KR20160106553A - Film-like conductive adhesive, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도전성 필름형 접착제를 통해 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정과, 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정의 후에, 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 사용하기 위한 도전성 필름형 접착제를 제공한다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of die-bonding a semiconductor chip to an adherend through a conductive film-type adhesive and a step of die-bonding the semiconductor chip onto an adherend, A conductive film type adhesive for use in a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of thermally curing by heating for 300 minutes.
Description
본 발명은, 도전성 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive film type adhesive, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.
반도체 장치의 제조에 있어서 반도체 소자를 금속 리드 프레임 등에 접착하는 방법(소위 다이본딩법)은, 종래의 금-실리콘 공정(共晶)에서 시작하여, 땜납, 수지 페이스트에 의한 방법으로 추이해 왔다. 현재는, 도전성의 수지 페이스트를 사용하는 방법이 이용되고 있다. BACKGROUND ART [0002] In the manufacture of a semiconductor device, a method of adhering a semiconductor element to a metal lead frame or the like (so-called die bonding method) has been started by a conventional method using a solder or a resin paste starting from a gold-silicon process. At present, a method using a conductive resin paste is used.
그러나, 수지 페이스트를 이용하는 방법에서는, 보이드에 의해 도전성이 저하되거나, 수지 페이스트의 두께가 불균일하거나, 수지 페이스트가 비어져 나오는 것에 의해 패드가 오염된다고 하는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 수지 페이스트 대신에, 폴리이미드 수지를 함유하는 필름형의 접착제를 이용하는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). However, in the method using the resin paste, there is a problem that the conductivity is lowered by the voids, the thickness of the resin paste is uneven, or the resin paste is emptied and the pad is contaminated. In order to solve such a problem, a film-type adhesive containing a polyimide resin is sometimes used instead of a resin paste (for example, see Patent Document 1).
특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 도전성의 필름형 접착제를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는 경우가 많다. 그러나, 열경화시키는 시간이 길면 단위 시간당 제조할 수 있는 반도체 장치의 수량이 감소하여, 비용 증대의 원인이 될 수 있다.In the case of manufacturing a semiconductor device using a conductive film-type adhesive as described in
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 제조 효율을 향상시키는 것이 가능한 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 그 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a film-type adhesive capable of improving manufacturing efficiency, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device obtained by the method of manufacturing the semiconductor device do.
본 발명에 따른 도전성 필름형 접착제는, 도전성 필름형 접착제를 통해 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정과, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정의 후에, 상기 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 사용하기 위한 것이다. The conductive film-type adhesive according to the present invention is characterized by comprising a step of die-bonding a semiconductor chip onto an adherend through a conductive film-type adhesive and a step of die bonding the semiconductor chip onto an adherend, And a step of thermally curing by heating at 100 to 260 캜 for 3 minutes to 300 minutes.
상기 구성에 의하면, 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시킨다. 가열 시간을 3분간∼300분간의 비교적 짧은 시간으로 함으로써, 단위 시간당 제조할 수 있는 반도체 장치의 수량을 많게 할 수 있다. According to the above constitution, the conductive film type adhesive is thermally cured by heating at 100 ° C to 260 ° C for 3 minutes to 300 minutes. By setting the heating time to a relatively short time between 3 minutes and 300 minutes, the number of semiconductor devices that can be manufactured per unit time can be increased.
상기 구성에 있어서, 200℃에서 180분간 가열 경화시킨 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1 MPa∼3000 MPa인 것이 바람직하다. In the above constitution, it is preferable that the storage elastic modulus at 175 ° C after heating and curing at 200 ° C for 180 minutes is 1 MPa to 3000 MPa.
200℃에서 180분간 가열 경화시킨 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1 MPa 이상이면, 양호한 와이어본딩성을 얻을 수 있다. 또한, 수지 밀봉시의 칩 유동을 방지할 수 있다. 한편, 상기 저장 탄성률이 3000 MPa 이하이면, 반도체 장치에 충격이 가해졌을 때에도 지나치게 딱딱하지 않기 때문에, 도전성 필름형 접착제와 칩의 박리가 발생하기 어려워진다. 따라서, 그 도전성 필름형 접착제를 이용하여 제조되는 반도체 장치의 수율이 향상된다. When the storage elastic modulus at 175 ° C after heating and curing at 200 ° C for 180 minutes is 1 MPa or more, good wire bonding properties can be obtained. In addition, it is possible to prevent chip flow during resin sealing. On the other hand, if the storage elastic modulus is 3000 MPa or less, peeling of the conductive film-type adhesive and the chip hardly occurs because it is not too hard even when an impact is applied to the semiconductor device. Therefore, the yield of the semiconductor device manufactured using the conductive film type adhesive is improved.
상기 구성에 있어서는, 열경화성 수지와, 열경화성 수지를 경화시키는 경화제와, 열경화를 촉진시키는 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지와, 열경화성 수지를 경화시키는 경화제와, 열경화를 촉진하는 촉진제를 포함하면, 열경화후의 175℃에서의 저장 탄성률을 적합한 범위 내로 할 수 있다. In the above constitution, it is preferable to include a thermosetting resin, a curing agent for curing the thermosetting resin, and an accelerator for promoting thermosetting. When the thermosetting resin, the curing agent for curing the thermosetting resin, and the accelerator for accelerating the thermosetting are contained, the storage elastic modulus at 175 ° C after the thermosetting can be made within a suitable range.
도전성 필름형 접착제는, 도전성 입자를 포함시킴으로써 도전성을 부여할 수 있다. 도전성 필름형 접착제 중의 도전성 입자의 함유량은, 30 중량%∼95 중량%인 것이 바람직하다. 30 중량% 미만이면, 도전 패스의 형성이 어려운 경향이 있다. 한편, 95 중량%를 넘으면, 필름화가 어려운 경향이 있다. 또한, 금속층에 대한 밀착력이 저하되는 경향이 있다. The conductive film type adhesive can impart conductivity by including conductive particles. The content of the conductive particles in the conductive film type adhesive is preferably 30 wt% to 95 wt%. If it is less than 30% by weight, formation of a conductive path tends to be difficult. On the other hand, if it exceeds 95% by weight, film formation tends to be difficult. Further, the adhesion to the metal layer tends to be lowered.
도전성이 우수하다는 이유에서, 도전성 입자는, 금 입자, 은 입자, 구리 입자 및 피복 입자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 피복 입자는, 코어 입자 및 코어 입자를 피복하는 피복막을 구비한다. 피복막은, 금, 은 및 구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. For the reason of excellent conductivity, the conductive particles are preferably at least one selected from the group consisting of gold particles, silver particles, copper particles and coated particles. The coated particles include core particles and a coating film covering the core particles. The coating film preferably contains at least one kind selected from the group consisting of gold, silver and copper.
도전성 입자는, 애스펙트비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하고, 도전성 입자 100 중량% 중의 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량%∼100 중량%인 것이 바람직하다. The conductive particles preferably include plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more, and the content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is preferably 5 wt% to 100 wt%.
플레이트형 입자를 포함하는 도전성 필름형 접착제에서는, 플레이트형 입자끼리 면접촉함으로써 도전 패스가 형성된다. 한편, 구형 입자만을 배합하면, 구형 입자끼리의 점접촉에 의해 도전 패스가 형성된다. 따라서, 플레이트형 입자를 포함하는 도전성 필름형 접착제는, 구형 입자만을 포함하는 접착제에 비교해서 우수한 도전성을 얻을 수 있다. In the conductive film-type adhesive containing plate-like particles, the plate-like particles are in surface contact with each other to form a conductive path. On the other hand, when only spherical particles are mixed, a conductive path is formed by point contact between spherical particles. Therefore, the conductive film-type adhesive containing plate-like particles can obtain excellent conductivity as compared with an adhesive containing only spherical particles.
도전성 입자는, 구형의 구형 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 구형 입자의 입도 분포에 있어서, 피크가 2개 이상 존재하고, 0.2 ㎛∼0.8 ㎛의 입경 범위에 피크 A가 존재하고, 3 ㎛∼15 ㎛의 입경 범위에 피크 B가 존재하고, 피크 B의 입경의 피크 A의 입경에 대한 비가 5∼15인 것이 바람직하다. It is preferable that the conductive particles include spherical spherical particles. It is preferable that at least two peaks are present in the particle size distribution of the spherical particles, a peak A exists in a particle diameter range of 0.2 탆 to 0.8 탆, a peak B exists in a particle diameter range of 3 탆 to 15 탆, To the particle diameter of the peak A is preferably 5 to 15.
입도 분포에 있어서 피크 A 및 피크 B가 존재하는 도전성 필름형 접착제에서는, 피크 B를 형성하는 구형 입자의 사이(간극)에, 피크 A를 형성하는 구형 입자가 충전되기 때문에, 구형 입자끼리의 접촉점이 다수 형성된다. 따라서, 우수한 도전성을 얻을 수 있다. In the conductive film type adhesive in which the peaks A and B exist in the particle size distribution, the spherical particles forming the peak A are filled in the space (gap) between the spherical particles forming the peak B, Are formed. Therefore, excellent conductivity can be obtained.
