KR20170000075U - 열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170000075U
KR20170000075U KR2020160003659U KR20160003659U KR20170000075U KR 20170000075 U KR20170000075 U KR 20170000075U KR 2020160003659 U KR2020160003659 U KR 2020160003659U KR 20160003659 U KR20160003659 U KR 20160003659U KR 20170000075 U KR20170000075 U KR 20170000075U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
treatment chamber
heat treatment
wire
sidewalls
electrical resistance
Prior art date
Application number
KR2020160003659U
Other languages
English (en)
Inventor
일영 홍
윌리엄 엔. 스터링
앤드류 엠. 람
시앙 안
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20170000075U publication Critical patent/KR20170000075U/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 개시물은 일반적으로, 열처리 챔버에서 기판을 가열하기 위해서 뿐만 아니라 가열기들에 대한 개선된 전기 연결을 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 일 실시예에서, 열처리 챔버가 제공되고, 열처리 챔버는, 내부 용적을 갖는 본체, 및 본체에 배치된 하나 또는 그 초과의 가열식 기판 하우징들을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 기판 하우징들 각각은, 바닥부 및 바닥부의 각각의 측에 커플링된 측벽들, 그리고, 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 커넥터는 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 제 1 와이어는 제 1 전기 저항을 갖고, 제 2 와이어는 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는다.

Description

열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR ELECTRICAL CONNECTIONS IN A THERMAL TREATMENT CHAMBER}
[0001] 본 개시물의 실시예들은 일반적으로, 대면적의 편평한 매체들, 예컨대, 대면적 기판들을 프로세싱하는 어닐링 챔버와 같은 열처리 챔버에서의 기판들의 가열을 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 개시되는 실시예들은 열처리 챔버에서의 개선된 전기 연결들(electrical connections)에 관한 것이다.
[0002] 편평한 매체들, 예컨대, 유리, 플라스틱, 실리콘, 세라믹, 또는 다른 재료의 직사각형의 가요성 시트들(sheets)은 전형적으로, 다른 애플리케이션들 중에서도, 평판 디스플레이들 및 태양 디바이스들(solar devices)의 제조에서 사용된다. 편평한 매체들 상에 전자 디바이스들, 필름들 및 다른 구조들을 형성할 재료들은, 많은 프로세스들에 의해 편평한 매체들 상에 증착된다. 전형적으로, 열처리 챔버에서의 증착 전에 또는 이후에, 열 프로세스들이 기판에 대해 수행된다.
[0003] 이러한 프로세스들 각각에서, 기판은 전형적으로, 열처리 챔버 내에서, 상대적으로 편평한 기판 지지 표면을 갖는 기판 지지부 상에 평면 배향(planar orientation)으로 지지된다. 이러한 기판 지지부들 중 몇몇은, 기판을 약 섭씨 500도 내지 약 섭씨 600도, 또는 그 초과의 온도들로 가열할 가열기를 포함할 수 있다. 가열기들은, 가열식 기판 지지부들에 근접한 전기 커넥터들에 의해 전력을 공급받는다. 따라서, 몇몇 경우들에서, 전기 커넥터들은 약 섭씨 400도를 넘는, 또는 그 초과의 온도들에 노출된다. 그러한 높은 온도 환경에 대한 전기 커넥터들의 노출은 전기 연결의 고장(failure)을 초래한다. 전기 연결의 고장은, 처리량(throughput)를 감소시킬 수 있는 가열 효율에 영향을 준다. 전기 연결들의 고장은 또한, 가동 중지 시간(downtime)과 소유 비용(cost of ownership)을 증가시킬 수 있다.
[0004] 따라서, 당업계에는, 열처리 챔버에서의 개선된 전기 연결을 위한 장치 및 방법들에 대한 필요가 존재한다.
