KR20160118116A - equipment for deposition thin film - Google Patents

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Abstract

The present invention discloses a thin film manufacturing installation. The installation includes: a susceptor storing a substrate inside a chamber; a reflection housing disposed outside the chamber; a heating module including heat sources disposed inside the reflection housing; and a reflection control module disposed inside the housing between the heat sources and the chamber. The reflection control module reflects light of the heat sources provided to the center of the substrate due to the reflection housing to the edge of the substrate, thereby heating the substrate at a uniform temperature.

Description

박막 증착 설비{equipment for deposition thin film}[0001] The present invention relates to a thin film deposition apparatus,

본 발명은 박막 증착 설비에 관한 것으로, 단결정 박막을 형성하는 박막 증착 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus for forming a single crystal thin film.

일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 확산 공정, 열처리 공정, 포토리소그래피 공정, 연마 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 박막 증착 공정은 기판 상에 박막을 형성하는 공정일 수 있다. 박막은 단결정, 다결정, 또는 아몰펄스로 형성될 수 있다. 단결정 박막은 다결정 및 아몰펄스 박막에 비해 낮은 결함 밀도를 가질 수 있다. 예를 들어, 단결정 박막은 고온의 기판 상에 형성될 수 있다. In general, a semiconductor device can be manufactured through a plurality of unit processes. The unit processes may include a thin film deposition process, a diffusion process, a heat treatment process, a photolithography process, a polishing process, an etching process, an ion implantation process, and a cleaning process. The thin film deposition process may be a process of forming a thin film on a substrate. The thin film may be formed of a single crystal, a polycrystal, or an amorphous pulse. The single crystal thin film may have a lower defect density than the polycrystalline and amorphous thin films. For example, a single crystal thin film can be formed on a high temperature substrate.

본 발명의 과제는 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus capable of forming a thin film of uniform thickness.

또한, 본 발명의 다른 과제는 기판을 균일한 온도로 가열할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus capable of heating a substrate to a uniform temperature.

본 발명의 또 다른 과제는 기판의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus capable of controlling the temperature according to the position of the substrate.

본 발명은 박막 증착 설비를 개시한다. 그의 설비는, 챔버; 상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 챔버 외부에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 챔버 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.The present invention discloses a thin film deposition facility. The apparatus includes a chamber; A susceptor disposed in the chamber and containing a substrate; A reflective housing disposed outside the chamber; Heat sources disposed in the reflective housing; And a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the chamber and reflecting the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to the edge of the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 아래에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 서셉터 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition system including: a susceptor for containing a substrate; A reflective housing disposed below the susceptor; Heat sources disposed in the reflective housing; And a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the susceptor and reflecting the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to the edge of the substrate.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 상에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 서셉터 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition system including: a susceptor for containing a substrate; A reflective housing disposed on the susceptor; Heat sources disposed in the reflective housing; And a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the susceptor and reflecting the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to the edge of the substrate.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 아래에 배치된 하부 반사 하우징; 상기 서셉터 상에 배치된 상부 반사 하우징; 상기 하부 반사 하우징 및 상기 상부 반사 하우징 내에 각각 배치된 하부 열원들과 상부 열원들; 및 상기 서셉터와 상기 하부 열원들 사이의 상기 하부 반사 하우징 내에 배치된 하부 반사 제어 모듈과, 상기 서셉터와 상기 상부 열원들 사이의 상기 상부 반사 하우징 내에 배치된 상부 반사 제어 모듈을 구비한 반사 제어 모듈을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition system including: a susceptor for containing a substrate; A lower reflective housing disposed below the susceptor; An upper reflective housing disposed on the susceptor; Lower heat sources and upper heat sources respectively disposed in the lower reflective housing and the upper reflective housing; And a lower reflective control module disposed in the lower reflective housing between the susceptor and the lower heat sources; and a reflective control module having an upper reflective control module disposed in the upper reflective housing between the susceptor and the upper heat sources Module.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 챔버; 상기 챔버 아래에 배치되고, 상기 기판에 하부 광을 제공하는 하부 열원들; 상기 하부 열원들의 외부에 배치된 제 1 외부 반사 링과 상기 하부 열원들 내에 배치된 제 1 내부 반사 링을 구비하는 하부 반사 하우징; 상기 챔버 상에 배치되고, 상기 기판에 상부 광을 제공하는 상부 열원들; 및 상기 상부 열원들의 외부에 배치된 제 2 외부 반사 링과, 상기 상부 열원들 내에 배치된 제 2 내부 반사 링을 구비하는 상부 반사 하우징을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 외부 반사 링은 상기 제 1 외부 반사 링 상에 정렬될 수 있다. A thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes: a chamber; Lower heat sources disposed below the chamber and providing lower light to the substrate; A lower reflective housing having a first outer reflective ring disposed outside said lower heat sources and a first inner reflective ring disposed in said lower heat sources; Top heat sources disposed on the chamber and providing top light to the substrate; And a top reflective housing having a second outer reflective ring disposed outside the top heat sources and a second inner reflective ring disposed within the top heat sources. Here, the second outer reflecting ring may be aligned on the first outer reflecting ring.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착 설비는 가열 모듈의 반사 하우징에 의해 기판의 중심으로 집중되는 광을 기판의 가장자리에 반사하는 반사 제어 모듈을 포함할 수 있다. 반사 제어 모듈은 중심과 가장자리의 기판을 동일한 온도로 가열시킬 수 있다. 박막은 기판 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. As described above, the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may include a reflection control module that reflects the light concentrated at the center of the substrate to the edge of the substrate by the reflective housing of the heating module. The reflection control module can heat the center and edge substrates to the same temperature. The thin film can be formed with a uniform thickness on the substrate.

도 1은 본 발명의 기판 제조 장치의 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 박막 증착 설비의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 하부 반사 하우징의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 선상으로 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4의 하부 광의 일반화된 방사 조도의 프로파일을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 4의 기판 상의 박막을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 2의 하부 반사 제어 모듈의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 8의 하부 광의 일반화된 방사 조도 프로파일 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 7의 하부 반사 제어 모듈의 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 11은 도 10의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 7의 하부 반사 제어 모듈의 다른 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 13은 도 12의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 14는 도 2의 상부 반사 하우징의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 15는 도 14의 V-V' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 16은 도 15의 상부 광(120b)의 방사 조도(irradiance)를 보여주는 그래프이다.
도 17은 도 2의 상부 반사 제어 모듈의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 18은 도 17의 VI-VI' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 19는 도 18의 상부 광의 방사 조도를 보여주는 그래프이다.
도 20은 도 18의 상부 반사 제어 모듈의 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 21는 도 20의 VII-VII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 22는 도 18의 상부 반사 제어 모듈)의 다른 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 23은 도 22의 VIII-VIII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.1 is a view showing an embodiment of a substrate manufacturing apparatus of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of the thin film deposition apparatus of FIG.
3 is an exploded perspective view showing an example of the lower reflector housing of FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the line II 'in Fig.
5 is a graph showing the profile of the generalized irradiance of the lower light of FIG.
6 is a perspective view showing a thin film on the substrate of FIG.
FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the lower reflection control module of FIG. 2. FIG.
8 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.
9 is a graph showing the generalized irradiance profile of the lower light of FIG.
10 is an exploded perspective view showing an application example of the lower reflection control module of FIG.
11 is a cross-sectional view taken on line III-III 'of FIG.
12 is an exploded perspective view showing another application example of the lower reflection control module of FIG.
13 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG.
14 is an exploded perspective view showing an example of the upper reflective housing of Fig.
15 is a cross-sectional view taken on line VV 'in Fig.
FIG. 16 is a graph showing the irradiance of the top light 120b of FIG.
17 is an exploded perspective view showing an example of the upper reflection control module of FIG.
FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line VI-VI 'of FIG.
FIG. 19 is a graph showing the illuminance of the top light of FIG. 18; FIG.
20 is an exploded perspective view showing an application example of the upper reflection control module of Fig. 18;
21 is a cross-sectional view taken on line VII-VII 'of FIG.
FIG. 22 is an exploded perspective view showing another application example of the upper reflection control module of FIG. 18). FIG.
FIG. 23 is a cross-sectional view taken on line VIII-VIII 'of FIG. 22; FIG.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in different forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 박막, 하우징, 열원은 일반적인 반도체 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is to be understood that the phrase "comprises" and / or "comprising" used in the specification exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, operations and / or elements, I never do that. Also, in the specification, the chamber, the thin film, the housing, and the heat source may be understood as general semiconductor and device terms. The reference numerals shown in the order of description are not necessarily limited to those in the order of the preferred embodiments.

