KR20160082330A - 테라헤르츠파 감지소자 - Google Patents
테라헤르츠파 감지소자 Download PDFInfo
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Abstract
고감도 테라헤르츠파 감지소자가 제공된다. 본 발명에 따른 테라헤르츠파 감지소자는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나, 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부를 포함한다.
Description
본 발명은 테라헤르츠파 감지소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고감도 테라헤르츠파 감지소자에 관한 것이다.
전자기파 스펙트럼 대역에서 0.1 내지 10 THz 영역의 테라헤르츠(Terahertz, THz)파 기술은 비금속 및 무극성 물질을 투과하는 특성과 함께 또한 매우 다양한 분자들의 공진주파수가 이 영역에 분포하고 있다는 특징을 가지고 있다. 따라서, 테라헤르츠파의 응용에 대한 활발한 연구가 이루어지고 있고, 테라헤르츠파의 주파수 대역인 0.1THz에서 100THz는 테라헤르츠 갭(Terahertz Gap)이라고도 불린다. 특히, 테라헤르츠파는 가시광선이나 적외선보다 파장이 길기 때문에 X선처럼 투과력이 강할 뿐 아니라 X선보다 에너지가 낮아 인체에 해를 입히지 않는다.
테라헤르츠파의 주파수 대역에 분포하는 분자들의 비파괴, 미개봉, 비접촉법으로 실시간으로 식별함으로써 의료, 농업, 식품, 환경계측, 바이오, 안전, 첨단재료평가 등 매우 다양한 응용분야에서 지금까지 없었던 신개념의 분석기술 제공이 가능할 것으로 예측되고 있는 첨단 기술 분야이다. 또한, 테라헤르츠파 기술은 또한 수 meV 수준의 매우 낮은 에너지로 인하여 인체에의 영향이 거의 없기 때문에 인간중심의 유비쿼터스 사회 실현의 필수 핵심기술로 급부상하고 있으며 그 수요가 매우 빠른 속도로 증가하고 있다. 즉, 테라헤르츠파는 통신 시스템, 분광 시스템 영상 시스템 등에서 여러 분야에서 사용될 수 있는데, 테라헤르츠파의 응용을 위해서는 테라헤르츠 신호 발생 장치 및 검출 장치의 역할이 중요하다.
대부분의 테라헤르츠 신호 발생 장치는 출력이 약하기 때문에, 광학 렌즈와 거울을 사용하여 에너지를 한 곳에 집중시키는 방식으로 출력 밀도를 높여서 피사체에 테라헤르츠파를 입사시킨다. 그런데 테라헤르츠파는 가시 영역에 속하지 않으므로, 광학 렌즈, 거울, 테라헤르츠 신호 발생 장치 및 검출 장치의 배열을 구성하는 것이 매우 어렵다는 단점이 있다.
따라서, 테라헤르츠파를 효율적으로 검출할 수 있는 장치에 대한 기술개발이 요청된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 고감도 테라헤르츠파 감지소자를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나; 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부;를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 나노구조체는 안테나와 연결되어 테라헤르츠파 흡수로 인하여 열이 발생하는 발열나노구조체; 및 발열나노구조체와 전기적으로 절연되고, 발열나노구조체로부터 발생한 열을 전달받아 저항이 변하는 저항나노구조체;를 포함한다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 안테나는 테라헤르츠파의 제1편광방향으로 배치되는 제1안테나 및 테라헤르츠파의 제2편광방향으로 배치되는 제2안테나를 포함하고, 나노구조체는 제1안테나와 연결되는 제1나노구조체 및 제2안테나와 연결되는 제2나노구조체를 포함한다.
나노구조체는 진공 내에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 안테나 및 신호처리부 사이의 간격은 변경되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 테라헤르츠파를 수신하는 안테나; 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부를 포함하는 테라헤르츠파 감지소자가 복수개 배열된 이미지 센서가 제공된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 테라헤르츠 대역은 현재 광원(source) 개발이 취약한 상태로 높은 효용성에 비해 고출력 테라헤르츠 광원 개발이 지체되어 산업응용이 지체되고 있는데, 본 발명에 따른 고감도 테라헤르츠파 감지소자를 이용하는 경우, 낮은 출력의 광원으로도 검사와 같은 응용이 가능하기 때문에 각종 산업용(반도체 패키지, 의료, 보안검색 등) 검사에 쉽게 적용이 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 이미지이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다. 본 발명에 따른 테라헤르츠파 감지소자(100)는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나(110); 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체(120); 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부(130);을 포함한다.
테라헤르츠파 감지소자(100)는 테라헤르츠파가 소자에 입사하게 되면, 테라헤르츠파의 주파수에 최적화된 안테나에서 전류가 흐르게 되고, 안테나와 임피던스 매칭이 된 나노구조체에도 전류가 흘러 줄 열이 발생하고, 이에 따라 저항변화가 발생하여 테라헤르츠파를 감지하는 소자이다.
