KR102413349B1 - equipment for deposition thin film - Google Patents

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KR102413349B1 KR1020150095307A KR20150095307A KR102413349B1 KR 102413349 B1 KR102413349 B1 KR 102413349B1 KR 1020150095307 A KR1020150095307 A KR 1020150095307A KR 20150095307 A KR20150095307 A KR 20150095307A KR 102413349 B1 KR102413349 B1 KR 102413349B1
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Abstract

본 발명은 박막 제조 설비를 개시한다. 그의 설비는 챔버 내에 기판을 수납하는 서셉터와, 챔버 외부에 배치된 반사 하우징 및 반사 하우징 내에 배치된 열원들을 포함하는 가열 모듈과, 열원들 및 챔버 사이의 반사 하우징 내에 배치된 반사 제어 모듈을 포함한다. 반사 제어 모듈은 반사 하우징에 의해 기판의 중심으로 제공되는 열원들의 광을 기판의 가장자리로 반사하여 기판을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다.The present invention discloses a thin film manufacturing facility. The arrangement includes a susceptor for receiving a substrate within the chamber, a heating module comprising a reflective housing disposed outside the chamber and heat sources disposed within the reflective housing, and a reflection control module disposed within the reflective housing between the heat sources and the chamber do. The reflection control module may heat the substrate to a uniform temperature by reflecting light from heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to the edge of the substrate.

Figure R1020150095307
Figure R1020150095307

Description

박막 증착 설비{equipment for deposition thin film}Thin film deposition equipment {equipment for deposition thin film}

본 발명은 박막 증착 설비에 관한 것으로, 단결정 박막을 형성하는 박막 증착 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition facility, and to a thin film deposition facility for forming a single crystal thin film.

일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 확산 공정, 열처리 공정, 포토리소그래피 공정, 연마 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 박막 증착 공정은 기판 상에 박막을 형성하는 공정일 수 있다. 박막은 단결정, 다결정, 또는 아몰펄스로 형성될 수 있다. 단결정 박막은 다결정 및 아몰펄스 박막에 비해 낮은 결함 밀도를 가질 수 있다. 예를 들어, 단결정 박막은 고온의 기판 상에 형성될 수 있다. In general, a semiconductor device may be manufactured through a plurality of unit processes. The unit processes may include a thin film deposition process, a diffusion process, a heat treatment process, a photolithography process, a polishing process, an etching process, an ion implantation process, and a cleaning process. Among them, the thin film deposition process may be a process of forming a thin film on a substrate. The thin film may be formed of single crystal, polycrystalline, or amorphous pulses. The single crystal thin film may have a lower defect density compared to the polycrystalline and amorphous thin films. For example, the single crystal thin film may be formed on a high temperature substrate.

본 발명의 과제는 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a thin film deposition facility capable of forming a thin film having a uniform thickness.

또한, 본 발명의 다른 과제는 기판을 균일한 온도로 가열할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a thin film deposition facility capable of heating a substrate to a uniform temperature.

본 발명의 또 다른 과제는 기판의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있는 박막 증착 설비를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a thin film deposition facility capable of controlling the temperature according to the position of the substrate.

본 발명은 박막 증착 설비를 개시한다. 그의 설비는, 챔버; 상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 챔버 외부에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 챔버 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.The present invention discloses a thin film deposition facility. Its equipment includes: a chamber; a susceptor disposed in the chamber and accommodating a substrate; a reflective housing disposed outside the chamber; heat sources disposed within the reflective housing; and a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the chamber and configured to reflect the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to an edge of the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 아래에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 서셉터 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.A thin film deposition facility according to another embodiment of the present invention includes: a susceptor for accommodating a substrate; a reflective housing disposed below the susceptor; heat sources disposed within the reflective housing; and a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the susceptor, and configured to reflect the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to an edge of the substrate.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 상에 배치된 반사 하우징; 상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및 상기 열원들과 상기 서셉터 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함한다.A thin film deposition facility according to another embodiment of the present invention includes: a susceptor for accommodating a substrate; a reflective housing disposed on the susceptor; heat sources disposed within the reflective housing; and a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the susceptor, and configured to reflect the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to an edge of the substrate.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 기판을 수납하는 서셉터; 상기 서셉터 아래에 배치된 하부 반사 하우징; 상기 서셉터 상에 배치된 상부 반사 하우징; 상기 하부 반사 하우징 및 상기 상부 반사 하우징 내에 각각 배치된 하부 열원들과 상부 열원들; 및 상기 서셉터와 상기 하부 열원들 사이의 상기 하부 반사 하우징 내에 배치된 하부 반사 제어 모듈과, 상기 서셉터와 상기 상부 열원들 사이의 상기 상부 반사 하우징 내에 배치된 상부 반사 제어 모듈을 구비한 반사 제어 모듈을 포함한다.A thin film deposition facility according to another embodiment of the present invention includes: a susceptor for accommodating a substrate; a lower reflective housing disposed below the susceptor; an upper reflective housing disposed on the susceptor; lower and upper heat sources respectively disposed in the lower reflective housing and the upper reflective housing; and a lower reflection control module disposed in the lower reflective housing between the susceptor and the lower heat sources, and a top reflection control module disposed in the upper reflective housing between the susceptor and the upper heat sources. contains modules.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 증착 설비는, 챔버; 상기 챔버 아래에 배치되고, 상기 기판에 하부 광을 제공하는 하부 열원들; 상기 하부 열원들의 외부에 배치된 제 1 외부 반사 링과 상기 하부 열원들 내에 배치된 제 1 내부 반사 링을 구비하는 하부 반사 하우징; 상기 챔버 상에 배치되고, 상기 기판에 상부 광을 제공하는 상부 열원들; 및 상기 상부 열원들의 외부에 배치된 제 2 외부 반사 링과, 상기 상부 열원들 내에 배치된 제 2 내부 반사 링을 구비하는 상부 반사 하우징을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 외부 반사 링은 상기 제 1 외부 반사 링 상에 정렬될 수 있다. A thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes: a chamber; lower heat sources disposed below the chamber and providing lower light to the substrate; a lower reflective housing having a first external reflective ring disposed outside of the lower heat sources and a first internal reflective ring disposed within the lower heat sources; upper heat sources disposed on the chamber and providing upper light to the substrate; and a top reflective housing having a second external reflective ring disposed outside of the upper heat sources and a second internal reflective ring disposed within the upper heat sources. Here, the second external reflective ring may be aligned on the first external reflective ring.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착 설비는 가열 모듈의 반사 하우징에 의해 기판의 중심으로 집중되는 광을 기판의 가장자리에 반사하는 반사 제어 모듈을 포함할 수 있다. 반사 제어 모듈은 중심과 가장자리의 기판을 동일한 온도로 가열시킬 수 있다. 박막은 기판 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. As described above, the thin film deposition facility according to an embodiment of the present invention may include a reflection control module that reflects light focused on the center of the substrate by the reflective housing of the heating module to the edge of the substrate. The reflection control module can heat the center and edge of the substrate to the same temperature. The thin film may be formed with a uniform thickness on the substrate.

도 1은 본 발명의 기판 제조 장치의 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 박막 증착 설비의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 하부 반사 하우징의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 선상으로 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4의 하부 광의 일반화된 방사 조도의 프로파일을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 4의 기판 상의 박막을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 2의 하부 반사 제어 모듈의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 8의 하부 광의 일반화된 방사 조도 프로파일 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 7의 하부 반사 제어 모듈의 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 11은 도 10의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 7의 하부 반사 제어 모듈의 다른 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 13은 도 12의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 14는 도 2의 상부 반사 하우징의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 15는 도 14의 V-V' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 16은 도 15의 상부 광(120b)의 방사 조도(irradiance)를 보여주는 그래프이다.
도 17은 도 2의 상부 반사 제어 모듈의 일 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 18은 도 17의 VI-VI' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 19는 도 18의 상부 광의 방사 조도를 보여주는 그래프이다.
도 20은 도 18의 상부 반사 제어 모듈의 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 21는 도 20의 VII-VII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 22는 도 18의 상부 반사 제어 모듈)의 다른 응용 예를 보여주는 분해 사시도이다.
도 23은 도 22의 VIII-VIII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.1 is a view showing an embodiment of a substrate manufacturing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of the thin film deposition facility of FIG. 1 .
3 is an exploded perspective view illustrating an example of the lower reflective housing of FIG. 2 .
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 3 .
FIG. 5 is a graph showing the profile of the normalized irradiance of the lower light of FIG. 4 ;
6 is a perspective view illustrating a thin film on the substrate of FIG. 4 .
7 is an exploded perspective view illustrating an example of the lower reflection control module of FIG. 2 .
8 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 7 .
FIG. 9 is a graph showing the generalized irradiance profile of the lower light of FIG. 8 .
10 is an exploded perspective view illustrating an application example of the lower reflection control module of FIG. 7 .
11 is a cross-sectional view taken along line III-III′ of FIG. 10 .
12 is an exploded perspective view illustrating another application example of the lower reflection control module of FIG. 7 .
13 is a cross-sectional view taken along line IV-IV' of FIG. 12 .
14 is an exploded perspective view illustrating an example of the upper reflective housing of FIG. 2 .
15 is a cross-sectional view taken along the line VV' of FIG. 14 .
FIG. 16 is a graph showing the irradiance of the upper light 120b of FIG. 15 .
17 is an exploded perspective view illustrating an example of the upper reflection control module of FIG. 2 .
18 is a cross-sectional view taken along line VI-VI' of FIG. 17 .
19 is a graph showing the irradiance of the upper light of FIG. 18 .
20 is an exploded perspective view illustrating an application example of the upper reflection control module of FIG. 18 .
21 is a cross-sectional view taken along line VII-VII' of FIG. 20;
22 is an exploded perspective view showing another application example of the upper reflection control module of FIG. 18).
23 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII' of FIG. 22;

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein, and may be embodied in different forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content may be thorough and complete and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 박막, 하우징, 열원은 일반적인 반도체 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and/or “comprising” means that a stated component, step, operation and/or element excludes the presence or addition of one or more other components, steps, operation and/or element. I never do that. Also, in the specification, chamber, thin film, housing, and heat source may be understood in general semiconductor and device terms. Since it is according to a preferred embodiment, reference signs provided in the order of description are not necessarily limited to the order.