도 1은 본 발명의 기판 제조 장치(10)의 실시 예를 보여준다. 1 shows an embodiment of a substrate manufacturing apparatus 10 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 제조 장치(10)는 반도체 소자(semiconductor device) 및/또는 표시 소자(display device)의 제조 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 제조 장치(10)는 박막 증착 설비(20), 포토리소그래피 설비(30), 식각 설비(40), 및 에싱 설비(50)를 포함할 수 있다. 박막 증착 설비(20)는 박막 증착 공정을 수행할 수 있다. 박막 증착 공정은 진공 증착 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 진공 증착 방법은 단결정(epitaxial) 증착 방법을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 증착 설비(20)는 박막(도 6의 105)을 기판(도 2의 102) 상에 증착시킬 수 있다. 예를 들어, 박막(105)은 단결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 게르마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 포토리소그래피 설비(30)는 포토리소그래피 공정을 수행할 수 있다. 포토리소그래피 공정은 기판(102) 상에 포토 마스크 패턴을 형성하는 공정일 수 있다. 식각 설비(40)는 식각 공정을 수행할 수 있다. 에싱 설비(50)는 에싱 공정을 수행할 수 있다. 에싱 공정은 기판 상의 포토 마스크 패턴을 제거하는 공정일 수 있다. 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 및 에싱 공정은 단위 공정일 수 있다. 반도체 소자 및/또는 표시 소자는 다수의 단위 공정을 통해 제조될 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate manufacturing apparatus 10 may include an apparatus for manufacturing a semiconductor device and / or a display device. According to one example, the substrate manufacturing apparatus 10 may include a thin film deposition facility 20, a photolithography facility 30, an etching facility 40, and an ashing facility 50. The thin film deposition equipment 20 can perform a thin film deposition process. The thin film deposition process can be performed by a vacuum deposition process. For example, the vacuum deposition method may include a method of epitaxial deposition. According to one example, the thin film deposition facility 20 may deposit a thin film (105 in FIG. 6) on a substrate (102 in FIG. 2). For example, the thin film 105 may comprise monocrystalline silicon or monocrystalline silicon germanium (SiGe). The photolithography facility 30 can perform a photolithography process. The photolithography process may be a process for forming a photomask pattern on the substrate 102. [ The etching facility 40 may perform an etching process. The ashing facility 50 may perform the ashing process. The ashing process may be a process of removing the photomask pattern on the substrate. The thin film deposition process, the photolithography process, the etching process, and the ashing process may be unit processes. Semiconductor devices and / or display devices can be manufactured through a number of unit processes.

도 2는 도 1의 박막 증착 설비(20)의 일 예를 보여준다.FIG. 2 shows an example of the thin film deposition equipment 20 of FIG.

도 2를 참조하면, 박막 증착 설비(20)는 램프형 단결정(epitaxy) 증착 설비를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 증착 설비(20)는 챔버(110), 서셉터(118), 가열 모듈(160), 및 반사 제어 모듈(190)을 포함할 수 있다. 기판(102)은 챔버(110) 내에 배치될 수 있다. 서셉터(118)는 기판(102)을 수납할 수 있다. 반응 가스(104)는 기판(102) 상에 제공될 수 있다. 가열 모듈(160)은 기판(102)을 하부 광(120a)과 상부 광(120b)으로 가열할 수 있다. 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면으로 제공될 수 있다. 상부 광(120b)은 기판(102)의 상부 면으로 제공될 수 있다. 반사 제어 모듈(190)은 하부 광(120a)과 상부 광(120b)을 제어하여 기판(102)을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다.Referring to FIG. 2, the thin film deposition facility 20 may include a ramped-type epitaxy deposition facility. According to one example, the thin film deposition facility 20 may include a chamber 110, a susceptor 118, a heating module 160, and a reflection control module 190. The substrate 102 may be disposed within the chamber 110. The susceptor 118 can house the substrate 102. The reaction gas 104 may be provided on the substrate 102. The heating module 160 may heat the substrate 102 to the lower light 120a and the upper light 120b. The lower light 120a may be provided on the lower surface of the substrate 102. [ The upper light 120b may be provided on the upper surface of the substrate 102. [ The reflection control module 190 may control the lower light 120a and the upper light 120b to heat the substrate 102 to a uniform temperature.

챔버(110)는 기판(102)의 박막 증착 공정을 진공 상태로 수행시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 챔버(110)는 하부 돔(112), 상부 돔(114), 및 에지 링(116)을 포함할 수 있다. 하부 돔(112)은 서셉터(118) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하부 돔(112)은 깔때기 모양을 가질 수 있다. 상부 돔(114)은 서셉터(118) 상의 기판(102)을 덮을 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 투명할 수 있다. 예를 들어, 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 퀄츠 또는 글래스를 포함할 수 있다. 에지 링(116)을 하부 돔(112)과 상부 돔(114)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 에지 링(116)에 결합될 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114) 중 적어도 하나는 서셉터(118) 상에 기판(102)의 반입(load) 시, 에지 링(116)으로부터 분리될 수 있다. 이와 달리, 에지 링(116)은 위 아래로 분리될 수도 있다. 에지 링(116)은 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113)를 가질 수 있다. 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113)는 에지 링(116)의 서로 마주보는 양측에 배치될 수 있다. 반응 가스(104)는 가스 주입구(111)를 통해 챔버(110) 내에 제공될 수 있다. 가스 배출 구(113)는 반응 가스(104)를 배기할 수 있다. 반응 가스(104)는 실란(SiH4), DCS(SiH2Cl2), 또는 저메인(GeH4),을 포함할 수 있다.The chamber 110 may perform the thin film deposition process of the substrate 102 in a vacuum state. According to one example, the chamber 110 may include a bottom dome 112, a top dome 114, and an edge ring 116. The lower dome 112 may be disposed below the susceptor 118. For example, the lower dome 112 may have a funnel shape. The upper dome 114 may cover the substrate 102 on the susceptor 118. The lower dome 112 and the upper dome 114 may be transparent. For example, the lower dome 112 and the upper dome 114 may comprise a quartz or glass. The edge ring 116 may surround the edges of the lower dome 112 and the upper dome 114. The lower dome 112 and the upper dome 114 may be coupled to the edge ring 116. At least one of the bottom dome 112 and the top dome 114 may be detached from the edge ring 116 upon loading of the substrate 102 onto the susceptor 118. Alternatively, the edge ring 116 may be separated up and down. The edge ring 116 may have a gas inlet 111 and a gas outlet 113. The gas inlet 111 and the gas outlet 113 may be disposed on opposite sides of the edge ring 116. Reaction gas 104 may be provided in chamber 110 through gas inlet 111. The gas outlet 113 can exhaust the reaction gas 104. The reactive gas 104 may include silane (SiH 4 ), DCS (SiH 2 Cl 2 ), or germane (GeH 4 ).

서셉터(118)는 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113) 사이에 배치될 수 있다. 반응 가스(104)는 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113) 사이로 유동될 수 있다. 예를 들어, 반응 가스(104)는 기판(102) 상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 반응 가스(104)는 기판(102)의 상부에서 하부로 유동될 수도 있다. 서셉터(118)는 투명할 수 있다. 예를 들어, 서셉터(118)는 퀄츠 또는 글래스를 포함할 수 있다. 서셉터(118)는 지지대(115)에 의해 지지될 수 있다. The susceptor 118 may be disposed between the gas inlet 111 and the gas outlet 113. The reaction gas 104 may flow between the gas inlet 111 and the gas outlet 113. For example, the reaction gas 104 may be provided on the substrate 102. Alternatively, the reactive gas 104 may flow downward from the top of the substrate 102. The susceptor 118 may be transparent. For example, the susceptor 118 may comprise a quartz or glass. The susceptor 118 may be supported by a support 115.

지지대(115)는 서셉터(118)와 하부 돔(112) 사이에 배치될 수 있다. 지지대(115)는 하부 돔(112)의 중심에 배치될 수 있다. 기판(102)은 리프터(117)에 의해 서셉터(118) 상에서 승강(elevated)될 수 있다. The support 115 may be disposed between the susceptor 118 and the lower dome 112. The support 115 may be disposed at the center of the lower dome 112. The substrate 102 can be elevated on the susceptor 118 by the lifter 117. [

리프터(117)는 리프팅 샤프트(117a)와 리프팅 핀들(117b)을 포함할 수 있다. 리프팅 샤프트(117a)는 지지대(115)와 하부 돔(112) 사이에 배치될 수 있다. 리프팅 샤프트(117a)는 리프팅 핀들(117b)을 승강시킬 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 리프팅 샤프트(117a) 상에 배치될 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 서셉터(118)를 관통할 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 기판(102)을 승강시킬 수 있다. 기판(102)은 리프팅 핀들(117b)에 의해 서셉터(118)로부터 분리될 수 있다. 기판(102)은 로봇 암(미도시)에 의해 챔버(110) 외부로 반송(unloaded)될 수 있다.The lifter 117 may include a lifting shaft 117a and lifting pins 117b. The lifting shaft 117a may be disposed between the support 115 and the lower dome 112. The lifting shaft 117a can lift the lifting pins 117b. The lifting pins 117b may be disposed on the lifting shaft 117a. The lifting pins 117b may penetrate the susceptor 118. The lifting pins 117b can lift the substrate 102 up and down. The substrate 102 may be separated from the susceptor 118 by lifting pins 117b. The substrate 102 may be unloaded out of the chamber 110 by a robot arm (not shown).

