KR20160141189A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20160141189A
KR20160141189A KR1020150075704A KR20150075704A KR20160141189A KR 20160141189 A KR20160141189 A KR 20160141189A KR 1020150075704 A KR1020150075704 A KR 1020150075704A KR 20150075704 A KR20150075704 A KR 20150075704A KR 20160141189 A KR20160141189 A KR 20160141189A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color filter
alignment
alignment confirmation
confirmation key
pixel
Prior art date
Application number
KR1020150075704A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102290821B1 (en
Inventor
김진호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150075704A priority Critical patent/KR102290821B1/en
Publication of KR20160141189A publication Critical patent/KR20160141189A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102290821B1 publication Critical patent/KR102290821B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters

Abstract

An embodiment of the present invention relates to a display device which can determine an alignment error of a color filter using an alignment confirm key by forming, on a display region, the alignment confirm key (or referred to as an overlay key) capable of determining the alignment error of the color filter. The display device according to an embodiment of the present invention comprises a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the lower substrate and the upper substrate. In the lower substrate, a display region and a non-display region around the display region are provided. The display region includes pixels including gate lines, data lines, transistors connected to the gate and data lines and pixel electrodes connected to the transistors. In the display region of the lower substrate, a first alignment confirm key is provided.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명의 실시예는 표시장치에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to a display device.

최근에 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 다양한 평판표시장치들(flat display devices)이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치들로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display, a field emission display, and an organic light emitting display.

또한, 최근에는 기술의 개발에 따라 100 인치 이상의 대화면 평판표시장치가 개발되고 있으며, 100 인치 이상의 대화면 평판표시장치에 대한 수요가 증가하고 있다. 100 인치 이상의 대화면 평판표시장치를 제조하기 위해서는 2200×2500㎜의 모기판(mother substrate, 또는 마더 기판, 원장 기판이라고도 칭함)을 통째로 이용해야 한다.In recent years, a large-sized flat panel display device having a size of 100 inches or more has been developed according to the development of technology, and a demand for a large-sized flat panel display device of 100 inches or more is increasing. In order to manufacture a large-screen flat panel display device having a size of 100 inches or more, a 2200 x 2500 mm mother substrate (mother substrate, also referred to as a mother substrate) must be used as a whole.

2200×2500㎜의 모기판을 이용하여 제조할 수 있는 가장 큰 인치의 대화면 평판표시장치는 128 인치로 알려져 있다. 128 인치 대화면 평판표시장치는 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 박막 트랜지스터 모기판과 컬러필터 어레이가 형성된 컬러필터 모기판을 합착하여 제조할 수 있다.The largest inch large screen flat panel display that can be manufactured using a 2200x2500 mm motherboard is known as 128 inches. The 128-inch large screen flat panel display can be manufactured by attaching a thin film transistor mother substrate having a thin film transistor array formed thereon and a color filter mother substrate having a color filter array formed thereon.

도 1은 대화면 표시장치의 경우 컬러필터 어레이를 형성하기 위한 컬러필터 마스크와 컬러필터 모기판을 보여주는 일 예시도면이다. 도 1을 참조하면, 대화면 표시장치의 경우 컬러필터 어레이(CA)의 크기가 크기 때문에, 컬러필터 모기판(MS)을 복수의 영역들(A1~A20)로 분할하고, 컬러필터 마스크(CM)를 복수의 영역들(A1~A20) 각각으로 이동하면서 컬러필터를 형성한다. 컬러필터 마스크(CM)는 도 1과 같이 마스킹 영역(MA), 패턴된 개구 영역(OA), 및 제2 얼라인 키(AK2)들을 포함한다.1 is an exemplary view showing a color filter mask and a color filter mother board for forming a color filter array in the case of a large-screen display apparatus. 1, since the size of the color filter array CA is large in the case of the large screen display device, the color filter mother substrate MS is divided into the plurality of areas A1 to A20, Is moved to each of the plurality of regions A1 to A20 to form a color filter. The color filter mask CM includes a masking area MA, a patterned opening area OA, and a second alignment key AK2 as shown in Fig.

대화면 표시장치의 경우 컬러필터 모기판(MS) 전체에 컬러필터 어레이(CA)를 형성하기 때문에, 더미 영역(DA)이 컬러필터 모기판(MS)의 테두리에만 존재한다. 더미 영역(DA)은 컬러필터 모기판(MS)에서 스크라이빙 라인(SL) 바깥쪽 영역이다. 박막 트랜지스터 모기판과 컬러필터 모기판은 서로 합착된 후 스크라이빙 라인(SL)을 따라 절단된다. 따라서, 더미 영역(DA)은 스크라이빙 공정 후에 버려지는 영역이다.In the case of the large-screen display device, the dummy area DA exists only on the edge of the color filter mother substrate MS because the color filter array CA is formed over the color filter mother substrate MS. The dummy area DA is the area outside the scribing line SL in the color filter mother substrate MS. The thin film transistor mother substrate and the color filter mother substrate are bonded together and cut along the scribing line (SL). Therefore, the dummy area DA is an area to be discarded after the scribing process.

컬러필터는 컬러필터 마스크(CM)를 컬러필터 모기판(MS)상에 정렬한 후 포토리소그래피 공정을 수행함으로써 컬러필터 어레이(CA)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)는 컬러필터 모기판(MS)에 형성된 제1 얼라인 키(AK1)들 각각을 컬러필터 마스크(CM)에 형성된 제2 얼라인 키(AK2)들 각각에 정렬함으로써 정렬될 수 있다. 제1 얼라인 키(AK1)들이 컬러필터 어레이(CA)에 형성되는 경우 컬러필터 어레이(CA)의 개구 영역이 감소될 수 있으므로, 컬러필터 어레이(CA)의 바깥쪽에 형성된다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 제1 얼라인 키(AK1)들의 일부만을 도시하였다.The color filter may be formed in the color filter array CA by aligning the color filter mask CM on the color filter mother substrate MS and then performing a photolithography process. Specifically, the color filter mother substrate MS and the color filter mask CM sandwich each of the first alignment keys AK1 formed on the color filter mother substrate MS with a second alignment Keys AK2, respectively. The opening area of the color filter array CA can be reduced when the first alignment keys AK1 are formed in the color filter array CA so that they are formed outside the color filter array CA. FIG. 1 shows only a part of the first alignment keys AK1 for convenience of explanation.

컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)를 올바르게 정렬하기 위해서는 대각선 방향의 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들을 이용하여 정렬하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1과 같이 컬러필터 어레이(CA)의 제6 영역(A6)에 컬러필터를 형성하는 경우, 제1 및 제2 얼라인 키들(AK1, AK2) 중에서 대각선 방향으로 위치하는 제1 얼라인 키(AK1_D)들과 제2 얼라인 키(AK2_D)들을 이용하여 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)를 정렬할 수 있다. 제7, 제14 및 제15 영역들(A6, A7, A14, A15)에 컬러필터들을 형성하는 경우에도 제1 및 제2 얼라인 키들(AK1, AK2) 중에서 대각선 방향으로 위치하는 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들을 이용하여 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)를 정렬할 수 있다.In order to properly align the color filter mother substrate MS and the color filter mask CM, it is preferable to arrange them using the first alignment keys and the second alignment keys in the diagonal direction. For example, when a color filter is formed in the sixth area A6 of the color filter array CA as shown in Fig. 1, the first and second alignment keys AK1 and AK2, which are located diagonally of the first and second alignment keys AK1 and AK2, The color filter mother substrate MS and the color filter mask CM can be aligned using the alignment keys AK1_D and the second alignment keys AK2_D. Even when the color filters are formed in the first, sixth, seventh, fourteenth and fifteenth regions A6, A7, A14, and A15, the first and second alignment areas AK1 and AK2, The color filter mother substrate MS and the color filter mask CM can be aligned using the keys and the second alignment keys.

하지만, 대화면 표시장치의 경우 더미 영역(DA)이 컬러필터 모기판(MS)의 테두리에만 존재하므로, 대각선 방향의 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들을 이용하여 정렬하지 못하고, 수직 방향의 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들만을 이용하여 정렬하는 경우가 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 1과 같이 컬러필터 어레이(CA)의 제11 영역(A11)에 컬러필터들을 형성하는 경우, 제1 및 제2 얼라인 키들(AK1, AK2) 중에서 수직 방향(y축 방향)으로 위치하는 제1 얼라인 키(AK1_V)들과 제2 얼라인 키(AK2_V)들을 이용하여 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)를 정렬할 수 있다. 제1 내지 제5, 제8 내지 제10, 제12, 제13, 및 제16 내지 제20 영역들(A1~A5, A8~A10, A12, A13, A16~A20)에 컬러필터들을 형성하는 경우에도 제1 및 제2 얼라인 키들(AK1, AK2) 중에서 수직 방향(y축 방향)으로 위치하는 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들만을 이용하여 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)를 정렬할 수 있다.However, in the case of the large-screen display device, since the dummy area DA exists only on the edge of the color filter mother substrate MS, it can not be aligned using the first and second alignment keys in the diagonal direction, There may arise a case where only the first alignment keys and the second alignment keys are used to align. For example, when the color filters are formed in the eleventh area A11 of the color filter array CA as shown in FIG. 1, the color filters in the vertical direction (y-axis direction) among the first and second alignment keys AK1 and AK2, The color filter mother substrate MS and the color filter mask CM can be aligned using the first alignment keys AK1_V and the second alignment keys AK2_V. When forming color filters in the first to fifth, eighth to tenth, twelfth, thirteenth, and sixteenth to twentieth regions A1 to A5, A8 to A10, A12, A13, A16 to A20 The color filter mother substrate MS and the color filter MA are formed using only the first alignment keys and the second alignment keys located in the vertical direction (y-axis direction) among the first and second alignment keys AK1 and AK2, The mask CM can be aligned.

결국, 대화면 표시장치의 경우 컬러필터 모기판(MS)과 컬러필터 마스크(CM)은 컬러필터 어레이(CA)의 영역에 따라 대각선 방향의 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들을 이용하여 정렬되거나 수직 방향(y축 방향)의 제1 얼라인 키들과 제2 얼라인 키들을 이용하여 정렬된다. 그러므로, 컬러필터들의 정렬 오차가 발생할 수 있으며, 이로 인해 컬러필터가 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 별도의 정렬 확인 키(alignment checking key, 또는 오버레이 키(overlay key)라고도 칭함)가 필요하다.
As a result, in the case of the large-screen display device, the color filter mother substrate MS and the color filter mask CM are aligned (aligned) using the first alignment keys in the diagonal direction and the second alignment keys in accordance with the area of the color filter array CA. Or aligned using first and second alignment keys in the vertical direction (y-axis direction). Therefore, there is a need for a separate alignment check key (also referred to as an overlay key) to determine whether an alignment error of the color filters has occurred and thus formed the color filter properly.

본 발명의 실시예는 컬러필터의 정렬 오차를 판단할 수 있는 정렬 확인 키를 표시영역에 형성함으로써 정렬 확인 키를 이용하여 컬러필터의 정렬 오차를 판단할 수 있는 표시장치를 제공한다.
An embodiment of the present invention provides a display device capable of determining an alignment error of a color filter using an alignment confirmation key by forming an alignment confirmation key in a display area capable of determining an alignment error of the color filter.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 개재된 액정층을 구비한다. 상기 하부 기판에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 상기 게이트 라인들과 데이터 라인들에 접속된 트랜지스터들과 상기 트랜지스터들에 접속된 화소 전극들을 포함하는 화소들을 포함하는 표시영역과 상기 표시영역의 주변의 비표시영역이 마련된다. 상기 하부 기판의 표시영역에는 제1 정렬 확인 키가 마련된다.
A display device according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the lower substrate and the upper substrate. Wherein the lower substrate includes a display region including pixels including gate lines, data lines, transistors connected to the gate lines and data lines, and pixel electrodes connected to the transistors, Is provided. A first alignment confirmation key is provided in a display area of the lower substrate.

본 발명의 실시예는 표시영역에 컬러필터 키를 포함하는 제1 정렬 확인 키를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 대화면 표시장치에서도 제1 정렬 확인 키를 이용하여 표시영역에서 컬러필터들이 제대로 형성되었는지를 확인할 수 있다.An embodiment of the present invention forms a first alignment confirmation key including a color filter key in a display area. As a result, the embodiment of the present invention can confirm whether the color filters are properly formed in the display area by using the first alignment confirmation key in the large-screen display device.

또한, 본 발명의 실시예는 화소의 비개구 영역에 제1 및 제2 정렬 확인 키들을 형성한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 및 제2 정렬 확인 키들로 인한 개구 영역의 손실이 없으므로, 제1 및 제2 정렬 확인 키들을 표시영역에 형성함에도 개구 영역 손실에 따른 휘도 저하가 발생하지 않는다.Also, embodiments of the present invention form first and second alignment confirmation keys in the non-aperture region of the pixel. As a result, in the embodiment of the present invention, since there is no loss of the aperture area due to the first and second alignment confirmation keys, even if the first and second alignment confirmation keys are formed in the display area, Do not.

또한, 본 발명의 실시예는 화소 전극들 사이에 복수의 게이트 라인들과 복수의 공통 라인들을 배치한다. 이 경우, 본 발명의 실시예는 복수의 게이트 라인들과 복수의 공통 라인들이 형성된 영역에 제1 및 제2 정렬 확인 키들을 형성할 수 있으므로, 화소 전극들 사이에 하나의 게이트 라인을 배치하는 경우보다 개구 영역의 폭을 넓힐 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention places a plurality of gate lines and a plurality of common lines between pixel electrodes. In this case, since the first and second alignment confirmation keys can be formed in the region where the plurality of gate lines and the plurality of common lines are formed, the embodiment of the present invention is effective in the case of arranging one gate line between the pixel electrodes The width of the opening region can be widened.

나아가, 본 발명의 실시예는 제1 정렬 확인 키들을 비표시영역에 형성함으로써, 표시영역에서 노출 홀이 형성된 영역과 노출 홀이 형성되지 않은 영역 사이에서 러빙 포가 느끼는 마찰력의 차이를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 표시영역에서 노출 홀이 형성된 영역과 노출 홀이 형성되지 않은 영역에서 배향 차이가 발생하는 것을 줄일 수 있으며, 그 결과 러빙 방향을 따라 소정의 라인이 시인되는 문제를 방지할 수 있다.
Furthermore, by forming the first alignment confirmation keys in the non-display area, the difference in friction force felt by the rubbing cloth between the area where the exposure hole is formed in the display area and the area where the exposure hole is not formed can be reduced. Therefore, in the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the occurrence of orientation difference in the region where the exposure hole is formed in the display region and the region where the exposure hole is not formed, and as a result, the problem that a predetermined line is visually recognized along the rubbing direction is prevented can do.