본 발명은 또한, 도전성 필름형 접착제를 통해 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정과, 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정의 후에, 상기 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: after a step of die-bonding a semiconductor chip to an adherend through a conductive film-type adhesive and a step of die bonding the semiconductor chip onto an adherend, And a step of thermally curing by heating for 3 minutes to 300 minutes.
상기 구성에 의하면, 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시킨다. 가열 시간을 3분간∼300분간의 비교적 짧은 시간으로 함으로써, 단위 시간당 제조할 수 있는 반도체 장치의 수량을 많게 할 수 있다. According to the above constitution, the conductive film type adhesive is thermally cured by heating at 100 ° C to 260 ° C for 3 minutes to 300 minutes. By setting the heating time to a relatively short time between 3 minutes and 300 minutes, the number of semiconductor devices that can be manufactured per unit time can be increased.
또한, 본 발명은, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention also relates to a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device.
본 발명에 의하면, 제조 효율을 향상시키는 것이 가능한 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 그 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a film-type adhesive capable of improving the manufacturing efficiency, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device.
도 1은 필름형 접착제의 개략 단면도이다.
도 2는 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.
도 3은 변형예에 따른 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.
도 4는 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 배치한 모습의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 5는 반도체 웨이퍼를 개편화한 모습의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 6은 반도체 칩 부착 피착체의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a film-type adhesive.
2 is a schematic sectional view of a dicing tape with a film-type adhesive.
3 is a schematic cross-sectional view of a dicing tape with a film-type adhesive according to a modification.
4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor wafer is arranged on a dicing tape with a film-type adhesive.
5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor wafer is separated.
6 is a schematic sectional view of an adherend for attaching a semiconductor chip.
7 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device.
이하에 실시형태를 들어 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에만 한정되는 것이 아니다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments.
[필름형 접착제][Film type adhesive]
도 1에 도시한 바와 같이, 실시형태 1의 필름형 접착제(3)의 형태는 필름형이다. 필름형 접착제(3)는 도전성 및 열경화성을 구비한다. As shown in Fig. 1, the form of the film-
필름형 접착제(3)는, 이하의 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 사용된다. The film-
도전성 필름형 접착제를 통해 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정과, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정의 후에, 상기 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시키는 공정. After the step of die bonding the semiconductor chip onto the adherend through the conductive film type adhesive and the step of die bonding the semiconductor chip onto the adherend, the conductive film type adhesive is heated at 100 to 260 DEG C for 3 minutes to 300 Heat-curing step by heating for a minute.
필름형 접착제(3)는, 상기 열경화시키는 공정에 있어서, 3분간∼300분간의 비교적 짧은 시간으로 열경화되기 때문에, 단위 시간당 제조할 수 있는 반도체 장치의 수량을 많게 할 수 있다. Since the
또, 반도체 장치의 제조 방법의 상세에 관해서는 이후에 설명한다. Details of the manufacturing method of the semiconductor device will be described later.
필름형 접착제(3)는, 200℃에서 180분간 가열 경화시킨 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1 MPa∼3000 MPa인 것이 바람직하다. 200℃에서 180분간 가열 경화시킨 후의 175℃에서의 저장 탄성률이 1 MPa 이상이면, 양호한 와이어본딩성을 얻을 수 있다. 또한, 수지 밀봉시의 칩 유동을 방지할 수 있다. 한편, 상기 저장 탄성률이 3000 MPa 이하이면, 반도체 장치에 충격이 가해졌을 때에도 지나치게 딱딱하지 않기 때문에, 도전성 필름형 접착제와 칩의 박리가 발생하기 어려워진다. The film-
필름형 접착제(3)의 200℃에서 180분간 가열 경화시킨 후의 175℃에서의 저장 탄성률은, 열경화를 촉진시키는 촉진제의 함유량이나, 배합 재료의 작용기의 종류나 양에 의해 컨트롤할 수 있다. The storage elastic modulus at 175 占 폚 after the film-
필름형 접착제(3)는, 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높고, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다. The
아크릴 수지로는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로는, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다. The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer comprising one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a straight chain or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms Coalescence), and the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, An ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethylthio group, an ethylthio group, an ethylthio group, an ethylthio group, an ethylthio group, an ethylthio group, an ethylthio group, .
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 모노머로는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸말산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수말레산 또는 무수이타콘산 등과 같은 산무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다. The other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, (Meth) acrylate such as 6-hydroxyhexyl acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (Meth) acrylamide, 2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfone sulfonic acid, Peel (meth) the phosphoric acid group-containing monomer such as acrylate or (meth) sulfonic acid group-containing monomers or 2-hydroxy ethyl acrylate phosphate, such as one oxy-naphthalene sulfonic acid with an acrylic.
아크릴 수지 중에서도, 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만∼300만인 것이 보다 바람직하고, 50만∼200만인 것이 더욱 바람직하다. 상기 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또, 중량 평균 분자량은, GPC(겔ㆍ퍼미에이션ㆍ크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다. Among acrylic resins, the weight average molecular weight is preferably 100,000 or more, more preferably 300,000 to 3,000,000, and still more preferably 500,000 to 200,000. If it is within the above-mentioned numerical range, the adhesive property and the heat resistance are excellent. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated by polystyrene conversion.
열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40℃ 이상, 보다 바람직하게는 -35℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -25℃ 이상이다. -40℃ 미만이면, 필름형 접착제(3)가 끈적해져, 다이싱 테이프와 지나치게 달라붙어 픽업성이 나빠지는 경향이 있다. 또한, 열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -5℃ 이하, 보다 바람직하게는 -10℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -11℃ 이하이다. -10℃를 넘으면, 탄성률이 높아지고, 40℃ 정도의 저온에서 필름형 접착제(3)를 반도체 웨이퍼에 접착하기 어려워지는(저온 접착성이 저하되는) 경향이 있다. 또한, 열가소성 수지의 유리 전이 온도가 -5℃ 이하이면, 열경화 온도 부근에서의 필름형 접착제(3)의 유동성을 높일 수 있고, 압력하에서의 가열에 의해 보이드를 소멸시키는 것이 용이해진다. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -40 占 폚 or higher, more preferably -35 占 폚 or higher, and still more preferably -25 占 폚 or higher. If the temperature is lower than -40 占 폚, the film-
본 명세서에 있어서, 열가소성 수지의 유리 전이 온도는, Fox식에 의해 구한 이론치를 말한다. In the present specification, the glass transition temperature of the thermoplastic resin refers to the theoretical value obtained by the Fox equation.
또한, 유리 전이 온도를 구하는 다른 방법으로서, 시차 주사 열량계(DSC)에 의해 측정되는 최대 열흡수 피크시의 온도에 의해, 열가소성 수지의 유리 전이 온도를 구하는 방법도 있다. 구체적으로는, 측정하는 시료를 시차 주사 열량계(티ㆍ에이ㆍ인스트루먼트사 제조의 「Q-2000」)를 이용하여, 예측되는 시료의 유리 전이 온도(예측 온도)보다 약 50℃ 높은 온도에서 10분간 가열한 후, 예측 온도보다 50℃ 낮은 온도까지 냉각시켜 전처리하고, 그 후, 질소 분위기하 승온 속도 5℃/분으로 승온시켜 흡열 개시점 온도를 측정하고, 이것을 유리 전이 온도로 한다. As another method of obtaining the glass transition temperature, there is a method of obtaining the glass transition temperature of the thermoplastic resin by the temperature at the maximum heat absorption peak measured by a differential scanning calorimeter (DSC). Specifically, the sample to be measured is heated at a temperature of about 50 ° C higher than the glass transition temperature (predicted temperature) of the sample to be predicted by using a differential scanning calorimeter ("Q-2000" manufactured by T.A. After heating, the mixture is cooled to a temperature lower than the predicted temperature by 50 占 폚 and subjected to pretreatment. Thereafter, the temperature is elevated at a heating rate of 5 占 폚 / min under a nitrogen atmosphere, and the endothermic temperature is measured.
필름형 접착제(3)는, 열경화성 수지 등의 경화성 수지와, 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 열안정성을 향상시킬 수 있다. The
경화성 수지로는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로는 페놀 수지나 이미다졸계 화합물이 바람직하다. Examples of the curable resin include a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. Particularly, an epoxy resin containing less ionic impurities or the like which corrodes semiconductor elements is preferable. As the curing agent of the epoxy resin, phenol resin or imidazole compound is preferable.
에폭시 수지로는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 이작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다. The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, Polyfunctional epoxy resin or polyfunctional epoxy resin such as phenol resin, phenol resin, phenol resin, phenol resin, phenol resin, phenol resin, phenol resin, phenol resin, An epoxy resin such as a diallylamine type is used. Of these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylol ethane type epoxy resins are particularly preferable. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예컨대 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리퍼옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다. The phenolic resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and examples thereof include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butyl phenol novolac resin and nonyl phenol novolac resin, Resole-type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyperoxystyrene. Of these phenolic resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.
이미다졸계 화합물은, 예컨대 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11-Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시코쿠화성공업(주) 제조).The imidazole-based compound may be, for example, 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: C11-Z), 2-heptadecylimidazole Methylimidazole (trade name: 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole Benzimidazole (trade name: 2P4MZ), 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ) (Product name: 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate ), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name 2MZ- (Trade name: C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazole (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- Phenyl-4-methyl-imidazole (product name: 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) and the like (all manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.).
