KR20160103511A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium recording programs for executing the substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium recording programs for executing the substrate processing method Download PDF

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게이스케 츠가오
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세이야 후지모토
히로키 요네카와
야스코 가메시마
다카히사 오츠카
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Abstract

The amount of used gas for adjusting an atmosphere of a processing chamber is reduced. A substrate processing chamber comprises: a gas supply unit (80) which supplies first gas, for example, dry air for adjusting an atmosphere in a processing chamber (20); a cup discharge path (53) which discharges gas in a cup (50) surrounding a substrate holding unit (30) holding a substrate (W); a processing chamber discharge path (55) which discharges gas in the processing chamber outside the cup; and a return path (59) which returns the gas in the processing chamber outside the cup discharged from the processing chamber, to the processing chamber. A discharge switching mechanism (60) is provided which switches a first state of discharging the gas from the gas processing chamber discharge path outside the cup discharged from the processing chamber and a second state of returning the gas outside the cup discharged from the processing chamber, to the processing chamber through the return path.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM RECORDING PROGRAMS FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing method.

본 발명은 기판 처리 장치의 처리 챔버 내의 분위기를 조정하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for adjusting the atmosphere in a processing chamber of a substrate processing apparatus.

반도체 장치의 제조 공정에는, 약액 세정 처리 또는 웨트 에칭 처리 등의 액 처리가 포함된다. 이러한 액 처리는, 약액을 반도체 웨이퍼 등의 기판에 약액을 공급하는 약액 처리 공정과, 약액 처리 공정 후에 순수 등의 린스액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 약액 및 반응 생성물을 씻어내는 린스 공정과, 린스 공정 후에 기판 상에 잔류하는 린스액을 IPA(이소프로필알코올) 등의 건조 보조용 유기 용제에 의해 치환하는 치환 공정과, 치환 공정 후에 기판을 건조시키는 건조 공정이 포함된다.The manufacturing process of the semiconductor device includes liquid treatment such as chemical liquid cleaning treatment or wet etching treatment. Such a liquid processing includes a chemical liquid processing step of supplying a chemical liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a rinsing step of washing the chemical liquid and reaction products remaining on the substrate by using a rinsing liquid such as pure water after the chemical liquid processing step, A replacement step of replacing the rinsing liquid remaining on the substrate after the rinsing step with an organic solvent for drying auxiliary such as IPA (isopropyl alcohol), and a drying step of drying the substrate after the replacement step.

상기 일련의 공정에 있어서, 기판 처리 장치의 챔버 내에는, 청정 가스의 다운 플로우가 형성되어 있다. 통상은, 이 청정 가스로서, 클린 룸 내의 공기를 ULPA 필터 등의 파티클 필터에 의해 여과함으로써 생성된 청정 공기가 이용된다. 이 청정 공기의 습도는 클린 룸 내 공기와 동일한 습도이다.In the above series of processes, a downflow of clean gas is formed in the chamber of the substrate processing apparatus. Normally, clean air generated by filtering air in a clean room by a particle filter such as a ULPA filter is used as the clean gas. The humidity of this clean air is the same humidity as the air in the clean room.

건조 공정 시에 있어서의 기판의 주위의 분위기는, 기판의 처리 결과에 큰 영향을 부여한다. 기판 주위 분위기의 습도가 높으면, 기판 표면에의 결로에 의해 생긴 물의 표면 장력에 의한 패턴 도괴가 생길 수 있다. 또한, 결로에 의해 워터 마크의 발생도 생길 수 있다. 기판 주위 분위기의 산소 농도가 높으면, 워터 마크가 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 건조 공정 시에는, 저습도 가스인 드라이 에어가 공급되거나(예컨대 특허문헌 1을 참조), 혹은 저습도 가스이며 또한 저산소 농도 가스이기도 한 질소 가스가 기판 주위에 공급된다.The atmosphere around the substrate during the drying process has a great influence on the processing result of the substrate. If the humidity of the ambient atmosphere around the substrate is high, patterning may occur due to surface tension of water caused by condensation on the surface of the substrate. In addition, water marks may be generated by condensation. If the oxygen concentration in the atmosphere around the substrate is high, watermarks tend to occur. Therefore, during the drying step, dry air as a low-humidity gas is supplied (see, for example, Patent Document 1), or nitrogen gas, which is a low-humidity gas and also a low-oxygen concentration gas, is supplied around the substrate.

그러나, 이러한 가스는 고가이거나, 혹은 반도체 장치 제조 공장의 설비에 부담을 준다.However, such gas is expensive or puts strain on the facilities of a semiconductor device manufacturing factory.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2008-177585호 공보Patent Document 1: JP-A-2008-177585

본 발명은 처리실 내의 분위기 조정용 가스의 사용량을 삭감하는 것을 가능하게 하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.It is an object of the present invention to provide a technique which makes it possible to reduce the amount of the atmosphere adjusting gas in the treatment chamber.

본 발명의 일실시형태에 따르면, 기판 유지부와, 상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과,According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate holding section, a cup surrounding the periphery of the substrate holding section,

상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과,A processing chamber accommodating the cup and the substrate holder,

상기 처리실 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 컵 내의 가스를 배기하기 위한 컵 배기로와, 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 배기하기 위한 처리실 배기로와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 상기 처리실에 복귀시키기 위한 복귀로와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 가스가 상기 처리실 배기로로부터 배기되는 제1 상태와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 제2 상태를 전환하는 배기 전환 기구를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.A cup exhaust path for exhausting the gas in the cup; a processing chamber exhaust path for exhausting gas in the processing chamber outside the cup; A first state in which the gas outside the cup is exhausted from the processing chamber exhaust path and a second state in which the gas outside the cup exhausted from the processing chamber is exhausted from the processing chamber, And an exhaust switching mechanism for switching a second state of returning to the processing chamber through a return path.

본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 기판 유지부와, 상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과, 상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과, 상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 제1 가스를 상기 처리실에 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 제2 가스를 상기 처리실에 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 컵 내의 가스를 배기하기 위한 컵 배기로와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를, 상기 처리실에 복귀시키지 않고 배출하기 위한 처리실 배기로와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 상기 처리실에 복귀시키기 위한 복귀로와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 일없이 상기 처리실 배기로로부터 배기되는 제1 상태와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 제2 상태를 전환하는 배기 전환 기구를 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 행해지는 기판 처리 방법으로서, 상기 제1 가스는, 상기 제2 가스보다 습도가 낮거나 혹은 산소 농도가 낮고, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제2 가스 공급부에 의해 상기 제2 가스를 상기 처리실에 공급하며, 또한 기판에 처리액을 공급하면서, 상기 기판에 액 처리를 실시하는 공정과, 상기 제1 가스 공급부에 의해 상기 제1 가스를 상기 처리실에 공급하면서, 상기 액 처리가 실시된 기판을 건조시키는 건조 공정을 구비하고, 상기 제1 가스 공급부에 의해 상기 제1 가스를 상기 처리실에 공급할 때에, 상기 제1 가스의 공급의 개시 시에 상기 배기 전환 기구를 상기 제1 상태로 하고, 그 후 제2 상태로 전환하는 기판 처리 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate holding section, a cup surrounding the substrate holding section, a processing chamber accommodating the cup and the substrate holding section, A second gas supply unit for supplying a second gas for forming an atmosphere in the process chamber to the process chamber; a cup exhaust path for exhausting gas in the process chamber; A return path for returning the gas in the processing chamber outside the cup exhausted from the processing chamber to the processing chamber; and a return path for returning the gas in the processing chamber outside the processing chamber to the processing chamber, The gas in the processing chamber outside the cup is not returned to the processing chamber through the return path, And a second state in which a gas in the processing chamber outside the cup exhausted from the processing chamber is returned to the processing chamber through the return path is exhausted from the reactor exhaust path, Wherein the first gas has a lower humidity or a lower oxygen concentration than the second gas and the substrate processing method further comprises a second gas supply step in which the second gas is supplied to the processing chamber Supplying the processing gas to the processing chamber while supplying the processing gas to the processing chamber while supplying the processing liquid to the substrate while supplying the processing gas to the processing chamber by the first gas supply unit; Wherein the first gas supply unit supplies the first gas to the process chamber and the second gas supply unit supplies the first gas to the process chamber, There is provided a substrate processing method in which the exhaust switching mechanism is set to the first state and then switched to the second state.

본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 상기 기판 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a program for causing a computer to execute the substrate processing method by controlling the substrate liquid processing apparatus when executed by a computer for controlling operations of the substrate processing apparatus, Is provided.

본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 유지부와, 상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과, 상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과, 상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 가스를 상기 처리실에 공급하는 가스 공급로와, 상기 컵 내의 가스를 배기하기 위한 컵 배기로와, 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 배기하기 위한 처리실 배기로와, 상기 컵 밖의 상기 처리실 내에 마련되고, 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 처리실 배기로로부터 배출되기 전에, 상기 가스의 습도를 저하시키는 것 및 상기 가스로부터 오염 물질을 제거하는 것 중의 적어도 한쪽을 행하는 가스 처리부와,According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate holding section, a cup surrounding the substrate holding section, a processing chamber accommodating the cup and the substrate holding section, A cup exhaust path for exhausting gas in the cup; a processing chamber exhaust path for exhausting gas in the processing chamber outside the cup; and a processing chamber provided in the processing chamber outside the cup, A gas processing unit that performs at least one of reducing the humidity of the gas and removing contaminants from the gas before the gas in the processing chamber is exhausted from the processing chamber exhaust path,

상기 처리실 배기로에 접속되며, 상기 가스 처리부에 의해 처리된 후에 상기 처리실로부터 나온 가스를 상기 처리실에 복귀시키기 위한 복귀로를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.And a return path connected to the treatment room exhaust path and returning the gas from the treatment chamber to the treatment chamber after being treated by the gas treatment section.

상기 실시형태에 따르면, 분위기 조정용의 가스의 사용량의 삭감을 달성할 수 있다.According to the above embodiment, it is possible to reduce the amount of gas used for adjusting the atmosphere.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 개략 종단면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 처리 유닛에 있어서의 가스의 흐름을 설명하는 도면이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 처리 유닛에 있어서의 가스의 흐름을 설명하는 도면이다.
도 6은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛에 있어서의 가스의 흐름을 설명하는 도면이다.
도 7은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 제1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 8은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 제2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 9는 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 제3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 3에 나타낸 이젝터의 적합한 실시형태를 나타내는 개략 사시도이다.
도 11은 도 10에 나타낸 이젝터의 구조 및 작용을 설명하기 위한 개략도이다.
도 12는 제2 실시형태에 따른 처리 유닛의 개략 종단면도이다.
도 13은 도 12에 나타낸 가스 처리부의 구성을 설명하는 개략 종단면도이다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit.
3 is a schematic vertical sectional view of the processing unit according to the first embodiment.
4 is a view for explaining the flow of gas in the processing unit according to the first embodiment.
5 is a view for explaining the flow of gas in the processing unit according to the first embodiment.
6 is a view for explaining the flow of gas in the processing unit according to the first embodiment.
7 is a view showing a first modification of the processing unit according to the first embodiment.
8 is a view showing a second modification of the processing unit according to the first embodiment.
9 is a view showing a third modification of the processing unit according to the first embodiment.
10 is a schematic perspective view showing a preferred embodiment of the ejector shown in Fig.
11 is a schematic view for explaining the structure and action of the ejector shown in Fig.
12 is a schematic vertical sectional view of the processing unit according to the second embodiment.
13 is a schematic longitudinal sectional view for explaining the configuration of the gas processing section shown in Fig.

이하에 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. Hereinafter, X-axis, Y-axis and Z-axis orthogonal to each other are defined and the Z-axis normal direction is set as a vertical upward direction for clarifying the positional relationship.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.The loading and unloading station 2 includes a carrier arrangement section 11 and a carrying section 12. [ The carrier arrangement section 11 is provided with a plurality of substrates, in this embodiment, a plurality of carriers C that horizontally accommodate a semiconductor wafer (hereinafter, the wafer W).

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The carry section 12 is provided adjacent to the carrier arrangement section 11 and includes a substrate transfer apparatus 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the carrier C and the transfer part 14 by using the wafer holding mechanism. .

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.The processing station 3 is provided adjacent to the carry section 12. The processing station 3 includes a carry section 15 and a plurality of processing units 16. A plurality of processing units (16) are arranged on both sides of the carry section (15).

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The carry section (15) has a substrate transfer apparatus (17) inside. The substrate transfer device 17 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer apparatus 17 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the transfer unit 14 and the processing unit 16 W).

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W carried by the substrate transfer device 17. [

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.In addition, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer and includes a control unit 18 and a storage unit 19. [ In the storage unit 19, a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19. [

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Such a program may be one stored in a storage medium readable by a computer and installed in the storage unit 19 of the control apparatus 4 from the storage medium. Examples of the storage medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.The substrate transfer apparatus 13 of the loading and unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement section 11 And the taken-out wafer W is placed on the transfer part 14. [ The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out of the transfer section 14 by the substrate transfer apparatus 17 of the processing station 3 and is carried into the processing unit 16.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 and then taken out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed in the transfer part 14 . The processed wafers W placed on the transfer section 14 are returned to the carrier C of the carrier arrangement section 11 by the substrate transfer apparatus 13.