도 1은 대화면 표시장치의 경우 컬러필터 어레이를 형성하기 위한 컬러필터 마스크와 컬러필터 모기판을 보여주는 일 예시도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 평면도.
도 3a 및 도 3b는 컬러필터가 박막 트랜지스터 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 블랙 컬럼 스페이서 기판을 상세히 보여주는 평면도들.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 하부 기판의 표시 영역을 보여주는 예시도면.
도 5는 제1 및 제2 정렬 확인 키들이 마련되지 않은 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도.
도 6은 도 5의 I-I'와 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도.
도 7은 제1 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도.
도 8는 도 7의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도.
도 9는 제2 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도.
도 10은 도 9의 Ⅴ-Ⅴ'와 Ⅵ-Ⅵ'의 단면도.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하부 기판의 표시 영역을 보여주는 예시도면.
도 12a 및 도 12b는 컬러필터가 컬러필터 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판을 상세히 보여주는 평면도들.
도 13은 제1 및 제2 정렬 확인 키들이 마련되지 않은 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도.
도 14는 도 13의 Ⅶ-Ⅶ'와 Ⅷ-Ⅷ'의 단면도.
도 15는 제1 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도.
도 16은 도 15의 Ⅸ-Ⅸ'와 Ⅹ-Ⅹ'의 단면도.
도 17은 제2 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도.
도 18은 도 17의 ⅰ-ⅰ'와 ⅱ-ⅱ'의 단면도.
도 19a 및 도 19b는 컬러필터가 박막 트랜지스터 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 블랙 컬럼 스페이서 기판을 상세히 보여주는 또 다른 평면도들.
1 is an exemplary view showing a color filter mask and a color filter mother board for forming a color filter array in case of a large-screen display apparatus.
2 is a plan view showing a display device according to an embodiment of the present invention;
FIGS. 3A and 3B are plan views showing the thin film transistor substrate and the black column spacer substrate in detail, when the color filter is formed on the thin film transistor substrate. FIG.
4 is an exemplary view showing a display region of a lower substrate according to an embodiment of the present invention;
5 is a plan view showing a first embodiment of a pixel in which first and second alignment confirmation keys are not provided;
6 is a cross-sectional view of I-I 'and II-II' of FIG. 5;
7 is a plan view showing a first embodiment of a pixel provided with a first alignment confirmation key;
8 is a sectional view of III-III 'and IV-IV' of FIG. 7;
9 is a plan view showing a first embodiment of a pixel provided with a second alignment confirmation key;
10 is a sectional view of V-V 'and VI-VI' of FIG. 9;
11 is an exemplary view showing a display region of a lower substrate according to another embodiment of the present invention.
12A and 12B are plan views showing the thin film transistor substrate and the color filter substrate in detail when the color filter is formed on the color filter substrate.
13 is a plan view showing a second embodiment of a pixel in which first and second alignment confirmation keys are not provided;
14 is a sectional view of VII-VII 'and VIII-VIII' of FIG. 13;
15 is a plan view showing a second embodiment of a pixel provided with a first alignment confirmation key;
16 is a sectional view of IX-IX 'and X-X' of Fig. 15;
17 is a plan view showing a second embodiment of a pixel provided with a second alignment confirmation key;
18 is a cross-sectional view of i-i 'and ii-ii' in Fig. 17;
19A and 19B are another plan views showing the thin film transistor substrate and the black column spacer substrate in detail when the color filter is formed on the thin film transistor substrate.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The terms "X-axis direction "," Y-axis direction ", and "Z-axis direction" should not be construed solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having directionality.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 평면도이다. 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display)인 것을 중심으로 설명하였으나, 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 또는 전기영동 표시장치(Electrophoresis display)로도 구현될 수 있다.2 is a plan view showing a display device according to an embodiment of the present invention. Although the display device according to the exemplary embodiment of the present invention is a liquid crystal display (LCD), the organic light emitting display device, the field emission display device, or the electrophoretic display device Device (Electrophoresis display).

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 게이트 구동부(20), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(30), 연성필름(40), 회로보드(50), 및 타이밍 제어부(60)를 포함한다.2, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10, a gate driver 20, a source driver IC (integrated circuit) 30, a flexible film 40, a circuit board 50, and a timing controller 60.

표시패널(10)은 하부 기판(11), 상부 기판(12), 하부 기판(11)과 상부 기판(12) 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 하부 기판(11)은 박막 트랜지스터들이 마련되는 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다. 상부 기판(12)은 블랙 매트릭스와 컬러필터들이 마련되는 컬러필터 어레이 기판일 수 있다. 또는, 컬러필터들은 COT(colorfilter on tft array) 방식으로 하부 기판(11)에 형성될 수 있다. 도 3a 및 도 3b, 도 5 내지 도 11, 도 19a 및 도 19b에서는 컬러필터들이 COT 방식으로 하부 기판(11)에 형성된 것을 예시하였다. 도 12a 및 도 12b, 도 13 내지 도 18, 도 20a 및 도 20b에서는 상부 기판(12)이 컬러필터 어레이 기판인 것을 예시하였다.The display panel 10 includes a lower substrate 11, an upper substrate 12, and a liquid crystal layer interposed between the lower substrate 11 and the upper substrate 12. The lower substrate 11 may be a thin film transistor array substrate provided with thin film transistors. The upper substrate 12 may be a color filter array substrate provided with a black matrix and color filters. Alternatively, the color filters may be formed on the lower substrate 11 in a COT (colorfilter on tft array) method. In FIGS. 3A and 3B, FIGS. 5 to 11, 19A and 19B, color filters are formed on the lower substrate 11 by the COT method. 12A and 12B, 13 to 18, 20A and 20B, the upper substrate 12 is a color filter array substrate.

표시패널(10)의 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 영역들에 배치되는 화소들이 형성된다. 표시영역(DA)은 화소들로 인하여 화상을 표시할 수 있다.In the display area DA of the display panel 10, pixels arranged in the intersecting regions of the gate lines, the data lines, the gate lines and the data lines are formed. The display area DA can display an image due to the pixels.

표시영역(DA)의 화소들 각각은 박막 트랜지스터, 화소 전극, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는 게이트 라인의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 화소전극에 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각은 화소 전극에 공급된 데이터 전압과 공통 전극에 공급된 공통 전압의 전위차에 의해 발생되는 전계에 의해 액정층의 액정을 구동하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛의 투과량을 조정할 수 있다. 공통 전극은 공통 라인으로부터 공통전압을 공급받는다. 또한, 스토리지 커패시터는 화소 전극과 공통 전극 사이에 마련되어 화소 전극과 공통 전극 간의 전압차를 일정하게 유지한다. 화소들에 대한 자세한 설명은 도 5 내지 도 11 및 도 13 내지 도 18을 결부하여 후술한다.Each of the pixels of the display area DA may include a thin film transistor, a pixel electrode, and a storage capacitor. The thin film transistor supplies the data voltage of the data line to the pixel electrode in response to the gate signal of the gate line. Thus, each of the pixels drives the liquid crystal layer of the liquid crystal layer by the electric field generated by the potential difference between the data voltage supplied to the pixel electrode and the common voltage supplied to the common electrode, thereby adjusting the amount of light transmitted from the backlight unit . The common electrode receives a common voltage from the common line. The storage capacitor is provided between the pixel electrode and the common electrode to maintain a constant voltage difference between the pixel electrode and the common electrode. A detailed description of the pixels will be given later by referring to Figs. 5 to 11 and Fig. 13 to Fig.

게이트 구동부(20)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 도 2에서는 게이트 구동부(20)가 표시패널(10)의 표시영역(DA)의 일 측 바깥쪽에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 게이트 구동부(20)는 표시패널(10)의 표시영역(DA)의 양 측 바깥쪽에 GIP 방식으로 형성될 수도 있고, 또는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(10)에 부착될 수도 있다.The gate driver 20 supplies gate signals to the gate lines according to a gate control signal input from the timing controller 60. 2, the gate driver 20 is formed on the outside of one side of the display area DA of the display panel 10 in a gate driver in panel (GIP) manner, but the present invention is not limited thereto. That is, the gate driver 20 may be formed on the outside of both sides of the display area DA of the display panel 10 by a GIP method, or may be formed of a driving chip, mounted on a flexible film, As shown in Fig.

소스 드라이브 IC(30)는 타이밍 제어부(60)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(30)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(30)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(40)에 실장될 수 있다.The source drive IC 30 receives the digital video data and the source control signal from the timing control unit 60. The source driver IC 30 converts the digital video data into analog data voltages according to the source control signal and supplies the analog data voltages to the data lines. When the source drive IC 30 is fabricated from a drive chip, it can be mounted on the flexible film 40 in a COF (chip on film) or COP (chip on plastic) manner.

하부 기판(11)의 크기는 상부 기판(12)의 크기보다 크며, 이로 인해 하부 기판(11)의 상면 일부는 노출된다. 하부 기판(11)의 노출된 상면 일부에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 마련된다. 연성필름(40)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(30)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(50)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(40)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(40)의 배선들이 연결될 수 있다.The size of the lower substrate 11 is larger than that of the upper substrate 12, thereby exposing a part of the upper surface of the lower substrate 11. Pads, such as data pads, are provided on a part of the exposed upper surface of the lower substrate 11. Wires connecting the pads to the source drive IC 30 and wirings connecting the pads and the wirings of the circuit board 50 may be formed in the flexible film 40. The flexible film 40 is attached on the pads using an anisotropic conducting film, whereby the pads and the wirings of the flexible film 40 can be connected.

회로보드(50)는 연성필름(40)들에 부착될 수 있다. 회로보드(50)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(50)에는 타이밍 제어부(60)가 실장될 수 있다. 회로보드(50)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 50 may be attached to the flexible films 40. [ The circuit board 50 may be implemented with a plurality of circuits implemented with driving chips. For example, the timing control section 60 may be mounted on the circuit board 50. The circuit board 50 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

타이밍 제어부(60)는 외부의 시스템 보드(미도시)로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(60)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(30)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(60)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(30)들에 공급한다.The timing control unit 60 receives digital video data and a timing signal from an external system board (not shown). The timing control unit 60 generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driving unit 20 and a source control signal for controlling the source drive ICs 30 based on the timing signal. The timing controller 60 supplies a gate control signal to the gate driver and a source control signal to the source driver ICs 30.

표시장치가 액정표시장치로 구현되는 경우, 표시장치는 백라이트 유닛을 더 포함한다. 백라이트 유닛은 표시패널(10)에 빛을 조사하기 위해 표시패널(10)의 아래에 배치될 수 있다. 백라이트 유닛은 직하형(direct type) 또는 에지형(edge type)으로 구현될 수 있다.
When the display device is implemented as a liquid crystal display device, the display device further includes a backlight unit. The backlight unit may be disposed under the display panel 10 to illuminate the display panel 10 with light. The backlight unit may be implemented as a direct type or an edge type.

도 3a 및 도 3b는 컬러필터가 하부 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 블랙 컬럼 스페이서 기판을 상세히 보여주는 평면도들이다.3A and 3B are plan views showing the thin film transistor substrate and the black column spacer substrate in detail when the color filter is formed on the lower substrate.

도 3a 및 도 3b에서는 하부 기판이 컬러필터들이 형성되는 박막 트랜지스터 기판이고, 상부 기판이 블랙 컬럼 스페이서 기판인 것을 예시하였다. 도 3a 및 도 3b에는 설명의 편의를 위해 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 제1 정렬 확인 키(ACK1)들, 및 제2 정렬 확인 키(ACK2)들만을 도시하였다.3A and 3B illustrate that the lower substrate is a thin film transistor substrate in which color filters are formed and the upper substrate is a black column spacer substrate. 3A and 3B show only the display area DA, the non-display area NDA, the first alignment confirmation keys ACK1, and the second alignment confirmation keys ACK2 for convenience of explanation.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 하부 기판(11)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이고, 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 주변 영역으로 화상을 표시하지 않는 영역이다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the lower substrate 11 includes a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area where pixels are formed to display an image, and the non-display area NDA is an area that does not display an image in the peripheral area of the display area DA.

하부 기판(11)의 표시영역(DA)에 제1 정렬 확인 키(ACK1)들이 형성된다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 컬러필터가 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 키들이다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 업계에서 오버레이 키(overlay key)라고 칭한다.First alignment confirmation keys (ACK1) are formed in the display area (DA) of the lower substrate (11). The first sorting confirmation keys ACK1 are keys for judging whether or not the color filter is properly aligned. The first sort acknowledgment keys (ACK1) are referred to in the art as overlay keys.

구체적으로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)에 형성된 컬러필터 키(CFK)의 위치를 확인하여 컬러필터가 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단한다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 도 4 및 도 11과 같이 공통 라인 또는 게이트 라인에 의해 형성된 노출 홀(EH)과 노출 홀(EH) 내에 형성되는 컬러필터 키(CFK)를 포함한다. 노출 홀(EH)은 도 4와 같이 공통 라인 또는 게이트 라인에 의해 둘러싸여 있을 수 있다. 컬러필터 키(CKF)는 컬러필터와 동일한 물질로 형성된다.Specifically, the position of the color filter key CFK formed on the first alignment confirmation key ACK1 is checked to determine whether the color filter is properly aligned. The first alignment confirmation key ACK1 includes an exposure hole EH formed by a common line or a gate line and a color filter key CFK formed in the exposure hole EH as shown in Figs. The exposure hole EH may be surrounded by a common line or a gate line as shown in Fig. The color filter key (CKF) is formed of the same material as the color filter.

컬러필터의 정렬은 노출 홀(EH) 내에서 컬러필터 키(CFK)가 어디에 형성되었는지에 따라 판단할 수 있다. 예를 들어, 컬러필터 키(CFK)는 노출 홀(EH)의 중앙에 형성되도록 설계될 수 있으며, 광학 현미경과 같은 장비를 이용하여 컬러필터 키(CFK)가 노출 홀(EH)의 중앙으로부터 얼마나 벗어났는지를 판단함으로써 컬러필터가 제대로 정렬되었는지를 판단할 수 있다.The alignment of the color filters can be determined depending on where the color filter key CFK is formed in the exposure hole EH. For example, the color filter key CFK may be designed to be formed at the center of the exposure hole EH, and the color filter key CFK may be formed from the center of the exposure hole EH using an optical microscope- It is possible to judge whether or not the color filter is properly aligned.