도 1은 본 발명의 기판 제조 장치(10)의 실시 예를 보여준다. 1 shows an embodiment of a substrate manufacturing apparatus 10 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 제조 장치(10)는 반도체 소자(semiconductor device) 및/또는 표시 소자(display device)의 제조 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 제조 장치(10)는 박막 증착 설비(20), 포토리소그래피 설비(30), 식각 설비(40), 및 에싱 설비(50)를 포함할 수 있다. 박막 증착 설비(20)는 박막 증착 공정을 수행할 수 있다. 박막 증착 공정은 진공 증착 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 진공 증착 방법은 단결정(epitaxial) 증착 방법을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 증착 설비(20)는 박막(도 6의 105)을 기판(도 2의 102) 상에 증착시킬 수 있다. 예를 들어, 박막(105)은 단결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 게르마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 포토리소그래피 설비(30)는 포토리소그래피 공정을 수행할 수 있다. 포토리소그래피 공정은 기판(102) 상에 포토 마스크 패턴을 형성하는 공정일 수 있다. 식각 설비(40)는 식각 공정을 수행할 수 있다. 에싱 설비(50)는 에싱 공정을 수행할 수 있다. 에싱 공정은 기판 상의 포토 마스크 패턴을 제거하는 공정일 수 있다. 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 및 에싱 공정은 단위 공정일 수 있다. 반도체 소자 및/또는 표시 소자는 다수의 단위 공정을 통해 제조될 수 있다. Referring to FIG. 1 , an apparatus for manufacturing a substrate 10 may include an apparatus for manufacturing a semiconductor device and/or a display device. According to an example, the substrate manufacturing apparatus 10 may include a thin film deposition facility 20 , a photolithography facility 30 , an etching facility 40 , and an ashing facility 50 . The thin film deposition facility 20 may perform a thin film deposition process. The thin film deposition process may be performed by a vacuum deposition method. For example, the vacuum deposition method may include an epitaxial deposition method. According to an example, the thin film deposition facility 20 may deposit a thin film ( 105 in FIG. 6 ) on a substrate ( 102 in FIG. 2 ). For example, the thin film 105 may include single crystal silicon or single crystal silicon germanium (SiGe). The photolithography facility 30 may perform a photolithography process. The photolithography process may be a process of forming a photomask pattern on the substrate 102 . The etching facility 40 may perform an etching process. The ashing facility 50 may perform an ashing process. The ashing process may be a process of removing the photomask pattern on the substrate. The thin film deposition process, the photolithography process, the etching process, and the ashing process may be unit processes. A semiconductor device and/or a display device may be manufactured through a plurality of unit processes.

도 2는 도 1의 박막 증착 설비(20)의 일 예를 보여준다.FIG. 2 shows an example of the thin film deposition facility 20 of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 박막 증착 설비(20)는 램프형 단결정(epitaxy) 증착 설비를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 증착 설비(20)는 챔버(110), 서셉터(118), 가열 모듈(160), 및 반사 제어 모듈(190)을 포함할 수 있다. 기판(102)은 챔버(110) 내에 배치될 수 있다. 서셉터(118)는 기판(102)을 수납할 수 있다. 반응 가스(104)는 기판(102) 상에 제공될 수 있다. 가열 모듈(160)은 기판(102)을 하부 광(120a)과 상부 광(120b)으로 가열할 수 있다. 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면으로 제공될 수 있다. 상부 광(120b)은 기판(102)의 상부 면으로 제공될 수 있다. 반사 제어 모듈(190)은 하부 광(120a)과 상부 광(120b)을 제어하여 기판(102)을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다.Referring to FIG. 2 , the thin film deposition facility 20 may include a lamp-type epitaxy deposition facility. According to an example, the thin film deposition facility 20 may include a chamber 110 , a susceptor 118 , a heating module 160 , and a reflection control module 190 . The substrate 102 may be disposed in the chamber 110 . The susceptor 118 may receive the substrate 102 . The reactant gas 104 may be provided on the substrate 102 . The heating module 160 may heat the substrate 102 with the lower light 120a and the upper light 120b. The lower light 120a may be provided to the lower surface of the substrate 102 . The upper light 120b may be provided to the upper surface of the substrate 102 . The reflection control module 190 may control the lower light 120a and the upper light 120b to heat the substrate 102 to a uniform temperature.

챔버(110)는 기판(102)의 박막 증착 공정을 진공 상태로 수행시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 챔버(110)는 하부 돔(112), 상부 돔(114), 및 에지 링(116)을 포함할 수 있다. 하부 돔(112)은 서셉터(118) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하부 돔(112)은 깔때기 모양을 가질 수 있다. 상부 돔(114)은 서셉터(118) 상의 기판(102)을 덮을 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 투명할 수 있다. 예를 들어, 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 퀄츠 또는 글래스를 포함할 수 있다. 에지 링(116)을 하부 돔(112)과 상부 돔(114)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114)은 에지 링(116)에 결합될 수 있다. 하부 돔(112)과 상부 돔(114) 중 적어도 하나는 서셉터(118) 상에 기판(102)의 반입(load) 시, 에지 링(116)으로부터 분리될 수 있다. 이와 달리, 에지 링(116)은 위 아래로 분리될 수도 있다. 에지 링(116)은 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113)를 가질 수 있다. 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113)는 에지 링(116)의 서로 마주보는 양측에 배치될 수 있다. 반응 가스(104)는 가스 주입구(111)를 통해 챔버(110) 내에 제공될 수 있다. 가스 배출 구(113)는 반응 가스(104)를 배기할 수 있다. 반응 가스(104)는 실란(SiH4), DCS(SiH2Cl2), 또는 저메인(GeH4),을 포함할 수 있다.The chamber 110 may perform a thin film deposition process of the substrate 102 in a vacuum state. According to one example, the chamber 110 may include a lower dome 112 , an upper dome 114 , and an edge ring 116 . The lower dome 112 may be disposed below the susceptor 118 . For example, the lower dome 112 may have a funnel shape. The upper dome 114 may cover the substrate 102 on the susceptor 118 . The lower dome 112 and the upper dome 114 may be transparent. For example, the lower dome 112 and the upper dome 114 may include quartz or glass. The edge ring 116 may surround the edges of the lower dome 112 and the upper dome 114 . The lower dome 112 and the upper dome 114 may be coupled to the edge ring 116 . At least one of the lower dome 112 and the upper dome 114 may be separated from the edge ring 116 when the substrate 102 is loaded onto the susceptor 118 . Alternatively, the edge ring 116 may be separated up and down. The edge ring 116 may have a gas inlet 111 and a gas outlet 113 . The gas inlet 111 and the gas outlet 113 may be disposed on opposite sides of the edge ring 116 . The reaction gas 104 may be provided into the chamber 110 through the gas inlet 111 . The gas outlet 113 may exhaust the reaction gas 104 . The reaction gas 104 may include silane (SiH 4 ), DCS (SiH 2 Cl 2 ), or germane (GeH 4 ).

서셉터(118)는 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113) 사이에 배치될 수 있다. 반응 가스(104)는 가스 주입구(111)와 가스 배출구(113) 사이로 유동될 수 있다. 예를 들어, 반응 가스(104)는 기판(102) 상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 반응 가스(104)는 기판(102)의 상부에서 하부로 유동될 수도 있다. 서셉터(118)는 투명할 수 있다. 예를 들어, 서셉터(118)는 퀄츠 또는 글래스를 포함할 수 있다. 서셉터(118)는 지지대(115)에 의해 지지될 수 있다. The susceptor 118 may be disposed between the gas inlet 111 and the gas outlet 113 . The reaction gas 104 may flow between the gas inlet 111 and the gas outlet 113 . For example, the reactant gas 104 may be provided onto the substrate 102 . Alternatively, the reactant gas 104 may flow from the top to the bottom of the substrate 102 . The susceptor 118 may be transparent. For example, the susceptor 118 may include quartz or glass. The susceptor 118 may be supported by a support 115 .

지지대(115)는 서셉터(118)와 하부 돔(112) 사이에 배치될 수 있다. 지지대(115)는 하부 돔(112)의 중심에 배치될 수 있다. 기판(102)은 리프터(117)에 의해 서셉터(118) 상에서 승강(elevated)될 수 있다. The support 115 may be disposed between the susceptor 118 and the lower dome 112 . The support 115 may be disposed at the center of the lower dome 112 . The substrate 102 may be elevated on the susceptor 118 by a lifter 117 .

리프터(117)는 리프팅 샤프트(117a)와 리프팅 핀들(117b)을 포함할 수 있다. 리프팅 샤프트(117a)는 지지대(115)와 하부 돔(112) 사이에 배치될 수 있다. 리프팅 샤프트(117a)는 리프팅 핀들(117b)을 승강시킬 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 리프팅 샤프트(117a) 상에 배치될 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 서셉터(118)를 관통할 수 있다. 리프팅 핀들(117b)은 기판(102)을 승강시킬 수 있다. 기판(102)은 리프팅 핀들(117b)에 의해 서셉터(118)로부터 분리될 수 있다. 기판(102)은 로봇 암(미도시)에 의해 챔버(110) 외부로 반송(unloaded)될 수 있다.The lifter 117 may include a lifting shaft 117a and lifting pins 117b. The lifting shaft 117a may be disposed between the support 115 and the lower dome 112 . The lifting shaft 117a may elevate the lifting pins 117b. The lifting pins 117b may be disposed on the lifting shaft 117a. The lifting pins 117b may pass through the susceptor 118 . The lifting pins 117b may lift the substrate 102 . The substrate 102 may be separated from the susceptor 118 by lifting pins 117b. The substrate 102 may be unloaded from the chamber 110 by a robot arm (not shown).

