KR20170003100A - Thermo electric device and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20170003100A
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이승환
성명석
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a thermoelectric device with an improved thermoelectric property and a method of fabricating the same. The thermoelectric device according to an embodiment of the present invention comprises: a first substrate; a second substrate facing the first substrate; and a thermoelectric material and silicon which are arranged in between the first substrate and the second substrate.

Description

열전 소자 및 이의 제조 방법{THERMO ELECTRIC DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a thermoelectric device,

본 발명은 열전 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric device and a method of manufacturing the same.

열전 현상은 두 물질 사이에 전류를 인가함으로써 재료 접합부 양단에 발열 및 냉각이 이루어지거나(Peltier effect), 역으로 두 물질간의 온도 차에 의해 기전력이 발생(Seebeck effect)하는 현상이다. 열전 소자는 상기와 같은 열전 현상을 이용하여 열을 전기로 또는 전기를 열로 직접 변환시키는 기능을 갖는 금속 또는 세라믹 소자를 말한다.Thermoelectric phenomenon is a phenomenon in which heat is generated and cooled at both ends of a material joint by applying current between two materials (Peltier effect), and conversely, electromotive force is generated due to temperature difference between two materials (Seebeck effect). A thermoelectric element refers to a metal or ceramic element having a function of directly converting heat into an electric furnace or electricity into heat using the above-mentioned thermoelectric phenomenon.

열전 소자는 제벡 효과(Seebeck effect)를 이용하면 컴퓨터나 자동차 엔진 등에서 발생한 열을 전기 에너지로 변환할 수 있다. 그리고, 펠티에 효과(Peltier effect)를 이용하면 냉매가 필요 없는 각종 냉각 시스템을 구현할 수 있다.The thermoelectric element can convert heat generated from a computer or an automobile engine into electric energy by using the Seebeck effect. And, by using the Peltier effect, various cooling systems that do not need refrigerant can be implemented.

열전 소자는 상부 기판과 하부 기판 사이에 N형 및 P형의 반도체 셀이 배치되고, N형 열전 셀과 P형 열전 셀이 서로 연결된다. 상기와 같은 열전 소자는 적층형 방식으로 형성할 수 있다. 적층형 방식은 열전 재료를 포함하는 페이스트를 이용하고 이를 경화 및 소결시켜 형성할 수 있다.In the thermoelectric element, N-type and P-type semiconductor cells are disposed between the upper substrate and the lower substrate, and the N-type thermoelectric cells and the P-type thermoelectric cells are connected to each other. The above-described thermoelectric elements can be formed in a laminated manner. The laminated type method can be formed by using a paste containing a thermoelectric material and curing and sintering the same.

구체적으로, 열전 재료, 바인더, 가소제, 분산제 및 용매를 혼합하여 페이스트를 형성할 수 있다. 바인더, 가소제, 분산제 및 용매는 페이스트의 합성을 위한 것이다. 상기와 같은 페이스트를 필름 상에 도포하고 이를 경화시켜 열전 시트를 형성한다. 그리고, 필름에서 열전 시트를 박리한 후, 복수 개의 열전 시트를 적층하고 이를 소결시켜 N형 및 P형의 셀을 형성한다.Specifically, a paste can be formed by mixing a thermoelectric material, a binder, a plasticizer, a dispersant, and a solvent. Binders, plasticizers, dispersants and solvents are for the synthesis of the paste. The above paste is applied on a film and cured to form a thermoelectric sheet. After peeling the thermoelectric sheet from the film, a plurality of thermoelectric sheets are laminated and sintered to form N-type and P-type cells.

그런데, 페이스트에 함유된 바인더에 의해 N형 및 P형의 셀의 강도 및 성능이 저하될 수 있다.However, the strength and performance of the N-type and P-type cells may be deteriorated by the binder contained in the paste.

구체적으로, 페이스트에 함유된 바인더가 적으면 열전 시트를 필름에서 박리할 때 열전 시트가 깨질 수 있다. 반대로 페이스트에 바인더가 너무 많이 함유된 경우에는 페이스트를 경화시킬 때, 열전 시트에 공극이 발생하거나 바인더가 완전히 증발되지 않아 남아있는 바인더에 의해 셀의 열전 특성이 저하되는 문제가 발생한다.Specifically, when the amount of the binder contained in the paste is small, the thermoelectric sheet may be broken when the thermoelectric sheet is peeled from the film. On the contrary, when the paste contains too much binder, when the paste is cured, voids are generated in the thermoelectric sheet or the binder is not evaporated completely, and the thermally conductive property of the cell is deteriorated due to the remaining binder.

본 발명 실시 예는 강도 및 열전 특성이 향상된 열전 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide a thermoelectric element with improved strength and thermoelectric properties and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 실시 예의 열전 소자는 제 1 기판; 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되며, 열전 재료 및 규소를 포함한다. 이 때, 커플링제는 실란계(Silane), 아크릴레이트계(Acylate), 티탄산염계(Titanate), 크롬계(Chrome) 커플링제 중 선택될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thermoelectric device including: a first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a thermoelectric material and silicon disposed between the first substrate and the second substrate. At this time, the coupling agent may be selected from among silane, acrylate, titanate, and chromium coupling agents.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 실시 예의 열전 소자의 제조 방법은 열전 재료와 커플링제를 용매에 혼합하여 페이스트를 형성하는 단계; 상기 페이스트를 경화시켜 열전 시트를 형성하는 단계; 복수의 열전 시트를 적층하는 단계; 및 적층한 상기 열전 시트를 소결하여 열전 셀을 형성하는 단계를 포함한다. 이 때, 커플링제는 실란계(Silane), 아크릴레이트계(Acylate), 티탄산염계(Titanate), 크롬계(Chrome) 커플링제 중 선택될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thermoelectric device, including: forming a paste by mixing a thermoelectric material and a coupling agent in a solvent; Curing the paste to form a thermoelectric sheet; Stacking a plurality of thermoelectric sheets; And sintering the laminated thermoelectric conversion sheets to form thermoelectric cells. At this time, the coupling agent may be selected from among silane, acrylate, titanate, and chromium coupling agents.

