KR20160150047A - Flow rate measuring device and processing apparatus - Google Patents

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KR20160150047A
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마사유키 카지와라
마사토 하야시
료지 안도
히로이치 이나다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

Provided are a flow rate measuring device which is able to accurately measure the flow rate of a gas discharged from a processing part within a wide range, and a processing device having the flow rate measuring device. The flow rate measuring device measures the flow rate of gas discharged from the processing part and flowing in an exhaust path (30) wherein an object is processed in the processing part. A windmill member (21) has a windmill surface (210) arranged to cross a flow of the gas flowing in the exhaust path (30), and changes the conditions depending on a force received from the gas. A sensor part (24) detects an amount of change in the condition of the windmill member (21), and outputs signals depending on a concerned amount of change. A flow rate computing part (8) computes the flow rate of the gas flowing in the exhaust path (30) based on the signals.

Description

유량 측정 장치 및 처리 장치 {FLOW RATE MEASURING DEVICE AND PROCESSING APPARATUS}[0001] FLOW RATE MEASURING DEVICE AND PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 피처리체에 대한 처리가 행해지는 처리부로부터 배출된 기체의 유량을 측정하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique for measuring a flow rate of a gas exhausted from a processing section where processing for an object to be processed is performed.

반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하거나, 처리액을 공급하여 웨이퍼의 표면의 처리를 행하는 액 처리, 또는 웨이퍼의 표면에 형성된 도포막에 대하여 가열 또는 자외선의 조사에 의한 처리를 행하는 열 처리, 자외선 처리 등 각종의 처리가 행해진다. 이 때, 액체로부터 발생한 미스트 또는 도포막으로부터 방출된 성분을 웨이퍼의 주위로부터 제거하기 위하여, 처리가 실행되는 처리부 내의 기체는 배기로를 거쳐 외부로 배출된다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a liquid process for supplying a coating liquid to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer ") to form a coating film or supplying a process liquid to perform a process on the surface of the wafer, Such as a heat treatment or ultraviolet ray treatment, in which the coating film formed on the surface of the substrate is subjected to heating or irradiation with ultraviolet rays. At this time, in order to remove the mist generated from the liquid or the component emitted from the coating film from the periphery of the wafer, the gas in the treatment section where the treatment is performed is discharged to the outside through the exhaust passage.

웨이퍼에 대한 미스트의 재부착을 방지하고, 또한 안정된 분위기 중에서 웨이퍼의 가열 또는 자외선 조사를 행하기 위해서는, 처리부로부터 배출되는 기체의 배출량을 정확하게 파악하고, 당해 배출량을 적정한 값으로 유지할 필요가 있다.In order to prevent the mist from reattaching to the wafer and to heat the wafer or irradiate the ultraviolet rays in a stable atmosphere, it is necessary to accurately grasp the amount of discharge of the gas discharged from the treatment section and maintain the discharge amount at a proper value.

종래, 처리부로부터 배출된 기체의 유량은, 배기로의 도중에 마련된 스로틀의 전후의 압력차에 기초하여 유량을 측정하는 차압식의 유량계 등을 이용하여 파악하고 있었다.Conventionally, the flow rate of the gas discharged from the processing section has been grasped by using a differential pressure type flow meter or the like which measures the flow rate based on the pressure difference between the front and rear of the throttle provided in the middle of the exhaust passage.

그러나, 이들 미스트 또는 도포막으로부터의 방출 성분은, 액체분의 증발, 또는 온도 저하에 수반하는 고체화 등에 의해, 배기로를 구성하는 배관의 내벽면에 부착할 우려가 있다. 특히, 이들 부착물이 전술한 유량 측정용의 스로틀을 막히게 하면, 기체의 배출량을 정확하게 파악할 수 없게 될 뿐 아니라, 처리부 내를 배기하는 능력까지도 저하될 우려도 있다.However, there is a risk that the release components from these mist or coating films adhere to the inner wall surface of the pipe constituting the exhaust passage, due to evaporation of the liquid component or solidification accompanied by a decrease in temperature. Particularly, when these deposits clog the throttle for measuring the flow rate described above, not only the amount of discharged gas can not be accurately grasped but also the ability to exhaust the inside of the processing part may be deteriorated.

이러한 과제를 해결하기 위하여, 예를 들면 특허 문헌 1에는, 열 처리 장치로부터 배출된 기체가 흐르는 배기관을, 당해 기체에 포함되는 승화물의 승화 온도 이상으로 가열하는 히터와, 이 히터의 상류측 및 하류측의 온도를 측정하는 온도 센서를 마련하고, 히터의 전후에서의 기체의 온도차에 기초하여 기체의 유량을 구하는 기술이 기재되어 있다.In order to solve such a problem, for example, Patent Document 1 discloses a heater which heats an exhaust pipe through which a gas discharged from a heat treatment apparatus flows, to a sublimation temperature of a sublimate contained in the gas, A temperature sensor is provided for measuring the temperature of the gas, and a flow rate of the gas is obtained based on the temperature difference between the gas before and after the heater.

일본특허공보 5,041,009호 : 청구항 1, 단락 0019 ~ 0020, 도 3Japanese Patent Publication No. 5,041,009: Claim 1, paragraphs 0019 to 0020, Fig. 3

특허 문헌 1에 기재된 기술에 따르면, 배기관에 스로틀을 마련하지 않아도 열 처리 장치로부터 배출된 기체의 유량을 측정할 수 있을 뿐 아니라, 배기관에 대한 승화물의 부착에 의한 유량 측정 오차도 발생하기 어렵다. According to the technique described in Patent Document 1, it is not only possible to measure the flow rate of the gas exhausted from the heat treatment apparatus, but also to cause an error in the flow rate measurement due to the attachment of the sublimate to the exhaust pipe, without providing a throttle in the exhaust pipe.

한편, 배기관 내를 흐르는 유체 중에는 반응성의 미스트가 포함되는 경우가 있다. 이 점, 히터를 이용한 유량계에서는, 미스트의 반응이 진행되는 것을 피하기 위하여 히터의 온도 제약이 크고, 정확한 유량 측정을 행함에 있어서 장애가 된다.On the other hand, a fluid flowing in the exhaust pipe may contain a reactive mist. In this respect, in a flow meter using a heater, the temperature limitation of the heater is large in order to prevent the reaction of the mist from proceeding, which is an obstacle to accurate flow measurement.

본 발명의 목적은, 처리부로부터 배출되는 기체의 유량을 폭넓은 범위에서 정확하게 측정하는 것이 가능한 유량 측정 장치, 및 이 유량 측정 장치를 구비한 처리 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a flow rate measuring apparatus capable of accurately measuring a flow rate of a gas discharged from a processing section over a wide range, and a processing apparatus provided with the flow rate measuring apparatus.

본 발명의 유량 측정 장치는, 피처리체에 대한 처리가 행해지는 처리부로부터 배출되고, 배기로를 흐르는 기체의 유량을 측정하는 유량 측정 장치에 있어서, The flow rate measuring apparatus according to the present invention is a flow rate measuring apparatus for measuring a flow rate of a gas flowing out of a treatment section to be treated for an object to be treated and flowing through an exhaust passage,

상기 배기로를 흐르는 기체의 흐름과 교차하도록 배치되는 수풍면을 구비하고, 이 수풍면을 개재하여 기체로부터 받는 힘에 따라 상태가 변화하는 수풍 부재와, A water flow member having a water surface that is arranged so as to intersect the flow of gas flowing through the exhaust path and whose state changes according to a force received from the gas via the water surface,

상기 수풍 부재의 상태의 변화량을 검출하고, 상기 변화량에 따른 신호를 출력하는 센서부와, A sensor unit for detecting a change amount of the state of the water flow member and outputting a signal corresponding to the change amount,

상기 센서부로부터 출력된 신호에 기초하여, 상기 배기로를 흐르는 기체의 유량을 산출하는 유량 산출부를 구비한 것을 특징으로 한다.And a flow rate calculation section for calculating a flow rate of the gas flowing through the exhaust passage based on the signal output from the sensor section.

상기 유량 측정 장치는 하기의 구성을 구비하고 있어도 된다.The flow rate measuring apparatus may have the following configuration.

(a) 상기 수풍 부재는, 이 수풍 부재에 작용하는 중력 방향과 교차하는 방향을 향해 연장되는 지축에 의해, 상기 지축 둘레로 회전 가능하게 지지되고, 상기 센서부는, 상기 수풍 부재의 상태의 변화량으로서, 상기 처리부로부터 기체가 배출되고 있지 않은 때의 홈 포지션으로부터의 상기 지축 둘레의 수풍 부재의 회전각을 검출하는 것. 이 때, 상기 센서부는, 상기 수풍 부재, 또는 수풍 부재와 일체로 회전하는 상기 지축에 장착된 가속도 센서인 것.(a) The water flow member is rotatably supported around the shaft by a shaft extending toward a direction intersecting with the direction of gravity acting on the water flow member, and the sensor unit is provided as a change amount of the state of the water flow member , And detects the rotation angle of the airflow member around the shaft from the home position when the gas is not discharged from the processing unit. In this case, the sensor unit is an acceleration sensor mounted on the support shaft or the support shaft that rotates integrally with the winder member.

(b) (a)에서, 상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 수풍면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고, 상기 수풍면에 대한 부착물의 부착에 의해, 상기 수풍면측의 중량이 증대된 것에 기인하는 상기 홈 포지션으로부터의 지축 둘레의 수풍 부재의 회전각을, 상기 처리부로부터 기체가 배출되고 있지 않은 기간 중에 센서부로부터 취득하여, 상기 수풍 부재에 대한 부착물의 부착을 검출하는 부착물 검출부를 구비한 것.(b) In (a), the gas discharged from the treatment section contains a substance to be adhered to the water-swept face, and the weight of the water-flow surface side is increased due to adhesion of the adherend to the water- And an attachment detecting portion that acquires the rotation angle of the winder around the axis from the home position from the sensor portion during a period when the gas is not discharged from the processing portion and detects attachment of the attachment to the winder.

(c) 상기 센서부는, 상기 수풍 부재의 상태의 변화량으로서, 배기 유로를 흐르는 기체로부터 수풍 부재가 받는 힘에 의해 탄성 변형될 시의 변형량을 검출하는 것.(c) The sensor unit detects, as a change amount of the state of the water flow member, an amount of deformation when the water flow member is elastically deformed by a force received by the wind flow member from the gas flowing through the exhaust flow passage.

(d) 상기 처리부로부터 배출되는 기체에는, 수풍 부재에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고, 상기 수풍 부재의 주위에, 상기 수풍 부재의 표면으로부터 멀어짐에 따라 점차 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하여 부착물의 부착을 억제하기 위하여, 수풍 부재의 가열을 행하는 수풍 부재 가열 기구가 마련되어 있는 것.(d) The gas discharged from the treatment section contains a substance to be adhered to the wind flow member, and a temperature gradient is formed around the wind flow member such that the temperature gradually decreases with distance from the surface of the wind flow member And a winder member heating mechanism for heating the winder member to suppress adhesion of the attachment.

(e) 상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 수풍 부재에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고, 상기 수풍 부재에 부착된 부착물이 제거되는 온도까지 상기 수풍 부재를 가열하기 위한 수풍 부재 가열 기구가 마련되어 있는 것.(e) The gas discharged from the processing section includes a substance to be attached to the winder member, and a winder member heating mechanism for heating the winder member to a temperature at which the attachment attached to the winder member is removed is provided .

(f) (e)에서, 상기 수풍 부재의 온도를 계측하는 수풍 부재 온도 계측부와, 상기 수풍 부재 가열 기구에 의해, 미리 설정된 부착 확인 온도가 될 때까지 상기 수풍 부재를 가열하고 있는 기간 중에, 상기 수풍 부재 온도 계측부에 의해 계측한 수풍 부재의 온도의 경시 변화 프로파일에 기초하여, 부착물의 제거의 필요 여부를 판단하는 판단부를 구비한 것.(a) a water flow member temperature measurement unit for measuring the temperature of the water flow member in (f) (e), and a water flow member temperature measurement unit for measuring the temperature of the water flow member during the period during which the water flow member is heated And a judging section for judging whether or not the removal of the deposit is necessary based on the profile of change with time of the temperature of the wind storm member measured by the wind storm member temperature measuring section.

(g) 상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 상기 배기로를 구성하는 배관의 내벽면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고, 상기 배관의 내벽면으로부터 멀어짐에 따라 점차 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하여 부착물의 부착을 억제하기 위하여, 상기 수풍 부재가 배치되어 있는 영역의 배관의 가열을 행하는 배관 가열 기구가 마련되어 있는 것.(g) The gas discharged from the treatment section contains a substance to be adhered to the inner wall surface of the pipe constituting the exhaust path, and a temperature gradient is formed so that the temperature gradually decreases as the distance from the inner wall surface of the pipe becomes smaller A pipe heating mechanism for heating the pipe in the region where the water flow member is disposed is provided in order to suppress adhesion of the deposit.

(h) 상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 상기 배기로를 구성하는 배관의 내벽면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고, 상기 수풍 부재가 배치되어 있는 영역의 배관에는, 내벽면에 부착된 부착물이 제거되는 온도까지 상기 배관을 가열하기 위한 배관 가열 기구가 마련되어 있는 것.(h) the gas discharged from the treatment section includes a substance to be an adherent substance attached to an inner wall surface of a pipe constituting the exhaust passage, and a pipe attached to the inner wall surface And a pipe heating mechanism for heating the pipe to a temperature at which it is removed.

(i) (h)에서 상기 배관 가열 기구에 의해 가열되어 있는 영역의 배관의 온도를 계측하는 배관 온도 계측부와, 상기 배관 가열 기구에 의해, 미리 설정된 부착 확인 온도가 될 때까지 상기 배관을 가열하고 있는 기간 중에, 상기 배관 온도 계측부에 의해 계측한 배관의 온도의 경시 변화 프로파일에 기초하여, 부착물의 제거의 필요 여부를 판단하는 판단부를 구비한 것.(i) a pipe temperature measuring section for measuring the temperature of the pipe in the region heated by the pipe heating mechanism in (h); and a pipe heating mechanism for heating the pipe until the adhesion confirmation temperature reaches a preset attachment confirmation temperature And a judging section for judging whether or not the removal of the deposit is necessary based on the profile of change with time of the temperature of the pipe measured by the piping temperature measuring section during the period in which the pipe has been removed.

또한 다른 발명에 따른 처리 장치는, 피처리체에 대한 처리를 행하는 처리부와, According to another aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising a processing section for performing processing on an object to be processed,

상기 처리부로부터 배기로로 배출되는 기체의 유량을 조절하는 배기량 조절부와, An exhaust amount regulating unit for regulating the flow rate of the gas exhausted from the processing unit to the exhaust path,

상술한 어느 하나의 유량 측정 장치와, Any one of the above-described flow measurement devices,

상기 배기량 조절부를 조작하여 상기 배기로로 배출되는 기체의 유량을 조절하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit for controlling the flow rate of the gas discharged to the exhaust path by operating the exhaust amount adjusting unit.

상기 처리 장치는 하기의 구성을 구비하고 있어도 된다.The processing apparatus may have the following configuration.

(j) 상기 처리부와 배기량 조절부의 조가 복수 마련되고, (j) a plurality of sets of the processing portion and the exhaust amount adjusting portion are provided,

상기 유량 측정 장치의 수풍 부재는 상기 복수의 처리부로부터 배출된 기체가 합류하는 합류 배기로에 마련되고, Wherein the wind flow member of the flow rate measuring device is provided in the merging exhaust passage where the gases discharged from the plurality of processing sections join together,

상기 제어부는 피처리체의 처리를 실행하고 있는 처리부의 수로부터 예측되는 예측 배기 유량과, 상기 유량 측정 장치에서 산출된 기체의 유량과의 차에 기초하여, 어느 하나의 배기량 조절부에서의 배기량 조절의 이상을 검출하는 것.Wherein the control unit is configured to control the flow rate of the exhaust gas in one of the exhaust amount regulating units based on a difference between the predicted exhaust flow rate predicted from the number of the processing units that are performing the processing of the object to be processed and the flow rate of the gas calculated by the flow rate measuring apparatus Or more.

(k) 이하의 (1) ~ (3)으로부터 선택된 적어도 한 종류의 처리부를 구비한 것.(k) at least one kind of processing section selected from (1) to (3) below.

(1) 피처리체를 연직축 둘레로 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 상기 유지 기구에 유지되고 피처리체의 표면에 액체를 공급하는 액체 공급 기구와, 상기 유지부의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 회전하는 피처리체로부터 털어내진 액체를 받아, 액체와 기체를 분리하여 배출하는 컵체를 구비한 액 처리부.(1) A liquid ejecting apparatus comprising: a holding mechanism that rotatably holds an object to be processed around a vertical axis; a liquid supplying mechanism that is held by the holding mechanism and supplies a liquid to a surface of the object to be processed; And a cup body for receiving the liquid that has been poured out from the object to be processed and separating and discharging the liquid and the gas.

(2) 표면에 도포막이 형성된 피처리체를 가열하는 가열 기구를 구비한 가열 처리부.(2) A heating processing unit having a heating mechanism for heating an object to be processed on which a coating film is formed.

(3) 표면에 도포막이 형성된 피처리체에 자외선을 조사하는 자외선 조사 기구를 구비한 자외선 처리부.(3) An ultraviolet processing unit having an ultraviolet ray irradiation mechanism for irradiating ultraviolet rays to an object to be processed having a coated film formed on its surface.

