KR20160094458A - 투명 전극의 제조방법 - Google Patents

투명 전극의 제조방법 Download PDF

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KR20160094458A
KR20160094458A KR1020150014655A KR20150014655A KR20160094458A KR 20160094458 A KR20160094458 A KR 20160094458A KR 1020150014655 A KR1020150014655 A KR 1020150014655A KR 20150014655 A KR20150014655 A KR 20150014655A KR 20160094458 A KR20160094458 A KR 20160094458A
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Abstract

본 발명은 전기 전도도를 최대한 유지하면서 전극 상에 홀을 배치함에 따라 투명 전극의 투과도를 높일 수 있는 투명 전극의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 투명 전극의 제조방법은, 기판을 제공하는 준비 단계; 상기 기판의 표면 상에 다수의 금속점을 형성하는 금속점 형성 단계; 상기 금속점이 형성된 기판의 표면 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 및 상기 금속점을 제거하여 상기 전극층에 홀을 형성하는 홀 형성 단계;를 포함하여 구성된다.

Description

투명 전극의 제조방법{METHOD FOR PRODUCING A TRANSPARENT ELECTRODE}
본 발명은 투명 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전기 전도도를 최대한 유지하면서 전극 상에 홀을 배치함에 따라 투명 전극의 투과도를 높일 수 있는 투명 전극의 제조방법에 관한 것이다.
최근 광학 전자 소자가 디스플레이 및 조명으로 관심을 받으면서 발광 다이오드, 유기 발광다이오드, 혹은 유기 태양전지 등과 같은 전자소자에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
기술이 발전하면 할수록 제품의 디자인적 측면과 기능적 측면이 강조되고 있는 바, 다양한 기능을 가지고 우수한 디자인을 구현할 수 있는 소자에 대한 관심이 더욱 높아지고 있다.
그 중, 투명 디스플레이나 스마트 윈도우와 같이 쌍방향 출력이 가능한 특성을 가진 전자소자는 차세대 광소자로서 각광 받고 있는데, 이러한 투명 소자에 있어서 가장 중요한 요소 중 하나는 투명 전극이며, 투명 전극에 대한 특성을 향상시키는 것이 큰 이슈가 되고 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 투명 전극이 활발하게 연구되고 있지만, 투과도와 전기전도도 그리고 플렉서블 특성까지 우수한 투명 전극에 대한 기술 개발은 여전히 진행 중이며, 투과도가 높고, 전기전도도가 우수하며, 플렉서블 특성을 갖는 투명 전극의 필요성이 대두되고 있다.
공개특허공보 제10-2013-0036300호(2013년04월11일)
상기 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 전기 전도도를 최대한 유지하면서 전극 상에 홀을 배치함에 따라 투명 전극의 투과도를 높일 수 있는 투명 전극의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 투명 전극의 제조방법은, 기판을 제공하는 준비 단계; 상기 기판의 표면 상에 다수의 금속점을 형성하는 금속점 형성 단계; 상기 금속점이 형성된 기판의 표면 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 및 상기 금속점을 제거하여 상기 전극층에 홀을 형성하는 홀 형성 단계;를 포함한다.
바람직하게, 상기 금속층 형성 단계 이전에, 상기 기판의 표면 에너지를 낮추기 위한 표면 에너지 하향 조절 단계;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계는, 자가조립단층(SAM, Self Assembled Monolayer) 처리를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계는, 상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 적어도 70°가 되도록 할 수 있다.
바람직하게, 상기 전극층 형성 단계 이전에, 상기 기판의 표면 에너지를 높히기 위한 표면 에너지 상향 조절 단계;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계는, O2, N2, Ar, Cl, N2O, 및 CF4로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 혼합한 가스를 이용한 플라즈마 처리를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계는, 상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 30°를 넘지 않도록 할 수 있다.
바람직하게, 상기 금속점은, Ag, Cu, Au, Pt, Sn로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 금속점은, 상기 기판의 표면 상에 소정 두께로 금속층을 형성한 후 100℃ 내지 600℃에서 1초 내지 3600초의 열처리를 통해 집괴되어 점의 형태로 형성될 수 있다.
바람직하게, 상기 금속점 형성 단계에서, 상기 금속점이 100nm 내지 2um의 지름을 갖도록 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 전극층 형성 단계에서, 상기 전극층이 1nm 내지 15nm의 두께가 되도록 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 전극층 형성 단계에서, 상기 전극층은 Ag, Au, Cu, Ca, Mg로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 준비 단계, 금속점 형성 단계, 전극층 형성 단계, 및 홀 형성 단계를 거쳐서 제작된 홀이 형성된 투명 전극의 면저항은 1ohm/sq 내지 100ohm/sq일 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 전극은, 400nm 내지 700nm 파장에서의 투과도가 70% ~ 100%일 수 있다.