실시 예의 열전 소자 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The thermoelectric element and its manufacturing method of the embodiment have the following effects.

첫째, 열전 시트를 형성하기 위한 페이스트가 커플링제를 더 포함하여 이루어져, 커플링제가 바인더 및 열전 재료와 동시에 결합한다. 따라서, 바인더 분자와 열전 재료 분자 사이에 강한 힘(intermolecular force)이 작용하여, 열전 시트의 물리적 강도가 향상된다. 이에 따라, 필름으로부터 열전 시트를 박리할 때 열전 시트가 깨지는 현상을 방지할 수 있다. First, the paste for forming the thermoelectric sheet further comprises a coupling agent, so that the coupling agent binds simultaneously with the binder and the thermoelectric material. Therefore, an intermolecular force acts between the binder molecules and the thermoelectric material molecules, so that the physical strength of the thermoelectric sheet is improved. This makes it possible to prevent the thermoelectric sheet from being broken when the thermoelectric sheet is peeled from the film.

둘째, 페이스트에 함유되는 바인더의 중량 백분율(wt%)을 감소시켜, 바인더가 감소된 만큼 열전 재료의 중량 백분율이 증가되어 열전 재료 특성이 향상될 수 있다. 따라서, 상기와 같은 열전 시트로 이루어진 N형 열전 셀 및 P형 열전 셀을 포함하는 열전 소자의 열전 특성이 향상된다. Second, the weight percentage (wt%) of the binder contained in the paste is reduced, and the weight percentage of the thermoelectric material is increased by the decrease of the binder, so that the thermoelectric material characteristics can be improved. Accordingly, the thermoelectric characteristics of the thermoelectric element including the N-type thermoelectric cell and the P-type thermoelectric cell made of the thermoelectric sheet as described above are improved.

셋째, 커플링제가 실란 커플링제인 경우, N형 열전 셀 및 P형 열전 셀이 열전 재료와 규소(Si)를 포함하여 이루어진다. 이 때, 규소(Si)가 도펀트로 기능하여 N형 열전 셀과 P형 열전 셀의 열전 특성이 더욱 향상될 수 있다.Third, when the coupling agent is a silane coupling agent, the N-type thermoelectric cell and the P-type thermoelectric cell include a thermoelectric material and silicon (Si). At this time, silicon (Si) functions as a dopant and the thermoelectric characteristics of the N-type thermoelectric cell and the P-type thermoelectric cell can be further improved.

도 1은 본 발명 실시 예의 열전 시트를 제조하는 흐름도이다.
도 2는 일반적인 열전 시트의 구조를 도시한 모형도이다.
도 3은 본 발명 실시 예의 열전 시트의 구조를 도시한 모형도이다.
도 4는 본 발명 실시 예의 열전 소자의 단면도이다.
1 is a flow chart for manufacturing a thermoelectric sheet of an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram showing the structure of a general thermoelectric sheet.
3 is a model diagram showing the structure of the thermoelectric sheet of the embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a thermoelectric element in an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the embodiments of the present invention are not intended to be limited to the specific embodiments but include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the embodiments, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the embodiments of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성 요소가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성 요소가 상기 두 구성 요소 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when an element is described as being formed "on or under" another element, the upper or lower (lower) (on or under) all include that the two components are in direct contact with each other or that one or more other components are indirectly formed between the two components. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one component.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명 실시 예의 열전 소자 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a thermoelectric device and a method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 실시 예의 열전 시트를 제조하는 흐름도이다.1 is a flow chart for manufacturing a thermoelectric sheet of an embodiment of the present invention.

도 1과 같이, 본 발명 실시 예의 열전 시트는 열전 재료, 바인더, 가소제, 분산제, 커플링제 및 용매를 혼합하여 페이스트를 제조(S5)한다.As shown in Fig. 1, a thermoelectric sheet of the present invention is prepared by mixing a thermoelectric material, a binder, a plasticizer, a dispersant, a coupling agent and a solvent (S5).

열전 재료는 비스무트-텔레늄(Bi2Te3)을 포함하는 N형 열전 재료 또는 P형 열전 재료이다. N형 열전 재료는 Bi2Te3 -x-ySexCuy(0.1<x<0.5, 0<y<0.1) 또는 Bi2Te3 -xSex(0.1<x<0.5, 0<y<0.1)일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 그리고, P형 열전 재료는 Bi2 -x- ySbx -yTe3Cuy(0.1<x<0.5, 0<y<0.1) 또는 Bi2 -xSbxTe3(0.1<x<0.5, 0<y<0.1)일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 이 때, 열전 재료의 중량 백분율(wt%)은 60 내지 90일 수 있다.The thermoelectric material is an N-type thermoelectric material or a P-type thermoelectric material including bismuth-tellurium (Bi 2 Te 3 ). The n-type thermoelectric material may be Bi 2 Te 3 -xy Se x Cu y (0.1 <x <0.5, 0 <y <0.1) or Bi 2 Te 3 -x Se x But is not limited thereto. The p-type thermoelectric material is preferably Bi 2 -x- y Sb x -y Te 3 Cu y (0.1 <x <0.5, 0 <y <0.1) or Bi 2 -x Sb x Te 3 0 < y < 0.1). At this time, the weight percentage (wt%) of the thermoelectric material may be 60 to 90. [

바인더는 롱 체인 폴리머(Long Chain Polymer)로, 유기 용매에 분산된 열전 재료를 결합시킨다. 특히, 바인더는 열전 시트에 성형성을 부여하여 열전 시트의 강도를 향상시킨다. 상기와 같은 바인더는 폴리비닐부틸레이트(polyvinyl butyrate; PVB), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA), 아크릴계(Acrylic), 폴리비닐부티랄(Polyvinyl butyral) 등에서 선택될 수 있다. 이 때, 바인더의 중량 백분율(wt%)은 0.1 내지 3일 수 있다.The binder is a long chain polymer, which binds a thermoelectric material dispersed in an organic solvent. In particular, the binder improves the strength of the thermoelectric sheet by imparting moldability to the thermoelectric sheet. The binder may be selected from polyvinyl butyrate (PVB), polyvinyl alcohol (PVA), acrylic, polyvinyl butyral, and the like. At this time, the weight percentage (wt%) of the binder may be 0.1 to 3.