가열 모듈(160)은 하부 돔(112) 아래와 상부 돔(114) 위에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 가열 모듈(160)은 열원들(120) 및 반사 하우징(150)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열원들(120)은 필라멘트 램프들을 포함할 수 있다. 열원들(120)은 하부 광(120a) 및 상부 광(120b)을 발생시킬 수 있다. 반사 하우징(150)은 하부 광(120a) 및 상부 광(120b)을 기판(102)에 반사할 수 있다. The heating module 160 may be disposed below the lower dome 112 and above the upper dome 114 . According to an example, the heating module 160 may include heat sources 120 and a reflective housing 150 . For example, the heat sources 120 may include filament lamps. The heat sources 120 may generate the lower light 120a and the upper light 120b. The reflective housing 150 may reflect the lower light 120a and the upper light 120b to the substrate 102 .

일 예에 따르면, 열원들(120)은 제 1 내지 제 3 열원들(120c-120e)을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 기판(102) 아래의 반사 하우징(150) 내에 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 기판(102) 상의 반사 하우징(150) 내에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 하부 광(120a)을 생성할 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 광(120b)을 생성할 수 있다. According to an example, the heat sources 120 may include first to third heat sources 120c - 120e. The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed in the reflective housing 150 under the substrate 102 . The third heat sources 120e may be disposed in the reflective housing 150 on the substrate 102 . The first and second heat sources 120c and 120d may generate the lower light 120a. The third heat sources 120e may generate the upper light 120b.

반사 하우징(150)은 열원들(120)을 기판(102) 방향으로(toward) 덮(covering)을 수 있다. 반사 하우징(150)은 하부 광(120a)과 상부 광(120b)을 기판(102)에 집중시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 반사 하우징(150)은 하부 반사 하우징(130)과 상부 반사 하우징(140)을 포함할 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 돔(112) 아래에 정렬될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114) 상에 정렬될 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 돔(112) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 하부 돔(112)과 하부 반사 하우징(130) 사이에 배치될 수 있다. 하부 반사 하우징(130)은 하부 광(120a)을 기판(102)의 하부 면으로 반사할 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114) 상에 배치될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 돔(114)과 상부 반사 하우징(140) 사이에 제공될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 광(120b)을 기판(102)의 상부 면으로 반사할 수 있다. The reflective housing 150 may cover the heat sources 120 toward the substrate 102 . The reflective housing 150 may focus the lower light 120a and the upper light 120b on the substrate 102 . According to an example, the reflective housing 150 may include a lower reflective housing 130 and an upper reflective housing 140 . The lower reflective housing 130 may be aligned below the lower dome 112 . The upper reflective housing 140 may be aligned on the upper dome 114 . The lower reflective housing 130 may be disposed below the lower dome 112 . The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed between the lower dome 112 and the lower reflective housing 130 . The lower reflective housing 130 may reflect the lower light 120a to the lower surface of the substrate 102 . The upper reflective housing 140 may be disposed on the upper dome 114 . The upper reflective housing 140 may be provided between the upper dome 114 and the upper reflective housing 140 . The upper reflective housing 140 may reflect the upper light 120b to the upper surface of the substrate 102 .

반사 제어 모듈(190)은 하부 반사 하우징(130)과 상부 반사 하우징(140) 내에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 반사 제어 모듈(190)은 하부 반사 제어 모듈(170) 및 상부 반사 제어 모듈(180)을 포함할 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)과, 하부 돔(112) 사이의 하부 반사 하우징(130) 내에 배치될 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 하부 광(120a)의 반사 각을 제어할 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 3 열원들(120e)과, 상부 돔(114) 사이의 상부 반사 하우징(140) 내에 배치될 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 광(120b)의 반사 각을 제어할 수 있다.The reflection control module 190 may be disposed in the lower reflective housing 130 and the upper reflective housing 140 . According to an example, the reflection control module 190 may include a lower reflection control module 170 and an upper reflection control module 180 . The lower reflection control module 170 may be disposed in the lower reflection housing 130 between the first and second heat sources 120c and 120d and the lower dome 112 . The lower reflection control module 170 may control the reflection angle of the lower light 120a. The upper reflection control module 180 may be disposed in the upper reflection housing 140 between the third heat sources 120e and the upper dome 114 . The upper reflection control module 180 may control the reflection angle of the upper light 120b.

도 3은 도 2의 하부 반사 하우징(130)의 일 예를 보여준다. 도 4는 도 3의 I-I' 선상으로 절취하여 나타낸 단면도이다.3 shows an example of the lower reflective housing 130 of FIG. 2 . 4 is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 3 .

도 3 및 도 4를 참조하면, 하부 반사 하우징(130)은 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간(middle) 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d)은 내부 커버 반사 링(132) 및 외부 커버 반사 링(136) 상에 각각 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132) 및 외부 커버 반사 링(136)은 하부 광(120a)을 기판(102)의 하부 면으로 반사할 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)은 하부 광(120a)을 서로 간에 반사시킬 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)은 하부 광(120a)을 서로간에 반사시킬 수 있다. 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면으로 반사될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 링(134), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)는 원통 모양의 반사 튜브들을 포함할 수 있다. 3 and 4 , the lower reflective housing 130 includes an inner cover reflective ring 132 , a first internal reflective ring 134 , an outer cover reflective ring 136 , and a middle reflective ring 138 . , and a first external reflective ring 139 . The first and second heat sources 120c and 120d may be disposed on the inner cover reflective ring 132 and the outer cover reflective ring 136 , respectively. The inner cover reflective ring 132 and the outer cover reflective ring 136 may reflect the lower light 120a to the lower surface of the substrate 102 . The first heat sources 120c may be disposed between the first internal reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 . The first internal reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 may reflect the lower light 120a to each other. The second heat sources 120d may be disposed between the intermediate reflective ring 138 and the first external reflective ring 139 . The intermediate reflective ring 138 and the first external reflective ring 139 may reflect the lower light 120a to each other. The lower light 120a may be reflected to the lower surface of the substrate 102 . For example, the first internal reflective ring 134 , the intermediate reflective ring 138 , and the first external reflective ring 139 may include cylindrical reflective tubes.

내부 커버 반사 링(132)은 제 1 내부 반사 링(134) 바깥에 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 중간 반사 링(138) 아래에 배치될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 결합(coupled)될 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)의 내경과 제 1 내부 반사 링(134)의 외경은 동일할 수 있다. 예를 들어, 내부 커버 반사 링(132)의 내경은 약 246mm 내지 286mm 정도일 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)과 중간 반사 링(138)은 동일한 외경을 가질 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)의 외경은 약 304mm 정도일 수 있다. 내부 커버 반사 링(132)은 제 1 반원통형(semi-cylindrical) 반사 홈들(131)을 가질 수 있다. 예를 들어, 내부 커버 반사 링(132)은 약 12개의 제 1 반원통형 반사 홈들(131)을 가질 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 반원통형 반사 홈들(131) 상에 일대일로 배치될 수 있다. 제 1 반원통형 반사 홈들(131)은 제 1 열원들(120c)로부터의 하부 광(120a)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 제 1 반원통형 반사 홈들(131)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다.The inner cover reflective ring 132 may be disposed outside the first inner reflective ring 134 . An inner cover reflective ring 132 may be disposed below the intermediate reflective ring 138 . The inner cover reflective ring 132 may be coupled to the inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 . The inner diameter of the inner cover reflective ring 132 and the outer diameter of the first inner reflective ring 134 may be the same. For example, the inner diameter of the inner cover reflective ring 132 may be on the order of about 246 mm to 286 mm. The inner cover reflective ring 132 and the intermediate reflective ring 138 may have the same outer diameter. The outer diameter of the inner cover reflective ring 132 may be on the order of about 304 mm. The inner cover reflective ring 132 may have first semi-cylindrical reflective grooves 131 . For example, the inner cover reflective ring 132 may have about 12 first semi-cylindrical reflective grooves 131 . The first heat sources 120c may be disposed one-to-one on the first semi-cylindrical reflective grooves 131 . The first semi-cylindrical reflective grooves 131 may reflect the lower light 120a from the first heat sources 120c to the substrate 102 . The first semi-cylindrical reflective grooves 131 may have a curvature with a central radius of about 41 mm.

제 1 내부 반사 링(134)은 내부 커버 반사 링(132) 내에 배치될 수 있다. 하부 돔(112)은 제 1 내부 반사 링(134) 내부로 연장할 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 중간 반사 링(138) 및 외부 반사 링(139) 내에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 외부 반사 링(139)보다 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 링(134)은 약 150mm 내지 약 200mm 정도의 길이를 가질 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)은 중간 반사 링(138)과 이격하여 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 링(134)과 중간 반사 링(138) 사이의 제 1 거리(d1)는 내부 커버 반사 링(132)의 제 1 폭(t1)보다 작을 수 있다. 하부 광(120a)은 제 1 내부 반사 링(134)과 중간 반사 링(138) 사이에서 반사될 수 있다.The first inner reflective ring 134 may be disposed within the inner cover reflective ring 132 . The lower dome 112 may extend into the first internally reflective ring 134 . A first internal reflective ring 134 may be disposed within the intermediate reflective ring 138 and the external reflective ring 139 . The first internal reflective ring 134 may be disposed below the external reflective ring 139 . For example, the first internal reflective ring 134 may have a length of about 150 mm to about 200 mm. The first internal reflective ring 134 may be disposed to be spaced apart from the intermediate reflective ring 138 . The first distance d 1 between the first inner reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 may be less than the first width t 1 of the inner cover reflective ring 132 . The lower light 120a may be reflected between the first internal reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 .

