KR20160096255A

KR20160096255A - 동축 커넥터

Info

Publication number: KR20160096255A
Application number: KR1020150017288A
Authority: KR
Inventors: 정인하; 박래혁; 백종섭; 신상식; 조용찬
Original assignee: 엘에스전선 주식회사
Priority date: 2015-02-04
Filing date: 2015-02-04
Publication date: 2016-08-16
Also published as: KR102276390B1

Abstract

본 발명은 이동통신 분야에서 사용되는 동축 커넥터를 구성하는 부품들의 도금 재질과 두께를 변경하여 PIMD (Passive Intermodulation Distortion) 성능을 향상시킬 수 있는 동축 커넥터에 관한 것이다.

Description

동축 커넥터{Coaxial Connector}

본 발명은 동축 커넥터에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 이동통신 분야에서 사용되는 동축 커넥터를 구성하는 부품들의 도금 재질과 두께를 변경하여 PIMD (Passive Intermodulation Distortion) 성능을 향상시킬 수 있는 동축 커넥터에 관한 것이다.

IM(Intermodulation)은 복수 개의 주파수를 갖는 신호가 비선형 시스템 혹은 회로를 통과할때 출력단에 입력에 없던 신호가 혼변조되는 것을 의미하고, IMD(Intermodulation distortion)은 복수 개의 이상의 주파수가 비선형 시스템 혹은 회로를 통과할 때 출력단에서 입력단으로 공급되지 않았던 신호가 혼변조되어 출력되는 것을 의미하고, IMD(Intermodulation distortion)는 그러한 혼변조 성분에 의한 왜곡(distortion)을 의미한다.

아날로그 시스템과 달리 CDMA와 같은 디지털 시스템은 하나의 주파수를 갖는 신호가 하나의 채널을 사용하는 것이 아니라 넓은 채널 밴드폭을 복수 개의 주파수를 갖는 신호들이 공유하기 때문에 IMD(Intermodulation distortion)는 주로 디지털 시스템에서 주로 문제가 된다.

다시 말해서 디지털 통신 시스템에서 주로 문제가 될 수 있다. 이러한 문제점은 주로 수동소자에서도 발생한다. 즉, 수동소자 역시 완벽한 선형동작을 하는 것은 아니기 때문에 비선형적 동작으로 인해 IMD가 발생하며, 수동소자에서 발생되는 IMD를 PIMD (Passive Intermodulation Distortion)라고 한다.

PIMD는 안테나, 필터, RF 신호용 동축 케이블, RF 동축 커넥터 등 이동통신의 수동소자에서 중요한 전기적 특성이다. PIMD가 높으면 채널 내 또는 인접체널에 간섭(Interference)으로 작용하여 통신장비의 신호전력 / 잡음전력으로 정의되는 신호대 잡음비(SNR, Signal to Noise Ratio : 신호대 잡음비)을 낮추어, 결과적으로 시스템의 소비전력을 향상시키고 시스템의 커버리지를 저하시킨다.

PIMD는 수동소자에서 금속도체의 기계구조적 비완전 접촉, 유전체의 오염 등 이외에도 강자성체, 금속 또는 도금 표면의 산화, 도금 표면의 스크레치 등이 원인이 되는 것으로 알려져 있다.

PIMD는 수동소자가 갖는 비선형성에 근본원인이 있다. 이러한 비선형성에는 크게 접촉비선형성과 물질비선형성으로 나뉘는데 전자의 경우에는 금속 산화막에 의한 터널링 효과, 미소균열의 미소방전(Micro-discharge)등이 있고 후자의 경우에는 니켈과 같은 금속 물질의 강자성(Ferromagnetism), 이력현상(Hystersis) 효과 등이 있다.

동축 케이블이 연결되는 동축 커넥터 등에서 발생하는 PIMD의 성능을 향상시키기 위해서는 상기의 비선형적 특성을 최소화하는 방법이 필요하다.

구체적으로, 동축 커넥터 등에서 발생하는 PIMD의 성능을 향상시키기 위해서는 동축 커넥터의 구조의 개선하여 RF 신호의 입출력 구조의 견고성을 향상시키는 것과 동축 커넥터를 구성하는 구성요소들의 도금 두께를 결정하는 방법을 고려할 수 있으나, 규격화된 동축 커넥터의 구조 등을 변경시키는 방법보다 동축 커넥터를 구성하는 구성요소의 도금 재질 및 도금 두께를 변경 또는 최적화하는 방법이 더 효과적일 수 있다.