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예컨대 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1 당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5∼2.0 당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8∼1.2 당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 경화물의 특성이 열화하기 쉬워지기 때문이다. The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured product tend to deteriorate.
필름형 접착제(3)는, 25℃에서 고형인 경화성 수지 및 25℃에서 액상인 경화성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 양호한 저온 접착성을 얻을 수 있다. The
본 명세서에 있어서, 25℃에 있어서 액상이란, 25℃에 있어서 점도가 5000 Paㆍs 미만인 것을 말한다. 한편, 25℃에 있어서 고형이란, 25℃에 있어서 점도가 5000 Paㆍs 이상인 것을 말한다. In this specification, the liquid phase at 25 占 폚 means that the viscosity at 25 占 폚 is less than 5000 Pa 占 퐏. On the other hand, the solid at 25 占 폚 means that the viscosity at 25 占 폚 is 5000 Pa.s or more.
또, 점도는, Thermo Scientific사 제조의 모델 HAAKE Roto VISCO1을 이용하여 측정할 수 있다. The viscosity can be measured using a model HAAKE Roto VISCO1 manufactured by Thermo Scientific.
필름형 접착제(3)에 있어서, 경화성 수지 100 중량% 중의 25℃에서 고형인 경화성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10 중량% 이상, 보다 바람직하게는 12 중량% 이상이다. 10 중량% 미만이면, 필름형 접착제(3)가 끈적해져, 다이싱 테이프와 지나치게 달라붙어 픽업성이 나빠지는 경향이 있다. In the film-
한편, 경화성 수지 100 중량% 중의 25℃에서 고형인 경화성 수지의 함유량은, 바람직하게는 60 중량% 이하, 보다 바람직하게는 30 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 20 중량% 이하이다. 60 중량%를 넘으면, 40℃ 정도의 저온에서 필름형 접착제(3)를 반도체 웨이퍼에 접착하는 것이 어려워지는(저온 접착성이 저하되는) 경향이 있다. On the other hand, the content of the curable resin which is solid at 25 占 폚 in 100% by weight of the curable resin is preferably 60% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, and still more preferably 20% by weight or less. If it exceeds 60% by weight, it tends to be difficult to adhere the film-
필름형 접착제(3) 중의 열가소성 수지 및 경화성 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 5 중량% 이상, 보다 바람직하게는 10 중량% 이상이다. 5 중량% 이상이면, 필름으로서의 형상을 유지하기 쉽다. 또한, 열가소성 수지 및 경화성 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 70 중량% 이하, 보다 바람직하게는 60 중량% 이하이다. 70 중량% 이하이면, 도전성 입자가 적합하게 도전성을 발현한다. The total content of the thermoplastic resin and the curable resin in the
필름형 접착제(3)에 있어서, 열가소성 수지의 중량/경화성 수지의 중량이, 50/50∼10/90인 것이 바람직하고, 40/60∼15/85인 것이 보다 바람직하다. 50/50보다 열가소성 수지의 비율이 많아지면, 열안정성이 나빠지는 경향이 있다. 한편, 10/90보다 열가소성 수지의 비율이 적어지면, 필름화가 어려워지는 경향이 있다. In the film-type adhesive (3), the weight of the thermoplastic resin / the weight of the curable resin is preferably 50/50 to 10/90, more preferably 40/60 to 15/85. If the ratio of the thermoplastic resin is larger than 50/50, the thermal stability tends to deteriorate. On the other hand, if the proportion of the thermoplastic resin is smaller than 10/90, film formation tends to become difficult.
필름형 접착제(3)는, 도전성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도전성을 부여할 수 있다. 도전성 입자로는, 금 입자, 은 입자, 구리 입자, 피복 입자 등을 들 수 있다. The film-
피복 입자는, 코어 입자 및 코어 입자를 피복하는 피복막을 구비한다. 코어 입자는, 도전성, 비도전성의 어느 것이어도 좋고, 예컨대 유리 입자 등을 사용할 수 있다. 피복막으로는, 금을 포함하는 막, 은을 포함하는 막, 구리를 포함하는 막 등을 들 수 있다. The coated particles include core particles and a coating film covering the core particles. The core particles may be either conductive or non-conductive, and glass particles, for example, may be used. Examples of the coating film include a film containing gold, a film containing silver, a film containing copper, and the like.
도전성 입자의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여, 0.001배 이상(필름형 접착제(3)의 두께×0.001 이상)이 바람직하고, 0.1배 이상이 보다 바람직하다. 0.001배 미만이면, 도전 패스의 형성이 어려워, 도전성이 안정되지 않는 경향이 있다. 또한, 도전성 입자의 평균 입경은 필름형 접착제(3)의 두께에 대하여, 1배 이하(필름형 접착제(3)의 두께 이하)가 바람직하고, 0.8배 이하가 보다 바람직하다. 1배를 넘으면, 칩 균열을 일으킬 위험성이 있다. The average particle diameter of the conductive particles is not particularly limited, but is preferably 0.001 times or more (thickness of film-like adhesive 3 × 0.001 or more), and more preferably 0.1 times or more, with respect to the thickness of film- If it is less than 0.001 times, it is difficult to form a conductive path, and conductivity tends not to be stabilized. The average particle diameter of the conductive particles is preferably not more than 1 time (not more than the thickness of the film-like adhesive 3) with respect to the thickness of the film-
또, 도전성 입자의 평균 입경은, 광도식의 입도 분포계(HORIBA 제조, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다. The average particle diameter of the conductive particles is a value obtained by a photometric type particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, device name: LA-910).
도전성 입자의 비중은 0.7 이상이 바람직하고, 1 이상이 보다 바람직하다. 0.7 미만이면, 접착제 조성물 용액(와니스)의 제작시에 도전성 입자가 부유해 버려, 도전성 입자의 분산이 불균일해질 우려가 있다. 또한, 도전성 입자의 비중은 22 이하가 바람직하고, 21 이하가 보다 바람직하다. 22를 넘으면, 도전성 입자가 가라앉기 쉬워, 도전성 입자의 분산이 불균일해질 우려가 있다. The specific gravity of the conductive particles is preferably 0.7 or more, more preferably 1 or more. If it is less than 0.7, the conductive particles may float during the production of the adhesive composition solution (varnish), and the dispersion of the conductive particles may become uneven. The specific gravity of the conductive particles is preferably 22 or less, more preferably 21 or less. If it exceeds 22, the conductive particles tend to sink, and dispersion of the conductive particles may be uneven.
도전성 입자는, 플레이트형 입자, 구형 입자, 바늘형 입자, 필라멘트형 입자 등을 포함해도 좋다. 그 중에서도, 도전성 입자는, 플레이트형 입자, 구형 입자를 포함하는 것이 바람직하다. The conductive particles may include plate-like particles, spherical particles, needle-like particles, filament-like particles, and the like. Among them, the conductive particles preferably include plate-like particles and spherical particles.
플레이트형 입자로는, 예컨대 애스펙트비가 5 이상인 플레이트형의 입자를 들 수 있다. 5 이상이면, 플레이트형 입자끼리 면접촉하기 쉽고, 도전 패스가 용이하게 형성된다. The plate-like particles include, for example, plate-shaped particles having an aspect ratio of 5 or more. If it is 5 or more, plate-like particles are likely to come into surface contact with each other, and a conductive path can be easily formed.
애스펙트비는, 바람직하게는 8 이상, 보다 바람직하게는 10 이상이다. 한편, 애스펙트비는, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 100 이하, 더욱 바람직하게는 70 이하, 특히 바람직하게는 50 이하이다. The aspect ratio is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more. On the other hand, the aspect ratio is preferably 10000 or less, more preferably 100 or less, further preferably 70 or less, particularly preferably 50 or less.
플레이트형 입자의 애스펙트비는, 평균 장직경의 평균 두께에 대한 비(평균 장직경/평균 두께)이다. The aspect ratio of the plate-like particles is a ratio (average long diameter / average thickness) to an average thickness of the average long diameter.
본 명세서에 있어서, 플레이트형 입자의 평균 장직경은, 필름형 접착제(3)의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰하여, 랜덤으로 선택한 100개의 플레이트형 입자의 장직경을 측정함으로써 얻어지는 평균치이다. In the present specification, the average long diameter of the plate-like particles is obtained by observing the cross section of the film-
또한, 플레이트형 입자의 평균 두께는, 필름형 접착제(3)의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰하여, 랜덤으로 선택한 100개의 플레이트형 입자의 두께를 측정함으로써 얻어지는 평균치이다. The average thickness of the plate-like particles is an average value obtained by observing the cross section of the film-
플레이트형 입자의 평균 장직경은, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이상이다. 0.5 ㎛ 이상이면, 플레이트형 입자의 접촉 확률이 높아져 도통이 취하기 쉬워진다. The average long diameter of the plate-like particles is preferably 0.5 占 퐉 or more, and more preferably 1.0 占 퐉 or more. If it is 0.5 m or more, the probability of contact of the plate-shaped particles is increased, and conduction is easily obtained.