외부 커버 반사 링(136)은 내부 커버 반사 링(132) 상에 배치될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 내부 커버 반사 링(132)의 외경과 동일할 수 있다. 이와 달리, 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 내부 커버 반사 링(132)의 외경보다 클 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 측벽에 결합될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 둘레에 배치될 수 있다. 예를 들어, 외부 커버 반사 링(136)은 중간 반사 링(138)의 중간 높이에 배치될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 중간 반사 링(138)의 외경과 동일할 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 외경과, 제 1 외부 반사 링(139)의 외경은 동일할 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)의 내경은 약 304mm 정도이고, 외경은 약 424mm 내지 약 460mm 정도일 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 제 1 외부 반사 링(139)의 아래에 결합될 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 제 2 반원통형 반사 홈들(135)을 가질 수 있다. 외부 커버 반사 링(136)은 약 32개의 제 2 반원통형 반사 홈들(135)을 가질 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 제 2 반원통형 반사 홈들(135) 상에 일대일로 배치될 수 있다. 제 2 반원통형 반사 홈들(135)은 제 2 열원들(120d)로부터의 하부 광(120a)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 제 2 반원통형 반사 홈들(135)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다.The outer cover reflective ring 136 may be disposed on the inner cover reflective ring 132 . The inner diameter of the outer cover reflective ring 136 may be the same as the outer diameter of the inner cover reflective ring 132 . Alternatively, the inner diameter of the outer cover reflective ring 136 may be greater than the outer diameter of the inner cover reflective ring 132 . An outer cover reflective ring 136 may be coupled to a sidewall of the intermediate reflective ring 138 . An outer cover reflective ring 136 may be disposed around the intermediate reflective ring 138 . For example, the outer cover reflective ring 136 may be disposed at an intermediate height of the intermediate reflective ring 138 . The inner diameter of the outer cover reflective ring 136 may be the same as the outer diameter of the intermediate reflective ring 138 . The outer diameter of the outer cover reflective ring 136 and the outer diameter of the first outer reflective ring 139 may be the same. The inner diameter of the outer cover reflective ring 136 may be on the order of about 304 mm, and the outer diameter may be on the order of about 424 mm to about 460 mm. The outer cover reflective ring 136 may be coupled below the first outer reflective ring 139 . The outer cover reflective ring 136 may have second semi-cylindrical reflective grooves 135 . The outer cover reflective ring 136 may have about 32 second semi-cylindrical reflective grooves 135 . The second heat sources 120d may be disposed on the second semi-cylindrical reflective grooves 135 on a one-to-one basis. The second semi-cylindrical reflective grooves 135 may reflect the lower light 120a from the second heat sources 120d to the substrate 102 . The second semi-cylindrical reflective grooves 135 may have a curvature with a central radius of about 41 mm.

중간 반사 링(138)은 외부 커버 반사 링(136) 내에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 내부 커버 반사 링(132) 상에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 내부 반사 링(134)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 내부 반사 링(134)보다 길 수 있다. 중간 반사 링(138)은 약 250mm 내지 약 300mm의 길이를 가질 수 있다. 중간 반사 링(138)은 제 1 소켓 홈들(138a)을 가질 수 있다. 제 1 소켓 홈들(138a)은 내부 커버 반사 링(132)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 1 열원들(120c)은 제 1 소켓 홈들(138a)을 통해 내부 커버 반사 링(132) 상에 제공될 수 있다. 제 1 열원들(120c)의 길이는 제 1 폭(t1)와 동일할 수 있다. 이와 달리, 제 1 열원들(120c)의 길이는 제 1 거리(d1)와 동일할 수 있다.The intermediate reflective ring 138 may be disposed within the outer cover reflective ring 136 . An intermediate reflective ring 138 may be disposed on the inner cover reflective ring 132 . The intermediate reflective ring 138 may be disposed between the first internal reflective ring 134 and the first external reflective ring 139 . The intermediate reflective ring 138 may be longer than the first internal reflective ring 134 . The intermediate reflective ring 138 may have a length of about 250 mm to about 300 mm. The intermediate reflective ring 138 may have first socket grooves 138a. The first socket grooves 138a may be disposed adjacent to the inner cover reflective ring 132 . The first heat sources 120c may be provided on the inner cover reflective ring 132 through the first socket grooves 138a. The length of the first heat sources 120c may be the same as the first width t 1 . Alternatively, the length of the first heat sources 120c may be equal to the first distance d 1 .

제 1 외부 반사 링(139)은 외부 커버 반사 링(136) 상에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 중간 반사 링(138)보다 높게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 링(139)은 약 175mm의 길이를 가질 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 중간 반사 링(138)과 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 링(139) 및 중간 반사 링(138) 사이의 제 2 거리(d2)는 외부 커버 반사 링(136)의 제 2 폭(t2)보다 작을 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 제 2 소켓 홈들(139a)을 가질 수 있다. 제 2 소켓 홈들(139a)은 외부 커버 반사 링(136)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 2 열원들(120d)은 제 2 소켓 홈들(139a)을 통해 외부 커버 반사 링(136) 상에 제공될 수 있다. The first outer reflective ring 139 may be disposed on the outer cover reflective ring 136 . The first external reflective ring 139 may be disposed higher than the intermediate reflective ring 138 . For example, the first external reflective ring 139 may have a length of about 175 mm. The first external reflective ring 139 may be disposed to be spaced apart from the intermediate reflective ring 138 . For example, the second distance d 2 between the first outer reflective ring 139 and the intermediate reflective ring 138 may be less than the second width t 2 of the outer cover reflective ring 136 . The first external reflective ring 139 may have second socket grooves 139a. The second socket grooves 139a may be disposed adjacent to the outer cover reflective ring 136 . The second heat sources 120d may be provided on the outer cover reflective ring 136 through the second socket grooves 139a.

다시 도 4를 참조하면, 하부 광(120a)은 기판(102)의 하부 면에 제공될 수 있다. 기판(102)은 하부 광(120a)에 의해 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판(102)은 약 500℃ 내지 800℃로 가열될 수 있다. 기판(102)는 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)을 포함할 수 있다. 중심 영역(101)은 가장자리 영역(103) 내에 배치될 수 있다. 가장자리 영역(103)읜 중심 영역(101)을 둘러쌀 수 있다.Referring back to FIG. 4 , the lower light 120a may be provided on the lower surface of the substrate 102 . The substrate 102 may be heated by the bottom light 120a. For example, the substrate 102 may be heated to between about 500°C and 800°C. The substrate 102 may include a central region 101 and an edge region 103 . The central region 101 may be disposed within the edge region 103 . The edge region 103 may surround the central region 101 .

하부 광(120a)은 제 1 열원들(120c)로부터 기판(102)에 직접적으로 입사(incident)될 수 있다. 이와 달리, 하부 광(120a)은 제 1 내부 반사 링(134), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)에 반사된 후 기판(102)으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 하부 광(120a)은 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 및 외부 반사 광(125)을 포함할 수 있다. 내부 직사 광(122) 및 내부 반사 광(123)은 제 1 열원들(120c)로부터 제공될 수 있다. 내부 직사 광(122)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 반사되지 않고, 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 내부 직사 광(122)은 가장 자리 영역(103)에 입사될 수 있다. 내부 반사 광(123)은 제 1 내부 반사 링(134) 및 중간 반사 링(138)에 반사되는 광일 수 있다. 내부 반사 광(123)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 일부의 내부 반사 광(123)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수도 있다. 외부 직사 광(124) 및 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 제공될 수 있다. 외부 직사 광(124)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)에 반사되지 않고, 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 외부 직사 광(124)은 기판(102)의 주로 바깥에 제공될 수 있다. 이와 달리, 외부 직사 광(124)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 입사될 수 있다. 외부 반사 광(125)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)에 반사될 수 있다. The lower light 120a may be directly incident on the substrate 102 from the first heat sources 120c. Alternatively, the lower light 120a may be provided to the substrate 102 after being reflected by the first internal reflective ring 134 , the intermediate reflective ring 138 , and the first external reflective ring 139 . For example, the lower light 120a may include an internally irradiated light 122 , an internally reflected light 123 , an externally irradiated light 124 , and an externally reflected light 125 . The internal direct light 122 and the internally reflected light 123 may be provided from the first heat sources 120c. The internal direct light 122 may be light that is not reflected by the first internal reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 and travels straight between the first internal reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 . The direct internal light 122 may be incident on the edge region 103 . The internally reflected light 123 may be light reflected by the first internally reflective ring 134 and the intermediate reflective ring 138 . The internally reflected light 123 may be mainly provided to the central region 101 . Alternatively, some of the internally reflected light 123 may be provided to the edge region 103 . The external direct light 124 and the externally reflected light 125 may be provided from the second heat sources 120d. The external direct light 124 may be light that is not reflected by the intermediate reflective ring 138 and the first external reflective ring 139 and travels straight between the intermediate reflective ring 138 and the first external reflective ring 139 . External direct light 124 may be provided primarily outside of substrate 102 . Alternatively, the external direct light 124 may be incident on the central region 101 and the edge region 103 . The externally reflected light 125 may be reflected by the intermediate reflective ring 138 and the first external reflective ring 139 .

중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 제 1 반사 각(θ1)으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 제 1 반사 각(θ1)은 약 10° 내지 20° 정도일 수 있다. 외부 반사 광(125)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 일부의 외부 반사 광(125)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수 있다. The intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139 may reflect the external reflection light 125 at a first reflection angle θ 1 . For example, the first reflection angle θ 1 may be about 10° to 20°. The externally reflected light 125 may be mainly provided to the central region 101 . Alternatively, the first external reflection ring 139 may reflect the external reflection light 125 at about 0° to 90°. A portion of the externally reflected light 125 may be provided to the edge region 103 .

도 5는 도 4의 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도의 프로파일을 보여준다.5 shows a profile of the normalized irradiance of the bottom light 120a of FIG. 4 .

도 4 및 도 5를 참조하면, 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도는 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에서 높을 수 있다. 중심 영역(101)은 내부 반사 광(123)과 외부 반사 광(125)에 의해 가열될 수 있다. 가장자리 영역(103)은 내부 직사 광(122)에 의해 가열될 수 있다. 중심 영역(101)은 가장자리 영역(103)보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 4 and 5 , the normalized irradiance of the lower light 120a may be higher in the center region 101 than in the edge region 103 . The central region 101 may be heated by the internally reflected light 123 and the externally reflected light 125 . The edge region 103 may be heated by the direct internal light 122 . The central region 101 may be heated to a higher temperature than the edge region 103 .

도 6은 도 4의 기판(102) 상의 박막(105)을 보여준다.6 shows a thin film 105 on the substrate 102 of FIG. 4 .

