KR20170015807A - 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 191
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 80
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H01L51/5237—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H01L27/3262—
-
- H01L27/3272—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자가 배치되는 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구획된 TFT 기판의 유기 발광 소자를 전부 덮도록, TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층이 구현된다. 이 때, 패시베이션층의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판 상에 패시베이션층은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층 부분을 둘러싸는 구조를 취하도록, 증착된다. 이로써 표시 영역의 유기 발광 소자를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자를 구조물의 측면에서 진행되는 투습을 최소화 할 수 있다.
Description
본 발명은 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버에 관한 것으로서, 가장자리 부분과 중앙 부분의 투습도가 차이가 있는 패시베이션층을 포함하는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
새로운 표시 장치 중 하나인 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting display Device, OLED)는 자발광(self-luminance) 특성을 가지므로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 달리 별도의 광원이 필요하지 않아, 경량 박형으로 제조가 가능한 장점이 있다. 또한, 액정 표시 장치 대비 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio)가 우수하고, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 특성을 가지므로, 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 두 개의 전극으로부터 유기 발광층 내로 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 빛을 발생한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에서 발생하는 빛을 조절하여 영상을 표시한다.
그리고, 유기 발광 표시 장치는 발생(emit)한 빛이 출사(radiate)되는 방향에 따라 전면 발광(top emission) 방식, 배면 발광(bottom emission) 방식 또는 양면 발광(dual emission) 방식으로 나눌 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 능동 매트릭스형(active matrix type) 또는 수동 매트릭스형(passive matrix type) 등으로 나눌 수 있다.
액정 표시 장치와 달리, 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능한 유기 발광 표시 장치는 유력한 차세대 플렉서블 디스플레이로 개발이 진행되고 있다. 그런데 유기 발광 표시 장치는 광원인 유기 발광 소자를 구성하는 유기발광층이 열, 수분 또는 산소 등에 매우 취약하다는 문제점이 있다. 이는 유기 발광 표시 장치의 수명과 직결하는 문제로서, 유기 발광 표시 장치를 제품화하는데 있어 대단히 큰 난점이다. 따라서 열, 수분 또는 산소 등에 의하여 유기발광층이 열화하는 것을 저지하기 위해서, 유기 발광 표시 장치 내부로 수분 또는 산소가 침투하지 못하도록 하는 봉지(encapsulation) 기술이 연구되고 있다.
예를 들어, 배면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판 방향으로 빛이 출사되는 구조이므로, 봉지를 위한 상부 기판으로서 금속 박막을 적용하는 것이 가능하다. 금속 박막을 이용하여 봉지하는 유기 발광 표시 장치는, 유기 발광 소자가 형성된 하부 기판과, 금속으로 구현된 상부 기판을 접착층으로 접착하는 방식으로 제조된다. 금속 박막은 수분이나 산소의 침투를 방지하는 동시에 자유로이 성형이 가능하고 깨지지 않으며 유연하기 때문에 플렉서블 디스플레이의 상부 기판으로 적합하다.
예를 들어, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판의 반대 방향으로 빛이 출사되는 구조이므로, 배면 발광 방식에서와 같이 금속 박막을 봉지를 위한 상부 기판으로 적용하는 것은 불가능하다. 빛이 상부 기판으로서의 금속 박막을 통과하여 출사하지 못하게 되기 때문이다. 때문에, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 하부 기판에 투습을 방지하기 위한 박형의 무기물층과 이물을 커버하기 위한 박형의 유기물층을 교번 적층하는 방식으로 제조된다.
배면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 전면은 상부 기판인 금속 박막에 의하여 투습이 상당 수준 방지되나, 측면은 여전히 투습에 취약한 상태이다. 또한, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 역시, 전면이 유리 재질의 커버 윈도우가 부착되면서, 또는 컬러필터를 포함한 투명한 상부 기판이 부착되면서 투습이 방지된다. 그러나 측면은 여전히 투습에 취약한 상태이다. 그런데 유기 발광 표시 장치의 측면에 추가의 구성 요소들을 물리적으로 부착하는 방식으로 측면으로의 투습을 방지하는 것은, 네로우 베젤(narrow bezel)을 요구하는 시장의 추세와 상반된다는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 발명자는 측면으로의 투습을 방지함으로써, 수분에 의하여 유기 발광 소자가 열화되는 현상을 최소화 한, 새로운 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 발명하였다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, TFT 기판의 유기 발광 소자를 덮는 패시베이션층의 가장자리의 밀도를 증가시킴으로써, 패시베이션층의 가장자리의 투습도를 낮춘 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층의 가장자리의 투습도를 낮춤으로써, 구조물의 측면으로부터 침투하여 들어올 수 있는 수분의 침투 속도를 저하시켜, 구조물 내부의 유기 발광 소자가 보호되는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층을 성막하는 하나의 공정에서 밀도가 높은 영역과 상대적으로 밀도가 낮은 영역을 동시에 형성함으로써, 별도로 공정을 추가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 종래와 대비하여 베젤 폭을 증가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층의 증착 시에, 증착 플레이트를 향하여 국지적으로만 고에너지를 가해 줌으로써, 표시 영역의 유기 발광 소자에 손상을 주지 않으면서도 측면 투습을 억제할 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 업계의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자가 배치되는 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구획된 TFT 기판의 유기 발광 소자를 전부 덮도록, TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층이 구현된다. 이 때, 패시베이션층의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판 상에 패시베이션층은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층 부분을 둘러싸는 구조를 취하도록, 증착된다. 이로써 표시 영역의 유기 발광 소자를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자를 구조물의 측면에서 진행되는 투습을 최소화 할 수 있게 된다.
TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버는, 고온 영역과 고온 영역에 의하여 둘러싸이는 저온 영역으로 구획되는 핫플레이트를 포함한다. 핫플레이트의 고온 영역은, 핫플레이트의 일 면에 배치되는 TFT 기판의 비표시 영역과 대응하고, 핫플레이트의 저온 영역은, 핫플레이트의 일 면에 배치되는 TFT 기판의 표시 영역과 대응한다. 핫플레이트의 고온 영역이 TFT 기판의 표시 영역과 중첩하지 않도록 핫플레이트와 TFT 기판이 얼라인(align)된 상태에서 증착 챔버에서 TFT 기판에 패시베이션층을 증착한다. 핫플레이트의 고온 영역의 열을 전달받은 TFT 기판의 비표시 영역에서 높은 증착 속도로 패시베이션층이 증착됨에 따라, TFT 기판의 표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분보다, 비표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분이 더 높은 밀도로 증착이 되고, 더 낮은 투습도를 가지게 된다.
TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버는, TFT 기판의 비표시 영역에만 레이저를 조사하도록 구현된 레이저 램프 헤드를 포함한다. 레이저 램프 헤드는 폐쇄성 루프 형상의 레이저 조사면을 형성할 있도록 구현된다. 레이저 조사면이 TFT 기판의 비표시 영역만을 비추는 상태로 증착 챔버에서 패시베이션층이 증착됨에 따라, TFT 기판의 표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분보다, 비표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분이 더 높은 밀도로 증착이 되고, 더 낮은 투습도를 가지게 된다.
본 발명의 실시예에 의해, TFT 기판의 유기 발광 소자를 덮는 패시베이션층의 가장자리의 밀도를 증가시킴으로써, 패시베이션층의 가장자리의 투습도가 낮아진 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의해, 구조물의 측면으로부터 침투하여 들어올 수 있는 수분의 침투 속도를 저하시켜, 구조물 내부의 유기 발광 소자가 수분에 의해 열화되는 현상이 최소화된 구조물을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의해, 패시베이션층을 성막하는 하나의 공정에서 밀도가 높은 영역과 상대적으로 밀도가 낮은 영역을 동시에 형성함으로써, 별도 공정을 추가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의해, 종래와 대비하여 베젤 폭을 증가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의해, 표시 영역의 유기 발광 소자에 손상을 주지 않고도 측면 투습을 억제할 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의해, 패시베이션층의 증착 시에, 증착 플레이트를 향하여 국지적으로만 고에너지를 가해 줌으로써, 유기 발광 표시 장치의 측면으로부터의 투습이 억제되어, 수분에 의한 유기 발광 소자가 열화되는 현상이 최소화됨으로써 유기 발광 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 업계의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 서브 픽셀의, 개략적인 회로 구성 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예의 구조물에서 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판에 증착된 패시베이션층을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판의 일 측면을 X 부터 X’까지 절단한 절단부를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트의 일측을 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에서 TFT 기판에 패시베이션층이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트 및 패시베이션층이 증착된 TFT 기판의 일측을 동시에 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 램프 헤드를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 레이저 램프 헤드에 대한 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 서브 픽셀의, 개략적인 회로 구성 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예의 구조물에서 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판에 증착된 패시베이션층을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판의 일 측면을 X 부터 X’까지 절단한 절단부를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트의 일측을 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에서 TFT 기판에 패시베이션층이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트 및 패시베이션층이 증착된 TFT 기판의 일측을 동시에 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 램프 헤드를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 레이저 램프 헤드에 대한 개략적인 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', ‘~에 이어서’, ‘~다음에’, ‘~전에’ 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, ‘바로’ 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구조물 및 이를 제조하기 위한 증착 챔버에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 개략적인 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에는 타이밍 제어부(140), 데이터 구동부(150), 게이트 구동부(160) 및 유기 발광 표시 패널(170)이 포함된다.
시스템 보드부(130)는 외부로부터 비디오 데이터신호(RGB)를 공급받아 디지털 데이터신호로 변환함과 더불어 데이터 인에이블 신호, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등과 같은 구동신호를 출력한다. 시스템 보드부(130)는 비디오 데이터신호를 디지털 데이터신호로 변환한다. 타이밍 제어부(140)가 비디오 데이터신호를 디지털 데이터신호로 변환할 수도 있다.
타이밍 제어부(140)는 시스템 보드부(130)로부터 데이터 인에이블 신호, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등과 같은 구동신호와 더불어 컬러데이터신호(DDATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(140)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(160)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(150)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(140)는 구동신호를 기준으로 생성된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 대응하여 컬러데이터신호(DDATA)를 출력한다.
데이터 구동부(150)는 타이밍 제어부(140)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 컬러데이터신호(DDATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압에 대응하여 아날로그데이터신호로 변환한다. 데이터 구동부(150)는 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 신호를 출력한다. 데이터 구동부(150)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.
스캔 구동부(160)는 타이밍 제어부(140)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(160)는 스캔라인들(SL1 ~ SLm)을 통해 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(160)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 유기 발광 표시 패널(170) 자체에 게이트 인 패널(Gate In Panel) 방식으로 실장된다.
유기 발광 표시 패널(170)은 적색 서브 픽셀(SPr), 녹색 서브 픽셀(SPg), 청색 서브 픽셀(SPb)(이하 RGB 서브 픽셀이라 한다.)을 포함하는 서브 픽셀 구조로 구현된다. 또한 유기 발광 표시 패널(170)은 광효율을 증가시키면서 순색의 휘도 저하 및 색감 저하를 방지하기 위해 적색 서브 픽셀(SPr), 녹색 서브 픽셀(SPg), 청색 서브 픽셀(SPb) 및 백색 서브 픽셀(SPw)(이하 RGBW 서브 픽셀이라 한다.)을 포함하는 서브 픽셀 구조로 구현된다. 즉, 1개의 픽셀(P)은 RGB 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb) 또는 RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)로 이루어진다. 그리고 이러한 픽셀(P)은 유기 발광 표시 패널(170)의 해상도에 대응하여 다수로 형성되어 픽셀 어레이를 구성한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 서브 픽셀의, 개략적인 회로 구성 예시도이다.
하나의 서브 픽셀(SP)에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg), 보상회로(CC) 및 유기 발광 소자(OLED)가 포함된다. 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 인가되는 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다. 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 스캔 라인(SL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 컬러데이터신호가 커패시터(Cstg)에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cstg)에 저장된 데이터전압에 따라 제1전원배선(VDD)과 그라운드배선(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다.
보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 추가되는 회로이다. 따라서, 보상회로(CC)는 서브 픽셀의 구성에 따라 생략될 수 있지만, 통상 하나 이상의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 매우 다양하게 구성할 수 있으므로, 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다.