본 발명은 기체로부터 받는 힘에 따라 변화하는 수풍 부재의 상태의 변화량에 기초하여 기체의 유량을 산출함으로써, 피처리체에 대한 처리가 행해지는 처리부로부터 배출되는 기체의 유량을 폭넓은 범위에서 정확하게 측정할 수 있다.The present invention calculates a flow rate of a gas based on a change amount of a state of a flow field member that changes in accordance with a force received from a gas to thereby accurately measure a flow rate of a gas discharged from a processing unit in which processing is performed on the subject, .

도 1은 제 1 실시의 형태에 따른 유량 측정부가 마련된 배기관의 일부 파단 사시도이다.
도 2는 상기 배기관의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 배기관의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 유량 측정부에 마련된 수풍판의 외관도이다.
도 5는 상기 수풍판의 작용 설명도이다.
도 6은 기체의 풍속과 수풍판의 회전각과의 관계를 나타내는 설명도이다.
도 7은 수풍판의 가열에 의한 부착물의 원인 물질의 부착 억제 작용을 나타내는 설명도이다.
도 8은 수풍판의 가열에 의한 부착물의 제거 작용을 나타내는 설명도이다.
도 9는 수풍판의 가열 시의 온도의 경시 변화 프로파일을 나타내는 설명도이다.
도 10은 부착물이 부착된 수풍판의 측면도이다.
도 11은 수직 방향으로 연장되는 배기관에 마련한 유량 측정부의 종단 측면도이다.
도 12는 상기 수풍판의 변형예를 나타내는 종단 정면도이다.
도 13은 제 2 실시의 형태에 따른 유량 측정부를 구비한 배기관의 종단 측면도이다.
도 14는 본 발명의 유량 측정 장치가 마련되는 도포, 현상 장치의 횡단 평면도이다.
도 15는 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 16은 상기 도포, 현상 장치의 외관 사시도이다.
도 17은 상기 도포, 현상 장치에 마련되어 있는 액 처리 모듈의 횡단 평면도이다.
도 18은 상기 액 처리 모듈의 배기 계통의 구성도이다.
도 19는 상기 도포, 현상 장치에 마련되어 있는 열 처리 모듈의 배기 계통의 구성도이다.
도 20은 상기 도포, 현상 장치 전체의 배기 계통의 구성도이다.
도 21은 상기 유량 측정부를 이용하여 계측한 지시 풍속과 실질 풍속과의 관계를 나타내는 상관도이다.1 is a partially cutaway perspective view of an exhaust pipe provided with a flow rate measuring section according to the first embodiment.
2 is a front elevational view of the exhaust pipe.
3 is a longitudinal side view of the exhaust pipe.
Fig. 4 is an external view of the water supply plate provided in the flow rate measuring unit. Fig.
Fig. 5 is an explanatory view of the operation of the water intake plate.
Fig. 6 is an explanatory view showing the relationship between the air velocity of the gas and the rotation angle of the water-intake plate.
7 is an explanatory diagram showing an action of suppressing adhesion of a substance causing adherend by heating the water-absorbing plate.
Fig. 8 is an explanatory diagram showing an action of removing the adhered matter by heating the water receiving plate. Fig.
Fig. 9 is an explanatory view showing a change profile of temperature with time of heating the water receiving plate. Fig.
Fig. 10 is a side view of the windshield with attachment attached thereto. Fig.
11 is a longitudinal side view of a flow rate measuring unit provided in an exhaust pipe extending in a vertical direction.
12 is a longitudinal front view showing a modified example of the water intake plate.
13 is a longitudinal sectional side view of an exhaust pipe provided with a flow rate measuring section according to the second embodiment.
14 is a cross-sectional plan view of a coating and developing apparatus provided with a flow rate measuring apparatus of the present invention.
15 is a longitudinal side view of the coating and developing apparatus.
16 is an external perspective view of the coating and developing apparatus.
17 is a cross-sectional plan view of the liquid processing module provided in the coating and developing apparatus.
18 is a configuration diagram of an exhaust system of the liquid processing module.
19 is a configuration diagram of an exhaust system of a heat treatment module provided in the coating and developing apparatus.
20 is a configuration diagram of an exhaust system of the entire coating and developing apparatus.
21 is a correlation diagram showing the relationship between the indicated wind speed and the actual wind speed measured using the flow rate measuring unit.

(유량 측정 장치) (Flow measuring device)

먼저, 본 발명의 유량 측정 장치의 구성예 및 수풍(受風) 부재를 이용하여 기체의 유량을 측정하는 원리에 대하여 도 1 ~ 도 13을 참조하여 설명한다.First, a configuration example of a flow rate measuring apparatus of the present invention and a principle of measuring a flow rate of a gas using a wind receiving member will be described with reference to Figs. 1 to 13. Fig.

도 1 ~ 도 3은, 본 예의 수풍 부재인 수풍판(21)을 구비한 배기관(배관)(3)의 일부 파단 사시도, 당해 배기관(3)을 기체의 흐름 방향의 상류측에서 본 종단 정면도, 및 상기 흐름 방향과 직교하는 방향에서 본 종단 측면도이다. 또한, 도 4는 수풍판(21)의 외관도이다.1 to 3 are partially broken perspective views of an exhaust pipe (pipe) 3 provided with a water guide plate 21 which is a water flow member of the present embodiment and a vertical front view of the exhaust pipe 3 viewed from the upstream side in the flow direction of the gas And a longitudinal side view in a direction orthogonal to the flow direction. 4 is an external view of the water receiving plate 21. Fig.

도 1 ~ 도 3에 나타내는 예에서는, 중력 방향과 직교하는 수평 방향을 향해 배치된 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 유량을 측정하는 경우를 나타내고 있다. 또한, 본 발명의 유량 측정 장치 중, 배기관(3)에 마련되어 있는 기체의 유량 측정 기구를 유량 측정부(2)라고 부른다.In the examples shown in Figs. 1 to 3, the flow rate of the gas flowing in the exhaust pipe 3 arranged toward the horizontal direction orthogonal to the gravity direction is measured. In addition, in the flow rate measuring apparatus of the present invention, the flow rate measuring mechanism of the gas provided in the exhaust pipe 3 is referred to as a flow rate measuring section 2.

유량 측정부(2)에는 수풍판(21)이 마련되어 있다. 수풍판(21)은 좁고 긴 얇은 판으로서 구성되고, 그 상방측의 전면(前面)에는, 수풍판(21)과 직교하도록 배치된 봉 형상의 지축(22)이 고정 나사(221)에 의해 장착되어 있다. 수풍판(21)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.The flow rate measuring unit 2 is provided with a water level plate 21. A rod-like support shaft 22, which is arranged so as to be orthogonal to the water-intake plate 21, is mounted on the front surface of the water-intake plate 21 by a fixing screw 221 . The detailed configuration of the water receiving plate 21 will be described later.

배기관(3)의 상면에는 받침대부(251)가 마련되고, 이 받침대부(251)의 상면에는 지축(22)을 회전 가능하게 유지하는 2 개의 축받이부(23)가 서로 대향하도록 배치되어 있다. 상면측에서 봤을 때, 2 개의 축받이부(23)는, 도 1, 도 3에 흰색 화살표로 나타낸 기체의 흐름 방향과 직교하는 방향을 향해 지축(22)이 배치되도록 축받이면을 서로 대향시키고 있다.A pedestal portion 251 is provided on the upper surface of the exhaust pipe 3 and two bearing portions 23 for rotatably holding the support shaft 22 are disposed on the upper surface of the pedestal portion 251 so as to face each other. The bearing portions 23 of the two bearings 23 face each other such that the bearings 22 are disposed in a direction perpendicular to the flow direction of the gas indicated by a white arrow in FIG. 1 and FIG. 3 as seen from the upper surface side.

지축(22)은, 2 개의 축받이부(23)에 의해 수평으로, 또한 수평인 축 둘레로 회전 가능하게 지지되어 있다. 지축(22)에 유지된 수풍판(21)은, 배기관(3)의 상면측에 형성된 개구부(33)를 개재하여 배기관(3) 내에 삽입되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 좁고 긴 판자인 수풍판(21)은, 상류측에서 봤을 때, 직경 방향으로 배기관(3)을 종단 하도록, 기체의 배기로(30)를 이루는 배기관(3) 내에 삽입되어 있다.The support shaft 22 is rotatably supported by two bearings 23 around a horizontal axis and a horizontal axis. The windshield 21 held by the support shaft 22 is inserted into the exhaust pipe 3 through an opening 33 formed in the upper surface of the exhaust pipe 3. As shown in Fig. 2, the water intake plate 21, which is a narrow and long board, is inserted into the exhaust pipe 3 constituting the exhaust path 30 of the gas so as to terminate the exhaust pipe 3 in the radial direction when viewed from the upstream side .

여기서 기술한 바와 같이 고정 나사(221)에 의해 수풍판(21)이 지축(22)에 장착되어 있음으로써, 수풍판(21)은 지축(22)과 일체가 되어 회전할 수 있다. 또한, 예를 들면 수풍판(21)측에 형성된 관통구에 지축(22)을 삽입하여, 당해 지축(22)을 축받이부(23)에 고정 지지하고, 지축(22) 둘레로 수풍판(21)이 회전 가능한 구성을 채용해도 된다.As described above, since the water-shield plate 21 is attached to the support shaft 22 by the fixing screw 221, the water shield plate 21 can rotate integrally with the support shaft 22. The support shaft 22 is inserted into a through hole formed in the water plate 21 so as to fix the support shaft 22 to the bearing portion 23 and to surround the support shaft 21 May be employed.

배기관(3) 내에 삽입된 수풍판(21)은, 얇은 판의 일방측의 면(도 4의 (a)에 나타낸 면의 뒷측의 면, 도 4의 (b)에 나타내는 우측의 면)을, 상류측을 향해, 당해 면이 기체의 흐름 방향과 교차하는 방향(상하 방향)으로 연장되도록 배치되어 있다. 배기관(3) 내를 흐르는 기체는, 상기 얇은 판의 일방측의 면(수풍면(210))에 닿아, 수풍판(21)은 기체로부터 받는 힘에 의해 지축(22) 둘레로 회전한다(도 3의 파선).The water-shielding plate 21 inserted in the exhaust pipe 3 is configured so that one surface of the thin plate (the surface on the rear side of the surface shown in Fig. 4 (a) and the surface on the right side shown in Fig. And is disposed so as to extend toward the upstream side in the direction (vertical direction) crossing the flow direction of the gas. The gas flowing in the exhaust pipe 3 is brought into contact with the surface on one side of the thin plate (the water receiving surface 210) and the water receiving plate 21 is rotated around the supporting shaft 22 by the force received from the gas 3).

본 예의 유량 측정 장치는, 배기관(3) 내를 기체가 흐르지 않는 상태에서의 수풍판(21)의 위치(홈 포지션)로부터의 지축(22) 둘레의 수풍판(21)의 회전각을, 기체의 유량에 따라 변화하는 수풍판(21)의 상태의 변화량으로서 검출한다. The flow rate measuring apparatus of the present embodiment can measure the rotation angle of the water level plate 21 around the support shaft 22 from the position (home position) of the water level plate 21 in a state in which no gas flows through the exhaust pipe 3, As the amount of change in the state of the water-sensing plate 21 which changes in accordance with the flow rate of the water.

또한, 수풍판(21)을 삽입하는 개구부(33)가 형성되어 있는 받침대부(251)(배기관(3)의 상면측과 일체로 되어 있음)에는, 수풍판(21)에서 봤을 때 하류측의 하면에, 지축(22) 둘레로 회전하는 수풍판(21)과의 간섭을 피하기 위한 경사면 형상의 노치부(331)가 형성되어 있다.The pedestal portion 251 (integrated with the upper surface side of the exhaust pipe 3) where the opening portion 33 for inserting the water filter plate 21 is formed is provided with a guide portion 251 A notched portion 331 having an inclined surface shape for avoiding interference with the water retaining plate 21 which rotates around the support shaft 22 is formed on the lower surface.

상기 수풍판(21)에는, 배기관(3)의 상면측으로 돌출된 영역으로서, 지축(22)의 장착 위치보다 상방측에 경사 센서(24)가 장착되어 있다. 경사 센서(24)는 지축(22) 둘레의 수풍판(21)의 회전각을 검출하는 센서부이다. 도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 경사 센서(24)는 기판(242)에 센서 본체(241)를 배치한 구성으로 되어 있고, 이 기판(242)이 수풍판(21)의 일방측의 판면(본 예에서는, 수풍면(210)의 반대측의 면)에 장착되어 있다.The inclined sensor 24 is mounted on the water intake plate 21 above the mounting position of the support shaft 22 as an area protruded toward the upper surface side of the exhaust pipe 3. The inclination sensor 24 is a sensor portion that detects the rotation angle of the water level plate 21 around the support shaft 22. 3 and 4, the inclination sensor 24 has a structure in which a sensor body 241 is disposed on a substrate 242, and the substrate 242 is disposed on one side of the water surface plate 21 (In this example, the surface opposite to the water-drawing surface 210).

센서 본체(241)는 지축(22) 둘레의 수풍판(21)의 회전각을 검출할 수 있으면, 정전 용량식 또는 피에조 저항식 등, 어떠한 검출 원리를 이용한 것이어도 된다. 본 예에서는 수풍판(21)에 가해지는 힘이 균형을 이루어 정지 상태가 되어 있는 기간 중에서도 수풍판(21)의 기울기를 검출하는 것이 가능한 정전 용량식을 채용한 경우에 대하여 설명한다.The sensor body 241 may use any detection principle such as a capacitance type or piezo resistance type as long as it can detect the rotation angle of the water level plate 21 around the support shaft 22. In the present embodiment, a case in which a capacitance type which can detect the inclination of the water receiving plate 21 is employed in a period in which the force applied to the water receiving plate 21 is balanced and stopped.

경사 센서(24)는, 도 4의 (b) 중 경사 센서(24)의 근방 위치에 병기한 소문자 xy 축 방향의 기울기를 검출하는 2 축식의 가속도 센서로서 구성되어 있다. 동일 도면에서는, 중력 가속도(g)의 작용 방향과 반대 방향의 방향을 y 방향, y 방향과 직교하고, 경사 센서(24)에서 봤을 때 수풍판(21)을 향하는 방향을 x 방향으로 하고 있다. 경사 센서(24)는, 이들 x-y 축의 각 방향에 대한 경사 센서(24)의 기울기, 즉 경사 센서(24)가 장착되어 있는 수풍판(21)의 기울기(지축(22) 둘레의 수풍판(21)의 회전각)를 검출한다.The inclination sensor 24 is configured as a two-axis acceleration sensor for detecting the inclination in the xy-axis direction in a small letter in the vicinity of the inclination sensor 24 in Fig. 4 (b). In the same figure, the direction opposite to the direction of action of the gravitational acceleration g is orthogonal to the y direction and the y direction, and the direction toward the water guide plate 21 when viewed from the tilt sensor 24 is the x direction. The inclination sensor 24 detects the inclination of the inclination sensor 24 with respect to the angular directions of the x and y axes, that is, inclination of the water level plate 21 on which the inclination sensor 24 is mounted ) Is detected.

도 3에 나타내는 바와 같이, 경사 센서(24)(센서 본체(241))는 x 축 방향, y 축 방향에 대한 기울기의 크기를 전압값으로서 검출하는 전압계(243a, 243b)에 접속되어 있다. 각 전압계(243a, 243b)는 검출한 전압값을 제어부(8)를 향해 출력하고, 제어부(8)는 경사 센서(24)의 기울기와 전압값과의 대응 관계에 기초하여 수풍판(21)의 회전각을 검출한다. 그리고, 이 회전각에 기초하여, 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 유량이 산출되는데, 그 상세한 내용에 대해서는 후단에서 설명한다.3, the inclination sensor 24 (sensor body 241) is connected to voltmeters 243a and 243b which detect the magnitude of the inclination with respect to the x-axis direction and the y-axis direction as a voltage value. Each of the voltmeters 243a and 243b outputs the detected voltage value toward the control unit 8 and the control unit 8 controls the operation of the water level sensor 21 based on the relationship between the inclination of the inclination sensor 24 and the voltage value. The rotation angle is detected. The flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 is calculated on the basis of the rotation angle, and the details will be described later.

여기서, 수풍판(21)의 회전각을 검출하는 방법은, 경사 센서(24)를 이용하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면, 레이저 변위계에 의해, 수풍판(21)의 회전에 수반하는 소정의 위치로부터의 수풍판(21)의 이동 거리를 검출해도 된다. 또한, 축받이부(23)에 로터리 엔코더를 마련하고, 수풍판(21)과 일체가 되어 회전하는 지축(22)의 회전각을 검출해도 된다.Here, the method of detecting the rotation angle of the water-shield plate 21 is not limited to the case of using the inclination sensor 24. For example, the moving distance of the water level plate 21 from a predetermined position due to the rotation of the water leveling plate 21 may be detected by a laser displacement meter. A rotary encoder may be provided in the bearing portion 23 to detect the rotation angle of the support shaft 22 rotating integrally with the water guide plate 21. [

도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이, 배기관(3)의 상면측으로 돌출된 수풍판(21)의 상부측 부분, 수풍판(21)을 지지하는 지축(22) 및 축받이부(23)는, 커버(25)에 의해 덮여 있다. 이 커버(25) 내에는 청정 공기 또는 질소 가스 등을 공급하여 배기관(3) 내의 압력보다 높은 압력 분위기로 유지하고, 배기로(30) 내를 흐르는 기체에 포함되는 미스트 또는 부착물이 되는 성분 등의 진입을 억제하는 구성으로 해도 된다.1 to 3, the upper side portion of the water guide plate 21 protruding toward the upper face side of the exhaust pipe 3, the support shaft 22 supporting the water guide plate 21, (Not shown). Clean air or nitrogen gas or the like is supplied into the cover 25 to maintain it in a pressure atmosphere higher than the pressure in the exhaust pipe 3 so that the mist or the components included in the gas flowing in the exhaust passage 30 It may be configured to suppress entry.