또한, 상부 기판(12)의 표시영역(DA)에 제2 정렬 확인 키(ACK2)들이 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)들은 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 키들이다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)들은 업계에서 TP 키(TP key)라고 칭한다.In addition, second alignment confirmation keys ACK2 are formed in the display area DA of the upper substrate 12. The second alignment confirmation keys ACK2 are keys for determining whether the black column spacers are properly aligned. The second sort acknowledgment keys ACK2 are referred to in the industry as TP keys.

구체적으로, 제2 정렬 확인 키(ACK2)들 간의 거리를 측정하여 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단한다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서와 동일한 물질로 형성된다. 도 4 및 도 11에서는 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 "+" 형태로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다.Specifically, the distance between the second alignment confirmation keys ACK2 is measured to determine whether the black column spacers are properly aligned. The second alignment confirmation key (ACK2) is formed for the purpose of determining whether the black column spacers are properly aligned and formed of the same material as the black column spacer. In Figs. 4 and 11, the second alignment confirmation key ACK2 is formed in the "+" shape, but the present invention is not limited thereto.

한편, 발명의 배경이 되는 기술에서 살펴보았듯이 대화면 표시장치에서는 컬러필터의 정렬 오차 확인이 중요하다. 본 발명의 실시예는 하부 기판(11)의 표시영역(DA)에 컬러필터 키(CFK)를 포함하는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 대화면 표시장치에서도 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 이용하여 표시영역(DA)에서 컬러필터들이 제대로 형성되었는지를 확인할 수 있다.
On the other hand, as described in the background of the invention, it is important to check the alignment error of the color filter in the large screen display device. The embodiment of the present invention forms the first alignment confirmation key ACK1 including the color filter key CFK in the display area DA of the lower substrate 11. [ As a result, the embodiment of the present invention can confirm whether the color filters are properly formed in the display area DA by using the first alignment confirmation key ACK1 in the large-screen display device.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 하부 기판의 표시 영역을 보여주는 예시도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시영역(DA)에는 게이트 라인들(GLn, GLn+1), 데이터 라인들(DLm~DLm+2), 공통 라인들(CLn, CLn+1), 및 박막 트랜지스터(T)와 화소 전극(PE)을 각각 포함하는 화소(P)들이 형성된다.
4 is an exemplary view showing a display region of a lower substrate according to an embodiment of the present invention. 4, gate lines GLn and GLn + 1, data lines DLm to DLm + 2, and common lines CLn and CLn + 1 are provided in a display area DA according to an embodiment of the present invention. And the pixels P each including the thin film transistor T and the pixel electrode PE are formed.

*화소(P)들 각각은 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)를 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)이 형성되며, 비개구 영역(NOA)에는 박막 트랜지스터(T)가 형성된다.Each of the pixels P includes an opening region OA and a non-opening region NOA. A pixel electrode PE is formed in the opening region OA and a thin film transistor T is formed in the non-opening region NOA.

게이트 라인들(GLn, GLn+1)과 데이터 라인들(DLm~DLm+2)은 서로 교차되게 형성된다. 게이트 라인들(GLn, GLn+1)과 공통 라인들(CLn, CLn+1)은 서로 나란하게 형성된다. 즉, 게이트 라인들(GLn, GLn+1)과 공통 라인들(CLn, CLn+1)은 수평 방향(x축 방향)으로 형성되고, 데이터 라인들(DLm~DLm+2)은 수직 방향(y축 방향)으로 형성될 수 있다.The gate lines GLn and GLn + 1 and the data lines DLm to DLm + 2 are formed to intersect with each other. The gate lines GLn and GLn + 1 and the common lines CLn and CLn + 1 are formed in parallel with each other. That is, the gate lines GLn and GLn + 1 and the common lines CLn and CLn + 1 are formed in the horizontal direction (x axis direction) and the data lines DLm to DLm + 2 are formed in the vertical direction y Axis direction).

박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인의 일부인 게이트 전극, 반도체층, 데이터 라인으로부터 연장된 소스 전극, 및 화소 전극(PE)에 접속된 드레인 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인에 게이트 신호가 공급되는 경우 턴-온되며, 이 경우 데이터 라인의 데이터 전압은 소스 전극, 반도체층, 드레인 전극을 경유하여 화소 전극(PE)에 공급될 수 있다.The thin film transistor T includes a gate electrode which is a part of the gate line, a semiconductor layer, a source electrode extending from the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode PE. The thin film transistor T is turned on when a gate signal is supplied to the gate line. In this case, the data voltage of the data line may be supplied to the pixel electrode PE via the source electrode, the semiconductor layer, and the drain electrode.

화소 전극(PE)들 각각은 화소 전극의 아래에 배치된 게이트 라인(GLn)에 접속된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극에 접속된다. 따라서, 수직 방향(y축 방향)으로 화소 전극(PE), 제n 공통 라인(CLn), 제n 게이트 라인(GLn), 화소 전극(PE), 제n+1 공통 라인(CLn+1), 및 제n+1 게이트 라인(GLn+1)이 순서대로 배치된다.Each of the pixel electrodes PE is connected to the drain electrode of the thin film transistor T connected to the gate line GLn disposed below the pixel electrode. Therefore, the pixel electrode PE, the nth common line CLn, the nth gate line GLn, the pixel electrode PE, the (n + 1) th common line CLn + 1, And the (n + 1) th gate line GLn + 1 are arranged in this order.

제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)은 표시영역(DA)의 개구 영역(OA) 손실을 최소화하기 위해 비개구 영역(NOA)에 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 도 4와 같이 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 비개구 영역(NOA)에서 게이트 라인(GLn)과 공통 라인(CLn)이 배치되는 영역에 형성될 수 있고, 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 게이트 라인(GLn+1)이 배치되는 영역에 형성될 수 있다.It is preferable that the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are formed in the non-aperture area NOA in order to minimize the loss of the aperture area OA of the display area DA. 4, the first alignment confirmation key ACK1 may be formed in a region where the gate line GLn and the common line CLn are disposed in the non-opening region NOA, and the second alignment confirmation key ACK1 ACK2 may be formed in a region where the gate line GLn + 1 is disposed.

이 경우, 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 도 4와 같이 공통 라인(CLn)에 의해 둘러싸인 노출 홀(EH) 및 노출 홀(EH) 내에 형성된 컬러필터 키(CFK)를 포함할 수 있다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 도 4와 같이 게이트 라인상에 형성될 수 있다.In this case, the first alignment confirmation key ACK1 may include an exposure hole EH surrounded by the common line CLn and a color filter key CFK formed in the exposure hole EH as shown in FIG. A second alignment confirmation key ACK2 may be formed on the gate line as shown in FIG.

한편, 공통 라인(CLn)과 게이트 라인(GLn)은 불투명물질이며 비개구 영역(NOA)의 대부분을 차지하므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)은 공통 라인(CLn) 또는 게이트 라인(GLn)을 패터닝하여 노출시키는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)은 공통 라인(CLn) 또는 게이트 라인(GLn)에 의해 둘러싸이게 된다.Since the common line CLn and the gate line GLn are opaque and occupy most of the non-aperture area NOA, the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 is the common line CLn or It is preferable to expose the gate line GLn by patterning. Therefore, the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 is surrounded by the common line CLn or the gate line GLn.

이상에서 살펴본 바와 같이, 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)은 표시영역(DA)의 개구 영역(OA) 손실을 최소화하기 위해 화소(P)의 비개구 영역(NOA)에 형성되는 것이 바람직하다. 이하에서는 도 5 내지 도 10을 결부하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)이 형성되지 않은 화소, 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 형성된 화소, 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된 화소에 대하여 상세히 설명한다.
As described above, the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are formed in the non-aperture area NOA of the pixel P to minimize the loss of the aperture area OA of the display area DA . Hereinafter, a pixel in which the first and second alignment confirmation keys (ACK1 and ACK2) are not formed, the pixel in which the first alignment confirmation key (ACK1) is formed according to the first embodiment of the present invention, The pixel on which the second alignment confirmation key ACK2 is formed will be described in detail.

도 5는 제1 및 제2 정렬 확인 키들이 마련되지 않은 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 6은 도 5의 I-I'와 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.5 is a plan view showing a first embodiment of a pixel in which first and second alignment confirmation keys are not provided. 6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'and II-II' in FIG.

도 5 및 도 6을 결부하여 제1 및 제2 정렬 확인 키들이 마련되지 않은 화소를 상세히 설명한다.5 and 6, the pixel in which the first and second alignment confirmation keys are not provided will be described in detail.

도 5 및 도 6에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.5 and 6 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an in-plane switching (IPS) mode. However, the present invention is not limited to this, and a horizontal electric field in an FFS (frndge field switching) Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)에는 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 및 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다.First, referring to FIG. 5, a pixel P according to the first embodiment of the present invention includes an opening area OA and a non-opening area NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. A thin film transistor T, a storage capacitor Cst, a gate line GL, a common line CL, and a black column spacer BCS are formed in the non-aperture region NOA.

개구 영역(OA)에는 하나의 컬러필터가 형성되고, 비개구 영역(OA)에는 복수의 컬러필터들이 형성된다. 하나의 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 적색, 녹색 및 청색 컬러필터들을 포함하는 것을 예시하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 복수의 컬러필터들은 비개구 영역(OA)을 가리도록 형성된다. 적색 컬러필터(RC)와 청색 컬러필터(BC)를 적층하는 경우 외부광의 대부분을 차단할 수 있으므로, 적색 컬러필터(RC)와 청색 컬러필터(BC)는 블랙 매트릭스와 같은 역할을 할 수 있다. 한편, 복수의 컬러필터들이 도 6과 같이 적색 컬러필터(RC)와 청색 컬러필터(BC)를 포함하는 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다.One color filter is formed in the aperture area OA and a plurality of color filters are formed in the non-aperture area OA. One color filter may be any one of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter. Although embodiments of the present invention include red, green, and blue color filters, the present invention is not limited thereto. A plurality of color filters are formed so as to cover the non-aperture area (OA). The red color filter RC and the blue color filter BC can act like a black matrix because the external light can be blocked most of the time when the red color filter RC and the blue color filter BC are laminated. On the other hand, it is preferable that a plurality of color filters include a red color filter (RC) and a blue color filter (BC) as shown in FIG. 6, but it is not limited thereto.

게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차되도록 형성된다. 공통 라인(CL)은 게이트 라인(GL)과 개구 영역(OA) 사이에서 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성될 수 있다.The gate line GL and the data line DL are formed so as to intersect with each other. The common line CL may be formed in parallel with the gate line GL between the gate line GL and the opening region OA.

박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차부에 인접하게 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(GL)의 일부인 게이트 전극(GE), 반도체층(SM), 데이터 라인(DL)으로부터 연장된 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 드레인 전극(DE)은 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 화소 전극(PE)과 접속된다. 따라서, 게이트 라인(GL)에 게이트 신호가 인가되는 경우 데이터 라인(DL)의 데이터 전압은 화소 전극(PE)에 공급될 수 있다.The thin film transistor T may be formed adjacent to the intersection of the gate line GL and the data line DL. The thin film transistor T includes a gate electrode GE which is a part of the gate line GL, a semiconductor layer SM, a source electrode SE extending from the data line DL and a drain electrode DE. And the drain electrode DE is connected to the pixel electrode PE through the first contact hole CNT1. Therefore, when a gate signal is applied to the gate line GL, the data voltage of the data line DL can be supplied to the pixel electrode PE.

드레인 전극(DE)은 공통 라인(CL) 상에 형성될 수 있으며, 이로 인해 드레인 전극(DE) 및 드레인 전극(DE)과 중첩되는 공통 라인(CL)은 스토리지 커패시터(Cst)로 역할을 한다.The drain electrode DE may be formed on the common line CL so that the common line CL overlapping the drain electrode DE and the drain electrode DE serves as the storage capacitor Cst.

공통 라인(CL)은 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 공통 전극(CE)과 접속된다. 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)은 개구 영역(OA)에서 슬릿 형태로 형성될 수 있다. 화소 전극(PE)의 슬릿(slp)들 사이에는 공통 전극(CE)의 슬릿(slc)이 형성될 수 있다. 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)은 동일한 평면 상에서 동일한 금속물질로 형성될 수 있다. 이로 인해, 화소 전극(PE)의 슬릿(slp)들과 공통 전극(CE)의 슬릿(slc)들 사이에는 수평 전계가 형성될 수 있다.The common line CL is connected to the common electrode CE through the second contact hole CNT2. The pixel electrode PE and the common electrode CE may be formed in a slit shape in the opening region OA. A slit slc of the common electrode CE may be formed between the slits slp of the pixel electrode PE. The pixel electrode PE and the common electrode CE may be formed of the same metal material on the same plane. A horizontal electric field may be formed between the slits slp of the pixel electrode PE and the slits slc of the common electrode CE.

데이터 라인(DL)과 인접하게 형성된 화소 전극(PE)의 슬릿(slp)은 데이터 라인(DL)의 전압 변화에 의해 영향을 받을 수 있다. 데이터 라인(DL)의 전압 변화에 의해 화소 전극(PE)의 슬릿(slp)이 영향을 받는 것을 줄이기 위해 공통 라인(CL)으로부터 연장된 전계 차단층(EB)이 데이터 라인(DL)과 화소 전극(PE)의 슬릿(slp) 사이에 형성될 수 있다.The slit slp of the pixel electrode PE formed adjacent to the data line DL may be affected by the voltage change of the data line DL. The electric field barrier layer EB extending from the common line CL is formed between the data line DL and the pixel electrode PE in order to reduce the influence of the slit slp of the pixel electrode PE by the voltage change of the data line DL. May be formed between the slits (slp) of the substrate (PE).

블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 액정층(LC)의 셀 갭을 유지하기 위해 비개구 영역(NOA)에 형성될 수 있다. 도 5에서는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 비개구 영역(NOA)의 게이트 라인(GL) 상에 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 컬럼 스페이서(BCS)의 역할 뿐만 아니라, 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 가리기 위한 역할을 하므로, 광을 차단할 수 있는 물질로 구현되는 것이 바람직하다. 이에 대한 자세한 설명은 도 7 및 도 8을 결부하여 후술한다.A black column spacer (BCS) may be formed in the non-aperture region NOA to maintain the cell gap of the liquid crystal layer LC. In FIG. 5, a black column spacer (BCS) is formed on the gate line GL of the non-opening region NOA. However, the present invention is not limited thereto. The black column spacer BCS serves not only to serve as a column spacer (BCS) but also to cover the first alignment confirmation key ACK1, so that the black column spacer BCS is preferably formed of a material capable of blocking light. A detailed description thereof will be given later with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

이하에서는 도 6을 결부하여 화소(P)의 비개구 영역(OA)의 단면을 상세히 설명한다.Hereinafter, the cross section of the non-aperture region OA of the pixel P will be described in detail with reference to FIG.