[0005] 본 개시물은 일반적으로, 열처리 챔버에서 기판을 가열하기 위해서 뿐만 아니라 가열기들에 대한 개선된 전기 연결을 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 일 실시예에서, 열처리 챔버가 제공되고, 열처리 챔버는, 내부 용적을 갖는 본체, 및 본체에 배치된 하나 또는 그 초과의 가열식 기판 하우징들(heated substrate housings)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 기판 하우징들 각각은, 바닥부 및 바닥부의 각각의 측(side)에 커플링된 측벽들, 그리고, 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 커넥터는 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 제 1 와이어는 제 1 전기 저항을 갖고, 제 2 와이어는 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는다.
[0006] 다른 실시예에서, 열처리 챔버가 제공되고, 열처리 챔버는, 내부 용적을 갖는 본체, 내부 용적에 배치된 이동 가능한 기판 캐리어, 및 본체에 배치된 복수의 가열식 기판 하우징들을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 기판 하우징들 각각은, 바닥부, 바닥부의 대향하는(opposing) 측들에 커플링된, 이송측 측벽(transfer side sidewall) 및 후방 측벽(rear sidewall), 그리고, 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 커넥터는 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 제 1 와이어는 제 1 전기 저항을 갖고, 제 2 와이어는 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는다.
[0007] 다른 실시예에서, 열처리 챔버가 제공되고, 열처리 챔버는, 내부 용적을 갖는 본체, 내부 용적에 배치된 이동 가능한 기판 캐리어 ― 기판 캐리어는 기판 캐리어의 대향하는 측벽들 상에 있는 차폐 조립체(shield assembly)를 포함함 ―, 및 본체에 배치된 복수의 가열식 기판 하우징들을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 기판 하우징들 각각은, 바닥부, 바닥부의 대향하는 측들에 커플링되고 차폐 조립체 사이에 포지셔닝되는, 이송측 측벽 및 후방 측벽, 그리고, 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 커넥터는 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 제 1 와이어는 제 1 전기 저항을 갖고, 제 2 와이어는 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는다.
[0008] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 개시물의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 열처리 챔버의 단면도이다.
[0010] 도 2는, 도 1의 열처리 챔버에서 활용될 수 있는 캐리어의 일 실시예의 등각도이다.
[0011] 도 3은, 도 2의 캐리어의 가열식 기판 하우징들 중 하나 또는 그 초과와 함께 활용될 수 있는 가열기 와이어 및 커넥터의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 4는, 도 2의 캐리어의 차폐 조립체의 일 실시예의 단면도이다.
[0013] 도 5는, 도 1 또는 2의 캐리어에서 활용될 수 있는 가열식 기판 하우징의 등각도이다.
[0014] 도 6은 열처리 챔버의 다른 실시예의 개략적인 평면 단면도이다.
[0015] 도 7은 도 6의 선들(7-7)을 따른, 열처리 챔버의 부분의 단면도이다.
[0016] 도 8a는, 도 1의 열처리 챔버에서 활용될 수 있는 가열식 기판 하우징의 다른 실시예의 평면도이다.
[0017] 도 8b는, 도 8a의 가열식 기판 하우징의 부분의 개략적인 확대 평면도이다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유익하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0019] 본 개시물의 실시예들은 일반적으로, 열처리 챔버에서 기판을 가열하기 위해서 뿐만 아니라 가열기들에 대한 개선된 전기 연결을 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 열처리 챔버는 본원에서 어닐링 챔버로서 예시적으로 설명되지만, 본 개시물은 다른 열처리 및 진공 프로세싱 챔버들, 예컨대, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 물리 기상 증착(PVD) 챔버, 에칭 챔버, 또는 기판들의 가열 및/또는 상승된 온도들에서 기판들을 프로세싱하는 데에 활용되는 임의의 다른 챔버에 대해 응용 가능할 수 있다. 본 개시물을 실시하는 데에 사용될 수 있는 적합한 챔버들은, 캘리포니아 주 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc.의 자회사인 AKT로부터 입수 가능하다. 본원에서 개시되는 실시예들은, 또한 다른 제조사들로부터 입수 가능한 챔버들에서도 사용하기에 적합하다는 것이 이해될 것이다.
