KR20170014289A - 반도체 발광소자 조명장치 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 끝이 둥근 관형이며, 발광모듈을 보호하는 확산부; 그리고 확산부 끝을 바라보는 기판과 기판 위에 실장된 반도체 발광소자를 가지는 발광모듈;을 가지며 발광모듈의 빛이 방해없이 확산부를 통하여 발산할 때, 전방향성(Omni Directional) 조명의 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 조명장치{LIGHTING APPARATUS USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING MEANS}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것으로, 특히 리플렉터, 렌즈를 사용하거나 기둥형으로 발광소자를 배치하지 않고 전방향 조명의 조건을 만족시키는 조명장치에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 한국 공개특허공보 제10-2013-0040070호에 개시된 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 일반적으로 전방향성 조명이란 모든 방향으로 빛이 발광되는 조명을 말한다. 반도체 발광소자의 빛은 방향성이 있어 한쪽 방향으로 발산된다. 그 결과, 반도체 발광소자(15)를 이용한 전방향성 조명장치를 만드는 것에 한계가 있다. 도 1은 발광소자 모듈(17)을 세워 기둥으로 배치한 전방향 조명장치이다. 도 1과 같이 발광소자 모듈(17)을 배치하여 조명의 옆과 뒤쪽으로 충분한 빛이 발광 될 수 있도록 한다. 다수의 기판을 구비하여 발광소자 모듈(17)을 기둥형으로 세우고, 커넥터(43)와 단자(61,62) 등을 설치함으로써 조립시간 및 재료비가 증가함에 따라 생산단가가 증가하는 문제점이 있다.
도 2는 한국 공개특허공보 제10-2013-0104951호에 개시된 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 리플렉터(150)를 포함한 반도체 발광소자 조명장치이다. 반도체 발광소자를 전방을 바라보게 배치한다. 이때, 리플렉터(150)를 반도체 발광소자 위에 설치하며, 리플렉터(150)에 반사된 빛으로 인해 측면과 후면이 이전보다 밝아진다. 하지만 리플렉터(150)에 반사할 때 발생하는 빛의 손실로 인해 빛의 효율이 감소하는 문제점이 있다.
도 3은 기존 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 3a는 리플렉터(250)가 있는 반도체 발광소자 조명장치와 배광그래프를 나타낸 것이다. 빛이 리플렉터(250)에 의해서 빛이 반사되어 0~135도까지의 최대의 밝기가 116.4%이다. 0~135도까지의 최소의 밝기는 67.8%이다. 또한, 135도~180도까지 약간의 반사되는 면은 있지만 180도에서는 거의 빛이 없는 것을 볼 수 있다. 리플렉터(250)로 인해 전방(0도)으로 방사되는 빛이 줄고, 60도 주위로 반사되는 빛이 많아진다. 하지만 전체적으로 효율이 떨어진다는 문제점이 발생한다.
도 3b는 반사체가 없는 반도체 발광소자 조명장치의 일부와 배광그래프를 나타낸 것이다. 리플렉터(도 3a; 250)가 없기 때문에 0~135도까지의 최대의 밝기가 평균광도의 127.8%로 도 3a보다 약 11%가 높다. 0~135도까지의 최소의 밝기는 평균관도의 45.1%로 옆으로 가는 도 3a보다 적은 것을 알 수 있다. 간단한 구성으로 최대의 밝기는 도 3a보다 높다. 하지만 85도부터 빛이 줄어들어 측면으로 향하는 빛이 감소하는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 끝이 둥근 관형이며, 발광모듈을 보호하는 확산부; 그리고 확산부 끝을 바라보는 기판과 기판 위에 실장된 반도체 발광소자를 가지는 발광모듈;을 가지며 발광모듈의 빛이 방해없이 확산부를 통하여 발산할 때, 전방향성(Omni Directional) 조명의 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 한국 공개특허공보 제10-2013-0040070호에 개시된 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개특허공보 제10-2013-0104951호에 개시된 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 기존 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 조명장치는 확산부(200)와 발광모듈(300)을 가진다. 확산부(200)는 빛을 확산한다. 확산부(200)는 반사도와 투과도에 따라 달라질 수 있으며, 투명할 수도 있고, 반투명할 수도 있다. 확산부(200)는 끝이 둥글며, 내부가 비어있다. 확산부(200)는 플라스틱, 수지 또는 유리 등으로 형성될 수 있다.