도 6을 참조하면, 박막(105)은 기판(102) 상에 형성될 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 온도에 비례하는 두께를 가질 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에 얇게 형성될 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 온도에 비례하는 두께를 가질 수 있다. 가장자리 영역(103)이 중심 영역(101)보다 낮은 온도로 가열되기 때문일 수 있다. 박막(105)은 기판(102)의 상부 면의 전체에 형성될 수 있다. 이와 달리, 박막(105)은 기판(102)의 상부 면의 일부에 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 6 , the thin film 105 may be formed on the substrate 102 . The thin film 105 may have a thickness proportional to the temperature of the substrate 102 . The thin film 105 may be formed thinner in the edge region 103 than in the central region 101 . The thin film 105 may have a thickness proportional to the temperature of the substrate 102 . This may be because the edge region 103 is heated to a lower temperature than the center region 101 . The thin film 105 may be formed over the entire upper surface of the substrate 102 . Alternatively, the thin film 105 may be formed on a portion of the upper surface of the substrate 102 .

도 7은 도 2의 하부 반사 제어 모듈(170)의 일 예를 보여준다. 도 8은 도 7의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.FIG. 7 shows an example of the lower reflection control module 170 of FIG. 2 . 8 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 7 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하부 반사 제어 모듈(170)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 대부분의 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다. 제 2 반사 각(θ2)은 제 1 반사 각(θ1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제 2 반사 각(θ2)은 약 20° 내지 약 30° 정도일 수 있다. 이와 달리, 하부 반사 제어 모듈(170)은 외부 반사 광(125)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 하부 반사 제어 모듈(170)은 일부의 외부 반사 광(125)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 7 and 8 , the lower reflection control module 170 may be disposed between the intermediate reflection ring 138 and the first external reflection ring 139 . For example, the lower reflection control module 170 may reflect the externally reflected light 125 to the edge region 103 . According to an example, the lower reflection control module 170 may reflect most of the externally reflected light 125 at the second reflection angle θ 2 . The second reflection angle θ 2 may be greater than the first reflection angle θ 1 . For example, the second reflection angle θ 2 may be about 20° to about 30°. Alternatively, the lower reflection control module 170 may reflect the externally reflected light 125 at about 0° to 90°. The lower reflection control module 170 may reflect a portion of the externally reflected light 125 to the central region 101 .

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 3 및 도 4와 동일할 수 있다.Susceptor 118 , first and second heat sources 120c , 120d , internal direct light 122 , internally reflected light 123 , external direct light 124 , inner cover reflective ring 132 , first Configurations of the internal reflective ring 134 , the outer cover reflective ring 136 , the intermediate reflective ring 138 , and the first external reflective ring 139 may be the same as those of FIGS. 3 and 4 .

하부 반사 제어 모듈(170)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 링(139) 사이의 하부 추가 반사 링들(additional lower reflection rings)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 하부 반사 제어 모듈(170)은 제 1 외부 반사 제어 링(172)과 제 1 내부 반사 제어 링(174)을 포함할 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 내부 반사 제어 링(174)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제 1 외부 반사 제어 링(172) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)과 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.The lower reflection control module 170 may include additional lower reflection rings between the intermediate reflection ring 138 and the first outer reflection ring 139 . According to an example, the lower reflection control module 170 may include a first external reflection control ring 172 and a first internal reflection control ring 174 . The first external reflection control ring 172 may have a larger diameter than the first internal reflection control ring 174 . A first internal reflection control ring 174 may be disposed below the first external reflection control ring 172 . The first external reflection control ring 172 and the first internal reflection control ring 174 may reflect the externally reflected light 125 at a second reflection angle θ 2 .

제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽(inside wall)에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽에 고정될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 위 방향(upward)으로 제 1 외부 반사 링(139)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제 1 외부 반사 링(139)보다 짧을 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 1 외부 반사 링(139)의 내측 벽으로부터 멀어질 수 있다. 외부 반사 제어 링(172)은 중간 반사 링(138)로 가까워질 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 아래 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 반사 제어 링(172)의 제 1 경사 각(ф1)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 2 반사 각(θ2)은 제 1 경사 각(ф1)에 의해 조절될 수 있다. 제 1 경사 각(ф1)과 제 2 반사 각(θ2)은 비례할 수 있다. 제 1 경사 각(ф1)이 증가되면, 제 2 반사 각(θ2)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 반사되는 외부 반사 광(125)은 증가될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 대부분의 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 이와 달리, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 따라서, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The first external reflection control ring 172 may be disposed on an inside wall of the first external reflection ring 139 . According to one example, the first external reflection control ring 172 may be secured to an inner wall of the first external reflection ring 139 . The first external reflection control ring 172 may be disposed at the same height as the first external reflection ring 139 in an upward direction. The first external reflection control ring 172 may be shorter than the first external reflection ring 139 . The first external reflection control ring 172 may move away from the inner wall of the first external reflection ring 139 as it moves away from the susceptor 118 . The outer reflection control ring 172 may be proximal to the intermediate reflection ring 138 . The first external reflection control ring 172 may be concavely inclined downward. For example, the first inclination angle ф 1 of the first external reflection control ring 172 may be about 0.5° to about 10°. The second reflection angle θ 2 may be adjusted by the first inclination angle ф 1 . The first inclination angle ф 1 and the second reflection angle θ 2 may be proportional to each other. When the first inclination angle ф 1 increases, the second reflection angle θ 2 may increase. The externally reflected light 125 reflected to the edge region 103 may be increased. The first external reflection control ring 172 may reflect most of the externally reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102 . Alternatively, the first external reflection control ring 172 may reflect the externally reflected light 125 to the central region 101 . Accordingly, the first external reflection control ring 172 may control the temperature according to the position of the substrate 102 .

제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)의 외측 벽(outside wall)에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)의 외측 벽에 고정될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 위 방향(upward)으로 중간 반사 링(138)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 중간 반사 링(138)보다 짧을 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174) 제 1 외부 반사 제어 링(172)와 반대 방향으로 경사질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 서셉터(118)로 멀어질수록 중간 반사 링(138)에서 멀어질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제 1 외부 반사 링(139)에 가까워질 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 위 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 반사 제어 링(174)의 제 2 경사 각(ф2)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 2 경사 각(ф2)은 제 2 반사 각(θ2)에 비례할 수 있다. 제 2 경사 각(ф2)이 증가되면, 제 2 반사 각(θ2)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 반사되는 외부 반사 광(125)은 증가될 수 있다. 따라서, 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.A first internal reflection control ring 174 may be disposed on an outside wall of the intermediate reflection ring 138 . According to one example, the first internal reflection control ring 174 may be secured to an outer wall of the intermediate reflection ring 138 . The first internal reflection control ring 174 may be disposed at the same height as the intermediate reflection ring 138 in an upward direction. The first internal reflection control ring 174 may be shorter than the intermediate reflection ring 138 . The first internal reflection control ring 174 may be inclined in a direction opposite to that of the first external reflection control ring 172 . The first internal reflection control ring 174 may move away from the intermediate reflection ring 138 as it moves away from the susceptor 118 . The first internal reflection control ring 174 can be proximal to the first external reflection ring 139 . The first internal reflection control ring 174 may be inclined concavely in an upward direction. For example, the second inclination angle ф 2 of the first internal reflection control ring 174 may be on the order of about 0.5° to about 10°. The second inclination angle ф 2 may be proportional to the second reflection angle θ 2 . When the second inclination angle ф 2 increases, the second reflection angle θ 2 may increase. The externally reflected light 125 reflected to the edge region 103 may be increased. Accordingly, the first internal reflection control ring 174 can control the temperature according to the position of the substrate 102 .

제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 1 외부 반사 제어 링(172)에 반사할 수 있다. The first internal reflection control ring 174 may reflect the externally reflected light 125 to the first external reflection control ring 172 .

도 9는 도 8의 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도 프로파일 보여주는 그래프이다.FIG. 9 is a graph showing the generalized irradiance profile of the lower light 120a of FIG. 8 .

도 9를 참조하면, 하부 광(120a)의 일반화된 방사 조도는 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에서 동일할 수 있다. 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)은 동일한 온도로 가열될 수 있다. 나아가, 박막(105)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 동일한 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9 , the normalized irradiance of the lower light 120a may be the same in the central region 101 and the edge region 103 . The center region 101 and the edge region 103 may be heated to the same temperature. Furthermore, the thin film 105 may be formed to have the same thickness in the central region 101 and the edge region 103 .

도 10은 도 7의 하부 반사 제어 모듈(170)의 응용 예를 보여준다. 도 11은 도 10의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.10 shows an application example of the lower reflection control module 170 of FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line III-III′ of FIG. 10 .

도 10 및 도 11을 참조하면, 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사시킬 수 있다. 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 제어 링(172)에 제공될 수 있다. 외부 반사 광(125)은 중간 반사 링(138)과 제 1 외부 반사 제어 링(172) 사이에 반사될 수 있다. 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)에 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.10 and 11 , the first external reflection control ring 172 may reflect the externally reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102 . The externally reflected light 125 may be provided from the second heat sources 120d to the intermediate reflective ring 138 and the first external reflection control ring 172 . Externally reflected light 125 may be reflected between intermediate reflective ring 138 and first external reflection control ring 172 . The first external reflection control ring 172 may reflect the externally reflected light 125 to the edge region 103 at a second reflection angle θ 2 .

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 6 및 도 7과 동일할 수 있다. 도 6 및 도 7의 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 제거될 수 있다.Susceptor 118 , first and second heat sources 120c , 120d , internal direct light 122 , internally reflected light 123 , external direct light 124 , inner cover reflective ring 132 , first Configurations of the internal reflective ring 134 , the outer cover reflective ring 136 , the intermediate reflective ring 138 , and the first external reflective ring 139 may be the same as those of FIGS. 6 and 7 . The first internal reflection control ring 174 of FIGS. 6 and 7 can be removed.

도 12는 도 7의 하부 반사 제어 모듈(170)의 다른 응용 예를 보여준다. 도 13은 도 12의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.12 shows another application example of the lower reflection control module 170 of FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line IV-IV' of FIG. 12 .