하부 기판(11) 상에는 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 및 공통 라인(CL)을 포함하는 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.On the lower substrate 11, a gate metal layer including a gate line GL, a gate electrode GE, and a common line CL is formed. The gate metal layer may be formed of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), copper (Cu), and chromium (Cr) or an alloy thereof.

게이트 금속층상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film (GI) is formed on the gate metal layer. A gate insulating film (GI) may be formed of a composite film of a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) is formed as a single film or a silicon oxide (SiO 2) and silicon nitride (SiNx) of.

게이트 절연막(GI)상에는 반도체층(SM)이 형성된다. 반도체층(SM)은 게이트 전극(GI)과 중첩되게 형성된다. 반도체층(SM)상에는 반도체층(SM)의 일측에 접속되는 소스 전극(SE)과 타측에 접속되는 드레인 전극(DE)을 포함하는 소스/드레인 금속층이 형성된다. 소스/드레인 금속층은 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer SM is formed on the gate insulating film GI. The semiconductor layer SM is formed so as to overlap with the gate electrode GI. A source / drain metal layer including a source electrode SE connected to one side of the semiconductor layer SM and a drain electrode DE connected to the other side is formed on the semiconductor layer SM. The source / drain metal layer may be formed of molybdenum (Mo) and molybdenum alloy.

반도체층(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)상에는 보호막(PAS)이 형성된다. 컬러필터가 하부 기판(11)에 형성되는 경우, 컬러필터가 보호막(PAS)상에 형성될 수 있다. 개구 영역(OA)에는 하나의 컬러필터가 형성되는데 비해, 비개구 영역(NOA)에는 복수의 컬러필터들이 형성된다. 예를 들어, 도 6과 같이 비개구 영역(NOA)에는 보호막(PAS)상에 적색 컬러필터(RC)가 형성되고, 적색 컬러필터(RC)상에 청색 컬러필터(BC)가 형성될 수 있다. 복수의 컬러필터들(RC, BC)상에는 포토 아크릴(photo acryl, PAC)이 형성될 수 있다.A protective film PAS is formed on the semiconductor layer SM, the source electrode SE, and the drain electrode DE. When a color filter is formed on the lower substrate 11, a color filter may be formed on the protective film PAS. One color filter is formed in the opening area OA, whereas a plurality of color filters are formed in the non-opening area NOA. For example, as shown in Fig. 6, a red color filter RC may be formed on the protective film PAS and a blue color filter BC may be formed on the red color filter RC in the non-aperture region NOA . A photo acryl (PAC) may be formed on the plurality of color filters (RC, BC).

포토 아크릴(PAC)상에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성될 수 있다. 보호막(PAS), 복수의 컬러필터들(RC, BC), 및 포토 아크릴(PAC)을 관통하여 드레인 전극(DE)을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1)이 형성될 수 있다. 화소 전극(PE)은 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 드레인 전극(DE)과 접속될 수 있다. 게이트 절연막(GI), 보호막(PAS), 복수의 컬러필터들(RC, BC), 및 포토 아크릴(PAC)을 관통하여 공통 라인(CL)을 노출시키는 제2 콘택홀(CNT2)이 형성될 수 있다. 공통 전극(CE)은 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 공통 라인(CL)과 접속될 수 있다.A pixel electrode PE and a common electrode CE may be formed on the photoacetal (PAC). A first contact hole CNT1 may be formed to expose the drain electrode DE through the passivation film PAS, the plurality of color filters RC and BC and the photoacryl PAC. The pixel electrode PE may be connected to the drain electrode DE through the first contact hole CNT1. A second contact hole CNT2 may be formed to expose the common line CL through the gate insulating film GI, the protective film PAS, the plurality of color filters RC and BC and the photoacryl PAC have. The common electrode CE may be connected to the common line CL through the second contact hole CNT2.

포토 아크릴(PAC), 화소 전극(PE), 및 공통 전극(CE) 상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다.A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the photoacid (PAC), the pixel electrode (PE), and the common electrode (CE).

상부 기판(12)상에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 비개구영역(NOA)에 형성될 수 있다. 상부 기판(12)과 블랙 컬럼 스페이서(BCS)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다. 하부 기판(11)의 폴리이미드막(PI)과 상부 기판(12)의 폴리이미드막(PI) 사이에는 액정층(LC)이 개재된다.
On the upper substrate 12, a black column spacer (BCS) is formed. A black column spacer (BCS) may be formed in the non-opening region NOA. A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the upper substrate 12 and the black column spacer (BCS). A liquid crystal layer LC is interposed between the polyimide film PI of the lower substrate 11 and the polyimide film PI of the upper substrate 12. [

도 7은 제1 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 8은 도 7의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도이다.7 is a plan view showing a first embodiment of a pixel provided with a first alignment confirmation key. 8 is a cross-sectional view of III-III 'and IV-IV' of FIG.

도 7 및 도 8을 결부하여 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 마련된 화소(P)를 상세히 설명한다.7 and 8, the pixel P provided with the first alignment confirmation key ACK1 will be described in detail.

도 7 및 도 8에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.7 and 8 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an in-plane switching (IPS) mode for the sake of convenience of explanation. However, the present invention is not limited to this, Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)에는 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 블랙 컬럼 스페이서(BCS), 및 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 형성된다.First, referring to FIG. 7, a pixel P according to the first embodiment of the present invention includes an opening region OA and a non-opening region NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. The thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the gate line GL, the common line CL, the black column spacer BCS and the first alignment confirmation key ACK1 are formed in the non-aperture region NOA .

박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 및 전계 차단층(EB)은 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.The thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the pixel electrode PE, the common electrode CE and the electric field barrier layer EB are substantially the same as those described with reference to FIG. 5, It is omitted.

개구 영역(OA)에는 하나의 컬러필터가 형성되고, 비개구 영역(OA)에는 복수의 컬러필터들이 형성된다. 하나의 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다. 복수의 컬러필터들은 비개구 영역(OA)을 가리도록 형성된다. 적색 컬러필터(RC)와 청색 컬러필터(BC)를 적층하는 경우 외부광의 대부분을 차단할 수 있으므로, 복수의 컬러필터들은 도 8과 같이 적색 컬러필터(RC)와 청색 컬러필터(BC)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.One color filter is formed in the aperture area OA and a plurality of color filters are formed in the non-aperture area OA. One color filter may be any one of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter. A plurality of color filters are formed so as to cover the non-aperture area (OA). A plurality of color filters may include a red color filter (RC) and a blue color filter (BC) as shown in FIG. 8, since the majority of the external light can be blocked when the red color filter RC and the blue color filter BC are laminated But is not limited thereto.

게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차되도록 형성된다. 공통 라인(CL)은 게이트 라인(GL)과 개구 영역(OA) 사이에서 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성될 수 있다.The gate line GL and the data line DL are formed so as to intersect with each other. The common line CL may be formed in parallel with the gate line GL between the gate line GL and the opening region OA.

제1 정렬 확인 키(ACK1)는 비개구 영역(NOA)에 형성된다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 복수의 컬러필터들(RC, BC) 및 공통 라인(CL)과 같은 불투명 물질로 둘러싸여 투명하게 노출되는 노출 홀(EH)과 노출 홀(EH) 내에 형성되는 컬러필터 키(CFK)를 포함한다. 도 7 및 도 8에서는 노출 홀(EH)이 복수의 컬러필터들(RC, BC) 및 공통 라인(CL)에 둘러싸인 홀인 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 노출 홀(EH)은 복수의 컬러필터들(RC, BC) 및 게이트 라인(GL)에 둘러싸인 홀 일 수 있다.The first alignment confirmation key ACK1 is formed in the non-aperture area NOA. The first alignment confirmation key ACK1 includes an exposure hole EH surrounded by an opaque material such as a plurality of color filters RC and BC and a common line CL and a color formed in the exposure hole EH, Filter key CFK. In FIGS. 7 and 8, the exposure hole EH is a hole surrounded by the plurality of color filters RC and BC and the common line CL, but is not limited thereto. That is, the exposure hole EH may be a hole surrounded by the plurality of color filters RC and BC and the gate line GL.

또한, 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 이용하여 컬러필터의 정렬 오차를 확인하기 위해서 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 130㎛×130㎛ 이상의 크기로 형성되고, 비개구 영역(NOA)보다 작은 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 130㎛×130㎛ 보다 작은 경우 컬러필터가 제대로 정렬되었는지 확인이 어려우며, 비개구 영역(NOA)보다 큰 크기로 형성되는 경우 개구 영역(OA)에 손실이 발생하기 때문이다.In order to check the alignment error of the color filter using the first alignment confirmation key ACK1, the first alignment confirmation key ACK1 is formed to have a size of 130 mu m x 130 mu m or more and smaller than the non-aperture area NOA Size. This is because it is difficult to confirm whether the color filter is properly aligned when the first alignment confirmation key ACK1 is smaller than 130 mu m x 130 mu m and when the size is larger than the non-aperture area NOA, a loss occurs in the aperture area OA .

노출 홀(EH)은 광을 투과시킬 수 있으므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)을 가리도록 제1 정렬 확인 키(ACK1)상에 형성될 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 가려야 하므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)보다 넓은 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.The exposure hole EH can transmit light so that the black column spacer BCS can be formed on the first alignment confirmation key ACK1 to cover the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 have. Since the black column spacer BCS has to cover the first alignment confirmation key ACK1, it is preferable that the black column spacer BCS is formed to have a larger area than the first alignment confirmation key ACK1.

이하에서는 도 8을 결부하여 화소(P)의 비개구 영역(OA)의 단면을 상세히 설명한다. 도 8의 Ⅲ-Ⅲ' 단면도는 도 6의 I-I' 단면도와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하고, Ⅳ-Ⅳ'의 단면도 위주로 설명한다.Hereinafter, the cross section of the non-aperture region OA of the pixel P will be described in detail with reference to FIG. 8 is substantially the same as the sectional view taken along line I-I 'of FIG. 6, so that a detailed description thereof will be omitted and a sectional view of FIG.

하부 기판(11) 상에는 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 및 공통 라인(CL)을 포함하는 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.On the lower substrate 11, a gate metal layer including a gate line GL, a gate electrode GE, and a common line CL is formed. The gate metal layer may be formed of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), copper (Cu), and chromium (Cr) or an alloy thereof.

게이트 금속층상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film (GI) is formed on the gate metal layer. A gate insulating film (GI) may be formed of a composite film of a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) is formed as a single film or a silicon oxide (SiO 2) and silicon nitride (SiNx) of.

게이트 절연막(GI)상에는 보호막(PAS)이 형성된다. 컬러필터가 하부 기판(11)에 형성되는 경우, 컬러필터가 보호막(PAS)상에 형성될 수 있다. 개구 영역(OA)에는 하나의 컬러필터가 형성되는데 비해, 비개구 영역(NOA)에는 복수의 컬러필터들이 형성된다. 예를 들어, 도 8과 같이 비개구 영역(NOA)에는 보호막(PAS)상에 적색 컬러필터(RC)가 형성되고, 적색 컬러필터(RC)상에 청색 컬러필터(BC)가 형성될 수 있다.A protective film PAS is formed on the gate insulating film GI. When a color filter is formed on the lower substrate 11, a color filter may be formed on the protective film PAS. One color filter is formed in the opening area OA, whereas a plurality of color filters are formed in the non-opening area NOA. For example, as shown in Fig. 8, a red color filter RC may be formed on the protective film PAS and a blue color filter BC may be formed on the red color filter RC in the non-aperture region NOA .

비개구 영역(NOA)에서 공통 라인(CL)과 복수의 컬러필터들이 형성되지 않은 노출 홀(EH)의 보호막(PAS)상에는 컬러필터 키(CFK)가 형성된다. 노출 홀(EH)은 공통 라인(CL)과 복수의 컬러필터들에 의해 둘러싸여 있다. 노출 홀(EH)은 게이트 라인(GL)과 복수의 컬러필터들에 의해 둘러싸이도록 설계될 수도 있다.The color filter key CFK is formed on the protective film PAS of the exposure hole EH in which the common line CL and the plurality of color filters are not formed in the non-aperture area NOA. The exposure hole EH is surrounded by a common line CL and a plurality of color filters. The exposure hole EH may be designed to be surrounded by the gate line GL and the plurality of color filters.

컬러필터 키(CFK)는 개구 영역(OA)에 형성된 컬러필터와 동일한 색으로 형성된다. 컬러필터 키(CFK)를 개구 영역(OA)에 형성된 컬러필터와 동일한 색으로 형성함으로써, 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터 각각의 정렬 오차를 판단할 수 있다.The color filter key CFK is formed in the same color as the color filter formed in the opening area OA. It is possible to determine the misalignment of each of the red color filter, the green color filter and the blue color filter by forming the color filter key CFK in the same color as the color filter formed in the aperture area OA.

복수의 컬러필터들(RC, BC)과 컬러필터 키(CFK)상에는 포토 아크릴(photo acryl, PAC)이 형성될 수 있다. 포토 아크릴(PAC)상에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성될 수 있다. 포토 아크릴(PAC)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다.A photo acryl (PAC) may be formed on the plurality of color filters (RC, BC) and the color filter key (CFK). A pixel electrode PE and a common electrode CE may be formed on the photoacetal (PAC). A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the photoacid generator (PAC).

상부 기판(12)상에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다. 노출 홀(EH)은 광을 투과시킬 수 있으므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)을 가리도록 제1 정렬 확인 키(ACK1)상에 형성될 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 가려야 하므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)보다 넓은 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.On the upper substrate 12, a black column spacer (BCS) is formed. The exposure hole EH can transmit light so that the black column spacer BCS can be formed on the first alignment confirmation key ACK1 to cover the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 have. Since the black column spacer BCS has to cover the first alignment confirmation key ACK1, it is preferable that the black column spacer BCS is formed to have a larger area than the first alignment confirmation key ACK1.