한편, 플레이트형 입자의 평균 장직경은, 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이하이다. 50 ㎛ 이하이면, 도포 와니스 단계에서의 입자의 침강이 생기기 어려워, 안정된 도포 와니스를 제작할 수 있다. On the other hand, the average long diameter of the plate-like particles is preferably 50 占 퐉 or less, and more preferably 30 占 퐉 or less. If it is 50 탆 or less, it is difficult for the particles to settle in the coating varnish step, and a stable coating varnish can be produced.
도전성 입자 100 중량% 중의 플레이트형 입자의 함유량은, 바람직하게는 5 중량% 이상, 보다 바람직하게는 10 중량% 이상이다. 도전성 입자 100 중량% 중의 플레이트형 입자의 함유량은, 100 중량%여도 좋지만, 바람직하게는 50 중량% 이하, 보다 바람직하게는 20 중량% 이하이다. The content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is preferably 5 wt% or more, and more preferably 10 wt% or more. The content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles may be 100 wt%, but is preferably 50 wt% or less, and more preferably 20 wt% or less.
도전성 입자는, 구형의 구형 입자를 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable that the conductive particles include spherical spherical particles.
구형 입자의 입도 분포에 있어서, 피크 A 및 피크 B가 적어도 존재하는 것이 바람직하다. 예컨대, 0.2 ㎛∼0.8 ㎛의 입경 범위에 피크 A가 존재하고, 3 ㎛∼15 ㎛의 입경 범위에 피크 B가 존재하는 것이 바람직하다. 필름형 접착제(3)에서는, 피크 B를 형성하는 구형 입자의 사이에, 피크 A를 형성하는 구형 입자가 충전됨으로써, 구형 입자끼리의 접촉점이 다수 형성된다. 따라서, 우수한 도전성을 얻을 수 있다. It is preferable that at least a peak A and a peak B exist in the particle size distribution of spherical particles. For example, it is preferable that the peak A exists in the range of the particle diameter of 0.2 탆 to 0.8 탆, and the peak B exists in the range of the particle diameter of 3 탆 to 15 탆. In the film-
피크 A가 0.2 ㎛ 이상의 입경 범위에 존재하면, 구형 입자끼리의 응집이 발생하기 어렵다. When the peak A is present in a particle diameter range of 0.2 탆 or more, aggregation of the spherical particles hardly occurs.
피크 A는 0.5 ㎛ 이상의 입경 범위에 존재하는 것이 바람직하다. It is preferable that the peak A is present in a particle diameter range of 0.5 탆 or more.
피크 A는 0.8 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하면, 피크 B를 형성하는 구형 입자의 사이에, 피크 A를 형성하는 구형 입자가 충전된다. 피크 A는 0.75 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하는 것이 바람직하다. When peak A is present in a particle diameter range of 0.8 占 퐉 or less, spherical particles forming peak A are filled between spherical particles forming peak B. The peak A is preferably present in a particle diameter range of 0.75 mu m or less.
피크 B는 3 ㎛ 이상의 입경 범위에 존재하면, 피크 B를 형성하는 구형 입자의 사이에, 피크 A를 형성하는 구형 입자가 충전된다. 피크 B는 3.5 ㎛ 이상의 입경 범위에 존재하는 것이 바람직하다. When the peak B exists in a particle diameter range of 3 占 퐉 or more, the spherical particles forming the peak A are filled between the spherical particles forming the peak B. It is preferable that the peak B exists in a range of particle diameters of 3.5 m or more.
피크 B가 15 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하면, 필름형으로 했을 때의 표면 거칠기가 억제되어, 피착체에 대하여 안정적으로 접착시킬 수 있다. 피크 B는 10 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하는 것이 바람직하고, 8 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하는 것이 보다 바람직하고, 6 ㎛ 이하의 입경 범위에 존재하는 것이 더욱 바람직하다. When the peak B is present in a particle diameter range of 15 占 퐉 or less, the surface roughness when the film is made into a film shape is suppressed, and the film can stably adhere to the adherend. The peak B is preferably present in a particle diameter range of 10 탆 or less, more preferably in a particle diameter range of 8 탆 or less, and more preferably in a particle diameter range of 6 탆 or less.
피크 B의 입경의 피크 A의 입경에 대한 비(피크 B의 입경/피크 A의 입경)가, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 7 이상이다. 5 이상이면, 피크 B를 형성하는 구형 입자의 사이에, 피크 A를 형성하는 구형 입자가 충전된다. The ratio of the particle diameter of peak B to the particle diameter of peak A (particle diameter of peak B / particle diameter of peak A) is preferably 5 or more, and more preferably 7 or more. 5 or more, spherical particles forming the peak A are filled in between the spherical particles forming the peak B.
한편, 피크 B의 입경의 피크 A의 입경에 대한 비가, 바람직하게는 15 이하, 보다 바람직하게는 10 이하이다. 15 이하이면, 구형 입자를 고충전할 수 있다. On the other hand, the ratio of the peak A to the particle diameter of the peak A is preferably 15 or less, more preferably 10 or less. If it is 15 or less, spherical particles can be filled up.
구형 입자의 입도 분포에 있어서, 피크 A 및 피크 B 이외의 피크가 존재해도 좋다. In the particle size distribution of the spherical particles, peaks other than the peak A and the peak B may be present.
구형 입자의 평균 입경은 바람직하게는 1 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 1.5 ㎛ 이상이다. 1 ㎛ 이상이면, 양호한 요철 추종성을 얻을 수 있다. 또한, 구형 입자의 평균 입경은 바람직하게는 10 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 8 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다. 10 ㎛ 이하이면, 필름 성형성이 양호하다. The average particle diameter of spherical particles is preferably 1 占 퐉 or more, and more preferably 1.5 占 퐉 or more. If it is 1 mu m or more, good irregularity followability can be obtained. The average particle diameter of spherical particles is preferably 10 占 퐉 or less, more preferably 8 占 퐉 or less, and further preferably 5 占 퐉 or less. If it is 10 μm or less, film formability is good.
또, 구형 입자의 입도 분포 및 평균 입경은, 하기 방법으로 측정할 수 있다. The particle size distribution and the average particle diameter of spherical particles can be measured by the following method.
구형 입자의 입도 분포 및 평균 입경의 측정Measurement of particle size distribution and average particle size of spherical particles
필름형 접착제(3)를 도가니에 넣고, 강열하여 필름형 접착제(3)를 회화(灰化)시킨다. 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만 쿨터사 제조, 「LS 13 320」; 습식법)를 이용하여 입도 분포(체적 기준) 및 평균 입경을 구한다. The film-
도전성 입자 100 중량% 중의 구형 입자의 함유량은, 바람직하게는 5 중량% 이상, 보다 바람직하게는 80 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 90 중량% 이상, 특히 바람직하게는 100 중량%이다. The content of the spherical particles in 100 wt% of the conductive particles is preferably 5 wt% or more, more preferably 80 wt% or more, still more preferably 90 wt% or more, particularly preferably 100 wt%.
필름형 접착제(3) 중의 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 30 중량% 이상, 보다 바람직하게는 40 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 60 중량% 이상, 특히 바람직하게는 70 중량% 이상이다. 30 중량% 미만이면, 도전 패스의 형성이 어려운 경향이 있다. 또한, 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 95 중량% 이하, 보다 바람직하게는 94 중량% 이하이다. 95 중량%를 넘으면, 필름화가 어려운 경향이 있다. 또한, 밀착력이 저하되는 경향이 있다. The content of the conductive particles in the
필름형 접착제(3)는, 열경화를 촉진하는 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 에폭시 수지와 페놀 수지 등의 경화제의 열경화를 촉진할 수 있다. It is preferable that the
상기 촉진제로는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄디시안아미드(상품명; TPP-DCA), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등의 인-붕소계 경화 촉진제를 들 수 있다(모두 홋코화학공업(주) 제조). Examples of the accelerator include, but are not limited to, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium dicyanamide (trade name: TPP-DCA), tetraphenylphosphonium tetra- Boron-based curing accelerators such as triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-MK) and triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-S) (all manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.).
또한, 상기 촉진제로는, 예컨대 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11-Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등의 이미다졸계 경화 촉진제를 들 수 있다(모두 시코쿠화성공업(주) 제조). Examples of the accelerators include 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: C11-Z), 2-heptadecylimidazole (trade name: C17Z) Methylimidazole (trade name: 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole 2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name: 1B2PZ), 1-cyanoethyl- (Product name: 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate 2MZ-A), 2,4-diamino-6- (2'-methylimidazolyl- (2'-undecylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: C11Z-A), 2,4-diamino- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'- methylimidazolyl- Phenyl-4-methyl-imidazole (product name: 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl- And imidazole-based curing accelerators such as 5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) (all manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.).
그 중에서도, 필름형 접착제의 보존성의 관점에서, 잠재성이 우수한 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K)나, 테트라페닐포스포늄디시안아미드(상품명; TPP-DCA)가 바람직하다. Of these, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K) and tetraphenylphosphonium dicyanamide (trade name: TPP-DCA) which are excellent in latency are preferable from the standpoint of preservability of the film type adhesive.
상기 촉진제의 함유량은 적절하게 설정할 수 있지만, 필름형 접착제의 구성 재료로부터 도전성 입자를 제외한 재료의 100 중량부에 대하여, 0.05∼10 중량부가 바람직하고, 0.1∼5 중량부가 보다 바람직하다. The content of the promoter may be appropriately set, but is preferably 0.05 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the material excluding the conductive particles from the constituent material of the film type adhesive.