발광모듈(300)은 기판(310)과 반도체 발광소자(301)를 포함한다. 기판(310)은 PCB, 메탈 PCB 등을 포함할 수 있으며, 기판(310) 위에 반도체 발광소자(301)를 구비한다. 반도체 발광소자(301)는 LD, LED, OLED 등을 포함할 수 있고, 빛을 발광한다.
확산부(200) 아래에 발광모듈(300)이 구비되며, 발광모듈(300)의 빛은 도 4에서와 같이 내부에서는 다른 물체에 방해받지 않고 확산부(200)에서 확산된다. 발광모듈(300)은 확산부(200)의 끝의 둥근 부분을 바라보고 빛을 발광한다.
전방향성 조명이란 전방향으로 빛이 고르게 퍼지는 조명이다. 예를 들면, Energy Star 규정에서 전방향성 조명은 전체 광도 분포의 90%이상이 평균광도의 +25%, -25%이내에 만족해야 하며, 135~180도의 광량이 전체 광량의 5%이상이 되어야 한다.
본 예에 따른 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 빛의 반사나 굴절에 따른 손실이 없도록 빛의 진로를 바꾸지 않는다. 그 결과, 빛의 손실이 감소되어 전력대비 효율이 향상된 반도체 발광소자 조명장치를 제공할 수 있다.
도 5는 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 조명장치는 확산부(200), 발광모듈(300), 방열체(400)와 베이스(500)를 가진다.
확산부(200)의 높이(h)는 확산부(200)의 바닥부터 가장 높은 곳까지이며, 직경(B)은 위에서 볼 때 가장 넓은 부위이다. 확산부(200)의 높이(h)를 직경(B)으로 나누어 값이 0.85이상일 때 반도체 발광소자 조명장치의 전방향성 배광 특징이 향상될 수 있다.
방열체(400)는 발광모듈(300)에서 빛을 발광할 때 나오는 열을 외부로 전달한다. 방열체(400)는 열전도율이 높은 금속, 얇은 플라스틱 등으로 형성가능하며, 도 5보다 공기와 접촉하는 표면적이 넓도록 설계하여 장착가능하다.
베이스(500)는 규격제품으로서 E26 이나 E26d를 사용할 수 있다. 베이스(500)는 전원을 외부로부터 조명장치로 공급해준다. 베이스(500)는 나사산이 있으며, 나사산의 크기는 E26, E26d 및 GU24의 규격에 맞추어 제작된다.
방열체(400) 상부에 발광모듈(300)과 확산부(200)가 구비된다. 방열체(400) 내부에는 회로부가 구비될 수 있고, 회로부는 발광모듈(300)로 구동전원 등을 제공가능하다. 방열체(400) 하부에 베이스(500)가 구비되며, 베이스(500)를 통하여 외부로부터 회로부로 전원이 연결될 수 있다. 반도체 발광소자 조명장치의 형태는 A19 타입과 A21 타입으로 제조하는 것이 가능하다.