도 12 및 도 13을 참조하면, 제 1 내부 반사 제어 링(174)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 외부 반사 광(125)은 제 2 열원들(120d)로부터 제 1 내부 반사 제어 링(174)에 제공될 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)은 외부 반사 광(125)을 제 1 외부 반사 링(139)에 반사할 수 있다. 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 제 1 내부 반사 제어 링(174)과 제 1 외부 반사 링(139)은 외부 반사 광(125)을 제 2 반사 각(θ2)으로 반사할 수 있다.12 and 13 , the first internal reflection control ring 174 and the first external reflection ring 139 may reflect externally reflected light 125 to the edge region 103 of the substrate 102 . . The externally reflected light 125 may be provided to the first internal reflection control ring 174 from the second heat sources 120d. The first internal reflection control ring 174 may reflect the externally reflected light 125 to the first external reflection ring 139 . The first external reflection ring 139 may reflect the external reflection light 125 to the edge region 103 . The first internal reflection control ring 174 and the first external reflection ring 139 may reflect the externally reflected light 125 at a second reflection angle θ 2 .

서셉터(118), 제 1 및 제 2 열원들(120c, 120d), 내부 직사 광(122), 내부 반사 광(123), 외부 직사 광(124), 내부 커버 반사 링(132), 제 1 내부 반사 링(134), 외부 커버 반사 링(136), 중간 반사 링(138), 및 제 1 외부 반사 링(139)의 구성은 도 6 및 도 7과 동일할 수 있다. 도 6 및 도 7의 제 1 외부 반사 제어 링(172)은 제거될 수 있다.Susceptor 118 , first and second heat sources 120c , 120d , internal direct light 122 , internally reflected light 123 , external direct light 124 , inner cover reflective ring 132 , first Configurations of the internal reflective ring 134 , the outer cover reflective ring 136 , the intermediate reflective ring 138 , and the first external reflective ring 139 may be the same as those of FIGS. 6 and 7 . The first external reflection control ring 172 of FIGS. 6 and 7 may be removed.

도 14는 도 2의 상부 반사 하우징(140)의 일 예를 보여준다. 도 15는 도 14의 V-V' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.14 shows an example of the upper reflective housing 140 of FIG. 2 . 15 is a cross-sectional view taken along the line V-V' of FIG. 14 .

도 14 및 도 15를 참조하면, 상부 반사 하우징(140)은 상부 커버 반사 링(142), 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146)을 포함할 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 제 3 열원들(120e)을 덮는 반사 링을 포함할 수 있다. 또한, 제 3 열원들(120e)은 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146)은 원통 모양의 튜브를 포함할 수 있다. 14 and 15 , the upper reflective housing 140 may include an upper cover reflective ring 142 , a second internal reflective ring 144 , and a second external reflective ring 146 . The third heat sources 120e may be disposed under the upper cover reflective ring 142 . The upper cover reflective ring 142 may include a reflective ring that covers the third heat sources 120e. In addition, the third heat sources 120e may be disposed between the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 . The second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 may include a cylindrical tube.

상부 커버 반사 링(142)은 제 2 내부 반사 링(144), 및 제 2 외부 반사 링(146) 상에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 제 2 내부 반사 링(144) 및 제 2 외부 반사 링(146)에 결합될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)과 제 2 외부 반사 링(146)은 동일한 외경을 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 커버 반사 링(142)의 내경은 약 304mm 정도이고, 외경은 약 424mm 내지 약 460mm 정도일 수 있다. 상부 커버 반사 링(142)은 상부 반사 홈들(142a)을 가질 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 상부 반사 홈들(142a) 아래에 일대일 배치될 수 있다. 상부 반사 홈들(142a)은 상부 커버 반사 링(142)의 중심 방향으로 기울어질 수 있다. 예를 들어, 상부 반사 홈들(142a)은 상부 커버 반사 링(142)의 중심 방향으로 약 1° 내지 약 5°정도 기울어질 수 있다. 상부 반사 홈들(142a)은 상부 광(120b)을 기판(102)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 홈들(142a)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)과 평탄 반사 홈들(142c)을 포함할 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 상부 광(120b)에 대해 라운드진 반사면(미도시)을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 상부 광(120b)에 대해 평탄한 반사면(미도시)을 가질 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 상부 광(120b)을 기판(102)으로 집중시킬 수 있다. 예를 들어, 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 제 3 열원들(120e)에 일대일로 대응될 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 41mm정도의 중심 반경의 곡률을 가질 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 41mm 정도의 가장자리 선폭을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 상부 광(120b)을 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)으로 반사시킬 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b) 사이에 배치될 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)보다 넓을 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 약 75mm 내지 약 82mm의 가장자리 선폭을 가질 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c) 각각은 복수개의 제 3 열원들(120e)에 대응될 수 있다. 예를 들어, 2개의 제 3 열원들(120e)은 하나의 평탄 반사 홈(142c) 아래에 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 약 32개일 수 있다. 제 3 반원통형 반사 홈들(142b)은 약 10개 내지 약 12개일 수 있다. 평탄 반사 홈들(142c)은 약 10 내지 약 11개일 수 있다. The top cover reflective ring 142 may be disposed on the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 . The top cover reflective ring 142 may be coupled to the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 . The second inner reflective ring 144 may be disposed below the top cover reflective ring 142 . The upper cover reflective ring 142 and the second external reflective ring 146 may have the same outer diameter. For example, the inner diameter of the upper cover reflective ring 142 may be about 304 mm, and the outer diameter may be about 424 mm to about 460 mm. The upper cover reflective ring 142 may have upper reflective grooves 142a. The third heat sources 120e may be disposed one-to-one under the upper reflective grooves 142a. The upper reflective grooves 142a may be inclined toward the center of the upper cover reflective ring 142 . For example, the upper reflective grooves 142a may be inclined by about 1° to about 5° toward the center of the upper cover reflective ring 142 . The upper reflective grooves 142a may reflect the upper light 120b to the substrate 102 . According to an example, the upper reflective grooves 142a may include third semi-cylindrical reflective grooves 142b and flat reflective grooves 142c. The third semi-cylindrical reflective grooves 142b may have a rounded reflective surface (not shown) with respect to the upper light 120b. The flat reflective grooves 142c may have a flat reflective surface (not shown) with respect to the upper light 120b. The third semi-cylindrical reflective grooves 142b may focus the upper light 120b onto the substrate 102 . For example, the third semi-cylindrical reflective grooves 142b may correspond to the third heat sources 120e one-to-one. The third semi-cylindrical reflective grooves 142b may have a curvature with a central radius of about 41 mm. The third semi-cylindrical reflective grooves 142b may have an edge line width of about 41 mm. The flat reflective grooves 142c may reflect the upper light 120b to the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 . The flat reflective grooves 142c may be disposed between the third semi-cylindrical reflective grooves 142b. The flat reflective grooves 142c may be wider than the third semi-cylindrical reflective grooves 142b. The flat reflective grooves 142c may have an edge line width of about 75 mm to about 82 mm. Each of the flat reflective grooves 142c may correspond to a plurality of third heat sources 120e. For example, the two third heat sources 120e may be disposed under one flat reflective groove 142c. The number of third heat sources 120e may be about 32. The third semi-cylindrical reflective grooves 142b may be about 10 to about 12. The number of planar reflective grooves 142c may range from about 10 to about 11.

제 2 내부 반사 링(144)은 제 2 외부 반사 링(146) 내에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 2 내부 반사 링(144)을 둘러쌀 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 제 2 외부 반사 링(146)보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 제 2 내부 반사 링(144)은 약 100mm 내지 110mm 정도의 길이를 가질 수 있다.The second inner reflective ring 144 may be disposed within the second outer reflective ring 146 . The second outer reflective ring 146 may surround the second inner reflective ring 144 . The second inner reflective ring 144 may be shorter than the second outer reflective ring 146 . For example, the second internal reflection ring 144 may have a length of about 100 mm to about 110 mm.

제 2 외부 반사 링(146)은 상부 커버 반사 링(142) 아래에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 2 내부 반사 링(144)보다 길 수 있다. 예를 들어, 제 2 외부 반사 링(146)은 약 225mm 정도의 길이를 가질 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)은 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이의 거리(d3)는 상부 커버 반사 링(142)의 제 3 폭(t3)보다 작을 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 제 3 소켓 홈들(146a)을 가질 수 있다. 제 3 소켓 홈들(146a)은 상부 커버 반사 링(142)에 인접하여 배치될 수 있다. 제 3 열원들(120e)은 제 3 소켓 홈들(146a)을 통해 상부 커버 반사 링(142) 아래에 제공될 수 있다.The second outer reflective ring 146 may be disposed below the top cover reflective ring 142 . The second outer reflective ring 146 may be longer than the second inner reflective ring 144 . For example, the second external reflective ring 146 may have a length of about 225 mm. The second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 may be disposed to be spaced apart from each other. For example, the distance d 3 between the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 may be smaller than the third width t 3 of the upper cover reflective ring 142 . The second external reflective ring 146 may have third socket grooves 146a. The third socket grooves 146a may be disposed adjacent to the upper cover reflective ring 142 . The third heat sources 120e may be provided under the upper cover reflective ring 142 through the third socket grooves 146a.

다시 도 2, 도 4, 및 도 15를 참조하면, 제 2 외부 반사 링(146)은 제 1 외부 반사 링(139) 상에 정렬될 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 링(146)의 내경은 제 1 외부 반사 링(139)의 내경보다 작을 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 중간 반사 링(138) 상에 정렬될 수 있다.Referring again to FIGS. 2 , 4 , and 15 , the second external reflective ring 146 may be aligned on the first external reflective ring 139 . Alternatively, the inner diameter of the second outer reflective ring 146 may be smaller than the inner diameter of the first outer reflective ring 139 . A second internal reflective ring 144 may be aligned on the intermediate reflective ring 138 .

