KR20160117770A - Double layered passivation structure and solar cell including the same - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000754 repressing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- -1 respectively Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
Description
본 발명은 이중막 패시베이션 구조물 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는, PN 접합을 통하여 광조사시 기전력이 발생하는 태양 전지에 포함된 이중막 패시베이션 구조물 및 상기 이중막 패시베이션 구조물을 포함하는 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a double-layer passivation structure and a solar cell including the same. More particularly, the present invention relates to a double-layer passivation structure included in a solar cell in which an electromotive force is generated during light irradiation through a PN junction, and a solar cell including the double-layer passivation structure.
태양 에너지(solar energy)를 이용하는 신재생(renewable) 에너지 (renewable)는 크게 태양열을 이용하는 태양열 발전 시스템과 태양광을 이용한 태양 전지 (solar cells)로 나눌 수 있다.Renewable energy using solar energy can be divided into solar power generation system using solar heat and solar cells using solar energy.
이중막 태양광을 이용한 전지는 전기 에너지를 빛에너지로 바꾸는 LED나 레이저 다이오드와 반대원리를 가진 것으로, 대부분 대면적의 P-N 접합 다이오드(P-N junction diode)로 이루어져 있다.The bi-layer photovoltaic cell has a principle opposite to that of LED or laser diode, which converts electric energy into light energy, and it is composed mostly of large area P-N junction diode.
이와 같은 구조에 있어서 열적 평형상태(thermal equilibrium)에서는 p-type 반도체와 n-type 반도체의 접합으로 이루어진 다이오드에서는 캐리어(carrier)의 농도 차이에 의한 확산으로 전하(charge)의 불균형이 생기고, 이 때문에 전기장(electric field)이 형성되어 더 이상 캐리어의 확산이 일어나지 않게 된다.In a thermal equilibrium in such a structure, in a diode formed of a junction of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, a charge imbalance occurs due to diffusion due to a difference in concentration of carriers, An electric field is formed so that carrier diffusion no longer occurs.
이러한 다이오드에 그 물질의 전도대(conduction band)와 가전자대(valence band) 사이의 에너지 차이인 밴드갭 에너지(band gap energy) 이상의 빛을 가했을 경우, 이 빛에너지를 받아서 전자들은 가전자대에서 전도대로 여기(excited)된다.When a light above the band gap energy, which is the energy difference between the conduction band and the valence band of the material, is applied to such a diode, the electrons are received by the conduction band from the valence band .
이때 p-type 영역에서 여기된 전자들과, n-type 영역에서 만들어진 정공을 각각의 소수캐리어(minority carrier)라고 부르며, 기존 접합 전의 p-type 또는 n-type 반도체 내의 캐리어(p-type의 정공, n-type의 전자)는 이와 구분해 주요캐리어(majority carrier)라고 부른다.At this time, the electrons excited in the p-type region and the holes formed in the n-type region are referred to as minority carriers, respectively, and carriers in the p-type or n-type semiconductors before the junction (p- , n-type electrons) are called major carriers.
이때 주요캐리어들은 전기장으로 생긴 에너지 장벽(energy barrier) 때문에 흐름의 방해를 받지만 p-type의 소수캐리어인 전자는 n-type 영역(110)쪽으로, n-type의 소수캐리어인 정공은 p-type 영역쪽으로 각각 이동할 수 있다.In this case, the main carriers are disturbed by the energy barrier due to the electric field, but electrons which are p-type minority carriers are directed toward the n-
이와 같은 캐리어의 확산에 의해 재료 내부의 전기적 중성(charge neutrality)이 깨짐으로써, 전압차(potential drop)가 생기고 이때 P-N접합 다이오드의 양극단에 발생된 기전력을 외부 회로에 연결하게 되면 태양전지로 작용하게 된다.When the carrier neutrality is broken by the diffusion of the carrier, a potential drop occurs. At this time, if the electromotive force generated at the positive electrode terminal of the PN junction diode is connected to the external circuit, do.