그러나, 도금 재질 및 도금 두께는 비용 및 성능과 밀접한 관계가 있는 것으로 최적의 도금 재질 및 도금 두께는 소개된 바 없다.

본 발명은 이동통신 분야에서 사용되는 동축 커넥터를 구성하는 부품들의 도금 재질과 두께를 변경하여 PIMD (Passive Intermodulation Distortion) 성능을 향상시킬 수 있는 동축 커넥터를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 은(Ag)으로 코팅된 커넥팅핀 형태의 내부도체, 상기 내부도체가 삽입되는 절연체, 상기 절연체를 감싸며, 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn)으로 구성된 삼원합금으로 코팅되는 외부도체 및, 상기 외부도체 외측에 대응 커넥터와 체결을 위하여 구비되며, 상기 삼원합금으로 코팅되는 커플링 너트;를 포함하는 동축 커넥터를 제공할 수 있다.

또한, 상기 내부도체의 은으로 코팅되는 은코팅층의 두께는 5 마이크로미터(㎛) ~ 7 마이크로미터(㎛)일 수 있다.

여기서, 상기 외부도체의 상기 삼원합금으로 코팅되는 코팅층의 두께는 2 마이크로미터(㎛) ~ 4 마이크로미터(㎛)일 수 있다.

또한, 상기 커플링 너트의 상기 삼원합금으로 코팅되는 코팅층의 두께는 3 마이크로미터(㎛) ~ 5 마이크로미터(㎛)일 수 있다.

여기서, 상기 삼원합금은 58~60%의 구리(Cu), 30~33%의 주석(Sn), 7~9%의 주석(Ni)의 성분비로 구성될 수 있다.

그리고, 상기 동축 커넥터의 880~960MHz 주파수 대역의 신호, 1710~1880MHz 주파수 대역의 신호 및 1920~2170MHz 주파수 대역의 신호에 대한 PIMD 평균값은 모두 -168 dbc 이하일 수 있다.

상기 동축 커넥터의 880~960MHz 주파수 대역의 신호, 1710~1880MHz 주파수 대역의 신호 및 1920~2170MHz 주파수 대역의 신호에 대한 PIMD 평균값들의 편차는 6dbc보다 작을 수 있다.

본 발명에 따른 동축 커넥터는 동축 커넥터를 구성하는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트의 도금 재질 및 도금 두께를 종래와 달리 구성하여, 수동소자의 비선형성에 의한 PIMD 성능을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 동축 커넥터는 도금 재질 및 도금 두께를 종래와 달리 구성하여, 도금 관련 비용을 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 동축 커넥터가 적용된 RF 신호 전달용 동축 점퍼 케이블의 사시도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시된 동축 점퍼 케이블을 구성하는 동축 케이블의 다단 탈피 사시도 및 동축 커넥터의 분해 사시도를 도시한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명에 따른 동축 커넥터가 적용된 RF 신호 전달용 동축 점퍼 케이블의 사시도를 도시하며, 도 2는 도 1에 도시된 동축 점퍼 케이블을 구성하는 동축 케이블의 다단 탈피 사시도 및 동축 커넥터의 분해 사시도를 도시한다.

동축 점퍼 케이블은 이동통신 기지국내 전송장비와 안테나 사이 고주파 신호를 전달하는 전송선로로서 광 대역에 걸 쳐 안정된 특성으로 고품질의 전송 매체이며 신호 전송용 급전선과 신호 방사용 누설 동축케이블로 분류된다.

도 1에 도시된 동축 점퍼 케이블은 동축 케이블과 동축 케이블의 단부에 장착된 동축 커넥터로 구성될 수 있다.

동축 케이블과 동축 커넥터의 기본적인 구조를 도 2를 참조하여 설명한다.

보다 상세하게, 도 2(a)는 도 1에 도시된 동축 점퍼 케이블을 구성하는 동축 케이블의 다단 탈피 사시도를 도시하며, 도 2(b)는 본 발명에 따른 동축 커넥터의 분해 사시도를 도시한다.