다시, 도 15를 참조하면, 상부 광(120b)은 기판(102)의 상부 면에 제공될 수 있다. 기판(102)은 상부 광(120b)에 의해 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판(102)은 약 500℃ 내지 800℃로 가열될 수 있다. 상부 광(120b)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 반사될 수 있다. 상부 광(120b)은 기판(102)에 입사될 수 있다. 이와 달리, 상부 광(120b)은 제 3 열원들(120e)로부터 기판(102)에 직접적으로 입사될 수 있다. 예를 들어, 상부 광(120b)은 상부 직사 광(126)과 상부 반사 광(127)을 포함할 수 있다. Referring again to FIG. 15 , the upper light 120b may be provided on the upper surface of the substrate 102 . The substrate 102 may be heated by the upper light 120b. For example, the substrate 102 may be heated to between about 500°C and 800°C. The upper light 120b may be reflected between the second inner reflective ring 144 and the second outer reflective ring 146 . The upper light 120b may be incident on the substrate 102 . Alternatively, the upper light 120b may be directly incident on the substrate 102 from the third heat sources 120e. For example, the upper light 120b may include an upper direct light 126 and an upper reflected light 127 .

상부 직사 광(126)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)에 반사되지 않고 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이로 직진하는 광일 수 있다. 상부 직사 광(126)은 주로 기판(102)의 바깥으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 상부 직사 광(126)은 기판(102)의 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)에 입사될 수 있다. The upper direct reflective light 126 may be light that is not reflected by the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 and travels straight between the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 . have. The top direct light 126 may primarily be provided out of the substrate 102 . Alternatively, the upper direct light 126 may be incident on the central region 101 and the edge region 103 of the substrate 102 .

상부 반사 광(127)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)에 반사되는 광일 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 부분의 상부 반사 광(127)을 중심 영역(101)에 반사할 수 있다. 이와 달리, 일부의 상부 반사 광(127)은 가장 자리 영역(103)에 제공될 수 있다.The upper reflected light 127 may be light reflected by the second internal reflective ring 144 and the second external reflective ring 146 . The second external reflective ring 146 may reflect the upper reflected light 127 of the portion to the central region 101 . Alternatively, some of the upper reflected light 127 may be provided to the edge region 103 .

제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 제 3 반사 각(θ3)은 약 10° 내지 20° 정도일 수 있다. 상부 반사 광(127)은 주로 중심 영역(101)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다. 일부의 상부 반사 광(127)은 가장자리 영역(103)에 제공될 수 있다.The second internal reflection ring 144 and the second external reflection ring 146 may reflect the upper reflection light 127 at a third reflection angle θ 3 . For example, the third reflection angle θ 3 may be about 10° to 20°. The upper reflected light 127 may be mainly provided to the central region 101 . Alternatively, the second external reflective ring 146 may reflect the upper reflected light 127 at about 0° to 90°. A portion of the upper reflected light 127 may be provided to the edge region 103 .

도 16은 도 15의 상부 광(120b)의 방사 조도(irradiance)를 보여준다.FIG. 16 shows the irradiance of the upper light 120b of FIG. 15 .

도 16을 참조하면, 상부 광(120b)은 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에 높은 방사 조도(irradiance)를 가질 수 있다. 중심 영역(101)은 상부 반사 광(127)에 의해 가장자리 영역(103) 영역보다 높은 온도로 가열되기 때문일 수 있다. 따라서, 박막(105)은 가장자리 영역(103)보다 중심 영역(101)에 높은 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 16 , the upper light 120b may have higher irradiance in the central region 101 than the edge region 103 . This may be because the central region 101 is heated to a higher temperature than the edge region 103 region by the upper reflected light 127 . Accordingly, the thin film 105 may be formed to have a higher thickness in the central region 101 than the edge region 103 .

도 17은 도 2의 상부 반사 제어 모듈(180)의 일 예를 보여준다. 도 18은 도 17의 VI-VI' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.17 shows an example of the upper reflection control module 180 of FIG. 2 . 18 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI' of FIG. 17 .

도 17 및 도 18을 참조하면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이에 배치될 수 있다. 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 대부분 제 4 반사 각(θ4)으로 반사할 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 2 반사 각(θ2)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 4 반사 각(θ4)은 약 20° 내지 약 30° 정도일 수 있다. 이와 달리, 상부 반사 제어 모듈(180)은 상부 반사 광(127)을 약 0° 내지 90°로 반사할 수 있다.17 and 18 , the upper reflection control module 180 may be disposed between the second internal reflection ring 144 and the second external reflection ring 146 . The upper reflection control module 180 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 . According to an example, the upper reflection control module 180 may mostly reflect the upper reflected light 127 at the fourth reflection angle θ 4 . The fourth reflection angle θ 4 may be the same as the second reflection angle θ 2 . For example, the fourth reflection angle θ 4 may be about 20° to about 30°. Alternatively, the upper reflection control module 180 may reflect the upper reflected light 127 at about 0° to 90°.

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. The configuration of the susceptor 118 , the third heat sources 120e , the upper direct light 126 , and the upper cover reflective ring 142 may be the same as in FIGS. 14 and 15 .

상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 내부 반사 링(144)과 제 2 외부 반사 링(146) 사이의 상부 추가 반사 링들(additional upper reflection rings)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 반사 제어 모듈(180)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 제 2 내부 반사 제어 링(184)을 포함할 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 내부 반사 제어 링(184)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)보다 위에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 대부분 제 4 반사 각(θ4)으로 반사할 수 있다.The upper reflection control module 180 may include additional upper reflection rings between the second inner reflection ring 144 and the second outer reflection ring 146 . According to an example, the upper reflection control module 180 may include a second external reflection control ring 182 and a second internal reflection control ring 184 . The second external reflection control ring 182 may have a larger diameter than the second internal reflection control ring 184 . The second internal reflection control ring 184 may be disposed above the second external reflection control ring 182 . The second external reflection control ring 182 and the second internal reflection control ring 184 may reflect most of the upper reflected light 127 at the fourth reflection angle θ 4 .

제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 고정될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 아래 방향(downward)으로 제 2 외부 반사 링(146)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 외부 반사 링(146)보다 짧을 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 2 외부 반사 링(146)의 내측 벽에 멀어질 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제 2 내부 반사 링(144)에 가까울 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 위 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)의 제 3 경사 각(ф3)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 3 경사 각(ф3)에 의해 조절될 수 있다. 제 3 경사 각(ф3)은 제 4 반사 각(θ4)에 비례할 수 있다. 제 3 경사 각(ф3)이 증가하면, 제 4 반사 각(θ4)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 제공되는 상부 반사 광(127)은 증가될 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 대부분의 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)으로 반사할 수 있다. 이와 달리, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 중심 영역(101)으로 반사할 수도 있다. 따라서, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.The second external reflection control ring 182 may be disposed on an inner wall of the second external reflection ring 146 . According to one example, the second external reflection control ring 182 may be secured to an inner wall of the second external reflection ring 146 . The second external reflection control ring 182 may be disposed at the same height as the second external reflection ring 146 in a downward direction. The second external reflection control ring 182 may be shorter than the second external reflection ring 146 . The second external reflection control ring 182 may move away from the inner wall of the second external reflection ring 146 as it moves away from the susceptor 118 . The second outer reflection control ring 182 may be proximate to the second inner reflection ring 144 . The second external reflection control ring 182 may be inclined concavely in an upward direction. The third inclination angle ф 3 of the second external reflection control ring 182 may be about 0.5° to about 10°. The fourth reflection angle θ 4 may be adjusted by the third inclination angle ф 3 . The third inclination angle ф 3 may be proportional to the fourth reflection angle θ 4 . When the third inclination angle ф 3 increases, the fourth reflection angle θ 4 may increase. The upper reflected light 127 provided to the edge region 103 may be increased. The second external reflection control ring 182 may reflect most of the upper reflected light 127 to the edge region 103 . Alternatively, the second external reflection control ring 182 may reflect the upper reflected light 127 to the central region 101 . Accordingly, the second external reflection control ring 182 may control the temperature according to the position of the substrate 102 .

제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)의 외측 벽에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)의 외측 벽에 고정될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 아래 방향으로 제 2 내부 반사 링(144)과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 내부 반사 링(144)보다 짧을 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 제어 링(182)과 반대 방향으로 경사질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 서셉터(118)에 멀어질수록 제 2 내부 반사 링(144)의 내측 벽에 멀어질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제 2 외부 반사 링(146)에 가까울 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 아래 방향으로 오목하게 경사질 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)의 제 4 경사 각(ф4)은 약 0.5° 내지 약 10°정도일 수 있다. 제 4 반사 각(θ4)은 제 4 경사 각(ф4)에 의해 조절될 수 있다. 제 4 경사 각(ф4)은 제 4 반사 각(θ4)에 비례할 수 있다. 제 4 경사 각(ф4)이 증가하면, 제 4 반사 각(θ4)은 증가할 수 있다. 가장자리 영역(103)으로 제공되는 상부 반사 광(127)은 증가될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 제어 링(182)에 반사할 수 있다. 따라서, 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 기판(102)의 위치에 따라 온도를 제어할 수 있다.A second internal reflection control ring 184 may be disposed on an outer wall of the second internal reflection ring 144 . According to one example, the second internal reflection control ring 184 may be secured to an outer wall of the second internal reflection ring 144 . The second internal reflection control ring 184 may be disposed at the same height as the second internal reflection ring 144 in a downward direction. The second internal reflection control ring 184 may be shorter than the second internal reflection ring 144 . The second internal reflection control ring 184 may be inclined in a direction opposite to the second external reflection control ring 182 . The second internal reflection control ring 184 may move away from the inner wall of the second internal reflection ring 144 as it moves away from the susceptor 118 . The second inner reflection control ring 184 may be proximate to the second outer reflection ring 146 . The second internal reflection control ring 184 may be inclined concavely in a downward direction. The fourth inclination angle ф 4 of the second internal reflection control ring 184 may be on the order of about 0.5° to about 10°. The fourth reflection angle θ 4 may be adjusted by the fourth inclination angle ф 4 . The fourth inclination angle ф 4 may be proportional to the fourth reflection angle θ 4 . When the fourth inclination angle ф 4 increases, the fourth reflection angle θ 4 may increase. The upper reflected light 127 provided to the edge region 103 may be increased. The second internal reflection control ring 184 may reflect the upper reflected light 127 to the second external reflection control ring 182 . Accordingly, the second internal reflection control ring 184 may control the temperature according to the position of the substrate 102 .

도 19는 도 18의 상부 광(120b)의 방사 조도를 보여준다.19 shows the irradiance of the upper light 120b of FIG. 18 .