가열 모듈(160)은 하부 돔(112) 아래와 상부 돔(114) 위에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 가열 모듈(160)은 열원들(120) 및 반사 하우징(150)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열원들(120)은 필라멘트 램프들을 포함할 수 있다. 열원들(120)은 하부 광(120a) 및 상부 광(120b)을 발생시킬 수 있다. 반사 하우징(150)은 하부 광(120a) 및 상부 광(120b)을 기판(102)에 반사할 수 있다. The heating module 160 may be disposed below the lower dome 112 and above the upper dome 114. According to one example, heating module 160 may include heat sources 120 and reflective housing 150. For example, the heat sources 120 may comprise filament lamps. The heat sources 120 may generate the lower light 120a and the upper light 120b. The reflective housing 150 may reflect the lower light 120a and the upper light 120b to the substrate 102. [

일 예에 따르면, 열원들(120)은 제 1 내지 제 3 열원들(120c-120e)을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 기판(102) 아래의 반사 하우징(150) 내에 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 기판(102) 상의 반사 하우징(150) 내에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 하부 광(120a)을 생성할 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 광(120b)을 생성할 수 있다. According to one example, the heat sources 120 may include first to third heat sources 120c-120e. The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed within the reflective housing 150 below the substrate 102. [ The third heat sources 120e may be disposed within the reflective housing 150 on the substrate 102. The first and second heat sources 120c and 120d may generate the lower light 120a. And the third heat sources 120e can generate the upper light 120b.

반사 하우징(150)은 열원들(120)을 기판(102) 방향으로(toward) 덮(covering)을 수 있다. 반사 하우징(150)은 하부 광(120a)과 상부 광(120b)을 기판(102)에 집중시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 반사 하우징(150)은 하부 반사 하우징(130)과 상부 반사 하우징(140)을 포함할 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 돔(112) 아래에 정렬될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114) 상에 정렬될 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 돔(112) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 하부 돔(112)과 하부 반사 하우징(130) 사이에 배치될 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 광(120a)을 기판(102)의 하부 면으로 반사할 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114) 상에 배치될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114)과 상부 반사 하우징(140) 사이에 제공될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 광(120b)을 기판(102)의 상부 면으로 반사할 수 있다. The reflective housing 150 may cover the heat sources 120 toward the substrate 102. The reflective housing 150 may focus the lower light 120a and the upper light 120b on the substrate 102. [ According to one example, the reflective housing 150 may include a lower reflective housing 130 and an upper reflective housing 140. The lower reflective housing 130 may be aligned below the lower dome 112. The upper reflector housing 140 may be aligned on the upper dome 114. The lower reflective housing 130 may be disposed below the lower dome 112. The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed between the lower dome 112 and the lower reflective housing 130. [ The lower reflective housing 130 may reflect the lower light 120a to the lower surface of the substrate 102. [ The upper reflector housing 140 may be disposed on the upper dome 114. An upper reflector housing 140 may be provided between the upper dome 114 and the upper reflector housing 140. The upper reflector housing 140 may reflect the upper light 120b to the upper surface of the substrate 102.

반사 제어 모듈(190)은 하부 반사 하우징(130)과 상부 반사 하우징(140) 내에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 반사 제어 모듈(190)은 하부 반사 제어 모듈(170) 및 상부 반사 제어 모듈(180)을 포함할 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)과, 하부 돔(112) 사이의 하부 반사 하우징(130) 내에 배치될 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 하부 광(120a)의 반사 각을 제어할 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 3 열원들(120e)과, 상부 돔(114) 사이의 상부 반사 하우징(140) 내에 배치될 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 광(120b)의 반사 각을 제어할 수 있다.The reflection control module 190 may be disposed within the lower reflective housing 130 and the upper reflective housing 140. According to one example, the reflection control module 190 may include a lower reflection control module 170 and an upper reflection control module 180. The lower reflection control module 170 may be disposed in the lower reflective housing 130 between the first and second heat sources 120c and 120d and the lower dome 112. [ The lower reflection control module 170 can control the reflection angle of the lower light 120a. The upper reflector control module 180 may be disposed within the upper reflector housing 140 between the third heat sources 120e and the upper dome 114. [ The upper reflection control module 180 can control the reflection angle of the upper light 120b.

도 3은 도 2의 하부 반사 하우징(130)의 일 예를 보여준다. 도 4는 도 3의 I-I' 선상으로 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 3 shows an example of the lower reflecting housing 130 of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 하부 반사 하우징(130)은 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간(middle) 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 내부 커버 반사 링(132) 및 외부 커버 반사 링(136) 상에 각각 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132) 및 외부 커버 반사 링(136)은 하부 광(120a)을 기판(102)의 하부 면으로 반사할 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)은 하부 광(120a)을 서로 간에 반사시킬 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)은 하부 광(120a)을 서로간에 반사시킬 수 있다. 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면으로 반사될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 링(134), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)는 원통 모양의 반사 튜브들을 포함할 수 있다. 3 and 4, the lower reflective housing 130 includes an inner cover reflective ring 132, a first inner reflective ring 134, an outer cover reflective ring 136, a middle reflective ring 138, And a first outer reflecting ring 139. [ The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed on the inner cover reflection ring 132 and the outer cover reflection ring 136, respectively. The inner cover reflection ring 132 and the outer cover reflection ring 136 can reflect the lower light 120a to the lower surface of the substrate 102. [ The first heat sources 120c may be disposed between the first inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138. The first inner reflection ring 134 and the intermediate reflection ring 138 can reflect the lower light 120a to each other. The second heat sources 120d may be disposed between the intermediate reflective ring 138 and the first outer reflective ring 139. The intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139 can reflect the lower light 120a to each other. The lower light 120a may be reflected to the lower surface of the substrate 102. [ For example, the first inner reflective ring 134, the intermediate reflective ring 138, and the first outer reflective ring 139 may comprise cylindrical reflective tubes.

내부 커버 반사 링(132)은 제 1 내부 반사 링(134) 바깥에 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 중간 반사 링(138) 아래에 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 결합(coupled)될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)의 내경과 제 1 내부 반사 링(134)의 외경은 동일할 수 있다. 예를 들어, 내부 커버 반사 링(132)의 내경은 약 246mm 내지 286mm 정도일 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)과 중간 반사 링(138)은 동일한 외경을 가질 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)의 외경은 약 304mm 정도일 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 제 1 반원통형(semi-cylindrical) 반사 홈들(131)을 가질 수 있다. 예를 들어, 내부 커버 반사 링(132)은 약 12개의 제 1 반원통형 반사 홈들(131)을 가질 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 반원통형 반사 홈들(131) 상에 일대일로 배치될 수 있다. 제 1 반원통형 반사 홈들(131)은 제 1 열원들(120c)로부터의 하부 광(120a)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 제 1 반원통형 반사 홈들(131)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다.The inner cover reflective ring 132 may be disposed outside the first inner reflective ring 134. The inner cover reflective ring 132 may be disposed below the intermediate reflective ring 138. The inner cover reflective ring 132 may be coupled to the inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138. The inner diameter of the inner cover reflection ring 132 and the outer diameter of the first inner reflection ring 134 may be the same. For example, the inner cover reflection ring 132 may have an inner diameter of about 246 mm to about 286 mm. The inner cover reflection ring 132 and the intermediate reflection ring 138 may have the same outer diameter. The outer cover reflection ring 132 may have an outer diameter of about 304 mm. The inner cover reflection ring 132 may have first semi-cylindrical reflecting grooves 131. For example, the inner cover reflection ring 132 may have about twelve first semi-cylindrical reflecting grooves 131. The first heat sources 120c may be disposed on the first semi-cylindrical reflecting grooves 131 on a one-to-one basis. The first semi-cylindrical reflecting grooves 131 can reflect the lower light 120a from the first heat sources 120c to the substrate 102. [ The first semi-cylindrical reflection grooves 131 may have a curvature of a center radius of about 41 mm.

제 1 내부 반사 링(134)은 내부 커버 반사 링(132) 내에 배치될 수 있다. 하부 돔(112)은 제 1 내부 반사 링(134) 내부로 연장할 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 중간 반사 링(138) 및 외부 반사 링(139) 내에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 외부 반사 링(139)보다 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 링(134)은 약 150mm 내지 약 200mm 정도의 길이를 가질 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 중간 반사 링(138)과 이격하여 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)과 중간 반사 링(138) 사이의 제 1 거리(d1)는 내부 커버 반사 링(132)의 제 1 폭(t1)보다 작을 수 있다. 하부 광(120a)은 제 1 내부 반사 링(134)과 중간 반사 링(138) 사이에서 반사될 수 있다.The first inner reflecting ring 134 may be disposed within the inner cover reflecting ring 132. The lower dome 112 may extend into the first inner reflective ring 134. The first inner reflective ring 134 may be disposed within the intermediate reflective ring 138 and the outer reflective ring 139. The first inner reflecting ring 134 may be disposed below the outer reflecting ring 139. For example, the first inner reflecting ring 134 may have a length of about 150 mm to about 200 mm. The first inner reflection ring 134 may be disposed apart from the intermediate reflection ring 138. The first distance d 1 between the first inner reflective ring 134 and the middle reflective ring 138 may be less than the first width t 1 of the inner cover reflective ring 132. The lower light 120a may be reflected between the first inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138. [