도 6은 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광모듈(300)과 방열체(400)가 도시되어 있다. 본 예에서 방열체(400) 상단에 발광모듈(300)이 구비된다. 발광모듈(300)의 기판(310)은 방열체(400) 직경보다 작게 설계될 수 있다. 예를 들면, 기판(310)이 방열체(400) 직경보다 2mm 작아지고, b는 1mm가 된다. 발광모듈(300)의 반도체 발광소자(301)는 기판(310)의 가장자리를 따라 설치될 수 있다. 예를 들면, 반도체 발광소자(301)는 기판(310)의 가장자리에서 1.5mm 안쪽(a)으로 설치된다. 반도체 발광소자(301)는 한 기판(310)에서 같은 방향을 바라보고 구비될 수 있다. 본 예에서 기판(310)은 원형이고, 원주를 따라 복수의 반도체 발광소자(301)들이 일정간격으로 나열된다. 예를 들면, 기판(310)의 직경은 도 5의 확산부(200)의 h가 55mm 일때, 38.4mm 이다. 도 6에서 반도체 발광소자(301)의 개수는 20개이며, 나타내고자 하는 빛의 밝기에 따라 조절할 수 있다. 마주보는 반도체 발광소자(301)의 중심과 중심의 거리는 d로 나타내고, 기판(310)의 직경을 D라고 한다. 이때, 반도체 발광소자(301)의 중심거리(d)/기판(310)의 직경(D)는 0.7이상이다. 이 공식은 일부의 반도체 발광소자(301)가 기판(310)의 가장자리에 위치하여, 전방향성 조명의 조건을 만족할 수 있도록 한다. 전방향성 조명의 조건을 만족한다면, 일부의 반도체 발광소자(301)는 기판(310) 내부에도 구비가능하다.
도 7은 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 7a의 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 46mm 일 때의 반도체 발광소자 조명장치이다. 이때의 배광그래프는 도 7b와 같이 나타낸다. 그래프를 보면 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 밝기가 최대인 곳은 120.6% 이다. 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 가장 최소인 곳은 평균광도의 55.3% 이다. 180도 쪽은 거의 빛이 없고, 135~180도까지는 빛이 점점 줄어드는 것을 볼 수 있다. 이때는 0~135도 사이의 최대 밝기는 만족하지만, 최소 밝기가 평균광도의 75% 이상이어야 하는데 만족하지 못하는 것을 알 수 있다.
도 8은 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 8a의 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 53mm 일 때의 반도체 발광소자 조명장치의 배광 그래프이다. 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 도 7a보다 7mm 높아졌고 그만큼 방열체(400)의 높이가 낮아졌다. 그래프를 보면 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 밝기가 최대인 곳은 평균광도의 111.8% 이다. 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 가장 최소인 곳은 평균광도의 68.3% 이다. 180도의 빛이 증가하였고, 130~180도까지의 그래프가 완만해졌다. 도 7b보다 밝기가 최대인 곳의 밝기가 약 9% 정도 감소하였지만 밝기가 가장 최소인 곳은 약 13%가 증가하였다. 확산부(200)의 높이를 높이고, 방열체(400)의 높이를 낮추자 빛의 밝기가 도 7b보다 균일해진 것을 알 수 있다.
도 9는 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 9a의 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 60mm 일 때의 반도체 발광소자 조명장치의 배광 그래프이다. 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 도 8a보다 7mm 높아졌고 그만큼 방열체(400)의 높이가 낮아졌다. 배광 그래프(도 9b)를 보면 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 밝기가 최대인 곳은 111.8% 이다. 빛의 밝기가 0~135도 사이에서 가장 최소인 곳은 평균광도의 82.0%이다. 그리고 180도의 빛이 도 8b의 180도 일 때보다 증가하였고, 130~180도까지의 그래프는 비슷하다. 도 8b보다 밝기가 최대인 곳의 밝기는 같고, 밝기가 가장 최소인 곳은 약 14%가 증가하였다. 확산부(200)의 높이(도 5:h)를 높이고, 방열체(400)의 높이를 낮추자 빛의 밝기가 도 8b보다 균일해진 것을 알 수 있다.