다음에, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Next, a schematic configuration of the processing unit 16 will be described with reference to Fig. Fig. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16. Fig.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling portion of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31, a holding portion 32, and a driving portion 33. The holding portion 31 holds the wafer W horizontally. The support portion 32 is a member extending in the vertical direction and the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33 and horizontally supports the holding portion 31 at the tip end portion. The driving portion 33 rotates the support portion 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the holding portion 31 supported by the holding portion 32 by rotating the holding portion 32 by using the driving portion 33 to thereby rotate the holding portion 31 Thereby rotating the held wafer W.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.The treatment fluid supply part 40 supplies a treatment fluid to the wafer W. The treatment fluid supply part 40 is connected to the treatment fluid supply source 70.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액부(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액부(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.The recovery cup 50 is disposed so as to surround the holding portion 31 and collects the treatment liquid scattering from the wafer W by the rotation of the holding portion 31. [ A drain portion 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50 and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain portion 51 to the outside of the processing unit 16 . An exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

[제1 실시형태][First Embodiment]

다음에, 도 3을 참조하여 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the configuration of the processing unit 16 according to the first embodiment will be described in detail with reference to Fig.

처리 유닛(16) 내에는, 처리 유체 공급부(40)로서, 약액 노즐(41), 린스 노즐(42) 및 용제 노즐(43)을 구비한다. 약액 노즐(41)은, 세정용 또는 웨트 에칭용의 약액을 공급한다. 린스 노즐(42)은, 린스액으로서 예컨대 순수(DIW)를 공급한다. 린스액은, 정전 파괴 방지를 위해, 초저농도의 도전성 이온을 포함하는 순수여도 좋다. 용제 노즐(43)은, 린스액(순수)과 상용성이 있으며, 린스액보다 표면 장력이 낮고, 또한, 린스액보다 휘발성이 높은 용제, 여기서는 IPA(이소프로필알코올)를 공급한다. 약액 노즐(41), 린스 노즐(42) 및 용제 노즐(43)은, 공통의 노즐 아암(44)의 선단부에 지지되어 있다. 노즐 아암(44)은, 구동부(45)에 의해, 승강 및 연직 축선 둘레로 선회할 수 있고, 이에 의해 상기 노즐(41∼43)이, 도 3에 나타내는 웨이퍼(W) 중앙부 바로 위의 처리 위치와, 회수컵(50)의 반경 방향 외측의 대피 위치(도시하지 않음) 사이를 이동할 수 있다.The processing unit 16 is provided with a chemical liquid nozzle 41, a rinse nozzle 42 and a solvent nozzle 43 as a processing fluid supply unit 40. [ The chemical liquid nozzle 41 supplies a chemical liquid for cleaning or wet etching. The rinse nozzle 42 supplies, for example, pure water (DIW) as a rinsing liquid. The rinsing liquid may be pure water containing an extremely low concentration of conductive ions for preventing electrostatic breakdown. The solvent nozzle 43 supplies a solvent which is compatible with the rinsing liquid (pure water), has a surface tension lower than that of the rinsing liquid, and is more volatile than the rinsing liquid, in this case IPA (isopropyl alcohol). The chemical liquid nozzle 41, the rinse nozzle 42 and the solvent nozzle 43 are supported at the tip end of the common nozzle arm 44. The nozzle arm 44 can be pivoted around the vertical axis and the vertical axis by the drive unit 45 so that the nozzles 41 to 43 are moved to the processing position immediately above the center of the wafer W shown in Fig. And a retracted position (not shown) in the radially outer side of the recovery cup 50.

도 3에는, 챔버(20)의 천장부에 마련된 FFU(21)의 구조가 도 2보다 상세하게 나타나 있다. FFU(21)는, 덕트(211)를 갖는다. 덕트(211)의 상류단(211a)은, 기판 처리 시스템(1)이 설치되어 있는 클린 룸 내의 공간에 개구하고 있다. 덕트(211)의 타단(도 3의 좌단)의 하면은 개구하고 있으며, 이 개구의 하방에 파티클 제거용의 필터, 여기서는 ULPA 필터(212)가 마련되어 있다. 덕트(211) 내에는, 상류측으로부터 순서대로, 팬(213) 및 댐퍼(유량 조정 밸브)(214)가 마련되어 있다. 팬(213)의 회전수 조정 및 댐퍼(214)의 개방도 조정 중 한쪽 또는 양방을 실행함으로써, 덕트(211) 내를 흐르는 에어(가스)의 유량을 조절할 수 있다. 덕트(211)의 상류단(211a)으로부터 취입된 클린 룸 내의 에어가 ULPA 필터(212)를 통하여, 챔버(20)의 내부 공간(22)에 유입된다. ULPA 필터(212)는, 통과하는 에어로부터 파티클을 제거하여 그 에어를 청정화한다.3, the structure of the FFU 21 provided in the ceiling portion of the chamber 20 is shown in more detail in Fig. The FFU (21) has a duct (211). The upstream end 211a of the duct 211 is opened in a space in a clean room where the substrate processing system 1 is installed. The lower surface of the other end (left end in Fig. 3) of the duct 211 is open, and a filter for removing particles, here a ULPA filter 212, is provided below the opening. In the duct 211, a fan 213 and a damper (flow rate adjusting valve) 214 are provided in this order from the upstream side. The flow rate of the air (gas) flowing through the duct 211 can be adjusted by executing one or both of the adjustment of the rotation speed of the fan 213 and the adjustment of the opening degree of the damper 214. [ The air in the clean room taken in from the upstream end 211a of the duct 211 flows into the internal space 22 of the chamber 20 through the ULPA filter 212. [ The ULPA filter 212 removes particles from the passing air to clean the air.

챔버(20) 내의 회수컵(50)의 상방에, 정류판(23)이 마련되어 있다. 정류판(23)은, 다수의 구멍이 형성된 평판(펀칭 플레이트)으로 이루어진다. 정류판(23)에 의해, 챔버(20)의 내부 공간(22)이, 정류판(23)의 상방의 버퍼 공간(24)과, 정류판(23)의 하방의 처리 공간(25)으로 구획된다. 정류판(23)은, ULPA 필터(212)로부터 버퍼 공간(24) 내에 유입되어 온 에어의 흐름의 수평 방향 분포를 원하는 형태로 조절한다.A rectifying plate 23 is provided above the recovery cup 50 in the chamber 20. The rectifying plate 23 is formed of a flat plate (punching plate) having a plurality of holes. The internal space 22 of the chamber 20 is partitioned into the buffer space 24 above the rectification plate 23 and the processing space 25 below the rectification plate 23 by the rectification plate 23, do. The rectifying plate 23 adjusts the horizontal direction distribution of the flow of the air that has flowed into the buffer space 24 from the ULPA filter 212 into a desired shape.

회수컵(50)의 배기구(52)에는, 배기로(53)가 접속되어 있다. 배기로(53)는, 공장 배기계(도시하지 않음)에 직접 접속되거나, 혹은 배기 펌프 혹은 이젝터(모두 도시하지 않음)를 통해 공장 배기계(EXH)의 덕트에 접속되어 있다. 챔버(20)의 하부 측벽에는 배기구(54)가 마련되어 있다. 배기구(54)에는, 배기로(55)가 접속되어 있다. 배기로(55)의 하류단은, 합류점(56)에 있어서, 배기로(53)에 접속되어 있다. 배기구(52) 및 배기로(53)를 통해, 회수컵(50) 내의 분위기가 배출된다. 배기구(54) 및 배기로(55)를 통해, 회수컵(50)의 외측의 챔버(20) 내[특히 처리 공간(25) 하부]의 분위기가 배기된다. 이하, 본 명세서에 있어서 배기구(52, 54)를 구별하기 위해, 전자를 컵 배기구(52), 후자를 챔버 배기구(54)라고 부르기로 한다. 또한, 배기로(53, 55)를 구별하기 위해, 전자를 컵 배기로(53), 후자를 챔버 배기로(55)라고 부르기로 한다.An exhaust passage 53 is connected to the exhaust port 52 of the recovery cup 50. The exhaust passage 53 is directly connected to a factory exhaust system (not shown), or connected to a duct of a factory exhaust system EXH through an exhaust pump or an ejector (both not shown). An exhaust port 54 is provided in a lower side wall of the chamber 20. [ An exhaust passage 55 is connected to the exhaust port 54. The downstream end of the exhaust passage 55 is connected to the exhaust passage 53 at the confluence point 56. The atmosphere in the recovery cup 50 is discharged through the exhaust port 52 and the exhaust path 53. The atmosphere in the chamber 20 (especially the lower part of the processing space 25) outside the recovery cup 50 is exhausted through the exhaust port 54 and the exhaust path 55. [ Hereinafter, in order to distinguish between the exhaust ports 52 and 54 in this specification, the former is referred to as a cup exhaust port 52 and the latter is referred to as a chamber exhaust port 54. [ In order to distinguish between the exhaust passages 53 and 55, the former is referred to as a cup exhaust passage 53 and the latter as a chamber exhaust passage 55. [

전술한 바와 같이컵 배기구(52)를 통해 회수컵(50) 내의 분위기가 흡인되고, 또한, 챔버 배기구(54)를 통해 회수컵(50)의 외측의 처리 공간(25) 내의 분위기가 흡인되고 있기 때문에, 정류판(23)으로부터 하향으로 유출되는 에어의 흐름은, 회수컵(50) 내 및 회수컵(50)의 반경 방향 외측의 공간 내를 향하여 흐른다.The atmosphere in the recovery cup 50 is sucked through the cup exhaust port 52 as described above and the atmosphere in the process space 25 outside the recovery cup 50 is sucked through the chamber exhaust port 54 The flow of the air flowing downward from the flow regulating plate 23 flows toward the inside of the collection cup 50 and the space outside the collection cup 50 in the radial direction.

회수컵(50) 내에 유입된 에어(가스)는, 회수컵(50) 내에 마련된 칸막이벽에 의해 형성되는 유로를 따라 컵 배기구(52)를 향하여 흐른다. 이 가스의 흐름은, 웨이퍼(W)에 공급된 후에 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)의 주위를 표류하여 웨이퍼(W)에 재부착하는 것을 방지하기 위해, 처리액의 미스트를 적정하게 배액구(51)로 유도하는 등이 역할을 달성한다. 웨이퍼(W)의 주위의 기류가 적정한 것이 되도록, 컵 배기구(52)로부터의 가스의 배기 유량은 소정 범위 내로 유지된다.The air (gas) flowing into the recovery cup 50 flows toward the cup discharge port 52 along the flow path formed by the partition wall provided in the recovery cup 50. The flow of the gas is controlled such that the mist of the treatment liquid scattered from the wafer W after being supplied to the wafer W drifts around the wafer W and is reattached to the wafer W, And directing the mist of the mist to the drain port 51 appropriately. The exhaust flow rate of the gas from the cup exhaust port 52 is maintained within a predetermined range so that the air current around the wafer W becomes appropriate.

처리 공간(25) 내를 챔버 배기구(54)를 향하여 흘러 챔버 배기구(54)로부터 배출되는 에어(가스)의 흐름은, 웨이퍼(W)에 공급된 처리액에 유래하는 분위기가 회수컵(50)의 반경 방향 외측의 영역에 체류하는 것을 방지한다.The flow of the air (gas) flowing in the processing space 25 toward the chamber exhaust port 54 and exhausted from the chamber exhaust port 54 is controlled such that the atmosphere derived from the processing liquid supplied to the wafer W is returned to the recovery cup 50, To the outside in the radially outward direction.

컵 배기구(52) 및 컵 배기로(53)를 통하여 흐르는 가스의 유량을 제어하기 위해, 컵 배기로(53)에 댐퍼(유량 조정 밸브)(57)가 마련되어 있다. 챔버 배기구(54) 및 챔버 배기로(55)를 통하여 흐르는 가스의 유량을 제어하기 위해, 챔버 배기로(55)에 댐퍼(유량 조정 밸브)(58)가 마련되어 있다.A damper (flow control valve) 57 is provided on the cup exhaust passage 53 to control the flow rate of the gas flowing through the cup exhaust port 52 and the cup exhaust passage 53. A damper (flow control valve) 58 is provided in the chamber exhaust passage 55 to control the flow rate of the gas flowing through the chamber exhaust port 54 and the chamber exhaust path 55.

또한, 도 3에서는 챔버 배기구(54)가 1부분만 표시되어 있지만, 복수의 챔버 배기구(54)가 챔버(20)의 하부 측벽[예컨대 회수컵(50)에 관해서 180도 반대의 위치]에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 각 챔버 배기구(54)에 접속된 챔버 배기로(55)는 삼방 밸브(60)의 상류측에서 합류하며, 이들 복수의 챔버 배기로의 합류점과 삼방 밸브(60) 사이에 댐퍼(58)가 마련된다.Although only one portion of the chamber exhaust port 54 is shown in Fig. 3, a plurality of chamber exhaust ports 54 are provided at the lower side wall of the chamber 20 (e.g., 180 degrees opposite to the recovery cup 50) There may be. In this case, the chamber exhaust paths 55 connected to the respective chamber exhaust ports 54 merge at the upstream side of the three-way valve 60, and a damper 58 ).

챔버 배기로(55)로부터 복귀로(59)가 분기하고 있다. 분기부에는 삼방 밸브(60)가 마련되어 있다. 삼방 밸브(60)를 전환함으로써, 챔버 배기로(55)를 통하여 삼방 밸브(60)에 유입되어 온 가스를, 그대로 복귀로(59)에는 흐르게 하지 않는 제1 상태와, 복귀로(59)에 흐르게 하는 제2 상태를 전환할 수 있다. 복귀로(59) 및 챔버 배기로(55)[복귀로(59)의 분기점보다 하류측]에 각각 개폐 밸브를 마련함으로써, 상기 삼방 밸브(60)와 동일한 전환 기능을 실현시키는 것도 물론 가능하다.And the return path 59 is branched from the chamber exhaust path 55. A three-way valve (60) is provided at the branching portion. Way valve 60 is switched so that the gas introduced into the three-way valve 60 through the chamber exhaust path 55 is not allowed to flow into the return path 59 as it is, The second state in which the flow is made to flow. It is of course possible to realize the same switching function as the three-way valve 60 by providing the on-off valves on the return path 59 and the chamber exhaust path 55 (on the downstream side of the branch point of the return path 59).