외부 커버 반사 링(136)은 내부 커버 반사 링(132) 상에 배치될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 내부 커버 반사 링(132)의 외경과 동일할 수 있다. 이와 달리, 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 내부 커버 반사 링(132)의 외경보다 클 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 측벽에 결합될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 둘레에 배치될 수 있다. 예를 들어, 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 중간 높이에 배치될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 중간 반사 링(138)의 외경과 동일할 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 외경과, 제 1 외부 반사 링(139)의 외경은 동일할 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 약 304mm 정도이고, 외경은 약 424mm 내지 약 460mm 정도일 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 제 1 외부 반사 링(139)의 아래에 결합될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 제 2 반원통형 반사 홈들(135)을 가질 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 약 32개의 제 2 반원통형 반사 홈들(135)을 가질 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 제 2 반원통형 반사 홈들(135) 상에 일대일로 배치될 수 있다. 제 2 반원통형 반사 홈들(135)은 제 2 열원들(120d)로부터의 하부 광(120a)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 제 2 반원통형 반사 홈들(135)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다.The outer cover reflective ring 136 may be disposed on the inner cover reflective ring 132. The inner diameter of the outer cover reflection ring 136 may be the same as the outer diameter of the inner cover reflection ring 132. Alternatively, the inner diameter of the outer cover reflection ring 136 may be larger than the outer diameter of the inner cover reflection ring 132. [ The outer cover reflective ring 136 may be coupled to the side wall of the intermediate reflective ring 138. The outer cover reflective ring 136 may be disposed around the intermediate reflective ring 138. For example, the outer cover reflective ring 136 may be disposed at an intermediate height of the intermediate reflective ring 138. The inner diameter of the outer cover reflection ring 136 may be the same as the outer diameter of the intermediate reflection ring 138. The outer diameter of the outer cover reflection ring 136 and the outer diameter of the first outer reflection ring 139 may be the same. The outer cover reflection ring 136 may have an inner diameter of about 304 mm and an outer diameter of about 424 mm to about 460 mm. The outer cover reflection ring 136 may be coupled under the first outer reflection ring 139. The outer cover reflection ring 136 may have second semi-cylindrical reflecting grooves 135. The outer cover reflective ring 136 may have about 32 second semi-cylindrical reflective grooves 135. The second heat sources 120d may be disposed on the second semi-cylindrical reflecting grooves 135 one on the other. The second semi-cylindrical reflecting grooves 135 may reflect the lower light 120a from the second heat sources 120d to the substrate 102. [ The second semi-cylindrical reflection grooves 135 may have a curvature of a center radius of about 41 mm.

중간 반사 링(138)은 외부 커버 반사 링(136) 내에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 내부 커버 반사 링(132) 상에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 내부 반사 링(134)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 내부 반사 링(134)보다 길 수 있다. 중간 반사 링(138)은 약 250mm 내지 약 300mm의 길이를 가질 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 소켓 홈들(138a)을 가질 수 있다. 제 1 소켓 홈들(138a)은 내부 커버 반사 링(132)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 소켓 홈들(138a)을 통해 내부 커버 반사 링(132) 상에 제공될 수 있다. 제 1 열원들(120c)의 길이는 제 1 폭(t1)와 동일할 수 있다. 이와 달리, 제 1 열원들(120c)의 길이는 제 1 거리(d1)와 동일할 수 있다.The intermediate reflective ring 138 may be disposed within the outer cover reflective ring 136. The intermediate reflective ring 138 may be disposed on the inner cover reflective ring 132. The intermediate reflective ring 138 may be disposed between the first inner reflective ring 134 and the first outer reflective ring 139. The intermediate reflective ring 138 may be longer than the first inner reflective ring 134. The intermediate reflective ring 138 may have a length of about 250 mm to about 300 mm. The intermediate reflective ring 138 may have first socket grooves 138a. The first socket grooves 138a may be disposed adjacent the inner cover reflective ring 132. [ The first heat sources 120c may be provided on the inner cover reflection ring 132 through the first socket grooves 138a. The length of the first heat sources 120c may be the same as the first width t 1 . Alternatively, the length of the first heat sources 120c may be the same as the first distance d 1 .

제 1 외부 반사 링(139)은 외부 커버 반사 링(136) 상에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 중간 반사 링(138)보다 높게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 링(139)은 약 175mm의 길이를 가질 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 중간 반사 링(138)과 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 링(139) 및 중간 반사 링(138) 사이의 제 2 거리(d2)는 외부 커버 반사 링(136)의 제 2 폭(t2)보다 작을 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 제 2 소켓 홈들(139a)을 가질 수 있다. 제 2 소켓 홈들(139a)은 외부 커버 반사 링(136)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 제 2 소켓 홈들(139a)을 통해 외부 커버 반사 링(136) 상에 제공될 수 있다. The first outer reflective ring 139 may be disposed on the outer cover reflective ring 136. The first outer reflecting ring 139 may be disposed higher than the intermediate reflecting ring 138. For example, the first outer reflecting ring 139 may have a length of about 175 mm. The first outer reflecting ring 139 may be disposed apart from the intermediate reflecting ring 138. For example, the second distance d 2 between the first outer reflective ring 139 and the intermediate reflective ring 138 may be less than the second width t 2 of the outer cover reflective ring 136. The first outer reflecting ring 139 may have second socket grooves 139a. The second socket recesses 139a may be disposed adjacent the outer cover reflective ring 136. [ The second heat sources 120d may be provided on the outer cover reflection ring 136 through the second socket grooves 139a.

다시 도 4를 참조하면, 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면에 제공될 수 있다. 기판(102)은 하부 광(120a)에 의해 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판(102)은 약 500℃ 내지 800℃로 가열될 수 있다. 기판(102)는 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)을 포함할 수 있다. 중심 영역(101)은 가장자리 영역(103) 내에 배치될 수 있다. 가장자리 영역(103)읜 중심 영역(101)을 둘러쌀 수 있다.Referring again to FIG. 4, the lower light 120a may be provided on the lower surface of the substrate 102. FIG. The substrate 102 may be heated by the lower light 120a. For example, the substrate 102 may be heated to about 500 ° C to 800 ° C. The substrate 102 may include a central region 101 and an edge region 103. The central region 101 may be disposed in the edge region 103. The edge region 103 and the center region 101 can be surrounded.

하부 광(120a)은 제 1 열원들(120c)로부터 기판(102)에 직접적으로 입사(incident)될 수 있다. 이와 달리, 하부 광(120a)은 제 1 내부 반사 링(134), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)에 반사된 후 기판(102)으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 하부 광(120a)은 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 및 외부 반사 광(125)을 포함할 수 있다. 내부 직사 광(122) 및 내부 반사 광(123)은 제 1 열원들(120c)로부터 제공될 수 있다. 내부 직사 광(122)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 반사되지 않고, 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 내부 직사 광(122)은 가장 자리 영역(103)에 입사될 수 있다. 내부 반사 광(123)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 반사되는 광일 수 있다. 내부 반사 광(123)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 일부의 내부 반사 광(123)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수도 있다. 외부 직사 광(124) 및 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 제공될 수 있다. 외부 직사 광(124)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)에 반사되지 않고, 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 외부 직사 광(124)은 기판(102)의 주로 바깥에 제공될 수 있다. 이와 달리, 외부 직사 광(124)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 입사될 수 있다. 외부 반사 광(125)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)에 반사될 수 있다. The lower light 120a may be incident directly onto the substrate 102 from the first heat sources 120c. Alternatively, the lower light 120a may be reflected to the first inner reflective ring 134, the intermediate reflective ring 138, and the first outer reflective ring 139 and then provided to the substrate 102. For example, the lower light 120a may include an inner direct light 122, an inner reflected light 123, an outer direct light 124, and an outer reflected light 125. [ The inner direct light 122 and the internally reflected light 123 may be provided from the first heat sources 120c. The inner direct light 122 may be light that is not reflected by the first inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 but straight through the first inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138. The inner direct light 122 may be incident on the edge region 103. The internally reflected light 123 may be the light reflected by the first inner reflecting ring 134 and the intermediate reflecting ring 138. The internally reflected light 123 may be provided mainly in the central region 101. [ Alternatively, some of the internally reflected light 123 may be provided in the edge region 103. The external direct light 124 and the external reflected light 125 may be provided from the second heat sources 120d. The external direct light 124 may be light that is not reflected by the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139 but directly between the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139. External direct light 124 may be provided mainly to the outside of the substrate 102. Alternatively, the external direct light 124 may be incident on the center region 101 and the edge region 103. [ The external reflected light 125 may be reflected to the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139.

중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 제 1 반사 각(θ1)으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 제 1 반사 각(θ1)은 약 10° 내지 20° 정도일 수 있다. 외부 반사 광(125)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 일부의 외부 반사 광(125)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수 있다. The intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139 can reflect the external reflected light 125 at a first reflection angle? 1 . For example, the first reflection angle [theta] 1 may be about 10 [deg.] To 20 [deg.]. The external reflected light 125 may be provided mainly in the central region 101. [ Alternatively, the first outer reflecting ring 139 may reflect the outer reflected light 125 at about 0 ° to 90 °. Some of the externally reflected light 125 may be provided in the edge region 103.

도 5는 도 4의 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도의 프로파일을 보여준다.FIG. 5 shows a profile of the generalized irradiance of the lower light 120a of FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도는 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에서 높을 수 있다. 중심 영역(101)은 내부 반사 광(123)과 외부 반사 광(125)에 의해 가열될 수 있다. 가장자리 영역(103)은 내부 직사 광(122)에 의해 가열될 수 있다. 중심 영역(101)은 가장자리 영역(103)보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 4 and 5, the generalized irradiance of the lower light 120a may be higher in the central region 101 than in the edge region 103. [ The central region 101 can be heated by the internally reflected light 123 and the externally reflected light 125. The edge region 103 can be heated by the inner direct light 122. The central region 101 can be heated to a temperature higher than the edge region 103. [

도 6은 도 4의 기판(102) 상의 박막(105)을 보여준다.FIG. 6 shows a thin film 105 on the substrate 102 of FIG.