이어서, 도 4의 (a), (b)를 참조하여 수풍판(21)의 상세한 구성에 대하여 설명한다. 수풍판(21)은 내열성, 내약품성이 높은 수지, 예를 들면 PPS(Polyphenylene sulfide) 수지에 의해 구성되어 있다. 수풍판(21)은 배기관(3) 내를 기체가 흐르지 않을 때에, 지축(22)에 유지된 상태에서 중력 방향에 대한 회전각(θ)이 제로가 되도록 중심의 위치가 조정되어 있다. 본 예에서는, 경사 센서(24)를 장착한 중량과 밸런스를 이루는 양만큼 당해 경사 센서(24)가 장착된 면(수풍면(210)의 반대측의 면)이 가벼워지도록, 당해 면에 오목부(214)를 형성함으로써 중심 위치의 조정이 행해지고 있다.Next, with reference to Figs. 4 (a) and 4 (b), the detailed configuration of the water receiving plate 21 will be described. The water receiving plate 21 is made of a resin having high heat resistance and high chemical resistance, for example, PPS (polyphenylene sulfide) resin. When the gas does not flow through the exhaust pipe 3, the water level plate 21 is adjusted in its center position so that the rotational angle [theta] with respect to the gravity direction is zero in a state where the water level plate 21 is held by the shaft 22. In this example, in order to lighten the surface on which the inclination sensor 24 is mounted (the surface opposite to the water supply surface 210) by an amount that makes the weight equal to the weight on which the inclination sensor 24 is mounted, 214 are formed so that the center position is adjusted.

또한, 배기관(3) 내에 삽입되어 있는 영역의 수풍판(21)의 표면은, 시트 형상의 수풍판 히터(211)에 의해 덮여 있다. 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이 수풍판 히터(211)는 급전부(213)에 접속되고, 급전부(213)로부터 공급되는 전력을 증감함으로써 수풍판(21)의 온도를 조절할 수 있다. 도 4의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 수풍판(21)에는 열전대 등으로 이루어지는 온도 센서(212)가 마련되고, 온도 센서(212)로 검출된 수풍판(21)의 온도에 기초하여, 제어부(8)에 의해 급전부(213)로부터의 공급 전력의 조절이 행해진다. 수풍판 히터(211) 및 급전부(213)는 수풍 부재 가열 기구를 구성하며, 온도 센서(212)는 수풍 부재 온도 계측부에 상당하고 있다.The surface of the water level plate 21 in the region inserted in the exhaust pipe 3 is covered with a sheet-type water level heater 211. As shown in Fig. 4 (a), the windshield heater 211 is connected to the feeder 213, and the temperature of the windshield 21 can be adjusted by increasing or decreasing the power supplied from the feeder 213. [ 4A and 4B, a temperature sensor 212 made of a thermocouple or the like is provided on the water receiving plate 21, and the temperature of the water receiving plate 21 detected by the temperature sensor 212 On the basis of this, the control unit 8 adjusts the supply power from the power feeder 213. [ The windshield heater 211 and the feeder 213 constitute a winder member heating mechanism, and the temperature sensor 212 corresponds to the winder member temperature measuring unit.

수풍판 히터(211)에 의한 수풍판(21)의 가열은, 수풍판(21)의 표면에 대한 부착물의 부착 억제, 수풍판(21)에 부착된 부착물의 제거, 수풍판(21)에 부착물이 부착한 것의 검출의 목적으로 행해지는데, 그 상세는 작용 설명에서 설명한다.The heating of the water receiving plate 21 by the water receiving plate heater 211 can be performed by suppressing adhesion of the adhered material to the surface of the water receiving plate 21 and removing adhering substances adhered to the water receiving plate 21, For the purpose of detecting an attached state, the details of which will be described in the operation description.

수풍판 히터(211)는 수풍판(21)을 덮는 시트 형상으로 구성하는 경우에 한정되지 않고, 니크롬선 등의 선 형상의 저항 발열체를 수풍판(21)의 전면에 감도록 패터닝하는 구성으로 해도 된다.The water intake plate heater 211 is not limited to the case of a sheet shape covering the water intake plate 21, and may be configured to pattern a linear resistance heating body such as a nichrome wire to wind around the water intake plate 21 do.

또한, 수풍판 히터(211)로 덮인 수풍판(21)의 표면은, 미스트 등 수풍판(21)에 대한 부착물이 되는 원인 물질의 부착을 억제하기 위하여, 이물이 부착하기 어려운 특성을 가지는 불소 수지 등에 의해 코팅되어 있다.The surface of the water receiving plate 21 covered with the water receiving plate heater 211 is made of a fluororesin having properties that are difficult to adhere to the foreign substance such as mist, And the like.

또한 도 1 ~ 도 2에 나타내는 바와 같이, 유량 측정부(2)가 마련되어 있는 영역의 배기관(3)에는, 수풍판(21)이 삽입되어 있는 위치에서 봤을 때, 기체의 흐름 방향의 상류측, 및 하류측의 수 cm ~ 수십 cm의 범위에 걸쳐 배기관 히터(31)가 마련되어 있다. 배기관 히터(31)는, 예를 들면 시트 형상 히터를 배기관(3)의 외면에 감고, 또는 니크롬선 등의 선 형상의 저항 발열체를 배기관(3)의 외면에 패터닝한 구성으로 되어 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이 배기관 히터(31)는, 급전부(34)에 접속되고, 급전부(34)로부터 공급되는 전력을 증감함으로써 배기관(3)의 관벽의 온도를 조절할 수 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 배기관 히터(31)가 마련되어 있는 영역의 배기관(3)의 벽면에는, 열전대 등으로 이루어지는 온도 센서(32)가 마련되고, 온도 센서(32)로 검출된 배기관(3)의 관벽의 온도에 기초하여, 제어부(8)에 의해 급전부(34)로부터의 공급 전력의 조절이 행해진다. 배기관 히터(31) 및 급전부(34)는 배관 가열 기구를 구성하고, 온도 센서(32)는 배관 온도 계측부에 상당하고 있다.1 to 2, the exhaust pipe 3 in the region where the flow rate measuring unit 2 is provided is provided with an upstream side in the flow direction of the gas, as viewed from the position where the water level plate 21 is inserted, And an exhaust pipe heater 31 over a range of several centimeters to several tens of centimeters on the downstream side. The exhaust pipe heater 31 has a configuration in which, for example, a sheet-shaped heater is wound on the outer surface of the exhaust pipe 3 or a linear resistance heating body such as a nichrome wire is patterned on the outer surface of the exhaust pipe 3. As shown in Fig. 3, the exhaust pipe heater 31 is connected to the power feeder 34, and the temperature of the pipe wall of the exhaust pipe 3 can be adjusted by increasing or decreasing the power supplied from the power feeder 34. [ 2, a temperature sensor 32 made of a thermocouple or the like is provided on the wall surface of the exhaust pipe 3 in the region where the exhaust pipe heater 31 is provided, and the exhaust pipe 3, which is detected by the temperature sensor 32, The control unit 8 adjusts the supply power from the power feeder 34 based on the temperature of the pipe wall of the heat exchanger. The exhaust pipe heater 31 and the power feeder 34 constitute a piping heating mechanism, and the temperature sensor 32 corresponds to a piping temperature measuring section.

본 예의 배기관 히터(31)에 의한 배기관(3)의 관벽의 가열에 대해서도, 수풍판(21)의 경우와 마찬가지로, 배기관(3)의 내벽면에 대한 부착물의 부착 억제, 배기관(3)의 내벽에 부착된 부착물의 제거, 배기관(3)의 내벽에 대한 부착물의 부착 검출의 목적으로 행해지는데, 그 상세에 대해서는 수풍판(21)측의 가열의 작용 설명과 함께 설명한다.The heating of the pipe wall of the exhaust pipe 3 by the exhaust pipe heater 31 of this embodiment can be suppressed as well as suppressing the adhesion of the attachment to the inner wall surface of the exhaust pipe 3, And the attachment of the attachment to the inner wall of the exhaust pipe 3 will be described in detail with reference to the description of the operation of the heating plate 21 side.

이상에 설명한 구성을 구비한 유량 측정부(2)는, 제어부(8)와 함께 본 예의 유량 측정 장치를 구성하고 있다. 제어부(8)는 컴퓨터로서 구성되고, 미도시의 프로그램 저장부를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 경사 센서(24)로 검출한 수풍판(21)의 회전각에 기초하여, 배기관(3)을 흐르는 기체의 유량을 산출하는 유량 산출부로서의 기능, 또는 당해 유량 측정 장치가 탑재된 처리 장치에서, 상기 기체의 유량의 산출 결과에 기초하여 처리부로부터 배출되는 기체의 유량을 조절하는 기능을 실현하기 위한 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.The flow rate measurement unit 2 having the above-described configuration constitutes the flow rate measurement apparatus of this embodiment together with the control unit 8. [ The control unit 8 is configured as a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage section is provided with a function as a flow rate calculating section for calculating the flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 based on the rotation angle of the water guide plate 21 detected by the inclination sensor 24, For example, software for realizing the function of adjusting the flow rate of the gas discharged from the processing section based on the calculation result of the flow rate of the gas. The program is stored in a program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card.

이어서, 유량 측정부(2)를 이용하여, 배기관(3)을 흐르는 기체의 유량을 산출하는 방법에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. Next, a method of calculating the flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 using the flow rate measuring unit 2 will be described with reference to Fig.

배기관(3)에 삽입된 수풍판(21)이, 풍속(v)[m/s]으로 배기관(3) 내를 흐르는 기체로부터의 힘을 받아, 지축(22) 둘레의 회전각이 θ가 되는 위치까지 이동한 상태일 때, 수풍판(21)에 대하여 작용하는 힘의 밸런스에 대하여 상정한다.The water level plate 21 inserted in the exhaust pipe 3 receives a force from the gas flowing in the exhaust pipe 3 at the wind speed v [m / s] and the rotation angle around the support shaft 22 becomes? It is assumed that the balance of the force acting on the water filter plate 21 is balanced.

수풍판(21)의 수풍면(210)의 면적을 S[m2]라고 했을 때, 수풍판(21)에 작용하는 힘(바람 하중(FW))은, 수풍면(210)에 가해지는 풍압(PW)[N/m2]과, 수풍면(210)의 면적과의 곱으로 나타낼 수 있다. 또한, 기체의 밀도(ρA)[kg/m3], 기체의 풍속(v)[m/s], 수풍판(21)의 단면 형상에 기초하여 결정되는 풍량 계수(Cd)[－]를 이용하여 풍압(PW)을 표현하면, 하기 (1) 식이 얻어진다.Number when said shroud (21) can pungmyeon 210 area to S [m 2] of the power (wind force (F W)) acting on a number of shroud 21, can be applied to the pungmyeon 210 Can be expressed as a product of the wind pressure (P W ) [N / m 2 ] and the area of the water-swept face 210. The air flow rate coefficient C d [-] determined based on the cross-sectional shape of the water plate 21, the density ρ A of the gas [kg / m 3 ], the air velocity v of the gas m / (1) is obtained by expressing the wind pressure (P W ) using the following equation (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

도 5에 나타내는 바와 같이 기체의 흐름 방향으로 바람 하중(FW)이 가해지고 있을 때, 지축(22) 둘레로 수풍판(21)을 회전 시키고자 하는 힘(FWu)은, 상기 바람 하중(FW)의 수풍판(21)의 수풍면(210)과 수직인 방향으로 작용하는 성분이다. 따라서, FWu는 하기 (2) 식으로 나타내진다.The force F Wu to rotate the windshield 21 about the support shaft 22 when the wind load F W is applied in the direction of flow of the gas as shown in Fig. F W of the water-shielding plate 21 in the direction perpendicular to the water-swelling surface 210 of the water-shielding plate 21. Therefore, F Wu is expressed by the following formula (2).

Figure pat00002
Figure pat00002

또한, 수풍판(21)이 지축(22) 둘레의 회전각(θ)의 위치에서 밸런스를 이루고 있을 때, 상기 (2) 식으로 나타내지는 힘(FWu)과, 수풍판(21)에 작용하는 중력에 있어서의 수풍면(210)과 수직인 방향으로 작용하는 성분으로, 하기 (3) 식에서 나타내지는 Fgd가 균형을 이루고 있다. (3) 식에서, m은 수풍판(21)의 질량[kg], g는 중력 가속도[m/s2])이다.When the water flow plate 21 is balanced at the position of the rotation angle? Around the support shaft 22, the force F Wu expressed by the equation (2) and the force F Wu acting on the water flow plate 21 F gd shown in the following formula (3) is balanced with a component acting in a direction perpendicular to the water-swept face 210 in gravity. (3), m is the mass [kg] of the windshield 21 and g is the gravitational acceleration [m / s 2 ].

Figure pat00003
Figure pat00003

따라서, (2), (3) 식으로부터 FWu = Fgd에 있어서, 기체의 풍속(v)에 대하여 풀면, 하기 (4) 식이 얻어진다.Therefore, from the equations (2) and (3), when F Wu = F gd is solved for the gas velocity (v), the following equation (4) is obtained.

Figure pat00004
Figure pat00004

배기로(30)의 단면적(A)[m2]은 이미 알려져 있으므로, 기체의 유량(Q)[m3/s]은 이하의 (5) 식에 의해 산출할 수 있다.Since the cross-sectional area of the exhaust (30) (A) [m 2] is known, the flow rate of gas (Q) [m 3 / s ] can be calculated by (5) the following expression.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 예의 제어부(8)에서는, (4), (5) 식에 기초하여 기체의 유량을 산출하기 위한 각종 정수가 미도시의 메모리 등에 미리 기억되어 있다. 이들 정수와, 경사 센서(24)로부터 취득한 수풍판(21)의 회전각에 기초하여 기체의 유량을 산출할 수 있다.In the control unit 8 of the present embodiment, various constants for calculating the flow rate of the gas based on the equations (4) and (5) are pre-stored in a memory or the like not shown. The flow rate of the gas can be calculated based on these constants and the rotation angle of the water-shield plate 21 acquired from the inclination sensor 24. [

도 6은, 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 풍속과, 기체로부터의 힘을 받아 지축(22) 둘레로 회전하는 수풍판(21)의 회전각과의 관계의 일례를 나타내고 있다. 수풍판(21)의 설계에 있어서는, 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 설계 상의 풍속 범위 등을 고려하여, 예를 들면 회전각에 대한 풍속(유량)의 측정 감도가 높아지는 범위(도 6 중에 파선으로 둘러싸인 영역)에서 유량 측정이 행해지도록 수풍판(21)의 설계 변수(수풍면(210)의 면적(S) 및 풍량 계수(Cd)에 영향을 미치는 수풍판(21)의 단면적 형상)를 결정하면 된다.6 shows an example of the relationship between the air velocity of the gas flowing in the exhaust pipe 3 and the rotation angle of the water guide plate 21 rotating around the support shaft 22 by receiving the force from the gas. In the design of the water intake plate 21, in consideration of, for example, the range of the design wind velocity of the gas flowing in the exhaust pipe 3, for example, a range in which the measurement sensitivity of the wind speed (flow rate) (The cross-sectional shape of the water-shield plate 21 which influences the area S of the water-catching surface 210 and the air-flow coefficient C d ) of the water-sensing plate 21 so that the flow rate measurement is performed in the area surrounded by the water- You can decide.

제어부(8)는 미도시의 메모리 등에 도 6에 나타내는 회전각과 풍속과의 대응 관계, 또는 풍속에 기초하여 산출한 회전각과 기체의 풍량과의 대응 관계를 기억해 두고, 경사 센서(24)로부터 취득한 수풍판(21)의 회전각과, 상기 대응 관계를 이용하여 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 유량을 산출해도 된다.The control unit 8 stores the corresponding relationship between the rotation angle and the air volume of the base calculated on the basis of the corresponding relationship between the rotation angle and the wind speed shown in Fig. 6 or the wind speed, The flow angle of the gas flowing through the exhaust pipe 3 may be calculated using the rotation angle of the windshield 21 and the corresponding relationship.

이어서, 수풍판(21) 및 배기관(3)에 마련된 수풍판 히터(211) 및 배기관 히터(31)의 작용에 대하여 설명한다. 수풍판 히터(211) 및 배기관 히터(31)는, 마련되어 있는 영역이 상이한 점을 제외하고 서로의 기능은 공통되어 있으므로, 도 7 ~ 도 9에서는 수풍판 히터(211)를 예로 들어 작용 설명을 행한다.Next, the actions of the water intake plate heater 211 and the exhaust pipe heater 31 provided in the water intake plate 21 and the exhaust pipe 3 will be described. The functions of the water intake plate heater 211 and the exhaust pipe heater 31 are common to each other except that they are provided in different regions, and therefore, the operation of the water intake plate heater 211 will be described with reference to Figs. 7 to 9 .

도 7은 수풍판 히터(211)를 이용한 부착물의 억제 작용을 모식적으로 나타내고 있다. 예를 들면 액 처리부에서 발생한 미스트 또는 열 처리부, 자외선 처리부에서 도포막으로부터 방출된 성분 등은 기체와 함께 각 처리부로부터 배출된다. 이들 물질이 유량 측정부(2)를 통과할 시 수풍판(21)에 충돌하면, 수풍판(21)의 표면에 부착하여, 부착물이 될 우려가 있다. 수풍판(21)에 부착물이 부착된 상태를 방치하면, 기술한 (4) 식에서의 수풍판(21)의 질량(m)의 값이 변화하여, 기체의 유량을 바르게 측정할 수 없게 되어 버린다. 따라서 도 7에 나타내는 바와 같이, 부착물의 원인 물질(P)이 기체의 흐름을 타고 수풍판(21)을 향해 흘러 올 때, 수풍판 히터(211)에 의해 수풍판(21)을 기체의 온도보다 높은 온도로 가열한다.Fig. 7 schematically shows the suppression effect of the adherend using the water intake plate heater 211. Fig. For example, mist or heat generated in the liquid processing unit, components emitted from the coating film in the ultraviolet processing unit, and the like are discharged from the respective processing units together with the gas. When these materials impinge on the water-shielding plate 21 when passing through the flow-measuring unit 2, they may adhere to the surface of the water-shielding plate 21, which may result in adherence. The value of the mass m of the water intake plate 21 in the above-described equation (4) changes and the flow rate of the gas can not be measured correctly if the state in which the adherend is attached to the water intake plate 21 is left. Therefore, as shown in Fig. 7, when the causative substance P of the adhering substance flows in the flow of gas toward the water-shielding plate 21, the water-shielding plate heater 211 adjusts the water- Heat to high temperature.

그 결과, 수풍판(21)의 표면의 근방에는, 수풍판(21)의 표면으로부터 멀어짐에 따라 점차 온도가 낮아지는 온도 구배가 형성된다. 이러한 온도 구배를 형성함으로써, 도 7 중에 파선으로 나타내는 바와 같이, 당해 온도 구배를 따라 수풍판(21)의 표면측으로부터, 당해 표면으로부터 멀어지는 방향을 향해 흐르는 대류를 형성할 수 있다. 그리고, 기체의 흐름을 타고 원인 물질(P)이 수풍판(21)의 표면 근방으로 반송되어 온 경우에도, 상기 대류의 흐름에 의해 원인 물질(P)을 되밀어내, 수풍판(21)의 표면에 부착하는 것을 억제할 수 있다.As a result, a temperature gradient is formed in the vicinity of the surface of the water-shielding plate 21 so that the temperature gradually decreases with distance from the surface of the water-shielding plate 21. By forming such a temperature gradient, as shown by the broken line in FIG. 7, it is possible to form convection flowing from the surface side of the water guide plate 21 toward the direction away from the surface along the temperature gradient. Even if the causative substance P is transported to the vicinity of the surface of the water-shielding plate 21 by the flow of the gas, the substance P is returned by the flow of the convection, It is possible to suppress adhesion to the surface.

수풍판 히터(211)에 의해, 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 온도보다 높은 온도로 수풍판(21)을 가열하면, 상술한 작용을 얻을 수는 있다. 예를 들면, 액 처리부로부터 20 ~ 30 ℃의 범위 내의 온도의 기체가 배출될 때, 기체 중에 포함되는 미스트가 반응성인 것이 아닌 경우 수풍판(21)의 가열 온도는 50 ~ 60 ℃, 미스트가 반응성인 것일 경우에는 상기 가열 온도는 30 ~ 35 ℃의 범위 내의 온도로 설정된다. 또한, 열 처리부, 자외선 처리부로부터 80 ~ 150 ℃의 범위 내의 온도의 기체가 배출될 때, 수풍판(21)의 가열 온도는 100 ~ 180 ℃의 범위 내의 온도로 설정된다.When the water intake plate 21 is heated to a temperature higher than the temperature of the gas flowing in the exhaust pipe 3 by the water intake plate heater 211, the above-described action can be obtained. For example, when gas at a temperature within a range of 20 to 30 占 폚 is discharged from the liquid processing section, if the mist contained in the gas is not reactive, the heating temperature of the water receiving plate 21 is 50 to 60 占 폚, The heating temperature is set to a temperature within a range of 30 to 35 占 폚. When the gas at a temperature within the range of 80 to 150 占 폚 is discharged from the heat treatment section and the ultraviolet ray treatment section, the heating temperature of the water receiving plate 21 is set to a temperature within a range of 100 to 180 占 폚.

도 8은 수풍판(21)에 부착된 부착물을 제거하는 작용을 모식적으로 나타내고 있다. 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이 수풍판(21)에 기술한 원인 물질(P)이 부착하여 부착물(P')이 되었다고 한다. 이 때, 당해 부착물(P’)이 기화(고체로부터 직접, 기체가 되는 물질에서는 승화)하고, 또는 부착물(P’)이 분해되는 온도까지 수풍판(21)을 가열함으로써, 수풍판(21)의 표면에 부착된 부착물(P')을 제거하여, 청정한 상태로 복귀시킬 수 있다(도 8의 (b)).Fig. 8 schematically shows the action of removing the attachment adhered to the water-shielding plate 21. Fig. It is assumed that the causative substance P described in the water receiving plate 21 adheres to the adherend P 'as shown in Fig. 8 (a). At this time, by heating the water retaining plate 21 to a temperature at which the water retaining material P 'is vaporized (sublimed directly from the solid material, or in the case of a gas), or the attachment P' It is possible to remove the adhering substance P 'adhered to the surface of the substrate W and return to a clean state (Fig. 8 (b)).

부착물(P')의 제거를 행할 시의 수풍판(21)의 가열 온도는, 부착물(P')을 구성하는 물질의 기화 온도 또는 승화 온도에도 따르는데, 예를 들면 60 ~ 80 ℃의 범위 내의 온도로 설정된다.The heating temperature of the water retaining plate 21 at the time of removing the deposit P 'depends on the vaporization temperature or the sublimation temperature of the substance constituting the deposit P', for example, within a range of 60 to 80 ° C Temperature.

도 7, 도 8을 이용하여 설명한 복수의 목적으로, 수풍판 히터(211)를 구분 사용하는 방법으로서, 통상 시에서는 원인 물질(P)의 부착을 억제하는 온도까지 수풍판(21)을 가열한 상태로 해 두고(도 7), 부착물(P')의 부착량이 미리 설정한 양을 초과했을 때, 가열 온도를 제거 온도까지 상승시키는(도 8) 경우가 상정된다.7 and 8, the water-intake plate heater 21 is heated up to a temperature at which adhesion of the substance P is suppressed in normal operation (Fig. 7), and when the deposition amount of the deposit P 'exceeds the predetermined amount, it is assumed that the heating temperature is raised to the removal temperature (Fig. 8).

도 9, 도 10은 수풍판(21)에 대한 부착물(P')의 부착을 검출하는 2 종류의 방법을 나타내고 있다.Figs. 9 and 10 show two kinds of methods for detecting attachment of an adherend P 'to the water receiving plate 21. Fig.

도 9는 수풍판 히터(211)에 의한 가열 온도를 단계적으로 변화시켰을 때 온도 센서(212)로 검출되는 수풍판(21)의 온도의 경시 변화 프로파일을 이용하는 방법을 나타내고 있다.9 shows a method of using a profile of change over time of the temperature of the water sensing plate 21 detected by the temperature sensor 212 when the heating temperature by the water intake plate heater 211 is changed step by step.

도 9의 예에서 부착물(P')의 부착량의 검출 동작은, 미리 설정된 시간 간격, 또는 처리부측에서 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리가 실행된 타이밍, 처리부로부터의 배기를 정지하고 있는 타이밍 등에 의해 행해진다. 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 시각(t1)에서, 수풍판 히터(211)의 설정 온도를 Ta(예를 들면 도 7에 나타낸 원인 물질(P)의 부착을 억제하는 온도여도 되고, 상온이어도 됨)에서, 부착물의 확인을 행할 시의 온도(Tb)(부착물 확인 온도)까지 단계적으로 변화시킨다. 그리고, 시각(t1)으로부터 소정 시간 경과한 후인 시각(t2)에서, 수풍판 히터(211)의 설정 온도를 Tb에서 Ta로 단계적으로 되돌린다. 부착물 확인 온도(Tb)는 수풍판(21)에 부착된 부착물(P')을 제거할 시의 온도보다 낮은 온도여도 된다.In the example of FIG. 9, the detection of the deposition amount of the deposit P 'is performed at a predetermined time interval or at a timing at which a predetermined number of wafers W are processed at the processing unit side, Lt; / RTI > As shown in Fig. 9A, at the time t1, the set temperature of the water intake plate heater 211 is Ta (for example, the temperature for suppressing the adhesion of the causative substance P shown in Fig. 7) The temperature Tb at the time of confirming the deposit (the deposit confirmation temperature) is changed stepwise. Then, at the time t2 after the lapse of a predetermined time from the time t1, the set temperature of the intake plate heater 211 is stepped back from Tb to Ta. The adherend confirmation temperature Tb may be lower than the temperature at the time of removing the adherend P 'attached to the water-shielding plate 21. [

이 때, 수풍판(21)의 열용량이 작고, 또한, 수풍판(21)에 부착물(P')이 거의 부착되어 있지 않은 청정한 상태가 유지되고 있는 경우에는, 온도 센서(212)로 검출되는 수풍판(21)의 온도는, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 수풍판 히터(211)에서의 설정 온도의 변경에 신속하게 추종한다. 그 결과, 시각(t2)에서의 수풍판(21)의 도달 온도(Tb')는 부착물 확인 온도(Tb)에 가까운 온도가 된다.At this time, when the heat capacity of the water receiving plate 21 is small and a clean state in which the water P is hardly attached to the water receiving plate 21 is maintained, The temperature of the windshield 21 quickly follows the change in the set temperature of the windshield heater 211, as shown in Fig. 9 (b). As a result, the arrival temperature Tb 'of the water level plate 21 at time t2 becomes a temperature close to the deposit confirmation temperature Tb.

한편, 수풍판(21)에 많은 부착물(P’)이 부착되어 있는 경우에는, 당해 부착물(P')을 포함하는 수풍판(21)의 열용량이 증대하여, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 온도 센서(212)로 검출되는 수풍판(21)의 온도 상승이 늦어진다. 이 때문에, 시각(t2)에서의 수풍판(21)의 도달 온도(Tb’')가, 청정 시의 도달 온도(Tb')보다 낮아지는 경우가 있다. 따라서, 도 9의 (a)에 나타내는 설정 온도의 변경을 행한 결과, 시각(t2)에서의 온도 센서(212)의 검출 온도가 도달 온도(Tb’')까지 저하되면, 수풍판(21)에 대하여 부착물(P’)이 부착되어 있다고 판단한다. 그리고, 수풍판 히터(211)에 의해, 수풍판(21)의 승온을 행하여, 상기 부착물(P')의 제거를 실행한다.On the other hand, when many attachments P 'are attached to the water pres- sure plate 21, the heat capacity of the water pres- sure plate 21 including the attachments P' increases, and as shown in Fig. 9C Similarly, the temperature rise of the water sensing plate 21 detected by the temperature sensor 212 is delayed. Therefore, the arrival temperature Tb '' of the water intake plate 21 at time t2 may be lower than the arrival temperature Tb 'at the time of cleaning. 9 (a), when the detected temperature of the temperature sensor 212 at time t2 drops to the reaching temperature Tb " ', It is judged that the adherend P 'is attached. Then, the temperature of the water level plate 21 is raised by the water level heater 211 to remove the adherend P '.

부착물(P')의 부착 판단에 있어서는, 미리 설정한 시각(t2)에서의 수풍판(21)의 도달 온도(온도 센서(212)의 검출 온도) 대신에, 수풍판(21)의 온도가 미리 설정한 도달 온도(Tb')에 도달할 때까지의 도달 시간에 임계치를 정해 두고, 당해 도달 시간이 임계치를 초과한 경우에 부착물(P')의 제거를 실행해도 된다.It is preferable that the temperature of the water guide plate 21 is set in advance in place of the arrival temperature of the water guide plate 21 (temperature detected by the temperature sensor 212) at the preset time t2 A threshold value may be set at the arrival time until reaching the set arrival temperature Tb 'and removal of the deposit P' may be performed when the arrival time exceeds the threshold value.

수풍판(21)을 가열했을 때의 온도의 경시 변화 프로파일에 기초하여 부착물(P')의 부착을 검출하고, 부착물(P')의 제거 조작의 필요 여부를 판단하는 동작은, 제어부(8)에 의해 행해진다. 이 관점에서 제어부(8)는, 부착물(P')의 제거의 필요 여부 판단을 행하는 판단부에 상당하고 있다.The operation of detecting the adhesion of the deposit P 'based on the profile of the change in the temperature over time when the water reflecting plate 21 is heated and determining whether or not the removal operation of the deposit P' Lt; / RTI > From this point of view, the control unit 8 corresponds to a judging unit for judging whether or not the removal of the deposit P 'is necessary.

이어서 도 10은, 수풍판(21)의 회전각을 이용하여 수풍판(21)에 대한 부착물(P')의 부착을 검출하는 방법을 나타내고 있다. 배기관(3) 내를 흐르는 기체는, 수풍면(210)측으로부터 수풍판(21)을 밀어 올려, 지축(22) 둘레로 수풍판(21)을 회전시킨다. 따라서, 당해 기체 중에 포함되는 원인 물질(P)은, 주로 수풍면(210)에 충돌하여 당해 수풍면(210)에 부착물(P’)을 형성한다.Next, Fig. 10 shows a method of detecting the attachment of the attachment P 'to the water-shield plate 21 by using the rotation angle of the water-shield plate 21. As shown in Fig. The gas flowing in the exhaust pipe 3 pushes the water intake plate 21 from the water intake surface 210 side and rotates the water intake plate 21 around the support shaft 22. Therefore, the causative substance P contained in the gas collides with the water-receiving surface 210 mainly to form an adherend P 'on the water-flowing surface 210.

이와 같이, 수풍면(210)측에 부착된 부착물(P')의 양이 증가하면, 부착물(P')에 작용하는 중력의 영향을 받아, 수풍판(21)의 중심 위치가 이동한다. 그 결과, 도 10에 나타내는 바와 같이, 배기관(3) 내의 흐름을 정지한 상태에서도, 부착물(P’)이 거의 부착되어 있지 않은 면측, 즉 수풍면(210)의 반대의 면측을 향해 회전각(θo)만큼 수풍판(21)이 회전한다.As the amount of the adherend P 'attached to the water surface 210 increases, the center position of the water surface plate 21 is affected by the gravity acting on the adherend P'. As a result, as shown in Fig. 10, even when the flow in the exhaust pipe 3 is stopped, the rotation angle (the direction of rotation) toward the surface side on which the adhered material P ' amp; thetas; o).

따라서, 예를 들면 처리부로부터 기체의 배출이 행해지고 있지 않는 타이밍에서, 경사 센서(24)를 이용하여 수풍판(21)의 회전각(θo)을 검출하고, 제어부(8)는, 이 회전각(θo)이 미리 정한 임계치를 초과한 경우에 부착물(P')의 제거를 실행해도 된다. 당해 회전각(θo)에 기초하여 부착물(P')의 부착을 판단(검출)하는 제어부(8)는 본 예의 부착물 검출부로서 기능하고 있다.Therefore, the control unit 8 detects the rotation angle [theta] o of the water level plate 21 by using the tilt sensor 24 at a timing at which the gas is not discharged from the processing unit, the removal of the deposit P 'may be carried out in the case where the angle? o exceeds a predetermined threshold value. The control unit 8 for judging (detecting) the attachment of the deposit P 'based on the rotation angle? O functions as an attachment detection unit of this embodiment.

이상, 수풍판 히터(211)를 이용하여, 부착물(P’)이 되는 원인 물질(P)의 수풍판(21)에 대한 부착을 억제하는 방법, 수풍판(21)에 부착된 부착물(P’)을 제거하는 방법, 수풍판(21)에 대한 부착물(P')의 부착을 검출하는 방법에 대하여 설명했다. 단, 수풍판 히터(211)는, 이들 모든 기능을 실시 가능하게 구성하는 것은 필수가 아니며, 일부의 기능을 선택하여 실시하는 것이 가능해도 된다.A method of suppressing the adhesion of the causative substance P that becomes the attachment P 'to the water-shielding plate 21 by using the water-shielding plate heater 211, And a method of detecting the attachment of the adherend P 'to the water receiving plate 21 have been described. However, it is not essential that the water intake plate heater 211 is capable of performing all of these functions, and it may be possible to select some of the functions.

예를 들면, 수풍판 히터(211)에 의해, 수풍판(21)을 원인 물질(P)의 부착을 억제하는 온도까지 가열해 두고, 도 9 및 도 10을 이용하여 설명한 방법에서 부착물(P')의 부착을 검출하면, 유량 측정부(2)를 분해하여 수풍판(21)의 청소를 행해도 된다.For example, the water shield plate 21 is heated to a temperature at which adhesion of the causative substance P is suppressed by the water shield plate heater 211, and in the method described with reference to Figs. 9 and 10, the adherend P ' The flow rate measuring unit 2 may be disassembled to clean the water level plate 21. In this case,

또한, 배기관(3)에 마련된 배기관 히터(31)에 대해서도, 부착물(P’)이 되는 원인 물질(P)의 배기관(3)의 내벽면에 대한 부착을 억제하는 기능, 배기관(3)의 내벽면에 부착된 부착물(P’)을 제거하는 기능, 배기관(3)의 내벽면에 대한 부착물(P')의 부착을 검출하는 기능을 구비하고 있다. 단, 그 작용에 대해서는, 도 7 ~ 도 9를 이용하여 설명한 수풍판(21)측의 예와 동일하므로, 재차 설명을 생략한다.The exhaust pipe heater 31 provided in the exhaust pipe 3 also has a function of suppressing the adhesion of the causative substance P serving as the adherend P 'to the inner wall surface of the exhaust pipe 3, A function of removing the adherend P 'adhered to the wall surface, and a function of detecting adherence of the adherend P' to the inner wall surface of the exhaust pipe 3. However, the operation is the same as that in the example of the windshield 21 described with reference to Figs. 7 to 9, and a description thereof will be omitted again.

또한, 도 10에 나타낸 방법으로 수풍판(21)에 대한 부착물(P')의 부착이 검출된 경우에는, 아울러 배기관(3)측의 부착물(P')의 제거 조작을 행하면 좋다.10, the attachment P 'on the side of the exhaust pipe 3 may be removed. In this case, as shown in FIG.

배기관(3)의 내벽면에 부착물(P’)이 부착되어 있지 않은 상태를 유지함으로써, 배기로(30)의 단면적(A)을 일정하게 유지하고, (5) 식에 기초하는 기체의 유량(Q)의 산출을 정확하게 행할 수 있다.The cross sectional area A of the exhaust passage 30 is kept constant and the flow rate of the gas based on the expression (5) is maintained by maintaining the state that the attachment P 'is not attached to the inner wall surface of the exhaust pipe 3, Q) can be accurately calculated.

이상에 설명한 본 실시의 형태에 따른 유량 측정 장치에 의하면 이하의 효과가 있다. 기체로부터 받는 힘을 받아 지축(22) 둘레로 회전하는 수풍판(21)의 회전량에 기초하여 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 유량을 산출함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 처리가 행해지는 처리부로부터 배출되는 기체의 유량을 폭넓은 범위에서 정확하게 측정할 수 있다.The flow measuring apparatus according to the present embodiment described above has the following effects. A processing section for processing the wafer W by calculating the flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 based on the rotation amount of the water flow plate 21 rotating around the support shaft 22 by receiving the force received from the gas, It is possible to accurately measure the flow rate of the gas exhausted from the gas supply source in a wide range.

여기서 수풍판(21)의 회전각에 기초하여 배기관(3)을 흐르는 기체의 유량을 구하는 방법은, 도 1 ~ 도 3 등에 나타낸 예와 같이, 수평 방향을 향해 배치된 배기관(3)에 적용하는 경우에 한정되지 않는다. 배기관(3)이 연장되는 방향은 수직 방향이어도 되고, 기울기 상 또는 기울기 하방향이어도 된다.Here, the method of obtaining the flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 based on the rotation angle of the water filter plate 21 is applied to the exhaust pipe 3 arranged in the horizontal direction as in the example shown in Figs. 1 to 3 But is not limited to the case. The direction in which the exhaust pipe (3) extends may be a vertical direction or a slope or a downward direction.

예를 들면 도 11에 나타내는 유량 측정부(2a)는, 수직 방향 하방측으로부터 상방측을 향해 기체가 흐르도록 배치된 배기관(3)에 마련되어 있다. 당해 배기관(3)을 흐르는 기체의 유량에 대해서도, 기체로부터 수풍판(21)이 받는 힘과, 수풍판(21)에 작용하는 중력과의 균형에 따라 결정되는 수풍판(21)의 회전각(θ)에 기초하여 산출할 수 있다. 따라서, 경사 센서(24)를 이용하여 당해 회전각을 검출함으로써, 배기관(3) 내를 상승하는 기체의 유량을 측정할 수 있다. 또한 도 11 중에 나타내는 스토퍼(26)는, 배기관(3) 내를 기체가 흐르고 있지 않은 상태에서, 수풍판(21)이 홈 포지션(동일 도면 중 실선으로 나타내고 있음)에 위치하도록 수풍판(21)을 지지하는 부재이다.For example, the flow rate measuring unit 2a shown in Fig. 11 is provided in an exhaust pipe 3 arranged so that gas flows from the lower side to the upper side in the vertical direction. The flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 is also determined by the rotation angle of the water sensing plate 21 determined by the balance between the force received by the water sensing plate 21 from the gas and the gravity acting on the water sensing plate 21 &thetas;). Therefore, the flow rate of the gas rising in the exhaust pipe 3 can be measured by detecting the rotation angle by using the inclination sensor 24. The stopper 26 shown in Fig. 11 is arranged so that the water intake plate 21 is positioned so that the water intake plate 21 is positioned at the home position (indicated by a solid line in the figure) in a state in which no gas flows in the exhaust pipe 3. [ .

또한, 이하의 설명에 이용하는 각 도면에 있어서, 기술한 도 1 ~ 도 10에 나타낸 것과 공통의 구성 요소에는, 이들 도면에 이용한 것과 공통의 부호가 부여되어 있다.In the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used in these drawings are given to the components common to those shown in Figs. 1 to 10 described above.

또한, 수풍판(21)의 형상 및 배기관(3) 내의 배치 위치, 지축(22)을 지지하는 위치 등에 대해서도 도 1 ~ 4에 나타낸 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 12에 나타내는 유량 측정부(2b)는, 배기관(3) 내를 횡단하도록 배치된 지축(22)으로부터, 횡방향으로 폭이 넓은 수풍면(210)을 가지는 수풍판(21a)을 걸쳐놓은 예를 나타내고 있다. 본 예에서는, 지축(22)은 수풍판(21a)과 일체가 되어 회전하고, 배기관(3)의 좌우의 측벽면에 마련한 축받이부(23)로부터 돌출된 지축(22) 상에 경사 센서(24)가 고정 배치되어 있다. 수풍판(21a)의 회전각은, 당해 수풍판(21a)과 함께 회전하는 지축(22)의 회전각에 기초하여 검출된다. The shape of the water filter plate 21, the position in the exhaust pipe 3, the position for supporting the support shaft 22, and the like are not limited to the examples shown in Figs. For example, the flow rate measuring unit 2b shown in Fig. 12 includes a water level sensor 21a having a water level surface 210 having a width in the transverse direction from a support shaft 22 disposed so as to traverse the inside of the exhaust pipe 3 As shown in Fig. In this example, the support shaft 22 rotates integrally with the water guide plate 21a, and the inclination sensor 24 (see Fig. 2) is provided on the support shaft 22 projected from the bearing portion 23 provided on the left and right side wall surfaces of the exhaust pipe 3 Are fixedly arranged. The rotation angle of the water reflection plate 21a is detected based on the rotation angle of the support shaft 22 rotating together with the water reflection plate 21a.

이어서 도 13에 나타내는 제 2 실시의 형태에 따른 유량 측정부(2c)에서는, 수풍판(21)의 회전각 대신에, 기체의 힘을 받아 탄성 변형하는 수풍판(21a)의 변형량이 당해 수풍판(21a)의 상태의 변화량으로서 검출된다.Next, in the flow rate measuring section 2c according to the second embodiment shown in Fig. 13, the deformation amount of the water leveling plate 21a, which receives the force of the gas and is elastically deformed by the force of the gas, Is detected as a change amount of the state of the first switch 21a.

도 13에 나타내는 수풍판(21a)의 일면측, 본 예에서는 수풍면(210)의 반대측의 면에는, 수풍판(21a)의 변형량을 검출하는 센서부로서, 공지의 변형 게이지 및 압전 소자로 이루어지며, 수풍판(21a)과 일체가 되어 변형하는 변형 센서(27)가 마련되어 있다.On the surface of the water surface plate 21a shown in FIG. 13, which is opposite to the water surface 210 in this example, a sensor unit for detecting the deformation amount of the water surface plate 21a is formed of a known strain gauge and a piezoelectric element And is provided with a deformation sensor 27 that deforms integrally with the water receiving plate 21a.

도 13에 나타내는 바와 같이, 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 힘을 받아 수풍판(21a)이 만곡하면, 당해 변형 센서(27)는 그 변형량에 따른 신호를 출력한다. 예를 들면 변형 게이지에서는 저항의 변화가 발생하고, 또한 압전 소자에서는 기전력이 발생하고, 이들 변화가 전압계(243)에서 전압의 변화로서 검출된다. 또한 도 13의 전압계(243)에는, 변형 게이지로 이루어지는 변형 센서(27)에 전력을 공급하는 급전부, 및 압전 소자로 이루어지는 변형 센서(27)에서 발생한 기전력을 증폭하는 증폭 회로 등이 포함되어 있다. 또한, 형상의 변화가 시간 순서에 따라 발생하고 있는 기간 중에만 기전력이 발생하는 압전 소자를 변형 센서(27)로서 이용하는 경우에는, 전압계(243)로 검출된 전압의 경시 변화를 적분하여, 수풍판(21a)의 변형량을 특정하면 된다.As shown in Fig. 13, when the water receiving plate 21a is bent by receiving the force of the gas flowing in the exhaust pipe 3, the strain sensor 27 outputs a signal corresponding to the deformation amount. For example, a change in resistance occurs in the strain gauge, and an electromotive force is generated in the piezoelectric element, and these changes are detected as a change in voltage in the voltmeter 243. The voltmeter 243 in Fig. 13 also includes a feeding part for supplying electric power to the strain sensor 27 made of strain gages and an amplifying circuit for amplifying an electromotive force generated in the strain sensor 27 made of a piezoelectric element . When a piezoelectric element in which an electromotive force is generated only during a period in which a shape change occurs in time order is used as the strain sensor 27, the change with time of the voltage detected by the voltmeter 243 is integrated, It is only necessary to specify the amount of deformation of the flat portion 21a.

여기서, 도 6에 나타낸 배기관(3) 내의 기체의 풍속과 수풍판(21)의 회전각과의 관계와 마찬가지로, 본 예에서도 기체의 풍속과, 변형 센서(27)를 이용하여 검출한 수풍판(21a)의 변형량과의 관계를 미리 취득해 둔다. 그리고, 변형 센서(27)로부터 취득한 수풍판(21a)의 변형량에 기초하여, 기체의 풍속을 특정하고, (5) 식으로부터 기체의 유량을 구한다. 또한, 변형 센서(27)의 변형량과 기체의 유량과의 관계를 미리 취득해 두고, 수풍판(21a)의 변형량에 기초하여 기체의 유량을 직접 산출해도 된다.In this example as well, the relationship between the air velocity of the airframe and the wind direction of the windshield 21a (21a) detected by using the strain sensor 27, as well as the relationship between the wind velocity of the gas in the exhaust pipe 3 shown in Fig. 6 and the rotation angle of the windshield 21 ) Is obtained in advance. Then, the air velocity of the gas is specified on the basis of the deformation amount of the water level plate 21a obtained from the deformation sensor 27, and the flow rate of the gas is obtained from the equation (5). The relationship between the amount of deformation of the deformation sensor 27 and the flow rate of the gas may be acquired in advance and the flow rate of the gas may be directly calculated based on the deformation amount of the water receiving plate 21a.

(도포, 현상 장치) (Coating, developing apparatus)

이상, 도 1 ~ 도 13을 참조하여 본 실시의 형태의 유량 측정 장치의 구성예 및 수풍판(21, 21a)의 상태의 변화량에 기초하는 기체의 유량의 산출법에 대하여 설명했다. 이어서, 웨이퍼(W)의 처리부를 구비하는 처리 장치에 당해 유량 측정 장치를 적용한 예에 대하여 설명한다.The method of calculating the flow rate of the gas based on the structural example of the flow rate measuring apparatus of the present embodiment and the change amount of the state of the waterproof plates 21 and 21a has been described above with reference to Figs. Next, an example in which the flow rate measuring apparatus is applied to the processing apparatus having the processing section of the wafer W will be described.

이하, 도 14 ~ 도 20을 이용하여 설명하는 예는, 처리부로서, 웨이퍼(W)에 대하여 도포막의 원료가 되는 도포액 등의 공급을 행하는 액 처리부(4a ~ 4d)와, 도포막 등이 형성된 웨이퍼(W)의 열 처리를 행하는 열 처리부(5a ~ 5c)를 구비하는 도포, 현상 장치(1)에 대하여, 본 발명의 유량 측정 장치를 설치한 경우를 나타내고 있다.Hereinafter, an example described with reference to Figs. 14 to 20 will be described. In Fig. 14 to Fig. 20, a liquid processing section 4a to 4d for supplying a coating liquid or the like to be a raw material of a coating film to a wafer W, There is shown a case where the flow rate measuring apparatus of the present invention is installed in the coating and developing apparatus 1 including the heat processing units 5a to 5c for performing the heat treatment of the wafer W. [

도 14 ~ 도 16은 도포, 현상 장치(1)의 구성의 일례를 나타낸다. 이들 도면은, 도포, 현상 장치(1)의 평면도, 개략 종단 측면도 및 외관 사시도이다. 도포, 현상 장치(1)는 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)과 인터페이스 블록(D3)을 직선 형상으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D3)에는 노광 장치(D4)가 더 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1 ~ D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다.Figs. 14 to 16 show an example of the configuration of the coating and developing apparatus 1. Fig. These drawings are a plan view, a schematic longitudinal side view, and an external perspective view of the coating apparatus, the developing apparatus 1, and the like. The coating and developing apparatus 1 is constituted by connecting the carrier block D1, the processing block D2 and the interface block D3 in a linear shape. An exposure apparatus D4 is further connected to the interface block D3. In the following description, the arrangement direction of the blocks D1 to D3 is the forward and backward directions.

캐리어 블록(D1)은 캐리어(C)를 도포, 현상 장치(1)에 대하여 접속, 분리시키는 배치대(171)와, 캐리어(C)의 덮개의 개폐를 행하는 개폐부(172)와, 개폐부(172)를 개재하여 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하는 이동 배치 기구(173)를 구비하고 있다.The carrier block D1 includes a placement table 171 for applying and separating the carrier C to and from the developing apparatus 1, an opening and closing part 172 for opening and closing the lid of the carrier C, And a transfer mechanism 173 for transferring the wafer W from the carrier C via the transfer mechanism 173.

도 15에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)은 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 제 1 ~ 제 6 단위 블록(E1 ~ E6)이 아래로부터 이 순으로 적층되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 'BCT', 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 'COT', 노광 후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 'DEV'라고 각각 표현하는 경우가 있다. 도 15, 도 16에 나타내는 바와 같이, 본 예에서는 BCT층(E1, E2), COT층(E3, E4), DEV층(E5, E6)이 하방측으로부터 2 층씩 적층되어 있다. 명칭이 동일한 단위 블록에서는 서로 병행하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 공통의 처리가 행해진다.As shown in Fig. 15, in the processing block D2, the first to sixth unit blocks E1 to E6 for performing the liquid processing on the wafer W are stacked in this order from the bottom. A process for forming a resist film on the wafer W is referred to as " COT ", a process for forming a resist pattern on the wafer W after the exposure process, And " DEV ", respectively. As shown in Figs. 15 and 16, the BCT layers E1 and E2, the COT layers E3 and E4, and the DEV layers E5 and E6 are stacked two layers from the lower side in this example. In the unit blocks having the same names, the wafers W are carried in parallel with each other, and a common process is performed.

여기서는 도 14를 참조하여, 단위 블록(E1 ~ E6) 중 대표하여 COT층(E3)의 구성을 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)을 향하는 반송 영역(174)의 좌우의 일방측에는 선반 유닛(U)이 전후 방향으로 복수 배치되고, 타방측에는 레지스트 도포 모듈(12A), 보호막 형성 모듈(ITC)이 전후 방향으로 나란히 마련되어 있다. 레지스트 도포 모듈(12A)은 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성한다. 보호막 형성 모듈(ITC)은 레지스트막 상에 소정의 도포액을 공급하고, 당해 레지스트막을 보호하는 보호막을 형성한다. 선반 유닛(U)은 열 처리 모듈(5)을 구성하고, 후술하는 열 처리부(5a ~ 5c)를 구비한다. 상기 반송 영역(174)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 암(F3)이 마련되어 있다.Here, with reference to Fig. 14, the structure of the COT layer E3 as a representative of the unit blocks E1 to E6 will be described. A plurality of shelf units U are arranged in the longitudinal direction on one side of the transfer area 174 from the carrier block D1 toward the interface block D3 and on the other side a resist coating module 12A and a protective film forming module ITC Are arranged side by side in the front-rear direction. The resist coating module 12A supplies a resist solution to the wafer W to form a resist film. The protective film forming module (ITC) supplies a predetermined coating liquid onto the resist film, and forms a protective film for protecting the resist film. The lathe unit U constitutes a heat treatment module 5 and has heat treatment units 5a to 5c to be described later. A transfer arm F3, which is a transfer mechanism of the wafer W, is provided in the transfer region 174.

COT층(E4)은 COT층(E3)과 마찬가지로 구성되어 있고, 레지스트 도포 모듈로서 12A 대신에 12B가 마련되어 있다. 다른 단위 블록(E1, E2, E5 및 E6)은 웨이퍼(W)에 공급하는 액체가 상이한 것을 제외하고, 단위 블록(E3, E4)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(E1, E2)은 레지스트 도포 모듈(12A, 12B) 대신에, 반사 방지막의 원료가 되는 도포액의 공급을 행하는 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고, 단위 블록(E5, E6)은 레지스트막의 현상을 행하는 현상액의 공급을 행하는 현상 모듈을 구비한다. 도 15에서는 각 단위 블록(E1 ~ E6)의 반송 암은 F1 ~ F6로서 나타내고 있다.The COT layer E4 is configured similarly to the COT layer E3, and 12B is provided instead of 12A as a resist coating module. The other unit blocks E1, E2, E5 and E6 are configured similarly to the unit blocks E3 and E4 except that the liquid supplied to the wafer W is different. The unit blocks E1 and E2 include an antireflection film forming module for supplying a coating liquid serving as a raw material of the antireflection film in place of the resist coating modules 12A and 12B, And a developing module for supplying the developing solution to the developer. In Fig. 15, the transport arms of the unit blocks E1 to E6 are denoted by F1 to F6.

처리 블록(D2)에서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1 ~ E6)에 걸쳐 상하로 연장되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 전달 암(175)이 마련되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 단위 블록(E1 ~ E6)의 각 높이에 마련되는 모듈은, 당해 단위 블록(E1 ~ E6)의 각 반송 암(F1 ~ F6)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 이들 모듈로서는, 각 단위 블록의 높이 위치에 마련된 전달 모듈(TRS), 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온조 모듈, 복수 매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 버퍼 모듈, 및 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 소수화 처리 모듈 등이 포함되어 있다. 설명을 간소화하기 위하여, 상기 소수화 처리 모듈, 온조 모듈, 상기 버퍼 모듈에 대한 도시는 생략하고 있다.On the side of the carrier block D1 in the processing block D2 there are provided a tower T1 extending vertically across each of the unit blocks E1 through E6 and a tower T1 extending vertically from the tower block T1 to the tower T1 And a transfer arm 175 as a transfer mechanism that can be elevated is provided. A module provided at each height of the unit blocks E1 to E6 is constituted by a plurality of modules that are stacked on the transport arms F1 to F6 of the unit blocks E1 to E6, And transfers the wafer W to and from the wafer W. These modules include a transfer module TRS provided at a height position of each unit block, a temperature module for adjusting the temperature of the wafer W, a buffer module for temporarily storing a plurality of wafers W, And a hydrophobic processing module for hydrophobizing the surface of the substrate. In order to simplify the explanation, the hydrophobic processing module, the temperature module, and the buffer module are omitted.

인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1 ~ E6)에 걸쳐 상하로 연장되는 타워(T2, T3, T4)를 구비하고 있고, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 암(176)과, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 암(177)과, 타워(T2)와 노광 장치(D4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 암(178)이 마련되어 있다.The interface block D3 is provided with towers T2, T3 and T4 extending upward and downward from the unit blocks E1 to E6. The interface block D3 transfers the wafers W to the towers T2 and T3 An interface arm 177 serving as a transferable mechanism for transferring the wafer W to the towers T2 and T4, And an interface arm 178 for transferring the wafer W between the exposure apparatus T2 and the exposure apparatus D4.

타워(T2)는 전달 모듈(TRS), 노광 처리 전의 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장하여 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈, 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온조 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있는데, 여기서는 버퍼 모듈 및 온조 모듈의 도시는 생략한다. 또한, 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 마련되어 있는데, 여기서는 설명을 생략한다.The tower T2 includes a transfer module TRS, a buffer module for storing and holding a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, And a temperature module for adjusting the temperature of the buffer module and the temperature module. The buffer module and the temperature module are not shown here. Further, the modules are also provided in the towers T3 and T4, respectively, but the description thereof is omitted here.

이 도포, 현상 장치(1) 및 노광 장치(D4)로 이루어지는 시스템의 통상의 처리 동작이 행해질 시의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 이동 배치 기구(173)에 의해, 처리 블록(D2)에서의 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)로 반송된다. 웨이퍼(W)는 이 전달 모듈(TRS0)로부터 단위 블록(E1, E2)으로 배분되어 반송된다. 예를 들면 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)으로 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)(반송 암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈)에 대하여, 상기 TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)으로 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 전달 모듈(TRS2)에 대하여, 상기 TRS0로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은 전달 암(175)에 의해 행해진다.A description will be given of a conveyance path of the wafer W when a normal processing operation of the system composed of the coating, the developing apparatus 1 and the exposure apparatus D4 is performed. The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer module TRS0 of the tower T1 in the processing block D2 by the transfer arrangement mechanism 173. [ The wafer W is distributed from the transfer module TRS0 to the unit blocks E1 and E2. The transfer module TRS1 (the transfer arm F1) corresponding to the unit block E1 among the transfer modules TRS of the tower T1, for example, when transferring the wafer W to the unit block E1, The wafer W is transferred from the TRS0 to a transfer module capable of transferring the wafer W by means of the transfer mechanism. When the wafer W is transferred to the unit block E2, the transfer module TRS2 corresponding to the unit block E2 among the transfer modules TRS of the tower T1 is transferred from the TRS0 to the wafer W W) is transmitted. The transfer of these wafers W is carried out by the transfer arm 175.

이와 같이 배분된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2) → 반사 방지막 형성 모듈 → 열 처리 모듈(5) → TRS1(TRS2)의 순으로 반송되고, 이어서 전달 암(175)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4)로 배분된다.The thus distributed wafers W are transferred in the order of TRS1 (TRS2) - > antireflection film forming module - > heat treatment module 5 - > TRS1 (TRS2), then transferred to the unit block E3 by the transfer arm 175 And a transfer module TRS4 corresponding to the unit block E4.

TRS3, TRS4로 배분된 웨이퍼(W)는, TRS3(TRS4) → 레지스트 도포 모듈(12A 또는 12B) → 열 처리 모듈(5) → 보호막 형성 모듈(ITC) → 열 처리 모듈(5) → 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)의 순으로 반송된다. 이 후, 이 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(176, 178)에 의해, 타워(T3)를 거쳐 노광 장치(D4)로 반입된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 암(177)에 의해 타워(T2, T4) 사이를 반송되어, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS5, TRS6)로 각각 반송된다. 이 후, 열 처리 모듈(5) → 현상 모듈 → 열 처리 모듈(5) → 전달 모듈(TRS)로 반송된 후, 이동 배치 기구(173)를 거쳐 캐리어(C)로 되돌려진다. The wafer W distributed to the TRS 3 and the TRS 4 is transferred from the TRS 3 (TRS 4) → the resist coating module 12 A or 12 B → the heat treatment module 5 → the protective film forming module (ITC) → the heat treatment module 5 → the tower (TRS) in this order. Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus D4 via the interface arms 176 and 178 via the tower T3. The exposed wafer W is transferred between the towers T2 and T4 by the interface arm 177 and transferred to the transfer modules TRS5 and TRS6 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6 Lt; / RTI > Thereafter, the wafer W is transferred to the thermal processing module 5, the developing module, the heat processing module 5 and the transfer module TRS, and then returned to the carrier C via the moving mechanism 173.

당해 도포, 현상 장치(1)에서의 각 기기의 동작 제어에 대해서도 기술한 제어부(8)에 의해 실행된다.The control of the operation of each device in the coating and developing apparatus 1 is also executed by the control unit 8 described above.

(액 처리 모듈)(Liquid processing module)

이상에 개요를 설명한 도포, 현상 장치(1)에서, BCT층(E1, E2)의 반사 방지막 형성 모듈, COT층(E3, E4)의 레지스트 도포 모듈(12A, 12B) 및 보호막 형성 모듈(ITC), DEV층(E5, E6)의 현상 모듈은, 기술한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 공급하는 액체가 상이한 것을 제외하고 동일한 액 처리 모듈(4)로서 구성되어 있다.The resist coating modules 12A and 12B of the COT layers E3 and E4 and the protection film forming module ITC of the BCT layers E1 and E2 in the coating and developing apparatus 1 outlined above, And DEV layers E5 and E6 are configured as the same liquid processing module 4 except that the liquid to be supplied to the wafers W is different as described above.

이하, 도 17, 도 18을 참조하여 액 처리 모듈(4)에 공통인 구성에 대하여 설명한다. 각 액 처리 모듈(4) 내에는 복수 개, 이 예에서는 4 개의 액 처리부(4a ~ 4d)가 횡 방향(도 14에 나타낸 도포, 현상 장치(1)의 전후 방향)으로 배열되고, 공통의 하우징(40) 내에 수용되어 있다. 이들 액 처리부(4a ~ 4d)는 서로 동일하게 구성되어 있다.Hereinafter, a configuration common to the liquid processing module 4 will be described with reference to Figs. 17 and 18. Fig. A plurality of liquid processing units 4a to 4d are arranged in each liquid processing module 4 in the lateral direction (the coating shown in FIG. 14, the front-back direction of the developing apparatus 1) (Not shown). These liquid processing units 4a to 4d are configured identically to each other.

도 18에 나타내는 바와 같이 액 처리부(4a ~ 4d)는 스핀 척(유지 기구)(42)을 구비하고, 하우징(40)에 형성된 반입반출구(43)를 거쳐 진입한 반송 암(F1 ~ F6)에 의해 스핀 척(42) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 스핀 척(42)은 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 유지한다. 이 스핀 척(42)은, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 구동 기구(421)에 의해 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다. 이 스핀 척(42)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연 외측에는, 이 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상부측이 개구되는 컵체(41)가 마련되어 있다.As shown in Fig. 18, the liquid processing units 4a to 4d are provided with a spin chuck (holding mechanism) 42 and are provided with transfer arms F1 to F6, which are introduced through a transfer entrance port 43 formed in the housing 40, The wafer W is placed on the spin chuck 42. The spin chuck 42 sucks and holds the center portion of the back side of the wafer W horizontally. The spin chuck 42 is configured such that it can be rotated and elevated by the drive mechanism 421 while holding the wafer W. A cup body 41 is provided at the outer side of the periphery of the wafer W held by the spin chuck 42 so as to surround the wafer W and to open the upper side.

회전하는 웨이퍼(W)에 공급된 액체는, 컵체(41)에 받아져, 그 저부측에 마련된 미도시의 배액구로부터 배출된다. 또한, 컵체(41)의 저부에는 배액구에 배출되는 액체가 흘러들지 않도록, 컵체(41)의 저면으로부터 돌출된 위치에 개구되는 배기구(453)를 개재하여 개별 배기로(45)가 접속되어 있다.The liquid supplied to the rotating wafer W is received by the cup body 41 and discharged from a liquid discharge port (not shown) provided on the bottom side thereof. An individual exhaust path 45 is connected to the bottom of the cup body 41 via an exhaust port 453 opened at a position protruding from the bottom surface of the cup body 41 so that the liquid discharged into the liquid discharge port does not flow .

도 17에 나타내는 바와 같이, 4 개의 액 처리부(4a ~ 4d)에 대해서는, 스핀 척(42) 상의 웨이퍼(W)에 액체를 공급하기 위한 공통의 액 노즐(액체 공급 기구)(44)이 마련되어 있다. 액 노즐(44)의 선단측에는, 액체가 토출되는 토출구를 구비한 미도시의 노즐부가 형성되어 있다. 액 노즐(44)은 이동 기구(441)에 의해 상하(Z' 방향)로 승강 가능, 및 액 처리부(4a ~ 4d)의 배열 방향(Y' 방향)을 따라 마련된 가이드 레일(442) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 액체의 공급을 행하고 있지 않을 때, 액 노즐(44)은 액 처리 모듈(4)의 일단측에 마련된 대기 영역(443)에서 대기하고 있다.17, a common liquid nozzle (liquid supply mechanism) 44 for supplying liquid to the wafer W on the spin chuck 42 is provided for the four liquid processing units 4a to 4d . On the tip end side of the liquid nozzle 44, a nozzle portion having a discharge port through which liquid is discharged is formed. The liquid nozzle 44 is movable up and down (Z 'direction) by the moving mechanism 441 and moved on the guide rails 442 provided along the arrangement direction (Y' direction) of the liquid processing units 4a to 4d . When the liquid is not supplied, the liquid nozzle 44 stands by in the waiting area 443 provided at one end side of the liquid processing module 4.

그리고, 웨이퍼(W)에 대하여 액체의 공급을 행할 때는, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 유지한 액 처리부(4a ~ 4d)까지 액 노즐(44)을 이동시키고, 웨이퍼(W)의 회전 중심의 상방측에 노즐부를 위치시켜 액체를 토출한다.When the liquid is supplied to the wafer W, the liquid nozzle 44 is moved to the liquid processing units 4a to 4d holding the wafer W to be processed, And the nozzle portion is positioned on the upper side to discharge the liquid.

또한 하우징(40)의 천장부에는, 미도시의 필터 유닛이 마련되고, 하우징(40)의 바닥면측에 미도시의 배기부가 마련되어 있음으로써, 당해 하우징(40) 내에는, 천장부측으로부터 바닥면측을 향해 흐르는 청정 공기의 다운 플로우가 형성되어 있다. A filter unit (not shown) is provided on the ceiling portion of the housing 40 and an exhaust unit (not shown) is provided on the bottom surface side of the housing 40, so that the housing 40 is provided with, A flow of clean air flowing downward is formed.

당해 다운 플로우의 일부는, 각 컵체(41)로 도입되어, 기술한 배기구(453)를 개재하여 개별 배기로(45)로 배기된다. 이 개별 배기로(45)에는 배기량 조절부(451)가 설치되어 있고, 배기량 조절부(451)의 내부에는 액 처리부(4a ~ 4d)로부터 배출되는 기체의 배출량의 조절을 실행하는 댐퍼(452)가 마련되어 있다.A part of the downflow is introduced into each cup body 41 and exhausted to the individual exhaust path 45 through the exhaust port 453 described. The individual exhaust path 45 is provided with a displacement adjusting section 451 and a damper 452 for adjusting the discharge amount of the gas discharged from the liquid processing sections 4a to 4d is provided in the displacement adjusting section 451, Respectively.

또한 도 18에 나타내는 바와 같이 각 액 처리부(4a ~ 4d)의 개별 배기로(45)는, 배기량 조절부(451)의 하류측에서 공통의 모듈 배기로(3a)에 접속되어 있다. 당해 모듈 배기로(3a)는, 도 1 ~ 도 3 등에 나타낸 배기관(3)에 상당하고, 또한 각 액 처리부(4a ~ 4d)로부터 배출된 기체가 합류하는 합류 배기로를 구성하고 있다. 그리고, 이 모듈 배기로(3a)에 대한 각 개별 배기로(45)의 접속 위치보다 하류측에는, 기술한 유량 측정부(2)인 액 처리부측 유량 측정부(2A)가 마련되어 있다.18, the individual exhaust paths 45 of the liquid processing units 4a to 4d are connected to the common module exhaust path 3a on the downstream side of the exhaust amount adjusting unit 451. [ The module exhaust path 3a corresponds to the exhaust pipe 3 shown in Figs. 1 to 3 and the like, and constitutes a merging exhaust path in which the gases exhausted from the respective liquid processing units 4a to 4d join together. On the downstream side of the connection position of each individual exhaust path 45 to the module exhaust path 3a, there is provided a flow rate measuring section 2A on the liquid processing section side which is the flow rate measuring section 2 described above.

상술한 액 처리부측 유량 측정부(2A)는, 도 18에 예시한 COT층(E3, E4), BCT층(E2)을 포함하는 모든 단위 블록(E1 ~ E6)에 마련된 각 모듈 배기로(3a)의 하류측 위치에 배치되고, 또한 이들 모듈 배기로(3a)는 집합 배기로(35a)를 개재하여 공장 배기(36)에 접속되어 있다.The above-described flow rate measuring unit 2A on the liquid processing unit side is provided with the module exhaust path 3a provided in all the unit blocks E1 to E6 including the COT layers E3 and E4 and the BCT layer E2 shown in Fig. And these module exhaust passages 3a are connected to the factory exhaust 36 via the collective exhaust passages 35a.

이와 같이 각 모듈 배기로(3a)가 공통의 공장 배기(36)에 접속된 단위 블록(E1 ~ E6)의 액 처리 모듈(4)에서, 각 액 처리부(4a ~ 4d)의 배기량은 제어부(8)로부터의 제어 신호에 기초하여 배기량 조절부(451)의 댐퍼(452)의 개방도를 전환함으로써 조절된다.In this way, in the liquid processing module 4 of the unit blocks E1 to E6 connected to the common factory exhaust 36, the amount of exhaust of each of the liquid processing units 4a to 4d is controlled by the control unit 8 By adjusting the opening degree of the damper 452 of the exhaust amount adjusting portion 451 based on the control signal from the control portion 451. [

그리고, 각 단위 블록(E1 ~ E6)에 마련되어 있는 액 처리 모듈(4)에서는, 이들 복수의 액 처리부(4a ~ 4d)에 대하여 공통의 액 처리부측 유량 측정부(2A)를 이용하여 기체의 유량의 측정을 행하고 있다.In the liquid processing module 4 provided in each of the unit blocks E1 to E6, the liquid flow rate measuring unit 2A on the liquid processing unit side common to the plurality of liquid processing units 4a to 4d is used to calculate the flow rate Is measured.

상술한 구성을 구비하는 액 처리 모듈(4)에서, 액 처리부(4a ~ 4d)에서 웨이퍼(W)에 대한 액체의 공급이 행해지고 있는 기간 중에는, 댐퍼(452)의 개방도를 크게 하여 당해 액 처리부(4a ~ 4d)의 개별 배기로(45)로부터의 배기량을 '고배기량(EH)'으로 조절하는 것으로 한다. 한편, 액체의 공급이 행해지고 있지 않은 액 처리부(4a ~ 4d)에서는, 댐퍼(452)의 개방도를 작게 하여 그 배기량을 '저배기량(EL)'으로 조절하는 것으로 한다.In the liquid processing module 4 having the above-described configuration, during the period in which the liquid is supplied to the wafer W from the liquid processing units 4a to 4d, the opening degree of the damper 452 is increased, The amount of exhaust from the individual exhaust path 45 of each of the exhaust ports 4a to 4d is controlled to be 'high exhaust amount E H '. On the other hand, in the liquid processing units 4a to 4d in which the liquid is not supplied, the degree of opening of the damper 452 is made small and the amount of exhaust is adjusted to 'low exhaust amount (E L )'.

따라서, n 개의 액 처리부(4a ~ 4d)에서, 웨이퍼(W)에 대한 액체의 공급을 실행하고 있는 경우에는, 제어부(8)는 처리를 실행하고 있는 액 처리부(4a ~ 4d)의 수에 따라, 모듈 배기로(3a)에서의 예측 배기량(QE)을 하기 (6) 식에 기초하여 산출할 수 있다.Therefore, when the n liquid processing units 4a to 4d are performing the supply of the liquid to the wafers W, the control unit 8 controls the number of the liquid processing units 4a to 4d , The predicted exhaust amount Q E in the module exhaust passage 3a can be calculated based on the following expression (6).

Figure pat00006
Figure pat00006

예를 들면 모든 액 처리부(4a ~ 4d)가 아이들링 상태에 있는 기간 중(n = 0), 액 처리부측 유량 측정부(2A)에서 측정된 실질 배기의 기체의 유량(Q)이 'Q ＞ 4 EL'였을 경우에는, 어느 하나의 댐퍼(452)에서 개방도 조절 이상이 발생하고 있는 것을 파악할 수 있다.For example, when the flow rate Q of the gas of the substantial exhaust gas measured by the flow rate measuring unit 2A on the liquid processing unit side during the period in which all the liquid processing units 4a to 4d are in the idling state (n = 0) E L ', it is possible to grasp that any one of the dampers 452 is generating the opening degree control abnormality.

한편, 1 대의 액 처리부(4a ~ 4d)만으로 웨이퍼(W)에 대한 액체의 공급이 행해지고 있는 기간 중(n = 1), 액 처리부측 유량 측정부(2A)에서 측정된 실질 배기의 기체의 유량(Q)이 'Q ＜ EH ＋ 3 EL'인 경우에는, 당해 액체의 공급이 행해지고 있는 액 처리부(4a ~ 4d)의 개별 배기로(45) 등에서 막힘 등이 발생하여, 배기량 저하가 발생하고 있는 것을 파악할 수 있다. 이들 댐퍼(452)에서 개방도 조절 이상 또는 개별 배기로(45)에서 배기량 저하가 발생하고 있는 것의 판단은 제어부(8)에서 행해진다. 또한, 상기 실질 배기의 기체의 유량(Q)이 예측 배기량(QE)과 차이가 있는 경우에, 이 차이가 해소되는 방향으로, 차이의 원인이 되고 있는 댐퍼(452)의 개방도를 조절해도 된다.On the other hand, during the period in which liquid is supplied to the wafer W by only one liquid processing unit 4a to 4d (n = 1), the flow rate of the gas of the substantial exhaust measured by the liquid flow measuring unit 2A on the liquid processing unit side (Q) is equal to or less than E < EH + 3 E L , clogging or the like occurs in the individual exhaust path 45 or the like of the liquid processing sections 4a to 4d in which the liquid is supplied, It is possible to grasp that it is doing. In the damper 452, it is judged by the control unit 8 whether or not the opening degree adjustment or the reduction in the amount of exhaust in the individual exhaust passage 45 is occurring. Further, when the flow rate Q of the gas of the substantial exhaust differs from the predicted displacement Q E , the degree of opening of the damper 452, which is the cause of the difference, may be adjusted in the direction in which the difference is eliminated do.

이상에 설명한 각 액 처리 모듈(4)로부터 배출되는 기체의 유량을 측정하는 방법은 열 처리 모듈(5)측에도 채용되어 있다. 이하, 도 19를 참조하여 열 처리 모듈(5)측의 구성에 간단하게 설명해 둔다. The method of measuring the flow rate of the gas discharged from each of the liquid processing modules 4 described above is also employed in the heat treatment module 5 side. Hereinafter, the configuration of the heat treatment module 5 side will be briefly described with reference to Fig.

(열 처리 모듈) (Heat treatment module)

예를 들면 도 19는, 도포막인 레지스트막이 표면에 형성된 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 복수의 열 처리부(5a ~ 5c)가 마련된 열 처리 모듈(5)(선반 유닛(U))에서의 기체의 배기 계통을 나타내고 있다.For example, FIG. 19 is a diagram showing the relationship among the heat treatment module 5 (lathe unit U) provided with the plurality of heat treatment units 5a to 5c for performing the heat treatment of the wafer W on which the resist film as the coating film is formed The exhaust system of the gas is shown.

열 처리부(5a ~ 5c)는 편평한 사각형의 하우징(511)을 구비하고 있고, 하우징(511)의 측벽에 마련되고, 웨이퍼(W)의 반입반출이 행해지는 반송구는 셔터(512)에 의해 개폐된다. 하우징(511) 내에는 반송구측에서 봤을 때 앞측의 위치와, 그 내측에 배치된 열판(54)의 상방 위치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 냉각 플레이트(52)가 마련되어 있다. 가열 기구인 열판(54)을 사이에 두고 대향하도록 배치된 가스 토출부(551)와 배기부(552)의 사이에는, 열판(54) 상에 배치된 웨이퍼(W)와, 당해 웨이퍼(W)와 대향하도록 마련된 천판(53)과의 사이의 공간에 예를 들면 질소 가스 등의 불활성 가스의 일방향 흐름이 형성된다.The heat treatment units 5a to 5c have a flat rectangular housing 511 and are provided on the side walls of the housing 511 and open and closed by a shutter 512 for carrying the wafer W in and out . The housing 511 is provided with a cooling plate 52 for transferring the wafer W between a position on the front side when viewed from the side of the transfer port and an upper position of the heat plate 54 disposed on the inside of the housing 511. A wafer W disposed on a heating plate 54 and a wafer W disposed on the heating plate 54 are disposed between the gas discharging portion 551 and the evacuation portion 552 arranged so as to face each other with a heat plate 54 as a heating mechanism interposed therebetween. Directional flow of inert gas such as nitrogen gas is formed in a space between the top plate 53 and the top plate 53,

상술한 구성에 의해, 냉각 플레이트(52)에 의해 반송되어 열판(54) 상에 배치된 웨이퍼(W)는, 열판(54)에 의해 가열되고, 각종 도포막의 가열 처리가 행해진다. 이 가열 처리에 수반하여, 도포막으로부터 방출된 성분은, 불활성 가스의 일방향 흐름을 타고 개별 배기로(56)로부터 배출된다.The wafer W transferred by the cooling plate 52 and arranged on the heat plate 54 is heated by the heat plate 54 and heat treatment of various coating films is performed. With this heating treatment, the components emitted from the coating film are discharged from the individual exhaust path 56 in a one-way flow of the inert gas.

열 처리 모듈(5)측의 개별 배기로(56)에도 배기량 조절부(561)가 설치되고, 이 배기량 조절부(561)의 내부에는 열 처리부(5a ~ 5c)로부터 배출되는 기체의 배출량의 조절을 실행하는 댐퍼(562)가 마련되어 있다.An exhaust amount adjusting portion 561 is also provided in the individual exhaust path 56 on the side of the heat treatment module 5 and the amount of exhaust gas discharged from the heat treatment portions 5a to 5c is adjusted in the exhaust amount adjusting portion 561 And a damper 562 for executing a damping operation.

또한 각 열 처리부(5a ~ 5c)의 개별 배기로(56)는 배기량 조절부(561)의 하류 측에서 공통의 모듈 배기로(3b)에 접속되어 있다. 당해 모듈 배기로(3b)는, 도 1 ~ 도 3 등에 나타낸 배기관(3)에 상당하고, 또한 각 열 처리부(5a ~ 5c)로부터 배출된 기체가 합류하는 합류 배기로를 구성하고 있다. 그리고, 이 모듈 배기로(3b)에 대한 개별 배기로(56)의 접속 위치보다 하류측에는, 기술한 유량 측정부(2)인 열 처리부측 유량 측정부(2B)가 마련되어 있다.The individual exhaust paths 56 of the respective heat treatment units 5a to 5c are connected to the common module exhaust path 3b on the downstream side of the exhaust amount control unit 561. [ The module exhaust path 3b corresponds to the exhaust pipe 3 shown in Figs. 1 to 3 and the like, and also constitutes a merging exhaust path in which the gases exhausted from the respective heat processing sections 5a to 5c join together. On the downstream side of the connection position of the individual exhaust path 56 to the module exhaust path 3b, there is provided a flow rate measurement section 2B on the heat treatment section side which is the flow rate measurement section 2 described above.

BCT층(E1, E2), COT층(E3, E4), DEV층(E5, E6)의 각 모듈 배기로(3b)의 하류측 위치에도 열 처리부측 유량 측정부(2B)가 배치되고, 또한 이들 모듈 배기로(3b)는 집합 배기로(35b)를 개재하여 공장 배기(36)에 접속되어 있다.The flow rate measuring section 2B on the heat treatment section side is disposed on the downstream side of each module exhaust passage 3b of the BCT layers E1 and E2, the COT layers E3 and E4 and the DEV layers E5 and E6, These module exhaust passages 3b are connected to the factory exhaust 36 via the collective exhaust passages 35b.

따라서, 단위 블록(E1 ~ E6)의 열 처리 모듈(5)에서도, 각 모듈 배기로(3b)는 공통의 공장 배기(36)에 접속되어 있으므로, 각 열 처리부(5a ~ 5c)의 배기량은, 제어부(8)로부터의 제어 신호에 기초하여, 배기량 조절부(561)의 댐퍼(562)의 개방도를 전환함으로써 조절되는 점은 기술한 액 처리 모듈(4)과 동일하다.Therefore, in the heat processing module 5 of each of the unit blocks E1 to E6, since the module exhaust paths 3b are connected to the common factory exhaust 36, the exhaust amount of each of the heat treatment units 5a- The point that is controlled by switching the opening degree of the damper 562 of the exhaust amount adjusting portion 561 is the same as the solution processing module 4 described above based on the control signal from the control portion 8. [

이와 같이, 열 처리부(5a ~ 5c)의 개별 배기로(56)로부터의 배기량이 고배기량(EH)과 저배기량(EL)의 사이에서 전환될 때, 제어부(8)는 웨이퍼(W)의 처리를 실행하고 있는 열 처리부(5a ~ 5c)의 수에 기초하여 예측 배기량(QE)을 산출할 수 있다. 이 예측 배기량과, 열 처리부측 유량 측정부(2B)에서 측정된 실질 배기의 기체의 유량(Q)과의 비교에 의해, 댐퍼(562)에서의 개방도 조절 이상 또는 개별 배기로(56)에서의 배기량 저하의 발생을 파악 가능한 점, 또는 실질 배기의 기체의 유량(Q)과 예측 배기량(QE)과의 차이량을 해소하는 방향으로, 차이의 원인이 되고 있는 댐퍼(562)의 개방도를 조절해도 된다는 점에 대해서도 액 처리 모듈(4)측의 예와 동일하다. When the amount of exhaust from the individual exhaust path 56 of the heat treatment units 5a to 5c is switched between the high exhaust amount E H and the low exhaust amount E L , The predicted exhaust amount Q E can be calculated based on the number of the heat processing units 5a to 5c that are performing the process of FIG. By comparing this predicted displacement with the flow rate Q of the gas of the actual exhaust gas measured by the flow rate measurement unit 2B on the heat treatment unit side, it is possible to control the degree of opening of the damper 562, The degree of opening of the damper 562, which is the cause of the difference, can be grasped in a direction in which the occurrence of the decrease in the displacement of the damper 562 can be grasped or in a direction to eliminate the difference amount between the flow rate Q of the gas in the substantial exhaust and the predicted displacement amount QE It is the same as the example of the liquid treatment module 4 side.

또한, m 개의 열 처리부(5a ~ 5c)가 마련되어 있는 열 처리 모듈(5)에서는, 기술한 (6) 식은 이하의 (6)'으로 수정된다.In the heat treatment module 5 provided with the m heat processing sections 5a to 5c, the expression (6) described above is modified to the following (6) '.

Figure pat00007
Figure pat00007

도 20은 도 18, 도 19에 나타낸 집합 배기로(35a, 35b)에, 유량 측정부(2)로 이루어지는 집합 배기로 유량 측정부(2C)를 더 마련한 예를 나타내고 있다. 액 처리부측 유량 측정부(2A), 열 처리부측 유량 측정부(2B)에서 실시되는, 각 단위 블록(E1 ~ E6)의 액 처리 모듈(4)측, 열 처리 모듈(5)측으로부터 배출되는 기체의 배출량의 측정과 함께, 집합 배기로(35a, 35b)를 흐르는 기체의 유량 측정을 행하면, 각 단위 블록(E1 ~ E6) 사이에서의 종합적인 배기 밸런스의 조절도 행할 수 있다.20 shows an example in which the collective exhaust flow path measuring portion 2C including the flow rate measuring portion 2 is additionally provided in the collective exhaust paths 35a and 35b shown in Figs. The liquid processing module 4 side and the heat treatment module 5 side of each of the unit blocks E1 to E6 performed by the flow rate measurement section 2A on the liquid processing section side and the flow rate measurement section 2B on the heat processing section side When the flow rate of the gas flowing through the collective exhaust passages 35a and 35b is measured together with the measurement of the exhaust amount of the gas, it is possible to adjust the overall exhaust balance between the unit blocks E1 to E6.

또한 각 액 처리부(4a ~ 4d)에서, 기술한 고배기량(EH)은 2.6 ~ 3.0 m3/min 정도이며, 예를 들면 4 개의 액 처리부(4a ~ 4d)를 구비하는 액 처리 모듈(4)로부터의 배기량은 최대 8.0 ~ 10.0 m3/min 정도가 된다. 또한, 각 열 처리부(5a ~ 5c)에서, 고배기량(EH)은 70 L/min 정도이며, 예를 들면 도 14에 나타낸 선반 유닛(U)(열 처리 모듈(5))에 3 개의 열 처리부(5a ~ 5c)가 배치되어 있었을 때, 열 처리 모듈(5)로부터의 배기량은 최대 200 L/min 정도가 된다.The high displacement (E H ) described in each of the liquid processing units 4a to 4d is about 2.6 to 3.0 m 3 / min. For example, the liquid processing module 4 (4) having four liquid processing units 4a to 4d ) Is about 8.0 to 10.0 m &lt; 3 &gt; / min. In the heat treatment units 5a to 5c, the high exhaust amount (E H ) is about 70 L / min. For example, in the lathe unit U (heat treatment module 5) shown in FIG. 14, When the processing sections 5a to 5c are disposed, the exhaust amount from the heat treatment module 5 is about 200 L / min at maximum.

이 때문에, 각 모듈 배기로(3a, 3b) 또는 집합 배기로(35a, 35b)에 마련되는 유량계는, 폭넓은 유량 범위에서 정확한 유량 측정을 실행 가능한 것이 요청된다.Therefore, the flow meters provided in the module exhaust passages 3a, 3b or the collective exhaust passages 35a, 35b are required to be able to perform accurate flow rate measurement in a wide range of flow rates.

이에 대하여 종래의 초음파 유량계는, 고배기량 영역(배기관(3) 내의 풍속이 높아지는 영역)이 될수록 유량 측정이 곤란해지는 것이 알려져 있다. 한편 도 20에 나타낸 각 유량 측정부(2A, 2B, 2C)는, 후술하는 실험예에도 나타내는 바와 같이, 미리 파악한 유량 측정 범위에 기초하여 적절한 형상 또는 중량을 가지는 수풍판(21)을 선택함으로써, 고배기량 영역을 포함하는 폭넓은 유량 범위에서 정확한 유량 측정을 행할 수 있다.In contrast, in the conventional ultrasonic flowmeter, it is known that it becomes difficult to measure the flow rate in a high displacement region (region where the air velocity in the exhaust pipe 3 becomes high). On the other hand, each of the flow rate measuring units 2A, 2B and 2C shown in Fig. 20 selects the water level plate 21 having an appropriate shape or weight based on the flow rate measurement range previously determined, Accurate flow measurement can be performed in a wide flow rate range including a high displacement region.

이상, 도 17 ~ 도 20을 이용하여 설명한 실시의 형태에서는, 복수의 액 처리부(4a ~ 4d), 열 처리부(5a ~ 5c) 사이에서 유량 측정부(2A, 2B)를 공유하는 예에 대하여 설명했다. 이에 대하여, 액 처리부(4a ~ 4d), 열 처리부(5a ~ 5c)의 개별 배기로(45, 56)의 모두에 유량 측정부(2)를 마련하고, 개별의 처리부로부터의 기체의 배출량을 측정하고, 또한 그 측정 결과에 기초하여 각 댐퍼(452, 562)의 개방도 조절을 행해도 되는 것은 물론이다.17 to 20, an example of sharing the flow rate measurement units 2A and 2B between a plurality of liquid processing units 4a to 4d and thermal processing units 5a to 5c is described did. On the other hand, the flow rate measuring unit 2 is provided on each of the individual exhaust passages 45, 56 of the liquid processing units 4a to 4d and the heat processing units 5a to 5c to measure the amount of gas discharged from the individual processing units And the opening degree of each of the dampers 452 and 562 may be adjusted based on the measurement result.

또한, 유량 측정부(2)의 적용 대상은 도포, 현상 장치에 마련되어 있는 액 처리부(4a ~ 4d), 열 처리부(5a ~ 5c)에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 산성 또는 알칼리성의 세정액을 이용하여 웨이퍼(W)의 세정 처리를 행하는 액 처리부(4a)로부터 배출되는 기체의 유량에 대하여, 유량 측정부(2)를 이용한 측정을 행해도 된다. 또한, 당해 유량 측정부(2)를 이용하여, 표면에 도포막이 형성된 웨이퍼(W)에 대하여, 자외선 램프 등으로 이루어지는 자외선 조사 기구를 이용하여 자외선을 조사함으로써, 도포막의 특성을 변화시키는 자외선 처리부로부터 배출되는 기체의 유량의 측정을 행해도 되는 것은 물론이다.The application target of the flow rate measuring section 2 is not limited to the liquid processing sections 4a to 4d and the heat processing sections 5a to 5c provided in the coating and developing apparatus. For example, the measurement using the flow rate measuring unit 2 may be performed on the flow rate of the gas discharged from the liquid processing unit 4a that performs the cleaning process of the wafer W by using an acidic or alkaline cleaning liquid. The wafer W having a coated film formed on its surface is irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet ray irradiation mechanism such as an ultraviolet lamp or the like to change the characteristics of the coated film from the ultraviolet ray treatment section It goes without saying that the flow rate of the exhausted gas may be measured.

[실험예][Experimental Example]

도 1 ~ 도 4에 나타낸 구성의 유량 측정부(2)를 구비하는 유량 측정 장치를 이용하여 배기관(3)을 흐르는 기체의 유량 측정을 행했다. The flow rate of the gas flowing through the exhaust pipe 3 was measured by using a flow rate measuring apparatus including the flow rate measuring unit 2 having the configuration shown in Figs. 1 to 4.

A. 실험 조건A. Experimental conditions

모의의 배기로(30)를 구성하는 배기관(3)의 하류단에, 개방도 조절 가능한 밸브와, 배기관(3) 내의 배기를 행하는 송풍 팬을 이 순으로 설치하고, 밸브의 상류측에도 1 ~ 도 4에 나타낸 구성의 유량 측정부(2)와, 검증용의 임펠러 타입의 유속계를 마련했다. 송풍 팬을 가동시키고 밸브의 개방도를 증감함으로써 배기관(3) 내를 흐르는 기체의 유량을 조절하면서, 경사 센서(24)로 유량 측정부(2)의 기울기(x 축 방향, y 축 방향)를 검출한 결과에 기초하여 풍속(지시 풍속)을 산출하고, 또한 검증용의 유속계에 의한 풍속(실질 풍속) 측정을 행했다.A valve capable of controlling the degree of opening and a blowing fan for exhausting the exhaust gas in the exhaust pipe 3 are provided in this order at the downstream end of the exhaust pipe 3 constituting the simulated exhaust passage 30, A flow measurement unit 2 having the configuration shown in Fig. 4, and an impeller type flow meter for verification. The inclination (x-axis direction, y-axis direction) of the flow rate measuring unit 2 is adjusted by the inclination sensor 24 while adjusting the flow rate of the gas flowing in the exhaust pipe 3 by increasing the opening degree of the valve by operating the blowing fan The wind speed (indicated wind speed) was calculated on the basis of the detection result, and the wind speed (actual wind speed) was measured by the flow meter for verification.

B. 실험 결과 B. Experimental Results

검증용의 유속계에 의한 실질 풍속의 측정 결과와, 유량 측정부(2)의 기울기에 기초하여 산출한 지시 풍속과의 대응 관계를 도 21에 나타낸다. 도 21의 횡축은 실질 풍속의 측정 결과를 나타내고, 종축은 지시 풍속의 값을 나타내고 있다. 도면 중, 경사 센서(24)의 x 축 방향의 출력에 기초하여 산출한 지시 풍속은, 엑스 표시(×)로 플롯하고, y 축 방향의 출력에 기초하여 산출한 지시 풍속은 흰색 사각(□)으로 플롯되어 있다. 또한, 실질 풍속과 지시 풍속이 일치한 경우의 참조 라인을 파선으로 병기하고 있다.Fig. 21 shows a correspondence relationship between the actual wind speed measurement result by the verification anemometer and the instruction wind speed calculated on the basis of the inclination of the flow measurement unit 2. In Fig. The horizontal axis in FIG. 21 shows the measurement result of the actual wind speed, and the vertical axis shows the value of the indicated wind speed. In the figure, the command wind speed calculated based on the output of the tilt sensor 24 in the x-axis direction is plotted with X marks (x), and the command wind speed calculated based on the output in the y- . The reference line when the actual wind speed and the indicated wind speed coincide is indicated by a broken line.

도 21에 나타낸 결과에 따르면, x 축 방향 출력에 기초하는 지시 풍속은, 대략 0.75 ~ 7 m/s의 넓은 범위에서, 실질 풍속과의 사이에 선형적인 대응 관계를 나타내고 있다. 한편, y 축 방향 출력에 기초하는 지시 풍속에 대해서도, 대략 1.25 ~ 7 m/s의 넓은 범위에서, 실질 풍속과의 사이에 선형적인 대응 관계를 나타내고 있다. 이들 영역에서는, 실질 풍속과의 대응 관계에 기초하여, 풍속의 산출식을 교정함으로써, 정밀도가 높은 풍속 측정(즉, 기체의 유량 측정)을 행하는 것이 가능하다고 할 수 있다.According to the results shown in Fig. 21, the indicated wind speed based on the output in the x-axis direction shows a linear correspondence relationship with the actual wind speed in a wide range of approximately 0.75 to 7 m / s. On the other hand, the directive wind speed based on the y-axis direction output shows a linear correspondence relationship with the actual wind speed in a wide range of approximately 1.25 to 7 m / s. In these areas, it can be said that it is possible to measure the wind speed (that is, measure the flow rate of the gas) with high accuracy by correcting the calculation formula of the wind speed based on the correspondence relation with the actual wind speed.

한편, 소유량 영역(x 축 방향 출력에서는 0.75 m/s 미만, y 축 방향 출력에서는 1.25 m/s 미만), 또는 대유량 영역(7 m/s를 초과하는 풍속)에서는, 유효한 지시 풍속을 얻을 수 없었다. 이는, 경사 센서(24)에 의한 경사의 검출 한계, 또는 수풍판(21)의 가동 각도의 한계에 기초하는 것이라고 상정된다. On the other hand, effective direct wind velocity can be obtained in the proprietor area (less than 0.75 m / s in the x-axis direction output and less than 1.25 m / s in the y-axis direction output) or in the large flow area (wind velocity exceeding 7 m / s) There was no. It is assumed that this is based on the detection limit of the inclination by the inclination sensor 24 or the limit of the movable angle of the water intake plate 21. [

따라서, 유량 측정부(2)를 이용하여 기체의 유량을 측정함에 있어서는, 수풍판(21)의 형상 또는 중량 등에 따라 유효한 유량 측정 범위를 미리 파악해 두고, 배기관(3)을 흐르는 기체의 설계 상의 유량 범위 등에 기초하여, 적절한 수풍판(21)을 선택하는 것이 중요하다는 것을 알 수 있다.Therefore, in measuring the flow rate of the gas using the flow rate measurement unit 2, it is necessary to grasp an effective flow rate measurement range in advance according to the shape or weight of the water level plate 21, Range, etc., it is important to select an appropriate water-shield plate 21.

W : 웨이퍼
1 : 도포, 현상 장치
2, 2a, 2b : 유량 측정부
21 : 수풍판
210 : 수풍면
211 : 수풍판 히터
212 : 온도 센서
22 : 지축
24 : 경사 센서
27 : 변형 센서
3 : 배기관
31 : 배기관 히터
32 : 온도 센서
4a ~ 4d : 액 처리부
45 : 개별 배기로
451 : 배기량 조절부
5a ~ 5c : 열 처리부
56 : 개별 배기로
561 : 배기량 조절부
8 : 제어부W: Wafer
1: Coating and developing device
2, 2a, 2b:
21: Suction plate
210:
211: Water level heater
212: Temperature sensor
22: Axis
24: inclination sensor
27: strain sensor
3: Exhaust pipe
31: exhaust pipe heater
32: Temperature sensor
4a to 4d:
45: Individually exhausted
451:
5a to 5c:
56: Individually exhausted
561:
8:

Claims (14)

피처리체에 대한 처리가 행해지는 처리부로부터 배출되고, 배기로를 흐르는 기체의 유량을 측정하는 유량 측정 장치에 있어서,
상기 배기로를 흐르는 기체의 흐름과 교차하도록 배치되는 수풍면을 구비하고, 이 수풍면을 개재하여 기체로부터 받는 힘에 따라 상태가 변화하는 수풍 부재와,
상기 수풍 부재의 상태의 변화량을 검출하고, 상기 변화량에 따른 신호를 출력하는 센서부와,
상기 센서부로부터 출력된 신호에 기초하여, 상기 배기로를 흐르는 기체의 유량을 산출하는 유량 산출부를 구비한 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.1. A flow rate measuring device for measuring a flow rate of a gas flowing through an exhaust passage, the flow rate of which is discharged from a processing section in which processing for an object to be processed is performed,
A water flow member having a water surface that is arranged so as to intersect the flow of gas flowing through the exhaust path and whose state changes according to a force received from the gas via the water surface,
A sensor unit for detecting a change amount of the state of the water flow member and outputting a signal corresponding to the change amount,
And a flow rate calculation unit for calculating a flow rate of the gas flowing through the exhaust passage based on the signal output from the sensor unit. 제 1 항에 있어서,
상기 수풍 부재는, 이 수풍 부재에 작용하는 중력 방향과 교차하는 방향을 향해 연장되는 지축에 의해, 상기 지축 둘레로 회전 가능하게 지지되고,
상기 센서부는, 상기 수풍 부재의 상태의 변화량으로서, 상기 처리부로부터 기체가 배출되고 있지 않은 때의 홈 포지션으로부터의 상기 지축 둘레의 수풍 부재의 회전각을 검출하는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the water flow member is rotatably supported around the shaft by a shaft extending toward a direction intersecting the gravity direction acting on the water flow member,
Wherein the sensor unit detects a rotation angle of the wind flow member around the shaft from a home position when the gas is not discharged from the processing unit as a change amount of the state of the wind flow member. 제 2 항에 있어서,
상기 센서부는 상기 수풍 부재, 또는 수풍 부재와 일체로 회전하는 상기 지축에 장착된 가속도 센서인 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the sensor unit is an acceleration sensor mounted on the support shaft that rotates integrally with the winder member or the winder member. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 수풍면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고,
상기 수풍면에 대한 부착물의 부착에 의해, 상기 수풍면측의 중량이 증대한 것에 기인하는 상기 홈 포지션으로부터의 지축 둘레의 수풍 부재의 회전각을, 상기 처리부로부터 기체가 배출되고 있지 않은 기간 중에 센서부로부터 취득하여, 상기 수풍 부재에 대한 부착물의 부착을 검출하는 부착물 검출부를 구비한 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.The method according to claim 2 or 3,
The gas discharged from the treatment section contains a substance to be adhered to the water surface,
Wherein the rotation angle of the air flow member around the shaft axis from the home position due to the increase of the weight on the water flow surface side by the attachment of the attachment to the water- And an attachment detecting unit for detecting attachment of the attachment to the winder member. 제 1 항에 있어서,
상기 센서부는, 상기 수풍 부재의 상태의 변화량으로서, 배기 유로를 흐르는 기체로부터 수풍 부재가 받는 힘에 의해 탄성 변형될 시의 변형량을 검출하는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensor unit detects a deformation amount when the deformation member is elastically deformed by a force received by the wind wind member from the gas flowing through the exhaust passage as the change amount of the state of the wind member. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리부로부터 배출되는 기체에는, 수풍 부재에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고,
상기 수풍 부재의 주위에, 상기 수풍 부재의 표면으로부터 멀어짐에 따라 점차 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하여 부착물의 부착을 억제하기 위하여, 수풍 부재의 가열을 행하는 수풍 부재 가열 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The gas discharged from the treatment section contains a substance to be adhered to the wind flow member,
The water flow member heating mechanism is provided around the water flow member for heating the water flow member so as to form a temperature gradient in which the temperature gradually decreases with distance from the surface of the water flow member, Flow meter. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 수풍 부재에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고,
상기 수풍 부재에 부착된 부착물이 제거되는 온도까지 상기 수풍 부재를 가열하기 위한 수풍 부재 가열 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The gas discharged from the processing section contains a substance to be adhered to the winder,
And a winder member heating mechanism for heating the winder member to a temperature at which the attachment attached to the winder member is removed is provided. 제 7 항에 있어서,
상기 수풍 부재의 온도를 계측하는 수풍 부재 온도 계측부와,
상기 수풍 부재 가열 기구에 의해, 미리 설정된 부착 확인 온도가 될 때까지 상기 수풍 부재를 가열하고 있는 기간 중에, 상기 수풍 부재 온도 계측부에 의해 계측한 수풍 부재의 온도의 경시 변화 프로파일에 기초하여, 부착물의 제거의 필요 여부를 판단하는 판단부를 구비한 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.8. The method of claim 7,
A wind storm member temperature measurement unit for measuring the temperature of the wind member,
The temperature of the water flow member measured by the water flow member temperature measurement section during the period during which the water flow member is heated until the predetermined attachment confirmation temperature is reached by the water flow member heating mechanism, And a determination unit that determines whether or not the flow rate of the fluid is required to be removed. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 상기 배기로를 구성하는 배관의 내벽면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고,
상기 배관의 내벽면으로부터 멀어짐에 따라 점차 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하여 부착물의 부착을 억제하기 위하여, 상기 수풍 부재가 배치되어 있는 영역의 배관의 가열을 행하는 배관 가열 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the gas discharged from the processing section includes a substance to be adhered to the inner wall surface of the pipe constituting the exhaust passage,
And a pipe heating mechanism for heating the pipe in the region where the water flow member is disposed is provided in order to form a temperature gradient in which the temperature is gradually lowered away from the inner wall surface of the pipe, Flow meter. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리부로부터 배출되는 기체에는 상기 배기로를 구성하는 배관의 내벽면에 부착하는 부착물이 되는 물질이 포함되고,
상기 수풍 부재가 배치되어 있는 영역의 배관에는, 내벽면에 부착된 부착물이 제거되는 온도까지 상기 배관을 가열하기 위한 배관 가열 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the gas discharged from the processing section includes a substance to be adhered to the inner wall surface of the pipe constituting the exhaust passage,
Wherein a pipe heating mechanism for heating the pipe to a temperature at which the deposit adhering to the inner wall surface is removed is provided in the pipe in the region where the water flow member is disposed. 제 10 항에 있어서,
상기 배관 가열 기구에 의해 가열되어 있는 영역의 배관의 온도를 계측하는 배관 온도 계측부와,
상기 배관 가열 기구에 의해, 미리 설정된 부착 확인 온도가 될 때까지 상기 배관을 가열하고 있는 기간 중에, 상기 배관 온도 계측부에 의해 계측한 배관의 온도의 경시 변화 프로파일에 기초하여, 부착물의 제거의 필요 여부를 판단하는 판단부를 구비한 것을 특징으로 하는 유량 측정 장치.11. The method of claim 10,
A pipe temperature measuring section for measuring the temperature of the pipe in the region heated by the pipe heating mechanism,
The pipe heating mechanism determines whether or not the removal of the deposit is necessary based on the profile of the change in the temperature of the pipe measured by the pipe temperature measuring section during the period during which the pipe is being heated until the predetermined confirmation temperature is reached And a determination unit for determining the flow rate of the fluid. 피처리체에 대한 처리를 행하는 처리부와,
상기 처리부로부터 배기로로 배출되는 기체의 유량을 조절하는 배기량 조절부와,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 유량 측정 장치와,
상기 배기량 조절부를 조작하여 상기 배기로로 배출되는 기체의 유량을 조절하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치.A processing section for performing processing on the object to be processed,
An exhaust amount regulating unit for regulating the flow rate of the gas exhausted from the processing unit to the exhaust path,
The flow rate measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3,
And a control unit for operating the exhaust amount adjusting unit to adjust the flow rate of the gas exhausted to the exhaust path. 제 12 항에 있어서,
상기 처리부와 배기량 조절부의 조가 복수 마련되고,
상기 유량 측정 장치의 수풍 부재는 상기 복수의 처리부로부터 배출된 기체가 합류하는 합류 배기로에 마련되고,
상기 제어부는, 피처리체의 처리를 실행하고 있는 처리부의 수로부터 예측되는 예측 배기 유량과, 상기 유량 측정 장치에서 산출된 기체의 유량과의 차에 기초하여, 어느 하나의 배기량 조절부에서의 배기량 조절의 이상을 검출하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.13. The method of claim 12,
A plurality of pairs of the processing portion and the exhaust amount adjusting portion are provided,
Wherein the wind flow member of the flow rate measuring device is provided in the merging exhaust passage where the gases discharged from the plurality of processing sections join together,
Wherein the control unit controls the amount of displacement in any one of the displacement adjusting units based on a difference between a predicted exhaust flow rate predicted from the number of processing units that are performing processing of the object to be processed and a flow rate of the gas calculated by the flow rate measuring apparatus. The abnormality detecting unit detects an abnormality of the processing unit. 제 12 항에 있어서,
이하의 (1) ~ (3)으로부터 선택된 적어도 한 종류의 처리부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치.
(1) 피처리체를 연직축 둘레로 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 상기 유지 기구에 유지되고 피처리체의 표면에 액체를 공급하는 액체 공급 기구와, 상기 유지부의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 회전하는 피처리체로부터 털어내진 액체를 받아, 액체와 기체를 분리하여 배출하는 컵체를 구비한 액 처리부.
(2) 표면에 도포막이 형성된 피처리체를 가열하는 가열 기구를 구비한 가열 처리부.
(3) 표면에 도포막이 형성된 피처리체에 자외선을 조사하는 자외선 조사 기구를 구비한 자외선 처리부.13. The method of claim 12,
A processing apparatus comprising at least one kind of processing section selected from the following (1) to (3).
(1) A liquid ejecting apparatus comprising: a holding mechanism that rotatably holds an object to be processed around a vertical axis; a liquid supplying mechanism that is held by the holding mechanism and supplies a liquid to a surface of the object to be processed; And a cup body for receiving the liquid that has been poured out from the object to be processed and separating and discharging the liquid and the gas.
(2) A heating processing unit having a heating mechanism for heating an object to be processed on which a coating film is formed.
(3) An ultraviolet processing unit having an ultraviolet ray irradiation mechanism for irradiating ultraviolet rays to an object to be processed having a coated film formed on its surface.
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