처리 유닛(16)에는, 또한, 드라이 에어 공급부(80)가 마련되어 있다. 드라이 에어 공급부(80)는, 당업자에게는 주지의 드라이 에어 제조 장치(예컨대 발명의 배경이 되는 기술에서 서술한 형식의 것)로 이루어지는 드라이 에어 공급원(81)과, 드라이 에어 공급원(81)과 FFU(21)의 덕트(211)를 접속하는 드라이 에어 공급로(82)와, 드라이 에어 공급로(82)에 상류측으로부터 순서대로 개재된 팬(83), 댐퍼(유량 조정 밸브)(84) 및 이젝터(85)를 가지고 있다. 팬(83)의 회전수의 조정 및 댐퍼(84)의 개방도의 조정 중 적어도 한쪽을 실행함으로써, 드라이 에어 공급로(82)를 흐르는 드라이 에어의 유량을 조절할 수 있다. 드라이 에어 공급로(82)는, 덕트(211)의 댐퍼(214)보다 하류측의 위치(215)에 있어서, 덕트(211)에 접속되어 있다.The processing unit 16 is further provided with a dry air supply unit 80. The dry air supply unit 80 includes a dry air supply source 81 made up of a known dry air production apparatus (for example, a type described in the background of the invention), a dry air supply source 81, and an FFU A damper (flow control valve) 84, and an ejector 82, which are disposed in this order from the upstream side in the dry air supply path 82, (85). The flow rate of the dry air flowing through the dry air supply path 82 can be adjusted by executing at least one of the adjustment of the rotation number of the fan 83 and the adjustment of the opening degree of the damper 84. [ The dry air supply passage 82 is connected to the duct 211 at a position 215 on the downstream side of the damper 214 of the duct 211.

FFU(21)의 팬(213) 및 댐퍼(214) 및 드라이 에어 공급부(80)의 팬(83) 및 댐퍼(84)의 동작을 제어함으로써(댐퍼의 개폐 및 개방도 조정, 팬의 운전/운전 정지 및 회전수 조정 등), FFU(21)로부터 가스(에어)가 원하는 유량으로 챔버(20)에 공급되는 제1 공급 상태와, 드라이 에어 공급부(80)로부터 드라이 에어가 원하는 유량으로 챔버에 공급되는 제2 공급 상태를 전환할 수 있다. 즉, 팬(83, 213) 및 댐퍼(84, 214)는, 챔버 내에 공급되는 가스를 전환하는 공급 가스 전환 기구를 이룬다.By controlling the operation of the fan 213 of the FFU 21 and the damper 214 and the fan 83 of the dry air supply unit 80 and the damper 84 A first supply state in which gas (air) is supplied to the chamber 20 at a desired flow rate from the FFU 21 and a second supply state in which dry air is supplied from the dry air supply section 80 to the chamber at a desired flow rate The second supply state can be switched. That is, the fans 83 and 213 and the dampers 84 and 214 constitute a supply gas switching mechanism for switching the gas supplied into the chamber.

이젝터(85)에는, 복귀로(59)가 접속되어 있다. 삼방 밸브(60)가 챔버 배기로(55)와 복귀로(59)를 연통시키고 있을 때에 드라이 에어 공급로(82)에 드라이 에어를 흐르게 하면, 드라이 에어가 이젝터(85)에 있어서의 구동류로서 작용하여, 복귀로(59) 내에 있는 가스를 흡인한다. 드라이 에어는 복귀로(59) 내에 있는 가스와 혼합되어 덕트(211) 내에 유입된다. 삼방 밸브(60)가 챔버 배기로(55)와 복귀로(59)를 연통시키고 있지 않을 때에 드라이 에어 공급로(82)에 드라이 에어를 흐르게 하면, 드라이 에어만이 덕트(211) 내에 유입된다. 후술하는 바와 같이, 드라이 에어 공급로(82)로부터 에어를 덕트(211) 내에 유입시킬 때에는, 덕트(211) 내를 위치(215)를 향하여 상류측으로부터 흘러나오는 에어는 없다. 드라이 에어 공급로(82)로부터 덕트(211) 내에 유입된 에어는, 덕트(211)를 하류측을 향하여 흐르게 하여, ULPA 필터(212)를 통과하여 챔버(20)의 내부 공간(22) 내에 유입된다.To the ejector 85, a return path 59 is connected. When the three-way valve 60 makes the dry air flow to the dry air supply path 82 while the chamber exhaust path 55 and the return path 59 are communicating with each other, the dry air flows as the drive flow in the ejector 85 So that the gas in the return path 59 is sucked. The dry air is mixed with the gas in the return path (59) and flows into the duct (211). Only the dry air flows into the duct 211 when the three-way valve 60 makes the dry air flow to the dry air supply path 82 when the chamber exhaust path 55 and the return path 59 are not communicating with each other. There is no air flowing from the upstream side toward the position 215 in the duct 211 when air is introduced into the duct 211 from the dry air supply path 82 as described later. Air introduced into the duct 211 from the dry air supply path 82 flows toward the downstream side of the duct 211 and flows into the internal space 22 of the chamber 20 through the ULPA filter 212 do.

다음에 처리 유닛(16)에서 행해지는 일련의 공정에 대해서 설명한다. 이하의 각 공정은 제어 장치(4)의 제어 하에서 자동적으로 실행된다.Next, a series of steps performed in the processing unit 16 will be described. Each of the following processes is automatically executed under the control of the control device 4. [

우선, 미처리의 웨이퍼(W)가, 기판 반송 장치(17)의 아암(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16) 내에 반입되고, 이 웨이퍼(W)는 도 3에 나타내는 바와 같이 기판 유지 기구(30)에 의해 유지된다.First, an untreated wafer W is carried into the processing unit 16 by an arm (see Fig. 1) of the substrate transfer device 17, and the wafer W is transferred to the substrate holding mechanism 30).

<약액 처리 공정>&Lt; Chemical solution processing step &

약액 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중앙부의 바로 위에 위치한다. 웨이퍼(W)가 연직 축선 둘레로 회전되어, 웨이퍼(W)의 중앙부에 약액 노즐(41)이 약액(예컨대 DHF, SC-1 등의 세정용 약액, 혹은 웨트 에칭용의 약액)을 공급한다. 약액은, 원심력에 의해 퍼져, 웨이퍼(W)의 상면의 전역이 약액의 액막에 의해 덮여진다. 반응 생성물을 포함하는 약액은, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리로부터 반경 방향 외측으로 비산한다. 비산한 약액은 회수컵(50)에 의해 회수된다.The chemical liquid nozzle 41 is positioned just above the central portion of the wafer W. The wafer W is rotated around the vertical axis so that the chemical liquid nozzle 41 supplies a chemical liquid such as a cleaning liquid such as DHF or SC-1 or a chemical liquid for wet etching to the central portion of the wafer W. The chemical liquid spreads by the centrifugal force, and the entire area of the upper surface of the wafer W is covered by the liquid film of the chemical liquid. The chemical liquid containing the reaction product is scattered radially outward from the outer peripheral edge of the wafer W. The scattered chemical liquid is recovered by the recovery cup 50.

이때, 처리 유닛(16)에 관련하는 가스의 흐름은 이하와 같다. 우선, 팬(213)이 미리 정해진 회전수로 회전하고, 또한, 댐퍼(214)가 미리 정해진 개방도로 조정된다. 이에 의해, 덕트의 상류단(211a)의 개구부로부터 덕트(211) 내에 클린 룸 내의 에어가 취입된다. 에어는 ULPA 필터(212)를 통하여, 챔버(20)의 내부 공간에 유입된다.At this time, the flow of the gas related to the processing unit 16 is as follows. First, the fan 213 is rotated at a predetermined rotation speed, and the damper 214 is adjusted to a predetermined opening degree. Thereby, air in the clean room is blown into the duct 211 from the opening of the upstream end 211a of the duct. Air flows into the internal space of the chamber 20 through the ULPA filter 212.

이때, 컵 배기구(52) 및 컵 배기로(53)가 음압의 공장 배기계(혹은 이젝터 혹은 배기 펌프)에 접속되고, 이에 의해, 회수컵(50)의 내부 공간이 흡인된다. 이에 의해, FFU(21)로부터 공급된 청정 공기의 다운 플로우가, 회수컵(50)의 상부 개구부로부터 회수컵(50) 내에 취입된다. 회수컵(50) 내에 적절한 기류가 형성되도록, 댐퍼(57)의 개방도가 조정된다. 댐퍼(57)의 개방도는, 컵 배기구(52)로부터 배출되어 컵 배기로(53)를 통하여 흐르는 배기의 유량이 예컨대 0.4 ㎥/min(입방 미터마다의 분량)이 되도록 조정된다.At this time, the cup exhaust port 52 and the cup exhaust path 53 are connected to a factory exhaust system (or an ejector or an exhaust pump) at a negative pressure, whereby the internal space of the recovery cup 50 is sucked. Thereby, the downflow of the clean air supplied from the FFU 21 is taken in the recovery cup 50 from the upper opening of the recovery cup 50. The opening degree of the damper 57 is adjusted so that a suitable airflow is formed in the recovery cup 50. The degree of opening of the damper 57 is adjusted so that the flow rate of the exhaust gas discharged from the cup discharge port 52 and flowing through the cup discharge path 53 is, for example, 0.4 m 3 / min (amount per cubic meter).

또한, 이때 삼방 밸브(60)는 전술한 제1 상태로 되어 있다. 따라서, 챔버 배기구(54) 및 챔버 배기로(55)도 음압의 공장 배기계(혹은 이젝터 혹은 배기 펌프)에 접속되어, 처리 공간(25)이 흡인되도록 되어 있다. FFU(21)로부터 공급된 청정 에어의 다운 플로우는, 처리 공간(25) 중의 회수컵(50)의 반경 방향 외측의 공간(26)을 통하여 챔버 배기로(55)에 유입된다. 이에 의해, 공간(26) 내에, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액의 미스트 등의 바람직하지 않은 분위기가 체류하는 것이 방지되어, 처리 공간(25) 내가 청정하게 유지된다.At this time, the three-way valve 60 is in the first state described above. Therefore, the chamber exhaust port 54 and the chamber exhaust path 55 are connected to a factory exhaust system (or an ejector or an exhaust pump) at a negative pressure so that the processing space 25 is sucked. The downflow of the clean air supplied from the FFU 21 flows into the chamber exhaust path 55 through the space 26 in the processing space 25 outside the recovery cup 50 in the radial direction. Thus, an undesirable atmosphere such as mist of the treatment liquid scattered from the wafer W is prevented from staying in the space 26, and the treatment space 25 is kept clean.

이 공정에서는, 처리 결과에 큰 영향을 끼치는 회수컵(50)의 배기가 적정하게 행해지는 것이 공간(26)의 청정도보다 중요하다. 공간(26)에 대해서는, 그곳에 문제가 되는 체류가 생기지 않으면 된다. 따라서, 한정된 흡인력을 유효 이용하는 관점에서, 챔버 배기로(55)를 흐르는 배기의 유량은 비교적 작은 편[예컨대 컵 배기로(53)를 통하여 흐르는 배기의 유량보다 작은 예컨대 0.1 ㎥/min]이 되도록, 댐퍼(58)의 개방도가 조정된다.In this process, it is more important than the cleanliness of the space 26 that the exhaust of the recovery cup 50, which has a large effect on the processing result, is properly performed. With respect to the space 26, there is no problem of staying there. Therefore, the flow rate of the exhaust flowing through the chamber exhaust path 55 is set to be relatively small (for example, less than the flow rate of the exhaust flowing through the cup exhaust path 53, for example, 0.1 m3 / min) The opening degree of the damper 58 is adjusted.

이때, FFU(21)로부터 챔버(20) 내에 공급되는 청정 에어의 공급 유량은, 챔버(20) 내를 대략 상압으로 유지하기 위해, 컵 배기로(53)로부터의 배기 유량과 챔버 배기로(55)로부터의 배기 유량의 합과 대략 같아지도록 조정된다. 즉, 청정 에어의 공급 유량은, 예컨대 0.5 ㎥/min이다. 또한, 처리의 종류에 따라 챔버(20) 내를 양압으로 하고자 하는 경우와 음압으로 하고자 하는 경우가 있을 수 있다. 양압으로 하고자 하는 경우에는, 상기 공급 유량이 상기 배기 유량의 합보다 약간 커지도록 하고, 음압으로 하고자 하는 경우에는, 상기 공급 유량이 상기 배기 유량의 합보다 약간 작아지도록 한다.At this time, the supply flow rate of clean air supplied from the FFU 21 into the chamber 20 is controlled by the exhaust flow rate from the cup exhaust path 53 and the chamber exhaust path 55 The flow rate of the exhaust gas from the exhaust gas recirculation pipe 22 is approximately equal to the sum of the exhaust gas flow rate That is, the supply flow rate of clean air is, for example, 0.5 m 3 / min. Depending on the type of treatment, there may be cases where a positive pressure is desired in the chamber 20 or a case where a negative pressure is desired. The supply flow rate is made slightly larger than the sum of the exhaust flow rates, and when the pressure is to be reduced, the supply flow rate is made slightly smaller than the sum of the exhaust flow rates.

본 명세서에 있어서, 상기 약액 처리 공정에서의 처리 유닛(16)에 관련하는 가스의 급기 및 배기의 상태를, 통상 급배기 상태라고도 부른다.In this specification, the state of supply and exhaust of gases related to the processing unit 16 in the chemical liquid processing step is also referred to as a normal supply and exhaust state.