[0020] 도 1은, 예를 들어, 어닐링 프로세스에서 다수의 기판들을 가열하기 위해 활용될 수 있는 열처리 챔버(100)의 단면도이다. 열처리 챔버(100)는 바닥부(106) 및 측벽(116)의 슬릿 밸브 개구부(115)를 갖는 챔버 본체(105)를 포함한다. 슬릿 밸브 개구부(115)는 도어(118)에 의해 선택적으로 밀봉된다(selectively sealed). 하나 또는 그 초과의 기판들(125)을 지지하기 위한 캐리어(120)는 챔버 본체(105)의 내부 용적에 배치된다. 기판들(125)은 캐리어(120) 내에서 핀들(130)에 의해 지지될 수 있다.
[0021] 캐리어(120)는 복수의 가열식 기판 하우징들(135)을 포함한다. 가열식 기판 하우징들(135) 각각은 바닥부(140) 및 측벽들(145)을 포함한다. 가열식 기판 하우징들(135) 각각은, 핀들(130)을 활용하여 바닥부(140)로부터 이격된 관계(spaced-apart relation)로 기판(125)을 지지하도록 구성된다. 기판들(125)은, 측벽(145)의 개구부(150)와 슬릿 밸브 개구부(115)를 통해 가열식 기판 하우징들(135)의 안으로 그리고 밖으로 이송된다. 개방 시에, 슬릿 밸브 개구부(115)는, 엔드 이펙터(end effector; 155)가 열처리 챔버(100)에 출입하고 기판(125)을 전달하거나 회수하는(retrieve) 것을 허용한다. 캐리어(120)는, 슬릿 밸브 개구부(115)에 대해 Z 방향으로 캐리어(120)를 이동시키는 엘레베이터 메커니즘(elevator mechanism; 160)에 커플링된다. 엘레베이터 메커니즘(160)은, 챔버 본체(105)의 바닥부(106)를 통해서 배치된, 액츄에이터(164)에 커플링된 샤프트(162)를 포함할 수 있다. 액츄에이터(164)는 제어기(166)에 커플링될 수 있다. 도 1에 도시된 포지션에서, 엘레베이터 메커니즘(160)은, 기판(125)이 엔드 이펙터(155)와 접촉할 수 있도록, 캐리어(120)를 - Z 방향으로 하강시킬(lower) 수 있다. 엘레베이터 메커니즘(160)은, 기판(125)이 엔드 이펙터(155) 상에서 지지되는 동안 핀들(130)과의 접촉에서 떨어지도록, 캐리어(120)를 - Z 방향으로 살짝 더 하강시킬 수 있다. 일단 기판(125)이 핀들(130)로부터 떨어져 이동되면, 엔드 이펙터(155)는 기판(125)을 + X 방향으로 제거할 수 있다.
[0022] 새로운 기판의 로딩(loading)은, 엔드 이펙터(155)를 가열식 기판 하우징(135) 내로 슬릿 밸브 개구부(115)를 통해 + X 방향으로 이동시키는 것에 의해 달성될 수 있다. 그러면, 엘레베이터 메커니즘(160)은, 새로운 기판이 핀들(130)과 접촉하고 핀들(130)에 의해 지지되도록, 캐리어(120)를 + Z 방향으로 상승시킨다(raise). 그 후에, 엔드 이펙터(155)는 챔버 본체(105) 밖으로 제거될 수 있다. 그러면, 도어(118)는 폐쇄될 수 있고, 챔버 본체(105)의 내부 용적(168)은 진공 펌프(170)를 사용하여 펌핑 다운될(pumped down) 수 있다. 내부 용적(168) 내의 압력들은 주위 압력(ambient pressure)과 밀리토르(milliTorr) 범위 사이에서 순환할(cycle) 수 있다. 가열식 기판 하우징들(135)에 배치된 기판들(125)은, 적어도 개구부들(150)을 통해, 내부 용적(168)의 압력과 연통한다(in communication with). 몇몇 실시예들에서, 각각의 가열식 기판 하우징(135)은 캐리어(120)의 측벽(145)의 개구부(154)와 정렬되는 개구부(152)를 포함할 수 있다. 개구부들(152 및 154)은, 챔버 본체(105)의 측벽(116)에 형성된 개구부(157)와 정렬될 때, 뷰 윈도우들(view windows)로서 활용될 수 있다.