상기 태양 전지의 변환 효율을 증대시키기 위하여, 상기 PN 접합을 이루는 기판 상에 패시베이션 막을 형성할 수 있다. 상기 패시베이션 막은 기판과 상기 기판의 상부에 배치된 전극 사이에 배치됨으로써 상기 기판과 이루는 계면에 존재할 수 있는 댕글링 본드와 같은 계면 결함을 감소시킬 수 있다. 이로써 상기 계면 결함에서 발생할 수 있는 전자-전공 쌍의 재결합이 억제될 수 있다. 이와 동시에 상기 패시베이션 막은 고정 전하(fixed charge) 효과를 갖는 물질로 이루어질 경우 상기 재결합이 억제될 수 있다.In order to increase the conversion efficiency of the solar cell, a passivation film may be formed on the substrate constituting the PN junction. The passivation film is disposed between the substrate and the electrode disposed on the substrate, thereby reducing interface defects such as dangling bonds that may exist at the interface with the substrate. Thus, the recombination of the electron-electron pairs that can occur in the interface defect can be suppressed. At the same time, when the passivation film is made of a material having a fixed charge effect, the recombination can be suppressed.
따라서, 상기 재결합을 억제하기 위하여 계면 결함의 억제 및 고정 전하 효과의 증대를 동시에 구현할 수 있는 패시베이션 구조물이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for a passivation structure capable of simultaneously suppressing interface defects and increasing the fixed charge effect in order to suppress the recombination.
본 발명의 일 목적은 계면 결함의 억제 및 고정 전하 효과의 증대를 동시에 구현할 수 있는 패시베이션 구조물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a passivation structure capable of simultaneously suppressing interface defects and increasing the fixed charge effect.
본 발명의 다른 목적은 계면 결함의 억제 및 고정 전하 효과의 증대를 동시에 구현할 수 있는 패시베이션 구조물을 포함하는 태양 전지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a solar cell including a passivation structure capable of simultaneously suppressing interface defects and increasing the fixed charge effect.
본 발명의 실시예들에 따른 PN 접합을 이루는 기판 상에 형성되는 이중막 패시베이션 구조물은 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과의 계면 결함을 억제하는 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진 제1 패시베이션 박막 및 상기 제1 패시베이션 박막 상에 형성되며, 캐리어의 재결합을 억제하는 제2 배시베이션 박막을 포함한다.A dual passivation structure formed on a substrate forming a PN junction according to embodiments of the present invention includes a first passivation thin film formed on the substrate and made of an intrinsic amorphous silicon material for suppressing interface defects with the substrate, A second passivation thin film formed on the first passivation thin film and suppressing the recombination of carriers.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 패시베이션 박막은 2 nm 이하의 두께를 가질 경우 터널링 효과를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first passivation thin film may have a tunneling effect when the thickness of the first passivation thin film is 2 nm or less.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 패시베이션 박막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second passivation thin film may be formed of silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, or hafnium oxide.
본 발명의 실시예들에 따른 태양 전지는, PN 접합을 이루는 기판, 상기 기판의 전면에 형성된 이중막 패시베이션 구조물, 상기 이중막 패시베이션 구조물 상에 형성된 전면 전극, 상기 기판의 후면에 형성된 후면 전극을 포함하고, 상기 이중막 패시베이션 구조물은, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과의 계면 결함을 억제하는 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진 제1 패시베이션 박막 및 상기 제1 패시베이션 박막 상에 형성되며, 캐리어의 재결합을 억제하는 제2 배시베이션 박막을 포함한다.A solar cell according to embodiments of the present invention includes a PN junction substrate, a double-layer passivation structure formed on a front surface of the substrate, a front electrode formed on the double-layer passivation structure, and a rear electrode formed on a rear surface of the substrate Wherein the dual passivation structure is formed on the substrate and comprises a first passivation thin film made of an intrinsic amorphous silicon material that suppresses interface defects with the substrate and a second passivation thin film formed on the first passivation thin film, The second bacillusion thin film.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 패시베이션 박막은 2 nm 이하의 두께를 가질 경우 터널링 효과를 가지며, 상기 제2 패시베이션 박막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the first passivation thin film has a tunneling effect when it has a thickness of 2 nm or less, and the second passivation thin film may be made of silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, or hafnium oxide.