안테나(110)는 테라헤르츠파를 수신한다. 테라헤르츠파는 투과성을 가진 전자파로써 테라(Tera)단위의 주파수대역을 갖는 전자기파이나, 일반적으로 0.1 내지 10 THz 대역의 전자기파을 의미한다. 도 1에서 안테나(110)는 상부 및 하부에 대칭되는 형태로 구현되어 있으나 그 형상은 이에 한정되지 않는다. 안테나(110)는 넓은 주파수 범위의 테라헤르츠파를 감지하는 소자를 만들기 위해서 광대역 안테나를 사용할 수 있고, 또는 최적주파수가 다른 안테나를 복수개 배치시켜 넓은 주파수 대역의 전자기파를 감지하도록 할 수 있다.
상하부 안테나(110) 사이에는 나노구조체(120)가 위치한다. 안테나(110)와 임피던스 매칭된 나노구조체(120)는 안테나(110)에 의해 수신된 테라헤르츠파를 흡수하고, 이로 인한 발열로 인해 온도상승으로 인한 저항변화를 일으킨다. 즉, 나노구조체(120)는 발열로 인한 저항변화를 일으키는 물질로 구성되는 것이 바람직한데, 이러한 물질로는 예를 들면, 탄소나노튜브, 그래핀, 은(Ag), 구리(Cu), 바나듐 산화물, 바나듐-텅스텐 산화물, 아연산화물, 또는 실리콘 등이 있다.
나노구조체(120)에 흐르는 전류는 줄 열 가열(Joule heating)에 의해 나노구조체(120)의 온도를 상승시킨다. 이때 흐르는 전류는 작지만 나노구조체(120)는 열용량이 매우 작기 때문에 온도 상승 폭은 높다. 따라서 나노구조체와 연결되는 부분은 열전도가 최소화되도록 격리하는 것이 바람직하다. 물체의 저항은 온도에 따라 달라지는데, 예를 들면, 바나듐 산화물 등은 2% 이상의 TCR(temperature coefficient of resistance, 온도 1K 증가 시 저항이 몇% 변하는가를 나타내는 성능지수인 저항온도계수)를 보이며, 탄소나노튜브도 1% 미만의 TCR 값을 가진다. 즉, 특성의 물질을 나노구조체(120)에 사용하면 테라헤르츠파가 수신되어 들어오면 나노구조체(120)의 저항이 바뀌는 것이다.
나노구조체(120)는 안테나(110) 전극물질 사이에 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어 나노구조체(120)를 비정질 실리콘, 바나듐 산화물, 바나듐-텅스텐 산화물, 또는 아연산화물 등의 반도체 물질로 구현하는 경우 예를 들면, 이들 물질을 반도체공정을 이용하여 박막 증착하고 이를 포토리소그래피 공정으로 패턴화하여 형성할 수 있다. 만약, 나노구조체(120)를 탄소나노튜브, 금속 나노와이어, 또는 금속산화물 나노와이어 등의 구조체로 구현한다면, 이들은 안테나(110) 전극물질 사이에서 직접 성장시킬 수 있다. 또는, 이미 제조된 나노구조체를 전면에 도포하고, 필요한 영역만 남기고 제거하거나 잉크젯공정등을 통해 필요한 영역에만 선택적으로 인쇄할 수 있다.
신호처리부(130)는 나노구조체(120)에서 저항이 변하게 되면, 이를 읽어들여 전기신호로 변환하여 감지신호를 발생시킨다.
이러한 테라헤르츠파 감지소자(100)는 도 2와 같이 구현될 수 있다. 도 2에서, 기판(150) 상에 신호처리부(130)가 형성되고, 나노구조체(120)는 열전도가 최소화되어야 하므로 지지대(140)를 이용하여 기판(150) 및 신호처리부(130)와 분리된다. 지지대(140)는 안테나(110) 부분만 지지하고 있으며, 나노구조체(120)는 공중에 떠있는 형태로 구성된다.
본 실시예에 따르면, 안테나(110)에 연결되는 볼로미터 구조를 직경이 수 내지 수백 nm 정도인 나노와이어나 나노튜브 등과 같은 나노구조체로 형성하고 이를 공중에 떠있는 상태로 열손실을 최소화하여 고감도의 테라헤르츠파 감지소자 제조가 가능하다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다. 본 실시예에 따르면, 테라헤르츠파 감지소자(200)는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나(210); 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부(230);을 포함한다. 이하, 기설명된 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에서 나노구조체는 안테나(210)와 연결되어 테라헤르츠파 흡수로 인하여 열이 발생하는 발열나노구조체(221); 및 발열나노구조체(221)와 전기적으로 절연되고, 발열나노구조체(221)로부터 발생한 열을 전달받아 저항이 변하는 저항나노구조체(222);를 포함한다. 신호처리부(230)는 저항나노구조체(222)와 전기적으로 연결되어 이로부터 저항변화를 얻고, 발열나노구조체(221)와는 연결되어 있지 않다.