도 6을 참조하면, 박막(105)은 기판(102) 상에 형성될 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 온도에 비례하는 두께를 가질 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에 얇게 형성될 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 온도에 비례하는 두께를 가질 수 있다. 가장자리 영역(103)이 중심 영역(101)보다 낮은 온도로 가열되기 때문일 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 상부 면의 전체에 형성될 수 있다. 이와 달리, 박막(105)은 기판(102)의 상부 면의 일부에 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 6, a thin film 105 may be formed on the substrate 102. The thin film 105 may have a thickness proportional to the temperature of the substrate 102. The thin film 105 may be formed thinner in the edge region 103 than in the central region 101. [ The thin film 105 may have a thickness proportional to the temperature of the substrate 102. The edge region 103 is heated to a lower temperature than the central region 101. [ The thin film 105 may be formed on the entire upper surface of the substrate 102. Alternatively, the thin film 105 may be formed on a portion of the upper surface of the substrate 102.

도 7은 도 2의 하부 반사 제어 모듈(170)의 일 예를 보여준다. 도 8은 도 7의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 7 shows an example of the lower reflection control module 170 of FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하부 반사 제어 모듈(170)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 대부분의 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다. 제 2 반사 각(θ2)은 제 1 반사 각(θ1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제 2 반사 각(θ2)은 약 20° 내지 약 30° 정도일 수 있다. 이와 달리, 하부 반사 제어 모듈(170)은 외부 반사 광(125)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 일부의 외부 반사 광(125)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 7 and 8, the lower reflection control module 170 may be disposed between the intermediate reflection ring 138 and the first outer reflection ring 139. [ For example, the lower reflection control module 170 may reflect the external reflected light 125 to the edge area 103. [ According to one example, the lower reflection control module 170 may reflect most of the external reflected light 125 at a second reflection angle [theta] 2 . The second reflection angle? 2 may be larger than the first reflection angle? 1 . For example, the second reflection angle [theta] 2 may be about 20 [deg.] To about 30 [deg.]. Alternatively, the lower reflection control module 170 may reflect the external reflected light 125 at about 0 [deg.] To 90 [deg.]. The lower reflection control module 170 may reflect a part of the external reflected light 125 to the central region 101. [

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 3 및 도 4와 동일할 수 있다.The first and second heat sources 120c and 120d, the inner direct light 122, the inner reflected light 123, the outer direct light 124, the inner cover reflection ring 132, The configurations of the inner reflection ring 134, the outer cover reflection ring 136, the intermediate reflection ring 138, and the first outer reflection ring 139 may be the same as in Figs. 3 and 4.

하부 반사 제어 모듈(170)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이의 하부 추가 반사 링들(additional lower reflection rings)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 제 1 외부 반사 제어 링(172)과 제 1 내부 반사 제어 링(174)을 포함할 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 내부 반사 제어 링(174)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제 1 외부 반사 제어 링(172) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)과 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.The lower reflection control module 170 may include additional lower reflection rings between the intermediate reflection ring 138 and the first outer reflection ring 139. [ According to one example, the bottom reflection control module 170 may include a first outer reflection control ring 172 and a first inner reflection control ring 174. The first outer reflection control ring 172 may have a larger diameter than the first inner reflection control ring 174. [ The first inner reflection control ring 174 may be disposed under the first outer reflection control ring 172. The first external reflection control ring 172 and the first internal reflection control ring 174 can reflect the external reflected light 125 at a second reflection angle? 2 .

제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽(inside wall)에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽에 고정될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 위 방향(upward)으로 제 1 외부 반사 링(139)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)보다 짧을 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽으로부터 멀어질 수 있다. 외부 반사 제어 링(172)은 중간 반사 링(138)로 가까워질 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 아래 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 제어 링(172)의 제 1 경사 각(ф1)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 2 반사 각(θ2)은 제 1 경사 각(ф1)에 의해 조절될 수 있다. 제 1 경사 각(ф1)과 제 2 반사 각(θ2)은 비례할 수 있다. 제 1 경사 각(ф1)이 증가되면, 제 2 반사 각(θ2)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 반사되는 외부 반사 광(125)은 증가될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 대부분의 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 이와 달리, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 따라서, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The first outer reflection control ring 172 may be disposed in the inner wall of the first outer reflection ring 139. According to one example, the first outer reflection control ring 172 may be fixed to the inner wall of the first outer reflection ring 139. The first external reflection control ring 172 may be disposed at the same height as the first external reflection ring 139 in an upward direction. The first outer reflection control ring 172 may be shorter than the first outer reflection ring 139. The first outer reflection control ring 172 can be moved away from the inner wall of the first outer reflection ring 139 away from the susceptor 118. The outer reflection control ring 172 can be brought close to the intermediate reflection ring 138. [ The first external reflection control ring 172 can be inclined downwardly concave. For example, the first tilt angle (phi 1 ) of the first outer reflection control ring 172 may be about 0.5 [deg.] To about 10 [deg.]. A second reflection angle (θ 2) may be controlled by a first inclination angle (ф 1). The first inclination angle? 1 and the second reflection angle? 2 may be proportional. When the first tilt angle (? 1 ) is increased, the second reflection angle? 2 can be increased. The external reflected light 125 reflected to the edge region 103 can be increased. The first external reflection control ring 172 can reflect most of the external reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102. [ Alternatively, the first external reflection control ring 172 may reflect the external reflected light 125 to the central region 101. [ Accordingly, the first external reflection control ring 172 can control the temperature according to the position of the substrate 102. [

제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)의 외측 벽(outside wall)에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)의 외측 벽에 고정될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 위 방향(upward)으로 중간 반사 링(138)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)보다 짧을 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174) 제 1 외부 반사 제어 링(172)와 반대 방향으로 경사질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 서셉터(118)로 멀어질수록 중간 반사 링(138)에서 멀어질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제 1 외부 반사 링(139)에 가까워질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 위 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 제어 링(174)의 제 2 경사 각(ф2)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 2 경사 각(ф2)은 제 2 반사 각(θ2)에 비례할 수 있다. 제 2 경사 각(ф2)이 증가되면, 제 2 반사 각(θ2)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 반사되는 외부 반사 광(125)은 증가될 수 있다. 따라서, 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The first inner reflection control ring 174 may be disposed on an outer wall of the intermediate reflection ring 138. According to one example, the first inner reflection control ring 174 may be fixed to the outer wall of the intermediate reflection ring 138. The first inner reflection control ring 174 may be disposed at the same height as the intermediate reflection ring 138 upward. The first inner reflection control ring 174 may be shorter than the intermediate reflection ring 138. The first inner reflection control ring 174 may be inclined in a direction opposite to the first outer reflection control ring 172. The first inner reflection control ring 174 may be further away from the intermediate reflection ring 138 as it is further away from the susceptor 118. The first inner reflection control ring 174 may be closer to the first outer reflection ring 139. The first inner reflection control ring 174 can be inclined upwardly concave. For example, the second tilt angle (phi 2 ) of the first inner reflection control ring 174 may be about 0.5 [deg.] To about 10 [deg.]. The second tilt angle ( 2 ) may be proportional to the second reflection angle ( 2 ). When the second tilt angle (phi 2 ) is increased, the second reflection angle (? 2 ) can increase. The external reflected light 125 reflected to the edge region 103 can be increased. Accordingly, the first inner reflection control ring 174 can control the temperature according to the position of the substrate 102. [

제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 1 외부 반사 제어 링(172)에 반사할 수 있다. The first inner reflection control ring 174 may reflect the outer reflected light 125 to the first outer reflection control ring 172.

도 9는 도 8의 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도 프로파일 보여주는 그래프이다.9 is a graph showing a generalized irradiance profile of the bottom light 120a of FIG.

도 9를 참조하면, 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도는 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에서 동일할 수 있다. 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)은 동일한 온도로 가열될 수 있다. 나아가, 박막(105)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 동일한 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9, the generalized irradiance of the lower light 120a may be the same in the central region 101 and the edge region 103. FIG. The central region 101 and the edge region 103 can be heated to the same temperature. Further, the thin film 105 may be formed to have the same thickness in the central region 101 and the edge region 103.

도 10은 도 7의 하부 반사 제어 모듈(170)의 응용 예를 보여준다. 도 11은 도 10의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 10 shows an application example of the lower reflection control module 170 of FIG. 11 is a cross-sectional view taken on line III-III 'of FIG.

도 10 및 도 11을 참조하면, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사시킬 수 있다. 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 제어 링(172)에 제공될 수 있다. 외부 반사 광(125)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 제어 링(172) 사이에 반사될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)에 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.10 and 11, the first external reflection control ring 172 may reflect the external reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102. [ The external reflected light 125 may be provided to the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection control ring 172 from the second heat sources 120d. The external reflected light 125 may be reflected between the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection control ring 172. The first external reflection control ring 172 can reflect the external reflected light 125 to the edge region 103 at a second reflection angle? 2 .

