KR20160125453A - Curable composition for optical imprinting, pattern forming method and pattern - Google Patents

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Abstract

잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 특히, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 패턴을 제공한다.
중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 함불소 화합물을 함유하고, 함불소 화합물이, 하기 일반식 (I)로 나타나는, 광임프린트용 경화성 조성물;
일반식 (I) 중, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타낸다; m은 0~2의 정수를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다; n이 2 또는 3을 나타내는 경우, Rf1은 서로 상이해도 된다.

Figure pct00019
A curable composition for optical imprinting excellent in inkjet ejection accuracy and releasability, particularly, a curable composition for optical imprinting excellent in stability with time of inkjet ejection precision and releasability, a pattern forming method and a pattern.
A curable composition for optical imprinting comprising a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a fluorinated compound, wherein the fluorinated compound is represented by the following formula (I):
In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms; R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms; m represents an integer of 0 to 2, and n represents an integer of 1 to 3; When n represents 2 or 3, Rf 1 may be different from each other.
Figure pct00019

Description

광임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 패턴{CURABLE COMPOSITION FOR OPTICAL IMPRINTING, PATTERN FORMING METHOD AND PATTERN}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a curable composition for optical imprint, a pattern forming method and a pattern,

본 발명은, 광임프린트용 경화성 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 집적 회로, 플랫 스크린, 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 센서 소자, 광디스크, 고밀도 메모리 디스크 등의 자기 기록 매체, 회절 격자나 릴리프 홀로그램 등의 광학 부품, 나노 디바이스, 광학 디바이스, 플랫 패널 디스플레이 제작을 위한 광학 필름이나 편광 소자, 액정 디스플레이의 박막 트랜지스터, 유기 트랜지스터, 컬러 필터, 오버코트층, 주재(柱材), 액정 배향용 리브재, 마이크로 렌즈 어레이, 면역 분석칩, DNA 분리칩, 마이크로 리액터, 나노 바이오 디바이스, 광도파로, 광학 필터, 포토닉 액정 등의 제작에 이용되는 광조사를 이용한 패턴 형성을 위한 광임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition for optical imprinting. More particularly, the present invention relates to a magnetic recording medium such as a semiconductor integrated circuit, a flat screen, a microelectromechanical system (MEMS), a sensor element, an optical disk and a high density memory disk, optical parts such as a diffraction grating and a relief hologram, An organic transistor, a color filter, an overcoat layer, a column material, a rib material for liquid crystal alignment, a micro lens array, an immunoassay chip, a DNA separation chip A pattern forming method, and a pattern for forming a pattern using light irradiation, which is used for manufacturing a microreactor, a nanobio device, an optical waveguide, an optical filter, a photonic liquid crystal, and the like.

임프린트법은, 광디스크 제작에서는 잘 알려져 있는 엠보싱 기술을 발전시켜, 요철의 패턴을 형성한 금형 원기(일반적으로 몰드, 스탬퍼, 템플레이트라고 불림)를, 레지스트에 프레스하여 역학적으로 변형시켜 미세 패턴을 정밀하게 전사하는 기술이다. 몰드를 한번 제작하면, 나노 구조 등의 미세 구조를 간단하게 반복 성형할 수 있기 때문에 경제적이며, 최근, 다양한 분야로의 응용이 기대되고 있다.The imprint method is a method of developing an embossing technique well known in optical disk manufacturing and dynamically deforming a mold tool (generally called a mold, a stamper, or a template) having a concavo-convex pattern formed thereon by pressing it onto a resist to finely pattern the fine pattern It is a technology to transfer. When the mold is once fabricated, the microstructure such as the nanostructure can be simply and repeatedly molded, which is economical and has recently been expected to be applied to various fields.

임프린트법으로서, 피가공 재료로서 열가소성 수지를 이용하는 열임프린트법(예를 들면, 비특허문헌 1 참조)과, 경화성 조성물을 이용하는 광임프린트법(예를 들면, 비특허문헌 2, 비특허문헌 3 참조)이 제안되어 있다. 열임프린트법은, 유리 전이 온도 이상으로 가열한 고분자 수지에 몰드를 프레스한 후, 유리 전이 온도 이하로 냉각하고 나서 몰드를 이형함으로써 미세 구조를 기판 상의 수지에 전사하는 것이다. 이 방법은, 매우 간편하며, 다양한 수지 재료나 유리 재료에도 응용 가능하다.As the imprint method, a thermal imprint method (for example, refer to Non-Patent Document 1) using a thermoplastic resin as a material to be processed and an optical imprint method (for example, see Non-Patent Document 2 and Non-Patent Document 3 ) Has been proposed. In the thermal imprint method, a mold is pressed onto a polymer resin heated to a glass transition temperature or higher, and then the mold is released after cooling to a glass transition temperature or lower, thereby transferring the microstructure to the resin on the substrate. This method is very simple and applicable to various resin materials and glass materials.

한편, 광임프린트법은, 광투과성 몰드나 광투과성 기판을 통하여 광조사하여 경화성 조성물을 광경화시킨 후, 몰드를 박리함으로써 미세 패턴을 광경화물에 전사하는 것이다. 이 방법은, 실온에서의 임프린트가 가능해지기 때문에, 반도체 집적 회로 제작 등의 초미세 패턴의 정밀 가공 분야에 응용할 수 있다. 최근에는, 이 양자의 장점을 조합한 나노 캐스팅법이나 3차원 적층 구조를 제작하는 리버설 임프린트법 등의 새로운 전개도 보고되고 있다.On the other hand, in the optical imprint method, the curable composition is photo-cured by light irradiation through a light-transmissive mold or a light-transmissive substrate, and then the mold is peeled to transfer the fine pattern to the light cured product. Since this method enables imprinting at room temperature, it can be applied to the field of precision processing of ultrafine patterns such as the fabrication of semiconductor integrated circuits. Recently, new developments such as a nano-casting method combining the merits of both of them and a reverse imprint method of manufacturing a three-dimensional laminated structure have been reported.

이와 같은 임프린트법에 있어서는, 이하와 같은 응용이 제안되고 있다.In such an imprint method, the following applications are proposed.

제1 응용은, 성형한 형상(패턴) 자체가 기능을 가져, 나노 테크놀로지의 요소 부품, 또는 구조 부재로서 이용하는 것이다. 예로서는, 각종 마이크로·나노광학 요소나 고밀도의 기록 매체, 광학 필름, 플랫 패널 디스플레이에 있어서의 구조 부재 등을 들 수 있다.In the first application, the formed shape (pattern) itself has a function and is used as a component part or structural member of the nano-technology. Examples include various micro-nano optical elements, high-density recording media, optical films, structural members in flat panel displays, and the like.

제2 응용은, 마이크로 구조와 나노 구조의 동시 일체 성형이나, 간단한 층간 위치 맞춤에 의하여 적층 구조를 구축하고, 이것을 μ-TAS(Micro-Total Analysis System)나 바이오칩의 제작에 이용하는 것이다.In the second application, a laminated structure is constructed by forming a microstructure and a nanostructure simultaneously or integrally with each other, and then using the laminated structure for manufacturing a micro-total analysis system (μ-TAS) or a biochip.

제3 응용은, 형성된 패턴을 마스크로 하고, 에칭 등의 방법에 의하여 기판을 가공하는 용도로 이용하는 것이다. 이러한 기술에서는, 고정밀도의 위치 맞춤과 고집적화에 의하여, 종래의 리소그래피 기술 대신에, 고밀도 반도체 집적 회로 제작, 액정 디스플레이의 트랜지스터 제작, 패턴드 미디어라고 불리는 차세대 하드 디스크의 자성체 가공 등에 이용할 수 있다. 이들의 응용에 관한 임프린트법의 실용화로의 노력이 최근 활발화되고 있다.The third application is used for the purpose of processing a substrate by a method such as etching using the formed pattern as a mask. This technique can be used for high-density semiconductor integrated circuit fabrication, transistor fabrication of a liquid crystal display, and magnetic fabrication of a next-generation hard disk called patterned media, instead of the conventional lithography technique, by high-precision alignment and high integration. Efforts to commercialize the imprint method for these applications have recently become active.

임프린트법은, 몰드를 박리하는 공정을 갖기 때문에, 그 이형성이 당초부터 문제가 되고 있었다. 이형성을 개량하는 시도로서, 함불소 모노머나, 비반응성의 함불소 화합물을 경화성 조성물에 함유시키는 방법이 공지이다(비특허문헌 4).Since the imprint method has a step of peeling the mold, its releasing property has been a problem from the beginning. As an attempt to improve the releasability, a method of incorporating a fluorinated monomer or a non-reactive fluorinated compound into a curable composition is known (Non-Patent Document 4).

한편으로, 임프린트법으로 초미세 패턴을 고정밀도로 형성시키는 용도(예를 들면, 반도체 기판 가공용 에칭 레지스트 용도)에 있어서, 잉크젯법이 주목받고 있다(특허문헌 1).On the other hand, an inkjet method has attracted attention (for example, in the use of an etching resist for processing a semiconductor substrate) in which an ultrafine pattern is formed with high accuracy by the imprint method (Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 공표특허공보 2008-502157호Patent Document 1: Japanese Published Patent Application No. 2008-502157

비특허문헌 1: S. Chou et al., Appl. Phys. Lett. 67, 3114(1995)Non-Patent Document 1: S. Chou et al., Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995) 비특허문헌 2: J. Haisma et al., J. Vac. Sci. Technol. B 14(6), 4124(1996)Non-Patent Document 2: J. Haisma et al., J. Vac. Sci. Technol. B 14 (6), 4124 (1996) 비특허문헌 3: M. Colbun et al., Proc. SPIE 3676, 379(1999)Non-Patent Document 3: M. Colbun et al., Proc. SPIE 3676, 379 (1999) 비특허문헌 4: M. W. Lin et al., J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 7(3), 033005(2008)Non-Patent Document 4: M. W. Lin et al., J. Micro / Nanolith. MEMS MOEMS 7 (3), 033005 (2008)

여기에서, 잉크젯법은, 패턴의 조밀(粗密)에 따라서 경화 조성물의 도포량을 조정할 수 있기 때문에, 잔막의 두께 편차를 저감시킬 수 있고, 패턴 품위가 우수한 이점이 있다. 또, 스핀 코트법에 비하여, 재료의 이용 효율이 높고, 생산 코스트 저감이나 환경 부하 저감의 이점도 있다. 그러나, 잉크젯 토출이 양호한 정밀도로 안정적으로 행해지지 않으면, 경화성 조성물의 충전 불량이나 잔막의 두께 편차와 같은 문제가 발생한다.Here, the inkjet method can adjust the coating amount of the curable composition in accordance with the roughness of the pattern, so that the variation in the thickness of the remaining film can be reduced and the pattern quality can be advantageously improved. In addition, compared with the spin coating method, the utilization efficiency of the material is high, and there is also an advantage of reducing the production cost and reducing the environmental load. However, if the inkjet discharge is not stably performed with good precision, problems such as poor filling of the curable composition and variation in thickness of the residual film occur.

한편, 본원 발명자들이 종래 기술에 대하여 예의 검토를 행한바, 비특허문헌 4에 기재된 비반응성의 함불소 화합물을 광임프린트용 경화성 조성물에 함유시킨 경우는, 어느 정도의 이형성 향상 효과는 있지만, 잉크젯 토출 정밀도와 이형성을 양립할 수 없고, 또한, 경화성 조성물의 잉크젯 토출 정밀도와 이형성이 경시에 따라 현저하게 열화되는 것을 알 수 있었다. 또, 비특허문헌 4에 기재된 함불소 모노머를 함유시킨 광임프린트용 경화성 조성물은, 이형성을 만족할 수 있는 레벨은 아니었다.On the other hand, the inventors of the present invention have conducted intensive studies on the prior art. When the non-reactive fluorinated compound described in Non-Patent Document 4 is contained in the curable composition for optical imprint, the releasing property is improved to some extent. It was found that the precision and releasability could not be achieved at the same time, and that the inkjet ejection accuracy and releasability of the curable composition deteriorated remarkably with the passage of time. The curable composition for optical imprint containing the fluorine-containing monomer described in Non-Patent Document 4 was not at a level that can satisfy the releasability.

본 발명의 과제는, 상기 문제점을 해결하는 것으로서, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 특히, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 패턴 형성 방법 및 패턴을 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of the Invention An object of the present invention is to provide a curable composition for optical imprinting which is excellent in inkjet ejection accuracy and releasability, and in particular, to provide a curable composition for optical imprint that is excellent in stability with time of inkjet ejection precision and releasability . It is also an object of the present invention to provide a pattern forming method and a pattern.

이러한 상황하에 본원 발명자들이 예의 검토를 행한 결과, 특정 함불소 화합물을 광임프린트용 경화성 조성물 중에 함유시킴으로써, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성, 또한, 이들의 경시 안정성이 향상되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.Under these circumstances, the inventors of the present invention have conducted intensive studies, and as a result, they have found that ink-jet ejection accuracy and releasability and stability over time are improved by containing a specific fluorine compound in the curable composition for optical imprint. .

구체적으로는, 이하의 해결 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는, 수단 <2> 내지 <15>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.More specifically, according to the following solving means <1>, preferably, the above-mentioned problems are solved by means <2> to <15>.

<1> 중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 함불소 화합물을 함유하고,&Lt; 1 > A photosensitive composition comprising a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a fluorinated compound,

함불소 화합물이, 하기 일반식 (I)로 나타나는, 광임프린트용 경화성 조성물;Wherein the fluorinated compound is represented by the following general formula (I);

일반식 (I)The compound of formula (I)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

일반식 (I) 중, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타낸다; m은 0~2의 정수를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다; n이 2 또는 3을 나타내는 경우, Rf1은 서로 상이해도 된다.In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms; R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms; m represents an integer of 0 to 2, and n represents an integer of 1 to 3; When n represents 2 or 3, Rf 1 may be different from each other.

<2> 함불소 화합물을, 용제를 제외한 전체 성분에 대하여 1~5질량% 함유하는, <1>에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.&Lt; 2 > The curable composition for optical imprinting according to < 1 >, wherein the fluorinated compound is contained in an amount of 1 to 5 mass% based on the total components excluding the solvent.

<3> 일반식 (I)에 있어서, Rf1이 탄소수 4~6의 퍼플루오로알킬기인, <1> 또는 <2>에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<3> The curable composition for optical imprinting according to <1> or <2>, wherein in the general formula (I), Rf 1 is a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms.

<4> 일반식 (I)에 있어서, R1이 탄소수 1~7의 알킬기인, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<4> The curable composition for optical imprinting according to any one of <1> to <3>, wherein R 1 in the general formula (I) is an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms.

<5> 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트 화합물인, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<5> The curable composition for optical imprinting according to any one of <1> to <4>, wherein the polymerizable compound is a (meth) acrylate compound.

<6> 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 중합성 화합물을 전체 중합성 화합물에 대하여 40~100질량% 함유하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<6> The optical imprinting method according to any one of <1> to <5>, wherein the polymerizable compound contains 40 to 100% by mass of a polymerizable compound having two (meth) Curable composition.