하나의 서브 픽셀(SP)은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성된다. 그러나 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C 등의 구조로 구성될 수도 있다.
위와 같은 구성을 갖는 서브 픽셀(SP)의 각종의 구성요소 중에 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg), 보상회로(CC)가 지지 기판에 형성됨으로써, 구조물의 하부 기판에 해당하는, TFT 기판(210)이 형성된다. 이렇게 형성된 TFT 기판(210) 상에, 애노드, 유기 발광층(220) 및 캐소드가 적층됨으로써 유기 발광 소자(OLED)가 배치된다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치된 TFT 기판(210) 상에, 경우에 따라서는 봉지를 위한 금속 박막이 상부 기판으로서 부착될 수 있고, 또는, 컬러필터 기판이 상부 기판으로서 부착될 수 있고, 별도의 상부 기판이 없이 복수의 무기물층과 유기물층이 교번으로 적층될 수도 있다. 앞서 살펴보았듯이, 어떠한 경우에서든 구조물의 측면에서부터의 수분 침투가 TFT 기판(210) 상의 유기 발광 소자(OLED)를 열화시킴으로써, 구조물의 가장자리에서부터 중앙 쪽으로 열화되어 켜지지 않는 픽셀(P)의 범위가 점점 확장되어 나가는 현상이 발생한다.
본 발명의 발명자들은, 구조물의 측면에서부터의 수분 침투를 최소화 하기 위하여, TFT 기판(210) 상에 배치되는 패시베이션층(230)에 주목하였다. 패시베이션층(230)은 유기 발광 소자(OLED)를 물리적으로 보호하면서 외부로부터의 전기적 간섭을 방지하기 위하여 유기 발광 소자(OLED)를 덮도록 TFT 기판(210) 상에 구현되는 무기 절연층이다.
도 3은 본 발명의 실시예의 구조물에서 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)에 증착된 패시베이션층(230)을 도시한 평면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 유기 발광 표시 패널(170)은 유기 발광 소자(OLED)를 구동할 수 있는 픽셀 구동 회로가 배치된 TFT 기판(210)을 포함한다. TFT 기판(210)은, 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 픽셀 어레이에 의해 정의되는, 실제 화상이 표시되는 영역인 표시 영역(A/A)과, 표시 영역(A/A) 이외의 영역으로서 주위에서 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)으로 구획된다. TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에는 유기 발광 소자(OLED)가 배치된다. 각 서브 픽셀(SP)의 유기 발광 소자(OLED)는 수분 및 산소에 의해 열화가 진행되기 때문에, 수분 및 산소가 유기 발광 소자(OLED)와 접촉하는 것을 방지할 필요가 있다. 유기 발광 표시 소자를 덮도록 TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)이 증착된다. 이 때, 패시베이션층(230)은, 유기 발광 소자(OLED)가 노출되는 부분이 없도록, 즉, 유기 발광 소자(OLED)를 전부 덮도록 증착된다. 따라서, 패시베이션층(230)의 면적은 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 픽셀 어레이에 의해서 정의되는, 실제 화상이 시청자에게 보여지는 영역인 표시 영역(A/A)의 면적보다 크다. 즉, 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)에 걸쳐서 연속적으로 하나의 층으로 형성될 수 있다. 이 때, TFT 기판(210)으로 전원과 데이터 신호가 인가되기 위한 패드부는 노출되어야 하므로, 패시베이션층(230)의 면적은 TFT 기판(210)의 면적보다는 작을 수 있다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)의 일 측면을 X 부터 X’까지 절단한 절단부를 도시한 단면도이다. 도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 배치된, 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 발광층(220)을 전부 덮도록, TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)이 일체형으로, 즉, 연속적인 층으로 배치된다. 연속적인, 일체형의 패시베이션층(230)은 전체적으로 동일한 원소 조성을 가지도록 구성된다. 즉, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) (즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분)을 구성하는 원소의 종류는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) (즉, 패시베이션층(230)의 주변 부분)을 구성하는 원소의 종류가 동일하다. 그런데, 패시베이션층(230)은, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 밀도가 패시베이션층(230)의 중앙 부분의 밀도보다 높다. 즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분과 가장자리 부분은 구성 원소의 종류는 동일하나 해당 원소의 조성비가 서로 다르다. 이로써, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 투습도는 패시베이션층(230)의 중앙 부분의 투습도보다 높게 된다.
예를 들어, 패시베이션층(230)은 질화규소(SiNx)로 구성될 수 있는데, 이 때, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) (즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분)을 구성하는 원소에 규소와 질소 및 수소가 포함되고, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) (즉, 패시베이션층(230)의 주변 부분)을 구성하는 원소에도 역시 규소와 질소 및 수소가 포함된다. 그런데, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분에서의 밀도가, 패시베이션층(230)의 중앙 부분에서의 밀도보다 높도록 패시베이션층(230)을 형성할 경우, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분에서의 규소/질소 원자비가 패시베이션층(230)의 중앙 부분에서의 규소/질소 원자비보다 클 수 있다.
패시베이션층(230)의 가장자리 부분은, 비표시 영역(N/A)에 대응되므로, 증착 온도에 상관없이 형성될 수 있으며, 패시베이션층(230)의 중앙 부분은 표시 영역(A/A)에 대응되므로, 표시 영역(A/A)의 유기 발광 소자(OLED)가 손상을 입지 않는 온도에서 형성될 수 있다. 패시베이션층(230)이 증착되는 온도가 높을수록, 진공 챔버 내부에서의 화학 반응에 기여하는 에너지가 더 많이 공급되게 됨에 따라, 증착 속도(즉, 단위시간 당 증착되는 두께)가 증가하고, 증착된 영역의 밀도가 증가한다. 증착된 패시베이션층(230)의 두께가 두꺼워지고, 밀도가 높아질수록, 패시베이션층(230)의 투습도는 낮아지기 때문에, 유기 발광 소자(OLED)로의 수분 침투를 방지하기 위해서는 패시베이션층(230)을 더 두껍고, 더 밀도가 높게 구현하는 것이 필요하다. 그러나, 패시베이션층(230)의 표시 영역(A/A)에 배치되는 유기 발광 소자(OLED)는 약 110℃ 이상의 온도에서는 물리적 특성이 변하는 유기 물질들로 구성되므로, 패시베이션층(230)이 증착되는 온도를 약 110℃ 이상으로 높일 경우, 유기 발광 소자(OLED)를 구성하는 유기 물질들의 물리적 특성이 변하므로, 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 문제가 생긴다.
