KR20160091146A - light-emitting diode package having double lens and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20160091146A
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장보람이
박준용
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Abstract

The present invention relates to an ultraviolet light-emitting diode package having a double-lens structure. The light-emitting diode package comprises: a base; an ultraviolet light-emitting diode chip installed on the base; a first lens for covering the ultraviolet light-emitting diode chip; and a second lens for covering the first lens. The shore hardness of the second lens is higher than the shore hardness of the first lens, a lower surface of the second lens comes into contact with the base, and the second lens includes a dicing surface located on a side thereof. Therefore, burr can be prevented from being generated on the dicing surface located on the side of the second lens, crack can be prevented from being generated on the first lens by heat when the light-emitting diode package is operated for a long time, and thus the reliability and the light-emitting efficiency for the light-emitting diode package can be improved.

Description

이중 렌즈 구조를 갖는 자외선 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법{light-emitting diode package having double lens and method for fabricating the same} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an ultraviolet light emitting diode package having a double lens structure,

본 발명은 자외선 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히, 이중 렌즈 구조를 포함하는 고신뢰성 자외선 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an ultraviolet light emitting diode package, and more particularly, to a highly reliable ultraviolet light emitting diode package including a double lens structure.

발광 다이오드(LED)는 전기적 에너지를 광으로 변환하는 고체 상태 소자이며, 일반적으로 반대 도전형 불순물로 도핑된 반도체층들 사이에 개재된 하나 이상의 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 바이어스가 이 도핑 층들을 가로질러 인가되는 경우, 전자와 정공이 활성층에 주입되고, 재결합하여 광이 발생한다. 그 중, 특히, 자외선 발광 다이오드는 자외선 발광 영역의 밴드갭을 가지고 있으며, UV 경화, 살균, 백색 광원, 의학 분야, 및 장비 부속 부품 등으로 이용될 수 있어서, 그 이용 범위가 증가하고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are solid state devices that convert electrical energy into light and generally comprise an active layer of one or more semiconductor materials interposed between semiconductor layers doped with opposite conductivity type impurities. When a bias is applied across these doping layers, electrons and holes are injected into the active layer and recombined to generate light. Particularly, ultraviolet light emitting diodes have a band gap of an ultraviolet light emitting region and can be used as UV curing, sterilization, white light source, medical field, and equipment accessories, and the use range thereof is increasing.

일반적으로, 기판 또는 리드 프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되고, 발광 다이오드 칩의 상부를 렌즈 등으로 덮는 패키지 형태가 사용된다. 발광 다이오드 패키지를 제조하는 과정에서 다이싱 블레이드를 사용하여 렌즈 및 기판을 다이싱하여 발광 다이오드 패키지를 개별화시킨다.In general, a package type in which a light emitting diode chip is mounted on a substrate or a lead frame, and an upper portion of the light emitting diode chip is covered with a lens or the like is used. In the process of manufacturing the light emitting diode package, the lens and the substrate are diced using a dicing blade to individualize the light emitting diode package.

렌즈의 경도가 낮은 경우, 다이싱 공정에서 발광 다이오드 패키지 측면에 버(burr)가 발생하여, 습기 등의 오염물질의 침투가 용이하게 되어, 패키지의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 렌즈의 경도를 높이는 방법들이 이용되고 있다. 그러나 경도 높은 렌즈를 사용한 패키지를 장기간 사용하게 될 시, 발광에 의해 발생된 열에 의하여 발광 다이오드 칩 주변의 렌즈부를 중심으로 크랙이 발생한다. 이러한 렌즈부에 발생한 크랙은 발광 다이오드 패키지의 특정 저하를 야기시켜, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 저하시킨다. 특히, 자외선 발광 다이오드 칩을 사용하는 경우, 자외선에 의한 렌즈의 변형을 방지하기 위해, 렌즈의 재료가 한정적으로 선택될 수 밖에 없다. 그 중에서도 경도가 높으면서 열에 의한 크랙을 방지할 수 있는 물질을 구하는 것이 어렵다.When the hardness of the lens is low, a burr is generated on the side of the light emitting diode package in the dicing step, so that the contaminants such as moisture can easily penetrate and the reliability of the package is deteriorated. In order to solve this problem, methods of increasing the hardness of the lens have been used. However, when a package using a lens having a high hardness is used for a long period of time, a crack occurs around the lens portion around the light emitting diode chip due to heat generated by light emission. Cracks generated in such a lens portion cause a specific deterioration of the light emitting diode package, thereby lowering the reliability of the light emitting diode package. In particular, in the case of using an ultraviolet light-emitting diode chip, the material of the lens is limited to be selected in order to prevent deformation of the lens due to ultraviolet rays. Among them, it is difficult to obtain a material which has a high hardness and can prevent a crack due to heat.

따라서 다이싱 공정 시 버를 방지할 수 있으며, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의한 크랙을 방지할 수 있는 구조를 가진 자외선 발광 다이오드 패키지가 요구된다.Therefore, there is a need for an ultraviolet light emitting diode package having a structure capable of preventing burrs during the dicing process and preventing cracks due to heat when the LED package is driven for a long period of time.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 방지하여, 신뢰성 및 발광 효율이 향상된 자외선 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention provides a UV light emitting diode package having improved reliability and light emitting efficiency by preventing cracking of the lens due to heat during long-term driving of the LED package.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 다이싱 공정 시, 렌즈의 다이싱 면에 버가 발생하는 것을 방지하여, 신뢰성이 향상된 발광 다이오드 패키지를 제조하는 자외선 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다. A further object of the present invention is to provide a method of manufacturing an ultraviolet light-emitting diode package which manufactures a light-emitting diode package with improved reliability by preventing burrs on the dicing surface of a lens during a dicing step.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스, 상기 베이스 상에 실장된 자외선 발광 다이오드 칩, 상기 자외선 발광 다이오드 칩을 덮는 제1 렌즈, 및 상기 제1 렌즈를 덮는 제2 렌즈를 포함하며, 상기 제2 렌즈의 쇼어(shore) 경도가 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도보다 높고, 상기 제2 렌즈의 하면은 상기 베이스와 접하며, 상기 제2 렌즈는 그 측면에 위치하는 다이싱 면을 포함한다. 이를 통해, 상기 제2 렌즈의 측면에 위치하는 다이싱 면에 버가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시 열에 의해 제1 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성 및 발광 효율이 향상될 수 있다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a base, an ultraviolet light emitting diode chip mounted on the base, a first lens covering the ultraviolet light emitting diode chip, and a second lens covering the first lens, Wherein a shore hardness of the second lens is higher than a shore hardness of the first lens, a lower surface of the second lens is in contact with the base, and the second lens has a dicing surface located on a side thereof. As a result, burrs can be prevented from being generated on the dicing surface located on the side surface of the second lens, and cracks can be prevented from being generated in the first lens due to heat during long-term driving of the LED package, The reliability and luminous efficiency of the diode package can be improved.