<린스 공정><Rinse process>

약액 처리 공정의 종료 후, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로, (약액의 공급은 정지되어 있음)린스 노즐(42)로부터 린스액 예컨대 순수를 웨이퍼(W)의 중심부에 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 잔류한 약액 및 반응 생성물을 씻어내는 린스 처리를 행한다. 이 린스 공정을 실행하고 있는 동안도 계속해서 통상 급배기 상태가 유지된다.The rinsing liquid such as pure water is supplied from the rinsing nozzle 42 to the central portion of the wafer W while the wafer W is continuously rotated (the supply of the chemical liquid is stopped) W is rinsed to wash away the remaining chemical liquid and reaction products. During the rinsing process, the normal air supply / discharge state is maintained.

<IPA 치환 공정>&Lt; IPA replacement step &

린스 공정의 종료 후, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로, (린스액의 공급은 정지되어 있음)용제 노즐(43)로부터 IPA를 웨이퍼(W)의 중심부에 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 린스액을 IPA로 치환하는 IPA 치환 처리를 행한다. 이 IPA 치환 처리를 실행하고 있는 동안도 계속해서 통상 급배기 상태가 유지된다.IPA is supplied from the solvent nozzle 43 to the central portion of the wafer W while the wafer W is continuously rotated (supply of the rinsing liquid is stopped) An IPA substitution treatment is performed in which the rinsing liquid present on the surface is replaced with IPA. The normal supply and exhaust state is maintained even while the IPA replacement process is being executed.

<건조 공정><Drying step>

IPA 치환 공정의 종료 후, (IPA의 공급은 정지되어 있음)계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로(바람직하게는 회전수를 증가시켜), 웨이퍼(W)의 건조를 행한다. 이상에 의해 1장의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리가 종료한다. 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛으로부터 반출된다.After the completion of the IPA replacement process (supply of IPA is stopped), the wafer W is continuously rotated (preferably, the rotation number is increased), and the wafer W is dried. As a result, the series of processes for one wafer W is terminated. The processed wafers W are carried out of the processing unit by the substrate transfer device 17.

건조 공정에 있어서는, IPA의 기화에 의해 온도가 내려간 웨이퍼(W) 표면에의 결로를 방지하기 위해, 내부 공간(22) 내의 분위기의 습도(노점)를 저하시키는 것이 바람직하다. 이 목적을 위해, 챔버(20) 내의 분위기를 고습도 분위기(클린 룸 공기의 습도와 대략 동일하거나, 혹은 처리액의 영향에 의해 클린 룸 공기의 습도보다 높은 습도의 분위기)로부터 저습도 분위기로 치환한다. 늦어도 건조 공정의 개시 시점[즉, 늦어도 웨이퍼(W) 상에의 IPA의 공급이 정지된 시점]에 있어서, 챔버(20)의 내부 공간(22) 내의 습도가 충분히 저하되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 건조 공정의 개시 전, 즉 IPA 치환 공정의 실행 중에, 상기 통상 급배기 상태를 종료하고, 저습도 분위기로의 분위기 치환을 개시하는 것이 바람직하다. 또한, 분위기 치환의 개시는 상기 타이밍이 바람직한 것이지만, 이에 한정되는 것이 아니며, 건조 공정의 개시와 동시 혹은 약간 후여도 좋다.In the drying process, it is preferable to lower the humidity (dew point) of the atmosphere in the inner space 22 in order to prevent condensation on the surface of the wafer W whose temperature has been lowered by vaporization of IPA. For this purpose, the atmosphere in the chamber 20 is replaced with a low-humidity atmosphere from a high-humidity atmosphere (an atmosphere approximately equal to the humidity of the clean room air or a humidity higher than that of the clean room air due to the effect of the treatment liquid) . It is preferable that the humidity in the internal space 22 of the chamber 20 is sufficiently lowered at the latest when the drying process is started (that is, when the supply of the IPA onto the wafer W is stopped at the latest). Therefore, it is preferable to terminate the normal air supply / discharge state before starting the drying process, that is, during the IPA replacement process, and to start the atmosphere replacement in the low humidity atmosphere. The timing of the substitution of the atmosphere is preferably the above timing, but is not limited thereto, and may be at the same time as or slightly after the start of the drying process.

이하에 챔버(20) 내의 분위기를 저습도 분위기로 이행시키며 저습도 분위기로 유지하기 위한 순서에 대해서 설명한다. 이 순서는, 저습도화 단계와, 저습도 유지 단계를 포함하고 있다.Hereinafter, the procedure for shifting the atmosphere in the chamber 20 to the low humidity atmosphere and maintaining the atmosphere in the low humidity atmosphere will be described. This sequence includes a humidifying step and a low humidity holding step.

<저습도화 단계><Low humidifying step>

우선, 도 5에 나타내는 바와 같이, FFU(21)의 팬(213)을 정지하며 댐퍼(214)를 폐쇄하여, 덕트(211) 내에의 클린 룸 공기의 취득을 정지한다. 이와 대략 동시에, 그때까지 정지되어 있던 드라이 에어 공급부(80)의 팬(83)을 기동시키며 그때까지 폐쇄되어 있던 댐퍼(84)를 개방하여, 드라이 에어 공급부(80)로부터 덕트(211) 내에 드라이 에어의 공급을 개시한다. 이에 의해, 챔버(20) 내에 드라이 에어가 공급되게 된다. 드라이 에어의 공급 유량은, 약액 처리 공정에 있어서의 FFU(21)로부터의 청정 에어의 공급 유량과 동일(예컨대 0.5 ㎥/min)하여도 좋다. 또한, 삼방 밸브(60)의 상태 및 댐퍼(57, 58)의 개방도도 약액 처리 공정 시와 동일하여도 좋다. 따라서, 컵 배기로(53)를 통한 배기 유량은 예컨대 0.4 ㎥/min이 되고, 챔버 배기로(55)를 통한 배기 유량은 예컨대 0.1 ㎥/min이 된다. 상기와 같은 가스의 흐름을 형성함으로써, 챔버(20) 내 및 회수컵(50) 내에 있던 고습도의 에어는, 저습도의 드라이 에어로 치환되어 간다.First, as shown in Fig. 5, the fan 213 of the FFU 21 is stopped, and the damper 214 is closed to stop the acquisition of the clean room air in the duct 211. [ At the same time, the fan 83 of the dry air supply unit 80, which has been stopped until then, is started, and the damper 84, which has been closed until then, is opened, . As a result, dry air is supplied into the chamber 20. The supply flow rate of the dry air may be the same as the supply flow rate of clean air from the FFU 21 in the chemical liquid processing step (for example, 0.5 m3 / min). The state of the three-way valve 60 and the degree of opening of the dampers 57 and 58 may be the same as those in the chemical liquid processing step. Therefore, the exhaust flow rate through the cup exhaust passage 53 is, for example, 0.4 m 3 / min, and the exhaust flow rate through the chamber exhaust passage 55 is, for example, 0.1 m 3 / min. By forming the above-described gas flow, the high-humidity air in the chamber 20 and in the recovery cup 50 is replaced with low-humidity dry air.

<저습도 유지 단계><Low humidity maintenance step>

챔버(20)의 처리 공간(25)이 원하는 저습도가 되면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 그 저습도를 경제적으로 유지하기 위한 저습도 유지 단계로 이행한다. 즉, 삼방 밸브(60)를 전술한 제2 상태로 이행시킨다. 컵 배기로(53)의 댐퍼(57)의 상태는 저습도화 단계와 동일하게 유지한다. 또한, 챔버 배기로(55)의 댐퍼(58)의 개방도는, 후술하는 배기 유량을 실현시키기 위한 필요성에 따라 변경할 수 있다. 챔버(20)의 처리 공간(25)이 원하는 저습도가 된 것은, 예컨대 처리 공간(25) 내에 마련한 습도 센서(도시하지 않음)에 의해 검출할 수 있다. 혹은, 처리 공간(25)을 원하는 습도로 하기 위해 필요한 저습도화 단계의 실행 시간을 실험에 의해 미리 파악해 두고, 실제의 처리 시에는 이 파악된 실행 시간의 경과를 가지고, 처리 공간(25)이 원하는 저습도가 된 것으로 간주하여도 좋다. 또한, 상기 원하는 저습도의 구체적인 값은, 미리 실험에 의해 구할 수 있다. 상기 원하는 저습도란, 예컨대, 웨이퍼(W)의 패턴의 도괴 혹은 웨이퍼(W)의 표면에의 워터 마크의 발생을 확실하게 방지할 수 있는 습도이다.When the processing space 25 of the chamber 20 reaches a desired low humidity, the operation shifts to a low humidity holding step for keeping the low humidity economically as shown in Fig. That is, the three-way valve 60 is shifted to the second state described above. The state of the damper 57 of the cup exhaust passage 53 is maintained in the same manner as the low humidifying step. The degree of opening of the damper 58 of the chamber exhaust passage 55 can be changed in accordance with the necessity for realizing the exhaust flow rate to be described later. The processing space 25 of the chamber 20 has a desired low humidity, for example, can be detected by a humidity sensor (not shown) provided in the processing space 25. [ Alternatively, the execution time of the humidification step required to bring the processing space 25 to a desired humidity may be grasped by experiment, and the processing space 25 may be processed with the elapse of the grasped execution time It may be regarded as low humidity. The specific value of the desired low humidity can be obtained in advance by experiment. The desired low humidity is, for example, humidity that can reliably prevent occurrence of a pattern of the wafer W or a watermark on the surface of the wafer W. [

상기 조작을 행함으로써, 챔버 배기로(55)를 통해 배출된 챔버(20) 내의 가스(에어)는, 복귀로(59)를 향하게 된다. 이젝터(85)에는, 드라이 에어 공급부(80)로부터 공급된 드라이 에어가 흐르고 있기 때문에, 이젝터(85) 내에 복귀로(59) 내에 있는 에어가 인입되어 드라이 에어의 흐름과 합류하여, 덕트(211) 내에 공급된다. 덕트(211) 내에 공급된 에어는, ULPA 필터(212)를 통하여 챔버(20) 내에 공급된다. 이때, 챔버 배기로(55)를 통해 배출된 에어가 파티클을 포함하고 있었다고 해도, 파티클은 ULPA 필터(212)에 의해 제거된다.By performing the above operation, the gas (air) in the chamber 20 discharged through the chamber exhaust path 55 is directed to the return path 59. The air in the return path 59 is drawn into the ejector 85 and merged with the flow of the dry air to cause the duct 211 to flow into the ejector 85. [ . The air supplied into the duct 211 is supplied into the chamber 20 through the ULPA filter 212. At this time, even if the air discharged through the chamber exhaust path 55 contains particles, the particles are removed by the ULPA filter 212.

저습도 유지 단계에 있어서, 컵 배기로(53)의 배기 유량을 저습도화 단계와 동일한 0.4 ㎥/min으로 하고[전술한 이유에 의해 컵 배기로(53)의 배기 유량은 변경하지 않는 것이 바람직함], 챔버 배기로(55)로부터 복귀로(59)를 향하는 배기 유량을 저습도화 단계와 동일한 0.1 ㎥/min으로 하는 것으로 한다. 여기서, 챔버 배기로(55)로부터 컵 배기로(53)를 향하는 배기 유량은 제로이다. 즉, 저습도화 단계에서 버려지고 있던 0.1 ㎥/min만큼의 드라이 에어가 재이용되게 된다. 따라서, 이때, 챔버(20) 내를 대략 상압으로 유지하기 위해 필요한 드라이 에어 공급부(80)로부터의 드라이 에어의 공급 유량은 0.4 ㎥/min이어도 좋으며, 이 값은 저습도화 단계에 있어서의 0.5 ㎥/min보다 20％나 낮은 값이다.In the low humidity holding step, the exhaust flow rate of the cup exhaust passage 53 is set to 0.4 m &lt; 3 &gt; / min, which is the same as the low humidification step (it is preferable not to change the exhaust flow rate of the cup exhaust passage 53 for the above- , And the exhaust flow rate from the chamber exhaust path 55 to the return path 59 is set to 0.1 m 3 / min, which is the same as that in the low humidification step. Here, the exhaust flow rate from the chamber exhaust passage 55 to the cup exhaust passage 53 is zero. That is, dry air of 0.1 m 3 / min, which has been discarded in the low humidification step, is reused. Therefore, at this time, the supply flow rate of the dry air from the dry air supply unit 80 required to maintain the inside of the chamber 20 at approximately atmospheric pressure may be 0.4 m 3 / min, which is 0.5 m 3 / min. &lt; / RTI &gt;

또한, 건조 공정의 종료 후, 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 반출할 때까지의 동안의 적당한 타이밍에, 저습도 유지 단계를 종료하고 통상 급배기 상태로 복귀한다.After the completion of the drying step, the low-moisture holding step is terminated at an appropriate timing until the processed wafer W is taken out, and the wafer W is returned to the normal supply and exhaust state.