<7> 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물을 전체 중합성 화합물에 대하여 10~45질량% 함유하는, <6>에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<7> The curable composition for optical imprinting according to <6>, wherein the polymerizable compound contains a polymerizable compound having one (meth) acrylate group in an amount of 10 to 45 mass% with respect to the total polymerizable compound.

<8> 광임프린트용 경화성 조성물이, 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물을 더 함유하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<8> The curable composition for optical imprinting according to any one of <1> to <7>, wherein the curable composition for optical imprint further contains a non-polymerizable compound having a polyalkyleneglycol structure.

<9> 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물이, 하기 일반식 (II)로 나타나는, <8>에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<9> The curable composition for optical imprinting according to <8>, wherein the non-polymerizable compound having a polyalkyleneglycol structure is represented by the following formula (II).

일반식 (II)In general formula (II)

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

일반식 (II) 중, Rf2 및 Rf3은, 각각 독립적으로 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; p1 및 p2는 각각 독립적으로 1~3의 정수를 나타내고, q1 및 q2는 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내며, r은 2~4의 정수를 나타내고, s는 6~20을 나타낸다.In the general formula (II), Rf 2 and Rf 3 each independently represent a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and at least two fluorine atoms; p 1 and p 2 each independently represent an integer of 1 to 3, q 1 and q 2 each independently represent an integer of 0 to 2, r represents an integer of 2 to 4, s represents an integer of 6 to 20, .

<10> 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물과, 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물의 질량비가, 1:5~5:5인, <8> 또는 <9>에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물;<10> The optical imprint according to <8> or <9>, wherein the mass ratio of the fluorine compound represented by the general formula (I) and the non-polymerizable compound having a polyalkylene glycol structure is 1: 5 to 5: Curable composition;

<11> 광임프린트용 경화성 조성물이 실질적으로 용제를 함유하지 않는, <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<11> The curable composition for optical imprinting according to any one of <1> to <10>, wherein the curable composition for optical imprinting contains substantially no solvent.

<12> 광임프린트용 경화성 조성물이, 23℃에 있어서 점도 15mPa·s 이하이고 또한 표면 장력 25~35mN/m인, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물.<12> The curable composition for optical imprinting according to any one of <1> to <11>, wherein the curable composition for optical imprint has a viscosity at 23 ° C. of 15 mPa · s or less and a surface tension of 25 to 35 mN / m.

<13> <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물을, 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하고, 광임프린트용 경화성 조성물을 몰드와 기재 사이에 끼운 상태에서 광조사하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.&Lt; 13 > A curable composition for optical imprinting as described in any one of < 1 > to < 12 >, which is applied onto a mold having a substrate or a pattern and the curable composition for optical imprint is sandwiched between the mold and the substrate, Wherein the pattern forming step comprises:

<14> 광임프린트용 경화성 조성물의 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는 방법이 잉크젯법인, <13>에 기재된 패턴 형성 방법.<14> The pattern forming method according to <13>, wherein the method of applying the composition on a substrate having a pattern or a pattern of the curable composition for optical imprint is an inkjet method.

<15> <13> 또는 <14>에 기재된 패턴 형성 방법으로 얻어진 패턴.&Lt; 15 > A pattern obtained by the pattern formation method according to < 13 > or < 14 >.

본 발명에 의하면, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 특히, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물을 제공하는 것이 가능해졌다. 또, 패턴 형성 방법 및 패턴을 제공하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, it becomes possible to provide a curable composition for optical imprinting which is excellent in inkjet ejection accuracy and releasability, particularly, a curable composition for optical imprint that is excellent in stability with time of inkjet ejection accuracy and releasability. It is also possible to provide a pattern forming method and a pattern.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 본원 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. Descriptions of the constituent elements described below may be made on the basis of exemplary embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, "~" is used to mean the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit.

본원 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다. 또, 본원 명세서에 있어서, "단량체"와 "모노머"는 동의이다. 본 발명에 있어서의 단량체는, 올리고머 및 폴리머와 구별되며, 중량 평균 분자량이 1000 미만인 화합물을 말한다. 본원 명세서에 있어서, "관능기"는, 중합 반응에 관여하는 기를 말한다. 또, 본 발명에서 말하는 "임프린트"는, 바람직하게는, 1nm~100μm의 사이즈의 패턴 전사를 말하며, 보다 바람직하게는, 10nm~1μm의 사이즈(나노 임프린트)의 패턴 전사를 말한다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acryl and methacryl, "(meth) acryloyl" And methacryloyl. In the present specification, the terms "monomer" and "monomer" are synonyms. The monomer in the present invention is distinguished from an oligomer and a polymer, and refers to a compound having a weight average molecular weight of less than 1,000. In the present specification, the term "functional group" refers to a group involved in the polymerization reaction. The term "imprint" in the present invention refers to pattern transfer of a size of 1 nm to 100 μm, and more preferably, pattern transfer of a size (nanoimprint) of 10 nm to 1 μm.

본원 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다. 또, 본원 명세서에 있어서, "단량체"와" 모노머"는 동의이다. 단량체는, 올리고머 및 폴리머와 구별되며, 중량 평균 분자량이 1000 미만인 화합물을 말한다. 본원 명세서에 있어서, "관능기"는, 중합 반응에 관여하는 기를 말한다. 또, 본 발명에서 말하는 "임프린트"는, 바람직하게는, 1nm~100μm의 사이즈의 패턴 전사를 말하며, 보다 바람직하게는 10nm~1μm의 사이즈(나노 임프린트)의 패턴 전사를 말한다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acryl and methacryl, "(meth) acryloyl" And methacryloyl. In the present specification, the terms "monomer" and "monomer" are synonyms. Monomers are distinguished from oligomers and polymers and refer to compounds having a weight average molecular weight of less than 1000. In the present specification, the term "functional group" refers to a group involved in the polymerization reaction. The term "imprint" in the present invention refers to pattern transfer of a size of preferably 1 nm to 100 μm, and more preferably, pattern transfer of a size (nanoimprint) of 10 nm to 1 μm.

본원 명세서 중의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기와 함께 치환기를 갖는 기도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the specification of the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes a group having a substituent and a group having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본원 명세서 중, "광"에는, 자외, 근자외, 원자외, 가시, 적외 등의 영역의 파장의 광이나, 전자파뿐만 아니라, 방사선도 포함된다. 방사선에는, 예를 들면 마이크로파, 전자선, EUV, X선이 포함된다. 또 248nm 엑시머 레이저, 193nm 엑시머 레이저, 172nm 엑시머 레이저 등의 레이저광도 이용할 수 있다. 이들 광은, 광학 필터를 통한 모노크롬광(단일 파장광)을 이용해도 되고, 복수의 파장이 상이한 광(복합광)이어도 된다.In the present specification, the term "light" includes not only electromagnetic waves but also radiation of wavelengths in the ultraviolet, extinction, non-atomic, visible, and infrared regions. Radiation includes, for example, microwave, electron beam, EUV, and X-ray. Further, laser light such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, or a 172 nm excimer laser can also be used. These lights may be monochromatic light (single wavelength light) through an optical filter, or light having a plurality of different wavelengths (composite light).

본원 명세서에 있어서, 전체 고형분이란, 조성물의 전체 조성으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다.In the present specification, the total solid content refers to the total mass of components excluding the solvent from the total composition of the composition.

<본 발명의 광임프린트용 경화성 조성물><Curable composition for optical imprint of the present invention>

본 발명의 광임프린트용 경화성 조성물(이하, 간단히 "본 발명의 경화성 조성물" 또는 "본 발명의 조성물"이라고 칭하는 경우도 있음)은, 중합성 화합물 (A)와, 광중합 개시제 (B)와, 하기 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물 (C)를 함유한다.The curable composition for optical imprint of the present invention (hereinafter occasionally referred to simply as "the curable composition of the present invention" or "the composition of the present invention") comprises a polymerizable compound (A), a photopolymerization initiator (B) Contains the fluorine compound (C) represented by the general formula (I).

일반식 (I)The compound of formula (I)

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

일반식 (I) 중, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타낸다; m은 0~2의 정수를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다; n이 2 또는 3을 나타내는 경우, Rf1은 서로 상이해도 된다.In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms; R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms; m represents an integer of 0 to 2, and n represents an integer of 1 to 3; When n represents 2 or 3, Rf 1 may be different from each other.

본 발명에 의하면, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 특히, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물을 제공할 수 있다. 이 메카니즘은 확실하지 않지만, 일반식 (I) 중의 Rf1에 인접하는 탄소 원자가 불소 원자를 갖고 있지 않는 것, 및 일반식 (I) 중의 R1이 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기인 것으로써, 함불소 화합물의 가수분해를 억제할 수 있어, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성을 양호하게 할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a curable composition for optical imprint, which is excellent in inkjet ejection accuracy and releasability, particularly, a curable composition for optical imprint which is excellent in stability with time of inkjet ejection precision and releasability. Although this mechanism is not clear, it is preferable that the carbon atom adjacent to Rf 1 in the general formula (I) does not have a fluorine atom and that R 1 in the general formula (I) is an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an alkyl group having 6 to 8 carbon atoms By being an aryl group, it is possible to suppress the hydrolysis of the fluorinated compound, and the stability of the inkjet discharge accuracy and the releasability over time can be improved.

<중합성 화합물 (A)>&Lt; Polymerizable compound (A) >

본 발명의 경화성 조성물에 이용되는 중합성 화합물은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 기를 1~6개 갖는 중합성 불포화 단량체; 에폭시 화합물, 옥세테인 화합물; 바이닐에터 화합물; 스타이렌 유도체; 프로펜일에터; 뷰텐일에터 등을 들 수 있다. 중합성 화합물 (A)의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-231308호의 단락 번호 0020~0098에 기재된 것을 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.The polymerizable compound used in the curable composition of the present invention is not particularly limited as long as it does not deviate from the object of the present invention. For example, a polymerizable unsaturated monomer having 1 to 6 groups containing an ethylenic unsaturated bond; Epoxy compounds, oxetane compounds; Vinyl ether compounds; Styrene derivatives; Propenyl ether; View teneters, and the like. Specific examples of the polymerizable compound (A) include those described in paragraphs 0020 to 0098 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-231308, the contents of which are incorporated herein by reference.

에틸렌성 불포화 결합 함유기를 1개 갖는 중합성 불포화 단량체로서는 구체적으로, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 뷰틸(메트)아크릴레이트, N-바이닐피롤리딘온, 2-아크릴로일옥시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시2-하이드록시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필프탈레이트, 2-에틸-2-뷰틸프로페인다이올아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실카비톨(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트, 아크릴산 다이머, 벤질(메트)아크릴레이트, 1- 또는 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성(이하 "EO"라고 함) 크레졸(메트)아크릴레이트, 다이프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 에톡시화 페닐(메트)아크릴레이트, 아이소옥틸(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일옥시에틸(메트)아크릴레이트, 아이소미리스틸(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 메톡시다이프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트라이프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트라이에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜벤조에이트(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 파라큐밀페녹시에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 에피클로로하이드린(이하 "ECH"라고 함) 변성 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 페녹시다이에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜-폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, EO 변성 석신산 (메트)아크릴레이트, 트라이브로모페닐(메트)아크릴레이트, EO 변성 트라이브로모페닐(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트라이도데실(메트)아크릴레이트, p-아이소프로펜일페놀, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐카프로락탐이 예시된다.Specific examples of the polymerizable unsaturated monomer having one ethylenically unsaturated bond-containing group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, N-vinylpyrrolidinone, Hydroxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalate, 2-acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl-2-butylpropanediol acrylate (Meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexylcarbitol (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, acrylic acid dimer, benzyl (meth) acrylate, 1- or 2-naphthyl (Meth) acrylate (Meth) acrylate, isopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) (Meth) acrylate, methoxy dipropylene glycol (meth) acrylate, methoxy triethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxy triethylene glycol (Meth) acrylate, neopentylglycol benzoate (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate (Meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, epichlorohydrin (hereinafter referred to as "ECH") modified phenoxy acrylate, phenoxyethyl , Phenoxy diethylene glycol (meth) acrylate, phenoxyhexaethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy tetraethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) (Meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, ) Acrylate, EO-modified tribromide (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridodecyl (meth) acrylate, p-isopropranylphenol, N-vinylpyrrolidone, The pro-lactam and the like.

에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 단관능의 중합성 단량체 중에서도, 본 발명에서는 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 이용하는 것이, 광경화성의 관점에서 바람직하다. 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 단관능의 중합성 단량체로 예시한 것 중에 있어서의, 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물류를 예시할 수 있다.Among monofunctional polymerizable monomers containing an ethylenically unsaturated bond, it is preferable in the present invention to use a monofunctional (meth) acrylate compound from the viewpoint of photo-curability. Examples of the monofunctional (meth) acrylate compound include monofunctional (meth) acrylate compounds exemplified as monofunctional polymerizable monomers containing an ethylenic unsaturated bond.

또한 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 중에서도, 방향족 구조 및/또는 지환식 탄화 수소 구조를 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트가 드라이 에칭 내성의 관점에서 바람직하고, 방향족 구조를 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트가 더 바람직하다.Of the monofunctional (meth) acrylate compounds, monofunctional (meth) acrylates having an aromatic structure and / or an alicyclic hydrocarbon structure are preferable from the viewpoint of dry etching resistance, and monofunctional (meth) acrylates having an aromatic structure The rate is more preferred.

이와 같은 방향족 구조 및/또는 지환식 탄화 수소 구조를 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트 중에서도, 벤질(메트)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 방향환 상에 치환기를 갖는 벤질(메트)아크릴레이트(바람직한 치환기로서는 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 사이아노기), 1- 또는 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 1- 또는 2-나프틸메틸(메트)아크릴레이트, 1- 또는 2-나프틸에틸(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일옥시에틸(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 아다만틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 벤질(메트)아크릴레이트, 방향환 상에 치환기를 갖는 벤질(메트)아크릴레이트, 나프탈렌 구조를 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물이 보다 바람직하며, 1- 또는 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 1- 또는 2-나프틸메틸(메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.Among these monofunctional (meth) acrylates having an aromatic structure and / or alicyclic hydrocarbon structure, benzyl (meth) acrylate, 2-phenoxyethyl (meth) acrylate, benzyl Acrylate, 1- or 2-naphthylmethyl (meth) acrylate (preferred examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a cyano group) Acrylate, dicyclopentanyloxy (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, Adamantyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate having a substituent on the aromatic ring, and monofunctional (meth) acrylate compounds having a naphthalene structure are more preferable, 1- or 2- Butyl (meth) acrylate is particularly preferred, 1 or 2-naphthyl (meth) acrylate.

본 발명에서는, 중합성 단량체로서, 에틸렌성 불포화 결합 함유기를 2개 이상 갖는 다관능 중합성 불포화 단량체를 이용하는 것도 바람직하다.In the present invention, as the polymerizable monomer, it is also preferable to use a polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having two or more ethylenic unsaturated bond-containing groups.