바람직하게, 상기 기판은, PET(Poly ethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methylmethacrylate), PUA(Poly urethane acrylate), Polyimide, SU-8, omoclear 중 어느 하나의 고분자 재료로 이뤄진 기판, glass의 투명 산화물 기판, GaN 또는 GaAs의 반도체 물질로 이뤄진 기판 중 어느 하나의 기판 또는 이들이 적층된 기판을 포함하여 구성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 전기 전도도를 최대한 유지하여 우수한 전기전도도를 가지면서 전극 상에 배치된 홀에 의해 투명 전극의 투과도를 높일 수 있다는 이점이 있다.
또한, 투과도가 높아짐에 따라 투명성이 강조되는 전자 소자에 적용이 가능하고, 특히, 투명 전극의 두께가 극박으로 형성됨에 따라 전자 소자를 형성함에 있어서 누설 전류를 형성할 가능성이 낮아 소자의 전기적 안정성에도 큰 영향을 주지 않으므로 고효율의 투명 전자 소자의 투명 소자로서 적용이 가능하다는 이점이 있다.
또한, 기판의 종류에 상관없이 형성이 가능하고, 비교적 쉬운 공정으로 형성이 가능하기 때문에, 경제적이고, 효율적이며, 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 태양 전지(OPV) 등과 같이 다양한 전자 소자들에 적용이 가능하다는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전극의 제조방법의 순서를 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전극의 제조방법의 과정를 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전극의 제조방법에 의해 제조된 투명 전극을 도시한 평면도이다.
본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안된다.
제1, 제2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소도 제1구성요소로 명명될 수 있다.
및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다", "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 일실시예에 따른 투명 전극의 제조방법은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)을 제공하는 준비 단계(S100), 상기 기판(100)의 표면 에너지를 낮추기 위한 표면 에너지 하향 조절 단계(S200), 상기 기판(100)의 표면 상에 다수의 금속점(200)을 형성하는 금속점 형성 단계(S300), 상기 기판(100)의 표면 에너지를 높히기 위한 표면 에너지 상향 조절 단계(S400), 상기 금속점(200)이 형성된 기판(100)의 표면 상에 전극층(300)을 형성하는 전극층 형성 단계(S500) 및 상기 금속점(200)을 제거하여 상기 전극층(300)에 홀(300h)을 형성하는 홀 형성 단계(S600)를 포함하여 이뤄진다.
먼저, 기판(100)을 제공하는 준비 단계(S100)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 준비 단계(S100)는, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 투명 전극을 형성하기 위한 기판(100)을 제공하는 단계이다.
상기 기판(100)은, 예를 들어, PET(Poly ethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methylmethacrylate), PUA(Poly urethane acrylate), Polyimide, SU-8, omoclear 중 어느 하나의 고분자 재료로 이뤄진 기판, glass의 투명 산화물 기판, GaN 또는 GaAs의 반도체 물질로 이뤄진 기판 중 어느 하나의 기판 또는 이들이 적층된 기판으로 구성될 수 있다.
다음으로, 상기 기판(100)의 표면 에너지를 낮추기 위한 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)는, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)과 상기 금속점(200) 간의 접착력이 최소가 되도록 하여 상기 금속점(200)을 분리하여 제거하는 과정에서 금속점(200)의 분리가 용이하게 이뤄질 수 있도록 상기 기판(100)의 표면 에너지를 낮추는 단계이다.
이를 위하여, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)는 자가조립단층(SAM, Self Assembled Monolayer) 처리를 포함할 수 있으며, 이때, 상기 기판(100)의 표면에 대한 물 접촉각이 적어도 70°가 되도록 하는 것이 바람직하다. 물접촉각이 높을수록 표면에너지가 낮아지며, 표면 에너지 낮을수록 금속점과 상기 기판상의 분리가 쉽게 일어난다.
한편, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)를 통해 상기 금속점(200)을 형성하는 과정에서 금속의 집괴현상이 더 잘 일어나도록 하는 부차적인 효과를 거둘 수도 있다.
다음으로, 상기 기판(100)의 표면 상에 다수의 금속점(200)을 형성하는 금속점 형성 단계(S300)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 금속점 형성 단계(S300)는, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)를 통해 표면 에너지가 낮아진 상기 기판(100)의 표면 상에 다수의 금속점(200)을 형성하는 단계이다.
상기 금속점(200)은 Ag, Cu, Au, Pt, Sn로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 금속점(200)은 100nm 내지 2um의 지름을 갖도록 형성되는 것이 바람직하며, 이는, 100nm 미만의 지름을 가진 홀은 플라즈몬(plasmon) 현상을 유발할 수 있고, 이는 광을 흡수하는 부분으로 작용할 수 있기 때문이며, 2um 초과의 지름을 가진 홀은 투명 전극이 연결된 영역을 줄이는 요인이기 때문에 전기전도도의 감소를 야기 할 수 있는 문제가 있기 때문이다.
한편, 상기 금속점(200)은 일반적으로 알려진 열처리 기술 또는 집괴 기술을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 상기 금속점(200)은 상기 기판(100)의 표면 상에 금속 재질로 소정 두께의 층을 형성한 후 100℃ 내지 600℃에서 1초 내지 3600초의 열처리를 통해 집괴되어 점의 형태로 형성될 수 있다. 열처리 시간에 따라 집괴되는 점의 크기나 형태를 조절할 수 있다.