즉, 발열나노구조체(221)는 안테나(210)와 전기적으로 연결되어 테라헤르츠파를 수신하면 이로 인해 발열된다. 반면, 저항나노구조체(222)는 안테나(210) 및 발열나노구조체(221)와는 전기적으로 절연되어 있다. 저항나노구조체(222)는 오직 발열나노구조체(221)가 발열하는 열을 전달받아 이로인해 저항변화를 일으키므로 발열나노구조체(221)의 열을 전달받아 저항변화를 일으킬 수 있을 정도로 발열나노구조체(221)와는 거리적으로 인접하여 위치하는 것이 바람직하다.
발열나노구조체(221) 및 저항나노구조체(222)를 구분하는 이유는 발열나노구조체(221)의 경우 안테나(210)와 임피던스 매칭이 되는 것이 바람직한데, 나노소재물질이 모두 안테나(210)와 임피던스 매칭이 되면서 발열로 인해 저항변화가 우수한 특성까지 만족시키는 것이 아니기 때문이다. 따라서, 발열나노구조체(221)에는 발열로 인한 저항변화특성이 우수하지는 않아도 안테나(210)와 임피던스 매칭이 용이한 물질을 선택하고 저항나노구조체(222)는 열을 전달받아 이로 인한 저항변화특성이 우수한 물질이 선택된다면 보다 우수한 성능의 테라헤르츠파 감지소자가 구현될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 개략도이다. 본 실시예에 따르면, 테라헤르츠파 감지소자는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나; 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부;를 포함한다. 이하, 기설명된 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따르면, 테라헤르츠파 감지소자(300)는 안테나가 테라헤르츠파의 제1편광방향으로 배치되는 제1안테나(311) 및 테라헤르츠파의 제2편광방향으로 배치되는 제2안테나(312)를 포함한다. 그에 따라, 나노구조체는 제1안테나(311)와 연결되는 제1나노구조체(321) 및 제2안테나(312)와 연결되는 제2나노구조체(322)를 포함한다.
테라헤르츠파는 전자기파이기 때문에 X축 및 Y축에 대해 각각 안테나를 배치하여 제작될 수 있다. 테라헤르츠파 감지신호는 제1안테나(311)에서의 제1나노구조체(321)의 저항변화에 따른 감지신호 및 제2안테나(312)에서의 제2나노구조체(322)의 저항변화에서 얻어진 감지신호를 조합하여 얻을 수 있다. 또는, 이와 달리, 제1나노구조체(321)는 발열나노구조체로 이용되고, 제2나노구조체(322)는 저항나노구조체로 이용되거나 그 반대의 경우로 이용되어 도 3을 참조하여 설명한 실시예에서와 같이 감지신호가 생성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다. 본 실시예에 따르면, 테라헤르츠파 감지소자(400)는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나(410); 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체(420); 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부(430);을 포함한다. 이하, 기설명된 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
테라헤르츠파 감지소자(400)는 기판(450) 상에 신호처리부(430)가 위치하고, 나노구조체(420)의 열손실을 방지하기 위해 지지대(440) 상에 안테나(410)가 위치한다. 본 실시예에서 신호처리부(430), 지지대(440), 안테나(410) 및 나노구조체(420)는 유전체(460)로 덮여 있는데, 이는 전자기파가 유전체에서 굴절율 n만큼 파장이 줄어드는 효과가 있기 때문이다. 만약 유전체(460)가 굴절율 n인 경우, 테라헤르츠파의 파장이 1/n만큼 줄어들게 되고 안테나(410)를 더 작게 형성할 수 있어 테라헤르츠파 감지소자(400)를 소형화할 수 있다.
유전체(460)는 안테나(410)를 둘러싸거나 안테나(410)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다. 여기서 나노구조체(420)의 주변은 진공부(470)가 형성되어 진공이 형성되어 있어야 유전체(460)로 인한 열손실이 발생하지 않아 고감도를 유지할 수 있다. 진공부(470)의 경우, 나노구조체(420)의 상부 및 하부에 모두 형성되는 것이 바람직하고, 진공형성이 어려운 경우 나노구조체(420)의 하부에 진공부(470)가 형성되는 것이 고감도 유지에 유리하다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 감지소자의 단면도이다. 본 실시예에 따르면, 테라헤르츠파 감지소자(500)는 테라헤르츠파를 수신하는 안테나(510); 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체(520); 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부(530);을 포함한다. 이하, 기설명된 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
테라헤르츠파 감지소자(500)는 기판(550) 상에 신호처리부(530)가 위치하고, 나노구조체(520)의 열손실을 방지하기 위해 지지대(540) 상에 안테나(510)가 위치한다. 본 실시예의 테라헤르츠파 감지소자(500)는 안테나(510)와 신호처리부(530) 사이의 간격이 조절될 수 있다.