따라서, 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230)의 중앙 부분은 약 110℃ 미만의 온도 조건에서 증착되도록 하고, 비표시 영역(N/A)에 대응하는 가장자리 부분은 약 110℃ 이상의 온도 조건에서 증착되도록 함으로써, 유기 발광 소자(OLED)를 손상시키지 않고도 유기 발광 표시 패널(170)의 측면에 해당하는 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 투습도를 낮출 수 있다. 가장자리 부분과 중앙 부분의 밀도가 다른, 일체형의 패시베이션층(230)을 TFT 기판(210)에 증착하기 위하여, 유기 발광 소자(OLED)가 손상을 입을 수 있는 임계 온도를 기준으로 이종(異種)의 증착 온도가, 하나의 증착 챔버 안에서 구현되도록 하는 증착 챔버를 이용할 수 있다.
다시 말하여, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 을 구성하는 원소의 종류는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션(230_b) 을 구성하는 원소의 종류와 동일하면서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 투습도는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 투습도보다 높게 구성할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 밀도는 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 밀도보다 높다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 패시베이션층(230)은 규소와 질소를 포함할 수 있는데, 이 때, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 규소/질소 비는, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 규소/질소 비보다 높다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 두께는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 두께와 같거나 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 두께보다 얇다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 대하여 도 5 내지 도 10을 참조하여 자세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 핫플레이트(510)를 포함하는 증착 챔버(500)에 대한 개략적인 사시도다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는 중앙부(L/A) 및 중앙부(L/A)를 둘러싸는 주변부(H/A)로 구획되고, 내부에 전열선(511_a, 511_b)이 있는 핫플레이트(510)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는 핫플레이트(510)와 대향하여, 증착 물질을 분사하는 소스 방출부(520)를 적어도 하나 포함한다.
핫플레이트(510)의 일 면에 증착이 수행되어야 할 기판(예를 들어, TFT 기판(210))이 배치된다. 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 제1 발열 온도를 가질 수 있도록 구현되고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 제1 발열 온도보가 더 높은 제2 발열 온도를 가질 수 있도록 구현된다. 이 때, 제1 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 발생하지 않는 온도이고, 제2 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 발생하는 온도이다. 즉, 제1 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도보다 반드시 낮은 온도이고, 제2 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도보다 반드시 높은 온도이다. 예를 들어, 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도는 약 110℃ 일 수 있다.
핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 동시에 구동될 때, 중앙부(L/A)의 온도는 주변부(H/A)의 온도 이하이다. 핫플레이트(510)와 증착이 수행되어야 할 기판이 정렬될 수 있도록, 증착이 수행되어야 할 기판에서 증착 영역을 노출하고 이외의 영역을 덮는 트레이(tray)가 증착이 수행되어야 할 기판 상에 배치될 수 있다. 즉, 핫플레이트(510)와 트레이 사이에, 증착이 수행되어야 할 기판이 배치될 수 있다. 트레이는 증착이 수행되어야 할 기판이 핫플레이트(510)에 배치된 상태가 유지될 수 있도록, 증착이 수행되어야 할 기판의 위치를 고정하는 역할을 한다. 예를 들어, 핫플레이트(510)가 위에 배치되고 소스 방출부(520)가 아래에 배치되어, 증착이 수행되어야 할 기판이 핫플레이트(510)와 소스 방출부(520) 사이에서, 핫플레이트(510)에 배치되어 있도록 하기 위해서는, 트레이에 증착이 수행되어야 할 기판을 얹어서 증착이 수행되어야 할 기판이 아래로 떨어지지 않도록 한다. 또한, 트레이를 이동시킴으로써, 트레이에 얹어진, 증착이 수행되어야 할 기판을 용이하게 이동시킨다. 또한, 트레이는 증착이 수행되지 않아야 되는 가장자리 영역을 가리는, 일종의 마스크 역할을 할 수도 있다.
핫플레이트(510)를 향하여 증착 물질이 분사되는 적어도 하나의 소스(source) 방출부(520)는 핫플레이트(510)와 대향하여 배치된다. 소스 방출부(520)는 증착 물질을 증발시키거나 승화시키기 위하여, 증착 물질을 담고 가열하는 용기인 도가니(crucible)를 포함하는데 도가니에 포함된 노즐로부터 증발되거나 승화된 증착 물질이 분사되어 나온다. 노즐의 형태는 구조물의 크기, 증착 두께, 증착 물질의 종류 등에 따라 점(point) 형태일 수도 있고, 선(line) 형태일 수도 있다. 소스 방출부(520) 주변에, 분사된 증착 물질이 챔버 내에서 고루 분포할 수 있도록 회전 장치(revolver)가 배치될 수 있다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 대하여 이하에서 자세히 살펴본다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 일측을 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 6 내지 도 8은 도 5에서 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 걸쳐, 도 5의 Y 지점부터 Y’지점까지를 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)의 선밀도가 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)의 선밀도보다 높을 수 있다. 다시 말하여, 핫플레이트(510)는 내부에 있는 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도가 균일하지 않을 수 있고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에서의 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도가, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에서의 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도보다 높다. 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에만 전열선(511_a, 511_b)을 더 촘촘하게 배치함으로써, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 동시에 구동이 되더라도, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 상대적으로 온도가 더 높아질 수 있다.