다음으로, 상기 기판(100)의 표면 에너지를 높히기 위한 표면 에너지 상향 조절 단계(S400)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 표면 에너지 상향 조절 단계(S400)는, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)과 상기 전극층(300) 간의 접합력을 향상시켜 웨이팅(wetting)이 잘 일어나게 하여 상기 전극층(300)이 플랫한 형상으로 형성될 수 있도록 함은 물론 높은 전기전도도와 투과도를 얻을 수 있도록 상기 기판(100)의 표면 에너지를 높이는 단계이다.
이를 위하여, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계(S400)는 O2, N2, Ar, Cl, N2O, 및 CF4로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 혼합한 가스를 이용한 플라즈마 처리를 포함할 수 있으며, 이때, 상기 기판(100)의 표면에 대한 물 접촉각이 30°를 넘지 않도록 하는 것이 바람직하다. 물 접촉각이 낮을수록 표면 에너지가 증가하고, 표면 에너지가 높을수록 금속이 잘 젖게(wetting)되어 매끄럽게 연결된 형태로 형성되어 높은 투과도와 낮은 면저항 값을 가지게 되어 투명 전극으로서 특성이 향상된다.
다음으로, 상기 금속점(200)이 형성된 기판(100)의 표면 상에 전극층(300)을 형성하는 전극층 형성 단계(S500)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 전극층 형성 단계(S500)는, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계(S400)를 통해 표면 에너지가 높게 조절된 기판(100) 상에 1nm 내지 15nm의 두께로 극박의 전극층(300)을 형성하는 단계이다.
전극층의 두께가 15nm를 넘게 되면 반사도가 증가하게 되어 상대적으로 투명 전극으로서의 특성을 내지 못하기 때문에 두께는 15nm 이하가 좋으며, 1nm 미만의 두께에서는 제대로 면저항 특성이 나오지 않기에 1nm 이상 15nm 이하의 두께가 바람직하다.
이때, 상기 전극층(300)은 Ag, Au, Cu, Ca, Mg로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, Ag의 경우 '아일랜드 성장(island growth)'을 하는 물질이라 20nm 미만에서 플랫한 필름(film) 형태가 아닌 아일랜드(island) 형태로 성장하기 때문에 면저항이나 투과도가 상당히 나빠서 전극으로 사용하기 어렵지만, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계(S400)를 통해 표면 에너지가 높게 조절된 기판(100) 상에 Ag를 형성하도라도 Ag가 원활하게 웨이팅(wetting)됨에 따라 연속적이면서도 거칠기가 낮은 형상을 가지게 되고 이는 우수한 전기전도도와 높은 투과도를 가질 수 있게 될 수 있다.
다음으로, 상기 금속점(200)을 분리 제거하여 상기 전극층(300)에 홀(300h)을 형성하는 홀 형성 단계(S600)에 대하여 설명하도록 한다.
상기 홀 형성 단계(S600)는, 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)으로부터 상기 금속점(200)을 물리적으로 분리하여 제거함에 따라 상기 전극층(300)에 홀(300h)을 형성하는 단계이다.
예를 들어, 상기 금속점(200)은 접착력이 있는 PDMS 재질의 판을 이용하여 접합한 후 분리함에 따라 상기 금속점(200)이 상기 PDMS 재질의 판에 붙어서 상기 기판(100)에서 떨어질 수 있도록 할 수 있으며, 이러한 과정을 통해 상기 금속층 중 상기 금속점(200)이 위치하고 있던 부분이 홀(300h)로 형성된다.
이는, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계(S200)에서 금속점(200)과 기판(100) 간의 접착력을 최대한 낮추었기 때문에 PDMS 재질의 판과 금속점(200) 사이의 접착력이 상기 기판(100)과 금속점(200) 사이의 접착력보다 커서 쉽게 PDMS 재질의 판 측으로 금속점(200)이 전사되어 떨어질 수 있는 것이다.
상술한 바와 같이, 기판(100)을 제공하는 준비 단계(S100), 상기 기판(100)의 표면 에너지를 낮추기 위한 표면 에너지 하향 조절 단계(S200), 상기 기판(100)의 표면 상에 다수의 금속점(200)을 형성하는 금속점 형성 단계(S300), 상기 기판(100)의 표면 에너지를 높히기 위한 표면 에너지 상향 조절 단계(S400), 상기 금속점(200)이 형성된 기판(100)의 표면 상에 전극층(300)을 형성하는 전극층 형성 단계(S500) 및 상기 금속점(200)을 제거하여 상기 전극층(300)에 홀(300h)을 형성하는 홀 형성 단계(S600)를 거쳐서 제작된 홀(300h)이 형성된 투명 전극은, 도 3에 도시된 바와 같이, 전극층(300)의 평면상에 다수의 홀(300h)이 무질서하게 형성된 형태로 구성되며, 이러한 구조의 투명 전극은 기존의 투명 전극보다 많은 개구부를 가지기 때문에 높은 투과도를 나타낼 수 있게 된다.
한편, 상기 투명 전극은 두께가 1nm 내지 15nm 수준으로서 전도성과 투과도를 만족시키는 구조로 되어 있으며, 400nm 내지 700nm 파장에서의 투과도가 70% ~ 100% 범위를 가지며, 1 ohm/sq ~ 100 ohm/sq 의 면저항을 가지도록 형성된다.
투명 전극의 두께가 1nm 미만일 경우에는 너무 얇아 그 형태를 유지하기가 어렵고, 15nm 초과인 경우에는 투과도가 저하되어 투명 전극으로 이용하기가 어려운 문제점이 있다.
또한, 투명 전극에 투과하는 파장이 400nm 미만 또는 700nm 초과일 경우에는 가시광선 영역을 벗어나기 때문에 광소자로의 적용에 한계가 있는 문제점이 있다.
또한, 투과도가 70% 미만일 경우에는 고효율 투명 전극으로 이용하기가 곤란할 수 있다.
또한, 아주 얇은 전극의 형태를 가지고 있기에 면저항이 1ohm/sq 미만의 금속과 같은 전기전도도를 가지기 힘들며, 면저항이 100 ohm/sq 초과일 경우에는 전기적 특성이 저하되어 투명 전극으로서 적합하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양하고 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형예들을 포함하도록 기술된 특허청구범위에 의해서 해석돼야 한다.
100:기판
200:금속점
300:전극층