가소제는 바인더의 유리전이온도를 낮추어 페이스트의 유동특성, 유연성, 탄성, 접착성 및 가공성 등을 부여하기 위해 페이스트에 포함된다. 일반적으로, 바인더는 분자량이 커, 바인더 분자들끼리 서로 끌어당기는 힘이 매우 강하다. 따라서, 가소제는 바인더의 분자 사이에서 바인더 분자들이 서로 엉키는 것을 방지하여 페이스트에 가소성을 부여할 수 있다. 가소제는 프탈산디옥틸(Dioctyl phthalate), 디부틸프탈레이트(Di-n-butyl phthalate; DBP), 프탈산디이소데실(Diisodecyl phthalate), 프탈산디에틸(Diethyl phthalate), 디헥실프탈레이트(Di-n-hexyl phthalate; DNHP), 프탈산디이소부틸(Diisobutyl phthalate), 올레오일 사르코신(Oleoyl sarcosine) 등에서 선택될 수 있다. 이 때, 가소제의 중량 백분율(wt%)은 0.1 내지 3일 수 있다.The plasticizer is included in the paste to lower the glass transition temperature of the binder to impart the flow properties, flexibility, elasticity, adhesiveness and processability of the paste. Generally, the binder has a large molecular weight, and the binder molecules have a very strong pulling force with each other. Therefore, the plasticizer can prevent the binder molecules from becoming entangled with each other between the molecules of the binder, thereby imparting plasticity to the paste. The plasticizer is selected from the group consisting of dioctyl phthalate, di-n-butyl phthalate (DBP), diisodecyl phthalate, diethyl phthalate, Di-n-hexyl phthalate (DNHP), diisobutyl phthalate, oleoyl sarcosine, and the like. At this time, the weight percentage (wt%) of the plasticizer may be 0.1 to 3.

그리고, 분산제는 페이스트 내에서 열전 재료, 바인더, 가소제의 분산성을 향상시킨다. 상기와 같은 분산제는 프탈레이트(Phthalate), 지방산(fatty acids), 멘헤이든어유(menhaden fish oil) 등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 이 때, 분산제의 중량 백분율(wt%)은 0.1 내지 3일 수 있다.The dispersant improves the dispersibility of the thermoelectric material, the binder and the plasticizer in the paste. The dispersant may be selected from phthalate, fatty acids, menhaden fish oil, and the like, but is not limited thereto. At this time, the weight percentage (wt%) of the dispersing agent may be 0.1 to 3.

상술한 열전 재료, 바인더, 가소제, 분산제, 커플링제는 톨루엔(Toluene)과 같은 용매에 혼합된다. 용매는 이에 한정하지 않으며, 용매의 중량 백분율(wt%)은 0.1 내지 30일 수 있다.The thermoelectric materials, binders, plasticizers, dispersants and coupling agents described above are mixed in a solvent such as toluene. The solvent is not limited thereto, and the weight percentage (wt%) of the solvent may be 0.1 to 30.

그런데, 일반적인 열전 시트는 페이스트에 함유된 바인더에 의해 열전 시트의 강도 및 성능이 저하될 수 있다. 구체적으로, 페이스트에 함유된 바인더가 적으면 열전 시트를 필름에서 박리할 때 열전 시트가 깨질 수 있다. 반대로 페이스트에 바인더가 너무 많이 함유된 경우에는, 페이스트를 경화시킬 때 열전 시트에 공극이 발생하거나 바인더가 완전히 증발되지 않아 남아있는 바인더에 의해 셀의 열전 특성이 저하되는 문제가 발생한다.However, in a general thermoelectric sheet, the strength and performance of the thermoelectric sheet may be deteriorated by the binder contained in the paste. Specifically, when the amount of the binder contained in the paste is small, the thermoelectric sheet may be broken when the thermoelectric sheet is peeled from the film. On the contrary, when the paste contains too much binder, voids are generated in the thermoelectric sheet when the paste is cured, or the binder is not completely evaporated, and the remaining thermally conductive property of the cell is deteriorated by the binder.

따라서, 본 발명 실시 예의 열전 시트는 바인더의 양을 최소화하고 동시에 시트의 강도를 향상시키기 위해, 페이스트가 커플링제(coupling agent)를 더 포함하여 이루어진다. 커플링제는 실란계(Silane), 아크릴레이트계(Acylate), 티탄산염계(Titanate), 크롬계(Chrome) 등과 같은 종류에서 선택될 수 있다. 이 때, 커플링제의 중량 백분율(wt%)은 0.01~3일 수 있다.Therefore, in the thermoelectric sheet of the embodiment of the present invention, the paste further comprises a coupling agent in order to minimize the amount of the binder and at the same time to improve the strength of the sheet. The coupling agent may be selected from silane, acrylate, titanate, chromium, and the like. At this time, the weight percentage (wt%) of the coupling agent may be 0.01 to 3.

일반적인 열전 시트를 형성하기 위한 페이스트는 하기 표 1과 같은 중량 백분율을 갖는 조성물로 형성될 수 있다.The paste for forming a general thermoelectric sheet can be formed from a composition having a weight percentage as shown in Table 1 below.