상기 실시형태에 따르면, 고습도 분위기로부터 저습도 분위기로의 이행에 있어서, 저습도화 단계를 실행한 후에 저습도 유지 단계를 실행함으로써, 신속한 분위기 치환과 경제적인 운용을 양립할 수 있다. 즉, 챔버(20) 내가 고습도인 경우에는, 비교적 대유량으로 신선한 드라이 에어를 챔버 내에 공급함으로써, 조속하게 챔버(20) 내의 분위기를 저습도 분위기로 치환하는 것을 가능하게 하고 있다. 한편, 챔버(20) 내가 충분히 저습도가 된 후는, 신선한 드라이 에어의 공급량을 낮춰도 저습도 분위기를 유지하는 데 있어서 문제는 없기 때문에, 챔버(20) 내에 공급한 드라이 에어의 일부를 리사이클하여, 고가이며 또한 공장 용력에 부담을 주는 드라이 에어의 사용량을 삭감하고 있다.According to the above embodiment, in the transition from the high-humidity atmosphere to the low-humidity atmosphere, the low-humidity holding step is performed after the low-moisture humidifying step is performed, so that rapid atmosphere replacement and economical operation can be achieved. That is, when the chamber 20 is highly humid, it is possible to quickly replace the atmosphere in the chamber 20 with a low-humidity atmosphere by supplying fresh dry air into the chamber at a relatively large flow rate. On the other hand, after the chamber 20 has sufficiently low humidity, there is no problem in maintaining a low-humidity atmosphere even if the supply amount of the fresh dry air is reduced. Therefore, part of the dry air supplied into the chamber 20 is recycled , And the use of dry air, which is expensive and burdens the plant, is being reduced.

상기 실시형태에서는, 드라이 에어 공급로(82)의 하류단을 덕트(211)에 접속하였지만, 이것에는 한정되지 않는다. 드라이 에어 공급로(82)의 하류단을 챔버(20)의 버퍼 공간(24)에 접속하여도 좋다. 단, 이 경우에는, 상기 저습도 유지 단계에 챔버 배기구(54)로부터 배출되는 에어에 포함되는 파티클이 챔버(20)에 복귀되는 것을 방지하기 위해, 삼방 밸브(60)와 이젝터(85) 사이의 복귀로(59)에, 필터를 마련하는 것이 바람직하다. 또는, 이젝터(85)와 버퍼 공간(24) 사이의 드라이 에어 공급로(82)에, 필터를 마련하는 것이 바람직하다.In the above embodiment, the downstream end of the dry air supply path 82 is connected to the duct 211, but the present invention is not limited to this. The downstream end of the dry air supply path 82 may be connected to the buffer space 24 of the chamber 20. [ In this case, in order to prevent the particles included in the air exhausted from the chamber exhaust port 54 from returning to the chamber 20 in the low-humidity holding step, the air between the three-way valve 60 and the ejector 85 On the return path 59, it is preferable to provide a filter. Alternatively, it is preferable to provide a filter on the dry air supply path 82 between the ejector 85 and the buffer space 24.

도 7을 참조하여 제1 실시형태의 제1 변형예에 대해서 설명한다. 도 7에 있어서, 도 3의 실시형태와 동일 부재에는 동일 부호를 붙이고, 이들 동일 부재에 대한 중복 설명은 생략한다. 이하에 도 3의 실시형태에 대한 상이점에 대해서 설명한다.The first modification of the first embodiment will be described with reference to Fig. In Fig. 7, the same members as those in the embodiment of Fig. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description of these same members is omitted. Differences from the embodiment of Fig. 3 will be described below.

제1 변형예에서는, 드라이 에어 공급부(80)로부터 이젝터(85)가 제거되어 있다. 드라이 에어 공급부(80)의 하류단은, 챔버(20)의 버퍼 공간(24)에 접속되어 있다. 복귀로(59)는, 위치(27)에 있어서, 챔버(20)의 처리 공간(25)에 접속되어 있다. 위치(27)는, 챔버 배기구(54)보다 높은 위치에 있다. 위치(27)는, 예컨대, 회수컵(50)의 상단보다 약간 높은 위치에 마련할 수 있다. 복귀로(59)에는, 팬(61) 및 필터(62)(예컨대 ULPA 필터)가 순차 개재되어 있다.In the first modification, the ejector 85 is removed from the dry air supply unit 80. The downstream end of the dry air supply unit 80 is connected to the buffer space 24 of the chamber 20. The return path 59 is connected to the processing space 25 of the chamber 20 at the position 27. [ The position 27 is located higher than the chamber exhaust port 54. The position 27 can be provided at a position slightly higher than the upper end of the recovery cup 50, for example. On the return path 59, a fan 61 and a filter 62 (for example, ULPA filter) are sequentially disposed.

통상 급배기 상태에 있어서의 가스의 흐름은 도 4에 나타낸 것과 동일하다. 이하에, 저습도화 단계 및 저습도 유지 단계의 가스의 흐름에 대해서 설명한다.The flow of gas in the normal air supply / exhaust state is the same as that shown in Fig. Hereinafter, the flow of gas in the low humidifying step and the low humidity holding step will be described.

저습도화 단계에서는, FFU(21)의 팬(213)이 정지되며 댐퍼(214)가 폐쇄되어, 덕트(211) 내에의 클린 룸 공기의 취득이 정지되어 있다. 드라이 에어 공급부(80)로부터 챔버(20)의 버퍼 공간(24)에 드라이 에어가 공급되고, 이 드라이 에어는 정류판(23)을 통하여 처리 공간(25) 내에 유입된다. 드라이 에어의 공급 유량은, 약액 처리 공정에 있어서의 FFU(21)로부터의 청정 에어의 공급 유량과 동일한 0.5 ㎥/min이어도 좋다. 또한, 삼방 밸브(60)의 상태 및 댐퍼(57, 58)의 개방도도 약액 처리 공정 시와 동일하게 되어, 컵 배기로(53)를 통한 배기 유량은 0.4 ㎥/min이 되고, 챔버 배기로(55)를 통한 배기 유량은 0.1 ㎥/min이 된다. 상기와 같은 가스의 흐름을 형성함으로써, 챔버(20) 내 및 회수컵(50) 내에 있던 고습도의 에어는, 저습도의 드라이 에어로 치환되어 간다.In the low humidifying step, the fan 213 of the FFU 21 is stopped, the damper 214 is closed, and the acquisition of the clean room air in the duct 211 is stopped. Dry air is supplied to the buffer space 24 of the chamber 20 from the dry air supply unit 80 and flows into the processing space 25 through the rectifying plate 23. [ The supply flow rate of the dry air may be 0.5 m &lt; 3 &gt; / min, which is the same as the supply flow rate of clean air from the FFU 21 in the chemical liquid processing step. The state of the three-way valve 60 and the degree of opening of the dampers 57 and 58 are also the same as those in the chemical liquid processing step, the exhaust flow rate through the cup exhaust path 53 is 0.4 m3 / min, The flow rate of the exhaust gas through the exhaust pipe 55 becomes 0.1 m &lt; 3 &gt; / min. By forming the above-described gas flow, the high-humidity air in the chamber 20 and in the recovery cup 50 is replaced with low-humidity dry air.

저습도 유지 단계로 이행할 때에는, 삼방 밸브(60)를 전술한 제2 상태로 이행시켜, 팬(61)을 동작시킨다. 이에 의해, 공간(26) 내의 가스가, 챔버 배기구(54)로부터 챔버 배기로(55)에 배출되고, 삼방 밸브(60) 및 복귀로(59)를 거쳐 처리 공간(25) 내에 복귀되게 된다. 챔버 배기로(55)의 댐퍼(58)의 개방도는, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량이 원하는 값이 되도록, 필요에 따라 변경할 수 있다. 컵 배기로(53)의 댐퍼(57)의 상태는 저습도화 단계와 동일하게 유지한다. 챔버 배기로(55)를 통해 배출된 에어에 포함되는 파티클은 필터(62)에 의해 제거된다.When shifting to the low humidity holding step, the three-way valve 60 is shifted to the second state described above, and the fan 61 is operated. Thereby, the gas in the space 26 is discharged from the chamber exhaust port 54 to the chamber exhaust path 55 and returned to the processing space 25 via the three-way valve 60 and the return path 59. The opening degree of the damper 58 of the chamber exhaust path 55 can be changed as necessary so that the flow rate of the gas flowing through the return path 59 becomes a desired value. The state of the damper 57 of the cup exhaust passage 53 is maintained in the same manner as the low humidifying step. The particles contained in the air exhausted through the chamber exhaust path 55 are removed by the filter 62.

이 제1 변형예에 있어서도, 저습도 유지 단계에 있어서, 컵 배기로(53)의 배기 유량을 저습도화 단계와 동일한 0.4 ㎥/min으로 하고, 챔버 배기로(55)로부터 복귀로(59)를 향하는 배기 유량을 저습도화 단계와 동일한 0.1 ㎥/min으로 한다. 여기서, 챔버 배기로(55)로부터 컵 배기로(53)를 향하는 배기 유량은 제로이다. 즉, 도 3에 나타내는 실시형태와 마찬가지로, 저습도화 단계에서 버려져 있던 0.1 ㎥/min만큼의 드라이 에어가 재이용되게 된다. 따라서, 이때, 챔버(20) 내를 대략 상압으로 유지하기 위해 필요한 드라이 에어 공급부(80)로부터의 드라이 에어의 공급 유량은 0.4 ㎥/min이어도 좋으며, 이 값은 저습도화 단계에 있어서의 0.5 ㎥/min보다 20％나 낮은 값이다.Also in the first modification, in the low humidity holding step, the exhaust flow rate of the cup exhaust path 53 is set to 0.4 m &lt; 3 &gt; / min, which is the same as that in the low humidification step, and the return path 59 is returned from the chamber exhaust path 55 The flow rate of the exhaust gas directed to the low humidification step is set to 0.1 m 3 / min. Here, the exhaust flow rate from the chamber exhaust passage 55 to the cup exhaust passage 53 is zero. That is, as in the embodiment shown in Fig. 3, the dry air of 0.1 m &lt; 3 &gt; / min, which has been discarded in the low humidification step, is reused. Therefore, at this time, the supply flow rate of the dry air from the dry air supply unit 80 required to maintain the inside of the chamber 20 at approximately atmospheric pressure may be 0.4 m 3 / min, which is 0.5 m 3 / min. &lt; / RTI &gt;

상기 제1 변형예에 있어서도, 신속한 분위기 치환과 경제적인 운용을 양립시킬 수 있다. 제1 변형예에 있어서는, 복귀로(59)가 드라이 에어 공급부(80)와 접속되어 있지 않기 때문에, 저습도 유지 단계에 있어서 복귀로(59)를 통하여 흐르는 가스의 유량을 임의의 값으로 조정하는 것이 용이하다.Also in the first modification, rapid substitution of atmosphere and economical operation can be achieved at the same time. In the first modification, since the return path 59 is not connected to the dry air supplying section 80, the flow rate of the gas flowing through the return path 59 in the low humidity holding step is adjusted to a certain value It is easy.

도 3에 나타내는 실시형태에서는, 복귀로(59)가 삼방 밸브(60)를 통해 챔버 배기로(55)로부터 분기하고 있었지만, 이것에는 한정되지 않는다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 챔버 배기로(55)와 복귀로(59)가 분리되어 있어도 좋다. 도 8에 나타내는 제2 변형예에서는, 챔버 배기로(55)는 전용의 챔버 배기구(54A)에 접속되고, 복귀로(59)는 전용의 챔버 배기구(54B)에 접속된다. 챔버 배기로(55)에는 댐퍼(58A) 및 개폐 밸브(60A)가 마련되고, 복귀로(59)에는 댐퍼(58B) 및 개폐 밸브(60B)가 마련된다. 도 8에 있어서, 도 3의 실시형태와 동일 부재에는 동일 부호를 붙이고, 이들 동일 부재에 대한 중복 설명은 생략한다. 이 제2 변형예에서는, 개폐 밸브(60A)를 개방하며 개폐 밸브(60B)를 폐쇄함으로써 도 3의 실시형태에 있어서의 제1 상태와 실질적으로 등가의 상태를 실현시킬 수 있다. 또한, 개폐 밸브(60A)를 폐쇄하며 개폐 밸브(60B)를 개방함으로써 도 3의 실시형태에 있어서의 제2 상태와 실질적으로 등가의 상태를 실현시킬 수 있다.In the embodiment shown in Fig. 3, the return passage 59 is branched from the chamber exhaust passage 55 through the three-way valve 60, but the present invention is not limited to this. The chamber exhaust path 55 and the return path 59 may be separated as shown in Fig. In the second modification shown in Fig. 8, the chamber exhaust passage 55 is connected to a dedicated chamber exhaust port 54A, and the return passage 59 is connected to a dedicated chamber exhaust port 54B. The chamber exhaust passage 55 is provided with a damper 58A and an on-off valve 60A and the return passage 59 is provided with a damper 58B and an on-off valve 60B. In Fig. 8, the same components as those in the embodiment of Fig. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description of these same members is omitted. In this second modification, a state substantially equivalent to the first state in the embodiment of Fig. 3 can be realized by opening the on-off valve 60A and closing the on-off valve 60B. In addition, by opening the on-off valve 60A and opening the on-off valve 60B, a state substantially equivalent to the second state in the embodiment of Fig. 3 can be realized.

도 3에 나타내는 실시형태에서는, 드라이 에어 공급로(82)가 FFU(21)의 덕트(211)에 접속되어 있지만, 이것에는 한정되지 않는다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 드라이 에어 공급로(82)를 챔버(20)의 버퍼 공간(24)에 접속하여도 좋다. 이 경우, 챔버 배기로(55)를 통해 배출된 에어에 포함되는 파티클을 제거하기 위해, 복귀로(59)에 필터(62)(예컨대 ULPA 필터)를 마련하는 것이 바람직하다. 도 9에 나타내는 제3 변형예에 있어서도, 신속한 분위기 치환과 경제적인 운용을 양립할 수 있다.In the embodiment shown in Fig. 3, the dry air supply path 82 is connected to the duct 211 of the FFU 21, but the present invention is not limited to this. The dry air supply path 82 may be connected to the buffer space 24 of the chamber 20 as shown in Fig. In this case, it is preferable to provide a filter 62 (for example, a ULPA filter) on the return path 59 in order to remove particles contained in the air exhausted through the chamber exhaust path 55. Also in the third modification shown in Fig. 9, rapid substitution of atmosphere and economical operation can be achieved at the same time.