필름형 접착제(3)는, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예컨대 가교제 등을 적절하게 함유해도 좋다. In addition to the above components, the film-
필름형 접착제(3)는, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예컨대, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 건조시킴으로써 필름형 접착제(3)를 제조할 수 있다. The film-
접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예컨대, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 도공의 방법으로는, 예컨대 다이 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프닥터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도포 두께의 균일성이 높다고 하는 점에서 다이 코터가 바람직하다. The solvent used in the adhesive composition solution is not particularly limited, but an organic solvent capable of uniformly dissolving, kneading or dispersing the above components is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene. The application method is not particularly limited. Examples of the solvent coating method include a die coater, a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, a comma coater, a pipe doctor coater, a screen printing, and the like. Among them, a die coater is preferable in that the uniformity of the coating thickness is high.
기재 세퍼레이터로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로는, 예컨대 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 건조 온도 70∼160℃, 건조 시간 1∼5분간 행할 수 있다. As the substrate separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used. Examples of the application method of the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying condition of the coating film is not particularly limited, and can be, for example, a drying temperature of 70 to 160 캜 and a drying time of 1 to 5 minutes.
필름형 접착제(3)의 제조 방법으로는, 예컨대 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 필름형 접착제(3)를 제조하는 방법 등도 적합하다. 믹서로는 플라네터리 믹서 등을 들 수 있다. As a method for producing the film-
필름형 접착제(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 15 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 5 ㎛ 미만이면, 휘어짐이 생긴 반도체 웨이퍼나 반도체 칩과 접착하지 않는 개소가 발생하여, 접착 면적이 불안정해지는 경우가 있다. 또한, 필름형 접착제(3)의 두께는 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 100 ㎛을 넘으면, 다이 어태치의 하중에 의해 필름형 접착제(3)가 과도하게 비어져 나와, 패드를 오염시키는 경우가 있다. The thickness of the film-
필름형 접착제(3)의 표면 거칠기(Ra)는, 0.1∼5000 nm이 바람직하다. 0.1 nm 미만은 배합상 어렵다. 한편, 5000 nm을 넘으면, 다이 어태치시의 피착체에 대한 접착성이 저하될 우려가 있다. The surface roughness (Ra) of the film-
필름형 접착제(3)의 전기 저항률은 낮을수록 바람직하고, 예컨대 9×10-2 Ωㆍm 이하이다. 9×10-2 Ωㆍm 이하이면, 도전성이 좋아, 소형ㆍ고밀도 실장에 대응할 수 있다. 한편, 전기 저항률은, 바람직하게는 1×10-6 Ωㆍm 이상이다. The electric resistivity of the film-
필름형 접착제(3)의 열전도율은 높을수록 바람직하고, 예컨대 0.5 W/mㆍK 이상이다. 0.5 W/mㆍK 이상이면, 방열성이 좋아, 소형ㆍ고밀도 실장에 대응할 수 있다. 한편, 0.5 W/mㆍK 미만이면, 방열성이 나빠, 열이 체류하고, 도전성을 악화시킬 우려가 있다. The higher the thermal conductivity of the film-
필름형 접착제(3)의 120℃의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 10 MPa 이하, 보다 바람직하게는 5 MPa 이하이다. 10 MPa 이하이면, 열경화 온도 부근에서의 필름형 접착제(3)의 유동성이 높고, 압력하에서의 가열에 의해 보이드를 소멸시키는 것이 용이하다. 120℃의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 0.01 MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.05 MPa 이상이다. 0.01 MPa 이상이면, 필름형 접착제(3)가 비어져 나오기 어렵다. The tensile storage modulus of the film-
120℃의 인장 저장 탄성률은, 이하의 방법으로 측정할 수 있다. The tensile storage modulus at 120 占 폚 can be measured by the following method.
120℃의 인장 저장 탄성률의 측정Measurement of tensile storage modulus at 120 ° C
필름형 접착제(3)로부터, 세로 30 mm, 폭 10 mm, 두께 400 ㎛의 직사각형의 측정편을 절취한다. 측정편에 관해, 고정 점탄성 측정 장치(RSA-II, 레오메트릭 사이언티픽사 제조)를 이용하여 척폭 22.6 mm, 0℃∼200℃에서의 인장 저장 탄성률을 주파수 1 Hz, 승온 속도 10℃/분의 조건하에 측정한다. A measuring piece of a rectangular shape having a length of 30 mm, a width of 10 mm and a thickness of 400 탆 is cut out from the film-
120℃의 인장 저장 탄성률은, 열가소성 수지의 유리 전이 온도, 도전성 입자의 배합량 등에 의해 컨트롤할 수 있다. 예컨대, 유리 전이 온도가 낮은 열가소성 수지를 배합함으로써, 120℃의 인장 저장 탄성률을 저하시킬 수 있다. The tensile storage modulus at 120 占 폚 can be controlled by the glass transition temperature of the thermoplastic resin, the amount of conductive particles to be blended, and the like. For example, by adding a thermoplastic resin having a low glass transition temperature, the tensile storage modulus at 120 캜 can be lowered.
필름형 접착제(3)는, 반도체 장치의 제조에 사용된다. 그 중에서도, 파워 반도체 장치의 제조에 특히 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리드 프레임 등의 피착체와 반도체 칩을 접착하는(다이 어태치하는) 다이 어태치 필름으로서 사용된다. 피착체로는, 리드 프레임, 인터포저, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 리드 프레임이 바람직하다. The film-
필름형 접착제(3)는, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 이 형태로 사용하면, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프에 접착된 상태의 반도체 웨이퍼를 핸들링할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼 단체(單體)로 핸들링할 기회를 줄일 수 있어, 핸들링성이 양호하다. 따라서, 최근의 박형의 반도체 웨이퍼라 하더라도 양호하게 핸들링할 수 있다. The
[필름형 접착제 부착 다이싱 테이프][Dicing tape with film-type adhesive]
필름형 접착제 부착 다이싱 테이프에 관해 설명한다. The dicing tape with a film-type adhesive will be described.
도 2에 도시한 바와 같이, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)는, 다이싱 테이프(1) 및 다이싱 테이프(1) 상에 배치된 필름형 접착제(3)를 구비한다. 다이싱 테이프(1)는, 기재(11) 및 기재(11) 상에 배치된 점착제층(12)을 구비한다. 필름형 접착제(3)는 점착제층(12) 상에 배치되어 있다. As shown in Fig. 2, the dicing
도 3에 도시한 바와 같이, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)는, 워크(반도체 웨이퍼(4) 등) 접착 부분에만 필름형 접착제(3)를 형성한 구성이어도 좋다. As shown in Fig. 3, the dicing
기재(11)는, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)의 강도 모체가 되는 것이며, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재(11)로는, 예컨대 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 클로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. The base material 11 is a base material for the dicing
기재(11)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예컨대 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. The surface of the base material 11 is subjected to chemical or physical treatments such as surface treatment for common use such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure, ionizing radiation treatment, and the like for the purpose of enhancing adhesion, A coating treatment with an undercoating agent (for example, an adhesive substance described later) can be carried out.
기재(11)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5∼200 ㎛ 정도이다. The thickness of the substrate 11 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 mu m.
점착제층(12)의 형성에 이용하는 점착제로는 특별히 제한되지 않고, 예컨대 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 이용할 수 있다. 감압성 접착제로는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알콜 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다. The pressure-sensitive adhesive to be used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, and general pressure-sensitive adhesives such as an acrylic pressure-sensitive adhesive and a rubber pressure-sensitive adhesive can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part which is not susceptible to contamination of a semiconductor wafer or glass, and clean cleaning property by an organic solvent such as alcohol.
아크릴계 폴리머로는, 예컨대 (메트)아크릴산알킬에스테르(예컨대, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1∼30, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄형 또는 분기쇄형의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예컨대, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)는 모두 동일한 의미이다. Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (such as methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopentyl And examples thereof include esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Octadecyl ester, and eicosyl ester), and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl (meth) acrylate, Esters and the like) as a monomer component, There may be mentioned polymers. The (meth) acrylic acid ester refers to an acrylate ester and / or methacrylate ester, and the (meth) acrylates of the present invention have the same meaning.
아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수말레산, 무수이타콘산 등의 산무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전 모노머 성분의 40 중량% 이하가 바람직하다. The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Containing sulfonic acid group such as styrene sulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamide propanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.
또한, 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해, 다작용성 모노머 등도 필요에 따라서 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다작용성 모노머로서, 예컨대 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전 모노머 성분의 30 중량% 이하가 바람직하다. In order to crosslink the acrylic polymer, a multi-functional monomer or the like may be contained as a monomer component for copolymerization as needed. Examples of the polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propyleneglycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester ) Acrylate, and urethane (meth) acrylate. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total monomer component in view of adhesion and the like.
아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합시키는 것에 의해 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만∼300만 정도이다. The acrylic polymer is obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. The polymerization may be carried out by any of various methods such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In this respect, the number average molecular weight of the acryl-based polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably 400,000 to 3,000,000.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 또한 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 5 중량부 정도 이하, 나아가 0.1∼5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라, 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용해도 좋다. In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer or the like as the base polymer, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and also depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is 5 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer. In addition to the above components, additives known in the art such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.
점착제층(12)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily lower the adhesive force.
도 2에 나타내는 점착제층(12)의 워크 접착 부분에 대응하는 부분(12a)만을 방사선 조사함으로써 다른 부분(12b)과의 점착력의 차를 설정할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(12b)은 필름형 접착제(3)와 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. Only the portion 12a corresponding to the work adhesion portion of the pressure-sensitive adhesive layer 12 shown in Fig. 2 can be irradiated with radiation to set the difference in adhesive force with the other portion 12b. In this case, the portion 12b formed by the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive adheres to the film-
또한, 도 3에 나타내는 필름형 접착제(3)에 맞춰 방사선 경화형의 점착제층(12)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저히 저하된 상기 부분(12a)을 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(12b)에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다. In addition, by curing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 in accordance with the film-
즉, 점착제층(12)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층(12)에서의 상기 부분(12a)의 점착력<그 밖의 부분(12b)의 점착력이 되도록 상기 부분(12a)을 방사선 조사하는 것이 바람직하다. That is, in the case where the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, the portion 12a is irradiated with radiation such that the adhesive strength of the portion 12a in the pressure- It is desirable to investigate.
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가지며, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로는, 예컨대 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be used without any particular limitation, which has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. Examples of radiation-curing pressure-sensitive adhesives include addition-type radiation-curing pressure-sensitive adhesives prepared by compounding a radiation-curable monomer component or an oligomer component with a common pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive and the rubber pressure-
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로는, 예컨대 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100∼30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라서, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 5∼500 중량부, 바람직하게는 40∼150 중량부 정도이다. Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri , Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-curable oligomer component include urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based and polybutadiene-based oligomers, and the molecular weight thereof is suitably in the range of about 100 to 30000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, it is about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
또한, 방사선 경화형 점착제로는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이 포함하지는 않기 때문에, 시간의 경과에 따라 올리고머 성분 등이 점착제 재중을 이동하지 않고, 안정된 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesives include radiation-curing pressure-sensitive adhesives of the internal type employing, as the base polymer, those having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal in addition to the addition type radiation- The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type does not need to contain or contain a low molecular weight oligomer component or the like. Therefore, the oligomer component or the like does not migrate over time and the pressure-sensitive adhesive layer Can be formed.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다. The base polymer having a carbon-carbon double bond may be a polymer having a carbon-carbon double bond and having a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.
상기 아크릴계 폴리머에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다. There are no particular restrictions on the method for introducing the carbon-carbon double bond to the acryl-based polymer, and various methods can be adopted. However, molecular design is easy to introduce the carbon-carbon double bond into the polymer side chain. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance in an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed or added while maintaining the radiation curability of the carbon- .
이들 작용기의 조합의 예로는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이라면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 쪽에 있어도 좋지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 가지며, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로는, 예컨대 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로는, 상기 예시한 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다. Examples of the combination of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable for easy tracking of the reaction. The functional group may be either an acryl-based polymer or the above-mentioned compound, provided that the combination of these functional groups is used to produce the acrylic-based polymer having the carbon-carbon double bond. In the above preferred combination, , And the compound having an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- alpha, alpha -dimethyl benzyl isocyanate and the like . As the acryl-based polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-mentioned hydroxyl group-containing monomer, an ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether or the like is used.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 30 중량부의 범위 내이고, 바람직하게는 0∼10 중량부의 범위이다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type may use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (in particular acrylic polymer) alone, but it is also possible to mix the radiation curable monomer component or oligomer component have. The radiation-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로는, 예컨대 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스피녹시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.05∼20 중량부 정도이다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when it is cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include a photopolymerization initiator such as 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy -?,? '- dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropylphenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; A photoactive oxime-based compound such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, A thioxanthone compound such as 2,4-diisopropylthioxanthone; Campquinone; Halogenated ketones; Acylphosphinoxides; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
또한 방사선 경화형 점착제로는, 예컨대 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있다, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다. Examples of radiation-curable pressure-sensitive adhesives include those disclosed in JP 60-196956 A, an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, a photopolymerizable compound such as an alkoxysilane having an epoxy group, Based pressure-sensitive adhesives, acrylic pressure-sensitive adhesives, etc., containing a photopolymerization initiator such as organic sulfur compounds, peroxides, amines, and onium salt compounds.
상기 방사선 경화형의 점착제층(12) 중에는, 필요에 따라서, 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해, 착색하는 화합물을 점착제층(12)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 방사선 조사전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이며, 예컨대 류코 염료 등을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물의 사용 비율은 적절하게 설정할 수 있다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 may contain a compound that is colored by radiation if necessary. By incorporating a coloring compound into the pressure-sensitive adhesive layer 12 by irradiation with radiation, only the irradiated portion can be colored. The compound which is colored by irradiation with light is colorless or pale before irradiation, but is a compound which becomes colored by irradiation, and examples thereof include leuco dyes and the like. The use ratio of the compound that is colored by irradiation with radiation can be appropriately set.
점착제층(12)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 이지러짐 방지나 필름형 접착제(3)의 고정 유지의 양립성 등의 점에서는, 1∼50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2∼30 ㎛, 나아가 5∼25 ㎛이 바람직하다. Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, it is preferably about 1 to 50 占 퐉, from the viewpoint of preventing the chip cut surface from becoming tortuous and the film-
필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)의 필름형 접착제(3)는, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실사용시까지 필름형 접착제(3)를 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 세퍼레이터는 필름형 접착제(3) 상에 워크를 접착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다. It is preferable that the film-
필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)는, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예컨대, 다이싱 테이프(1)의 점착제층(12)과 필름형 접착제(3)를 접합함으로써 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)를 제조할 수 있다. The dicing
박리 온도 25℃, 박리 속도 300 mm/min의 조건하에서, 필름형 접착제(3)를 다이싱 테이프(1)로부터 박리했을 때의 박리력이 0.01∼3.00 N/20 mm인 것이 바람직하다. 0.01 N/20 mm 미만이면, 다이싱시에 칩 비산이 발생할 우려가 있다. 한편, 3.00 N/20 mm을 넘으면, 픽업이 어려워지는 경향이 있다. It is preferable that the peeling force when the
[반도체 장치의 제조 방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]
반도체 장치의 제조 방법에 관해 설명한다. A manufacturing method of a semiconductor device will be described.
도 4에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)에 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)를 압착한다. 반도체 웨이퍼(4)로는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다. As shown in Fig. 4, the dicing
압착 방법으로는, 예컨대 압착 롤 등의 압박 수단에 의해 압박하는 방법 등을 들 수 있다. Examples of the pressing method include a method of pressing by a pressing means such as a pressing roll.
압착 온도(접착 온도)는, 35℃ 이상이 바람직하고, 37℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 편이 바람직하고, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 45℃ 이하이다. 저온에서 압착함으로써, 반도체 웨이퍼(4)에 미치는 열영향을 방지하는 것이 가능하고, 반도체 웨이퍼(4)의 휘어짐을 억제할 수 있다. The bonding temperature (bonding temperature) is preferably 35 DEG C or higher, more preferably 37 DEG C or higher. The upper limit of the compression temperature is preferably as low as possible, preferably not higher than 50 占 폚, more preferably not higher than 45 占 폚. It is possible to prevent the
또한, 압력은, 1×105 Pa∼1×107 Pa인 것이 바람직하고, 2×105 Pa∼8×106 Pa인 것이 보다 바람직하다. The pressure is preferably in the range of 1 × 10 5 Pa to 1 × 10 7 Pa and more preferably in the range of 2 × 10 5 Pa to 8 × 10 6 Pa.
다음으로, 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 즉, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 사이즈에 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(5)을 절취한다. 다이싱은, 통상의 방법에 따라서 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예컨대 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)까지 컷팅하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)에 의해 접착 고정되어 있기 때문에, 칩 이지러짐이나 칩 비산을 억제할 수 있는 동시에, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다. Next, as shown in Fig. 5, the
필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러가지 방법을 채용할 수 있다. 예컨대, 개개의 반도체 칩(5)을 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)측으로부터 니들에 의해 들어 올리고, 들어 올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다. The
여기서 픽업은, 점착제층(12)이 자외선 경화형인 경우, 그 점착제층(12)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 따라, 점착제층(12)의 필름형 접착제(3)에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키지 않고 픽업이 가능해진다. 자외선 조사시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절하게 필요에 따라서 설정하면 된다. Here, the pick-up is carried out after irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 with ultraviolet rays when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is of the ultraviolet curing type. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12 to the film-
도 6에 도시한 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을 필름형 접착제(3)를 통해 피착체(6)에 접착 고정하여, 반도체 칩 부착 피착체(61)를 얻는다. 반도체 칩 부착 피착체(61)는, 피착체(6), 피착체(6) 상에 배치된 필름형 접착제(3) 및 필름형 접착제(3) 상에 배치된 반도체 칩(5)을 구비한다. The picked up
다이 어태치 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 90℃ 이상이다. 또한, 다이 어태치 온도는, 바람직하게는 150℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이하이다. 150℃ 이하로 함으로써, 다이 어태치후의 휘어짐의 발생을 방지할 수 있다. The die attach temperature is preferably 80 占 폚 or higher, and more preferably 90 占 폚 or higher. The die attach temperature is preferably 150 占 폚 or lower, and more preferably 130 占 폚 or lower. 150 DEG C or less, it is possible to prevent occurrence of warp after die attach.