본 발명의 실시예에 따른 이중막 패시베이션 구조물은 PN 접합을 이루는 기판과 접하며 진성 비정질 실리콘으로 제1 패시베이션 박막을 형성함으로써 계면 결함 밀도가 감소시키고, 상기 제1 패시베이션 박막 상에는 고정 전하 효과를 증대시켜 재결합을 억제시킬 수 있는 제2 패시베이션 박막을 형성함으로써 재결합에 의한 손실이 억제됨으로써 결과적으로 태양전지 변환효율이 개선될 수 있다.The dual passivation structure according to an embodiment of the present invention reduces the interface defect density by forming the first passivation thin film with the intrinsic amorphous silicon in contact with the substrate forming the PN junction and increases the fixed charge effect on the first passivation thin film, The loss due to the recombination can be suppressed and consequently the solar cell conversion efficiency can be improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이중막 패시베이션 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a dual-layer passivation structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the sizes and the quantities of objects are shown enlarged or reduced from the actual size for the sake of clarity of the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "comprising", and the like are intended to specify that there is a feature, step, function, element, or combination of features disclosed in the specification, Quot; or " an " or < / RTI > combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이중막 패시베이션 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a dual-layer passivation structure according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이중막 패시베이션 구조물(100)은 제1 패시베이션 박막(110) 및 제2 패시베이션 박막(120)을 포함한다. 상기 이중막 패시베이션 구조물(100)은 PN 접합을 이루는 기판(10) 상에 형성됨으로써 전자 및 정공 쌍의 재결합(recombination)을 억제할 수 있다.Referring to FIG. 1, a
상기 제1 패시베이션 박막(110)은 상기 기판(10) 상에 형성된다. 따라서 상기 제1 패시베이션 박막(110) 및 상기 기판(10) 사이에는 계면이 형성된다. The first passivation
상기 제1 패시베이션 박막(110)은 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진다. 따라서, 상기 제1 패시베이션 박막(110) 및 상기 기판(10) 사이의 계면에 존재할 수 있는 댕글링 본드와 같은 결함이 감소될 수 있다. 이로써 계면 트랩 밀도(intefacial trap density; Dit)가 감소함으로써 계면 재결합이 억제될 수 있다.The first passivation
상기 제2 패시베이션 박막(120)은 상기 제1 패시베이션 박막(110) 상에 형성된다. 상기 제2 패시베이션 박막(120)은 상대적으로 높은 고정 전하 밀도(Qf)를 갖는 물질로 이루어진다. The second passivation
예를 들면, 상기 제2 패시베이션 박막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다.For example, the second passivation
즉, 상기 제1 패시베이션 박막(110)과 물리적으로 컨택하는 상기 기판(10)의 상부가 p-type 특성 또는 n-type 특성을 가질 경우, 상기 제2 패시베이션 박막(120)을 이루는 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다.That is, when the upper portion of the
이로써, 우수한 고정 전하 밀도를 갖는 제2 패시베이션 박막(120)이 형성됨에 따라 전자 및 정공 쌍의 재결합이 억제될 수 있다.As a result, the recombination of electron and hole pairs can be suppressed as the second passivation
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 패시베이션 박막(110)은 2nm 이하의 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1 패시베이션 박막(110)을 통하여 상기 터널링 효과에 따른 터널 전류가 흐름에 따라 상기 패시베이션 구조물(100)의 상부에 형성되는 전면 전극에 대한 컨택 패시베이션(contact passivation) 효과가 추가적으로 달성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first passivation
본 발명의 실시예들에 따른 패시베이션 구조물(100)은 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진 제1 패시베이션 박막(110) 및 상대적으로 높은 고정 전하 밀도(Qf)를 갖는 물질로 이루어진 제2 패시베이션 박막(120)을 포함하는 이중막 구조를 가짐에 따라 감소된 계면 트랩 밀도 및 증가한 고정 전하 밀도를 동시에 구현할 수 있다. 이로써 상기 패시베이션 구조물(100)이 태양 전지에 적용될 경우, 상기 태양 전지에 있어서 전자 및 정공 쌍의 재결합이 감소됨으로써 개선된 변환 효율을 이룰 수 있다.