도 19를 참조하면, 상부 광(120b)의 방사 조도는 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에서 높을 수 있다. 가장자리 영역(103)은 중심 영역(101)보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)보다 가장자리 영역(103)에서 두꺼울 수 있다. 이와 달리, 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)의 방사 조도는 동일할 수 있다. 박막(105)은 중심 영역(101)과 가장자리 영역(103)의 기판(102) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 19 , the irradiance of the upper light 120b may be higher in the edge region 103 than in the central region 101 . The edge region 103 may be heated to a higher temperature than the central region 101 . The thin film 105 may be thicker in the edge region 103 than in the central region 101 . Alternatively, the irradiance of the central region 101 and the edge region 103 may be the same. The thin film 105 may be formed with a uniform thickness on the substrate 102 in the central region 101 and the edge region 103 .

도 20은 도 18의 상부 반사 제어 모듈(180)의 응용 예를 보여준다. 도 21는 도 20의 VII-VII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.20 shows an application example of the upper reflection control module 180 of FIG. 18 . 21 is a cross-sectional view taken along line VII-VII' of FIG. 20;

도 20 및 도 21을 참조하면, 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 상부 반사 광(127)은 제 3 열원들(120e)로부터 제 2 내부 반사 링(144)에 제공될 수 있다. 제 2 내부 반사 링(144)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 제어 링(182)에 반사할 수 있다. 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다.20 and 21 , the second external reflection control ring 182 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 of the substrate 102 . The upper reflected light 127 may be provided to the second internally reflective ring 144 from the third heat sources 120e. The second internal reflection ring 144 may reflect the upper reflected light 127 to the second external reflection control ring 182 . The second external reflection control ring 182 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 at a third reflection angle θ 3 .

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. 도 14 및 도 15의 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 제거될 수 있다.The configuration of the susceptor 118 , the third heat sources 120e , the upper direct light 126 , and the upper cover reflective ring 142 may be the same as in FIGS. 14 and 15 . The second internal reflection control ring 184 of FIGS. 14 and 15 can be removed.

도 22는 도 18의 상부 반사 제어 모듈(180)의 다른 응용 예를 보여준다. 도 23은 도 22의 VIII-VIII' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.22 shows another application example of the upper reflection control module 180 of FIG. 18 . 23 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII' of FIG. 22 .

도 22 및 도 23을 참조하면, 제 2 내부 반사 제어 링(184)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 기판(102)의 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 상부 반사 광(127)은 상부 커버 반사 링(142) 아래의 제 3 열원들(120e)로부터 제 2 내부 반사 제어 링(184)에 제공될 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)은 상부 반사 광(127)을 제 2 외부 반사 링(146)에 반사할 수 있다. 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 가장자리 영역(103)에 반사할 수 있다. 제 2 내부 반사 제어 링(184)과 제 2 외부 반사 링(146)은 상부 반사 광(127)을 제 3 반사 각(θ3)으로 반사할 수 있다. 22 and 23 , the second internal reflection control ring 184 and the second external reflection ring 146 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 of the substrate 102 . . The top reflected light 127 may be provided to the second internal reflection control ring 184 from the third heat sources 120e below the top cover reflective ring 142 . The second internal reflection control ring 184 may reflect the upper reflected light 127 to the second external reflection ring 146 . The second external reflective ring 146 may reflect the upper reflected light 127 to the edge region 103 . The second internal reflection control ring 184 and the second external reflection ring 146 may reflect the upper reflected light 127 at a third reflection angle θ 3 .

서셉터(118), 제 3 열원들(120e), 상부 직사 광(126), 및 상부 커버 반사 링(142)의 구성은 도 14 및 도 15와 동일할 수 있다. 도 14 및 도 15의 제 2 외부 반사 제어 링(182)은 제거될 수 있다.The configuration of the susceptor 118 , the third heat sources 120e , the upper direct light 126 , and the upper cover reflective ring 142 may be the same as in FIGS. 14 and 15 . The second external reflection control ring 182 of FIGS. 14 and 15 can be removed.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. It can be understood that Therefore, it should be understood that the embodiments and application examples described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (10)

챔버;
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 서셉터;
상기 챔버 외부에 배치된 반사 하우징;
상기 반사 하우징 내에 배치된 열원들; 및
상기 열원들과 상기 챔버 사이의 상기 반사 하우징 내에 배치되고, 상기 반사 하우징에 의해 상기 기판의 중심으로 제공되는 상기 열원들의 광을 상기 기판의 가장자리로 반사하는 반사 제어 모듈을 포함하되,
상기 반사 하우징은 상기 서셉터 아래에 배치된 제 1 외부 반사 링과, 상기 제 1 외부 반사 링 내에 배치된 제 1 내부 반사 링을 구비한 하부 반사 하우징을 포함하되,
상기 반사 제어 모듈은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 제 1 외부 반사 링 사이에 배치된 하부 반사 제어 모듈을 포함하는 박막 증착 설비.chamber;
a susceptor disposed in the chamber and accommodating a substrate;
a reflective housing disposed outside the chamber;
heat sources disposed within the reflective housing; and
a reflection control module disposed in the reflective housing between the heat sources and the chamber and reflecting the light of the heat sources provided to the center of the substrate by the reflective housing to an edge of the substrate,
the reflective housing comprising a lower reflective housing having a first external reflective ring disposed below the susceptor and a first internal reflective ring disposed within the first external reflective ring;
wherein the reflection control module includes a lower reflection control module disposed between the first internal reflection ring and the first external reflection ring. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 하부 반사 제어 모듈은 상기 제 1 외부 반사 링의 내측 벽에 고정되고, 상기 제 1 외부 반사 링의 내측 벽에 대해 제 1 경사각을 갖는 제 1 외부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.The method of claim 1,
and the lower reflection control module includes a first external reflection control ring fixed to an inner wall of the first outer reflection ring and having a first inclination angle with respect to the inner wall of the first outer reflection ring. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 제 1 외부 반사 박 사이에 배치된 중간 반사 링을 더 포함하되,
상기 하부 반사 제어 모듈은 상기 중간 반사 링의 외측 벽에 고정되고 상기 중간 반사 링의 외측 벽에 대해 제 2 경사각을 갖는 제 1 내부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.The method of claim 1,
wherein the lower reflective housing further comprises an intermediate reflective ring disposed between the first internal reflective ring and the first external reflective foil;
wherein the lower reflection control module includes a first inner reflection control ring fixed to an outer wall of the intermediate reflection ring and having a second angle of inclination with respect to the outer wall of the intermediate reflection ring. 제 4 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 내부 반사 링과 상기 중간 반사 링 사이의 상기 열원들 아래에 배치되는 내부 커버 반사 링을 더 포함하되,
상기 내부 커버 반사 링은 상기 열원들에 대응되는 제 1 반원통형 반사 홈들을 갖는 박막 증착 설비.5. The method of claim 4,
the lower reflective housing further comprising an inner cover reflective ring disposed below the heat sources between the first internal reflective ring and the intermediate reflective ring;
and the inner cover reflective ring has first semi-cylindrical reflective grooves corresponding to the heat sources. 제 4 항에 있어서,
상기 하부 반사 하우징은 상기 제 1 외부 반사 링과 상기 중간 반사 링 사이의 상기 열원들 아래에 배치되는 외부 커버 반사 링을 더 포함하되
상기 외부 커버 반사 링은 상기 열원들에 대응되는 제 2 반원통형 반사 홈들을 갖는 박막 증착 설비.5. The method of claim 4,
wherein the lower reflective housing further comprises an outer cover reflective ring disposed below the heat sources between the first external reflective ring and the intermediate reflective ring;
and the outer cover reflective ring has second semi-cylindrical reflective grooves corresponding to the heat sources. 제 1 항에 있어서,
상기 반사 하우징은 상기 서셉터 상에 배치된 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 내부 반사 링 외부에 배치된 제 2 외부 반사 링을 구비한 상부 반사 하우징을 포함하되
상기 반사 제어 모듈은 상기 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 외부 반사 링 사이에 배치된 상부 반사 제어 모듈을 포함하는 박막 증착 설비.The method of claim 1,
wherein the reflective housing includes an upper reflective housing having a second internal reflective ring disposed on the susceptor and a second external reflective ring disposed external to the second internal reflective ring;
wherein the reflection control module includes an upper reflection control module disposed between the second inner reflection ring and the second outer reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 제어 모듈은 상기 제 2 외부 반사 링의 내측 벽에 고정되고, 상기 제 2 외부 반사 링의 내측 벽에 대해 제 3 기울기를 갖는 제 2 외부 반사 제어 링을 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
and the upper reflection control module is fixed to the inner wall of the second outer reflection ring and includes a second outer reflection control ring having a third inclination with respect to the inner wall of the second outer reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 제어 모듈은 상기 제 2 내부 반사 링의 외측 벽에 고정되고, 상기 제 2 내부 반사 링의 외측 벽에 대해 제 4 경사각을 갖는 제 2 내부 반사 제어 링을 더 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
and the upper reflection control module further includes a second inner reflection control ring fixed to an outer wall of the second inner reflection ring and having a fourth inclination angle with respect to the outer wall of the second inner reflection ring. 제 7 항에 있어서,
상기 상부 반사 하우징은 상기 제 2 내부 반사 링과 상기 제 2 외부 반사 링 사이의 상기 열원들 상에 배치되는 상부 커버 반사 링을 더 포함하되,
상기 상부 커버 반사 링은:
상기 열원들에 대응되는 제 3 반원통형 반사 홈들; 및
상기 제 3 반원통형 반사 홈들 사이에 배치되고, 상기 제 3 반원통형 반사 홈들보다 넓은 면적을 갖는 평탄 반사 홈들을 포함하는 박막 증착 설비.8. The method of claim 7,
wherein the upper reflective housing further comprises a top cover reflective ring disposed on the heat sources between the second inner reflective ring and the second outer reflective ring;
The top cover reflective ring comprises:
third semi-cylindrical reflective grooves corresponding to the heat sources; and
and flat reflective grooves disposed between the third semi-cylindrical reflective grooves and having a larger area than the third semi-cylindrical reflective grooves.
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