KR20160077555A - 곡면부 색 휘도를 개선한 측변 구부림 구조를 갖는 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 측변 구부림 구조를 갖되, 구부러진 곡면부의 색 휘도를 개선한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 표시장치는, 평면부, 곡면부, 제1 화소들, 제2 화소들, 평면부 박막 트랜지스터들 그리고 곡면부 박막 트랜지스터들을 포함한다. 곡면부는, 평면부의 일측 방향에서 평면부와 수직 방향으로 만곡되어 연장된다. 제1 화소들은, 평면부에 배치된다. 제2 화소들은, 곡면부에 배치된다. 평면부 박막 트랜지스터들은, 제1 화소들에 배치된 제1 채널 비를 갖는다. 그리고 곡면부 박막 트랜지스터들은, 제2 화소들에 배치된 순차적으로 증가하는 제2 채널 비를 갖는다.

Description

곡면부 색 휘도를 개선한 측변 구부림 구조를 갖는 표시장치{Edge Bending Structure Display Having Enhanced Color Luminance At Bended Sides}

본 발명은 측변 구부림 구조를 갖되, 구부러진 곡면부의 색 휘도를 개선한 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 좌우 측변부를 하면으로 구부린 구조에 의해 정면에서 구부러진 측면을 바라볼 때 발생하는 색 휘도 저하를 개선한 표시장치에 관한 것이다.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광 표시장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.

전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.

전계발광 소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLE)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.

그리고 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 역할을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 게이트 콘택홀(GH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다.

특히, 반도체 층(SA, DA)을 산화물 반도체 물질로 형성하는 경우, 높은 전하 이동도 특성에 의해 충전 용량이 큰 대면적 박막 트랜지스터 기판에서 고 해상도 및 고속 구동에 유리하다. 그러나, 산화물 반도체 물질은 소자의 안정성을 확보하기 위해 상부 표면에 식각액으로부터 보호를 위한 에치 스토퍼(SE, DE)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD) 사이의 이격된 부분에서 노출된 상부면과 접촉하는 식각액으로부터 반도체 층(SA, DA)이 백 에치(Back Etch) 되는 것을 보호하도록 에치 스토퍼(SE, DE)를 형성한다.

나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판(SUB) 전체 표면에 도포한다.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BA)를 형성한다. 뱅크(BA)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.

뱅크(BA)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OL)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치가 된다.

지금까지는 유기발광 다이오드 표시장치의 세부적인 구조에 대해 설명하였다. 도 5를 참조하여, 유기발광 다이오드 표시장치의 전체적인 구조를 설명한다. 도 5는 초박형 유기발광 다이오드 표시장치를 채용한 정보 처리 장기의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 종래 기술에 의한 초박형 유기발광 표시장치(DIP)는, 유기발광 소자층(FL), 유기발광 소자층(FL)의 기저에 부착된 백 플레이트(BP), 유기발광 소자층(FL) 상면에 부착된 편광필름(POL), 편광필름(POL) 위에 배치된 터치 패널 필름(TSP), 그리고, 터치 패널 필름(TSP) 위에 커버 기판(CV)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.

유기발광 다이오드 표시장치를 초박형화하기 위해서는 표시소자를 지지하는 기판의 두께가 얇아야 한다. 하지만, 현재 사용하는 표시 소자를 형성하기 위한 제조 라인에서 대량 생산을 위한 조건을 만족하기 위해서는 최소 0.5mm의 두께를 유지하여야 한다. 하여, 초박형 유기발광 표시장치를 대량 생산하기 위해서는, 우선 0.5mm 두께를 갖는 제조용 기판 위에서 표시 소자를 완성한 후에, 기판을 분리하고, 초박형 백 플레이트를 다시 합착하는 방법을 사용하고 있다.

유기발광 소자층(FL)은 제조용 기판(도시하지 않음) 위에 형성된 플렉서블 기저층(PI), 플렉서블 기저층(PI) 위에 형성된 표시층(ACT), 그리고 표시층(ACT)을 보호하기 위해 접착층(ADH)을 매개로 표시층(ACT) 위에 합착된 보호층(BA)을 포함한다. 유기발광 소자층(FL)을 완성한 후에는 유기발광 소자층(FL)의 플렉서블 기저층(PI)을 제조용 기판으로부터 분리하고, 더 얇은 백 플레이트(BP)를 부착한다.

유기발광 소자층(FL)은 실제로 영상 정보를 표시하기 위한, 박막 트랜지스터 및 유기발광층 등을 포함하는 표시 소자들이 배치되는 표시 영역(AA), 그리고 표시 영역(AA)의 주변에서 표시 소자들을 구동하기 위한 구동 소자들이 배치되는 비표시 영역(NA)으로 구분된다.

유기발광 소자층(FL) 위에는 사용자 편의를 위한 추가적인 소자 필름들이 더 부착된다. 예를 들어, 외부광이 반사되어 표시 장치가 표현하는 영상의 시청을 방해하는 것을 방지하기 위해 편광필름(POL)을 부착할 수 있다. 그리고, 화면을 직접 터치하여 사용자의 정보를 입력할 수 있는 터치 필름(TSP)을 부착할 수 있다. 터치 필름(TSP)은 가로 방향 배열된 배선층을 구비한 제1 터치 필름(TS1)과 세로 방향으로 배열된 배선층을 구비한 제2 터치 필름(TS2)을 포함할 수 있다. 그리고, 터치 필름(TSP)도 사용자의 터치 신호를 인지하는 전극부가 배치되는 표시 영역(AA)과, 전극부의 신호를 처리하기 위한 구동부가 배치되는 비 표시 영역(NA)으로 구분된다.