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 6 및 도 7과 동일할 수 있다. 도 6 및 도 7의 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제거될 수 있다.The first and second heat sources 120c and 120d, the inner direct light 122, the inner reflected light 123, the outer direct light 124, the inner cover reflection ring 132, The configurations of the inner reflection ring 134, the outer cover reflection ring 136, the intermediate reflection ring 138, and the first outer reflection ring 139 may be the same as in Figs. 6 and 7. The first inner reflection control ring 174 of Figs. 6 and 7 may be removed.

도 12는 도 7의 하부 반사 제어 모듈(170)의 다른 응용 예를 보여준다. 도 13은 도 12의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 12 shows another application example of the lower reflection control module 170 of FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG.

도 12 및 도 13을 참조하면, 제 1 내부 반사 제어 링(174)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 제 1 내부 반사 제어 링(174)에 제공될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 1 외부 반사 링(139)에 반사할 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.12 and 13, the first inner reflection control ring 174 and the first outer reflection ring 139 can reflect the outer reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102 . The external reflected light 125 may be provided to the first internal reflection control ring 174 from the second heat sources 120d. The first inner reflection control ring 174 can reflect the outer reflected light 125 to the first outer reflection ring 139. [ The first outer reflecting ring 139 can reflect the outer reflected light 125 to the edge region 103. The first inner reflection control ring 174 and the first outer reflection ring 139 can reflect the outer reflected light 125 at a second reflection angle? 2 .

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 6 및 도 7과 동일할 수 있다. 도 6 및 도 7의 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제거될 수 있다.The first and second heat sources 120c and 120d, the inner direct light 122, the inner reflected light 123, the outer direct light 124, the inner cover reflection ring 132, The configurations of the inner reflection ring 134, the outer cover reflection ring 136, the intermediate reflection ring 138, and the first outer reflection ring 139 may be the same as in Figs. 6 and 7. The first external reflection control ring 172 of Figs. 6 and 7 can be removed.

도 14는 도 2의 상부 반사 하우징(140)의 일 예를 보여준다. 도 15는 도 14의 V-V' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.Fig. 14 shows an example of the upper reflecting housing 140 of Fig. 15 is a cross-sectional view taken on line V-V 'of Fig.

도 14 및 도 15를 참조하면, 상부 반사 하우징(140)은 상부 커버 반사 링(142), 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146)을 포함할 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 제 3 열원들(120e)을 덮는 반사 링을 포함할 수 있다. 또한, 제 3 열원들(120e)은 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146)은 원통 모양의 튜브를 포함할 수 있다. 14 and 15, the upper reflective housing 140 may include an upper cover reflective ring 142, a second inner reflective ring 144, and a second outer reflective ring 146. The third heat sources 120e may be disposed below the upper cover reflective ring 142. [ The upper cover reflective ring 142 may include a reflective ring covering the third heat sources 120e. In addition, third heat sources 120e may be disposed between the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. The second inner reflective ring 144, and the second outer reflective ring 146 may comprise a cylindrical tube.

상부 커버 반사 링(142)은 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146) 상에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 제 2 내부 반사 링(144) 및 제 2 외부 반사 링(146)에 결합될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)과 제 2 외부 반사 링(146)은 동일한 외경을 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 커버 반사 링(142)의 내경은 약 304mm 정도이고, 외경은 약 424mm 내지 약 460mm 정도일 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 상부 반사 홈들(142a)을 가질 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 반사 홈들(142a) 아래에 일대일 배치될 수 있다. 상부 반사 홈들(142a)은 상부 커버 반사 링(142)의 중심 방향으로 기울어질 수 있다. 예를 들어, 상부 반사 홈들(142a)은 상부 커버 반사 링(142)의 중심 방향으로 약 1° 내지 약 5°정도 기울어질 수 있다. 상부 반사 홈들(142a)은 상부 광(120b)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 홈들(142a)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)과 평탄 반사 홈들(142c)을 포함할 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 상부 광(120b)에 대해 라운드진 반사면(미도시)을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 상부 광(120b)에 대해 평탄한 반사면(미도시)을 가질 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 상부 광(120b)을 기판(102)으로 집중시킬 수 있다. 예를 들어, 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 제 3 열원들(120e)에 일대일로 대응될 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 41mm 정도의 가장자리 선폭을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 상부 광(120b)을 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)으로 반사시킬 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b) 사이에 배치될 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)보다 넓을 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 약 75mm 내지 약 82mm의 가장자리 선폭을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c) 각각은 복수개의 제 3 열원들(120e)에 대응될 수 있다. 예를 들어, 2개의 제 3 열원들(120e)은 하나의 평탄 반사 홈(142c) 아래에 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 약 32개일 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 10개 내지 약 12개일 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 약 10 내지 약 11개일 수 있다. The upper cover reflective ring 142 may be disposed on the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. The upper cover reflective ring 142 may be coupled to the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. A second inner reflective ring 144 may be disposed below the upper cover reflective ring 142. The upper cover reflection ring 142 and the second outer reflection ring 146 may have the same outer diameter. For example, the inner diameter of the upper cover reflective ring 142 may be about 304 mm, and the outer diameter may be about 424 mm to about 460 mm. The upper cover reflection ring 142 may have upper reflection grooves 142a. The third heat sources 120e may be disposed one on top of the upper reflection grooves 142a. The upper reflection grooves 142a can be inclined toward the center of the upper cover reflection ring 142. [ For example, the upper reflective grooves 142a can be tilted by about 1 [deg.] To about 5 [deg.] In the direction of the center of the upper cover reflective ring 142. [ The upper reflection grooves 142a may reflect the upper light 120b to the substrate 102. [ According to an example, the upper reflective grooves 142a may include third semi-cylindrical reflective grooves 142b and flat reflective grooves 142c. The third semi-cylindrical reflecting grooves 142b may have a round reflecting surface (not shown) with respect to the upper light 120b. The flat reflective grooves 142c may have a flat reflective surface (not shown) with respect to the upper light 120b. The third semi-cylindrical reflecting grooves 142b can focus the upper light 120b on the substrate 102. [ For example, the third semi-cylindrical reflecting grooves 142b may correspond one-to-one with the third heat sources 120e. The third semi-cylindrical reflection grooves 142b may have a curvature of a center radius of about 41 mm. The third semi-cylindrical reflection grooves 142b may have an edge line width of about 41 mm. The flat reflective grooves 142c may reflect the top light 120b to the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. [ The flat reflective grooves 142c may be disposed between the third semi-cylindrical reflective grooves 142b. The flat reflective grooves 142c may be wider than the third semi-cylindrical reflective grooves 142b. The flat reflective grooves 142c may have an edge line width of about 75 mm to about 82 mm. Each of the flat reflective grooves 142c may correspond to the plurality of third heat sources 120e. For example, the two third heat sources 120e may be disposed under one flat reflective groove 142c. The number of the third heat sources 120e may be about 32. And the third semi-cylindrical reflecting grooves 142b may be about 10 to about 12. The flat reflective grooves 142c may be about 10 to about 11.

제 2 내부 반사 링(144)은 제 2 외부 반사 링(146) 내에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 2 내부 반사 링(144)을 둘러쌀 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 제 2 외부 반사 링(146)보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 제 2 내부 반사 링(144)은 약 100mm 내지 110mm 정도의 길이를 가질 수 있다.The second inner reflective ring 144 may be disposed within the second outer reflective ring 146. The second outer reflective ring 146 may surround the second inner reflective ring 144. The second inner reflective ring 144 may be shorter than the second outer reflective ring 146. For example, the second inner reflecting ring 144 may have a length on the order of about 100 mm to 110 mm.

제 2 외부 반사 링(146)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 2 내부 반사 링(144)보다 길 수 있다. 예를 들어, 제 2 외부 반사 링(146)은 약 225mm 정도의 길이를 가질 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)은 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이의 거리(d3)는 상부 커버 반사 링(142)의 제 3 폭(t3)보다 작을 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 3 소켓 홈들(146a)을 가질 수 있다. 제 3 소켓 홈들(146a)은 상부 커버 반사 링(142)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 제 3 소켓 홈들(146a)을 통해 상부 커버 반사 링(142) 아래에 제공될 수 있다.A second outer reflective ring 146 may be disposed below the upper cover reflective ring 142. The second outer reflecting ring 146 may be longer than the second inner reflecting ring 144. For example, the second outer reflective ring 146 may have a length of about 225 mm. The second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 may be spaced apart. For example, the distance d 3 between the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 may be less than the third width t 3 of the upper cover reflective ring 142. The second outer reflecting ring 146 may have third socket grooves 146a. The third socket grooves 146a may be disposed adjacent the upper cover reflective ring 142. [ The third heat sources 120e may be provided below the upper cover reflective ring 142 through the third socket grooves 146a.

다시 도 2, 도 4, 및 도 15를 참조하면, 제 2 외부 반사 링(146)은 제 1 외부 반사 링(139) 상에 정렬될 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 링(146)의 내경은 제 1 외부 반사 링(139)의 내경보다 작을 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 중간 반사 링(138) 상에 정렬될 수 있다.Referring again to Figures 2, 4, and 15, the second outer reflective ring 146 may be aligned on the first outer reflective ring 139. Alternatively, the inner diameter of the second outer reflecting ring 146 may be smaller than the inner diameter of the first outer reflecting ring 139. The second inner reflection ring 144 may be aligned on the intermediate reflection ring 138.