구분division 물질matter 중량 백분율(wt%)Weight Percentage (wt%) 열전 재료Thermoelectric material 비스무트-텔레늄(Bi2Te3)Bismuth-Telenium (Bi 2 Te 3 ) 73.373.3 바인더bookbinder 폴리비닐부티랄(Polyvinyl butyral)Polyvinyl butyral 55 가소제Plasticizer 올레오일 사르코신(Oleoyl sarcosine)Oleoyl sarcosine 1One 분산제Dispersant 프탈레이트(Phthalate)Phthalate 1.81.8 용매menstruum 톨루엔(Toluene)Toluene 18.918.9 총(Total)Total (Total) 페이스트Paste 100100

그러나, 본 발명 실시 예의 열전 시트를 제조하기 위한 페이스트는 하기 표 2와 같은 중량 백분율을 갖는 조성물로 형성될 수 있다.However, the paste for producing the thermoelectric sheet of the embodiment of the present invention may be formed from a composition having a weight percentage as shown in Table 2 below.

구분division 물질matter 중량 백분율(wt%)Weight Percentage (wt%) 열전 재료Thermoelectric material 비스무트-텔레늄(Bi2Te3)Bismuth-Telenium (Bi 2 Te 3 ) 75.375.3 바인더bookbinder 폴리비닐부티랄(Polyvinyl butyral)Polyvinyl butyral 22 가소제Plasticizer 올레오일 사르코신(Oleoyl sarcosine)Oleoyl sarcosine 1One 분산제Dispersant 프탈레이트(Phthalate)Phthalate 1.81.8 커플링제Coupling agent 실란계 커플링제Silane coupling agent 0.01~10.01 to 1 용매menstruum 톨루엔(Toluene)Toluene 18.918.9 총(Total)Total (Total) 페이스트Paste 100100

상기 표 1과 표 2를 비교하면, 본 발명 실시 예의 열전 소자를 형성하기 위한 페이스트는 일반적인 페이스트에 비해 바인더의 중량 백분율이 감소된다. 구체적으로, 바인더의 중량 백분율이 2로 감소되고, 0.01 내지 1의 커플링제를 포함하여 이루어진다. 따라서, 바인더가 감소된 만큼 열전 재료의 중량 백분율을 증가시킬 수 있다.Comparing Table 1 and Table 2, the paste for forming the thermoelectric element of the embodiment of the present invention has a lower weight percentage of the binder than a general paste. Specifically, the weight percentage of the binder is reduced to 2 and comprises 0.01 to 1 coupling agent. Therefore, the weight percentage of the thermoelectric material can be increased as much as the binder is reduced.

커플링제의 양이 너무 적은 경우 커플링제가 열전 재료와 바인더에 결합될 수 없어, 열전 시트가 깨지는 것을 방지할 수 없다. 따라서, 커플링제의 중량 백분율은 0.1이상일 수 있다. 또한, 커플링제의 중량 백분율이 너무 높은 경우에는 열전 시트의 강도는 향상되나, 열전 재료 대비 커플링제의 함량이 증가하여 열전 시트의 특성이 감소될 수 있다. 따라서, 커플링제는 바인더의 중량 백분율보다 낮으며, 커플링제는 0.01 내지 1의 중량 백분율을 가질 수 있다.If the amount of the coupling agent is too small, the coupling agent can not be bonded to the thermoelectric material and the binder, and the thermoelectric sheet can not be prevented from breaking. Therefore, the weight percentage of the coupling agent may be 0.1 or more. In addition, when the weight percentage of the coupling agent is too high, the strength of the thermoelectric sheet is improved, but the content of the coupling agent relative to the thermoelectric material is increased, and the characteristics of the thermoelectric sheet can be reduced. Thus, the coupling agent may be lower than the weight percentage of the binder, and the coupling agent may have a weight percentage of from 0.01 to 1.

특히, 실란계 커플링제는 유기물 및 무기물과 상호작용을 할 수 있는 두 가지 관능기를 가지고 있다. 따라서, 페이스트에 실란계 커플링제가 포함된 경우, 실란계 커플링제가 열전 재료와 바인더의 결속력을 강화시켜, 열전 시트의 강도가 향상될 수 있다. 이 때, 실란계 커플링제는 하기 화학식 1의 2-(3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 화학식 2의 3-Glycidoxypropyl methyldimethoxysilane, 화학식 3의 3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane, 화학식 4의 3-Glycidoxypropyl methyldimethoxysilane 및 화학식 5의 3-Glycidoxypropyl triethoxysilane 중 선택될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.In particular, silane-based coupling agents have two functional groups capable of interacting with organic and inorganic materials. Therefore, when the silane coupling agent is included in the paste, the silane coupling agent strengthens the bonding force between the thermoelectric material and the binder, and the strength of the thermoelectric sheet can be improved. In this case, the silane-based coupling agent may be selected from the group consisting of 2- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane represented by the following Chemical Formula 1, 3-Glycidoxypropyl methyldimethoxysilane represented by the Chemical Formula 2, 3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane represented by the Chemical Formula 3, 3-Glycidoxypropyl methyldimethoxysilane represented by the Chemical Formula 4, -Glycidoxypropyl triethoxysilane, but is not limited thereto.

Figure pat00001
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Figure pat00002
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Figure pat00003
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Figure pat00004
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Figure pat00005
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다시 도 1을 참조하면, 상기와 같이 제조된 페이스트를 필름 상에 도포(S10)한 후, 페이스트를 경화시켜 용매가 제거된 열전 시트를 형성(S15)한다. 이 때, 열전 시트는 필름 상에서 경화된 페이스트를 지칭하는 것으로, 열전 시트는 열전 재료, 바인더, 가소제, 분산제, 커플링제를 포함한다. 이어, 필름으로부터 열전 시트를 박리(S20)한다.Referring again to FIG. 1, the paste prepared as described above is applied on a film (S10), and then the paste is cured to form a thermoelectric sheet from which solvent has been removed (S15). At this time, the thermoelectric sheet refers to a paste cured on a film, and the thermoelectric sheet includes a thermoelectric material, a binder, a plasticizer, a dispersant, and a coupling agent. Next, the thermoelectric sheet is peeled from the film (S20).