그리고, 최상층부에는 이 모든 표시 소자들을 보호하기 위한 커버 기판(CV)이 부착된다. 이렇게 형성된 초박형 유기발광 표시장치는 각종 정보 처리 장치와 합착되어 최종 제품으로 만들어진다. 예를 들어, 프레임(FR)을 이용하여 정보 처리 장치의 상부에 유기발광 표시장치를 하나의 장치로 결합한다. 이 때, 프레임(FT)의 일부가 표시장치의 측면 상층부를 덮는 구조를 갖는다. 이 부분이 보통 베젤 영역(BZ)이 된다. 베젤 영역(BZ)은 구동 회로부가 배치되는 영역 및/또는 구동 회로부와 표시 패널을 연결하기 위한 연결 부재들이 설치되는 영역들로서, 유기발광 소자층(FL)의 비 표시 영역(NA)을 포함한다.

휴대용 정보 장치에서 정밀하고 정확한 화면 정보를 제공하고, 표시 패널에 직접 사용자 정보를 입력할 수 있도록 하기 위해서, 동일한 면적에서도 더 큰 표시 패널을 사용하고자 하는 필요성이 증가하고 있다. 이를 위해서 베젤 영역(BZ)을 줄이고자 하는 노력이 많이 진행되고 있다. 하지만, 고집적 기술을 적용하더라도, 유기발광 표시장치(DIP)의 비 표시 영역(NA)의 존재 때문에 베젤 영역(BZ)을 최소화하는 데에는 한계가 있다.

본 발명의 목적은, 상기 문제점들을 극복하기 위해 고안된 것으로, 비 표시 영역을 영역의 측면으로 구부려, 편평한 상면 표시부와 구부러진 측면 표시부 모두에서 비디오 정보를 제공하는 표시 장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 측부 일부를 구부려 베젤 영역을 제거한 구조를 갖는 표시 장치에서, 측변부에 표시되는 영상 정보를 정면에서 바라볼 때, 곡면 형상에 의해 저하된 색 휘도 및/또는 왜곡된 색감을 보상한 표시 장치를 제공하는 데 있다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 표시장치는, 평면부, 곡면부, 제1 화소들, 제2 화소들, 평면부 박막 트랜지스터들 그리고 곡면부 박막 트랜지스터들을 포함한다. 곡면부는, 평면부의 일측 방향에서 평면부와 수직 방향으로 만곡되어 연장된다. 제1 화소들은, 평면부에 배치된다. 제2 화소들은, 곡면부에 배치된다. 평면부 박막 트랜지스터들은, 제1 화소들에 배치된 제1 채널 비를 갖는다. 그리고 곡면부 박막 트랜지스터들은, 제2 화소들에 배치된 순차적으로 증가하는 제2 채널 비를 갖는다.

일례로, 제2 채널 비는, 최초 채널비, 최종 채널비, 그리고 중간 채널비를 포함한다. 최초 채널 비는, 곡면부가 시작되는 최초 제2 화소의 최초 곡면부 박막 트랜지스터에 정의된다. 최종 채널 비는, 곡면부가 종료되는 최종 제2 화소의 최종 곡면부 박막 트랜지스터에 정의된다. 그리고 중간 채널 비는, 최초 제2 화소와 상기 최종 제2 화소 사이에 배치된 중간 제2 화소들의 중간 곡면부 박막 트랜지스터에 정의되며, 상기 최초 채널 비와 상기 최종 채널 비 사이에서 점차 증가한다.

일례로, 최초 채널 비의 폭 내지 최종 채널 비의 폭을 포함하는 제2 채널 비의 폭들은 동일한 값을 갖는다. 최초 채널 비의 길이는 제1 채널 비의 길이보다 작다. 중간 채널 비의 길이는, 최초 채널 비의 길이와 최종 채널 비의 길이 사이에서 점차 감소한다.

일례로, 최초 채널 비의 길이 내지 상기 최종 채널 비의 길이를 포함하는 상기 제2 채널 비의 길이들은 동일한 값을 갖는다. 최초 채널 비의 폭은 제1 채널 비의 폭보다 크다. 중간 채널 비의 폭은, 최초 채널 비의 폭과 최종 채널 비의 폭 사이에서 점차 증가한다.

일례로, 최초 채널 비의 길이는 제1 채널 비의 길이보다 작다. 최초 채널 비의 폭은 제1 채널 비의 폭보다 크다. 중간 채널 비의 길이는, 최초 채널 비의 길이와 최종 채널 비의 길이 사이에서 점차 감소한다. 중간 채널 비의 폭은, 최초 채널 비의 폭과 최종 채널 비의 폭 사이에서 점차 증가한다.

일례로, 표시장치는 평면부 유기발광 다이오드와 곡면부 유기발광 다이오드를 더 포함한다. 평면부 유기발광 다이오드는, 제1 화소 내에서 상기 평면부 박막 트랜지스터에 연결되어 구동된다. 곡면부 유기발광 다이오드는, 제2 화소 내에서 상기 곡면부 박막 트랜지스터에 연결되어 구동된다.