상기 제2 렌즈의 쇼어 경도는 A80 이상 또는 D30 이상일 수 있다. 제2 렌즈가 상기 쇼어 경도 범위를 만족하는 경우, 다이싱 공정 시 상기 제2 렌즈의 다이싱 면에 버가 발생하지 않을 수 있다.The Shore hardness of the second lens may be A80 or more or D30 or more. When the second lens satisfies the Shore hardness range, burrs may not occur on the dicing surface of the second lens during the dicing step.

상기 제1 렌즈의 쇼어 경도는 A65 이하일 수 있다. 제1 렌즈가 상기 쇼어 경도 범위를 만족하는 경우, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 상기 제1 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The Shore hardness of the first lens may be A65 or less. When the first lens satisfies the Shore hardness range, it is possible to effectively prevent a crack from occurring in the first lens due to heat during long-term driving of the LED package.

상기 제1 렌즈는 실리콘 몰딩재, 에폭시 몰딩재, 및 불소계 몰딩재로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상일 수 있다.The first lens may be at least one selected from the group consisting of a silicone molding material, an epoxy molding material, and a fluorine molding material.

상기 제2 렌즈는 측면으로 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 돌출부는 상기 베이스 상면과 나란하게 접할 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 렌즈와 상기 베이스의 계면을 확장시킬 수 있으므로, 습기 등의 오염물질이 발광 다이오드 칩 및 제1 렌즈까지 침투되는 경로를 늘릴 수 있어서, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 개선될 수 있다.The second lens includes a protruding portion projecting laterally, and the protruding portion may abut against the upper surface of the base. Accordingly, since the interface between the second lens and the base can be extended, the path through which contaminants such as moisture penetrate into the light emitting diode chip and the first lens can be increased, so that the reliability of the light emitting diode package can be improved .

상기 발광 다이오드 칩은 250 내지 280nm 또는 360 내지 370nm의 광을 방출할 수 있다.The light emitting diode chip may emit light of 250 to 280 nm or 360 to 370 nm.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 베이스 상에 복수개의 자외선 발광 다이오드 칩들을 실장하고, 상기 자외선 발광 다이오드 칩들을 덮는 복수의 제1 렌즈를 형성하며, 상기 복수의 제1 렌즈를 덮는 복수의 제2 렌즈를 형성하고, 상기 베이스 및 상기 제2 렌즈를 다이싱하여 개별화하는 것을 포함한다. 한편, 상기 제2 렌즈의 쇼어 경도가 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도보다 높다. 이를 통해, 다이싱 공정 시, 제2 렌즈에 버가 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting diode package, including: mounting a plurality of ultraviolet light emitting diode chips on a base; forming a plurality of first lenses covering the ultraviolet light emitting diode chips; Forming a plurality of second lenses that cover the lens, and dicing the base and the second lens to separate them. On the other hand, the Shore hardness of the second lens is higher than the Shore hardness of the first lens. As a result, burrs can be prevented from being generated in the second lens during the dicing process, so that the reliability of the light emitting diode package can be improved.

상기 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 렌즈의 쇼어 경도는 A80 이상 또는 D30 이상일 수 있다. 제2 렌즈가 상기 쇼어 경도 범위를 만족하는 경우, 다이싱 공정 시 상기 제2 렌즈의 다이싱 면에 버가 발생하지 않을 수 있다.In the method of manufacturing the light emitting diode package, the Shore hardness of the second lens may be A80 or more or D30 or more. When the second lens satisfies the Shore hardness range, burrs may not occur on the dicing surface of the second lens during the dicing step.

상기 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도는 A65 이하일 수 있다. 제1 렌즈가 상기 쇼어 경도 범위를 만족하는 경우, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 상기 제1 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. In the method of manufacturing the light emitting diode package, the Shore hardness of the first lens may be A65 or less. When the first lens satisfies the Shore hardness range, it is possible to effectively prevent a crack from occurring in the first lens due to heat during long-term driving of the LED package.

상기 제2 렌즈를 형성하는 것은 상기 제2 렌즈의 일부를 상기 자외선 발광 다이오드 칩들 사이의 베이스 상에 형성하는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스 및 상기 제2 렌즈를 다이싱하여 복수개의 발광 다이오드 패키지를 형성하는 것은 상기 자외선 발광 다이오드 칩들 사이의 상기 베이스와 상기 제2 렌즈를 다이싱하는 것을 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 렌즈와 상기 베이스의 계면을 확장시킬 수 있으므로, 습기 등의 오염물질이 발광 다이오드 칩 및 제1 렌즈까지 침투되는 경로를 늘릴 수 있어서, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 개선될 수 있다.The forming of the second lens may include forming a part of the second lens on the base between the ultraviolet light-emitting diode chips. In addition, dicing the base and the second lens to form a plurality of light emitting diode packages may include dicing the base and the second lens between the ultraviolet light emitting diode chips. Accordingly, since the interface between the second lens and the base can be extended, the path through which contaminants such as moisture penetrate into the light emitting diode chip and the first lens can be increased, so that the reliability of the light emitting diode package can be improved .