도 6에서는 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_a)이 직선 형태인 경우를 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않고 도 7에서와 같이, 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_b)은 코일 형태일 수 있다. 도 7에서와 같이, 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_b)이 코일 형태일 경우, 코일 형태의 전열선(511_b) 자체의 분포 밀도가 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)에 대하여 서로 차이가 나도록 전열선(511_b)을 배치할 수 있다. 또는, 코일 형태의 전열선(511_b)의 주변부(H/A)에서의 분포 밀도와, 주변부(H/A)에서의 분포 밀도가 서로 동일하도록 전열선(511_b)을 배치하면서, 다만 주변부(H/A)에 배치된 전열선(511_b)의 코일 밀도가 중앙부(L/A)에 배치된 전열선(511_b)의 코일 밀도보다 높을 수도 있다. 이 때, 코일 형태의 전열선(511_b)의 코일 밀도란, 감겨 있는 코일의 촘촘한 정도를 의미한다. 즉, 전열선(511_b)의 코일 밀도가 높다는 것은 코일이 촘촘하게 감겨 있다는 것을 의미한다.
핫플레이트(510)가 구동할 때, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)는 내부의 전열선(511_a, 511_b)을 열전도율이 다른 적어도 두 종류 이상의 물질로 구성할 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)는 제1 물질로 이루어진 제1 전열선(511_a, 511_b)을 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하여 배치하고, 제1 물질보다 열전도율이 높은 제2 물질로 이루어진 제2 전열선(511_a, 511_b)을 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하여 배치할 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)의 열전도율이, 중앙부(L/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)의 열전도율보다 높을 수 있다.
핫플레이트(510)가 구동할 때, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 전열선(511_a, 511_b)을 가지고 있는 핫플레이트(510)의 몸체(512)(body)는 열전도율이 다른 적어도 두 종류 이상의 물질로 구성할 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 몸체(512)는 제3 물질로 이루어지고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 몸체(512)는 제3 물질보다 열 전도율이 높은 제4 물질로 이루어질 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 몸체(512)를 구성하는 물질의 열전도율이, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 몸체(512)를 구성하는 물질의 열전도율보다 더 높을 수 있다.
핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)과 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은, 전원 전압을 각각 별개로 인가받을 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은 제1 전원 라인에 연결이 되고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은 제2 전원 라인에 연결되어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)가 별개로 온/오프가 될 수 있다. 또한, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)가 별개의 전원 전압이 각각 인가될 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에는 제1 전원 전압이 인가되고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에는 제1 전원 전압보다 낮은 제2 전원 전압이 인가될 수 있다.
핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에서, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 온도와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도가 큰 차이를 유지할 수 있도록, 주변부(H/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)과 중앙부(L/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)은 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)에 걸쳐 이어지지 않고 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에는 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_a, 511_b) 이 배치되지 않을 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되기 전에 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)를 거치면서 대부분의 열을 빼앗기게 되므로, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되어 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도가 상승하는 현상을 방지할 수 있다.
도 8을 참조하면, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에, 중앙부(L/A)를 둘러싸도록 열전도 방지 해자(513)(垓子, ditch)가 배치된다. 열전도 방지 해자(513)는, 고온의 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 상대적으로 저온의 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A) 사이에 있는, 소정의 폭(w)을 가지도록 이격된 공간이다. 열전도 방지 해자(513)에 의하여 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되는 현상이 방지될 수 있다. 이로써, 열전도 방지 해자(513) 부근에서의 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 온도와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도는 큰 차이를 유지할 수 있다. 열전도 방지 해자(513)의 폭(w)이 1 mm 보다 작을 경우, 열전도 방지의 효과가 실질적으로 미미하여 중앙부(L/A)의 가장자리의 온도가 주변부(H/A)의 가장자리의 온도의 영향을 받게 되어 상승하게 될 수 있다. 다시 말하여, 열전도 방지 해자(513)의 폭(w)이 1 mm 이상일 때, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 온도 차이에 따른 열적 평형 상태를 이루려는 경향성이 저지되는 효과가 있다. 열전도 방지 해자(513)의 내부 공간은 비워진 상태로서, 진공 챔버 내부의 환경에 그대로 노출되는 공간일 수 있다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트(510)를 이용하여 TFT 기판(210)에 이종(異種)의, 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 증착하는 과정을 설명한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트(510)를 포함하는 증착 챔버(500)에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 보다 구체적으로, 핫플레이트(510)의 일 면에 TFT 기판(210)이 배치되는데, 이 때, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적 이상이며, 바람직하게는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적과 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적은 실질적으로 동일하다. 어떠한 경우에 있어서든, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하지 않도록 하기 위하여, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적보다 작지 않다. 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 중첩하되 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과는 중첩하지 않고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A) 면적은 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)의 면적 이상이다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A) 및 주변부(H/A)와, TFT 기판(210)의 표시영역 및 비표시 영역(N/A)과의 관계를 자세히 살펴본다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510) 및 패시베이션층(230)이 증착된 TFT 기판(210)의 일측을 동시에 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 10은 도 9에서 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 걸쳐, Y 지점부터 Y’ 지점까지를 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하도록 구현된다. 이로써, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)은 상대적으로 낮은 제1 발열 온도 조건에서 패시베이션층(230)이 증착되고, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)은 상대적으로 높은 제2 발열 온도 조건에서 패시베이션층(230)이 증착된다. 하나의 증착 챔버(500) 안에서 TFT 기판(210)에 증착되는 패시베이션층(230)은, 부분적으로 다른 증착 온도를 제공받는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 비표시 영역(N/A)에서, 각기 다른 속도로 증착이 진행된다. 이에 따라, 상대적으로 고온 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230)은 상대적으로 고밀도로 증착이 되고 상대적으로 저온 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230)은 상대적으로 저밀도로 증착이 된다. 상대적으로 고밀도로 증착이 된 패시베이션층(230)은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하는 패시베이션층(230_b)이 된다. 그리고 상대적으로 저밀도로 증착이 된 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230_a)이 된다. 즉, 상대적으로 저밀도인, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a)을 구현하기 위하여, 표시 영역(A/A)에 상대적으로 고온의 증착 온도가 들어오는 주변부(H/A)가 대응되지 않도록 핫플레이트(510)를 구성하여야 한다.