다음에, 도 10을 참조하여 이젝터(85)의 적합한 일실시형태에 대해서 설명한다. 이젝터(85)로서, 유체 기기 메이커로부터 공급되는 독립된 부품으로서의 이젝터를 사용할 수 있지만, 여기서는 간결한 구조의 이젝터를 이용한다.Next, a preferred embodiment of the ejector 85 will be described with reference to Fig. As the ejector 85, an ejector as an independent component supplied from a fluid machine maker can be used. Here, an ejector having a simple structure is used.

도 10에 나타내는 바와 같이, 이젝터(85)는, 드라이 에어 공급로(82)와 복귀로(59)의 합류 부분에 의해 형성되어 있다. 드라이 에어 공급로(82)는 각형 단면의 덕트로 이루어지며, 복귀로(59)도 각형 단면의 덕트로 이루어진다. 드라이 에어 공급로(82)는 상기 합류 부분의 근방에 있어서 상류측으로부터 하류측을 향하여 직선형으로 연장되어 있다. 드라이 에어 공급로(82)의 직선형으로 연장되는 부분에 대하여 복귀로(59)가 접속되어 있다. 드라이 에어 공급로(82)의 직선형으로 연장되는 부분에 대하여 복귀로(59)는 소정의 각도, 여기서는 90도의 각도를 이루어 교차하고 있다. 드라이 에어 공급로(82)의 측벽에, 복귀로(59)의 단면 형상에 상당하는 개구(86)가 형성되어 있다.As shown in Fig. 10, the ejector 85 is formed by the merging portion of the dry air supply path 82 and the return path 59. As shown in Fig. The dry air supply path 82 is formed by a duct having a rectangular cross section, and the return path 59 is also formed by a duct having a rectangular cross section. The dry air supply passage 82 extends linearly from the upstream side toward the downstream side in the vicinity of the merging portion. A return path 59 is connected to the linearly extending portion of the dry air supply path 82. The return path 59 intersects the straight line extending portion of the dry air supply path 82 at a predetermined angle, for example, at an angle of 90 degrees. An opening 86 corresponding to the sectional shape of the return path 59 is formed on the side wall of the dry air supply path 82. [

도 11에 나타내는 바와 같이, 드라이 에어 공급로(82) 내의 개구(86)의 근방을 드라이 에어(DA)가 흐르면, 드라이 에어(DA)의 흐름에 의해 복귀로(59) 내의 가스(RA1)[챔버(20) 내로부터 배출된 에어]가 인입되어[화살표(RA2)를 참조], 복귀로(59) 내의 개구(86)의 근방에 음압 영역(N)이 생긴다. 이 음압 영역(N)에 복귀로(59) 내의 가스가 유입됨으로써, 복귀로(59) 내에 개구(86)를 향하는 가스의 흐름(RA1)이 생긴다.11, when the dry air DA flows in the vicinity of the opening 86 in the dry air supply path 82, the flow of the dry air DA causes the gas RA1 [ A negative pressure region N is formed in the vicinity of the opening 86 in the return path 59. The negative pressure region N is formed in the vicinity of the opening 86 in the return path 59 as shown in Fig. A gas flow RA1 toward the opening 86 in the return path 59 is generated by introducing the gas in the return path 59 into the negative pressure region N. [

개구(86)의 면적을 조절하기 위해, 밸브 장치(87)가 마련되어 있다. 밸브 장치(87)는, 밸브체(87a)와, 밸브체(87a)를 구동시키는 밸브 액츄에이터(87b)를 갖는다. 밸브체(87a)는 강성이 높은 판형체로 구성하는 것이 바람직하다. 밸브 장치(87)는, 예컨대 게이트 밸브이다. 개구(86)의 면적을 크게 하면, 음압 영역(N)이 커지기 때문에, 가스의 흐름(RA1)의 유량이 증대한다. 한편, 개구(86)의 면적을 작게 하면 가스의 흐름(RA1)의 유량이 감소한다. 밸브체(87a)는 도 10의 상하 방향으로 이동함으로써 개구(86)의 면적을 변화시킨다. 그러나, 도 11에서는, 동작 원리의 설명을 보다 쉽게 하기 위해, 밸브체(87a)가 수평 방향(좌우 방향)으로 이동하는 것으로 하여 그려져 있다.In order to adjust the area of the opening 86, a valve device 87 is provided. The valve device 87 has a valve body 87a and a valve actuator 87b for driving the valve body 87a. It is preferable that the valve body 87a is formed of a plate body having high rigidity. The valve device 87 is, for example, a gate valve. When the area of the opening 86 is increased, the negative pressure region N becomes large, and therefore the flow rate of the gas flow RA1 increases. On the other hand, reducing the area of the opening 86 reduces the flow rate of the gas flow RA1. The valve body 87a changes the area of the opening 86 by moving in the vertical direction in Fig. However, in FIG. 11, the valve body 87a is depicted as moving in the horizontal direction (left-right direction) for easier explanation of the operation principle.

드라이 에어 공급로(82) 내의 개구(86)보다 하류측의 공간[즉 개구(86)와 챔버(20) 사이의 공간]의 압력을 측정하는 압력계(88)가 마련되어 있다. 밸브 액츄에이터(87b)는, 압력계(88)의 측정값에 기초하여, 밸브 컨트롤러(89)에 의해 제어된다. 상세하게는, 밸브 컨트롤러(89)의 상위 컨트롤러인 제어 장치(4)(도 1 참조)로부터 밸브 컨트롤러(89)에 압력계(88)의 측정값의 목표값이 부여되고 있다. 밸브 컨트롤러(89)는 상기 목표값에 대한 상기 측정값의 편차가 제로가 되도록, 밸브 액츄에이터(87b)를 제어하여 개구(86)의 면적을 변화시킨다. 밸브 컨트롤러(89)는 제어 장치(4)의 일부여도 좋다.A pressure gauge 88 for measuring the pressure of the space on the downstream side of the opening 86 in the dry air supply path 82 (i.e., the space between the opening 86 and the chamber 20) is provided. The valve actuator 87b is controlled by the valve controller 89 based on the measured value of the pressure gauge 88. [ Specifically, a target value of the measured value of the pressure gauge 88 is given to the valve controller 89 from the control device 4 (see Fig. 1) which is an upper controller of the valve controller 89. The valve controller 89 controls the valve actuator 87b to change the area of the opening 86 so that the deviation of the measured value with respect to the target value becomes zero. The valve controller 89 may be part of the control device 4. [

도 10 및 도 11에 기재한 드라이 에어 공급로(82)와 복귀로(59)의 합류 부분에 의해 형성되어 있는 이젝터(85)에 밸브 장치(87)를 마련함으로써, 이젝터(85) 자체의 구조가 매우 간결함에도 불구하고(단순히 2개의 덕트를 연결하였을 뿐), 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량을 안정적으로 일정한 값으로 유지할 수 있다. 이 때문에, 챔버(20)의 내압을 일정하게 유지할 수 있다.By providing the valve device 87 in the ejector 85 formed by the merging portion of the dry air supply path 82 and the return path 59 shown in Figs. 10 and 11, the structure of the ejector 85 itself The flow rate of the gas flowing through the return path 59 can be stably maintained at a constant value although the two ducts are simply connected. Therefore, the internal pressure of the chamber 20 can be kept constant.

챔버(20)의 내압은, 챔버(20)에의 가스의 총공급량과 챔버(20)로부터의 가스의 총배출량의 차분에 따라 변동한다. 이 때문에, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량이 변동되었다고 해도, 상기 차분은 변화하지 않기 때문에, 챔버(20) 내의 압력은 변동하지 않는 것 같이 생각될지도 모른다. 그러나, 가스(에어)가 압축성 유체이기 때문에, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량의 증감에 따른 챔버(20)로부터의 가스의 배출량의 증감과 챔버(20)에의 가스의 유입량의 증감 사이에 시간차가 생긴다. 이 때문에, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량이 변화하면 챔버(20) 내의 압력이 변화하여 버리기 때문에, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량은 가능한 한 일정한 값으로 유지하는 것이 바람직하다.The internal pressure of the chamber 20 varies depending on the difference between the total amount of gas supplied to the chamber 20 and the total amount of the gas discharged from the chamber 20. Therefore, even if the flow rate of the gas flowing through the return path 59 fluctuates, the pressure in the chamber 20 may not seem to fluctuate because the difference does not change. However, since the gas (air) is a compressible fluid, the amount of gas discharged from the chamber 20 increases or decreases as the flow rate of the gas flowing through the return path 59 increases or decreases and the amount of gas introduced into the chamber 20 increases or decreases Time difference occurs. Therefore, since the pressure in the chamber 20 changes when the flow rate of the gas flowing through the return path 59 changes, it is desirable to keep the flow rate of the gas flowing through the return path 59 as constant as possible.

도 11에 나타내는 바와 같이, 압력계(88)는 드라이 에어 공급로(82)와 복귀로(59)의 합류 위치보다 약간 하류측의 위치에 있어서의 드라이 에어 공급로(82) 내의 압력을 검출하도록 마련하는 것이 좋다. 이 위치의 압력은, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량의 변동에 따라 민감하게 변동하기 때문에, 이 위치의 압력 측정 결과에 기초하여 밸브 장치(87)의 개방도를 제어함으로써, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량을 보다 확실하게 일정하게 유지할 수 있다.11, the pressure gauge 88 is arranged to detect the pressure in the dry air supply passage 82 at a position slightly downstream of the confluence position of the dry air supply passage 82 and the return passage 59 It is good to do. Since the pressure at this position fluctuates sensitively according to the fluctuation of the flow rate of the gas flowing through the return passage 59, the opening degree of the valve device 87 is controlled based on the pressure measurement result at this position, 59 can be more reliably and constantly maintained.

또한, 도 3 등에 나타낸 댐퍼(58)를 이용하여도 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량을 조절하는 것은 가능하다. 그러나, 밸브 장치(87)를 이용하여 도 11에 나타낸 음압 영역(N)의 크기를 변경한 쪽이, 복귀로(59)를 흐르는 가스의 유량을 보다 정확 또한 보다 고리스폰스로 조절할 수 있다. 이 때문에, 챔버(20) 내의 압력 변동이 보다 생기기 어려워진다.It is also possible to adjust the flow rate of the gas flowing through the return path 59 by using the damper 58 shown in Fig. 3 or the like. However, by changing the size of the negative pressure area N shown in Fig. 11 using the valve device 87, the flow rate of the gas flowing through the return path 59 can be adjusted more accurately and with higher response. As a result, the pressure fluctuation in the chamber 20 becomes less likely to occur.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

다음에 도 12 및 도 13을 참조하여 처리 유닛(16)의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 12에 있어서, 도 3의 실시형태와 동일 부재에는 동일 부호를 붙이고, 이들 동일 부재에 대한 중복 설명은 생략한다. 도시의 편의 상, 도 12에는 노즐(41∼43), 노즐 아암(44) 및 구동부(45)가 표시되어 있지 않지만, 이들 부재는 실제로는 처리 유닛(16)에 마련되어 있다. 이하에 도 3의 실시형태에 대한 상이점에 대해서 설명한다.Next, a second embodiment of the processing unit 16 will be described with reference to Figs. 12 and 13. Fig. In Fig. 12, the same members as those in the embodiment of Fig. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description of these same members is omitted. For convenience of illustration, the nozzles 41 to 43, the nozzle arm 44, and the driver 45 are not shown in Fig. 12, but these members are actually provided in the processing unit 16. Fig. Differences from the embodiment of Fig. 3 will be described below.

도 3과 도 12를 비교하면 알 수 있듯이, 챔버 배기로(55)의 댐퍼(58)가 삼방 밸브의 하류측에 이설되어 있다. 또한, 복귀로(59)는 드라이 에어 공급로(82)에 합류하고 있지 않고, 복귀로(59) 및 드라이 에어 공급로(82)는 각각의 접속점(216, 215)에 있어서 덕트(211)에 접속되어 있다.3 and 12, the damper 58 of the chamber exhaust passage 55 is provided on the downstream side of the three-way valve. The return path 59 does not join the dry air supply path 82 and the return path 59 and the dry air supply path 82 are connected to the duct 211 at the respective connection points 216 and 215 Respectively.

회수컵(50)의 주위를 둘러싸도록 가스 처리부(90)가 마련되어 있다. 가스 처리부(90)는 평면에서 보아 회수컵(50)을 둘러싸는 대략 C자형(혹은 U자형)의 형상을 갖는다. 챔버(20)의 측벽의 C자의 끊어진 부분에 대응하는 위치에 웨이퍼 반출입구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이에 의해, 가스 처리부(90)에 의해 처리 유닛(16)에 대한 웨이퍼의 반출입이 방해되지 않게 되어 있다.The gas processing unit 90 is provided so as to surround the periphery of the recovery cup 50. The gas processing section 90 has a substantially C-shaped (or U-shaped) shape surrounding the recovery cup 50 in plan view. A wafer transfer port (not shown) is provided at a position corresponding to the broken portion of the C-shaped portion of the side wall of the chamber 20. As a result, the gas processing unit 90 prevents the wafer from being carried in and out of the processing unit 16.