본 발명에 의한 표시장치는 표시 장치의 전면뿐 아니라 측면에서도 비디오 정보를 제공할 수 있다. 따라서, 베젤 영역이 삭제되어 더 넓은 표시 영역을 확보할 수 있으며, 다양한 방식으로 표시 영역을 활용할 수 있다. 그 결과, 동일한 크기를 갖는 표시장치 및 정보 기기에서 더 큰 대면적 표시부를 확보할 수 있다. 또한, 구부러진 측변에서 영상 정보를 표시하는 측면 표시 영역에 배치되어 화소 전극에 구동 전류를 전달하는 박막 트랜지스터는 채널의 크기가 점차적으로 다른 분포를 갖는다. 그럼으로써, 동일한 데이터 전류를 인가하더라도 측면 표시 영역에 배치된 화소에는 휘도가 더 높아진다. 따라서, 정면에서 측면부를 바라볼 때 색 휘도 저하나 색감 왜곡 현상이 발생하지 않는다. 특히, 곡면 시작부에서 곡면 종료부에 이르기까지 순차적으로 높은 구동 전류를 제공함으로써, 곡면이 진행하면서 발생할 수 있는 색 휘도 저하나 색감 왜곡 현상을 효율적으로 보상할 수 있다.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 종래 기술에 의한 초박형 유기발광 다이오드 표시장치를 채용한 정보 처리 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 무-베젤 표시장치를 제조하는 공정을 간략하게 나타낸 단면도들.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 의한 무-베젤 표시 장치에서, 정면 방향에서 측면 방향의 영상 정보를 관찰할 때의 상황을 나타내는 단면도들.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 제3 실시 예에 의한 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치의 구조를 나타내는 평면도들.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.

<제1 실시 예>

이하, 도 6a 내지 6d를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 의한 무-베젤 표시장치의 제조 방법을 설명한다. 도 6a 내지 6d는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 무-베젤 표시장치를 제조하는 공정을 간략하게 나타낸 단면도들이다.

진공 장비 및 이송 장비들을 포함하는 반도체 장치 및 표시 장치를 제조하는 장비들을 이용한 제조 공정에서 충분한 강성과 지지력을 확보할 수 있는 두께를 갖는 투명 유리 기판(GLS)을 준비한다. 기판(GLS) 전체 표면 위에 희생층(SL)을 도포한다. 희생층(SL)은 무기 물질을 포함하는 것으로 레이저 광을 조사하면 계면 결합력이 분해되는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 희생층(SL) 위에 유기발광 소자층(FL)을 형성한다. 유기발광 소자층(FL)이 형성된 기판(GLS) 위에 라미네이팅 공법을 이용하여, 편광 필름(POL)을 부착한다. 그리고 편광 필름(POL) 위에 화면을 직접 터치하여 사용자의 정보를 입력할 수 있는 터치 필름(TSP)을 부착한다. 유기발광 소자층(FL), 편광 필름(POL) 및 터치 필름(TSP)은 종래 기술에서 설명한 것과 동일 혹은 유사할 수 있으므로, 상세한 설명은 생략한다. 유리 기판(GLS)에서 희생층(SL)의 배면에서 레이저(LAS)를 이용하여 레이저 광을 조사한다. 특히, 희생층(SL)에 레이저 광의 초점이 맞도록 조절하여 조사한다. 그 결과, 희생층(SL)을 기준으로 유리 기판(GLS)과 유기발광 소자층(FL)이 분리된다. (도 6a)

유기발광 소자층(FL)은 박막 공정으로 형성되어 전체 두께가 수천 Å 정도로서 단일 층만으로 분리되었을 경우, 후속 공정을 수행하기 어렵다. 하지만, 유기발광 소자층(FL) 위에 얇은 필름으로 만든 편광 필름(POL) 및 터치 필름(TSP)이 적층되어 있으므로, 쉽게 구부러지더라도 탄성이 있어 소자들의 특성을 유지할 수 있는 특징이 있으면서도 후속 공정을 충분히 수행할 수 있을 정도의 강성은 확보할 수 있다. 유리 기판(GLS)과 분리된, 유기발광 소자층(FL), 편광 필름(POL) 및 터치 필름(TSP)을, 유연한 성질과 얇은 두께를 갖는 백 플레이트(BP)에 부착하여 플렉서블 표시 패널(FDP)을 완성한다. 백 플레이트(BP)는 유기발광 소자층(FL)을 보호하는 강성과 함께 쉽게 구부러지면서도 탄성이 있어 소자들의 특성을 유지할 수 있는 특징이 있다. 백 플레이트(BP)의 표면에 기포 발생을 억제하는 특성이 있는 감압 접착제(PSA)를 도포하여 유기발광 소자층(FL)과 합착한다. (도 6b)

백 플레이트(BP)가 부착됨으로써 완성된 표시 패널은 유연성과 탄성을 갖는 플렉서블 표시 패널(FDP)이 된다. 이러한 플렉서블 표시 패널(FDP)은 쉽게 구부러지기 때문에 다양한 형태의 표시장치로 응용할 수 있다. 본 발명에서는, 측변부가 약간 구부러진 "U"자형 커버 글라스(CG)의 내측면에 플렉서블 표시 패널(FDP)을 장착하여 상부 표면 및 구부러진 측부까지도 표시 영역으로 사용할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다. 이를 위해, 터치 필름(TSP)의 표면 위에 광학 접착제(OCA)를 전체 도포하여 커버 글라스(CG)의 내측면에 합착한다. (도 6c)

그 결과, 상부 표면은 물론이고, 측부 표면까지도 표시 패널이 분포되어, 상부 표면뿐만 아니고 측면에서도 비디오 정보를 제공할 수 있는 새로운 구조의 표시 장치를 제공할 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 측부 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치는, 정면 표시 영역(UAA)과 측면 표시 영역(SAA)을 구비한다. (도 6d)

이와 같이, 측변 일부 영역이 구부러진 구조를 갖는 무-베젤 표시 장치는, 정면 방향(①)으로 주된 영상 정보를 제공할 수 있다. 또한, 측면 방향(②)으로는 부수적인 영상 정보를 제공할 수 있다. 측변 일부 영역이 구부러진 무-베젤 표시장치는 무-베젤 특징을 가져, 표시장치의 앞 표면 전체를 표시 영역으로 활용할 수 있다. 또한, 정면과 측면에서 서로 다른 용도와 목적에 맞는 영상 정보를 각각 제공하여 다양하게 응용할 수도 있다.