중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에서 큰 온도 차이를 가지도록 구현된 핫플레이트(510)에서 증착된 패시베이션층(230)이라 하더라도, 패시베이션층(230)이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에 대응하여 단절되는 양상을 보이지는 않는다. 이 때, 단절되는 양상이란 예를 들어 서로 다른 구성요소 사이에 존재하는 계면일 수 있다. 왜냐하면, 패시베이션층(230)은 동일한 증착 물질을 이용하여 TFT 기판(210)의 전체 영역에 동시에 증착되기 때문이다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 으로 갈수록, 패시베이션층(230)의 밀도는 그래디언트(gradient)하게 증가하는 양상을 가지게 된다. 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 그래디언트하게 증가하는 , 밀도가 변화하는 구간의 폭은, 표시 영역(A/A) 쪽으로 치우치기 보다는 오히려 비표시 영역(N/A) 쪽으로 치우치는 것이 바람직하다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치되지 않는 비표시 영역(N/A)은, 상대적으로 고온 환경에서 증착이 진행되어도 무관한 영역이기 때문이다. 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 넓어질수록, 베젤에 해당하는 비표시 영역(N/A)의 폭이 넓어지는 것을 의미한다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭은 좁을수록 베젤의 폭이 좁아진다. 이를 위하여, 핫플레이트(510)에 열전도 방지 해자(513)를 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에 대응하도록 구현함으로써 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층 (230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 좁아지는 효과가 있다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 대하여 도 11 내지 도 13을 참조하여 자세히 설명한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 램프 헤드(1030)를 포함하는 증착 챔버(1000)에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)는 증착 플레이트(1010), 증착 플레이트(1010)를 향하여 증착 물질을 방출하는 소스 방출부(520) 및 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사하는 적어도 하나의 레이저 램프 헤드(1030)를 포함한다.
레이저 램프 헤드(1030)는, 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사함으로써, 증착 플레이트(1010)에 루프(loop) 형상의 레이저 조사면을 형성할 수 있도록 구현된, 레이저 램프 헤드(1030)이다. 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의하여 증착 플레이트(1010)에 형성되는 루프 형상 또는 링 형상의 레이저 조사면은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 중첩한다. 즉, 레이저 램프 헤드(1030)는, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역에 고에너지를 전달하기 위하여 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역에만 레이저(L)를 조사하도록 구현된다. 이 때, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)을 포함한다. 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의한, 레이저 조사면의 형상이 폐쇄형 루프 형상일 때, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 균일하게 고에너지가 전달될 수 있다. 레이저 램프 헤드(1030)가 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사함으로써 형성되는 레이저 조사면의 형상이 폐쇄형 루프 형상일 때, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 균일하게 고밀도의 패시베이션층(230)이 형성될 수 있다.
비표시 영역(N/A)에만 국지적으로 레이저(L)에 의한 고에너지를 전달받은 TFT 기판(210)에는 이종(異種)의, 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)이 증착된다. 보다 구체적으로, TFT 기판(210) 상에 증착되는 패시베이션층(230)은, 레이저에 의한 고에너지를 전달받은 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 과 레이저에 의한 고에너지를 전달받지 않은 표시 영역(A/A)의 패시베이션층 (230_a)으로 구성될 수 있다. 이 때, 레이저(L)에 의한 고에너지를 전달받은 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b)은, 진공 챔버 내부에서의 화학 반응에 일조하는 에너지가 더 많이 공급되게 됨에 따라, 증착 속도(즉, 단위시간 당 증착되는 두께)가 증가하고, 증착된 영역의 밀도가 증가한다. 레이저(L)가 유기 발광 소자(OLED)에 조사될 경우, 유기 발광 소자(OLED)가 타 버리는 등 유기 발광 소자(OLED)에 직접적인 손상이 발생한다. 따라서, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 제외하고, 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)에만 레이저(L)를 조사하면서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)을 증착한다. 이를 위하여, 레이저 램프 헤드(1030)는, 레이저 램프 헤드(1030)로부터 비표시 영역(N/A)에 조사되는 레이저(L)가 표시 영역(A/A)을 침범하지 않도록 구현되어야 한다.
하나의 증착 챔버(1000) 안에서 TFT 기판(210)에 증착되는 패시베이션층(230)은, 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의해서, TFT 기판(210)에서 표시 영역(A/A)과 레이저 조사면에 해당하는 비표시 영역(N/A)에서 각기 다른 속도로 증착이 진행된다. 이에 따라, 상대적으로 고에너지 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230) 부분은 상대적으로 고밀도로 증착되고 상대적으로 저에너지 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230) 부분은 상대적으로 저밀도로 증착된다. 상대적으로 고밀도로 증착된 패시베이션층(230)은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하는 패시베이션층(230)이 된다. 그리고 상대적으로 저밀도로 증착된 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230)이 된다.
레이저(L) 조사 과정에서 증착됨에 따라 패시베이션층(230)이 이종의 두 밀도 영역을 가지게 되더라도, 패시베이션층(230)이 레이저 조사면과 그 이외의 영역의 경계에 대응하여 단절되는 양상을 보이지는 않는다. 이 때, 단절되는 양상이란 예를 들어 서로 다른 구성요소 사이에 존재하는 계면일 수 있다. 왜냐하면, 패시베이션층(230)은 동일한 증착 물질을 이용하여 TFT 기판(210)의 전체 영역에 동시에 증착되기 때문이다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 으로 갈수록, 패시베이션층(230)의 밀도는 그래디언트(gradient)하게 증가하는 양상을 가지게 된다. 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 그래디언트하게 증가하는 , 밀도가 변화하는 구간의 폭은, 표시 영역(A/A) 쪽으로 치우치기 보다는 오히려 비표시 영역(N/A) 쪽으로 치우치는 것이 바람직하다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치되지 않는 비표시 영역(N/A)은, 상대적으로 고에너지 환경에서 증착이 진행되어도 무관한 영역이기 때문이다. 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 넓어질수록, 베젤에 해당하는 비표시 영역(N/A)의 폭이 넓어지는 것을 의미한다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭은 좁을수록 베젤의 폭이 좁아진다.