도 10은 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 7, 도 8, 도 9에서 나타난 것과 같이 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 높아질수록 전방향성 배광 조건을 만족하는 것을 나타낸다. 전방향성 배광 조건은 빛의 밝기가 최소 75% 이상~최대 125% 이상(702)이다. 확산부(200)의 높이(도 5:h)가 높아질수록 밝기의 최대값(700)은 줄어들며, 밝기의 최소값(701)은 증가한다. 배광조건 내에 확산부(200)의 높이(도 5:h)는 확산부(200)의 높이(도 5:h) 52mm부터 전방향성 배광 조건에 부합하며, 확산부(200)의 높이(도 5:h) 57mm부터 범위를 벗어나는 밝기(703,704)가 없다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 끝이 둥근 관형이며, 발광모듈을 보호하는 확산부; 그리고 확산부 끝을 바라보는 기판과 기판 위에 실장된 반도체 발광소자를 가지는 발광모듈;을 가지며 발광모듈의 빛이 방해없이 확산부를 통하여 발산할 때, 전방향성(Omni Directional) 조명의 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(2) 확산부의 제일 높은 곳까지의 높이와 가장 넓은 부위의 직경을 가지며, 확산부의 높이/직경이 0.85이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(3) 발광모듈는 반도체 발광소자의 중심으로부터 기판의 중심을 지나 마주보는 반도체 발광소자의 중심까지의 중심거리;를 가지며, 반도체 발광소자의 중심거리/기판의 직경이 0.7 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(4) A19 타입으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(5) A21 타입으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(6) 반도체 발광소자는 기판을 따라 일정 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(7) 확산부에 결합되며, 발광모듈의 아래로 형성되어, 발광모듈의 열을 방열하는 방열체 방열체는 방열체는 열 전도율이 높은 금속 또는 얇은 플라스틱을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(8) 복수의 반도체 발광소자는 기판의 둘레에서 1.5mm 안쪽으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(9) 방열체 아래에 결합되고, 나사산을 가지는 베이스; 베이스는 E26 ,E26d 또는 GU24를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(10) 반도체 발광소자가 한 기판에 구비되어 같은 방향으로 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(11) 반도체 발광소자는 20개인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(12) 확산부에 결합되며, 발광모듈의 아래로 형성되어, 발광모듈의 열을 방열하는 방열체 방열체 직경보다 2mm 작게 기판을 제작하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(13) 복수의 반도체 발광소자는 기판의 둘레에서 1.5mm 안쪽으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
본 개시에 의하면, 빛이 발광하여 확산부를 통하여 외부로 발산되기 때문에 빛의 손실이 적어 효율이 높은 반도체 발광소자 조명장치를 제공한다. 또한, 본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 기둥을 세워 여러 방향으로 빛을 발산시키거나 리플렉터를 부착하지 않기 때문에 조립시간 및 재료비가 감소하여 생산단가를 낮출 수 있는 반도체 발광소자 조명장치를 제공한다.

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자 조명장치에 있어서,
    끝이 둥근 관형이며, 발광모듈을 보호하는 확산부; 그리고
    확산부 끝을 바라보는 기판과 기판 위에 실장된 반도체 발광소자를 가지는 발광모듈;을 가지며
    발광모듈의 빛이 방해없이 확산부를 통하여 발산할 때, 전방향성(Omni Directional) 조명의 조건을 만족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    확산부의 제일 높은 곳까지의 높이와 가장 넓은 부위의 직경을 가지며,
    확산부의 높이/직경이 0.85이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    발광모듈는 반도체 발광소자의 중심으로부터 기판의 중심을 지나 마주보는 반도체 발광소자의 중심까지의 중심거리;를 가지며,
    반도체 발광소자의 중심거리/기판의 직경이 0.7 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
    A19 타입으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  5. 청구항 2 또는 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
    A21 타입으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    반도체 발광소자는 기판을 따라 일정 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  7. 청구항 3에 있어서,
    확산부에 결합되며, 발광모듈의 아래로 형성되어, 발광모듈의 열을 방열하는 방열체;
    방열체는 열 전도율이 높은 금속이나 얇은 플라스틱을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  8. 청구항 3에 있어서,
    복수의 반도체 발광소자는 기판의 둘레에서 1.5mm 안쪽으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  9. 청구항 6 또는 청구항 7 중의 어느 한 항에 있어서,
    방열체 아래에 결합되고, 나사산을 가지는 베이스;
    베이스는 E26 ,E26d 또는 GU24를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9 중의 어느 한 항에 있어서,
    반도체 발광소자가 한 기판에 구비되어 같은 방향으로 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.



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