그런데, 정면에서 바라볼 때, 측면 방향으로 제공되는 영상 정보가 어는 정도는 인지된다. 즉, 정면에서 바라볼 때, 곡면이 시작되는 부분에서 어느 정도의 각도까지에 해당하는 곡면부에 표시되는 영상 정보를 정면에서도 인지할 수 있다. 하지만, 측면에 가까운 부분은 정면에서 인지가 되지 않는다. 오히려, 어두워져서, 정면에서 보았을 때, 가장자리가 검게 보여 시감이 좋지 않을 수 있다.

<제2 실시 예>

이하, 도 7a 내지 7c를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 대해 설명한다. 도 7a 내지 7c는 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 의한 무-베젤 표시 장치에서, 정면 방향에서 측면 방향의 영상 정보를 관찰할 때의 상황을 나타내는 단면도들이다. 특히, 도 7a는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 무-베젤 표시장치에서, 정면 방향에서 측면부를 바라보았을 때 발생하는 색 휘도 저하 영역을 나타내는 단면도이다. 도 7b 및 7c는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 무-베젤 표시장치에서, 정면 방향에서 측면부를 바라보았을 때 발생하는 색 휘도 저하 영역을 나타내는 단면도이다.

도 7a를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치는, 정면 표시 영역(UAA)과 측면 표시 영역(SAA)을 포함한다. 정면 표시 영역(UAA)은 평면부이며, 측면 표시 영역(SAA)은 평면부의 일측 방향에서 평면부와 수직을 이루는 평면 방향으로 만곡되어 연장된다. 측면 표시 영역(SAA)은 곡면부로 이루어져 있다. 특히, 측면 표시 영역(SAA)은 반경이 R인 원형에서 1/4에 해당하는 원호 형상을 갖는다.

이 경우, 정면 방향에서 표시 장치를 관측할 때, 정면 표시 영역(UAA)에 표시된 영상 정보는 올바른 색 휘도로 인지된다. 또한 측면 방향에서 표시 장치를 관측할 때는, 측면 표시 영역(SAA)에 표시된 영상 정보를 올바른 색 휘도로 인지할 수 있다. 하지만, 정면 방향에서 표시 장치를 관측할 때, 측면 표시 영역(SAA)에 표시된 영상 정보는 색 휘도가 왜곡되어 인지될 수 있다.

특히, 측면 표시 영역(SAA)인 곡면부가 시작되는 부분에 표시되는 영상 정보에 대해서는 색 휘도가 왜곡되어 인지되지 않지만, 곡면부가 끝나는 부분으로 갈 수록 색 휘도 왜곡의 정도가 점차 심해진다. 그 결과, 정면에서 본 발명의 제1 실시 예에 의한 무-베젤 표시 장치를 바라보면, 양 측변의 테두리에 표시된 영상 정보는 검게 나타나고 제대로 인지되지 않는 암흑(혹은, 다크: Dark) 영역(DA)이 발생한다.

암흑 영역(DA)은 정면에서 곡면부(SAA)를 바라보는 시야 방향선(100)을 그렸을 때, 곡면과의 접점을 넘어선 곡면부에 해당할 수 있다. 이러한, 암흑 영역(DA)을 줄이기 위해서는, 곡면부(SAA)의 만곡 정도를 완만하게 함으로써 어느 정도 해소가 가능하다. 본 발명의 제2 실시 예에서는, 곡면부(SAA)에서 암흑 영역을 감소시킨 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시 장치를 제안한다.

도 7b를 참조하면, 곡면부(SAA)가 수직 방향으로의 곡면 반경은 R을 갖고, 수평 방향으로의 곡면 반경은 2R을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 도 3a와 비교했을 때, 곡면부(SAA)의 곡률이 완만해 진다. 그 결과, 암흑 영역(DA)이 상당히 줄어들 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 정면 방향에서 곡면부(SAA)를 바라볼 때, 시야 방향선(100)과 곡면이 만나는 접점을 넘어선 곡면부(SAA)인 암흑 영역(DA)의 크기는, 도 3a에서 발생한 암흑 영역(DA)의 크기보다 작다.

또 다른 예로, 도 7c를 참조하면, 곡면부(SAA)가 수직 방향으로의 곡면 반경은 R을 갖고, 수평 방향으로의 곡면 반경은 3R을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 도 7a와 비교했을 때, 곡면부(SAA)의 곡률이 완만해 진다. 더구나, 도 7c에 의한 곡면부(SAA)는 도 7b에 의한 곡면부(SAA)보다 더 완만한 곡률을 갖는다. 그 결과, 암흑 영역(DA)이 더 상당히 줄어들 수 있다. 예를 들어, 도 7c에 도시한 바와 같이, 정면 방향에서 곡면부(SAA)를 바라볼 때, 시야 방향선(100)과 곡면이 만나는 접점을 넘어선 곡면부(SAA)인 암흑 영역(DA)의 크기는, 도 7a 및 7b에서 발생한 암흑 영역(DA)의 크기보다 작다.