도 2에 도시된 동축 케이블(100)은 내부도체(110), 상기 내부도체(110)를 감싸는 절연체(130), 상기 절연체(130) 외측을 감싸도록 구성되는 외부도체(150) 및, 상기 외부도체(150) 외측을 감싸는 자켓(170)을 포함하여 구성될 수 있다.

상기 내부도체(110)는 예를 들면 동(Copper) 또는 동복 알루미늄(CCA) 재질로 구성될 수 있다. 동복 알루미늄(COPPER CLAD ALUMINUM)은 도체의 경량화 요구 및 비용 절감의 요구에 의하여 개발된 도체로서, 알루미늄의 가벼운 무게 및 가격 그리고 구리의 전도성 및 인장특성 등의 장점을 골고루 가지며, 순수 구리에 비해 직경이 크게 증가되지 않으므로, 최근 RF 및 CATV 등의 고주파 동축 케이블(100)의 내부도체(110) 및 파워 케이블로 사용되고 있다.

상기 동복 알루미늄 재질의 내부도체(110)는 절연체(130)에 내부에 수용된다. 상기 절연체(130)는 폴리에틸렌(polyethylene) 또는 고밀도 폴리에틸렌(high density polyethylene, HDPE) 재질로 구성될 수 있다.

상기 절연체(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 내부도체(110)과 외부도체(150) 사이에 발포 공정에 의하여 채워지도록 구성될 수 있다.

상기 절연체(130) 외측에는 외부도체(150)가 구비될 수 있다. 상기 외부도체(150)는 구리 등의 재질일 수 있다.

상기 외부도체(150)는 주름관(corrutgation) 구조가 형성될 수 있다. 상기 주름관 구조에 의하여 유연성 및 강성이 보강될 수 있다. 상기 외부도체(150)의 외측은 자켓(170)으로 피복될 수 있다. 상기 자켓(170)은 예를 들면 난연 폴리에틸렌(FRPE, Fire Retardent Polyethylene) 또는 난연 폴리염화비닐(Polyvinyl Chloride, PVC) 재질 등으로 구성될 수 있다.

도 2(a)에 도시된 동축 케이블(100)은 도 2(b)에 도시된 동축 커넥터(200)와 연결되어 동축 점퍼 케이블(1)을 구성한다.

도 2(b)에 도시된 동축 커넥터(200)는 크게 내부도체(210), 절연체(230), 외부도체(250), 슬립링(260) 및 커플링 너트(280)을 포함하여 구성될 수 있다.

상기 동축 커넥터(200)를 구성하는 내부도체(210)는 수형 커넥터핀 형태로 구성되어, 상기 동축 케이블(100)의 내부도체(110)와 접속되고, 상기 동축 커넥터(200)를 구성하는 외부도체(250)는 동축 케이블의 외부도체(150)과 접속된다.

상기 동축 커넥터(200)의 내부도체(210)은 수형 커넥팅핀 형태로 구성되어, 대응 커넥터(미도시)의 암형 내부도체와 접속되도록 구성되고, 상기 동축 커넥터(200)의 외부도체(250) 역시 대응 커넥터의 외부도체와 접속될 수 있다.

본 발명에 따른 동축 커넥터(200)는 수동소자에 해당되며 비선형적 동작으로 인한 PIMD (Passive Intermodulation Distortion)가 문제된다.

PIMD가 높으면 채널 내 또는 인접체널에 간섭(Interference)으로 작용하여 통신장비의 신호전력 / 잡음전력으로 정의되는 신호대 잡음비(SNR, Signal to Noise Ratio : 신호대 잡음비)을 낮추어, 결과적으로 시스템의 소비전력을 향상시키고 시스템의 커버리지를 저하시키는 문제가 발생되며, PIMD는 수동소자에서 금속도체의 기계구조적 비완전 접촉, 유전체의 오염 등 이외에도 강자성체, 금속 또는 도금 표면의 산화, 도금 표면의 스크레치 등이 원인이 될 수 있다.