도 13에 나타내는 바와 같이, 가스 처리부(90)는, 하우징(91)과, 하우징(91) 내에 위로부터 순서대로 배치된 케미컬 필터(92), 실리카 겔층(제습제층)(93) 및 펠티에 소자 집합체(가열 요소)(94)를 가지고 있다. 하우징(91)의 천장벽(95)에는 개구(95a)가 마련되어 있다. 하우징(91)의 바닥벽(96)으로부터 하우징(91) 내에 배기관(97)이 삽입되어 있다. 배기관(97)은 펠티에 소자 집합체(94)의 일부를 관통하여 실리카 겔층(93)의 바닥부까지 연장되어 있다. 또한, 배기관(97)은 하우징(91)에 1개만(2개 이상이어도 좋지만) 마련되어 있고, 배기관(97)이 마련되어 있지 않은 부분에 있어서는, 단면에서 보아, 실리카 겔층(93)의 하면 전체가 펠티에 소자 집합체(94)의 상면 전체에 접촉하고 있다. 배기관(97)은 챔버 배기로(55)에 접속되어 있다.13, the gas processing unit 90 includes a housing 91, a chemical filter 92, a silica gel layer (dehumidifying agent layer) 93, and a Peltier element aggregate (Heating element) 94 for heating. An opening 95a is provided in the ceiling wall 95 of the housing 91. [ An exhaust pipe 97 is inserted into the housing 91 from the bottom wall 96 of the housing 91. The exhaust pipe 97 penetrates a part of the Peltier element aggregate 94 and extends to the bottom of the silica gel layer 93. In the portion where the exhaust pipe 97 is not provided, the entire lower surface of the silica gel layer 93 is formed in a peltier (not shown) in cross section, and the exhaust pipe 97 is provided only in the housing 91 And is in contact with the entire upper surface of the element aggregate (94). The exhaust pipe 97 is connected to the chamber exhaust passage 55.

케미컬 필터(92)는, 케미컬 필터(92)를 통과하는 가스(에어)로부터, ULPA 필터로 제거할 수 없는 분자형 오염 물질(예컨대 암모니아 분자)을 제거한다. 실리카 겔층(93)은, 실리카 겔층(93)을 통과하는 가스(에어)로부터, 수분을 제거한다. 펠티에 소자 집합체(94)는, 실리카 겔층(93)을 가열함으로써 수분을 흡착한 실리카 겔을 재생한다.The chemical filter 92 removes molecular contaminants (such as ammonia molecules) that can not be removed by the ULPA filter from the gas (air) passing through the chemical filter 92. The silica gel layer 93 removes moisture from the gas (air) passing through the silica gel layer 93. The Peltier element aggregate 94 regenerates the silica gel adsorbing moisture by heating the silica gel layer 93.

전술한 점 이외에는, 도 3의 실시형태(제1 실시형태)와 도 12의 실시형태(제2 실시형태)의 구성은 동일하다.Except for the points described above, the configurations of the embodiment (first embodiment) of Fig. 3 and the embodiment (second embodiment) of Fig. 12 are the same.

이 제2 실시형태에 있어서의 가스의 흐름에 대해서 이하에 설명한다. 전술한 약액 처리 공정, 린스 공정 및 IPA 치환 공정(IPA 치환 공정의 전반만이어도 좋음)을 행하고 있을 때에는, FFU(21)의 팬(213)이 회전함으로써 덕트(211) 내에 취입된 클린 룸 내의 에어가, ULPA 필터(212)를 통하여 챔버(20) 내에 공급된다. 챔버(20) 내에 공급된 에어의 일부는 회수컵(50) 내를 통하여 컵 배기로(53)로부터 배출된다.The gas flow in the second embodiment will be described below. The fan 213 of the FFU 21 rotates and the air in the clean room blown into the duct 211 is blown by the rotation of the fan 213 when the above-described chemical liquid treatment process, rinsing process and IPA replacement process (only the first half of the IPA replacement process may be performed) Is supplied into the chamber 20 through the ULPA filter 212. [ A part of the air supplied into the chamber 20 is discharged from the cup exhaust path 53 through the recovery cup 50.

챔버(20) 내에 공급된 가스(에어)의 나머지의 부분은, 가스 처리부(90)에 유입되어, 가스 처리부(90)에서 분자형 오염 물질 및 수분이 제거되어, 챔버 배기로(55)에 유출된다. 챔버 배기로(55)에 유출된 가스 즉 청정화 및 제습된 에어는, 삼방 밸브(60)를 거쳐, 복귀로(59)에 유입된다[챔버 배기로(55)의 삼방 밸브(60)의 하류측으로는 흐르지 않음]. 즉 ULPA 필터(212)를 통하여 챔버(20) 내에 공급되는 가스는, 클린 룸으로부터 취입된 에어와, 청정화 및 제습된 에어의 혼합 가스가 된다. 이 혼합 가스(에어)의 습도는, 클린 룸으로부터 취입된 에어보다 낮다. 이 때문에, 건조 공정 시에 필요로 되는 저습도 분위기로의 이행을 신속하게 행하는 것이 가능해진다.The remaining portion of the gas (air) supplied into the chamber 20 flows into the gas processing unit 90 so that the molecular contaminants and moisture are removed from the gas processing unit 90, do. The gas discharged to the chamber exhaust path 55, that is, the purified and dehumidified air, flows into the return path 59 via the three-way valve 60 (to the downstream side of the three-way valve 60 of the chamber exhaust path 55 Does not flow. That is, the gas supplied into the chamber 20 through the ULPA filter 212 becomes a mixed gas of the air taken in from the clean room and the purified and dehumidified air. The humidity of this mixed gas (air) is lower than the air taken in from the clean room. Therefore, it is possible to rapidly perform the transition to the low-humidity atmosphere required in the drying step.

건조 공정의 실행 개시 시 혹은 그 전 혹은 그 후에, 챔버(20) 내의 분위기를 저습도로 이행하며 또한 저습도로 유지할 때에는, FFU(21)의 팬(213)이 정지되며 댐퍼(214)가 폐쇄되어, 드라이 에어 공급부(80)로부터 덕트(211)를 통해 챔버(20) 내에 드라이 에어가 공급된다. 챔버(20) 내에 공급된 에어의 일부는 회수컵(50) 내를 통하여 컵 배기로(53)로부터 배출된다. 챔버(20) 내에 공급된 가스(에어)의 나머지의 부분은, 가스 처리부(90)에 유입되어, 가스 처리부(90)에서 분자형 오염 물질 및 수분이 제거되어, 챔버 배기로(55)에 유출된다. 챔버 배기로(55)에 유출된 가스 즉 청정화 및 제습된 에어는, 삼방 밸브(60)를 거쳐, 복귀로(59)에 유입된다[챔버 배기로(55)의 삼방 밸브(60)의 하류측으로는 흐르지 않음]. 즉 챔버(20) 내에 공급되는 가스는, 드라이 에어 공급부(80)로부터 공급된 드라이 에어와, 청정화 및 제습된 에어의 혼합 가스가 된다.The fan 213 of the FFU 21 is stopped and the damper 214 is closed when the atmosphere in the chamber 20 is shifted to low humidity and maintained at a low humidity at the start of the execution of the drying process, So that the dry air is supplied from the dry air supply unit 80 to the chamber 20 through the duct 211. A part of the air supplied into the chamber 20 is discharged from the cup exhaust path 53 through the recovery cup 50. The remaining portion of the gas (air) supplied into the chamber 20 flows into the gas processing unit 90 so that the molecular contaminants and moisture are removed from the gas processing unit 90, do. The gas discharged to the chamber exhaust path 55, that is, the purified and dehumidified air, flows into the return path 59 via the three-way valve 60 (to the downstream side of the three-way valve 60 of the chamber exhaust path 55 Does not flow. That is, the gas supplied into the chamber 20 becomes a mixed gas of the dry air supplied from the dry air supply unit 80 and the purified and dehumidified air.

챔버(20) 내에는 처리액 등에 유래하는 수분이 표류하고 있기 때문에, 챔버(20) 내에 공급된 가스의 습도는, 챔버(20) 내에서 증대할 가능성이 높다. 그러나, 이 수분은 가스 처리부(90)에서 제거되기 때문에, 챔버 배기로(55) 및 복귀로(59)를 통해 리사이클되는 가스를 드라이 에어 공급부(80)로부터 공급된 드라이 에어와 혼합하여도, 그 혼합 가스의 습도는, 드라이 에어 공급부(80)로부터 공급된 드라이 에어의 습도와 큰 차이는 없다. 즉, 이 제3 실시형태에 따르면, 드라이 에어를 리사이클하였다고 해도, 챔버(20) 내의 습도를, 매우 낮은 레벨로 유지할 수 있다.Since the moisture derived from the treatment liquid or the like drifts in the chamber 20, the humidity of the gas supplied into the chamber 20 is likely to increase in the chamber 20. However, since this moisture is removed from the gas processing unit 90, even if the gas recycled through the chamber exhaust path 55 and the return path 59 is mixed with the dry air supplied from the dry air supply unit 80, The humidity of the mixed gas is not greatly different from the humidity of the dry air supplied from the dry air supply unit 80. That is, according to the third embodiment, even if the dry air is recycled, the humidity in the chamber 20 can be maintained at a very low level.

실리카 겔층(93)을 구성하는 실리카 겔을 재생하는 경우에는, 삼방 밸브(60)를 전환하여, 가스 처리부(90)로부터 챔버 배기로(55)에 유출된 가스가, 복귀로(59)로는 흐르지 않고 챔버 배기로(55)의 하류측으로 흐르도록 한다. 이 상태로 펠티에 소자 집합체(94)에 통전하여, 실리카 겔층(93)을 가열하여 실리카 겔층(93)으로부터 수분을 제거한다. 제거된 수분은, 챔버 배기로(55) 및 컵 배기로(53)를 거쳐, 공장 배기계에 폐기된다. 이러한 재생 처리는, 예컨대, 1장의 웨이퍼의 처리가 종료한 후에 다음 웨이퍼의 처리가 개시될 때까지의 동안, 혹은 어떤 제조 로트의 웨이퍼의 처리가 종료한 후, 다음 제조 로트의 웨이퍼의 처리가 개시될 때까지의 동안에 행할 수 있다.The three-way valve 60 is switched so that the gas flowing out from the gas processing section 90 to the chamber exhaust path 55 flows to the return path 59. In this case, And flows to the downstream side of the chamber exhaust path 55. In this state, the Peltier element aggregate 94 is energized to heat the silica gel layer 93 to remove moisture from the silica gel layer 93. The removed moisture is discharged to the factory exhaust system via the chamber exhaust path 55 and the cup exhaust path 53. [ This regeneration process is performed, for example, during the period from the end of the processing of one wafer to the start of processing of the next wafer, or after the processing of the wafer of a certain production lot is completed, It can be done until

상기 실시형태는, 건조 공정 시에 챔버(20) 내의 분위기를 조정하기 위해 드라이 에어 공급부(80)가 저습도(저노점) 가스인 드라이 에어를 공급하는 것이었다. 이 대신에, 건조 공정 시에 챔버(20) 내의 분위기를 조정하기 위해 저산소 가스 예컨대 질소 가스를 공급하는 구성도 채용할 수 있다. 이 경우, 드라이 에어 공급부(80)를 질소 가스 공급부로 하면[즉 단순히 드라이 에어 공급원(81)으로부터 공급되는 가스를 질소 가스로 하면], 그 외의 부분의 장치 구성은 동일하여도 좋다. 또한, 드라이 에어 대신에 질소 가스를 사용하는 점을 제외하면, 장치의 동작도 드라이 에어를 사용하고 있는 경우와 동일하여도 좋다. 즉 상기 설명문에 있어서, 드라이 에어를 질소 가스로 대체하고, 습도를 산소 농도로 대체함으로써, 질소 가스를 이용한 실시형태의 구성, 작용, 효과에 대해서 이해할 수 있다. 또한, 공업적으로 사용되는 질소 가스 중에 포함되는 수분량은, FFU(21)에 공급되는 청정 에어와 비교하여 대폭 낮기 때문에, 질소 가스는, 저습도 가스라고 볼 수도 있다.In the above embodiment, the dry air supply unit 80 supplies dry air as a low-humidity (low-dew point) gas in order to adjust the atmosphere in the chamber 20 during the drying process. Alternatively, a configuration may be adopted in which a low-oxygen gas, such as nitrogen gas, is supplied to adjust the atmosphere in the chamber 20 during the drying process. In this case, when the dry air supply unit 80 is a nitrogen gas supply unit (that is, when the gas supplied from the dry air supply source 81 is simply nitrogen gas), the other unit configuration may be the same. The operation of the apparatus may be the same as that in the case of using dry air, except that nitrogen gas is used instead of dry air. In other words, in the above explanation, the configuration, operation, and effect of the embodiment using the nitrogen gas can be understood by replacing the dry air with the nitrogen gas and replacing the humidity with the oxygen concentration. Further, since the amount of moisture contained in the nitrogen gas used industrially is significantly lower than that of the clean air supplied to the FFU 21, the nitrogen gas can be regarded as a low-humidity gas.

상기 기판 처리 시스템(1)에 의해 처리되는 피처리 기판은, 반도체 웨이퍼(W)에 한정되지 않고, 유리 기판, 세라믹 기판 등의 임의의 기판으로 할 수 있다.The substrate to be processed by the substrate processing system 1 is not limited to the semiconductor wafer W and may be any substrate such as a glass substrate or a ceramic substrate.