이와 같이, 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시 장치에서 측면 표시 영역인 곡면부(SAA)의 곡률을 완만하게 형성함으로써, 암흑 영역(DA)을 줄일 수 있다. 암흑 영역(DA)을 줄이기 위해서는, 곡률을 완만하게 할 수록 더 유리하다. 하지만, 곡률을 완만하게 할 수록, 실제로 측변을 구부려 표시 장치를 제조하는 의미가 감소된다. 즉, 측면 표시 영역(SAA)을 별도로 구성하여 정면 표시 영역(UAA)과 다른 정보를 표시하는 활용도가 없어질 수 있다.

따라서, 곡면부(SAA)의 곡률이 높더라도, 정면에서 바라볼 때, 측면 표시부에서 나타내는 영상 정보의 색 휘도가 왜곡되는 것을 보상할 수 있는 무-베젤 표시장치가 필요하다.

<제3 실시 예>

이하, 본 발명의 제3 실시 예에서는, 도 7a나 7b와 같이 곡면부(SAA)의 곡률이 큰 경우에도 측면 표시 영역(SAA)에서 표시하는 영상 정보를 정면에서 보았을 때, 색 왜곡이 발생하지 않고 표시될 수 있는 측변 구부림 구조의 무-베젤 표시장치를 제안한다. 도 8a 내지 8c는 본 발명의 제3 실시 예에 의한 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치의 구조를 나타내는 평면도들이다.

도 8a 내지 8c를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 측변 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치는, 정면 표시 영역(UAA)과 측면 표시 영역(SAA)을 포함한다. 정면 표시 영역(UAA)은 평면부이며, 측면 표시 영역(SAA)은 평면부의 일측 방향에서 평면부와 수직을 이루는 평면 방향으로 만곡되어 연장된 곡면부이다.

평면부인 정면 표시 영역(UAA)에는 다수 개의 정면 화소들이 매트릭스 방식으로 배열되어 있다. 이러한 정면 화소들은 기판(SUB) 위에서 세로 방향으로 진행하는 다수 개의 데이터 배선(DL)들과 가로 방향으로 진행하는 다수 개의 게이트 배선(도시하지 않음)들이 교차하여 형성한 화소 영역 내에 형성된다. 도 8a 내지 8c에서는 편의상 데이터 배선(DL)들만 도시하였다.

곡면부인 측면 표시 영역(SAA)에도 영상 정보를 표시하기 위해서는, 기본적으로 정면 표시 영역(UAA)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 측면 화소(PXL)들이 기판(SUB) 위에서 매트릭스 방식으로 배열되어 있다. 측면 화소(PXL)들은 기판(SUB) 위에서 세로 방향으로 진행하는 다수 개의 데이터 배선(DL)들과 가로 방향으로 진행하는 다수 개의 게이트 배선(도시하지 않음)들이 교차하여 형성한 화소 영역 내에 형성된다. 도 8a 내지 8c에서는 편의상, 데이터 배선(DL)들만 도시하고, 평면부(UAA)의 일측변에 연장되어 배치된 곡면부(SAA)의 일부분을 확대하여 도시하였다.

평면부(UAA)에 배치된 정면 화소들에는 정면 영상 정보를 표시한다. 예를 들어, 풀-칼라를 구현하는 영상 정보를 표시할 때, 최대 휘도 100%에서 최소 휘도 0%까지를 표현하고자 하는 휘도 레벨로 나누어 표시할 수 있다. 이를 위해, 평면부(UAA)에 배치된 데이터 배선(DL)들을 통해에는 표시 영상의 계조에 상응하는 데이터 전압이 인가된다. 평면 데이터 배선(UDL)을 통해 인가된 데이터 전압으로 평면 화소에 인가되고, 이에 상응하는 계조를 표현할 수 있다.

평면부(UAA)에 배치된 데이터 배선들(DL)은 데이터 구동 회로(DIC)로부터 표현하고자 하는 영상 정보의 계조에 상응하는 데이터 전압을 인가받는다. 곡면부(SAA)에 배치된 데이터 배선들(DL)도 데이터 구동 회로(DIC)로부터 표현하고자 하는 영상 정보의 계조에 상응하는 데이터 전압을 인가받는다.

따라서, 평면부(UAA)의 어떤 한 화소와 곡면부(SAA)의 어떤 한 화소에 동일한 계조를 표현하고자 할 때, 동일한 데이터 전압이 데이터 배선(DL)을 통해 인가된다. 정면 방향에서 이 두 화소들을 관측하면, 평면부(UAA)의 화소에 표현된 계조는 정상적으로 인지되는 반면, 곡면부(SAA)의 화소에 표현된 계조는 색 휘도가 왜곡되어 인지된다. 특히, 곡면부(SAA)에서 평면부(UAA)와 멀리 떨어진 곳에 배치된 화소일수록 색 휘도 왜곡정도는 더 심하게 인지된다.

이를 해결하기 위해, 본 발명의 제3 실시 예에서는 곡면부(SAA)에 배치된 화소(PXL)들에는 색 휘도 왜곡을 보상할 수 있도록 화소(PXL)의 휘도를 제어할 수 있는 구조를 제안한다. 특히, 곡면부(SAA) 내에서도, 곡면부의 시작부와 종료부에서 서로 다르게 나타나는 색 휘도 왜곡을 보상할 수 있도록 화소(PXL)들의 휘도를 차별적으로 제어할 수 있는 구조를 제안한다.