본 발명에서 바람직하게 이용할 수 있는 에틸렌성 불포화 결합 함유기를 2개 갖는 2관능 중합성 불포화 단량체의 예로서는, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터(메트)아크릴레이트, 다이메틸올다이사이클로펜테인다이(메트)아크릴레이트, 다이(메트)아크릴화 아이소사이아누레이트, 1,3-뷰틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올다이(메트)아크릴레이트, EO 변성 1,6-헥세인다이올다이(메트)아크릴레이트, ECH 변성 1,6-헥세인다이올다이(메트)아크릴레이트, 알릴옥시폴리에틸렌글라이콜아크릴레이트, 1,9-노네인다이올다이(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트, PO 변성 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트, 변성 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 F 다이(메트)아크릴레이트, ECH 변성 헥사하이드로프탈산 다이아크릴레이트, 하이드록시피발산 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, EO 변성 네오펜틸글라이콜다이아크릴레이트, 프로필렌옥사이드(이후 "PO"라고 함) 변성 네오펜틸글라이콜다이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 하이드록시피발산 에스터네오펜틸글라이콜, 스테아르산 변성 펜타에리트리톨다이(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프탈산 다이(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글라이콜-테트라메틸렌글라이콜)다이(메트)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글라이콜-테트라메틸렌글라이콜)다이(메트)아크릴레이트, 폴리에스터(다이)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 실리콘다이(메트)아크릴레이트, 트라이에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 다이메틸올트라이사이클로데케인다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜 변성 트라이메틸올프로페인다이(메트)아크릴레이트, 트라이프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, EO 변성 트라이프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이글리세롤다이(메트)아크릴레이트, 다이프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 다이바이닐에틸렌 요소, 다이바이닐프로필렌 요소, o-, m-, p-자일릴렌다이(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만테인다이아크릴레이트, 노보네인다이메탄올다이아크릴레이트, m-자일릴렌비스(메트)아크릴레이트가 예시된다.Examples of the bifunctional polymerizable unsaturated monomer having two ethylenically unsaturated bond-containing groups that can be preferably used in the present invention include diethylene glycol monoethylether (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di (Meth) acrylate, di (meth) acrylated isocyanurate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, allyloxypolyethylene glycol acrylate, 1,9-nonene diol di (meth) Acrylate, EO-modified bisphenol A di (meth) acrylate, PO-modified bisphenol A di (meth) acrylate, modified bisphenol A di (meth) acrylate, EO- rope Neopentylglycol di (meth) acrylate, EO-modified neopentylglycol diacrylate, propylene oxide (hereinafter referred to as "PO (Meth) acrylate, ECH-modified phthalic acid di (meth) acrylate, stearic acid-modified pentaerythritol di (meth) acrylate, caprolactone-modified hydroxypropionic acid ester neopentyl glycol (Meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene glycol) (Meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, ECH-modified propylene glycol di (meth) acrylate, silicone die (Meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, dimethyloltricyclodecane di (meth) acrylate, neopentylglycol modified tri (Meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, EO modified tripropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate, dipropylene glycol (Meth) acrylate, divinylethylene urea, divinylpropylene urea, o-, m-, p-xylylenedi (meth) acrylate, 1,3-adamantane diacrylate, norbornene dimethanol Diacrylate, and m-xylylene bis (meth) acrylate.

이들 중에서 특히, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 1,9-노네인다이올다이(메트)아크릴레이트, 트라이프로필렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, o-, m-, p-벤젠다이(메트)아크릴레이트, o-, m-, p-자일릴렌다이(메트)아크릴레이트 등의 2관능 (메트)아크릴레이트가 본 발명에 적합하게 이용된다.Among them, particularly preferred is at least one selected from the group consisting of neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,9-nonene diol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) (Meth) acrylate, hydroxypivalic acid neopentylglycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, o-, m-, , m-, p-xylylene di (meth) acrylate, and the like are suitably used in the present invention.

본 발명의 경화성 조성물에 이용되는 중합성 화합물로서는, (메트)아크릴레이트 화합물이 바람직하고, 특히, 에칭 내성의 관점에서, 지환 탄화 수소기 및/또는 방향족기를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물이 보다 바람직하며, 방향족기를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물이 더 바람직하다.As the polymerizable compound used in the curable composition of the present invention, a (meth) acrylate compound is preferable, and a (meth) acrylate compound having an alicyclic hydrocarbon group and / or an aromatic group is more preferable from the viewpoint of etching resistance And a (meth) acrylate compound having an aromatic group is more preferable.

(메트)아크릴레이트 화합물로서는, (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 화합물과, (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.The (meth) acrylate compound preferably contains a compound having two (meth) acrylate groups, and preferably includes a compound having one (meth) acrylate group and a compound having two (meth) Is more preferable.

(메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 화합물은, 분자량이 100~500인 것이 바람직하고, 170~300인 것이 보다 바람직하다. (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 화합물은, 예를 들면, 식 "A1-L-A2"로 나타나는 것이 바람직하다. 여기에서, 식 중의 A1 및 A2는, 각각 독립적으로 (메트)아크릴레이트기를 나타내고, L은 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기는, 알킬렌기, 아릴렌기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. 2가의 연결기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 4~12가 보다 바람직하며, 5~10이 더 바람직하다.The compound having two (meth) acrylate groups preferably has a molecular weight of 100 to 500, more preferably 170 to 300. The compound having two (meth) acrylate groups is preferably represented by, for example, the formula "A 1 -LA 2 ". In the formula, A 1 and A 2 each independently represent a (meth) acrylate group, and L represents a divalent linking group. The divalent linking group is preferably a group consisting of an alkylene group, an arylene group, or a combination thereof. The carbon number of the divalent linking group is preferably 2 to 20, more preferably 4 to 12, and still more preferably 5 to 10.

(메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 화합물은, 분자량이 100~500인 것이 바람직하고, 170~400인 것이 보다 바람직하며, 200~300인 것이 더 바람직하다. (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 화합물은, 예를 들면, 식 "A1-L-H"로 나타나는 것이 바람직하다. 여기에서, 식 중의 A1 및 L은, 상기 (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 화합물의 식 "A1-L-A2"에 있어서의 A1 및 L과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다. H는, 수소 원자이다.The compound having one (meth) acrylate group preferably has a molecular weight of 100 to 500, more preferably 170 to 400, further preferably 200 to 300. The compound having one (meth) acrylate group is preferably represented by, for example, the formula "A 1 -LH". Here, A 1 and L in the formula is the (meth) and A 1 and L and copper in the equation "A 1 -LA 2" of the compound having two acrylate groups, are also the same preferable range. H is a hydrogen atom.

또, 본 발명의 경화성 조성물은, 실리콘 원자 및/또는 불소 원자를 갖는 중합성 화합물을 함유해도 된다. 예를 들면, 불소 원자를 갖는 중합성 화합물로서는, 탄소수 1~9의 함불소 알킬기를 갖는 중합성 화합물을 들 수 있다. 중합성기로서는, 예를 들면, (메트)아크릴레이트기를 들 수 있다. 불소 원자를 갖는 중합성 화합물로서는, 예를 들면 국제 공개특허공보 2010/137724호의 단락 0022~0023의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The curable composition of the present invention may contain a polymerizable compound having a silicon atom and / or a fluorine atom. Examples of the polymerizable compound having a fluorine atom include a polymerizable compound having a fluorinated alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. The polymerizable group includes, for example, a (meth) acrylate group. As the polymerizable compound having a fluorine atom, reference can be made, for example, to the description in paragraphs 0022 to 0023 of International Patent Publication No. 2010/137724, the contents of which are incorporated herein by reference.

한편, 본 발명에서는, 실리콘 원자 및/또는 불소 원자를 갖는 중합성 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 양태로 하는 것도 바람직하다. 본 발명에서는, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물을 배합하기 때문에, 실리콘 원자 및/또는 불소 원자를 갖는 중합성 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 양태로 해도, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성, 및 그들의 경시 안정성을 양호하게 할 수 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 예를 들면, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물의 배합량의 합계에 대하여, 1질량% 이하인 것을 말한다.In the present invention, on the other hand, it is also preferable to make it not substantially contain a polymerizable compound having a silicon atom and / or a fluorine atom. In the present invention, since the fluorinated compound represented by the general formula (I) is blended, even in the case of not substantially containing the polymerizable compound having a silicon atom and / or a fluorine atom, inkjet discharge accuracy and releasability, The stability can be improved. The term "substantially not containing" means, for example, 1% by mass or less based on the total amount of the fluorine compound represented by formula (I).

본 발명의 경화성 조성물에 포함되는 전체 중합성 화합물의 성분 중, (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물의 합계는, 전체 중합성 화합물에 대하여 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 45질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 35질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 하한값으로서는, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하다. (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물을 배합함으로써, 패턴 형성성을 보다 향상시킬 수 있다. (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 중합성 화합물의 합계는, 전체 중합성 화합물에 대하여 40~100질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55~95질량%, 더 바람직하게는 65~90질량%이다.The total amount of the polymerizable compound having one (meth) acrylate group in the entire polymerizable compound contained in the curable composition of the present invention is preferably 60% by mass or less, more preferably 45% by mass or less More preferably 35% by mass or less. The lower limit value is preferably 5% by mass or more, and more preferably 10% by mass or more. By blending a polymerizable compound having one (meth) acrylate group, the pattern formability can be further improved. The sum of the polymerizable compounds having two (meth) acrylate groups is preferably 40 to 100 mass%, more preferably 55 to 95 mass%, and still more preferably 65 to 90 mass% %to be.

본 발명의 경화성 조성물에 포함되는 전체 중합성 화합물의 성분 중, 지환 탄화 수소기 및/또는 방향족기를 갖는 중합성 화합물의 합계가, 전체 중합성 화합물의, 30~100질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50~100질량%, 더 바람직하게는 60~100질량%이다.The total amount of the polymerizable compound having an alicyclic hydrocarbon group and / or aromatic group in the total polymerizable compound contained in the curable composition of the present invention is preferably 30 to 100% by mass of the total polymerizable compound, Preferably 50 to 100% by mass, and more preferably 60 to 100% by mass.

중합성 화합물로서 방향족기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 중합성 화합물이, 전체 중합성 성분의 30~100질량%인 것이 바람직하고, 50~100질량%인 것이 보다 바람직하며, 60~100질량%인 것이 특히 바람직하다.(Meth) acrylate polymerizable compound containing an aromatic group as a polymerizable compound is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, and more preferably 60 to 100% by mass of the total polymerizable component Is particularly preferable.

특히 바람직한 실시형태는, 하기 중합성 화합물 (A1)의 양이, 전체 중합성 성분의 0~60질량%, 보다 바람직하게는 5~45질량%, 더 바람직하게는 10~40질량%이며, 하기 중합성 화합물 (A2)의 양이, 전체 중합성 성분의 40~100질량%, 보다 바람직하게는 55~95질량%, 더 바람직하게는 60~90질량%인 경우이다.Particularly preferred embodiments are those wherein the amount of the polymerizable compound (A1) is from 0 to 60% by mass, more preferably from 5 to 45% by mass, and still more preferably from 10 to 40% by mass of the total polymerizable component The amount of the polymerizable compound (A2) is 40 to 100% by mass, more preferably 55 to 95% by mass, and more preferably 60 to 90% by mass of the total polymerizable component.

(A1) 탄소수 10~20의 직쇄상 또는 분기의 알킬기와 (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물, 또는 탄소수 1~12의 직쇄상 또는 분기의 알킬기가 치환된 방향족기와 (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물(A1) a polymerizable compound having a linear or branched alkyl group having 10 to 20 carbon atoms and a (meth) acrylate group, or a linear or branched alkyl group-substituted aromatic group having 1 to 12 carbon atoms and (meth) A polymerizable compound having one group

(A2) 방향족기(바람직하게는 페닐기, 나프틸기, 페닐렌기, 더 바람직하게는 페닐렌기)와, (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 중합성 화합물(A2) an aromatic group (preferably a phenyl group, a naphthyl group, a phenylene group, more preferably a phenylene group) and a polymerizable compound having two (meth) acrylate groups

중합성 화합물은, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

후술하는 패턴 반전법에서는 에칭 내성을 갖지 않는 것이 바람직하다.In the pattern inversion method described later, it is preferable not to have etching resistance.

<광중합 개시제 (B)>&Lt; Photopolymerization initiator (B) >

본 발명의 경화성 조성물에는, 광중합 개시제가 포함된다. 본 발명에 이용되는 광중합 개시제는, 광조사에 의하여 상술한 중합성 화합물을 중합하는 활성종을 발생하는 화합물이면, 어느 것이라도 이용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 라디칼 중합 개시제, 양이온 중합 개시제가 바람직하고, 라디칼 중합 개시제가 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서, 광중합 개시제는 복수 종을 병용해도 된다.The curable composition of the present invention includes a photopolymerization initiator. The photopolymerization initiator used in the present invention may be any compound that generates an active species that polymerizes the above-mentioned polymerizable compound by light irradiation. As the photopolymerization initiator, a radical polymerization initiator and a cation polymerization initiator are preferable, and a radical polymerization initiator is more preferable. In the present invention, a plurality of photopolymerization initiators may be used in combination.

본 발명에서 사용되는 라디칼 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 시판되고 있는 개시제를 이용할 수 있다. 이들의 예로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2008-105414호의 단락 번호 0091에 기재된 것을 바람직하게 채용할 수 있다. 특히, 이 중에서도 아세토페논계 화합물, 아실포스핀옥사이드계 화합물, 옥심에스터계 화합물이 경화 감도, 흡수 특성의 관점에서 바람직하다.As the radical photopolymerization initiator used in the present invention, for example, commercially available initiators can be used. For example, those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-105414, paragraph number 0091, can be preferably employed. Particularly, among these, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, and an oxime ester compound are preferable from the viewpoints of curing sensitivity and absorption characteristics.

또한, 광중합 개시제는, 1종 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 병용하여 이용하는 것도 바람직하다. 2종 이상을 병용하는 경우, 라디칼 중합 개시제를 2종 이상 병용하는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 다로큐어(등록상표) 1173과 이르가큐어(등록상표) 907, 다로큐어 1173과 루시린(등록상표) TPO, 다로큐어 1173과 이르가큐어(등록상표) 819, 다로큐어 1173과 이르가큐어(등록상표) OXE01, 이르가큐어 907과 루시린 TPO, 이르가큐어 907과 이르가큐어 819의 조합이 예시된다. 이와 같은 조합으로 함으로써, 노광 마진을 보다 넓힐 수 있다.The photopolymerization initiator may be used alone or in combination of two or more. When two or more species are used in combination, it is more preferable to use two or more radical polymerization initiators in combination. Concretely, there are listed DERACURE (registered trademark) 1173, IRGACURE (registered trademark) 907, DERACURE 1173 and LUCYRIN (registered trademark) TPO, DERACURE 1173, IRGACURE 819, DERACURE 1173 A combination of Irgacure (registered trademark) OXE01, Irgacure 907, Lucillin TPO, Irgacure 907 and Irgacure 819 are exemplified. With such a combination, the exposure margin can be further widened.

광중합 개시제를 병용하는 경우의 바람직한 비율(질량비)은, 9:1~1:9인 것이 바람직하고, 8:2~2:8이 바람직하며, 7:3~3:7인 것이 더 바람직하다.The ratio (mass ratio) is preferably 9: 1 to 1: 9, more preferably 8: 2 to 2: 8, and more preferably 7: 3 to 3: 7 in the case of using a photopolymerization initiator in combination.