4 제어부(제어 장치)
20 처리실(챔버)
21 제2 가스 공급부(FFU)
211 제2 가스 공급로(FFU의 덕트)
31 기판 유지부
50 컵(회수컵)
53 컵 배기로
55 처리실 배기로(챔버 배기로)
59 복귀로
60 배기 전환 기구(삼방 밸브)
60A, 60B 배기 전환 기구(2개의 개폐 밸브)
80 제1 가스 공급부(드라이 에어 공급부)
81 제1 가스 공급로(드라이 에어 공급로)
85 이젝터
90 가스 처리부
213, 214 제2 가스 공급 제어 기기(팬, 댐퍼)
83, 84, 213, 214 공급 가스 전환 기구(팬, 댐퍼)4 Control unit (control unit)
20 Treatment chamber (chamber)
21 Second gas supply unit (FFU)
211 Second gas supply path (duct of FFU)
31 substrate holding portion
50 cups (recovery cup)
With 53 cup exhaust
55 Treatment room exhaust path (with chamber exhaust)
59 On return
60 exhaust switching mechanism (three-way valve)
60A, 60B Exhaust switching mechanism (two opening / closing valves)
80 First gas supply part (dry air supply part)
81 First gas supply line (dry air supply line)
85 Ejector
90 gas processing section
213, 214 Second gas supply control device (fan, damper)
83, 84, 213, 214 Supply gas switching mechanism (fan, damper)

Claims (13)

기판 유지부와,
상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과,
상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과,
상기 처리실 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,
상기 컵 내의 가스를 배기하는 컵 배기로와,
상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 처리실 배기로와,
상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 상기 처리실에 복귀시키는 복귀로와,
상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 가스가 상기 처리실 배기로로부터 배기되는 제1 상태와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 제2 상태를 전환하는 배기 전환 기구
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate holder,
A cup surrounding the periphery of the substrate holding portion,
A processing chamber accommodating the cup and the substrate holder,
A first gas supply unit for supplying a first gas into the process chamber,
A cup exhaust path for exhausting gas in the cup,
A processing chamber exhaust path for exhausting gas in the processing chamber outside the cup,
A return path for returning the gas in the treatment chamber outside the cup, which is exhausted from the treatment chamber, to the treatment chamber;
A first state in which a gas outside the cup exhausted from the processing chamber is exhausted from the processing chamber exhaust path and a second state in which a gas outside the cup exhausted from the processing chamber is returned to the processing chamber through the return path, Instrument
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
제1 가스 공급부로부터의 제1 가스를 상기 처리실에 공급하고 있을 때에 상기 제1 상태로부터 상기 제2 상태로 전환하도록 상기 배기 전환 기구를 제어하는 제어부를 구비한, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a control section that controls the exhaust switching mechanism to switch from the first state to the second state when the first gas from the first gas supply section is supplied to the processing chamber. 제1항에 있어서,
상기 제1 가스 공급부는, 제1 가스의 공급원으로부터 상기 처리실을 향하여 가스를 공급하는 제1 가스 공급로를 가지고, 상기 복귀로는 상기 제1 가스 공급로에 합류하여, 상기 배기 전환 기구가 상기 제2 상태에 있을 때에, 상기 처리실로부터 배기된 가스는, 상기 제1 가스 공급로 내에서 상기 제1 가스의 공급원으로부터 공급되는 상기 제1 가스와 혼합된 후에 상기 처리실 내에 복귀되는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first gas supply unit has a first gas supply path for supplying gas from a supply source of the first gas toward the processing chamber, the return path joining the first gas supply path, 2 state, the gas exhausted from the treatment chamber is returned to the treatment chamber after being mixed with the first gas supplied from the source of the first gas in the first gas supply passage. . 제3항에 있어서,
상기 복귀로와 상기 제1 가스 공급로의 합류 부분에 이젝터가 마련되고, 상기 제1 가스 공급로를 흐르는 가스의 흐름이 상기 이젝터의 구동류이며, 상기 복귀로를 흐르는 상기 처리실로부터 배기된 가스의 흐름이 상기 이젝터의 흡인류인 것인, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein an ejector is provided at a confluent portion of the return path and the first gas supply path, and a flow of gas flowing through the first gas supply path is a drive flow of the ejector, Wherein the flow is a suction flow of the ejector. 제4항에 있어서,
상기 이젝터는, 상기 합류 부분의 근방에서 직선형으로 연장되는 상기 제1 가스 공급로의 직선형 부분과, 상기 직선형 부분에 대하여 각도를 이루며 교차하여 상기 직선형 부분에 접속되는 복귀로의 말단 부분에 의해 형성되어 있는 것인, 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the ejector is formed by a linear portion of the first gas supply path extending linearly near the merging portion and an end portion of the return path crossing at an angle to the linear portion and connected to the linear portion And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 처리실 배기로는 상기 처리실에 마련된 배기구에 접속되고, 상기 복귀로는 상기 처리실 배기로로부터 분기하고 있으며, 상기 제2 상태에 있어서 상기 처리실의 상기 배기구로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스는, 상기 배기 전환 기구를 통해 상기 복귀로에 유입되는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas in the processing chamber outside the cup, which is exhausted from the exhaust port of the processing chamber in the second state, is supplied to the processing chamber through the exhaust port of the processing chamber, the processing chamber exhausting passage being connected to an exhaust port provided in the processing chamber, And flows into the return passage through the exhaust switching mechanism. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,
상기 제1 가스가 상기 처리실 내에 공급되는 제1 공급 상태와 상기 제2 가스가 상기 처리실 내에 공급되는 제2 공급 상태를 전환하는 공급 가스 전환 기구를 더 구비하고,
상기 제1 가스는, 상기 제2 가스보다 습도가 낮거나 혹은 산소 농도가 낮은 것인, 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A second gas supply unit for supplying a second gas into the process chamber,
Further comprising a supply gas switching mechanism for switching between a first supply state in which the first gas is supplied into the process chamber and a second supply state in which the second gas is supplied into the process chamber,
Wherein the first gas is lower in humidity or oxygen concentration than the second gas. 제7항에 있어서,
상기 배기 전환 기구를 상기 제1 상태로 하며 상기 공급 가스 전환 기구를 상기 제2 공급 상태로 하면서, 처리액 공급부로부터 상기 기판에 처리액을 공급하여, 기판에 액 처리를 실시하는 공정과,
그 후, 상기 배기 전환 기구를 상기 제1 상태로 하며 상기 공급 가스 전환 기구를 상기 제1 공급 상태로 하여, 상기 기판을 건조시키는 공정과,
그 후, 상기 배기 전환 기구를 상기 제2 상태로 하며 상기 공급 가스 전환 기구를 상기 제1 공급 상태로 하여, 상기 기판을 건조시키는 공정
이 실행되도록 제어를 행하는 제어부를 더 구비한, 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Supplying the process liquid to the substrate from the process liquid supply unit while the exhaust gas switching mechanism is in the first state and the supply gas switching mechanism is in the second supply state,
A step of bringing the exhaust switching mechanism into the first state and bringing the feed gas switching mechanism into the first feeding state to dry the substrate,
Thereafter, the exhaust switching mechanism is brought to the second state, the supply gas switching mechanism is set to the first supply state, and the substrate is dried
And a controller for controlling the substrate processing apparatus to perform the processing. 제1항에 있어서,
상기 처리실 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 더 구비하며, 상기 제1 가스는, 상기 제2 가스보다 습도가 낮거나 혹은 산소 농도가 낮고,
상기 제2 가스 공급부는, 상기 제2 가스를 상기 처리실을 향하여 흐르게 하는 제2 가스 공급로와, 상기 제2 가스 공급로를 흐르는 공기로부터 파티클을 제거하는 필터와, 상기 제2 가스 공급로를 상기 제2 가스가 상기 처리실을 향하여 흐르는 상태와 흐르지 않는 상태를 전환하는 제2 가스 공급 제어 기기를 가지며,
상기 복귀로는 상기 제2 가스 공급 제어 기기보다 하류측에서 상기 제2 가스 공급로에 접속되는 것인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a second gas supply unit for supplying a second gas into the process chamber, wherein the first gas has a lower humidity or a lower oxygen concentration than the second gas,
Wherein the second gas supply unit includes a second gas supply path for allowing the second gas to flow toward the processing chamber, a filter for removing particles from the air flowing through the second gas supply path, And a second gas supply control device for switching between a state in which the second gas flows toward the treatment chamber and a state in which the second gas does not flow toward the treatment chamber,
And the return path is connected to the second gas supply path on the downstream side of the second gas supply control device. 제7항에 있어서,
상기 제1 가스 공급부는, 제1 가스의 공급원으로부터 상기 처리실을 향하여 가스를 흐르게 하는 제1 가스 공급로를 가지고, 상기 복귀로는 상기 제1 가스 공급로에 합류하며 상기 제1 가스 공급로를 통해 상기 제2 가스 공급로에 접속되어 있고, 상기 배기 전환 기구가 상기 제2 상태에 있을 때에, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스는, 상기 제1 가스 공급로 내에서 상기 제1 가스와 혼합된 후에 상기 제2 가스 공급로에 공급되는 것인, 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first gas supply unit has a first gas supply path for flowing a gas from a supply source of the first gas toward the processing chamber, and the return path joins the first gas supply path and flows through the first gas supply path Wherein the gas in the processing chamber outside the cup, which is exhausted from the processing chamber when the exhaust switching mechanism is in the second state, is connected to the second gas supply path, And then supplied to the second gas supply path. 기판 유지부와,
상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과,
상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과,
상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 제1 가스를 상기 처리실에 공급하는 제1 가스 공급부와,
상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 제2 가스를 상기 처리실에 공급하는 제2 가스 공급부와,
상기 컵 내의 가스를 배기하는 컵 배기로와,
상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를, 상기 처리실에 복귀시키지 않고 배출하는 처리실 배기로와,
상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 상기 처리실에 복귀시키는 복귀로와,
상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 일없이 상기 처리실 배기로로부터 배기되는 제1 상태와, 상기 처리실로부터 배기된 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 복귀로를 통하여 상기 처리실에 복귀되는 제2 상태를 전환하는 배기 전환 기구를 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 행해지는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 제1 가스는, 상기 제2 가스보다 습도가 낮거나 혹은 산소 농도가 낮고,
상기 기판 처리 방법은,
상기 제2 가스 공급부에 의해 상기 제2 가스를 상기 처리실에 공급하며, 또한 기판에 처리액을 공급하면서, 상기 기판에 액 처리를 실시하는 공정과,
상기 제1 가스 공급부에 의해 상기 제1 가스를 상기 처리실에 공급하면서, 상기 액 처리가 실시된 기판을 건조시키는 건조 공정
을 포함하고,
상기 제1 가스 공급부에 의해 상기 제1 가스를 상기 처리실에 공급할 때에, 상기 제1 가스의 공급의 개시 시에 상기 배기 전환 기구를 상기 제1 상태로 하며, 그 후 제2 상태로 전환하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate holder,
A cup surrounding the periphery of the substrate holding portion,
A processing chamber accommodating the cup and the substrate holder,
A first gas supply unit for supplying a first gas for forming an atmosphere in the process chamber to the process chamber;
A second gas supply unit for supplying a second gas for forming an atmosphere in the process chamber to the process chamber;
A cup exhaust path for exhausting gas in the cup,
A processing chamber exhaust path for discharging the gas in the processing chamber outside the cup exhausted from the processing chamber without returning the gas to the processing chamber;
A return path for returning the gas in the treatment chamber outside the cup, which is exhausted from the treatment chamber, to the treatment chamber;
A first state in which the gas in the processing chamber outside the cup exhausted from the processing chamber is exhausted from the processing chamber exhaust path without returning to the processing chamber through the return path and a second state in which gas in the processing chamber outside the cup, And an exhaust switching mechanism for switching a second state in which the substrate is returned to the processing chamber through the return path, the substrate processing method comprising:
Wherein the first gas has a lower humidity or a lower oxygen concentration than the second gas,
The substrate processing method includes:
Supplying the second gas to the processing chamber by the second gas supply unit and supplying the processing solution to the substrate,
A drying step of drying the substrate subjected to the liquid processing while supplying the first gas to the processing chamber by the first gas supply unit
/ RTI &gt;
Characterized in that, when the first gas is supplied to the processing chamber by the first gas supply unit, the exhaust switching mechanism is switched to the first state at the start of the supply of the first gas, . 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 제11항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체.12. A storage medium storing a program for causing a computer to execute the substrate processing method according to claim 11 by controlling the substrate processing apparatus when executed by a computer for controlling operations of the substrate processing apparatus. 기판 유지부와,
상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵과,
상기 컵 및 상기 기판 유지부를 수용하는 처리실과,
상기 처리실 내의 분위기를 형성하는 가스를 상기 처리실에 공급하는 가스 공급로와,
상기 컵 내의 가스를 배기하는 컵 배기로와,
상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 처리실 배기로와,
상기 컵 밖의 상기 처리실 내에 마련되며, 상기 컵 밖의 상기 처리실 내의 가스가 상기 처리실 배기로로부터 배출되기 전에, 상기 가스의 습도를 저하시키는 것 및 상기 가스로부터 오염 물질을 제거하는 것 중의 적어도 한쪽을 행하는 가스 처리부와,
상기 처리실 배기로에 접속되며, 상기 가스 처리부에 의해 처리된 후에 상기 처리실로부터 나온 가스를 상기 처리실에 복귀시키기 위한 복귀로
를 구비한, 기판 처리 장치.A substrate holder,
A cup surrounding the periphery of the substrate holding portion,
A processing chamber accommodating the cup and the substrate holder,
A gas supply path for supplying a gas for forming an atmosphere in the process chamber to the process chamber,
A cup exhaust path for exhausting gas in the cup,
A processing chamber exhaust path for exhausting gas in the processing chamber outside the cup,
A gas supply unit that is provided in the processing chamber outside the cup and that performs at least one of reducing humidity of the gas and removing contaminants from the gas before the gas in the processing chamber outside the cup is discharged from the processing chamber exhaust path A processing section,
And a return path connected to the treatment room exhaust path, for returning the gas from the treatment chamber to the treatment chamber after being treated by the gas treatment section
And the substrate processing apparatus.
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