상부 기판(12)과 블랙 컬럼 스페이서(BCS)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다. 하부 기판(11)의 폴리이미드막(PI)과 상부 기판(12)의 폴리이미드막(PI) 사이에는 액정층(LC)이 개재된다.A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the upper substrate 12 and the black column spacer (BCS). A liquid crystal layer LC is interposed between the polyimide film PI of the lower substrate 11 and the polyimide film PI of the upper substrate 12. [

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)에 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제1 실시예는 제1 정렬 확인 키(ACK1)로 인한 개구 영역(OA)의 손실이 없으므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 표시영역(DA)에 형성함에도 개구 영역(OA) 손실에 따른 휘도 저하가 발생하지 않는다.
As described above, the first embodiment of the present invention forms the first alignment confirmation key (ACK1) in the non-aperture region NOA of the pixel P. As a result, in the first embodiment of the present invention, since there is no loss of the aperture area OA due to the first alignment confirmation key ACK1, even when the first alignment confirmation key ACK1 is formed in the display area DA, (OA) loss.

도 9는 제2 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제1 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 10은 도 9의 Ⅴ-Ⅴ'와 Ⅵ-Ⅵ'의 단면도이다.9 is a plan view showing a first embodiment of a pixel provided with a second alignment confirmation key. 10 is a cross-sectional view of V-V 'and VI-VI' of FIG.

도 9 및 도 10을 결부하여 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 마련된 화소(P)를 상세히 설명한다.9 and 10, the pixel P provided with the second alignment confirmation key ACK2 will be described in detail.

도 9 및 도 10에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.Although FIGS. 9 and 10 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an IPS (in-plane switching) mode for the convenience of description, the present invention is not limited thereto. Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 9를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)은 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 및 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된다.First, referring to FIG. 9, a pixel P according to the first embodiment of the present invention includes an opening area OA and a non-opening area NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. The non-aperture region NOA is formed with a thin film transistor T, a storage capacitor Cst, a gate line GL, a common line CL, and a second alignment confirmation key ACK2.

도 9 및 도 10에 도시된 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL) 및 공통 라인(CL)은 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.5 and 6, the pixel electrode PE, the common electrode CE, the thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the gate line GL and the common line CL shown in FIGS. Are substantially the same as those described above, so a detailed description thereof will be omitted.

제2 정렬 확인 키(ACK2)가 마련된 화소(P)에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS) 대신에 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 비개구 영역(NOA)에 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 "+" 형태로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다.A second alignment confirmation key ACK2 is formed in place of the black column spacer BCS in the pixel P provided with the second alignment confirmation key ACK2. The second alignment confirmation key ACK2 is formed in the non-aperture area NOA. And the second alignment confirmation key ACK2 is formed in the "+" shape. However, the present invention is not limited thereto.

제2 정렬 확인 키(ACK2)는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)와 동일한 물질로 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 TP 키로 역할을 하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)와 동일한 두께로 형성될 필요가 없다. 예를 들어, 제2 정렬 확인 키(ACK2)의 두께는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)의 두께보다 얇거나 동일하게 형성될 수 있다.The second alignment confirmation key ACK2 is formed of the same material as the black column spacer BCS since it is for determining whether the black column spacers BCS are properly aligned. The second alignment confirmation key ACK2 serves to serve as a TP key, so that it need not be formed to have the same thickness as the black column spacer BCS. For example, the thickness of the second alignment confirmation key ACK2 may be made thinner or equal to the thickness of the black column spacer BCS.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)에 제2 정렬 확인 키(ACK2)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예는 제2 정렬 확인 키(ACK2)로 인한 개구 영역(OA)의 손실이 없으므로, 제2 정렬 확인 키(ACK2)를 표시영역(DA)에 형성함에도 개구 영역(OA) 손실에 따른 휘도 저하가 발생하지 않는다.
As described above, the first embodiment of the present invention forms the second alignment confirmation key ACK2 in the non-aperture area NOA of the pixel P. As a result, in the second embodiment of the present invention, since there is no loss of the aperture area OA due to the second alignment confirmation key ACK2, even though the second alignment confirmation key ACK2 is formed in the display area DA, (OA) loss.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하부 기판의 표시 영역을 보여주는 예시도면이다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시영역(DA)에는 게이트 라인들(GLn~GLn+3), 데이터 라인들(DLm~DLm+2), 공통 라인들(CLn~CLn+3), 및 박막 트랜지스터(T)와 화소 전극(PE)을 각각 포함하는 화소(P)들이 형성된다.11 is an exemplary view showing a display region of a lower substrate according to another embodiment of the present invention. 11, gate lines GLn to GLn + 3, data lines DLm to DLm + 2, and common lines CLn to CLn (not shown) are formed in a display area DA according to another exemplary embodiment of the present invention. +3), and pixels P each including a thin film transistor T and a pixel electrode PE are formed.

화소(P)들 각각은 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)이 형성되며, 비개구 영역(NOA)에는 게이트 라인들(GLn~GLn+3), 데이터 라인들(DLm~DLm+2), 공통 라인들(CLn~CLn+3), 및 박막 트랜지스터(T)가 형성된다.Each of the pixels P includes an aperture region OA and a non-aperture region NOA. The pixel electrode PE is formed in the opening region OA and the gate lines GLn to GLn + 3, the data lines DLm to DLm + 2, and the common lines CLn- CLn + 3, and a thin film transistor T are formed.

게이트 라인들(GLn~GLn+3)과 데이터 라인들(DLm~DLm+2)은 서로 교차되게 형성된다. 게이트 라인들(GLn~GLn+3)과 공통 라인들(CLn~CLn+3)은 서로 나란하게 형성된다. 즉, 게이트 라인들(GLn~GLn+3)과 공통 라인들(CLn~CLn+3)은 수평 방향(x축 방향)으로 형성되고, 데이터 라인들(DLm~DLm+2)은 수직 방향(y축 방향)으로 형성될 수 있다.The gate lines GLn to GLn + 3 and the data lines DLm to DLm + 2 are formed so as to intersect with each other. The gate lines GLn to GLn + 3 and the common lines CLn to CLn + 3 are formed in parallel with each other. That is, the gate lines GLn to GLn + 3 and the common lines CLn to CLn + 3 are formed in the horizontal direction (x axis direction) and the data lines DLm to DLm + 2 are formed in the vertical direction y Axis direction).

박막 트랜지스터(T)는 화소들에는 게이트 라인의 일부인 게이트 전극, 반도체층, 데이터 라인으로부터 연장된 소스 전극, 및 화소 전극(PE)에 접속된 드레인 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인에 게이트 신호가 공급되는 경우 턴-온되며, 이 경우 데이터 라인의 데이터 전압은 소스 전극, 반도체층, 드레인 전극을 경유하여 화소 전극(PE)에 공급될 수 있다.The thin film transistor T includes a gate electrode that is a part of a gate line, a semiconductor layer, a source electrode extending from the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode PE. The thin film transistor T is turned on when a gate signal is supplied to the gate line. In this case, the data voltage of the data line may be supplied to the pixel electrode PE via the source electrode, the semiconductor layer, and the drain electrode.

제n 게이트 라인(Gn)이 제n+1 게이트 라인(Gn+1)과 인접하게 배치되며, 서로 인접하는 제n 및 제n+1 게이트 라인(Gn, Gn+1)들은 서로 반대 방향에 배치된 화소 전극(PE)들과 접속된다. 이로 인해, 제n 게이트 라인(Gn)에 접속된 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소(P)와 제n+1 게이트 라인(Gn+1)에 접속된 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소(P)는 비개구 영역(NOA)을 공유한다.The n-th gate line Gn is disposed adjacent to the (n + 1) -th gate line Gn + 1 and the n-th and (n + 1) -th gate lines Gn and Gn + 1 adjacent to each other are arranged in opposite directions Are connected to the pixel electrodes PE. Thus, the pixel P including the thin film transistor T connected to the nth gate line Gn and the thin film transistor T connected to the (n + 1) th gate line Gn + 1 P share a non-aperture area (NOA).

또한, 기수 게이트 라인에 접속된 화소의 화소 전극(PE)은 그의 아래에 배치된 게이트 라인에 접속된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극에 접속된다. 우수 게이트 라인에 접속된 화소의 화소 전극(PE)은 그의 위에 배치된 게이트 라인에 접속된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극에 접속된다. 예를 들어, 제n 게이트 라인(GLn)이 기수 게이트 라인인 경우, 제n 게이트 라인(GLn)에 접속된 화소의 화소 전극(PE)은 그의 아래에 배치된 제n 게이트 라인(GLn)에 접속된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극에 접속될 수 있다. 이 경우, 제n+1 게이트 라인(GLn+1)은 우수 게이트 라인이므로, 제n+1 게이트 라인(GLn+1)에 접속된 화소의 화소 전극(PE)은 그의 위에 배치된 제n 게이트 라인(GLn)에 접속된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극에 접속될 수 있다. 따라서, 수직 방향(y축 방향)으로 화소 전극(PE), 제n 공통 라인(CLn), 제n 게이트 라인(GLn), 제n+1 게이트 라인(GLn+1), 제n+1 공통 라인(CLn+1), 및 화소 전극(PE)이 순서대로 배치될 수 있다.Further, the pixel electrode PE of the pixel connected to the odd gate line is connected to the drain electrode of the thin film transistor T connected to the gate line arranged below the pixel electrode PE. The pixel electrode PE of the pixel connected to the outermost gate line is connected to the drain electrode of the thin film transistor T connected to the gate line disposed thereon. For example, when the n-th gate line GLn is the odd gate line, the pixel electrode PE of the pixel connected to the n-th gate line GLn is connected to the n-th gate line GLn disposed thereunder To the drain electrode of the thin film transistor (T). In this case, since the (n + 1) -th gate line GLn + 1 is the outermost gate line, the pixel electrode PE of the pixel connected to the (n + 1) -th gate line GLn + To the drain electrode of the thin film transistor T connected to the gate electrode GLn. Therefore, the pixel electrode PE, the nth common line CLn, the nth gate line GLn, the (n + 1) -th gate line GLn + 1, the (n + 1) (CLn + 1), and the pixel electrode PE may be arranged in this order.

제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)은 표시영역(DA)의 개구 영역(OA) 손실을 최소화하기 위해 비개구 영역(NOA)에 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 도 11과 같이 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)는 서로 인접한 게이트 라인들(GLn, GLn+1)이 배치되는 영역에 형성될 수 있다.It is preferable that the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are formed in the non-aperture area NOA in order to minimize the loss of the aperture area OA of the display area DA. For this purpose, the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 may be formed in a region where adjacent gate lines GLn and GLn + 1 are disposed, as shown in FIG.

이 경우, 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 도 11과 같이 제n 및 제n+1 게이트 라인들에 의해 형성되는 노출 홀(EH) 및 노출 홀(EH) 내에 형성된 컬러필터 키(CFK)를 포함할 수 있다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 도 11과 같이 제n 및 제n+1 게이트 라인들(GLn, GLn+1)상에 형성될 수 있다.In this case, the first alignment confirmation key (ACK1) is formed in the exposure hole EH formed by the nth and (n + 1) th gate lines and the color filter key CFK formed in the exposure hole EH . The second alignment confirmation key ACK2 may be formed on the nth and (n + 1) th gate lines GLn and GLn + 1 as shown in FIG.

한편, 컬러필터들의 정렬 오차를 확인하기 위해 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2) 각각은 130㎛×130㎛ 이상의 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2) 각각이 130㎛×130㎛ 보다 작은 경우 컬러필터가 제대로 정렬되었는지 확인이 어려우며, 비개구 영역(NOA)보다 큰 크기로 형성되는 경우 개구 영역(OA)에 손실이 발생하기 때문이다.Meanwhile, in order to confirm the alignment error of the color filters, it is preferable that each of the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 is formed to have a size of 130 mu m x 130 mu m or more. It is difficult to confirm whether the color filter is properly aligned when each of the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 is smaller than 130 mu m x 130 mu m and when the size is larger than the non-aperture area NOA, OA).

도 4와 같이 화소 전극(PE)들 사이에 하나의 게이트 라인을 배치하는 경우, 게이트 라인과 공통 라인의 폭 내에 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)을 설계하여야 한다. 이를 위해, 게이트 라인과 공통 라인의 폭은 도 4와 같이 제1 폭(W1)으로 설계될 수 있다. 이로 인해, 도 4와 같이 화소 전극(PE)들 사이에 하나의 게이트 라인을 배치하는 경우, 개구 영역(OA)의 폭은 제2 폭(W2)으로 설계될 수 있다.When one gate line is arranged between the pixel electrodes PE as shown in FIG. 4, the first and second alignment confirmation keys (ACK1 and ACK2) must be designed within the width of the gate line and the common line. For this purpose, the widths of the gate lines and the common lines may be designed to have a first width W1 as shown in FIG. Accordingly, when one gate line is arranged between the pixel electrodes PE as shown in FIG. 4, the width of the opening region OA can be designed as the second width W2.

이에 비해, 도 11과 같이 화소 전극(PE)들 사이에 복수의 게이트 라인들을 배치하는 경우, 복수의 게이트 라인들과 복수의 공통 라인들의 폭 내에 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)을 설계하여야 한다. 이를 위해, 복수의 게이트 라인들과 복수의 공통 라인들의 폭은 도 11과 같이 제3 폭(W3)으로 설계될 수 있다. 제3 폭(W3)은 제1 폭(W1) 이상이고 제1 폭(W1)의 두 배보다 작을 수 있다. 이로 인해, 도 11과 같이 화소 전극(PE)들 사이에 복수의 게이트 라인들을 배치하는 경우, 개구 영역(OA)의 폭은 제2 폭(W2)보다 넓은 제4 폭(W4)으로 설계될 수 있다.In contrast, when a plurality of gate lines are arranged between the pixel electrodes PE as shown in FIG. 11, the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are formed within the widths of the plurality of gate lines and the plurality of common lines, Should be designed. To this end, the widths of the plurality of gate lines and the plurality of common lines may be designed to have a third width (W3) as shown in FIG. The third width W3 may be greater than or equal to the first width W1 and less than twice the first width W1. 11, when the plurality of gate lines are arranged between the pixel electrodes PE, the width of the opening area OA can be designed as a fourth width W4 that is wider than the second width W2 have.

결국, 도 11과 같이 화소 전극(PE)들 사이에 복수의 게이트 라인들을 배치하는 경우, 도 4와 같이 화소 전극(PE)들 사이에 하나의 게이트 라인을 배치하는 경우보다 개구 영역(OA)의 폭을 넓힐 수 있다.As a result, when a plurality of gate lines are arranged between the pixel electrodes PE as shown in FIG. 11, the number of the gate electrodes of the pixel electrodes PE is smaller than that of the gate electrodes You can expand the width.

