(120)는 비아홀(113)을 통하여 외부와 연결될 수 있다. 이때, 제1 적층 공진부(120)는 하부전극(123) 또는 상부전극(127)이 비아홀(113)의 전극 패드(117)와 연결됨으로써, 외부와 연결될 수 있다. 또한, 제1 적층 공진부(120)는 제2 적층 공진부(130)와 제1 전극부(140)를 통하여 연결된다. The first
제2 적층 공진부(130)는 제1 기판(110)의 상부에 형성된 제2 공기 공동(131) 및 제2 공기 공동(131) 상부에 적층된 제2 하부전극-압전층-상부전극을 포함한다. 제2 적층 공진부(130)는 제1 적층 공진부(120)와 마찬가지로 제2 공기 공동(131)이 형성될 희생층, 제2 공기 공동(131)을 지지할 수 있는 멤브레인 지지층, 하부전극, 압전층, 상부전극 및 전극을 절연물질로 보호하는 보호층을 포함할 수 있다. 제1 적층 공진부(120)에 포함되는 제1 하부전극-압전층-상부전극과 제2 적층 공진부(130)에 포함되는 제2 하부전극-압전층-상부전극은 동일한 공정과정에서 생성되지만, 패터닝 및 식각 정도에 따라 서로 다른 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 하부전극-압전층-상부전극과 제2 하부전극-압전층-상부전극은 동일한 공정과정에서 생성되지만 서로 다른 기능을 수행할 수 있다. 형상에는 길이, 두께 등이 포함될 수 있다.The second stacked
제1 전극부(140)는 하부전극(123) 또는 상부전극(127)을 통하여 제1 적층 공진부(120)와 제2 적층 공진부(130)를 연결하도록 형성되고, 제1 전극부(140)는 하부전극(123) 또는 상부전극(127)의 하부에 형성된 제3 공기 공동(141)을 포함한다. 제1 전극부(140)는 제3 공기 공동(141)이 형성될 희생층, 제3 공기 공동(141)을 지지할 수 있는 멤브레인 지지층(122), 하부전극(123) 또는 상부전극(127), 압전층(125) 및 보호층(129)을 포함할 수 있다. 제3 공기 공동(141)은 제1 적층 공진부(120)와 제2 적층 공진부(130)가 서로 격리될 수 있을 만큼의 영역만큼 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극부(140)와 제1 기판(110)의 접촉 면적을 최소화하되, 제1 적층 공진부(120) 및 제2 적층 공진부(130)와 격리될 만큼의 접촉 면적은 요구된다. 제3 공기 공동(141)을 통하여 제1 전극부(140)와 제1 기판(110)의 접촉 면적을 최소화함으로써, 전극을 통해 유실되는 전력을 줄일 수 있고, 공진기의 구동 전력을 낮출 수 있다. 또한, 제1 적층 공진부(120), 제2 적층 공진부(130) 및 제1 전극부(140)에서 형성되는 공기 공동(121,131,141)은 동일한 공정 순서에서 희생층을 제거하여 생성할 수 있으므로, 공정 단계의 추가 없이 기존 공진기 제작과 동일한 과정과 비용으로 제3 공기 공동(141)을 형성할 수 있다.The
제1 전극부(140)는 하부전극(123) 또는 상부전극(127)과 제1 기판(110) 사이에 형성되는 제3 공기 공동(141)을 포함할 수 있다. 제3 공기 공동(141)은 고 유전 상수 물질로 충진될 수 있다. 고 유전 상수 물질에는 공기, 불활성 가스, 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 폴리실리콘, 폴리머 등이 포함될 수 있다.The
일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조는 제2 기판(150)을 더 포함할 수 있다. 제2 기판(150)은 하면에 소정 영역의 공기 공동(151)이 형성되고, 제1 기판(110)과 접합된다. 제2 기판(150)은 접합 금속(153)을 이용하여 제1 기판(110)과 접합될 수 있다. 또한, 제2 기판(150)은 접합 물질(153)로 폴리머를 이용하여 제1 기판(110)과 접합될 수 있다. 또한, 제1 기판(110)과 제2 기판(150)은 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 전압을 인가하여 애노딕 (Anodic) 본딩 방법을 통하여 접합될 수 있다.The laminated structure of the bulk acoustic resonator according to an embodiment may further include a