[0023] 가열식 기판 하우징들(135) 각각은 가열기(172)를 포함한다. 가열기(172)는 가열식 기판 하우징들(135)의 적어도 바닥부(140)에 매립될(embedded) 수 있거나 포지셔닝될 수 있다. 몇몇 실시예들에서는, 캐리어(120)의 정상부(176)가 가열기(172)를 포함한다. 가열기들(172) 각각은, 가열식 기판 하우징들(135)의 외부에 그리고 챔버 본체(105)의 내부 용적(168) 내에 배치된 커넥터(174)에 커플링된다. 가열기들(172) 각각에 대한 리드들(leads; 180)은 샤프트(162)에 형성된 채널(185)을 통해 라우팅될(routed) 수 있다. 리드들(180)은 챔버 본체(105)의 외부에 있는 전력 공급부(190)에 커플링된다.
[0024] 도 2는, 도 1의 열처리 챔버(100)에서 활용될 수 있는 캐리어(120)의 일 실시예의 등각도이다. 뷰 포트들(view ports)로서 활용될 수 있는 개구부들(152)이 내부에 형성된 측벽(145)이 도시된다. 각각의 가열식 기판 하우징(135)은, (본 도면에는 도시되지 않은) 각각의 가열기에 커플링되는 2개의 커넥터들(174)을 포함한다. 가열기 와이어들(200)은 가열식 기판 하우징들(135) 내의 가열기들과 커넥터들(174) 사이에서 연장되는 것으로 도시된다. 가열식 기판 하우징들(135)의 적어도 부분 주위에 배치되는 차폐 조립체(205)가 또한 도시된다. 가열기 와이어들(200)뿐만 아니라 커넥터들(174)을 측벽(145)의 외부에 그리고 측벽(145)으로부터 이격해서 포지셔닝하는 것은, 가열식 기판 하우징들(135) 내의 상승된 온도들에 대한 가열기 와이어들(200) 및 커넥터들(174)의 노출을 감소시킨다.
[0025] 도 3은, 도 2의 가열식 기판 하우징들(135) 중 하나 또는 그 초과에서 활용될 수 있는 가열기 와이어(200) 및 커넥터(174)의 일 실시예의 개략적인 단면도이다. 가열기 와이어(200)는 제 2 와이어(300)에 커플링되는 (가열기(172)일 수 있는) 제 1 와이어(305)를 포함할 수 있다. 제 1 와이어(305)는 제 1 전기 저항을 갖는 금속성 와이어일 수 있고, 제 2 와이어(300)는 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는 금속성 와이어일 수 있다. 제 1 와이어(305)는 알루미늄 또는 구리로 만들어질 수 있고, 제 2 와이어(300)는 텅스텐, 내화재들(refractory materials), 또는 일반적으로 저항형 가열기들과 함께 사용되는 다른 금속들 및/또는 재료들로 만들어질 수 있다. 커넥터(174)는 또한, 단자(terminal; 315)를 하우징하는(house) 커넥터 본체(310)를 포함한다. 단자(315)는 제 1 와이어(300)와 리드(180) 사이의 분리 가능한(releasable) 연결부일 수 있다. 커넥터 본체(310)는 세라믹 재료 또는 다른 내열성 유전체 재료로 구성될 수 있다.