먼저, 곡면부(SAA)에 배치된 화소(PXL)에서 관측 방향에 따른 색 휘도 왜곡을 보상할 수 있는 구조에 대해 설명한다. 유기발광 다이오드 표시장치에서, 화소의 휘도는 유기발광 다이오드를 구동하는 전류에 의해 결정된다. 예를 들어, 도 2를 다시 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 소스 전극(DS) 사이의 전압인 게이트-소스 전압(Vgs)과 구동 박막 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth) 차이의 제곱에 비례한다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 채널 영역(A)의 폭에 비례하고, 길이에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면, 아래 수학식 1과 같다.

여기서, K는 비례 상수, W는 구동 박막 트랜지스터 채널의 폭, L은 구동 박막 트랜지스터 채널의 길이, Vgs는 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압, 그리고 Vth는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 의미한다.

동일한 계조를 나타내기 위해 유기발광 다이오드를 구동하기 위해 인가되는 구동 전류(VDD)의 전압은 동일하기 때문에, 동일한 규격의 구동 박막 트랜지스터(DT)를 통해서 유기발광 다이오드(OLE)에 인가되는 전류는 동일하다. 하지만, 수학식 1에서와 같이, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 채널 크기를 결정하는 폭(W)과 길이(L) 값을 조절함으로써, 동일한 구동 전압에 대해서 유기발광 다이오드의 구동 전류를 변화시킬 수 있다.

예를 들어, 채널 영역의 폭(W)을 고정한 상태에서 길이(L)를 줄이면, 채널의 W/L 비율 값이 커지므로 유기발광 다이오드(OLE)의 구동 전류가 커진다. 또한, 채널 영역의 길이(L)를 고정한 상태에서, 폭(W)을 늘여도, 채널의 W/L 비율 값이 커지므로 유기발광 다이오드(OLE)의 구동 전류가 커진다. 즉, 동일한 구동 전압에서도, 유기발광 다이오드(OLE)가 나타내는 색 휘도를 높일 수 있다.

구체적으로 설명하면, 곡면부(SAA)에서 곡면부가 시작하는 데이터 배선(DL) 연결된 곡면부 화소(PXL)들에 포함된 구동 박막 트랜지스터는 평면부(UAA)에 배치된 화소들에 포함된 구동 박막 트랜지스터보다 좀 더 큰 채널 W/L 비율 값을 갖는다. 또한, 곡면부(SAA)가 진행되는 방향으로 배열된 데이터 배선들(DL)에 연결된 곡면부 화소(PXL)들에 포함된 구동 박막 트랜지스터들은 순차적으로 더 큰 채널 W/L 비율 값을 갖는다.

이하, 도 8a를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에서 첫번째 경우를 설명한다. 도 8a는 본 발명의 제3 실시 예에서 채널의 폭은 고정하고 길이를 변경하여 채널 W/L 비율이 곡면이 진행하면서 점진적으로 증가하는 구동 박막 트랜지스터들을 포함하는 곡면부를 갖는 무-베젤 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.

<첫번째 경우>

도 8a를 참조하면, 곡면부(SAA)에는 측면에 특정 영상 정보를 표시하기 위한 데이터 배선(DL)들이 배치된다. 예를 들어, 160개의 데이터 배선(DL)들이 곡면부(SAA)에 배치될 수 있다. 더 상세히는, 곡면부(SAA)가 시작하는 데이터 배선(DL1)에 연결된 첫번째 화소(PXL1)들에서 곡면부(SAA)가 종료되는 데이터 배선(DL160)에 연결된 160번째 화소(PXL160)이 배치될 수 있다.

곡면부(SAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들이 모두 동일한 폭(W)을 갖는다. 특히, 곡면부(SAA)의 채널 영역(DA)들이 갖는 동일한 폭(W)은 평탄부(UAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들의 폭(W)과 동일한 것이 바람직하다. 이 경우, 곡면부(SAA)가 진행되는 방향으로 배열된 곡면부 화소(PXL)들에 포함된 구동 박막 트랜지스터(DT)들이 순차적으로 더 큰 채널 W/L 비율 값을 갖도록 하기 위해서는, 채널 길이(L)가 점진적으로 감소하여야 한다.

예를 들어, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 길이(L1)는 평판부(UAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(DT)에서 채널 영역(DA)의 길이(L)보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 두번째 화소(PXL2)에 연결된 두번째 구동 박막 트랜지스터(DT2)에서 채널 영역(DA2)의 길이(L2)는, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 길이(L1)보다 작은 것이 바람직하다. 같은 방식으로 160번째 화소(PXL160)에 연결된 160번째 구동 박막 트랜지스터(DT160)에서 채널 영역(DA160)의 길이(L160)는, 159번째 화소(PXL159)에 연결된 159번째 구동 박막 트랜지스터(DT159)에서 채널 영역(DA159)의 길이(L159)보다 작은 것이 바람직하다.

즉, 특히, 도 8a에 도시한 바와 같이, W=constant이며, L1 > Ln > L160을 만족하도록 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 결과, 곡면부(SAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)의 채널 W/L 비율은, W/L1 < W/Ln < W/L160의 조건을 만족한다. 즉, 곡면부(SAA)에 배치된 화소들(PXL1~PXL160)의 휘도는 PXL1 < PXLn < PXL160의 결과를 얻을 수 있다.

<두번째 경우>

이하, 도 8b를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에서 두번째 경우를 설명한다. 도 8b는 본 발명의 제3 실시 예에서 채널의 길이는 고정하고 폭을 변경하여 채널 W/L 비율이 곡면이 진행하면서 점진적으로 증가하는 구동 박막 트랜지스터들을 포함하는 곡면부를 갖는 무-베젤 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.