본 발명에 이용되는 광중합 개시제의 함유량은, 용제를 제외한 전체 조성물 중, 즉 본 발명의 경화성 조성물의 전체 고형분 중, 예를 들면, 0.01~15질량%가 바람직하고, 0.1~10질량%가 보다 바람직하며, 0.5~7질량%가 더 바람직하다. 2종 이상의 광중합 개시제를 이용하는 경우, 그 합계량이 상기 범위가 된다. 광중합 개시제의 함유량을 0.01질량% 이상으로 하면, 감도(속(速)경화성), 해상성, 라인 에지 러프니스성, 도막 강도가 보다 향상되는 경향이 있어 바람직하다. 또, 광중합 개시제의 함유량을 15질량% 이하로 하면, 광투과성, 착색성, 취급성 등이 보다 향상되는 경향이 있어, 바람직하다.The content of the photopolymerization initiator used in the present invention is preferably from 0.01 to 15% by mass, more preferably from 0.1 to 10% by mass, in the total composition excluding the solvent, i.e., from the total solid content of the curable composition of the present invention , More preferably from 0.5 to 7 mass%. When two or more kinds of photopolymerization initiators are used, the total amount is in the above range. When the content of the photopolymerization initiator is 0.01 mass% or more, the sensitivity (fast curability), resolution, line edge roughness, and film strength tend to be improved, which is preferable. When the content of the photopolymerization initiator is 15 mass% or less, light transmittance, coloring property, handling property and the like tend to be further improved, which is preferable.

<함불소 화합물 (C)>&Lt; Fluorine compound (C) >

본 발명의 경화성 조성물에는, 하기 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물 (C)가 포함된다. 이와 같은 함불소 화합물 (C)를 이용함으로써, 본 발명의 경화성 조성물의 이형성, 잉크젯 토출 정밀도 및 경시 안정성을 향상시킬 수 있다.The curable composition of the present invention includes a fluorine compound (C) represented by the following general formula (I). By using such fluorinated compound (C), the releasability, inkjet ejection accuracy and aging stability of the curable composition of the present invention can be improved.

일반식 (I)The compound of formula (I)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

일반식 (I) 중, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타낸다; m은 0~2의 정수를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다; n이 2 또는 3을 나타내는 경우, Rf1은 서로 상이해도 된다.In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms; R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms; m represents an integer of 0 to 2, and n represents an integer of 1 to 3; When n represents 2 or 3, Rf 1 may be different from each other.

일반식 (I)에 있어서, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다. Rf1은, 직쇄상, 분기상 및 환상 중 어느 것이어도 되지만, 직쇄상 또는 분기상이 바람직하고, 직쇄상이 보다 바람직하다.In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms. Rf 1 may be any of linear, branched and cyclic, but is preferably straight-chain or branched, more preferably straight-chain.

Rf1의 탄소수는, 3~6이 보다 바람직하고, 4~6이 더 바람직하며, 5 또는 6이 특히 바람직하다.The carbon number of Rf 1 is more preferably from 3 to 6, still more preferably from 4 to 6, and particularly preferably from 5 or 6.

Rf1의 말단의 구조는, -CF3 또는 -C(HF2)인 것이 바람직하고, -CF3인 것이 특히 바람직하다.The structure of the terminal of Rf 1 is preferably -CF 3 or -C (HF 2 ), particularly preferably -CF 3 .

Rf1의 불소 원자의 치환율은, 80~100%인 것이 바람직하고, 90~100%인 것이 보다 바람직하며, 100%(퍼플루오로알킬기)인 것이 더 바람직하다. 예를 들면 Rf1은, 탄소수 4~6의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하다. 불소 원자의 치환율이란, 탄소수 1~6의 알킬기 중, 수소 원자가 불소 원자에 치환되어 있는 비율(%)을 말한다.The substitution ratio of fluorine atoms in Rf 1 is preferably 80 to 100%, more preferably 90 to 100%, further preferably 100% (perfluoroalkyl group). For example, Rf 1 is preferably a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms. The substitution ratio of fluorine atoms means the ratio (%) of the alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms in which hydrogen atoms are substituted by fluorine atoms.

Rf1의 구체예로서는, -CF3, CF3CF2-, CF3(CF2)2-, CF3(CF2)3-, CF3(CF2)4-, CF3(CF2)5-, (CF3)2CH-, (CF3)2C(CH3)-, (CF3)2CF(CF2)2-, (CF3)2CF(CF2)4-, H(CF2)2-, H(CF2)4-, H(CF2)6- 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, CF3(CF2)4-, CF3(CF2)5-, H(CF2)6-이 보다 바람직하고, CF3(CF2)5-가 특히 바람직하다.Specific examples of Rf 1, -CF 3, CF 3 CF 2 -, CF 3 (CF 2) 2 -, CF 3 (CF 2) 3 -, CF 3 (CF 2) 4 -, CF 3 (CF 2) 5 -, (CF 3) 2 CH- , (CF 3) 2 C (CH 3) -, (CF 3) 2 CF (CF 2) 2 -, (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 -, H ( CF 2 ) 2 -, H (CF 2 ) 4 -, H (CF 2 ) 6 - and the like. Among them, CF 3 (CF 2 ) 4 -, CF 3 (CF 2 ) 5 - and H (CF 2 ) 6 - are more preferable, and CF 3 (CF 2 ) 5 - is particularly preferable.

일반식 (I)에 있어서, R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타내고, 탄소수 1~7의 알킬기가 바람직하며, 탄소수 1~3의 알킬기가 더 바람직하다. R1은, 직쇄상, 분기상 및 환상 중 어느 것이어도 되지만, 직쇄상 또는 분기상이 바람직하고, 직쇄상이 보다 바람직하다.In the general formula (I), R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. R 1 may be any of linear, branched and cyclic, but is preferably straight-chain or branched, more preferably straight-chain.

탄소수 6~18의 아릴기의 탄소수는, 6~8이 바람직하고, 6이 보다 바람직하다. The carbon number of the aryl group having 6 to 18 carbon atoms is preferably 6 to 8, more preferably 6.

R1의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 아이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 페닐기, 톨릴기, 벤질기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기가 보다 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 더 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.Specific examples of R 1 include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n- A t-butyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a tolyl group, and a benzyl group. Among them, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and an isopropyl group are more preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.

일반식 (I)에 있어서, m은 0~2의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 더 바람직하다.In the general formula (I), m represents an integer of 0 to 2, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

n은 1~3의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 더 바람직하다.n represents an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

함불소 화합물 (C)의 바람직한 구체예로서, 이하의 화합물 C-1~C-15를 들 수 있지만, 본 발명에서 이용되는 함불소 화합물 (C)가 이들 화합물에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the fluorine compound (C) include the following compounds C-1 to C-15, but the fluorine compound (C) used in the present invention is not limited to these compounds.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

함불소 화합물 (C)의 분자량은, 140~550이 바람직하고, 200~500이 보다 바람직하며, 400~450이 더 바람직하다.The molecular weight of the fluorine compound (C) is preferably from 140 to 550, more preferably from 200 to 500, still more preferably from 400 to 450.

본 발명의 경화성 조성물 중의 함불소 화합물 (C)의 함유량은, 용제를 제외한 전체 성분량에 대하여, 1~10질량%가 바람직하고, 1~5질량%가 보다 바람직하며, 1~3질량%가 더 바람직하다. 함불소 화합물 (C)의 함유량을 1질량% 이상으로 하면, 이형성이 보다 향상된다. 또, 함불소 화합물 (C)의 함유량을 10질량% 이하로 하면, 패턴 러프니스가 보다 양호해진다. 함불소 화합물 (C)는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상의 함불소 화합물 (C)를 이용하는 경우에는, 그 합계량이 상기 범위가 된다.The content of the fluorine-containing compound (C) in the curable composition of the present invention is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 5% by mass, and more preferably 1 to 3% by mass desirable. When the content of the fluorine compound (C) is 1% by mass or more, the releasability is further improved. When the content of the fluorine-containing compound (C) is 10 mass% or less, the pattern roughness becomes better. The fluorine compound (C) may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. When two or more kinds of fluorine compounds (C) are used, the total amount is in the above range.

<폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물 (D)><Non-polymerizable compound (D) having a polyalkyleneglycol structure>

본 발명의 경화성 조성물은, 이형성을 보다 양호하게 하기 위하여, 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물 (D)를 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서, 비중합성 화합물이란, 중합성기를 갖지 않는 화합물을 말한다.The curable composition of the present invention preferably contains a non-polymerizable compound (D) having a polyalkyleneglycol structure in order to improve the releasability. Here, the non-polymer compound means a compound having no polymerizable group.

폴리알킬렌 구조로서는, 폴리에틸렌글라이콜 구조, 폴리프로필렌글라이콜 구조, 폴리뷰틸렌글라이콜 구조, 또는 이들의 혼합 구조가 보다 바람직하고, 폴리에틸렌글라이콜 구조 또는 폴리프로필렌글라이콜 구조가 더 바람직하다. 또, 글리세린이나 펜타에리트리톨 등의 폴리글라이콜을 코어로 하여, 분기한 구조인 것도 바람직하다.As the polyalkylene structure, a polyethylene glycol structure, a polypropylene glycol structure, a polybutylene glycol structure, or a mixed structure thereof is more preferable, and a polyethylene glycol structure or a polypropylene glycol structure More preferable. It is also preferable that the polyglycerol such as glycerin or pentaerythritol be a branched core.

폴리알킬렌글라이콜 구조로서는 알킬렌글라이콜 구성 단위를 3~30개 갖고 있는 것이 바람직하고, 5~20개 갖고 있는 것이 보다 바람직하며, 7~15개 갖고 있는 것이 더 바람직하고, 9~13개 갖고 있는 것이 특히 바람직하다.The polyalkylene glycol structure preferably has 3 to 30 alkylene glycol constituent units, more preferably 5 to 20, more preferably 7 to 15, and most preferably 9 to 13 It is particularly preferable to have such a structure.

폴리알킬렌글라이콜 구조의 말단의 수산기는, 적어도 하나가 유기기로 치환되어 있어도 되고, 모든 수산기가 치환되어 있지 않아도 된다. 치환되는 유기기는, 탄소수 1~20의 유기기가 바람직하고, 산소 원자, 불소 원자, 또는 규소 원자를 갖는 것이 보다 바람직하다. 치환되는 유기기는, 에터 결합, 에스터 결합, 또는 2가의 연결기로 폴리알킬렌글라이콜 구조와 연결된다. 치환되는 유기기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 뷰틸기, 알릴기, 벤질기, 페닐기 등의 탄화 수소기, 함불소 알킬기, 함불소 알킬에터기, 폴리실록세인기이다.At least one of the terminal hydroxyl groups of the polyalkyleneglycol structure may be substituted with an organic group, and all the hydroxyl groups may be substituted. The organic group to be substituted is preferably an organic group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an oxygen atom, a fluorine atom, or a silicon atom. The substituted organic group is linked to the polyalkylene glycol structure through an ether bond, an ester bond, or a divalent linking group. Specific examples of the substituted organic group include a hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a butyl group, an allyl group, a benzyl group and a phenyl group, a fluorinated alkyl group, a fluorinated alkylether group and a polysyloxetyl group.

비중합성 화합물 (D)의 수평균 분자량은, 300~3000이 바람직하고, 400~2000이 보다 바람직하며, 500~1500이 더 바람직하다.The number average molecular weight of the non-polymerizable compound (D) is preferably 300 to 3000, more preferably 400 to 2000, and still more preferably 500 to 1500.

바람직한 비중합성 화합물 (D)의 구체예로서는, 폴리에틸렌글라이콜, 폴리프로필렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜글리세릴에터, 폴리프로필렌글라이콜글리세릴에터, 이들의 메틸에터화물, 아세틸화물, 하기 일반식 (II)로 나타나는 함불소 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the preferred non-polymerizable compound (D) include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyethylene glycol glyceryl ether, polypropylene glycol glyceryl ether, methyl etherified products thereof, acetylated products thereof , And fluorine compounds represented by the following general formula (II).

일반식 (II)In general formula (II)

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

일반식 (II) 중, Rf2 및 Rf3은, 각각 독립적으로 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; p1 및 p2는 각각 독립적으로 1~3의 정수를 나타내고, q1 및 q2는 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내며, r은 2~4의 정수를 나타내고, s는 6~20을 나타낸다.In the general formula (II), Rf 2 and Rf 3 each independently represent a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and at least two fluorine atoms; p 1 and p 2 each independently represent an integer of 1 to 3, q 1 and q 2 each independently represent an integer of 0 to 2, r represents an integer of 2 to 4, s represents an integer of 6 to 20, .

일반식 (II)에 있어서의 Rf2 및 Rf3의 바람직한 범위는, 일반식 (I)에 있어서의 Rf1의 바람직한 범위와 동의이며, Rf2 및 Rf3의 바람직한 범위나 구체예도 동일하다.The preferable range of Rf 2 and Rf 3 in the general formula (II) is the same as the preferable range of Rf 1 in the general formula (I), and the preferable ranges of Rf 2 and Rf 3 and the specific examples are also the same.

일반식 (II) 중, p1 및 p2는 각각 독립적으로 1~3의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 보다 바람직하다.In the general formula (II), p 1 and p 2 each independently represent an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

q1 및 q2는 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 더 바람직하다.q 1 and q 2 each independently represent an integer of 0 to 2, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

r은 2~4의 정수를 나타내고, 2 또는 3이 바람직하며, 2가 보다 바람직하다.r represents an integer of 2 to 4, preferably 2 or 3, and more preferably 2.

s는 6~20을 나타내고, 7~15가 바람직하며, 9~13이 보다 바람직하다.s represents 6 to 20, preferably 7 to 15, and more preferably 9 to 13.

비중합성 화합물 (D)에 대해서는, 일본 공개특허공보 2013-036027호의 단락 0105~0106의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.With respect to the non-polymerizable compound (D), reference can be made to the description in paragraphs 0105 to 0106 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-036027, the contents of which are incorporated herein by reference.

비중합성 화합물 (D)의 함유량은, 용제를 제외한 전체 조성물 중 1~10질량%가 바람직하고, 2~8질량%가 보다 바람직하며, 3~7질량%가 더 바람직하고, 4~6질량%가 특히 바람직하다.The content of the non-polymerizable compound (D) is preferably from 1 to 10 mass%, more preferably from 2 to 8 mass%, still more preferably from 3 to 7 mass%, and even more preferably from 4 to 6 mass% Is particularly preferable.

또, 본 발명의 경화성 조성물 중, 상기 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물과, 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물의 질량비는, 1:5~5:5인 것이 바람직하고, 1:5~2:5가 보다 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 달성할 수 있다.In the curable composition of the present invention, the mass ratio of the fluorine compound represented by the formula (I) and the non-polymerizable compound having a polyalkylene glycol structure is preferably 1: 5 to 5: 5, more preferably 1: : 5 to 2: 5 is more preferable. By setting this range, the effect of the present invention can be achieved more effectively.