The
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 태양전지(200)는 PN 접합을 이루는 기판(20), 이중막 패시베이션 구조물(210), 전면 전극(220) 및 하부 전극(230)을 포함한다.1 and 2, a
상기 기판(20)은 결정질 결정 구조를 갖는 실리콘 물질로 이루어진다. 상기 실리콘 물질은 예를 들면, 단결정 결정 구조 또는 다결정 결정 구조를 가질 수 있다. 상기 기판(20)의 내부에는 제1 불순물이 도핑된다. 상기 제1 불순물은 예를 들면 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탄탈륨과 같은 P형 원소를 포함할 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 불순물은 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트와 같은 N형 원소를 포함할 수 있다. 이하, 제1 불순물은 P형 원소에 해당하는 것으로 기술한다.The
이와 다르게, 상기 기판(20)은 비정질 실리콘(a-Si), 실리콘 화합물(SiC, SiGe 등), 화합물 반도체(GaN, GaAs, GaN, InP, GaAsP, AlGaAs, InGaAsP AlGaInAs 등)과 같은 물질로 이루어질 수 있다.Alternatively, the
상기 기판(20)의 상부에는 상기 제1 불순물과 반대되는 극성을 갖는 제2 불순물로 도핑된 불순물 도핑층(22)이 형성된다. 이로써 상기 기판의 하부(21) 및 상기 불순물 도핑층(22)이 PN 접합을 형성한다.An
상기 이중막 패시베이션 구조물(210)은 상기 기판(20) 상에 형성된다. 보다 구체적으로 상기 이중막 패시베이션 구조물(210)은 상기 기판(20)의 상부, 즉 상기 결정질 실리콘층(22) 상에 형성된다.The
상기 이중막 패시베이션 구조물(210)은 제1 패시베이션 박막(211) 및 제2 패시베이션 박막(213)을 포함한다. 상기 이중막 패시베이션 구조물(210)은 PN 접합을 이루는 기판(20) 상에 형성됨으로써 전자 및 정공 쌍의 재결합(recombination)을 억제할 수 있다.The
상기 제1 패시베이션 박막(211)은 상기 기판(20) 상에 형성된다. 따라서 상기 제1 패시베이션 박막(211) 및 상기 기판(20) 사이에는 계면이 형성된다. The first passivation
상기 제1 패시베이션 박막(211)은 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진다. 따라서, 상기 제1 패시베이션 박막(211) 및 상기 기판(20) 사이의 계면에 존재할 수 있는 댕글링 본드와 같은 결함이 감소될 수 있다. 이로써 계면 트랩 밀도(intefacial trap density; Dit)가 감소함으로써 계면 재결합이 억제될 수 있다.The first passivation
상기 제2 패시베이션 박막(213)은 상기 제1 패시베이션 박막(211) 상에 형성된다. 상기 제2 패시베이션 박막(213)은 상대적으로 높은 고정 전하 밀도(Qf)를 갖는 물질로 이루어진다. The second passivation
예를 들면, 상기 제2 패시베이션 박막(213)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다.For example, the second passivation
즉, 상기 제1 패시베이션 박막(211)과 물리적으로 컨택하는 상기 기판(20)의 상부가 p-type 특성 또는 n-type 특성을 가질 경우, 상기 제2 패시베이션 박막(213)을 이루는 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어질 수 있다.That is, when the upper portion of the
이로써, 우수한 고정 전하 밀도를 갖는 제2 패시베이션 박막(213)이 형성됨에 따라 전자 및 정공 쌍의 재결합이 억제될 수 있다.As a result, the recombination of the electron and hole pairs can be suppressed as the second passivation
상기 전면 전극(220)은 상기 이중막 패시베이션 구조물(210), 제2 패시베이션 박막(213) 상에 형성된다. 상기 상부 전극(140)은 그리드 형상을 가질 수 있다. 상기 전부 전극(220)은 상기 이중막 패시베이션 구조물(210)을 관통하여 상기 결정질 실리콘층(22)의 상면과 직접적으로 컨택하도록 구비된다. 이로써 상기 전면 전극(220) 및 상기 결정질 실리콘층(22) 사이의 저항이 감소될 수 있다.The
상기 후면 전극(230)은 상기 기판(20)의 후면에 배치된다. 상기 후면 전극(230)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)로 형성될 수 있다. The
상기 태양 전지(200)는 상기 후면 전극(230) 및 상기 기판(20) 사이에 배치된 후면 전계 효과층(240)을 더 포함할 수 있다.The
상기 후면 전계 효과층(240)은 전자 및 전공의 재결합에 의한 광전류 손실이 억제될 수 있다. 결과적으로 본 발명에 따른 태양 전지(200)가 개선된 광변환 효율을 가질 수 있다. The rear