일실시예에 따른 체적 음향 공진기 제조 방법은 제1 기판(110)의 상부에 실리콘산화막, 실리콘질화막, 희생층을 순서대로 적층한다. 실리콘산화막과 실리콘질화막은 에칭으로부터 기판을 보호하는 용도로 사용된다. 따라서, 반도체 또는 소자를 적층하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 제조 공정과 기술에 따라 충분히 유추 가능한 경우에 대해서 에칭으로부터 기판을 보호하는 다른 물질로 대체하거나 생략이 가능하다. 희생층에 사용되는 희생물질은 폴리실리콘 및 폴리머를 포함할 수 있다. 제1 체적 음향 공진기(120), 제2 체적 음향 공진기(130) 및 제1 체적 음향 공진기(120)와 제2 체적 음향 공진기(130)를 연결하는 전극(140)의 하부에 생성될 공기 공동(121,131,141)의 형상에 맞게 상기 희생층을 패터닝한다. 공기 공동(121,131)의 형상은 체적 음향 공진기의 특성에 맞게 설정되고, 공기 공동(141)의 형상은 제1 체적 음향 공진기와 제2 체적 음향 공진기를 격리(isolation)시키는데 필요한 형상으로 설정될 수 있다. 상기 패터닝 된 희생층 상부에 실리콘산화막, 신리콘질화막, 제1 도전층을 순서대로 적층한다. 상기 제1 도전층에 하부 전극(123)을 패터닝한다. 하부 전극(123) 상부에 압전층(125) 및 제2 도전층을 순서대로 적층한다. 상기 제2 도전층에 상부 전극(127)을 패터닝한다. 제1 체적 음향 공진기(120)와 제2 체적 음향 공진기(130)를 연결하는 전극(140)의 하부에 패터닝 된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동(141)을 생성한다. 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 사용되는 도전물질은 금, 몰리데늄, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등을 포함할 수 있다. 또한, 압전층(125)에 사용되는 압전물질은 산화아연(ZnO), 질화알루미늄(AlN), 쿼츠(Quartz) 등을 포함할 수 있다. 하부 전극(123) 또는 상부 전극(127)의 하부에 외부 소자와 연결되도록, 제1 기판(110)의 하면을 식각하여 제1 기판(110)의 내부에 비아홀(113)을 생성한다. 비아홀(113)은 제1 기판(110)이 실리콘 재질인 경우에, 실리콘의 결정방향을 이용한 습식 에칭으로 생성될 수 있다. 이때, 에칭면은 실리콘 결정방향에 의해 경사를 가진다. 또한, 비아홀(113)은 결정방향이 습식 에칭과 부합되지 않거나 기판 재질이 실리콘 이외인 경우에는 건식 에칭으로 생성될 수 있다.In the method of manufacturing a bulk acoustic resonator according to an embodiment, a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a sacrifice layer are sequentially stacked on the
또한, 일실시예에 따른 체적 음향 공진기 제조 방법은 제2 기판(150)의 하면에 소정 영역의 공기 공동(151)을 형성하고, 제1 기판(110)과 금속(153)으로 접합할 수 있다. 제2 기판(150)의 하면에 형성된 공기 공동(151)은 제1 기판(110)에 형성된 체적 음향 공진기(120,130)를 수용할 수 있다.In the method of manufacturing a bulk acoustic resonator according to an embodiment of the present invention, an
또한, 일실시예에 따른 체적 음향 공진기 제조 방법은 하부 전극(123) 또는 상부 전극(127)의 하부에 생성된 비아홀(113) 하부에 절연층(115) 및 도전층을 증착한다. 상기 도전층을 패터닝하여 전극 패드(117)를 생성한다.The method for fabricating a bulk acoustic resonator according to an embodiment of the present invention includes depositing an insulating
또한, 일실시예에 따른 체적 음향 공진기 제조 방법은 전극 패드(117) 하부에 플럭스(Flux)를 도포할 수 있다. 플럭스는 솔더 볼을 전극 패드(117)에 부착하는 전처리 과정에서 사용될 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a bulk acoustic resonator according to an embodiment, a flux can be applied to the lower portion of the
도 2는 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
도 2에 도시된 예는, 도 1의 체적 음향 공진기 적층 구조에 제2 전극부(210,220)가 추가된 구조이다. The example shown in FIG. 2 is a structure in which the
제2 전극부(210)는 제1 적층 공진부(120)와 비아홀(113)을 연결하는 전극을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 제1 적층 공진부(120)의 하부전극(123) 또는 상부전극(127)은 비아홀(113)의 전극 패드(117)와 연결된다. 제1 전극부(140)와 마찬가지로 제2 전극부(210)와 제1 기판(110)의 접촉 면적이 커지면, 전력 손실량이 커진다. 따라서, 제2 전극부(210)는 제4 공기 공동을 포함함으로써, 상기 전력 손실량을 줄일 수 있다. 제2 전극부(210)에 제4 공기 공동을 형성하는 방법은 제1, 2, 3 공기 공동(121,131,141)의 형성 방법과 동일하며, 동일한 공정 단계에서 형성될 수 있으므로 추가 비용이 들지 않는다. 제2 전극부(210)는 제2 전극부(210)와 제1 기판(110)의 접촉 면적이 필수적으로 요구되는 접촉 면적보다 큰 경우에 제4 공기 공동을 포함할 수 있다. 필수적으로 요구되는 접촉 면적보다 작은 경우에는 전극으로써의 기능을 수행할 수 없기 때문이다.The
제2 전극부(220)는 제2 적층 공진부(130)와 비아홀을 연결하는 전극을 포함할 수 있다. 제2 전극부(220)는 제2 전극부(210)의 경우와 마찬가지로, 제1 기판(110)과의 접촉 면적을 최소화하기 위해 공기 공동을 포함할 수 있다.The
제2 전극부(210)에 공기 공동을 형성하는 방법은 제1 체적 음향 공진기(120)와 비아홀(113)을 연결하는 전극의 하부에, 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 희생층을 패터닝한다. 제1 체적 음향 공진기(120)와 비아홀(113)을 연결하는 전극의 하부에 패터닝된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성할 수 있다. 제2 전극부(220)에 공기 공동을 형성하는 방법은 제2 체적 음향 공진기(130)와 비아홀을 연결하는 전극의 하부에, 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 희생층을 패터닝한다. 제2 체적 음향 공진기(130)와 비아홀을 연결하는 전극의 하부에 패터닝된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성할 수 있다.The method of forming the air cavity in the
도 3은 또 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
도 3에 도시된 체적 음향 공진기의 적층 구조는 도 1의 체적 음향 공진기 적층 구조에서 제3 공기 공동(141)이 비아홀(310)로 대체된 경우이다.The laminated structure of the volume acoustic resonator shown in Fig. 3 is the case where the
제1 전극부(140)는 제1 기판(110)과의 접촉 면적을 최소화 하기 위해 제3 공기 공동(141)을 포함한다. 이때, 제3 공기 공동(141)은 제1 적층 공진부(120)와 제2 적층 공진부(130)를 연결하는, 하부전극(123) 또는 상부전극(127)과 제1 기판(110) 사이에 희생층을 제거하여 형성될 수 있다. 또한, 제3 공기 공동은 희생층을 사용하지 않고, 제1 적층 공진부(120)와 제2 적층 공진부(130)를 연결하는, 하부전극(123) 또는 상부전극(127)의 하부에 위치한 제1 기판(110)에 비아홀(310)을 형성함으로써, 생성될 수 있다. 제1 전극부(140) 하부에 비아홀(310)이 형성됨으로써, 전극과 실리콘 기판의 접촉 면적이 작아지므로 제3 공기 공동이 형성되는 것과 동일한 효과를 가져온다. 비아홀(310)은 제1 기판(110)의 반대면으로부터 식각하여 제1 기판(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 또한, 비아홀(310) 및 비아홀(113)은 동일한 공정 과정을 통해 형성될 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다.The
도 4는 또 다른 일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator according to another embodiment.
도 4에 도시된 예는, 도 3의 체적 음향 공진기 적층 구조에 제2 전극부(410,420)가 추가된 경우이다.The example shown in FIG. 4 is a case where the
제2 전극부(410)는 제1 적층 공진부(120)와 비아홀(113)을 연결하는 전극을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 제1 적층 공진부(120)의 하부전극(123) 또는 상부전극(127)은 비아홀(113)의 전극 패드(117)와 연결된다. 제2 전극부(210)와 제1 기판(110)의 접촉 면적이 커지면, 전력 손실량이 커진다. 따라서, 제2 전극부(410)에 공기 공동을 형성함으로써, 상기 전력 손실량을 줄일 수 있다. 제2 전극부(410)에 공기 공동을 형성하는 방법은 제1, 2, 3 공기 공동(121,131,141)의 형성 방법과 동일하며, 동일한 공정 단계에서 형성될 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다. 제2 전극부(410)는 제2 전극부(410)와 제1 기판(110)의 접촉 면적이 필수적으로 요구되는 접촉 면적보다 큰 경우에 공기 공동을 포함할 수 있다. The
제2 전극부(420)는 제2 적층 공진부(130)와 비아홀을 연결하는 전극을 포함할 수 있다. 제2 전극부(420)는 제2 전극부(410)와 마찬가지로, 제1 기판(110)과의 접촉 면적을 최소화하기 위해 공기 공동을 포함할 수 있다.The
제1 전극부(140)의 공기 공동은 제1 체적 음향 공진기(120)와 제2 체적 음향 공진기(130)를 연결하는, 하부전극(123) 또는 상부전극(127)의 하부와 대응하는 위치에 제1 기판(110)의 하면을 식각하여 비아홀(430)을 생성함으로써, 형성될 수 있다. 비아홀(430) 및 비아홀(113)은 동일한 공정 과정을 통해 형성될 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다.The air cavity of the
도 5는 일실시예에 따른 솔더 볼이 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.5 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder ball according to an embodiment.
도 5에 도시된 예는, 도 1의 체적 음향 공진기 적층 구조에 솔더 볼(510,520)이 추가된 경우이다. 솔더 볼은 체적 음향 공진기의 전극을 외부와 연결한다. 보다 구체적으로, 제1 체적 음향 공진기(120)의 하부전극(123)은 비아홀(113)의 전극 패드(117)와 연결된다. 전극 패드(117)에 솔더 볼(510)을 형성하여 외부 소자와 접합됨으로써 하부전극(123)은 외부와 연결된다.The example shown in Fig. 5 is the case where
제1 기판(110) 하부 및 비아홀(113)에 도전층 및 절연층이 적층되고, 패터닝된 후, 소정 영역의 도전층만 노출된다. 상기 노출된 도전층을 전극 또는 전극 패드라고 할 수 있다. 솔더 볼(510,520) 또는 솔더 범프는 상기 전극 하부에 부착될 수 있다. A conductive layer and an insulating layer are stacked on the lower portion of the
또한, 제1 기판(110) 하부에 적층된 복수개의 전극을 제1 기판(110)의 중심 방향에 위치시킬 수 있다. 상기 복수개의 전극 위치를 제1 기판(110)의 중심 방향에서 서로 접촉되지 않도록 재배열함으로써 복수개의 솔더 볼을 부착 할 수 있다. 복수개의 전극 위치를 재배열함으로써, 제1 기판(110)의 크기를 증가시키지 않고 복수개의 솔더 볼을 부착할 수 있다.In addition, a plurality of electrodes stacked on the lower surface of the
*도 6은 다른 일실시예에 따른 솔더 볼이 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.6 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder ball according to another embodiment.
도 6에 도시된 예는, 도 1의 체적 음향 공진기 적층 구조에서 비아홀 내부를 도전성 물질(610,630)로 충진하고, 솔더 볼(620,640)이 부착된 경우이다. The example shown in Fig. 6 is a case in which the inside of the via hole is filled with the
일실시예에 따른 솔더 볼이 포함된 체적 음향 공진기 제조 방법은 제1 기판의 비아홀 내부를 도전성 물질(610,630)로 충진하고, 표면을 평탄화 한 후, 절연층으로 패터닝 한다. 도전성 물질(610,630)로 충진된 면에서 절연층으로 패터닝 되어 노출된 부분에 솔더 볼(620,640) 또는 솔더 범프를 부착한다. 솔더 볼(620,640)은 도전성 물질(610,630)로 충진된 면 하부에 생성된다. 도전성 물질로 충진하는 과정은 전해도금, 무전해도금, 솔더 페이스트 충진 중 어느 하나를 이용하여 충진할 수 있다.In the method of manufacturing a bulk acoustic resonator including the solder ball according to an embodiment, the via holes of the first substrate are filled with the
비아홀 내부에 도전성 물질(610,630)을 충진함으로써 체적 음향 공진기의 전극과 외부 전극 사이의 길이를 최소화할 수 있다. 또한, 도전성 물질(610,630)을 이용함으로써 전기적 저항이 낮아지는 효과가 발생한다.The length between the electrodes of the volume acoustic resonator and the external electrodes can be minimized by filling the
도 7은 다른 일실시예에 따른 솔더 범프가 포함된 체적 음향 공진기의 적층 구조를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a laminated structure of a volume acoustic resonator including a solder bump according to another embodiment.
도 7에 도시된 예는, 도 1의 체적 음향 공진기 적층 구조에서 비아홀 내부 및 제1 기판 하부의 소정 영역이 솔더 범프로 적층된 경우이다.The example shown in Fig. 7 is a case in which a predetermined region of the inside of the via-hole and the bottom of the first substrate is laminated with solder bumps in the bulk acoustic resonator lamination structure of Fig.
일실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조 방법은 제1 기판의 하부 및 비아홀에 외부 소자와 연결되는 전극을 적층한다. 적층된 전극 하부에 절연층이 아닌 솔더 볼을 부착한다. 부착된 솔더 볼을 가열함으로써 솔더 볼이 리플로우(reflow)되어 비아홀 내부 및 제1 기판 하부의 소정 영역에 적층된다. 제1 기판 하부의 소정 영역은 솔더 볼을 리플로우 시키는 과정에서 가열 조건을 변화시켜 결정될 수 있다. 솔더 볼이 가열되어 리플로우 된 것을 솔더 범프라고 할 수 있다. 전극 하부에 솔더 범프가 바로 부착됨으로써 체적 음향 공진기의 전극과 외부 전극 사이의 길이를 최소화할 수 있다. 또한, 도전성 물질을 충진할 필요없이 솔더 범프를 이용함으로써 공정이 단순해진다.A method of manufacturing a bulk acoustic resonator according to an embodiment includes depositing an electrode connected to an external device on a lower portion of a first substrate and a via hole. Solder balls are attached to the bottom of the stacked electrodes rather than the insulating layer. The solder balls are reflowed by heating the attached solder balls to be laminated in the via holes and in a predetermined region under the first substrate. The predetermined region under the first substrate can be determined by changing the heating condition in the process of reflowing the solder ball. The solder ball is heated and reflowed to the solder bump. The solder bump is directly attached to the bottom of the electrode, so that the length between the electrode and the external electrode of the volume acoustic resonator can be minimized. In addition, the process is simplified by using a solder bump without the need to fill a conductive material.
일실시예에 따른 체적 음향 공진기를 이용한 듀플렉서는 제1 필터, 제2 필터 및 위상변화부를 포함한다. 제1 필터는 송신단자로 입력되는 신호를 안테나를 통해 송신한다. 이때, 제1 필터는 공기 공동, 하부전극, 압전층 및 상부전극으로 구성된 적층 공진부로 구현될 수 있다. 제2 필터는 안테나를 통해 수신되는 신호를 특정 주파수에서 필터링하여 수신단자로 입력되도록 한다. 제2 필터도 공기 공동, 하부전극, 압전층 및 상부전극으로 구성된 적층 공진부로 구현될 수 있다. 압전층의 두께를 다르게 하여 제1 필터 및 제2 필터의 공진 주파수를 서로 다르게 할 수 있다. 또한, 전극부는 전극을 통하여 제1 필터 및 제2 필터를 연결하도록 형성되고, 상기 전극의 하부에 형성된 공기 공동을 포함할 수 있다. 제1 필터 및 제2 필터는 적층 공진부로 구현될 수 있으므로 전극부는 전극을 통하여 복수개의 적층 공진부를 연결하도록 형성될 수 있다. 전극의 하부에 공기 공동이 형성됨으로써 전극과 디바이스 기판의 접촉 면적이 감소한다. 접촉 면적이 감소함에따라 전력 손실량이 감소한다. 위상변화부는 안테나와 제2 필터 사이에 형성되고 송수신되는 신호의 위상을 변화시켜 제1 필터와 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지한다. A duplexer using a bulk acoustic resonator according to an embodiment includes a first filter, a second filter, and a phase changing unit. The first filter transmits a signal input to the transmission terminal through the antenna. At this time, the first filter may be embodied as a laminated resonator composed of an air cavity, a lower electrode, a piezoelectric layer, and an upper electrode. The second filter filters the signal received through the antenna at a specific frequency to be input to the receiving terminal. The second filter may also be embodied as a laminated resonator portion composed of an air cavity, a lower electrode, a piezoelectric layer and an upper electrode. The resonance frequencies of the first filter and the second filter can be made different from each other by making the thickness of the piezoelectric layer different. In addition, the electrode unit may include an air cavity formed in the lower portion of the electrode to connect the first filter and the second filter through the electrode. Since the first filter and the second filter can be realized as a laminated resonator portion, the electrode portion can be formed to connect the plurality of laminated resonator portions through the electrode. An air cavity is formed in the lower portion of the electrode, thereby reducing the contact area between the electrode and the device substrate. As the contact area decreases, the power loss decreases. The phase changing part is formed between the antenna and the second filter and changes the phase of a signal transmitted and received to prevent interference of signals in the first filter and the second filter.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.
Claims (10)
제1 체적 음향 공진기, 제2 체적 음향 공진기 및 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 전극의 하부에 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 상기 희생층을 패터닝하는 단계;
상기 패터닝 된 희생층 상부에 실리콘산화막, 신리콘질화막, 제1 도전층을 순서대로 적층하는 단계;
상기 제1 도전층에 하부 전극을 패터닝하는 단계;
상기 하부 전극 상부에 압전층 및 제2 도전층을 순서대로 적층하는 단계;
상기 제2 도전층에 상부 전극을 패터닝하는 단계;
상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부에 패터닝 된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성하는 단계; 및
상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 외부 소자와 연결되도록, 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 상기 제1 기판의 내부에 비아홀을 생성하는 단계
를 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.Stacking a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a sacrificial layer on the first substrate in this order;
Patterning the sacrificial layer to conform to the shape of the air cavity to be created under the electrode connecting the first volume acoustic resonator, the second volume acoustic resonator, and the first volume acoustic resonator and the second volume acoustic resonator;
Depositing a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, and a first conductive layer on the patterned sacrificial layer in this order;
Patterning the lower electrode on the first conductive layer;
Depositing a piezoelectric layer and a second conductive layer on the lower electrode in this order;
Patterning an upper electrode on the second conductive layer;
Forming an air cavity by removing the sacrificial layer patterned below the electrode connecting the first and second volume acoustic resonators; And
Forming a via hole in the first substrate by etching a lower surface of the first substrate so as to be connected to an external device under the lower electrode or the upper electrode;
/ RTI >
제2 기판의 하면에 소정 영역의 공기 공동을 형성하고, 상기 제1 기판과 금속으로 접합하는 단계
를 더 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.The method according to claim 1,
Forming an air cavity in a predetermined area on the lower surface of the second substrate, and joining the air cavity with the first substrate
Further comprising the steps of:
상기 공기 공동은
상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부와 대응하는 위치에 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 비아홀을 생성함으로써 형성되는 체적 음향 공진기 제조 방법.The method according to claim 1,
The air cavity
And forming a via hole by etching the lower surface of the first substrate at a position corresponding to a lower portion of the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the second volume acoustic resonator.
상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 생성된 비아홀 하부에 절연층 및 도전층을 증착하는 단계; 및
상기 도전층을 패터닝하여 전극 패드를 생성하는 단계
를 더 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.The method according to claim 1,
Depositing an insulating layer and a conductive layer below the lower electrode or the via hole formed under the upper electrode; And
Forming an electrode pad by patterning the conductive layer
Further comprising the steps of:
상기 전극 패드 하부에 플럭스(Flux)를 도포하는 단계
를 더 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.5. The method of claim 4,
Applying a flux to the bottom of the electrode pad
Further comprising the steps of:
상기 전극 패드 하부에 솔더 범프 또는 솔더 볼을 생성하는 단계
를 더 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.5. The method of claim 4,
Forming a solder bump or a solder ball under the electrode pad
Further comprising the steps of:
상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극의 하부에 생성된 비아홀 내부를 도전성 물질로 충진하는 단계;
상기 도전성 물질로 충진된 면 하부에 솔더 범프 또는 솔더 볼을 생성하는 단계
를 더 포함하는 체적 음향 공진기 제조 방법.5. The method of claim 4,
Filling the via hole formed in the lower electrode or the lower electrode with a conductive material;
Forming a solder bump or a solder ball under the surface filled with the conductive material
Further comprising the steps of:
상기 도전성 물질로 충진하는 단계는
전해도금, 무전해도금, 솔더 페이스트 충진 중 어느 하나를 이용하여 충진하는 것을 특징으로 하는 체적 음향 공진기 제조 방법.8. The method of claim 7,
The step of filling with the conductive material
Wherein the filling is performed using any one of electrolytic plating, electroless plating, and solder paste filling.
상기 희생층을 패터닝 하는 단계는 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 비아홀을 연결하는 전극의 하부에 생성될 공기 공동의 형상에 맞게 희생층을 패터닝하고,
상기 공기 공동을 생성하는 단계는 상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 비아홀을 연결하는 전극의 하부에 패터닝된 상기 희생층을 제거하여 공기 공동을 생성하는 체적 음향 공진기 제조 방법. The method according to claim 1,
The step of patterning the sacrificial layer may include patterning a sacrificial layer in conformity with the shape of the air cavity to be formed in the lower portion of the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the via hole,
Wherein the step of creating the air cavity comprises removing the sacrificial layer patterned under the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the via hole to produce an air cavity.
상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부에 패터닝 된 상기 희생층을 제거하여 생성된 공기 공동은
상기 제1 체적 음향 공진기와 상기 제2 체적 음향 공진기를 연결하는 상기 전극의 하부와 대응하는 위치에 상기 제1 기판의 하면을 식각하여 비아홀을 생성함으로써 형성되는 체적 음향 공진기 제조 방법.10. The method of claim 9,
The air cavity formed by removing the sacrificial layer patterned on the lower portion of the electrode connecting the first and second volume acoustic resonators
And forming a via hole by etching the lower surface of the first substrate at a position corresponding to a lower portion of the electrode connecting the first volume acoustic resonator and the second volume acoustic resonator.
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