<중합 금지제><Polymerization inhibitor>

본 발명의 경화성 조성물에는, 중합 금지제를 함유하는 것이 바람직하다. 중합 금지제의 함유량으로서는, 전체 중합성 단량체에 대하여, 0.001~0.1질량%이며, 보다 바람직하게는 0.005~0.08질량%, 더 바람직하게는 0.01~0.05질량%인, 중합 금지제를 적절한 양으로 배합함으로써 높은 경화 감도를 유지하면서 경시에 따른 점도 변화를 억제할 수 있다. 중합 금지제는 중합성 단량체의 제조 시에 첨가해도 되고, 본 발명의 경화 조성물에 나중에 첨가해도 된다. 중합 금지제의 구체예로서는, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 프리 라디칼을 들 수 있다. 또, 그 외의 중합 금지제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-169462호의 단락 번호 0121에 기재된 것을 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The curable composition of the present invention preferably contains a polymerization inhibitor. The content of the polymerization inhibitor is preferably from 0.001 to 0.1% by mass, more preferably from 0.005 to 0.08% by mass, and even more preferably from 0.01 to 0.05% by mass, based on the total polymerizable monomer, The viscosity change due to aging can be suppressed while maintaining high curing sensitivity. The polymerization inhibitor may be added at the time of production of the polymerizable monomer, or may be added later to the curing composition of the present invention. Specific examples of the polymerization inhibitor include 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical. Specific examples of other polymerization inhibitors include those described in paragraph [0121] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-169462, which disclosure is incorporated herein by reference.

<계면활성제><Surfactant>

본 발명의 경화성 조성물은, 필요에 따라서, 계면활성제를 함유할 수 있다. 일반적으로, 계면활성제는, 분자 내에 소수부와 친수부를 갖고, 소량의 첨가로 계면의 성질을 현저하게 변화시키는 물질이다. 본 발명에 있어서의 계면활성제는, 분자 내에 소수부와 친수부를 갖고, 소량의 첨가로 경화성 조성물의 표면 장력을 현저하게 저하시키는 물질이며, 예를 들면, 경화성 조성물에 대하여 1질량% 이하의 첨가량으로, 경화성 조성물의 표면 장력을 40mN/m에서 30mN/m 이하로 저하시키는 물질이다. 본 발명의 경화성 조성물에 계면활성제를 함유시키면, 도포의 균일성을 향상시키는 효과나 이형성을 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.The curable composition of the present invention may contain a surfactant, if necessary. Generally, a surfactant is a substance that has a hydrophobic portion and a hydrophilic portion in a molecule, and remarkably changes the properties of the interface by adding a small amount. The surfactant in the present invention is a substance having a hydrophobic part and a hydrophobic part in the molecule and remarkably lowering the surface tension of the curable composition by the addition of a small amount. For example, the surfactant may be added in an amount of 1% And lowering the surface tension of the curable composition from 40 mN / m to 30 mN / m or lower. When the surfactant is contained in the curable composition of the present invention, the effect of improving uniformity of coating and the effect of improving releasability can be expected.

본 발명에 이용되는 계면활성제로서는, 비이온성 계면활성제가 바람직하고, 불소계 계면활성제, Si계 계면활성제 및 불소·Si계 계면활성제 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하며, 불소계 비이온성 계면활성제가 특히 바람직하다. 여기에서, "불소·Si계 계면활성제"란, 불소계 계면활성제 및 Si계 계면활성제의 양쪽 모두의 요건을 겸비하는 것을 말한다.The surfactant used in the present invention is preferably a nonionic surfactant and preferably contains at least one of a fluorine-based surfactant, a Si-based surfactant and a fluorine-Si-based surfactant, and the fluorine-based nonionic surface- desirable. Here, the term "fluorine-Si surfactant" refers to both fluorine surfactant and Si surfactant.

본 발명에서 이용할 수 있는 불소계 비이온성 계면활성제로서는, 상품명 플루오라드(스미토모 3M), 메가팍(DIC), 서프론(AGC 세이미 케미컬), 유니다인(다이킨 고교), 프터젠트(네오스), 에프톱(미쓰비시 머티리얼 덴시 가세이), 폴리플로(교에이샤 가가쿠), KP(신에쓰 가가쿠 고교), 트로이졸(트로이 케미컬), Poly Fox(OMNOVA), Capstone(DuPont) 등을 들 수 있다.Examples of the fluorine-based nonionic surfactant that can be used in the present invention include Fluorad (Sumitomo 3M), Megapak (DIC), Surfron (AGC Seimei Chemical), Unidyne (Daikin Kogyo), Fotogen , Poly Fox (OMNOVA), Capstone (DuPont), and the like can be cited as examples of such materials as polytetrafluoroethylene (polytetrafluoroethylene), polytetrafluoroethylene (polytetrafluoroethylene), polytetrafluoroethylene .

본 발명에 이용되는 계면활성제의 함유량은, 전체 조성물 중, 예를 들면, 0.01~5질량%가 바람직하고, 0.1~4질량%가 보다 바람직하며, 1~3질량%가 더 바람직하다. 계면활성제는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상의 계면활성제를 이용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 된다. 계면활성제가 본 발명의 경화성 조성물 중 0.01~5질량%의 범위에 있으면, 도포의 균일성의 효과가 양호하고, 계면활성제의 과다에 의한 몰드 전사 특성의 악화를 초래하기 어렵다.The content of the surfactant used in the present invention is, for example, preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 4% by mass, and further preferably 1 to 3% by mass in the total composition. The surfactant may be used alone, or two or more surfactants may be used in combination. When two or more kinds of surfactants are used, the total amount is in the above range. When the surfactant is in the range of 0.01 to 5% by mass in the curable composition of the present invention, the effect of uniformity of application is good and it is difficult to cause deterioration of the mold transfer characteristics due to excessive surfactant.

본 발명에서는, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물을 배합함으로써, 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않는 양태로 해도, 낮은 이형력을 달성할 수 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 예를 들면, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물의 배합량의 합계에 대하여, 1질량% 이하인 것을 말한다.In the present invention, by mixing the fluorine compound represented by the general formula (I), even when the surfactant is substantially not contained, a low releasing force can be achieved. The term "substantially not containing" means, for example, 1% by mass or less based on the total amount of the fluorine compound represented by formula (I).

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 성분 외에, 필요에 따라서, 광증감제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 노화 방지제, 가소제, 밀착 촉진제, 열중합 개시제, 광염기 발생제, 착색제, 무기 입자, 엘라스토머 입자, 염기성 화합물, 광산발생제, 광산증식제, 연쇄 이동제, 대전 방지제, 유동 조정제, 소포제, 분산제등을 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 성분의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2008-105414호의 단락 번호 0092~0093, 및 단락 번호 0113~0137에 기재된 것을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.The curable composition of the present invention may contain, in addition to the above components, a photosensitizer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, an antioxidant, a plasticizer, a contact promoter, a thermal polymerization initiator, , An elastomer particle, a basic compound, a photoacid generator, a photo acid generator, a chain transfer agent, an antistatic agent, a flow regulator, a defoaming agent, a dispersing agent and the like. Specific examples of such components include those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-105414, paragraphs 0092 to 0093, and paragraphs 0113 to 0137, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명에서는, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물을 배합함으로써, 함불소 계면활성제, 함불소 실레인 커플링제, 함불소 모노머, 혹은 비특허문헌 4에 기재된 비반응성의 함불소 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 양태로 해도, 낮은 이형력을 달성할 수 있다. 또, 본 발명에서는, 비특허문헌 4에 기재된 비반응성의 함불소 화합물을 실질적으로 포함하지 않음으로써, 경화성 조성물의 경시 안정성이 향상되고, 또, 잉크젯 토출 정밀도의 열화를 억제할 수 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 예를 들면, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물의 배합량의 1질량% 이하인 것을 말한다.In the present invention, by blending the fluorinated compound represented by the general formula (I), a fluorinated surfactant, a fluorinated silane coupling agent, a fluorinated monomer, or a non-reactive fluorinated compound described in Non-Patent Document 4 can be substantially Even in the mode not including it, a low releasing force can be achieved. In addition, in the present invention, since the non-reactive fluorinated compound described in Non-Patent Document 4 is not substantially contained, the stability with time of the curable composition can be improved and deterioration of the ink jet discharge accuracy can be suppressed. The term "substantially not containing" means, for example, 1% by mass or less of the compounding amount of the fluorine compound represented by formula (I).

<용제><Solvent>

또, 본 발명의 경화성 조성물은, 용제를 함유하고 있어도 된다. 본 발명의 경화성 조성물 중의 용제의 함유량은, 5질량% 이하인 것이 바람직하고, 3질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 여기에서, 실질적으로 용제를 함유하지 않는다란, 예를 들면, 본 발명의 경화성 조성물 중의 총 질량에 대하여 1질량% 이하인 것을 말한다. 본 발명의 경화성 조성물을 잉크젯법으로 기판 상에 도포하는 경우, 용제의 배합량이 적으면, 용제의 휘발에 의한 조성물의 점도 변화를 억제할 수 있기 때문에, 바람직하다.The curable composition of the present invention may contain a solvent. The content of the solvent in the curable composition of the present invention is preferably 5 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, and particularly preferably substantially free of solvent. Here, substantially no solvent means, for example, 1% by mass or less based on the total mass of the curable composition of the present invention. When the curable composition of the present invention is coated on a substrate by an ink-jet method, it is preferable that the blending amount of the solvent is small because the viscosity change of the composition due to the volatilization of the solvent can be suppressed.

이와 같이, 본 발명의 경화성 조성물은, 반드시, 용제를 포함하는 것은 아니지만, 조성물의 점도를 미세 조정할 때 등에, 임의로 첨가해도 된다. 본 발명의 경화성 조성물에 바람직하게 사용할 수 있는 용제의 종류로서는, 광임프린트용 경화성 조성물이나 포토레지스트에서 일반적으로 이용되고 있는 용제이며, 본 발명에서 이용하는 화합물을 용해 및 균일 분산시키는 것이면 되고, 또한, 이들 성분과 반응하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서 이용할 수 있는 용제의 예로서는, 일본 공개특허공보 2008-105414호의 단락 번호 0088에 기재된 것을 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.As described above, the curable composition of the present invention does not necessarily contain a solvent, but may be optionally added when the viscosity of the composition is finely adjusted. The solvent which can be preferably used in the curable composition of the present invention is a solvent which is generally used in a curable composition for optical imprint or a photoresist and which dissolves and uniformly disperses the compound used in the present invention, Is not particularly limited as long as it does not react with the component. Examples of the solvent that can be used in the present invention include those described in paragraph [0088] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-105414, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 각 성분을 혼합하여 조정할 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물의 혼합·용해는, 통상, 0℃~100℃의 범위에서 행해진다. 또, 상기 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면, 구멍 직경 0.003μm~1.0μm의 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 여과는, 다단계로 행해도 되고, 복수 회 반복해도 된다. 또, 여과한 액을 재여과할 수도 있다. 여과에 사용하는 필터의 재질은, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 불소 수지, 나일론 수지 등의 것을 사용할 수 있지만 특별히 한정되는 것은 아니다.The curable composition of the present invention can be adjusted by mixing the respective components described above. The mixing and dissolution of the curable composition of the present invention is usually carried out in the range of 0 ° C to 100 ° C. Further, it is preferable that the components are mixed and then filtered with a filter having a pore diameter of 0.003 μm to 1.0 μm, for example. The filtration may be performed in multiple steps or repeated a plurality of times. In addition, the filtrate may be re-filtered. As the material of the filter used for filtration, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a fluororesin, a nylon resin, or the like can be used, but it is not particularly limited.

본 발명의 경화성 조성물은, 23℃에 있어서 점도 15mPa·s 이하인 것이 바람직하고, 12mPa·s 이하인 것이 보다 바람직하며, 11mPa·s 이하인 것이 더 바람직하고, 10mPa·s 이하인 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 잉크젯 토출 정밀도나 패턴 형성성을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물에서는, 용제의 배합량을 줄이면서, 이와 같이 점도를 낮추기 위하여, 중합성 화합물 (A)로서 반응 희석제로서 작용하는 것을 배합하는 것이 바람직하다. 반응 희석제로서 작용하는 중합성 화합물로서는, 예를 들면, (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물이 예시된다.The curable composition of the present invention preferably has a viscosity of 15 mPa · s or less at 23 ° C., more preferably 12 mPa · s or less, further preferably 11 mPa · s or less, particularly preferably 10 mPa · s or less. By setting to such a range, it is possible to improve inkjet ejection accuracy and pattern formation property. In the curable composition of the present invention, it is preferable to blend, as the polymerizable compound (A), which functions as a reaction diluent in order to reduce the blending amount of the solvent and thus reduce the viscosity. As the polymerizable compound serving as a reactive diluent, for example, a polymerizable compound having one (meth) acrylate group is exemplified.

또, 본 발명의 경화성 조성물의 표면 장력은, 25~35mN/m인 것이 바람직하고, 27~34mN/m인 것이 보다 바람직하며, 28~32mN/m인 것이 더 바람직하고, 29~31mN/m인 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 잉크젯 토출 정밀도나 표면 평활성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 경화성 조성물은, 23℃에 있어서 점도 15mPa·s 이하이고 또한 표면 장력 25~35mN/m인 것이 바람직하고, 점도 11mPa·s 이하이고 또한 표면 장력 28~32mN/m인 것이 보다 바람직하며, 점도 10mPa·s 이하이고 또한 표면 장력 29~31mN/m인 것이 더 바람직하다.The surface tension of the curable composition of the present invention is preferably 25 to 35 mN / m, more preferably 27 to 34 mN / m, even more preferably 28 to 32 mN / m, still more preferably 29 to 31 mN / m Is particularly preferable. By setting to such a range, the inkjet ejection accuracy and surface smoothness can be improved. In particular, the curable composition of the present invention preferably has a viscosity of 15 mPa · s or less at 23 ° C. and a surface tension of 25 to 35 mN / m, more preferably a viscosity of 11 mPa · s or less and a surface tension of 28 to 32 mN / m More preferably a viscosity of 10 mPa · s or less and a surface tension of 29 to 31 mN / m.

<패턴 형성 방법>&Lt; Pattern formation method >

이하에 있어서, 본 발명의 경화성 조성물을 이용한 패턴 형성 방법(패턴 전사 방법)에 대하여 구체적으로 설명한다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서는, 먼저, 본 발명의 경화성 조성물을 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하고, 본 발명의 경화성 조성물을 몰드와 기재 사이에 끼운 상태에서 광조사한다.Hereinafter, a pattern forming method (pattern transfer method) using the curable composition of the present invention will be described in detail. In the pattern forming method of the present invention, first, the curable composition of the present invention is applied onto a mold having a substrate or pattern, and the curable composition of the present invention is irradiated with light interposed between the mold and the substrate.