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 렌즈의 측면의 다이싱 면에 버가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 제1 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성 및 발광 효율이 높아질 수 있다.According to the embodiment of the present invention, burrs can be prevented from occurring on the dicing surface of the side surface of the second lens, and cracks can be prevented from occurring in the first lens by heat during long-term driving of the light emitting diode package Therefore, the reliability and luminous efficiency of the light emitting diode package can be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 내지 도 8는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도 및 단면도이다.
도 10의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도 및 단면도이다.
1 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
9A and 9B are an exploded perspective view and a sectional view for explaining an example in which a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.
10 (a) and 10 (b) are an exploded perspective view and a cross-sectional view, respectively, for explaining an example in which a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is applied to a display device.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1 및 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다.1 and 2 are a perspective view and a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, respectively.

도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스(100), 자외선 발광 다이오드 칩(110), 제1 렌즈(120), 제2 렌즈(130)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a base 100, an ultraviolet light emitting diode chip 110, a first lens 120, and a second lens 130.

베이스(100)는 PCB(Printed Circuit Board) 또는 리드 프레임을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 자외선 발광 다이오드 칩(110)과 전기적으로 접속될 수 있는 배선을 포함하는 구조면 가능하다. 또한, 도시된 것처럼, 발광 다이오드 패키지에 인가되는 베이스(100)는 자외선 발광 다이오드 칩(110), 제1 렌즈(120), 및 제2 렌즈(130)을 지지하며, 자외선 발광 다이오드 칩(110)에 외부의 전원을 공급하는 역할을 한다.The base 100 may include a PCB (Printed Circuit Board) or a lead frame. However, the present invention is not limited thereto. The base 100 may include a wiring that can be electrically connected to the UV LED chip 110. The base 100 applied to the light emitting diode package supports the ultraviolet light emitting diode chip 110, the first lens 120, and the second lens 130, and the ultraviolet light emitting diode chip 110, And supplies power to the external device.

자외선 발광 다이오드 칩(110)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층은 n형 불순물(예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층은 p형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층은 다중양자우물구조(MQW)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드에 순방향 바이어스가 가해지면 활성층(112)에서 전자와 정공이 결합하면서 빛을 방출하게 된다. 자외선을 발광하기 위해, 활성층은 Al을 특정 조성으로 추가하여 자외선을 발광하는 밴드갭을 가진 질화물계 반도체를 사용할 수 있으며, 활성층의 조성에 따라, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층의 3족 계열의 원소의 조성도 달라질 수 있다. 자외선 발광 다이오드 칩(110)에서 방출되는 광의 파장은 360 내지 370nm일 수 있으며, 이와 달리 더 낮은 파장 영역, 예를 들어 250 내지 280nm일 수 있다. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층은 금속유기화학 기상증착(MOCVD) 또는 분자선에피택시(MBE) 등의 기술을 이용하여 사파이어 등의 성장 기판 상에 성장될 수 있다. 제조된 자외선 발광 다이오드 칩(110)은 베이스(100) 상에 실장될 수 있다. 자외선 발광 다이오드 칩(110)과 베이스(100)는 와이어(W) 또는 자외선 발광 다이오드 칩(110) 상의 별도의 전극을 통해 전기적으로 접속할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The ultraviolet light-emitting diode chip 110 may include a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer may include a III-V compound semiconductor, for example, a nitride semiconductor such as (Al, Ga, In) N, have. The first conductivity type semiconductor layer may include an n-type impurity (for example, Si), and the second conductivity type semiconductor layer may include a p-type impurity (for example, Mg). It may also be the opposite. The active layer may comprise a multiple quantum well structure (MQW). When a forward bias is applied to the light emitting diode, electrons and holes are combined with each other in the active layer 112 to emit light. In order to emit ultraviolet rays, a nitride-based semiconductor having a bandgap that emits ultraviolet rays by adding Al to a specific composition may be used as the active layer. Depending on the composition of the active layer, the first conductive- The composition of the ternary elements of the ternary system may be varied. The wavelength of the light emitted from the ultraviolet light emitting diode chip 110 may be 360 to 370 nm, or alternatively may be a lower wavelength region, for example, 250 to 280 nm. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer may be grown on a growth substrate such as sapphire using techniques such as metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). The manufactured ultraviolet light-emitting diode chip 110 may be mounted on the base 100. The ultraviolet light emitting diode chip 110 and the base 100 may be electrically connected through a wire W or a separate electrode on the ultraviolet light emitting diode chip 110. However,

제1 렌즈(120)는 자외선 발광 다이오드 칩을 덮을 수 있다. 구체적으로, 자외선 발광 다이오드 칩(110)의 상면 및 측면 상에 제1 렌즈(120)가 배치될 수 있다. 따라서, 자외선 발광 다이오드 칩(110)의 상면 및 측면에서 방출되는 광은 제1 렌즈(120)를 통과하게 된다. 상기 제1 렌즈(120)는 반구형의 볼록한 렌즈 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 오목한 렌즈 형상 또는 상면이 평면인 형상을 가질 수도 있다. The first lens 120 may cover the ultraviolet light-emitting diode chip. Specifically, the first lens 120 may be disposed on the upper surface and the side surface of the ultraviolet light emitting diode chip 110. Therefore, the light emitted from the upper surface and the side surface of the ultraviolet light emitting diode chip 110 passes through the first lens 120. The first lens 120 may have a semi-spherical convex lens shape, but is not limited thereto. The first lens 120 may have a concave lens shape or a flat top surface.