상기와 같은 본 발명 실시 예의 열전 시트는 커플링제가 바인더 및 열전 재료와 동시에 결합함으로써, 바인더 분자와 열전 재료 분자 사이에 강한 힘(intermolecular force)이 작용한다. 따라서, 필름으로부터 열전 시트를 박리할 때, 열전 시트가 깨지는 현상을 방지할 수 있다. 더욱이, 페이스트에 함유되는 바인더의 중량 백분율이 감소되어, 바인더가 감소된 만큼 열전 재료의 중량 백분율을 증가된다. 따라서, 열전 재료의 비율이 향상되어 열전 시트의 열전 특성이 향상될 수 있다.In the thermoelectric sheet of the present invention as described above, the coupling agent bonds with the binder and the thermoelectric material at the same time, so that an intermolecular force acts between the binder molecule and the thermoelectric material molecule. Therefore, when the thermoelectric sheet is peeled from the film, it is possible to prevent the thermoelectric sheet from being broken. Moreover, the weight percentage of the binder contained in the paste is reduced, and the weight percentage of the thermoelectric material is increased as the binder is reduced. Therefore, the ratio of the thermoelectric material can be improved and the thermoelectric properties of the thermoelectric sheet can be improved.

도 2는 일반적인 열전 시트의 구조를 도시한 모형도로, 열전 재료와 바인더만을 도시하였다. 그리고, 도 3은 본 발명 실시 예의 열전 시트의 구조를 도시한 모형도로, 열전 재료, 바인더 및 커플링제를 도시하였다.FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of a general thermoelectric sheet, showing only a thermoelectric material and a binder. 3 is a schematic diagram showing the structure of the thermoelectric conversion sheet of the embodiment of the present invention, showing a thermoelectric material, a binder and a coupling agent.

도 2와 같이, 일반적인 열전 시트는 바인더(6)가 열전 재료(5)들을 서로 연결한다. 그러나, 도 3과 같이, 커플링제(7)를 포함하는 본 발명의 열전 시트는 커플링제(7)가 바인더(6) 및 열전 재료(5)와 동시에 결합된다. 따라서, 열전 재료(5)들의 결합력이 향상되고 밀도가 높아져, 열전 시트의 열전 특성이 향상되며 물리적 강도가 높아질 수 있다.As shown in Fig. 2, a general thermoelectric sheet connects the thermoelectric materials 5 to each other with the binder 6 interposed therebetween. However, as shown in Fig. 3, in the thermoelectric sheet of the present invention including the coupling agent 7, the coupling agent 7 is bonded to the binder 6 and the thermoelectric material 5 at the same time. Therefore, the bonding force of the thermoelectric materials 5 is improved and the density is increased, so that the thermoelectric properties of the thermoelectric sheet can be improved and the physical strength can be increased.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명 실시 예의 열전 소자의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명 실시 예의 열전 소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a thermoelectric element in an embodiment of the present invention.

도 4와 같이, 본 발명 실시 예의 열전 소자는 제 1 전극(15a)을 포함하는 제 1 기판(10a)과 제 2 전극(15b)을 포함하는 제 2 기판(10b), 제 1 기판(10a)과 제 2 기판(10b) 사이에 배치되어 제 1 전극(15a) 및 제 2 전극(15b)을 통해 전기적으로 연결된 N형 열전 셀(40)과 P형 열전 셀(50), N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)의 일측과 제 1 전극(15a) 사이에 배치된 제 1 솔더(20), 및 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)의 타측과 제 2 전극(15b) 사이에 배치된 제 2 솔더(30)를 포함한다.4, the thermoelectric device of the embodiment of the present invention includes a second substrate 10b including a first substrate 10a including a first electrode 15a and a second electrode 15b, a first substrate 10a including a first electrode 15a, The N-type thermoelectric cell 40, the P-type thermoelectric cell 50, and the N-type thermoelectric cell (not shown) which are disposed between the first substrate 10a and the second substrate 10b and are electrically connected through the first electrode 15a and the second electrode 15b The first solder 20 disposed between one side of the P-type thermoelectric cell 50 and the first electrode 15a and the second solder 20 disposed between the other side of the N-type thermoelectric cell 40 and the P- And a second solder 30 disposed between the two electrodes 15b.

본 발명 실시 예의 열전 소자의 제조 방법은 제 1 전극(15a)을 포함하는 제 1 기판(10a) 상에 제 1 솔더(20)를 인쇄하고, 제 2 전극(15b)을 포함하는 제 2 기판(10b)제 2 기판(10b) 상에 제 2 솔더(30)를 인쇄한다. 제 1 솔더(20)는 제 1 전극(15a) 상에 인쇄되며, 제 2 솔더(30)는 제 2 전극(15b) 상에 인쇄된다. 이 때, 제 1, 제 2 솔더(20, 30)는 전도성을 갖는 물질로 이루어져, 제 1 솔더(20)는 제 1 전극(15a)과 전기적으로 연결되고, 제 2 솔더(30)는 제 2 전극(15b)과 전기적으로 연결될 수 있다.A method of manufacturing a thermoelectric device in accordance with an embodiment of the present invention includes printing a first solder 20 on a first substrate 10a including a first electrode 15a and printing a second solder 20 on a second substrate 15b including a second electrode 15b 10b), the second solder 30 is printed on the second substrate 10b. The first solder 20 is printed on the first electrode 15a and the second solder 30 is printed on the second electrode 15b. At this time, the first and second solders 20 and 30 are made of a conductive material so that the first solder 20 is electrically connected to the first electrode 15a and the second solder 30 is electrically connected to the second And may be electrically connected to the electrode 15b.