본 발명의 경화성 조성물을 기재 상에 도포하는 방법으로서는, 일반적으로 잘 알려진 도포 방법, 예를 들면, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루젼 코트법, 스핀 코트 방법, 슬릿 스캔법, 혹은 잉크젯법 등을 이용함으로써 기재 상에 도막 혹은 액적을 배치할 수 있다. 특히, 본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물 (C)를 함유하고 있기 때문에, 잉크젯법을 이용한 경우에도, 잉크젯 토출성을 양호하게 할 수 있다.As a method of applying the curable composition of the present invention on a substrate, there can be used a known coating method such as a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, A coating film or a droplet can be arranged on a substrate by using a coating method, a spin coating method, a slit scanning method, or an ink jet method. In particular, since the curable composition of the present invention contains the fluorine compound (C) represented by the above-mentioned general formula (I), even when the inkjet method is used, the inkjet dischargeability can be improved.

본 발명의 경화성 조성물을 몰드와 기재 사이에 끼울 때에는, 헬륨을 몰드와 기판의 사이에 도입해도 된다. 이와 같은 방법을 이용함으로써, 기체의 석영 몰드의 투과를 촉진하여, 잔류 기포의 소실을 촉진시킬 수 있다. 또, 경화성 조성물 중의 용존 산소를 저감시킴으로써, 노광에 있어서의 라디칼 중합 저해를 억제할 수 있다. 또, 헬륨 대신에, 응축성 가스를 몰드와 기판의 사이에 도입해도 된다. 이와 같은 방법을 이용함으로써, 도입된 응축성 가스가 응축하여 체적이 감소되는 것을 이용하여, 잔류 기포의 소멸을 더 촉진시킬 수 있다. 응축성 가스란, 온도나 압력에 의하여 응축되는 가스를 말하며, 예를 들면, 트라이클로로플루오로메테인, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로페인 등을 이용할 수 있다. 응축성 가스에 대해서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-103817호의 단락 0023, 일본 공개특허공보 2013-254783호의 단락 0003의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.When the curable composition of the present invention is sandwiched between a mold and a substrate, helium may be introduced between the mold and the substrate. By using such a method, the permeation of the quartz mold of the gas can be promoted, and the disappearance of the residual bubbles can be promoted. In addition, by inhibiting the dissolved oxygen in the curable composition, inhibition of radical polymerization in exposure can be suppressed. Instead of helium, a condensable gas may be introduced between the mold and the substrate. By using such a method, the disappearance of the residual bubbles can be further promoted by utilizing the fact that the introduced condensable gas is condensed and the volume is reduced. The condensable gas means a gas which is condensed by the temperature or the pressure. For example, trichlorofluoromethane, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane and the like can be used. As for the condensable gas, reference can be made, for example, to paragraphs 0023 and 05 of JP-A No. 2004-103817 and paragraph No. 0003 of JP-A No. 2013-254783, the contents of which are incorporated herein by reference.

노광할 때에는, 노광 조도를 1mW/cm2~200mW/cm2의 범위로 하는 것이 바람직하다. 1mW/cm2 이상으로 함으로써, 노광 시간을 단축시킬 수 있기 때문에 생산성이 향상되고, 200mW/cm2 이하로 함으로써, 부반응이 발생하는 것에 의한 경화막의 특성의 열화를 억제할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. 노광량은 5mJ/cm2~1000mJ/cm2의 범위로 하는 것이 바람직하다. 5mJ/cm2 미만에서는, 노광 마진이 좁아져, 광경화가 불충분하게 되어 몰드로의 미반응물의 부착 등의 문제가 발생하기 쉬워진다. 한편, 1000mJ/cm2를 초과하면 조성물의 분해에 의한 경화막의 열화의 우려가 발생한다.When exposed, the exposure light intensity is preferably in the range of 1 mW / cm 2 to 200 mW / cm 2 . By setting it to 1 mW / cm 2 or more, productivity can be improved because the exposure time can be shortened, and when it is 200 mW / cm 2 or less, deterioration of the properties of the cured film due to occurrence of side reactions tends to be suppressed . The exposure dose is preferably in the range of 5 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2 . If it is less than 5 mJ / cm 2 , the exposure margin becomes narrow, and the photo-curing becomes insufficient, and problems such as adhesion of unreacted matters to the mold are likely to occur. On the other hand, if it exceeds 1000 mJ / cm 2 , there is a fear of deterioration of the cured film due to decomposition of the composition.

또한, 노광할 때에는, 산소에 의한 라디칼 중합 저해를 억제하기 위하여, 질소, 헬륨, 아르곤, 이산화탄소 등의 불활성 가스를 흘려보내, 대기 중의 산소 농도를 10kPa 이하로 제어하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 대기 중의 산소 농도는 3kPa 이하, 더 바람직하게는, 1kPa 이하이다.It is preferable that an inert gas such as nitrogen, helium, argon, carbon dioxide or the like is allowed to flow to control the oxygen concentration in the atmosphere to 10 kPa or less in order to suppress radical polymerization inhibition by oxygen when exposed. More preferably, the oxygen concentration in the atmosphere is 3 kPa or less, more preferably 1 kPa or less.

본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서는, 광조사에 의하여 패턴 형성층(본 발명의 경화성 조성물로 이루어지는 층)을 경화시킨 후, 필요에 따라서 경화시킨 패턴에 열을 가하여 추가로 경화시키는 공정을 포함하고 있어도 된다. 광조사 후에 본 발명의 경화성 조성물을 가열 경화시키는 열로서는, 150~280℃가 바람직하고, 200~250℃가 보다 바람직하다. 또, 열을 부여하는 시간으로서는, 5~60분간이 바람직하고, 15~45분간이 더 바람직하다.The pattern forming method of the present invention may include a step of curing the pattern forming layer (the layer comprising the curable composition of the present invention) by light irradiation, and then curing the pattern by applying heat to the cured pattern, if necessary . The heat for curing the curable composition of the present invention after light irradiation is preferably 150 to 280 ° C, more preferably 200 to 250 ° C. The time for applying heat is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 15 to 45 minutes.

패턴 형성 방법의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-169462호의 단락 번호 0125~0136에 기재된 것을 들 수 있으며, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the pattern forming method include those described in paragraphs 0125 to 0136 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-169462, which is incorporated herein by reference.

또, 본 발명의 패턴 형성 방법은, 패턴 반전법에 응용할 수 있다. 구체적으로는, 탄소막(SOC)을 구비한 피가공 기판 상에, 본 발명의 패턴 형성 방법으로 레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로, 상기 레지스트 패턴을 Si 함유막(SOG)으로 피복한 후, 상기 Si 함유막의 상부를 에칭 백하여 레지스트 패턴을 노출시키고, 노출된 레지스트 패턴을 산소 플라즈마 등에 의하여 제거함으로써, Si 함유막의 반전 패턴을 형성한다. 또한 Si 함유막의 반전 패턴을 에칭 마스크로 하여, 그 하층에 있는 탄소막을 에칭함으로써, 탄소막에 반전 패턴이 전사된다. 마지막으로, 상기 반전 패턴이 전사된 탄소막을 에칭 마스크로 하여, 기판을 에칭 가공하는 방법이다. 이와 같은 방법의 예로서는, 일본 공개특허공보 평5-267253호, 일본 공개특허공보 2002-110510호, 일본 공표특허공보 2006-521702호의 단락 0016~0030을 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The pattern forming method of the present invention can be applied to the pattern inversion method. Specifically, a resist pattern is formed on a substrate to be processed having a carbon film (SOC) by a pattern forming method of the present invention. Next, after covering the resist pattern with a Si-containing film (SOG), the top of the Si-containing film is etched back to expose the resist pattern, and the exposed resist pattern is removed by oxygen plasma or the like, . Further, with the use of the inversion pattern of the Si-containing film as an etching mask, the carbon film in the lower layer is etched, and the reverse pattern is transferred to the carbon film. Finally, the substrate is etched using the carbon film transferred with the reversed pattern as an etching mask. As an example of such a method, reference can be made to Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 5-267253, 2002-110510, and 2006-521702, paragraphs 0016 to 0030, do.

또, 본 발명의 패턴 형성 방법은, 기재 상에 하층막 조성물을 도포하여 하층막을 형성하는 공정, 하층막 표면에 본 발명의 경화성 조성물을 도포하는 공정, 본 발명의 경화성 조성물과 하층막을, 기재와 패턴을 갖는 몰드의 사이에 끼운 상태에서 광조사하여, 본 발명의 경화성 조성물을 경화시키는 공정, 몰드를 박리하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또한, 기재 상에 하층막 조성물을 도포한 후, 열 또는 광조사에 의하여, 하층막 조성물의 일부를 경화시킨 후, 본 발명의 경화성 조성물을 도포하도록 해도 된다.The pattern forming method of the present invention is a method of forming a pattern, comprising the steps of forming a lower layer film by applying a lower layer film composition on a substrate, applying the curable composition of the present invention to the surface of the lower layer film, A step of curing the curable composition of the present invention by irradiating light in a state sandwiched between molds having a pattern, and a step of peeling off the mold. The curable composition of the present invention may be applied after a lower layer film composition is applied on a substrate and then a part of the lower layer film composition is cured by heat or light irradiation.

하층막 조성물은, 예를 들면, 경화성 주제(主劑)를 포함한다. 경화성 주제는, 열경화성이어도 되고 광경화성이어도 되며, 열경화성이 바람직하다. 경화성 주제의 분자량은 400 이상인 것이 바람직하고, 저분자 화합물이어도 되며 폴리머여도 되지만, 폴리머가 바람직하다. 경화성 주제의 분자량은, 바람직하게는 500 이상이며, 보다 바람직하게는 1000 이상이고 더 바람직하게는 3000 이상이다. 분자량의 상한으로서는, 바람직하게는 200000 이하이며, 보다 바람직하게는 100000 이하이고, 더 바람직하게는 50000 이하이다. 분자량을 400 이상으로 함으로써, 성분의 휘발을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 예를 들면, 일본 공표특허공보 2009-503139호의 단락 번호 0040~0056에 기재된 것을 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.The subbing layer composition includes, for example, a curable main agent. The curable subject may be either thermosetting or photo-curable, preferably thermosetting. The molecular weight of the curable subject is preferably 400 or more, and may be a low molecular weight compound or a polymer, but a polymer is preferable. The molecular weight of the curable subject is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, and still more preferably 3000 or more. The upper limit of the molecular weight is preferably 200,000 or less, more preferably 100000 or less, and even more preferably 50,000 or less. When the molecular weight is 400 or more, the volatilization of the component can be suppressed more effectively. For example, those described in Japanese Patent Application Publication No. 2009-503139, paragraphs 0040 to 0056, which are incorporated herein by reference.

경화성 주제의 함유량은 용제를 제외한 전체 성분 중 30질량% 이상이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하며, 70질량% 이상이 더 바람직하다. 경화성 주제는 2종류 이상이어도 되고, 이 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The content of the curable subject matter is preferably 30 mass% or more, more preferably 50 mass% or more, and most preferably 70 mass% or more, of all the components except for the solvent. The curable subject may be two or more kinds, and in this case, the total amount is preferably in the above range.

하층막 조성물은, 용제를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 바람직한 용제로서는, 상압에 있어서의 비점이 80~200℃인 용제이다. 용제의 종류로서는 하층막 조성물을 용해 가능한 용제이면 모두 이용할 수 있지만, 바람직하게는 에스터 구조, 케톤 구조, 수산기, 에터 구조 중 어느 하나 이상을 갖는 용제이다. 구체적으로, 바람직한 용제로서는 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 감마뷰티로락톤, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 락트산 에틸로부터 선택되는 단독 혹은 혼합 용제이며, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트를 함유하는 용제가 도포 균일성의 관점에서 가장 바람직하다.The lower layer film composition preferably contains a solvent. A preferable solvent is a solvent having a boiling point at normal pressure of 80 to 200 占 폚. The solvent may be any solvent capable of dissolving the lower layer film composition, preferably a solvent having at least one of an ester structure, a ketone structure, a hydroxyl group and an ether structure. Specifically, preferred solvents are a single solvent or a mixed solvent selected from propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, 2-heptanone, gamma butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate, A solvent containing propylene glycol monomethyl ether acetate is most preferable in view of coating uniformity.

하층막 조성물 중에 있어서의 상기 용제의 함유량은, 용제를 제외한 성분의 점도, 도포성, 목적으로 하는 막두께에 의하여 최적으로 조정되는데, 도포성 개선의 관점에서, 전체 조성물 중 70질량% 이상의 범위로 첨가할 수 있고, 바람직하게는 90질량% 이상, 보다 바람직하게는 95질량% 이상, 더 바람직하게는 99질량% 이상이다.The content of the above-mentioned solvent in the lower layer film composition is optimally adjusted by the viscosity of the component other than the solvent, the coating property and the intended film thickness. In view of improving the coating property, the content of the solvent is preferably 70% Preferably 90 mass% or more, more preferably 95 mass% or more, and further preferably 99 mass% or more.

하층막 조성물은, 다른 성분으로서, 계면활성제, 열중합 개시제, 중합 금지제 및 촉매 중 적어도 1종을 함유하고 있어도 된다. 이들의 배합량으로서는, 용제를 제외한 전체 성분에 대하여, 50질량% 이하가 바람직하다.The lower layer film composition may contain at least one of a surfactant, a thermal polymerization initiator, a polymerization inhibitor and a catalyst as other components. The blending amount thereof is preferably 50 mass% or less with respect to the total components excluding the solvent.

하층막 조성물은, 상술한 각 성분을 혼합하여 조정할 수 있다. 또, 상술한 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면, 구멍 직경 0.003μm~1.0μm의 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 여과는, 다단계로 행해도 되고, 복수 회 반복해도 된다. 또, 여과한 액을 재여과할 수도 있다. 여과에 사용하는 필터의 재질은, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 불소 수지, 나일론 수지 등의 것을 사용할 수 있지만 특별히 한정되는 것은 아니다.The lower layer film composition can be adjusted by mixing the respective components described above. Further, it is preferable to mix the above-mentioned components and then filter them with, for example, a filter having a pore diameter of 0.003 μm to 1.0 μm. The filtration may be performed in multiple steps or repeated a plurality of times. In addition, the filtrate may be re-filtered. As the material of the filter used for filtration, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a fluororesin, a nylon resin, or the like can be used, but it is not particularly limited.

하층막 조성물은, 기재 상에 도포하여 하층막을 형성한다. 기재 상에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루젼 코트법, 스핀 코트 방법, 슬릿 스캔법, 혹은 잉크젯법 등에 의하여 기재 상에 도막 혹은 액적을 배치할 수 있다. 막두께 균일성의 관점에서, 보다 바람직하게는 스핀 코트법이다. 그 후, 용제를 건조시킨다. 바람직한 건조 온도는 70℃~130℃이다. 바람직하게는 추가로 활성 에너지(바람직하게는 열 및/또는 광)에 의하여 경화를 행한다. 바람직하게는 150℃~250℃의 온도에서 가열 경화를 행하는 것이다. 용제를 건조시키는 공정과 경화시키는 공정을 동시에 행해도 된다. 이와 같이, 하층막 조성물을 도포한 후, 열 또는 광조사에 의하여, 하층막 조성물의 일부를 경화시킨 후, 본 발명의 경화성 조성물을 도포하는 것이 바람직하다. 이와 같은 수단을 채용하면, 본 발명의 경화성 조성물의 광경화 시에, 하층막 조성물도 완전히 경화되어, 밀착성이 보다 향상되는 경향이 있다.The lower layer film composition is applied on a substrate to form a lower layer film. Examples of the method of applying on the substrate include dip coating, air knife coating, curtain coating, wire bar coating, gravure coating, extrusion coating, spin coating, slit scanning, A coating film or a droplet can be disposed on a substrate by a method or the like. From the viewpoint of the uniformity of the film thickness, the spin coat method is more preferable. Thereafter, the solvent is dried. The preferred drying temperature is 70 ° C to 130 ° C. Preferably by further activating energy (preferably heat and / or light). Preferably at a temperature of 150 ° C to 250 ° C. The step of drying the solvent and the step of hardening may be performed at the same time. As described above, it is preferable to apply the curable composition of the present invention after applying the lower layer film composition and then curing a part of the lower layer film composition by heat or light irradiation. When such a means is employed, when the curable composition of the present invention is photo-cured, the lower layer film composition is also completely cured, and the adhesion tends to be further improved.