제1 렌즈(120)의 쇼어(shore) 경도는 A65 이하일 수 있다. 쇼어 경도는 쇼어 경도계로 측정하여 나타나는 경도 값이다. 쇼어 경도는 작은 다이아몬드를 끝 부분에 고정시킨 낙하 물체를 일정한 높이에서 낙하시켰을 때, 반발하여 올라온 높이를 측정하여 정해진다. 쇼어 경도의 숫자가 높을수록 경도가 높다는 것을 의미하지만, 같은 숫자이더라도 앞에 붙은 알파벳이 다르면 경도가 다르다. 알파벳은 경도 측정에 사용되는 인덴터(Indentor)의 유형을 나타낸다. 제1 렌즈(120)의 쇼어 경도가 A65 이하인 경우, 발광 다이오드 칩(110)에서 발생한 열에 의한 응력의 흡수가 용이하다. 따라서, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 제1 렌즈(120)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제1 렌즈(120)는 실리콘 몰딩재, 에폭시 몰딩재, 및 불소계 몰딩재로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 실리콘 몰딩재를 사용하는 경우, 자외선에 의한 변색을 방지하기 위해 메틸 실리콘(methyl silicone)을 사용하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.The shore hardness of the first lens 120 may be A65 or less. Shore hardness is a hardness value measured by a Shore hardness meter. Shore hardness is determined by measuring the raised height of a falling object that has a small diamond fixed at its end when dropped at a constant height. The higher the number of shore hardness, the higher the hardness, but even if the numbers are the same, the hardness is different if the letters in front are different. The alphabet indicates the type of indentor used for hardness measurement. When the shore hardness of the first lens 120 is equal to or less than A65, absorption of stress due to heat generated in the light emitting diode chip 110 is easy. Therefore, it is possible to prevent cracks from being generated in the first lens 120 due to heat when the light emitting diode package is driven for a long period of time. The first lens 120 may include at least one selected from the group consisting of a silicon molding material, an epoxy molding material, and a fluorine molding material. When a silicone molding material is used, it is preferable to use methyl silicone to prevent discoloration due to ultraviolet rays, but the present invention is not limited thereto.

제2 렌즈(130)는 제1 렌즈(120)를 덮을 수 있다. 구체적으로, 제1 렌즈(120)의 출사면의 일부 또는 전부에 접할 수 있다. 따라서, 제1 렌즈(120)의 출사면에서 방출된 광은 제2 렌즈(130)를 통과할 수 있다. 제2 렌즈(130)는 제1 렌즈(120)와 동일한 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 렌즈(120)와 다른 형상을 가질 수도 있다.The second lens 130 may cover the first lens 120. Specifically, a part or all of the exit surface of the first lens 120 can be contacted. Therefore, the light emitted from the exit surface of the first lens 120 can pass through the second lens 130. [ The second lens 130 may have the same shape as the first lens 120, but it is not limited thereto and may have a shape different from that of the first lens 120.

제2 렌즈(130)의 하면은 베이스(100)의 상면과 접할 수 있다. 이에 따라, 제1 렌즈(120)는 제2 렌즈(130)에 의해 전체적으로 커버되어, 제1 렌즈(120)는 상기 발광 다이오드 패키지의 외부로 노출되지 않는다. 또한, 제2 렌즈(130)는 그 측면에 위치하는 다이싱 면(D)을 포함할 수 있다. 본 실시예는 복수의 제2 렌즈(130)를 다이싱하여 개별화시켜서 형성되므로, 제2 렌즈(130)의 측면은 다이싱 면(D)을 포함할 수 있다. The lower surface of the second lens 130 can be in contact with the upper surface of the base 100. Accordingly, the first lens 120 is entirely covered by the second lens 130, so that the first lens 120 is not exposed to the outside of the LED package. Further, the second lens 130 may include a dicing surface D positioned on the side surface thereof. Since the present embodiment is formed by dicing and individualizing the plurality of second lenses 130, the side surface of the second lens 130 may include the dicing surface D.

제2 렌즈(130)의 쇼어 경도는 제1 렌즈(120)의 쇼어 경도보다 높을 수 있다. 이를 통해, 제2 렌즈(130)가 다이싱될 때, 다이싱 면(D)이 매끄럽게 절단될 수 있어서, 제2 렌즈(130)의 다이싱 면(D)에 버가 발생하지 않을 수 있다. 특히, 본 실시예에 따른 제2 렌즈(130)의 하면은 베이스(100)의 상면과 접할 수 있다. 이때, 제2 렌즈(130)의 다이싱 면(D)에 버가 발생하는 경우, 제2 렌즈(130)에 의해 커버된 제1 렌즈(120) 및 자외선 발광 다이오드 칩(110)이 외부 요인으로 인하여 데미지를 입을 수 있다. 본 실시예에 따르면, 다이싱 면(D)에 발생하는 버가 방지된 제2 렌즈(130)가 제1 렌즈(120)를 커버하여, 외부의 습기 등의 오염물질로부터 제1 렌즈(120) 및 자외선 발광 다이오드 칩(110)를 더욱 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서 발광 다이오드 패키지의 신뢰성 및 발광 효율이 개선될 수 있다.The Shore hardness of the second lens 130 may be higher than the Shore hardness of the first lens 120. [ Thereby, when the second lens 130 is diced, the dicing surface D can be cut smoothly, so that no burr may occur on the dicing surface D of the second lens 130. [ Particularly, the lower surface of the second lens 130 according to the present embodiment can be in contact with the upper surface of the base 100. At this time, if burrs are formed on the dicing surface D of the second lens 130, the first lens 120 and the ultraviolet light-emitting diode chip 110 covered by the second lens 130 may be externally affected You may be damaged. According to the present embodiment, the burr-free second lens 130, which is generated on the dicing surface D, covers the first lens 120 to prevent the first lens 120 from contaminants such as moisture, And the ultraviolet light-emitting diode chip 110 can be more effectively protected. Accordingly, the reliability and light emitting efficiency of the light emitting diode package can be improved.