도 8b를 참조하면, 곡면부(SAA)에는, 곡면부(SAA)가 시작하는 데이터 배선(DL1)에 연결된 첫번째 화소(PXL1)들에서 곡면부(SAA)가 종료되는 데이터 배선(DL160)에 연결된 160번째 화소(PXL160)이 배치될 수 있다.

곡면부(SAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들이 모두 동일한 길이(L)를 갖는다. 특히, 곡면부(SAA)의 채널 영역(DA)들이 갖는 동일한 길이(L)는 평탄부(UAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들의 길이(L)와 동일한 것이 바람직하다. 이 경우, 곡면부(SAA)가 진행되는 방향으로 배열된 곡면부 화소(PXL)들에 포함된 구동 박막 트랜지스터(DT)들이 순차적으로 더 큰 채널 W/L 비율 값을 갖도록 하기 위해서는, 채널 폭(W)이 점진적으로 증가하여야 한다.

예를 들어, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 폭(W1)은 평판부(UAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(DT)에서 채널 영역(DA)의 폭(W)보다 큰 것이 바람직하다. 또한, 두번째 화소(PXL2)에 연결된 두번째 구동 박막 트랜지스터(DT2)에서 채널 영역(DA2)의 폭(W2)은, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 폭(W1)보다 큰 것이 바람직하다. 같은 방식으로 160번째 화소(PXL160)에 연결된 160번째 구동 박막 트랜지스터(DT160)에서 채널 영역(DA160)의 폭(W160)은, 159번째 화소(PXL159)에 연결된 159번째 구동 박막 트랜지스터(DT159)에서 채널 영역(DA159)의 폭(W159)보다 큰 것이 바람직하다.

즉, 특히, 도 8b에 도시한 바와 같이, L=constant이며, W1 < Wn < W160을 만족하도록 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 결과, 곡면부(SAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)의 채널 W/L 비율은, W/L1 < W/Ln < W/L160의 조건을 만족한다. 즉, 곡면부(SAA)에 배치된 화소들(PXL1~PXL160)의 휘도는 PXL1 < PXLn < PXL160의 결과를 얻을 수 있다.

<세번째 경우>

이하, 도 8c를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에서 세번째 경우를 설명한다. 도 8c는 본 발명의 제3 실시 예에서 채널의 길이와 폭을 모두 변경하여 채널 W/L 비율이 곡면이 진행하면서 점진적으로 증가하는 구동 박막 트랜지스터들을 포함하는 곡면부를 갖는 무-베젤 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.

도 8c를 참조하면, 곡면부(SAA)에는, 곡면부(SAA)가 시작하는 데이터 배선(DL1)에 연결된 첫번째 화소(PXL1)들에서 곡면부(SAA)가 종료되는 데이터 배선(DL160)에 연결된 160번째 화소(PXL160)이 배치될 수 있다.

곡면부(SAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들은 각각 서로 다른 폭(W)과 길이(L)를 갖는다. 특히, 곡면부(SAA)의 채널 영역(DA)들이 갖는 폭(W) 및 길이(L)는 평탄부(UAA)에 배치된 모든 구동 박막 트랜지스터(DT)들을 구성하는 채널 영역(DA)들의 폭(W) 및 길이(L)와 상이한 것이 바람직하다. 이 경우, 곡면부(SAA)가 진행되는 방향으로 배열된 곡면부 화소(PXL)들에 포함된 구동 박막 트랜지스터(DT)들이 순차적으로 더 큰 채널 W/L 비율 값을 갖도록 하기 위해서는, 채널 길이(L)는 점진적으로 감소하는 반면 채널 폭(W)은 점진적으로 증가하여야 한다.

예를 들어, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 길이(L1)는 평판부(UAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(DT)에서 채널 영역(DA)의 길이(L)보다 작은 것이 바람직하다. 반면에, 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 폭(W1)은 평판부(UAA)의 구동 박막 트랜지스터(DT)에서 채널 영역(DA)의 폭(W)보다 큰 것이 바람직하다. 또한, 두번째 화소(PXL2)에 연결된 두번째 구동 박막 트랜지스터(DT2)에서 채널 영역(DA2)의 폭(W2)은, 첫번째 화소(PXL1)에 연결된 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 폭(W1)보다 큰 것이 바람직하다. 반면에, 두번째 구동 박막 트랜지스터(DT2)에서 채널 영역(DA2)의 폭(W2)은, 첫번째 구동 박막 트랜지스터(DT1)에서 채널 영역(DA1)의 폭(W1)보다 큰 것이 바람직하다. 같은 방식으로, 160번째 화소(PXL160)에 연결된 160번째 구동 박막 트랜지스터(DT160)에서 채널 영역(DA160)의 길이(L160)는, 159번째 화소(PXL159)에 연결된 159번째 구동 박막 트랜지스터(DT159)에서 채널 영역(DA159)의 길이(L159)보다 작은 것이 바람직하다. 반면에, 160번째 구동 박막 트랜지스터(DT160)에서 채널 영역(DA160)의 폭(W160)은, 159번째 구동 박막 트랜지스터(DT159)에서 채널 영역(DA159)의 폭(W159)보다 큰 것이 바람직하다.

즉, 특히, 도 8c에 도시한 바와 같이, L1 > Ln > L160이며, W1 < Wn < W160을 만족하도록 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 결과, 곡면부(SAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터들(DT1~DT16)의 채널 W/L 비율은, W1/L1 < Wn/Ln < W160/L160의 조건을 만족한다. 즉, 곡면부(SAA)에 배치된 화소들(PXL1~PXL160)의 휘도는 PXL1 < PXLn < PXL160의 결과를 얻을 수 있다.