본 발명의 경화성 조성물로 이루어지는 하층막의 막두께는, 사용하는 용도에 따라 상이하지만, 0.1nm~100nm 정도이며, 바람직하게는 1~20nm이고, 더 바람직하게는 2~10nm이다. 또, 하층막 조성물을, 다중 도포에 의하여 도포해도 된다. 얻어진 하층막은 가능한 한 평탄한 것이 바람직하다.The thickness of the lower layer film made of the curable composition of the present invention is about 0.1 nm to 100 nm, preferably 1 nm to 20 nm, and more preferably 2 nm to 10 nm, although it varies depending on the intended use. Alternatively, the lower layer film composition may be applied by multiple application. The obtained lower layer film is preferably as flat as possible.

기재(기판 또는 지지체)는, 다양한 용도에 따라 선택 가능하며, 예를 들면, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속 기재, 종이, SOG(Spin On Glass), 폴리에스터 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 등의 폴리머 기재, TFT 어레이 기재, PDP의 전극판, 유리나 투명 플라스틱 기재, ITO나 금속 등의 도전성 기재, 절연성 기재, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리실리콘, 산화 실리콘, 어모퍼스 실리콘 등의 반도체 제작 기재 등 특별히 제약되지 않는다. 그러나, 에칭 용도로 이용하는 경우, 후술하는 바와 같이, 반도체 작성 기재가 바람직하다.The substrate (substrate or support) may be selected depending on a variety of applications, and examples thereof include quartz, glass, optical film, ceramic material, vapor deposition film, magnetic film, reflective film, metal substrate such as Ni, Cu, , A TFT array substrate, an electrode plate of a PDP, a glass or a transparent plastic substrate, a conductive substrate such as ITO or metal, an insulating substrate, a silicon substrate, a silicon substrate, , Silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, amorphous silicon, and the like. However, in the case of being used for etching, as described later, a semiconductor fabrication substrate is preferable.

<패턴><Pattern>

상술한 바와 같이 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 형성된 패턴은, 액정 디스플레이(LCD) 등에 이용되는 영구막(구조 부재용의 레지스트)이나 에칭 레지스트로서 사용할 수 있다.As described above, the pattern formed by the pattern forming method of the present invention can be used as a permanent film (resist for a structural member) or an etching resist used for a liquid crystal display (LCD) or the like.

또, 본 발명의 경화성 조성물을 이용한 패턴은, 내용제성도 양호하다. 본 발명에 있어서의 경화성 조성물은 다종의 용제에 대한 내성이 높은 것이 바람직한데, 일반적인 기판 제조 공정 시에 이용되는 용제, 예를 들면, 25℃의 N-메틸피롤리돈 용매에 10분간 침지시킨 경우에 막두께 변동을 일으키지 않는 것이 특히 바람직하다.In addition, the pattern using the curable composition of the present invention has good solvent resistance. The curable composition of the present invention preferably has a high resistance to various kinds of solvents. When the solvent is used in a general substrate production process, for example, immersing in a solvent of N-methylpyrrolidone at 25 DEG C for 10 minutes It is particularly preferable that the film thickness fluctuation does not occur.

본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 형성된 패턴은, 에칭 레지스트로서도 유용하다. 본 발명의 경화성 조성물을 에칭 레지스트로서 이용하는 경우에는, 먼저, 기재로서 예를 들면 SiO2 등의 박막이 형성된 실리콘 웨이퍼 등을 이용하여, 기재 상에 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 나노 오더의 미세한 패턴을 형성한다. 그 후, 웨트 에칭의 경우에는 불화 수소 등, 드라이 에칭의 경우에는 CF4 등의 에칭 가스를 이용하여 에칭함으로써, 기재 상에 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물은, 불화 탄소 등을 이용하는 드라이 에칭에 대한 에칭 내성도 양호한 것이 바람직하다.The pattern formed by the pattern forming method of the present invention is also useful as an etching resist. In the case of using the curable composition of the present invention as an etching resist, first, by, for example, as a base material using a silicon wafer, such as a thin film such as SiO 2 is formed, a fine pattern of a nano order by the pattern forming method of the present invention on a base material . Thereafter, a desired pattern can be formed on the substrate by etching with hydrogen fluoride in the case of wet etching or etching gas such as CF 4 in the case of dry etching. The curable composition of the present invention preferably has good etching resistance against dry etching using fluorocarbon or the like.

<반도체 디바이스의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>

본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법은, 상술한 패턴을 에칭 마스크로서 이용하는 것을 특징으로 한다. 상술한 패턴을 에칭 마스크로 하여, 기재에 대하여 처리를 실시한다. 예를 들면, 패턴을 에칭 마스크로 하여 드라이 에칭을 실시하고, 기재의 상층 부분을 선택적으로 제거한다. 기재에 대하여 이와 같은 처리를 반복함으로써, 반도체 디바이스를 얻을 수 있다. 반도체 디바이스는, 예를 들면, LSI(large scale integrated circuit: 대규모 집적 회로)이다.The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is characterized by using the above-described pattern as an etching mask. Using the above-described pattern as an etching mask, the base material is treated. For example, dry etching is performed using the pattern as an etching mask, and the upper layer portion of the substrate is selectively removed. By repeating this process for the substrate, a semiconductor device can be obtained. The semiconductor device is, for example, an LSI (large scale integrated circuit).

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "%"는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts used, the ratios, the processing contents, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples. Also, unless otherwise stated, "%" is on a mass basis.

<함불소 화합물 (C)의 합성>&Lt; Synthesis of fluorine compound (C) >

함불소 화합물 (C-10)~(C-13)을, 이하에 기재된 방법으로 합성했다.The fluorine compounds (C-10) to (C-13) were synthesized by the methods described below.

함불소 화합물 (C-10)의 합성Synthesis of fluorine compound (C-10)

[화학식 7](7)

Figure pct00007
Figure pct00007

3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트라이데카플루오로옥탄올(와코 준야쿠 고교제) 18.2g, 아세트산 무수물(와코 준야쿠 고교제) 10.2g, 아세트산 에틸 50mL를 빙욕하에서 교반 혼합하고, 내온 10℃ 이하를 유지하면서 트라이에틸아민(와코 준야쿠 고교제) 10.1g을 적하했다. 적하 종료 후, 25℃에서 6시간 반응시킨 후, 아세트산 에틸 150mL와 2% 중조수 100mL를 첨가하여 10분간 교반했다. 그 후, 분액하여 얻어진 유기층을 0.1N 염산수 100mL, 이어서 순수 100mL로 세정한 후, 감압 농축을 행함으로써, 원하는 함불소 화합물 (C-10) 19.1g(수율 94%)을 무색 액체로서 얻었다.18.2 g of 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 18.2 g of acetic anhydride ) And 50 mL of ethyl acetate were stirred and mixed in an ice bath, and 10.1 g of triethylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise while keeping the internal temperature at 10 ° C or lower. After completion of the dropwise addition, the mixture was reacted at 25 DEG C for 6 hours, 150 mL of ethyl acetate and 100 mL of 2% aqueous sodium bicarbonate were added, and the mixture was stirred for 10 minutes. Thereafter, the organic layer obtained by separating was washed with 100 mL of 0.1N hydrochloric acid and then with 100 mL of pure water, and then concentrated under reduced pressure to obtain 19.1 g (yield 94%) of the desired fluorine compound (C-10) as a colorless liquid.

1H-NMR(400MHz, CDCl3, TMS, δ=ppm): δ=2.22(s, 3H), 2.49(m, 2H), 4.38(t, 2H). 1 H-NMR (400MHz, CDCl 3, TMS, δ = ppm): δ = 2.22 (s, 3H), 2.49 (m, 2H), 4.38 (t, 2H).

함불소 화합물 (C-11)의 합성Synthesis of fluorine compound (C-11)

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

프로피온산 무수물(와코 준야쿠 고교제) 13.0g을 이용한 것 이외에는, 상기 함불소 화합물 (C-10)의 합성과 동일하게 하여, 함불소 화합물 (C-11) 20.6g(수율 98%)을 무색 액체로서 얻었다.(Yield: 98%) was obtained as a colorless liquid (C-10) in the same manner as in the synthesis of the above fluorinated compound (C-10) except that 13.0 g of propionic acid anhydride .

1H-NMR(400MHz, CDCl3, TMS, δ=ppm): δ=1.15(t, 3H), 2.35(q, 2H), 2.47(m, 2H), 4.38(t, 2H). 1 H-NMR (400MHz, CDCl 3, TMS, δ = ppm): δ = 1.15 (t, 3H), 2.35 (q, 2H), 2.47 (m, 2H), 4.38 (t, 2H).

함불소 화합물 (C-12)의 합성Synthesis of fluorine compound (C-12)

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

옥탄산 클로라이드(와코 준야쿠 고교제) 9.8g을 이용한 것 이외에는, 상기 함불소 화합물 (C-10)의 합성과 동일하게 하여, 함불소 화합물 (C-12) 22.6g(수율 92%)을 무색 액체로서 얻었다.22.6 g (yield: 92%) of the fluorine compound (C-12) was colorless as in the synthesis of the fluorine compound (C-10) except that 9.8 g of octanoic acid chloride (Wako Pure Chemical Industries) Liquid.

1H-NMR(400MHz, CDCl3, TMS, δ=ppm): δ=0.88(t, 3H), 1.29(m, 6H), 1.63(m, 2H), 2.32(t, 2H), 2.47(m, 2H), 4.38(t, 2H). 1 H-NMR (400MHz, CDCl 3, TMS, δ = ppm): δ = 0.88 (t, 3H), 1.29 (m, 6H), 1.63 (m, 2H), 2.32 (t, 2H), 2.47 (m , &Lt; / RTI &gt; 2H), 4.38 (t, 2H).

함불소 화합물 (C-13)의 합성Synthesis of fluorine compound (C-13)

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

벤조일 클로라이드(와코 준야쿠 고교제) 8.4g을 이용한 것 이외에는, 상기 함불소 화합물 (C-10)의 합성과 동일하게 하여, 함불소 화합물 (C-13) 22.3g(수율 95%)을 얻었다.22.3 g (yield 95%) of a fluorine compound (C-13) was obtained in the same manner as the synthesis of the fluorine compound (C-10) except that 8.4 g of benzoyl chloride (Wako Pure Chemical Industries) was used.

1H-NMR(400MHz, CDCl3, TMS, δ=ppm): δ=2.61(m, 2H), 4.63(t, 2H), 7.45(t, 2H), 7.58(t, 1H), 8.04(d, 2H). 1 H-NMR (400MHz, CDCl 3, TMS, δ = ppm): δ = 2.61 (m, 2H), 4.63 (t, 2H), 7.45 (t, 2H), 7.58 (t, 1H), 8.04 (d , 2H).

<광임프린트용 경화성 조성물의 조제>&Lt; Preparation of curable composition for optical imprint &

하기 표 1에 나타내는 질량비로, 중합성 화합물 (A), 광중합 개시제 (B) 및 함불소 화합물 (C)를 혼합하고, 또한 중합 금지제로서 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교제)을, 경화성 조성물에 대하여 200ppm(0.02질량%)이 되도록 첨가했다. 이를 0.1μm의 PTFE제 필터로 여과하여, 본 발명의 광임프린트용 경화성 조성물 X-1~X-10, 및 비교용 경화성 조성물 R-1~R-4를 조제했다. 조정한 경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도 및 표면 장력을 측정했다. E형 점도계 RE85L(도키 산교) 및 표면 장력계 CBVP-A3(교와 가이멘 가가쿠)을 이용하여, 조제한 경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도 및 표면 장력을 측정했다.The polymerizable compound (A), the photopolymerization initiator (B) and the fluorinated compound (C) were mixed at the mass ratio shown in the following Table 1, and 4-hydroxy-2,2,6,6-tetra Methylpiperidine-1-oxyl free radical (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added so as to be 200 ppm (0.02 mass%) with respect to the curable composition. The resultant was filtered with a PTFE filter of 0.1 m to prepare curable compositions X-1 to X-10 and comparative curable compositions R-1 to R-4 for optical imprinting of the present invention. The viscosity and surface tension of the adjusted curable composition at 23 캜 were measured. Viscosity and surface tension at 23 占 폚 of the curable composition prepared were measured using an E-type viscometer RE85L (Toki-San bridge) and a surface tension meter CBVP-A3 (Kyowa Kaimengagaku).

[표 1][Table 1]

Figure pct00011
Figure pct00011

실시예 및 비교예에서 이용한, 중합성 화합물 (A), 광중합 개시제 (B), 첨가제 (D), 및 비교용 화합물 (S)의 상세는, 하기와 같다.Details of the polymerizable compound (A), the photopolymerization initiator (B), the additive (D), and the comparative compound (S) used in Examples and Comparative Examples are as follows.

<중합성 화합물 (A)>&Lt; Polymerizable compound (A) >

A-1: 2-페녹시에틸아크릴레이트(오사카 유키 가가쿠 고교제, 비스코트 #192)A-1: 2-phenoxyethyl acrylate (Viscot # 192, manufactured by Osaka Kikogaku Kogyo Co., Ltd.)