뿐만 아니라, 제2 렌즈(130)보다 낮은 쇼어 경도를 가지는 제1 렌즈(120)에 의해 발광 다이오드 칩(110)에서 발생한 열에 의한 응력의 흡수가 용이해질 수 있어서, 발광 다이오드 패키지의 장기간 구동 시, 열에 의해 제1 렌즈(120)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, absorption of stress due to heat generated in the LED chip 110 can be facilitated by the first lens 120 having a Shore hardness lower than that of the second lens 130, It is possible to prevent cracks from being generated in the first lens 120 due to heat.

구체적으로, 제2 렌즈(130)의 쇼어 경도는 A80 이상 또는 D30 이상일 수 있다. 상기 범위에서 제2 렌즈(130)의 다이싱 면(D)에 버가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 경도 범위를 만족하는 다양한 물질을 제2 렌즈(130)의 물질로 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 몰딩재, 에폭시 몰딩재, 및 불소계 몰딩재로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 실리콘 몰딩재를 사용하는 경우, 자외선에 의한 변색을 방지하기 위해 메틸 실리콘(methyl silicone)을 사용하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the Shore hardness of the second lens 130 may be A80 or more or D30 or more. Occurrence of burrs on the dicing surface D of the second lens 130 in the above range can be effectively prevented. Various materials satisfying the hardness range may be used as the material of the second lens 130. For example, at least one selected from the group consisting of a silicon molding material, an epoxy molding material, and a fluorine-based molding material. When a silicone molding material is used, it is preferable to use methyl silicone to prevent discoloration due to ultraviolet rays, but the present invention is not limited thereto.

제2 렌즈(130)는 측면으로 돌출된 돌출부(P)를 포함하며, 돌출부(P)는 베이스(100) 상면과 나란하게 접할 수 있다. 도 1을 참조하면, 제1 렌즈(120)의 형상을 따라 제1 렌즈(120)의 출사면에 접하는 제2 렌즈(130)의 일부분이 있으며, 제2 렌즈(130)의 나머지 부분은 제2 렌즈(130)의 일부분으로부터 돌출되어, 베이스(100)의 상면과 나란하게 접하고 있다. 이를 통해, 제2 렌즈(130)와 베이스(100)의 계면을 확장시킬 수 있으므로, 습기 등의 오염물질이 자외선 발광 다이오드 칩(110) 및 제1 렌즈(120)까지 침투되는 경로를 늘릴 수 있어서, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 더욱 개선될 수 있다.The second lens 130 includes a protruding portion P protruding laterally and the protruding portion P can abut against the upper surface of the base 100 in parallel. 1, a portion of the second lens 130 is in contact with the exit surface of the first lens 120 along the shape of the first lens 120, Protrudes from a part of the lens 130 and is in contact with the upper surface of the base 100 in parallel. As a result, the interface between the second lens 130 and the base 100 can be expanded, so that a path through which contaminants such as moisture penetrate the ultraviolet LED chip 110 and the first lens 120 can be increased , The reliability of the light emitting diode package can be further improved.

도 3 및 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다. 3 and 4 are cross-sectional views illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 3의 발광 다이오드 패키지는 도 1의 발광 다이오드 패키지와 유사하나, 돌출부를 가지지 않는다는 점에서 차이가 있다. 상기 구조의 경우, 발광 다이오드 칩(110) 및 이를 둘러싼 제1 렌즈(120)의 크기는 동일하면서, 발광 다이오드 패키지의 전체 크기를 줄일 수 있으므로, 제조 비용이 줄어들 수 있다는 이점이 있다.The light emitting diode package of Fig. 3 is similar to the light emitting diode package of Fig. 1, but differs in that it has no protrusions. In the case of the above structure, the size of the light emitting diode chip 110 and the first lens 120 surrounding it are the same, and the overall size of the light emitting diode package can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced.

도 4의 발광 다이오드 패키지는 도 1의 발광 다이오드 패키지와 유사하나, 다음과 같은 점에서 차이가 있다. 베이스(100)는 발광 다이오드 칩(110)을 둘러싸고 있는 측벽을 포함하는 캐비티(미도시)를 가지며, 캐비티 내에 발광 다이오드 칩(110)이 배치된다. 또한, 제1 렌즈(120)는 캐비티 내에 한정하여 배치되며, 제2 렌즈(130)는 베이스(100) 및 제1 렌즈(120) 상에 배치된다. 이 경우, 외부 충격 및 오염물질로부터 발광 다이오드 칩(110)이 제1 렌즈(120) 및 제2 렌즈(130) 뿐만 아니라 베이스(100)에 의해서도 보호될 수 있는 효과가 있다. The light emitting diode package of FIG. 4 is similar to the light emitting diode package of FIG. 1, but differs in the following respects. The base 100 has a cavity (not shown) including side walls surrounding the light emitting diode chip 110, and the light emitting diode chip 110 is disposed in the cavity. The first lens 120 is disposed within the cavity and the second lens 130 is disposed on the base 100 and the first lens 120. In this case, the light emitting diode chip 110 can be protected from external impacts and contaminants by the base 100 as well as the first lens 120 and the second lens 130.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of fabricating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 5을 참조하면, 베이스(100)의 상면에 복수개의 자외선 발광 다이오드 칩(110)이 실장될 수 있다. 자외선 발광 다이오드 칩(110)과 베이스(100)는 와이어 또는 자외선 발광 다이오드 칩(110) 상의 별도의 전극을 통해 전기적으로 접속할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 자외선 발광 다이오드 칩(110)은 패키지 영역만큼 적어도 하나씩 이격되어 실장될 수 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of ultraviolet light-emitting diode chips 110 may be mounted on the upper surface of the base 100. The ultraviolet light emitting diode chip 110 and the base 100 may be electrically connected through a wire or a separate electrode on the ultraviolet light emitting diode chip 110, but the present invention is not limited thereto. The ultraviolet light-emitting diode chips 110 may be mounted spaced apart by at least one package region.