[0026] 도 4는 차폐 조립체(205)의 일 실시예의 단면도이다. 차폐 조립체(205)는, 외측 층(405) 및 내측 층(410)으로 도시된 다수의 층들로 구성된 본체(400)를 포함한다. 내측 층(410)은 (도 1 및 2에서 도시된) 캐리어(120)를 향할(face) 수 있는 반면, 외측 층(405)은 챔버 본체(105)의 측벽(116)(양자 모두 도 1에 도시됨)을 향할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본체(400)는, 외측 층(405)과 내측 층(410) 사이에 배치된 중간 층(415)을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 갭들(420)이 인접한 층들 사이에 제공된다. 갭들(420)은 인접한 층들 사이의 전도(conduction)를 최소화하는 데에 활용될 수 있다.
[0027] 내측 층(410)은, 열이 본체(400)로부터 벗어나 캐리어(120)(도 1 및 2에 도시됨)를 향하여 반사되도록, 반사성 재료, 코팅, 또는 표면을 포함할 수 있다. 내측 층(410)의 반사성 재료, 코팅, 또는 표면은, 85% 또는 그 초과의 반사율을 갖는 금속성 또는 유전체 재료를 포함할 수 있다. 내측 층(410)을 위한 재료들의 예들은 폴리싱된 스테인리스 스틸, 폴리싱된 알루미늄, 또는 다른 반사성 재료를 포함할 수 있다. 외측 층(405)은 스테인리스 스틸 재료, 알루미늄 재료, 또는 열과 압력 변동들에 내성을 갖는 다른 재료를 포함할 수 있다. 중간 층(415)은 높은 온도들에서 화학적으로 그리고 물리적으로 안정적인 재료를 포함할 수 있다. 예들은 알루미나, 실리콘 카바이드, 세라믹들, 그라파이트, 또는 극도의 온도 및 변동들에서 안정적인 다른 재료를 포함한다.
[0028] 도 5는, 도 1 또는 2의 캐리어(120)에서 활용될 수 있는 가열식 기판 하우징(135)의 등각도이다. 가열식 기판 하우징(135)은, 개구부(150)가 내부에 형성된 이송측 측벽(500)을 포함한다. 후방 측벽(505)은 이송측 측벽(500)의 대향 측 상에 제공된다. 가열식 기판 하우징(135)은, 후방 측벽(505)의 외부에 있고 후방 측벽(505)으로부터 이격된 커넥터들(174)에 커플링된 가열기들(172)을 포함한다. 이송측 측벽(500) 및 후방 측벽(505)뿐만 아니라 측벽들(145)은 실리콘 카바이드 또는 실리콘 카바이드로 코팅된 그라파이트를 포함할 수 있다.
[0029] 도 6은 열처리 챔버(600)의 다른 실시예의 개략적인 평면 단면도이고, 도 7은 도 6의 선들(7-7)을 따른, 열처리 챔버(600)의 부분의 단면도이다. 도 6 및 7에 도시된 열처리 챔버(600)는, 이하의 예외 사항들이 있지만, 도 1에 도시되고 설명된 열처리 챔버(100)와 유사할 수 있다. 열처리 챔버(600)는 가열식 기판 하우징(135)뿐만 아니라, 이송측 가열기(605) 및 하나 또는 그 초과의 코너 가열기 엘리먼트들(610)로 도시된 부가적인 가열기 엘리먼트들을 포함한다. 도 6에서 언급되지 않는, 열처리 챔버(600)의, 도 1과 유사한 부분들은 간결성을 위해 반복되지 않을 것이다.
[0030] 이송측 가열기(605)는 개구부(150)를 통해 기판에 열을 제공하는 데에 활용된다. 이송측 가열기(605)는 챔버 본체(105)의 내부 용적(168)에서의 온도 차이들을 최소화하는 데에 활용될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 코너 가열기 엘리먼트들(610)은 가열식 기판 하우징(135)의 코너들에 열을 제공하는 저항형 가열 엘리먼트, 예컨대, 로드(rod)일 수 있다. 차폐부들(615)은 열을 가열식 기판 하우징(135)을 향하여 그리고/또는 커넥터들(174)로부터 멀어지게 지향시키는 데에 사용될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 이송측 가열기(605)는 개구부(620)를 포함한다. 개구부(620)는 가열식 기판 하우징(135)의 이송측 측벽(500)의 개구부(150)의 크기와 매칭되도록 크기가 정해질(sized) 수 있다. 하나 또는 그 초과의 코너 가열기 엘리먼트들(610)뿐만 아니라 이송측 가열기(605)는 전력 공급부(190)에 커플링될 수 있다.
[0031] 도 8a는, 도 1에 도시되고 설명된 열처리 챔버(100)에서 활용될 수 있는 가열식 기판 하우징(800)의 다른 실시예의 평면도이다. 도 8b는, 도 8a의 가열식 기판 하우징(800)의 부분의 개략적인 확대 평면도이다. 가열식 기판 하우징(800)의 바닥부(140)는, 바닥부(140)를 통해 형성된 하나 또는 그 초과의 개구부들(805)을 포함한다. 개구부들(805)은 가열식 기판 하우징(800)의 코너들 근처에 도시된다. 개구부들(805) 각각은, 가열기 엘리먼트(810)를 수용하도록 크기가 정해진다. 각각의 가열기 엘리먼트(810)는, 전력 소스(도시되지 않음)에 커플링된 로드 또는 강성 와이어(rigid wire)일 수 있다. 각각의 가열기 엘리먼트(810)는, 예컨대 도 1의 챔버 본체(105)의 높이 방향(Z 방향)을 따라서, 챔버 본체에 고정될 수 있다. 개구부들(805)은, (도 1에서 설명된 바와 같은 Z 방향으로) 가열기 엘리먼트들(810)에 대한 가열식 기판 하우징(800)의 이동을 허용하도록 크기가 정해진다. 가열식 기판 하우징(800)의 측벽들(145, 500 및 505) 내의 가열기 엘리먼트(810)의 위치 설정(placement)은 커넥터들(174)을 과도한 열로부터 보호하는 역할을 할 수 있다.
[0032] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본 범위에서 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 열처리 챔버로서,
    내부 용적을 갖는 본체; 및
    상기 본체에 배치된 하나 또는 그 초과의 가열식 기판 하우징들(heated substrate housings)을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 가열식 기판 하우징들 각각은:
    바닥부 및 상기 바닥부의 측들(sides)에 커플링된 측벽들; 및
    상기 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 상기 커넥터는 상기 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 상기 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 상기 제 1 와이어는 제 1 전기 저항(electrical resistance)을 갖고, 상기 제 2 와이어는 상기 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는,
    열처리 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    측벽들은 이송측(transfer side) 측벽을 포함하고, 상기 이송측 측벽은, 기판의 이송을 위해 상기 이송측 측벽 내에 형성된 개구부를 갖는,
    열처리 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    측벽들은, 상기 이송측 측벽에 대향하는(opposing) 후방(rear) 측벽을 포함하고, 상기 후방 측벽은, 상기 후방 측벽 내에 형성된 하나 또는 그 초과의 개구부들을 갖는,
    열처리 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 바닥부는, 가열기 엘리먼트를 수용하기 위해 상기 바닥부 내에 형성된 하나 또는 그 초과의 개구부들을 갖는,
    열처리 챔버
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트는 상기 본체의 높이 방향을 따라 배치되는.
    열처리 챔버.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트는 상기 측벽들의 외부에 포지셔닝되는,
    열처리 챔버.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트는 상기 측벽들의 내부에 포지셔닝되는,
    열처리 챔버.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 측벽들의 외부에 배치된 측 가열기(side heater)를 더 포함하는,
    열처리 챔버.
  9. 열처리 챔버로서,
    내부 용적을 갖는 본체;
    상기 내부 용적에 배치된 이동 가능한 기판 캐리어; 및
    상기 본체에 배치된 복수의 가열식 기판 하우징들을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 기판 하우징들 각각은:
    바닥부, 상기 바닥부의 대향하는 측들에 커플링된, 이송측 측벽(transfer side sidewall) 및 후방 측벽(rear sidewall); 및
    상기 바닥부에 배치되고 커넥터에 커플링된 제 1 와이어 ― 상기 커넥터는 상기 제 1 와이어에 커플링되는 제 2 와이어를 포함함 ―, 및 측벽들의 외부에 포지셔닝된 커넥터 본체를 포함하는 가열기를 포함하며, 상기 제 1 와이어는 제 1 전기 저항을 갖고, 상기 제 2 와이어는 상기 제 1 전기 저항 미만인 제 2 전기 저항을 갖는,
    열처리 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 캐리어는 상기 기판 캐리어의 대향하는 측들 상에 차폐 조립체를 포함하는,
    열처리 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 차폐 조립체는 내측 층 및 외측 층을 포함하고, 상기 내측 층 및 상기 외측 층은, 상기 내측 층과 상기 외측 층 사이에 갭(gap)을 갖는,
    열처리 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 차폐 조립체는 상기 내측 층과 상기 외측 층 사이에 배치된 중간 층을 포함하는,
    열처리 챔버.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 이송측 측벽은 기판의 이송을 위해 상기 이송측 측벽 내에 형성된 개구부를 포함하는,
    열처리 챔버.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 바닥부는 가열기 엘리먼트를 수용하기 위해 상기 바닥부 내에 형성된 하나 또는 그 초과의 개구부들을 갖는,
    열처리 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트는 상기 측벽들의 외부에 포지셔닝되는,
    열처리 챔버.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트는 상기 측벽들의 내부에 포지셔닝되는,
    열처리 챔버.
KR2020160003659U 2015-06-26 2016-06-24 열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치 KR20170000075U (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562185549P 2015-06-26 2015-06-26
US62/185,549 2015-06-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170000075U true KR20170000075U (ko) 2017-01-04

Family

ID=57797604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020160003659U KR20170000075U (ko) 2015-06-26 2016-06-24 열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20170000075U (ko)
CN (1) CN205984906U (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200098026A (ko) * 2019-02-11 2020-08-20 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200098026A (ko) * 2019-02-11 2020-08-20 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN205984906U (zh) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6765178B2 (en) Chamber for uniform substrate heating
US7442900B2 (en) Chamber for uniform heating of large area substrates
US10123379B2 (en) Substrate support with quadrants
KR102035833B1 (ko) 처리 모듈
US10403521B2 (en) Modular substrate heater for efficient thermal cycling
JP4547119B2 (ja) 真空処理装置
US20040045813A1 (en) Wafer processing apparatus, wafer stage, and wafer processing method
US6998579B2 (en) Chamber for uniform substrate heating
EP3399069B1 (en) Crucible for accommodating and heating material, and system comprising arranged crucible and heater
KR20140004037U (ko) 가열식 백킹 플레이트
CN203983241U (zh) 带有加热器的基板支撑组件
KR101035828B1 (ko) 균일한 기판 가열을 위한 챔버
KR20170000075U (ko) 열처리 챔버에서의 전기 연결들을 위한 방법 및 장치
US9518326B2 (en) Method for forming an electrostatic chuck using film printing technology
CN105624633B (zh) 一种加热腔室及物理气相沉积设备
CN103811246A (zh) 加热装置及等离子体加工设备
CN113327881A (zh) 工作台装置、供电机构和处理装置
KR20150146038A (ko) 기판 이송형 기판 처리 장치
JP2015153983A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination