KR20160150244A - PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB - Google Patents

PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB Download PDF

Info

Publication number
KR20160150244A
KR20160150244A KR1020150087683A KR20150087683A KR20160150244A KR 20160150244 A KR20160150244 A KR 20160150244A KR 1020150087683 A KR1020150087683 A KR 1020150087683A KR 20150087683 A KR20150087683 A KR 20150087683A KR 20160150244 A KR20160150244 A KR 20160150244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
pattern layer
copper
cavity
forming
Prior art date
Application number
KR1020150087683A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101709468B1 (en
Inventor
유문상
강지훈
Original Assignee
주식회사 심텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 심텍 filed Critical 주식회사 심텍
Priority to KR1020150087683A priority Critical patent/KR101709468B1/en
Publication of KR20160150244A publication Critical patent/KR20160150244A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101709468B1 publication Critical patent/KR101709468B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4697Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/16Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

According to one embodiment of the present invention, a method to manufacture a printed circuit board (PCB) for a package on package (POP) structure, providing a carrier substrate including an insulation layer and a base copper layer installed at least one surface of the insulation layer. A copper pattern layer for a stud and a copper pattern layer to manufacture a cavity are formed on the base copper layer by plating. A first interlayer insulation layer burying between the copper pattern layer to manufacture the cavity and the copper pattern layer for the stud is formed on the base copper layer. While the insulation layer and the base copper layer on the carrier substrate are separated from each other to expose the base copper layer, an intermediate structure stacking the copper pattern layer to manufacture the cavity and the copper pattern layer for the stud is formed in an upper part of the base copper layer. Plating using the exposed base copper layer as a seed layer is performed, so a first circuit pattern layer is formed on a lower surface of the copper pattern layer to manufacture the cavity and the copper pattern layer for the stud. Since the copper pattern layer to manufacture the cavity is selectively removed, a die mounting cavity to expose the first circuit pattern layer is formed.

Description

POP 구조용 인쇄회로기판, 그 제조 방법 및 이를 이용하는 소자 패키지 {PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a printed circuit board for POP structure, a manufacturing method thereof, and a device package using the same,

본 발명은 인쇄회로기판(PCB) 및 이를 이용하는 소자 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, POP 구조용 인쇄회로기판, 그 제조방법 및 이를 이용하는 소자 패키지에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed circuit board (PCB) and an element package using the same, and more particularly, to a printed circuit board for POP structure, a method of manufacturing the same, and an element package using the same.

전자 기기의 소형화에 따라, 전자 부품이 보다 고기능화되고 보다 더 소형화되고 있다. 디지털 네트워크의 고도화에 의해, 휴대폰이나 휴대 컴퓨터 등과 같은 휴대 정보 단말 기기가 고성능 및 고기능화되고 있으며, 다양한 기능이 하나의 기기에 융합되어 복합화되고 있다. With the miniaturization of electronic devices, electronic components are becoming more sophisticated and smaller. Due to the advancement of digital networks, portable information terminal devices such as mobile phones and portable computers are becoming more sophisticated and sophisticated, and various functions are being combined and integrated into one device.

이와 같이, 전자 기기가 소형화되고 고기능화됨에 따라 인쇄회로기판에 실장되어야 하는 부품 소자 수가 크게 증가하고 있으나, 이에 반해 기판의 면적은 감소되지 않는 추세이다. 오히려, 상술한 소형화의 추세에 따라, 기존의 인쇄회로기판의 두께 및 상기 부품 소자의 두께를 감소할 것을 요청하고 있다.As electronic devices are miniaturized and highly functionalized, the number of component elements to be mounted on a printed circuit board is greatly increased. On the other hand, the area of the substrate is not reduced. Rather, it is demanded to reduce the thickness of the existing printed circuit board and the thickness of the component element in accordance with the trend of downsizing described above.

최근에는, 상술한 요구를 만족시키기 위한 인쇄회로기판의 제조 방법으로서, 소자칩을 인쇄회로기판에 내장하는 임베디드 인쇄회로기판 기술이 등장하게 되었다. 임베디드 인쇄회로기판 기술은 소자칩을 인쇄회로기판에 내장함으로써, 전체 부품의 두께를 감소시키는 데 유리할 수 있다. 이러한 임베디드 인쇄회로기판의 제조 기술의 일 예로서, 한국 공개특허 2012-0070075에 개시된 기술이 있다. In recent years, as a method for manufacturing a printed circuit board to satisfy the above-described requirements, an embedded printed circuit board technology in which a device chip is embedded in a printed circuit board has appeared. Embedded printed circuit board technology can be advantageous in reducing the thickness of the entire component by embedding the component chip in a printed circuit board. As an example of a manufacturing technique of such an embedded printed circuit board, there is a technique disclosed in Korean Patent Publication No. 2012-0070075.

또한, 최근에는 POP(Package On Package) 기술이 보급되고 있다. 서로 다른 복수의 패키지를 순차적으로 적층시키고, 복수의 패키지 사이를 배선을 통해 전기적으로 연결함으로써, 기능적으로 밀접한 소자들을 동일 구조체 내에서 동작시킬 수 있다. In addition, POP (Package On Package) technology has been popular recently. Functionally close elements can be operated in the same structure by sequentially stacking a plurality of different packages and electrically connecting the plurality of packages through wiring.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소자칩을 인쇄회로기판 내에 형성되는 캐비티에 실장함으로써 인쇄회로기판의 두께를 감소시키는 POP 구조용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a printed circuit board for POP structure that reduces the thickness of a printed circuit board by mounting a device chip in a cavity formed in a printed circuit board and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 POP 구조를 구현할 때 상부 패키지와 하부 패키지를 접속시키는 접속 구조물을 미리 구비하는 POP 구조용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a printed circuit board for POP structure and a method of manufacturing the same, which are provided with a connecting structure for connecting an upper package and a lower package when implementing a POP structure.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소자칩이 실장되는 캐비티 내부에 상기 소자칩과 전기적으로 연결되는 미세 패드 패턴을 구비하는 POP 구조용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a printed circuit board for POP structure having a fine pad pattern electrically connected to the device chip in a cavity in which the device chip is mounted, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 과제는 상술한 POP 구조용 인쇄회로기판을 이용하는 소자 패키지를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an element package using the above-described POP structure printed circuit board.

일 측면에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법이 개시된다. 상기 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 절연층 및 상기 절연층의 적어도 일면 상에 배치되는 베이스 구리층을 구비하는 캐리어 기판을 제공한다. 상기 베이스 구리층 상에서 도금법에 의해, 스터드용 구리 패턴층 및 캐비티 제조용 구리 패턴층을 형성한다. 상기 베이스 구리층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층 사이를 매립하는 제1 층간 절연층을 형성한다. 상기 캐리어 기판의 상기 절연층과 상기 베이스 구리층을 서로 분리시켜 상기 베이스 구리층을 노출시키되, 상기 베이스 구리층 상부에 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층이 적층된 중간 구조물을 형성한다. 상기 노출된 베이스 구리층을 시드층으로 이용하는 도금법을 수행하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에 제1 회로 패턴층을 형성한다. 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층을 선택적으로 제거함으로써, 상기 제1 회로 패턴층을 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 형성한다.A manufacturing method of a POP structure printed circuit board according to one aspect is disclosed. A manufacturing method of the printed circuit board according to the present invention provides a carrier substrate having an insulating layer and a base copper layer disposed on at least one side of the insulating layer. A copper pattern layer for studs and a copper pattern layer for cavity fabrication are formed on the base copper layer by a plating method. A first interlayer insulating layer is formed on the base copper layer to fill the space between the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for the stud. Forming an intermediate structure in which the copper pattern layer for cavity fabrication and the copper pattern layer for stud are stacked on the base copper layer by separating the insulating layer and the base copper layer of the carrier substrate from each other, do. A first circuit pattern layer is formed on the lower surfaces of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer by performing a plating method using the exposed base copper layer as a seed layer. The copper pattern layer for manufacturing a cavity is selectively removed to form a die cavity for exposing the first circuit pattern layer.

다른 측면에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법이 개시된다. 상기 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 절연층 및 상기 절연층의 적어도 일면 상에 배치되는 베이스 구리층을 구비하는 캐리어 기판을 제공한다. 상기 베이스 구리층 상에 도전성 식각 정지층을 형성한다. 상기 도전성 식각 정지층 상에서 도금법에 의해, 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 스터드용 구리 패턴층을 형성한다. 상기 도전성 식각 정지층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층 사이를 매립하되, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층을 형성한다. 상기 캐리어 기판의 상기 절연층과 상기 베이스 구리층을 서로 분리시켜 상기 베이스 구리층을 노출시키되, 상기 베이스 구리층 상부에 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층이 적층된 중간 구조물을 형성한다. 상기 노출된 베이스 구리층을 시드층으로 이용하는 도금법을 수행하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에 제1 회로 패턴층을 형성한다. 상기 제1 층간 절연층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트 패턴층을 형성한다. 상기 솔더 레지스트층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 캐비티 개방 마스크 패턴층을 형성한다. 상기 캐비티 개방 마스크 패턴층을 식각 마스크로 이용하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층을 식각하여 상기 제1 회로 패턴층을 노출시킨다.A manufacturing method of a POP structure printed circuit board according to another aspect is disclosed. A manufacturing method of the printed circuit board according to the present invention provides a carrier substrate having an insulating layer and a base copper layer disposed on at least one side of the insulating layer. And a conductive etch stop layer is formed on the base copper layer. A copper pattern layer for cavity formation and a copper pattern layer for a stud are formed on the conductive etch stop layer by a plating method. A first interlayer insulating layer is formed on the conductive etch stop layer so as to fill the space between the cavity forming copper pattern layer and the stud copper pattern layer and expose the upper surfaces of the cavity forming copper pattern layer and the stud copper pattern layer . Forming an intermediate structure in which the copper pattern layer for cavity fabrication and the copper pattern layer for stud are stacked on the base copper layer by separating the insulating layer and the base copper layer of the carrier substrate from each other, do. A first circuit pattern layer is formed on the lower surfaces of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer by performing a plating method using the exposed base copper layer as a seed layer. A solder resist pattern layer is selectively formed on the first interlayer insulating layer to selectively expose the top surfaces of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer. And a cavity open mask pattern layer is selectively formed on the solder resist layer so as to selectively expose the upper surface of the cavity-forming copper pattern layer. And the first circuit pattern layer is exposed by etching the copper pattern layer for cavity formation using the cavity-opening mask pattern layer as an etching mask.

또다른 측면에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판이 개시된다. 상기 인쇄회로기판은 다이 접속 패드 및 스터드 접속 패드를 구비하는 하부 절연층; 및 상기 하부 절연층 상에 배치되며, 상기 스터드 접속 패드와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층을 내부에 구비하고 상기 다이 접속 패드를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 구비하는 상부 절연층을 구비한다. 이때, 상기 스터드용 구리 패턴층 상에 외부 패키지와의 접속 구조물을 실장한다.A POP structure printed circuit board according to another aspect is disclosed. The printed circuit board comprising: a lower insulation layer having a die connection pad and a stud connection pad; And an upper insulating layer disposed on the lower insulating layer and having a copper pattern layer for a stud electrically connected to the stud connection pad and having a die mounting cavity for selectively exposing the die connection pad do. At this time, a connection structure with an external package is mounted on the copper pattern layer for stud.

또다른 측면에 따르는 소자 패키지가 개시된다. 상기 소자 패키지는 솔더 구조물에 의해 접속되는 상부 패키지 및 하부 패키지를 구비한다. 상기 하부 패키지는 다이 접속 패드 및 스터드 접속 패드를 구비하는 하부 절연층; 상기 하부 절연층 상에 배치되고, 상기 스터드 접속 패드와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층을 내부에 구비하고 상기 다이 접속 패드를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 구비하는 상부 절연층; 및 상기 다이 실장용 캐비티 내부에서 상기 다이 접속 패드와 접속하는 소자칩을 구비한다. 상기 스터드용 구리 패턴층 상에 상기 상부 패키지와의 상기 솔더 구조물을 실장한다.A device package according to another aspect is disclosed. The device package has an upper package and a lower package connected by a solder structure. The lower package comprising: a lower insulating layer having a die connection pad and a stud connection pad; An upper insulating layer disposed on the lower insulating layer and having a copper pattern layer for a stud electrically connected to the stud connection pad and having a die mounting cavity for selectively exposing the die connection pad; And a device chip connected to the die connection pad inside the die mounting cavity. And the solder structure with the upper package is mounted on the copper pattern layer for studs.

일 실시 예에 따르면, POP 구조물을 구현할 때, 상부 패키지와 하부 패키지를 접속시키는 접속 구조물로서 구리 스터드(stud) 패턴층을 구비하는 인쇄회로기판을 제공할 수 있다.According to one embodiment, when implementing a POP structure, a printed circuit board having a copper stud pattern layer as a connection structure connecting the upper package and the lower package can be provided.

또한, 인쇄회로기판의 적어도 일부분에 위치하는 층간 절연층에 상기 구리 스터드의 높이에 대응하는 깊이를 가지는 캐비티를 형성하고, 상기 캐비티 내부에 소자칩을 실장할 수 있다. 이를 통해, 소자칩을 보호하기 위한 별도의 몰드층을 생략할 수 있는 장점이 있다.In addition, a cavity having a depth corresponding to the height of the copper stud can be formed in the interlayer insulating layer located at least a part of the printed circuit board, and the device chip can be mounted in the cavity. This has the advantage that a separate mold layer for protecting the device chip can be omitted.

일 실시 예에 따르는 제조 방법에 따르면, 캐비티 내에 실장되는 소자칩과 전기적으로 연결되는 미세 패드 및 회로 패턴을 인쇄회로기판에 내장형으로 제조할 수 있는 장점이 있다.According to the manufacturing method of the embodiment, there is an advantage that the micro pad and the circuit pattern electrically connected to the device chip mounted in the cavity can be built in the printed circuit board.

상술한 구조를 적용함으로써, 구조적 안정성이 향상되면서도 박형의 POP 구조용 인쇄회로기판 및 이를 이용하는 소자 패키지를 제공할 수 있다.By applying the above-described structure, it is possible to provide a thin POP structure printed circuit board and an element package using the same, while improving structural stability.

도 1 내지 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
1 to 15 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a printed circuit board for POP structure according to an embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view schematically showing an element package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 발명에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 개시의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the techniques disclosed in the present invention are not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. It should be understood, however, that the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of this disclosure to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly illustrate the components of each device. It is to be understood that when an element is described as being located on another element, it is meant that the element is directly on top of the other element or that additional elements can be interposed between the elements .

복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. 또, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Like numbers refer to like elements throughout the several views. It is to be understood that the singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise, and the terms "comprise" Or combinations thereof, and does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.Further, in carrying out the method or the manufacturing method, the respective steps of the method may take place differently from the stated order unless clearly specified in the context. That is, each process may occur in the same order as described, may be performed substantially concurrently, or may be performed in the opposite order.

본 명세서에서 사용되는, 기판 또는 소자칩의 '상면' 또는 '하면'이라는 용어는 관찰자의 시점에서 관측되는 상대적인 개념이다. 따라서, 기판 또는 소자칩의 측면을 제외한 두 면 중 어느 한 면을 '상면' 또는 '하면'으로 지칭할 수 있으며, 이에 대응하여 나머지 한 면을 '하면' 또는 '상면'으로 지칭할 수 있다. 마찬가지로, 본 명세서에서, '상', '위' 또는 '하', '아래' 라는 개념도 마찬가지로 상대적인 개념으로 사용될 수 있다.As used herein, the term " top surface " or " bottom " of a substrate or device chip is a relative concept observed at an observer's viewpoint. Therefore, one of the two surfaces except the side of the substrate or the element chip may be referred to as an 'upper surface' or 'lower surface', and the other surface may be referred to as 'lower surface' or 'upper surface' correspondingly. Likewise, in the present specification, the concept of 'upper', 'upper' or 'lower' and 'lower' can be used as a relative concept as well.

일반적으로, POP(Package On Package)은, 하부 패키지와 상부 패키지를 다양한 접속 구조물을 이용하여 서로 연결하고 있다. 일 예로서, 하부 패키지의 인쇄회로기판 상부에 제1 솔더볼을 실장하고, 상부 패키지의 인쇄회로기판 하부에 제2 솔더볼을 실장하여, 상기 제1 솔더볼과 상기 제2 솔더볼을 솔더 접합함으로써, 상기 하부 패키지와 상기 상부 패키지를 전기적으로 연결할 수 있다. 이하에서의 개시하는 본 발명의 실시 예에 따르는 POP 제품은 하부 패키지의 인쇄회로기판에 캐비티를 형성하여 다이(즉, 소자칩)를 실장함과 동시에 캐비티의 깊이에 상응하는 높이를 가지는 구리 스터드를 상기 인쇄회로기판에 형성함으로써, 상기 상부 패키지와 접합을 이루는 접속 구조물로 기능하도록 한다. 이를 통해, 접속 구조물의 구조적 신뢰성이 향상되면서도 박형의 POP 구조용 인쇄회로기판을 제공할 수 있다.
Generally, a POP (Package On Package) connects the lower package and the upper package to each other using various connection structures. For example, a first solder ball may be mounted on a printed circuit board of a lower package, a second solder ball may be mounted on a printed circuit board of an upper package, and solder bonding may be performed between the first solder ball and the second solder ball, The package and the upper package can be electrically connected. The POP product according to an embodiment of the present invention described below forms a cavity in a printed circuit board of a lower package to mount a die (i.e., a device chip) and a copper stud having a height corresponding to the depth of the cavity And is formed on the printed circuit board, thereby functioning as a connection structure joining the upper package. As a result, it is possible to provide a thin POP structure printed circuit board with improved structural reliability of the connection structure.

도 1 내지 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 캐리어 기판(100)을 준비한다. 캐리어 기판(100)은 절연층(110), 및 절연층(110)의 적어도 일면 상에 배치되는 베이스 구리층(115)을 구비한다. 절연층(110)은 일 예로서, 에폭시 또는 프리프레그를 포함할 수 있다. 도면에서는, 절연층(110)의 양쪽 면에 베이스 구리층(115)이 적층된 구조를 개시하고 있으나, 다르게는 절연층(110)의 상면에만 베이스 구리층(115)이 적층될 수도 있다.1 to 15 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a printed circuit board for POP structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a carrier substrate 100 is prepared. The carrier substrate 100 has an insulating layer 110 and a base copper layer 115 disposed on at least one side of the insulating layer 110. [ The insulating layer 110 may comprise, by way of example, an epoxy or prepreg. Although the base copper layer 115 is laminated on both surfaces of the insulating layer 110, the base copper layer 115 may be laminated only on the upper surface of the insulating layer 110.

도 2를 참조하면, 베이스 구리층(115) 상에 도전성 식각 정지층(120)을 형성한다. 일 예로서, 도전성 식각 정지층(120)은 도금법에 의해 형성될 수 있다. 일 예로서, 도전성 식각 정지층(120)은 니켈층을 포함할 수 있다. 도전성 식각 정지층(120)은 구리 재질에 대한 식각 선택비를 가질 수 있다.Referring to FIG. 2, a conductive etch stop layer 120 is formed on the base copper layer 115. As one example, the conductive etch stop layer 120 may be formed by a plating method. As an example, the conductive etch stop layer 120 may comprise a nickel layer. The conductive etch stop layer 120 may have an etch selectivity to the copper material.

몇몇 다른 실시 예에 있어서는, 도전성 식각 정지층(120)을 형성하지 않고 생략할 수도 있다.In some other embodiments, the conductive etch stop layer 120 may not be formed and may be omitted.

도 3을 참조하면, 도전성 식각 정지층(120) 상에서 도금법에 의해, 구리 패턴층(130)을 형성한다. 구리 패턴층(130)을 형성하는 방법은 일 예로서, 화학도금법, 전기도금법 또는 이들의 조합을 적용할 수 있다. 구리 패턴층(130)을 형성하는 방법은 일 예로서, 공지의 텐팅법, SAP(Semi-Additive Process) 또는 MSAP(Modified Semi-Additive Process) 등을 적용할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 구리 패턴층(130)은 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, a copper pattern layer 130 is formed on the conductive etch stop layer 120 by a plating method. As a method of forming the copper pattern layer 130, for example, a chemical plating method, an electroplating method, or a combination thereof can be applied. As an example of the method of forming the copper pattern layer 130, a known tenting method, a semi- additive process (SAP), a modified semi-additive process (MSAP), or the like can be applied. In one embodiment, the copper pattern layer 130 may include a copper pattern layer 131 for cavity fabrication and a copper pattern layer 132 for studs.

몇몇 다른 실시 예에 있어서, 도전성 식각 정지층(120)이 생략되는 경우, 구리 패턴층(130)은 베이스 구리층(115)을 도금 시드층으로 하여, 베이스 구리층(115) 상에서 형성될 수 있다.In some other embodiments, when the conductive etch stop layer 120 is omitted, the copper pattern layer 130 may be formed on the base copper layer 115 with the base copper layer 115 as the plating seed layer .

도 4를 참조하면, 도전성 식각 정지층(120) 상에서 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132) 사이를 매립하는 제1 층간 절연층(140)을 형성한다. Referring to FIG. 4, a first interlayer insulating layer 140 is formed on the conductive etch stop layer 120 to fill the space between the copper pattern layer 131 for forming cavities and the copper pattern layer 132 for studs.

일 실시 예에 있어서, 제1 층간 절연층(140)을 형성하는 단계는 다음과 같이 진행될 수 있다. 먼저, 도전성 식각 정지층(120) 상에서 에폭시 몰딩 화합물(EMC)을 제공하여 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)을 매몰하는 절연막을 형성한다. 이어서, 상기 절연층을 그라인딩하여 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 상면을 노출시킨다. 이에 따라, 제1 층간 절연층(140)의 상면은 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.In one embodiment, the step of forming the first interlayer insulating layer 140 may proceed as follows. First, an epoxy molding compound (EMC) is provided on the conductive etch stop layer 120 to form an insulating film for burying the copper pattern layer 131 for forming cavities and the copper pattern layer 132 for studs. Next, the insulating layer is ground to expose the upper surfaces of the copper pattern layer 131 for forming cavities and the copper pattern layer 132 for studs. Thus, the upper surface of the first interlayer insulating layer 140 can be located on the same plane as the upper surface of the cavity-forming copper pattern layer 131 and the stud-forming copper pattern layer 132.

도 5를 참조하면, 캐리어 기판(100)의 절연층(110)과 베이스 구리층(115)을 서로 분리시켜 베이스 구리층(115)을 노출시킨다. 이때, 베이스 구리층(115)의 상부에 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)이 적층된 중간 구조물을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the insulating layer 110 and the base copper layer 115 of the carrier substrate 100 are separated from each other to expose the base copper layer 115. At this time, an intermediate structure in which a copper pattern layer 131 for forming cavities and a copper pattern layer 132 for studs are laminated on the base copper layer 115 can be formed.

도 6을 참조하면, 노출된 베이스 구리층(115)을 시드층으로 이용하는 도금법을 수행하여, 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 하면 상에 제1 회로 패턴층(150)을 형성한다. 구체적으로, 제1 회로 패턴층(150)은 캐비티 제조용 구리 패턴층(131)의 하면 상에 형성되는 다이 접속 패드(151) 및, 스터드용 구리 패턴층(132)의 하면 상에 형성되는 스터드 접속 패드(152)를 포함할 수 있다.6, a plating method using the exposed base copper layer 115 as a seed layer is performed to form a first circuit pattern layer 131 on the lower surface of the cavity forming copper pattern layer 131 and the stud copper pattern layer 132, (150). Specifically, the first circuit pattern layer 150 includes a die connection pad 151 formed on the lower surface of the cavity-forming copper pattern layer 131, and a stud connection (not shown) formed on the lower surface of the copper- A pad 152 may be included.

제1 회로 패턴층(150)을 형성하는 과정은, 일 예로서, 다음과 같이 진행될 수 있다. 노출된 베이스 구리층(115)상에 소정의 컨택 또는 트렌치 패턴을 구비하는 레지스트 패턴층을 형성한다. 이어서, 도금법을 수행하여 상기 컨택 또는 트렌치 패턴을 채우는 구리 패턴층(155)을 베이스 구리층(115) 상에 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴층을 제거하고, 구리 패턴층(155)을 이용하여 구리 패턴층(155) 외부의 베이스 구리층(115) 및 도전성 식각 정지층(120)을 추가적으로 식각한다. 이에 의해, 이웃하는 구리 패턴층(155) 사이는 서로 전기적으로 절연될 수 있다. The process of forming the first circuit pattern layer 150 may, for example, proceed as follows. A resist pattern layer having a predetermined contact or trench pattern is formed on the exposed base copper layer 115. Subsequently, a plating pattern is formed to form a copper pattern layer 155 on the base copper layer 115 to fill the contact or trench pattern. Subsequently, the resist pattern layer is removed, and the base copper layer 115 and the conductive etch stop layer 120 outside the copper pattern layer 155 are additionally etched using the copper pattern layer 155. Thereby, the neighboring copper pattern layers 155 can be electrically insulated from each other.

제1 회로 패턴층(150)은 도전성 식각 정지층 패턴(120a), 베이스 구리층 패턴(115a), 및 구리 패턴층(155)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 다이 접속 패드(151) 및 스터드 접속 패드(152)는, 도전성 식각 정지층 패턴(120a), 베이스 구리층 패턴(115a), 및 구리 패턴층(155)의 적층 구조를 가질 수 있다.The first circuit pattern layer 150 may include a conductive etch stop layer pattern 120a, a base copper layer pattern 115a, and a copper pattern layer 155. The die connection pad 151 and the stud connection pad 152 may have a stacked structure of the conductive etch stop layer pattern 120a, the base copper layer pattern 115a, and the copper pattern layer 155. [

도 7을 참조하면, 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 하면 상에서 제1 회로 패턴층(150)을 덮는 제2 층간 절연층(160)을 형성한다. 일 실시 예에 따르면, 제2 층간 절연층(160)을 형성하는 공정은, 에폭시 또는 프리프레그 소재의 중간 기판을 준비하고, 상기 중간 기판을 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 하면 상에 접합시키는 과정으로 진행될 수 있다.Referring to FIG. 7, a second interlayer insulating layer 160 covering the first circuit pattern layer 150 is formed on the lower surface of the copper pattern layer 131 for cavity formation and the copper pattern layer 132 for studs. According to one embodiment, in the step of forming the second interlayer insulating layer 160, an intermediate substrate of an epoxy or prepreg material is prepared, and the intermediate substrate is patterned into a copper pattern layer 131 for forming cavities and a copper pattern layer To the lower surface of the base plate 132.

도 8을 참조하면, 제2 층간 절연층(160)을 관통하여 제1 회로 패턴층(150)의 적어도 일부분을 노출시키는 비아홀(165)을 형성한다. 일 예로서, 비아홀(165)은 스터드 접속 패드(152)를 노출시킬 수 있다.Referring to FIG. 8, a via hole 165 is formed through the second interlayer insulating layer 160 to expose at least a portion of the first circuit pattern layer 150. As an example, the via hole 165 may expose the stud connection pad 152.

도 9를 참조하면, 도금법을 수행하여, 상기 비아홀(165)을 채우는 비아(170)를 형성하고, 제2 층간 절연층(160) 상에 배치되는 제2 회로 패턴층(175)을 형성한다.Referring to FIG. 9, a via 170 filling the via hole 165 is formed by performing a plating method, and a second circuit pattern layer 175 is formed on the second interlayer insulating layer 160.

비아(170)는 제1 회로 패턴층(150)의 적어도 일부분, 일 예로서, 스터드 접속 패드(152) 및 스터드용 구리 패턴층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 회로 패턴층(175)은 비아(170)와 전기적으로 연결될 수 있다.The via 170 may be electrically connected to at least a portion of the first circuit pattern layer 150, e.g., the stud connection pad 152 and the copper pattern layer 132 for studs. The second circuit pattern layer 175 may be electrically connected to the via 170.

도 10을 참조하면, 제2 층간 절연층(160)의 하면 상에서 제2 회로 패턴층(175)을 덮는 제3 층간 절연층(180)을 형성한다. 일 실시 예에 따르면, 제3 층간 절연층(180)을 형성하는 공정은, 에폭시 또는 프리프레그 소재의 중간 기판을 준비하고, 상기 중간 기판을 제2 층간 절연층(160)의 하면 상에 접합시키는 과정으로 진행될 수 있다.Referring to FIG. 10, a third interlayer insulating layer 180 covering the second circuit pattern layer 175 is formed on the lower surface of the second interlayer insulating layer 160. According to one embodiment, in the step of forming the third interlayer insulating layer 180, an intermediate substrate of an epoxy or prepreg material is prepared, and the intermediate substrate is bonded to the lower surface of the second interlayer insulating layer 160 Process.

도 11을 참조하면, 제3 층간 절연층(180)을 관통하여 제2 회로 패턴층(175)의 적어도 일부분과 전기적으로 연결되는 비아홀을 형성한다. 이어서, 도금법을 수행하여 상기 비아홀을 채우는 비아(190)를 형성하고, 제3 층간 절연층(180) 상에 배치되는 제3 회로 패턴층(195)을 형성한다.Referring to FIG. 11, a via hole is formed through the third interlayer insulating layer 180 to be electrically connected to at least a part of the second circuit pattern layer 175. Subsequently, a via 190 filling the via hole is formed by performing a plating method, and a third circuit pattern layer 195 is formed on the third interlayer insulating layer 180.

비아(190) 및 제3 회로 패턴층(195)을 형성하는 공정은 도 8 및 도 9와 관련하여 상술한 공정을 적용할 수 있다.The process of forming the via 190 and the third circuit pattern layer 195 may be the same as that described with reference to Figs. 8 and 9.

도 12를 참조하면, 제1 층간 절연층(140) 상에서 캐비티 제조용 구리 패턴층(131) 및 스터드용 구리 패턴층(132)의 상면을 선택적으로 노출시키는 컨택홀(215)을 구비하는 솔더 레지스트 패턴층(210)을 형성한다. 아울러, 솔더 레지스트 패턴층(210)은 제3 층간 절연층(180) 상에서 제3 회로 패턴층(195)을 덮도록 형성될 수 있다.12, a solder resist pattern (not shown) having a contact hole 215 for selectively exposing the upper surface of the copper pattern layer 131 for forming cavities and the copper pattern layer 132 for studs on the first interlayer insulating layer 140, Layer 210 is formed. In addition, the solder resist pattern layer 210 may be formed to cover the third circuit pattern layer 195 on the third interlayer insulating layer 180.

도 13을 참조하면, 솔더 레지스트 패턴층(210) 상에서 캐비티 제조용 구리 패턴층(131)의 상면을 선택적으로 노출시키는 컨택홀(225)을 구비하는 캐비티 개방 마스크 패턴층(220)을 형성한다. 캐비티 개방 마스크 패터층(220)은 일 예로서, 레지스트 패턴층을 적용할 수 있다. 아울러, 캐비티 개방 마스크 패턴층(220)은 제3 회로 패턴층(195)을 덮도록 솔더 레지스트 패턴층(210) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, a cavity opening mask pattern layer 220 having contact holes 225 selectively exposing an upper surface of a cavity-forming copper pattern layer 131 is formed on a solder resist pattern layer 210. The cavity-opening mask patter layer 220 may be a resist pattern layer, for example. In addition, the cavity-opening mask pattern layer 220 may be formed on the solder resist pattern layer 210 so as to cover the third circuit pattern layer 195.

도 14를 참조하면, 캐비티 개방 마스크 패턴층(220)을 식각 마스크로 이용하여, 캐비티 제조용 구리 패턴층(131)을 식각하여 제1 회로 패턴층(150)의 적어도 일부분을 노출시키는 캐비티(145)를 형성한다. 구체적인 예로서, 캐비티 제조용 구리 패턴층(131)을 식각하여, 다이 접속 패드(151) 및 제2 절연층(160)을 노출시킬 수 있다.14, a cavity 145 for exposing at least a portion of the first circuit pattern layer 150 by etching the cavity pattern-forming copper pattern layer 131 using the cavity-opening mask pattern layer 220 as an etching mask, . As a specific example, the die-bonding pad 151 and the second insulating layer 160 may be exposed by etching the copper pattern layer 131 for manufacturing a cavity.

상기 식각 공정은 구리에 대한 식각액을 사용하는 습식 식각 방법에 의해 진행될 수 있다. 상기 식각 공정은, 다이 접속 패드(151)의 도전성 식각 정지층 패턴(120a) 상에서 구리 식각이 정지될 때까지 진행될 수 있다. 한편, 도전성 식각 정지층 패턴(120a)는 상기 식각액으로부터 하부의 베이스 구리층 패턴(115a) 및 구리 패턴층(155)을 보호할 수 있다.The etching process may be performed by a wet etching method using an etchant for copper. The etching process can be performed until the copper etching is stopped on the conductive etch stop layer pattern 120a of the die connection pad 151. [ On the other hand, the conductive etch stop layer pattern 120a can protect the underlying base copper layer pattern 115a and the copper pattern layer 155 from the etchant.

몇몇 다른 실시 예에 있어서, 도전성 식각 정지층(120)을 적용하지 않는 경우, 식각 시간 등 식각 공정 조건을 제어함으로써, 캐비티 제조용 구리 패턴층(131)의 식각을 진행할 수 있다.In some other embodiments, when the conductive etch stop layer 120 is not used, etching of the copper pattern layer 131 for cavity fabrication can be performed by controlling the etching process conditions such as the etching time.

도 15를 참조하면, 캐비티 개방 마스크 패턴층(220)을 제거하여 솔더 레지스트 패턴층(210)을 노출시킨다. 상술한 과정을 거쳐서, 본 발명의 실시 예에 따르는 POP 구조용 인쇄회로기판을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 15, the cavity-opening mask pattern layer 220 is removed to expose the solder resist pattern layer 210. Through the above-described process, the POP structure printed circuit board according to the embodiment of the present invention can be manufactured.

한편, 도 15를 참조하여, POP 구조용 인쇄회로기판을 살펴본다. POP 구조용 인쇄회로기판은 다이 접속 패드(151) 및 스터드 접속 패드(152)를 구비하는 하부 절연층(160)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 POP 구조용 인쇄회로기판은 하부 절연층(160) 상에 배치되는 상부 절연층(140)을 구비할 수 있다. 상기 상부 절연층(140)은, 스터드 접속 패드(152)와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층(132)을 내부에 구비하고, 다이 접속 패드(151)를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티(145)를 구비할 수 있다. On the other hand, referring to Fig. 15, a POP structure printed circuit board will be described. The POP structure printed circuit board may include a lower insulating layer 160 having a die connection pad 151 and a stud connection pad 152. In addition, the POP structure printed circuit board may include an upper insulating layer 140 disposed on the lower insulating layer 160. The upper insulating layer 140 includes a copper pattern layer 132 for a stud which is electrically connected to the stud connection pad 152 and has a cavity for die mounting that selectively exposes the die connection pad 151 145).

이때, 다이 접속 패드(151)는 상부 절연층(140) 내부에 매몰된 상태로, 표면만 외부로 노출될 수 있다. 이와 같이, 다이 접속 패드(151)가 내장형 회로 패턴으로 제조됨으로써, 인쇄회로기판을 박형화할 수 있다.At this time, the die connection pad 151 is buried in the upper insulating layer 140, and only the surface can be exposed to the outside. As described above, the die connection pad 151 is made of a built-in circuit pattern, so that the printed circuit board can be made thin.

또한, 상기 POP 구조용 인쇄회로기판은 상부 절연층(140) 상에서 스터드용 구리 패턴층(132) 및 다이 실장용 캐비티(145)를 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트 패턴층(210)을 포함할 수 있다. 솔더 레지스트 패턴층(210)에 의해 노출되는 스터드용 구리 패턴층(132) 상에는 외부 패키지와의 접속을 위한 접속 구조물이 실장될 수 있다.The POP structure printed circuit board may include a solder resist pattern layer 210 selectively exposing the copper pattern layer 132 for stud and the cavity 145 for die mounting on the upper insulating layer 140. On the copper pattern layer 132 for studs exposed by the solder resist pattern layer 210, a connection structure for connection with an external package can be mounted.

또한, 상기 POP 구조용 인쇄회로기판은 하부 절연층(160)의 하부에 배치되며, 스터드 접속 패드(152)와 연결되는 적어도 하나의 비아(170, 190) 및 회로 패턴층(175, 195)을 포함할 수 있다. 이때, 솔더 레지스트 패턴층(210)은 회로 패턴층(175, 195)의 표면을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 솔더 레지스트 패턴층(210)에 의해 노출되는 회로 패턴층(175, 195)은 외부 접속을 위한 패드층으로 기능할 수 있다.The POP structure printed circuit board includes at least one via 170 and 190 and a circuit pattern layer 175 and 195 disposed under the lower insulating layer 160 and connected to the stud connection pad 152 can do. At this time, the solder resist pattern layer 210 can selectively expose the surfaces of the circuit pattern layers 175 and 195. The circuit pattern layers 175 and 195 exposed by the solder resist pattern layer 210 can function as a pad layer for external connection.

한편, 상기 POP 구조용 인쇄회로기판에 있어서, 다이 접속 패드 및 스터드 접속 패드(151, 152)의 상부에는 구리와의 식각 선택비를 가지는 식각 보호층(120)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 식각 보호층(120)은 니켈층일 수 있다.
Meanwhile, in the POP structure printed circuit board, an etch protection layer 120 having an etching selection ratio with copper may be disposed on the die connection pad and the stud connection pads 151 and 152. As an example, the etch protection layer 120 may be a nickel layer.

도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도시되는 바와 같이, 소자 패키지(1600)는 POP 제품일 수 있다. 16 is a cross-sectional view schematically showing an element package according to an embodiment of the present invention. As shown, device package 1600 may be a POP product.

도 16을 참조하면, 소자 패키지(1600)는 상부 패키지(1600A)와 하부 패키지(1600B)가 솔더 구조물(1640)에 의해 접속되는 구조를 가질 수 있다.16, the device package 1600 may have a structure in which a top package 1600A and a bottom package 1600B are connected by a solder structure 1640. [

이때, 하부 패키지(1600B)는 다이 접속 패드(151) 및 스터드 접속 패드(152)를 구비하는 하부 절연층(160), 및 하부 절연층(160) 상에 배치되는 상부 절연층(140)을 포함할 수 있다. 이때, 상부 절연층(140)은 스터드 접속 패드(152)와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층(132)을 내부에 구비하는 동시에, 다이 접속 패드(151)를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티(145)를 구비할 수 있다. 다이 실장용 캐비티(145) 내부에는 다이 접속 패드(151)와 접속하는 소자칩(10)을 실장될 수 있다. 도면에서와 같이, 소자칩(10)은 범프 구조물(1010)을 통해서, 다이 접속 패드(151)와 접속될 수 있다.The lower package 1600B includes a lower insulating layer 160 having a die connection pad 151 and a stud connection pad 152 and an upper insulating layer 140 disposed on the lower insulating layer 160 can do. The upper insulating layer 140 includes a copper pattern layer 132 for a stud which is electrically connected to the stud connection pad 152 and includes a die mounting cavity 151 for selectively exposing the die connection pad 151, (Not shown). The device chip 10 connected to the die connection pad 151 can be mounted inside the die mounting cavity 145. As shown in the figure, the element chip 10 can be connected to the die connection pad 151 through the bump structure 1010. [

한편, 솔더 구조물(1640)은 스터드용 구리 패턴층(132) 상에 솔더볼과 같은 구조물로 실장된 후에, 상부 패키지(1600A)의 인쇄회로기판(1610)의 하면에 형성되는 접속용 패드(미도시)과 가열에 의한 접합으로 형성될 수 있다.On the other hand, the solder structure 1640 is mounted on the copper pattern layer 132 for studs with a structure such as a solder ball and then connected to a connection pad (not shown) formed on the lower surface of the printed circuit board 1610 of the upper package 1600A ) And a junction by heating.

도시되는 바와 같이, 상부 패키지(1600A)는 일 예로서, 인쇄회로기판(1610) 상에 소자칩(20)이 실장된 상태에서, 소자칩(20)이 와이어(1620)에 의해 인쇄회로기판(1610)과 전기적 신호를 교환하는 구조를 가질 수 있다. 소자칩(20)은 몰딩층(1630)에 의해 둘러싸일 수 있다. 도 16에서의 상부 패키지는 소자칩(20)이 인쇄회로기판(1610)과 와이어본딩 및 몰딩하는 구조를 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 솔더 구조물(1640)에 의해 하부 패키지(1600B)와 접속되는 구조를 가지는 한, 다른 다양한 변형례가 가능하다.As shown in the figure, the upper package 1600A includes, as an example, an element chip 20 mounted on a printed circuit board 1610 by a wire 1620 in a state that the element chip 20 is mounted on a printed circuit board 1610 1610) and an electrical signal exchange mechanism. The device chip 20 may be surrounded by a molding layer 1630. Although the upper package in Fig. 16 shows a structure in which the element chip 20 is wire-bonded and molded with the printed circuit board 1610, it is not limited thereto. Various other modifications are possible as long as they have a structure that is connected to the lower package 1600B by the solder structure 1640. [

본 실시예에서는, 하부 패키지(1600B)의 다이 실장용 캐비티(145) 내에 실장되는 소자칩(10)을 몰딩하는 보호층을 생략할 수도 있다. 이때, 다이 실장용 캐비티(145)의 깊이는 스터드용 구리 패턴층(132)의 높이에 대응될 수 있다. 즉, 다이 실장용 캐비티(145)의 깊이는 스터드용 구리 패턴층(132)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 이로서, 소자칩(10)을 보호층 없이도 구조적으로 안정화시킬 수 있다. In this embodiment, the protective layer for molding the device chip 10 to be mounted in the die mounting cavity 145 of the lower package 1600B may be omitted. At this time, the depth of the die mounting cavity 145 may correspond to the height of the copper pattern layer 132 for stud. That is, the depth of the die mounting cavity 145 may be substantially the same as the height of the copper pattern layer 132 for stud. In this way, the device chip 10 can be structurally stabilized without a protective layer.

이상에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 출원의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원에 개시된 실시예들을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It can be understood that

10 20: 소자칩, 100: 캐리어 기판,
110: 절연층, 115: 베이스 구리층, 115a: 베이스 구리층 패턴,
120: 식각 정지층, 120a: 식각 정지층 패턴,
130: 구리 패턴층,
131: 캐비티 제조용 구리 패턴층, 132: 스터드용 구리 패턴층,
140: 제1 층간 절연층, 150: 제1 회로 패턴층,
151: 다이 접속 패드, 152: 스터드 접속 패드, 155: 구리 패턴층,
160: 제2 층간 절연층, 165: 비아홀, 170: 비아,
175: 제2 회로 패턴층, 180: 제3 층간 절연층,
190: 비아, 195: 제3 회로 패턴층,
210: 레지스트 패턴층, 215: 컨택홀,
220: 캐비티 개방 마스크 패턴층, 225: 컨택홀,
1010: 범프 구조물,
1600: POP 제품,
1600A: 상부 패키지, 1600B: 하부 패키지,
1610: 인쇄회로기판, 1620: 와이어,
1630: 몰딩층, 1640: 솔더 구조물.
10 20: element chip, 100: carrier substrate,
110: insulating layer, 115: base copper layer, 115a: base copper layer pattern,
120: etch stop layer, 120a: etch stop layer pattern,
130: copper pattern layer,
131: Copper pattern layer for cavity fabrication, 132: Copper pattern layer for stud,
140: first interlayer insulating layer, 150: first circuit pattern layer,
151: die connection pad, 152: stud connection pad, 155: copper pattern layer,
160: second interlayer insulating layer, 165: via hole, 170: via,
175: second circuit pattern layer, 180: third interlayer insulating layer,
190: via, 195: third circuit pattern layer,
210: a resist pattern layer, 215: a contact hole,
220: cavity-opening mask pattern layer, 225: contact hole,
1010: bump structure,
1600: POP products,
1600A: upper package, 1600B: lower package,
1610: printed circuit board, 1620: wire,
1630: molding layer, 1640: solder structure.

Claims (19)

(a) 절연층 및 상기 절연층의 적어도 일면 상에 배치되는 베이스 구리층을 구비하는 캐리어 기판을 제공하는 단계;
(b) 상기 베이스 구리층 상에서 도금법에 의해, 스터드용 구리 패턴층 및 캐비티 제조용 구리 패턴층을 형성하는 단계;
(c) 상기 베이스 구리층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층 사이를 매립하는 제1 층간 절연층을 형성하는 단계;
(d) 상기 캐리어 기판의 상기 절연층과 상기 베이스 구리층을 서로 분리시켜 상기 베이스 구리층을 노출시키되, 상기 베이스 구리층 상부에 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층이 적층된 중간 구조물을 형성하는 단계;
(e) 상기 노출된 베이스 구리층을 시드층으로 이용하는 도금법을 수행하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에 제1 회로 패턴층을 형성하는 단계; 및
(f) 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층을 선택적으로 제거함으로써, 상기 제1 회로 패턴층을 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
(a) providing a carrier substrate having an insulating layer and a base copper layer disposed on at least one side of the insulating layer;
(b) forming a copper pattern layer for a stud and a copper pattern layer for manufacturing a cavity on the base copper layer by a plating method;
(c) forming a first interlayer insulating layer on the base copper layer to fill the space between the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for the stud;
(d) separating the insulating layer and the base copper layer of the carrier substrate from each other to expose the base copper layer, wherein the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for stud are stacked on the base copper layer, Forming a structure;
(e) performing a plating method using the exposed base copper layer as a seed layer to form a first circuit pattern layer on a lower surface of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer; And
(f) forming the cavity for die-mounting to expose the first circuit pattern layer by selectively removing the copper pattern layer for cavity formation
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제1 항에 있어서,
(c) 단계는
(c1) 상기 베이스 구리층 상에서 에폭시 몰딩 화합물(EMC)을 제공하여 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층을 매몰하는 절연막을 형성하는 단계; 및
(c2) 상기 절연층을 그라인딩하여 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 노출시키는 단계를 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(c)
(c1) providing an epoxy molding compound (EMC) on the base copper layer to form an insulating film that buries the copper pattern layer for cavity fabrication and the copper pattern layer for the stud; And
(c2) grinding the insulating layer to expose the top surfaces of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제1 항에 있어서,
(e) 단계는
상기 캐비티 제조용 구리 패턴층의 하면 상에 다이 접속 패드를 형성하고,
상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에 스터드 접속 패드를 형성하는 단계를 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(e)
A die connection pad is formed on the lower surface of the copper pattern layer for manufacturing a cavity,
And forming a stud connection pad on the lower surface of the copper pattern layer for studs
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제3 항에 있어서,
(f) 단계의
상기 캐비티 제조용 구리 패턴층의 제거 공정은 상기 다이 접속 패드를 노출시키도록 진행되는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method of claim 3,
(f)
The removal process of the copper pattern layer for manufacturing cavities proceeds to expose the die connection pad
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제1 항에 있어서,
(e) 단계 후에,
상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에서 상기 제1 회로 패턴층을 덮는 제2 층간 절연층을 형성하는 단계;
상기 제2 층간 절연층을 관통하여 상기 제1 회로 패턴층의 적어도 일부분과 전기적으로 연결되는 비아를 형성하는 단계; 및
상기 비아와 전기적으로 연결되며 상기 제2 층간 절연층 상에 배치되는 제2 회로 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
After step (e)
Forming a second interlayer insulating layer covering the first circuit pattern layer on the lower surface of the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for the stud;
Forming a via through the second interlayer dielectric layer and electrically connected to at least a portion of the first circuit pattern layer; And
Forming a second circuit pattern layer electrically connected to the vias and disposed on the second interlayer dielectric layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제1 항에 있어서,
(f) 단계는
(f1) 상기 제1 층간 절연층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트 패턴층을 형성하는 단계;
(f2) 상기 솔더 레지스트 패턴층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 캐비티 개방 마스크 패턴층을 형성하는 단계; 및
(f3) 상기 캐비티 개방 마스크 패턴층을 식각 마스크로 이용하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층을 식각하여 상기 제1 회로 패턴층을 노출시키는 단계;
(f4) 상기 캐비티 개방 마스크 패턴층을 제거하여 상기 솔더 레지스트 패턴층을 노출시키는 단계를 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(f)
(f1) forming a solder resist pattern layer selectively exposing an upper surface of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer on the first interlayer insulating layer;
(f2) forming a cavity-opening mask pattern layer selectively exposing an upper surface of the cavity-forming copper pattern layer on the solder resist pattern layer; And
(f3) etching the cavity-forming copper pattern layer using the cavity-opening mask pattern layer as an etching mask to expose the first circuit pattern layer;
(f4) removing the cavity-opening mask pattern layer to expose the solder resist pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제1 항에 있어서,
(a) 단계 후에,
상기 베이스 구리층 상에 도전성 식각 정지층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 도전성 식각 정지층은
(f) 단계에서, 상기 제1 회로 패턴층에 대한 식각 보호층으로 기능하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
After step (a)
Further comprising forming a conductive etch stop layer on the base copper layer,
The conductive etch stop layer
In the step (f), the first circuit pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제7 항에 있어서,
상기 도전성 식각 정지층은 니켈층인
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
The conductive etch stop layer is a nickel layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
(a) 절연층 및 상기 절연층의 적어도 일면 상에 배치되는 베이스 구리층을 구비하는 캐리어 기판을 제공하는 단계;
(b) 상기 베이스 구리층 상에 도전성 식각 정지층을 형성하는 단계;
(c) 상기 도전성 식각 정지층 상에서 도금법에 의해, 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 스터드용 구리 패턴층을 형성하는 단계;
(d) 상기 도전성 식각 정지층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층 사이를 매립하되, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층을 형성하는 단계;
(e) 상기 캐리어 기판의 상기 절연층과 상기 베이스 구리층을 서로 분리시켜 상기 베이스 구리층을 노출시키되, 상기 베이스 구리층 상부에 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층이 적층된 중간 구조물을 형성하는 단계;
(f) 상기 노출된 베이스 구리층을 시드층으로 이용하는 도금법을 수행하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에 제1 회로 패턴층을 형성하는 단계;
(g) 상기 제1 층간 절연층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트 패턴층을 형성하는 단계;
(h) 상기 솔더 레지스트층 상에서 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층의 상면을 선택적으로 노출시키는 캐비티 개방 마스크 패턴층을 형성하는 단계; 및
(i) 상기 캐비티 개방 마스크 패턴층을 식각 마스크로 이용하여, 상기 캐비티 제조용 구리 패턴층을 식각하여 상기 제1 회로 패턴층을 노출시키는 단계를 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
(a) providing a carrier substrate having an insulating layer and a base copper layer disposed on at least one side of the insulating layer;
(b) forming a conductive etch stop layer on the base copper layer;
(c) forming a copper pattern layer for cavity formation and a copper pattern layer for a stud on the conductive etch stop layer by a plating method;
(d) a first interlayer insulating layer for burring between the cavity forming copper pattern layer and the stud copper pattern layer on the conductive etch stop layer, the first interlayer insulating layer exposing an upper surface of the cavity forming copper pattern layer and the copper pattern layer for the stud, ;
(e) separating the insulating layer and the base copper layer of the carrier substrate from each other to expose the base copper layer, wherein the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for stud are stacked on the base copper layer, Forming a structure;
(f) performing a plating method using the exposed base copper layer as a seed layer to form a first circuit pattern layer on the lower surfaces of the cavity-forming copper pattern layer and the stud-forming copper pattern layer;
(g) forming a solder resist pattern layer selectively exposing an upper surface of the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for stud on the first interlayer insulating layer;
(h) forming a cavity-opening mask pattern layer on the solder resist layer to selectively expose an upper surface of the cavity-forming copper pattern layer; And
(i) etching the cavity-forming copper pattern layer using the cavity-opening mask pattern layer as an etching mask to expose the first circuit pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제9 항에 있어서,
(j) 상기 캐비티 개방 마스크 패턴층을 제거하여 상기 솔더 레지스트 패턴층을 노출시키는 단계를 더 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
(j) removing the cavity-opening mask pattern layer to expose the solder resist pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제9 항에 있어서,
상기 도전성 식각 정지층은
(i) 단계에서, 상기 제1 회로 패턴층에 대한 식각 보호층으로 기능하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The conductive etch stop layer
(i), the second circuit pattern layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
제9 항에 있어서,
(f) 단계 후에,
상기 캐비티 제조용 구리 패턴층 및 상기 스터드용 구리 패턴층의 하면 상에서 상기 제1 회로 패턴층을 덮는 제2 층간 절연층을 형성하는 단계;
상기 제2 층간 절연층을 관통하여 상기 제1 회로 패턴층의 적어도 일부분과 전기적으로 연결되는 비아를 형성하는 단계; 및
상기 비아와 전기적으로 연결되며 상기 제2 층간 절연층 상에 배치되는 제2 회로 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
After step (f)
Forming a second interlayer insulating layer covering the first circuit pattern layer on the lower surface of the copper pattern layer for cavity formation and the copper pattern layer for the stud;
Forming a via through the second interlayer dielectric layer and electrically connected to at least a portion of the first circuit pattern layer; And
Forming a second circuit pattern layer electrically connected to the vias and disposed on the second interlayer dielectric layer
A method of manufacturing a printed circuit board for POP structure.
다이 접속 패드 및 스터드 접속 패드를 구비하는 하부 절연층;
상기 하부 절연층 상에 배치되며, 상기 스터드 접속 패드와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층을 내부에 구비하고 상기 다이 접속 패드를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 구비하는 상부 절연층을 구비하되,
상기 스터드용 구리 패턴층 상에 외부 패키지와의 접속 구조물을 실장하는
POP 구조용 인쇄회로기판.
A lower insulating layer having a die connecting pad and a stud connecting pad;
And an upper insulating layer disposed on the lower insulating layer and having a copper pattern layer for a stud electrically connected to the stud connection pad and having a die mounting cavity for selectively exposing the die connection pad, ,
And a connection structure with an external package is mounted on the copper pattern layer for studs
POP structure printed circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 상부 절연층 상에서 상기 스터드용 구리 패턴층 및 상기 다이 실장용 캐비티를 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트 패턴층을 더 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판.
14. The method of claim 13,
And a solder resist pattern layer for selectively exposing the stud copper pattern layer and the die mounting cavity on the upper insulating layer
POP structure printed circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 하부 절연층의 하부에 배치되며, 상기 스터드 접속 패드와 연결되는 적어도 하나의 비아 및 회로 패턴층을 더 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판.
14. The method of claim 13,
And at least one via and circuit pattern layer disposed below the lower insulating layer and connected to the stud connection pad
POP structure printed circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 다이 접속 패드 및 상기 스터드 접속 패드는 구리와의 식각 선택비를 가지는 식각 보호층을 포함하는
POP 구조용 인쇄회로기판.
14. The method of claim 13,
Wherein the die connection pad and the stud connection pad comprise an etch protection layer having an etch selectivity to copper
POP structure printed circuit board.
제16 항에 있어서,
상기 식각 보호층은 니켈층인
POP 구조용 인쇄회로기판.
17. The method of claim 16,
The etch protection layer is a nickel layer
POP structure printed circuit board.
솔더 구조물에 의해 접속되는 상부 패키지 및 하부 패키지를 구비하고,
상기 하부 패키지는
다이 접속 패드 및 스터드 접속 패드를 구비하는 하부 절연층;
상기 하부 절연층 상에 배치되고, 상기 스터드 접속 패드와 전기적으로 연결되는 스터드용 구리 패턴층을 내부에 구비하고 상기 다이 접속 패드를 선택적으로 노출시키는 다이 실장용 캐비티를 구비하는 상부 절연층; 및
상기 다이 실장용 캐비티 내부에서 상기 다이 접속 패드와 접속하는 소자칩을 구비하되,
상기 스터드용 구리 패턴층 상에 상기 상부 패키지와의 상기 솔더 구조물을 실장하는
소자 패키지.
An upper package and a lower package connected by a solder structure,
The lower package
A lower insulating layer having a die connecting pad and a stud connecting pad;
An upper insulating layer disposed on the lower insulating layer and having a copper pattern layer for a stud electrically connected to the stud connection pad and having a die mounting cavity for selectively exposing the die connection pad; And
And a device chip connected to the die connection pad inside the die mounting cavity,
And the solder structure with the upper package is mounted on the copper pattern layer for studs
Device package.
제18 항에 있어서,
상기 다이 실장용 캐비티의 깊이는 상기 스터드용 구리 패턴층의 높이에 대응되는
소자 패키지.
19. The method of claim 18,
And the depth of the die mounting cavity corresponds to the height of the copper pattern layer for stud
Device package.
KR1020150087683A 2015-06-19 2015-06-19 PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB KR101709468B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150087683A KR101709468B1 (en) 2015-06-19 2015-06-19 PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150087683A KR101709468B1 (en) 2015-06-19 2015-06-19 PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160150244A true KR20160150244A (en) 2016-12-29
KR101709468B1 KR101709468B1 (en) 2017-03-09