제 1 기판(10a)과 제 2 기판(10b)은 Al2O3(Alumina), BN(Boron Nitride) 및 탄소 소재 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 탄소 소재는, 예를 들면 알루미늄 실리콘 카바이드 복합 재료(AlSiC), 흑연(Graphite), 카본 블랙(Caron Black), 그래핀(Graphene), 풀러렌(fullerene), 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube, CNT) 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.The first substrate 10a and the second substrate 10b may include at least one of Al 2 O 3 (Alumina), BN (Boron Nitride), and carbon material. Carbon materials include, for example, aluminum silicon carbide composite materials (AlSiC), graphite, carbon black, graphene, fullerene, carbon nanotube (CNT) And mixtures thereof.

그리고, 제 1 기판(10a) 상에 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)을 위치시킨다. N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)은 각각 제 1 솔더(20) 상에 배치된다. 그리고, N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)과 제 2 솔더(30)가 접하도록 제 2 기판(10b)을 위치시킨다.Then, the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 are placed on the first substrate 10a. The N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 are disposed on the first solder 20, respectively. Then, the second substrate 10b is positioned so that the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 are in contact with the second solder 30.

N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)은 상술한 본 발명 실시 예의 열전 소자를 이용하여 형성할 수 있으며, N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)을 형성하는 단계를 설명하면 다음과 같다.The N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 can be formed using the thermoelectric element of the embodiment of the present invention described above, and the N-type thermoelectric cell 40 and the P- The steps are as follows.

N형 열전 셀(40)은 두 개 이상의 N형 열전 시트(40a)가 적층된 구조로 이루어진다. 즉, N형 열전 재료, 바인더, 분산제, 가소제, 커플링제 및 용매를 혼합하여 형성된 페이스트를 경화시켜 용매가 제거된 N형 열전 시트를 형성하고, 하나 또는 복수 개의 N형 열전 시트(40a)를 적층 한다. 이 때, 적층하는 N형 열전 시트(40a)의 개수를 조절하여 N형 열전 셀(40)의 두께를 조절할 수 있다.The N-type thermoelectric cells 40 are formed by stacking two or more N-type thermoelectric sheets 40a. That is, the paste formed by mixing the N-type thermoelectric material, the binder, the dispersant, the plasticizer, the coupling agent, and the solvent is cured to form the N-type thermoelectric sheet from which the solvent has been removed, and one or a plurality of N- do. At this time, the thickness of the N-type thermoelectric cell 40 can be adjusted by adjusting the number of the N-type thermoelectric sheets 40a to be laminated.

그리고, 적층된 N형 열전 시트(40a)를 400℃ 내지 500℃에서 소결시키면, 바인더, 분산제, 가소제 및 커플링제는 제거되어 N형 열전 재료만 남게 된다. 이어, 소결된 N형 열전 시트(40a)를 절단하여 N형 열전 셀(40)을 형성할 수 있다. 이 때, N형 열전 재료는 Bi2Te3-x-ySexCuy(0.1<x<0.5, 0<y<0.1) 또는 Bi2Te3 -xSex(0.1<x<0.5, 0<y<0.1)일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.Then, when the laminated N-type thermoelectric sheet 40a is sintered at 400 ° C to 500 ° C, the binder, dispersant, plasticizer and coupling agent are removed, leaving only the N-type thermoelectric material. Next, the sintered N-type thermoelectric sheet 40a is cut to form the N-type thermoelectric cell 40. [ In this case, the N-type thermoelectric material is preferably Bi 2 Te 3-xy Se x Cu y (0.1 <x <0.5, 0 <y <0.1) or Bi 2 Te 3 -x Se x &Lt; 0.1), but is not limited thereto.

그리고, P형 열전 셀(50)은 두 개 이상의 P형 열전 시트(50a)가 적층된 구조로 이루어진다. 구체적으로, P형 열전 재료 바인더, 가소제, 분산제, 커플링제 및 용매를 혼합하여 형성된 페이스트를 경화시켜 용매가 제거된 P형 열전 시트(50a)를 형성한다. 그리고, 하나 또는 복수 개의 P형 열전 시트(50a)를 적층 한 후, 적층된 P형 열전 시트(50a)를 400℃ 내지 500℃에서 소결시키면, 바인더, 가소제, 분산제, 가소제 및 커플링제는 휘발되어 P형 열전 재료만 남게 된다. 이어, 소결된 P형 열전 시트(50a)를 절단하여 P형 열전 셀(50)을 형성할 수 있다. 이 때, P형 열전 재료는 Bi2 -x- ySbx -yTe3Cuy(0.1<x<0.5, 0<y<0.1) 또는 Bi2 -xSbxTe3(0.1<x<0.5, 0<y<0.1)일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The P-type thermoelectric cell 50 has a structure in which two or more P-type heat transfer sheets 50a are laminated. Specifically, the paste formed by mixing the P-type thermoelectric material binder, the plasticizer, the dispersant, the coupling agent, and the solvent is cured to form the P-type thermoelectric sheet 50a from which the solvent has been removed. When the laminated P-type thermoelectric sheet 50a is sintered at 400 ° C to 500 ° C after one or more P-type thermoelectric sheets 50a are laminated, the binder, plasticizer, dispersant, plasticizer and coupling agent are volatilized Only the P-type thermoelectric material remains. Then, the sintered P-type thermoelectric sheet 50a is cut to form the P-type thermoelectric cell 50. [ At this time, the P-type thermoelectric material is Bi 2 -x- y Sb x -y Te 3 Cu y (0.1 <x <0.5, 0 <y <0.1) or Bi 2 -x Sb x Te 3 , 0 < y < 0.1).