한편, 도 11에 도시된 화소와 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)은 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)이 복수의 게이트 라인들에 의해 노출되도록 형성되는 홀인 것과 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 복수의 게이트 라인들상에 형성되는 것을 제외하고는, 도 5 내지 도 10을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 11에 도시된 화소와 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
The pixels and the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 shown in FIG. 11 are formed of a hole that is formed such that the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 is exposed by a plurality of gate lines And the second alignment confirmation key ACK2 are formed on the plurality of gate lines, as shown in Figs. 5 to 10. Therefore, detailed description of the pixel and the first and second alignment confirmation keys (ACK1, ACK2) shown in FIG. 11 will be omitted.

도 12a 및 도 12b는 컬러필터가 컬러필터 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판을 상세히 보여주는 평면도들이다.12A and 12B are plan views showing the thin film transistor substrate and the color filter substrate in detail when the color filter is formed on the color filter substrate.

도 12a 및 도 12b에서는 하부 기판이 박막 트랜지스터들이 형성되는 박막 트랜지스터 기판이고, 상부 기판이 블랙 컬럼 스페이서들과 컬러 필터들이 형성된 컬러필터 기판인 것을 예시하였다. 도 12a 및 도 12b에는 설명의 편의를 위해 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 제1 정렬 확인 키(ACK1)들, 및 제2 정렬 확인 키(ACK2)들만을 도시하였다.12A and 12B illustrate that the lower substrate is a thin film transistor substrate on which thin film transistors are formed and the upper substrate is a color filter substrate on which black column spacers and color filters are formed. 12A and 12B show only the display area DA, the non-display area NDA, the first alignment confirmation keys ACK1, and the second alignment confirmation keys ACK2 for convenience of explanation.

도 12a 및 도 12b를 참조하면, 하부 기판(11)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이고, 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 주변 영역으로 화상을 표시하지 않는 영역이다.12A and 12B, the lower substrate 11 includes a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area where pixels are formed to display an image, and the non-display area NDA is an area that does not display an image in the peripheral area of the display area DA.

하부 기판(11)에는 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)이 형성되지 않고, 상부 기판(12)에 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)이 형성된다. 상부 기판(12)의 표시영역(DA)에 제1 정렬 확인 키(ACK1)들이 형성된다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 컬러필터가 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 키들이다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 업계에서 오버레이 키(overlay key)라고 칭한다.The first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are formed on the upper substrate 12 without forming the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 on the lower substrate 11. [ First alignment confirmation keys ACK1 are formed in the display area DA of the upper substrate 12. [ The first sorting confirmation keys ACK1 are keys for judging whether or not the color filter is properly aligned. The first sort acknowledgment keys (ACK1) are referred to in the art as overlay keys.

구체적으로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)에 형성된 컬러필터 키(CFK)의 위치를 확인하여 컬러필터가 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단한다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 도 12b와 같이 블랙 매트릭스에 의해 형성된 노출 홀(EH)과 노출 홀(EH) 내에 형성되는 컬러필터 키(CFK)를 포함한다. 노출 홀(EH)은 도 16과 같이 블랙 매트릭스(BM)에 의해 둘러싸여 있을 수 있다. 컬러필터 키(CKF)는 컬러필터와 동일한 물질로 형성된다.Specifically, the position of the color filter key CFK formed on the first alignment confirmation key ACK1 is checked to determine whether the color filter is properly aligned. The first alignment confirmation key ACK1 includes an exposure hole EH formed by a black matrix and a color filter key CFK formed in an exposure hole EH as shown in FIG. 12B. The exposure hole EH may be surrounded by a black matrix BM as shown in Fig. The color filter key (CKF) is formed of the same material as the color filter.

컬러필터의 정렬은 노출 홀(EH) 내에서 컬러필터 키(CFK)가 어디에 형성되었는지에 따라 판단할 수 있다. 예를 들어, 컬러필터 키(CFK)는 노출 홀(EH)의 중앙에 형성되도록 설계될 수 있으며, 광학 현미경과 같은 장비를 이용하여 컬러필터 키(CFK)가 노출 홀(EH)의 중앙으로부터 얼마나 벗어났는지를 판단함으로써 컬러필터가 제대로 정렬되었는지를 판단할 수 있다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)에 대한 자세한 설명은 도 15 및 도 16을 결부하여 후술한다.The alignment of the color filters can be determined depending on where the color filter key CFK is formed in the exposure hole EH. For example, the color filter key CFK may be designed to be formed at the center of the exposure hole EH, and the color filter key CFK may be formed from the center of the exposure hole EH using an optical microscope- It is possible to judge whether or not the color filter is properly aligned. A detailed description of the first sorting confirmation key (ACK1) will be given later with reference to FIG. 15 and FIG.

또한, 제2 정렬 확인 키(ACK2)들은 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 키들이다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)들은 업계에서 TP 키(TP key)라고 칭한다. 구체적으로, 제2 정렬 확인 키(ACK2)들 간의 거리를 측정하여 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단한다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 블랙 컬럼 스페이서들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서와 동일한 물질로 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)에 대한 자세한 설명은 도 17 및 도 18을 결부하여 후술한다.In addition, the second alignment confirmation keys ACK2 are keys for determining whether the black column spacers are properly aligned. The second sort acknowledgment keys ACK2 are referred to in the industry as TP keys. Specifically, the distance between the second alignment confirmation keys ACK2 is measured to determine whether the black column spacers are properly aligned. The second alignment confirmation key (ACK2) is formed for the purpose of determining whether the black column spacers are properly aligned and formed of the same material as the black column spacer. A detailed description of the second sorting confirmation key (ACK2) will be given later with reference to FIGS. 17 and 18. FIG.

한편, 발명의 배경이 되는 기술에서 살펴보았듯이 대화면 표시장치에서는 컬러필터의 정렬 오차 확인이 중요하다. 본 발명의 실시예는 상부 기판(12)의 표시영역(DA)에 컬러필터 키(CFK)를 포함하는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 대화면 표시장치에서도 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 이용하여 표시영역(DA)에서 컬러필터들이 제대로 형성되었는지를 확인할 수 있다.On the other hand, as described in the background of the invention, it is important to check the alignment error of the color filter in the large screen display device. The embodiment of the present invention forms a first alignment confirmation key ACK1 including the color filter key CFK in the display area DA of the upper substrate 12. [ As a result, the embodiment of the present invention can confirm whether the color filters are properly formed in the display area DA by using the first alignment confirmation key ACK1 in the large-screen display device.

이하에서는 도 5 내지 도 10을 결부하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제1 및 제2 정렬 확인 키들(ACK1, ACK2)이 형성되지 않은 화소, 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 형성된 화소, 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된 화소에 대하여 상세히 설명한다.
5 to 10, a pixel in which the first and second alignment confirmation keys ACK1 and ACK2 are not formed, a pixel in which the first alignment confirmation key ACK1 is formed, The pixel on which the second alignment confirmation key ACK2 is formed will be described in detail.

도 13은 제1 및 제2 정렬 확인 키들이 마련되지 않은 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 14는 도 13의 Ⅶ-Ⅶ'와 Ⅷ-Ⅷ'의 단면도이다.13 is a plan view showing a second embodiment of a pixel in which first and second alignment confirmation keys are not provided. 14 is a cross-sectional view of VII-VII 'and VIII-VIII' of FIG.

도 13 및 도 14에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.13 and 14 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an in-plane switching (IPS) mode for the sake of convenience of explanation. However, the present invention is not limited to this and the horizontal electric field FFS (frndge field switching) Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 13을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)에는 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 및 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다.First, referring to FIG. 13, a pixel P according to the second embodiment of the present invention includes an opening area OA and a non-opening area NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. A thin film transistor T, a storage capacitor Cst, a gate line GL, a common line CL, and a black column spacer BCS are formed in the non-aperture region NOA.

개구 영역(OA)에는 컬러필터가 형성되고, 비개구 영역(OA)에는 블랙 매트릭터가 형성된다. 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다.A color filter is formed in the opening area OA and a black matrice is formed in the non-opening area OA. The color filter may be any one of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter.

게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차되도록 형성된다. 공통 라인(CL)은 게이트 라인(GL)과 개구 영역(OA) 사이에서 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성될 수 있다.The gate line GL and the data line DL are formed so as to intersect with each other. The common line CL may be formed in parallel with the gate line GL between the gate line GL and the opening region OA.

박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 전계 차단층(EB), 및 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 전계 차단층(EB), 및 블랙 컬럼 스페이서(BCS)에 대한 자세한 설명은 생략한다.The thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the pixel electrode PE, the common electrode CE, the electric field barrier layer EB and the black column spacer BCS are substantially the same as those described with reference to Fig. 5 . Therefore, the detailed description of the thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the pixel electrode PE, the common electrode CE, the electric field barrier layer EB, and the black column spacer BCS will be omitted.

이하에서는 도 14를 결부하여 화소(P)의 비개구 영역(OA)의 단면을 상세히 설명한다.Hereinafter, the cross section of the non-aperture region OA of the pixel P will be described in detail with reference to FIG.

하부 기판(11) 상에는 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 및 공통 라인(CL)을 포함하는 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.On the lower substrate 11, a gate metal layer including a gate line GL, a gate electrode GE, and a common line CL is formed. The gate metal layer may be formed of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), copper (Cu), and chromium (Cr) or an alloy thereof.

게이트 금속층상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film (GI) is formed on the gate metal layer. A gate insulating film (GI) may be formed of a composite film of a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) is formed as a single film or a silicon oxide (SiO 2) and silicon nitride (SiNx) of.

게이트 절연막(GI)상에는 반도체층(SM)이 형성된다. 반도체층(SM)은 게이트 전극(GI)과 중첩되게 형성된다. 반도체층(SM)상에는 반도체층(SM)의 일측에 접속되는 소스 전극(SE)과 타측에 접속되는 드레인 전극(DE)을 포함하는 소스/드레인 금속층이 형성된다. 소스/드레인 금속층은 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer SM is formed on the gate insulating film GI. The semiconductor layer SM is formed so as to overlap with the gate electrode GI. A source / drain metal layer including a source electrode SE connected to one side of the semiconductor layer SM and a drain electrode DE connected to the other side is formed on the semiconductor layer SM. The source / drain metal layer may be formed of molybdenum (Mo) and molybdenum alloy.

반도체층(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)상에는 보호막(PAS)이 형성된다. 보호막(PAS)상에는 포토 아크릴(photo acryl, PAC)이 형성될 수 있다.A protective film PAS is formed on the semiconductor layer SM, the source electrode SE, and the drain electrode DE. A photo acryl (PAC) may be formed on the protective film PAS.

포토 아크릴(PAC)상에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성될 수 있다. 보호막(PAS), 및 포토 아크릴(PAC)을 관통하여 드레인 전극(DE)을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1)이 형성될 수 있다. 화소 전극(PE)은 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 드레인 전극(DE)과 접속될 수 있다. 게이트 절연막(GI), 보호막(PAS), 및 포토 아크릴(PAC)을 관통하여 공통 라인(CL)을 노출시키는 제2 콘택홀(CNT2)이 형성될 수 있다. 공통 전극(CE)은 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 공통 라인(CL)과 접속될 수 있다.A pixel electrode PE and a common electrode CE may be formed on the photoacetal (PAC). A first contact hole CNT1 may be formed to expose the drain electrode DE through the passivation film PAS and the photoacid PAC. The pixel electrode PE may be connected to the drain electrode DE through the first contact hole CNT1. A second contact hole CNT2 may be formed through the gate insulating film GI, the passivation film PAS and the photoacryl PAC to expose the common line CL. The common electrode CE may be connected to the common line CL through the second contact hole CNT2.

포토 아크릴(PAC), 화소 전극(PE), 및 공통 전극(CE) 상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다.A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the photoacid (PAC), the pixel electrode (PE), and the common electrode (CE).

상부 기판(12)상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다. 블랙 매트릭스(BM)는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)을 가리기 위해 비개구 영역(NOA)에만 형성된다.On the upper substrate 12, a black matrix BM is formed. The black matrix BM is formed only in the non-aperture region NOA to cover the non-aperture region NOA of the pixel P. [

블랙 매트릭스(BM)상에는 컬러필터(CF)들이 형성된다. 컬러필터(CF)들은 화소(P)가 표시하고자 하는 색에 따라 다르게 형성된다. 예를 들어, 적색을 표시하는 화소(P)에는 적색 컬러필터가 형성되고, 녹색을 표시하는 화소(P)에는 녹색 컬러필터가 형성되며, 청색을 표시하는 화소(P)에는 청색 컬러필터가 형성될 수 있다. 컬러필터(CF)들은 도 14와 같이 화소(P)의 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)에 모두 형성될 수도 있고, 또는 화소(P)의 개구 영역(OA)에만 형성될 수도 있다.Color filters CF are formed on the black matrix BM. The color filters CF are formed differently depending on the color that the pixel P wants to display. For example, a red color filter is formed in a pixel P displaying red, a green color filter is formed in a pixel P displaying green, and a blue color filter is formed in a pixel P displaying blue . The color filters CF may be formed both in the aperture area OA and the non-aperture area NOA of the pixel P or only in the aperture area OA of the pixel P as shown in Fig. 14 .

컬러필터(CF)들상에는 평탄화를 위한 오버코트층(OC)이 형성된다. 오버코트층(OC)상에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 비개구영역(NOA)에 형성될 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다. 하부 기판(11)의 폴리이미드막(PI)과 상부 기판(12)의 폴리이미드막(PI) 사이에는 액정층(LC)이 개재된다.
An overcoat layer (OC) for planarization is formed on the color filters (CF). A black column spacer (BCS) is formed on the overcoat layer OC. A black column spacer (BCS) may be formed in the non-opening region NOA. A polyimide film (PI) as an alignment film is formed on the black column spacer (BCS). A liquid crystal layer LC is interposed between the polyimide film PI of the lower substrate 11 and the polyimide film PI of the upper substrate 12. [

도 15는 제1 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 16은 도 15의 Ⅸ-Ⅸ'와 Ⅹ-Ⅹ'의 단면도이다.15 is a plan view showing a second embodiment of a pixel provided with a first alignment confirmation key. 16 is a sectional view of IX-IX 'and X-X' of Fig. 15.

도 15 및 도 16을 결부하여 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 마련된 화소(P)를 상세히 설명한다.15 and 16, the pixel P provided with the first alignment confirmation key ACK1 will be described in detail.