계속해서, 반도체 칩 부착 피착체(61)를 가열함으로써 필름형 접착제(3)를 열경화시켜, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 열경화시의 온도 조건은, 100℃∼260℃의 범위 내이고, 110℃∼230℃의 범위 내인 것이 바람직하고, 120℃∼200℃의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 열경화시에 상기 온도하로 유지하는 시간 조건은, 3분간∼300분간의 범위 내이며, 10분간∼240분간의 범위 내인 것이 바람직하고, 30분간∼180분간의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 가열 시간이 3분간∼300분간의 비교적 짧은 시간이므로, 단위 시간당 제조할 수 있는 반도체 장치의 수량을 많게 할 수 있다. Subsequently, the adherend 61 attached with the semiconductor chip is heated to thermally cure the film-
열경화는, 가압하에 행하는 것이 바람직하다. 가압하에 필름형 접착제(3)를 열경화시키면, 필름형 접착제(3)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하고, 필름형 접착제(3)가 피착체(6)와 접촉하는 면적을 확보할 수 있다. The thermal curing is preferably carried out under pressure. It is possible to extinguish the voids existing between the
가압하에 가열하는 방법으로는, 예컨대 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된 반도체 칩 부착 피착체(61)를 가열하는 방법 등을 들 수 있다. As a method of heating under pressure, for example, a method of heating an adherend 61 having a semiconductor chip disposed in a chamber filled with an inert gas, and the like can be given.
가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5 ㎏/㎠(4.9×10-2 MPa) 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎏/㎠(9.8×10-2 MPa) 이상, 더욱 바람직하게는 5 ㎏/㎠(4.9×10-1 MPa) 이상이다. 0.5 ㎏/㎠ 이상이면, 필름형 접착제(3)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20 ㎏/㎠(1.96 MPa) 이하, 보다 바람직하게는 18 ㎏/㎠(1.77 MPa) 이하, 더욱 바람직하게는 15 ㎏/㎠(1.47 MPa) 이하이다. 20 ㎏/㎠ 이하이면, 과도한 가압에 의해 필름형 접착제(3)가 비어져 나오는 것을 억제할 수 있다. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably not less than 0.5 kg / cm 2 (4.9 × 10 -2 MPa), more preferably not less than 1 kg / cm 2 (9.8 × 10 -2 MPa), more preferably not less than 5 kg / 4.9 x 10 < -1 > MPa). If it is 0.5 kg /
가압하에 가열할 때의 가열 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 110℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상, 특히 바람직하게는 170℃ 이상이다. 100℃ 이상이면, 필름형 접착제(3)를 적당한 경도로 하는 것이 가능하고, 가압 경화에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. The heating temperature at the time of heating under pressure is preferably 100 占 폚 or higher, more preferably 110 占 폚 or higher, further preferably 120 占 폚 or higher, particularly preferably 170 占 폚 or higher. If it is 100 DEG C or higher, the
가열 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 260℃ 이하이면, 경화전의 필름형 접착제(3)의 분해를 방지할 수 있다. The heating temperature is preferably 260 占 폚 or lower, more preferably 200 占 폚 or lower, and more preferably 180 占 폚 or lower. If it is 260 占 폚 or lower, decomposition of the film-
가압하에 가열할 때의 가열 시간은, 바람직하게는 3분간 이상, 보다 바람직하게는 15분간 이상, 더욱 바람직하게는 30분간 이상이다. 3분간 이상이면, 가압의 효과를 충분히 얻을 수 있다. 가열 시간은, 바람직하게는 300분간 이하, 보다 바람직하게는 180분간 이하, 더욱 바람직하게는 120분간 이하, 보다 더 바람직하게는 60분간 이하이다. The heating time under heating under pressure is preferably at least 3 minutes, more preferably at least 15 minutes, more preferably at least 30 minutes. If it is more than 3 minutes, the effect of pressurization can be sufficiently obtained. The heating time is preferably 300 minutes or less, more preferably 180 minutes or less, still more preferably 120 minutes or less, even more preferably 60 minutes or less.
다음으로, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)로는, 예컨대 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 이용된다. 와이어본딩을 행할 때의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이고, 그 온도는, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한, 그 가열 시간은 수초∼수분간(예컨대 1초∼1분간) 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태로, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다. Next, a wire bonding step for electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the
계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로는, 예컨대 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이고, 그 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. Subsequently, a sealing step for sealing the
필요에 따라서, 밀봉물을 더 가열해도 좋다(후경화 공정). 이에 따라, 밀봉 공정에서 경화가 부족한 밀봉 수지(8)를 완전히 경화할 수 있다. 가열 온도는 적절하게 설정할 수 있다. If necessary, the sealing material may be further heated (post-curing step). As a result, the sealing
이상과 같이, 실시형태 1에서는, 필름형 접착제(3)를 통해 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이본드하는 공정과, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이본드하는 공정의 후에, 필름형 접착제(3)를 가압하에 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함하는 방법에 의해 반도체 장치를 제조한다. As described above, in the first embodiment, the
보다 구체적으로는, 실시형태 1의 방법은, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프(10)의 필름형 접착제(3) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 배치하는 공정과, 필름형 접착제(3) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하여 반도체 칩(5)을 형성하는 공정과, 반도체 칩(5)을 필름형 접착제(3)와 함께 픽업하는 공정과, 필름형 접착제(3)를 통해 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이본드하는 공정과, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 다이본드하는 공정의 후에, 필름형 접착제(3)를 가압하에 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함한다. More specifically, the method of
실시예Example
이하, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples unless it departs from the gist thereof.
실시예에서 사용한 성분에 관해 설명한다. The components used in the examples will be described.
테이산레진 SG-280 EK23: 나가세켐텍스(주) 제조의 테이산레진 SG-280 EK23(열가소성 수지, Mw: 90만, 산가: 30 mgKOH/g)TE-SAN RESIN SG-280 EK23 (thermoplastic resin, Mw: 90,000, acid value: 30 mgKOH / g) manufactured by Nagase ChemteX Co.,
테이산레진 SG-70L: 나가세켐텍스(주) 제조의 테이산레진 SG-70L(카르복실기를 포함하는 아크릴 공중합체, Mw: 90만, 산가: 5 mgKOH/g, 유리 전이 온도: -13℃)(Acrylic copolymer containing carboxyl group, Mw: 90,000, acid value: 5 mgKOH / g, glass transition temperature: -13 캜) manufactured by Nagase Chemtech Co.,
아루폰 UC-3510: 토아합성(주) 제조의 아루폰 UC-3510(열가소성 수지, Mw: 2000, 산가: 70 mgKOH/g) Arufon UC-3510: Arufon UC-3510 (thermoplastic resin, Mw: 2000, acid value: 70 mgKOH / g) manufactured by Toagosei Co.,
JER828: 미쓰비시화학(주) 제조의 JER828(열경화성 수지, 에폭시 당량 184∼194) JER828: JER828 (thermosetting resin, epoxy equivalent 184 to 194) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
EPICLON EXA-4850-150: DIC(주) 제조의 EPICLON EXA-4850-150(열경화성 수지, 에폭시 당량 450) EPICLON EXA-4850-150: EPICLON EXA-4850-150 (thermosetting resin, epoxy equivalent 450) manufactured by DIC Co.,
EPICLON HP-4700: DIC(주) 제조의 EPICLON HP-4700D(열경화성 수지, 에폭시 당량 160) EPICLON HP-4700: EPICLON HP-4700D (thermosetting resin, epoxy equivalent 160) manufactured by DIC Co.,
EPICLON HP-4032D: DIC(주) 제조의 EPICLON HP-4032D(열경화성 수지, 에폭시 당량 136∼148) EPICLON HP-4032D: EPICLON HP-4032D (thermosetting resin, epoxy equivalents: 136 to 148) manufactured by DIC Co.,
EPPN-501HY: 니혼카야쿠(주)의 EPPN-501HY(열경화성 수지, 에폭시 당량 163∼175) EPPN-501HY: EPPN-501HY (thermosetting resin, epoxy equivalent 163 to 175) manufactured by Nippon Kayaku Co.,
MEH-8400: 메이와화성(주) 제조의 MEH-8400(경화제, 수산기 당량 111)MEH-8400: MEH-8400 (curing agent, hydroxyl equivalent of 111) manufactured by Meiwa Chemical Industry Co.,
MEH-8000H: 메이와화성(주) 제조의 MEH-8000(경화제, 수산기 당량 139∼143)MEH-8000H: MEH-8000 (curing agent, hydroxyl equivalent of 139 to 143) manufactured by Meiwa Chemical Industry Co.,
2PHZ-PW: 시코쿠화성공업(주) 제조의 2PHZ-PW(경화제) 2PHZ-PW: 2PHZ-PW (hardener) manufactured by Shikoku Chemical Industry Co.,
TPP-K: 홋코화학(주)의 TPP-K(경화 촉진제) TPP-K: TPP-K (curing accelerator) of Hokko Chemical Co.,
TPP-DCA: 홋코화학(주)의 TPP-DCA(경화 촉진제)TPP-DCA: TPP-DCA (hardening accelerator) of Hokko Chemical Co.,
1200YP: 미쓰이금속광업(주) 제조의 1200YP(플레이크형 구리 가루, 평균 입경 3.5 ㎛, 애스펙트비: 10, 비중 8.9) 1200YP: 1200YP (flake type copper powder, average particle size 3.5 mu m, aspect ratio: 10, specific gravity 8.9) manufactured by Mitsui Mining &
EHD: 미쓰이금속광업(주) 제조의 EHD(은분, 구형, 평균 입경 0.7 ㎛, 비중 10.5)EHD: EHD (silver powder, spherical, average particle diameter 0.7 mu m, specific gravity 10.5) manufactured by Mitsui Mining &
[필름형 접착제 및 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프의 제작][Production of dicing tape with film-type adhesive and film-type adhesive]
(실시예 1∼3 및 비교예 1)(Examples 1 to 3 and Comparative Example 1)
표 1에 기재된 배합비에 따라서, 표 1에 기재된 각 성분 및 용매(메틸에틸케톤)를 하이브리드 믹서(키엔스 제조 HM-500)의 교반 포트에 넣고, 교반 모드, 3분으로 교반ㆍ혼합했다. 얻어진 와니스를, 이형 처리 필름(미쓰비시수지(주) 제조의 MRA50)에 다이 코터로 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켜, 두께 30 ㎛의 필름형 접착제를 제작했다. Each component and solvent (methyl ethyl ketone) shown in Table 1 were placed in a stirring pot of a hybrid mixer (HM-500 manufactured by Keans) according to the blending ratio shown in Table 1, and stirred and mixed in a stirring mode for 3 minutes. The resulting varnish was applied to a mold release film (MRA50, manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.) with a die coater and then dried at 130 DEG C for 2 minutes to produce a film-type adhesive having a thickness of 30 mu m.