도 6을 참조하면, 자외선 발광 다이오드 칩(110)들을 덮는 복수의 제1 렌즈(120)를 형성할 수 있다. 복수의 제1 렌즈(120)는 적어도 하나의 자외선 발광 다이오드 칩(110)을 덮도록 형성될 수 있다. 도 6은 도트 방식을 통해 제1 렌즈(120)가 형성되는 것을 보여주나, 이에 한정되는 것은 아니며, 트랜스퍼 몰딩으로 형성될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 제1 렌즈(120)의 쇼어 경도는 A65 이하일 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of first lenses 120 covering the ultraviolet light emitting diode chips 110 may be formed. The plurality of first lenses 120 may be formed to cover at least one ultraviolet LED chip 110. 6 illustrates that the first lens 120 is formed through the dot method, but the present invention is not limited thereto and may be formed by transfer molding. As described above, the Shore hardness of the first lens 120 may be A65 or less.

도 7을 참조하면, 복수의 제1 렌즈(120)를 덮는 복수의 제2 렌즈(130)가 형성될 수 있다. 복수의 제2 렌즈(130)는 제1 렌즈(120)의 출사면 상에 제1 렌즈(120)의 형상을 따라 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 렌즈(120)의 형상과 다른 형상일 수도 있다. 복수의 제2 렌즈(130)는 컴프레셔 몰딩을 통해 형성될 수 있다. 그 경우, 도 7에 나타나있듯, 제2 렌즈(130)의 형상을 가진 캐비티를 포함하는 금형(H)을 사용하여 제2 렌즈(130)를 형성할 수 있다. 그러나, 제2 렌즈 형성 방법은 컴프레셔 몰딩에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 트랜스퍼 몰딩이나 인젝션 몰딩 등도 가능하다. 제2 렌즈(130)의 일부는 자외선 발광 다이오드 칩(110)들 사이(A)의 베이스(100) 상에 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 제2 렌즈(130)는 복수의 제1 렌즈(120)에 대해 일체로 형성되므로, 후술하는 공정에서 개별화된 제2 렌즈(130)들을 연결하는 부분에도 제2 렌즈(130)의 일부가 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 렌즈의 쇼어 경도가 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도보다 높을 수 있다. 구체적으로, 제2 렌즈(130)는 A80 이상 또는 D30 이상일 수 있다. Referring to FIG. 7, a plurality of second lenses 130 covering a plurality of first lenses 120 may be formed. The plurality of second lenses 130 may be formed along the shape of the first lens 120 on the exit surface of the first lens 120. However, It may be another shape. The plurality of second lenses 130 may be formed through a compression molding. In this case, as shown in FIG. 7, the second lens 130 can be formed using the mold H including the cavity having the shape of the second lens 130. However, the second lens forming method is not limited to the compression molding, and for example, transfer molding, injection molding, and the like are also possible. A part of the second lens 130 may be formed on the base 100 of the A light-emitting diode chips 110. Since the second lens 130 is integrally formed with the plurality of first lenses 120, the second lens 130 is also formed in a portion connecting the second lenses 130, May be formed. As described above, the Shore hardness of the second lens may be higher than the Shore hardness of the first lens. Specifically, the second lens 130 may be A80 or more or D30 or more.

도 8을 참조하면, 베이스(100) 및 제2 렌즈(130)를 다이싱하여 복수개의 발광 다이오드 패키지를 형성할 수 있다. 다이싱은 다이싱 블레이드(B)를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 레이저를 이용하여 수행될 수도 있다. 다이싱 위치는 자외선 발광 다이오드 칩(110)들 사이(A)의 베이스(100) 및 제2 렌즈(130)일 수 있다. 제2 렌즈(130)를 다이싱하면서, 동시에 베이스(100)를 개별화시킬 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니며, 제2 렌즈(130)과 베이스(100)이 별도의 공정으로 개별화될 수도 있다. 개별화된 복수의 발광 다이오드 패키지의 제2 렌즈(130)는 측면에 돌출되고, 베이스(100)의 상면과 접하는 돌출부(P)를 포함할 수 있다. 제2 렌즈(130)가 제1 렌즈(120)에 비해 상대적으로 높은 경도를 가지므로, 다이싱 시 제2 렌즈(130)의 다이싱 면에 버가 발생하는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 버를 통해 발광 다이오드 패키지 내부로 습기 등의 오염물질이 침투되는 것이 효과적으로 방지되어, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성 및 발광 효율이 개선될 수 있다.Referring to FIG. 8, a plurality of light emitting diode packages may be formed by dicing the base 100 and the second lens 130. The dicing may be performed using a dicing blade (B), but not limited thereto, using a laser. The dicing position may be the base 100 and the second lens 130 of the ultraviolet light emitting diode chips 110 (A). The second lens 130 and the base 100 may be separately formed by a separate process while the second lens 130 is diced and the base 100 is individually formed. The second lens 130 of the individualized plurality of light emitting diode packages may include a protrusion P projecting from the side surface and contacting the upper surface of the base 100. Since the second lens 130 has a relatively high hardness as compared with the first lens 120, burrs on the dicing surface of the second lens 130 during dicing can be prevented. Accordingly, it is possible to effectively prevent contaminants such as moisture from penetrating into the light emitting diode package through the burr, thereby improving reliability and light emitting efficiency of the light emitting diode package.

도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 의해 도 1 및 2를 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지가 형성될 수 있다.The light emitting diode package described with reference to FIGS. 1 and 2 can be formed by the manufacturing method of the light emitting diode package described with reference to FIGS.

도 9의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도 및 단면도이다. 도 9(b)의 단면도는 도 9(a)의 I-I'선에 대응하는 부분의 단면을 도식적으로 도시한다.9A and 9B are an exploded perspective view and a sectional view for explaining an example in which a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is applied to a display device. The cross-sectional view of FIG. 9 (b) schematically shows a cross-section of a portion corresponding to line I-I 'of FIG. 9 (a).