안테나(510)와 신호처리부(530)의 거리는 안테나(510)의 성능에 영향을 미친다. 약 파장(λ)의 1/4만큼의 거리일 때, 안테나(510)는 신호처리부(530)에서 반사된 테라헤르츠파와 보강간섭을 일으켜 최적의 성능을 나타낸다. 따라서, 입사하는 테라헤르츠파가 특정 주파수영역 내인 경우, 안테나(510)와 신호처리부(530) 사이의 거리를 조정해 성능최적화가 가능하다. 거리 조절은 예를 들면, 신호처리부(530)와 안테나(510)를 지지하는 지지대(540)를 스프링 구조로 만들고 지지대(540)위의 전극에 전압을 인가해 정전기력으로 거리를 제어 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 테라헤르츠파를 수신하는 안테나; 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부를 포함하는 테라헤르츠파 감지소자가 복수개 배열된 이미지 센서가 제공된다. 이러한 이미지 센서는 테라헤르츠파 감지소자를 여러개 일차원 또는 이차원적으로 배열하여 제조될 수 있다.
도 7에는 실제 제작된 테라헤르츠파 감지소자의 이미지가 나타나 있다. 도 7에서 부채꼴 형태의 안테나 사이에 나노구조체가 형성되어 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100, 200, 300, 400, 500
테라헤르츠파 감지소자
110, 210, 311, 312, 410, 510, 610 안테나
120, 221, 222, 321, 322, 420, 520 , 520 나노구조체
130, 230, 331, 332, 430, 530 신호처리부
140, 440, 540 지지대
150, 450, 550 기판
460 유전체
470 진공부
110, 210, 311, 312, 410, 510, 610 안테나
120, 221, 222, 321, 322, 420, 520 , 520 나노구조체
130, 230, 331, 332, 430, 530 신호처리부
140, 440, 540 지지대
150, 450, 550 기판
460 유전체
470 진공부
Claims (6)
- 테라헤르츠파를 수신하는 안테나;
상기 수신된 테라헤르츠파를 흡수하여 온도상승으로 인한 저항변화를 일으키는 나노구조체; 및
상기 저항변화로부터 감지신호를 발생하는 신호처리부;를 포함하는 테라헤르츠파 감지소자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 나노구조체는,
상기 안테나와 연결되어 상기 테라헤르츠파 흡수로 인하여 열이 발생하는 발열나노구조체; 및
상기 발열나노구조체와 전기적으로 절연되고, 상기 발열나노구조체로부터 발생한 열을 전달받아 저항이 변하는 저항나노구조체;를 포함하는 테라헤르츠파 감지소자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 안테나는,
상기 테라헤르츠파의 제1편광방향으로 배치되는 제1안테나 및 상기 테라헤르츠파의 제2편광방향으로 배치되는 제2안테나를 포함하고,
상기 나노구조체는,
상기 제1안테나와 연결되는 제1나노구조체 및 상기 제2안테나와 연결되는 제2나노구조체를 포함하는 테라헤르츠파 감지소자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 나노구조체는 진공 내에 위치하는 것인 테라헤르츠파 감지소자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 안테나 및 상기 신호처리부 사이의 간격은 변경되는 것인 테라헤르츠파 감지소자.
- 청구항 1내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 테라헤르츠파 감지소자가 복수개 배열된 이미지 센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140191246A KR102177261B1 (ko) | 2014-12-28 | 2014-12-28 | 테라헤르츠파 감지소자 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140191246A KR102177261B1 (ko) | 2014-12-28 | 2014-12-28 | 테라헤르츠파 감지소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20160082330A true KR20160082330A (ko) | 2016-07-08 |
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| KR (1) | KR102177261B1 (ko) |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2010019585A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Institute Of Physical & Chemical Research | 近接場テラヘルツ光検出器 |
| JP2010261935A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 赤外からテラヘルツ周波数帯域の電磁放射を検出するボロメータ検出器、およびかかる検出器を備えたアレイ検出装置 |
-
2014
- 2014-12-28 KR KR1020140191246A patent/KR102177261B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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| JP2010019585A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Institute Of Physical & Chemical Research | 近接場テラヘルツ光検出器 |
| JP2010261935A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 赤外からテラヘルツ周波数帯域の電磁放射を検出するボロメータ検出器、およびかかる検出器を備えたアレイ検出装置 |
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| KR102177261B1 (ko) | 2020-11-11 |
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