다시, 도 15를 참조하면, 상부 광(120b)은 기판(102)의 상부 면에 제공될 수 있다. 기판(102)은 상부 광(120b)에 의해 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판(102)은 약 500℃ 내지 800℃로 가열될 수 있다. 상부 광(120b)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 반사될 수 있다. 상부 광(120b)은 기판(102)에 입사될 수 있다. 이와 달리, 상부 광(120b)은 제 3 열원들(120e)로부터 기판(102)에 직접적으로 입사될 수 있다. 예를 들어, 상부 광(120b)은 상부 직사 광(126)과 상부 반사 광(127)을 포함할 수 있다. Referring again to Fig. 15, the upper light 120b may be provided on the upper surface of the substrate 102. Fig. The substrate 102 may be heated by the top light 120b. For example, the substrate 102 may be heated to about 500 ° C to 800 ° C. The top light 120b may be reflected between the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. And the upper light 120b may be incident on the substrate 102. [ Alternatively, the top light 120b may be directly incident on the substrate 102 from the third heat sources 120e. For example, the top light 120b may include an upper direct light 126 and an upper reflected light 127.

상부 직사 광(126)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)에 반사되지 않고 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 상부 직사 광(126)은 주로 기판(102)의 바깥으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 상부 직사 광(126)은 기판(102)의 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 입사될 수 있다. The upper direct light 126 is directed to the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 without being reflected by the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146, have. The upper direct ray 126 may be provided mainly to the outside of the substrate 102. [ Alternatively, the upper direct ray 126 may be incident on the central region 101 and the edge region 103 of the substrate 102.

상부 반사 광(127)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)에 반사되는 광일 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 부분의 상부 반사 광(127)을 중심 영역(101)에 반사할 수 있다. 이와 달리, 일부의 상부 반사 광(127)은 가장 자리 영역(103)에 제공될 수 있다.The upper reflected light 127 may be the light reflected on the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146. The second outer reflecting ring 146 can reflect the upper reflected light 127 of the portion to the central region 101. [ Alternatively, some upper reflected light 127 may be provided in the edge region 103.

제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 제 3 반사 각(θ3)은 약 10° 내지 20° 정도일 수 있다. 상부 반사 광(127)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 일부의 상부 반사 광(127)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수 있다.The second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 may reflect the upper reflected light 127 at a third reflective angle? 3 . For example, the third reflection angle [theta] 3 may be about 10 [deg.] To 20 [deg.]. The upper reflected light 127 may be provided mainly in the central region 101. [ Alternatively, the second outer reflecting ring 146 may reflect the upper reflected light 127 at about 0 ° to 90 °. Some upper reflected light 127 may be provided in the edge region 103.

도 16은 도 15의 상부 광(120b)의 방사 조도(irradiance)를 보여준다.FIG. 16 shows the irradiance of the top light 120b of FIG.

도 16을 참조하면, 상부 광(120b)은 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에 높은 방사 조도(irradiance)를 가질 수 있다. 중심 영역(101)은 상부 반사 광(127)에 의해 가장자리 영역(103) 영역보다 높은 온도로 가열되기 때문일 수 있다. 따라서, 박막(105)은 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에 높은 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 16, the upper light 120b may have a higher irradiance to the central region 101 than the edge region 103. The central region 101 may be heated to a higher temperature than the edge region 103 region by the upper reflected light 127. Therefore, the thin film 105 can be formed to have a higher thickness in the central region 101 than in the edge region 103.

도 17은 도 2의 상부 반사 제어 모듈(180)의 일 예를 보여준다. 도 18은 도 17의 VI-VI' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 17 shows an example of the upper reflection control module 180 of FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line VI-VI 'of FIG.

도 17 및 도 18을 참조하면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 배치될 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 대부분 제 4 반사 각(θ4)으로 반사할 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 2 반사 각(θ2)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 4 반사 각(θ4)은 약 20° 내지 약 30° 정도일 수 있다. 이와 달리, 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다.17 and 18, the upper reflection control module 180 may be disposed between the second inner reflection ring 144 and the second outer reflection ring 146. [ The upper reflectance control module 180 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103. According to one example, the upper reflection control module 180 may reflect the upper reflected light 127 to a fourth reflection angle? 4 . The fourth reflection angle? 4 may be the same as the second reflection angle? 2 . For example, the fourth reflection angle [theta] 4 may be about 20 [deg.] To about 30 [deg.]. Alternatively, the top reflection control module 180 may reflect the top reflected light 127 at about 0 ° to 90 °.

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. The configurations of the susceptor 118, the third heat sources 120e, the upper direct light 126, and the upper cover reflection ring 142 may be the same as those in Figs. 14 and 15. Fig.

상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이의 상부 추가 반사 링들(additional upper reflection rings)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 제 2 내부 반사 제어 링(184)을 포함할 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 내부 반사 제어 링(184)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)보다 위에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 대부분 제 4 반사 각(θ4)으로 반사할 수 있다.The upper reflector control module 180 may include additional upper reflection rings between the second inner reflector ring 144 and the second outer reflector ring 146. According to one example, the top reflective control module 180 may include a second outer reflective control ring 182 and a second inner reflective control ring 184. The second outer reflection control ring 182 may have a larger diameter than the second inner reflection control ring 184. The second inner reflection control ring 184 may be disposed above the second outer reflection control ring 182. [ The second outer reflection control ring 182 and the second inner reflection control ring 184 can reflect the upper reflected light 127 mostly at the fourth reflection angle? 4 .

제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 고정될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 아래 방향(downward)으로 제 2 외부 반사 링(146)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)보다 짧을 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 멀어질 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 내부 반사 링(144)에 가까울 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 위 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)의 제 3 경사 각(ф3)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 3 경사 각(ф3)에 의해 조절될 수 있다. 제 3 경사 각(ф3)은 제 4 반사 각(θ4)에 비례할 수 있다. 제 3 경사 각(ф3)이 증가하면, 제 4 반사 각(θ4)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 제공되는 상부 반사 광(127)은 증가될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 대부분의 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 따라서, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The second outer reflection control ring 182 may be disposed on the inner wall of the second outer reflection ring 146. According to one example, the second outer reflection control ring 182 may be fixed to the inner wall of the second outer reflection ring 146. The second external reflection control ring 182 may be disposed at the same height as the second external reflection ring 146 in a downward direction. The second outer reflection control ring 182 may be shorter than the second outer reflection ring 146. The second outer reflection control ring 182 may be distant from the inner wall of the second outer reflection ring 146 as it is away from the susceptor 118. The second outer reflection control ring 182 may be close to the second inner reflection ring 144. The second external reflection control ring 182 can be inclined upwardly concave. The third tilt angle (phi 3 ) of the second external reflection control ring 182 may be about 0.5 [deg.] To about 10 [deg.]. The fourth reflection angle [theta] 4 can be adjusted by the third tilt angle [phi] 3 . Third gyeongsa each (ф 3) may be proportional to the fourth reflected angle (θ 4). As the third tilt angle (? 3 ) increases, the fourth reflection angle? 4 can increase. The upper reflected light 127 provided to the edge region 103 can be increased. The second outer reflection control ring 182 may reflect most of the upper reflected light 127 to the edge region 103. Alternatively, the second outer reflection control ring 182 may reflect the upper reflected light 127 to the central region 101. Thus, the second external reflection control ring 182 can control the temperature according to the position of the substrate 102.

제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)의 외측 벽에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)의 외측 벽에 고정될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 아래 방향으로 제 2 내부 반사 링(144)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)보다 짧을 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 반대 방향으로 경사질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 2 내부 반사 링(144)의 내측 벽에 멀어질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 링(146)에 가까울 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 아래 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)의 제 4 경사 각(ф4)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 4 경사 각(ф4)에 의해 조절될 수 있다. 제 4 경사 각(ф4)은 제 4 반사 각(θ4)에 비례할 수 있다. 제 4 경사 각(ф4)이 증가하면, 제 4 반사 각(θ4)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 제공되는 상부 반사 광(127)은 증가될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 제어 링(182)에 반사할 수 있다. 따라서, 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The second inner reflection control ring 184 may be disposed on the outer wall of the second inner reflection ring 144. According to one example, the second inner reflection control ring 184 may be fixed to the outer wall of the second inner reflection ring 144. The second inner reflection control ring 184 may be disposed at the same height as the second inner reflection ring 144 in the downward direction. The second inner reflection control ring 184 may be shorter than the second inner reflection ring 144. The second inner reflection control ring 184 may be inclined in a direction opposite to the second outer reflection control ring 182. The second inner reflection control ring 184 may be distant from the inner wall of the second inner reflection ring 144 away from the susceptor 118. The second inner reflection control ring 184 may be close to the second outer reflection ring 146. The second inner reflection control ring 184 can be inclined downwardly concave. The second slope of the fourth internal reflection control ring 184 each (ф 4) may be on the order of about 0.5 ° to about 10 °. The fourth reflection angle [theta] 4 can be adjusted by the fourth tilt angle [phi] 4 . Fourth tilting angle (ф 4) it may be proportional to the fourth reflected angle (θ 4). Fourth tilting when each (ф 4) is increased, the fourth reflection angle (θ 4) may be increased. The upper reflected light 127 provided to the edge region 103 can be increased. The second inner reflection control ring 184 may reflect the upper reflected light 127 to the second outer reflection control ring 182. Accordingly, the second inner reflection control ring 184 can control the temperature according to the position of the substrate 102. [

도 19는 도 18의 상부 광(120b)의 방사 조도를 보여준다.Fig. 19 shows the illuminance of the top light 120b of Fig.