본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.The display device of this embodiment includes a display panel 2110, a backlight unit BLU1 for providing light to the display panel 2110 and a panel guide 2100 for supporting the lower edge of the display panel 2110. [

표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 액정표시패널은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 박막 트랜지스터 기판 및 컬러필터 기판, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정 층을 포함할 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(2112, 2113)가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는, 예컨대, COF(Chip on film)에 의해 액정표시패널(2110)과 전기적으로 연결된다.The display panel 2110 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. The liquid crystal display panel may include a thin film transistor substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates so as to maintain a uniform cell gap to face each other. The edge of the display panel 2110 may further include gate drive PCBs 2112 and 2113 for supplying driving signals to the gate lines. Here, the gate driving PCBs 2112 and 2113 are not formed on a separate PCB, but may be formed on a thin film transistor substrate. The gate driving PCBs 2112 and 2113 are electrically connected to the liquid crystal display panel 2110 by, for example, COF (Chip on film).

백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광 다이오드 패키지(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.The backlight unit (BLU1) includes a light source module including at least one substrate (2150) and a plurality of light emitting diode packages (2160). Further, the backlight unit BLU1 may further include a bottom cover 2180, a reflection sheet 2170, a diffusion plate 2131, and optical sheets 2130. [

바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광 다이오드 패키지(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.The bottom cover 2180 may open upward to accommodate the substrate 2150, the light emitting diode package 2160, the reflective sheet 2170, the diffusion plate 2131, and the optical sheets 2130. In addition, the bottom cover 2180 can be engaged with the panel guide 2100. The substrate 2150 may be disposed under the reflective sheet 2170 and surrounded by the reflective sheet 2170. However, the present invention is not limited thereto, and it may be placed on the reflective sheet 2170 when the reflective material is coated on the surface. In addition, a plurality of substrates 2150 may be arranged so that a plurality of substrates 2150 are arranged side by side, but it is not limited thereto and may be formed as a single substrate 2150.

발광 다이오드 패키지(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 다이오드 패키지(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자(2160) 상에는 별도의 렌즈(2210)가 더 배치되어, 복수의 발광 소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.The light emitting diode package 2160 may include at least one of the light emitting diode packages according to the embodiments of the present invention described above. The light emitting diode packages 2160 may be regularly arranged in a predetermined pattern on the substrate 2150. Further, a separate lens 2210 is further disposed on each light emitting element 2160, so that the uniformity of light emitted from the plurality of light emitting elements 2160 can be improved.

확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광 다이오드 패키지(2160) 상에 위치한다. 발광 다이오드 패키지(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다. The diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130 are placed on the light emitting diode package 2160. The light emitted from the light emitting diode package 2160 may be supplied to the display panel 2110 in the form of a surface light source through the diffusion plate 2131 and the optical sheets 2130.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting diode package according to the embodiments of the present invention can be applied to the direct-type display device as in the present embodiment.

도 10의 (a) 및 (b)는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도 및 단면도이다. 도 10(b)의 단면도는 도 10(a)의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 부분의 단면을 도식적으로 도시한다.10 (a) and 10 (b) are an exploded perspective view and a cross-sectional view, respectively, for explaining an example in which a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is applied to a display device. The cross-sectional view of FIG. 10 (b) schematically shows a cross-section of a portion corresponding to the line II-II 'of FIG. 10 (a).

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.The display device having the backlight unit according to the present embodiment includes a display panel 3210 on which an image is displayed, and a backlight unit BLU2 disposed on the back surface of the display panel 3210 to emit light. The display device further includes a frame 240 supporting the display panel 3210 and storing the backlight unit BLU2 and covers 3240 and 3280 surrounding the display panel 3210. [

표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 액정표시패널은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 박막 트랜지스터 기판 및 컬러필터 기판, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정 층을 포함할 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 게이트 구동 PCB는, 예컨대, COF(Chip on film)에 의해 액정표시패널(3210)과 전기적으로 연결된다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.The display panel 3210 is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer. The liquid crystal display panel may include a thin film transistor substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates so as to maintain a uniform cell gap to face each other. At the edge of the display panel 3210, a gate driving PCB for supplying a driving signal to the gate line may be further disposed. Here, the gate driving PCB may not be formed on a separate PCB, but may be formed on the thin film transistor substrate. The gate driving PCB is electrically connected to the liquid crystal display panel 3210 by, for example, COF (Chip on film). The display panel 3210 is fixed by the covers 3240 and 3280 located at the upper and lower portions thereof and the cover 3280 located at the lower portion can be engaged with the backlight unit BLU2.

표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.The backlight unit BLU2 for providing light to the display panel 3210 includes a lower cover 3270 partially opened on the upper surface thereof, a light source module disposed on one side of the inner side of the lower cover 3270, And a light guide plate 3250 for converting the light into the plane light. The backlight unit BLU2 of the present embodiment is disposed on the light guide plate 3250 and includes optical sheets 3230 for diffusing and condensing light, a light guide plate 3250 disposed below the light guide plate 3250, And a reflective sheet 3260 that reflects the light toward the display panel 3210. [

광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광 다이오드 패키지(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광 다이오드 패키지(3110)를 지지하고 발광 다이오드 패키지(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광 다이오드 패키지(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광 다이오드 패키지(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.The light source module includes a substrate 3220 and a plurality of light emitting diode packages 3110 spaced apart from each other on a surface of the substrate 3220. The substrate 3220 is not limited as long as it supports the light emitting diode package 3110 and is electrically connected to the light emitting diode package 3110, for example, it may be a printed circuit board. The light emitting diode package 3110 may include at least one light emitting diode package according to the embodiments of the present invention described above. The light emitted from the light source module is incident on the light guide plate 3250 and is supplied to the display panel 3210 through the optical sheets 3230. The point light source emitted from the light emitting diode packages 3110 through the light guide plate 3250 and the optical sheets 3230 can be transformed into a surface light source.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.As described above, the light emitting diode package according to the embodiments of the present invention can be applied to an edge type display device like this embodiment.