이러한 원인들을 최소화하기 위하여 동축 커넥터의 구조를 새롭게 개선하는 방법 이외에 본 발명에 따른 동축 커넥터는 동축 커넥터(200)의 도금 재질과 두께를 최적화하였다.

본 발명에 따른 동축 커넥터(200)는 은(Ag)으로 코팅된 커넥팅핀 형태의 내부도체(210), 상기 내부도체가 삽입되는 절연체(230), 상기 절연체를 감싸며, 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn)으로 구성된 삼원합금으로 코팅되는 외부도체(250), 상기 외부도체(250) 외측에 대응 커넥터와 체결을 위하여 구비되며, 상기 삼원합금으로 코팅되는 커플링 너트(280)를 포함하는 동축 커넥터를 제공한다.

종래에 소개된 동축 커넥터는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트를 모두 은(Ag) 니켈(Ni) 등으로 도금하여 사용하는 예들이 존재하였다.

그러나 동축 커넥터를 구성하는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트를 모두 은(Ag)으로 도금하는 경우, 쉽게 부식이 되는 문제가 발생하고 은(Ag)의 부식을 방지하기 위해서 별도의 부식방지 공정이 추가되어 비용이 증대되는 문제가 있었다.

또한, 은(Ag) 재질의 도금은 표면 스크래치 등이 쉽게 발생되어 PIMD 증대의 원인이 되기도 한다.

또한, 니켈(Ni) 재질의 경우에는 부식 방지 효과가 좋으나 니켈(Ni) 자체의 강자성(Ferromagnetism)에 의하여 PIMD 증대의 원인이 되기도 한다.

따라서, 본 발명에 따른 동축 커넥터는 동축 커넥터(200)를 구성하는 내부도체(210), 외부도체(250)의 도금 재질을 달리하여 PIMD를 최소화하는 방안을 사용한다.

구체적으으로, 본 발명에 따른 동축 커넥터가의 최적의 도금 재질과 도금 두께를 결정하기 위하여 아래의 표 1과 같은 도금 재질 및 도금 두께의 조합으로 표 2에 도시된 시험결과를 얻었다.

표 1에 기재된 도금 재질 및 도금 두께의 조건표는 내부도체(210)는 모두 은(Ag)으로 코팅되되 코팅 두께가 다른 실험예 하나를 포함하며 외부도체는 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 재질의 삼원합금으로 동일 두께로 코팅하며 실험하였으며, 커플링 너트의 경우에는 니켈(Ni) 또는 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 재질의 삼원합금으로 코팅 재질을 달리하여 실험하였다.

구분	실험예 1		실험예 2		실험예 3		실험예 4
구분	재질	두께	재질	두께	재질	두께	재질	두께
내부도체	은(Ag)	5~7㎛	은(Ag)	5~7㎛	은(Ag)	5~7㎛	은(Ag)	10~14㎛
외부도체	삼원합금	2~4㎛	은(Ag)	2~4㎛	삼원합금	2~4㎛	삼원합금	2~4㎛
커플링 너트	니켈(Ni)	3~5㎛	은(Ag)	3~5㎛	삼원합금	3~5㎛	니켈(Ni)	3~5㎛

위와 같은 조건으로 동축 커넥터를 구성한 뒤 PIMD(-dbc), 임피던스(Ω), VSWR (voltage standing wave ratio), DTF(Distance-To-Fault)를 측정하는 복수 회에 걸쳐 반복적으로 측정하는 실험을 수행하였다. 측정 결과는 다음과 같다.

구분		PIMD(-dbc)			임피던스 (Ω)	VSWR	DTF	VSWR	DTF	VSWR	DTF
시험 신호		CDMA	PCS	WCDMA	모두	CDMA		PCS		WCDMA
실험예 1	평균	166.1	174.6	173.7	50.4	1.031	1.027	1.038	1.027	1.043	1.028
실험예 1	표준편차	0.817	1.706	3.871	0.176	0.004	0.003	0.007	0.005	0.008	0.005
실험예 2	평균	166.0	173.5	175.4	50.5	1.031	1.028	1.041	1.027	1.048	1.027
실험예 2	표준편차	1.503	5.598	1.259	0.120	0.003	0.002	0.009	0.006	0.008	0.006
실험예 3	평균	172.4	177.1	176.7	50.4	1.026	1.022	1.034	1.024	1.040	1.027
실험예 3	표준편차	1.932	2.609	1.671	0.145	0.005	0.004	0.009	0.006	0.010	0.006
실험예 4	평균	166.5	174.8	176.3	50.4	1.028	1.020	1.036	1.025	1.045	1.030
실험예 4	표준 편차	0.752	5.752	1.351	0.094	0.004	0.004	0.005	0.004	0.008	0.004