또, 실시예 1에 관해서는, 도전성 입자의 0.2 ㎛∼0.8 ㎛의 입경 범위의 피크 A와, 3 ㎛∼15 ㎛의 입경 범위의 피크 B의 비도 함께 표 1에 나타냈다. With respect to Example 1, the ratio of the peak A in the particle diameter range of 0.2 탆 to 0.8 탆 of the conductive particles and the peak B in the particle diameter range of 3 탆 to 15 탆 is also shown in Table 1.
실시예 1에서는, 열가소성 수지로서, 테이산레진 SG-280 EK23과, 아루폰 UC-3510을 사용하고 있다. 아루폰 UC-3510은, 분자량이 작고(Mw(분자량)가 2000), 반응하는 작용기(카르복실기)가 많기(카르복실기의 양을 나타내는 산가가 70) 때문에, 에폭시 수지와 가교한다. 또한, 테이산레진 SG-280 EK23도 반응하는 작용기가 많기 때문에, 에폭시 수지와 가교한다. In Example 1, Tetsan Resin SG-280 EK23 and Arufon UC-3510 were used as the thermoplastic resin. Alufon UC-3510 is crosslinked with an epoxy resin because the molecular weight is small (Mw (molecular weight) is 2000) and the number of reactive functional groups (carboxyl groups) is large (acid value representing the amount of carboxyl groups is 70). In addition, TAYSAN RESIN SG-280 EK23 also crosslinks with epoxy resin because it has many reactive functional groups.
즉, 실시예 1은, 열가소성 수지와 열경화성 수지의 가교를 실시예 2, 3에 비교하여 좀 많이 일으킨 경우의 예이다. That is, Example 1 is an example in which crosslinking of the thermoplastic resin and the thermosetting resin is caused more than in Examples 2 and 3.
또, 실시예 1에서는, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW)을 경화제로서 구분하고 있다. 이미다졸계의 재료는, 에폭시 수지를 경화시키는 경화제로서의 작용, 및, 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 경화 촉진제로서의 작용의 두 작용을 한다. 실시예 1에서는, 페놀 수지를 포함하고 있지 않기 때문에, 기재상 경화제로 구분했다. In Example 1, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (trade name: 2PHZ-PW) is classified as a curing agent. The imidazole-based material has two functions of acting as a curing agent for curing the epoxy resin and acting as a curing accelerator for promoting the reaction between the epoxy resin and the curing agent. In Example 1, since it does not contain a phenol resin, it was classified into a curing agent on a substrate.
[평가][evaluation]
얻어진 필름형 접착제에 관해 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다. The obtained film-like adhesive was evaluated in the following manner. The results are shown in Table 1.
[열경화후의 175℃에서의 저장 탄성률][Storage elastic modulus at 175 ° C after heat curing]
두께가 300 ㎛이 될 때까지 필름형 접착제를 겹쳐서, 필름형 접착제로 이루어진 적층체를 제작했다. 이 적층체를 표 1에 기재된 경화 온도, 경화 시간으로 열경화시켰다. 이 열경화시킨 적층체로부터 폭 10 mm의 직사각형의 샘플을 절취했다. The film-type adhesive was laminated until the thickness became 300 탆, thereby producing a laminate composed of a film-type adhesive. This laminate was thermally cured at the curing temperature and the curing time shown in Table 1. A rectangular sample having a width of 10 mm was cut from the thermally cured laminate.
이 샘플에 관해, 동적 점탄성 측정 장치(레오메트릭 사이언티픽사 제조의 RSAIII)를 이용하여, 척간 거리 20 mm, 승온 속도 10℃/분, 인장 측정 모드로 0∼200℃에서 측정하여, 175℃ 때의 저장 탄성률을 구했다. The sample was measured at 0 to 200 占 폚 in a tensile measurement mode at a chuck distance of 20 mm and a temperature raising rate of 10 占 폚 / min using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (RSAIII manufactured by Rheometric Scientific Corporation) Was obtained.
10: 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프
1: 다이싱 테이프
11: 기재
12: 점착제층
3: 필름형 접착제
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
61: 반도체 칩 부착 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지 10: Dicing tape with film-type adhesive
1: Dicing tape
11: substrate
12: pressure-sensitive adhesive layer
3: Film type adhesive
4: Semiconductor wafer
5: Semiconductor chip
6: adherend
61: adherend for attaching semiconductor chip
7: Bonding wire
8: Sealing resin
Claims (9)
상기 도전성 입자는, 금 입자, 은 입자, 구리 입자 및 피복 입자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이고,
상기 피복 입자는, 코어 입자 및 상기 코어 입자를 피복하는 피복막을 구비하고,
상기 피복막은, 금, 은 및 구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고,
상기 도전성 입자는, 애스펙트비가 5 이상인 플레이트형 입자를 포함하고,
상기 도전성 입자 100 중량% 중의 상기 플레이트형 입자의 함유량이 5 중량%∼100 중량%인 도전성 필름형 접착제. 4. The electrochemical device according to any one of claims 1 to 3, further comprising conductive particles,
The conductive particles are at least one kind selected from the group consisting of gold particles, silver particles, copper particles and coated particles,
Wherein the coated particles comprise core particles and a coating film covering the core particles,
Wherein the coating film includes at least one kind selected from the group consisting of gold, silver and copper,
The conductive particles include plate-like particles having an aspect ratio of 5 or more,
Wherein the content of the plate-like particles in 100 wt% of the conductive particles is 5 wt% to 100 wt%.
상기 도전성 입자는, 금 입자, 은 입자, 구리 입자 및 피복 입자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이고,
상기 피복 입자는, 코어 입자 및 상기 코어 입자를 피복하는 피복막을 구비하고,
상기 피복막은, 금, 은 및 구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고,
상기 도전성 입자는 구형의 구형 입자를 포함하고,
상기 구형 입자의 입도 분포에 있어서 피크가 2개 이상 존재하고,
0.2 ㎛∼0.8 ㎛의 입경 범위에 피크 A가 존재하고, 3 ㎛∼15 ㎛의 입경 범위에 피크 B가 존재하고,
상기 피크 B의 입경의 상기 피크 A의 입경에 대한 비가 5∼15인 도전성 필름형 접착제. 4. The electrochemical device according to any one of claims 1 to 3, further comprising conductive particles,
The conductive particles are at least one kind selected from the group consisting of gold particles, silver particles, copper particles and coated particles,
Wherein the coated particles comprise core particles and a coating film covering the core particles,
Wherein the coating film includes at least one kind selected from the group consisting of gold, silver and copper,
Wherein the conductive particles comprise spherical spherical particles,
Wherein two or more peaks are present in the particle size distribution of the spherical particles,
A peak A is present in the range of 0.2 to 0.8 mu m in diameter, a peak B is present in the range of 3 to 15 mu m in particle diameter,
And the ratio of the particle diameter of the peak B to the particle diameter of the peak A is 5 to 15.
상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이본드하는 공정의 후에, 상기 도전성 필름형 접착제를 100℃∼260℃에서 3분간∼300분간 가열함으로써 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법. A step of die bonding the semiconductor chip onto an adherend through a conductive film type adhesive,
And a step of thermally curing the conductive film-type adhesive by heating at 100 ° C to 260 ° C for 3 minutes to 300 minutes after the step of die-bonding the semiconductor chip onto the adherend.
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