그 외에도, 자외선을 방출하는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 살균 장치에도 적용될 수 있다. 자외선은 병원성 미생물의 DNA를 광산화시켜 미생물을 사멸시킨다. 이와 같은 살균 장치는 단독으로도 사용되며, 공기청정기, 냉장고, 정수기 등의 제품의 일부로도 적용될 수 있다. 또한, 공기청정기와 냉장고의 경우, 자외선과 반응하여 탈취작용을 하는 광촉매를 살균 장치와 함께 사용하여, 탈취 효과도 얻을 수 있다.In addition, the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention emitting ultraviolet rays may be applied to the sterilizing apparatus. Ultraviolet light photoactivates DNA of pathogenic microorganisms and kills microorganisms. Such a sterilization apparatus may be used alone or as a part of products such as an air purifier, a refrigerator, and a water purifier. Further, in the case of air cleaners and refrigerators, a deodorizing effect can be obtained by using a photocatalyst that reacts with ultraviolet rays to perform a deodorizing action together with the sterilizing device.

뿐만 아니라, 자외선을 방출하는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 의료 장치에 적용될 수 있다. 구체적으로, 항원-항체 반응에 따라 발광 다이오드 패키지에서 방출된 감도가 변화하는 것을 이용하여 항체 검출이 가능하며, 피부 상태 측정, 공기 중의 미립자 검출 등에도 자외선을 방출하는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지가 사용될 수 있다.In addition, the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention emitting ultraviolet rays can be applied to a medical device. Specifically, the antibody can be detected using the change in sensitivity emitted from the light emitting diode package according to the antigen-antibody reaction, and the light emitted from the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention, which emits ultraviolet rays even in the skin condition measurement, A diode package may be used.

또한, 자외선을 방출하는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 범죄 수사에도 사용될 수 있다. 구체적으로, 자외선 영역의 광을 여기 광으로 가지는 형광염료를 함께 사용하여 위폐 감별, 지문 검출이 가능하다.
In addition, the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention emitting ultraviolet rays can also be used for criminal investigation. Specifically, by using a fluorescent dye having excitation light in the ultraviolet region together, it is possible to discriminate between counterfeit and fingerprint.

Claims (10)

베이스;
상기 베이스 상에 실장된 자외선 발광 다이오드 칩;
상기 자외선 발광 다이오드 칩을 덮는 제1 렌즈; 및
상기 제1 렌즈를 덮는 제2 렌즈를 포함하며,
상기 제2 렌즈의 쇼어 경도가 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도보다 높고,
상기 제2 렌즈의 하면은 상기 베이스와 접하며, 상기 제2 렌즈는 그 측면에 위치하는 다이싱 면을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
Base;
An ultraviolet light emitting diode chip mounted on the base;
A first lens that covers the ultraviolet light emitting diode chip; And
And a second lens that covers the first lens,
The shore hardness of the second lens is higher than the shore hardness of the first lens,
The bottom surface of the second lens is in contact with the base, and the second lens is in a side surface thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 렌즈의 쇼어 경도는 A80 이상 또는 D30 이상인 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
And the second lens has a Shore hardness of A80 or more or D30 or more.
청구항 2에 있어서,
상기 제1 렌즈의 쇼어 경도는 A65 이하인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 2,
And the shore hardness of the first lens is not more than A65.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 렌즈는 실리콘 몰딩재, 에폭시 몰딩재, 및 불소계 몰딩재로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the first lens comprises at least one selected from the group consisting of a silicone molding material, an epoxy molding material, and a fluorine molding material.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 렌즈는 측면으로 돌출된 돌출부를 포함하며,
상기 돌출부는 상기 베이스 상면과 나란하게 접하는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second lens includes a protruding portion projecting laterally,
And the protrusion is in contact with the upper surface of the base in parallel.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩은 250 내지 280nm 또는 360 내지 370nm의 광을 방출하는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode chip emits light of 250 to 280 nm or 360 to 370 nm.
베이스 상에 복수개의 자외선 발광 다이오드 칩들을 실장하고,
상기 자외선 발광 다이오드 칩들을 덮는 복수의 제1 렌즈를 형성하고,
상기 복수의 제1 렌즈를 덮는 복수의 제2 렌즈를 형성하고,
상기 베이스 및 상기 제2 렌즈를 다이싱하여 개별화하는 것을 포함하며,
상기 제2 렌즈의 쇼어 경도가 상기 제1 렌즈의 쇼어 경도보다 높은 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
A plurality of ultraviolet light emitting diode chips are mounted on a base,
Forming a plurality of first lenses covering the ultraviolet light-emitting diode chips,
A plurality of second lenses covering the plurality of first lenses are formed,
And dicing and customizing the base and the second lens,
Wherein a shore hardness of the second lens is higher than a shore hardness of the first lens.
청구항 7에 있어서,
상기 제2 렌즈의 쇼어 경도는 A80 이상 또는 D30 이상인 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
The method of claim 7,
Wherein the second lens has a Shore hardness of A80 or more or D30 or more.
청구항 7에 있어서,
상기 제1 렌즈의 쇼어 경도는 A65 이하인 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
The method of claim 7,
Wherein the shore hardness of the first lens is not more than A65.
청구항 7에 있어서,
상기 제2 렌즈를 형성하는 것은 상기 제2 렌즈의 일부를 상기 자외선 발광 다이오드 칩들 사이의 베이스 상에 형성하는 것을 포함하고,
상기 베이스 및 상기 제2 렌즈를 다이싱하여 복수개의 발광 다이오드 패키지를 형성하는 것은 상기 자외선 발광 다이오드 칩들 사이의 상기 베이스와 상기 제2 렌즈를 다이싱하는 것을 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
The method of claim 7,
Forming the second lens includes forming a part of the second lens on the base between the ultraviolet light emitting diode chips,
And dicing the base and the second lens to form a plurality of light emitting diode packages comprises dicing the base and the second lens between the ultraviolet light emitting diode chips.
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WO2022092799A1 (en) * 2020-10-27 2022-05-05 서울바이오시스주식회사 Light source module and air conditioning apparatus comprising light source module

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