특히, 커플링제는 상술한 바와 같이 실란계(Silane), 아크릴레이트계(Acylate), 티탄산염계(Titanate), 크롬계(Chrome) 등과 같은 종류에서 선택될 수 있다. 커플링제의 양이 너무 적은 경우 커플링제가 열전 재료와 바인더에 결합될 수 없어, 열전 시트가 깨지는 것을 방지할 수 없다. 따라서, 커플링제의 중량 백분율은 0.1wt%이상이다. 또한, 커플링제의 중량 백분율이 너무 높은 경우에는 열전 시트의 강도는 향상되나, 열전 재료 대비 커플링제의 함량이 증가하여 열전 시트의 특성이 감소될 수 있다. 따라서, 커플링제는 바인더의 중량 백분율보다 낮으며, 커플링제는 0.01wt% 내지 1wt%의 중량 백분율을 갖는다.In particular, the coupling agent may be selected from silane, acrylate, titanate, chromium, and the like as described above. If the amount of the coupling agent is too small, the coupling agent can not be bonded to the thermoelectric material and the binder, and the thermoelectric sheet can not be prevented from breaking. Therefore, the weight percentage of the coupling agent is 0.1 wt% or more. In addition, when the weight percentage of the coupling agent is too high, the strength of the thermoelectric sheet is improved, but the content of the coupling agent relative to the thermoelectric material is increased, and the characteristics of the thermoelectric sheet can be reduced. Thus, the coupling agent is lower than the weight percentage of the binder, and the coupling agent has a weight percentage of from 0.01 wt% to 1 wt%.

특히, 실란계 커플링제(Silane coupling agent)를 사용하는 경우, 열전 시트(40a, 50a)를 소결시키면 바인더, 가소제 및 분산제는 휘발되나, 실란계 커플링제의 규소(Si)는 남게 된다. 열전 시트(40a, 50a)에 남아있는 규소(Si)의 함량은 하기와 같다.In particular, when a silane coupling agent is used, sintering the thermoelectric sheets 40a and 50a volatilizes the binder, the plasticizer, and the dispersing agent, but the silicon (Si) of the silane coupling agent remains. The content of silicon (Si) remaining in the thermoelectric sheets 40a and 50a is as follows.

먼저, 상술한 화학식 1 내지 화학식 5의 실란계 커플링제의 분자량과 규소(Si)의 원자 질량에 따른 규소(Si)의 함량율이 표 3과 같다.Table 3 shows the content of silicon (Si) according to the molecular weights of the silane coupling agents represented by the above-mentioned Chemical Formulas 1 to 5 and the atomic mass of silicon (Si).

실란계 커플링제 종류Silane coupling agent type 총 분자량(g/mol)Total molecular weight (g / mol) 규소의 원자 질량 (g/mol)The atomic mass of silicon (g / mol) 규소 함량율(%)Silicon Content (%) 화학식 1Formula 1 246.4246.4 28.128.1 11.411.4 화학식 2(2) 220.3220.3 28.128.1 12.712.7 화학식 3(3) 236.3236.3 28.128.1 11.911.9 화학식 4Formula 4 248.4248.4 28.128.1 11.311.3 화학식 5Formula 5 278.4278.4 28.128.1 10.110.1

그런데, 소결 공정에 의해 실란계 커플링제는 규소를 중심으로 양 단의 기능기가 제거되어 규소만 남게 되므로, 실란계 커플링제의 중량 백분율에 따라 열전 시트(40a, 50a)에 남아 있는 규소의 함량은 표 4와 같다.However, since the functional groups at both ends of the silane coupling agent are removed from the silane coupling agent by the sintering process, only the silicon remains. Therefore, the content of silicon remaining in the thermoelectric sheets 40a and 50a depends on the weight percentage of the silane coupling agent Table 4 shows the results.

실란계 커플링제의 중량 백분율(wt%)Weight percent (wt%) of silane coupling agent 화학식 1의 실란계 커플링제의 구소 잔존 함량(wt%)Residue content (wt%) of the silane coupling agent of the formula (1) 화학식 2의 실란계 커플링제의 구소 잔존 함량(wt%)Residue content (wt%) of the silane coupling agent of formula (2) 화학식 3의 실란계 커플링제의 구소 잔존 함량(wt%)The residue content (wt%) of the silane coupling agent of the formula (3) 화학식 4의 실란계 커플링제의 구소 잔존 함량(wt%)The residue content (wt%) of the silane coupling agent of the formula (4) 화학식 5의 실란계 커플링제의 구소 잔존 함량(wt%)The residue content (wt%) of the silane coupling agent of the formula (5) 0.010.01 0.00110.0011 0.00130.0013 0.00120.0012 0.00110.0011 0.00100.0010 1One 0.11400.1140 0.12750.1275 0.11890.1189 0.11310.1131 0.10090.1009

즉, N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)이 열전 재료와 0.001wt% 내지 0.130wt%의 규소(Si)를 포함하여 이루어져, 규소(Si)가 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)의 도펀트로 기능할 수 있다. 따라서, N형 열전 셀(40)과 P형 열전 셀(50)의 열전 특성이 더욱 향상될 수 있다.That is, the N-type thermoelectric transducer 40 and the P-type thermoelectric transducer 50 are made of thermoelectric material and 0.001 wt% to 0.130 wt% of silicon (Si) And the P-type thermoelectric cell 50, as shown in Fig. Therefore, the thermoelectric characteristics of the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 can be further improved.

이어, 제 1 기판(10a)과 제 2 기판(10b) 사이에서 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)이 제 1 기판(10a)과 제 2 기판(10b)에 고정되도록 제 1, 제 2 솔더(20, 30)를 경화시키는 리플로우 공정을 실시한다. 리플로우 공정에 의해 제 1, 제 2 솔더(20, 30)가 용융된다. 따라서, 제 1 솔더(20)와 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)이 서로 부착되고, 제 2 솔더(30)와 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)이 서로 접착될 수 있다.Next, the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 are fixed to the first substrate 10a and the second substrate 10b between the first substrate 10a and the second substrate 10b, 1, and the second solder 20, 30 are cured. The first and second solders 20 and 30 are melted by the reflow process. Accordingly, the first solder 20, the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 are attached to each other and the second solder 30, the N-type thermoelectric cell 40 and the P- Can be adhered to each other.

즉, 본 발명 실시 예의 열전 소자는 커플링제를 함유하는 페이스트를 이용하여 형성된 N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)을 포함하여 이루어져, N형 열전 셀(40) 및 P형 열전 셀(50)의 강도가 향상된다. 특히, 페이스트가 실란 커플링제를 포함하는 경우, N형 열전 셀(40)과 P형 열전 셀(50)에 실란 커플링제의 규소(Si)가 남아, 규소(Si)가 도펀트로 기능하여 N형 열전 셀(40)과 P형 열전 셀(50)의 열전 특성이 더욱 향상될 수 있다.That is, the thermoelectric element of the embodiment of the present invention includes the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 formed using the paste containing the coupling agent, and the N-type thermoelectric cell 40 and the P- The strength of the cell 50 is improved. Particularly, when the paste contains a silane coupling agent, silicon (Si) of a silane coupling agent remains in the N-type thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50, and silicon (Si) The thermoelectric characteristics of the thermoelectric cell 40 and the P-type thermoelectric cell 50 can be further improved.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

5: 열전 재료 6: 바인더
7: 커플링제 10a: 제 1 기판
10b: 제 2 기판 15a: 제 1 전극
15b: 제 2 전극 20: 제 1 솔더
30: 제 2 솔더 40: N형 열전 셀
40a: N형 열전 시트 50: P형 열전 셀
50a: P형 열전 시트
5: thermoelectric material 6: binder
7: coupling agent 10a: first substrate
10b: second substrate 15a: first electrode
15b: second electrode 20: first solder
30: second solder 40: N-type thermoelectric cell
40a: N-type thermoelectric sheet 50: P-type thermoelectric cell
50a: P-type thermoelectric sheet

Claims (14)

제 1 기판;
상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판; 및
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되며, 열전 재료 및 규소를 포함하는 열전 셀을 포함하는 열전 소자.
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate; And
And a thermoelectric cell disposed between the first substrate and the second substrate, the thermoelectric device including a thermoelectric material and silicon.
제 1 항에 있어서,
상기 열전 셀은 적층된 복수의 열전 시트를 포함하는 열전 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric cell includes a plurality of thermoelectric sheets stacked.
제 2 항에 있어서,
상기 열전 시트는 열전 재료 및 커플링제를 포함하는 페이스트로부터 소결되는 열전 소자.
3. The method of claim 2,
Wherein the thermoelectric sheet is sintered from a paste containing a thermoelectric material and a coupling agent.
제 3 항에 있어서,
상기 커플링제는 실란계(Silane) 커플링제를 포함하는 열전 소자.
The method of claim 3,
Wherein the coupling agent comprises a silane coupling agent.
제 1 항에 있어서,
상기 열전 재료는 비스무트-텔레늄(Bi2Te3)을 포함하는 열전 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric material comprises bismuth-tellurium (Bi 2 Te 3 ).
제 1 항에 있어서,
상기 규소의 중량 백분율이 0.001 내지 0.130인 열전 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the weight percentage of the silicon is from 0.001 to 0.130.
열전 재료와 커플링제를 용매에 혼합하여 페이스트를 형성하는 단계;
상기 페이스트를 경화시켜 열전 시트를 형성하는 단계;
복수의 열전 시트를 적층하는 단계; 및
적층한 상기 열전 시트를 소결하여 열전 셀을 형성하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조 방법.
Mixing a thermoelectric material and a coupling agent in a solvent to form a paste;
Curing the paste to form a thermoelectric sheet;
Stacking a plurality of thermoelectric sheets; And
And sintering the laminated thermoelectric sheet to form a thermoelectric cell.
제 7 항에 있어서,
상기 커플링제는 실란계(Silane) 커플링제를 포함하는 열전 소자의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the coupling agent comprises a silane coupling agent.
제 7 항에 있어서,
상기 열전 재료는 비스무트-텔레늄(Bi2Te3)을 포함하는 열전 소자의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the thermoelectric material comprises bismuth-tellurium (Bi 2 Te 3 ).
제 7 항에 있어서,
상기 페이스트를 형성하는 단계는 상기 용매에 바인더, 가소제 및 분산제를 더 혼합하는 열전 소자의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the step of forming the paste further comprises mixing a binder, a plasticizer and a dispersant in the solvent.
제 10 항에 있어서,
상기 바인더는 폴리비닐부틸레이트(polyvinyl butyrate; PVB), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA), 아크릴계(Acrylic), 폴리비닐부티랄(Polyvinyl butyral) 중 선택된 열전 소자의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the binder is selected from the group consisting of polyvinyl butyrate (PVB), polyvinyl alcohol (PVA), acrylic, and polyvinyl butyral.
제 10 항에 있어서,
상기 가소제는 프탈산디옥틸(Dioctyl phthalate), 디부틸프탈레이트(Di-n-butyl phthalate; DBP), 프탈산디이소데실(Diisodecyl phthalate), 프탈산디에틸(Diethyl phthalate), 디헥실프탈레이트(Di-n-hexyl phthalate; DNHP), 프탈산디이소부틸(Diisobutyl phthalate), 올레오일 사르코신(Oleoyl sarcosine) 중에서 선택된 열전 소자의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The plasticizer may be selected from the group consisting of dioctyl phthalate, di-n-butyl phthalate (DBP), diisodecyl phthalate, diethyl phthalate, di- hexyl phthalate (DNHP), diisobutyl phthalate, and oleoyl sarcosine.
제 10 항에 있어서,
상기 분산제는 프탈레이트(Phthalate), 지방산(fatty acids), 멘헤이든어유(menhaden fish oil)에서 선택된 열전 소자의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the dispersing agent is selected from phthalate, fatty acids, and menhaden fish oil.
제 7 항에 있어서,
상기 페이스트 중 상기 커플링제의 중량 백분율(wt%)은 0.01 내지 1인 열전 소자의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the weight percentage (wt%) of the coupling agent in the paste is 0.01 to 1. [
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