<네번째 경우>

본 발명의 제3 실시 예에서 네번째 경우에 대해서는, 구조적으로 특별한 특징이 있지 않으므로도면으로 도시하지 않았다. 곡면부(SAA)의 화소들이 160개 열이 배치된 구조를 가질 때, 4개 혹은 2개의 화소 열들을 하나의 그룹으로 묶어서 40개 혹은 80개의 화소 열 그룹을 만들 수 있다. 그리고, 각 화소 열 그룹별로 앞에서 설명한 첫번째 경우 내지 세번째 경우를 각각 적용할 수 있다. 그 결과, 곡면부(SAA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터들의 채널 비율이, 곡면이 진행하는 방향으로 점증하도록 형성할 수 있다. 즉, 곡면부(SAA)에 배치된 화소들의 휘도는 곡면이 진행하는 방향으로 점차적으로 더 밝은 값을 가질 수 있다.

이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 의한 측면 구부림 구조를 갖는 무-베젤 표시장치에서는, 동일한 계조를 표현할 때, 데이터 배선(혹은 구동 전류 배선)에는 동일한 구동 전압이 인가된다. 하지만, 구동 전압을 화소 전극에 전달하는 구동 박막 트랜지스터의 채널 특성이 서로 달라서 동일한 구동 전압에 대해 전달되는 구동 전류의 양을 서로 다르게 인가한다. 특히, 곡면부에서 곡면이 진행할 수록 점증하는 구동 전류를 인가하도록 구성한다. 그 결과, 정면에서 측면 표시 영역을 관측할 때, 곡면이 진행함에 따라 색 휘도 왜곡이 점차 심해지는 문제가 발생하지 않고, 균일한 색 휘도를 인지할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.

BP: 백 플레이트 CV: 커버 기판
FL: 유기발광 소자층 PI: 플렉서블 기저층
ACT: 표시층 ADH: 접착층
BA: 보호층 POL: 편광 필름
TSP: 터치 패널 필름 TS1: 제1 터치 패널 필름
TS2: 제2 터치 패널 필름 FR: 프레임
AA: 표시 영역 NA: 비 표시 영역
TSL: 터치 박막층 CG: 커버 글래스
FL: 플렉서블 표시 필름 FDP: 플렉서블 표시 패널
DA: 암흑 영역 DIC: 데이터 구동 회로
PXL: 곡면 화소

Claims (6)

1. 평면부;
   상기 평면부의 일측 방향에서 상기 평면부와 수직 방향으로 만곡되어 연장된 곡면부;
   상기 평면부에 배치된 다수 개의 제1 화소들;
   상기 곡면부에 배치된 다수 개의 제2 화소들;
   상기 제1 화소들에 배치된 제1 채널 비를 갖는 평면부 박막 트랜지스터들; 그리고
   상기 제2 화소들에 배치된 순차적으로 증가하는 제2 채널 비를 갖는 곡면부 박막 트랜지스터들을 포함하는 표시장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제2 채널 비는,
   상기 곡면부가 시작되는 최초 제2 화소의 최초 곡면부 박막 트랜지스터에 정의된 최초 채널 비;
   상기 곡면부가 종료되는 최종 제2 화소의 최종 곡면부 박막 트랜지스터에 정의된 최종 채널 비; 그리고
   상기 최초 제2 화소와 상기 최종 제2 화소 사이에 배치된 중간 제2 화소들의 중간 곡면부 박막 트랜지스터에 정의된, 상기 최초 채널 비와 상기 최종 채널 비 사이에서 점차 증가하는 중간 채널 비를 포함하는 표시장치.
   
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 최초 채널 비의 폭 내지 상기 최종 채널 비의 폭을 포함하는 상기 제2 채널 비의 폭들은 동일한 값을 갖고,
   상기 최초 채널 비의 길이는 상기 제1 채널 비의 길이보다 작으며,
   상기 중간 채널 비의 길이는, 상기 최초 채널 비의 길이와 상기 최종 채널 비의 길이 사이에서 점차 감소하는 표시장치.
   
4. 제 2 항에 있어서
   상기 최초 채널 비의 길이 내지 상기 최종 채널비의 길이를 포함하는 상기 제2 채널 비의 길이들은 동일한 값을 갖고,
   상기 최초 채널 비의 폭은 상기 제1 채널 비의 폭보다 크며,
   상기 중간 채널 비의 폭은, 상기 최초 채널 비의 폭과 상기 최종 채널 비의 폭 사이에서 점차 증가하는 표시장치.
   
5. 제 2 항에 있어서,
   상기 최초 채널 비의 길이는 상기 제1 채널 비의 길이보다 작으며,
   상기 최초 채널 비의 폭은 상기 제1 채널 비의 폭보다 크며,
   상기 중간 채널 비의 길이는, 상기 최초 채널 비의 길이와 상기 최종 채널 비의 길이 사이에서 점차 감소하며,
   상기 중간 채널 비의 폭은, 상기 최초 채널 비의 폭과 상기 최종 채널 비의 폭 사이에서 점차 증가하는 표시장치.
   
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 화소 내에서 상기 평면부 박막 트랜지스터에 연결되어 구동되는 평면부 유기발광 다이오드; 그리고
   상기 제2 화소 내에서 상기 곡면부 박막 트랜지스터에 연결되어 구동되는 곡면부 유기발광 다이오드를 더 포함하는 표시장치.

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