도 19를 참조하면, 상부 광(120b)의 방사 조도는 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에서 높을 수 있다. 가장자리 영역(103)은 중심 영역(101)보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에서 두꺼울 수 있다. 이와 달리, 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)의 방사 조도는 동일할 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)의 기판(102) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 19, the irradiance of the upper light 120b may be higher in the edge region 103 than in the central region 101. FIG. The edge region 103 can be heated to a temperature higher than the central region 101. [ The thin film 105 may be thicker in the edge region 103 than in the central region 101. Alternatively, the radiance of the central region 101 and the edge region 103 may be the same. The thin film 105 may be formed with a uniform thickness on the substrate 102 of the central region 101 and the edge region 103. [

도 20은 도 18의 상부 반사 제어 모듈(180)의 응용 예를 보여준다. 도 21는 도 20의 VII-VII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 20 shows an application example of the upper reflection control module 180 of FIG. 21 is a cross-sectional view taken on line VII-VII 'of FIG.

도 20 및 도 21을 참조하면, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 상부 반사 광(127)은 제 3 열원들(120e)로부터 제 2 내부 반사 링(144)에 제공될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 제어 링(182)에 반사할 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다.20 and 21, the second external reflection control ring 182 can reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 of the substrate 102. [ The upper reflected light 127 may be provided to the second inner reflecting ring 144 from the third heat sources 120e. The second inner reflection ring 144 may reflect the upper reflected light 127 to the second outer reflection control ring 182. The second external reflection control ring 182 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 at a third reflection angle 3 .

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. 도 14 및 도 15의 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제거될 수 있다.The configurations of the susceptor 118, the third heat sources 120e, the upper direct light 126, and the upper cover reflection ring 142 may be the same as those in Figs. 14 and 15. Fig. The second inner reflection control ring 184 of Figs. 14 and 15 can be removed.

도 22는 도 18의 상부 반사 제어 모듈(180)의 다른 응용 예를 보여준다. 도 23은 도 22의 VIII-VIII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.Fig. 22 shows another application example of the upper reflection control module 180 of Fig. FIG. 23 is a cross-sectional view taken on line VIII-VIII 'of FIG. 22; FIG.

도 22 및 도 23을 참조하면, 제 2 내부 반사 제어 링(184)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 상부 반사 광(127)은 상부 커버 반사 링(142) 아래의 제 3 열원들(120e)로부터 제 2 내부 반사 제어 링(184)에 제공될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 링(146)에 반사할 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 반사할 수 있다. 22 and 23, the second inner reflection control ring 184 and the second outer reflection ring 146 can reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 of the substrate 102 . The upper reflected light 127 may be provided to the second inner reflection control ring 184 from the third heat sources 120e below the upper cover reflection ring 142. [ The second inner reflection control ring 184 may reflect the upper reflected light 127 to the second outer reflection ring 146. The second outer reflecting ring 146 can reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103. The second inner reflection control ring 184 and the second outer reflection ring 146 may reflect the upper reflected light 127 at a third reflection angle? 3 .

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. 도 14 및 도 15의 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제거될 수 있다.The configurations of the susceptor 118, the third heat sources 120e, the upper direct light 126, and the upper cover reflection ring 142 may be the same as those in Figs. 14 and 15. Fig. The second external reflection control ring 182 of Figs. 14 and 15 can be removed.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the exemplary embodiments or constructions. It can be understood that It is therefore to be understood that the above-described embodiments and applications are illustrative in all aspects and not restrictive.

Claims (10)

챔버;
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 서셉터;
상기 챔버 외부에 배치된 반사 하우징;
상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및
상기 열원들과 상기 챔버 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함하는 박막 증착 설비.chamber;
A susceptor disposed in the chamber and containing a substrate;
A reflective housing disposed outside the chamber;
Heat sources disposed in the reflective housing; And
And a reflection control module disposed within the reflective housing between the heat sources and the chamber and reflecting the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to the edge of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 하우징은 상기 서셉터 아래에 배치된 제 1 외부 반사 링과, 상기 제 1 외부 반사 링 내에 배치된 제 1 내부 반사 링을 구비한 하부 반사 하우징을 포함하되,
상기 반사 제어 모듈은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 제 2 외부 반사 링 사이에 배치된 하부 반사 제어 모듈을 포함하는 박막 증착 설비.The method according to claim 1,
The reflective housing including a lower reflective housing having a first outer reflective ring disposed below the susceptor and a first inner reflective ring disposed within the first outer reflective ring,
Wherein the reflection control module includes a lower reflection control module disposed between the first inner reflection ring and the second outer reflection ring. 제 2 항에 있어서,
상기 하부 반사 제어 모듈은 상기 제 1 외부 반사 링의 내측 벽에 고정되고, 상기 제 1 외부 반사 링의 내측 벽에 대해 제 1 경사각을 갖는 제 1 외부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.3. The method of claim 2,
Wherein the lower reflection control module comprises a first external reflection control ring fixed to an inner wall of the first outer reflection ring and having a first tilt angle with respect to an inner wall of the first outer reflection ring. 제 2 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 제 1 외부 반사 박 사이에 배치된 중간 반사 링을 더 포함하되,
상기 하부 반사 제어 모듈은 상기 중간 반사 링의 외측 벽에 고정되고 상기 중간 반사 링의 외측 벽에 대해 제 2 경사각을 갖는 제 1 내부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.3. The method of claim 2,
Wherein the lower reflective housing further comprises a middle reflective ring disposed between the first inner reflective ring and the first outer reflective foil,
Wherein the lower reflection control module includes a first inner reflection control ring fixed to an outer wall of the intermediate reflection ring and having a second tilt angle with respect to an outer wall of the intermediate reflection ring. 제 4 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 중간 반사 링 사이의 상기 열원들 아래에 배치되는 내부 커버 반사 링을 더 포함하되,
상기 내부 커버 반사 링은 상기 열원들에 대응되는 제 1 반원통형 반사 홈들을 갖는 박막 증착 설비.5. The method of claim 4,
Wherein the lower reflective housing further comprises an inner cover reflective ring disposed below the heat sources between the first inner reflective ring and the middle reflective ring,
Wherein the inner cover reflective ring has first semi-cylindrical reflective grooves corresponding to the heat sources. 제 4 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 외부 반사 링과 상기 중간 반사 링 사이의 상기 열원들 아래에 배치되는 외부 커버 반사 링을 더 포함하되
상기 외부 커버 반사 링은 상기 열원들에 대응되는 제 2 반원통형 반사 홈들을 갖는 박막 증착 설비.5. The method of claim 4,
The lower reflector housing further comprises an outer cover reflector ring disposed below the heat sources between the first outer reflector ring and the middle reflector ring,
Wherein the outer cover reflection ring has second semi-cylindrical reflecting grooves corresponding to the heat sources. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 하우징은 상기 서셉터 상에 배치된 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 내부 반사 링 외부에 배치된 제 2 외부 반사 링을 구비한 상부 반사 하우징을 포함하되
상기 반사 제어 모듈은 상기 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 외부 반사 링 사이에 배치된 상부 반사 제어 모듈을 포함하는 박막 증착 설비.The method according to claim 1,
The reflective housing including a top reflective housing having a second inner reflective ring disposed on the susceptor and a second outer reflective ring disposed outside the second inner reflective ring,
Wherein the reflection control module comprises an upper reflection control module disposed between the second inner reflection ring and the second outer reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 제어 모듈은 상기 제 2 외부 반사 링의 내측 벽에 고정되고, 상기 제 2 외부 반사 링의 내측 벽에 대해 제 3 기울기를 갖는 제 2 외부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
Wherein the upper reflection control module comprises a second outer reflection control ring fixed to an inner wall of the second outer reflection ring and having a third slope with respect to an inner wall of the second outer reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 제어 모듈은 상기 제 2 내부 반사 링의 외측 벽에 고정되고, 상기 제 2 내부 반사 링의 외측 벽에 대해 제 4 경사각을 갖는 제 2 내부 반사 제어 링을 더 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
Wherein the upper reflection control module further comprises a second inner reflection control ring fixed to an outer wall of the second inner reflection ring and having a fourth tilt angle with respect to an outer wall of the second inner reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 하우징은 상기 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 외부 반사 링 사이의 상기 열원들 상에 배치되는 상부 커버 반사 링을 더 포함하되,
상기 상부 커버 반사 링은:
상기 열원들에 대응되는 제 3 반원통형 반사 홈들; 및
상기 제 3 반원통형 반사 홈들 사이에 배치되고, 상기 제 3 반원통형 반사 홈들보다 넓은 면적을 갖는 평탄 반사 홈들을 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
Wherein the upper reflective housing further comprises an upper cover reflective ring disposed on the heat sources between the second inner reflective ring and the second outer reflective ring,
Wherein the upper cover reflective ring comprises:
Third semi-cylindrical reflecting grooves corresponding to the heat sources; And
Cylindrical reflective grooves, and flat reflective grooves disposed between the third semi-cylindrical reflective grooves and having a larger area than the third semi-cylindrical reflective grooves.
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