Family

ID=57736581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150087683A KR101709468B1 (en) 2015-06-19 2015-06-19 PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101709468B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023096458A1 (en) * 2021-11-29 2023-06-01 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023113386A1 (en) * 2021-12-13 2023-06-22 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023121406A1 (en) * 2021-12-23 2023-06-29 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023128729A1 (en) * 2022-01-03 2023-07-06 엘지이노텍 주식회사 Circuit board

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102520038B1 (en) 2018-01-10 2023-04-12 삼성전자주식회사 Gas sensor package and Sensing apparatus including the same
KR102647325B1 (en) * 2018-08-06 2024-03-14 엘지이노텍 주식회사 Circuit board and semiconductor package comprising same
KR102331487B1 (en) * 2019-07-16 2021-11-29 (주)심텍 printed circuit board including interlayer insulating layer different from another and method of fabricating the same
KR20230105266A (en) * 2022-01-03 2023-07-11 엘지이노텍 주식회사 Circuit board and semiconductor package comprising the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268594A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Nippon Mektron Ltd Circuit board and method for packaging electronic component
KR20140075357A (en) * 2012-12-11 2014-06-19 삼성전기주식회사 Chip embedded PCB(printed circuit board) and semiconductor package using the PCB, and manufacturing method of the PCB
KR20150025633A (en) * 2013-08-29 2015-03-11 삼성전자주식회사 Package-on-package device and method of fabricating the same
JP2015109392A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 株式会社イースタン Manufacturing method of wiring board

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268594A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Nippon Mektron Ltd Circuit board and method for packaging electronic component
KR20140075357A (en) * 2012-12-11 2014-06-19 삼성전기주식회사 Chip embedded PCB(printed circuit board) and semiconductor package using the PCB, and manufacturing method of the PCB
KR20150025633A (en) * 2013-08-29 2015-03-11 삼성전자주식회사 Package-on-package device and method of fabricating the same
JP2015109392A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 株式会社イースタン Manufacturing method of wiring board

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023096458A1 (en) * 2021-11-29 2023-06-01 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023113386A1 (en) * 2021-12-13 2023-06-22 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023121406A1 (en) * 2021-12-23 2023-06-29 엘지이노텍 주식회사 Circuit board
WO2023128729A1 (en) * 2022-01-03 2023-07-06 엘지이노텍 주식회사 Circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
KR101709468B1 (en) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101709468B1 (en) PCB for POP structure, method of manufacturing the same and device package using the PCB
US10490478B2 (en) Chip packaging and composite system board
KR101058621B1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
US9345143B2 (en) Method of fabricating a wiring board
JP5945564B2 (en) Package carrier and manufacturing method thereof
US20120120609A1 (en) Package structure having a semiconductor component embedded therein and method of fabricating the same
KR20160066311A (en) semi-conductor package and manufacturing method thereof
US20170263579A1 (en) Package substrate with double sided fine line rdl
KR20170009128A (en) Circuit board and manufacturing method of the same
KR20160032985A (en) Package board, method for manufacturing the same and package on package having the thereof
US10483194B2 (en) Interposer substrate and method of fabricating the same
KR102254874B1 (en) Package board and method for manufacturing the same
KR102262907B1 (en) Package substrate, package, package on package and maunfacutring method of package substrate
KR20150135046A (en) Package board, method for manufacturing the same and package on packaage having the thereof
CN109922600B (en) Circuit board structure and manufacturing method thereof
KR102326494B1 (en) Integrated circuit packaging system with embedded component and method of manufacture thereof
KR101630435B1 (en) embedded PCB and method of manufacturing the same
JP7099789B2 (en) Printed circuit board
US9955578B2 (en) Circuit structure
KR101618663B1 (en) embedded PCB and method of manufacturing the same
KR100498470B1 (en) Multi chip package and method for manufacturing the same
KR101130608B1 (en) Printed circuit board assembly
TWI512921B (en) Carrier structure, chip package structure and manufacturing method thereof
KR101983266B1 (en) printed circuit board and method of manufacturing the same
KR102101593B1 (en) Method of manufacturing printed circuit board using metal core substrate and printed circuit board manufactured by the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200122

Year of fee payment: 4