이로써, 표시 영역(A/A)에는 상대적으로 저밀도의 패시베이션층(230)이 증착되게 함으로써 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것은 방지하면서도, 동시에 비표시 영역(N/A)에는 고밀도의 패시베이션층(230)이 증착되게 함으로써 표시 영역(A/A)을 감싸는 배리어 역할을 하도록 하여 측면 투습을 차단할 수 있다. 특히, 레이저 조사면이 폐쇄형 루프 형상을 가짐에 따라, 링 형상의 고밀도의 패시베이션층(230)이 투습에 취약한 영역인 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 전부 폐쇄적으로 둘러싸게 됨으로써 측면 투습을 완벽하게 차단할 수 있다.
이하에서, 도 12 및 도 13을 참조하여, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 둘러싸는, 루프 형상의 레이저 조사면을 구현할 수 있는 레이저 램프 헤드(1030)에 대하여 자세히 살펴본다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)에 대한 개략적인 사시도다.
본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)는 일체형일 수 있으나, 다양한 크기의 TFT 기판(210)에 유동적으로 적용될 수 있도록, 적어도 4개의 레이저 램프 헤드(1030)의 조합으로 이루어질 수도 있다. 도 12를 참조하면, 레이저 램프 헤드(1030)는 직선 형상의, 제1 레이저 램프 헤드(1031), 제2 레이저 램프 헤드(1032), 제3 레이저 램프 헤드(1033) 및 제4 레이저 램프 헤드(1034)를 포함한다. 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 격자 형태를 구현하도록, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제2 레이저 램프 헤드(1032)는 서로 평행하고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 평행하고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 평행하지 않고 소정의 각도를 이룬다. 도 12 내지 도 13 에 도시된 레이저 램프 헤드의 갯수는 예시적인 것이며, 본 발명의 내용을 제한하는 것은 아니다.
제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 Z 축, X 축 및 Y 축 방향에 국한되지 않고, 진공 챔버 내부에서 자유로이 이동이 가능하도록 구현된다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이 배치된 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)와 비교하여, 도 13에 도시된 바와 같이 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제2 레이저 램프 헤드(1032)가 서로 더 멀리 이격되어 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)가 서로 더 멀리 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)의 배치는 도 13에 도시된 바와 같은 배치를 가질 수도 있다. 이로써 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)는, 다양한 크기의 TFT 기판(210)에 유동적으로 적용될 수 있다.
제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)의 램프가 각 레이저 램프 헤드(1030)의 가장자리 부분에까지 배치되지 않음에 따라, 각 레이저 램프 헤드(1030)를 단순히 동일 평면 상에서 연결되는 형상으로 배치할 경우, 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에는 실질적으로 램프가 배치되지 않게 된다. 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에 실질적으로 램프가 배치되지 않게 됨에 따라, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면을 구현하지 못하거나, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면이 구현이 된다 하더라도, 레이저(L) 조사량이 영역 별로 불균일할 수 있다.
도 13을 참조하면, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)로부터 구현되는 레이저 조사면의 형상이 루프 형상을 가지도록, 특히, 폐쇄형의 링 형상을 가지도록, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 또한, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 마찬가지로, 제2 레이저 램프 헤드(1032)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있고, 제2 레이저 램프 헤드(1032)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 서로 교차 영역에서 중첩함에 따라, 제4 레이저 램프 헤드(1034)의 일측 끝은 제2 레이저 램프 헤드(1032) 위에 배치되고, 제2 레이저 램프 헤드(1032)의 일측 끝은 제3 레이저 램프 헤드(1033) 위에 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)의 일측 끝은 제1 레이저 램프 헤드(1031) 위에 배치되고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)의 일측 끝은 제4 레이저 램프 헤드 위에 배치될 수 있다. 또는, 예를 들어, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 서로 교차 영역에서 중첩함에 따라, 제4 레이저 램프 헤드(1034)보다 제1 레이저 램프 헤드(1031)가 더 위에 배치되고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)보다 제3 레이저 램프 헤드(1033)가 더 위에 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)보다 제2 레이저 램프 헤드(1032)가 더 위에 배치될 수 있다.
다시 말해, 램프가 배치되지 않은, 레이저 램프 헤드(1030)의 가장자리를 다른 레이저 램프 헤드(1030)와 중첩되게 배치함으로써, 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에 실질적으로 램프가 배치되지 않는 문제를 해결할 수 있다. 이로써 전(全) 영역에 레이저(L)를 균일하게 조사되는, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면이 구현될 수 있으며, 레이저 조사면에 대응하여 증착되는 패시베이션층(230) 부분은 전(全) 영역에서 고른 밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자(OLED)가 배치되는 표시 영역(A/A)과, 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)으로 구획된 TFT 기판(210)의 유기 발광 소자(OLED)를 전부 덮도록, TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)이 구현된다. 이 때, 패시베이션층(230)의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층(230)의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층(230) 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층(230) 부분을 둘러싸는 구조를 가지도록 증착된다. 이로써 표시 영역(A/A)의 유기 발광 소자(OLED)를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자(OLED)를 구조물의 측면에서의의 투습을 최소화할 수 있게 된다.
TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는, 고온 영역과 고온 영역에 의하여 둘러싸이는 저온 영역으로 구획되는 핫플레이트(510)를 포함한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역은, 핫플레이트(510)의 일 면에 배치되는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 대응하고, 핫플레이트(510)의 저온 영역은, 핫플레이트(510)의 일 면에 배치되는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 대응한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역이 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하지 않도록 핫플레이트(510)와 TFT 기판(210)이 얼라인(align)된 상태에서 증착 챔버에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)을 증착한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역의 열을 전달받은 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에서 높은 증착 속도로 패시베이션층(230)이 증착됨에 따라, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 증착된 패시베이션층(230_a) 보다, 비표시 영역(N/A)에 증착된 패시베이션층(230_b)이 더 높은 밀도로 증착될 수 있으며, 더 낮은 투습도를 가질 수 있다.
TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)는, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에만 레이저(L)를 조사하도록 구현된 레이저 램프 헤드(1030)를 포함한다. 레이저 램프 헤드(1030)는 폐쇄성 루프 형상의 레이저 조사면을 형성할 수 있도록 구현된다. 레이저 조사면이 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)만을 비추는 상태로 증착 챔버에서 패시베이션층(230)이 증착됨에 따라, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 증착된 패시베이션층(230_a)보다, 비표시 영역(N/A)에 증착된 패시베이션층(230_b)이 더 높은 밀도로 증착될 수 있으며, 더 낮은 투습도를 가질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치
130: 시스템 보드부
140: 타이밍 제어부 150: 데이터 구동부
160: 게이트 구동부 170: 유기 발광 표시 패널
210: TFT 기판 220: 발광층
230: 패시베이션층
230_a: 표시 영역의 패시베이션층
230_b: 비표시 영역의 패시베이션층 500, 1000: 증착 챔버
510: 핫플레이트 520: 소스 방출부
511_a, 511_b: 전열선 512: 몸체
513: 열전도 방지 해자 1010: 증착 플레이트
1030: 레이저 램프 헤드 L: 레이저
1031, 1032, 1033, 1034: 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드
L/A: 핫플레이트의 중앙부 H/A: 핫플레이트의 주변부
H: 핫플레이트의 중앙부와 주변부의 경계 W: 열전도 방지 해자의 폭
A/A: 표시 영역 N/A: 비표시 영역
140: 타이밍 제어부 150: 데이터 구동부
160: 게이트 구동부 170: 유기 발광 표시 패널
210: TFT 기판 220: 발광층
230: 패시베이션층
230_a: 표시 영역의 패시베이션층
230_b: 비표시 영역의 패시베이션층 500, 1000: 증착 챔버
510: 핫플레이트 520: 소스 방출부
511_a, 511_b: 전열선 512: 몸체
513: 열전도 방지 해자 1010: 증착 플레이트
1030: 레이저 램프 헤드 L: 레이저
1031, 1032, 1033, 1034: 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드
L/A: 핫플레이트의 중앙부 H/A: 핫플레이트의 주변부
H: 핫플레이트의 중앙부와 주변부의 경계 W: 열전도 방지 해자의 폭
A/A: 표시 영역 N/A: 비표시 영역
Claims (17)
- 유기 발광 소자를 포함하는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구획된 TFT 기판; 및
상기 TFT 기판의 상기 유기 발광 소자를 전부 덮도록, 상기 TFT 기판 상에 연속적으로 구현된 패시베이션층;을 포함하고.
상기 표시 영역의 상기 패시베이션층을 구성하는 원소의 종류는, 상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층을 구성하는 원소의 종류와 동일하고,
상기 표시 영역의 상기 패시베이션층의 투습도는, 상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층의 투습도보다 높은 것을 특징으로 하는 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 표시 영역의 상기 패시베이션층의 두께는, 상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층의 두께와 같거나 얇은 것을 특징으로 하는 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 패시베이션층을 구성하는 상기 원소는 규소와 질소를 포함하고,
상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층 부분의 규소/질소 비는, 상기 표시 영역의 상기 패시베이션층 부분의 규소/질소 비보다 높은 것을 특징으로 하는 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층의 밀도는 상기 표시 영역의 상기 패시베이션층의 밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 표시 영역의 상기 패시베이션층과 상기 비표시 영역의 상기 패시베이션층의 경계에서, 상기 표시 영역의 상기 패시베이션에서 상기 비표시 영역의 상기 패시베이션으로 갈수록, 상기 패시베이션층의 밀도는 그래디언트하게 증가하는 것을 특징으로 하는 구조물. - 제1 발열 온도를 가지도록 구현된 중앙부와, 상기 제1 발열 온도보가 더 높은 제2 발열 온도를 가지도록 구현된, 상기 중앙부를 둘러싸는 주변부로 구획되고, 내부에 전열선이 있는 핫플레이트; 및
상기 핫플레이트와 대향하고, 증착 물질을 분사하는 적어도 하나의 소스 방출부를 포함하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 주변부와 상기 중앙부의 경계에, 상기 중앙부를 둘러싸는 열전도 방지 해자가 있는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 열전도 방지 해자의 폭은 1mm 이상인 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 전열선은 상기 주변부와 상기 중앙부에 걸쳐 연결되지 않고, 상기 주변부에 대응하는 전열선과 상기 중앙부에 대응하는 전열선은 서로 일정 간격을 두고 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 전열선의 열전도율이, 상기 중앙부에 대응하는 전열선의 열전도율보다 높은 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 상기 전열선의 선밀도가, 상기 중앙부에 대응하는 상기 전열선의 선밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 중앙부에 대응하는 전열선과 상기 주변부에 대응하는 전열선은 각각 별개로 전원에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 상기 핫플레이트의 몸체를 구성하는 물질의 열전도율이, 상기 중앙부에 대응하는 상기 핫플레이트 부분을 구성하는 물질의 열전도율보다 더 높은 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 증착 플레이트;
상기 증착 플레이트를 향하여 증착 물질을 방출하는 소스 방출부; 및
상기 증착 플레이트와 대향하고, 상기 증착 플레이트에 루프 형상의, 레이저 조사면이 상기 증착 플레이트에 조성되도록 상기 증착 플레이트를 향하여 레이저를 조사하는 적어도 하나의 레이저 램프 헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제14항에 있어서,
상기 적어도 하나의 레이저 램프 헤드는 직선 형상의, 제1 레이저 램프 헤드, 제2 레이저 램프 헤드, 제3 레이저 램프 헤드 및 제4 레이저 램프 헤드를 포함하고,
상기 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드가 격자 형태를 구현하도록, 상기 제1 레이저 램프 헤드와 상기 제2 레이저 램프 헤드는 서로 평행하고, 상기 제3 레이저 램프 헤드와 상기 제4 레이저 램프 헤드는 서로 평행하고, 상기 제1 레이저 램프 헤드와 상기 제3 레이저 램프 헤드는 서로 평행하지 않고 소정의 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제15항에 있어서,
상기 루프 형상의 레이저 조사면이 폐쇄형의 링 형상이 되도록, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드는 서로 교차하는 지점에서 중첩되는 것을 특징으로 하는 증착 챔버. - 제14항에 있어서,
상기 루프 형상의 레이저 조사면은 폐쇄형의 링 형상인 것을 특징으로 하는 증착 챔버.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170015807A true KR20170015807A (ko) | 2017-02-09 |
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Family
ID=58154700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR102454914B1 (ko) |
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