본 발명의 실시예들에 따른 이중막 패시베이션 구조물은 태양 전지에 적용될 수 있다.The double-layer passivation structure according to embodiments of the present invention can be applied to a solar cell.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the present invention can be changed.
Claims (6)
상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과의 계면 결함을 억제하는 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진 제1 패시베이션 박막; 및
상기 제1 패시베이션 박막 상에 형성되며, 캐리어의 재결합을 억제하는 제2 배시베이션 박막을 포함하는 이중막 패시베이션 구조물.A double-layer passivation structure formed on a substrate forming a PN junction,
A first passivation thin film formed on the substrate and made of an intrinsic amorphous silicon material for suppressing interface defects with the substrate; And
A second passivation thin film formed on the first passivation thin film and inhibiting recombination of carriers.
상기 기판의 전면에 형성된 이중막 패시베이션 구조물;
상기 이중막 패시베이션 구조물 상에 형성된 전면 전극;
상기 기판의 후면에 형성된 후면 전극;
상기 이중막 패시베이션 구조물은, 상기 기판 상에 형성되며,
상기 기판과의 계면 결함을 억제하는 진성 비정질 실리콘 물질로 이루어진 제1 패시베이션 박막 및
상기 제1 패시베이션 박막 상에 형성되며, 캐리어의 재결합을 억제하는 제2 배시베이션 박막을 포함하는 태양 전지.A substrate forming a PN junction;
A bilayer passivation structure formed on a front surface of the substrate;
A front electrode formed on the bilayer passivation structure;
A rear electrode formed on a rear surface of the substrate;
Wherein the double-layer passivation structure is formed on the substrate,
A first passivation thin film made of an intrinsic amorphous silicon material for suppressing interface defects with the substrate,
And a second relief thin film formed on the first passivation thin film and suppressing recombination of carriers.
상기 제2 패시베이션 박막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 하프늄 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지.The method of claim 4, wherein the first passivation thin film has a tunneling effect when the thickness of the first passivation thin film is 2 nm or less,
Wherein the second passivation thin film is made of silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, or hafnium oxide.
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|---|---|---|---|
| KR1020150045138A KR20160117770A (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Double layered passivation structure and solar cell including the same |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111668320A (en) * | 2020-06-15 | 2020-09-15 | 中国科学院微电子研究所 | Silicon drift detector and processing method thereof |
-
2015
- 2015-03-31 KR KR1020150045138A patent/KR20160117770A/en not_active Application Discontinuation
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| CN111668320B (en) * | 2020-06-15 | 2022-08-26 | 中国科学院微电子研究所 | Silicon drift detector and processing method thereof |
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| J301 | Trial decision |
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