MIL-39012 규격, MIL-202 규격, 또는 CECC-22000 규격 등에서 요구하는 PIMD(-dbc), 임피던스(Ω), VSWR(voltage standing wave ratio), DTF(Distance-To-Fault) 등의 기준 중 모든 실험예가 임피던스는 48(Ω) 내지 52(Ω)의 범위, VSWR(voltage standing wave ratio)은 1.08 이하, DTF(Distance-To-Fault)은 1.04 이하를 만족하여 동축 커넥터를 구성하는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트의 도금 재질 또는 도금 두께와 큰 관련성이 없음을 확인할 수 있다.

결국, 동축 커넥터를 구성하는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트의 도금 재질 또는 도금 두께는 PIMD 값에만 의미있는 영향을 미치는 것으로 이해될 수 있으며, 실험예 1, 실험예 2 및 실험예 4는 시험신호로서 동축 커넥터의 880~960MHz 주파수 대역의 신호, 예를 들면 CDMA 주파수 대역의 신호, 1710~1880MHz 주파수 대역의 신호, 예를 들면 PCS 주파수 대역의 신호 및 1920~2170MHz 주파수 대역의 신호, 예를 들면 WCDMA 주파수 대역의 신호에 따라, 즉 주파수가 증가됨에 따라 PIMD의 측정결과에 차이가 발생된다.

PIMD는 동축 커넥터를 구성하는 내부도체, 외부도체 및 커플링 너트의 표면상태 구조적 결합상태 등에 따라 그 값이 가변적이고, 도금 공정을 포함한 제조 과정에서의 편차도 존재하므로, PIMD는 모든 주파수 대역의 신호에서 균일하게 작은 값을 갖는 것이 바람직하다.

그르므로, 실험예 1 내지 실험예 4 중 고르게 PIMD 측정값이 낮은 실험예 3이 가장 바람직한 PIMD 성능을 갖는다고 볼 수 있다.

MIL-39012 규격, MIL-202 규격, 또는 CECC-22000 규격 등에서 요구하는 PIMD(-dbc) 규격은 - 155 dbc 이하, 국가에 따라 LTE 주파수에 대해서는 - 160 dbc 이하가 될 것을 요구된다.

표 1에 기재된 바와 같이, 실험예별 도금 편차, 사용 상태의 표면 상태 등을 고려하는 경우, 가장 안정적인 PIMD 성능을 확보하기 위해서는 주파수 대역과 무관하게 PIMD가 - 168 dbc 이하로 측정되는 실험예 3과 같이, 내부도체(210)는 은(Ag)으로 코팅하고, 외부도체(250) 및 커플링 너트(280)는 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 재질의 삼원합금으로 코팅하며, 각각의 코팅 두께는 5~ 7 마이크로미터(㎛), 2~4 마이크로미터(㎛), 3~5 마이크로미터(㎛)로 설정하는 것이 가장 바람직하며, 이와 같은 코팅 재질 및 두께에 의하여 주파수 대역과 무관하게 동축 커넥터의 PIMD 평균값이 - 168 dbc 이하가 되어 가장 양호한 PIMD 성능을 보임을 확인할 수 있다.

반면, 실험예 1, 2 및 4의 경우에는 실험오차 등을 고려하는 경우에도 특정 주파수 대역에서는 PIMD 평균값이 - 168 dbc 이상이 되어 상대적으로 PIMD 성능이 고르지 못하다는 것을 확인할 수 있다.

또한, 전술한 도금 재질과 두께로 코팅된 본 발명에 따른 동축 커넥터의 경우, 주파수 대역과 무관하게 PIMD 평균값들의 편차가 6dbc보다 작아져 주파수 대역과 무관하게 가장 고른 PIMD 성능을 보임을 확인할 수 있다.

즉, 상기 내부도체(210), 상기 외부도체(250) 및 상기 커플링 너트(280) 중 상기 외부도체(250)의 도금 두께가 가장 작은 것이 바람직함을 확인할 수 있다.

상기 내부도체(210)은 주된 신호 전송용 경로이므로, 충분히 도금 두께를 제공하는 것이 바람직하며, 상기 외부도체(250)는 접지 등에 사용되므로 상기 외부도체(250)보다는 두꺼운 재질인 것이 바람직할 것으로 분석된다.

상기 삼원합금의 경우에는 본래 니켈(Ni) 부족으로 사용되기 시작된 금속이나 니켈(Ni)과 달리 비자성 및 양호한 내구성을 갖는다.

이러한 비자성으로 인하여 니켈(Ni)과 달리 동축 커넥터의 PIMD 성능에 악영향을 최소화할 수 있는 것으로 추정된다.

구체적으로, 실험예 1과 실험예 3은 내부도체(210) 및 외부도체(250)의 도금 재질과 도금 두께가 동일하며, 체결과 접지 기능을 위한 커플링 너트(280)의 재질이 달라졌음에도 CDMA 주파수 대역에서 실험예 1보다 실험예 3이 PIMD 성능이 더 양호함을 확인할 수 있다.

구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 재질의 삼원합금은 58~60%의 구리(Cu), 30~33%의 주석(Sn), 7~9%의 주석(Ni) 성분비로 구성하는 경우, 도금 품질의 표면경도가 가장 높고, 부식에 대한 내식성 및 기계적 강성이 역시 니켈보다 크다는 것이 알려져 있다.

따라서, 본 발명에 따른 동축 커넥터를 구성하는 외부도체(250) 및 커플링 너트(280)을 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 재질의 삼원합금으로 도금하되, 도금 두께를 2~4 마이크로미터(㎛), 3~5 마이크로미터(㎛)로 하고, 삼원합금의 성분비를 58~60%의 구리(Cu), 30~33%의 주석(Sn), 7~9%의 주석(Ni)로 하는 경우, PIMD 성능을 극대화함과 동시에 부식성 및 기계적 강도 등의 특성도 양호한 결과를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.

본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.

1 : 동축 점퍼 케이블
100 : 동축 케이블
200 : 동축 커넥터
210 : 내부도체
230 : 절연체
250 : 외부도체
260 : 슬립링
280 : 커플링 너트

Claims

은(Ag)으로 코팅된 커넥팅핀 형태의 내부도체;
상기 내부도체가 삽입되는 절연체;
상기 절연체를 감싸며, 구리(Cu), 주석(Sn) 및 아연(Zn)으로 구성된 삼원합금으로 코팅되는 외부도체; 및,
상기 외부도체 외측에 대응 커넥터와 체결을 위하여 구비되며, 상기 삼원합금으로 코팅되는 커플링 너트;를 포함하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 내부도체의 은으로 코팅되는 은코팅층의 두께는 5 마이크로미터(㎛) ~ 7 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 외부도체의 상기 삼원합금으로 코팅되는 코팅층의 두께는 2 마이크로미터(㎛) ~ 4 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 커플링 너트의 상기 삼원합금으로 코팅되는 코팅층의 두께는 3 마이크로미터(㎛) ~ 5 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 내부도체, 상기 외부도체 및 상기 커플링 너트 중 상기 외부도체의 도금 두께가 가장 작은 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 삼원합금은 58~60%의 구리(Cu), 30~33%의 주석(Sn), 7~9%의 주석(Ni)의 성분비로 구성되는 것을 특징으로 하는 동축 커넥터
제1항에 있어서,
상기 동축 커넥터의 880~960MHz 주파수 대역의 신호, 1710~1880MHz 주파수 대역의 신호 및 1920~2170MHz 주파수 대역의 신호에 대한 PIMD 평균값은 모두 -168 dbc 이하인 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.
제1항에 있어서,
상기 동축 커넥터의 880~960MHz 주파수 대역의 신호, 1710~1880MHz 주파수 대역의 신호 및 1920~2170MHz 주파수 대역의 신호에 대한 PIMD 평균값들의 편차는 6dbc보다 작은 것을 특징으로 하는 동축 커넥터.