Claims (15)

  1. 기판을 제공하는 준비 단계;
    상기 기판의 표면 상에 다수의 금속점을 형성하는 금속점 형성 단계;
    상기 금속점이 형성된 기판의 표면 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 및
    상기 금속점을 제거하여 상기 전극층에 홀을 형성하는 홀 형성 단계;를 포함하는 투명 전극의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속층 형성 단계 이전에,
    상기 기판의 표면 에너지를 낮추기 위한 표면 에너지 하향 조절 단계;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 표면 에너지 하향 조절 단계는,
    자가조립단층(SAM, Self Assembled Monolayer) 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 표면 에너지 하향 조절 단계는,
    상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 적어도 70°가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극층 형성 단계 이전에,
    상기 기판의 표면 에너지를 높히기 위한 표면 에너지 상향 조절 단계;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 표면 에너지 상향 조절 단계는,
    O2, N2, Ar, Cl, N2O, 및 CF4로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 혼합한 가스를 이용한 플라즈마 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 표면 에너지 상향 조절 단계는,
    상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 30°를 넘지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속점은,
    Ag, Cu, Au, Pt, Sn로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속점은,
    상기 기판의 표면 상에 소정 두께로 금속층을 형성한 후 100℃ 내지 600℃에서 1초 내지 3600초의 열처리를 통해 집괴되어 점의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 금속점 형성 단계에서,
    상기 금속점이 100nm 내지 2um의 지름을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전극층 형성 단계에서,
    상기 전극층이 1nm 내지 15nm의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전극층 형성 단계에서,
    상기 전극층은 Ag, Au, Cu, Ca, Mg로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 준비 단계, 금속점 형성 단계, 전극층 형성 단계, 및 홀 형성 단계를 거쳐서 제작된 홀이 형성된 투명 전극의 면저항은 1ohm/sq 내지 100ohm/sq인 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은, 400nm 내지 700nm 파장에서의 투과도가 70% ~ 100%인 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기판은,
    PET(Poly ethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methylmethacrylate), PUA(Poly urethane acrylate), Polyimide, SU-8, omoclear 중 어느 하나의 고분자 재료로 이뤄진 기판, glass의 투명 산화물 기판, GaN 또는 GaAs의 반도체 물질로 이뤄진 기판 중 어느 하나의 기판 또는 이들이 적층된 기판을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
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