A-2: 4-아이소뷰틸벤질아크릴레이트(4-아이소뷰틸벤질알코올과 아크릴산 클로라이드로 합성)A-2: 4-isobutylbenzyl acrylate (synthesized from 4-isobutylbenzyl alcohol and acrylic acid chloride)

A-3: 도데실아크릴레이트(교에이샤 가가쿠제, 라이트 아크릴레이트 L-A)A-3: Dodecyl acrylate (Kyoeisha Chemical Co., Light Acrylate L-A)

A-4: 네오펜틸글라이콜다이아크릴레이트(교에이샤 가가쿠제, 라이트 아크릴레이트 NP-A)A-4: Neopentylglycol diacrylate (Kyoeisha Chemical Co., Light Acrylate NP-A)

A-5: m-자일릴렌비스아크릴레이트(α,α'-다이클로로-m-자일렌과 아크릴산으로 합성)A-5: m-xylylene bisacrylate (synthesized with?,? '- dichloro-m-xylene and acrylic acid)

[화학식 11](11)

Figure pct00012
Figure pct00012

<광중합 개시제 (B)>&Lt; Photopolymerization initiator (B) >

B-1: 이르가큐어 819(BASF사제)B-1: Irgacure 819 (manufactured by BASF)

B-2: 다로큐어 1173(BASF사제)B-2: DAROCURE 1173 (BASF)

폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물 (D)The non-polymerizable compound (D) having a polyalkyleneglycol structure

D-1: 폴리프로필렌글라이콜(수평균 분자량 700, 와코 준야쿠 고교제)D-1: Polypropylene glycol (number average molecular weight 700, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

D-2: 하기 구조의 함불소 화합물(폴리에틸렌글라이콜비스카복실메틸에터(수평균 분자량 600, 시그마·알드리치제)와, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥산올(도쿄 가세이 고교제)을 탈수 축합하여 합성)D-2: A fluorine compound having the following structure (polyethylene glycol biscarboxylic methyl ether (number average molecular weight: 600, manufactured by Sigma-Aldrich) and 3,3,4,4,5,5,6,6,6 - Synthesis by dehydration condensation of nonafluorohexanol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo)

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pct00013
Figure pct00013

비교용 화합물 (S)The comparative compound (S)

S-1: 퍼플루오로옥탄산 메틸(와코 준야쿠 고교제)S-1: Methyl perfluorooctanoate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

S-2: 아크릴산 2-(퍼플루오로옥틸)에틸(도쿄 가세이 고교제)S-2: Acrylic acid 2- (perfluorooctyl) ethyl (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo)

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pct00014
Figure pct00014

<하층막 조성물의 조제>&Lt; Preparation of lower layer film composition >

NK 올리고 EA-7140/PGMAc(신나카무라 가가쿠 고교사제) 3g을, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트 997g에 용해시킨 후, 0.1μm의 테트라플루오로에틸렌필터로 여과하여 하층막 조성물을 얻었다.3 g of NK Oligo EA-7140 / PGMAc (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 997 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by filtration with a 0.1 μm tetrafluoroethylene filter to obtain a lower layer film composition.

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pct00015
Figure pct00015

NK 올리고 EA-7140/PGMAc(고형분 70%)NK Oligo EA-7140 / PGMAc (70% solids)

평균 m+n=4, 평균 n/(m+n)=0.5Average m + n = 4, average n / (m + n) = 0.5

(평가)(evaluation)

얻어진 각 실시예 및 비교예의 임프린트용 경화성 조성물에 대하여 이하의 평가를 행했다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.The following evaluations were performed on each of the obtained curable compositions for imprints of the examples and the comparative examples. The results are shown in Table 2 below.

<잉크젯 토출 정밀도><Inkjet Discharge Accuracy>

실리콘 웨이퍼 상에, 23℃로 온도 조정한 광임프린트용 경화성 조성물을, 잉크젯 프린터 DMP-2831(후지필름 다이마틱스제)을 이용하여, 노즐당 1pl의 액적량으로 토출하여, 실리콘 웨이퍼 상에 액적이 100μm 간격의 정방 배열이 되도록 도포했다.The curable composition for optical imprinting, the temperature of which was adjusted to 23 占 폚, was ejected onto a silicon wafer in an amount of 1 pl per nozzle using an inkjet printer DMP-2831 (manufactured by Fuji Film DYMATICS) The coating was applied so that the enemy was squarely arranged at intervals of 100 mu m.

도포된 기판의 평방 5mm의 2500 도트를 관찰하고, 정방 배열로부터의 어긋남을 측정하여, 표준 편차 σ를 산출했다. 잉크젯 토출 정밀도는, 이하와 같이 A~D로 평가했다.2500 dots of 5 mm square on the coated substrate were observed and the deviation from the square array was measured to calculate the standard deviation sigma. The inkjet ejection accuracy was evaluated as A to D as follows.

A: σ<3μmA: σ <3 μm

B: 3μm≤σ<5μmB: 3 mu m &lt;

C: 5μm≤σ<10μmC: 5 m &lt;

D: 10μm≤σD: 10 占 퐉?

<이형성 평가>&Lt; Evaluation of releasing property &

실리콘 웨이퍼 상에 하층막 조성물을 스핀 코트하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 1분간 가열하여 용제를 건조했다. 또한, 220℃의 핫플레이트 상에서 5분간 가열함으로써, 하층막 조성물을 경화시켜 하층막을 형성했다. 경화 후의 하층막의 막두께는, 3nm였다.The lower layer film composition was spin-coated on a silicon wafer and heated on a hot plate at 100 占 폚 for 1 minute to dry the solvent. Further, the lower layer film composition was cured by heating on a hot plate at 220 占 폚 for 5 minutes to form a lower layer film. The film thickness of the lower layer film after curing was 3 nm.

상기 실리콘 웨이퍼 상의 하층막의 표면에, 23℃로 온도 조정한 광임프린트용 경화성 조성물을, 잉크젯 프린터 DMP-2831(후지필름 다이마틱스제)을 이용하여, 노즐당 1pl의 액적량으로 토출하여, 하층막 상에 액적이 약 100μm 간격의 정방 배열이 되도록 도포했다.The curable composition for optical imprinting, the temperature of which was adjusted to 23 占 폚, was ejected onto the surface of the lower layer film on the silicon wafer using an inkjet printer DMP-2831 (manufactured by Fuji Film DYMATICS) at a droplet amount of 1 pl per nozzle, The droplets were applied on the film so as to have a square arrangement with intervals of about 100 mu m.

하층막 상에 도포한 경화성 조성물에 대하여, 0.1기압의 감압하, 석영 몰드(라인/스페이스=1/1, 선폭 30nm, 홈 깊이 60nm, 라인 에지 러프니스 3.0nm)를 접촉 시켜, 석영 몰드측으로부터 고압 수은 램프를 이용하여 100mJ/cm2의 조건으로 노광했다. 노광 후, 석영 몰드를 분리하여, 그때의 이형력 (F)를 측정했다. 이형력 (F)는, 일본 공개특허공보 2011-206977호의 [0102]~[0107]에 기재된 방법에 준하여 측정을 행하고, 이하와 같이 S~E로 평가했다. 또한, C 이상이 실용 레벨이다.A quartz mold (line / space = 1/1, line width of 30 nm, groove depth of 60 nm, line edge roughness of 3.0 nm) was brought into contact with the curable composition applied on the lower layer film under a reduced pressure of 0.1 atm to form a quartz mold And exposed under a condition of 100 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp. After exposure, the quartz mold was separated, and the release force (F) at that time was measured. The releasing force F was measured in accordance with the method described in [0102] to [0107] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-206977, and evaluated by S to E as follows. Further, C or more is a practical level.

S: F<12NS: F &lt; 12N

A: 12N≤F<13NA: 12N? F <13N

B: 13N≤F<15NB: 13N &lt; F &lt; 15N

C: 15N≤F<20NC: 15N? F <20N

D: 20N≤F<30ND: 20N? F <30N

E: 30N≤FE: 30N? F

<3개월 경시 보존 후의 안정성 평가><Evaluation of stability after 3 months storage>

광임프린트용 경화성 조성물을 잉크젯 프린터 DMP-2831용 머티리얼 카트리지에 충전한 상태에서 3개월간 보존한 후, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 평가를 행했다.The curable composition for optical imprint was stored in a material cartridge for an inkjet printer DMP-2831 in a state of being charged for 3 months, and then the inkjet discharge accuracy and releasability were evaluated.

[표 2][Table 2]

Figure pct00016
Figure pct00016

표의 결과로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1~10의 광임프린트용 경화성 조성물은, 경시 시험 전 및 3개월 후의 비교에서 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 열화가 보이지 않았고, 모두 양호한 성능을 나타냈다.As is evident from the results of the table, the curable compositions for optical imprinting of Examples 1 to 10 showed no deterioration in ink jet discharge accuracy and releasability in comparison with the aged test before and after 3 months, all showing good performance.

특히, 일반식 (I)의 R1이 알킬기인 경우, 아릴기인 경우보다, 잉크젯 토출성이 더 우수한 것을 알 수 있었다. 또한, 일반식 (II)로 나타나는 화합물을 배합함으로써, 잉크젯 특성과 이형성이 보다 효과적으로 향상되었다.In particular, when R 1 in the general formula (I) is an alkyl group, it was found that the ink jet discharging property was superior to that of the aryl group. Further, by compounding the compound represented by the general formula (II), the ink-jet characteristics and the releasability were improved more effectively.

한편, 비교예 1 및 비교예 2의 광임프린트용 경화성 조성물은, 3개월 후에 있어서 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 현저하게 열화되었다.On the other hand, in the curable compositions for optical imprinting of Comparative Examples 1 and 2, the ink jet ejection accuracy and releasability deteriorated remarkably after 3 months.

비교예 3 및 비교예 4의 광임프린트용 경화성 조성물은, 경시 시험 전에 있어서 이형성을 만족할 수 있는 레벨은 아니었다.The curable compositions for optical imprint of Comparative Example 3 and Comparative Example 4 were not at a level that can satisfy the releasability before the aging test.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 광임프린트용 경화성 조성물에, 중합성 화합물 (A)와, 광중합 개시제 (B)와, 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물 (C)를 함유함으로써, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물, 특히, 잉크젯 토출 정밀도 및 이형성의 경시 안정성이 우수한 광임프린트용 경화성 조성물을 제공할 수 있는 것을 알 수 있었다.As described above, according to the present invention, by containing the polymerizable compound (A), the photopolymerization initiator (B) and the fluorinated compound (C) represented by the general formula (I) in the curable composition for optical imprint, And a curable composition for an optical imprint excellent in releasability, particularly a curable composition for optical imprint which is excellent in stability with time of ink jet discharge precision and releasability.

또, 본 발명의 경화성 조성물은, 점도가 1mPa·s 상이하면, 본 발명의 효과에 크게 영향을 미치는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 점도가 동일해도 표면 장력이 예를 들면 3mN/m 상이하면, 본 발명의 효과에 크게 영향을 미치는 것을 알 수 있었다.It was also found that when the viscosity of the curable composition of the present invention is different from 1 mPa 占 퐏, it greatly influences the effect of the present invention. It was also found that the curable composition of the present invention largely influences the effect of the present invention when the surface tension is different, for example, 3 mN / m even if the viscosity is the same.

Claims (15)

중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 함불소 화합물을 함유하고,
상기 함불소 화합물이, 하기 일반식 (I)로 나타나는, 광임프린트용 경화성 조성물;
일반식 (I)
[화학식 1]
Figure pct00017

일반식 (I) 중, Rf1은, 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; R1은, 탄소수 1~7의 알킬기 또는 탄소수 6~8의 아릴기를 나타낸다; m은 0~2의 정수를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다; n이 2 또는 3을 나타내는 경우, Rf1은 서로 상이해도 된다.
A photopolymerizable composition comprising a polymerizable compound, a photopolymerization initiator and a fluorinated compound,
The curable composition for optical imprinting wherein the fluorinated compound is represented by the following general formula (I);
The compound of formula (I)
[Chemical Formula 1]
Figure pct00017

In the general formula (I), Rf 1 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and two or more fluorine atoms; R 1 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or an aryl group having 6 to 8 carbon atoms; m represents an integer of 0 to 2, and n represents an integer of 1 to 3; When n represents 2 or 3, Rf 1 may be different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 함불소 화합물을, 용제를 제외한 전체 성분에 대하여 1~5질량% 함유하는, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorine-containing compound is contained in an amount of 1 to 5 mass% with respect to the total components excluding the solvent.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 일반식 (I)에 있어서, Rf1이 탄소수 4~6의 퍼플루오로알킬기인, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
In the above general formula (I), Rf 1 is a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (I)에 있어서, R1이 탄소수 1~7의 알킬기인, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
In the above general formula (I), R 1 is an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트 화합물인, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the polymerizable compound is a (meth) acrylate compound.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트기를 2개 갖는 중합성 화합물을 전체 중합성 화합물에 대하여 40~100질량% 함유하는, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the polymerizable compound contains a polymerizable compound having two (meth) acrylate groups in an amount of 40 to 100 mass% based on the total polymerizable compound.
청구항 6에 있어서,
상기 중합성 화합물이, (메트)아크릴레이트기를 1개 갖는 중합성 화합물을 전체 중합성 화합물에 대하여 10~45질량% 함유하는, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method of claim 6,
Wherein the polymerizable compound contains a polymerizable compound having one (meth) acrylate group in an amount of 10 to 45 mass% based on the total polymerizable compound.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광임프린트용 경화성 조성물이, 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물을 더 함유하는, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the curable composition for optical imprint further contains a non-polymerizable compound having a polyalkyleneglycol structure.
청구항 8에 있어서,
상기 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물이, 하기 일반식 (II)로 나타나는, 광임프린트용 경화성 조성물.
일반식 (II)
[화학식 2]
Figure pct00018

일반식 (II) 중, Rf2 및 Rf3은, 각각 독립적으로 불소 원자를 2개 이상 갖는 탄소수 1~6의 함불소 알킬기를 나타낸다; p1 및 p2는 각각 독립적으로 1~3의 정수를 나타내고, q1 및 q2는 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내며, r은 2~4의 정수를 나타내고, s는 6~20을 나타낸다.
The method of claim 8,
Wherein the non-polymerizable compound having a polyalkylene glycol structure is represented by the following general formula (II).
In general formula (II)
(2)
Figure pct00018

In the general formula (II), Rf 2 and Rf 3 each independently represent a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and at least two fluorine atoms; p 1 and p 2 each independently represent an integer of 1 to 3, q 1 and q 2 each independently represent an integer of 0 to 2, r represents an integer of 2 to 4, s represents an integer of 6 to 20, .
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
상기 일반식 (I)로 나타나는 함불소 화합물과 상기 폴리알킬렌글라이콜 구조를 갖는 비중합성 화합물의 질량비가, 1:5~5:5인, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to claim 8 or 9,
Wherein the weight ratio of the fluorine compound represented by the general formula (I) to the non-polymerizable compound having the polyalkylene glycol structure is 1: 5 to 5: 5.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광임프린트용 경화성 조성물이 실질적으로 용제를 함유하지 않는, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the curable composition for optical imprint is substantially solvent-free.
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광임프린트용 경화성 조성물이, 23℃에 있어서 점도 15mPa·s 이하이고 또한 표면 장력 25~35mN/m인, 광임프린트용 경화성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the curable composition for optical imprint has a viscosity of 15 mPa 占 퐏 or less and a surface tension of 25 to 35 mN / m at 23 占 폚.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 광임프린트용 경화성 조성물을, 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하고, 상기 광임프린트용 경화성 조성물을 몰드와 기재 사이에 끼운 상태에서 광조사하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.A curable composition for optical imprinting according to any one of claims 1 to 12 is applied on a mold having a substrate or a pattern and light irradiation is performed in a state that the curable composition for optical imprint is sandwiched between the mold and the substrate / RTI &gt; 청구항 13에 있어서,
광임프린트용 경화성 조성물의 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는 방법이 잉크젯법인, 패턴 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the method of applying on a substrate having a pattern or a pattern of a curable composition for optical imprint is an inkjet method.
청구항 13 또는 청구항 14에 기재된 패턴 형성 방법으로 얻어진 패턴.A pattern obtained by the pattern formation method according to claim 13 or 14.
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