도 15 및 도 16에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.15 and 16 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an in-plane switching (IPS) mode for the sake of convenience of explanation. However, the present invention is not limited to this, and a horizontal electric field FFS (frndge field switching) Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 15를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)에는 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 블랙 컬럼 스페이서(BCS), 및 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 형성된다.First, referring to FIG. 15, a pixel P according to the second embodiment of the present invention includes an opening area OA and a non-opening area NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. The thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the gate line GL, the common line CL, the black column spacer BCS and the first alignment confirmation key ACK1 are formed in the non-aperture region NOA .

개구 영역(OA)에는 컬러필터가 형성되고, 비개구 영역(OA)에는 블랙 매트릭터가 형성된다. 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다.A color filter is formed in the opening area OA and a black matrice is formed in the non-opening area OA. The color filter may be any one of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter.

게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차되도록 형성된다. 공통 라인(CL)은 게이트 라인(GL)과 개구 영역(OA) 사이에서 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성될 수 있다.The gate line GL and the data line DL are formed so as to intersect with each other. The common line CL may be formed in parallel with the gate line GL between the gate line GL and the opening region OA.

박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 및 전계 차단층(EB)은 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 및 전계 차단층(EB)에 대한 자세한 설명은 생략한다.The thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the pixel electrode PE, the common electrode CE and the electric field barrier layer EB are substantially the same as those described with reference to Fig. Therefore, the detailed description of the thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the pixel electrode PE, the common electrode CE, and the electric field barrier layer EB will be omitted.

제1 정렬 확인 키(ACK1)는 비개구 영역(NOA)에 형성된다. 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 블랙 매트릭스에 의해 둘러싸여 투명하게 노출되는 노출 홀(EH)과 노출 홀(EH) 내에 형성되는 컬러필터 키(CFK)를 포함한다. 또한, 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 이용하여 컬러필터의 정렬 오차를 확인하기 위해서 제1 정렬 확인 키(ACK1)는 130㎛×130㎛ 이상의 크기로 형성되고, 비개구 영역(NOA)보다 작은 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 제1 정렬 확인 키(ACK1)가 130㎛×130㎛ 보다 작은 경우 컬러필터가 제대로 정렬되었는지 확인이 어려우며, 비개구 영역(NOA)보다 큰 크기로 형성되는 경우 개구 영역(OA)에 손실이 발생하기 때문이다.The first alignment confirmation key ACK1 is formed in the non-aperture area NOA. The first alignment confirmation key ACK1 includes an exposure hole EH surrounded by the black matrix and exposed transparently and a color filter key CFK formed in the exposure hole EH. In order to check the alignment error of the color filter using the first alignment confirmation key ACK1, the first alignment confirmation key ACK1 is formed to have a size of 130 mu m x 130 mu m or more and smaller than the non-aperture area NOA Size. This is because it is difficult to confirm whether the color filter is properly aligned when the first alignment confirmation key ACK1 is smaller than 130 mu m x 130 mu m and when the size is larger than the non-aperture area NOA, a loss occurs in the aperture area OA .

컬러필터 키(CFK)는 개구 영역(OA)에 형성된 컬러필터와 동일한 색으로 형성된다. 컬러필터 키(CFK)를 개구 영역(OA)에 형성된 컬러필터와 동일한 색으로 형성함으로써, 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터 각각의 정렬 오차를 판단할 수 있다.The color filter key CFK is formed in the same color as the color filter formed in the opening area OA. It is possible to determine the misalignment of each of the red color filter, the green color filter and the blue color filter by forming the color filter key CFK in the same color as the color filter formed in the aperture area OA.

노출 홀(EH)은 광을 투과시킬 수 있으므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)을 가리도록 제1 정렬 확인 키(ACK1)상에 형성될 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 가려야 하므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)보다 넓은 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.The exposure hole EH can transmit light so that the black column spacer BCS can be formed on the first alignment confirmation key ACK1 to cover the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 have. Since the black column spacer BCS has to cover the first alignment confirmation key ACK1, it is preferable that the black column spacer BCS is formed to have a larger area than the first alignment confirmation key ACK1.

이하에서는 도 16을 결부하여 화소(P)의 비개구 영역(OA)의 단면을 상세히 설명한다. 도 16의 Ⅸ-Ⅸ' 단면도는 도 14의 Ⅶ-Ⅶ' 단면도와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하고, Ⅹ-Ⅹ'의 단면도 위주로 설명한다.Hereinafter, the cross section of the non-aperture region OA of the pixel P will be described in detail with reference to FIG. Sectional view taken along line IX-IX 'of FIG. 16 is substantially the same as the sectional view taken along the line VII-VII' of FIG. 14, so that a detailed description thereof will be omitted and a sectional view taken along the line X-X 'will be mainly described.

하부 기판(11) 상에는 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 및 공통 라인(CL)을 포함하는 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.On the lower substrate 11, a gate metal layer including a gate line GL, a gate electrode GE, and a common line CL is formed. The gate metal layer may be formed of any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), copper (Cu), and chromium (Cr) or an alloy thereof.

게이트 금속층상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)의 단일막으로 형성되거나 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)의 복합막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film (GI) is formed on the gate metal layer. A gate insulating film (GI) may be formed of a composite film of a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) is formed as a single film or a silicon oxide (SiO 2) and silicon nitride (SiNx) of.

게이트 절연막(GI)상에는 보호막(PAS)이 형성된다. 보호막(PAS)상에는 포토 아크릴(photo acryl, PAC)이 형성될 수 있다. 포토 아크릴(PAC)상에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성될 수 있다. 포토 아크릴(PAC)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다.A protective film PAS is formed on the gate insulating film GI. A photo acryl (PAC) may be formed on the protective film PAS. A pixel electrode PE and a common electrode CE may be formed on the photoacetal (PAC). A polyimide film (PI), which is an alignment film, is formed on the photoacid generator (PAC).

상부 기판(12)상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다. 블랙 매트릭스(BM)는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)을 가리기 위해 비개구 영역(NOA)에만 형성된다. 비개구 영역(NOA)에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 노출 홀(EH)이 형성된다. 노출 홀(EH)은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 둘러싸여 있다. 노출 홀(EH)의 상부 기판(12)상에는 컬러필터 키(CFK)가 형성된다.On the upper substrate 12, a black matrix BM is formed. The black matrix BM is formed only in the non-aperture region NOA to cover the non-aperture region NOA of the pixel P. [ The exposure hole EH in which the black matrix BM is not formed is formed in the non-aperture area NOA. The exposure hole EH is surrounded by a black matrix BM. A color filter key CFK is formed on the upper substrate 12 of the exposure hole EH.

블랙 매트릭스(BM)상에는 컬러필터(CF)들이 형성된다. 노출 홀(EH)에는 컬러필터(CF)들이 형성되지 않는다. 컬러필터(CF)들은 화소(P)가 표시하고자 하는 색에 따라 다르게 형성된다. 예를 들어, 적색을 표시하는 화소(P)에는 적색 컬러필터가 형성되고, 녹색을 표시하는 화소(P)에는 녹색 컬러필터가 형성되며, 청색을 표시하는 화소(P)에는 청색 컬러필터가 형성될 수 있다. 컬러필터(CF)들은 도 16과 같이 화소(P)의 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)에 모두 형성될 수도 있고, 또는 화소(P)의 개구 영역(OA)에만 형성될 수도 있다.Color filters CF are formed on the black matrix BM. The color filters CF are not formed in the exposure hole EH. The color filters CF are formed differently depending on the color that the pixel P wants to display. For example, a red color filter is formed in a pixel P displaying red, a green color filter is formed in a pixel P displaying green, and a blue color filter is formed in a pixel P displaying blue . The color filters CF may be formed both in the aperture area OA and the non-aperture area NOA of the pixel P or only in the aperture area OA of the pixel P as shown in Fig. 16 .

컬러필터(CF)들과 노출 홀(EH)상에는 평탄화를 위한 오버코트층(OC)이 형성된다. 오버코트층(OC)상에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)가 형성된다. 노출 홀(EH)은 광을 투과시킬 수 있으므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)의 노출 홀(EH)을 가리도록 제1 정렬 확인 키(ACK1)상에 형성될 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서(BCS)는 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 가려야 하므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)보다 넓은 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.An overcoat layer (OC) for planarization is formed on the color filters (CF) and the exposure hole (EH). A black column spacer (BCS) is formed on the overcoat layer OC. The exposure hole EH can transmit light so that the black column spacer BCS can be formed on the first alignment confirmation key ACK1 to cover the exposure hole EH of the first alignment confirmation key ACK1 have. Since the black column spacer BCS has to cover the first alignment confirmation key ACK1, it is preferable that the black column spacer BCS is formed to have a larger area than the first alignment confirmation key ACK1.

블랙 컬럼 스페이서(BCS)상에는 배향막인 폴리이미드막(PI)이 형성된다. 하부 기판(11)의 폴리이미드막(PI)과 상부 기판(12)의 폴리이미드막(PI) 사이에는 액정층(LC)이 개재된다.A polyimide film (PI) as an alignment film is formed on the black column spacer (BCS). A liquid crystal layer LC is interposed between the polyimide film PI of the lower substrate 11 and the polyimide film PI of the upper substrate 12. [

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)에 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예는 제1 정렬 확인 키(ACK1)로 인한 개구 영역(OA)의 손실이 없으므로, 제1 정렬 확인 키(ACK1)를 표시영역(DA)에 형성함에도 개구 영역(OA) 손실에 따른 휘도 저하가 발생하지 않는다.
As described above, the second embodiment of the present invention forms the first alignment confirmation key (ACK1) in the non-aperture area NOA of the pixel P. As a result, in the second embodiment of the present invention, since there is no loss of the aperture area OA due to the first alignment confirmation key ACK1, even when the first alignment confirmation key ACK1 is formed in the display area DA, (OA) loss.

도 17은 제2 정렬 확인 키가 마련된 화소의 제2 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 18은 도 17의 ⅰ-ⅰ'와 ⅱ-ⅱ'의 단면도이다.17 is a plan view showing a second embodiment of a pixel provided with a second alignment confirmation key. 18 is a cross-sectional view of i-i 'and ii-ii' in Fig.

도 17 및 도 18을 결부하여 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 마련된 화소(P)를 상세히 설명한다.17 and 18, the pixel P provided with the second alignment confirmation key ACK2 will be described in detail.

도 17 및 도 18에서는 설명의 편의를 위해 화소(P)가 IPS(in-plane switching) 모드의 수평전계 방식으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, FFS(frindge field switching) 모드의 수평전계 방식, 또는 TN(twisted nematic) 모드나 VA(vertical alignment) 모드와 같은 수직전계 방식으로도 구현될 수 있다. 수직 전계 방식으로 구현되는 경우, 공통전극(CE)은 상부 기판(12)에 형성될 수 있다.17 and 18 illustrate that the pixel P is implemented as a horizontal electric field system in an in-plane switching (IPS) mode for the sake of convenience of explanation. However, the present invention is not limited thereto, and the horizontal electric field FFS (frndge field switching) Or a vertical electric field system such as a twisted nematic (TN) mode or a vertical alignment (VA) mode. In the case of the vertical electric field type, the common electrode CE may be formed on the upper substrate 12.

먼저, 도 17을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소(P)는 개구 영역(OA)과 비개구 영역(NOA)을 포함한다. 개구 영역(OA)에는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)이 형성된다. 비개구 영역(NOA)은 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL), 공통 라인(CL), 및 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된다.First, referring to FIG. 17, a pixel P according to the second embodiment of the present invention includes an opening area OA and a non-opening area NOA. The pixel electrode PE and the common electrode CE are formed in the opening region OA. The non-aperture region NOA is formed with a thin film transistor T, a storage capacitor Cst, a gate line GL, a common line CL, and a second alignment confirmation key ACK2.

도 17 및 도 18에 도시된 화소 전극(PE), 공통 전극(CE), 박막 트랜지스터(T), 스토리지 커패시터(Cst), 게이트 라인(GL) 및 공통 라인(CL)은 도 13 및 도 14를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.The pixel electrode PE, the common electrode CE, the thin film transistor T, the storage capacitor Cst, the gate line GL and the common line CL shown in Figs. 17 and 18 are shown in Figs. 13 and 14 Are substantially the same as those described above, so a detailed description thereof will be omitted.

제2 정렬 확인 키(ACK2)가 마련된 화소(P)에는 블랙 컬럼 스페이서(BCS) 대신에 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 비개구 영역(NOA)에 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)가 "+" 형태로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다.A second alignment confirmation key ACK2 is formed in place of the black column spacer BCS in the pixel P provided with the second alignment confirmation key ACK2. The second alignment confirmation key ACK2 is formed in the non-aperture area NOA. And the second alignment confirmation key ACK2 is formed in the "+" shape. However, the present invention is not limited thereto.

제2 정렬 확인 키(ACK2)는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)들이 제대로 정렬되어 형성되었는지를 판단하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)와 동일한 물질로 형성된다. 제2 정렬 확인 키(ACK2)는 TP 키로 역할을 하기 위한 것이므로, 블랙 컬럼 스페이서(BCS)와 동일한 두께로 형성될 필요가 없다. 예를 들어, 제2 정렬 확인 키(ACK2)의 두께는 블랙 컬럼 스페이서(BCS)보다 얇거나 동일한 두께로 형성될 수 있다.The second alignment confirmation key ACK2 is formed of the same material as the black column spacer BCS since it is for determining whether the black column spacers BCS are properly aligned. The second alignment confirmation key ACK2 serves to serve as a TP key, so that it need not be formed to have the same thickness as the black column spacer BCS. For example, the thickness of the second alignment confirmation key (ACK2) may be formed to be thinner or equal to the thickness of the black column spacer (BCS).

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 화소(P)의 비개구 영역(NOA)에 제2 정렬 확인 키(ACK2)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예는 제2 정렬 확인 키(ACK2)로 인한 개구 영역(OA)의 손실이 없으므로, 제2 정렬 확인 키(ACK2)를 표시영역(DA)에 형성함에도 개구 영역(OA) 손실에 따른 휘도 저하가 발생하지 않는다.
As described above, the second embodiment of the present invention forms the second alignment confirmation key (ACK2) in the non-aperture region NOA of the pixel P. [ As a result, in the second embodiment of the present invention, since there is no loss of the aperture area OA due to the second alignment confirmation key ACK2, even though the second alignment confirmation key ACK2 is formed in the display area DA, (OA) loss.

도 19a 및 도 19b는 컬러필터가 박막 트랜지스터 기판에 형성되는 경우, 박막 트랜지스터 기판과 블랙 컬럼 스페이서 기판을 상세히 보여주는 또 다른 평면도들이다.19A and 19B are another plan views showing the thin film transistor substrate and the black column spacer substrate in detail when the color filter is formed on the thin film transistor substrate.

도 19a 및 도 19b에서는 하부 기판이 컬러필터들이 형성되는 박막 트랜지스터 기판이고, 상부 기판이 블랙 컬럼 스페이서 기판인 것을 예시하였다. 도 19a 및 도 19b에는 설명의 편의를 위해 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 제1 정렬 확인 키(ACK1)들, 및 제2 정렬 확인 키(ACK2)들만을 도시하였다.19A and 19B illustrate that the lower substrate is a thin film transistor substrate on which color filters are formed and the upper substrate is a black column spacer substrate. 19A and 19B show only the display area DA, the non-display area NDA, the first alignment confirmation keys ACK1, and the second alignment confirmation keys ACK2 for convenience of explanation.

도 19a 및 도 19b를 참조하면, 하부 기판(11)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이고, 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 주변 영역으로 화상을 표시하지 않는 영역이다.19A and 19B, the lower substrate 11 includes a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area where pixels are formed to display an image, and the non-display area NDA is an area that does not display an image in the peripheral area of the display area DA.

하부 기판(11)의 표시영역(DA)에 형성된 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 도 3a를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 또한, 상부 기판(12)의 표시영역(DA)에 형성된 제2 정렬 확인 키(ACK2)들은 도 3b를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.The first alignment confirmation keys ACK1 formed in the display area DA of the lower substrate 11 are substantially the same as those described with reference to FIG. The second alignment confirmation keys ACK2 formed in the display area DA of the upper substrate 12 are substantially the same as those described with reference to FIG. 3B.

한편, 도 3a와 같이 하부 기판(11)의 표시영역(DA)의 화소들 일부에만 제1 정렬 확인 키(ACK1)들을 형성하는 경우, 도 8과 같이 노출 홀(EH)이 형성된 영역에서 하부 기판(12)과 폴리이미드막(PI) 사이의 높이와 노출 홀(EH)이 형성되지 않은 영역에서 하부 기판(12)과 폴리이미드막(PI) 사이의 높이 사이에 차이가 발생한다. 이 경우, 폴리이미드막(PI)을 형성한 후 배향을 위해 러빙 공정을 진행하면, 노출 홀(EH)이 형성된 영역과 노출 홀(EH)이 형성되지 않은 영역 사이에서 러빙 포가 느끼는 마찰력이 달라지게 된다. 이로 인해, 노출 홀(EH)이 형성된 영역과 노출 홀(EH)이 형성되지 않은 영역에서 배향 차이가 발생하게 되며, 그 결과 러빙 방향을 따라 소정의 라인이 시인되는 문제가 발생할 수 있다.3A, when the first alignment confirmation keys ACK1 are formed in only a part of the pixels of the display area DA of the lower substrate 11, There is a difference between the height between the lower substrate 12 and the polyimide film PI and the height between the lower substrate 12 and the polyimide film PI in the region where the exposure hole EH is not formed. In this case, when the rubbing process is performed for orientation after the polyimide film PI is formed, the frictional force felt by the rubbing cloth is different between the region where the exposure hole EH is formed and the region where the exposure hole EH is not formed do. As a result, a difference in orientation occurs between the region where the exposure hole EH is formed and the region where the exposure hole EH is not formed, and as a result, a predetermined line may be visually recognized along the rubbing direction.

본 발명의 실시 예는 상기 문제점을 해결하기 위해, 하부 기판(11)의 비표시영역(NDA)에 제1 정렬 확인 키(ACK1)들을 형성한다. 특히, 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 비표시영역(NDA)에서 게이트 라인 및/또는 공통 라인마다 형성될 수 있다. 비표시영역(NDA)에 형성된 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 컬러필터의 정렬 오차를 판단하기 위한 것이기 보다는, 러빙 방향을 따라 시인되는 소정의 라인을 방지하기 위함이다.In order to solve the above problem, the embodiment of the present invention forms first alignment confirmation keys (ACK1) in the non-display area (NDA) of the lower substrate (11). In particular, the first alignment confirmation keys ACK1 may be formed for each gate line and / or common line in the non-display area NDA. The first alignment confirmation keys ACK1 formed in the non-display area NDA are intended to prevent certain lines that are viewed along the rubbing direction, rather than to determine alignment errors of the color filters.

또한, 러빙 방향이 x 축 방향으로 진행되는 경우, 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 도 19a와 같이 x 축 방향으로 표시영역(DA)의 좌우 바깥쪽의 비표시영역(NDA)에 형성될 수 있다. 또한, 러빙 방향이 y 축 방향으로 진행되는 경우, 제1 정렬 확인 키(ACK1)들은 y 축 방향으로 표시영역(DA)의 좌우 바깥쪽의 비표시영역(NDA)에 형성될 수 있다.When the rubbing direction proceeds in the x-axis direction, the first alignment confirmation keys ACK1 may be formed in the non-display area NDA on the left and right outside of the display area DA in the x-axis direction as shown in Fig. 19A have. Further, when the rubbing direction proceeds in the y-axis direction, the first alignment confirmation keys ACK1 may be formed in the non-display area NDA on the left and right outside of the display area DA in the y-axis direction.

이와 같이, 제1 정렬 확인 키(ACK1)들이 비표시영역(NDA)에 형성되는 경우, 표시영역(DA)에서 노출 홀(EH)이 형성된 영역과 노출 홀(EH)이 형성되지 않은 영역 사이에서 러빙 포가 느끼는 마찰력의 차이를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 표시영역(DA)에서 노출 홀(EH)이 형성된 영역과 노출 홀(EH)이 형성되지 않은 영역에서 배향 차이가 발생하는 것을 줄일 수 있으며, 그 결과 러빙 방향을 따라 소정의 라인이 시인되는 문제를 방지할 수 있다.In this way, when the first alignment confirmation keys ACK1 are formed in the non-display area NDA, in the display area DA between the area where the exposure hole EH is formed and the area where the exposure hole EH is not formed The difference in friction force felt by the rubbing can be reduced. Therefore, in the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the occurrence of orientation difference in the region where the exposure hole EH is formed in the display region DA and the region where the exposure hole EH is not formed, and as a result, It is possible to prevent a problem that a predetermined line is visible.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 하부 기판
12: 상부 기판 20: 게이트 구동부
30: 소스 드라이브 IC 40: 연성필름
50: 회로보드 60: 타이밍 제어부
DA: 표시영역 NDA: 비표시영역
ACK1: 제1 정렬 확인 키 ACK2: 제2 정렬 확인 키
EH: 노출 홀 CFK: 컬러필터 키
T: 트랜지스터 GE: 게이트 전극
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
PE: 화소 전극 CNT1: 제1 콘택홀
CNT2: 제2 콘택홀 GL: 게이트 라인
DL: 데이터 라인 CL: 공통 라인
BCS: 블랙 컬럼 스페이서 Cst: 스토리지 커패시터
10: Display panel 11: Lower substrate
12: upper substrate 20: gate driver
30: Source drive IC 40: Flexible film
50: circuit board 60: timing controller
DA: display area NDA: non-display area
ACK1: first sorting confirmation key ACK2: second sorting confirmation key
EH: Exposure hole CFK: Color filter key
T: transistor GE: gate electrode
SE: source electrode DE: drain electrode
PE: pixel electrode CNT1: first contact hole
CNT2: second contact hole GL: gate line
DL: Data line CL: Common line
BCS: Black column spacer Cst: Storage capacitor

Claims (15)

게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 상기 게이트 라인들과 데이터 라인들에 접속된 트랜지스터들과 상기 트랜지스터들에 접속된 화소 전극들을 포함하는 화소들을 포함하는 표시영역과 상기 표시영역의 주변의 비표시영역이 마련되는 하부 기판;
상기 하부 기판 상에 배치되는 상부 기판; 및
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 개재된 액정층을 구비하고,
상기 하부 기판의 표시영역에는 제1 정렬 확인 키가 마련되는 표시장치.
A display region including pixels including gate lines, data lines, and transistors connected to the gate lines and data lines and pixel electrodes connected to the transistors, and a non-display region A lower substrate provided with a lower electrode;
An upper substrate disposed on the lower substrate; And
And a liquid crystal layer interposed between the lower substrate and the upper substrate,
And a first alignment confirmation key is provided in a display region of the lower substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 화소들 각각은 상기 화소들 각각은 화소 전극이 마련되는 개구 영역과 트랜지스터가 마련되는 비개구 영역을 포함하며,
상기 제1 정렬 확인 키는 상기 화소들 중 어느 한 화소의 상기 비개구 영역에 마련되는 표시장치.
The method according to claim 1,
Each of the pixels includes an aperture region in which the pixel electrode is provided and a non-aperture region in which the transistor is provided,
Wherein the first alignment confirmation key is provided in the non-aperture area of one of the pixels.
제 2 항에 있어서,
상기 하부 기판에는 상기 개구 영역에 하나의 컬러필터가 마련되고, 상기 비개구 영역에 복수의 컬러필터들이 마련되는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the lower substrate is provided with one color filter in the opening region and the plurality of color filters are provided in the non-opening region.
제 3 항에 있어서,
상기 복수의 컬러필터들은 적색 컬러필터와 청색 컬러필터를 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the plurality of color filters include a red color filter and a blue color filter.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 정렬 확인 키는,
상기 복수의 컬러필터들에 의해 둘러싸인 노출 홀; 및
상기 노출 홀 내에 마련되는 컬러필터 키를 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the first sorting confirmation key comprises:
An exposure hole surrounded by the plurality of color filters; And
And a color filter key provided in the exposure hole.
제 5 항에 있어서,
상기 하부 기판에는 상기 게이트 라인들과 나란하게 마련된 공통 라인이 마련되고,
상기 노출 홀은 상기 공통 라인 또는 상기 게이트 라인에 의해 둘러싸인 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the lower substrate is provided with a common line arranged in parallel with the gate lines,
Wherein the exposure hole is surrounded by the common line or the gate line.
제 2 항에 있어서,
상기 상부 기판에는 개구 영역에 컬러필터가 마련되고, 상기 비개구 영역에 블랙 매트릭스가 마련되는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the upper substrate is provided with a color filter in an opening region, and a black matrix is provided in the non-opening region.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 정렬 확인 키는,
상기 블랙 매트릭스에 의해 둘러싸인 노출 홀; 및
상기 노출 홀 내에 마련되는 컬러필터 키를 포함하는 표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the first sorting confirmation key comprises:
An exposure hole surrounded by the black matrix; And
And a color filter key provided in the exposure hole.
제 5 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 컬러필터 키는 상기 개구 영역에 마련된 컬러필터와 동일한 색인 표시장치.
9. The method according to claim 5 or 8,
Wherein the color filter key is the same index as a color filter provided in the opening area.
제 3 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 제1 정렬 확인 키를 가리도록 상기 상부 기판에 마련되는 블랙 컬럼 스페이서를 더 포함하는 표시장치.
8. The method according to claim 3 or 7,
And a black column spacer provided on the upper substrate to cover the first alignment confirmation key.
제 10 항에 있어서,
상기 화소들 중 또 다른 화소의 상기 비개구 영역에는 제2 정렬 확인 키가 마련되는 표시장치.
11. The method of claim 10,
And a second alignment confirmation key is provided in the non-aperture area of another pixel among the pixels.
제 11 항에 있어서,
상기 제2 정렬 확인 키는 상기 블랙 컬럼 스페이서와 동일한 물질인 것인 표시장치.
12. The method of claim 11,
And the second alignment confirmation key is the same material as the black column spacer.
제 12 항에 있어서,
상기 제2 정렬 확인 키의 두께는 상기 블랙 컬럼 스페이서의 두께보다 얇거나 동일한 표시장치.
13. The method of claim 12,
And the thickness of the second alignment confirmation key is thinner than or equal to the thickness of the black column spacer.
제 2 항에 있어서,
서로 인접한 화소 전극들 사이에는 복수의 게이트 라인들과 복수의 공통 라인들이 마련되며,
상기 제1 정렬 확인 키는 상기 복수의 게이트 라인들이 배치되는 영역에 형성되는 표시장치.
3. The method of claim 2,
A plurality of gate lines and a plurality of common lines are provided between adjacent pixel electrodes,
Wherein the first alignment confirmation key is formed in an area where the plurality of gate lines are arranged.
제 1 항에 있어서,
상기 하부 기판에는 상기 화소들이 마련되는 표시 영역의 주변에 마련되는 비표시 영역에 복수의 제1 정렬 확인 키들이 마련되는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the lower substrate is provided with a plurality of first alignment confirmation keys in a non-display area provided in a periphery of a display area where the pixels are provided.
KR1020150075704A 2015-05-29 2015-05-29 Display device KR102290821B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150075704A KR102290821B1 (en) 2015-05-29 2015-05-29 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150075704A KR102290821B1 (en) 2015-05-29 2015-05-29 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160141189A true KR20160141189A (en) 2016-12-08
KR102290821B1 KR102290821B1 (en) 2021-08-18

Family

ID=57576773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150075704A KR102290821B1 (en) 2015-05-29 2015-05-29 Display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102290821B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11016347B2 (en) 2019-08-02 2021-05-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070000547A (en) * 2005-06-27 2007-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crsytal display device using allign mark
KR20140141833A (en) * 2013-05-31 2014-12-11 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070000547A (en) * 2005-06-27 2007-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crsytal display device using allign mark
KR20140141833A (en) * 2013-05-31 2014-12-11 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11016347B2 (en) 2019-08-02 2021-05-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102290821B1 (en) 2021-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10795514B2 (en) Display device having touch detection function
CN107870467B (en) Display device
US10937814B2 (en) Wiring board and display device including metal line with redundant structure and reduced wiring resistance
US8310609B2 (en) Liquid crystal device, electronic apparatus, and method of manufacturing liquid crystal device
US10001676B2 (en) Display device
US11460734B2 (en) Display device
US11476283B2 (en) Display device
US11740521B2 (en) Display device having common electrodes
US11784193B2 (en) Display device
US11877100B2 (en) Impact resistant display device
KR102290821B1 (en) Display device
US10871670B2 (en) Display device with position input function
JP2010085545A (en) Liquid crystal device, method for manufacturing the same and electronic apparatus
JP2021139937A (en) Display device
US10859878B2 (en) Display device
US20230119467A1 (en) Display device and semiconductor substrate
JP2023064256A (en) Active matrix substrate and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant